CN109407430B - 一种阵列基板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的像素电极；所述像素电极包括有效作用区和整体呈平行四边形的蚀刻区，所述蚀刻区是通过以具有透光区的光罩实施蚀刻制程来形成的；其中，所述光罩包括遮挡区和与蚀刻区对应的透光区，所述透光区的边界线所界定的图形呈平行四边形，所述透光区的边界线的顶边和底边处均设置有向遮挡区延伸的曝光补偿区。有益效果：使用带有曝光补偿区的光罩对像素电极进行蚀刻，在光罩上的透光区的边界线的顶边和底边处设置曝光补偿区，同时提出多种光罩设计补偿方案来改善实际制造效果，使得实际制造出的像素电极更加接近理论设计上的图形，以提升显示面板的穿透率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
目前TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示)面板已广泛用于手机、平板和电脑等各类中小尺寸面板上。提高面板穿透率则能有效的提高各类显示面板的品质，同时能减少能耗，达到增强电子产品续航能力的目的。
在现有的面板生产制造过程中，由于制造机台精度限制，或曝光及蚀刻过程中光干涉及衍射的影响，常导致面板上成形的像素电极图形与预设的像素电极图形不符。
成形后的像素电极中，有效作用区与蚀刻区的交接处的顶端和低端存在较大的未完全蚀刻的圆弧区，且由于蚀刻区与预设图形不符，其周边电场会扰乱有效作用区电场，进而对液晶形成扰动，从而导致面板穿透率降低。
发明内容
本发明提供一种阵列基板的制备方法，以解决像素电极的蚀刻区与预设图形不符，导致面板穿透率降低的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的像素电极；所述像素电极包括有效作用区和整体呈平行四边形的蚀刻区，所述蚀刻区是通过以具有透光区的光罩实施蚀刻制程来形成的；
其中，所述光罩包括遮挡区和与蚀刻区对应的透光区，所述透光区的边界线所界定的图形呈平行四边形，所述透光区的边界线的顶边和底边处均设置有向遮挡区延伸的曝光补偿区。
进一步的，每个所述曝光补偿区包括两个设置在所述透光区的边角处的角补偿区。
进一步的，每个所述曝光补偿区还包括设置在两个所述角补偿区之间的边补偿区，所述角补偿区与对应的所述边补偿区连通。
进一步的，所述角补偿区的边界线呈菱形，所述角补偿区的边界线的侧边与所述透光区的边界线的侧边平行，并且，所述角补偿区的边界线的顶边与所述透光区的边界线的顶边平行。
进一步的，位于所述透光区同一侧的所述第一侧边与所述第二侧边的距离为a，所述角补偿区的边界线的顶边与底边的距离为b，所述边补偿区的边界线的顶边与底边的距离为b与a之差。
进一步的，每个所述角补偿区包括两个边界线呈直角三角形且形状和大小均相同的第一补偿区，所述第一补偿区的边界线的一直角边与所述透光区的边界线的一边重合，并且，所述第一补偿区与所述遮挡区的交界线为所述第一补偿区的边界线的斜边；其中，每个所述角补偿区中的一个所述第一补偿区位于所述透光区的侧部，另一个所述第一补偿区位于所述透光区的顶部或底部，每个所述角补偿区中的两个所述第一补偿区部分重合。
进一步的，每个所述角补偿区包括两个第二补偿区，每个所述角补偿区中的一个所述第二补偿区位于所述透光区的侧部，另一个所述第二补偿区位于所述透光区的顶部或底部；每个所述第二补偿区与所述遮挡区的交界线呈连续的波浪状。
进一步的，每个所述第二补偿区包括至少三个边界线呈等腰三角形的三角补偿区，所有所述三角补偿区的边界线的底边的长度相同，并且，每个所述第二补偿区中的所有所述三角补偿区的边界线的腰的长度均不相同；其中，所述三角补偿区的边界线的底边与所述透光区的对应的边角的距离为S1，所述三角补偿区的边界线的腰的长度为K，所述K的大小与所述S1的大小成反比。
进一步的，每个所述第二补偿区包括至少三个边界线呈矩形的矩形补偿区；每个所述矩形补偿区的边界线均包括第一直边和远离所述透光区且与第一直边平行的第二直边，位于所述透光区的底部或顶部的所述矩形补偿区的第一直边与所述透光区的边界线的底边平行，位于所述透光区的侧部的所述矩形补偿区的第一直边与所述透光区的边界线的侧边平行；所述矩形补偿区与所述透光区的对应的边角的距离为S2，每个所述矩形补偿区中的所述第一直边与所述第二直边的距离为h，其中，所有矩形补偿区的第一直边的长度均相同，所有矩形补偿区的h的大小与所述S2的大小成反比。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：
S10、在衬底基板上形成像素电极，所述像素电极包括有效作用区和蚀刻区；
S20、使用光罩通过蚀刻制程在所述像素电极上的蚀刻区进行蚀刻，以在所述像素电极上形成整体呈平行四边形的蚀刻区；
其中，所述光罩包括遮挡区和与蚀刻区对应的透光区，所述透光区的边界线所界定的图形呈平行四边形，所述透光区的边界线的顶边和底边处均设置有向遮挡区延伸的曝光补偿区。
