CN111149433A - 显示设备、显示设备的制造方法以及曝光装置 - Google Patents

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CN111149433A CN201780095349.XA CN201780095349A CN111149433A CN 111149433 A CN111149433 A CN 111149433A CN 201780095349 A CN201780095349 A CN 201780095349A CN 111149433 A CN111149433 A CN 111149433A
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斋田信介
郡司辽佑
冈部达
仲田芳浩
神村浩治
井上彬
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Abstract

一种显示装置包括多个图像元素，在多个图像元素中分别形成有正极(22)，并且形成有覆盖层(23A)，以形成正极(22)的开口，在多个正极(22)之间设有间隔物(23B)，该间隔物(23B)与覆盖层(23A)为同一层。间隔物(23B)形成为高度高于覆盖层(23A)，并且间隔物(23B)的外缘部与覆盖层(23A)的外缘部分离。

Description

显示设备、显示设备的制造方法以及曝光装置
技术领域
本发明涉及一种显示设备等。
背景技术
通常，在显示设备等电子设备中，层叠形成有具有各种功能的层。在这种电子设备的制造工序中，设置间隔物。在专利文献1所述的显示装置中，在元件面板和密封面板之间设有设有支柱，该支柱具有作为间隔物的功能。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2015-22914号公报(2015年2月2日公开)
发明内容
本发明所要解决的技术问题
当利用光刻法形成间隔物时，在曝光后进行烘烤，使得间隔物的高度小于期望的高度。在电子装置的制造工序中，优选使间隔物的高度为设计的高度。
本发明的一个方面的目的在于提供能够形成期望高度的间隔物的曝光装置等。
解决问题的手段
本发明的一个方面涉及的显示设备是一种具有多个图像元素的显示设备，在所述多个图像元素中分别形成有第一电极，并且以形成所述第一电极的开口的方式形成有覆盖层，在多个所述第一电极彼此之间设有间隔物，该间隔物与所述覆盖层为同一层，所述间隔物形成为高度高于所述覆盖层，并且所述间隔物的外缘部与所述覆盖层的外缘部分离。
本发明的一个方面涉及的曝光装置是通过光刻法进行图案形成的曝光装置，包括：光源，其向有机膜发光；以及光掩膜，其遮断来自所述光源的光的一部分，所述光掩膜包括：遮光部，其遮断所述光；透光部，其形成在所述遮光部的周围，并且使所述光透过；以及半透光部，其形成为与所述透光部邻接，并且使所述光部分地透过。
本发明的一个方面涉及的曝光装置是通过光刻法进行图案形成的曝光装置，包括：光源，其向有机膜发光；以及光掩膜，其遮断来自所述光源的光的一部分，所述光掩膜包括：透光部，其使所述光透过；遮光部，其形成在所述透光部的周围，并且遮断所述光；以及半透光部，其形成为与所述遮光部邻接，并且使所述光部分地透过。
本发明的一个方面涉及的显示设备的制造方法，包括：为了通过光刻法进行图案形成，对光敏有机膜配置光掩膜的工序；以及隔着所述光掩膜对所述光敏有机膜照射光的工序，所述光掩膜包括：遮光部，其遮断所述光；透光部，其形成在所述遮光部的周围，使所述光透过；以及半透光部，其形成为与所述透光部邻接，并且使所述光部分地透过。
发明效果
根据本发明的一个方面，能够形成期望高度的间隔物。
附图说明
图1是示出了显示设备的制造方法的一个例子的流程图。
图2是示出了显示设备中的子像素、覆盖层以及间隔物的配置的平面图。
图3是示出了显示设备的显示部的配置例的、图2的线A-A截面图。
图4是示出了显示设备的显示部的配置例的、图2的线B-B截面图。
图5是示出了显示设备的配置例的平面图。
图6是示出了覆盖层和间隔物的形成方法的、图2的线A-A部中的截面图，(a)示出了烘烤前的状态，(b)示出了烘烤后的状态。
