JP4631116B2 - 薄膜トランジスタ製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板とポリシリコン膜との間にゲート電極が形成されるボトムゲート構造の薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタ製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、チャネル層にポリシリコン膜を用いた薄膜トランジスタの実用化が進められている。チャネル層にポリシリコンを用いた場合、薄膜トランジスタの電界移動度が非常に高くなるため、例えば液晶ディスプレイ等の駆動回路として用いた場合には、ディスプレイの高精彩化、高速化、小型化等を実現することができるようになる。
【０００３】
また、エキシマレーザアニール装置を用いてアモルファスシリコンを熱処理してポリシリコン膜を形成する、いわゆる低温多結晶化プロセスも近年開発が進んでいる。このような低温多結晶プロセスを薄膜トランジスタの製造プロセスに適用することによって、ガラス基板への熱損傷が低くなり、耐熱性の大面積で安価なガラス基板を用いることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、低温多結晶プロセスにおいて用いられるエキシマレーザアニール装置は、その出力パワーが不安定であるため、形成されるポリシリコンのグレーンサイズが大きく変動する。そのため、エキシマレーザアニール装置を用いて形成されたポリシリコン膜は、常に良好なグレーンサイズとはならず、例えば、シリコン結晶が微結晶化してしまういわゆる線状不良となったり、十分大きなグレーンサイズが得られないいわゆる書き込み不良となったりしてしまうという問題点があった。
【０００５】
そこで、一般に、このようなエキシマレーザアニール装置を用いてアニール処理を行う場合には、ポリシリコン膜の多結晶化工程が終了した段階で、その最表面に形成されているポリシリコン膜の結晶の状態を全数検査したり、或いは、製品を無作為に抜き取り結晶の状態を検査したりして、製造した製品がこの段階で不良品であるか否かを判断することが行われる。
【０００６】
しかしながら、ポリシリコン膜を評価するには、分光エリプソや走査型電子顕微鏡等を用いて表面画像を撮像し、その表面画像を目視して結晶の状態を判断するといった感覚的な方法しかなく、非接触で客観的に判断することができなかった。また、このような方法は、時間的、コスト的に非効率であり、インプロセスで用いることは困難であった。
【０００７】
本発明は、このような実情を鑑みてされたものであり、形成したポリシリコン膜の状態を、客観的に、非接触で、精度良く、自動的に評価して、ポリシリコン膜の良否判断を行うことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる薄膜トランジスタ製造方法は、基板とポリシリコン膜との間にゲート電極が形成されるボトムゲート構造の薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタ製造方法であって、基板上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、上記ゲート電極を形成した基板上にアモルファスシリコン膜を成膜するアモルファスシリコン成膜工程と、上記アモルファスシリコン膜に対してレーザアニール処理を行ってポリシリコン膜を形成するレーザアニール工程と、上記ポリシリコン膜の表面の空間構造に基づき、このポリシリコン膜の良否判定を行う良否判定工程とを備え、上記良否判定工程では、各基板に対してゲート電極上に形成された上記ポリシリコン膜表面を撮像して、撮像した画像から、該ポリシリコン膜表面の空間構造の直線性及び周期性のうち、少なくとも一方の構造の特性に基づいて得られる自己相関関数を求めて、該自己相関関数の各ピーク成分から、サイドピーク値に対するピーク値の比を示すＡＣ値を算出し、各基板に対してゲート電極上以外の場所に形成された上記ポリシリコン膜表面を撮像して、撮像した画像から、該ポリシリコン膜表面の空間構造の直線性及び周期性のうち、少なくとも一方の構造の特性に基づいて得られる自己相関関数を求めて、該自己相関関数の各ピーク成分からＡＣ値を算出し、上記ゲート電極上に形成されたポリシリコン膜表面の空間構造の特性から算出した自己相関関数のＡＣ値が、上記レーザアニール工程において該ポリシリコン膜に許容最低エネルギーを与えたときに求められる自己相関関数のＡＣ値であるＡＣ _Ｌ よりも大きい条件を第１の判定条件とし、上記ゲート電極上に形成されたポリシリコン膜表面の空間構造の特性から算出した自己相関関数のＡＣ値が、該ゲート電極上以外の場所に形成されたポリシリコン膜に与えられるエネルギーの最高許容エネルギーに対応したレーザパワーを上記レーザアニール工程において該ゲート電極上に形成されたポリシリコン膜に与えたときに求められる自己相関関数のＡＣ値であるＡＣ _Ｂ より大きく、かつ、該ゲート電極上以外の場所に形成されたポリシリコン膜表面の空間構造の特性から算出した自己相関関数のＡＣ値が、該ＡＣ _Ｂ より小さい条件を第２の判定条件とし、上記第１の判定条件を満たすとき、又は、上記第１の判定条件を満たさないで上記第２の判定条件を満たすときの、いずれか一方のときのみ良品と判定する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態として、本発明を適用したポリシリコン膜の評価装置について説明する。
【００１１】
本発明の実施の形態のポリシリコン膜の評価装置は、例えば、ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタ（ボトムゲート型ＴＦＴ）の製造工程中に形成されるポリシリコン膜の検査に用いられる。ボトムゲート型ＴＦＴは、例えばガラス基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ポリシリコン膜（チャネル層）が下層から順に積層された構成とされた薄膜トランジスタである。すなわち、ボトムゲート型ＴＦＴは、チャネル層となるポリシリコン膜とガラス基板との間に、ゲート電極が形成されている構成のＴＦＴである。
【００１２】
ボトムゲート型ＴＦＴの構造
まず、このようなボトムゲート型ＴＦＴの具体的な構成例について図１を用いて説明する。
【００１３】
ボトムゲート型ＴＦＴ１は、図１に示すように、ガラス基板２上に、ゲート電極３、第１のゲート絶縁膜４、第２のゲート絶縁膜５、ポリシリコン膜６、ストッパ７、第１の層間絶縁膜８、第２の層間絶縁膜９、配線１０、平坦化膜１１、透明導電膜１２が積層されて構成されている。
【００１４】
