CN105785635A - 半反半透式阵列基板、制作方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半反半透式阵列基板、制作方法、显示面板和显示装置，包括：基板；设置于基板上的多个像素单元，像素单元包括一金属反射层；以及，用于驱动扫描像素单元的驱动电路，驱动电路包括多个驱动晶体管，驱动晶体管包括第一栅极、位于第一栅极背离基板一侧的栅绝缘层、位于栅绝缘层背离基板一侧的半导体层、位于半导体层背离基板一侧的源/漏极层、位于源/漏极层背离基板一侧的钝化层、以及位于钝化层背离基板一侧的附加金属层。通过将附加金属层兼用作外围电路中薄膜晶体管的顶栅金属层，既实现了对薄膜晶体管的阈值电压的控制，又不增加成本，还能够对薄膜晶体管沟道起到遮光保护作用。

Description

半反半透式阵列基板、制作方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更为具体的说，涉及一种半反半透式阵列基板、制作方法、显示面板和显示装置。
背景技术
半反半透式显示装置具有功耗低、环境适应性强等优点，被广泛应用于手机、平板电脑、显示器等显示设备中。半反半透式像素装置的每个像素单元都具有反射区和透射区，在强光的环境下，外部的环境光照射至半反半透式显示装置的反射区以作为反射区的光源，使反射区对应的显示装置区域显示图像；而同时，透射区通过背光源照射的光线以作为光源，而使得透射区对应的显示装置区域显示图像。现有的半反半透式显示装置的制作流程复杂，增加了半反半透式显示装置的成本。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种半反半透式阵列基板、制作方法、显示面板和显示装置，通过将阵列基板中驱动电路侧的晶体管的附加金属层和金属反射层由同一金属层形成，不仅简化了制作流程，降低了成本；而且在驱动电路侧制作双栅结构的晶体管，以对晶体管的阈值电压更好的控制，减小了漏电过大的几率，保证了驱动电路的使用寿命长。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种半反半透式阵列基板，包括：
基板；
设置于所述基板上的多个像素单元，所述像素单元包括一金属反射层；
以及，用于驱动扫描所述像素单元的驱动电路，所述驱动电路包括多个晶体管，所述晶体管包括第一栅极、位于所述第一栅极背离所述基板一侧的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层背离所述基板一侧的半导体层、位于所述半导体层背离所述基板一侧的源/漏极层、位于所述源/漏极层背离所述基板一侧的钝化层、以及位于所述钝化层背离所述基板一侧的附加金属层，其中，所述附加金属层与所述金属反射层由同一金属层形成。
相应的，本发明还提供了一种半反半透式阵列基板的制作方法，包括：
提供一基板；
在所述基板上形成多个像素单元和用于驱动扫描所述像素单元的驱动电路，其中，所述像素单元包括一金属反射层，所述驱动电路包括多个晶体管，所述晶体管包括第一栅极、位于所述第一栅极背离所述基板一侧的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层背离所述基板一侧的半导体层、位于所述氧化物半导体层背离所述基板一侧的源/漏极层、位于所述源/漏极层背离所述基板一侧的钝化层、以及位于所述钝化层背离所述基板一侧的附加金属层，其中，所述附加金属层与所述金属反射层由同一金属层形成。
相应的，本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的半反半透式阵列基板。
相应的，本发明还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案通过将附加金属层兼用作外围电路中底栅氧化物薄膜晶体管的顶栅金属层，既减少了金属成膜的次数、简化了制作流程，降低了成本，又实现了对氧化物薄膜晶体管的阈值电压的控制，减小了漏电过大的几率，保证了驱动电路的使用寿命长，还能够对氧化物薄膜晶体管沟道起到遮光保护作用，防止外界光入射引起的氧化物薄膜晶体管的漏电流。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1a为本实施例提供的一种半反半透式阵列基板的结构示意图；
图1b为图1a中沿AA’方向的切面图；
图2为本实施例提供的另一种半反半透式阵列基板的结构示意图；
图3为本实施例提供的一种半反半透式阵列基板的制作过程示意图；
图4为本实施例提供的另一种半反半透式阵列基板的制作过程示意图；
图5为本实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图6为本实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如背景技术所述，现有的半反半透式显示装置的制作流程复杂，增加了半反半透式显示装置的成本。
基于此，本申请实施例提供了一种半反半透式阵列基板、制作方法、显示面板和显示装置，通过将阵列基板中驱动电路侧的晶体管的附加金属层和金属反射层由同一金属层形成，不仅简化了制作流程，降低了成本；而且在驱动电路侧制作双栅结构的晶体管，以对晶体管的阈值电压更好的控制，减小了漏电过大的几率，保证了驱动电路的使用寿命长。为实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下，其中，结合图1a至图6所示，对本申请实施例提供的技术方案进行详细的描述。