图7是示出了覆盖层和间隔物的形成方法的、图2的线B-B部中的截面图，(a)示出了烘烤前的状态，(b)示出了烘烤后的状态。
图8是示出了成膜装置的配置的框图。
图9是示出了曝光装置的配置的概念图。
图10是概念性地示出了光掩膜的配置的一个例子的平面图。
图11是示出了比较例的显示设备中的子像素、覆盖层以及间隔物的配置的平面图。
图12是示出了比较例的显示设备的显示部的配置例的、图11的线B-B截面图。
图13是示出了比较例中的堤的形成方法的截面图。
图14是示出了成膜装置中的处理流程的一个例子的流程图。
图15是示出了EL设备制造装置的配置的框图。
图16是示出了负型光掩膜的配置的一个例子的平面图。
图17是示出了显示区域和其周围的配置的平面图。
图18是图17的线C-C截面图。
具体实施方式
图1是示出了显示设备(电子设备)的制造方法的一个例子的流程图。图2是示出了显示设备中的子像素、覆盖层以及间隔物的配置的平面图。图3是示出了显示设备的显示部的配置例的、图2的线A-A截面图。图4是示出了显示设备的显示部的配置例的、图2的线B-B截面图。图5是示出了显示设备的配置例的平面图。
在下文中，“同层”是指在相同的过程中使用相同的材料形成，并且“下层”是指在比较对象层之前的过程中形成，“上层”是指在比较对象层之后的过程中形成。
当制造柔性显示设备时，如图1至图4所示，首先，在透光性支撑基板(例如，玻璃母基板)上形成树脂层12(步骤S1)。其次，形成势垒层3(步骤S2)。其次，形成包括端子(TM)和端子配线(TW)的TFT层4(步骤S3)。其次，形成顶部发射型发光元件层(例如，OLED元件层)5(步骤S4)。其次，形成密封层6(步骤S5)。其次，在密封层6上粘贴上表面膜(步骤S6)。
其次，越过支撑基板向树脂层12的下表面照射激光，以降低支撑基板和树脂层12之前的结合力，并且将支撑基板从树脂层12中剥离(步骤S7)。其次，在树脂层12的下表面粘贴下表面膜10(步骤S8)。其次，将包括下表面膜10、树脂层12、势垒层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6的层叠体分割，得到多个单片(步骤S9)。其次，在获得的单片上粘贴功能膜39(步骤S10)。其次，在外部连接用的端子上安装电子电路板(例如，IC芯片)(步骤S11)。其次，实施边缘翻折加工(将图3中的折弯部CL折弯180度的加工)，使其为显示设备2(步骤S12)。其次，进行断线检查，如果有断线，则进行修正(步骤S13)此外，上述各步骤由后述的显示设备制造装置进行。
作为树脂层12的材料，例如举出聚酰亚胺、环氧树脂、酰胺等。作为下表面膜10的材料，例如举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
势垒层3是在使用显示设备时，防止水分或杂质到达TFT层4或发光元件层5的层，例如，可以由通过DVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或者氧氮化硅膜或它们的叠层膜构成。
TFT层4包括半导体膜15、在半导体膜15的上一层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、在无机绝缘膜16的上一层的栅电极(GE)、在栅电极(GE)的上一层的无机绝缘膜18、在无机绝缘膜18的上一层的电容配线(CE)、电容配线(CE)的上一层的无机绝缘膜20、在无机绝缘膜20的上一层的、源极配线(SH)和端子(TM)、以及源极配线和端子(TM)的上一层的平坦化膜21。
薄膜晶体管Tr(TFT)被配置为包括半导体膜15、无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、以及栅电极(GE)。
在TFT层4的非显示区域(NA)中形成有用于连接IC芯片、EPC等电路板的端子(TM)、连接端子(TM)与有源区(DA)的配线等的端子配线(TW)(后述)。
半导体膜15例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体构成。此外，在图2中，通过顶栅结构示出了以半导体膜15为沟道的TFT，但也可是底栅结构(例如，当TFT的沟道是氧化物半导体时)。