本发明的有益效果为：使用带有曝光补偿区的光罩对像素电极进行蚀刻，在光罩上的透光区的边界线的顶边和底边处设置曝光补偿区，同时提出多种光罩设计补偿方案来改善实际制造效果，使得实际制造出的像素电极更加接近理论设计上的图形，以提升显示面板的穿透率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明具体实施方式中阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例一中光罩的结构示意图；
图3为本发明实施例二中光罩的结构示意图；
图4为本发明实施例三中光罩的结构示意图；
图5为本发明实施例四中光罩的结构示意图。
附图标记：
10、光罩；11、遮挡区；12、透光区；121、第二侧边；13、角补偿区；131、第一侧边；14、边补偿区；
21、第一补偿区；211、直角边；212、斜边；
31、第二补偿区；311、底边；312、腰；
41、矩形补偿区；411、第一直边；412、第二直边；
51、衬底基板；52、像素电极；521、有效作用区；522、蚀刻区。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的面板生产制造过程中，由于制造机台精度限制，或曝光及蚀刻过程中光干涉及衍射的影响，常导致面板上成形的像素电极图形与预设的像素电极图形不符，从而导致面板穿透率降低的技术问题，本发明可以解决上述问题。
实施例一：
一种阵列基板，如图1所示，所述阵列基板包括衬底基板51和设置在所述衬底基板51上的像素电极52；所述像素电极52包括有效作用区521和整体呈平行四边形的蚀刻区522，所述蚀刻区522是通过以具有透光区12的光罩10实施蚀刻制程来形成的。
其中，如图2所示，所述光罩10包括遮挡区11和与所述蚀刻区522对应的透光区12，所述透光区12的边界线所界定的图形呈平行四边形，所述透光区12的边界线的顶边和底边处均设置有向遮挡区11延伸的曝光补偿区。
具体的，每个所述曝光补偿区包括两个设置在所述透光区12的边角处的角补偿区13。
进一步的，每个所述曝光补偿区还包括设置在两个所述角补偿区13之间的边补偿区14，所述角补偿区13与对应的所述边补偿区14连通且一体成形。
其中，所述角补偿区13的边界线呈菱形，所述角补偿区13的边界线的第一侧边131与所述透光区12的边界线的第二侧边121平行，并且，所述角补偿区13的边界线的顶边与所述透光区12的边界线的顶边平行。
通过设置曝光补偿区，使得使用光罩10实际制造出的像素电极更加接近理论设计上的图形，以此使得实际制造面板的光学效果也更加符合光学理论设计值，以提升显示面板的穿透率。
进一步的，位于所述透光区12同一侧的所述第一侧边131与所述第二侧边121的距离为a，所述角补偿区13的边界线的顶边与底边的距离为b，所述边补偿区14的边界线的顶边与底边的距离为c，其中，c为b与a之差。
需要说明的是,实际实施中，a和b的大小根据需要制作的像素电极的尺寸大小决定，像素电极的尺寸越大，a与b越大。
实施例二：
一种阵列基板，如图3所示，其与实施例一的不同之处仅在于光罩10上的曝光补偿区的边界线的形状不同。
具体的，每个所述曝光补偿区包括两个设置在所述透光区12的边角处的角补偿区13。
其中，每个所述角补偿区13包括两个边界线呈直角三角形且形状和大小均相同的第一补偿区21，所述第一补偿区21的边界线的一直角边211与所述透光区12的边界线的一边重合，并且，所述第一补偿区21与所述遮挡区11的交界线为所述第一补偿区21的边界线的斜边212。
进一步的，每个所述角补偿区13中的一个所述第一补偿区21位于所述透光区12的侧部，另一个所述第一补偿区21位于所述透光区12的顶部或底部，每个所述角补偿区13中的两个所述第一补偿区21部分重合，并且，两个所述第一补偿区21的边界线的直角边211相互交叉。
需要说明的是,实际实施中，第一补偿区21的边界线的直角边211的长度以及斜边212与直角边211的夹角大小根据需要制作的像素电极的尺寸大小决定，像素电极的尺寸越大，第一补偿区21的边界线的直角边211的长度越大。
使用光罩10对像素电极进行曝光蚀刻，以在像素电极上形成蚀刻区522的过程中，越靠近蚀刻区522的边角处，其残留部分越多，通过在所述透光区12的边角处按上述方式在来设置角补偿区13，从而使用光罩10实际制造出的像素电极更加接近理论设计上的图形。
实施例三：
一种阵列基板，如图4所示，其与实施例一的不同之处仅在于光罩10上的曝光补偿区的边界线的形状不同。
具体的，每个所述曝光补偿区包括两个设置在所述透光区12的边角处的角补偿区13。
其中，每个所述角补偿区13包括两个第二补偿区31，每个所述角补偿区13中的一个所述第二补偿区31位于所述透光区12的侧部，另一个所述第二补偿区31位于所述透光区12的顶部或底部；每个所述第二补偿区31与所述遮挡区11的交界线呈连续的波浪状。
