CN105803390A - 用于沉积膜层的掩膜板及膜层、阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种用于沉积膜层的掩膜板及膜层、阵列基板，用以通过在掩膜板中增设第二开孔，扩大成膜时的溅射范围，从而改善了沉积得到的膜层薄厚不均的问题。该掩膜板包括：用于溅射的第一开孔，以及与所述第一开孔在水平面上的投影部分重叠的第二开孔。

Description

用于沉积膜层的掩膜板及膜层、阵列基板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种用于沉积膜层的掩膜板及膜层、阵列基板。
背景技术
为不断满足用户需求，显示面板的尺寸越做越大，相应地，膜层厚度的均一性对显示面板的视觉效果也越来越明显。能否形成相近厚度的膜层直接制约着显示面板的整体品质的提升。
现阶段主要通过以下两个角度来提高膜层的均匀度：
其一、通过调整靶材边缘处的功率大小来弥补设备溅射过程中造成的不均—；
其二、通过采用S型的走位方式等待，调整阴极侧(CA)的磁铁运作方式，从而得到较均匀的薄膜。
然而，通过上述方法虽然在一定程度上改善膜层不均匀的情况，不过在玻璃基板四个角处形成的膜层与其他区域的厚度仍然存在差距，例如图1所示，通过上述方法沉积得到的铟锡氧化物半导体透明导电膜(IndiumTinOxides，ITO)的电阻分布图，可以清楚的看出通过现有技术沉积得到的膜层仍然存在四个边角区域与中间区域的电阻相差很大，即形成的膜层厚度不均匀。
综上所述，现有技术沉积得到的膜层薄厚不均。
发明内容
本申请实施例提供了一种用于沉积膜层的掩膜板及膜层、阵列基板，用以通过在掩膜板中增设第二开孔，扩大成膜时的溅射范围，从而改善了沉积得到的膜层薄厚不均的问题。
本申请实施例提供的一种用于沉积膜层的掩膜板，该掩膜板包括用于溅射的第一开孔，该掩膜板还包括：
与所述第一开孔在水平面上的投影部分重叠的第二开孔。
本申请实施例提供的掩膜板上增设第二开孔，扩大成膜时的溅射范围，从而改善了沉积得到的膜层薄厚不均的问题。
较佳地，所述第二开孔的尺寸为根据预设的膜层厚度差设定的。
根据预设的膜层厚度差在掩膜板上增设第二开孔，实现有针对性的扩大成膜时的溅射范围，改善了沉积得到的膜层薄厚不均的问题。
较佳地，所述第二开孔的尺寸与预设的膜层厚度差成正比。
若膜层厚度差越大，第二开孔的尺寸也就越大，从而在第二开孔的溅射区域沉积的膜层相比现有技术沉积的膜层会更厚，改善了沉积得到的膜层厚度相差较大的问题。
较佳地，所述第二开孔与所述第一开孔的边角处部分重叠。
通过在第一开孔的边角处设置第二开孔，从而改善了现有技术中存在的沉积得到的膜层四个边角区域与中间区域厚度相差较大的问题，提升了沉积得到的膜层的厚度的均匀度。
较佳地，所述掩膜板包括：四个与所述第一开孔的四角部分重叠的第二开孔。
较佳地，所述掩膜板中的第二开孔的形状为规则图形。
较佳地，所述掩膜板中的第二开孔的形状为长方形。
本申请实施例提供的一种膜层，该膜层为利用上述的掩膜板制作而成。
本申请实施例提供的膜层，利用增设有第二开孔的掩膜板制作沉积而成，由于扩大成膜时的溅射范围，从而改善了沉积得到的膜层薄厚不均的问题。
本申请实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板包括：上述的膜层。
本申请实施例提供的阵列基板包括，利用增设有第二开孔的掩膜板制作沉积而成的膜层。由于扩大了成膜时的溅射范围，从而改善了沉积得到的膜层薄厚不均的问题。
较佳地，所述膜层包括：氧化铟锡膜和金属膜。
通过本申请实施例提供的掩膜版通过沉积工艺，形成氧化铟锡膜或者金属膜，从而改善了沉积得到的膜层薄厚不均的问题，提高了氧化铟锡膜层或者金属膜层的电阻的一致性。
附图说明
图1为通过现有技术沉积得到的导电膜层的电阻分布图；
图2为本申请实施例提供的用于沉积膜层的掩膜板的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的增设六边形开孔的掩膜板的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的增设五边形开孔的掩膜板的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的增设三角形开孔的掩膜板的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的增设圆形开孔的掩膜板的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的增设不同尺寸的开孔的掩膜板的结构示意图；
图8为本申请实施例提供的增设不同形状的开孔的掩膜板的结构示意图；
图9为本申请实施例提供的增设长方形开孔的掩膜板的结构示意图。
具体实施方式
本申请实施例提供了一种用于沉积膜层的掩膜板及膜层、阵列基板，用以通过在掩膜板中增设第二开孔，扩大通过该掩膜版成膜时的溅射范围，从而改善了沉积得到的膜层薄厚不均的问题。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
参见图2，本申请实施例提供了一种用于沉积膜层的掩膜板，该掩膜板包括用于溅射的第一开孔201，该掩膜板还包括：与所述第一开孔在水平面上的投影部分重叠的第二开孔202。