栅电极(GE)、电容电极(CE)、源极配线(SH)、端子配线(TW)以及端子(TM)例如由包含铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)中的至少一个的金属单层膜或叠层膜构成。
无机绝缘膜16、18、20例如可以由通过CVD形成的、氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或其叠层膜构成。
平坦化膜(层间绝缘膜)21例如能够由聚酰亚胺、丙烯酸等可涂布的光敏有机材料构成。
发光元件层5(例如，有机发光二极管层)包括在平坦化膜21的上一层的正极22、作为覆盖正极22(反射电极)的边缘的电极边缘盖的覆盖层23A、以及后述的间隔物23B、正极22的上一层的EL(电致发光)层24、EL层24上一层的负极25，对于每个子像素29(图像元素)设置发光元件(例如，OLED：有机发光二极管)与驱动该发光元件的子像素电路，所述发光元件包括岛状正极22、EL层24以及负极25。覆盖层23A和间隔物23B是由光敏有机材料构成的有机膜，由后述的成膜装置30形成。
如图2所示，在本实施方式中，显示设备2具有红色图像元素29R、蓝色图像元素29B和绿色图像元素29G这三种彩色图像元素作为子像素29。通过这3个图像元素来表现一个像素。但是，显示设备2具有的图像元素并不限于R、G和B这三种颜色，加上白色或黄色也可以是4色以上，没有特别限制。
EL层24例如通过从下层侧依次层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子输送装置、电子注入层而构成。对于每个子像素29，通过蒸镀法或喷墨法将发光层形成为岛状，但也可以将其他层设为固体状的共用层。此外，也可以配置成不形成穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的一个以上的层。
正极(阳极)22例如由ITO(Indium Tin Oxide)与Ag(银)或包含Ag的合金层叠构成，并具有光反射性(稍后详述)。负极25能够由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium ZincOxide)等透光性导电材料构成。
当发光元件层5是OLED层时，空穴和电子通过正极22和负极25之间的驱动电流在EL层24内再次结合，由此产生的激子降为基态，从而发光。由于负极25是透光性的，而正极22是光反光性的，所以从EL层24发出的光朝向上方，变为顶部发射。
发光元件层5不限于构成OLED元件的情况，而可以构成无机发光二极管或量子点发光二极管。
密封层6是透光性的，包括覆盖负极25的第一无机密封膜26、形成在第一无机密封膜26的上侧的有机密封膜27、覆盖有机密封膜27的第二无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封层6防止水、氧气等异物渗透到发光元件层5中。
第一无机密封膜26和第二无机密封膜28例如能够分别由通过CVD形成的、氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜或它们的层叠膜构成。有机密封膜27是比第一无机密封膜26和第二无机密封膜28厚的透光性有机膜，能够由聚酰亚胺、丙烯酸等可涂布的光敏有机材料构成。
通过在剥离支撑基板之后将下表面膜10粘贴在树脂层12的下表面，从而实现柔性优异的显示设备，作为其材料，举出了PET等。功能膜39例如具有光学补偿功能、触摸传感器功能、保护功能等。
上面针对制造柔性显示设备的情况进行了描述，但在制造非柔性显示设备的情况下，不需要更换基板等，因此例如从图1的步骤S5转移至步骤S9。
[实施方式1]
图6是示出了覆盖层23A和间隔物23B的形成方法的、图2的线A-A部中的截面图，(a)示出了烘烤前的状态，(b)示出了烘烤后的状态。图7是示出了覆盖层和间隔物的形成方法的、图2的线B-B部中的截面图，(a)示出了烘烤前的状态，(b)示出了烘烤后的状态。
在示出线A-A部的截面的图3和图6中，没有示出间隔物23B，而在示出线B-B部的截面的图4和图7中示出了间隔物23b。
如图7(a)所述所示，覆盖层23A和间隔物23B是在平坦化膜21的表面上形成为同一层的有机膜，并且通过光刻法被图案化。覆盖层23A和间隔物23B例如能够由聚酰亚胺、丙烯酸等可涂布的光敏有机材料构成。
