JP2007520874A - 半導体装置の製造方法および半導体検査装置 - Google Patents
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Abstract
Description
ファスシリコン膜を形成する成膜工程と、前記アモルファスシリコン膜の多結晶化に向けて前記アモルファスシリコン膜の改質を行う1工程以上からなる前処理工程と、前記前処理工程を行い改質したアモルファスシリコン膜にレーザ処理を行って多結晶シリコン膜を製造するレーザ処理工程と、を有しており、前記前処理工程後のアモルファスシリコン膜の所定の領域に対する所定の検査に基づいて、レーザパワーを決定するレーザパワー検査抽出工程を有し、前記レーザ処理工程は、前記レーザパワー検査抽出工程で決定されたレーザパワーを用いるとよい。この方法により、従来よりも最適なレーザパワー状態で多結晶シリコン膜が製造でき、量産製品において品質向上および安定化を図ることができる。また、最適なレーザパワーは、レーザ処理前のアモルファスシリコン膜の膜厚や膜質に応じて変動するが、本発明により、製品基板ごとにより最適なレーザパワーを求めて多結晶シリコン膜を製造することが可能となる。モニタ基板を使用する場合に比べて、余分な材料や工程処理が低減され製造効率を上げることができる。
ら800nmの波長を用いるとよい。前記波長領域の分光特性は、高品質な多結晶シリコン膜に特有に観察されるため、高品質な多結晶シリコン膜が製造されているかどうか判別することが可能となる。また、例えば、波長308nmのXeClレーザ処理光に感知することなくレーザ処理室内や近傍で測定が可能となる。
2 SPC工程
3 レーザアニール処理工程
4 最適パワー検査抽出工程
5 ゲート絶縁膜成膜工程
11 アモルファスシリコン成膜工程
12 SPC工程
13 レーザ処理工程
14 最適パワー検査抽出工程
15 ゲート絶縁膜成膜工程
20 製品基板
21 機能素子部
22 レーザパワーモニタ部
23 アモルファスシリコン成膜工程
24 SPC工程
25 レーザ処理工程
26 最適パワー検査抽出工程
27 ゲート絶縁膜成膜工程
30 分光分析装置
31 光源ボックス
32 分光器
33 光ファイバー
34 ヘッド
34a 受光用ヘッド
34b 照射用ヘッド
35 基板上の膜
36 基板
37 画像カメラ
38 260mJ/cm2(スペクトル)
39 340mJ/cm2(スペクトル)
40 360―370mJ/cm2(スペクトル)
41 450mJ/cm2(スペクトル)
50 画像法を利用したモニタリング装置
51 拡大レンズ
52 カメラ
53 LED
54 照明具
55 基板
56 画像モニタシステム
57 カメラ
58 顕微鏡
59 照明具
60 蛍光管
61 基板
71 レーザ処理装置
71a レーザ処理装置出入り口
72 洗浄装置
72a 洗浄装置出入り口
73 基板搬送用ロボット
74 基板
75 遮光体
76 アモルファスシリコン成膜工程
77 SPC工程
78 レーザ処理工程
79 最適パワー検査抽出工程
80 ゲート絶縁膜成膜工程
81 基板搬送用ロボット
81a ステージ
82 絶対確認リファレンス基板
83 測定値較正用リファレンス基板
84 基板
85 測定ヘッド
91 基板
92 機能素子部
93 測定点
101 カメラ
102 基板
103 青色系の照明
104 固定冶具
105 ステージ枠
106 基板支持ピン
110 2方式モニタリング装置
50a 処理部
50b 判別部
50c 送信部
50d 操作表示部
50e メモリ部
Claims (22)
- 基板上にアモルファスシリコン膜を形成する成膜工程と、前記アモルファスシリコン膜の多結晶化に向けて前記アモルファスシリコン膜の改質を行う1工程以上からなる前処理工程と、前記前処理工程を行い改質したアモルファスシリコン膜にレーザ処理を行って多結晶シリコン膜を製造するレーザ処理工程と、を有した半導体装置の製造方法において、
前記前処理工程後のアモルファスシリコン膜の所定の領域に対する所定の検査に基づいて、レーザパワーを決定するレーザパワー検査抽出工程を有し、
前記レーザ処理工程は、前記レーザパワー検査抽出工程で決定されたレーザパワーを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記レーザパワー検査抽出工程は、分光法を用いた検査に基づいて、レーザパワーを決定することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記分光法の測定波長は、700から800nmを用いることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザパワー検査抽出工程は、測定点に光を照射して測定点を対象に取得した画像を検出する画像法を用いた検査に基づいて、レーザパワーを決定することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記画像法を用いた検査は、異物や膜質異常を検査することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記分光法および前記画像法を用いた検査は、測定点に対して、測定点の周囲から測定用の光を照射して検査を行うことを特徴とする請求項2〜請求項5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザパワー検査抽出工程は、前記レーザ処理工程でレーザ処理を行うレーザ処理装置近傍で検査が行なわれることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザパワー検査抽出工程は、基板上の膜表面を検査することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザパワー検査抽出工程は、多結晶シリコン膜の検査機能とレーザパワーを決定する検査機能の両方を備えた装置を用いて検査することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザパワー検査抽出工程は、検査結果に測定定量値を設けることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記測定定量値は、較正用基板を配置し、較正を行う機能を有した装置を用いて決定されることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザパワー検査抽出工程は、多結晶シリコン膜の検査機能と、レーザパワーの最適値を自動決定し、その自動決定されたレーザパワーの最適値をレーザ処理装置に自動供給する機能と、の両方を備えた装置を用いて検査を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザ処理工程は、前記レーザパワー検査抽出工程で決定されたレーザパワーの最適値よりも5mJあるいは10mJ低いレーザパワーを用いることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザパワー検査抽出工程は、多結晶シリコン膜を多点測定検査を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザパワー検査抽出工程は、レーザ処理前に基板上の膜のアモルファスシリコン膜と多結晶シリコン膜の比率を判別検査することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザパワー検査抽出工程は、レーザ処理後に基板上の膜のアモルファスシリコン膜と多結晶シリコン膜の比率を判別検査することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザパワー検査抽出工程は、レーザ処理前後に基板上の膜のアモルファスシリコン膜と多結晶シリコン膜の比率を判別検査することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 光を照射する発光部と、該光を反射して所定の基板に照射する照明具と、該所定の基板から反射された反射光が入射され、その入射光を拡大する拡大部と、該拡大部により拡大された該入射光を画像データに変換するカメラ部と、前記カメラ部から該画像データを読み込んで所定のデータ処理を行う処理部と、該所定のデータ処理の結果を判別して所定の値を決定するための判別条件を記憶するメモリ部と、該判別条件に従って前記所定のデータ処理の結果から所定の値を判別して決定する判別部と、外部の装置との通信の接続を確立し、前記所定の値を外部の装置に送信する送信部と、有して成ることを特徴とする半導体検査装置。
- 前記照明具による前記所定の基板への前記光の照射角度は、30度から60度を用いることを特徴とする請求項18に記載の半導体検査装置。
- 前記所定の基板に可視光領域の複数の異なる波長の光を照射し、前記所定の基板による反射光を受光して測定された分光データを前記処理部に入力する分光装置を有し、
前記処理部は、該分光データを該波長に対する該反射光の強度分布データに変換する処理を行うことを特徴とする請求項18に記載の半導体検査装置。 - 前記基板にアモルファスシリコン膜あるいは多結晶シリコン膜が成膜されている場合には、前記波長は、700から800nmを用いることを特徴とする請求項20に記載の半導体検査装置。
- 前記基板にアモルファスシリコン膜あるいは多結晶シリコン膜が成膜されている場合には、前記判別部は、アモルファスシリコン膜から多結晶シリコン膜に改質させるための最適なレーザパワーの値を判別決定することを特徴とする請求項18〜請求項21のいずれかに記載の半導体検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006524566A JP4963064B2 (ja) | 2004-03-04 | 2005-03-02 | 半導体装置の製造方法および半導体検査装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004060511 | 2004-03-04 | ||
JP2004060511 | 2004-03-04 | ||
PCT/JP2005/004036 WO2005086211A1 (en) | 2004-03-04 | 2005-03-02 | Method for fabricating a semiconductor device and apparatus for inspecting a semiconductor |
JP2006524566A JP4963064B2 (ja) | 2004-03-04 | 2005-03-02 | 半導体装置の製造方法および半導体検査装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010225094A Division JP2011014928A (ja) | 2004-03-04 | 2010-10-04 | 半導体装置の製造方法および半導体検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007520874A true JP2007520874A (ja) | 2007-07-26 |
JP4963064B2 JP4963064B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=34918022
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006524566A Active JP4963064B2 (ja) | 2004-03-04 | 2005-03-02 | 半導体装置の製造方法および半導体検査装置 |
JP2010225094A Pending JP2011014928A (ja) | 2004-03-04 | 2010-10-04 | 半導体装置の製造方法および半導体検査装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010225094A Pending JP2011014928A (ja) | 2004-03-04 | 2010-10-04 | 半導体装置の製造方法および半導体検査装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8101018B2 (ja) |
JP (2) | JP4963064B2 (ja) |
CN (1) | CN100466180C (ja) |
TW (1) | TWI263267B (ja) |
WO (1) | WO2005086211A1 (ja) |
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-
2005
- 2005-03-02 WO PCT/JP2005/004036 patent/WO2005086211A1/en active Application Filing
- 2005-03-02 TW TW094106315A patent/TWI263267B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-03-02 JP JP2006524566A patent/JP4963064B2/ja active Active
- 2005-03-02 CN CNB2005800068643A patent/CN100466180C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-02 US US10/598,488 patent/US8101018B2/en not_active Expired - Fee Related
-
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- 2010-10-04 JP JP2010225094A patent/JP2011014928A/ja active Pending
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JP7178710B2 (ja) | 2019-07-11 | 2022-11-28 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ修正方法、レーザ修正装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1926665A (zh) | 2007-03-07 |
TW200540975A (en) | 2005-12-16 |
CN100466180C (zh) | 2009-03-04 |
US20070173039A1 (en) | 2007-07-26 |
US8101018B2 (en) | 2012-01-24 |
JP4963064B2 (ja) | 2012-06-27 |
WO2005086211A1 (en) | 2005-09-15 |
TWI263267B (en) | 2006-10-01 |
JP2011014928A (ja) | 2011-01-20 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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