JP4586266B2 - 薄膜トランジスタ製造システム及び物体表面の評価装置 - Google Patents

薄膜トランジスタ製造システム及び物体表面の評価装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4586266B2
JP4586266B2 JP2000384417A JP2000384417A JP4586266B2 JP 4586266 B2 JP4586266 B2 JP 4586266B2 JP 2000384417 A JP2000384417 A JP 2000384417A JP 2000384417 A JP2000384417 A JP 2000384417A JP 4586266 B2 JP4586266 B2 JP 4586266B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polysilicon film
value
evaluation
contrast
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000384417A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002184715A (ja
JP2002184715A5 (ja
Inventor
裕之 和田
幸一 田附
暢彦 梅津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2000384417A priority Critical patent/JP4586266B2/ja
Publication of JP2002184715A publication Critical patent/JP2002184715A/ja
Publication of JP2002184715A5 publication Critical patent/JP2002184715A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4586266B2 publication Critical patent/JP4586266B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低温多結晶化プロセスを用いた薄膜トランジスタ製造システム及び方法、並びに、物体の表面の空間構造の周期性を評価する評価装置及び方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、チャネル層にポリシリコン膜を用いた薄膜トランジスタの実用化が進められている。チャネル層にポリシリコンを用いた場合、薄膜トランジスタの電界移動度が非常に高くなるため、例えば液晶ディスプレイ等の駆動回路として用いた場合には、ディスプレイの高精彩化、高速化、小型化等を実現することができるようになる。
【0003】
また、エキシマレーザアニール装置を用いてアモルファスシリコンを熱処理してポリシリコン膜を形成する、いわゆる低温多結晶化プロセスも近年開発が進んでいる。このような低温多結晶プロセスを薄膜トランジスタの製造プロセスに適用することによって、ガラス基板への熱損傷が低くなり、耐熱性の大面積で安価なガラス基板を用いることができる。
【0004】
ところで、低温多結晶プロセスにおいて用いられるエキシマレーザアニール装置は、その出力パワーが不安定であるため、形成されるポリシリコンのグレーンサイズが大きく変動する。そのため、エキシマレーザアニール装置を用いて形成されたポリシリコン膜は、常に良好なグレーンサイズとはならず、例えば、シリコン結晶が微結晶化してしまういわゆる線状不良となったり、十分大きなグレーンサイズが得られない、いわゆる書き込み不良となったりしてしまうという問題点があった。
【0005】
そのため、一般に、このようなエキシマレーザアニール装置を用いてアニール処理を行う場合には、ポリシリコン膜へ与えられたエネルギー情報を、エキシマレーザアニール装置にフィードバックして、最適なレーザのエネルギ密度に設定する処理が行われる。
【0006】
しかしながら、ポリシリコン膜を評価するには、従来、分光エリプソや走査型電子顕微鏡等を用いて表面画像を撮像し、その表面画像を目視して結晶の状態を判断するといった感覚的な方法しかなく、非接触で客観的に判断することができなかった。
【0007】
そこで本出願人は、低温多結晶化プロセスを用いて形成したポリシリコン膜の状態を客観的且つ自動的に評価して、その情報に基づきレーザアニール装置から出射されるレーザのエネルギ密度の最適化を図る薄膜トランジスタ製造システムを、特願2000−005994、特願2000−005995、特願2000−005996で提案している。
【0008】
本出願人は、アモルファスシリコン膜に対してエキシマレーザアニール処理を行いポリシリコン膜を形成したときに膜表面の空間構造に直線性や周期性が現れ、アモルファスシリコンに与えるエネルギ密度に応じてその直線性や周期性の構造が変化することを見いだした。上記各出願では、このような特性を利用し、ポリシリコン膜の表面画像を紫外光で撮像し、その撮像画像からポリシリコン膜の表面の空間構造の周期性を自己相関関数を利用して数値化し、この数値に基づき形成されたポリシリコン膜の状態を評価し、その評価結果をエキシマレーザのエネルギ密度の設定にフィードバックするようにした薄膜トランジスタの製造システムを提案している。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、ポリシリコン膜の表面画像を紫外光を用いて撮像した場合、ポリシリコン膜表面での反射回折の影響等から、自己相関関数を利用して膜表面の空間構造の周期性を数値化した値(AC値)が、照射する紫外光の焦点位置とポリシリコン膜の距離(紫外光の光軸方向(以下、Z方向とする。)の距離)に応じて変動してしまう。このように紫外光の焦点位置とポリシリコン膜との距離に応じてAC値の値が変動すると測定の再現性が確保できないため、従来は、基板を支持しているステージをZ方向に微少に移動させ、各移動位置で上記AC値を算出し、その中で最も値が大きくなるAC値を抽出することによって、再現性を確保していた。
【0010】
しかしながら、上記AC値を算出するにはFFT演算を実行しなければならなく、従来のように各移動位置毎にAC値を求めた場合、全体の演算量が膨大となり、処理時間が非常に長くなってしまう。
【0011】
本発明は、このような実情を鑑みてなされたものであり、低温多結晶化プロセスで形成されたポリシリコン膜を評価する際に、評価結果の再現性を確保し、さらに、処理時間を短縮した薄膜トランジスタ製造システム及び方法を提供することを目的とする。
【0012】
また、本発明は、評価結果の再現性を確保し、さらに短い処理時間で、物体の表面の空間構造の周期性を評価することができる評価装置及び方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる薄膜トランジスタ製造システムは、薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタ製造システムにおいて、基板上にアモルファスシリコン膜を成膜する成膜装置と、上記アモルファスシリコン膜に対してレーザアニール処理することによってチャネル層となるポリシリコン膜を形成するレーザアニール装置と、上記ポリシリコン膜に対して集光した紫外光を照射し、その反射光を検出する光学系と、上記光学系により検出された反射光を撮像する撮像部と、上記基板を支持して照射光の光軸方向に移動させる支持部と、上記支持部を制御して上記ポリシリコン膜を光軸方向に対して移動させ、照射光の光軸方向の各移動方向における上記ポリシリコン膜の撮像画像のコントラストを算出し、算出したコントラストの最大値に基づき上記ポリシリコン膜の評価位置を決定し、上記評価位置で撮像された撮像画像の自己相関関数のサイドピーク値に対する極大ピーク値の比を算出して上記ポリシリコン膜の表面に隆起して形成された凸部が略一定の間隔で略平行に並んでいるかを評価する制御部とを備えた評価装置とを備え、上記レーザアニール装置は、上記評価装置の評価に基づき、上記レーザアニール処理に用いるレーザのエネルギ密度を制御することを特徴とする。
【0015】
本発明にかかる薄膜トランジスタ製造方法は、薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタ製造方法において、基板上にアモルファスシリコン膜を成膜する成膜ステップと、上記成膜ステップで成膜されたアモルファスシリコン膜に対して、レーザアニール処理することによってチャネル層となるポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜形成ステップと、上記ポリシリコン膜形成ステップで形成されたポリシリコン膜に対して集光した紫外光を照射して反射光を検出する反射光検出ステップと、上記反射光検出ステップで検出された反射光を撮像する撮像ステップと、上記ポリシリコン膜が形成された基板を支持して上記反射光検出ステップで照射された照射光の光軸方向に移動させる支持部を制御して、上記ポリシリコン膜が形成された基板を照射光の光軸方向に対して移動させ、照射光の光軸方向の各移動位置における上記ポリシリコン膜の撮像画像のコントラストを算出するコントラスト算出ステップと、上記コントラスト算出ステップで算出したコントラストの最大値に基づき上記ポリシリコン膜の評価位置を決定する評価位置決定ステップと、上記評価位置決定ステップで決定された評価位置で撮像された撮像画像の自己相関関数のサイドピーク値に対する極大ピーク値の比を算出して上記ポリシリコン膜の表面に隆起して形成された凸部が略一定の間隔で略平行に並んでいるかを評価するシリコン膜評価ステップとを含み、上記ポリシリコン膜形成ステップでは、上記シリコン膜評価ステップでなされた評価に基づき、上記レーザアニール処理で用いるレーザのエネルギ密度を制御することを特徴とする。
【0017】
本発明にかかる評価装置は、アモルファスシリコン膜に対してアニール処理をすることによって形成されたポリシリコン膜を評価する評価装置において、上記ポリシリコン膜に対して集光した紫外光を照射し、その反射光を検出する光学系と、上記光学系により検出された反射光を撮像する撮像部と、上記ポリシリコン膜が形成された基板を支持して上記光学系で照射された照射光の光軸方向に移動させる支持部と、上記支持部を制御して上記ポリシリコン膜が形成された基板を上記光学系で照射された照射光の光軸方向に対して移動させ、照射光の光軸方向の各移動位置における上記ポリシリコン膜の撮像画像のコントラストを算出し、算出したコントラストの最大値に基づき上記ポリシリコン膜の評価位置を決定し、上記評価位置で撮像された撮像画像の自己相関関数のサイドピーク値に対する極大ピーク値の比を算出して上記ポリシリコン膜の表面に隆起して形成された凸部が略一定の間隔で略平行に並んでいるかを評価する制御部とを備えたことを特徴とする。
【0019】
本発明にかかる評価方法は、アモルファスシリコン膜に対してアニール処理をすることによって形成されたポリシリコン膜を評価する評価方法において、上記ポリシリコン膜に対して集光した紫外光を照射し、その反射光を検出する反射光検出ステップと、上記反射光検出ステップで検出された反射光を撮像する撮像ステップと、上記ポリシリコン膜が形成された基板を支持して上記反射光検出ステップで照射された照射光の光軸方向に移動させる支持部を制御して上記ポリシリコン膜が形成された基板を上記照射光の光軸方向に移動させ、照射光の光軸方向の各移動位置における上記ポリシリコン膜の撮像画像のコントラストを算出するコントラスト算出ステップと、上記コントラスト算出ステップで算出したコントラストの最大値に基づき上記ポリシリコン膜の評価位置を決定する評価位置決定ステップと、上記評価位置決定ステップで決定された評価位置で撮像された撮像画像の自己相関関数のサイドピーク値に対する極大ピーク値の比を算出して上記ポリシリコン膜の表面に隆起した凸部が略一定の間隔で略平行に並んでいるかを評価するシリコン評価ステップとを含むことを特徴とする。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態として、本発明を適用したポリシリコン膜の評価装置について説明する。
【0022】
本発明の実施の形態のポリシリコン膜の評価装置は、例えば、ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタ(ボトムゲート型TFT)の製造工程中に形成されるポリシリコン膜の検査に用いられる。ボトムゲート型TFTは、例えばガラス基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ポリシリコン膜(チャネル層)が下層から順に積層された構成とされた薄膜トランジスタである。すなわち、ボトムゲート型TFTは、チャネル層となるポリシリコン膜とガラス基板との間に、ゲート電極が形成されている構成のTFTである。なお、ここでは、ボトムゲート型TFTを評価する評価装置に本発明を適用した例について説明をするが、本発明はこのようなボトムゲート型TFTに限らず、ガラス基板上にポリシリコン膜(チャネル層)が形成された後、その上層にゲート電極を設けたいわゆるトップゲート型TFTを評価する評価装置に適用することも可能である。
【0023】
ボトムゲート型TFTの構造
まず、ボトムゲート型TFTの具体的な構成例について図1を用いて説明する。
【0024】
ボトムゲート型TFT1は、図1に示すように、0.7mm厚のガラス基板2上に、ゲート電極3、第1のゲート絶縁膜4、第2のゲート絶縁膜5、ポリシリコン膜6、ストッパ7、第1の層間絶縁膜8、第2の層間絶縁膜9、配線10、平坦化膜11、透明導電膜12が積層されて構成されている。
【0025】
ゲート電極3は、ガラス基板2上に100〜200nmのモリブデン(Mo)が成膜された後、異方性エッチングによりパターニングされて形成されている。
【0026】
第1のゲート絶縁膜4は、例えば膜厚が50nmの窒化シリコン(SiN)からなり、窒化シリコン(SiN)が、このゲート電極3が形成されたガラス基板2上に積層されて形成されている。
【0027】
第2のゲート絶縁膜5は、例えば膜厚が200nmの二酸化シリコン(SiO)からなり、この二酸化シリコン(SiO)が、第1のゲート絶縁膜5上に積層されて形成されている。
【0028】
ポリシリコン膜6は、例えば膜厚が30〜80nmのポリシリコン(p−Si)からなる。このポリシリコン膜6は、第2のゲート絶縁膜5上に積層されて形成されている。このポリシリコン膜6は、当該ボトムゲート型TFT1のチャネル層として機能する。このポリシリコン膜6は、例えば、LPCVD法等によって30〜80nmのアモルファスシリコン(a−Si)が成膜された後、このアモルファスシリコンに対してアニール処理を行うことにより多結晶化され形成される。ポリシリコン膜6の多結晶化工程においては、紫外線レーザであるエキシマレーザを用いたレーザアニール処理が用いられる。このエキシマレーザアニール処理は、その照射面が線状とされたパルスのレーザビームを出射し、パルスビームの照射領域を移動させながら、アモルファスシリコンをポリシリコンに多結晶化させるものである。レーザビームは、その照射面の形状が、例えば長手方向の長さが20cm、短辺方向の長さが400μmとされ、パルスの周波数が300Hzとされている。エキシマレーザアニール処理を行う際のレーザビームの走査方向は、線状レーザの照射面の長手方向と直交する方向(すなわち、短辺方向)に行われる。
【0029】
そして、このポリシリコン膜6は、エキシマレーザアニールによって多結晶化されたのち、ソース/ドレイン領域を形成するために、不純物がイオンドーピングされる。このイオンドーピングは、ゲート電極3上の部分のポリシリコン膜6に不純物が注入されないように、このゲート電極3に対応する位置にストッパ7が形成された後に行われる。このストッパ7は、例えば膜厚200nmの二酸化シリコン(SiO)からなり、ゲート電極3を形成したときに用いたマスク等を用いて形成されている。
【0030】
第1の層間絶縁膜8は、例えば膜厚が300nmの窒化シリコン(SiN)からなり、この窒化シリコン(SiN)が、ポリシリコン膜6上に積層されて形成されている。
【0031】
第2の層間絶縁膜9は、例えば膜厚が150nmの二酸化シリコン(SiO)からなり、この二酸化シリコン(SiO)が、第1の層間絶縁膜8上に積層されて形成されている。
【0032】
配線10は、ポリシリコン膜6のソース/ドレイン領域を接続するためのコンタクトホールが、第1の層間絶縁膜8及び第2の層間絶縁膜9のソース/ドレイン領域に対応する位置に開口された後、アルミニウム(Al)及びチタン(Ti)を成膜し、エッチングによってパターニングして形成されている。この配線10は、ポリシリコン膜6上に形成された各トランジスタのソース/ドレイン領域を接続して、基板上の所定の回路パターンを形成する。
【0033】
平坦化膜11は、当該ボトムゲート型TFT1の表面を平坦化するための膜で、配線10が形成されたのち成膜され、その膜厚が2〜3μmとされている。
【0034】
透明導電膜12は、例えば、ITO等からなる透明導電材料からなり、配線10と当該ボトムゲート型TFT1の外部に存在する外部素子や外部配線とを接続するための導電線である。この透明導電膜12は、コンタクトホールが平坦化膜11に開口された後に、平坦化膜11上に形成される。
【0035】
以上のようなボトムゲート型TFT1では、チャネル層にポリシリコンを用いているため、チャネル層の電界移動度が非常に高くなる。そのため、例えば液晶ディスプレイ等の駆動回路として用いた場合には、ディスプレイの高精細化、高速化、小型化等を実現することができる。また、以上のようなボトムゲート型TFT1では、エキシマレーザアニールを用いてアモルファスシリコンを熱処理することによってポリシリコン膜6を形成する、いわゆる低温多結晶化プロセスが用いられている。そのため、多結晶化プロセスでのガラス基板2への熱損傷が少なくなり、大面積で安価なガラス基板を用いることが可能となる。
【0036】
ポリシリコン膜の検査の必要性
ところで、ポリシリコン膜6の電界移動度を決定する重要な要素は、ポリシリコンのグレーンサイズであるといわれている。そのグレーンサイズは、エキシマレーザアニール処理時においてポリシリコン膜6に与えられるエネルギーに大きく依存する。そのため、エキシマレーザアニール処理時におけるレーザのエネルギ密度の制御やその安定化が、完成したボトムゲート型TFT1の特性や歩留まりに大きく影響することとなる。
【0037】
しかしながら、エキシマレーザアニール処理において用いられるエキシマレーザアニール装置は、出射するレーザのエネルギ密度の出力変動が比較的大きい。
そのため、エキシマレーザアニール装置を用いてエキシマレーザアニールを行った場合、良好なグレーンサイズを得られるエネルギーの許容範囲(ポリシリコン膜6の製造マージン)に対して、ポリシリコン膜6に与えるエネルギーの変動が大きくなってしまい、ポリシリコン膜6を安定的に製造することが難しい。
【0038】
したがって、同一の条件でエキシマレーザアニールを行った場合でも、ポリシリコン膜6のグレーンサイズが大きく変動し、例えばレーザのエネルギが大きくなりすぎた場合には、シリコン結晶が微結晶化してしまい、また、レーザのエネルギが小さくなりすぎた場合には、十分大きなグレーンサイズが得られない為に、いづれも十分な電界移動度が得られなくなってしまい不良となってしまう。
【0039】
しかしながら、上述したようにエキシマレーザアニール装置は、出射するレーザのエネルギ密度の出力変動が比較的大きい。したがって、ポリシリコン膜6のグレーンサイズが良好なサイズとなるように、そのレーザのエネルギ密度を制御することは難しい。
【0040】
そこで、一般に、このようなエキシマレーザアニール装置を用いてアニール処理を行う場合には、例えば、図2に示すようなポリシリコン膜6の多結晶化工程が終了した段階で、その最表面に形成されているポリシリコン膜6の結晶の状態を全数検査したり、或いは、製品を無作為に抜き取って結晶の状態を検査したりして、製造した製品がこの段階で不良品であるか否かを判断したり、また、エキシマレーザアニール装置へポリシリコン膜6へ与えられたエネルギー情報をフィードバックしてレーザのエネルギ密度の設定が行われる。
【0041】
本発明の実施の形態のポリシリコン膜評価装置は、このようなポリシリコン膜6の多結晶化工程が終了した段階で、形成したポリシリコン膜6の評価を行い、製造した製品がこの段階で不良品であるか否かを判断したり、また、エキシマレーザアニール装置へ情報をフィードバックしてレーザエネルギーの設定を行うのに用いるものである。
【0042】
ポリシリコン膜の評価原理と評価手法
