JP5512988B2 - El表示装置の作製方法 - Google Patents
El表示装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5512988B2 JP5512988B2 JP2009049191A JP2009049191A JP5512988B2 JP 5512988 B2 JP5512988 B2 JP 5512988B2 JP 2009049191 A JP2009049191 A JP 2009049191A JP 2009049191 A JP2009049191 A JP 2009049191A JP 5512988 B2 JP5512988 B2 JP 5512988B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etching
- resist mask
- conductive film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 105
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 75
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 412
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 145
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 139
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 93
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 42
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 247
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 description 35
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- -1 MgAg Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019974 CrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13069—Thin film transistor [TFT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Description
本実施の形態では、薄膜トランジスタの作製方法及び該薄膜トランジスタがマトリクス状に配置されたEL表示装置の作製方法の一例について、図1乃至図16を参照して説明する。
本実施の形態は、実施の形態1にて説明した方法により作製した表示パネル又は表示装置を表示部として組み込んだ電子機器について図20乃至図22を参照して説明する。このような電子機器としては、例えば、ビデオカメラ若しくはデジタルカメラ等のカメラ、ヘッドマウントディスプレイ(ゴーグル型ディスプレイ)、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等)が挙げられる。それらの一例を図20に示す。
12 第2のトランジスタ
13 第3のトランジスタ
14 容量素子
15 発光素子
16 ゲート配線
17 第1の電源線
18 ソース配線
19 第2の電源線
20 共通電極
21 画素
100 基板
102 第1の導電膜
104 第1の絶縁膜
106 半導体膜
108 不純物半導体膜
110 第2の導電膜
112 第1のレジストマスク
114 薄膜積層体
115 エッチングされた第1の導電膜
116 ゲート電極層
116A ゲート電極層
116B ゲート電極層
116C ゲート電極層
116D ゲート電極層
118 第2のレジストマスク
118A 第2のレジストマスク
118B 第2のレジストマスク
118C 第2のレジストマスク
118D 第2のレジストマスク
118E 第2のレジストマスク
118F 第2のレジストマスク
120 ソース電極及びドレイン電極層
120A ソース電極及びドレイン電極層
120B ソース電極及びドレイン電極層
120C ソース電極及びドレイン電極層
120D ソース電極及びドレイン電極層
120E ソース電極及びドレイン電極層
120F ソース電極及びドレイン電極層
122 ソース領域及びドレイン領域
122A ソース領域及びドレイン領域
122B ソース領域及びドレイン領域
122C ソース領域及びドレイン領域
122D ソース領域及びドレイン領域
124 半導体層
126 第1の保護膜
128 第2の保護膜
130 第1の開口部
130A 第1の開口部
130B 第1の開口部
130C 第1の開口部
130D 第1の開口部
131 第2の開口部
132 第1の画素電極層
132A 第1の画素電極層
132B 第1の画素電極層
132C 第1の画素電極層
133 隔壁
134 EL層
135 第2の画素電極層
136 発光素子
137 第3の保護膜
140 グレートーンマスク
141 基板
142 遮光部
143 回折格子部
145 ハーフトーンマスク
146 基板
147 半透光部
148 遮光部
160 第3の開口部
160A 第3の開口部
160B 第3の開口部
161 第4の開口部
170 第1のレジストマスク
171 第2のレジストマスク
200 携帯電話
201 筐体
202 筐体
203 表示部
204 スピーカ
205 マイクロフォン
206 操作キー
207 ポインティングデバイス
208 表面カメラ用レンズ
209 外部接続端子ジャック
210 イヤホン端子
211 キーボード
212 外部メモリスロット
213 裏面カメラ
214 ライト
221 筐体
222 表示用パネル
223 主画面
224 モデム
225 受信機
226 リモコン操作機
227 表示部
228 サブ画面
229 スピーカ部
231 本体
232 表示部
251 画素部
252 信号線駆動回路
253 走査線駆動回路
254 チューナ
255 映像信号増幅回路
256 映像信号処理回路
257 コントロール回路
258 信号分割回路
259 音声信号増幅回路
260 音声信号処理回路
261 制御回路
262 入力部
263 スピーカ
Claims (8)
- 第1の導電膜、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第1の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第1のエッチングを行って前記第1の導電膜の少なくとも表面を露出させ、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第2の導電膜上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することで薄膜トランジスタを形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、前記薄膜トランジスタを覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極層の一部を露出するように前記第2の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部及び前記第2の絶縁膜上に画素電極を選択的に形成し、
前記画素電極上にEL層を形成し、
前記EL層上に共通電極を形成することを特徴とするEL表示装置の作製方法。 - 第1の導電膜、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第1の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第1のエッチングを行って前記第1の導電膜の少なくとも表面を露出させ、
前記第2の導電膜上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することで薄膜トランジスタを形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、前記薄膜トランジスタを覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極層の一部を露出するように前記第2の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部及び前記第2の絶縁膜上に画素電極を選択的に形成し、
前記画素電極上にEL層を形成し、
