CN114649349A - 显示基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种显示基板及其制作方法、显示面板，属于显示技术领域。本申请的显示基板包括：半导体层设置在衬底基板上，第一薄膜晶体管的有源层位于半导体层；绝缘层，设置在半导体层背离衬底基板的一侧；第一导电层，设置在绝缘层背离半导体层的一侧，第一薄膜晶体管的源极和漏极均位于第一导电层，第一薄膜晶体管的源极和漏极均为透明电极，并且通过贯穿绝缘层的层间过孔与第一薄膜晶体管的有源层连接；显示电极设置于第一导电层背离衬底基板的一侧，并且与第一薄膜晶体管的源极或漏极电连接。本申请实施例可大幅提高显示基板的开口率及透过率，从而大幅提高显示产品的显示性能。

Description

显示基板及其制作方法、显示面板
技术领域
本公开属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
增强现实技术及虚拟现实技术是一种将真实世界信息和虚拟世界信息“无缝”集成的新技术。增加现实及虚拟现实显示产品相对于常规的显示产品，其最明显的特征就是具有超高的分辨率。随着光电技术与半导体制造技术的发展，在显示装置中，例如，低温多晶硅(low temperature poly-silicon，简称为LTPS)薄膜晶体管液晶显示器有别于传统的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器，其电子迁移率可以达到200cm2/V-sec以上，可有效减小薄膜晶体管器件的面积，从而达到提高开口率，并且在增进显示器亮度的同时还可以降低整体的功耗。但是由于增加现实及虚拟现实显示产品具有较高的分辨率，因此会导致金属布线密度增加等原因，造成其开口率及透过率相较于常规显示产品大大降低。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板及其制作方法、显示面板。
第一方面，本申请实施例提供一种显示基板，其具有显示区，所述显示基板包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板、且位于所述显示区的多个像素单元；所述像素单元包括第一薄膜晶体管和显示电极；其中，所述显示基板包括：
半导体层，设置在所述衬底基板上，所述第一薄膜晶体管的有源层位于所述半导体层；
绝缘层，设置在所述半导体层背离所述衬底基板的一侧；
第一导电层，设置在所述绝缘层背离所述半导体层的一侧，所述第一薄膜晶体管的源极和漏极均位于所述第一导电层，所述第一薄膜晶体管的源极和漏极均为透明电极，并且通过贯穿所述绝缘层的层间过孔与所述第一薄膜晶体管的有源层连接；
所述显示电极设置于所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧，并且与所述第一薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
于本申请的一实施例中，所述绝缘层包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；其中，所述第一绝缘层设置在所述半导体层背离所述衬底基板一侧，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层背离所述半导体层一侧，以及所述第三绝缘层设置在第二绝缘层背离所述第一绝缘层的一侧。
于本申请的一实施例中，所述显示基板还包括第二导电层，所述第二导电层设置在第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧，并且所述第一薄膜晶体管的栅极位于所述第二导电层。
于本申请的一实施例中，其具有非显示区，所述显示基板还包括设置在所述衬底基板且位于所述非显示区的驱动电路；所述驱动电路包括第二薄膜晶体管；其中，
所述第二薄膜晶体管的有源层位于所述半导体层，栅极位于所述第二导电层。
于本申请的一实施例中，所述显示基板还包括有第三导电层，所述第三导电层设置在第二绝缘层背离所述第一绝缘层的一侧，所述第二薄膜晶体管的源极和漏极均位于所述第三导电层，并且所述第一薄膜晶体管的源极和漏极与所述第三导电层电连接。
于本申请的一实施例中，所述显示基板还包括设置在第三绝缘层背离所述衬底基板一侧的平坦化层，所述平坦化层具有通孔，所述通孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一薄膜晶体管有源层在所述衬底基板上的正投影重叠；