覆盖层23A分别覆盖多个正极22(第一电极)的边缘，并形成正极22的开口。在多个覆盖层23A之间形成有间隔物23B。
覆盖层23A是覆盖反射电极即正极22的边缘的有机膜，具有作为规定正极22的暴露面的外缘形状的电极边缘盖的作用。如图3和图4所示，覆盖层23A形成在平坦化膜21和负极25(第二电极)之间，并且位于发光元件即子像素SP的外缘部。
间隔物23B是在配置蒸镀掩膜50时起到间隔物的作用的堤，并形成在平坦化膜21的表面上。如图7(b)所示，在烘烤之后，距平坦化膜21的表面的间隔物23B的高度H2高于覆盖层23A的高度H1。高度H2例如是2至5Atm，高度H1例如是1至3μm。
蒸镀掩膜50是用于蒸镀形成EL层24中的发光层的蒸镀颗粒(例如有机发光材料)的掩膜,并且具有与期望的蒸镀图案对应的多个通孔。EL层24层叠在每个正极22上，并且在层叠后的EL层24的上层形成与正极22对置的负极25。即，在正极22与负极25之间形成有包含发光层的EL层24。此外，覆盖层23A和间隔物23B也能够表现为形成在平坦化膜21和负极25之间。
间隔物23B形成在平坦化膜21的表面，并且在覆盖层23A的附近形成为与覆盖层23A分离。将覆盖层23A的外缘部和间隔物23B的外缘部之间的区域称为分离区域23C。覆盖层23A的外缘部和间隔物23B的外缘部之间的距离W1(即，分离区域23C的宽度)例如是2至5μm。覆盖层23A的外缘部与间隔物23B的外缘部以等于或大于所使用的曝光装置33的分辨率的间隔(例如2μm)而形成。间隔物23B本身的宽度W2没有特别限制，例如为8至12μm。
如图7所示，在配置蒸镀掩膜50时，物理负荷直接施加到覆盖层23A，则覆盖层23A可能会损坏。如果覆盖层23A损坏，则正极22和负极25可能短路，因此，优选防止覆盖层23A的损坏。因此，通过设置高度高于覆盖层23A的间隔物23B，并由该间隔物23B承受该负荷，从而能够防止覆盖层23A的损坏。
图8是示出了成膜装置30的配置的框图。成膜装置30是通过光刻法将覆盖层23A和间隔物23B图案化的装置，如图8所示，包括涂布装置31、加热装置32、曝光装置33和显影装置34。
涂布装置31是将用于形成覆盖层23A和间隔物23B的光敏有机材料涂布到平坦化膜21的表面上的装置。作为涂布装置31，例如，能够利用旋涂、狭缝涂布方式的涂布装置。
加热装置32是用于进行预烘烤的加热器。
曝光装置33是通过光刻法进行图案形成的曝光装置。该曝光装置33隔着光掩膜40朝涂布后的光敏有机材料照射光，从而增大该光敏有机材料的一部分对显影剂的溶解性。
显影装置34是在显影剂中除去光敏有机材料中被光照射的部分的装置。
图9是示出了曝光装置33的配置的概念图。如图9所示，曝光装置33包括光源35、聚光光学系统36、光掩膜40以及在制造中载置显示设备24的载物台38。
从光源35发射的光(以下称为发射光)由集光光学系统36进行配光控制，并照射在光掩膜40上。能够使用高压汞灯等公知的光源作为光源35，并且对于发射光的波长，选择适合于所使用的光敏有机材料的波长即可。能够使用线G、线H、线I或其混合波长等作为波长。
图10是概念性地示出了光掩膜40的配置的一个例子的平面图。光掩膜40是通过仅透过一部分发射光而实现与期望的覆盖层23A和间隔物23B的形状相对应的曝光图案的掩模。
如图10所示，在光掩膜40中形成有用于形成覆盖层23A的半透光区域41(半透光部)、用于形成间隔物23B的遮光区域42(遮光部)、以及透光区域43(透光部)。透光区域43是半透光区域41与遮光区域42之间的区域。
如图6和图7所示，在曝光处理时的半透光区域41的正下方形成有覆盖层23A,并且在遮光区域42的正下方形成有间隔物23B,在透光区域43的正下方形成有分离区域23C。
半透光区域41形成为与透光区域43相邻，是使发射光部分透过的区域。在半透光区域41中，形成有许多不能被所使用的曝光装置33分辨的微细的开口部或微细的狭缝。由于透过半透光区域41的光，使得覆盖层23A在显影工序中不完全被除去,并且覆盖层23a的高度H1变低。因此,能够通过半透光区域41的微细的开口部或微细的狭缝的透过率来设定覆盖层23A的高度H1。半透过区域41的光透过率可以根据覆盖层23A的期望的高度设定优选值。