(1) まず、上述したエキシマレーザアニールにより形成されたポリシリコン膜の評価原理について説明する。
【0043】
上述したように製造した薄膜トランジスタの移動度は、ポリシリコンのグレーンサイズが大きく影響する。充分な移動度を得るためには、ポリシリコンのグレーンサイズは、大きい方が望ましい。
【0044】
ポリシリコン膜のグレーンサイズは、エキシマレーザアニールで与えられたエネルギーに大きく依存する。ポリシリコン膜のグレーンサイズは、図3に示すように、与えられたエネルギーが増大するとそれに伴い増大するが、ある所定のエネルギー(図中Lの位置:このときのエネルギーを許容最低エネルギーLとする。)以上となるとグレーンサイズが十分大きくなり、その後変化が少なくなり安定化する。さらにエネルギーを増大させていくと、ある位置(図中Hの位置。このときのエネルギーを許容最高エネルギーHとする)から、グレーンサイズの変化が大きくなり、そして、ある臨界点を境としてポリシリコンが微結晶粒となってしまう。
【0045】
したがって、通常、エキシマレーザアニールを行う場合には、図3で示したグレーンサイズが十分大きくなった許容最低エネルギーLから、微結晶粒となる手前の許容最高エネルギーHの範囲となるように、照射するレーザのエネルギ密度を制御することによって、充分な大きさのグレーンサイズを得るようにする。そして、このような範囲のエネルギーを与えるレーザ光をアモルファスシリコン膜に照射することによって、完成した薄膜トランジスタの移動度を十分大きくすることが可能となる。
【0046】
(2) 次に、レーザのエネルギ密度を最適値としてエキシマレーザアニールを行ったときのポリシリコン膜の膜表面の画像と、最適値よりも少ないエネルギ密度としたときのポリシリコン膜の膜表面の画像と、最適値よりも大きいエネルギ密度としたときのポリシリコン膜の膜表面の画像とを比較する。図4に、それぞれの場合の画像を示す。図4(A)が最適値よりも少ないエネルギ密度としたときのポリシリコン膜の膜表面の画像を示す図で、図4(B)が最適値のエネルギ密度としたときのポリシリコン膜の膜表面の画像を示す図で、図4(C)が最適値よりも大きいエネルギ密度としたときのポリシリコン膜の膜表面の画像を示す図である。なお、図4に示す各画像は、紫外線光を用いた顕微鏡装置により撮像した画像であるが、この顕微鏡装置についての詳細は後述する。
【0047】
図4において、エキシマレーザアニールのレーザの走査方向は、図中X方向となっている。なお、アモルファスシリコン膜には、上述したように、照射面が線状とされたレーザビームが照射され、その走査方向は、レーザビームの照射面形状の長手方向に直交する方向である。
【0048】
ここで、エキシマレーザアニール時におけるエネルギ密度を最適値としたときの図4(B)の画像と、図4(A)及び図4(C)に示すそれ以外の画像とを比較すると、以下のような特徴が現れている。
【0049】
まず、エネルギ密度を最適値としたときのポリシリコン膜の表面画像(図4(B))は、エネルギ密度が最適とされていないポリシリコン膜の表面画像(図4(A)及び図4(C))と比較して、直線性が現れた画像となっている。具体的には、レーザの走査方向(図4中X方向)に対して、直線性が現れた画像となっている。すなわち、エネルギ密度を最適値としたときのポリシリコン膜の表面は、その空間構造に直線性が現れる規則的な形状となる特徴がある。
【0050】
また、エネルギ密度を最適値としたときのポリシリコン膜の表面画像(図4(B))は、エネルギ密度が最適とされていないポリシリコン膜の表面画像(図4(A)及び図4(C))と比較して、周期性が現れた画像となっている。具体的には、レーザの走査方向と直交する方向(図4中Y方向)に、周期性が現れた画像となっている。すなわち、エネルギ密度を最適値としたときのポリシリコン膜の表面は、その空間構造に周期性が現れる規則的な形状となる特徴がある。
【0051】
したがって、本発明の実施の形態のポリシリコン膜の評価装置では、以上のような特徴を利用して、ポリシリコン膜の状態を検査する。すなわち、本発明の実施の形態のポリシリコン膜の評価装置では、エキシマレーザアニールを行った後のポリシリコン膜の表面画像を数値解析して、ポリシリコン膜の表面空間構造に直線性が現れているか、或いは、ポリシリコン膜の表面空間構造に周期性が現れているか、或いは、ポリシリコン膜の表面空間構造に直線性及び周期性が現れているかを評価して、ポリシリコン膜の状態を検査する。
【0052】
なお、エネルギ密度を良好な値としてエキシマレーザアニールを行った後のポリシリコン膜の膜表面の画像が、直線性及び周期性が現れた画像となるのは、図5(A)のように、アモルファスシリコン膜の上層に自然酸化膜(SiO)が形成されている影響であると考えられる。この自然酸化膜の膜厚は、3〜4nmとなっていると考えられる。また、この自然酸化膜は、一定の膜厚までで酸化が停止し、ある一定以上の膜厚にはならないと考えられる。
【0053】
そして、この自然酸化膜が形成されたアモルファスシリコンに対してエキシマレーザを用いてアニール処理を行うと、図5(B)のように、この自然酸化膜(SiO)が隆起すると考えられる。この隆起の形状は、エキシマレーザアニールのエネルギ密度が良好であると、エキシマレーザの走査方向に平行な複数の直線状の凸部が形成され、さらに各直線が等間隔に周期性を有したものになる。そのため、ポリシリコン膜の膜表面画像を紫外光を用いた顕微鏡装置で撮像した場合、この直線状の凸部による反射回折光の影響から、図4に示したような縞状の画像が参照できるものと考えられる。
【0054】
また、この自然酸化膜は、エキシマレーザアニールで与えられるエネルギ密度やアモルファスシリコン膜の膜厚の違い等の要因によって、図5(C)に示すように、アニール後の形状が変化するものと考えられる。例えば、エキシマレーザアニールのエネルギ密度が良好でない場合には、隆起の形状の直線性及び周期性が崩れていくものと考えられる。また、同一の膜面上の異なる場所でも、膜厚の違い等の多々の要因によって、直線性や周期性が一定の値とならない場合がある。
【0055】
(3) 次に、ポリシリコン膜の撮像画像に直線性、周期性、直線性及び周期性がある場合の数値化の手法の一例について説明する。
【0056】
例えば、直線性および周期性があるポリシリコン膜の撮像画像を模式的に表すと、図6(A)に示すように多数の直線が平行に並び、その間隔が一定間隔となっているように表される。これに対し、直線性も周期性もないポリシリコン膜の撮像画像を模式的に表すと、図7(A)に示すように、不規則な短い直線等が不規則に現れるように表される。これらの画像から、直線性及び周期性がどれだけあるか数値化して評価する場合には、周期性があるであろう方向と垂直な方向に画像を横ずらしし、横ずらしをしたときの画像の相関性を数値に表して評価すればよい。例えば、直線性及び周期性がある画像を横ずらしすると、図6(B)に示すように、ある一定の周期、つまりある一定の横ずらし量毎に、画像の重なり具合が多い相関性の高い画像が現れる。それに対し、直線性も周期性も無い画像は、図7(B)に示すように、横ずらしをしたとしても画像の重なりある具合が多い相関性の高い画像が、一定の周期毎に現れない。
【0057】
以上のような画像を横ずらしをしたときの画像の相関性を数値化するといった概念を用いることにより、ポリシリコン膜の周期性を数値化し評価をすることが可能となる。具体的にこのような手法を実現する一つの方法としては、画像の自己相関関数を求め、この自己相関関数のピーク値及びサイドピーク値を算出し、これらの比をとる方法がある。ここで、ピーク値とは、原点の値から原点よりy方向の2番目の極小値(デフォーカスの値を小さくするために使用している。1番目や2番目以降であってもよい)を引いた値をいうものとする。また、サイドピーク値とは、原点よりy方向の2番目(原点を含めない)の極大値から原点よりy方向の2番目の極小値を引いた値等をいうものとする。
【0058】
なお、本発明は、直線性又は周期性のいずれか一方のみを評価し、ポリシリコン膜の状態を判断することも可能である。
【0059】
また、ポリシリコン膜の撮像画像に直線性、周期性、直線性及び周期性がある場合の数値化の手法の他の例としては、例えば、規格化された画像を直線性のそろった方向に、全ての画素の値を足し合わせてその変調度をとる手法がある。また、規格化された画像を、2次元フーリエ変換し、ある周波数成分の強度をとる手法がある。また、画像(例えば、y方向に直線性を有するであろう画像)の内の極値(極小値又は極大値)の座標を抽出し、y方向に縦長な範囲内(x方向の中心を極値×座標の平均値にとり、x方向の長さをx方向の配列のピッチとする)の座標に関して、x方向の分散をとる手法がある。また、画像(例えば、y方向に直線性を有するであろう画像)の内の極値(極小値又は極大値)の座標を抽出し、y方向に縦長な範囲内(x方向の中心を極値×座標の平均値にとり、x方向の長さをx方向の配列のピッチとする)の座標に関して、各点の上下近傍の点との角度を取る手法がある。
【0060】
ポリシリコン膜の評価装置の具体的な構成とその処理内容
(1) 次に、以上のようなポリシリコン膜の表面空間構造の直線性及び周期性を評価するための本発明の実施の形態のポリシリコン膜評価装置の具体的な構成例について説明する。
【0061】
本発明の実施の形態のポリシリコン膜評価装置は、波長266nmの紫外光レーザを用いた顕微鏡装置によってボトムゲート型TFTの製造基板(アモルファスシリコン膜にエキシマレーザアニールを行うことによってポリシリコン膜が形成された直後の状態の基板)を撮像し、撮像した画像から形成されたポリシリコン膜の状態を評価する装置である。
【0062】
本発明の実施の形態のポリシリコン膜の評価装置の構成図を図8に示す。
【0063】
図8に示すポリシリコン膜評価装置20は、可動ステージ21と、紫外線固体レーザ光源22と、CCDカメラ23と、光ファイバプローブ24と、偏光ビームスプリッタ25と、対物レンズ26と、1/4波長板27と、制御用コンピュータ28と、画像処理用コンピュータ29とを備えて構成される。
【0064】
可動ステージ21は、被検査物となるポリシリコン膜が成膜された基板1を支持するためのステージである。この可動ステージ21は、被検査物となる基板1を支持するとともに、この基板1を所定の検査対象位置へと移動させる機能も備えている。
【0065】
具体的には、可動ステージ21は、Xステージ、Yステージ、Zステージ、吸着プレート等を備えて構成される。