进一步的，每个所述第二补偿区31包括至少三个边界线呈等腰三角形的三角补偿区13，所有所述三角补偿区13的边界线的底边311的长度相同，并且，每个所述第二补偿区31中的所有所述三角补偿区13的边界线的腰312的长度均不相同。
其中，所述三角补偿区13的边界线的底边311的长度为L，所述三角补偿区13的边界线的底边311与所述透光区12的对应的边角的距离为S1，所述三角补偿区13的边界线的腰312的长度为K，所述K的大小与所述S1的大小成反比，即S1越大，K越小。
需要说明的是，在实际实施中，L、S1以及K值的大小根据实际像素电极的尺寸决定，像素电极的尺寸越大，L、S1以及K值越大。
需要说明的是，图4中仅示意了一个角补偿区13包含4个三角补偿区13的情况，在实际实施中，像素电极的尺寸越大，透光区12的边界线的底边的长度越大，一个角补偿区13包含的三角补偿区13的数量越多。
实施例四：
一种阵列基板，如图5所示，其与实施例三的不同之处仅在于所述第二补偿区31的边界线的形状不同。
具体的，每个所述第二补偿区31包括至少三个边界线呈矩形的矩形补偿区41；每个所述矩形补偿区41的边界线均包括第一直边411和远离所述透光区12且与所述第一直边411平行的第二直边412，位于所述透光区12的底部或顶部的所述矩形补偿区41的第一直边411与所述透光区12的边界线的底边平行，位于所述透光区12的侧部的所述矩形补偿区41的第一直边411与所述透光区12的边界线的侧边平行。
其中，所述矩形补偿区41与所述透光区12的对应的边角的距离为S2，每个所述矩形补偿区41中的所述第一直边411与所述第二直边412的距离为h，其中，所有矩形补偿区41的第一直边411的长度均相同，所有矩形补偿区41的h的大小与所述S2的大小成反比，即S2越大，h越小。
需要说明的是，在实际实施中，h以及S2的大小根据实际像素电极的尺寸决定，像素电极的尺寸越大，h以及S2越大。
需要说明的是，图5中仅示意了一个角补偿区13包含3个矩形补偿区41的情况，在实际实施中，像素电极的尺寸越大，透光区12的边界线的底边的长度越大，一个角补偿区13包含的矩形补偿区41的数量越多。
实施例五：
基于上述阵列基板，本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：
S10、在衬底基板51上形成像素电极52，所述像素电极52包括有效作用区521和蚀刻区522；
S20、使用光罩对所述像素电极52上的蚀刻区522进行蚀刻处理，以在所述像素电极52上形成整体呈平行四边形的蚀刻区522；
其中，所述光罩10包括遮挡区11和与所述蚀刻区522对应的透光区12，所述透光区12的边界线所界定的图形呈平行四边形，所述透光区12的边界线的顶边和底边处均设置有向遮挡区11延伸的曝光补偿区。
本发明的有益效果为：使用带有曝光补偿区的光罩10对像素电极52进行蚀刻，在光罩10上的透光区12的边界线的顶边和底边处设置曝光补偿区，同时提出多种光罩10设计补偿方案来改善实际制造效果，使得实际制造出的像素电极52更加接近理论设计上的图形，以提升显示面板的穿透率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (3)
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的像素电极；所述像素电极包括有效作用区和整体呈平行四边形的蚀刻区，所述蚀刻区是通过以具有透光区的光罩实施蚀刻制程来形成的；
其中，所述光罩包括遮挡区和与蚀刻区对应的透光区，所述透光区的边界线所界定的图形呈平行四边形，所述透光区的边界线的顶边和底边处均设置有向遮挡区延伸的曝光补偿区；
每个所述曝光补偿区包括两个设置在所述透光区的边角处的角补偿区，每个所述曝光补偿区还包括设置在两个所述角补偿区之间的边补偿区，所述角补偿区与对应的所述边补偿区连通；所述角补偿区的边界线的侧边与所述透光区的边界线的侧边平行，并且，所述角补偿区的边界线的顶边与所述透光区的边界线的顶边平行。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述透光区同一侧的第一侧边与第二侧边的距离为a，所述角补偿区的边界线的顶边与底边的距离为b，所述边补偿区的边界线的顶边与底边的距离为b与a之差。
3.一种采用权利要求1和2中任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10、在衬底基板上形成像素电极，所述像素电极包括有效作用区和蚀刻区；
S20、使用光罩通过蚀刻制程在所述像素电极上的蚀刻区进行蚀刻，以在所述像素电极上形成整体呈平行四边形的蚀刻区；
其中，所述光罩包括遮挡区和与蚀刻区对应的透光区，所述透光区的边界线所界定的图形呈平行四边形，所述透光区的边界线的顶边和底边处均设置有向遮挡区延伸的曝光补偿区。
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