ゲート電極３は、ガラス基板２上に５０〜３００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）が成膜された後、異方性エッチングによりパターニングされて形成されている。
【００１５】
第１のゲート絶縁膜４は、例えば膜厚が５０ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ_x）からなり、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）が、このゲート電極３が形成されたガラス基板２上に積層されて形成されている。
【００１６】
第２のゲート絶縁膜５は、例えば膜厚が１２０ｎｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）からなり、この二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）が、第１のゲート絶縁膜５上に積層されて形成されている。
【００１７】
ポリシリコン膜６は、例えば膜厚が４０ｎｍのポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）からなる。このポリシリコン膜６は、第２のゲート絶縁膜５上に積層されて形成されている。このポリシリコン膜６は、当該ボトムゲート型ＴＦＴ１のチャネル層として機能する。このポリシリコン膜６は、例えば、ＬＰＣＶＤ法等によって４０ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が成膜された後、このアモルファスシリコンに対してアニール処理を行うことにより多結晶化され形成される。ポリシリコン膜６の多結晶化工程においては、紫外線レーザであるエキシマレーザを用いたレーザアニール処理が用いられる。このエキシマレーザアニール処理は、その照射面が線状とされたパルスのレーザビームを出射し、パルスビームの照射領域を移動させながら、アモルファスシリコンをポリシリコンに多結晶化させるものである。レーザビームは、その照射面の形状が、例えば長手方向の長さが２０ｃｍ、短辺方向の長さが４００μｍとされ、パルスの周波数が３００Ｈｚとされている。エキシマレーザアニール処理を行う際のレーザビームの走査方向は、線状レーザの照射面の長手方向と直交する方向（すなわち、短辺方向）に行われる。
【００１８】
そして、このポリシリコン膜６は、エキシマレーザアニールによって多結晶化されたのち、ソース／ドレイン領域を形成するために、不純物がイオンドーピングされる。このイオンドーピングは、ゲート電極３上の部分のポリシリコン膜６に不純物が注入されないように、このゲート電極３に対応する位置にストッパ７が形成された後に行われる。このストッパ７は、例えば膜厚２００ｎｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）からなり、ゲート電極３を形成したときに用いたマスク等を用いて形成されている。
【００１９】
第１の層間絶縁膜８は、例えば膜厚が３００ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ_x）からなり、この窒化シリコン（ＳｉＮ_x）が、ポリシリコン膜６上に積層されて形成されている。
【００２０】
第２の層間絶縁膜９は、例えば膜厚が１５０ｎｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）からなり、この二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）が、第１の層間絶縁膜８上に積層されて形成されている。
【００２１】
配線１０は、ポリシリコン膜６のソース／ドレイン領域を接続するためのコンタクトホールが、第１の層間絶縁膜８及び第２の層間絶縁膜９のソース／ドレイン領域に対応する位置に開口された後、アルミニウム（Ａｌ）及びチタン（Ｔｉ）を成膜し、エッチングによってパターニングして形成されている。この配線１０は、ポリシリコン膜６上に形成された各トランジスタのソース／ドレイン領域を接続して、基板上の所定の回路パターンを形成する。
【００２２】
平坦化膜（ＨＲＣ）１１は、当該ボトムゲート型ＴＦＴ１の表面を平坦化するための膜で、配線１０が形成されたのち成膜され、その膜厚が２〜３μｍとされている。
【００２３】
透明導電膜１２は、例えば、ＩＴＯ等からなる透明導電材料からなり、配線１０と当該ボトムゲート型ＴＦＴ１の外部に存在する外部素子や外部配線とを接続するための導電線である。この透明導電膜１２は、コンタクトホールが平坦化膜１１に開口された後に、平坦化膜１１上に形成される。
【００２４】
以上のようなボトムゲート型ＴＦＴ１では、チャネル層にポリシリコンを用いているため、チャネル層の電界移動度が非常に高くなる。そのため、例えば液晶ディスプレイ等の駆動回路として用いた場合には、ディスプレイの高精細化、高速化、小型化等を実現することができる。また、以上のようなボトムゲート型ＴＦＴ１では、エキシマレーザアニールを用いてアモルファスシリコンを熱処理することによってポリシリコン膜６を形成する、いわゆる低温多結晶化プロセスが用いられている。そのため、多結晶化プロセスでのガラス基板２への熱損傷が少なくなり、耐熱性の大面積で安価なガラス基板を用いることが可能となる。
【００２５】
ポリシリコン膜の検査の必要性
ところで、ポリシリコン膜６の電界移動度を決定する重要な要素は、ポリシリコンのグレーンサイズであるといわれている。そのグレーンサイズは、エキシマレーザアニール処理時においてポリシリコン膜６に与えられるエネルギーに大きく依存する。そのため、エキシマレーザアニール処理時におけるレーザパワーの制御やその安定化が、完成したボトムゲート型ＴＦＴ１の特性や歩留まりに大きく影響することとなる。
【００２６】
しかしながら、エキシマレーザアニール処理において用いられるエキシマレーザアニール装置は、出射するレーザパワーの出力変動が比較的大きい。そのため、エキシマレーザアニール装置を用いてエキシマレーザアニールを行った場合、良好なグレーンサイズを得られるエネルギーの許容範囲（ポリシリコン膜６の製造マージン）に対して、ポリシリコン膜６に与えるエネルギーの変動が大きくなってしまい、ポリシリコン膜６を安定的に製造することが難しい。
【００２７】
したがって、同一の条件でエキシマレーザアニールを行った場合でも、ポリシリコン膜６のグレーンサイズが大きく変動し、例えばレーザパワーが大きくなりすぎた場合には、シリコン結晶が微結晶化してしまいいわゆる線状不良となり、また、レーザパワーが小さく成りすぎた場合には、十分大きなグレーンサイズが得られないいわゆる書き込み不良となってしまう。
【００２８】
さらに、ボトムゲート型ＴＦＴでは、ゲート電極３がポリシリコン膜６の下層に位置しているので、レーザアニールを行った場合における熱の逃げが、ガラス基板２上（ソース／ドレイン領域上）のポリシリコン膜６よりも、ゲート電極３上のポリシリコン膜６の方が高くなる。そのため、エキシマレーザアニール装置から与えられるレーザパワーが同一であっても、ゲート電極３上のポリシリコン膜６と、ガラス基板２上（ソース／ドレイン領域上）のポリシリコン膜６とで、昇温温度が異なることとなり、その影響からグレーンサイズが双方で異なってしまう。具体的には、レーザパワーが同一であった場合には、ポリシリコン膜６上に形成されるグレーンサイズは、ガラス基板２上（ソース／ドレイン領域上）よりもゲート電極３上の方が小さくなってしまう。
【００２９】
そのため、ボトムゲート型ＴＦＴでは、ゲート電極３上のポリシリコン膜６及びガラス基板２上のポリシリコン膜６の双方がともに良好なグレーンサイズが得られるエネルギーを、エキシマレーザにより与えなければならないため、ポリシリコン膜６の製造マージンが非常に狭くなってしまう。
【００３０】
しかしながら、上述したようにエキシマレーザアニール処理において用いられるエキシマレーザアニール装置は、出射するレーザパワーの出力変動が比較的大きい。したがって、ゲート電極３上のポリシリコン膜６及びガラス基板２上のポリシリコン膜６の双方がともに良好なグレーンサイズを得るように、そのレーザパワーを制御することは難しい。
【００３１】
そこで、一般に、このようなエキシマレーザアニール装置を用いてアニール処理を行う場合には、例えば、図２に示すようなポリシリコン膜６の多結晶化工程が終了した段階で、その最表面に形成されているポリシリコン膜６の結晶の状態を全数検査したり、或いは、製品を無作為に抜き取り結晶の状態を検査したりして、製造した製品がこの段階で不良品であるか否かを判断したり、また、エキシマレーザアニール装置へポリシリコン膜６へ与えられたエネルギー情報をフィードバックしてレーザパワーの設定が行われる。
【００３２】
本発明の実施の形態のポリシリコン膜評価装置は、このようなポリシリコン膜６の多結晶化工程が終了した段階で、形成したポリシリコン膜６の評価を行い、製造した製品がこの段階で不良品であるか否かを判断したり、また、エキシマレーザアニール装置へ情報をフィードバックしてレーザエネルギーの設定を行うのに用いるものである。
【００３３】
ポリシリコン膜の評価原理と評価手法
（１） まず、上述したエキシマレーザアニールにより形成されたポリシリコン膜の評価原理について説明する。
【００３４】
上述したように製造した薄膜トランジスタの移動度は、ポリシリコンのグレーンサイズが大きく影響する。充分な移動度を得るためには、ポリシリコンのグレーンサイズは、大きい方が望ましい。
【００３５】
ポリシリコン膜のグレーンサイズは、エキシマレーザアニールで与えられたエネルギーに大きく依存する。ポリシリコン膜のグレーンサイズは、図３に示すように、与えられたエネルギーが増大するとそれに伴い増大するが、ある所定のエネルギー（図中Ｌの位置：このときのエネルギーを許容最低エネルギーＬとする。）以上となると変化が少なくなり、安定化する。さらにエネルギーを増大させていくと、グレーンサイズの変化が大きくなり、そして、ある閾値（図中Ｈの位置）を境としてポリシリコンが微結晶粒となってしまう（このときのエネルギーを許容最高エネルギーＨとする）。
【００３６】
したがって、通常、エキシマレーザアニールを行う場合には、図３で示したグレーンサイズが安定化し始めた許容最低エネルギーＬから、微結晶粒となる直前までの許容最高エネルギーＨの範囲となるように、照射するレーザパワーを制御することによって、充分な大きさのグレーンサイズを得るようにする。そして、このような範囲のエネルギーを与えるレーザパワーのレーザ光をアモルファスシリコン膜に照射することによって、完成した薄膜トランジスタの移動度を十分大きくすることが可能となる。
【００３７】
（２） 次に、レーザパワーを最適値としてエキシマレーザアニールを行ったときのポリシリコン膜の膜表面の画像と、最適値よりも少ないパワーとしたときのポリシリコン膜の膜表面の画像と、最適値よりも大きいパワーとしたときのポリシリコン膜の膜表面の画像とを比較する。図４に、それぞれの場合の画像を示す。図４（Ａ）が最適値よりも少ないレーザパワーとしたときのポリシリコン膜の膜表面の画像を示す図で、図４（Ｂ）が最適値のレーザパワーとしたときのポリシリコン膜の膜表面の画像を示す図で、図４（Ｃ）が最適値よりも大きいレーザパワーとしたときのポリシリコン膜の膜表面の画像を示す図である。なお、この図４に示す各画像は、紫外線光を用いた顕微鏡装置により撮像した画像であるが、この顕微鏡装置についての詳細は後述する。
【００３８】
図４において、エキシマレーザアニールのレーザの走査方向は、図中Ｘ方向となっている。なお、アモルファスシリコン膜には、上述したように、照射面が線状とされたレーザビームが照射され、その走査方向は、レーザビームの照射面形状の長手方向に直交する方向である。
【００３９】
ここで、エキシマレーザアニール時におけるレーザパワーを最適値としたときのこの図４（Ｂ）の画像と、図４（Ａ）及び図４（Ｃ）に示すそれ以外の画像とを比較すると、以下のような特徴が現れている。
【００４０】
まず、レーザパワーを最適値としたときのポリシリコン膜の表面画像（図４（Ｂ））は、レーザパワーが最適とされていないポリシリコン膜の表面画像（図４（Ａ）及び図４（Ｃ））と比較して、直線性が現れた画像となっている。具体的には、レーザの走査方向（図４中Ｘ方向）に対して、直線性が現れた画像となっている。すなわち、レーザパワーを最適値としたときのポリシリコン膜の表面は、その空間構造に直線性が現れる規則的な形状となる特徴がある。
【００４１】
また、レーザパワーを最適値としたときのポリシリコン膜の表面画像（図４（Ｂ））は、レーザパワーが最適とされていないポリシリコン膜の表面画像（図４（Ａ）及び図４（Ｃ））と比較して、周期性が現れた画像となっている。具体的には、レーザの走査方向と直交する方向（図４中Ｙ方向）に、周期性が現れた画像となっている。すなわち、レーザパワーを最適値としたときのポリシリコン膜の表面は、その空間構造に周期性が現れる規則的な形状となる特徴がある。
【００４２】
したがって、本発明の実施の形態のポリシリコン膜の評価装置では、以上のような特徴を利用して、ポリシリコン膜の状態を検査する。すなわち、本発明の実施の形態のポリシリコン膜の評価装置では、エキシマレーザアニールを行った後のポリシリコン膜の表面画像を数値解析して、ポリシリコン膜の表面空間構造に直線性が現れているか、或いは、ポリシリコン膜の表面空間構造に周期性が現れているか、或いは、ポリシリコン膜の表面空間構造に直線性及び周期性が現れているかを評価して、ボトムゲート型ＴＦＴのポリシリコン膜の状態を検査する。
【００４３】
（３） 次に、ポリシリコン膜の撮像画像に直線性、周期性、直線性及び周期性がある場合の数値化の手法の一例について説明する。
【００４４】
例えば、直線性および周期性があるポリシリコン膜の撮像画像を模式的に表すと、多数の直線が平行に並び、その間隔が一定間隔となっているように表される。これに対し、直線性も周期性もないポリシリコン膜の撮像画像を模式的に表すと、不規則な短い直線等が不規則に現れるように表される。これらの画像から、直線性及び周期性がどれだけあるか数値化して評価する場合には、周期性があるであろう方向と垂直な方向に画像を横ずらしし、横ずらしをしたときの画像の相関性を数値に表して評価すればよい。例えば、直線性及び周期性がある画像を横ずらしすると、ある一定の周期、つまりある一定の横ずらし量毎に、画像の重なり具合が多い相関性の高い画像が現れる。それに対し、直線性も周期性も無い画像は、横ずらしをしたとしても画像の重なりある具合が多い相関性の高い画像が、一定の周期毎に現れない。
【００４５】
以上のような画像を横ずらしをしたときの画像の相関性を数値化するといった概念を用いることにより、ポリシリコン膜の周期性を数値化し評価をすることが可能となる。具体的にこのような手法を実現する一つの方法としては、画像の自己相関関数を求め、この自己相関関数のピーク値及びサイドピーク値を算出し、これらの比をとる方法がある。ここで、ピーク値とは、原点の値から原点よりｙ方向の２番目の極小値（デフォーカスの値を小さくするために使用している。１番目や２番目以降であってもよい）を引いた値をいうものとする。また、サイドピーク値とは、原点よりｙ方向の２番目（原点を含めない）の極大値から原点よりｙ方向の２番目の極小値を引いた値等をいうものとする。
【００４６】
なお、本発明は、直線性又は周期性のいずれか一方のみを評価し、ポリシリコン膜の状態を判断することも可能である。
【００４７】
また、ポリシリコン膜の撮像画像に直線性、周期性、直線性及び周期性がある場合の数値化の手法の他の例としては、例えば、規格化された画像を直線性のそろった方向に、全ての画素の値を足し合わせてその変調度をとる手法がある。また、規格化された画像を、２次元フーリエ変換し、ある周波数成分の強度をとる手法がある。また、画像（例えば、ｙ方向に直線性を有するであろう画像）の内の極値（極小値又は極大値）の座標を抽出し、ｙ方向に縦長な範囲内（ｘ方向の中心を極値×座標の平均値にとり、ｘ方向の長さをｘ方向の配列のピッチとする）の座標に関して、ｘ方向の分散をとる手法がある。また、画像（例えば、ｙ方向に直線性を有するであろう画像）の内の極値（極小値又は極大値）の座標を抽出し、ｙ方向に縦長な範囲内（ｘ方向の中心を極値×座標の平均値にとり、ｘ方向の長さをｘ方向の配列のピッチとする）の座標に関して、各点の上下近傍の点との角度を取る手法がある。
【００４８】
ポリシリコン膜の評価装置の具体的な構成とその処理内容
（１） 次に、以上のようなポリシリコン膜の表面空間構造の直線性及び周期性を評価するための本発明の実施の形態のポリシリコン膜評価装置の具体的な構成例について説明する。
【００４９】
本発明の実施の形態のポリシリコン膜評価装置は、波長２６６ｎｍの紫外光レーザを用いた顕微鏡装置によってボトムゲート型ＴＦＴの製造基板（アモルファスシリコン膜にエキシマレーザアニールを行うことによってポリシリコン膜が形成された直後の状態の基板）を撮像し、撮像した画像から形成されたポリシリコン膜の状態を評価する装置である。
【００５０】
本発明の実施の形態のポリシリコン膜の評価装置の構成図を図５に示す。
【００５１】
図５に示すポリシリコン膜評価装置２０は、可動ステージ２１と、紫外線固体レーザ光源２２と、ＣＣＤカメラ２３と、光ファイバプローブ２４と、ビームスプリッタ２５と、対物レンズ２６と、制御用コンピュータ２７と、画像処理用コンピュータ２８とを備えて構成される。
【００５２】
可動ステージ２１は、被検査物となるポリシリコン膜が成膜された基板１を支持するためのステージである。この可動ステージ２１は、被検査物となる基板１を支持するとともに、この基板１を所定の検査対象位置へと移動させる機能も備えている。
【００５３】
具体的には、可動ステージ２１は、Ｘステージ、Ｙステージ、Ｚステージ、吸着プレート等を備えて構成される。
【００５４】
Ｘステージ及びＹステージは、水平方向に移動するステージであり、ＸステージとＹステージとで、被検査物となる基板１を互いに直交する方向に移動させ、検査対象となる基板１を所定の検査位置へと導くようにしている。Ｚステージは、鉛直方向に移動するステージであり、ステージの高さを調整するためのものである。吸着プレートは、検査対象となる基板１を吸着して固定するためのものである。
【００５５】
紫外線固体レーザ光源２２は、波長２６６ｎｍの紫外光レーザ光源であり、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧ４倍波全固体レーザが用いられる。なお、この紫外線レーザ光源としては、近年、波長１６６ｎｍ程度のものも開発されており、このようなものを光源として用いても良い。
【００５６】
ＣＣＤカメラ２３は、紫外光に対して高感度化されたカメラであり、内部に撮像素子としてＣＣＤイメージセンサを備え、このＣＣＤイメージセンサにより基板１の表面を撮像する。このＣＣＤカメラ２３は、本体を冷却することにより、ＣＣＤイメージセンサ等で発生する熱雑音、読み出し雑音、回路雑音等を抑圧している。
【００５７】
光ファイバプローブ２４は、紫外線レーザ光の導波路であり、紫外線固体レーザ光源２２から出射された紫外光レーザを、ビームスプリッタ２５に導いている。
【００５８】
ビームスプリッタ２５は、紫外線固体レーザ光源２２からの紫外線レーザ光を反射して、対物レンズ２６を介して可動ステージ２１上の基板１に照射し、それとともに、基板１から反射された反射光を透過して、高感度低雑音カメラ３に照射する。すなわち、ビームスプリッタ２５は、紫外線固体レーザ光源２２等の出射光の光学系の光路と、ＣＣＤカメラ２３への反射光の光学系の光路とを分離するためのレーザ光分離器である。
【００５９】
対物レンズ２６は、基板１からの反射光を拡大して検出するための光学素子である。この対物レンズ２６は、例えば、ＮＡが０．９で、波長２６６ｎｍで収差補正がされたものである。この対物レンズ２６は、ビームスプリッタ２５と可動ステージ２１との間に配置される。
【００６０】
制御用コンピュータ２７は、紫外線固体レーザ光源２２のレーザ光の点灯の制御、可動ステージ２１の移動位置の制御、対物レンズ２６の切換制御等を行う。
【００６１】
画像処理用コンピュータ２８は、ＣＣＤカメラ２３に備えられるＣＣＤイメージセンサにより撮像した基板１の画像を取り込み、その画像を解析し、基板１上に形成されているポリシリコン膜の状態の評価を行う。
【００６２】
以上のような構成の評価装置２０では、紫外線固体レーザ光源２２から出射された紫外光レーザが、光ファイバプローブ２４、ビームスプリッタ２５、対物レンズ２６を介して、基板１に照射される。基板１に照射された紫外光レーザ光は、この基板１の表面で反射される。その反射光は、対物レンズ２６、ビームスプリッタ２５を介して、ＣＣＤカメラ２３に入射する。そして、ＣＣＤカメラ２３は、その入射した反射光をＣＣＤイメージセンサにより撮像し、撮像して得られたポリシリコン膜の表面画像情報を画像処理用コンピュータ２８に供給する。
【００６３】
そして、この画像処理用コンピュータ２８が、以下説明するように、取り込まれたポリシリコン膜の表面画像の情報に基づき、そのポリシリコン膜の状態を評価する。そして、その評価結果に基づき、ポリシリコン膜を生成するためのエキシマレーザアニール時におけるレーザパワーの設定値を求めたり、また、その基板１上に形成されたポリシリコン膜が良品であるか或いは不良品であるかの判別を行う。
【００６４】
（２） 次に、上記画像処理用コンピュータ２８のポリシリコン膜の状態の評価手順について説明する。この画像処理用コンピュータ２８は、ポリシリコン膜の表面画像から自己相関を用いて周期性を数値化した値（以後ＡＣ値とする。）を求め、ポリシリコン膜の表面空間構造の直線性及び周期性を評価して、ポリシリコン膜の状態の評価を行う。
【００６５】
評価の処理手順は、図６のフローチャートに示すように、まず、ポリシリコン膜の表面の画像取り込み処理を行う。（ステップＳ１）。続いて、取り込んだ画像から自己相関関数の計算を行う（ステップＳ２）。続いて、画像座標上の（０，０）を含む整列方向と垂直な面の切り出しを行う（ステップＳ３）。続いて、切り出した面における自己相関関数のピーク値とサイドピーク値とを算出し、このピーク値とサイドピーク値との比をとって、ＡＣ値を求める（ステップＳ４）。続いて、このＡＣ値に基づき、ポリシリコン膜の評価を行う（ステップＳ５）。
【００６６】
ここで、自己相関関数は、以下の式に示すような関数となる。
【００６７】
【数１】

【００６８】
この自己相関関数Ｒ（τ）は、ある関数ｆ（ｘ）をτだけｘ方向に平行移動させたときの自己相関を示す関数である。
【００６９】
このポリシリコン膜評価装置２０では、以下のようなウィンナーヒンチンの定理を用いて、ポリシリコン膜の表面画像の自己相関関数を求めている。なお、ここでは、具体的に取り込んだ画像情報を“ｉ”としている。
【００７０】
▲１▼ 取り込み画像“ｉ”の２次元フーリエ変換する。
：ｆ=ｆｏｕｒｉｅｒ（ｉ）
▲２▼ フーリエ級数“ｆ”を二乗してパワースペクトル“ｐｓ”を生成する。
：ｐｓ＝｜ｆ｜²
▲３▼ パワースペクトル“ｐｓ”を逆フーリエ変換して２次元の自己相関画像“ａｃ”を生成する。
：ａｃ＝ｉｎｖｅｒｓｆｏｕｒｉｅｒ（ｐｓ）
▲４▼ 自己相関画像“ａｃ”の絶対値をとり、自己相関関数の実数“ａｃａ”を求める。
：ａｃａ＝｜ａｃ｜
【００７１】
このように生成された自己相関画像“ａｃａ”を画面上に表示すると、図７及び図８に示すような画像となる。図７は、自己相関が高い画像、即ち、ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性及び直線性が良いものの自己相関画像である。それに対して、図８は、自己相関が低い画像、即ち、ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性及び直線性が悪いものの自己相関画像である。
【００７２】
また、このような評価の手順に代えて以下のような評価を行ってもよい。
【００７３】
この評価の処理手順は、図９のフローチャートに示すように、まず、ポリシリコン膜の表面の画像取り込み処理を行う（ステップＳ１１）。続いて、レーザビームの進行方向（直線性がある方向：ｘ方向）と垂直な方向（周期性がある方向：ｙ方向）の取り込み画像の１ライン分を切り出す（ステップＳ１２）。続いて、この１ラインに関して自己相関関数の計算を行う（ステップＳ１３）。続いて、必要に応じて、これらの作業を数回繰り返し、各ラインで求められるＡＣ値の平均化を行う（ステップＳ１４）。
【００７４】
この場合における自己相関関数は、ウィンナーヒンチンの定理を用いて、以下のように求められる。なお、ここでは、具体的に取り込んだ１ライン分の画像情報を“ｌ”としている。
【００７５】
▲１▼ 取り込み画像の１ライン“ｌ”に関してのフーリエ変換をする。
：ｆｌ=ｆｏｕｒｉｅｒ（ｌ）
▲２▼ フーリエ級数“ｆｌ”を二乗してパワースペクトル“ｐｓｌ”を生成する。
：ｐｓｌ＝｜ｆｌ｜²
▲３▼ パワースペクトル“ｐｓｌ”を逆フーリエ変換して２次元の自己相関画像“ａｃｌ”を生成する。
：ａｃｌ＝ｉｎｖｅｒｓｆｏｕｒｉｅｒ（ｐｓｌ）
▲４▼ 自己相関画像“ａｃｌ”の絶対値をとり、自己相関関数の実数“ａｃａｌ”を求める。
：ａｃａｌ＝｜ａｃｌ｜
【００７６】
このように生成された自己相関関数ａｃａｌをグラフ上に表すと、図１０及び図１１に示すような画像となる。図１０は、自己相関が高い画像、即ち、ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性及び直線性が良いものの自己相関画像である。
それに対して、図１１は、自己相関が低い画像、即ち、ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性及び直線性が悪いものの自己相関画像である。
【００７７】
ポリシリコン膜評価装置２０は、このようなウィンナーヒンチンの定理を用いて計算した自己相関画像から、さらに、整列方向（即ち、直線性を有する方向）と垂直で、画面上の座標（０，０）を含む面を切り出して、その切り出したときに得られる関数を求める。ここで、画面上の座標（０，０）を含む面を切り出すのは、このあとで、照明光量やＣＣＤゲイン等の実験パラメータによって変化する自己相関関数からの値を規格化するために行っている。
【００７８】
このように切り出したときに得られる関数が、上述した自己相関関数Ｒ（τ）に対応する関数となる。
【００７９】
ポリシリコン膜評価装置２０は、続いて、この得られた関数から、極大ピーク値と、サイドピーク値とを求める。そして、サイドピーク値に対する極大ピーク値の比を求め、この値をＡＣ値とする。
【００８０】
したがって、ＡＣ値は、自己相関が高い画像、即ち、ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性及び直線性が良い場合は、極大ピーク値とサイドピーク値との差が大きくなり、その値が大きくなる。それに対して、自己相関が低い画像、即ち、ポリシリコン膜の表面空間構造の周期性及び直線性が悪い場合は、極大ピーク値とサイドピーク値との差が小さくなり、その値が小さくなる。
【００８１】
以上のように、ボトムゲート型ＴＦＴ１では、ポリシリコン膜の表面画像を撮像して、その撮像画像の自己相関関数を求め、ポリシリコン膜の表面空間構造の直線性及び周期性を数値化している。
【００８２】
具体的に、その撮像画像の一例に対するＡＣ値を示すと、図１２に示すようになる。
【００８３】
（３） 次に、上述したように演算した結果得られるＡＣ値と、ポリシリコン膜のグレーンサイズ及びポリシリコン膜に与えられるエネルギーとの関係を説明する。
【００８４】
ＡＣ値は、図１３に示すように、エキシマレーザアニールによりポリシリコン膜に与えられるエネルギーが、あるエネルギーＥ_B1となったときからその値が比例的に上昇し、あるエネルギーＥ_Tでその値が最大となる。そして、ＡＣ値は、この最大となるエネルギーＥ_Tでピーク値を迎え、その後その値が比例的に減少し、あるエネルギーＥ_B2でその減少が終了し、その値が最小値となる。このようにＡＣ値は、与えられるエネルギーに対してピーク特性を有している。
【００８５】
このようなＡＣ値のピーク特性を、図３で示したポリシリコン膜のグレーンサイズの変化の特性に重ね合わせてみると、図１４に示すようになる。この図１４に示すように、ＡＣ値のピーク特性を示すグラフの最大値が、ポリシリコン膜のグレーンサイズが適正となるエネルギー範囲内に入ることが分かる。さらに、ＡＣ値が比例的に上昇を開始するエネルギーＥ_B1が、ポリシリコン膜に与えてグレーンサイズが適正となる許容最低エネルギーＬよりも低くなる。また、ＡＣ値の比例的な減少が停止して最低値となったときのエネルギーＥ_B2が、ポリシリコン膜の結晶粒径が微結晶化する閾値のエネルギーである許容最大エネルギーＨと一致する。
【００８６】
したがって、このようなピーク特性を有するＡＣ値からポリシリコン膜のグレーンサイズが良好なものであるかどうかを評価する場合には、ＡＣ値が図１４中太線で示した範囲の値に入っているかどうかを判断すればよいこととなる。
【００８７】
（４） このような特性を有するＡＣ値を評価して、ポリシリコン膜が良品であるか否かの検査を行う場合には、例えば、検査対象となる基板のＡＣ値が、許容最低エネルギーＬを与えたときに求められるＡＣ_Lを閾値として、この閾値よりも大きければ良品であると判断することにより検査が可能である。また、検査した基板のＡＣ値が、この閾値ＡＣ_Lよりも低い場合であっても、なんらかの特性を観察することにより、ＡＣ値が最大となるエネルギーＥ_Tよりも高いエネルギーを与えていることが分かれば、良品であると判断が可能である。
【００８８】
また、このような特性を有するＡＣ値を評価して、エキシマレーザアニール装置から出射されるレーザパワーを最適に設定する場合には、例えば、エキシマレーザのレーザパワーを変動させながら、複数個の基板に対してレーザアニール処理を行う。そして、各レーザパワーに対応させたＡＣ値の特性図を描き、具体的には、図１３に示すような特性図を描き、この特性図から最適なレーザパワーを求めればよい。
【００８９】
（５） ところで、上述したようにボトムゲート型ＴＦＴでは、ゲート電極３がポリシリコン膜６の下層に位置しているので、レーザアニールを行った場合におけるエネルギーの拡散性が、ガラス基板２上（ソース／ドレイン領域上）のポリシリコン膜６よりも、ゲート電極３上のポリシリコン膜６の方が高くなる。そのため、エキシマレーザアニール装置から与えられるレーザパワーが同一であっても、ゲート電極３上のポリシリコン膜６と、ガラス基板２上（ソース／ドレイン領域上）のポリシリコン膜６とで、与えられるエネルギーが異なることとなり、その影響からグレーンサイズが双方で異なってしまう。
【００９０】
一般に、エキシマレーザアニール装置によりレーザアニールを行った場合、ゲート電極上に位置するポリシリコン膜と、ガラス基板上（ソース／ドレイン領域上）に位置するポリシリコン膜とで、レーザパワーを変化させるような制御をすることはできず、同一のパワー設定で、一律にエキシマレーザアニールを行うこととなる。
【００９１】
そのため、ボトムゲート型ＴＦＴでは、エキシマレーザのレーザパワーに対するＡＣ値の特性は、図１５に示すようになり、ガラス基板上（ソース／ドレイン領域上）と、ゲート電極上とで、そのピーク値が異なる位置となってしまう。具体的には、ガラス基板上（ソース／ドレイン領域上）に位置するポリシリコン膜のＡＣ値の方が、ゲート電極上に位置するポリシリコン膜よりも低いレーザパワーでピーク値を迎えることとなる。
【００９２】
したがって、ＡＣ値を評価して、ポリシリコン膜が良品であるか否かの検査を行う場合、並びに、ＡＣ値を評価してエキシマレーザアニール装置から出射されるレーザパワーを最適に設定する場合には、この両者（ガラス基板上及びゲート電極上）のポリシリコン膜が良好となるような値とする必要がある。
【００９３】
続いて、ボトムゲート型ＴＦＴのポリシリコン膜について、エキシマレーザのレーザパワーに対するＡＣ値の具体的な実験データの一例を図１６に示す。この図１６に示すように、ＡＣ値は、ゲート電極上とガラス基板上とで異なるピーク値となる特性となる。例えば、この図１６で示した特性図上では、エキシマレーザアニールでのレーザパワーを３８０ｍＪで設定することが最適であることが分かる。
【００９４】
（６） 以上のように、ボトムゲート型ＴＦＴに形成されたポリシリコン膜を評価する場合に、ポリシリコン膜表面の空間構造の直線性及び／又は周期性を評価することにより、被破壊で容易にポリシリコンの検査をすることができ、検査工程を製造工程に組み込むことが可能となる。また、この直線性及び／又は周期性を数値化するので、目視検査等によらず数値演算が可能となる。さらに、数値化を行って評価を行うので、そのため自動検査が可能となり、また、高い精度で客観的な検査を行うことができる。また、検査結果をアニール処理工程にフィードバックして、製造する薄膜トランジスタの歩留まりを高くすることができる。
なお、以上ポリシリコン膜を撮像する装置として、波長２６６ｎｍの紫外光レーザを用いた顕微鏡装置を適用していたが、ポリシリコン膜の表面空間構造の直線性及び／又は周期性を評価するための元画像を撮像する装置は、このような装置に限られない。例えば、ＳＥＭにより観察した画像に基づいて、ポリシリコン膜の表面空間構造の直線性及び／周期性を評価しても良い。例えば、図１７に示すように、紫外光レーザを用いた顕微鏡装置（ＤＵＶ）で撮像した画像に基づきＡＣ値を求めた場合の特性と、ＳＥＭで撮像した画像に基づきＡＣ値を求めた場合の特性とを比較すると、ＳＥＭの方がより精彩な画像となるため相対的にＡＣ値が低くなるものの、その特性を示す曲線はほぼ同一となることが分かる。
【００９５】
また、直線性及び／周期性を数値化する手法として自己相関関数を用いた例を詳細に説明したが、数値化の手法もこの自己相関関数を用いた例に限られない。
【００９６】
ボトムゲート型ＴＦＴの製造プロセスにおける具体的な適用例
つぎに、ボトムゲート型ＴＦＴの製造プロセスに上記ポリシリコン膜評価装置２０を適用した具体的な適用例について説明する。
【００９７】
まず、図１８に示すような、ボトムゲート型ＴＦＴのポリシリコン膜の撮像画像から得られたＡＣ値を評価して、その評価結果をエキシマレーザアニール装置にフィードバックし、このエキシマレーザアニール装置３０から出射されるレーザパワーを最適に設定する適用例（ＥＱＣ：Equipment Quality Control）について説明する。
【００９８】
エキシマレーザアニール装置は、上述したようにレーザパワーの設定値に対して、実際のレーザパワーの出力値の変動が比較的に大きい。出力されるレーザパワーは、ガウス分布的な特性を示しばらつきが生じ、所定のパワー設定値に対してある程度のばらつきが生じる。これに対して、ボトムゲート型ＴＦＴの場合、ポリシリコン膜に与えられるエネルギーの製造マージン（この範囲より外のエネルギーが与えられた場合には不良品となるエネルギー範囲）は、そのばらつきに対して相対的に大きな値となる。
【００９９】
したがって、図１９に示すように、ポリシリコン膜の製造マージンの中心位置がレーザパワーの設定値の最適値となり、この最適値にレーザパワーが設定してあれば、レーザパワーが変動したとしてもポリシリコン膜に与えられるエネルギーは製造マージン内に入ることとなり、高い歩留まりを得ることができる。しかしながら、図２０に示すように、レーザパワーの設定値が、製造マージンの最適値に設定されていない場合には、レーザパワーが変動すると、ポリシリコン膜に与えられるエネルギーが製造マージンから外れる場合が多く、歩留まりが低くなってしまう。
【０１００】
そのため、本適用例は、ボトムゲート型ＴＦＴのＡＣ値のピーク特性を利用して、以下のように、エキシマレーザアニール装置のレーザパワーを最適値に設定する。
【０１０１】
まず、本適用例では、ポリシリコン膜を形成した複数枚の基板を製造する。このとき、各基板毎にエキシマレーザアニール装置のレーザパワーの設定を変化させ、それぞれの基板についてゲート電極上及びガラス基板上のＡＣ値を求める。
【０１０２】
すると、図２１や図２２に示すような、ＡＣ値のピーク曲線をグラフ上に描くことができる。
【０１０３】
このようなＡＣ値のピーク曲線を描くと、ゲート電極上とガラス基板上ともに良好なグレーンサイズを得られるレーザパワーの許容範囲（ポリシリコン膜の製造マージン）を求めることができる。具体的には、製造マージンの下位限界のレーザパワーは、ゲート電極上のポリシリコン膜に与えられるエネルギーの最低許容エネルギー（Ｌ）に対応したレーザパワー、具体的には、図２１及び図２２に示したゲート電極上のＡＣ値の太線で描いた部分の左端のレーザパワー（ＭＯ（Ｌ））となる。また、製造マージンの上位限界のレーザパワーは、ガラス基板上のポリシリコン膜に与えられるエネルギーの最高許容エネルギー（Ｈ）に対応したレーザパワー、具体的には、図２１及び図２２に示したガラス基板上のＡＣ値の太線で描いた部分の右端のレーザパワー（Ｇ（Ｈ））となる。
【０１０４】
そして、このように求めた製造マージンの中間値を求め、この中間値におけるレーザパワーを最適値として設定する。
【０１０５】
以上のようにＡＣ値を求めて、製造マージンを求め、この製造マージンを最適値として設定することによって、ボトムゲート型ＴＦＴの歩留まりを高くすることができる。
【０１０６】
つぎに、図２３に示すような、エキシマレーザアニール装置３０により製造されたボトムゲート型ＴＦＴのポリシリコン膜の撮像画像から得られたＡＣ値を評価して、その評価結果をポリシリコン膜の良否判断に適用する適用例（ＩＰＱＣ：In Process Quality Control）について説明する。
【０１０７】
エキシマレーザアニール装置は、上述したようにレーザパワーの設定値に対して、実際のレーザパワーの出力値の変動が比較的に大きい。したがって、ポリシリコン膜評価装置２０は、その良否判断を全数又は全数同等に対して行い、このエキシマレーザアニール工程での不良を後段の工程に送らないようにする。
【０１０８】
具体的には、ポリシリコン膜評価装置２０は、その良否判断を以下のように行う。
【０１０９】
まず、ボトムゲート型ＴＦＴの場合、良品となる範囲は、ゲート電極上のポリシリコン膜に与えられるエネルギーの最低許容エネルギー（Ｌ）から、ガラス基板上のポリシリコン膜に与えられるエネルギーの最高許容エネルギー（Ｈ）に対応したレーザパワーまでで、レーザアニールを行った場合である。具体的には、図２４に示すゲート電極上のＡＣ値の太線で描いた部分の左端のレーザパワーから、ガラス基板上のＡＣ値の太線で描いた部分の右端のレーザパワーである。すなわち、図２４に示す▲３▼、▲４▼の範囲に入るレーザパワーでレーザアニールを行った場合には、そのポリシリコン膜は良品となる。
【０１１０】
そこで、ポリシリコン膜評価装置２０は、まず、ゲート電極上のポリシリコン膜のＡＣ値を求める。続いて、このＡＣ値が、ポリシリコン膜に許容最低エネルギーＬを与えたときに求められる閾値ＡＣ_L（Ｍｏ）より大きいか否かを判断する。ここで、ＡＣ値が、閾値ＡＣ_L（Ｍｏ）より大きければ、図２４に示す▲３▼の範囲に入っており、そのポリシリコン膜が良品であると判断する。
【０１１１】
ＡＣ値が閾値ＡＣ_Lより小さければ、続いて、次の判断をする。ここで、ガラス基板上のポリシリコン膜に与えられるエネルギーの最高許容エネルギー（Ｈ）に対応したレーザパワーにより、ゲート電極上のポリシリコン膜をレーザアニールをしたときの自己相関値を、閾値ＡＣ_Bとする。このときに、ゲート電極上のポリシリコン膜のＡＣ値が閾値ＡＣ_L〜閾値ＡＣ_Bの範囲にあり、且つ、ガラス基板上のポリシリコン膜のＡＣ値が閾値ＡＣ_Bより低くなっているか否かを判断する。この条件を満足する場合には、図２４に示す▲４▼の範囲に入っており、そのポリシリコン膜が良品であると判断し、この条件を満足しない場合には、図２４に示す▲１▼、▲２▼、▲５▼の範囲に入っており、ポリシリコン膜は不良品であると判断する。
【０１１２】
以上のように、ゲート電極上及びガラス基板上のポリシリコン膜のＡＣ値を求め、ゲート電極上とガラス基板上のポリシリコン膜の自己相関値の特性の違いを利用して、ポリシリコン膜が良品であるか否かを判断することにより、レーザアニール処理工程以後の後段の処理を軽減することができる。
【０１１３】
例えば、図２５（Ａ）、図２５（Ｂ）に示すように、１つのガラス基板上に複数のＬＣＤが形成される場合にも、全てのＬＣＤに対して検査を行うことにより、部分的に不良が発生した場合でも、その不良位置を判断することができ、後段の処理を軽減することができる。
【０１１４】
【発明の効果】
本発明にかかる薄膜トランジスタ製造方法では、アニール処理により形成されたポリシリコン膜の膜表面の空間構造の直線性及び周期性のうち、少なくとも一方の構造の特性に基づいて得られる自己相関関数を求め、求めた自己相関関数の各ピーク成分に基づき、各基板に対してゲート電極上に形成されたポリシリコン膜表面と、ゲート電極上以外の場所に形成されたポリシリコン膜膜表面とをそれぞれ評価して、ポリシリコン膜の良否判断をする。このことにより、本発明では、ポリシリコン膜の良否判断を、客観的に、非接触で、精度良く、自動的に行うことができ、薄膜トランジスタの歩留まりを高くすることができる。さらに、容易にインプロセスに取り込むことができ、プロセスのローコスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ボトムゲート型ＴＦＴの模式的な断面構成を説明する図である。
【図２】ポリシリコン膜を形成したのちのボトムゲート型ＴＦＴの断面構造を説明するための図である。
【図３】ポリシリコン膜のグレーンサイズと、エキシマレーザアニールで与えられるエネルギーとの関係を説明するための図である。
【図４】レーザパワーを最適値としてエキシマレーザアニールを行ったときのポリシリコン膜の膜表面の画像と、最適値よりも少ないパワーとしたときのポリシリコン膜の膜表面の画像と、最適値よりも大きいパワーとしたときのポリシリコン膜の膜表面の画像とを説明するための図である。
【図５】本発明の実施の形態のポリシリコン膜の評価装置の構成図である。
【図６】ポリシリコン膜の評価手順を説明するためのフローチャートである。
【図７】周期性が高い場合の自己相関画像を説明するための図である。
【図８】周期性が低い場合の自己相関画像を説明するための図である。
【図９】ポリシリコン膜の他の評価手順を説明するためのフローチャートである。
【図１０】上記他の評価手順で評価した場合の周期性が高い場合の自己相関画像を説明するための図である。
【図１１】上記他の評価手順で評価した場合の周期性が低い場合の自己相関画像を説明するための図である。
【図１２】具体的な撮像画像に対する求められたＡＣ値の特性を説明する図である。
【図１３】ポリシリコン膜に与えられるエネルギーに対する自己相関値の特性を説明するための図である。
【図１４】ポリシリコン膜に与えられるエネルギーに対するＡＣ値及びグレーンサイズの特性を説明するための図である。
【図１５】ボトムゲート型ＴＦＴにおけるエキシマレーザのレーザパワーに対するＡＣ値の特性を説明するための図である。
【図１６】ボトムゲート型ＴＦＴのポリシリコン膜について、エキシマレーザのレーザパワーに対するＡＣ値の具体的な実験データの一例を説明するための図である。
【図１７】紫外光レーザを用いた顕微鏡装置（ＤＵＶ）で撮像した画像に基づきＡＣ値を求めた場合の特性と、ＳＥＭで撮像した画像に基づきＡＣ値を求めた場合の特性とを比較して説明するための図である。
【図１８】ボトムゲート型ＴＦＴの製造プロセスにポリシリコン膜評価装置を適用した具体的な適用例（ＥＱＣ）の構成を説明するための図である。
【図１９】ポリシリコン膜に与えられるエネルギーの製造マージンと、エキシマレーザパワーの変動との関係を説明するための図である（最適にレーザパワーが設定されている場合）。
【図２０】ポリシリコン膜に与えられるエネルギーの製造マージンと、エキシマレーザパワーの変動との関係を説明するための図である（最適にレーザパワーが設定されていない場合）。
【図２１】ボトムゲート型ＴＦＴの製造マージンとレーザパワーとの関係の一例を示し、この一例からレーザパワーの最適値を求めるための方法を説明するための図である。
【図２２】ボトムゲート型ＴＦＴの製造マージンとレーザパワーとの関係の他の一例を示し、この他の一例からレーザパワーの最適値を求めるための方法を説明するための図である。
【図２３】ボトムゲート型ＴＦＴの製造プロセスにポリシリコン膜評価装置を適用した他の具体的な適用例（ＩＰＱＣ）の構成を説明するための図である。
【図２４】ボトムゲート型ＴＦＴのＡＣ値からポリシリコン膜の良否判定をする方法を説明するための図である。
【図２５】ガラス基板上に形成された複数のＬＣＤに対して上記良否判断をしたときの判断結果の一例を説明するための図である。
【符号の説明】
１ ボトムゲート型ＴＦＴ、ガラス基板、３ ゲート電極、４ 第１のゲート絶縁膜、５ 第２のゲート絶縁膜、６ ポリシリコン膜、２０ ポリシリコン膜評価装置、３０ エキシマレーザアニール装置

Claims (1)

1. 基板とポリシリコン膜との間にゲート電極が形成されるボトムゲート構造の薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタ製造方法において、
   基板上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、
   上記ゲート電極を形成した基板上にアモルファスシリコン膜を成膜するアモルファスシリコン成膜工程と、
   上記アモルファスシリコン膜に対してレーザアニール処理を行ってポリシリコン膜を形成するレーザアニール工程と、
   上記ポリシリコン膜の表面の空間構造に基づき、このポリシリコン膜の良否判定を行う良否判定工程とを備え、
   上記良否判定工程では、
   各基板に対してゲート電極上に形成された上記ポリシリコン膜表面を撮像して、撮像した画像から、該ポリシリコン膜表面の空間構造の直線性及び周期性のうち、少なくとも一方の構造の特性に基づいて得られる自己相関関数を求めて、該自己相関関数の各ピーク成分から、サイドピーク値に対するピーク値の比を示すＡＣ値を算出し、
   各基板に対してゲート電極上以外の場所に形成された上記ポリシリコン膜表面を撮像して、撮像した画像から、該ポリシリコン膜表面の空間構造の直線性及び周期性のうち、少なくとも一方の構造の特性に基づいて得られる自己相関関数を求めて、該自己相関関数の各ピーク成分からＡＣ値を算出し、
   上記ゲート電極上に形成されたポリシリコン膜表面の空間構造の特性から算出した自己相関関数のＡＣ値が、上記レーザアニール工程において該ポリシリコン膜に許容最低エネルギーを与えたときに求められる自己相関関数のＡＣ値であるＡＣ _Ｌ よりも大きい条件を第１の判定条件とし、
   上記ゲート電極上に形成されたポリシリコン膜表面の空間構造の特性から算出した自己相関関数のＡＣ値が、該ゲート電極上以外の場所に形成されたポリシリコン膜に与えられるエネルギーの最高許容エネルギーに対応したレーザパワーを上記レーザアニール工程において該ゲート電極上に形成されたポリシリコン膜に与えたときに求められる自己相関関数のＡＣ値であるＡＣ _Ｂ より大きく、かつ、該ゲート電極上以外の場所に形成されたポリシリコン膜表面の空間構造の特性から算出した自己相関関数のＡＣ値が、該ＡＣ _Ｂ より小さい条件を第２の判定条件とし、
   上記第１の判定条件を満たすとき、又は、上記第１の判定条件を満たさないで上記第２の判定条件を満たすときの、いずれか一方のときのみ良品と判定する薄膜トランジスタ製造方法。

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