前記EL層上に共通電極を形成することを特徴とするEL表示装置の作製方法。 - 第1の導電膜、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に凹部を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第1の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第1のエッチングを行って前記第1の導電膜の少なくとも表面を露出させ、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第1のレジストマスクを後退させることで前記第1のレジストマスクの凹部と重畳する前記第2の導電膜を露出させつつ第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することで薄膜トランジスタを形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、前記薄膜トランジスタを覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極層の一部を露出するように前記第2の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部及び前記第2の絶縁膜上に画素電極を選択的に形成し、
前記画素電極上にEL層を形成し、
前記EL層上に共通電極を形成することを特徴とするEL表示装置の作製方法。 - 第1の導電膜、第1の絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第2の導電膜を順に積層して形成し、
前記第2の導電膜上に凹部を有する第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて、前記第1の絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第2の導電膜に第1のエッチングを行って前記第1の導電膜の少なくとも表面を露出させ、
前記第1のレジストマスクを後退させることで前記第1のレジストマスクの凹部と重畳する前記第2の導電膜を露出させつつ第2のレジストマスクを形成し、
前記第1の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第2の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第3のエッチングを行ってソース電極及びドレイン電極層、ソース領域及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することで薄膜トランジスタを形成し、
前記第2のレジストマスクを除去し、前記薄膜トランジスタを覆って第2の絶縁膜を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極層の一部を露出するように前記第2の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部及び前記第2の絶縁膜上に画素電極を選択的に形成し、
前記画素電極上にEL層を形成し、
前記EL層上に共通電極を形成することを特徴とするEL表示装置の作製方法。 - 請求項3又は請求項4において、
前記第1のレジストマスクは多階調マスクを用いて形成することを特徴とするEL表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記第1のエッチングによって素子領域を形成し、
前記第2のエッチングによって前記素子領域の側面から概ね等しい距離だけ内側にゲート電極層の側面を形成することを特徴とするEL表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記第1のエッチングはドライエッチングであり、前記第2のエッチングはウエットエッチングであることを特徴とするEL表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、
前記第2の絶縁膜は、CVD法又はスパッタリング法により形成した絶縁膜と、スピンコート法により形成した絶縁膜と、を積層して形成することを特徴とするEL表示装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009049191A JP5512988B2 (ja) | 2008-03-05 | 2009-03-03 | El表示装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008055024 | 2008-03-05 | ||
JP2008055024 | 2008-03-05 | ||
JP2009049191A JP5512988B2 (ja) | 2008-03-05 | 2009-03-03 | El表示装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013228991A Division JP5674899B2 (ja) | 2008-03-05 | 2013-11-05 | 表示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009239272A JP2009239272A (ja) | 2009-10-15 |
JP2009239272A5 JP2009239272A5 (ja) | 2012-04-12 |
JP5512988B2 true JP5512988B2 (ja) | 2014-06-04 |
Family
ID=41052679
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009049191A Expired - Fee Related JP5512988B2 (ja) | 2008-03-05 | 2009-03-03 | El表示装置の作製方法 |
JP2013228991A Active JP5674899B2 (ja) | 2008-03-05 | 2013-11-05 | 表示装置 |
JP2014141052A Active JP5824557B2 (ja) | 2008-03-05 | 2014-07-09 | 表示装置 |
JP2015200980A Active JP5982550B2 (ja) | 2008-03-05 | 2015-10-09 | 表示装置 |
JP2016150972A Active JP6190015B2 (ja) | 2008-03-05 | 2016-08-01 | 表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP2017150319A Withdrawn JP2018005239A (ja) | 2008-03-05 | 2017-08-03 | 表示装置 |
JP2018227458A Active JP6666986B2 (ja) | 2008-03-05 | 2018-12-04 | 表示装置 |
JP2020027919A Active JP7008095B2 (ja) | 2008-03-05 | 2020-02-21 | 表示装置 |
JP2022001426A Active JP7225441B2 (ja) | 2008-03-05 | 2022-01-07 | El表示装置の作製方法 |
JP2023017862A Pending JP2023065419A (ja) | 2008-03-05 | 2023-02-08 | 表示装置 |
Family Applications After (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013228991A Active JP5674899B2 (ja) | 2008-03-05 | 2013-11-05 | 表示装置 |
JP2014141052A Active JP5824557B2 (ja) | 2008-03-05 | 2014-07-09 | 表示装置 |
JP2015200980A Active JP5982550B2 (ja) | 2008-03-05 | 2015-10-09 | 表示装置 |
JP2016150972A Active JP6190015B2 (ja) | 2008-03-05 | 2016-08-01 | 表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP2017150319A Withdrawn JP2018005239A (ja) | 2008-03-05 | 2017-08-03 | 表示装置 |
JP2018227458A Active JP6666986B2 (ja) | 2008-03-05 | 2018-12-04 | 表示装置 |