其中，所述第二开孔的尺寸为根据预设的膜层厚度差设定的。预设的膜层厚度差为通过现有技术沉积得到的膜层确定的。具体为，通过现有技术沉积得到的薄厚不均的膜层，确定需要设置第二开孔的区域。确定设置第二开孔的区域的膜层的厚度差即为预设的膜层厚度差。
其中，所述第二开孔202的尺寸与预设的膜层厚度差成正比。
若形成膜层厚度差越大，第二开孔的尺寸也就越大，从而在第二开孔的溅射区域沉积的膜层相比现有技术沉积的膜层会更厚，改善了沉积得到的膜层厚度相差较大的问题。
具体地，所述第二开孔与所述第一开孔的边角处部分重叠。
由于在成膜过程中，边角处的膜层与其他区域的膜层厚度相差较大，因此在第一开孔的边角处增设第二开孔，能有效的提升了沉积得到的膜层的均匀度，改善沉积形成的膜层薄厚不均的问题。
由于在成膜过程中，可通过调整磁铁的分布或靶材溅射的功率得到膜层相对均匀，但膜层四角区域的膜厚与其他区域的膜厚相差较大的问题，因此本申请实施例提供的一种掩膜板，该掩膜板包括：四个与所述第一开孔的四角部分重叠的第二开孔。
通过在第一开孔的边角处设置第二开孔，从而改善了形成的膜层四角区域的膜厚与其他区域的膜厚相差较大的问题，提升了沉积得到的膜层的均匀度。
具体地，所述掩膜板中的第二开孔的形状为规则图形，抑或不规则图形。例如，所述第二开孔的形状可以为长方形、六边形、五边形和三角形等规则图形，如图3、图4、图5所示。所述第二开孔的形状还可以为圆形，如图6所示。
由于第二开孔的尺寸与预设的膜层厚度差正相关，因此，若存在多个第二开孔，第二开孔的尺寸可能不相同，如图7所示，且第二开孔的形状也可能不相同，如图8所示。
假设所述第二开孔的形状为长方形，即如图9所示。若衬底基板的尺寸为2500毫米*2200毫米，则本申请实施例提供的掩膜板的外边框901的投影面积为3256毫米*2816毫米，该掩膜板的内边框902的投影面积为2788毫米*2348毫米，第二开孔903的投影面积为117毫米*100毫米。
其中，所述掩膜板为维护侧(MaintenanceDoor，MD)的掩膜板。
本申请实施例提供的一种膜层，该膜层为利用上述的掩膜板制作而成。
本申请实施例提供的膜层，利用增设有第二开孔的掩膜板制作沉积而成，由于扩大成膜时的溅射范围，从而改善了沉积得到的膜层薄厚不均的问题。
本申请实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板包括上述的膜层。
本申请实施例提供的阵列基板包括，利用增设有第二开孔的掩膜板制作沉积而成的膜层。由于扩大了成膜时的溅射范围，从而改善了沉积得到的膜层薄厚不均的问题。
具体地，所述膜层包括：氧化铟锡膜和金属膜。
通过本申请实施例提供的掩膜版通过沉积工艺，形成氧化铟锡膜或者金属膜，从而改善了沉积得到的膜层薄厚不均的问题，提高了该膜层电阻的一致性。
通过溅射工艺利用等离子Plasma在溅射室Chamber中形成的膜层的Plasma密度分布非常不均匀，尤其，四个角的区域Plasma密度明显小于其他区域Plasma密度，然而，通过本申请实施例提供的掩膜板进行成膜工艺时，四个角的区域Plasma密度相比现有技术将会明显增大，将会有其他区域的Plasma向四个角的区域扩散，因此，在溅射的过程中，四个角的区域与其他区域的溅射环境近乎一致，从而改善了四个角的区域的膜层与其他区域的膜层厚度相差大的问题，提高了形成的膜层的均匀度。
综上所述，本申请实施例提供了一种用于沉积膜层的掩膜板及膜层、阵列基板，用以通过在掩膜板中增设第二开孔，扩大成膜时的溅射范围，从而改善了沉积得到的膜层薄厚不均的问题；根据预设的膜层厚度差在掩膜板上增设第二开孔，实现有针对性的扩大成膜时的溅射范围，进一步改善了沉积得到的膜层薄厚不均的问题。
本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种用于沉积膜层的掩膜板，该掩膜板包括用于溅射的第一开孔，其特征在于，该掩膜板还包括：
与所述第一开孔在水平面上的投影部分重叠的第二开孔。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第二开孔的尺寸为根据预设的膜层厚度差设定的。
3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第二开孔的尺寸与预设的膜层厚度差成正比。
4.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第二开孔与所述第一开孔的边角处部分重叠。
5.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括：四个与所述第一开孔的四角部分重叠的第二开孔。
6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板中的第二开孔的形状为规则图形。
7.根据权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板中的第二开孔的形状为长方形。
8.一种膜层，其特征在于，该膜层为利用权利要求1～7任一权项所述的掩膜板制作而成。
9.一种阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括：权利要求8所述的膜层。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述膜层包括：氧化铟锡膜和金属膜。
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