【0066】
Xステージ及びYステージは、水平方向に移動するステージであり、XステージとYステージとで、被検査物となる基板1を互いに直交する方向に移動させ、検査対象となる基板1を所定の検査位置へと導くようにしている。Zステージは、鉛直方向に移動するステージであり、ステージの高さを調整するためのものである。すなわち、このZステージは、照射される紫外光レーザの光軸方向、換言すると基板1の平面に垂直な方向に移動する。なお、このZステージの移動方向のことを、以下Z方向という。吸着プレートは、検査対象となる基板1を吸着して固定するためのものである。
【0067】
紫外線固体レーザ光源22は、波長266nmの紫外光レーザ光源であり、例えば、Nd:YAG4倍波全固体レーザが用いられる。なお、この紫外線レーザ光源としては、近年、波長157nm程度のものも開発されており、このようなものを光源として用いても良い。
【0068】
CCDカメラ23は、紫外光に対して高感度化されたカメラであり、内部に撮像素子としてCCDイメージセンサを備え、このCCDイメージセンサにより基板1の表面を撮像する。このCCDカメラ23は、本体を冷却することにより、CCDイメージセンサ等で発生する熱雑音、読み出し雑音、回路雑音等を抑圧している。
【0069】
光ファイバプローブ24は、紫外線レーザ光の導波路であり、紫外線固体レーザ光源22から出射された紫外光レーザを、偏光ビームスプリッタ25に導いている。
【0070】
偏光ビームスプリッタ25は、紫外線固体レーザ光源22からの紫外線レーザ光を反射して、対物レンズ26を介して可動ステージ21上の基板1に照射し、それとともに、基板1から反射された反射光を透過して、高感度低雑音カメラ3に照射する。すなわち、偏光ビームスプリッタ25は、紫外線固体レーザ光源22等の出射光の光学系の光路と、CCDカメラ23への反射光の光学系の光路とを分離するためのレーザ光分離器である。
【0071】
対物レンズ26は、基板1からの反射光を拡大して検出するための光学素子である。この対物レンズ26は、例えば、NAが0.9で、波長266nmで収差補正がされたものである。この対物レンズ26は、偏光ビームスプリッタ25と可動ステージ21との間に配置される。
【0072】
1/4波長板27は、紫外光レーザ光から反射光成分を抽出する。1/4波長板27により円偏光とされた紫外光は、基板1によって反射され再び1/4波長板27を透過することによって、90°直線偏光の方向が回転する。このため戻り光は、偏光ビームスプリッタ25を透過することとなる。
【0073】
制御用コンピュータ28は、紫外線固体レーザ光源22のレーザ光の点灯の制御、可動ステージ21の移動位置の制御、対物レンズ26の切換制御等を行う。
【0074】
画像処理用コンピュータ29は、CCDカメラ23に備えられるCCDイメージセンサにより撮像した基板1の画像を取り込み、その画像を解析し、基板1上に形成されているポリシリコン膜の状態の評価を行う。
【0075】
以上のような構成の評価装置20では、紫外線固体レーザ光源22から出射された紫外光レーザが、光ファイバプローブ24、偏光ビームスプリッタ25、対物レンズ26、1/4波長板27を介して、基板1に照射される。直線偏光で入射した光は、1/4波長板27で円偏光になり、基板1に入射する。反射した戻り光の位相は、90°変化し、再度1/4波長板27を通過すると直線偏光の方向が90°回転する。そのため反射した戻り光は、偏光ビームスプリッタ25を透過し、CCDカメラ23に入射する。そして、CCDカメラ23は、その入射した反射光をCCDイメージセンサにより撮像し、撮像して得られたポリシリコン膜の表面画像情報を画像処理用コンピュータ29に供給する。
【0076】
そして、この画像処理用コンピュータ29が、以下説明するように、取り込まれたポリシリコン膜の表面画像の情報に基づき、そのポリシリコン膜の状態を評価する。そして、その評価結果に基づき、ポリシリコン膜を生成するためのエキシマレーザアニール時におけるエネルギ密度の設定値を求めたり、また、その基板1上に形成されたポリシリコン膜が良品であるか或いは不良品であるかの判別を行う。
【0077】
(2) 次に、上記画像処理用コンピュータ29のポリシリコン膜の状態の評価手順について説明する。この画像処理用コンピュータ29は、ポリシリコン膜の表面画像から自己相関を用いて周期性を数値化した値(以後AC値とする。)を求め、ポリシリコン膜の表面空間構造の直線性及び周期性を評価して、ポリシリコン膜の状態の評価を行う。
【0078】
評価の処理手順は、図9のフローチャートに示すように、まず、ポリシリコン膜の表面の画像取り込み処理を行う(ステップS1)。続いて、取り込んだ画像から自己相関関数の計算を行う(ステップS2)。続いて、画像座標上の(0,0)を含む整列方向と垂直な面の切り出しを行う(ステップS3)。続いて、切り出した面における自己相関関数のピーク値とサイドピーク値とを算出し、このピーク値とサイドピーク値との比をとって、AC値を求める(ステップS4)。続いて、このAC値に基づき、ポリシリコン膜の評価を行う(ステップS5)。
【0079】
ここで、自己相関関数は、以下の式に示すような関数となる。
【0080】
【数1】
Figure 0004586266
この自己相関関数R(τ)は、ある関数f(x)をτだけx方向に平行移動させたときの相関を示す関数である。
【0081】
このポリシリコン膜評価装置20では、以下のようなウィンナーヒンチンの定理を用いて、ポリシリコン膜の表面画像の自己相関関数を求めている。なお、ここでは、具体的に取り込んだ画像情報を“i”としている。
1 取り込み画像“i”の2次元フーリエ変換する。
:f=fourier(i)
2 フーリエ級数“f”を二乗してパワースペクトル“ps”を生成する。
:ps=|f|
3 パワースペクトル“ps”を逆フーリエ変換して2次元の自己相関関数“ac”を生成する。
:ac=inversfourier(ps)
4 自己相関関数“ac”の絶対値をとり、自己相関関数の実数“aca”を求める。
:aca=|ac|
【0082】
このように生成された自己相関関数“aca”を表示すると、図10及び図11に示すような関数となる。図10は、自己相関が高い画像、即ち、ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性及び直線性が良いものの自己相関関数である。それに対して、図11は、自己相関が低い画像、即ち、ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性及び直線性が悪いものの自己相関関数である。
【0083】
ポリシリコン膜評価装置20は、このようなウィンナーヒンチンの定理を用いて計算した自己相関画像から、さらに、整列方向(即ち、直線性を有する方向)と垂直で、画面上の座標(0,0)を含む面を切り出して、その切り出したときに得られる関数を求める。ここで、画面上の座標(0,0)を含む面を切り出すのは、照明光量やCCDゲイン等の実験パラメータによって変化する自己相関関数からの値を規格化するために行っている。
【0084】
このように切り出したときに得られる関数が、上述した整列方向と垂直な方向の自己相関関数R(τ)に対応する関数となる。
【0085】
また、ここで、上述したステップS1〜S3は、以下の図12のステップS11〜S14に示すように行ってもよい。
【0086】
また、このような評価の手順に代えて以下のような評価を行ってもよい。
【0087】
この評価の処理手順は、図12のフローチャートに示すように、まず、ポリシリコン膜の表面の画像取り込み処理を行う(ステップS11)。続いて、レーザビームの進行方向(直線性がある方向:x方向)と垂直な方向(周期性がある方向:y方向)の取り込み画像の1ライン分を切り出す(ステップS12)。続いて、この1ラインに関して自己相関関数の計算を行う(ステップS13)。続いて、必要に応じて、これらの作業を数回繰り返し、各ラインの平均化を行う(ステップS14)。
【0088】
この場合における自己相関関数は、ウィンナーヒンチンの定理を用いて、以下のように求められる。なお、ここでは、具体的に取り込んだ1ライン分の画像情報を“l”としている。
1 取り込み画像の1ライン“l”に関してのフーリエ変換をする。
:fl=fourier(l)
2 フーリエ級数“fl”を二乗してパワースペクトル“psl”を生成する。
:psl=|fl|
3 パワースペクトル“psl”を逆フーリエ変換して2次元の自己相関関数“acl”を生成する。
:acl=inversfourier(psl)
4 自己相関関数“acl”の絶対値をとり、自己相関関数の実数“acal”を求める。
:acal=|acl|
【0089】
このように生成された自己相関関数acalをグラフ上に表すと、図13及び図14に示すような関数となる。図13は、自己相関が高い関数、即ち、ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性及び直線性が良いものの自己相関関数である。
それに対して、図14は、自己相関が低い関数、即ち、ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性及び直線性が悪いものの自己相関関数である。
【0090】
これら1ラインの自己相関関数を取り込み画像の全てのラインに関して行い、各自己相関関数の平均化を施す。これが上述した整列方向(すなわち、直線性を有する方向)と垂直な方向の自己相関関数R(τ)に対応する関数となる。
【0091】
ポリシリコン膜評価装置20は、続いて、この得られた関数から、極大ピーク値と、サイドピーク値とを求める。そして、サイドピーク値に対する極大ピーク値の比を求め、この値をAC値とする。
【0092】
したがって、AC値は、自己相関が高い画像、即ち、ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性及び直線性が良い場合は、極大ピーク値とサイドピーク値との差が大きくなり、その値が大きくなる。それに対して、自己相関が低い画像、即ち、ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性及び直線性が悪い場合は、極大ピーク値とサイドピーク値との差が小さくなり、その値が小さくなる。
【0093】
以上のように、ボトムゲート型TFT1では、ポリシリコン膜の表面画像を撮像して、その撮像画像の自己相関関数を求め、ポリシリコン膜の表面空間構造の直線性及び周期性を数値化している。
【0094】
具体的に、その撮像画像の一例に対するAC値を示すと、図15に示すようになる。
【0095】
(3) 以上のようにエキシマレーザアニールがされたポリシリコン膜は、図5に示したように、膜の表面に複数の直線状の凸部が形成され、さらに、この直線状の凸部が周期的に配列されることから、AC値によりその状態を評価することができる。すなわち、ポリシリコン膜の表面の空間構造が、反射型のグレーティング状となっているため、AC値で評価することができる。
【0096】
図16に、ポリシリコン膜表面の位置と、対物レンズにより集光された紫外光レーザの焦点位置との距離に対する、AC値を示す。この図16に示すように、AC値は、ポリシリコン膜の紫外光レーザの光軸方向の位置(以下、Z位置という)に対して、周期的に変動したピーク特性を有している。すなわち、ポリシリコン膜の表面形状を撮像した場合、基板を支持するステージのZ方向の位置に応じて、AC値が周期的に変動する。
【0097】
ここで、複数の直線状の凸部のパターン間隔をd、照射する紫外光の波長をλとすると、ポリシリコン膜のZ方向の移動位置に対するAC値の変動周期Tは、以下のようになる。
T=d/λ
【0098】
例えば、パターン間隔d=309nm 紫外光の波長λ=266nmとすれば、変動周期TはT=360nmとなる。
【0099】
ところで、基板を支持するステージのZ方向の位置によってAC値が変動したのでは、例えば、複数の基板のグレーンサイズを比較する場合や、1つの基板に対して複数回AC値を測定する場合や、或いは、その基板が良品か不良品かを判断する場合など、AC値の再現性を確保することができない。
【0100】
そのため、本実施の形態では、ポリシリコン膜のZ方向の位置に対して周期的に変動するAC値のうち、最も値が大きいAC値をサンプルとして抽出してポリシリコン膜の評価を行っている。例えば、図16のX点(AC値の極大ピーク値であり、且つ、各極大ピーク値の中の最も値が大きいもの)におけるAC値を抽出し、評価を行う。このように最大のAC値をサンプルとして抽出することによって、ポリシリコン膜のZ方向の移動位置に対してAC値が周期的に変動したとしても、AC値の再現性を確保することができる。
【0101】
最大のAC値を抽出するには、例えば、Zステージを移動させ、ポリシリコン膜と対物レンズ26の焦点位置との距離(すなわち、ポリシリコン膜のZ方向の位置:Z位置)を変化させ、各Z位置におけるAC値を全て算出し、これらの全ての算出結果に基づき、最大のAC値を抽出してもよい。しかしながら、各Z位置においてAC値を算出すると、FFT演算を大量に行わなくてはならなく、膨大な処理時間を費やしてしまう。
【0102】
ここで、本出願人は、ポリシリコン膜の表面画像から算出されたコントラストが最大となるポリシリコン膜のZ位置と、AC値が最大となるZ位置とが一致することをみいだした。また、本出願人は、ポリシリコン膜のZ方向の位置に対するコントラストのピーク周期と、ポリシリコン膜のZ方向の位置に対するAC値のピーク周期とが、一致することを見いだした。
【0103】
ポリシリコン膜のZ方向の各位置に対するコントラストの値は、図17に示すように、AC値同様に、T=d/λの周期のピーク特性を有している。そして、その最大のピーク値(図17中Y)のZ位置が、AC値が最大(図17中X)となるZ位置とが一致している。
【0104】
さらに、AC値の場合、およそ同じレベルのピーク値が複数個現れるため、その中から最大のピーク値を算出するのは困難である。これに対して、コントラストの場合、最大の極大ピーク(図17中のY)と、2番目に大きな極大ピーク(図17中のY)との値の差が非常に大きい。そのため、コントラストの最大値を抽出するのは、AC値を抽出するよりも簡易に行うことができる。
【0105】
また、コントラストは、例えば、画像のエッジ部分の明るさの微分値や、各画素の明るさの変調度や、又は、各画素の標準偏差などによって、表現される。これらの演算は、AC値の算出と比較して、非常に簡易に行うことができる。
【0106】
そこで、本発明では、Zステージを移動させることによりポリシリコン膜のZ位置を移動させ、各Z位置においてポリシリコン膜の表面画像を撮像してコントラストを算出する。そして、コントラストが最大となる評価位置を探し出し、この評価位置で、AC値を算出するようにする。
【0107】
このように処理を行うことによって、AC値の再現性を確保しつつ、処理時間を短縮化することができる。
【0108】
なお、紫外光レーザを伝達する光学系の特性によっては、コントラストのピークと、AC値のピークとが一致しない場合がある。例えば、1/4波長板27の回転角度調整を光検出器への戻り光の最大値に調整したとしても、コントラストのピークと、AC値のピークとが一致しない場合がある。このような場合、例えば、あるサンプルに対して、z位置に対するコントラストの位相及びz位置に対するAC値の位相を、1/4波長板の回転角度をパラメータとして測定し、両者の位相が一致する(つまり、ピーク値が一致する)ように1/4波長板の回転角度を設定する。このように光学系を調整しておいて、各サンプルに対して、コントラストの最大値とAC値の最大値とが一致するようになる。また、あるサンプルに対して、コントラストが最大となるz位置に対物レンズを固定しておいて、AC値が最大となるように1/4波長板の回転角度を調整するようにしてもよい。
【0109】
つぎに、ポリシリコン膜評価装置20により行われる、各Z位置でのコントラストを算出して、AC値の算出位置を決定する処理手順を図18のフローチャートを用いて説明をする。
【0110】
ポリシリコン膜評価装置20は、AC値の算出処理が開始すると、まず、対物レンズ26を移動させて、フォーカシングを行い、ポリシリコン膜の表面にフォーカス用のレーザの焦点位置を一致させる(ステップS21)。フォーカシングの方法としては、例えば、ナイフエッジ法、画像フォーカス法、容量検出法等を用いて行う。
【0111】
続いて、Zステージを微少に移動させる(ステップS22)。この移動量は、例えば、焦点深度の数倍程度の移動量とする。
【0112】
続いて、ステップS22で移動した位置で画像を取り込み、取り込んだ撮像画像からコントラストを算出する(ステップS23)。算出したコントラストは、そのときの移動位置情報とともに記憶しておく。
【0113】
続いて、ある一定のスキャン範囲を移動したかどうかを判断する(ステップS24)。スキャン範囲は、コントラストの最大値となるZ位置を中心として、R=(表面構造の周期)/(測定光の波長)の範囲で十分である。もっとも、コントラストが最大となるZ位置が予想できない場合には、この範囲以上をスキャンして、最大値を見つけだす必要がある。
【0114】
このステップS24である一定のスキャン範囲の移動を終了していない場合には、ステップS22に戻り処理を繰り返す。また、スキャン範囲の移動を終了した場合には、ステップS25に進む。
【0115】
続いて、算出した各コントラストから最大値を抽出し、その最大値が得られたZ位置までZステージを移動する(ステップS25)。
【0116】
続いて、このZ位置で再度画像を取り込み(或いは、メモリしてある画像に基づき)、AC値を算出する(ステップS26)。
【0117】
なお、画像メモリの容量に余裕がある場合は、ステップS25は省略でき、ステップS26に移行することができる。各Z位置でコントラストを算出する際、画像も記憶しておけるので、ステップS26でコントラスト最大を与えるZでの画像からAC値を算出すればよい。また、もし、紫外光用対物レンズでコントラスト最大となるZ位置がオートフォーカス機構のみで精度よく再現できる場合には、ステップS25〜26までの処理は省略することができ、ステップS26でオートフォーカス機構で調整されたZ位置での画像から、AC値を算出すればよい。
【0118】
ポリシリコン膜評価装置20は、以上のような処理手順でAC値を算出することによって、AC値の再現性を確保しつつ、短時間で処理を完了することができる。
【0119】
なお、このコントラストを算出した後、AC値を算出し、AC値の再現性を確保する手法は、例えば、ポリシリコン膜の評価において用いるのみでなく、グレーティング状の物質表面の空間構造を評価する場合にも用いることができる。また、この手法は、紫外光顕微鏡装置のみならず、可視光顕微鏡装置、SEMといった装置を用いて物質表面の空間構造を評価する場合にも用いることができる。
【0120】
また、算出したコントラストは、上述したようにピーク特性を有しているが、ピーク間隔から、ポリシリコン膜の表面構造のパターン間隔を算出することができる。すなわち、上述したように、ピーク間隔Tは、T=d/λ (d=パターン周期,λ=照射光の波長)で求められる。従って、ポリシリコン膜の表面構造のパターン間隔dは、
d=(T×λ)1/2
を演算することによって求めることができる。
【0121】
(4) 次に、上述したように演算した結果得られるAC値と、ポリシリコン膜のグレーンサイズ及びポリシリコン膜に与えられるエネルギーとの関係を説明する。
【0122】
AC値は、図19に示すように、エキシマレーザアニールによりポリシリコン膜に与えられるエネルギーが、あるエネルギーEとなったときからその値が比例的に上昇し、あるエネルギーEでその値が最大となる。そして、AC値は、この最大となるエネルギーEでピーク値を迎え、その後その値が比例的に減少し、あるエネルギーEB2でその減少が終了し、その値が最小値となる。このようにAC値は、与えられるエネルギーに対してピーク特性を有している。
【0123】
このようなAC値のピーク特性を、図3で示したポリシリコン膜のグレーンサイズの変化の特性に重ね合わせてみると、図20に示すようになる。この図20に示すように、AC値のピーク特性を示すグラフの最大値が、ポリシリコン膜のグレーンサイズが適正となるエネルギー範囲内に入ることが分かる。さらに、AC値が比例的に上昇を開始するエネルギーEが、ポリシリコン膜に与えてグレーンサイズが適正となる許容最低エネルギーLよりも低くなる。また、AC値の比例的な減少が停止して最低値となったときのエネルギーEB2が、ポリシリコン膜の結晶粒径が微結晶化する閾値のエネルギーである許容最大エネルギーHよりも高くなる。
【0124】
したがって、このようなピーク特性を有するAC値からポリシリコン膜のグレーンサイズが良好なものであるかどうかを評価する場合には、AC値が図20中太線で示した範囲の値に入っているかどうかを判断すればよいこととなる。
【0125】
(5) このような特性を有するAC値を評価して、ポリシリコン膜が良品であるか否かの検査を行う場合には、例えば、検査対象となる基板のAC値が、許容最低エネルギーL或いは許容最大エネルギーHを与えたときに求められるACのいずれか高い方の値を閾値として、この閾値よりも大きければ良品であると判断することにより検査が可能である。
【0126】
また、このような特性を有するAC値を評価して、エキシマレーザアニール装置から出射されるレーザのエネルギ密度を最適に設定する場合には、例えば、エキシマレーザのエネルギ密度を変動させながら、複数個の基板に対してレーザアニール処理を行う。そして、各エネルギ密度に対応させたAC値の特性図を描き、具体的には、図19に示すような特性図を描き、この特性図から最適なエネルギ密度を求めればよい。
【0127】
(6) ところで、上述したようにボトムゲート型TFTでは、ゲート電極3がポリシリコン膜6の下層に位置しているので、レーザアニールを行った場合におけるエネルギーの拡散性が、ガラス基板2上(ソース/ドレイン領域上)のポリシリコン膜6よりも、ゲート電極3上のポリシリコン膜6の方が高くなる。そのため、エキシマレーザアニール装置から与えられるエネルギ密度が同一であっても、ゲート電極3上のポリシリコン膜6と、ガラス基板2上(ソース/ドレイン領域上)のポリシリコン膜6とで、与えられるエネルギーが異なることとなり、その影響からグレーンサイズが双方で異なってしまう。
【0128】
一般に、エキシマレーザアニール装置によりレーザアニールを行った場合、ゲート電極上に位置するポリシリコン膜と、ガラス基板上(ソース/ドレイン領域上)に位置するポリシリコン膜とで、エネルギ密度を変化させるような制御をすることはできず、同一のエネルギ密度の設定で、一律にエキシマレーザアニールを行うこととなる。
【0129】
そのため、ボトムゲート型TFTでは、エキシマレーザのエネルギ密度に対するAC値の特性は、図21に示すようになり、ガラス基板上(ソース/ドレイン領域上)と、ゲート電極上とで、そのピーク値が異なる位置となってしまう。具体的には、ガラス基板上(ソース/ドレイン領域上)に位置するポリシリコン膜のAC値の方が、ゲート電極上に位置するポリシリコン膜よりも低いエネルギ密度でピーク値を迎えることとなる。
【0130】
したがって、AC値を評価して、ポリシリコン膜が良品であるか否かの検査を行う場合、並びに、AC値を評価してエキシマレーザアニール装置から出射されるエネルギ密度を最適に設定する場合には、この両者(ガラス基板上及びゲート電極上)のポリシリコン膜が良好となるような値とする必要がある。
【0131】
続いて、ボトムゲート型TFTのポリシリコン膜について、エキシマレーザのエネルギ密度に対するAC値の具体的な実験データの一例を図22に示す。この図22に示すように、AC値は、ゲート電極上とガラス基板上とで異なるピーク値となる特性となる。例えば、この図22で示した特性図上では、エキシマレーザアニールでのエネルギ密度を380mJで設定することが最適であることが分かる。
【0132】
(7) 以上のように、ボトムゲート型TFTに形成されたポリシリコン膜を評価する場合に、ポリシリコン膜表面の空間構造の直線性及び/又は周期性を評価することにより、非破壊で容易にポリシリコンの検査をすることができ、検査工程を製造工程に組み込むことが可能となる。また、この直線性及び/又は周期性を数値化するので、目視検査等によらず数値演算が可能となる。さらに、数値化を行って評価を行うので、そのため自動検査が可能となり、また、高い精度で客観的な検査を行うことができる。また、検査結果をアニール処理工程にフィードバックして、製造する薄膜トランジスタの歩留まりを高くすることができる。
【0133】
なお、以上ポリシリコン膜を撮像する装置として、波長266nmの紫外光レーザを用いた顕微鏡装置を適用していたが、ポリシリコン膜の表面空間構造の直線性及び/又は周期性を評価するための元画像を撮像する装置は、このような装置に限られない。例えば、SEMにより観察した画像に基づいて、ポリシリコン膜の表面空間構造の直線性及び/周期性を評価しても良い。例えば、図23に示すように、紫外光レーザを用いた顕微鏡装置(DUV)で撮像した画像に基づきAC値を求めた場合の特性と、SEMで撮像した画像に基づきAC値を求めた場合の特性とを比較すると、SEMの方がより精彩な画像となるため相対的にAC値が低くなるもの、その特性を示す曲線はほぼ同一となることが分かる。
【0134】
また、直線性及び/周期性を数値化する手法として自己相関関数を用いた例を詳細に説明したが、数値化の手法もこの自己相関関数を用いた例に限られない。
【0135】
ボトムゲート型TFTの製造プロセスにおける具体的な適用例
つぎに、ボトムゲート型TFTの製造プロセスに上記ポリシリコン膜評価装置20を適用した具体的な適用例について説明する。
【0136】
まず、図24に示すような、ボトムゲート型TFTのポリシリコン膜の撮像画像から得られたAC値を評価して、その評価結果をエキシマレーザアニール装置にフィードバックし、このエキシマレーザアニール装置30から出射されるレーザパワーを最適に設定する適用例(EQC:Equipment Quality Control)について説明する。
【0137】
エキシマレーザアニール装置は、上述したようにレーザパワーの設定値に対して、実際のレーザパワーの出力値の変動が比較的に大きい。出力されるレーザパワーは、ガウス分布的な特性を示しばらつきが生じ、所定のパワー設定値に対してある程度のばらつきが生じる。これに対して、ボトムゲート型TFTの場合、ポリシリコン膜に与えられるエネルギーの製造マージン(この範囲より外のエネルギーが与えられた場合には不良品となるエネルギー範囲)は、そのばらつきに対して相対的に大きな値となる。
【0138】
したがって、図25に示すように、ポリシリコン膜の製造マージンの中心位置がレーザパワーの設定値の最適値となり、この最適値にレーザパワーが設定してあれば、レーザパワーが変動したとしてもポリシリコン膜に与えられるエネルギーは製造マージン内に入ることとなり、高い歩留まりを得ることができる。しかしながら、図26に示すように、レーザパワーの設定値が、製造マージンの最適値に設定されていない場合には、レーザパワーが変動すると、ポリシリコン膜に与えられるエネルギーが製造マージンから外れる場合が多く、歩留まりが低くなってしまう。
【0139】
そのため、本適用例は、ボトムゲート型TFTのAC値のピーク特性を利用して、以下のように、エキシマレーザアニール装置のレーザパワーを最適値に設定する。
【0140】
まず、本適用例では、ポリシリコン膜を形成した複数枚の基板を製造する。このとき、各基板毎にエキシマレーザアニール装置のレーザパワーの設定を変化させ、それぞれの基板についてゲート電極上及びガラス基板上のAC値を求める。
【0141】
すると、図27や図28に示すような、AC値のピーク曲線をグラフ上に描くことができる。
【0142】
このようなAC値のピーク曲線を描くと、ゲート電極上とガラス基板上ともに良好なグレーンサイズを得られるレーザパワーの許容範囲(ポリシリコン膜の製造マージン)を求めることができる。具体的には、製造マージンの下位限界のレーザパワーは、ゲート電極上のポリシリコン膜に与えられるエネルギーの最低許容エネルギー(L)に対応したレーザパワー、具体的には、図27及び図28に示したゲート電極上のAC値の太線で描いた部分の左端のレーザパワー(MO(L))となる。また、製造マージンの上位限界のレーザパワーは、ガラス基板上のポリシリコン膜に与えられるエネルギーの最高許容エネルギー(H)に対応したレーザパワー、具体的には、図27及び図28に示したガラス基板上のAC値の太線で描いた部分の右端のレーザパワー(G(H))となる。
【0143】
そして、このように求めた製造マージンの中間値を求め、この中間値におけるレーザパワーを最適値として設定する。
【0144】
以上のようにAC値を求めて、製造マージンを求め、この製造マージンを最適値として設定することによって、ボトムゲート型TFTの歩留まりを高くすることができる。
【0145】
【発明の効果】
本発明にかかる薄膜トランジスタ製造システム及び方法では、ポリシリコン膜が形成された基板を照射光の光軸方向に移動させ、各移動位置におけるポリシリコン膜の撮像画像を取り込む。取り込んだ撮像画像から、各移動位置の撮像画像のコントラストを算出し、算出した各コントラストの大きさに基づきポリシリコン膜の評価位置を決定する。そして、決定をした評価位置で撮像された撮像画像の自己相関を算出し、ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性を評価する。
【0146】
このことにより本発明にかかる薄膜トランジスタ製造システム及び方法では、非破壊で容易にポリシリコンの結晶状態の評価をすることでき、また、高い精度で客観的な評価をすることが可能となる。そしてさらに、本発明では、低温多結晶化プロセスで形成されたポリシリコン膜を評価する際に、評価結果の再現性を確保しながら、短い処理時間で評価を行うことができる。
【0147】
本発明にかかる評価装置及び方法では、被検査物を照射光の光軸方向に移動させ、各移動位置における被検査物の撮像画像を取り込む。取り込んだ撮像画像から、各移動位置の撮像画像のコントラストを算出し、算出した各コントラストの大きさに基づき被検査物の評価位置を決定する。そして、決定をした評価位置で撮像された撮像画像の自己相関を算出し、被検査物の表面空間構造の周期性を評価する。
【0148】
このことにより本発明にかかる評価装置及び方法では、非破壊で容易に物質表面の空間構造の周期性の評価をすることでき、また、高い精度で客観的な評価をすることが可能となる。そしてさらに、本発明では、評価結果の再現性を確保しながら、短い処理時間で評価を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ボトムゲート型TFTの模式的な断面構成を説明する図である。
【図2】ポリシリコン膜を形成したのちのボトムゲート型TFTの断面構造を説明するための図である。
【図3】ポリシリコン膜のグレーンサイズと、エキシマレーザアニールで与えられるエネルギーとの関係を説明するための図である。
【図4】出力するレーザのエネルギ密度を最適値としてエキシマレーザアニールを行ったときのポリシリコン膜の膜表面の画像と、最適値よりも少ないパワーとしたときのポリシリコン膜の膜表面の画像と、最適値よりも大きいパワーとしたときのポリシリコン膜の膜表面の画像とを説明するための図である。
【図5】(A)は、エキシマレーザアニールをする前のTFT基板の断面構造を説明するための図である。(B)は、良好なエネルギ密度でエキシマレーザアニールを行った場合のTFT基板の断面構造を説明するための図である。(C)は、良好ではないエネルギ密度でエキシマレーザアニールを行った場合のTFT基板の断面構造を説明するための図である。
【図6】直線性および周期性があるポリシリコン膜の撮像画像を模式的に表した図である。
【図7】直線性および周期性がないポリシリコン膜の撮像画像を模式的に表した図である。
【図8】本発明の実施の形態のポリシリコン膜の評価装置の構成図である。
【図9】ポリシリコン膜の評価手順を説明するためのフローチャートである。
【図10】周期性が高い場合の自己相関関数を説明するための図である。
【図11】周期性が低い場合の自己相関関数を説明するための図である。
【図12】ポリシリコン膜の他の評価手順を説明するためのフローチャートである。
【図13】上記他の評価手順で評価した場合の周期性が高い場合の自己相関画像を説明するための図である。
【図14】上記他の評価手順で評価した場合の周期性が低い場合の自己相関画像を説明するための図である。
【図15】具体的な撮像画像に対する求められたAC値の特性を説明する図である。
【図16】ポリシリコン膜表面の位置と、対物レンズにより集光された紫外光レーザの焦点位置との距離に対するAC値の変動特性を示す図である。
【図17】ポリシリコン膜表面の位置と、対物レンズにより集光された紫外光レーザの焦点位置との距離に対するコントラスト及びAC値の変動特性を示す図である。
【図18】ポリシリコン膜評価装置によるAC値の評価手順を説明するためのフローチャートである。
【図19】ポリシリコン膜に与えられるエネルギーに対する自己相関値の特性を説明するための図である。
【図20】ポリシリコン膜に与えられるエネルギーに対するAC値及びグレーンサイズの特性を説明するための図である。
【図21】ボトムゲート型TFTにおけるエキシマレーザのエネルギ密度に対するAC値の特性を説明するための図である。
【図22】ボトムゲート型TFTのポリシリコン膜について、エキシマレーザのエネルギ密度に対するAC値の具体的な実験データの一例を説明するための図である。
【図23】紫外光レーザを用いた顕微鏡装置(DUV)で撮像した画像に基づきAC値を求めた場合の特性と、SEMで撮像した画像に基づきAC値を求めた場合の特性とを比較して説明するための図である。
【図24】ボトムゲート型TFTの製造プロセスにポリシリコン膜評価装置を適用した具体的な適用例(EQC)の構成を説明するための図である。
【図25】ポリシリコン膜に与えられるエネルギーの製造マージンと、エキシマレーザのエネルギ密度の変動との関係を説明するための図である(最適にエネルギ密度が設定されている場合)。
【図26】ポリシリコン膜に与えられるエネルギーの製造マージンと、エキシマレーザのエネルギ密度の変動との関係を説明するための図である(最適にレーザのエネルギ密度が設定されていない場合)。
【図27】ボトムゲート型TFTの製造マージンと、エキシマレーザのエネルギ密度との関係の一例を示し、この一例からエネルギ密度の最適値を求めるための方法を説明するための図である。
【図28】ボトムゲート型TFTの製造マージンと、エキシマレーザのエネルギ密度との関係の他の一例を示し、この他の一例からエネルギ密度の最適値を求めるための方法を説明するための図である。
【符号の説明】
1 ボトムゲート型TFT、2 ガラス基板、3 ゲート電極、4 第1のゲート絶縁膜、5 第2のゲート絶縁膜、6 ポリシリコン膜、20 ポリシリコン膜評価装置、30 エキシマレーザアニール装置

Claims (12)

  1. 薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタ製造システムにおいて、
    基板上にアモルファスシリコン膜を成膜する成膜装置と、
    上記アモルファスシリコン膜に対してレーザアニール処理することによってチャネル層となるポリシリコン膜を形成するレーザアニール装置と、
    上記ポリシリコン膜に対して集光した紫外光を照射し、その反射光を検出する光学系と、
    上記光学系により検出された反射光を撮像する撮像部と、上記基板を支持して照射光の光軸方向に移動させる支持部と、上記支持部を制御して上記ポリシリコン膜を光軸方向に対して移動させ、照射光の光軸方向の各移動方向における上記ポリシリコン膜の撮像画像のコントラストを算出し、算出したコントラストの最大値に基づき上記ポリシリコン膜の評価位置を決定し、上記評価位置で撮像された撮像画像の自己相関関数のサイドピーク値に対する極大ピーク値の比を算出して上記ポリシリコン膜の表面に隆起して形成された凸部が略一定の間隔で略平行に並んでいるかを評価する制御部とを備えた評価装置とを備え、
    上記レーザアニール装置は、上記評価装置の評価に基づき、上記レーザアニール処理に用いるレーザのエネルギ密度を制御する薄膜トランジスタ製造システム。
  2. 上記評価装置の制御部は、画像のエッジ部分の明るさの微分値、各画素の明るさの変調度、又は、各画素の標準偏差をコントラストとして算出する請求項1記載の薄膜トランジスタ製造システム。
  3. 薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタ製造方法において、
    基板上にアモルファスシリコン膜を成膜する成膜ステップと、
    上記成膜ステップで成膜されたアモルファスシリコン膜に対して、レーザアニール処理することによってチャネル層となるポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜形成ステップと、
    上記ポリシリコン膜形成ステップで形成されたポリシリコン膜に対して集光した紫外光を照射して反射光を検出する反射光検出ステップと、
    上記反射光検出ステップで検出された反射光を撮像する撮像ステップと、
    上記ポリシリコン膜が形成された基板を支持して上記反射光検出ステップで照射された照射光の光軸方向に移動させる支持部を制御して、上記ポリシリコン膜が形成された基板を照射光の光軸方向に対して移動させ、照射光の光軸方向の各移動位置における上記ポリシリコン膜の撮像画像のコントラストを算出するコントラスト算出ステップと、
    上記コントラスト算出ステップで算出したコントラストの最大値に基づき上記ポリシリコン膜の評価位置を決定する評価位置決定ステップと、
    上記評価位置決定ステップで決定された評価位置で撮像された撮像画像の自己相関関数のサイドピーク値に対する極大ピーク値の比を算出して上記ポリシリコン膜の表面に隆起して形成された凸部が略一定の間隔で略平行に並んでいるかを評価するシリコン膜評価ステップとを含み、
    上記ポリシリコン膜形成ステップでは、上記シリコン膜評価ステップでなされた評価に基づき、上記レーザアニール処理で用いるレーザのエネルギ密度を制御する薄膜トランジスタ製造方法
  4. 画像のエッジ部分の明るさの微分値、各画素の明るさの変調度、又は、各画素の標準偏差をコントラストとして算出する請求項3記載の薄膜トランジスタ製造方法。
  5. アモルファスシリコン膜に対してアニール処理をすることによって形成されたポリシリコン膜を評価する評価装置において、
    上記ポリシリコン膜に対して集光した紫外光を照射し、その反射光を検出する光学系と、
    上記光学系により検出された反射光を撮像する撮像部と、
    上記ポリシリコン膜が形成された基板を支持して上記光学系で照射された照射光の光軸方向に移動させる支持部と、
    上記支持部を制御して上記ポリシリコン膜が形成された基板を上記光学系で照射された照射光の光軸方向に対して移動させ、照射光の光軸方向の各移動位置における上記ポリシリコン膜の撮像画像のコントラストを算出し、算出したコントラストの最大値に基づき上記ポリシリコン膜の評価位置を決定し、上記評価位置で撮像された撮像画像の自己相関関数のサイドピーク値に対する極大ピーク値の比を算出して上記ポリシリコン膜の表面に隆起して形成された凸部が略一定の間隔で略平行に並んでいるかを評価する制御部と
    を備えた評価装置。
  6. 上記制御部は、画像のエッジ部分の明るさの微分値、各画素の明るさの変調度、又は、各画素の標準偏差をコントラストとして算出する請求項5記載の評価装置。
  7. 上記制御部は、上記ポリシリコン膜を上記光学系で照射された照射光の光軸方向に移動させたときに得られるコントラストのピーク間隔に基づき、上記ポリシリコン膜の表面に隆起した凸部によって形成された複数の直線からなるパターンの間隔を算出する請求項6記載の評価装置。
  8. 上記制御部は、隣接するコントラストのピークの間隔を測定し、照射光の波長と測定した上記間隔との積の平方根を演算して、上記ポリシリコン膜の表面に隆起した凸部によって形成された複数の直線からなるパターンの間隔を算出する請求項7記載の評価装置。
  9. アモルファスシリコン膜に対してアニール処理をすることによって形成されたポリシリコン膜を評価する評価方法において、
    上記ポリシリコン膜に対して集光した紫外光を照射し、その反射光を検出する反射光検出ステップと、
    上記反射光検出ステップで検出された反射光を撮像する撮像ステップと、
    上記ポリシリコン膜が形成された基板を支持して上記反射光検出ステップで照射された照射光の光軸方向に移動させる支持部を制御して上記ポリシリコン膜が形成された基板を上記照射光の光軸方向に移動させ、照射光の光軸方向の各移動位置における上記ポリシリコン膜の撮像画像のコントラストを算出するコントラスト算出ステップと、
    上記コントラスト算出ステップで算出したコントラストの最大値に基づき上記ポリシリコン膜の評価位置を決定する評価位置決定ステップと、
    上記評価位置決定ステップで決定された評価位置で撮像された撮像画像の自己相関関数のサイドピーク値に対する極大ピーク値の比を算出して上記ポリシリコン膜の表面に隆起した凸部が略一定の間隔で略平行に並んでいるかを評価するシリコン評価ステップとを含む評価方法。
  10. 上記コントラスト算出ステップでは、画像のエッジ部分の明るさの微分値、各画素の明るさの変調度、又は、各画素の標準偏差をコントラストとして算出する請求項9記載の評価方法。
  11. 上記ポリシリコン膜が上記反射光検出ステップで照射された照射光の光軸方向に移動させたときに得られるコントラストのピーク間隔に基づき、上記ポリシリコン膜の表面に隆起した凸部によって形成された複数の直線からなるパターンの間隔を算出する間隔算出ステップを更に含む請求項9記載の評価方法。
  12. 上記間隔算出ステップでは、隣接するコントラストのピークの間隔を測定し、照射光の波長と測定した上記間隔との積の平方根を演算して、上記ポリシリコン膜の表面に隆起した凸部によって形成された複数の直線からなるパターンの間隔を算出する請求項11記載の評価方法。
JP2000384417A 2000-12-18 2000-12-18 薄膜トランジスタ製造システム及び物体表面の評価装置 Expired - Fee Related JP4586266B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000384417A JP4586266B2 (ja) 2000-12-18 2000-12-18 薄膜トランジスタ製造システム及び物体表面の評価装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000384417A JP4586266B2 (ja) 2000-12-18 2000-12-18 薄膜トランジスタ製造システム及び物体表面の評価装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002184715A JP2002184715A (ja) 2002-06-28
JP2002184715A5 JP2002184715A5 (ja) 2007-07-12
JP4586266B2 true JP4586266B2 (ja) 2010-11-24

Family

ID=18851880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000384417A Expired - Fee Related JP4586266B2 (ja) 2000-12-18 2000-12-18 薄膜トランジスタ製造システム及び物体表面の評価装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4586266B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4774598B2 (ja) * 2001-01-19 2011-09-14 ソニー株式会社 ポリシリコン評価装置及び薄膜トランジスタ製造システム
JP4770027B2 (ja) * 2001-01-19 2011-09-07 ソニー株式会社 ポリシリコン評価方法並びに薄膜トランジスタ製造システム及び方法
JP4770028B2 (ja) * 2001-01-19 2011-09-07 ソニー株式会社 ポリシリコン評価装置及び薄膜トランジスタ製造システム
JP4715016B2 (ja) * 2001-02-15 2011-07-06 ソニー株式会社 ポリシリコン膜の評価方法
JP5097414B2 (ja) * 2007-03-02 2012-12-12 株式会社アルバック レーザーアニール装置及びその方法
JP5498659B2 (ja) * 2008-02-07 2014-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射位置安定性評価方法及びレーザ照射装置
WO2011048923A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
JP5444053B2 (ja) * 2010-03-15 2014-03-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 多結晶シリコン薄膜検査方法及びその装置
JP5878835B2 (ja) * 2012-06-28 2016-03-08 シャープ株式会社 結晶膜の検査方法及び検査装置
KR102520711B1 (ko) * 2018-05-15 2023-04-12 삼성디스플레이 주식회사 결정화도 검사 장치, 및 이를 이용한 검사 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000031229A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Toshiba Corp 半導体薄膜の検査方法及びそれを用いた半導体薄膜の製造方法
JP2001126987A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Fujitsu Ltd 結晶性半導体膜の製造方法、結晶化装置及びtftの製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3342387B2 (ja) * 1997-02-28 2002-11-05 三洋電機株式会社 半導体膜の評価方法、評価装置及び形成方法
JP3547979B2 (ja) * 1998-03-17 2004-07-28 三洋電機株式会社 半導体膜の形成装置及び形成方法
JP4116141B2 (ja) * 1998-03-26 2008-07-09 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 結晶シリコン膜の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000031229A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Toshiba Corp 半導体薄膜の検査方法及びそれを用いた半導体薄膜の製造方法
JP2001126987A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Fujitsu Ltd 結晶性半導体膜の製造方法、結晶化装置及びtftの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002184715A (ja) 2002-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4715016B2 (ja) ポリシリコン膜の評価方法
KR102368435B1 (ko) 기판 검사 장치, 기판 검사 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP4556302B2 (ja) 薄膜トランジスタ製造システム及び方法、ポリシリコン評価方法及びポリシリコン検査装置
JP4586266B2 (ja) 薄膜トランジスタ製造システム及び物体表面の評価装置
JP2001110861A (ja) 半導体膜の検査方法、薄膜トランジスタの製造方法、および半導体膜の検査装置
JP4556266B2 (ja) ポリシリコン評価方法、ポリシリコン検査装置、薄膜トランジスタ製造方法、及び、アニール処理装置
KR100753782B1 (ko) 폴리실리콘 평가 방법, 박막 트랜지스터를 준비하기 위한 폴리실리콘 검사 장치 및 방법
JP4774598B2 (ja) ポリシリコン評価装置及び薄膜トランジスタ製造システム
JP4770027B2 (ja) ポリシリコン評価方法並びに薄膜トランジスタ製造システム及び方法
JP4631116B2 (ja) 薄膜トランジスタ製造方法
JP4770028B2 (ja) ポリシリコン評価装置及び薄膜トランジスタ製造システム
JP2003133560A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JP4572436B2 (ja) 薄膜トランジスタ製造方法
US20100197050A1 (en) Method of forming semiconductor thin film and inspection device of semiconductor thin film
US20240221149A1 (en) Interface-based defect inspection using second harmonic generation
KR102670531B1 (ko) 반도체 웨이퍼 검사 방법 및 시스템, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
TW202410232A (zh) 散射熔化偵測系統及其使用方法
WO2024144973A1 (en) Interface-based defect inspection using second harmonic generation
JP2007158372A (ja) 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2005003566A (ja) 結晶膜の検査方法および検査装置
KR20060100531A (ko) 패턴의 두께 측정 방법 및 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070523

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070523

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090331

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100406

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100608

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100723

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100810

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100823

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees