KR20040047311A - 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040047311A
KR20040047311A KR1020020075466A KR20020075466A KR20040047311A KR 20040047311 A KR20040047311 A KR 20040047311A KR 1020020075466 A KR1020020075466 A KR 1020020075466A KR 20020075466 A KR20020075466 A KR 20020075466A KR 20040047311 A KR20040047311 A KR 20040047311A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
gate
reflective
layer
liquid crystal
Prior art date
Application number
KR1020020075466A
Other languages
English (en)
Inventor
황의훈
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1020020075466A priority Critical patent/KR20040047311A/ko
Publication of KR20040047311A publication Critical patent/KR20040047311A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G02F1/133555—Transflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/09—Function characteristic transflective

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명은 반투과형 액정표시장치에 관한 것으로서, 본 발명의 반투과형 액정표시장치는 5개의 패터닝 마스크를 이용하여 반사성이 우수한 도전성 금속으로 데이터 라인, 게이트 전극 및 반사전극과, 접촉저항이 낮은 도전성 금속으로 소스/드레인 전극, 게이트 라인 연결부 및 반사전극 연결부를 각각 동일 층에 형성함으로써 제조 공정을 줄일 수 있기 때문에 생산성을 높일 수 있다.

Description

반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법{The Structure of the Semitransparent Type LCD and the Method for fabricating it}
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로, 특히 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 정보통신 분야의 급속한 발전으로 말미암아, 원하는 정보를 표시해 주는 디스플레이 산업의 중요성이 날로 증가하고 있으며, 현재까지 정보 디스플레이 장치 중 CRT(cathod ray tube)는 다양한 색을 표시할 수 있고, 화면의 밝기도 우수하다는 장점 때문에 지금까지 꾸준한 인기를 누려왔다.
하지만, 대형, 휴대용, 고해상도 디스플레이에 대한 욕구 때문에 무게와 부피가 큰 CRT 대신에 평판 디스플레이(flat panel display) 개발이 절실히 요구되고 있다. 이러한 평판 디스플레이는 컴퓨터 모니터에서 항공기 및 우주선 등에 사용되는 디스플레이에 이르기까지 응용분야가 넓고 다양하다.
현재 생산 혹은 개발된 평판 디스플레이는 액정 디스플레이(liquid crystaldisplay : LCD), 전계 발광 디스플레이(electro luminescent display : ELD), 전계 방출 디스플레이(field emission display : FED), 플라즈마 디스플레이(plasma display panel : PDP) 등이 있으며, 이상적인 평판 디스플레이가 되기 위해서는 경중량, 고휘도, 고효율, 고해상도, 고속응답특성, 저구동전압, 저소비전력, 저코스트(cost) 및 천연색 디스플레이 특성 등이 요구된다. 이와 같은 평판 디스플레이 중 상기 액정표시장치는 상기 욕구뿐만 아니라 내구성 및 휴대가 간편하기 때문에 각광을 받고 있다.
한편, 액정표시장치는 액정의 광학적 이방특성을 이용한 화상표시 장치로서, 전압의 인가상태에 따라 분극특성을 보이는 액정에 빛을 조사하게 되면 상기 전압인가에 따른 액정의 배향 상태에 따라 통과되는 빛의 양을 조절하여 이미지를 표현할 수 있는 장치이다.
상기 액정표시장치를 구성하기 위해서는, 상기 액정층을 포함하는 액정패널과, 상기 액정패널의 주변에 구비되어 상기 액정패널에 신호를 인가하고 이러한 신호를 제어하는 회로를 더 필요로 한다.
이하, 도면을 참조하여 일반적인 투과형 액정표시장치에 대하여 개략적으로 설명한다.
도 1은 일반적인 투과형 액정표시장치의 개략적 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 투과형 액정표시장치는 색상을 표현하기 위한 상부 기판(11)과 하부 기판(12) 및 상기 두 기판사이에 형성된 액정층(13)으로 이루어지는 액정패널(10)과, 상기 액정패널(10) 상하에 각각의 편광자(19)가 서로 교차하도록 배치된 제 1, 제 2 편광판(14,15)을 포함하여 구성된다.
도시하지는 않았지만, 상기 액정패널(10)의 하부에는 광원인 백라이트와 상기 백라이트로부터 조사된 빛을 투과하기 위한 도광판, 반사판, 확산판 및 프리즘을 더 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 제 1, 제 2 편광판(14,15)은 편광방향이 수직인 특성을 갖고 있다.
또한, 상기 하부기판(12)은 어레이기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(도시하지 않음)와 화상을 표시하기 위한 화소 전극(도시하지 않음)이 매트릭스형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터를 동작시키기 위해 게이트라인(16)과 데이터라인(17)이 직교하도록 형성되어 있다. 그리고, 상부기판(11)에는 공통전극(도시되지 않음)이 형성되어 있다.
상기 하부 기판(12) 및 상부 기판(11)에 각각 형성된 화소전극(도시하지 않음) 및 공통전극(도시하지 않음)은 상기 백라이트로부터 조사된 빛을 투과하기 위해 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같은 투명 도전금속으로 이루어져 있다.
상기 상부 기판(11) 및 하부 기판(12)사이에 형성된 액정층(13)의 액정분자(18)들은 대향하는 상기 두 기판의 표면상에 각각 형성된 배향막(도시하지 않음)에 의해 상기 하부 기판(12)으로부터 상기 상부 기판(11)에 이르기까지 방위각이 90도 꼬여 배향되어 있다.
즉, 상기 백라이트로부터 조사된 백색의 빛은 상기 제 2 편광판(15)에 의해일방향으로 편광되고, 상기 제 2 편광판(15)에 편광된 광은 하부 기판(12) 및 액정층(13)에 굴절된다.
이때, 도시된 바와 같이, 상기 액정층(13)에 입사된 광은 상기 액정분자(18)의 꼬임에 의해 방위각이 90도 회전하여 제 2 편광판(15)에 의해 편광된 방향에 직교하도록 굴절된다. 이와 같이, 상기 액정층(13)에서 액정분자(18)의 방위각 또는 극각을 조절하여 투과광의 세기를 조절할 수 있다.
또한, 액정층(13)에 의해 굴절된 백색의 광은 R.G.B 색상을 나타낼 수 있는 칼라필터(도시하지 않음)가 형성된 상부 기판(11)을 투과하고, 상기 상부 기판(11)에 의해 색상을 갖는 빛은 제 1 편광판(14)을 통과하여 화상으로 표현된다.
따라서, 투과형 액정표시장치는 백라이트로부터 조사된 광을 이용하여 편광 및 굴절시킨 후 투과광의 세기를 조절하고, 색상을 표현함으로써 화상을 구현할 수 있다.
하지만, 이와 같은 백라이트를 이용한 투과형 액정표시장치는 후방에서 빛을 조사하기 위해 상기 백라이트와 그에 따른 일체의 구조물에 의한 무게 및 부피증가로 초경량 및 초박형으로 제조하는데 한계가 있을 뿐만 아니라, 백라이트의 구동에 따른 소비전력이 상승된다는 문제점이 있다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 외부광을 광원으로 이용하는 반사형 액정표시장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
도 2는 일반적인 반사형 액정표시장치의 개략적인 사시도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 반사형 액정표시장치는 상부 기판(11)과 하부 기판(12) 및 상기 두 기판사이에 개재된 액정층(13)으로 이루어지는 액정패널(10)과, 상기 액정패널(10) 상에 배치된 편광판(14a)을 포함하여 구성된다.
여기서, 도시하지는 않았지만, 상기 하부 기판(12) 상의 각 화소영역에는 외부광을 반사시키기 위해 형성된 반사전극을 더 포함하여 구성된다.
또한, 상기 편광판(14a)은 빛의 진행방향에 수직으로 특정의 방향에 따라 진동하는 빛을 투과시키고 나머지 성분은 흡수하는 기능을 한다.
즉, 도면에 도시된 바와 같이, 상기 액정 패널(10) 내에 전압이 인가되지 않을 경우, 반사형 액정표시장치는 외부광이 상기 편광판(14a)에 의해 편광되고, 편광된 외부광은 상부 기판(11) 및 액정층(13)을 통하여 굴절되고, 하부 기판(12)의 반사전극에 의해 반사되어 다시 상기 액정층(13)에 의해 굴절되고, 상기 상부 기판(11)의 칼라필터(도시하지 않음)를 투과함으로써 화상을 구현할 수 있게 된다.
반면, 상기 액정패널(10) 내에 전압이 인가될 경우, 편광판(25)에 의해 편광된 광이 액정분자(18)가 90도의 방위각을 가지고 회전하여 상기 반사전극에 반사되고, 상기 반사전극에 반사된 광은 상기 액정층(13)에 굴절되어 상기 편광판(14a)에 수직으로 입사되기 때문에 상기 편광판(14a)에 흡수된다.
예컨대, 상기 편광판(14a)에 의해 편광된 외부광의 편광상태를 인위적으로 제어할 수 있도록 산란필름과 위상차판과 같은 다수의 요소를 더 포함할 수도 있다
따라서, 반사형 액정표시장치는 상기 액정분자(18)의 제어에 의해 반사된 외부광을 투과 또는 흡수할 수 있고, 상기 산란판 및 위상차판을 이용하여 상기 반사 투과된 외부광으로부터 시야각을 넓힐 수 있다.
하지만, 외부광에 대한 의존도가 높아 조명이 없는 실내에서 사용할 수 없다는 단점이 있다.
이와 같은 투과형 및 반사형 액정표시장치의 장점을 살린 반투과형 액정표시장치의 연구 및 개발이 활발히 진행되고 있다.
종래 기술의 반투과형 액정표시장치에 대해 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 종래 기술의 반투과형 액정표시장치의 평면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅰ~Ⅰ' 선상을 자른 단면도이다.
도 3 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 종래 기술의 반투과형 액정표시장치는 하부기판(12) 상에 형성된 실리콘 산화막의 버퍼층(Buffer layer)(26)과, 상기 버퍼층(26) 상의 소정부분에 섬모양으로 형성된 활성층(25)과, 상기 활성층(25)을 포함한 기판 전면에 형성된 게이트 절연막(27)과, 상기 게이트 절연막(27) 상에 형성된 게이트 라인(16)과, 상기 게이트 라인(16) 양측의 활성층(25)에 형성된 제 1 및 제 2 불순물 영역(Impurity region)(25a,25b)과, 상기 게이트 라인(16)을 포함하는 하부기판(12)의 전면에 상기 제 1 및 제 2 불순물 영역(25a,25b)의 표면이 소정부분 노출되도록 제 1 콘택홀(30)을 갖도록 형성된 층간 절연막(Inter layer)(29)과, 상기 제 1 콘택홀(30)을 통해 상기 제 1 및 제 2 불순물 영역(25a,25b)에 전기적으로 연결되도록 형성된 데이터 라인(17) 및 드레인 전극(28)과, 상기 데이터 라인(17)을 포함하는 하부기판(12) 상에 상기 드레인 전극(28)의 표면이 소정부분 노출되도록 제 2 콘택홀(31)을 갖도록 형성된 보호막(32)과, 상기 보호막(32) 상에형성된 반사 전극(22)과, 상기 제 2 콘택홀(31)을 통하여 상기 드레인 전극(28)과 전기적으로 연결되고 상기 반사 전극(22) 상에 형성된 화소전극(23)과, 상기 화소전극(23) 상에 형성된 제 1 배향막(33a)을 포함하여 구성된다.
또한, 상기 게이트 라인(16)과 동일한 방향으로 형성된 스토리지 라인(21) 및 반사 전극(20)을 더 포함하여 형성된다.
이때, 상기 활성층(25)과 교차하는 부분의 상기 게이트 라인(16)은 게이트 전극이 되고, 상기 제 1 불순물 영역(25a)과 전기적으로 연결되는 부분의 데이터 라인(17)은 소스 전극이 된다. 따라서, 상기 하부기판(12) 상에 상기 활성층(25), 게이트 라인(16), 소스 전극 및 드레인 전극(28)으로 박막 트랜지스터(7)(Thin Film Transistor ; TFT)가 구성된다.
또한, 상기 하부 기판(12)에 대향하는 상부기판(11) 상에, 상기 게이트 라인(16), 데이터 라인(17) 및 박막트랜지스터(17)에 상응하는 부분에서의 빛이 투과됨을 막기 위해 형성된 차광막(34)과, 색상을 구현하기 위해 상기 각 화소영역에 대응되어 상기 차광막(34)에 겹쳐지도록 형성된 컬러필터층(35)과, 상기 컬러필터층(35) 및 차광막(34) 상에 형성된 공통전극(36)과, 상기 공통전극(36) 상에 액정의 규칙적인 배열을 위해 형성된 제 2 배향막(33b)이 있다.
그리고, 도시하지는 않았지만, 상기 하부기판(12)과, 상부기판(11)이 일정한 간격을 유지하기 위해 상기 하부기판(12)과 상부기판(11) 사이에 스페이서가 형성되고, 상기 박막트랜지스터(17)의 구동에 따른 화소전극(23)의 전압인가에 의해 배열을 달리하여 빛의 투과를 제어하기 위한 액정층이 상기 두 기판 사이에 형성되어있다.
따라서, 종래 기술의 반투과형 액정표시장치는 하나의 화소 영역 내에 각각 백라이트로부터 발광한 빛을 투과하여 표시하기 위한 화소전극(23)과 외부광을 반사하여 표시하기 위한 반사전극(22)을 구비하여 실내 및 실외에서도 실용적으로 사용할 수 있다.
이와 같이 구성된 종래 기술에 따른 반투과형 액정표시장치의 하부기판의 제조 방법은 다음과 같다.
도 5a 내지 도 5i는 종래 기술에 따른 액정표시장치의 제조 단면도이다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 하부기판(12) 상에 산화 실리콘과 같은 절연물질을 이용하여 버퍼층(26)을 형성하고, 상기 버퍼층(26) 상에 저온 CVD 증착법을 이용하여 비정질 실리콘층(도시하지 않음)을 형성한 후, 엑시머 레이저 등을 이용하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층(38)으로 결정화시킨다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 다결정 실리콘층(38)을 패터닝하여 채널영역 및 스토리지 전기 용량을 형성하기 위해 활성층(25)을 형성한다.
도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 다결정 실리콘층(38)을 포함한 하부기판(12)에 게이트 절연막(27)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(27)위에 금속층을 증착하고 상기 활성층(25) 상에 상기 금속층을 사진 인쇄 및 식각 공정을 이용하여 게이트 라인(16)을 형성한다.
이때, 상기 게이트 라인(16)과 나란한 방향으로 상기 활성층(25)과 오버랩되도록 스토리지 전극(20)을 동시에 형성한다.
도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 라인(16)을 마스크고 사용하여 전면에 불순물(예를 들면; 인(Phosphorus) 또는 보론(Boron)) 이온을 주입하여 상기 게이트 라인(16) 양측의 제 1 및 제 2 불순물 영역(25a,25b)을 형성한다.
이때, 상기 이온 주입법에 의해 도핑되는 제 1 및 제 2 불순물 영역(25a,25b)은 상기 이온에 의해 손상을 받기 쉽고 상기 활성층(25)의 표면 및 벌크(Bulk)층이 비정질화 될 수 있으므로, 상기 표면 및 벌크층의 안정화 및 결정화를 위해 엑시머 레이저 광 또는 열을 이용하여 활성화 할 수도 있다.
도 5e에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 라인(16)을 포함한 하부기판(12) 상에 층간 절연막(Inter layer)(29)을 형성하고, 사진 인쇄 및 식각 공정을 통해 상기 제 1 및 제 2 불순물 영역(25a,25b)의 소정 부분이 노출되도록 상기 층간 절연막(29)을 선택적으로 제거하여 제 1 콘택홀(30)을 형성한다.
다음, 도 5f에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 콘택홀(30)을 포함하는 하부기판(12) 상에 도전성 금속층을 형성하고, 사진 인쇄 및 식각 공정을 통해 상기 금속층을 선택적으로 제거하여 상기 제 1 콘택홀(30)을 통해 제 1 및 제 2 불순물 영역(25a,25b)에 전기적으로 접촉하는 데이터 라인(17) 및 드레인 전극(28)을 형성한다.
도 5g에 도시된 바와 같이, 상기 데이터 라인(17) 및 드레인 전극(28)을 포함하는 하부기판(12) 상에 보호막(32)을 형성하고, 반사성이 뛰어난 금속을 이용하여 상기 보호막(32)이 형성된 기판 전면에 형성하고, 사진 인쇄 및 식각 공정을 통해 상기 금속층을 선택적으로 제거하여 반사전극(22)을 형성한다.
그리고, 도 5h에 도시된 바와 같이, 상기 드레인 전극(28) 상의 보호막(32)을 제거하여 상기 드레인 전극(28)이 노출되도록 제 2 콘택홀(31)을 패터닝한다.
또한, 도 5i에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 콘택홀(31)이 형성된 하부기판(12) 상에 투명도전성 금속을 형성하고, 사진 인쇄 및 식각 공정을 이용하여 상기 투명 도전성 금속을 선택적으로 제거하여 상기 제 2 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(28)에 전기적으로 연결되는 화소 전극(23)을 형성한다. 마지막으로, 도시하지는 않았지만, 상기 화소 전극(23)이 형성된 하부기판(12) 상에 제 1 배향막(도 4의 33a)을 더 형성할 수도 있다.
따라서, 종래 기술에 따른 액정표시장치의 하부기판(12)은 활성층(25), 게이트 라인(16) 및 스토리지 전극(20), 제 1 콘택홀(30), 데이터 라인(17) 및 드레인 전극(28), 반사전극(22), 제 2 콘택홀(31) 및 화소전극(23)을 패터닝하기 위해 최소한 7개의 포토 마스크가 사용된다.
즉, 종래 기술의 반투과형 액정표시장치는 게이트 라인 및 드레인 전극을 동일층에 형성되지 않고, 층간 절연막을 사이에 두고 각각 다른 층에 형성되기 때문에 사진 인쇄 및 식각 공정에 사용되는 포토 마스크의 수가 증가하여 생산성이 떨어진다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 데이터 라인, 게이트 전극 및 반사 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 및 반사 전극을 연결하는 게이트 라인 연결부 및 반사전극 연결부를 각각 동일 층에 형성함으로써생산성을 높일 수 있는 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 일반적인 투과형 액정표시장치의 개략적 사시도이다.
도 2는 일반적인 반사형 액정표시장치의 개략적인 사시도이다.
도 3은 종래 기술에 따른 반투과형 액정표시장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅰ~Ⅰ'선상을 자른 단면도이다.
도 5a 내지 도 5i는 종래 기술에 따른 반 투과형 액정표시장치 하부 기판의 제조 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 반투과형 액정표시장치의 평면도이다.
도 7은 도 6의 Ⅱ~Ⅱ' 선상을 자른 단면도이다.
도 8a 내지 도 8e는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조 평면도이고, 도 9a 내지 도 9f는 제조 단면도이다.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : 하부기판101 : 게이트 라인 연결부
102 : 데이터 라인103 : 반사전극 연결부
103a : 반사 전극 104 : 박막트랜지스터
105 : 활성층106 : 버퍼층
107 : 게이트 절연막108 : 화소 전극
109 : 보호막110a,110b : 제 1 및 제 2 콘택홀
111a : 소스 전극111b : 드레인 전극
112 : 게이트 전극113 : 상부기판
114 : 차광막115 : 칼라필터
116 : 공통전극
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시장치는, 기판 상에 형성된 버퍼층과, 상기 버퍼층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층을 포함하는 기판 상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 일정한 간격을 갖고 형성된 게이트 전극, 반사 전극 및 데이터 라인과, 상기 게이트 전극 양측의 활성층에 형성된 제 1 및 제 2 불순물 영역과, 상기 데이터 라인, 게이트 전극 및 반사 전극, 제 1 및 제 2 불순물 영역에 각각 콘택홀을 갖고 기판 전면에 형성된 보호막과, 상기 콘택홀을 통해 상기 데이터 라인 및 제 1 불순물 영역과 연결되는 소스 전극, 상기 게이트 전극들에 연결되는 게이트 라인 연결부 및 반사 전극들에 연결되는 반사전극 연결부, 상기 제 2 불순물 영역 상에 형성되는 드레인 전극과, 상기 드레인 전극에 연결되는 화소 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 게이트 전극, 반사 전극 및 데이터 라인은 Al계 합금으로 이루어진 도전성 금속으로 이루어진다.
상기 소스/드레인 전극, 게이트 라인 연결부 및 반사전극 연결부는 Cr, Ni, Cu 중 적어도 하나를 포함하는 금속으로 이루어진다.
상기 소스/드레인 전극, 게이트 라인 연결부 및 반사전극 연결부 상에 상기 화소 전극과 동일한 물질이 형성된다.
또한, 본 발명의 다른 특징은, 기판 상에 버퍼층을 형성하는 공정과, 상기버퍼층 상에 섬 모양의 활성층을 형성하는 공정과, 상기 활성층을 포함하는 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연막 상에 일정한 간격을 갖도록 복수개의 게이트 전극, 반사 전극 및 데이터 라인을 동시에 형성하는 공정과, 상기 게이트 양측의 활성층에 제 1 및 제 2 불순물 영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극을 포함한 기판의 기판 전면에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 데이터 라인, 게이트 전극 및 반사 전극, 제 1 및 제 2 불순물 영역이 소정부분 노출되도록 상기 보호막 및 게이트 절연막을 선택적으로 제거하여 복수개의 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀들을 통해 상기 데이터 라인 및 제 1 불순물 영역을 연결하는 소스 전극, 상기 게이트 전극들을 연결하는 게이트 라인 연결부 및 반사 전극들을 연결하는 반사전극 연결부, 상기 제 2 불순물 영역 상에 드레인 전극을 동시에 형성하는 공정과, 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 공정을 포함하는 반투과형 액정표시장치의 제조 방법이다.
이하, 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 6은 본 발명에 따른 액정표시장치의 평면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 액정표시장치는, 화소영역을 정의하기 위해 종횡으로 형성된 복수개의 게이트 라인 연결부(101) 및 데이터 라인(102)과, 상기 게이트 라인 연결부(101)에 평행하고, 상기 화소 영역의 절반에 반사부(도시하지 않음)를 형성하기 위한 반사전극 연결부(103) 및 반사 전극(103a)과, 상기 화소 영역의 나머지 부분에 형성된 화소 전극(108)과, 상기 반사 전극(103a)에 오버랩되는 활성층(105)을 구비하고, 상기 화소 전극(108)에 인가되는 전압을 스위칭 하기 위한 박막 트랜지스터(104)를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 게이트 라인 연결부(101) 및 반사전극 연결부(103)는 상기 박막트랜지스터의 소스/드레인 전극(111a,111b)의 물질은 동일한 물질로써, Cr, Ni, Cu 또는 이들의 합금과 같은 콘택 저항이 낮고 도전성이 우수한 금속이 사용된다.
즉, 도시하지는 않았지만, 보호막을 사이에 두고 상기 데이터 라인(102)으로부터 절연되는 게이트 라인 연결부(101)는 상기 데이터 라인(102)과 동시에 형성된 복수개의 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극(112)과 콘택홀을 통하여 징검다리 모양으로 연결된다.
마찬가지로, 상기 반사전극 연결부(103)는 상기 데이터 라인(102)과 동시에 형성된 복수개의 반사 전극(103a)을 서로 연결한다.
이때, 복수개의 상기 게이트 라인 연결부(101) 및 반사전극 연결부(103) 각각을 서로 연결함에 있어서, 콘택 저항이 낮은 도전성 금속을 사용하여 전기적으로 연결시킬 수 있다.
또한, 상기 박막트랜지스터의 소스/드레인 전극(111a,111b)을 이루는 금속은 상기 게이트 라인 연결부(101) 및 반사전극 연결부(103) 각각을 서로 연결하는 금속과 동일한 금속으로 마찬가지로 콘택 저항이 낮아야만 한다.
반면, 상기 데이터 라인(102), 게이트 전극(112) 및 반사 전극(103a)은 Al계 합금과 같은 반사성이 우수한 도전성 금속으로 이루어진다.
한편, 도 7은 도 6의 Ⅱ∼Ⅱ'선상을 자른 단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 액정표시장치는 하부기판(100) 상에 형성된 실리콘 산화막의 버퍼층(106)과, 상기 버퍼층(106) 상에 섬모양의 다결정 실리콘으로 형성된 활성층(105)이 형성되어 있다.
또한, 상기 활성층(105)을 포함하는 하부기판(100) 상에 형성되는 게이트 절연막(107)과, 상기 활성층(105)의 상측 상기 게이트 절연막(107) 상에 형성된 게이트 전극(112), 반사 전극(103a)이 있고, 상기 게이트 전극(112) 및 반사 전극(103a)과 동일 층 내에 형성된 데이터 라인(102)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 데이터 라인(102), 게이트 전극(112) 및 반사 전극(103a)이 형성된 하부기판(100) 상에 형성된 보호막(109)과, 상기 데이터 라인(102)과 상기 활성층(105) 상의 상기 보호막(109) 및 게이트 절연막(107)이 식각된 콘택홀(110)을 통하여 전기적으로 연결되는 소스 전극(111a)과, 상기 게이트 전극(112)을 중심으로 상기 소스 전극(111a)에 대응되는 드레인 전극(111b)으로 상기 활성층(105) 상의 상기 보호막(109) 및 게이트 절연막(107)이 식각된 제 1 콘택홀(110)을 통하여 전기적으로 연결되도록 형성된 화소전극(108)이 형성되어 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 데이터 라인(102)과 교차되는 게이트 라인 연결부(101) 및 반사전극 연결부(103)는 상기 콘택홀(110)을 통해 각각 상기 게이트 전극(112) 및 반사 전극(103a)과 연결되어 있다.
또한, 상기 하부기판(100)에 대향하는 상부기판(113) 상에 차광막(114)과, 상기 차광막(114) 상에 R.G.B 색상을 구현하기 위한 칼라필터(115)와, 상기 칼라필터(115) 상에 공통전극(116)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 하부기판(100)의 화소 전극(108)과, 상기 상부기판(113)의 공통전극(116) 상에 각각의 배향막이 더 형성될 수도 있다.
여기서, 상기 데이터 라인(102), 게이트 전극(112) 및 반사 전극(103a)이 모두 동일층에 형성하고, 상기 데이터 라인(102)이 형성된 하부기판(100) 상에 보호막(109)을 형성하고, 상기 게이트 전극(112) 및 반사 전극(103a) 상에 형성된 상기 보호막(109)에 각각 제 1 및 제 2 콘택홀(110,110a)을 형성하고, 복수개의 상기 게이트 전극(112) 및 반사 전극(103a) 각각을 서로 연결하는 게이트 라인 연결부(도 6의 101) 및 반사전극 연결부(103)를 상기 데이터 라인(102)에 2차원 평면상에서 교차하도록 형성할 수 있다.
이때, 상기 게이트 전극(112) 및 반사 전극(103a) 각각에 연결되는 상기 게이트 라인 연결부(101) 및 반사전극 연결부(103)는 도전성이 우수할 뿐만 아니라, 접촉저항이 낮은 금속을 사용한다.
또한, 상기 소스 전극(111a) 및 드레인 전극(111b)은 상기 게이트 라인 연결부(101) 및 반사전극 연결부(103)와 동일층에 형성된다.
따라서, 본 발명의 반투과형 액정표시장치는 반사전극(103a)을 이용하여 상기 활성층(105)과 스토리지 용량을 갖도록 할 수 있고, 반사전극 연결부(103)를 이용하여 복수개의 상기 반사전극(103a)을 서로 연결할 수 있다.
한편, 상기 소스 전극(111a)과 드레인 전극(111b)이 형성되는 부분의 활성층(105)은 이온주입에 의한 불순물 영역(105a)이 되어야 한다.
즉, 상기 게이트 전극(112)의 양쪽에 해당되는 불순물 영역(105a)을 형성하기 위해서는 상기 게이트 전극(112)을 마스크로 하여 상기 하부기판(100) 상에 불순물을 이온주입 해야 하고, 상기 데이터 라인(101)과 상기 불순물 영역(105a)을 연결하는 상기 소스 전극(111a)을 형성하기 위한 제 1 콘택홀(110)을 만들어야 함으로, 상기 게이트 전극(112)과 동시에 형성되는 상기 데이터 라인(102)이 상기 활성층(105)과 일부 오버랩되거나, 오버랩되지 않아야 한다.
결국, 상기 불순물 영역(105a) 상의 게이트 절연막(107) 및 보호막(109)에 형성된 제 1 콘택홀(110)을 통하여 상기 데이터 라인(103) 및 화소전극(108) 각각에 전기적으로 연결되는 소스 전극(111a) 및 드레인 전극(111b)이 형성된다.
이와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조 공정을 살펴보면 다음과 같다.
도 8a 내지 도 8e는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조 평면도이고, 도 9a 내지 도 9f는 제조 단면도이다.
먼저, 도 9a와 같이, 하부기판(100) 상에 산화 실리콘을 이용하여 버퍼층(106)을 형성하고, 상기 버퍼층(106) 상에 비정질 실리콘으로 엑시머 레이저 등을 이용하여 다결정 실리콘(106a)으로 결정화한다.
이때, 화살표 방향으로 엑시머 레이저광을 조사한다.
또한, 도 8a 또는 도 9b와 같이, 상기 다결정 실리콘을 섬모양으로 패터닝하여 활성층(105)을 형성한다.
다음, 도 8b 또는 도 9c와 같이, 상기 활성층(105)이 형성된 하부기판(100)의 전면에 게이트 절연막(107)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(107)이 형성된 하부기판(100) 상에 반사성이 우수한 도전성 금속을 형성하고, 상기 활성층(105)의 상측에 게이트 전극(112), 반사 전극(103a) 및 데이터 라인(102)을 패터닝한다.
또한, 상기 활성층(105)의 소스 전극(도 7의 111a) 및 드레인 전극(도 7의 111b)에 해당되는 불순물 영역(105a)에 불순물을 이온 주입한다.
도 8c 또는 9d와 같이, 게이트 전극(112)이 형성된 하부기판(100) 상에 보호막(109)을 형성하고, 게이트 전극(112) 및 반사 전극(103a) 상측의 보호막(109)과, 상기 활성층(105)의 불순물 영역(105) 상의 상기 보호막(109) 및 게이트 절연막(107)을 제거하여 각각 제 1 및 제 2 콘택홀(110,110a)을 형성한다.
도 8d 또는 9e와 같이, 보호막(109)이 형성된 하부기판(100) 전면에 접촉저항이 낮고 도전성이 우수한 금속을 형성하고, 복수개의 게이트 전극(112) 및 반사 전극(103a)을 연결하는 게이트 라인 연결부(101) 및 반사전극 연결부(103)을 형성하고, 동시에 불순물 영역(105a)과 데이터 라인(103)을 연결하는 소스 전극(111a)과 드레인 전극(111b)을 형성한다.
도 8e 또는 9f와 같이, 드레인 전극(111b)이 형성된 하부기판(100) 상에 투명 도전성 금속을 형성한 후, 드레인 전극(111b)에 연결되도록 화소 전극(108)을 패터닝한다. 이때, 상기 화소 전극(108)의 형성과 동시에 게이트 라인 연결부(101), 반사전극 연결부(103) 및 소스 전극(111a) 상에 또한 투명 도전성 금속이 패터닝 된다.
결국, 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조 방법은 상기 활성층(105)을 형성하고, 상기 데이터 라인(102), 게이트 전극(112) 및 반사 전극(103a)을 형성하고,상기 데이터 라인(102), 게이트 라인 연결부(101), 반사전극 연결부(103) 및 불순물 영역(105a) 상의 보호막(109) 및 게이트 절연막(107)에 제 1 및 제 2 콘택홀(110,110a)을 형성하고, 상기 소스/드레인 전극(111a,111b), 게이트 라인 연결부(101) 및 반사전극 연결부(103)를 형성하고, 화소 전극(108)을 형성함에 따른 5번의 패터닝 공정이 필요하다.
즉, 본 발명의 액정표시장치의 제조방법은 탑 게이트 방식으로 반사성이 우수한 도전성 금속으로 데이터 라인(102), 게이트 전극(112) 및 반사 전극(103a)을 형성하고, 접촉저항이 낮은 도전성 금속으로 소스/드레인 전극(111a,111b), 게이트 라인 연결부(101) 및 반사전극 연결부(103)를 동일층에 형성함으로써, 5개의 패터닝 마스크를 이용하여 하부기판(100)을 패터닝하여 제조 비용을 줄일 수 있기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 액정표시장치는 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 액정표시장치는 5개의 패터닝 마스크를 이용하여 반사성이 우수한 도전성 금속으로 데이터 라인, 게이트 전극 및 반사 전극과, 접촉저항이 낮은 도전성 금속으로 소스/드레인 전극, 게이트 라인 연결부 및 반사전극 연결부를 각각 동일 층에 형성함으로써 제조 공정을 줄일 수 있기 때문에 생산성을 높일 수 있다.

Claims (5)

  1. 기판 상에 형성된 버퍼층과,
    상기 버퍼층 상에 형성된 활성층과,
    상기 활성층을 포함하는 기판 상에 형성된 게이트 절연막과,
    상기 게이트 절연막 상에 일정한 간격을 갖고 형성된 게이트 전극, 반사 전극 및 데이터 라인과,
    상기 게이트 전극 양측의 활성층에 형성된 제 1 및 제 2 불순물 영역과,
    상기 데이터 라인, 게이트 전극 및 반사 전극, 제 1 및 제 2 불순물 영역에 각각 콘택홀을 갖고 기판 전면에 형성된 보호막과,
    상기 콘택홀을 통해 상기 데이터 라인 및 제 1 불순물 영역과 연결되는 소스 전극, 상기 게이트 전극들에 연결되는 게이트 라인 연결부 및 반사 전극들에 연결되는 반사전극 연결부, 상기 제 2 불순물 영역 상에 형성되는 드레인 전극과,
    상기 드레인 전극에 연결되는 화소 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 전극, 반사 전극 및 데이터 라인은 Al계 합금으로 이루어진 도전성 금속으로 이루어짐을 특징으로 하는 반투과형 액정표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스/드레인 전극, 게이트 라인 연결부 및 반사전극 연결부는 Cr, Ni, Cu 중 적어도 하나를 포함하는 금속으로 이루어짐을 특징으로 하는 반투과형 액정표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스/드레인 전극, 게이트 라인 연결부 및 반사전극 연결부 상에 상기 화소 전극과 동일한 물질이 형성됨을 특징으로 하는 반투과형 액정표시장치.
  5. 기판 상에 버퍼층을 형성하는 공정과,
    상기 버퍼층 상에 섬 모양의 활성층을 형성하는 공정과,
    상기 활성층을 포함하는 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과,
    상기 게이트 절연막 상에 일정한 간격을 갖도록 복수개의 게이트 전극, 반사 전극 및 데이터 라인을 동시에 형성하는 공정과,
    상기 게이트 양측의 활성층에 제 1 및 제 2 불순물 영역을 형성하는 공정과,
    상기 게이트 전극을 포함한 기판의 기판 전면에 보호막을 형성하는 공정과,
    상기 데이터 라인, 게이트 전극 및 반사 전극, 제 1 및 제 2 불순물 영역이 소정부분 노출되도록 상기 보호막 및 게이트 절연막을 선택적으로 제거하여 복수개의 콘택홀을 형성하는 공정과,
    상기 콘택홀들을 통해 상기 데이터 라인 및 제 1 불순물 영역을 연결하는 소스 전극, 상기 게이트 전극들을 연결하는 게이트 라인 연결부 및 반사 전극들을 연결하는 반사전극 연결부, 상기 제 2 불순물 영역 상에 드레인 전극을 동시에 형성하는 공정과,
    상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 반투과형 액정표시장치의 제조 방법.
KR1020020075466A 2002-11-29 2002-11-29 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 KR20040047311A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020075466A KR20040047311A (ko) 2002-11-29 2002-11-29 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020075466A KR20040047311A (ko) 2002-11-29 2002-11-29 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040047311A true KR20040047311A (ko) 2004-06-05

Family

ID=37342719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020075466A KR20040047311A (ko) 2002-11-29 2002-11-29 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040047311A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8492765B2 (en) 2011-01-20 2013-07-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
KR20130102387A (ko) * 2012-03-07 2013-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
CN105785635A (zh) * 2016-01-29 2016-07-20 上海天马微电子有限公司 半反半透式阵列基板、制作方法、显示面板和显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8492765B2 (en) 2011-01-20 2013-07-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
KR20130102387A (ko) * 2012-03-07 2013-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
CN105785635A (zh) * 2016-01-29 2016-07-20 上海天马微电子有限公司 半反半透式阵列基板、制作方法、显示面板和显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4543006B2 (ja) 液晶表示素子及びその製造方法
US6950158B2 (en) Transflective liquid crystal display device and fabrication method thereof
US6636286B1 (en) Transflective liquid crystal display device having reflective and transparent pixel electrodes
KR20040091184A (ko) 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20080050851A (ko) 액정표시패널
US20110141422A1 (en) Liquid crystal display device
US20100244035A1 (en) Display panel and method of forming thereof
KR20050014414A (ko) 다중 도메인 액정 표시 장치
KR20040108242A (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20080112849A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
US20100085508A1 (en) Display panel and liquid crystal display having the same
KR20180003687A (ko) 반사형 액정표시장치
KR20050077571A (ko) 다중 도메인 액정 표시 장치
US6310675B1 (en) Liquid crystal display
US20070002260A1 (en) Liquid crystal display
KR20040061447A (ko) 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150021408A (ko) 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법, 및 표시 장치
KR101053293B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20050058105A (ko) 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20030051011A (ko) 양면표시 기능을 가지는 액정표시장치
KR20040047311A (ko) 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20050068887A (ko) 양면 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20030089926A (ko) 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100989165B1 (ko) 횡전계 방식 액정표시장치 및 제조 방법
KR20050097175A (ko) 횡전계형 액정표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination