JP2004063504A - 結晶膜の検査方法および検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1工程において、予め定める第1方向に延びる複数列の帯状部分を有する画像に基づいて、第1方向と交差する第2方向の濃度値の分布を表す濃度値の分布特性を求める。第2工程において、前記濃度値の分布特性に基づいて、結晶膜の結晶化度を判定する。このように複数列の帯状部分を有する画像に基づいて、濃度値の分布特性を求めておき、その分布特性に基づいて結晶膜の結晶化度を判定することができるので、たとえばフーリエ変換などを用いることなく結晶膜の結晶化度を確実に判定することができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、結晶膜の検査方法および検査装置に関し、たとえば液晶ディスプレイパネルを製造する際に、エキシマレーザアニール装置などによる結晶化工程を経て用いられる技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
高解像度の要望が強い液晶表示素子およびイメージセンサーなどにおいては、駆動方式として、たとえばガラスなどの絶縁基板の一表面部に高性能な半導体素子を形成したアクティブマトリックス形の薄膜トランジスタ(TFT:Thin
Film Transistor)が用いられている。前記TFTには、薄膜状のシリコン半導体を用いるのが一般的である。薄膜状のシリコン半導体は、非晶質シリコン(アモルファスシリコン)から成る非晶質シリコン半導体と、結晶性を有するシリコンから成る結晶性シリコン半導体との2つに大別される。
【0003】
非晶質シリコン半導体は、成膜温度が比較的低く、気相成長法によって比較的容易に製造することが可能であり、量産性に富むといった特徴を有するので、最も一般的に用いられている。しかし非晶質シリコン半導体は、結晶性シリコン半導体に比べて導電性などの物性が劣るので、高速特性を得るために結晶性シリコン半導体から成るTFTの製造技術の確立が強く求められている。すなわち基板の一表面部に、プラズマCVD(CVD:Chemical Vapor Deposition)法または減圧熱化学気相成長法などによって、アモルファスシリコン薄膜が形成され、固相成長結晶化工程と、レーザアニール結晶化工程とを順次経て、結晶性シリコン半導体膜(以後、単に結晶膜と呼ぶ場合もある)が形成される。
【0004】
特開2001−110861号公報には、エキシマレーザアニール装置によって結晶化された結晶膜を検査する技術が開示されている。前記公報に記載の従来技術には、基板の一表面部に所定の方向性を有する光を照射し、一表面部からの乱反射光の強度を計測し、その計測値に基づいて一表面部の凹凸状態を判定する技術が開示されている。前記乱反射光の強度は、エキシマレーザアニール装置におけるレーザ走査に起因する特定の方向性と周期性とを有する「すじ」の発生に着目したフーリエ解析によって計測される。
【0005】
エキシマレーザアニール装置の最適なレーザーエネルギー値を決定するには、レーザエネルギー値を決定するための基板(パワーモニター基板ともいう)を用意しておき、予め定められた範囲のレーザエネルギー値を用いて、パワーモニター基板にレーザエネルギーを付与する。その結果を目視観察またはラマン分光計測のような手段で計測して結晶化度を確認する。その後、所望の結晶化度が得られた場所に対応するレーザエネルギー値を用いてエキシマレーザアニール装置を稼動させる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来技術では、結晶膜の凹凸状態に少なくとも一定の周期性があることを前提としており、前記周期性に基づいて、フーリエ変換を用いて結晶膜の結晶化度を判定している。しかし、エキシマレーザアニール装置によって実際に結晶化された結晶膜は、その凹凸状態に周期性があるものはほとんど見当たらない。したがって結晶膜の凹凸状態の周期性に基づいて、フーリエ変換を用いて判定する技術は、非実用的であるだけでなく汎用性が低い。
【0007】
レーザーエネルギー値と結晶化度との間には、所望の結晶化度が得られるレーザーエネルギー値よりも小さい領域で相関性がある。換言すれば、前記小さい領域において、レーザーエネルギー値が大きくなれば、結晶膜の結晶化度は高くなる。しかし、所望の結晶化度が得られるレーザーエネルギー値を超える領域においては、レーザーエネルギー値と結晶化度との間には、逆相関性がある。換言すれば、前記領域において、レーザーエネルギー値が大きくなれば、結晶膜の結晶化度は低くなる。
【0008】
したがって従来技術では、結晶性不良および結晶化度を仮に検出できたとしても、それがレーザエネルギー値の不足によるものか過度によるものか区別がつかないので、エキシマレーザアニール装置への正確なフィードバックができない。さらにレーザーエネルギー制御精度には限界があり、レーザー照射の都度、たとえば約3%以上5%以下程度のレーザーエネルギー値のゆらぎがあるので、レーザー照射対象に対するエネルギー強度は不安定化するだけでなく、結晶膜は、必然的に不規則な周期性を有する凹凸状態となる。したがって前述のフーリエ解析による強度計測では、十分な感度が得られない。
【0009】
前述した目視観察でもって結晶膜の結晶化度を確認する技術では、観察者の主観的観察による判定ばらつきが発生するうえ、ラマン分光計測で結晶化度を確認する技術では、オフライン計測が発生して工程数が増え、計測時間が増大する。
【0010】
したがって本発明の目的は、結晶膜の結晶化度を正確に検査することができるとともに、所望の結晶化度が得られる結晶膜を形成することが可能となり、製造プロセスの安定稼動を図ることが可能となる結晶膜の検査方法および検査装置を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、結晶膜を厚み方向一方から撮像した画像であって、予め定める第1方向に延びる複数列の帯状部分を有する画像に基づいて、第1方向と交差する第2方向の濃度値の分布を表す濃度値の分布特性を求める第1工程と、
前記濃度値の分布特性に基づいて、結晶膜の結晶化度を判定する第2工程とを有することを特徴とする結晶膜の検査方法である。
【0012】
本発明に従えば、第1工程において、結晶膜を厚み方向一方から撮像した画像であって、予め定める第1方向に延びる複数列の帯状部分を有する画像に基づいて、第1方向と交差する第2方向の濃度値の分布を表す濃度値の分布特性を求める。次に第2工程において、前記濃度値の分布特性に基づいて、結晶膜の結晶化度を判定する。このように複数列の帯状部分を有する画像に基づいて、濃度値の分布特性を求めておき、この濃度値の分布特性と結晶膜の結晶化度との間には、相関性があることを利用して、前記分布特性に基づいて結晶膜の結晶化度を判定することができる。それ故、たとえばフーリエ変換などを用いることなく結晶膜の結晶化度を確実に判定することができる。したがって前記公報に記載の従来技術のように、フーリエ変換を用いて、結晶膜の凹凸状態に周期性があるものだけを検査するのではなく、本発明においては、結晶膜の凹凸状態の周期性に依存することなく、結晶膜の結晶化度を確実に判定することができる。それ故、本検査方法の汎用性を高くすることが可能となる。
【0013】
また本発明は、第2工程において、
前記分布特性に加えて、撮像した画像全体の濃度値の平均値に基づいて、結晶化度を判定することを特徴とする。
【0014】
本発明に従えば、結晶膜の結晶化度を判定する第2工程において、濃度値の分布特性に加えて、撮像した画像全体の濃度値の平均値に基づいて、結晶化度を判定することができる。つまり結晶化度と濃度値とは、相関性があるが、画像全体のうち、たとえば1つの帯状部分の中でも、与えられるエネルギーの分布特性などによって、濃度値は第1方向に沿って変動する。したがって1つの結晶膜における濃度値に対する結晶化度を、一層客観的に判断するために、撮像した画像全体の濃度値の平均値を求め、この画像全体の濃度値の平均値と、前記第1工程で求めた第2方向の濃度値の分布特性とに基づいて、結晶膜の結晶化度を判定している。したがって、結晶膜の結晶化度を、従来技術のものよりも正確にかつ簡単に判定することが可能となる。
【0015】
また本発明は、第2工程において、
濃度値分布に対して、第2方向に走査しながら予め定める領域内の最小値を求める最小値化処理をして最小値分布を求め、この最小値分布に対して第2方向に走査しながら前記領域内の最大値を求める最大値化処理をして最大値分布を求め、前記濃度値分布と最大値分布との差を求めて第1モフォロジ分布を求める第1のモフォロジ処理および、
濃度値分布に対して、第2方向に走査しながら予め定める領域内の最大値を求める最大値化処理をして最大値分布を求め、この最大値分布に対して第2方向に走査しながら前記領域内の最小値を求める最小値化処理をして最小値分布を求め、この最小値分布と前記濃度値分布との差を求めて第2モフォロジ分布を求める第2のモフォロジ処理の
少なくともいずれか一方のモフォロジ処理によって求められるモフォロジ分布から予め定める寸法の濃度値成分を検出して、濃度値成分の数に基づいて、結晶化度を判定することを特徴とする。
【0016】
本発明に従えば、第2工程において、第1のモフォロジ処理および第2のモフォロジ処理の、少なくともいずれか一方のモフォロジ処理によって求められるモフォロジ分布から、予め定める寸法の濃度値成分を検出し、この濃度値成分の数に基づいて、結晶化度を判定することができる。このように予め定める寸法の濃度値成分を検出したうえで、この濃度値成分の数に基づいて、結晶膜の結晶化度を判定することができるので、濃度値の定量化を行ったうえで、結晶化度を、従来技術のものよりも正確にかつ簡単に判定することが可能となる。
【0017】
また本発明は、結晶膜に光を照射する照射手段と、
結晶膜を撮像する撮像手段と、
照射手段および撮像手段を用いて、結晶膜を厚み方向一方から撮像した画像であって、予め定める第1方向に延びる複数列の帯状部分を有する画像に基づいて、第1方向と交差する第2方向の濃度値の分布を表す濃度値の分布特性を求め、前記濃度値の分布特性に基づいて、結晶膜の結晶化度を判定する判定手段とを有することを特徴とする結晶膜の検査装置である。
【0018】
本発明に従えば、照射手段および撮像手段を用いて、結晶膜を厚み方向一方から撮像する。判定手段は、予め定める第1方向に延びる複数列の帯状部分を有する画像に基づいて、第1方向と交差する第2方向の濃度値の分布を表す濃度値の分布特性を求める。その後、前記濃度値の分布特性に基づいて、結晶膜の結晶化度を判定する。このように複数列の帯状部分を有する画像に基づいて、濃度値の分布特性を求めておき、その分布特性に基づいて結晶膜の結晶化度を判定することができるので、たとえばフーリエ変換などを用いることなく結晶膜の結晶化度を確実に判定することができる。したがって前記公報に記載の従来技術のように、フーリエ変換を用いて、結晶膜の凹凸状態に周期性があるものだけを検査するのではなく、本発明においては、結晶膜の凹凸状態の周期性に依存することなく、結晶膜の結晶化度を確実に判定することができる。それ故、本検査装置の汎用性を高くすることが可能となる。
【0019】
また本発明は、照射手段は、円環状に形成されるリング照明であることを特徴とする。
【0020】
本発明に従えば、検査対象の結晶膜に、検査光を全方位から照射することが可能となる。したがって、結晶膜の凹凸状態に起因する乱反射による濃度値の読取り誤差を解消することができる。しかも、第1および第2方向の任意の検査位置で、結晶膜を撮像し検査することが可能となるので、照射手段に対する結晶膜の検査位置調整に手間がかからず、検査時間を大幅に短縮することができる。
【0021】
また本発明は、撮像手段は、電荷結合素子を用いた手段であることを特徴とする。
【0022】
本発明に従えば、電荷結合素子を用いた手段によって、第1方向に延びる複数列の帯状部分を有する画像を、撮像することが実現される。
【0023】
また本発明は、非晶質膜を作製した後、アニール処理を用いて結晶膜を作製する方法において、
前記いずれかに記載の検査方法によって得られる結晶化度に基づいて、アニール処理におけるエネルギーの過不足を判定し、この判定結果に基づいて、アニール処理によって前駆体に与えるエネルギーを制御することを特徴とする結晶膜の作製方法である。
【0024】
本発明に従えば、非晶質膜を作製した後、アニール処理を用いて結晶膜を作製した後、前記いずれかに記載の検査方法によって得られる結晶化度に基づいて、アニール処理におけるエネルギーの過不足を判定することができる。この判定結果に基づいて、アニール処理で前駆体に与えるエネルギーを制御することができ、以後、アニール処理を用いて結晶膜を作製する際、所望の結晶膜の結晶化度を実現することが可能となる。
【0025】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の実施形態に係る結晶膜の検査装置1の制御系のブロック図であり、図2は、結晶膜2の検査装置1の概略斜視図である。本実施形態は、たとえば液晶ディスプレイを製造する際に用いられる結晶性シリコン半導体膜2(以後、単に結晶膜2と呼ぶ場合もある)を検査する検査装置1に、本発明の検査装置を適用した場合の一例を示す。以下の説明は、結晶膜2の検査方法および、後述するエキシマレーザアニール装置3の制御方法についての説明をも含む。
【0026】
図4は、基板4を厚み方向に拡大して示す断面図であって、基板4の一表面部に、結晶膜2を形成する工程を段階的に示す概略説明図である。図5は、エキシマレーザアニール装置3と、結晶膜2の帯状部分との関係を示す説明図である。図4(a)に示される基板4は、電気絶縁性材料であるたとえばガラスなどから成る厚み方向から見てたとえば長方形の平板状基材5の表面部5aに、非晶質膜としての非晶質シリコン層6が形成されて構成される。非晶質シリコン層6は、たとえばプラズマCVD(CVD:Chemical Vapor Deposition)法またはLPCVD(LPCVD:Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法によって形成され、たとえば約1000Å以上1500Å以下程度の膜厚を有する。
【0027】
次に図4(b)に示すように、非晶質シリコン層6の一表面部6aに、たとえば酸化液が塗布され、この酸化液の働きによって酸化膜7が形成される。酸化膜7の一表面部7aに図示外の結晶化促進液が塗布され、その後図4(c)に示すように、酸化膜7の一表面部7aに触媒堆積層8が形成される。触媒堆積層8が形成された図4(c)に示される基板4は、非晶質シリコン層6の結晶化が始まる温度、たとえば約550℃以上でもって加熱されて非晶質シリコン層6の結晶化が進行する。非晶質シリコン層6の結晶化がある程度進行した後、エシキマレーザアニール装置3を用いて、非晶質シリコン層6に対しレーザ光Raを照射する。その結果、非晶質シリコン層6は一度溶融し、冷却固化過程を経て多結晶化する。つまり基板4の一表面部に結晶膜2が形成される。
【0028】
前記結晶膜2を検査する検査装置1は、xyステージ9と、xyステージ駆動機構10と、撮像手段としての電荷結合素子カメラ11(CCDカメラ:ChargeCoupled Deviceカメラ)と、照射手段としてのリング照明12と、判定手段としての制御装置13とを有する。xyステージ9は、基板4を吸着支持するステージであって、長方形状のステージの長手方向に沿ったx方向と、吸着支持された基板4の厚み方向およびx方向に直交するy方向とに移動可能に構成されている。xyステージ駆動機構10は、CCDカメラ11およびリング照明12に対し、結晶膜2の任意の一部分を検査対象位置に選択的に移動駆動する機構である。このxyステージ駆動機構10は、xyステージ9をx方向に移動駆動可能な駆動源を有するx方向駆動機構10aと、xyステージ9をy方向に移動駆動可能な駆動源を有するy方向駆動機構10bとを有する。
【0029】
CCDカメラ11は、基板4の厚み方向一方(矢符A1にて示す)に支持され、基板4に形成された結晶膜2を撮像可能に配置して設けられている。このCCDカメラは、たとえば約10mm×10mmの矩形状の領域を撮像可能に構成されている。リング照明12は、たとえばハロゲンランプから成り、xyステージ9に吸着支持された基板4の結晶膜2に光を照射するように構成されている。リング照明12は、円環状に形成されるとともに、CCDカメラ11のレンズ11a付近部を囲み、リング照明12の仮想中心軸が前記厚み方向に平行となるように設けられている。またリング照明12は、結晶膜2の検査対象位置に、前記厚み方向に対し斜め方向から全方位で検査光を照射するように構成されている。
【0030】
制御装置13は、中央演算処理装置14(CPU:Central Processing Unit)とロム15(ROM:Read Only Memory )とラム16(RAM:Random Access Memory )とから成るマイクロコンピュータと、バス17と、入出力インタフェース18と、駆動回路19,20とで構成されている。中央演算処理装置14とロム15とラム16とは、バス17を介して入出力インタフェース18に電気的に接続されている。制御装置13の内部において、入出力インタフェース18には画像ボード21が電気的に接続され、この画像ボード21とCCDカメラ11とが電気的に接続されている。入出力インタフェース18には、リング照明12、入力手段であるキーボード22およびマウス23がそれぞれ電気的に接続されている。
【0031】
入出力インタフェース18には、駆動回路19,20を介してxyステージ駆動機構10、ディスプレイ24がそれぞれ電気的に接続されている。ロム15には、後述する濃度値の分布特性を求め、結晶膜2の結晶化度を判定するプログラムが格納されている。本プログラムは中央演算処理装置14にて実行される。ラム16には、後述する濃度値成分の数を一時的に記録するメモリが格納されている。また、ラム16には、撮像された画像Sを一時的に記録し、ディスプレイ24に常時出力するためのメモリなどが格納されている。
【0032】
図6は、レーザエネルギーと結晶化度および表面粗さとの関係を示す図表であり、図7は、基板4の一表面部の結晶膜において、結晶化度の低い結晶膜2Aを表す斜視図およびその部分拡大図である。図8は、基板4の一表面部の結晶膜において、結晶化度の高い結晶膜2Bを表す斜視図およびその部分拡大図である。非晶質シリコン層6に対し、照射するレーザ光Raのレーザエネルギーが所望の値よりも低い場合には、結晶膜の結晶化度は、所望の100パーセントよりも低く、結晶膜の表面粗さも低い傾向にある。また、照射するレーザ光Raのレーザエネルギーが所望の値よりも高い場合には、結晶膜の表面粗さは低い傾向にある。図8に示すように、結晶膜2Bの結晶化度が高い場合には、白丸で表示される結晶粒径φは、図7に示す結晶粒径よりも大きく隆起して、たとえば直径約0.5μm程度に形成される。
【0033】
CCDカメラ11で撮像された結晶膜2の画像Sは、予め定める第1方向に相当するy方向に延びる複数列の帯状部分25を有する。エキシマレーザアニール装置3は、予め定められるパルス数で発振されてレーザ光Raを照射するように構成されている。また、エキシマレーザアニール装置3は、照射対象の非晶質シリコン層6に対し、所定のy方向長さと、y方向と直交状に交差する第2方向に相当する所定のx方向幅とを有する矩形状のレーザ光Raを照射するように構成されている。このエキシマレーザアニール装置3と、前記xyステージ駆動機構10またはxyステージ駆動機構10と略同等の駆動機構とで協働して、非晶質シリコン層6を有する基板4をx方向に送りつつ前記レーザ光Raを照射する。
【0034】
このように基板4をある送り速度でx方向に送りつつ、エキシマレーザアニール装置3は、前記矩形状のレーザ光Raを予め定められるパルス数で発振することによって、前記画像Sには、y方向に延びる複数列の帯状部分25が形成される。ただし、所望の結晶化度が得られるレーザエネルギー値よりもかなり小さいレーザエネルギー値で照射された場合には、帯状部分25は皆無となる。また、所望の結晶化度が得られるレーザエネルギー値が得られるレーザエネルギー値よりもかなり大きいレーザエネルギー値で照射された場合にも、帯状部分25は皆無となる。各帯状部分25の帯幅は、たとえば前記パルス数の整数倍に略相当する。
【0035】
図3は、結晶膜2の結晶化度を判定する工程を段階的に示すフローチャートである。ここでSi(i=1,2,3,…)はステップを示す。図9および図10は、濃度値成分26,27の数を求める方法を示すフローチャートである。ここでSi(i=10,11,12,…)はステップを示す。図11は、白の濃度値成分26の数を求める方法を段階的に示す説明図であり、図12は、黒の濃度値成分27の数を求める方法を段階的に示す説明図である。図3のステップ1および2、図9のステップ10および11に示すように、基板4すなわち結晶膜2の一部分を、xyステージ駆動機構10によって検査対象位置に移動させ、この結晶膜2に、リング照明12によって光を照射する。CCDカメラ11によって撮像される画像S(原画像Sともいう)は、帯状部分25がy方向に沿って直線状に撮像される。
【0036】
ステップ11で得られた帯状部分25を有する画像Sに基づいて、ステップ12では、画像Sに対し、y方向に沿って濃度値の平均化を行い、M×N画素の2次元の濃度値情報を1次元(M画素)化する。画像Sの濃度値情報を{(x,y)|Pxy}と表せば、1次元化される濃度値情報{x|Px}は、式(1)を演算することで得られる。このようにして得られる1次元濃度値の分布特性は、図11(b)に示される。この縦軸には1次元濃度値、横軸にはx方向寸法が示されている。
【0037】
【数1】
【0038】
このように1次元化された濃度値分布に対して、ステップ13,14において、第1モフォロジ分布である白モフォロジ分布を求める第1のモフォロジ処理を実行し、ステップ18において、第2モフォロジ分布である黒モフォロジ分布を求める第2のモフォロジ処理を実行する。第1のモフォロジ処理は、前記濃度値分布に対して、x方向に走査しながら予め定める領域内の最小値を求める最小値化処理をして最小値分布を求め、この最小値分布に対してx方向に走査しながら前記領域内の最大値を求める最大値化処理をして最大値分布を求め、前記濃度値分布と最大値分布との差を求めて第1モフォロジ分布を得ることができる。第1のモフォロジ処理は白モフォロジ処理とも呼ばれている。図11(c)および図11(d)が、第1モフォロジ分布に相当する。
【0039】
第2のモフォロジ処理は、前記濃度値分布に対して、x方向に走査しながら予め定める領域内の最大値を求める最大値化処理をして最大値分布を求め、この最大値分布に対してx方向に走査しながら前記領域内の最小値を求める最小値化処理をして最小値分布を求め、この最小値分布と前記濃度値分布との差を求めて第2モフォロジ分布を得ることができる。第2のモフォロジ処理は黒モフォロジ処理とも呼ばれる。図12(c)および図12(d)が、第2モフォロジ分布に相当する。具体的に白モフォロジ分布は、式(2)を演算することで得られ、黒モフォロジ分布は、式(3)を演算することで得られる。
【0040】
【数2】
【0041】
式(2)〜(5)のうちMin[]は、[]の中の数列の最小値を選出する演算子である。たとえば白モフォロジ処理を実行する場合、すなわち白の帯状部分25を抽出する場合には、図11(b)に示される1次元濃度値の分布特性すなわち濃度値分布に対して、x方向に走査しながら予め定める領域f(フィルタサイズfともいう)内の最小値を求める最小値化処理であって、図11(c)の最小値化処理をして最小値分布を求める。次に、この最小値分布に対してx方向に走査しながら前記領域f内の最大値を求める最大値化処理であって、図11(d)の最大値化処理をして最大値分布を求める。ここで、前記フィルタサイズfより幅の小さい白の帯状部分25については、この白モフォロジ処理によって復元されないので、元の前記濃度値分布と最大値分布との差を求めて、図11(e)に示すように、フィルタサイズfより小さい白の帯状部分すなわち濃度値成分26だけを抽出することが可能となる。
【0042】
式(2)〜(5)のうちMax[]は、[]の中の数列の最大値を選出する演算子である。たとえば黒モフォロジ処理を実行する場合、すなわち黒の帯状部分25を抽出する場合には、図12(b)に示される濃度値分布に対して、x方向に走査しながら予め定めるフィルタサイズf内の最大値を求める最大値化処理であって、図12(c)の最大値化処理をして最大値分布を求める。次に、この最大値分布に対してx方向に走査しながらフィルタサイズf内の最小値を求める最小値化処理であって、図12(d)の最小値化処理をして最小値分布を求める。次に、最小値分布と前記濃度値分布との差を求めて、図12(e)に示すように、フィルタサイズfより小さい黒の帯状部分すなわち濃度値成分27だけを抽出することが可能となる。
【0043】
次にステップ15またはステップ19において、白および黒の帯状部分の特徴を定量化する方法として、位置、幅、コントラストというパラメータを導入する。ある適当な濃度値のしきい値に対して、それを超過する画素が連続する範囲を1つの帯状部分とみなし、連続画素数を幅h、連続画素列の並び方向中央付近部を位置x、最大濃度値をコントラストCとして定義し、図11(c)〜(e)、図12(c)〜(e)に対して適用して、予め定める寸法の濃度値成分26,27を検出する。ステップ17においては、1つのフィルタサイズfに対して抽出された白の濃度値成分26の数を、帯状部分25の数としてラム16の図示外のメモリに一時的に記録する。ステップ21においては、1つのフィルタサイズfに対して抽出された黒の濃度値成分27の数を、帯状部分25の数としてラム16の図示外のメモリに一時的に記録する。
【0044】
このようにして得られる濃度値成分の幅hは、サイズf0のフィルタの2倍に、1を加えた値より小さいという関係が成立するので、フィルタサイズf0の2倍に1を加えた値を超える幅の濃度値成分は、検出できないことになる。そこで、以下のステップとしてフィルタサイズf0を2倍にして前述と同様のステップ14〜17、ステップ18〜21を実行すれば、より幅の広い濃度値成分26,27の検出が可能となる。フィルタサイズf0を2倍にした場合の抽出結果は、その前のフィルタサイズf0で抽出された濃度値成分も含まれているので、重複して計上される濃度値成分が存在することになる。
【0045】
したがって重複して計上される濃度値成分を排除する方法として、ステップ16、ステップ20において、幅hがその前のフィルタサイズf0以下の濃度値成分は数に計上しない処理を実行する。ただし、最初のフィルタサイズf0のときこのステップ16,20は省略する。このようにフィルタサイズf0において、ステップ14の白モフォロジ処理、ステップ15の濃度値成分26の抽出、ステップ17のその数をラム16のメモリに一時的に記録、ステップ18の黒モフォロジ処理、ステップ19の濃度値成分27の抽出、ステップ21においてその数をラム16のメモリに一時的に記録するサブルーチンを実行する。
【0046】
次に、フィルタサイズf0を2倍したフィルタサイズ2f0において、白モフォロジ処理、濃度値成分26の抽出、重複した濃度値成分26の排除、白の濃度値成分26の数の計上、黒モフォロジ処理、濃度値成分27の抽出、重複した濃度値成分27の排除、黒の濃度値成分27の数を計上するサブルーチンを実行する。以下、フィルタサイズf0を4倍したフィルタサイズ4f0において、白の濃度値成分26の数の計上および黒の濃度値成分27の数を計上するサブルーチンを実行する。そしてフィルタサイズfがQになるまでこのサブルーチンを実行する。ただし、フィルタサイズQは、画素Nを2で除した値を超えない値とする。その後、ステップ25に移行して白モフォロジ処理の各フィルタサイズf0,2f0,4f0,…,Qで得られた白の濃度値成分26の数と、黒モフォロジ処理の各フィルタサイズf0,2f0,4f0,…,Qで得られた黒の濃度値成分27の数とを合算してディスプレイ24に出力する。この出力された数を、帯状部分発生度合いとして結晶膜2の評価に用いる。
【0047】
図13は、フィルタサイズfとコントラストしきい値Cfとの関係を示す図表であり、図14は、フィルタサイズfと演算対象となる基準画素Kとの関係を示す説明図であり、図15は、フィルタサイズfおよびコントラストしきい値Cfの具体的な設定例を示す図表である。フィルタサイズをf0,2f0,4f0,…,Qと多段階にするのは、たとえば人による目視確認によって、各フィルタサイズf0,2f0,4f0,…,Qすなわち各帯状部分25の幅に最も適したコントラストしきい値Cfを設定することに起因している。つまり人は、細い帯状部分25は少々コントラストが低くても見分けられるが、幅の広い帯状部分25はコントラストが大きくないと見分けられないという視覚特性いわゆるMTF特性(MTF:Modulation Transfer Function)を有する。このようなMTF特性を利用するために、フィルタサイズfを多段階に設定し、各フィルタサイズf0,2f0,4f0,…,Qすなわち帯状部分25の幅に最も適したコントラストしきい値を、目視確認によって設定することができる。なお各フィルタサイズf0,2f0,4f0,…,Qは、たとえばノイズの影響を無視でき、感度が良好なサイズが経験的に適用されている。前記コントラストしきい値Cfは、具体的にはフィルタサイズfの関数として、Cf=a・fbのように定義することができる。ただしa,bは定数とする。
【0048】
図16は、エキシマレーザアニール装置3のエネルギー制御値(レーザエネルギー値ともいう)と、撮像した画像S全体の濃度値の平均値Avおよび帯状部分25の数Zとの関係を示す図表であり、図17は、エキシマレーザアニール装置3のエネルギーの強度と結晶膜2の画像Sとの関係を示す説明図であり、図18は、検査装置1とエキシマレーザアニール装置3との関係を示すブロック図である。図16に示すように、エキシマレーザアニール装置3のレーザエネルギー値と結晶化度との間には、所望の結晶化度が得られるレーザエネルギー値よりも小さい領域において、レーザエネルギー値が大きくなれば、結晶膜2の結晶化度および濃度値の平均値は高くなる傾向にある。所望の結晶化度が得られるレーザエネルギー値を超える領域においては、レーザエネルギー値が大きくなれば、結晶膜の結晶化度および濃度値の平均値は低くなる傾向にある。
【0049】
またエキシマレーザアニール装置3のレーザエネルギー値と、モフォロジ処理によって得られた濃度値成分の数Zとの間には、所望の結晶化度が得られるレーザエネルギー値よりも小さい領域において、レーザエネルギー値の大小に関わらず前記濃度値成分の数Zは「0」となる。所望の結晶化度が得られるレーザエネルギー値を超える領域においては、レーザエネルギー値が大きくなれば、濃度値成分の数Zは大きくなる傾向にある。具体的に図17(a)は、所望の結晶化度が得られるレーザエネルギー値よりもかなり小さいレーザエネルギー値で照射された場合の結晶膜2Cの撮像画像Sの部分拡大図であり、帯状部分は皆無となる。
【0050】
図17(b)は、所望の結晶化度が得られるレーザエネルギー値で照射された場合の結晶膜2Dの撮像画像Sの部分拡大図であり、白の帯状部分25と黒の帯状部分25とが混在されている。図17(c)は、所望の結晶化度が得られるレーザエネルギー値よりもやや大きいレーザエネルギー値で照射された場合の結晶膜2Eの撮像画像Sの部分拡大図であり、白の帯状部分25と黒の帯状部分25とが混在されている。図17(d)は、所望の結晶化度が得られるレーザエネルギー値よりもかなり大きいレーザエネルギー値で照射された場合の結晶膜2Fの撮像画像Sの部分拡大図であり、帯状部分は皆無となる。
【0051】
したがってエキシマレーザアニール装置3による結晶化工程の直後に、生産される全基板4の結晶膜2の検査つまり全数検査、または全ての生産ロット単位内での結晶膜2の抜取り検査をして、濃度値の平均値Avと帯状部分の数Zの変動を、ディスプレイ24で常に監視することによって、濃度値の平均値Avがあるレベルを下回りかつ帯状部分の数Zが「0」になった場合には、レーザエネルギー値は、所望の結晶化度が得られるレーザエネルギー値よりも小さくなっていることを即座に検出し得る。濃度値の平均値Avがあるレベルを下回りかつ帯状部分の数Zが「0」でない場合には、レーザエネルギー値は、所望の結晶化度が得られるレーザエネルギー値よりも大きくなっていることを即座に検出し得る。このように2つの関係すなわち、撮像した画像全体の濃度値の平均値Avとレーザエネルギー値との関係と、帯状部分の数Zとレーザエネルギー値との関係とから、レーザエネルギー値の出力異常を即座に検知することができ、不所望の結晶化度の結晶膜すなわち不良基板を排除することが可能となる。
【0052】
また、検査装置1によって得た撮像画像Sの基板4上の位置すなわちxy座標、画像全体の濃度値の平均値Av、帯状部分の数Zなどの情報を、制御部28を介してエキシマレーザアニール装置3にフィードバックすることができる。制御部28は、エキシマレーザアニール装置3とは別体に設けられている。制御部28は、前記情報に基づいて、エキシマレーザアニール装置3に対して主にレーザエネルギー値などの運転条件を変更する指令を送る。
【0053】
具体的には、制御部28は、前記xy座標、濃度値の平均値Av、帯状部分の数Zなどの情報と、図16に示すレーザエネルギー値と濃度値の平均値との関係を予め記憶しておく図示外の記憶手段を有し、これによって基板4上のxy座標でレーザエネルギー値が、所望の結晶化度が得られるレーザエネルギー値に対してどの程度過不足があったかを判断することができる。
【0054】
制御部28での判定の結果、基板4全面部についてレーザエネルギー値が一定量不足または一定量過多である場合、エキシマレーザアニール装置3に対してエネルギー制御量を一定量だけ上げるまたは下げる指令を送ることによって、次の基板4から所望の結晶化度が得られる最適な状態で生産することが可能となる。また、レーザエネルギー値の過不足が基板4上の位置に依存して毎基板再現される場合には、エキシマレーザアニール3に対して、基板4の位置と過不足に対応したエネルギー制御量の増減を指令することによって、次の基板4から所望の結晶化度が得られる最適な状態で生産することが可能となる。このように、エキシマレーザアニール装置3は、制御部28によって、レーザエネルギー値が所望の結晶化度が得られるレーザエネルギー値よりも大きいのか小さいのかが判定されて、所望のエネルギー値に制御される。したがって、製造プロセスの安定化を図ることが可能となる。
【0055】
以上説明した結晶膜2の検査方法によれば、第1工程において、結晶膜2を厚み方向一方から撮像した画像であって、予め定めるy方向に延びる複数列の帯状部分25を有する画像Sに基づいて、y方向と交差するx方向の濃度値の分布を表す濃度値の分布特性を求める。次に第2工程において、前記濃度値の分布特性に基づいて、結晶膜2の結晶化度を判定する。このように複数列の帯状部分25を有する画像Sに基づいて、濃度値の分布特性を求めておき、この濃度値の分布特性と結晶膜2の結晶化度との間には、相関性があることを利用して、前記分布特性に基づいて結晶膜2の結晶化度を判定することができる。それ故、たとえばフーリエ変換などを用いることなく結晶膜2の結晶化度を確実に判定することができる。
【0056】
したがって前記公報に記載の従来技術のように、フーリエ変換を用いて、結晶膜の凹凸状態に一定の周期性があるものだけを検査するのではなく、本実施形態においては、結晶膜2の凹凸状態の周期性に依存することなく、結晶膜2の結晶化度を確実に判定することができる。それ故、本検査方法の汎用性を高くすることが可能となる。
【0057】
また結晶膜の結晶化度を判定する第2工程において、濃度値の分布特性に加えて、撮像した画像全体の濃度値の平均値Avに基づいて、結晶化度を判定することができる。つまり結晶化度と濃度値とは、相関性があるが、画像全体のうち、たとえば1列の帯状部分25の中でも、与えられるエネルギーの分布特性などによって、濃度値はy方向に沿って変動する。したがって1つの結晶膜における濃度値に対する結晶化度を、一層客観的に判断するために、撮像した画像全体の濃度値の平均値Avを求め、この画像全体の濃度値の平均値Avと、前記第1工程で求めたx方向の濃度値の分布特性とに基づいて、結晶膜2の結晶化度を判定している。したがって、結晶膜2の結晶化度を、従来技術のものよりも正確にかつ簡単に判定することが可能となる。
【0058】
前記第2工程において、白モフォロジ処理と黒モフォロジ処理とによって求められるモフォロジ分布から、予め定める寸法の濃度値成分26,27を検出し、これら濃度値成分26,27の数に基づいて、結晶化度を判定することができる。このように予め定める寸法の濃度値成分26,27を検出したうえで、これら濃度値成分26,27の数に基づいて、結晶膜2の結晶化度を判定することができるので、濃度値の定量化を行ったうえで、結晶膜2の結晶化度を、従来技術のものよりも正確にかつ簡単に判定することが可能となる。
【0059】
照射手段は、円環状に形成されるリング照明12であるので、検査対象の結晶膜2に、検査光を全方位から照射することが可能となる。したがって、結晶膜2の凹凸状態に起因する乱反射による濃度値の読取り誤差を解消することができる。しかも、第1および第2方向における任意の検査位置で、結晶膜2を撮像し検査することが可能となるので、照射手段に対する結晶膜2の検査位置調整に手間がかからず検査時間を大幅に短縮することができる。またCCDカメラ11によって、y方向に延びる複数列の帯状部分25を有する画像Sを撮像することが実現される。
【0060】
前記検査装置1および検査方法によって得られる結晶化度に基づいて、アニール処理におけるエネルギーの過不足を判定し、この判定結果に基づいてアニール処理で前駆体に与えるエネルギーを制御することができるので、その制御以後、所望の結晶膜の結晶化度を実現することが可能となる。エネルギーの過不足情報は、具体的には工程内CIM(CIM:Computer Integrated Manufacturing)を通してエキシマレーザアニール装置3にフィードバックするようになっている。
【0061】
本発明の実施の他の形態として、白の濃度値成分の数および黒の濃度値成分の数のいずれか一方のみを、結晶膜の評価に用いるようにすることも可能である。この場合には、いずれか一方のモフォロジ処理によって得られたモフォロジ分布から、予め定める寸法の濃度値成分を検出し、この濃度値成分の数のみに基づいて、結晶化度を判定することができる。したがって前記実施形態と比べて、演算対象である中央演算処理装置の負荷を軽減することができ、結晶膜の検査時間を格段に短縮することができる。
【0062】
フィルタサイズは、必ずしもf0,2f0,4f0,…に限定されるものではなく、たとえばf0,3f0,6f0,…などの種々な多段階の設定にすることが可能である。結晶化工程で用いられるアニール装置は、必ずしもエキシマレーザアニール装置に限定されるものではなく、電子ビームおよび熱放射など各種の加熱源を用いたアニール装置を適用することも可能である。
【0063】
図19は、本発明を部分的に変更した変更形態に係り、検査装置1と、制御部28Aを有するエシキマレーザアニール装置3Aとの関係を示すブロック図である。前記実施形態においては、制御部28は、検査装置1およびエキシマレーザアニール装置3に独立して設けられているが、本変更形態においては、制御部28Aは、エシキマレーザアニール装置3Aに設けられ、このエキシマレーザアニール装置3Aに対して前記と同様にフィードバック制御を行うことができる。
【0064】
図20は、制御部28Bを有する検査装置1Aと、エキシマレーザアニール装置3との関係を示すブロック図であり、図21は、制御部と計測演算部とを有するエキシマレーザアニール装置の図20相当図である。制御部28Bを検査装置1Aに一体的に設けてもよい。またエキシマレーザアニール装置3Bに、制御部28Cおよび計測演算部29を組込み、これらエキシマレーザアニール装置3B、制御部28Cおよび計測演算部29を一体化してもよい。その他、前記実施形態に、特許請求の範囲を逸脱しない範囲において種々の部分的変更を行う場合もある。
【0065】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、複数列の帯状部分を有する画像に基づいて、濃度値の分布特性を求めておき、この濃度値の分布特性と結晶膜の結晶化度との間には、相関性があることを利用して、前記分布特性に基づいて結晶膜の結晶化度を判定することができる。それ故、たとえばフーリエ変換などを用いることなく結晶膜の結晶化度を確実に判定することができる。したがって前記公報に記載の従来技術のように、フーリエ変換を用いて、結晶膜の凹凸状態に周期性があるものだけを検査するのではなく、本発明においては、結晶膜の凹凸状態の周期性に依存することなく、結晶膜の結晶化度を確実に判定することができる。それ故、本検査方法の汎用性を高くすることが可能となる。
【0066】
また本発明によれば、結晶膜の結晶化度を判定する第2工程において、濃度値の分布特性に加えて、撮像した画像全体の濃度値の平均値に基づいて、結晶化度を判定することができる。つまり結晶化度と濃度値とは、相関性があるが、画像全体のうち、たとえば1つの帯状部分の中でも、与えられるエネルギーの分布特性などによって、濃度値は第1方向に沿って変動する。したがって1つの結晶膜における濃度値に対する結晶化度を、一層客観的に判断するために、撮像した画像全体の濃度値の平均値を求め、この画像全体の濃度値の平均値と、前記第1工程で求めた第2方向の濃度値の分布特性とに基づいて、結晶膜の結晶化度を判定している。したがって、結晶膜の結晶化度を従来技術のものよりも正確にかつ簡単に判定することが可能となる。
【0067】
また本発明によれば、第2工程において、第1のモフォロジ処理および第2のモフォロジ処理の、少なくともいずれか一方のモフォロジ処理によって求められるモフォロジ分布から、予め定める寸法の濃度値成分を検出し、この濃度値成分の数に基づいて、結晶化度を判定することができる。このように予め定める寸法の濃度値成分を検出したうえで、この濃度値成分の数に基づいて、結晶膜の結晶化度を判定することができるので、濃度値の定量化を行ったうえで、結晶化度を、従来技術のものよりも正確にかつ簡単に判定することが可能となる。
【0068】
また本発明によれば、照射手段および撮像手段を用いて、結晶膜を厚み方向一方から撮像する。判定手段は、予め定める第1方向に延びる複数列の帯状部分を有する画像に基づいて、第1方向と交差する第2方向の濃度値の分布を表す濃度値の分布特性を求める。その後、前記濃度値の分布特性に基づいて、結晶膜の結晶化度を判定する。このように複数列の帯状部分を有する画像に基づいて、濃度値の分布特性を求めておき、その分布特性に基づいて結晶膜の結晶化度を判定することができるので、たとえばフーリエ変換などを用いることなく結晶膜の結晶化度を確実に判定することができる。したがって前記公報に記載の従来技術のように、フーリエ変換を用いて、結晶膜の凹凸状態に周期性があるものだけを検査するのではなく、本発明においては、結晶膜の凹凸状態の周期性に依存することなく、結晶膜の結晶化度を確実に判定することができる。それ故、本検査装置の汎用性を高くすることが可能となる。
【0069】
また本発明によれば、検査対象の結晶膜に、検査光を全方位から照射することが可能となる。したがって、結晶膜の凹凸状態に起因する乱反射による濃度値の読取り誤差を解消することができる。しかも、第1および第2方向の任意の検査位置で、結晶膜を撮像し検査することが可能となるので、結晶膜の検査位置調整に手間がかからず検査時間を短縮することができる。
【0070】
また本発明によれば、電荷結合素子を用いた手段によって、第1方向に延びる複数列の帯状部分を有する画像を、撮像することが実現される。
【0071】
また本発明によれば、非晶質膜を作製した後、アニール処理を用いて結晶膜を作製した後、前記いずれかに記載の検査方法によって得られる結晶化度に基づいて、アニール処理におけるエネルギーの過不足を判定することができる。この判定結果に基づいて、アニール処理で前駆体に与えるエネルギーを制御することができ、以後、アニール処理を用いて結晶膜を作製する際、所望の結晶膜の結晶化度を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る結晶膜2の検査装置1の制御系のブロック図である。
【図2】結晶膜2の検査装置1の概略斜視図である。
【図3】結晶膜2の結晶化度を判定する工程を段階的に示すフローチャートである。
【図4】基板4の一表面部に、結晶膜2を形成する工程を段階的に示す概略説明図である。
【図5】エキシマレーザアニール装置3と、帯状部分25との関係を示す説明図である。
【図6】レーザエネルギーと結晶化度および表面粗さとの関係を示す図表である。
【図7】基板4の一表面部の結晶膜2Aであって、結晶化度の低い結晶膜2Aを表す斜視図および部分拡大図である。
【図8】基板4の一表面部の結晶膜2Bであって、結晶化度の高い結晶膜2Bを表す斜視図および部分拡大図である。
【図9】濃度値成分の数を求める方法を示すフローチャートである。
【図10】濃度値成分の数を求める方法を示すフローチャートである。
【図11】白の濃度値成分26の数を求める方法を段階的に示す説明図である。
【図12】黒の濃度値成分27の数を求める方法を段階的に示す説明図である。
【図13】フィルタサイズfとコントラストしきい値Cfとの関係を示す図表である。
【図14】フィルタサイズfと演算対象となる基準画素Kとの関係を示す説明図である。
【図15】フィルタサイズfおよびコントラストしきい値Cfの具体的な設定例を示す図表である。
【図16】エキシマレーザアニール装置3のエネルギーと、撮像した画像全体の濃度値の平均値Avおよび帯状部分の数Zとの関係を示す図表である。
【図17】エキシマレーザアニール装置3のエネルギーの強度と結晶膜の画像Sとの関係を示す説明図である。
【図18】検査装置1とエキシマレーザアニール装置3との関係を示すブロック図である。
【図19】検査装置と、制御部を有するエシキマレーザアニール装置との関係を示すブロック図である。
【図20】制御部を有する検査装置と、エキシマレーザアニール装置との関係を示すブロック図である。
【図21】制御部と計測演算部とを有するエキシマレーザアニール装置の図20相当図である。
【符号の説明】
1 検査装置
2 結晶膜
3 エキシマレーザアニール装置
11 CCDカメラ
12 リング照明
13 制御装置
14 中央演算処理装置
15 ロム
16 ラム
25 帯状部分
26,27 濃度値成分
f フィルタサイズ
Claims (7)
- 結晶膜を厚み方向一方から撮像した画像であって、予め定める第1方向に延びる複数列の帯状部分を有する画像に基づいて、第1方向と交差する第2方向の濃度値の分布を表す濃度値の分布特性を求める第1工程と、
前記濃度値の分布特性に基づいて、結晶膜の結晶化度を判定する第2工程とを有することを特徴とする結晶膜の検査方法。 - 第2工程において、
前記分布特性に加えて、撮像した画像全体の濃度値の平均値に基づいて、結晶化度を判定することを特徴とする請求項1に記載の結晶膜の検査方法。 - 第2工程において、
濃度値分布に対して、第2方向に走査しながら予め定める領域内の最小値を求める最小値化処理をして最小値分布を求め、この最小値分布に対して第2方向に走査しながら前記領域内の最大値を求める最大値化処理をして最大値分布を求め、前記濃度値分布と最大値分布との差を求めて第1モフォロジ分布を求める第1のモフォロジ処理および、
濃度値分布に対して、第2方向に走査しながら予め定める領域内の最大値を求める最大値化処理をして最大値分布を求め、この最大値分布に対して第2方向に走査しながら前記領域内の最小値を求める最小値化処理をして最小値分布を求め、この最小値分布と前記濃度値分布との差を求めて第2モフォロジ分布を求める第2のモフォロジ処理の
少なくともいずれか一方のモフォロジ処理によって求められるモフォロジ分布から予め定める寸法の濃度値成分を検出して、濃度値成分の数に基づいて、結晶化度を判定することを特徴とする請求項1に記載の結晶膜の検査方法。 - 結晶膜に光を照射する照射手段と、
結晶膜を撮像する撮像手段と、
照射手段および撮像手段を用いて、結晶膜を厚み方向一方から撮像した画像であって、予め定める第1方向に延びる複数列の帯状部分を有する画像に基づいて、第1方向と交差する第2方向の濃度値の分布を表す濃度値の分布特性を求め、前記濃度値の分布特性に基づいて、結晶膜の結晶化度を判定する判定手段とを有することを特徴とする結晶膜の検査装置。 - 照射手段は、円環状に形成されるリング照明であることを特徴とする請求項4に記載の結晶膜の検査装置。
- 撮像手段は、電荷結合素子を用いた手段であることを特徴とする請求項4に記載の結晶膜の検査装置。
- 非晶質膜を作製した後、アニール処理を用いて結晶膜を作製する方法において、
請求項1〜3のいずれかに記載の検査方法によって得られる結晶化度に基づいて、アニール処理におけるエネルギーの過不足を判定し、この判定結果に基づいて、アニール処理によって前駆体に与えるエネルギーを制御することを特徴とする結晶膜の作製方法。
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