遮光区域42是遮断几乎100％的发射光的区域。因此，与遮光区域42对应的间隔物23B的膜表面不受发射光的影响，并且间隔物23B的高度H2不会由于曝光而降低。图7所示的遮光区域42是四边形，但遮光区域42的形状也可以是三角形等多边形，或者可以是圆形、半圆形、椭圆形等其他形状。遮光区域42的大小可以被设定为能够确保间隔物23B用作间隔物所需的宽度的尺寸。
此外，遮光区域42形成在与正极22对应的区域(图10中用虚线表示的区域)之间。正极22的形状没有特别限制，可以是菱形或圆形等图10所示的形状以外的其他形状。
遮光区域42的形成位置和形成间隔没有特别限制，可以形成在与正极22对应的区域的左右或上下，也可以设置在该区域的左右上下。此外，遮光区域42对于正极可以逐个形成，对于规定数量的正极22也可以逐个形成。换而言之，能够任意地设定间隔物23B与正极22的数量关系以及位置关系。
透光区域43是使发射光透过的区域。因此，透光区域43的正下方的光敏有机材料由于曝光其溶解性增大，并且在显影工序中完全被除去。结果，形成了分离区域23C。
此外，在光掩膜40中形成用于划定正极22的暴露面的外缘的透光区域44(透光部)。由于透过透过区域44的光，使得覆盖正极22的表面的一部分光敏有机材料的溶解增大，并且正极22的表面部分暴露出。使用这种光掩膜40，能够通过一次光刻法形成覆盖层23A、间隔物23B以及正极22的暴露面。
(比较例)
图11是示出了比较例的显示设备200中的子像素29、覆盖部23D及间隔物23E的配置的平面图。图12是示出了显示设备200的显示部的配置例的、图11的线B-B截面图。图13是示出了比较例中的堤23F的形成方法的截面图。图13(a)示出了烘烤前的状态，图13(b)示出了烘烤后的状态。
在此，对将覆盖层23A与间隔物23B形成为一体(堤23F)时的问题进行描述。将堤23F的与覆盖层23A对应的部分称为覆盖部23D，将与间隔物23B对应的部分称为间隔23E。
在使用具有半透光区域41和遮光区域42的光掩膜60进行曝光后，如果进行烘烤，则间隔物23E发生热流挂并被覆盖部23D吸收。因此，很难实现间隔物23E的期望的高度。
(本实施方式的效果)
而根据实施方式，如图7所示，在间隔物23B的周围形成有分离区域23C，间隔物23B与覆盖层23A分离。当在该状态下进行烘烤时，由于在平坦化膜21的表面上产生的表面张力，使得间隔物23B发生热变性而无热流挂。因此，能够实现间隔物23B的期望的高度H2。
间隔物23B并不限于在平坦化膜21的表面形成间隔物23B。例如，间隔物23B也可以形成在绝缘的正极22上，也可以形成在无机膜上。
(处理流程)
图14是示出了成膜装置30中的处理流程(光刻工序)的一个例子的流程图。首先，涂布装置31将光敏有机材料涂布在平坦化膜21的表面上(S1)。
然后，显示设备2A被输送至加热装置32内，例如在90至120℃下进行预烘烤(S2)。
加热后，曝光装置33进行曝光处理(S3)。首先，曝光装置33对曝光对象光敏有机膜配置光掩膜40。并且，曝光装置33使光源35亮起，并隔着光掩膜40对该有机膜照射发射光。
曝光的显示设备2A在显影装置34内显影，并且形成与光掩膜40的图案对应的形状的覆盖层23A和间隔物23B(S4)。
最后，显示设备2A被输送至加热装置(未图示)内，例如在200至250℃下进行烘烤(S5)。
在形成覆盖层23A和间隔物23B后，在真空下，通过将利用蒸镀源汽化或升华后的有机发光材料越过蒸镀掩膜50蒸镀在正极22上，从而形成EL层24(有机层)(蒸镀工序)。此时，在使蒸镀掩膜50与间隔物23B抵接的状态下进行蒸镀。该蒸镀方法没有特别限制，可以使用公知的方法。这种显示设备2的制造方法也包括在本公开的技术范围内。
[实施方式2]
图15是示出了显示设备2的制造装置的配置的框图。如图15所示，制造显示设备2的EL设备制造装置70包括成膜装置72、分割装置73、安装装置74、折弯装置75以及检查修正装置76，还包括控制这些装置的控制器71。作为成膜装置72之一，成膜装置30包括在EL设备制造装置70中。
因此，包括成膜装置30的EL设备制造装置70也包括在本公开的技术范围内。
[实施方式3]