所述显示电极包括有第一子显示电极及第二子显示电极，所述第一子显示电极覆盖所述通孔的内周壁，并且与所述第一薄膜晶体管的漏极电连接，所述第二子显示电极层叠且间隔的设置于所述第一子显示电极及所述平坦化层背离所述衬底基板的一侧。
于本申请的一实施例中，所述显示基板还包括有钝化层，所述钝化层位于所述第一子显示电极及所述第二子显示电极之间，并且位于所述平坦化层与所述第二子显示电极之间。
于本申请的一实施例中，所述显示基板还包括支撑结构，所述支撑结构位于所述第二子显示电极背离所述钝化层的一侧，并且部分位于在所述通孔内。
于本申请的一实施例中，所述显示基板还包括设置在半导体层与所述衬底基板之间的缓冲层和遮光层；
所述缓冲层设置在所述半导体层靠近所述衬底基板的一侧；
所述遮光层设置在所述缓冲层靠近所述衬底基板的一侧，并且所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影。
于本申请的一实施例中，所述半导体层包括低温多晶硅材料，所述第一导电层包括有透明金属材料或者透明金属氧化物半导体材料。
第二个方面，本申请实施例公开一种显示基板的制备方法，所述显示基板位于显示区的多个像素单元，所述像素单元包括第一薄膜晶体管，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成半导体层，所述第一薄膜晶体管的有源层位于所述半导体层；
在所述半导体层背离所述衬底基板的一侧形成绝缘层；
在所述绝缘层背离所述半导体层的一侧形成由透明金属或者透明金属氧化物半导体材料的第一导电层；其中，所述第一导电层包括第一薄膜晶体管源极和漏极，所述源极和所述漏极与所述第一薄膜晶体管的有源层电连接；
在所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧依次形成有平坦化层及钝化层，并且所述钝化层的相对两侧形成显示电极，所述显示电极通过贯穿所述平坦化层的通孔与所述第一薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
于本申请的一实施例中，所述显示基板制备方法还包括：在所述第一导电层采用透明金属氧化物半导体材料时，还包括对所述透明金属氧化物半导体进行导体化的步骤。
第三个方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括如第一个方面提供的显示基板。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种显示基板的截面示意图；
图2为本申请实施例提供的一种显示基板的局部放大版图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
需要说明的是，在本公开实施例中，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。
为了至少解决上述的技术问题之一，本公开实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示面板，下面将结合附图和具体实施方式对本公开实施例提供的显示基板及其制造方法、显示面板作进一步详细描述。
第一个方面，本申请实施例提供一种显示基板，其具有显示区，显示基板包括衬底基板，以及设置在衬底基板、且位于显示区的多个像素单元；像素单元包括第一薄膜晶体管和显示电极；显示基板包括：
半导体层，设置在衬底基板上，第一薄膜晶体管的有源层位于半导体层；
绝缘层，设置在半导体层背离衬底基板的一侧；
第一导电层，设置在绝缘层背离半导体层的一侧，第一薄膜晶体管的源极和漏极均位于第一导电层，第一薄膜晶体管的源极和漏极均为透明电极，并且通过贯穿绝缘层的层间过孔与第一薄膜晶体管的有源层连接；
显示电极设置于第一导电层背离衬底基板的一侧，并且与第一薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
如图1所示，显示基板具有显示区AA和非显示区NA。显示基板包括衬底基板21和位于衬底基板21上的多个像素单元，每个像素单元包括至少一个第一薄膜晶体管T1。
显示基板包括衬底基板21、半导体层22、绝缘层23、第一导电层24。半导体层22设置在衬底基板21上，第一薄膜晶体管T1的有源层位于该半导体层22。绝缘层23包括设置在第一薄膜晶体管T1有源层背离衬底基板21的一侧。第一导电层24设置在绝缘层23背离第一薄膜晶体管T1有源层的一侧，第一薄膜晶体管T1的源极和漏极均可以设置为透明电极，并且均位于该第一导电层24，第一薄膜晶体管T1的源极和漏极均与第一薄膜晶体管T1的有源层连接。显示电极3可以设置于第一导电层24背离衬底基板21的一侧，例如在第一导电层24背离衬底基板21的一侧形成有一导电层，该显示电极3形成于该导电层上，并且与第一薄膜晶体管T1的源极或漏极电连接，但是本申请实施例并不以此为限。
其中，衬底基板21可为柔性衬底基板，以提高显示基板的柔性，使得显示基板能够具有可弯曲、可弯折等性能，以便于扩大显示基板的适用范围；但不限于此，该衬底基板21也可以设置为刚性，具体该衬底基板21的性能可根据显示产品的实际需求而定。此外，该衬底基板21可以为单层结构，也可以为多层结构。需要说明的是，该衬底基板21的结构不限于此，可根据实际需求而定。
绝缘层23可以为单层结构也可以多层结构，在此不做具体限定。绝缘层23的材料包括但不限于硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)、铪的氧化物(HfOx)、硅的氮氧化物(SiON)、铝的氧化物(AlOx)等或由其中两种或三种组成的多层膜。
第一导电层24可以为单层结构也可以为多层结构在此不做具体限定，第一导电层24可以采用透明金属材料或者透明金属氧化物半导体(例如铟镓锌氧化物或者二氧化锡)材料制成，避免金属布线密集而造成开口率及透过率降低，从而提高本申请实施例的开口率及透过率，进而提高显示产品的性能。
半导体层22的材料(即第一薄膜晶体管T1的有源层的材料)可以根据情况进行选择，例如半导体层22的材料例如为低温多晶硅，以使得本申请实施例可以应用于增强现实及虚拟现实的显示产品中。但是本申请实施例并不以此为限，例如半导体层22的材料还可以是多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等。
本申请实施例中采用透明金属材料或者透明金属氧化物半导体材质形成，使得第一薄膜晶体管的源极和漏极均为透明电极，与现有技术中的直接采用金属布线的方式相比，可大幅提高显示基板的开口率及透过率，从而大幅提高显示产品的显示性能。
于本申请的一实施例中，如图1所示，绝缘层23包括第一绝缘层231、第二绝缘层232和第三绝缘层233；其中，第一绝缘层231设置在半导体层22背离衬底基板21一侧，第二绝缘层232设置在第一绝缘层231背离半导体层22一侧，以及第三绝缘层233设置在第二绝缘层232背离第一绝缘层231的一侧。具体来说，绝缘层23可以采用多层结构，并且具体包括有第一绝缘层231、第二绝缘层232及第三绝缘层233，例如在半导体层22背离衬底基板21的一侧依次形成有第一绝缘层231、第二绝缘层232以及第三绝缘层233，但是本申请实施例并不以此为限。可选地，在第一绝缘层231及第二绝缘层232之间设置有第一薄膜晶体管T1的栅极，从而使得本申请实施例的结构简单，并且能大幅降低工艺步骤，以节约制造成本。可选地，第一绝缘层231、第二绝缘层232及第三绝缘层233的材料包括但不限于丙烯酸、透明树脂等。
于本申请的一实施例中，如图1所示，显示基板还包括第二导电层25，第二导电层25设置在第一绝缘层231背离衬底基板21的一侧，并且第一薄膜晶体管T1的栅极位于第二导电层25。具体来说，第一绝缘层231位于半导体层22背离衬底基板21的一侧，第二绝缘层232及第三绝缘层233依次位于第一绝缘层231背离衬底基板21的一侧，第二导电层25形成于第一绝缘层231背离衬底基板21的一侧，即第二导电层25位于第一绝缘层231及第二绝缘层232之间。其中，第二导电层25包括第一薄膜晶体管T1的栅极。第二导电层25的材料可采用钼(Mo)、钼铌合金(MoNb)、铝(Al)、铝钕合金(AlNd)、钛(Ti)和铜(Cu)中的一种或多种材料形成的单层或多层复合叠层。
于本申请的一实施例中，如图1所示，显示基板还具有非显示区NA，显示基板还包括设置在衬底基板21且位于非显示区NA的驱动电路；驱动电路包括第二薄膜晶体管T2；其中，第二薄膜晶体管T2的有源层位于半导体层22，栅极位于第二导电层25。具体来说，第二薄膜晶体管T2的有源层位于半导体层22，即第二薄膜晶体管T2的有源层与第一薄膜晶体管T1的有源层位于同层且采用相同材料制成。第二薄膜晶体管T2的栅极位于第二导电层25，即第二薄膜晶体管T2的栅极与第一薄膜晶体管T1的栅极同层且采用相同材料制成。可选地，驱动电路包括但是不限于栅极驱动电路。进一步的，由于第二薄膜晶体管T2的有源层和栅极与第一薄膜晶体管T1的有源层及栅极同层且采用相同材料制成，因此可以通过一次构图工艺同时形成第二薄膜晶体管T2的有源层和第一薄膜晶体管T1的有源层，并且在两者之上形成有第一绝缘层231，然后再采用一次构图工艺同时形成第二薄膜晶体管T2的栅极和第一薄膜晶体管T1的栅极。采用上述设计，可以减少工艺步骤，节约制作成本。但是本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1所示，显示基板还包括有第三导电层26，第三导电层26设置在第二绝缘层232背离第一绝缘层231的一侧，第二薄膜晶体管T2的源极和漏极均位于第三导电层26，并且第一薄膜晶体管T1的源极和漏极与第三导电层26电连接。具体来说，第三导电层26设置于第二绝缘层232背离第一绝缘层231的一侧，即第三导电层26可以位于第二绝缘层232及第三绝缘层233之间。第二薄膜晶体管T2的源极和漏极均位于该第三导电层26，以及位于衬底基板21上的数据线213同样位于该第三导电层26。采用上述设计，可以使得第二薄膜晶体管T2的源极和漏极位于同层且由相同材料制成，因此，可以通过一次构图工艺同时形成第二薄膜晶体管T2的源极和漏极，以及同时形成数据线213，从而可以减少工艺步骤，节约制作成本。第三导电层26的材料可采用钼(Mo)、钼铌合金(MoNb)、铝(Al)、铝钕合金(AlNd)、钛(Ti)和铜(Cu)中的一种或多种材料形成的单层或多层复合叠层。结合如图2所示，第一薄膜晶体管T1的有源层51位于两条并列的数据线213之间，其中第一薄膜晶体管T1的源极52可以与左侧的数据线213连接，由于第一薄膜晶体管T1的源极52为透明金属材料或者透明金属氧化物材料制成，从而可以提高本申请实施例的开口率及透过率。
于本申请的一实施例中，如图1所示，显示基板还包括设置在第三绝缘层233背离衬底基板21一侧的平坦化层27，平坦化层27具有通孔H，通孔H在衬底基板21上的正投影与第一薄膜晶体管T1有源层在衬底基板21上的正投影重叠；显示电极3包括有第一子显示电极31及第二子显示电极32，第一子显示电极31覆盖通孔H的内周壁，并且与第一薄膜晶体管T1的漏极电连接，第二子显示电极32层叠且间隔的设置于第一子显示电极31及平坦化层27背离衬底基板21的一侧。
如图1所示，显示基板还包括有平坦化层27，该平坦化层27位于第三绝缘层233背离衬底基板21的一侧，并且该第三绝缘层233与第一薄膜晶体管T1对应处开设有通孔H，即该通孔H在衬底基板21上的正投影与第一薄膜晶体管T1的有源层在衬底基板21上的正投影重叠。平坦化层27可以为单层结构也可以多层结构，在此不做具体限定。平坦化层27的材料包括但不限于硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)、铪的氧化物(HfOx)、硅的氮氧化物(SiON)、铝的氧化物(AlOx)等或由其中两种或三种组成的多层膜。显示电极3包括第一子显示电极31和第二子显示电极32，第一子显示电极31呈层状结构，覆盖于通孔H顶部的外周以及内壁部，并且该第一子显示电极31位于通孔H内部的底面与第一薄膜晶体管T1的漏极顶面直接电连接；第二子显示电极32覆盖于平坦化层27及第一子显示电极31背离衬底基板21的一侧，并且第二子显示电极32与第一子显示电极31电连接。可选地，显示电极3的材料为ITO(氧化铟锡)。采用上述设计，可以有效保证显示均匀性，从而提高了显示效率。
于本申请的一实施例中，如图1所示，显示基板还包括有钝化层28，钝化层28位于第一子显示电极31及第二子显示电极32之间，并且位于平坦化层27与第二子显示电极32之间。具体来说，显示基板还包括有钝化层28，该钝化层28为绝缘材料制成，并且位于平坦化层27背离衬底基板21的一侧。由于第一子显示电极31相对较短，因此钝化层28覆盖平坦化层27及第一子显示电极31上，并且位于第二子显示电极32与平坦化层27及第一子显示电极31之间。在显示面板工作过程中，通过对显示电极3加载电压以产生电场，从而控制液晶的偏转，进而实现显示功能。采用上述设计可以节省工艺步骤，以节省制造成本。
于本申请的一实施例中，如图1所示，显示基板还包括支撑结构4，支撑结构4位于第二子显示电极32背离钝化层28的一侧，并且部分位于在通孔H内。具体来说，支撑结构4可以形成于第二子显示电极32背离钝化层28的一侧，并且支撑结构4的底部填充于第二子显示电极32形成于通孔H的凹槽内，即支撑结构4可以部分位于通孔H内。支撑结构4起到支撑对置基板的柱状隔垫物的作用。支撑结构4的形状可以根据情况进行选择，在此不做具体限定，优选的，支撑结构4的形状为块状。支撑结构4可以采用一次构图工艺形成，从而节省工艺步骤以节约制造成本。
于本申请的一实施例中，如图1所示，显示基板还包括设置在半导体层22与衬底基板21之间的缓冲层211和遮光层212；缓冲层211设置在半导体层22靠近衬底基板21的一侧；遮光层212设置在缓冲层211靠近衬底基板21的一侧，并且遮光层212在衬底基板21上的正投影覆盖有源层在衬底基板21上的正投影。具体来说，显示基板还包括有缓冲层211及遮光层212，缓冲层211覆盖于衬底基板21上，并且在缓冲层211背离衬底基板21的一侧设置有半导体层22，以避免有害物质对半导体层22的性能产生影响。在衬底基板21与缓冲层211之间可以设置有遮光层212，该遮光层212在衬底基板21上的正投影完全覆盖第一薄膜晶体管T1的有源层在衬底基板21上的正投影。在本实施例中，在缓冲层211靠近衬底基板21的一侧形成遮光层212，可以防止背光发出的光照射到第一薄膜晶体管T1的有源层，从而防止对第一薄膜晶体管T1的性能造成形成，进而防止了显示异常。遮光层212可以采用铜金属、钼金属等具有遮光性能的材料，本申请实施例对此不作限定。
于本申请的一实施例中，如图1所示，半导体层22包括低温多晶硅材料，第一导电层24包括有透明金属材料或者透明金属氧化物半导体材料。由于半导体层22采用低温多晶硅材料，使得第一薄膜晶体管T1及第二薄膜晶体管T2的有源层均为低温多晶硅材料，从而大幅降低本申请实施例的显示基板的厚度以及降低功耗。而第一导电层24采用透明金属材料或者透明金属氧化物半导体材料，可以使第一薄膜晶体管T1的源极由导体化的透明金属氧化物半导体材料制成，由于导体化的透明金属氧化物半导体材料本身具有透明的特性，因此可以提高高分辨率显示产品的透过率，从而提高显示产品的性能。可选地，透明金属氧化物半导体材料例如采用铟镓锌氧化物(IGZO)，使得在其进行溅射成膜时，只需通入少量的氧气，避免第一薄膜晶体管T1的有源层氧化，从而防止对第一薄膜晶体管T1的源极和漏极与有源层接触电阻造成影响，进而提高显示产品的性能。
第二个方面，本申请实施例提供一种显示基板的制备方法，显示基板位于显示区的多个像素单元，像素单元包括第一薄膜晶体管T1，包括：
S1、提供一衬底基板。
S2、在衬底基板的一侧形成半导体层，第一薄膜晶体管的有源层位于半导体层。
S3、在半导体层背离衬底基板的一侧形成绝缘层。
S4、在绝缘层背离半导体层的一侧形成由透明金属或者透明金属氧化物半导体材料的第一导电层；其中，第一导电层包括第一薄膜晶体管源极和漏极，源极和漏极与第一薄膜晶体管的有源层电连接。
S5、在第一导电层背离衬底基板的一侧依次形成有平坦化层及钝化层，并且钝化层的相对两侧形成显示电极，显示电极通过贯穿平坦化层的通孔与第一薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
本申请实施例中采用透明金属材料或者透明金属氧化物半导体材质形成，使得第一薄膜晶体管的源极和漏极均为透明电极，与现有技术中的直接采用金属布线的方式相比，可大幅提高显示基板的开口率及透过率，从而大幅提高显示产品的显示性能。
于本申请的一实施例中，如图1所示，在第一导电层采用透明金属氧化物半导体材料时，还包括对透明金属氧化物半导体进行导体化的步骤。透明金属氧化物半导体材料例如采用铟镓锌氧化物(IGZO)，通过对该材料进行导体化处理，以使该透明金属氧化物半导体材料变为透明状态，由于导体化的透明金属氧化物半导体材料是透明的，因此可以提高高分辨率显示产品的透过率，从而提高显示产品的性能。
第三个方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括上述各实施例提供的显示基板。其中，显示面板可以应用于：增强现实显示器、虚拟现实显示器、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (13)

1.一种显示基板，其具有显示区，所述显示基板包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板、且位于所述显示区的多个像素单元；所述像素单元包括第一薄膜晶体管和显示电极；其特征在于，所述显示基板包括：
半导体层，设置在所述衬底基板上，所述第一薄膜晶体管的有源层位于所述半导体层；
绝缘层，设置在所述半导体层背离所述衬底基板的一侧；
第一导电层，设置在所述绝缘层背离所述半导体层的一侧，所述第一薄膜晶体管的源极和漏极均位于所述第一导电层，所述第一薄膜晶体管的源极和漏极均为透明电极，并且通过贯穿所述绝缘层的层间过孔与所述第一薄膜晶体管的有源层连接；
所述显示电极设置于所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧，并且与所述第一薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；其中，所述第一绝缘层设置在所述半导体层背离所述衬底基板一侧，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层背离所述半导体层一侧，以及所述第三绝缘层设置在第二绝缘层背离所述第一绝缘层的一侧。
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第二导电层，所述第二导电层设置在第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧，并且所述第一薄膜晶体管的栅极位于所述第二导电层。
4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，其具有非显示区，所述显示基板还包括设置在所述衬底基板且位于所述非显示区的驱动电路；所述驱动电路包括第二薄膜晶体管；其中，
所述第二薄膜晶体管的有源层位于所述半导体层，栅极位于所述第二导电层。
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括有第三导电层，所述第三导电层设置在第二绝缘层背离所述第一绝缘层的一侧，所述第二薄膜晶体管的源极和漏极均位于所述第三导电层，并且所述第一薄膜晶体管的源极和漏极与所述第三导电层电连接。
6.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在第三绝缘层背离所述衬底基板一侧的平坦化层，所述平坦化层具有通孔，所述通孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一薄膜晶体管有源层在所述衬底基板上的正投影重叠；
所述显示电极包括有第一子显示电极及第二子显示电极，所述第一子显示电极覆盖所述通孔的内周壁，并且与所述第一薄膜晶体管的漏极电连接，所述第二子显示电极层叠且间隔的设置于所述第一子显示电极及所述平坦化层背离所述衬底基板的一侧。
7.如权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括有钝化层，所述钝化层位于所述第一子显示电极及所述第二子显示电极之间，并且位于所述平坦化层与所述第二子显示电极之间。
8.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括支撑结构，所述支撑结构位于所述第二子显示电极背离所述钝化层的一侧，并且部分位于在所述通孔内。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在半导体层与所述衬底基板之间的缓冲层和遮光层；
所述缓冲层设置在所述半导体层靠近所述衬底基板的一侧；
所述遮光层设置在所述缓冲层靠近所述衬底基板的一侧，并且所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影。
10.如权利要求1至9的任一所述的显示基板，其特征在于，所述半导体层包括低温多晶硅材料，所述第一导电层包括有透明金属材料或者透明金属氧化物半导体材料。
11.一种显示基板的制备方法，所述显示基板位于显示区的多个像素单元，所述像素单元包括第一薄膜晶体管，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板的一侧形成半导体层，所述第一薄膜晶体管的有源层位于所述半导体层；
在所述半导体层背离所述衬底基板的一侧形成绝缘层；
在所述绝缘层背离所述半导体层的一侧形成由透明金属或者透明金属氧化物半导体材料的第一导电层；其中，所述第一导电层包括第一薄膜晶体管源极和漏极，所述源极和所述漏极与所述第一薄膜晶体管的有源层电连接；
在所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧依次形成有平坦化层及钝化层，并且所述钝化层的相对两侧形成显示电极，所述显示电极通过贯穿所述平坦化层的通孔与所述第一薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
12.如权利要求11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板制备方法还包括：
在所述第一导电层采用透明金属氧化物半导体材料时，还包括对所述透明金属氧化物半导体进行导体化的步骤。
13.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的显示基板。
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