JPH09245963A - Ｅｌ発光装置 - Google Patents
Ｅｌ発光装置Info
- Publication number
- JPH09245963A JPH09245963A JP8047542A JP4754296A JPH09245963A JP H09245963 A JPH09245963 A JP H09245963A JP 8047542 A JP8047542 A JP 8047542A JP 4754296 A JP4754296 A JP 4754296A JP H09245963 A JPH09245963 A JP H09245963A
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- JP
- Japan
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- brightness
- light receiving
- light
- transformer
- transistor
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- Abandoned
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【課題】 環境や経時変化によらず、最適な輝度を得ら
れるようにする。 【解決手段】 トランス２に発生する交流電圧により駆
動されるＥＬ素子１の発光輝度をＣｄＳ４により検出
し、制御回路６０はその抵抗値に応じて上記交流電圧の
周波数を定める発振回路６１を制御してＥＬ素子１の発
光輝度を調整する。これにより、環境や経時変化によら
ず、最適な輝度を得る。
れるようにする。 【解決手段】 トランス２に発生する交流電圧により駆
動されるＥＬ素子１の発光輝度をＣｄＳ４により検出
し、制御回路６０はその抵抗値に応じて上記交流電圧の
周波数を定める発振回路６１を制御してＥＬ素子１の発
光輝度を調整する。これにより、環境や経時変化によら
ず、最適な輝度を得る。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】ＥＬ発光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＥＬ素子を用いたＥＬ発光装置が
市販されている。ところで、ＥＬ素子は経時変化による
劣化がＬＥＤ等の発光素子に比べ早い。このため、ＥＬ
素子の劣化をその静電容量の減少という形で検出し、こ
れに応じてＥＬ素子の発光輝度を調整して劣化による発
光輝度の低下を補うものがある。例えば、特開平２−２
４４５９４号公報に開示されるものがある。これは、詳
しくは述べないが、ＥＬ素子とリアクトルとを直列に接
続して直列共振回路を構成し、この直列共振回路のＥＬ
素子の静電容量の変化を反映した発振出力に応じてＥＬ
素子の駆動用の交流電圧の発振周波数を調整してＥＬ素
子の発光輝度の低下を補うものである。
市販されている。ところで、ＥＬ素子は経時変化による
劣化がＬＥＤ等の発光素子に比べ早い。このため、ＥＬ
素子の劣化をその静電容量の減少という形で検出し、こ
れに応じてＥＬ素子の発光輝度を調整して劣化による発
光輝度の低下を補うものがある。例えば、特開平２−２
４４５９４号公報に開示されるものがある。これは、詳
しくは述べないが、ＥＬ素子とリアクトルとを直列に接
続して直列共振回路を構成し、この直列共振回路のＥＬ
素子の静電容量の変化を反映した発振出力に応じてＥＬ
素子の駆動用の交流電圧の発振周波数を調整してＥＬ素
子の発光輝度の低下を補うものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＥＬ素
子の静電容量は経時変化のみならず環境により変化す
る。特に周囲の明るさ（照度）の影響を強く受け、暗時
には明時と比べ静電容量が低下する。このため、上述の
ものでは、発光輝度は暗時に高く、明時に低くなる。こ
れでは、暗時には僅かな輝度で足り、明時では高い輝度
を要する視覚効果の面からは逆効果となる。
子の静電容量は経時変化のみならず環境により変化す
る。特に周囲の明るさ（照度）の影響を強く受け、暗時
には明時と比べ静電容量が低下する。このため、上述の
ものでは、発光輝度は暗時に高く、明時に低くなる。こ
れでは、暗時には僅かな輝度で足り、明時では高い輝度
を要する視覚効果の面からは逆効果となる。
【０００４】なお、ＥＬ素子においては、静電容量だけ
でなく誘電損失も環境により変化し、照度が高いときに
誘電損失が高くなり、誘電損失が高いほど輝度は低下す
る。この点も上記不具合の一因となっている。
でなく誘電損失も環境により変化し、照度が高いときに
誘電損失が高くなり、誘電損失が高いほど輝度は低下す
る。この点も上記不具合の一因となっている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明ではＥＬ
素子の発光輝度を受光素子により検出し、それに応じて
ＥＬ素子の発光輝度を調整することにより、環境や経時
変化によらず、最適な輝度を得られることとする。
素子の発光輝度を受光素子により検出し、それに応じて
ＥＬ素子の発光輝度を調整することにより、環境や経時
変化によらず、最適な輝度を得られることとする。
【０００６】
【発明の実施の形態】ＥＬ素子と、上記ＥＬ素子を駆動
する駆動回路と、上記ＥＬ素子の発光輝度に応じた出力
を発生する受光素子と、上記受光素子の出力に応じて上
記駆動回路を制御して上記ＥＬ素子の発光輝度を調整す
る制御回路とを具備するＥＬ発光装置を構成する。
する駆動回路と、上記ＥＬ素子の発光輝度に応じた出力
を発生する受光素子と、上記受光素子の出力に応じて上
記駆動回路を制御して上記ＥＬ素子の発光輝度を調整す
る制御回路とを具備するＥＬ発光装置を構成する。
【０００７】
【実施例】次に本発明の一実施例のＥＬ発光装置につい
て説明する。図１は本例の構成を説明する説明図であ
り、まず、同図を参照しながら本例の構成について述べ
る。
て説明する。図１は本例の構成を説明する説明図であ
り、まず、同図を参照しながら本例の構成について述べ
る。
【０００８】１はＥＬ素子であり、２はトランスであ
る。ＥＬ素子１はトランス２の２次側のコイルに接続さ
れている。トランス２の１次側のコイルの一方の端子は
電源端子ＶＣＣに接続され、他方の端子は後述するトラ
ンジスタを介して電源端子ＧＮＤに接続されている。ト
ランス２は、トランジスタのオン、オフによって１次側
のコイルが励起され、２次側のコイルの端子間にＥＬ素
子１を駆動するための交流電圧が発生する。
る。ＥＬ素子１はトランス２の２次側のコイルに接続さ
れている。トランス２の１次側のコイルの一方の端子は
電源端子ＶＣＣに接続され、他方の端子は後述するトラ
ンジスタを介して電源端子ＧＮＤに接続されている。ト
ランス２は、トランジスタのオン、オフによって１次側
のコイルが励起され、２次側のコイルの端子間にＥＬ素
子１を駆動するための交流電圧が発生する。
【０００９】３はトランジスタであり、トランス２の１
次側のコイルと電源端子ＧＮＤとの間に接続され、ベー
スに受けるパルス信号によりスイッチングされる。
次側のコイルと電源端子ＧＮＤとの間に接続され、ベー
スに受けるパルス信号によりスイッチングされる。
【００１０】４は受光素子としてのＣｄＳであり、外来
光ではなく、ＥＬ素子１から発せられる光のみを受ける
ように配置され、その抵抗値はＥＬ素子の輝度に応じた
値となる。すなわち、ＥＬ素子の輝度が低くなるに従い
抵抗値が増す。
光ではなく、ＥＬ素子１から発せられる光のみを受ける
ように配置され、その抵抗値はＥＬ素子の輝度に応じた
値となる。すなわち、ＥＬ素子の輝度が低くなるに従い
抵抗値が増す。
【００１１】５はＣｄＳであり、外来光を受けるように
構成され、周囲の照度に応じた抵抗値となる。
構成され、周囲の照度に応じた抵抗値となる。
【００１２】６は制御用ＩＣであり、制御回路６０と発
振回路６１とを含んでいる。発振回路６１はトランジス
タ３のベースに印加するパルス信号を発生し、トランス
２およびトランジスタ３とともに駆動回路を構成する。
制御回路６０はＣｄＳ５の抵抗値に応じてスイッチＳＷ
１をオン、オフしてＥＬ素子１の点灯、消灯を制御し、
ＣｄＳ４の抵抗値に応じて発振回路６１の発信周波数、
すなわち、パルス信号の周波数を制御する。
振回路６１とを含んでいる。発振回路６１はトランジス
タ３のベースに印加するパルス信号を発生し、トランス
２およびトランジスタ３とともに駆動回路を構成する。
制御回路６０はＣｄＳ５の抵抗値に応じてスイッチＳＷ
１をオン、オフしてＥＬ素子１の点灯、消灯を制御し、
ＣｄＳ４の抵抗値に応じて発振回路６１の発信周波数、
すなわち、パルス信号の周波数を制御する。
【００１３】次に本例の動作について説明する。
【００１４】周囲が暗くなると、外来光を受けるＣｄＳ
５の抵抗値が上昇する。制御回路６０はＣｄＳ５の抵抗
値が所定の値を超えるとスイッチＳＷ１をオンとする。
これにより、トランジスタ３はベースに発振回路６１か
らのパルス信号を受けてオン、オフを繰り返す。トラン
ス２の２次側コイルの両端には交流電圧が生じ、ＥＬ素
子は発光する。このとき制御回路６０はＣｄＳ４の抵抗
値を所定の基準値と比較している。ここで、経時変化や
環境変化によりＥＬ素子１の輝度が低下していると、Ｃ
ｄＳ４の抵抗値が上記基準値を超える。これを受けて制
御回路６０は発振回路６１を制御してその発振周波数を
上昇させる。これによりパルス信号の周波数の上昇とと
もにＥＬ素子１に印加される交流電圧の周波数も上昇
し、ＥＬ素子１の発光輝度が上昇する。
５の抵抗値が上昇する。制御回路６０はＣｄＳ５の抵抗
値が所定の値を超えるとスイッチＳＷ１をオンとする。
これにより、トランジスタ３はベースに発振回路６１か
らのパルス信号を受けてオン、オフを繰り返す。トラン
ス２の２次側コイルの両端には交流電圧が生じ、ＥＬ素
子は発光する。このとき制御回路６０はＣｄＳ４の抵抗
値を所定の基準値と比較している。ここで、経時変化や
環境変化によりＥＬ素子１の輝度が低下していると、Ｃ
ｄＳ４の抵抗値が上記基準値を超える。これを受けて制
御回路６０は発振回路６１を制御してその発振周波数を
上昇させる。これによりパルス信号の周波数の上昇とと
もにＥＬ素子１に印加される交流電圧の周波数も上昇
し、ＥＬ素子１の発光輝度が上昇する。
【００１５】以上のように本例ではＣｄＳ４によりＥＬ
素子１の発光輝度を実際に検出し、輝度調整を行うた
め、経時変化、環境変化のいずれによってＥＬ素子の発
光輝度が低下したかに拘わらず、常に良好な輝度調整が
可能である。
素子１の発光輝度を実際に検出し、輝度調整を行うた
め、経時変化、環境変化のいずれによってＥＬ素子の発
光輝度が低下したかに拘わらず、常に良好な輝度調整が
可能である。
【００１６】上記実施例ではＣｄＳ４の出力が所定の基
準値を超えた場合にパルス信号の周波数を所定の値だけ
上昇させるようにしたが、これに限るものではない。例
えばＣｄＳ４の抵抗値は図示しないがこれに接続された
抵抗との接続点の電圧をコンパレータで所定の基準値と
比較しているが、それに代えてウインドコンパレータ等
を用いてＣｄＳ４の抵抗値を所定の基準幅で比較し、抵
抗値、すなわち、ＥＬ素子１の発光輝度が常に特定の値
となるように、パルス信号の周波数を上げ下げするよう
に制御しても良い。
準値を超えた場合にパルス信号の周波数を所定の値だけ
上昇させるようにしたが、これに限るものではない。例
えばＣｄＳ４の抵抗値は図示しないがこれに接続された
抵抗との接続点の電圧をコンパレータで所定の基準値と
比較しているが、それに代えてウインドコンパレータ等
を用いてＣｄＳ４の抵抗値を所定の基準幅で比較し、抵
抗値、すなわち、ＥＬ素子１の発光輝度が常に特定の値
となるように、パルス信号の周波数を上げ下げするよう
に制御しても良い。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば環境や経時変化によら
ず、最適な輝度を得られることが可能となる。
ず、最適な輝度を得られることが可能となる。
【図１】本発明の一実施例の構成を説明するための説明
図。
図。
１ ＥＬ素子 ２ トランス（駆動回路） ３ トランジスタ（駆動回路） ４ ＣｄＳ（受光素子） ６０ 制御回路 ６１ 発振回路（駆動回路）
Claims (1)
- 【請求項１】 ＥＬ素子と、 上記ＥＬ素子を駆動する駆動回路と、 上記ＥＬ素子の発光輝度に応じた出力を発生する受光素
子と、 上記受光素子の出力に応じて上記駆動回路を制御して上
記ＥＬ素子の発光輝度を調整する制御回路とを具備する
ことを特徴とするＥＬ発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8047542A JPH09245963A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | Ｅｌ発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8047542A JPH09245963A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | Ｅｌ発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09245963A true JPH09245963A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12778041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8047542A Abandoned JPH09245963A (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | Ｅｌ発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09245963A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019066869A (ja) * | 2000-01-17 | 2019-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
-
1996
- 1996-03-05 JP JP8047542A patent/JPH09245963A/ja not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019066869A (ja) * | 2000-01-17 | 2019-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
| US10467961B2 (en) | 2000-01-17 | 2019-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and electrical appliance |
| US10522076B2 (en) | 2000-01-17 | 2019-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and electrical appliance |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040129 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20040318 |