JP2021517258A - 基板及びその製造方法、電子装置 - Google Patents

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Abstract

基板及びその製造方法、電子装置を提供する。当該基板（１０）は、作業エリア（１０１）と、前記作業エリア（１０１）の周辺に位置する非作業エリア（１０２）と、ベース基板（１）と、前記ベース基板（１）に位置して前記非作業エリア（１０２）に位置する周辺回路（２）と共通電極リード線（３）と、を含み、前記共通電極リード線（３）は、前記周辺回路（２）の前記作業エリア（１０１）に近接する側に位置する。当該基板（１０）において、共通電極リード線（３）は、共通電極との電気的接続を実現するように、共通電極に直接に接触され、信号が共通電極リード線（３）から共通電極に伝える回路の抵抗を減少することができるとともに、当該基板（１０）が適用される電子装置が狭いフレームを有することができる。

Description

本願は、基板及びその製造方法、電子装置に関する。
本願は２０１８年３月３０日付出願の中国特許出願第２０１８１０２９３２８１.２号の優先権を主張し、ここで上述の中国特許出願が開示した全ての内容を援用して本願の一部として取り込む。
表示基板においては、回路（たとえば駆動回路）の接続線の抵抗が大きくなると、回路内の信号伝送速度が低下し、それによって表示画面の輝度が不均一になり、表示品質に影響を与える。また、表示技術の発展につれて、人々は狭いフレームをますます要求してきている。
本開示の少なくとも１つの実施例は、作業エリアと前記作業エリアの周辺に位置する非作業エリアと、ベース基板と、前記ベース基板に位置して前記非作業エリアに位置する周辺回路と共通電極リード線と、を含む基板を提供し、前記共通電極リード線は、前記周辺回路の前記作業エリアに近接する側に位置する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板は、共通電極をさらに含み、前記共通電極は、前記作業エリアから前記非作業エリアまで延び、前記共通電極は、少なくとも一部の前記共通電極リード線に直接に接触される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板において、前記周辺回路はゲート駆動回路であり、前記共通電極は陰極であり、前記共通電極リード線は陰極リード線である。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板は、前記周辺回路と前記共通電極リード線とを覆う平坦層をさらに含み、前記共通電極は、前記平坦層の前記ベース基板に離れる側に位置し、前記平坦層は、少なくとも一部の前記共通電極リード線を露出させるビアホールを含み、前記共通電極は前記ビアホールの位置する場所で前記共通電極リード線に直接に接触される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板は、前記平坦層の前記ベース基板に離れる側に設けられて少なくとも一部の前記周辺回路を覆い、前記ビアホールの位置する場所で前記共通電極リード線に電気的接続される、静電保護層をさらに含む。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板は平坦層をさらに含み、前記共通電極と前記共通電極リード線は、前記平坦層の前記ベース基板に離れる側に位置し、前記共通電極は、少なくとも一部の前記共通電極リード線に直接に接触される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板において、前記共通電極は、前記共通電極リード線に直接に接触されるように、少なくとも一部の前記共通電極リード線に直接にラップされる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板において、前記共通電極リード線は、前記共通電極に直接に接触されるように、少なくとも一部の前記共通電極に直接にラップされる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板において、前記共通電極と前記共通電極リード線を直接に接触させるように、前記共通電極の一端は、前記共通電極リード線の一端に接合される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板において、前記作業アリアはアレイに分布される複数の作業ユニットを含み、各前記作業ユニットは、前記ベース基板に設けられる第１電極と、前記第１電極の前記ベース基板に離れる側に設けられる機能層と、前記機能層の前記ベース基板に離れる側に設けられる第２電極と、を含み、前記第２電極は前記共通電極である。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板において、前記共通電極リード線は、前記第１電極と同層に設けられる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板は、前記平坦層の前記ベース基板に離れる側に設けられて少なくとも一部の前記周辺回路を覆い、前記共通電極リード線に電気的接続される、静電保護層をさらに含む。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板において、前記静電保護層は、前記共通電極リード線に電気的接続されるように、少なくとも一部の前記共通電極リード線に直接にラップされる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板において、前記共通電極リード線は、前記静電保護層に電気的接続されるように、少なくとも一部の前記静電保護層に直接にラップされる。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板において、前記共通電極リード線と前記静電保護層を電気的接続させるように、前記共通電極リード線の他端は、前記静電保護層の一端に接合される。
本開示の少なくとも１つの実施例は上記いずれかの実施例に係る基板を含む電子装置を提供する。
本開示の少なくとも１つの実施例は、作業エリアと、前記作業エリアの周辺に位置する非作業エリアとを含む基板の製造方法を提供し、当該製造方法は、ベース基板を提供するステップと、前記ベース基板且つ前記非作業エリアにおいて周辺回路と共通電極リード線を形成するステップと、を含み、前記共通電極リード線は、前記周辺回路の前記作業エリアに近接する側に位置する。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板の製造方法は、共通電極を形成するステップをさらに含み、前記共通電極は、前記作業エリアから前記非作業エリアまで延び、前記共通電極は、少なくとも一部の前記共通電極リード線に直接に接触される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板の製造方法は、平坦層を形成するステップをさらに含み、前記平坦層は前記周辺回路と前記共通電極リード線を覆い、前記共通電極は前記平坦層の前記ベース基板に離れる側に位置し、前記平坦層を形成するステップは、前記平坦層において、少なくとも一部の前記共通電極リード線を露出させるビアホールを形成するステップを含み、前記共通電極は前記ビアホールの位置する場所で前記共通電極リード線に直接に接触される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板の製造方法は、平坦層を形成するステップをさらに含み、前記共通電極と前記共通電極リード線は、前記平坦層の前記ベース基板に離れる側に形成され、前記共通電極は少なくとも一部の前記共通電極リード線に直接に接触される。