参考图1a和图1b所示，图1a为本申请实施例提供的一种半反半透式阵列基板的结构示意图，图1b为图1a中沿AA’方向的切面图，其中，半反半透式阵列基板包括：
基板10；
设置于所述基板10上的多个像素单元20，所述像素单元20包括一金属反射层21；
以及，用于驱动扫描所述像素单元的驱动电路，所述驱动电路包括多个驱动晶体管30，所述驱动晶体管30包括第一栅极311、位于所述第一栅极311背离所述基板一侧的栅绝缘层312、位于所述栅绝缘层312背离所述基板10一侧的半导体层313、位于所述半导体层313背离所述基板10一侧的源/漏极层314、位于所述源/漏极层314背离所述基板10一侧的钝化层315、以及位于所述钝化层315背离所述基板10一侧的附加金属层316，其中，所述附加金属层316与所述金属反射层21由同一金属层形成。
需要说明的是，本申请实施例提供的半反半透式阵列基板，还包括有像素单元所包括的像素电极40、平坦化层50和像素单元内连接像素电极40的开关晶体管60(开关晶体管60的栅极、半导体层和源/漏极层分别与驱动电路的驱动晶体管30相应的第一栅极、半导体层和源/漏极层同层制作)等，其与现有的半反半透式阵列基板的结构相同，对此本申请不作多余赘述。
由上述内容可知，本申请实施例提供的技术方案，通过将阵列基板中驱动电路侧的驱动晶体管30的附加金属层和金属反射层21由同一金属层形成，例如附加金属层和金属反射层同时由同一道掩膜版(Mask)蚀刻制作而成，减少了金属成膜的次数，进而简化了制作流程，降低了成本；另外，在驱动电路侧制作双栅结构的晶体管，根据实际情况对附加金属层施加相应的电压，以对晶体管的阈值电压更好的控制，减小了漏电过大的几率，保证了驱动电路的使用寿命长。
本申请实施例对于金属反射层与像素电极的层次位置不作具体限定，即，所述像素单元包括像素电极，其中，所述金属反射层位于所述像素电极背离所述基板一侧或位于所述像素电极朝向所述基板一侧。其中，参考图1所示，其金属反射层21位于像素电极40背离所述基板10一侧；另外，参考图2所示，为本申请实施例提供的另一种半反半透式阵列基板的结构示意图，即为图1a中另一种沿AA’方向的切面图，其中，其金属反射层21位于像素电极40朝向所述基板10一侧，且位于像素电极40和平坦化层50之间。
进一步的，为了优化反射区和透射区，避免金属反射层的设置而影响阵列基板上透射区的面积，进而影响透射区的透光率，本申请实施例提供的金属反射层位于像素单元的开关晶体管一侧。具体参考图1所示，本申请实施例提供的所述像素单元设置有一开关晶体管60，且所述金属反射层21位于所述像素单元设置有所述开关晶体管60的一侧。
进一步的，为了降低显示装置外界光线对驱动电路侧的晶体管造成影响，参考图1所示，本申请实施例提供的半反半透式阵列基板中，所述附加金属层316的覆盖区域包括所述半导体层313所在区域，通过附加金属层遮挡外界光线，减少照射至半导体层的光线，进而降低显示装置外界光线对驱动电路侧的晶体管造成影响。其中，本申请实施例提供的所述半导体层313为氧化物半导体层。
在上述任意一实施例中，本申请提供的所述附加金属层和金属反射层的材质均为Al、Mo、Nb、Ti、Ag、Ta、Cr和Cu中的一种或多种的任意组合。其中，为了提高金属反射层的反射率，以及保证金属反射层与像素电极(材质优选为氧化铟锡)的接触稳定程度，本申请实施例优选的附加金属层和金属反射层的材质为Mo-AlNb复合金属材质。
相应的，本申请实施例还提供了一种半反半透式阵列基板的制作方法，包括：
提供一基板10；
在所述基板上形成多个像素单元和用于驱动扫描所述像素单元的驱动电路，其中，所述像素单元包括一金属反射层21，所述驱动电路包括多个晶体管30，所述晶体管包括第一栅极311、位于所述第一栅极背离所述基板一侧的栅绝缘层312、位于所述栅绝缘层背离所述基板一侧的半导体层313、位于所述氧化物半导体层背离所述基板一侧的源/漏极层314、位于所述源/漏极层背离所述基板一侧的钝化层315、以及位于所述钝化层背离所述基板一侧的附加金属层316，其中，所述附加金属层316与所述金属反射层21由同一金属层形成。
需要说明的是，本申请实施例提供的半反半透式阵列基板，还包括有像素单元所包括的像素电极40、平坦化层50和像素单元内连接像素电极的开关晶体管60(开关晶体管60的栅极、半导体层和源/漏极层分别与驱动电路的晶体管相应的第一栅极、半导体层和源/漏极层同层制作)。
图3为图1所示半反半透阵列基板的制作过程，包括：S1、提供一基板；在基板上同层制作像素单元中的开关晶体管60和驱动电路中驱动晶体管30的各功能层(包括栅极、栅绝缘层、半导体层和源/漏极层、钝化层)；S2、制作像素单元的平坦化层；S3、同层制作像素单元中的金属反射层和驱动电路中驱动晶体管的附加金属层层；S4、制作像素单元的像素电极。
图4为图2所示半反半透阵列基板的制作过程，包括：S1’、提供一基板；在基板上同层制作像素单元中的开关晶体管60和驱动电路中驱动晶体管30的各功能层(包括栅极、栅绝缘层、半导体层和源/漏极层、钝化层)；S2’、制作像素单元的平坦化层；S3’、制作像素单元的像素电极；S4’、同层制作像素单元中的金属反射层和驱动电路中驱动晶体管的附加金属层层。
其中，本申请实施例提供的所述附加金属层和金属反射层的材质均为Al、Mo、Nb、Ti、Ag、Ta、Cr和Cu中的一种或多种的任意组合。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示面板，参考图5所示，为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图，其中，所述显示面板包括上述任意一实施例提供的半反半透式阵列基板100；
液晶层200；
以及，位于液晶层200背离半反半透式阵列基板100一侧的第二基板300；其中，第二基板300可以为彩膜基板，对此本申请实施例不做具体限制。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示装置，参考图6所示，为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图，其中，所述显示装置包括上述任意一实施例提供的的显示面板400；
以及，为显示面板400提供背光源(如图中箭头所示背光源光线)的背光源模组500。
本申请实施例提供了一种半反半透式阵列基板、制作方法、显示面板和显示装置，包括基板；设置于所述基板上的多个像素单元，所述像素单元包括一金属反射层；以及，用于驱动扫描所述像素单元的驱动电路，所述驱动电路包括多个晶体管，所述晶体管包括第一栅极、位于所述第一栅极背离所述基板一侧的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层背离所述基板一侧的半导体层、位于所述半导体层背离所述基板一侧的源/漏极层、位于所述源/漏极层背离所述基板一侧的钝化层、以及位于所述钝化层背离所述基板一侧的附加金属层，其中，所述附加金属层与所述金属反射层由同一金属层形成。
由上述内容可知，本发明提供的技术方案通过将附加金属层兼用作外围电路中底栅氧化物薄膜晶体管的顶栅金属层，既减少了金属成膜的次数、简化了制作流程，降低了成本，又实现了对氧化物薄膜晶体管的阈值电压的控制，减小了漏电过大的几率，保证了驱动电路的使用寿命长，还能够对氧化物薄膜晶体管沟道起到遮光保护作用，防止外界光入射引起的氧化物薄膜晶体管的漏电流。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种半反半透式阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
设置于所述基板上的多个像素单元，所述像素单元包括一金属反射层；
以及，用于驱动扫描所述像素单元的驱动电路，所述驱动电路包括多个晶体管，所述晶体管包括第一栅极、位于所述第一栅极背离所述基板一侧的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层背离所述基板一侧的半导体层、位于所述半导体层背离所述基板一侧的源/漏极层、位于所述源/漏极层背离所述基板一侧的钝化层、以及位于所述钝化层背离所述基板一侧的附加金属层，其中，所述附加金属层与所述金属反射层由同一金属层形成。
2.根据权利要求1所述的半反半透式阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括像素电极，其中，所述金属反射层位于所述像素电极背离所述基板一侧或位于所述像素电极朝向所述基板一侧。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元设置有一开关晶体管，且所述金属反射层位于所述像素单元设置有所述开关晶体管的一侧。
4.根据权利要求1所述的半反半透式阵列基板，其特征在于，所述附加金属层的覆盖区域包括所述半导体层所在区域。
5.根据权利要求1所述的半反半透式阵列基板，其特征在于，所述附加金属层和金属反射层的材质均为Al、Mo、Nb、Ti、Ag、Ta、Cr和Cu中的一种或多种的任意组合。
6.根据权利要求1所述的半反半透式阵列基板，其特征在于，所述半导体层为氧化物半导体层。
7.一种半反半透式阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板上形成多个像素单元和用于驱动扫描所述像素单元的驱动电路，其中，所述像素单元包括一金属反射层，所述驱动电路包括多个晶体管，所述晶体管包括第一栅极、位于所述第一栅极背离所述基板一侧的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层背离所述基板一侧的半导体层、位于所述氧化物半导体层背离所述基板一侧的源/漏极层、位于所述源/漏极层背离所述基板一侧的钝化层、以及位于所述钝化层背离所述基板一侧的附加金属层，其中，所述附加金属层与所述金属反射层由同一金属层形成。
8.根据权利要求7所述的半反半透式阵列基板的制作方法，其特征在于，所述附加金属层和金属反射层的材质均为Al、Mo、Nb、Ti、Ag、Ta、Cr和Cu中的一种或多种的任意组合。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1～6任意一项所述的半反半透式阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的显示面板。
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