图16示出了用于进行正型光刻法的光掩膜40，但曝光装置33可以包括负型光掩膜40A。图16是示出了负型光掩膜40A的配置的一个例子的平面图。在光掩膜40A中，与遮光区域42对应的区域成为透光区域42A(透光部)，与透光区域43对应的区域成为遮光区域43A(遮光部)。此外，与透光区域44对应的区域成为遮光区域44A(遮光部)。
在负型光刻法中，在显影工序中除去没有被来自光源35的发射光照射的位置的光敏有机材料。
[实施方式4]
图17是示出了显示区域和其周围的配置的平面图。图18是图17的线C-C截面图。如图17所示，以包围显示区域61的方式形成狭缝62，该显示区域是包括多个子像素29的区域。狭缝62是导通负极25和TFT层4的配线64的接触孔。以包围该狭缝62的周围的方式形成具有框状的框状间隔物63。此外，在其外侧形成有端子部65。
如图18所示，形成为覆盖显示区域61的负极25的外缘部通过狭缝62与TFT层4的配线64导通。狭缝62形成在与覆盖层23A为同一层的有机膜23G和平坦化膜21上，并且负极25和TFT层4的配线64经由狭缝62电导通。
框状间隔物63具有与间隔物23B相同的高度，并且与间隔物23B一样，用作蒸镀掩膜50的抵接面。覆盖层23A和框状间隔物63彼此分离，并且与覆盖层23A和间隔物23B之间的关系一样，容易将框状间隔物63的高度设为期望的高度。框状间隔物63与覆盖层23A和间隔物23B位于同一层，并且与覆盖层23A和间隔物23B在相同的光刻工序中由相同的光敏有机材料形成。
(总结)
第一方面的显示设备是一种具有多个图像元素的显示设备，在所述多个图像元素中分别形成有第一电极，以形成所述第一电极的开口的方式形成有覆盖层，在多个所述第一电极彼此之间设有间隔物，该间隔物与所述覆盖层为同一层，所述间隔物形成为高度高于所述覆盖层，并且所述间隔物的外缘部与所述覆盖层的外缘部分离。
在第二方面的显示设备中，所述覆盖层和所述间隔物由相同的光敏有机材料制成。
在第三方面的显示设备中，所述覆盖层的外缘部与所述间隔物的外缘部以等于或大于所使用的曝光装置的分辨率的间隔而形成。
在第四方面的显示设备中，所述覆盖层的外缘部与所述间隔物的外缘部形成为隔开2μm以上的间隔。
在第五方面的显示设备中，所述间隔物形成在有机膜的表面。
第六方面的显示设备还包括与所述第一电极对置的第二电极，并且在所述第一电极和所述第二电极之间形成有发光层。
在第七方面的显示设备中，所述覆盖层层叠在有机膜的表面，并且在所述有机膜的表面以包围包含多个图像元素的显示区域的方式形成有狭缝，所述第二电极与薄层晶体管层的配线经由该狭缝电导通，并且以包围所述显示区域和所述狭缝的方式形成与所述覆盖层为同一层的框状间隔物，所述框状间隔物的高度与所述间隔物相同。
第八方面的曝光装置是一种通过光刻法进行图案形成的曝光装置，包括：光源，其向有机膜发光；以及光掩膜，其遮断来自所述光源的光的一部分，所述光掩膜包括：遮光部，其遮断所述光；透光部，其形成在所述遮光部的周围，并且使所述光透过；以及半透光部，其形成为与所述透光部邻接，并且使所述光部分地透过。
在第九方面的曝光装置中，所述半透光部形成为包围所述透光部，所述透光部形成为包围所述遮光部。
第十方面的曝光装置是通过光刻法进行图案形成的曝光装置，包括：光源，其向有机膜发光；以及光掩膜，其遮断来自所述光源的光的一部分，所述光掩膜包括：透光部，其使所述光透过；遮光部，其形成在所述透光部的周围，并且遮断所述光；以及半透光部，其形成为与所述遮光部邻接，并且使所述光部分地透过。
在第十一方面的曝光装置中，所述半透光部形成为包围所述遮光部，所述遮光部形成为包围所述透光部。
在第十二方面的显示设备的制造方法，包括：为了通过光刻法进行图案形成，对光敏有机膜配置光掩膜的工序；以及隔着所述光掩膜对所述光敏有机膜照射光的工序，所述光掩膜包括：遮光部，其遮断所述光；透光部，其形成在所述遮光部的周围，使所述光透过；以及半透光部，其形成为与所述透光部邻接，并且使所述光部分地透过。
第十三方面的显示设备的制造方法还包括：蒸镀工序，在所述蒸镀工序中，通过使蒸镀掩膜抵接间隔物来蒸镀有机层，该间隔物通过所述遮光部遮挡所述光而形成。
本实施方式涉及的显示设备所具备的电光学元件(亮度或透过率由电流控制的电光学元件)没有特别限制。作为本实施方式涉及的显示装置，举出:具有OLED(OrganicLight Emitting Diode:有机发光二极管)作为电光学元件的有机EL(ElectroLuminescence：电致发光)显示器、具有无机发光二极管作为电光学元件的无机EL显示器、具有QLED(Quantum dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)作为电光学元件的QLED显示器等。
标记说明
2 显示设备
4 TFT层(薄层晶体管层)
21 平坦化膜(有机膜)
22 正极
23A 覆盖层
23B 间隔物
23C 分离区域
25 负极
29R 红图像元素
29B 蓝图像元素
29G 绿图像元素
33 曝光装置
40、40A 光掩膜
41 半透光区域(半透光部)
42、43A、44A 遮光区域(遮光部)
42A、43、44 透光区域(透光部)

Claims (13)

1.一种显示设备，其包括多个图像元素，其特征在于，
在所述多个图像元素中分别形成有第一电极，
以形成所述第一电极的开口的方式形成有覆盖层，
在多个所述第一电极彼此之间设有间隔物，该间隔物与所述覆盖层为同一层，
所述间隔物形成为高度高于所述覆盖层，
所述间隔物的外缘部与所述覆盖层的外缘部分离。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，
所述覆盖层和所述间隔物由相同的光敏有机材料制成。
3.根据权利要求1或2所述的显示设备，其特征在于，
所述覆盖层的外缘部与所述间隔物的外缘部以等于或大于所使用的曝光装置的分辨率的间隔而形成。
4.根据权利要求1或2所述的显示设备，其特征在于，
所述覆盖层的外缘部与所述间隔物的外缘部形成为隔开2μm以上的间隔。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示设备，其特征在于，
所述间隔物形成在有机膜的表面。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的显示设备，其特征在于，
还包括与所述第一电极对置的第二电极，
在所述第一电极与所述第二电极之间形成有发光层。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其特征在于，
所述覆盖层层叠在有机膜的表面，
在所述有机膜的表面以包围包含所述多个图像元素的显示区域的方式形成有狭缝，所述第二电极与薄层晶体管层的配线经由该狭缝电导通，
以包围所述显示区域和所述狭缝的方式形成与所述覆盖层同一层的框状间隔物，所述框状间隔物与所述间隔物的高度相同。
8.一种曝光装置，其进行基于光刻法的图案形成，其特征在于，
包括：
光源，其向有机膜发光；以及
光掩膜，其遮断来自所述光源的光的一部分，
所述光掩膜包括：遮光部，其遮断所述光；透光部，其形成在所述遮光部的周围，并且使所述光透过；以及半透光部，其形成为与所述透光部邻接，并且使所述光部分地透过。
9.根据权利要求8所述的曝光装置，其特征在于，
所述半透光部形成为包围所述透光部，
所述透光部形成为包围所述遮光部。
10.一种曝光装置，其进行基于光刻法的图案形成，其特征在于，
包括：
光源，其向有机膜发光；以及
光掩膜，其遮断来自所述光源的光的一部分，
所述光掩膜包括：透光部，其使所述光透过；遮光部，其形成在所述透光部的周围，并且遮断所述光；以及半透光部，其形成为与所述遮光部邻接，并且使所述光部分地透过。
11.根据权利要求10所述的曝光装置，其特征在于，
所述半透光部形成为包围所述遮光部，
所述遮光部形成为包围所述透光部。
12.一种显示设备的制造方法，其特征在于，
包括下述工序：为了通过光刻法进行图案形成，对光敏有机膜配置光掩膜的工序；以及
隔着所述光掩膜对所述光敏有机膜，照射光的工序，
所述光掩膜包括：遮光部，其遮断所述光；透光部，其形成在所述遮光部的周围，并且使所述光透过；以及半透光部，其形成为与所述透光部邻接，并且使所述光部分地透过。
13.根据权利要求12所述的显示设备的制造方法，其特征在于，
还包括蒸镀工序，在所述蒸镀工序中,通过使蒸镀掩膜抵接间隔物来蒸镀有机层，该间隔物通过所述遮光部遮挡所述光而形成。
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