例えば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る基板の製造方法は、静電保護層を形成するステップをさらに含み、前記静電保護層は、前記平坦層の前記ベース基板に離れる側に形成され、少なくとも一部の前記周辺回路を覆って前記共通電極リード線に電気的接続される。
本開示の実施例の技術的手段をより明瞭に説明するために、以下では実施例の図面を簡単に説明し、明らかなように、下記図面は単に本開示の一部の実施例に過ぎず、本開示を限定するものではない。
図１は、基板の断面構造模式図である。 図２Ａは、本開示の１つの実施例に係る基板の平面構造模式図である。 図２Ｂは、本開示の１つの実施例に係る別の基板の平面構造模式図である。 図２Ｃは、本開示の１つの実施例に係るさらに別の基板の平面構造模式図である。 図３Ａは、図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線の断面構造模式図である。 図３Ｂは、図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線の別の断面構造模式図である。 図３Ｂ’は、図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２Ｂ’におけるＩ−Ｉ’線の別の断面構造模式図である。 図３Ｂ’’は、図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線の別の断面構造模式図である。 図３Ｃは、図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線のさらに別の断面構造模式図である。 図３Ｃ’は、図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線のさらに別の断面構造模式図である。 図３Ｃ’’は、図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線のさらに別の断面構造模式図である。 図３Ｃ’’’は、図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線のさらに別の断面構造模式図である。 図４Ａは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図４Ｂは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図４Ｃは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図４Ｄは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図４Ｅは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図４Ｆは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図４Ｇは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図４Ｈは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図４Ｉは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図４Ｊは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図４Ｋは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図４Ｌは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図４Ｍは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図４Ｎは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図４Ｏは、本開示の１つの実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。 図５Ａは、本開示の１つの実施例に係る別の基板の製造方法のプロセス模式図である。 図５Ｂは、本開示の１つの実施例に係る別の基板の製造方法のプロセス模式図である。 図５Ｃは、本開示の１つの実施例に係る別の基板の製造方法のプロセス模式図である。 図５Ｄは、本開示の１つの実施例に係る別の基板の製造方法のプロセス模式図である。 図５Ｅは、本開示の１つの実施例に係る別の基板の製造方法のプロセス模式図である。 図５Ｅ’は、本開示の１つの実施例に係る別の基板の製造方法のプロセス模式図である。 図５Ｆは、本開示の１つの実施例に係る別の基板の製造方法のプロセス模式図である。 図６Ａは、本開示の１つの実施例に係るさらに別の基板の製造方法のプロセス模式図である。 図６Ｂは、本開示の１つの実施例に係るさらに別の基板の製造方法のプロセス模式図である。 図７は、本開示の１つの実施例に係る電子装置のブロック図である。
本開示の実施例の目的、技術的手段及び利点をより明瞭にするために、以下では本開示の実施例の図面を参照しながら、本開示の実施例の技術的手段を明瞭で、完全に説明する。勿論、説明した実施例は本開示の一部の実施例に過ぎず、全ての実施例ではない。説明した本開示の実施例に基づいて、当業者が進歩性のある労働を必要とせずに得られる全ての他の実施例は、本開示の保護範囲に属する。
特に定義しない限り、ここで使用される技術用語又は科学用語は当業者が理解可能な一般的なの意味である。本開示の明細書及び請求の範囲に使用される「第一」、「第二」及び類似する単語は、何らかの順序、数量又は重要性を示すものではなく、異なる構成部分を区別するためのものに過ぎない。「含む」又は「備える」のような用語は該用語前に現れた素子又はデバイスが該用語後に現れる素子又はデバイス及びその同等物をカバーすることを意味し、他の素子又はデバイスを排除しない。「内」、「外」、「上」、「下」等は相対位置関係を示すものに過ぎず、説明する対象の絶対位置が変わると、該相対位置関係も変わる。
本開示の図面の寸法は実際の縮尺で厳密に描かれておらず、基板におけるアレイユニットの数は、図面に示されている数に限定されない。本開示の図面における各構造の具体的な寸法および数は、実際のニーズに従って決定され得る。本開示で説明される図面は、構造模式図にすぎない。
図１は基板の断面構造模式図であり、例えば、当該基板は例えば有機表示装置を形成するための表示基板である。図１に示すように、当該表示基板はベース基板２０１と、駆動回路２０２と、共通電極リード線１０３とを含む。当該表示基板は表示エリア１００１と表示エリア１００１の周辺に位置する非作業エリア１００２とを含む。当該表示基板の非作業エリア１００２に駆動回路２０２が設けられ、駆動回路２０２は例えばゲート駆動回路であり、例えばアレイ基板に集積されたゲート駆動回路（ＧＯＡ）である。共通電極リード線１０３はベース基板２０１における非作業エリア１００２に設けられ、駆動回路２０２の表示エリア１００１に離れる側に位置してベース基板２０１の外側輪郭エッジに沿って延びる。
当該表示基板は、駆動回路２０２と一部の共通電極リード線１０３とを覆う平坦層１００４を含み、平坦層１００４は、駆動回路２０２と共通電極リード線１０３を絶縁させるように、一部が駆動回路２０２と共通電極リード線１０３との間に位置する。当該表示基板は、ジャンパー電極１０９と共通電極１０５をさらに含み、共通電極１０５はジャンパー電極１０９を介して共通電極リード線１０３に電気的接続され、即ちジャンパー電極１０９は共通電極１０５と共通電極リード線１０３との電気的接続を実現する架け橋とされる。共通電極１０５は、ジャンパー電極１０９との電気的接続を実現するように、表示エリア１００１から非作業エリア１００２まで延びてジャンパー電極１０９の表示エリア１００１に近接する端に接触され、ジャンパー電極１０９は、共通電極リード線１０３との電気的接続を実現するように、ジャンパー電極１０９の表示エリア１００１に離れる端が共通電極リード線１０３に接触され、よって、共通電極１０５と共通電極リード線１０３との電気的接続が実現される。
図１に示す表示基板において、共通電極はジャンパー電極を通じて共通電極リード線との電気的接続を実現し、共通電極リード線と共通電極との間の距離が大きく、ジャンパー電極の長さが大きく、共通電極リード線と共通電極との間の抵抗が大きい。この状況は局部および回路全体の電圧降下の低減に不利であり、よって、信号の伝送速度に影響を与え、最終的に表示スクリーンの輝度が不均一になる一方、当該抵抗が大きいとジュール熱が増加し、当該表示基板が適用される表示装置の寿命が短くなる。また、共通電極とジャンパー電極を蒸着によって形成する時に、蒸着過程におけるマスクの位置誤差により、共通電極とジャンパー電極との接触面積と、ジャンパー電極と共通電極リード線との接触面積とは大きさが固定されないため、共通電極とジャンパー電極との接触面積と、ジャンパー電極と共通電極リード線との接触面積との大きさは、蒸着マスクの位置に直接に影響され、当該接触面積の大きさは固定されず、最終的に基板の寸法誤差が過度に大きくなる問題が生じる。
また、蒸着過程におけるマスクの位置の誤差によって、共通電極リード線から基板の外側輪郭エッジまでの距離が固定されなくなる。通常、例えばパッケージ層またはパッケージ基板と配合してパッケージを実現するために、基板に共通電極リード線１０３の基板の外側輪郭エッジに近接する側に位置するダム（Ｄａｍ）を設ける必要があり、当該ダムと共通電極リード線との間には一定の距離を予め設けるが必要であり、当該距離は蒸着マスクの位置誤差の影響も受け、蒸着マスクがダムの方向に対してオフセットが大きすぎると、ダムと蒸着マスクとの間に予め設けるマージンをさらに大きくする必要があり、狭いフレームの表示装置の実現には不利である。
本開示の少なくとも１つの実施例は、作業エリアと作業エリアの周辺に位置する非作業エリアと、ベース基板と、ベース基板に位置して非作業エリアに位置する周辺回路と共通電極リード線と、を含む基板を提供し、共通電極リード線は、周辺回路の作業エリアに近接する側に位置する。
例示的に、図２Ａは本開示の１つの実施例に係る基板の平面構造模式図であり、図２Ｂは本開示の１つの実施例に係る別の基板の平面構造模式図であり、図２Ｃは本開示の１つの実施例に係るさらに別の基板の平面構造模式図であり、図３Ａは図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線の断面構造模式図である。
図２Ａと図３Ａに示すように、基板１０は、作業エリア１０１と、作業エリア１０１の周辺に位置する非作業エリア１０２と、ベース基板１と、ベース基板１に位置して非作業エリア１０２に位置する周辺回路２と共通電極リード線３と、作業エリア１０１から非作業エリア１０２まで延びる共通電極５と、を含み、共通電極リード線３は、周辺回路２の作業エリア１０１に近接する側に位置し、共通電極５は、少なくとも一部の共通電極リード線３に直接に接触される。
例えば、ベース基板１は外側輪郭エッジ１０４を含む。例えば、表示装置または照明装置に対して、作業エリア１０１は表示エリアまたは発光エリアなどであってもよく、それに応じて、非作業エリア１０２は非表示エリアまたは非発光エリアなどであってもよい。非作業エリア１０２は例えば表示、発光などに用いられないが、その中に表示、発光などの機能を支持と実現するための回路、パッド、相互接続構造などが設けられてもよい。周辺回路２（周辺回路の構造は具体的に図示されておらず）は、ベース基板１に設けられて非作業エリア１０２に位置し、例えば作業エリア１０１内の作業ユニット１４の作業状態の制御にも用いられてもよい。例えば、作業ユニット１４が発光ユニットである時に、周辺回路２は、発光ユニットの発光か否か、および発光強度の制御に用いられることができる。周辺回路２は例えばゲート駆動回路またはデータ駆動回路などの駆動回路であってもよい。周辺回路２のタイプと具体的な構造について、本開示は限定しないが、例えばゲート駆動回路はアレイ基板に集積されたゲート駆動回路（ＧＯＡ）であってもよい。
共通電極リード線３はベース基板１に位置してベース基板１の一部の外側輪郭エッジに沿って設けられ、即ち共通電極リード線３は、ベース基板１の一部の外側輪郭エッジに沿って延びる。共通電極リード線３は周辺回路２の作業エリア１０１に近接する側に位置し、よって、共通電極リード線３が後続で形成される共通電極にさらに近接させることができ、共通電極リード線３を、後続で形成される共通電極に直接に接触させて共通電極リード線３と共通電極との電気的接続を実現させ、信号が共通電極リード線３から共通電極に伝える抵抗を低減する。例えば、当該共通電極リード線３は陰極リード線である。
例えば、共通電極５は、作業エリア１０１から非作業エリア１０２まで延びる。共通電極５は、共通電極リード線３との電気的接続を実現するように、一部の共通電極リード線３に直接に接触される。例えば、当該共通電極５は陰極である。ジャンパー電極を通じて共通電極リード線３と共通電極５との電気的接続を実現する場合に比べて、共通電極リード線３が共通電極に直接に接触されて電気的接続が実現され、よって、信号が共通電極リード線から共通電極に伝える回路の抵抗が低減され、信号が共通電極リード線と共通電極との間の伝送速度の向上に有利であり、例えば、当該基板が表示基板である時に、表示画面の輝度の均一性を向上させることができ、よりよい表示効果を得るとともに、信号が共通電極リード線から共通電極に伝える回路の抵抗の低減は、作業中の電力消費とジュール熱の低減に有利であり、ジュール熱による温度上昇が低減され、それにより、当該基板装置が適用される装置例えば表示装置の寿命の延長に有利である。
一方、本開示の実施例に係る基板１０について、蒸着法で共通電極５と共通電極リード線３を形成する過程において、蒸着マスクの位置誤差が存在しても、共通電極５が共通電極リード線との一定の接触面積を確保することができるため、共通電極リード線３とベース基板１の外側輪郭エッジ１０４に近接するダムとの間に過大のマージンを予め設ける必要がなく、狭いフレームの実現に有利であり、複数回の生産における蒸着マスクの異なる位置誤差による、基板製品の寸法誤差の不一致や表示輝度の均一性の不一致などの問題を回避することができる。
なお、本開示の実施例において、共通電極リード線が共通電極に直接に接触されることとは、共通電極リード線の少なくとも一部が、共通電極の少なくとも一部に接触され、共通電極リード線と共通電極が接触位置において両者を接続するための他の部品（例えばジャンパー電極、導線など）が存在しないことを指す。
図１に示す基板において、電気信号が共通電極リード線から共通電極に伝えることに係る抵抗は、共通電極リード線の抵抗と、共通電極リード線とジャンパー電極との接触抵抗と、ジャンパー電極の抵抗と、ジャンパー電極と共通電極との接触抵抗と、共通電極の抵抗との和である。本開示の実施例に係る基板において、信号が共通電極リード線から共通電極に伝えることに係る抵抗は、共通電極リード線の抵抗と、共通電極リード線と共通電極との接触抵抗と、共通電極の抵抗との和である。そのため、ジャンパー電極を通じて共通電極リード線と共通電極との電気的接続を実現する場合に比べて、本開示の実施例に係る基板において、信号は共通電極リード線から共通電極に伝える回路の抵抗が低減される。
例えば、図３Ａに示すように、基板１０は、駆動回路２と共通電極リード線３とを覆う平坦層４を含み、平坦層４は、周辺回路２と共通電極リード線３との絶縁を実現するように、一部が周辺回路２と共通電極リード線３との間に位置する。共通電極５は、共通電極リード線３との電気的接続を実現するように、平坦層４のベース基板１に離れる側に位置し、平坦層４は、少なくとも一部の共通電極リード線３を露出させるビアホール４０１を含み、共通電極５は、ビアホール４０１の位置する場所で共通電極リード線３に直接に接触される。例えば、ベース基板１の板面に平行となる平面において、ビアホール４０１の平面形状はドット状であってもよく、例えば円形、楕円形、多辺形（例えば三角形、矩形など）などであってもよい。
もちろん、その他の例示において、平坦層４は一部の共通電極リード線３を露出させるビアホールを含んでもよく、ベース基板１の板面に平行となる平面において、当該ビアホールの平面形状はストリップ状、例えば矩形、波線形などである。共通電極５は、当該ビアホールを通じて共通電極リード線３に電気的接続される。本開示の実施例は当該ビアホールの形状を限定しない。もちろん、本開示の他の実施例において、上記ビアホールは共通電極リード線の全体を露出させてもよく、本開示の実施例はそれを限定しない。
共通電極リード線３と周辺回路２は作業エリア１０１の作業状態の制御に用いられる。例えば、図２Ａに示すように、共通電極リード線３と周辺回路２は基板１０の左側の、その外側輪郭エッジに近接する場所に位置し、左側から作業エリア１０１へ制御信号を入力してもよい。例えば、図２Ｂに示すように、共通電極リード線３と周辺回路２は基板１０の上側の、その外側輪郭エッジに近接する場所に位置し、上側から作業エリア１０１へ制御信号を入力してもよい。また例えば、図２Ｃに示すように、共通電極リード線３と周辺回路2は基板10の上の対面となる両側、例えば左側と右側の、その外側輪郭エッジに近接する場所に位置してもよい。このようにして、両側から同時に作業エリア１０１へ制御信号を入力することができ、信号遅延を低減する技術的効果を達成することができ、その結果、基板10はより良い作動効果を達成することができる。基板１０の平面面積が大きい状況について、この技術的効果がさらに顕著である。なお、本開示の実施例における「左」、「右」、「上」は対応する図面で示された相対位置を指す。
例えば、共通電極リード線３と共通電極５の材料は透明導電材料または不透明導電材料であってもよい。透明導電材料は例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などであってもよく、不透明導電材料は例えば導電率が高い銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金などの金属材料であってもよい。共通電極リード線３と共通電極リード５は上記またはその他の種類の導電率が高い材料を採用し、共通信号伝送の速度の向上に有利である。例えば、作業エリア１０１が発光エリアであり、光を図３Ａにおける共通電極５側から出射させる必要がある時に、共通電極５は透明材料である。
以上で列挙された材料の種類は単なる例示であり、本開示の実施形態は共通電極リード線と共通電極の材料を限定せず、当業者は具体的なニーズに従って選択することができる。
例えば、作業エリア１０１はアレイに分布される複数の作業ユニット１４を含む。複数の作業ユニットはアレイ素子を含み、例えば、アレイ素子は第１電極７と、機能層８と、第２電極５とを含む。第１電極７はベース基板１に設けられ、例えば、平坦層４のベース基板１に離れる側に設けられる。機能層８は第１電極７のベース基板１に離れる側に設けられる。本開示に１つの実施例において、第２電極は共通電極であり、機能層８のベース基板１に離れる側に設けられる。例えば、機能層８は有機エレクトロルミネセンス層のようなエレクトロルミネセンス層である。例えば、アレイ素子は有機発光ダイオードデバイスであってもよく、当該有機発光ダイオードデバイスはトップエミッション、ボトムエミッションなどの構造であってもよい。示範的に、有機発光ダイオードデバイスは対面に設けられる陽極と陰極、および陽極と陰極の間に位置する有機発光層を含む。
例えば、図３Ａに示す例示において、第１電極７は陽極である。この時に、共通電極リード線３は共通陰極リード線であり、作業過程において共通電極５に低レベル信号を入力する。例えば、陽極は反射電極であってもよいか、または陽極は反射層（図示せず）を含み、作業過程において、光が陰極側から出射され、または、陰極は反射電極であってもよいか、または陰極は反射層を含み、作業過程において、光が陽極側から出射される。本開示の実施例の他の例示において、陽極と陰極に位置は交換してもよい。例えば、陽極は共通電極５であり、第１電極７は陰極であってもよく、この時に、共通電極リード線３は共通陽極リード線であり、作業過程において共通電極５に高レベル信号を入力する。
例えば、基板１０は、複数の発光ユニットまたは画素ユニットを区画し、隣接する発光ユニットまたは隣接する画素ユニットの間の光のクロストークを防止するように、画素区画層６をさらに含み、画素区画層６は作業ユニット１４に対応する開口を含み、機能層８は少なくとも開口に設けられ、例えば、共通電極５は画素区画層６を覆う。
例えば、周辺回路２は例えばゲート駆動回路またはデータ駆動回路などであってもよい。例えば、当該ゲート駆動回路またはデータ駆動回路は異なる例示に応じて、薄膜トランジスター、コンデンサ、ゲートリード線またはデータラインリード線などを含んでもよい。
例えば、基板１０はフレキシブル基板であってもよい。この時に、当該基板１０は第１有機パッケージ層９と、無機パッケージ層１１と、第２有機パッケージ層１２とを含むフレキシブルパッケージ層をさらに含む。第１有機パッケージ層９は、作業エリア１０１と一部の非作業エリア１０２を覆う。無機パッケージ層１１は、第１有機パッケージ層９に設けられ、作業エリア１０１と一部の非作業エリア１０２を覆う。第２有機パッケージ層１２は無機パッケージ層１１に設けられ、作業エリア１０１と一部の非作業エリア１０２を覆い、一部のベース基板１を覆う。第１有機パッケージ層９は、水と酸素をブロックする能力が弱く、無機パッケージ層１１は、水と酸素をブロックする能力が良いため、無機パッケージ層１１を設けることによって、フレキシブル基板をより良い耐水性と耐酸素性を有させ、フレキシブル基板に設けられた機能層８を保護する。
例えば、第１有機パッケージ層９と第２有機パッケージ層１２の材料はポリイミド、ポリエステル、ポリフッ化物のうちの１つまたは複数の組み合わせであってもよい。ポリイミドは優れた光透過性、高温耐性、耐屈曲性の特徴を備えている。もちろん、第１有機パッケージ層９と第２有機パッケージ層１２の材料は上記で列挙された種類に限定されるものではない。
例えば、無機パッケージ層１１の材料は酸化ケイ素または窒化ケイ素を含んでもよい。もちろん、無機パッケージ層１１の材料は上記で列挙された種類に限定されるものではない。水と酸素をブロックする能力の良い無機層である限り、適用できる。
例えば、基板１０がフレキシブル基板である時に、ベース基板１の材料はポリイミド、ポリエステル、ポリフッ化物のうちの１つまたは複数の組み合わせであってもよい。もちろん、本開示の実施例はベース基板の材料を限定しない。
図３Ｂは図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線の別の断面構造模式図であり、図３Ｂは本開示の実施例に係る別の基板を示す。図３Ｂに示すように、共通電極５と共通電極リード線３とは平坦層４に位置し、共通電極５は、共通電極リード線３に直接に接触されるように、一部の共通電極リード線３にラップされる。もちろん、本開示の他の実施例において、共通電極５は、共通電極リード線３に直接に接触されるように、直接に共通電極リード線３の全体にラップされてもよい。このようにしても図３Ａに示す基板と類似する技術的効果を達成することができ、上記説明を参照し、ここで説明しない。
なお、本開示の実施例において、共通電極が共通電極リード線にラップされることとは、共通電極の一部が、ベース基板に垂直となる方向において少なくとも一部の共通電極リード線に重なり、少なくとも一部の共通電極リード線に接触して電気的接続を実現し、共通電極と共通電極リード線との間にその他の層がなく、両者は例えばビアホールを介して接続する必要がないことを指す。
図３Ｂにおいて、基板１０の平坦層４は、周辺回路２と一部のベース基板１を覆い、一部の平坦層４は、共通電極リード線３を周辺回路2に絶縁させるように、共通電極リード線３と周辺回路２との間に位置する。
例えば、図３Ｂに示すように、共通電極リード線３は第１電極７に同層に設けられる。このようにして、共通電極リード線３を第１電極７と同じ材料によって同じ工程で同時に形成させることができ、基板１０の製造工程の簡略化に有利であり、生産効率を向上する。
例えば、図３Ｂに示すように、共通電極リード線３のベース基板１における正投影の一部は、周辺回路２のベース基板１における正投影の一部に重なり、基板のフレームの更なる減少に有利であり、よって、当該基板が適用される装置例えば表示装置のフレームの減少に有利である。
図３Ｂに示す基板の他の特徴およびその効果は図３Ａに示すものと同じであり、上記の説明を参照してください。
例えば、図３Ｂ’は図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線の別の断面構造模式図であり、図３Ｂ’は本開示の実施例に係る別の基板を示す。図３Ｂ’に示すように、共通電極５と共通電極リード線３とは平坦層４に位置し、共通電極５の一端は、共通電極と共通電極リード線に直接に接触されるように、一部の共通電極リード線３の一端に接合される。このようにしても図３Ａに示す基板と類似する技術的効果を達成することができ、上記説明を参照し、ここで説明しない。
なお、本開示の実施例において、共通電極の一端と一部の共通電極リード線の一端に接合されることとは、共通電極が一部の共通電極リード線に端部のみにおいて直接に接触され、共通電極と共通電極リード線がベース基板における正投影は重ならないことを指す。
例えば、図３Ｂ’’は図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線の別の断面構造模式図であり、図３Ｂ’’は本開示の実施例に係る別の基板を示す。図３Ｂ’’に示すように、共通電極５と共通電極リード線３とは平坦層４に位置し、共通電極リード線３は、共通電極５に直接に接触されるように、一部の共通電極５に直接にラップされる。もちろん、本開示の他の実施例において、共通電極リード線３は、共通電極５に直接に接触されるように、直接に共通電極５の全体にラップされてもよい。このようにしても図３Ａに示す基板と類似する技術的効果を達成することができ、上記説明を参照し、ここで説明しない。
図３Ｃは図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線のさらに別の断面構造模式図であり、図３Ｃは本開示の実施例に係るさらに別の基板を示す。図３Ｃに示す基板と図３Ａに示す基板の区別は以下である。基板１０は、平坦層４のベース基板１に離れる側に設けられて周辺回路２を覆って共通電極リード線３に電気的接続される静電保護層１３をさらに含み、例えば、共通電極５は静電保護層１３に設けられて静電保護層１３に直接にラップされて、静電保護層１３の共通電極リード線３に近接する端はビアホール４０１を介して共通電極リード線３に直接に接触され、静電保護層１３と共通電極リード線３との電気的接続を実現する。例えば、静電保護層１３の共通電極リード線３に近接する端をその他のビアホールを介して共通電極リード線３に直接に接触されるように、共通電極と同じビアホールを共用せずに、平坦層にその他のビアホールを形成してもよい。静電保護層１３は周辺回路２の外部の静電を共通電極リード線を通じてガイドし、静電荷が周辺回路2に侵入して周辺回路2の作業状態に干渉するのを防ぐことができる。このようにして、静電保護層１３と共通電極リード線３は静電防止回路の一部とされてもよく、基板１０に静電防止回路を設ける必要がある時に、基板１０の部品を簡略化してもよい。
図３Ｃ’は図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線のさらに別の断面構造模式図であり、図３Ｃ’は本開示の実施例に係るさらに別の基板を示す。図３Ｃ’に示す基板と図３Ｂに示す基板の区別は以下である。基板１０は、平坦層４のベース基板１に離れる側に設けられて周辺回路２を覆って共通電極リード線3に電気的接続される静電保護層１３をさらに含み、例えば、静電保護層１３と共通電極リード線３との電気的接続を実現するように、静電保護層１３は少なくとも一部の共通電極リード線３に直接にラップされる。静電保護層１３は周辺回路２の外部の静電を共通電極リード線を通じてガイドし、静電荷が周辺回路2に侵入して周辺回路2の作業状態に干渉するのを防ぐことができる。このようにして、静電保護層１３と共通電極リード線３は静電防止回路の一部とされてもよく、基板１０に静電防止回路を設ける必要がある時に、基板１０の部品を簡略化してもよい。
図３Ｃ’’は図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線のさらに別の断面構造模式図であり、図３Ｃ’’は本開示の実施例に係るさらに別の基板を示す。図３Ｃ’’に示す基板と図３Ｂに示す基板の区別は以下である。基板１０は、平坦層４のベース基板１に離れる側に設けられて周辺回路２を覆って共通電極リード線3に電気的接続される静電保護層１３をさらに含み、例えば、静電保護層１３と共通電極リード線３との電気的接続を実現するように、共通電極リード線３は少なくとも一部の静電保護層１３に直接にラップされる。静電保護層１３は周辺回路２の外部の静電を共通電極リード線を通じてガイドし、静電荷が周辺回路2に侵入して周辺回路2の作業状態に干渉するのを防ぐことができる。このようにして、静電保護層１３と共通電極リード線３は静電防止回路の一部とされてもよく、基板１０に静電防止回路を設ける必要がある時に、基板１０の部品を簡略化してもよい。
図３Ｃ’’’は図２ＡにおけるＧ−Ｇ’線または図２ＢにおけるＩ−Ｉ’線のさらに別の断面構造模式図であり、図３Ｃ’’’は本開示の実施例に係るさらに別の基板を示す。図３Ｃ’’’に示す基板と図３Ｂに示す基板の区別は以下である。基板１０は、平坦層４のベース基板１に離れる側に設けられて周辺回路２を覆って共通電極リード線3に電気的接続される静電保護層１３をさらに含み、例えば、静電保護層１３と共通電極リード線３との電気的接続を実現するように、共通電極リード線３の他端は静電保護層１３の一端に接合される。静電保護層１３は周辺回路２の外部の静電を共通電極リード線を通じてガイドし、静電荷が周辺回路2に侵入して周辺回路2の作業状態に干渉するのを防ぐことができる。このようにして、静電保護層１３と共通電極リード線３は静電防止回路の一部とされてもよく、基板１０に静電防止回路を設ける必要がある時に、基板１０の部品を簡略化してもよい。
なお、本開示の実施例において、共通電極リード線の他端と静電保護層の一端に接合されることとは、共通電極リード線と静電保護層は端部のみに直接に接触され、共通電極リード線と静電保護層はベース基板における正投影は重ならないことを指す。
本開示の実施例に係る基板は表示装置、照明装置などの電子装置に適用可能である。本開示の実施例に係る基板は、フレキシブル表示パネル、発光パネルなどに用いられるフレキシブル基板であってもよい。
本開示の１つの実施例は、本開示の上記実施例に係るいずれかの基板を含む電子装置をさら提供する。示範的に、図７は本開示の１つの実施例に係る電子装置のブロック図である。図７に示すように、当該電子装置は本開示の実施例に係るいずれかの基板を含む。例えば、当該電子装置は表示装置であってもよく、例えば、当該表示装置は有機発光ダイオード表示装置であってもよい。例えば、当該表示装置はフレキシブル表示装置であってもよい。例えば、当該表示装置は携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、ナビゲータ、電子広告スクリーン等の表示機能を有する任意の製品又は部材として実現されてもよい。例えば、当該電子装置は照明装置であってもよく、例えば、当該照明装置は装飾用灯具であってもよい。
図７は本開示の実施例に係るいずれかの基板を含む表示装置のブロック図に過ぎなく、表示装置の他の構造を図示せず、当業者は従来の技術を参照することができ、本開示の実施例はこれを限定するものではない。
本開示の実施例に係る電子装置は、共通電極リード線と共通電極との電気的接続を実現するための抵抗を低減することができ、信号が共通電極リード線と共通電極との間の伝送速度の向上に有利であり、例えば当該基板が発光基板例えば表示基板である時に、表示画面の輝度の均一性を向上させることができ、よりよい表示効果を得るとともに、共通電極リード線と共通電極との電気的接続を実現するための抵抗の低減は、電子装置の作業中の電力消費とジュール熱の低減に有利であり、ジュール熱による温度上昇が低減され、それにより、電子装置の寿命の延長に有利である。また、本開示の実施例に係る電子装置は、狭いフレームを実現することができる。
本開示の少なくとも１つの実施例は、作業エリアと、作業エリアの周辺に位置する非作業エリアとを含む基板の製造方法をさらに提供し、当該製造方法は、ベース基板を提供するステップと、ベース基板且つ非作業エリアにおいて周辺回路と共通電極リード線を形成するステップと、作業エリアと非作業エリアにおいて共通電極を形成するステップと、を含み、共通電極リード線は、周辺回路の作業エリアに近接する側に位置し、共通電極は少なくとも一部の共通電極リード線に直接に接触される。
示範的に、図４Ａ〜図４Ｏは本開示の実施例に係る基板の製造方法のプロセス模式図である。以下で、作業エリアが有機発光ダイオードデバイスを含む基板の形成を例として示範的な紹介をする。
図４Ａに示すように、ベース基板１を提供する。ベース基板１は例えばガラス基板、石英基板、樹脂（例えばポリエチレン）基板などであってもよく、例えば、ポリイミドからなるフレキシブル基板であってもよい。ベース基板１は外側輪郭エッジを含み、形成される基板の含む作業エリア１０１と作業エリア１０１の周辺に位置する非作業エリア１０２とのベース基板１に対応するエリアは図４Ａに示すものである。
図４Ｂに示すように、基板の非作業エリア１０２において周辺回路２を提供し、当該周辺回路２は例えばゲート駆動回路またはデータ駆動回路のような駆動回路であってもよい。当該周辺回路２の具体的な製造方法について、当業者は従来の技術を参照することができる。
図４Ｃに示すように、共通電極リード線３は、後続で形成される、作業エリア１０１から非作業エリア１０２まで延びる共通電極に直接に接触させることを便利にするように、周辺回路２の作業エリア１０１に近接する側に位置する。それに、共通電極リード線３と周辺回路２とを絶縁させるように、共通電極リード線３と周辺回路２との間には一定の距離が設けられる。例えば、共通電極リード線３の材料は例えば透明導電材料または不透明導電材料であってもよく、透明導電材料は例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などであってもよく、不透明導電材料は例えば導電率が高い銅、アルミニウム、銅合金などの金属材料であってもよい。共通電極リード線３はマスクと配合して化学気相蒸着法またはマグネトロンスパッタリング蒸着法、蒸着などにより形成してもよい。
図４Ｄに示すように、当該方法は平坦層４を形成するステップをさらに含む。平坦層４は周辺回路２と共通電極リード線３を覆う。共通電極リード線３と周辺回路２とを絶縁させるように、一部の平坦層４は共通電極リード線３と周辺回路２との間に位置する。例えば、平坦層４の材料は、絶縁層として機能しつつ、絶縁材料であってもよい。当該絶縁材料は例えば無機材料または有機材料であってもよく、当該有機材料は例えばポリエチレン樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂などの樹脂材料である。本開示の実施例は平坦層４の材料を限定しない。
図４Ｅに示すように、平坦層４に対してパターニング工程が実施され、平坦化層４に一部の共通電極リード線を露出させるビアホール４０１が形成される。例えば、当該パターニング工程はフォトレジストであってもよい。もちろん、その他の実施例において、平坦層４に対してパターニング工程を実施することによって一部の共通電極リード線を露出させる溝を形成してもよく、溝はビアホールの特殊の形式である。
図４Ｆに示すように、平坦層４の上方にプレ画素区画層６０１が形成され、例えばコーティングによってプレ画素区画層６０１が形成されてもよい。例えば、プレ画素区画層６０１の材料は、後続のフォトリソグラフィ工程を行うための感光性材料であってもよい。例えば、当該感光性材料は、フォトレジスト材料と金属ハロゲン化物を含んでもよく、金属ハロゲン化物は例えばハロゲン化銀（例えば、ＡｇＣｌまたはＡｇＢｒ）である。プレ画素区画層６０１の材料は、黒色樹脂、金属クロムまたは酸化クロムなどの暗い材料であってもよく、所望のパターンは、印刷またはフォトリソグラフィなどのパターニング方法によって得ることができる。もちろん、プレ画素区画層６０１の材料は、他の材料であってもよく、当業者はニーズに応じて選択してもよい。
図４Ｇに示すように、プレ画素区画層６０１に対してパターニング工程を実施して画素区画層６を形成する。画素区画層６は開口を有する。画素区画層６は作業エリア１０１においてアレイに分布される複数の作業ユニットを区画し、即ち作業エリア１０１においてアレイに分布される複数の作業ユニットを形成する。例えば、当該パターニング工程はフォトレジスト工程であってもよい。例えば、画素区画層６は、露光-現像工程によって形成されてもよく、プレ画素区画層６０１の材料がフォトレジスト材料と金属ハロゲン化物を含む場合に、金属ハロゲン化物は、露光されていない時に低光学密度材料であり、露光後に金属粒子に分解され、当該金属粒子は小さな粒子のために黒く見られ、高い光学密度値を有する。一方、例えば、フォトレジスト材料はネガ型フォトレジスト材料であり、露光後に現像液に不溶となり残存するため、画素区画層６を形成することができる。
図４Ｉに示すように、例えば第１電極７は、蒸着や堆積などの方法により、マスクと配合して平坦層４に形成されてもよく、例えば、第１電極７は陽極である。また、図４Ｈに示すように、まず蒸着、マグネトロンスパッタリング蒸着、化学気相蒸着などの方法によりプレ第１電極層７０１を形成し、次にフォトリソグラフィ工程によって図４Ｉに示すような第１の電極７を形成する。第１電極７は各作業ユニットにおける画素区画層６の開口に位置する。
図４Ｋに示すように、マスクと配合して堆積などの方法により第１電極７のベース基板１に離れる側に位置する機能層８が形成される。例えば、機能層８は有機発光層である。また、図４Ｊに示すように、コーティング法によりプレ機能層８０１が形成され、その後、図４Ｋに示すような機能層８がフォトリソグラフィーにより形成され、例えば、機能層８は、各作業ユニットにおける画素区画層６の開口に位置する。
図４Ｌに示すように、共通電極５が形成される。例えば、共通電極５は陰極である。もちろん、他の実施例において、共通電極５が陽極で、第１電極７が陰極であってもよい。共通電極5は画素区画層６を覆い、作業エリア１０１から非作業エリア１０２まで延びる。非作業エリア１０２において、共通電極５は、共通電極リード線3との電気的接続を実現するように、ビアホール４０１を介して共通電極リード線３に直接に接触されることができる。共通電極５が共通電極リード線３に直接に接触される技術的効果については、前の実施例における説明を参照し、ここで説明しない。
例えば、当該基板がフレキシブル基板である時に、当該基板の製造方法はフレキシブルパッケージ層を形成するステップをさらに含む。フレキシブルパッケージ層を形成するステップは、第１有機パッケージ層と、無機パッケージ層と、第２有機パッケージ層とを形成するステップを含む。図４Ｍに示すように、作業エリア１０１と一部の非作業エリア１０２を覆う第１有機パッケージ層９が形成される。例えば、第１有機パッケージ層９の材料はポリイミド、ポリエステル、ポリフッ化物のうちの１つまたは複数の組み合わせであってもよい。ポリイミドは優れた光透過性、高温耐性、耐屈曲性の特徴を備えている。もちろん、第１有機パッケージ層９の材料は上記で列挙された種類に限定されるものではない。例えば、第１有機パッケージ層９はコーディング方法によって形成されてもよい。
図４Ｎに示すように、第１有機パッケージ層９に設けられる無機パッケージ層１１が形成される。例えば、無機パッケージ層１１の材料は酸化ケイ素または窒化ケイ素を含んでもよい。もちろん、無機パッケージ層１１の材料は上記で列挙された種類に限定されるものではない。水と酸素をブロックする能力の良い無機層であればよい。例えば、無機パッケージ層１１は蒸着、化学気相蒸着またはマグネトロンスパッタリング蒸着などの方法により形成されてもよい。
図４Оに示すように、無機パッケージ層１１に設けられて一部のベース基板１を覆う第２有機パッケージ層１２が形成される。第２有機パッケージ層１２の材料と形成方法は第１有機パッケージ層９と同じである。上記方法によって図４Ｏに示す基板を形成することができる。
なお、本開示の実施例はフレキシブル基板の形成を例として説明する。いくつかの実施例において、基板は非フレキシブル基板であってもよい。
図５Ａ〜図５Ｆは本開示の実施例に係る別の基板の製造方法のプロセス模式図である。図４Ｂに示す構造が形成された後に、図５Ａに示す、周辺回路２を覆う平坦層４が形成される。平坦層の材料と形成方法は上記説明を参照してください。
図５Ｂに示すように、図４Ｆ〜４Ｇに示す方法と同じ方法を採用して画素区画層６を形成する。図５Ｃに示すように、基板の製造プロセスを簡略化するために、平坦層４のベース基板１に離れる側に共通電極リード線３と第１電極７を同時に形成してもよく、即ち共通電極リード線３と第１電極７は同じ工程によって形成してもよい。
図５Ｄに示すように、図４Ｋに示す方法と同じ方法を採用して機能層８を形成する。
図５Ｅに示すように、平坦層４のベース基板１に離れる側に共通電極５が設けられる。共通電極5は画素区画層６を覆い、作業エリア１０１から非作業エリア１０２まで延びる。非作業エリア１０２において、共通電極５は、共通電極リード線３との電気的接続を実現するように、一部の共通電極リード線３に直接にラップして直接に接触される。
例えば、図５Ｅの１つの変形において、図５Ｅ’に示すように、共通電極５は、共通電極リード線３との電気的接続を実現するように、ベース基板１の板面に平行となる平面において少なくとも一部の共通電極リード線３に直接に接触されてもよく、即ち、共通電極５と一部の共通電極リード線３に直接にラップされる部分が無くされた。後続の過程は図５Ｅに示す構造を基礎とする。
図４Ｍ〜４Ｏに示す方法と同じ方法によって第１有機パッケージ層９、無機パッケージ層１１、第２有機パッケージ層１２を順に形成し、図５Ｆに示す基板を形成することができる。
図５Ａ〜５Ｆに示す製造方法は、図４Ｍ〜４Ｏに示す製造方法と同じまたは類似する技術的効果を達成することができ、当該方法の他の技術的特徴はすべて図４Ｍ〜４Ｏに示す方法と同じであり、上記説明を参照してください。
図６Ａ〜図６Ｂは本開示の実施例に係るさらに別の基板の製造方法のプロセス模式図である。当該方法は静電保護層を形成するステップをさらに含む。図４Ｇに示す構造の後に、同じ工程を利用して静電保護層１３と第１電極７を同時に形成する。静電保護層１３は周辺回路２を覆って共通電極リード線３に電気的接続される。静電保護層１３と共通電極リード線３との電気的接続を実現するように、静電保護層１３の共通電極リード線３に近接する端をビアホール４０１を介して共通電極リード線３に直接にラップして直接に接触される。静電保護層１３は周辺回路２の外部の静電を共通電極リード線を通じてガイドし、静電荷が周辺回路2に侵入して周辺回路2の作業状態に干渉するのを防ぐことができる。このようにして、静電保護層１３と共通電極リード線３は静電防止回路の一部とされてもよく、基板１０に静電防止回路を設ける必要がある時に、基板１０の部品を簡略化してもよい。本開示に１つの実施例において、静電保護層１３と第１電極７が同じ工程によって同時に形成されることは、基板の製造工程の簡略化に有利である。
図４Ｍ〜４Ｏに示す方法と同じ方法によって第１有機パッケージ層９、無機パッケージ層１１、第２有機パッケージ層１２を順に形成し、図６Ｂに示す基板を形成することができる。
本開示の実施例は基板及びその製造方法、電子装置を提供し、本開示の少なくとも１つの実施例において、共通電極リード線は周辺回路の作業エリアに近接する側に位置し、よって、共通電極リード線を共通電極にさらに近接させることができ、共通電極リード線を、共通電極との電気的接続を実現するように、少なくとも共通電極に直接に接触させる。ジャンパー電極を通じて共通電極リード線と共通電極との電気的接続を実現する場合に比べて、共通電極リード線が共通電極に直接に接触されて電気的接続が実現され、よって、信号が共通電極リード線から共通電極に伝える回路の抵抗が低減され、信号が共通電極リード線と共通電極との間の伝送速度の向上に有利であり、例えば、当該基板が発光基板例えば表示基板である時に、表示画面の輝度の均一性を向上させることができ、よりよい表示効果を得るとともに、当該抵抗の低減は、作業中の電力消費とジュール熱の低減に有利であり、ジュール熱による温度上昇が低減され、それにより、当該基板装置が適用される装置例えば表示装置の寿命の向上に有利である。一方、本開示の実施例に係る基板について、共通電極を製造する過程において、例えば蒸着法で共通電極と共通電極リード線を形成する過程において、蒸着マスクの位置誤差が存在しても、共通電極が共通電極リード線との一定の接触面積を確保することができるため、共通電極リード線とベース基板に近接する外側輪郭エッジに近接するダムとの間に過大のマージンを予め設ける必要がなく、狭いフレームの実現に有利であり、複数回の生産における蒸着マスクの異なる位置誤差による、基板製品の寸法誤差の不一致や表示輝度の均一性の不一致などの問題を回避することができる。
以上の説明は、本開示の例示的な実施形態に過ぎず、本開示の範囲を限定するものではなく、本開示の保護範囲は、添付の特許請求の範囲によって規定される。
１ ベース基板
２ 周辺回路
３ 共通電極リード線
４ 平坦層
５ 共通電極
６ 画素区画層
８ 機能層
９ 第１有機パッケージ層
１０ 基板
１１ 無機パッケージ層
１２ 第２有機パッケージ層
１３ 静電保護層
１４ 作業ユニット
１０１ 作業エリア
１０２ 非作業エリア
１０３ 共通電極リード線
１０４ 外側輪郭エッジ
１０５ 共通電極
１０９ ジャンパー電極
２０１ ベース基板
２０２ 駆動回路
４０１ ビアホール
６０１ プレ画素区画層
７０１ プレ第１電極層
８０１ プレ機能層
１００１ 表示エリア
１００２ 非作業エリア
１００４ 平坦層

Claims (21)

  1. 作業エリアと前記作業エリアの周辺に位置する非作業エリアと、
    ベース基板と、
    前記ベース基板に位置して前記非作業エリアに位置する周辺回路と共通電極リード線と、を含み、
    前記共通電極リード線は、前記周辺回路の前記作業エリアに近接する側に位置する、基板。
  2. 共通電極をさらに含み、
    前記共通電極は、前記作業エリアから前記非作業エリアまで延び、
    前記共通電極は、少なくとも一部の前記共通電極リード線に直接に接触される、請求項１に記載の基板。
  3. 前記周辺回路はゲート駆動回路であり、前記共通電極は陰極であり、前記共通電極リード線は陰極リード線である、請求項２に記載の基板。
  4. 前記周辺回路と前記共通電極リード線とを覆う平坦層をさらに含み、
    前記共通電極は、前記平坦層の前記ベース基板に離れる側に位置し、前記平坦層は、少なくとも一部の前記共通電極リード線を露出させるビアホールを含み、前記共通電極は前記ビアホールの位置する場所で前記共通電極リード線に直接に接触される、請求項２または３に記載の基板。
  5. 前記平坦層の前記ベース基板に離れる側に設けられて少なくとも一部の前記周辺回路を覆い、前記ビアホールの位置する場所で前記共通電極リード線に電気的接続される、静電保護層をさらに含む、請求項４に記載の基板。
  6. 平坦層をさらに含み、前記共通電極と前記共通電極リード線は、前記平坦層の前記ベース基板に離れる側に位置し、前記共通電極は、少なくとも一部の前記共通電極リード線に直接に接触される、請求項２または３に記載の基板。
  7. 前記共通電極は、前記共通電極リード線に直接に接触されるように、少なくとも一部の前記共通電極リード線に直接にラップされる、請求項６に記載の基板。
  8. 前記共通電極リード線は、前記共通電極に直接に接触されるように、少なくとも一部の前記共通電極に直接にラップされる、請求項６に記載の基板。
  9. 前記共通電極と前記共通電極リード線を直接に接触させるように、前記共通電極の一端は、前記共通電極リード線の一端に接合される、請求項６に記載の基板。
  10. 前記作業エリアはアレイに分布される複数の作業ユニットを含み、各前記作業ユニットは、
    前記ベース基板に設けられる第１電極と、
    前記第１電極の前記ベース基板に離れる側に設けられる機能層と、
    前記機能層の前記ベース基板に離れる側に設けられる第２電極と、を含み、
    前記第２電極は前記共通電極である、請求項７または９に記載の基板。
  11. 前記共通電極リード線は、前記第１電極と同層に設けられる、請求項１０に記載の基板。
  12. 前記平坦層の前記ベース基板に離れる側に設けられて少なくとも一部の前記周辺回路を覆い、前記共通電極リード線に電気的接続される、静電保護層をさらに含む、請求項６〜１１のいずれかに記載の基板。
  13. 前記静電保護層は、前記共通電極リード線に電気的接続されるように、少なくとも一部の前記共通電極リード線に直接にラップされる、請求項１２に記載の基板。
  14. 前記共通電極リード線は、前記静電保護層に電気的接続されるように、少なくとも一部の前記静電保護層に直接にラップされる、請求項１２に記載の基板。
  15. 前記共通電極リード線と前記静電保護層を電気的接続させるように、前記共通電極リード線の他端は、前記静電保護層の一端に接合される、請求項１２に記載の基板。
  16. 請求項１〜１５のいずれかに記載の基板を含む、電子装置。
  17. 作業エリアと、前記作業エリアの周辺に位置する非作業エリアとを含む基板の製造方法であって、
    ベース基板を提供するステップと、
    前記ベース基板に且つ前記非作業エリアにおいて周辺回路と共通電極リード線を形成するステップと、を含み、
    前記共通電極リード線は、前記周辺回路の前記作業エリアに近接する側に位置する、基板の製造方法。
  18. 共通電極を形成するステップをさらに含み、
    前記共通電極は、前記作業エリアから前記非作業エリアまで延び、前記共通電極は、少なくとも一部の前記共通電極リード線に直接に接触される、請求項１７に記載の基板の製造方法。
  19. 平坦層を形成するステップをさらに含み、
    前記平坦層は前記周辺回路と前記共通電極リード線を覆い、
    前記共通電極は前記平坦層の前記ベース基板に離れる側に位置し、
    前記平坦層を形成するステップは、前記平坦層において、少なくとも一部の前記共通電極リード線を露出させるビアホールを形成するステップを含み、前記共通電極は前記ビアホールの位置する場所で前記共通電極リード線に直接に接触される、請求項１８に記載の基板の製造方法。
  20. 平坦層を形成するステップをさらに含み、
    前記共通電極と前記共通電極リード線は、前記平坦層の前記ベース基板に離れる側に形成され、前記共通電極は少なくとも一部の前記共通電極リード線に直接に接触される、請求項１８に記載の基板の製造方法。
  21. 静電保護層を形成するステップをさらに含み、
    前記静電保護層は、前記平坦層の前記ベース基板に離れる側に形成され、少なくとも一部の前記周辺回路を覆って前記共通電極リード線に電気的接続される、請求項１７〜２０のいずれかに記載の基板の製造方法。
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