JP2020027919A Active JP7008095B2 (ja) | 2008-03-05 | 2020-02-21 | 表示装置 |
JP2022001426A Active JP7225441B2 (ja) | 2008-03-05 | 2022-01-07 | El表示装置の作製方法 |
JP2023017862A Pending JP2023065419A (ja) | 2008-03-05 | 2023-02-08 | 表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8101442B2 (ja) |
JP (10) | JP5512988B2 (ja) |
KR (1) | KR101519890B1 (ja) |
CN (2) | CN101527284B (ja) |
TW (3) | TWI622321B (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7749820B2 (en) * | 2008-03-07 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof |
US8207026B2 (en) * | 2009-01-28 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of display device |
US7989234B2 (en) * | 2009-02-16 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor and method for manufacturing display device |
US8202769B2 (en) | 2009-03-11 | 2012-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5539765B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタの作製方法 |
EP2492780B1 (en) * | 2009-11-26 | 2014-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | A touch panel manufacturing method, and a method for manufacturing a display device provided with a touch panel |
CN102754187A (zh) * | 2010-05-10 | 2012-10-24 | 松下电器产业株式会社 | 结晶性半导体膜的制造方法、带结晶性半导体膜的基板、薄膜晶体管 |
US9437743B2 (en) | 2010-10-07 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US8679986B2 (en) | 2010-10-14 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
CN103403849B (zh) * | 2011-02-28 | 2016-08-03 | 夏普株式会社 | 半导体装置及其制造方法以及显示装置 |
JP6076038B2 (ja) | 2011-11-11 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
JP6033071B2 (ja) * | 2011-12-23 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101996438B1 (ko) * | 2012-12-13 | 2019-07-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 기판, 이를 포함한 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
US9096426B2 (en) * | 2013-04-05 | 2015-08-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Electronic device structure and method of making electronic devices and integrated circuits using grayscale technology and multilayer thin-film composites |
CN104062843A (zh) | 2014-07-18 | 2014-09-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种掩膜板、阵列基板制作方法及阵列基板 |
CN105390551B (zh) * | 2015-10-28 | 2018-05-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置 |
CN105789327B (zh) * | 2016-05-17 | 2019-05-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 |
EP4068265A4 (en) | 2019-11-29 | 2023-10-11 | BOE Technology Group Co., Ltd. | SCREEN SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SCREEN DEVICE |
Family Cites Families (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56122123A (en) * | 1980-03-03 | 1981-09-25 | Shunpei Yamazaki | Semiamorphous semiconductor |
USRE34658E (en) * | 1980-06-30 | 1994-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device of non-single crystal-structure |
JPS6484669A (en) | 1987-09-26 | 1989-03-29 | Casio Computer Co Ltd | Thin film transistor |
JPH0311744A (ja) | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH03161938A (ja) | 1989-11-20 | 1991-07-11 | Seiko Instr Inc | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH04188770A (ja) | 1990-11-22 | 1992-07-07 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH06194687A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-07-15 | Nec Corp | 透過型アクティブマトリクス型液晶素子 |
JPH07307477A (ja) | 1994-03-15 | 1995-11-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP3866783B2 (ja) * | 1995-07-25 | 2007-01-10 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
JP3663261B2 (ja) * | 1995-10-05 | 2005-06-22 | 株式会社東芝 | 表示装置用アレイ基板及びその製造方法 |
EP0775931B1 (en) * | 1995-11-21 | 2005-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a liquid crystal display |
JPH09292633A (ja) * | 1996-02-27 | 1997-11-11 | Canon Inc | カラー液晶表示装置の製造方法 |
JPH10198292A (ja) * | 1996-12-30 | 1998-07-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
CN100517424C (zh) * | 1997-08-21 | 2009-07-22 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置 |
JP4131297B2 (ja) * | 1997-10-24 | 2008-08-13 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置の製造方法 |
US6297519B1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | TFT substrate with low contact resistance and damage resistant terminals |
US6493048B1 (en) * | 1998-10-21 | 2002-12-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
US6576924B1 (en) * | 1999-02-12 | 2003-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having at least a pixel unit and a driver circuit unit over a same substrate |
JP2000307118A (ja) | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2001109405A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
KR100669093B1 (ko) * | 1999-11-05 | 2007-01-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
JP3761756B2 (ja) * | 1999-12-16 | 2006-03-29 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
TW578028B (en) * | 1999-12-16 | 2004-03-01 | Sharp Kk | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
KR100325079B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2002-03-02 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 |
JP2001188240A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Sharp Corp | 透明導電膜を有する電子装置 |
JP2001202035A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-27 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
US7023021B2 (en) * | 2000-02-22 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
TW521256B (en) * | 2000-05-18 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device and method of driving the same |
KR100494683B1 (ko) * | 2000-05-31 | 2005-06-13 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 4-마스크를 이용한 박막 트랜지스터 액정표시장치의제조시에 사용하는 할프톤 노광 공정용 포토 마스크 |
US7223643B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
KR100496420B1 (ko) * | 2001-03-02 | 2005-06-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 2층구조의 소오스/드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터 및그의 제조방법과 이를 이용한 액티브 매트릭스형 표시소자및 그의 제조방법 |
TW488080B (en) * | 2001-06-08 | 2002-05-21 | Au Optronics Corp | Method for producing thin film transistor |
US6623653B2 (en) * | 2001-06-12 | 2003-09-23 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | System and method for etching adjoining layers of silicon and indium tin oxide |
JP4876341B2 (ja) * | 2001-07-13 | 2012-02-15 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
JP3831868B2 (ja) * | 2001-08-13 | 2006-10-11 | 大林精工株式会社 | アクティブマトリックス表示装置とその製造方法 |
JP4485119B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2003179069A (ja) | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス素子、ならびに表示装置用基板およびその製造方法 |
JP2003223119A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Toshiba Corp | 表示装置およびその製造方法 |
KR100789090B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2007-12-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 제조방법 |
JP3952979B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2007-08-01 | カシオ計算機株式会社 | 表示駆動装置及び表示装置並びにその駆動制御方法 |
TWI395996B (zh) * | 2003-07-14 | 2013-05-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及顯示裝置 |
JP2005128040A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
KR101006439B1 (ko) * | 2003-11-12 | 2011-01-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
KR101012792B1 (ko) * | 2003-12-08 | 2011-02-08 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법 |
KR100698062B1 (ko) * | 2004-04-01 | 2007-03-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
TWI239651B (en) * | 2004-04-30 | 2005-09-11 | Quanta Display Inc | Manufacturing method of a thin film transistor-liquid crystal display |
KR101086478B1 (ko) * | 2004-05-27 | 2011-11-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101121620B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2012-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
CN100533746C (zh) * | 2004-08-03 | 2009-08-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件、其制造方法以及电视机 |
JP4700317B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
KR100669752B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한평판표시장치 |
KR20060079040A (ko) * | 2004-12-31 | 2006-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 |
JP2006215275A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Sony Corp | 表示装置 |
KR20060120300A (ko) * | 2005-05-19 | 2006-11-27 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101100891B1 (ko) * | 2005-05-23 | 2012-01-02 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 이를 포함한 디스플레이장치 |
US7608490B2 (en) * | 2005-06-02 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7588970B2 (en) * | 2005-06-10 | 2009-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101201017B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2012-11-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US7807516B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
KR101225440B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2013-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US7867791B2 (en) * | 2005-07-29 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device using multiple mask layers formed through use of an exposure mask that transmits light at a plurality of intensities |
JP4039446B2 (ja) * | 2005-08-02 | 2008-01-30 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
US7914971B2 (en) * | 2005-08-12 | 2011-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same |
KR20070019457A (ko) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정표시장치 |
JP5078246B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5105811B2 (ja) | 2005-10-14 | 2012-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US8149346B2 (en) * | 2005-10-14 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
TWI460851B (zh) * | 2005-10-17 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI289360B (en) * | 2005-10-24 | 2007-11-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof |
JP5025242B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2012-09-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、モジュール、及び電子機器 |
CN102331639A (zh) * | 2005-12-05 | 2012-01-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示器 |
EP1793266B1 (en) * | 2005-12-05 | 2017-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration |
US7821613B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
JP2007212699A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 反射型tft基板及び反射型tft基板の製造方法 |
TWI322288B (en) * | 2006-03-07 | 2010-03-21 | Au Optronics Corp | Manufacture method of pixel array substrate |
US8053816B2 (en) * | 2006-03-10 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN100433338C (zh) * | 2006-06-23 | 2008-11-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种薄膜晶体管器件阵列基板结构及其制造方法 |
KR101295192B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2013-08-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR20080001181A (ko) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 |
WO2008099528A1 (ja) | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示装置、表示装置の製造方法 |
JP4733211B2 (ja) * | 2007-07-30 | 2011-07-27 | 京セラ株式会社 | 画像表示装置 |
KR101296653B1 (ko) * | 2007-10-05 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP5380037B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2014-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7824939B2 (en) * | 2007-10-23 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device comprising separated and electrically connected source wiring layers |
JP5357493B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2013-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101448903B1 (ko) * | 2007-10-23 | 2014-10-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그의 제작방법 |
JP5427390B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2014-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI355553B (en) * | 2007-10-30 | 2012-01-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure and method for manufacturing the s |
WO2009072451A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of display device |
US8035107B2 (en) * | 2008-02-26 | 2011-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
CN101939694B (zh) * | 2008-02-27 | 2014-01-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示器件及其制造方法以及电子装置 |
US7749820B2 (en) * | 2008-03-07 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof |
US7989275B2 (en) * | 2008-03-10 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof |
US7883943B2 (en) * | 2008-03-11 | 2011-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film transistor and method for manufacturing display device |
US7985605B2 (en) * | 2008-04-17 | 2011-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
US7790483B2 (en) * | 2008-06-17 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof |
KR101243824B1 (ko) * | 2008-09-24 | 2013-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
-
2009
- 2009-02-20 US US12/390,264 patent/US8101442B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-26 TW TW104107395A patent/TWI622321B/zh active
- 2009-02-26 TW TW105143921A patent/TWI657716B/zh active
- 2009-02-26 TW TW098106187A patent/TWI486096B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-03-03 JP JP2009049191A patent/JP5512988B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-05 KR KR1020090018828A patent/KR101519890B1/ko active IP Right Grant
- 2009-03-05 CN CN200910128517.8A patent/CN101527284B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-05 CN CN201410220695.4A patent/CN103987146B/zh active Active
-
2013
- 2013-11-05 JP JP2013228991A patent/JP5674899B2/ja active Active
-
2014
- 2014-07-09 JP JP2014141052A patent/JP5824557B2/ja active Active
-
2015
- 2015-10-09 JP JP2015200980A patent/JP5982550B2/ja active Active
-
2016
- 2016-08-01 JP JP2016150972A patent/JP6190015B2/ja active Active
-
2017
- 2017-08-03 JP JP2017150319A patent/JP2018005239A/ja not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-12-04 JP JP2018227458A patent/JP6666986B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-21 JP JP2020027919A patent/JP7008095B2/ja active Active
-
2022
- 2022-01-07 JP JP2022001426A patent/JP7225441B2/ja active Active
-
2023
- 2023-02-08 JP JP2023017862A patent/JP2023065419A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103987146A (zh) | 2014-08-13 |
TWI622321B (zh) | 2018-04-21 |
KR20090095520A (ko) | 2009-09-09 |
JP2019040215A (ja) | 2019-03-14 |
JP7008095B2 (ja) | 2022-01-25 |
CN101527284A (zh) | 2009-09-09 |
US20090224249A1 (en) | 2009-09-10 |
JP2022058527A (ja) | 2022-04-12 |
KR101519890B1 (ko) | 2015-05-21 |
JP5982550B2 (ja) | 2016-08-31 |
JP7225441B2 (ja) | 2023-02-20 |
TW201714489A (zh) | 2017-04-16 |
JP2014063179A (ja) | 2014-04-10 |
CN101527284B (zh) | 2014-07-02 |
JP2016212435A (ja) | 2016-12-15 |
JP2018005239A (ja) | 2018-01-11 |
JP2016048378A (ja) | 2016-04-07 |
JP5674899B2 (ja) | 2015-02-25 |
CN103987146B (zh) | 2017-04-19 |
JP2023065419A (ja) | 2023-05-12 |
JP2020096193A (ja) | 2020-06-18 |
JP2009239272A (ja) | 2009-10-15 |
TW200950583A (en) | 2009-12-01 |
TWI486096B (zh) | 2015-05-21 |
JP5824557B2 (ja) | 2015-11-25 |
JP6190015B2 (ja) | 2017-08-30 |
TW201524264A (zh) | 2015-06-16 |
US8101442B2 (en) | 2012-01-24 |
TWI657716B (zh) | 2019-04-21 |
JP6666986B2 (ja) | 2020-03-18 |
JP2014206753A (ja) | 2014-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6666986B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5383256B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに表示装置及びその作製方法 | |
JP5364422B2 (ja) | 発光装置及びその作製方法 | |
JP5396165B2 (ja) | 薄膜トランジスタの作製方法及び表示装置の作製方法 | |
JP5371487B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに表示装置及びその作製方法 | |
JP5530111B2 (ja) | 薄膜トランジスタの作製方法 | |
JP5997725B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5460096B2 (ja) | 表示装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120228 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140318 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140327 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5512988 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |