JPH1091099A

JPH1091099A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH1091099A
Application number: JP8246691A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Akiyama; 政彦秋山; Kazuki Taira; 和樹平; Norihiko Kamiura; 紀彦上浦; Kohei Suzuki; 公平鈴木; Hiroko Kitsu; 裕子岐津; Yoko Fukunaga; 容子福永; Yasushi Kawada; 靖川田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1996-09-18
Filing date: 1996-09-18
Publication date: 1998-04-10

Abstract

(57)【要約】【課題】コントラストの低下等の画質劣化を低減する
ことが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】複数のスイッチング素子及びこれらのス
イッチング素子に接続される複数の画素電極２０をマト
リクス状に配置した第１の基板１１と、第１の基板１１
に対向する面側に対向電極２２が形成された第２の基板
２１と、第１の基板１１と第２の基板２１との間に設け
た液晶層２３とを有し、画素電極２０と対向電極２２と
の間の電位差に応じて液晶層２３に状態変化を与えるこ
とにより表示を行う反射型の液晶表示装置において、画
素電極２０を透明導電層によって構成し、画素電極の下
に光吸収層１９を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は薄型で低消費電力であ
り、パソコン等の情報機器等の表示装置として広く用い
られている。この液晶表示装置には、大きく別けて透過
型のものと反射型のものがあるが、透過型のものはバッ
クライトを必要とするため、低消費電力化という観点か
らは反射型のものが好ましい。

【０００３】しかしながら、表示モードにＴＮモードや
ＳＴＮモードを用いた反射型液晶表示装置では、偏光板
が必要となるため表示が暗くなってしまう。そこで、明
るい表示を得るという観点からは、偏光板が不要な選択
反射方式や散乱反射方式を用いた反射型液晶表示装置が
好ましい。

【０００４】選択反射方式の液晶表示装置としては、コ
レステリック液晶を用いたものがある。コレステリック
液晶は、電圧無印加時のプレーナ状態においては、螺旋
ピッチと屈折率の条件から、ある特定の波長領域におい
て円偏光の一方の成分を反射する性質がある。そして、
電圧を印加すると、弱い散乱を持つが半透明状態を呈す
るフォーカルコニック状態を経て、螺旋構造が消失する
透明なホメオトロピック状態になる。フォーカルコニッ
ク状態は準安定状態であるため、駆動条件を最適化する
ことにより、電圧無印加状態であってもフォーカルコニ
ック状態を保持し続けることは可能である。

【０００５】また、散乱反射方式の液晶表示装置として
は、ＰＤＬＣを用いたものがある。ＰＤＬＣは、高分子
に液晶が小さな液滴として存在するものであり、電圧無
印加状態で光を散乱し、電圧印加状態で光を透過する。

【０００６】選択反射方式及び散乱反射方式の液晶表示
装置は上記のような表示原理を有しているため、液晶層
の下側に光を吸収する黒色層を設けることにより、明暗
の表示を行うことが可能となる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、選択反
射方式や散乱反射方式を用いた反射型液晶表示装置で
は、画素電極が形成されていない領域では液晶層に電圧
が印加されないため、この領域では光が選択反射或いは
散乱反射されて格子状の輝線が発生し、コントラストの
低下等の画質劣化の原因となる。また、配線が形成され
た領域では液晶層が配線電位の影響を強く受けて不安定
な光学特性を示し、やはりコントラストの低下等の画質
劣化の原因となる。また、コレステリック液晶を用いた
場合、画面周辺等の常に電圧が印加されない領域では、
外部応力等によってプレーナ状態のドメインが成長し、
画素電極領域のプレーナ状態による反射色よりも鏡面反
射性の強い反射色を呈するため、これも画質劣化の原因
となる。さらに、コレステリック液晶を用いた場合、Ｔ
Ｎ型の液晶を用いた場合に比べて液晶層に印加する電圧
が高くなり、そのため信号線と画素電極との間の寄生容
量を介して画素電圧が信号線の電位によって大きく変動
し、ちらつきの原因となる。

【０００８】一方、外光の反射光成分、特に鏡面反射成
分が多い場合にも、コントラストの低下等の画質劣化の
原因となる。

【０００９】本発明の目的は、コントラストの低下等の
画質劣化を低減することが可能な液晶表示装置を提供す
ることにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、複数の第
１の電極が配列された第１の基板と、前記第１の基板に
対向する面側に第２の電極が配列された第２の基板と、
前記第１の基板と第２の基板との間に設けた液晶層とを
有し、前記第１の電極と第２の電極との間の電位差に応
じて前記液晶層に状態変化を与えることにより表示を行
う反射型の液晶表示装置において、前記第１の電極を透
明導電層によって構成し、前記第１の電極の下に光吸収
層を設けたことを特徴とする。

【００１１】第２の発明は、複数のスイッチング素子及
びこれらのスイッチング素子に接続される複数の第１の
電極をマトリクス状に配置した第１の基板と、前記第１
の基板に対向する面側に第２の電極が形成された第２の
基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に設けた液
晶層とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極との間
の電位差に応じて前記液晶層に状態変化を与えることに
より表示を行う反射型の液晶表示装置において、前記第
１の電極を透明導電層によって構成し、前記第１の電極
の下に光吸収層を設けたことを特徴とする。

【００１２】前記第１及び第２の発明によれば、第１の
電極を透明導電層によって構成するとともに第１の電極
の下に光吸収層を設けたので、暗表示を行う際の光吸収
効率を上げることができ、コントラストの低下等の画質
劣化を低減することが可能となる。

【００１３】また、前記第１及び第２の発明において、
前記光吸収層の内部或いは下部に電位の制御が可能なシ
ールド電極を設けてもよい。

【００１４】また、前記第２の発明において、前記光吸
収層は前記スイッチング素子の上部に設けることが好ま
しい。この場合、スイッチング素子の上部が遮光される
ので、スイッチング素子の光リーク電流を低減すること
ができる。

【００１５】また、前記光吸収層を表示領域全体にわた
って設け平坦化層として機能させることにより、画素電
極（第１の電極）の面積を十分に大きくとることができ
るため、画素電極間のスペースを最小限に抑えることが
可能となり、コントラストの向上をはかることができ
る。この場合、光吸収層はそれより下層の凹凸を極力平
坦化できる絶縁材料を用いることが好ましいが、必ずし
も同一材料のみの単層である必要はない。

【００１６】第３の発明は、複数のスイッチング素子及
びこれらのスイッチング素子に接続される複数の第１の
電極をマトリクス状に配置した第１の基板と、前記第１
の基板に対向する面側に第２の電極が形成された第２の
基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に設けた液
晶層とを有し、前記第１の電極は前記スイッチング素子
を覆う絶縁層上に設けられており、前記第１の電極と前
記第２の電極との間の電位差に応じて前記液晶層に状態
変化を与えることにより表示を行う液晶表示装置におい
て、前記絶縁層は複数の層で構成され、この複数の層の
層間に所定の電位が与えられる第３の電極が設けられ、
この第３の電極の形状に応じた凹凸が前記絶縁層の上面
に形成されていることを特徴とする。

【００１７】前記第３の発明によれば、第３の電極がシ
ールド電極として機能するため、その下層側にあるスイ
ッチング素子や配線の電位の影響が画素電極（第１の電
極）に及ぶことを防止することができ、表示品質の向上
をはかることができる。また、第３の電極の形状に応じ
た凹凸が絶縁層の上面に形成されるため、鏡面反射成分
を低減することができ、コントラストの低下等の画質劣
化を低減することが可能となる。

【００１８】第４の発明は、複数のスイッチング素子及
びこれらのスイッチング素子に接続される複数の第１の
電極をマトリクス状に配置した第１の基板と、前記第１
の基板に対向する面側に第２の電極が形成された第２の
基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に設けたコ
レステリック液晶を用いた液晶層とを有し、前記第１の
電極と前記第２の電極との間の電位差に応じて前記コレ
ステリック液晶に状態変化を与えることにより表示を行
う反射型の液晶表示装置において、前記第１の電極が形
成されていない領域において前記コレステリック液晶が
フォーカルコニック状態又はホメオトロピック状態とな
る電位差を前記液晶層に与える手段を設けたことを特徴
とする。

【００１９】前記第４の発明によれば、画素電極（第１
の電極）が形成されていない領域（非画素領域）におい
てコレステリック液晶がフォーカルコニック状態又はホ
メオトロピック状態となる電位差を液晶層に与えるの
で、非表示領域における輝線の発生や表示ムラの発生を
防止することができ、コントラストの低下等の画質劣化
を低減することが可能となる。

【００２０】通常は前記第１の基板に補助電極を設け、
この補助電極と対向電極（第２の電極）との間に電位差
を与えることにより、非画素領域においてコレステリッ
ク液晶がフォーカルコニック状態又はホメオトロピック
状態となるようにする。

【００２１】補助電極は、表示画面全体にわたって共通
に接続するようにしてもよいし、各画素毎に分離して設
けるようにしてもよい。共通にした場合には全ての非表
示領域が暗状態となる。一方、各画素毎に分離して設け
た場合には、画素電極に印加した電圧に応じて補助電極
の電圧が変化する。したがって、画素電極にプレーナ状
態となる電圧を印加した場合には非画素領域もプレーナ
状態となり、画素電極にホメオトロピック状態となる電
圧を印加した場合にはホメオトロピック状態或いはフォ
ーカルコニック状態となり、非画素領域を含む該当領域
全体が同じ表示状態となる。

【００２２】補助電極を表示領域全体にわたって共通に
接続した場合、ＴＦＴ（スイッチング素子）の上部に画
素電極がある場合には、画素電極とＴＦＴとの間に絶縁
層を介して補助電極を設けることが好ましい。この場
合、共通電極を一定電位に保つことでＴＦＴと画素電極
との間のカップリングを低減できるという効果も得られ
る。ＴＦＴと画素電極が同一面上にある場合等、共通電
極が層間に設けられない場合は、ＴＦＴの下部に絶縁層
を介して共通電極を設けてもよい。また、十分な電圧を
印加することが可能であるならば、基板の外側（液晶層
が存在しない側）に共通電極を設けてもよい。

【００２３】共通電極には、ＡｌやＴｉ等の一般的な金
属が使用可能であるが、ＴＦＴと画素電極との間に設け
た光吸収層の光学濃度が不足している場合や、従来のＴ
ＦＴ−ＬＣＤのアレイ構造のように、透明画素電極を設
けてガラス基板外部に光吸収板を設ける場合等、共通電
極部を表示面から視認できる場合には、ＩＴＯ等の透明
電極を用いることが好ましい。

【００２４】共通電極に印加する電圧は、表示期間全体
にわたって一定の電圧を与えてもよく、所定の期間にパ
ルス状の電圧を与えてもよい。与える電圧は、液晶がホ
メオトロピック状態となる電圧が望ましいが、プレーナ
状態からフォーカルコニック状態に変化して選択反射が
消失する程度の電圧であれば十分な効果が得られる。共
通電極を一定電位に保持する場合は、対向電極側を交流
反転駆動するコモン反転駆動が好ましい。コモン側を一
定電位にする場合には、フレーム周波数よりも低い周波
数で共通電極に交流電圧を印加すれば、消費電力を低減
することが可能となる。

【００２５】パルス状の電圧を与える場合には、所定の
期間、例えば電源投入時や画面のブランキング期間にパ
ルス電圧を与えることで、液晶層をリフレッシュするこ
とが可能である。この場合、液晶がプレーナ状態からフ
ォーカルコニック状態に転移する程度の電圧を印加すれ
ばよい。また、共通電極がＴＦＴの下部或いはガラス基
板の外側に設けられている場合、ＴＦＴのゲート電圧な
ど電源電圧をスイッチングすることによってパルス電圧
を印加すれば、電圧降下によって適正な電圧を液晶層に
印加することが可能となる。その際、ＴＦＴはフローテ
ィング或いは耐圧範囲内の所定の電位に保持されている
ことが好ましい。

【００２６】補助電極を画素電極毎に分離して設ける場
合、補助電極は画素電極間の隙間を覆うようにして、画
素電極とＴＦＴとの間に絶縁層を介して設けられる。補
助電極は、画素電極に直接電気的に接続してもよいし、
フローティング電極として容量的に結合させるようにし
てもよい。

【００２７】補助電極を画素電極に直接電気的に接続す
る場合には、ＩＴＯ等の透明導電層を補助電極として用
いることが望ましい。この場合、電気的接続をとらない
他の画素電極との間の寄生容量を低減するために、他の
画素電極と補助電極とのオーバーラップする領域の面積
を小さくすることが望ましい。

【００２８】補助電極をフローティング電極として画素
電極に容量的に結合させる場合、画素電極と補助電極と
の間の絶縁層が黒色の場合には補助電極が直接視認され
ないため、補助電極は金属電極でも透明電極でもかまわ
ないが、光学濃度の関係から透明電極を用いることが好
ましい。また、画素電極と補助電極との間のカップリン
グ容量を確保するために、補助電極を透明電極とし、補
助電極と画素電極との間の絶縁層をＳｉＯ_xやＳｉＮ_x
としてもよい。また、画素電極毎に極性の反転する信号
を印加するライン反転駆動或いはドット反転駆動を行う
場合には、補助電極が一つの画素電極に強く容量カップ
リングするように、非対称構造とすることが好ましい。

【００２９】本願では、上記各発明以外に以下の反射型
液晶表示装置及びその製造方法について開示している。

【００３０】この反射型液晶表示装置の第１の構成は、
第１の液晶層と、この第１の液晶層を透過した光を有効
に利用するための特性を有する第２の液晶層と、前記第
１及び第２の液晶層間に設けられ、前記第１の液晶層側
の電極と前記第２の液晶層側の電極とがスルーホールに
よって電気的に接続され、一つの画素用に形成された電
極が他の画素用に形成された電極と電気的に独立した複
数の両面電極とを有し、前記両面電極の少なくとも一方
の表面が電気絶縁材料からなる薄膜で被覆されているこ
とを特徴とする。

【００３１】上記反射型液晶表示装置の製造方法は、導
電率の異なる複数の状態を取り得る材料膜を前記両面電
極上に形成する工程と、前記両面電極上に前記材料膜が
形成された基板を一対の対向基板間に配置して液晶層用
間隙を形成する際中又は形成した後に前記材料膜を導電
率が高い状態で接地する工程と、前記材料膜を導電率が
低い状態にする工程とを有する。

【００３２】前記製造方法において、前記材料膜を前記
両面電極上に形成した後、前記材料膜が液晶層と接触す
る部分を電気絶縁材料からなる層で被覆するようにして
もよい。

【００３３】また、上記反射型液晶表示装置の第２の構
成は、第１の液晶層と、この第１の液晶層を透過した光
を有効に利用するための特性を有する第２の液晶層と、
前記第１及び第２の液晶層間に設けられ、前記第１の液
晶層側の電極と前記第２の液晶層側の電極とがスルーホ
ールによって電気的に接続され、一つの画素用に形成さ
れた電極が他の画素用に形成された電極と電気的に独立
した複数の両面電極とを有し、前記両面電極はその周囲
を電気絶縁材料からなる層に埋め込まれた状態で配置さ
れていることを特徴とする。

【００３４】上記反射型液晶表示装置の製造方法は、導
電率の異なる複数の状態を取り得る材料膜を前記両面電
極の両面に形成する工程と、前記両面電極の両面に前記
材料膜が形成された基板を一対の対向基板間に配置して
液晶層用間隙を形成する際中又は形成した後に前記材料
膜を導電率が高い状態で接地する工程と、前記基板の非
画素領域に形成された前記材料膜を選択的に導電率が低
い状態にする工程とを有する。

【００３５】前記製造方法において、前記材料膜を前記
両面電極の両面に形成した後、前記材料膜が液晶層と接
触する部分を電気絶縁材料からなる層で被覆するように
してもよい。

【００３６】上記第１及び第２の構成によれば、反射率
及び開口率に優れた反射型液晶表示装置を得ることがで
きる。

【００３７】また、前記各製造方法によれば、上記反射
型液晶表示装置を高歩留まりで製造することができる。

【００３８】なお、本発明において、スイッチング素子
とは、画素を選択するためのスイッチに限らず、画素内
に設けられる回路素子（例えばバッファアンプ等）をも
含み、これらを総じて表現したものである。

【００３９】

【発明の実施の形態】まず、本発明の第１実施形態につ
いて説明する。

【００４０】本第１実施形態は、単純マトリクス方式或
いはアクティブマトリクス方式の反射型液晶表示装置に
おいて、配線或いは画素電極を透明導電層によって構成
するとともに、これらの下部に光吸収層を設けたもので
ある。以下、アクティブマトリクス方式の反射型液晶表
示装置を例に各構成例を説明する。

【００４１】図１は、基本的な構成例を示したものであ
り、１は一方の基板、２は下部電極、３は光吸収層とし
て機能する黒色の層間絶縁層、４は層間絶縁層３に設け
た開孔部を通して下部電極２に接続される透明電極、５
は他方の基板、６は透明電極、７は液晶層である。この
ように、透明電極４の下部に黒色の層間絶縁層３を設け
てあるので、選択反射方式や散乱反射方式等の反射型液
晶表示装置において、黒表示を行う際の光吸収効率を上
げることができ、コントラストの低下等の画質劣化を低
減することができる。

【００４２】つぎに、本第１実施形態の具体的な構成例
について説明する。

【００４３】まず、本第１実施形態の第１構成例につい
て、図２（断面構成を示した図）及び図３（平面構成を
示した図）を参照して説明する。

【００４４】１１はガラス基板を用いた一方の基板、１
２はゲート配線、１３はゲート絶縁層、１４はアモルフ
ァスシリコン層、１５はチャネル保護層、１６はソース
・ドレイン電極、１７は蓄積容量配線、１８は半導体保
護層、１９は光吸収層として機能する黒色の層間絶縁
層、２０は透明導電層を用いた画素電極、２１はガラス
基板を用いた他方の基板、２２は透明導電層を用いた対
向電極、２３は例えばコレステリック液晶を用いた液晶
層である。

【００４５】つぎに、本構成例の製造方法について説明
する。

【００４６】まず、ガラス基板１１上にゲート金属材料
をマグネトロンスパッタ法により形成し、これをパター
ニングしてゲート配線１２を形成する。ゲート金属材料
としては、例えばＡｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ等の金属
やこれらを積層したもの、或いはこれらの合金等を用い
ることができる。また、Ａｌ等をパターン形成したもの
にこれらの金属や合金で覆った構造によりゲート配線１
２を形成してもよい。なお、ガラス基板１１上に酸化シ
リコン等の絶縁膜を用いたアンダーコート層を形成して
もよい。

【００４７】つぎに、シリコン系絶縁膜を用いたゲート
絶縁層１３（厚さ４００ｎｍ）、アモルファスシリコン
層１４（厚さ１００ｎｍ）及び窒化シリコンを用いたチ
ャネル保護層１５をＣＶＤ法によって形成する。続い
て、ポジ型フォトレジストを塗布してガラス基板１１の
裏面側から紫外線を照射して露光し、これを現像してゲ
ート配線１２とほぼ同じ幅のレジストパターンを形成す
る。ここで現像する前に通常のマスク露光によってゲー
ト幅と直行する方向のチャネル保護層１５の端部を決定
することができるので、本例ではその工程を入れてい
る。なお、裏面露光を用いずに、マスク露光だけでチャ
ネル保護層１５のパターンを形成してもよい。この場
合、ゲート配線１２とのマスク合わせ精度に基づく合わ
せマージンをとる必要があるが、用途によってはそのよ
うにしても実用的に問題ない。

【００４８】つぎに、チャネル保護層１５のパターンを
エッチングで形成した後、ｎ⁺アモルファスシリコン層
（図示せず）をＣＶＤ法によって形成する。ｎチャネル
のＴＦＴを製造する場合には燐を不純物原子として用い
ればよい。本例ではＰＨ₃ガスを用いて燐イオンをドー
ピングしながらｎ⁺アモルファスシリコン層を成膜して
いるが、チャネル保護層１５をマスクとしてイオンドー
ピング法等により直接燐原子をアモルファスシリコン層
に注入することによりｎ⁺アモルファスシリコン層を形
成してもよい。

【００４９】つぎに、Ｍｏをマグネトロンスパッタ法で
成膜（厚さ５０ｎｍ）した後、これをパターニングして
シリコンの島状領域を形成する（図面では省略し、ソー
ス・ドレイン電極１６に含めている。）。さらに、マグ
ネトロンスパッタ法でＭｏを成膜（厚さ１μｍ）し、ソ
ース・ドレイン電極１６を形成する。ソース・ドレイン
電極の形成材料としては、Ｍｏ以外にも、Ａｌ、Ｗ、Ｔ
ｉ等やこれらの合金或いはこれらの積層膜を用いてもよ
く、これ以外にも導電性を示す材料であればよい。

【００５０】つぎに、ソース・ドレイン電極１６をマス
クとしてチャネル保護層１５上のｎ⁺アモルファスシリ
コン層を除去し、続いてシリコン窒化膜を用いた半導体
保護層１８（膜厚２００ｎｍ）をＣＶＤ法により成膜す
る。この半導体保護層１８としては、ＴＦＴの機能を損
なわないものであれば他の材料を用いてもよい。

【００５１】つぎに、ソース・ドレイン電極１６と後の
工程で形成される画素電極とのコンタクト領域１８ａの
半導体保護層１８をＲＩＥによって除去し、ネガ型の黒
色レジストを用いた層間絶縁層１９（厚さ１〜１０μ
ｍ）を形成する。通常は、黒色レジストをスピンコート
によって塗布した後マスク露光を行い、パターニングを
行って層間絶縁層１９及び開孔１９ａを形成すればよ
い。

【００５２】つぎに、マグネトロンスパッタ法によって
透明導電層となるＩＴＯ層を成膜（厚さ１０〜５００ｎ
ｍ）した後、これをパターニングして画素電極２０を形
成する。このとき、画素電極２０は開孔１９ａを通じて
下のソース・ドレイン電極１６と接続される。

【００５３】このようにして一方のガラス基板１１上に
ＴＦＴや画素電極等を形成した後、この一方のガラス基
板と透明な対向電極２２が形成された他方のガラス基板
２１との間に液晶を封入し、散乱反射或いは選択反射に
よって表示を行う反射型の液晶パネルが完成する。この
ように透明な画素電極２０下に黒色の層間絶縁層１９が
形成されており、液晶層２３の光透過状態で黒表示が行
われる。

【００５４】本例では、ＴＦＴ等の駆動用能動素子や蓄
積容量配線等の上部に光吸収層として機能する黒色の層
間絶縁層が形成されているので、この層間絶縁層の下部
に存在する金属層等からの光の反射量を低減することが
でき、黒表示のコントラストを向上させることができ
る。また、層間絶縁層によって駆動用能動素子の上部が
遮光されるので、光によるリーク電流を抑制することも
できる。また、層間絶縁層を表示領域全体にわたって形
成することができるため、これを平坦化層としても機能
させることができる。さらに、層間絶縁層上には画素電
極以外の電極や配線等が存在しないため、画素電極の面
積を十分広く確保することができる。したがって、画素
電極間のスペースを最小限に抑えることができ、コント
ラストの向上をはかることができる。

【００５５】以上の構造を有する液晶パネルを作成した
ところ、従来構造の場合に比べて黒の表示状態が向上
し、同一の液晶層を用いた場合にも、白黒のコントラス
ト比において２倍以上の向上が見られた。

【００５６】つぎに、本第１実施形態の第２構成例につ
いて、図４（断面構成を示した図）及び図５（平面構成
を示した図）を参照して説明する。本構成例の基本的な
構成は先に説明した第１構成例と同様であり、対応する
構成要素には同一の番号を付している。

【００５７】本第２構成例では、画素電極２０の下部に
シールド電極２４を設け、このシールド電極２４を一定
電位に保持している。このようにシールド電極２４を設
けたことにより、画素電極とその下に存在する信号線、
ゲート線、ＴＦＴ等との容量カップリングを低減させる
ことができる。なお、このシールド電極２４と画素電極
２０との間で蓄積容量を構成するようにしてもよい。

【００５８】このように、本構成例では、画素電極の下
部にシールド電極を設けたので、シールド電極下部に存
在する電気回路と画素電極との間の容量カップリングを
低減することができる。また、ＴＦＴの上のシールド電
極により、画素電極が高電位となってもバックチャネル
の形成が抑えられ、リーク電流を低減することができ
る。

【００５９】つぎに、本第１実施形態の第３構成例につ
いて、図６（断面構成を示した図）を参照して説明す
る。本構成例の基本的な構成は先に説明した第１構成例
と同様であり、対応する構成要素には同一の番号を付し
ている。

【００６０】本第３構成例では、透明導電層を用いた画
素電極２０下に光吸収層となる黒色の層間絶縁層１９を
設けるとともに、画素電極間のスペースに対応してこの
スペースを遮光するように、他方のガラス基板２１上に
ブラックマトリクス２５を設けたものである。このよう
に、ブラックマトリクス２５を設けることにより、画素
電極間のスペース領域における遮光を行うことができ、
より一層のコントラスト向上をはかることができる。

【００６１】以上説明した第１、第２及び第３構成例で
はＴＦＴを構成する半導体層としてアモルファスシリコ
ンを用いたが、アモルファスシリコン中に結晶化した領
域が存在する微結晶シリコン、或いはほとんどの領域が
結晶化した多結晶シリコンを用いてもよい。また、シリ
コン以外にも、ＳｉＧｅやＧｅ等を用いてもよい。

【００６２】また、上記第１、第２及び第３構成例では
ｎチャネルＴＦＴとしたが、ｐチャネルＴＦＴとしても
よい。

【００６３】さらに、上記第１、第２及び第３構成例で
は逆スタガ型ＴＦＴとしたが、スタガ型ＴＦＴ等の他の
構造に本発明を適用することもでき、ＴＦＴ以外の半導
体素子に本発明を適用することも可能である。

【００６４】なお、本発明を単純マトリクス方式の反射
型液晶表示装置に適用した場合には、一方の基板上の透
明導電層を用いたマトリクス配線の下部に光吸収層を設
ければよい。

【００６５】つぎに、本発明の第２実施形態について説
明する。

【００６６】本第２実施形態は、画素電極をスイッチン
グ素子を覆う絶縁層上に設けたアクティブマトリクス方
式の液晶表示装置において、前記絶縁層を複数の層で構
成し、この複数の層の層間に所定の電位に保持されたシ
ールド電極を設け、このシールド電極の形状に応じた凹
凸を前記絶縁層の上面に形成したものである。以下、本
実施形態の各構成例を説明する。

【００６７】まず、本第２実施形態の第１構成例につい
て、図７（断面構成を示した図）及び図８（平面構成を
示した図）を参照して説明する。

【００６８】３１はガラス基板を用いた一方の基板、３
２はゲート配線（ゲート電極を兼ねている）、３３は蓄
積容量配線、３４はゲート絶縁層、３５はアモルファス
シリコン層、３６はｎ⁺アモルファスシリコン層、３７
は蓄積容量の上部電極（ドレイン電極を兼ねている）、
３８は信号線となるソース配線（ソース電極を兼ねてい
る）、３９は層間絶縁層、４０はシールド電極（図８で
は斜線で示した部分）、４１は層間絶縁層、４２は画素
電極、４３はガラス基板を用いた他方の基板、４４は対
向電極、４５は反射防止膜又は反射防止層、４６は液晶
層である。

【００６９】つぎに、本構成例の製造方法について説明
する。

【００７０】まず、ガラス基板３１上にゲート配線３２
を形成するとともに、蓄積容量配線３３を形成する。続
いて、プラズマＣＶＤ法等により、シリコン窒化膜を用
いたゲート絶縁層３４（厚さ４００ｎｍ）、アモルファ
スシリコン層３５（厚さ２００ｎｍ）及びｎ型アモルフ
ァスシリコン層３６（厚さ５０ｎｍ、ｎ型微結晶シリコ
ン層でもよい）を形成する。ゲート絶縁層３４はシリコ
ン窒化膜とシリコン酸化膜との積層膜等でもよい。

【００７１】つぎに、アモルファスシリコン層３５を島
状にパターニングし、ゲート絶縁層のスルーホール（図
示せず）を形成する。続いて、金属層（例えばＭｏ、Ｍ
ｏ／Ａｌ／Ｍｏ積層膜、合金）をスパッタ法等によって
堆積し、この金属層をパターニングして蓄積容量の上部
電極３７及び信号線３８を形成する。続いて、蓄積容量
の上部電極３７及び信号線３８をマスクとして、アモル
ファスシリコン層３５のチャネル領域上に形成されたｎ
型アモルファスシリコン層３６を除去する。

【００７２】つぎに、アクリル系樹脂を塗布して層間絶
縁層３９（厚さ２μｍ）を形成し、この層間絶縁層３９
にスルーホール３９ａを形成する。アクリル系樹脂には
感光性のものを用いており、このアクリル系樹脂を露光
及び現像してスルーホール３９ａを形成した。スルーホ
ール形成後、２００〜３００℃でアニールを行いアクリ
ル系樹脂を硬化させる。ここでは直接アクリル系樹脂を
塗布しているが、プラズマＣＶＤ法等によってシリコン
窒化膜を形成し、この上にアクリル系樹脂を塗布するよ
うにしてもよい。また、アクリル系樹脂の他に、ＢＣＢ
（ベンゾシクロブテン）を用いてもよく、これら以外に
もポリイミド等の有機膜、さらにはシリコン酸化膜やシ
リコン窒化膜等の無機膜を用いてもよい。また、層間絶
縁層３９には必ずしも感光性樹脂を用いる必要はなく、
非感光性樹脂を用いて後の工程でスルーホールを形成す
るようにしてもよい。

【００７３】つぎに、ＩＴＯをスパッタ法等によって堆
積（厚さ１００〜５００ｎｍ）し、これをパターニング
し、穴４０ａ（大きさや位置はランダムにする）を有す
るシールド電極４０（図８では斜線で示した部分）を形
成する。パターニングに際しては、スルーホール３９ａ
が形成された領域や、各配線と画素電極間スペース領域
との交差部にはシールド電極４０が形成されないように
する。また、ゲート線３２、信号線３８及びＴＦＴの形
成された領域には穴４０ａが形成されないようにする。
なお、シールド電極４０には、ＩＴＯの他にＡｌ、Ｍｏ
等の金属や合金を用いてもよい。また、各配線と画素電
極間スペース領域との交差部における穴（シールド電極
４０が形成されていない領域）は、ゲート線３２と信号
線３８間或いは蓄積容量線３３と信号線３８間に層間シ
ョートが生じた場合、一方の配線をレーザによって切断
する際に、シールド電極４０とのショートが発生しない
ようにするために設けたものである。配線を切断しても
両側から信号を供給することにより線欠陥とはならず、
歩留まり向上をはかることができる。また、穴４０ａの
配置をランダムとせずに規則的に配置することも可能で
ある。

【００７４】つぎに、顔料或いはカーボンを分散させた
光吸収性の有機絶縁材料をスピン塗布して層間絶縁層４
１を形成する。この有機絶縁材料は感光性があるため、
露光及び現像を行って層間絶縁層４１にスルーホール４
１ａを形成する。有機絶縁材料塗布に際してシールド電
極４０の穴４０ａが埋められ、層間絶縁層４１の表面は
穴４０ａの形状を反映したなだらかな凹凸形状となる。
続いて、この層間絶縁層４１上にＩＴＯ等の透明導電層
をスパッタ法等で成膜し、これをパターニングして画素
電極４２を形成する。画素電極４２の表面は、層間絶縁
層４１表面の凹凸すなわち穴４０ａの形状を反映したな
だらかな凹凸形状となる。

【００７５】このようにして一方のガラス基板３１上に
ＴＦＴや画素電極等を形成した後、この一方のガラス基
板３１と他方のガラス基板４３との間に液晶を封入し、
液晶パネルが完成する。他方のガラス基板４３の内側に
は透明導電層を用いた対向電極４４が形成されており、
また外側には反射防止膜４５が設けてある。液晶層４６
にはコレステリック液晶を用いており、ホメオトロピッ
ク状態では光が液晶層を透過するため、光吸収性の層間
絶縁膜４１の色（例えば可視領域の光をほぼ全部吸収す
る材料を用いた場合には黒色）が見えることになる。ま
た、プレーナ状態において平面的に見てドメイン構造を
とる、すなわち螺旋軸が若干異なった領域ができるよう
な添加物を含有させることにより、選択反射時の視野角
特性よくなり、広い視野角範囲において色があまり変化
しないようになる。

【００７６】以上の構造を有する液晶パネルを作成した
ところ、視感度補正を行った反射率で７０％（入射光角
度２５〜３０％）が得られ、コントラスト比が１５：１
となった。また、鏡面反射率を求めると、シールド電極
がなく画素表面に凹凸が形成されていない場合には３％
であるのに対して、シールド電極を設けて画素表面に凹
凸を形成した場合には０．５％となり、移り込みがなく
非常に見やすい画面となった。また、１６００×１２０
０画素、対角１２インチのパネルを作成した結果、信号
線電圧の振幅が±１０〜１５ＶとＴＮ液晶の５Ｖ以下に
比べて大きいにもかかわらず、クロストークのない高画
質が得られた。特に、階調表示を行う場合にクロストー
クのないことが有効であった。これは、シールド電極を
設けたことにより、信号線の電圧変動が画素電極にほと
んど影響しなくなったことに起因する。具体的には、前
記振幅に対して画素電圧変動を±２０ｍＶ以下とするこ
とができた。

【００７７】つぎに、本第２実施形態の第２構成例につ
いて、図９（平面構成を示した図）を参照して説明す
る。本構成例の基本的な構成は先に説明した第１構成例
と同様であり、対応する構成要素には同一の番号を付し
ている。

【００７８】本第２構成例では、ゲート線３２及び信号
線３８と画素電極４２との位置関係を第１実施形態と異
ならせている。すなわち、本構成例では、画素電極４２
の周縁部においてゲート線３２及び信号線３８と画素電
極４２とが重なるようにしている。このように配置する
ことにより、シールド電極の穴４０ａを画素電極４２内
にまんべんなく設けることができ、シールド効果を保ち
つつより鏡面反射成分を低減することができる。

【００７９】なお、第１構成例と第２構成例とではシー
ルド電極の穴４０ａの形状が異なっているが、穴の形状
は両構成例に特有のものではなく、両構成例相互間で採
用することができ、また他の形状の穴を採用することも
可能である。また、シールド電極に設けるパターンは必
ずしも穴パターンである必要はなく、例えば櫛形やメッ
シュ状のパターンでもよい。また、シールド電極として
機能するとともに表面を凹凸状にする形状であれば、そ
の他種々のパターンを適用することができる。さらに、
図７に示した例では、シールド電極を下までエッチング
して穴４０ａを形成しているが、エッチングを途中で止
めて穴を形成してもよい。

【００８０】また、第１構成例及び第２構成例ではコレ
ステリック液晶を用いた反射型の液晶パネルであった
が、高分子分散型液晶を用いたものでもよい。さらに、
透過−吸収モードのゲストホスト型液晶でもよく、画素
電極を反射板とする場合にも適用できる。反射板ではシ
ールド電極による凹凸に加え、層間絶縁層自身の凹凸を
付加することで、さらに散乱特性を制御した反射板を得
ることが可能である。また、液晶層を単層ではなく多層
とした場合にも適用でき、偏光板を用いるＴＮモードや
液晶をマイクロカプセルとした場合にも適用できる。ま
た、上側の層間絶縁層４１だけではなく下側の層間絶縁
層３９を光吸収層としてもよく、また両者を光吸収層と
してもよく、さらに吸収波長を変えるようにしてもよ
い。

【００８１】また、第１構成例及び第２構成例では反射
型の液晶パネルとしたが、透過型の液晶パネルに適用す
ることもできる。透過型に適用した場合にも反射型の場
合と同様に、見る側の鏡面反射を抑える効果があり、画
質の向上を図ることができる。さらに、透過光をわずか
に散乱させることにより、視野角特性を改善することが
できる。透過型の場合、層間絶縁層３９及び４１とも透
光性にする。可視光全域で透明にすればよいが、Ｒ、
Ｇ、Ｂの色が出るように一部の波長で吸収するようにし
てもよい。この場合には、上側の層間絶縁層４１を画素
毎に着色するとよい。

【００８２】また、アレイ構造としてはゲート電極を半
導体層の上側に設けるトップゲート型でもよい。半導体
層にはアモルファスシリコンの他、多結晶シリコンや微
結晶シリコンを用いてもよく、さらにＳｉＧｅ合金等を
用いてもよい。トランジスタ構造は、プレーナ型、スタ
ッガ型、逆スタッガ型等を用いることができ、またセル
フアライン型に限らず非セルフアライン型でもよい。ま
た、蓄積容量線を独立して設けずに隣のゲート線とオー
バーラップさせることによって得られる容量を用いても
よく、さらには蓄積容量を設けなくてもよい。

【００８３】また、トランジスタは一つの画素に複数設
けてもよく、例えばバッファアンプ等を設けるようにし
てもよい。

【００８４】つぎに、本発明の第３実施形態について説
明する。

【００８５】本第３実施形態は、コレステリック液晶を
用いたアクティブマトリクス型の反射型の液晶表示装置
において、ＴＦＴ及び画素電極が形成された基板に補助
電極を設け、この補助電極と対向基板上の対向電極との
間に電位差を与えることにより、非画素領域においてコ
レステリック液晶がフォーカルコニック状態又はホメオ
トロピック状態となるようにしたものである。以下、本
実施形態の各構成例を説明する。

【００８６】まず、本第３実施形態の第１構成例につい
て、図１０（断面構成を示した図）を参照して説明す
る。

【００８７】５１はガラス基板を用いた一方の基板、５
２はＴＦＴ、５３は透明導電層を用いた画素電極、５４
はブラックマトリクスを構成するための黒色絶縁層（光
吸収層）、５５ａは黒色絶縁層５４内に形成された補助
電極、６１はガラス基板を用いた他方の基板、６２は透
明導電層を用いた対向電極、６３はコレステリック液晶
を用いた液晶層である。

【００８８】本構成例では、各補助電極５５ａは表示面
全体にわたって共通に接続されており、一定の電圧が印
加されている。また、対向電極６２には交流電圧が印加
されており、画素電極５３が形成されていない非画素領
域においても、補助電極５５ａと対向電極６２との間の
電位差に基づいて、液晶層６３に所定の電位が印加され
るようになっている。

【００８９】図１１は、コレステリック液晶の状態変化
を電圧−反射率特性に対応させて示したものである。図
１０の画素電極５３が形成された領域（画素領域）の液
晶層６３には、画素電極５３と対向電極６２との間の電
位差に応じて、図１１の実効電圧０〜Ｖ₁が印加され
る。したがって、この画素領域においては、コレステリ
ック液晶はプレーナ状態からホメオトロピック状態まで
とることができ、明状態又は暗状態の表示となる。一
方、画素電極５３が形成されていない領域（非画素領
域）の液晶層６３には、補助電極５５ａと対向電極６２
との間の電位差に応じて、図１１の実効電圧Ｖ₂が常に
印加されている。したがって、この非画素領域において
は、コレステリック液晶はフォーカルコニック状態とな
り、常に暗状態の表示となる。

【００９０】図１２は、本構成例における表示状態
（Ａ）と従来構成における表示状態（Ｂ）との差異を示
した図である。斜線部が暗表示領域、無地部が明表示領
域を表している。本構成例（Ａ）では、非画素領域の液
晶層に一定の電圧が印加されているので、非画素領域は
常に暗表示となっている。これに対して、従来構成例
（Ｂ）では、非画素領域の液晶層には電圧が印加されて
いないため、非画素領域は常に明状態となる。この非画
素領域の明状態は格子状の輝線となって表示され、特に
まわりの画素が暗状態の表示のときにコントラストの劣
化の原因となる。本構成例ではまわりの画素が明状態の
表示のときに暗状態の格子が表れることになるが、これ
はコントラストにあまり影響せず問題にならない。

【００９１】このように、本構成例では、画素電極間の
非表示領域の液晶層を常に暗状態にすることができるた
め、従来よりも高コントラストで高画質の表示を得るこ
とができる。また、補助電極がＴＦＴと画素電極との間
に存在するため、シールド効果によってＴＦＴと画素電
極との間の容量カップリングを低減することができ、こ
れによっても表示品質の向上をはかることができる。

【００９２】なお、上記の例では、対向電極側に交流電
圧を印加するようにしたが、これとは逆に対向電極側を
一定電位にし、画素電極及び補助電極に交流電圧を印加
するようにして、図１１に示すような実効電圧が液晶層
に印加されるようにしてもよい。また、対向電極と補助
電極との間に印加される実効電圧は、コレステリック液
晶が暗状態となるフォーカルコニック状態及びホメオト
ロピック状態の間であれば、適宜変更することができ
る。

【００９３】つぎに、本第３実施形態の第２構成例につ
いて、図１３（断面構成を示した図）を参照して説明す
る。本構成例の基本的な構成は先に説明した第１構成例
と同様であり、対応する構成要素には同一の番号を付し
ている。

【００９４】本第２構成例では、ＴＦＴ５２と画素電極
５３と２を同一面上に設けるとともに、補助電極５５ｂ
が絶縁層５６を介してＴＦＴ５２の下層側に設けてあ
り、さらに光吸収板５７が液晶セルのガラス基板５１の
外側に設けてある。

【００９５】補助電極５５ｂは、通常画像情報を表示し
ている場合にはフローティング或いは接地されており、
画素電極５３による液晶層６３への電圧印加やＴＦＴ５
２のスイッチング動作に対して影響を及ぼさないので、
通常の表示が行われる。一方、電源投入時や表示画面を
書き換える期間等の特定期間においては、補助電極５５
ｂに所定の電圧が印加され、画素電極５３が形成されて
いない非画素領域の液晶層６３には図１１の実効電圧Ｖ
₂が印加される。したがって、この特定期間において、
プレーナ状態にある液晶層６３は全て一旦フォーカルコ
ニック状態へと変化する。電圧を無印加状態とした後も
液晶はフォーカルコニック状態のまま準安定状態となる
ので、非画素領域を含めて全面暗表示状態となり、表示
画面がリフレッシュされることになる。したがって、非
画素領域がプレーナ状態となっていても、このリフレッ
シュ操作によってフォーカルコニック状態となり、輝線
の発生や表示むら等を解消することができる。

【００９６】図１４は、本構成例における回路構成の一
例を示したものである。通常画像を表示部７１に表示し
ている場合には、ＤＣ電源回路部７２からゲートドライ
バ７３及び信号線ドライバ７４に電圧が供給され、画素
電極に対する書き込み動作及び保持動作といった通常駆
動が行われる。一方、画像信号のブランキング期間で
は、画像信号の変化を検出する差分回路からなる画像信
号検出回路７５からの信号により、電源スイッチング制
御回路７６内の接続状態が変更され、補助電極にパルス
電圧が印加される。その結果、液晶層がフォーカルコニ
ック状態となって表部部７１全体がリフレッシュされ、
画素領域及び非画素領域の全ての領域で暗表示状態にな
る。この場合、液晶層に印加される電圧は交流電圧であ
ることが望ましいが、電圧印加期間は非常に短いため、
直流のパルス電圧を印加するようにしてもよい。また、
画像信号検出回路７５の代わりに、電源投入時に補助電
極に電圧を印加して表示画面全体をリフレッシュするよ
うな回路を設けてもよい。

【００９７】なお、本構成例において、補助電極は黒色
の吸収板の視認を妨げないようにＩＴＯ等の透明電極で
構成することが好ましいが、非表示領域のみに補助電極
がメッシュ状に配置されているような場合には、補助電
極を光が透過する必要がないので、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ等
の金属電極で構成してもよい。

【００９８】また、本構成例ではＴＦＴと画素電極とが
同一面上に存在する場合について示したが、例えば図１
０に示した第１構成例のように、ＴＦＴと画素電極とが
積層された構成においても、同様に適用することができ
る。さらに、液晶層に印加される電圧が先に示したよう
な条件を満たすものであれば、ガラス基板の外側や吸収
板の外側に補助電極を設けることも可能である。

【００９９】つぎに、本第３実施形態の第３構成例につ
いて、図１５（断面構成を示した図）を参照して説明す
る。本構成例の基本的な構成は先に説明した第１構成例
と同様であり、対応する構成要素には同一の番号を付し
ている。

【０１００】本第３構成例では、各補助電極５５ｃを共
通接続せずに各画素毎に独立して設けるとともに、各画
素電極５３に接続して２重電極構造としている。このよ
うに２重電極構造とすることにより、非画素領域下の補
助電極５５ｃの電位が隣の画素電極５３の電位と等しく
なり、非画素領域の液晶層６３にも画素電極の電位に応
じた電圧が印加されることになる。したがって、表示状
態は図１６に示すようになり、輝線等のない優れた表示
が得られる。

【０１０１】なお、本例では画素電極５３と補助電極５
５ｃとの間は黒色の絶縁層５４ａからなるブラックマト
リクスとしているが、液晶層６３に電圧を印加する際の
電圧降下を低減するために、ＳｉＯ_xやＳｉＮ_x等の薄
膜化が可能な透明絶縁層や高誘電率絶縁層を用いるよう
にしてもよい。

【０１０２】つぎに、本第３実施形態の第４構成例につ
いて、図１７（断面構成を示した図）を参照して説明す
る。本構成例の基本的な構成は先に説明した第１構成例
等と同様であり、対応する構成要素には同一の番号を付
している。

【０１０３】本第４構成例では、各補助電極５５ｄを各
画素毎に独立して設けていることは上記第３構成例と同
様であるが、補助電極５５ｄを第３構成例のように直接
画素電極に接続せずにフローティング状態としており、
補助電極５５ｄは透明絶縁層５４ｂを介して画素電極５
３と強く容量結合している。このような構造にすること
で、上記第３構成例に比べて簡単な製造プロセスで構成
することができ、上記第３構成例と同様の作用効果を得
ることができる。なお、同じ階調信号であっても通常は
隣接画素間で互いに逆極性の電圧が印加されるため、隣
の画素電極の影響をなるべく受けないように、図１７に
示すように補助電極と画素電極とが重なる部分を非対称
化して、補助電極が一つの画素電極にのみ強く容量結合
させることが好ましい。

【０１０４】なお、以上説明した各実施形態において、
対向電極は単一の電極に限らず複数のライン状或いはブ
ロック状にわかれたものであってもよい。また、液晶セ
ルの外側の形状を決めている基板上の電極に限らず、例
えば液晶セルが２層に分離されその中間部に画素毎に独
立したフローティング画素電極が設けられた構造であっ
てもよい。また、３層に分かれ、層間に画素毎に透明電
極を設けて、スイッチング素子アレイ基板と接続された
構造でもよい。対向電極は対向基板に形成される場合が
一般的だが、フィルム状の液晶層をアレイ基板にはりつ
け、その上に対向電極を一面に形成することも可能であ
る。この場合、対向電極が対向基板と一体になったもの
と考えることができる。

【０１０５】つぎに、上記各実施形態以外の他の実施形
態について説明する。

【０１０６】本願発明者らは、二層式の反射型液晶表示
装置、具体的には、第１の液晶層と、この第１の液晶層
を透過した光を有効に利用するための特性を有する第２
の液晶層と、これら第１及び第２の液晶層間にスルーホ
ール型両面電極構造を備える中間層とを有する反射型液
晶表示装置を開発している。ところが、本願発明者らに
よる検査結果によれば、この液晶表示素子の反射輝度が
駆動電圧から予想される値と異なる不良がしばしば見ら
れた。この不良現象は、特定の素子に対して製造当初か
ら持続的に発生するという特徴があり、製造工程に由来
する要因があるものと考えられた。解析を行った結果、
この不良現象の主要因は、以下に説明するように、製造
時に発生する中間層の帯電にあることがわかった。

【０１０７】中間層におけるスルーホール型両面電極の
主たる役割は、二つの液晶層を分離するための中間層に
おける電圧降下を少なくすることであり、したがって両
面電極は電気的浮遊状態に置かれる必要がある。また、
両面電極は、画素電位の変動に伴い適切な電位へ変化で
きるように、一画素毎に独立して設置される必要があ
る。上記電気的浮遊性のため、素子製造工程での摩擦等
に由来する静電荷発生によって中間層が一度帯電する
と、適切な放電経路が存在せず、帯電が永続する。した
がってこの永続する帯電電荷に由来する電場成分が、液
晶層に印加されるべき正規の駆動電場に影響を及ぼして
いると考えられる。

【０１０８】本実施形態は、上記の問題を解決するため
のものである。

【０１０９】本実施形態における反射型液晶表示装置
は、中間層に設置された一画素毎に独立かつ電気的浮遊
状態にある電極群に対し、少なくとも一方の電極表面が
絶縁性材料からなる薄膜で被覆されているか、或いは電
極周囲が絶縁性材料に埋め込まれた状態とし、前記絶縁
性材料として導電率の異なる複数の状態を取り得る材料
を用いたものである。

【０１１０】また、上記反射型液晶表示装置の製造方法
は、上記導電率の異なる複数の状態を取り得る材料膜を
中間層上に形成しこの材料膜を高導電状態におく第１の
工程と、工程中に生じた帯電電荷を除去するために前記
材料膜を高導電状態にした状態で素子を組み立てる第２
の工程と、第２の工程終了後に前記材料膜を低導電状態
すなわち絶縁状態に遷移する第３の工程とを有する。

【０１１１】上記製造方法によれば、前記材料膜が高導
電状態のときには、両面電極群の全てと導通しているた
め、材料膜の任意の一点を接地することにより、製造過
程で発生した帯電電荷を全電極一括して除去することが
である。その後、材料膜を低導電状態に遷移させること
により、各両面電極間の電気的独立性を確保することが
できる。また、引き出し配線用の余分な空間が一切ない
ため、反射型表示素子の明るさに影響する開口率を犠牲
にすることもない。

【０１１２】また、第１の工程後に、前記材料膜が液晶
層と接する部分を電気絶縁材料からなる層で被覆するこ
とにより、仮に材料膜中の導電性成分が液晶中に溶解し
やすい性質を有していたとしても、導電性成分の拡散に
よる不都合を回避することができる。

【０１１３】前記材料膜の構成材料としては、種々の側
鎖を有するポリシランを用いることができる。当該材料
は、波長域２８０〜３２０ｎｍの遠紫外光を照射するこ
とにより、シラン結合の一部が切断される。このとき、
結合切断部にラジカルが発生し、これが電荷キャリアと
して作用するため、当該材料は導電性を有することにな
る。また、発生したラジカルの化学反応性により、ヨウ
素、アミン化合物、金属錯体等の導電性ドーパントの導
入や、金、銀、炭素等の導電性微粒子の分散が容易に行
え、導電性のさらなる向上が可能である。こうして、体
積抵抗率が１０⁶（Ωｃｍ）程度或いはそれ以下の高導
電率状態（活性状態）を実現できる。また、必要に応じ
て光増感剤を添加することにより、上記結合切断を促進
することができる。選択的に上記結合を切断するには、
所望の形状に露光部を形成したフォトマスクを介しての
遠紫外光照射を用いることができる。上記材料を高温焼
成すると、シラン結合が完全に切断され、より低分子量
のシロキサンに変化する。導電性ドーパントが導入され
ない場合には、その体積抵抗率は一般的な導電性材料と
同等の１０¹²（Ωｃｍ）程度或いはそれ以上となり、低
導電率状態を材料全体にわたって均一に実現することが
できる。特に中間層基材としてガラスを用いる場合に
は、これに非常に近い組成を有する絶縁層となるため、
層間接合性が非常に良好なものとなる。

【０１１４】上記材料と両面電極群との接触実現方法と
しては、両面電極群の形成された中間層の少なくとも片
面の全面にわたって溶液状の当該材料を塗布して乾燥す
る方法、樹脂状の当該材料を中間層の基板材料としてそ
の上に両面電極群を形成する方法等を用いることができ
る。

【０１１５】また、先に記載した電気絶縁材料として
は、各種樹脂の他ＳｉＯ_x、ＳｉＮ_x等の無機材料を用
いることができるが、ポリイミドのように液晶配向膜と
しての性質を有する材料の方がより望ましい。

【０１１６】また、前記導電率の異なる複数の状態を取
り得る材料膜の被覆方法としては、中間層全面被覆の
他、電圧降下分の抑制の観点から両面電極群上の膜を選
択的にエッチング除去する方法を用いることもできる。

【０１１７】液晶材料としては、コレステリック液晶と
ネマチック液晶の混合物であるカイラルネマチック液晶
を主として用いることができるが、液晶分子配列の安定
化をはかるために、カイラルネマチック液晶にパーフル
オロアルキル化合物系の材料（特開平５−２１６０１５
号公報に記載）を１〜３％混合した複合液晶材料を用い
ることもできる。

【０１１８】独立した液晶領域の光学的特性において隣
接する液晶材料の円偏光選択性が互いに異なる、すなわ
ち第１層の液晶材料では捻れ構造が右巻きであるため右
円偏光を反射し、第２層の液晶材料では捻れ構造が左巻
きであるため左円偏光を反射する場合には、各液晶層間
に存在するスルーホール型両面電極構造を有する中間層
には、ガラスや各種樹脂フィルム等のうち旋光性を示さ
ないものを用いるのが好ましい。独立する各液晶領域の
選択波長プロファイルは、互いに接する独立領域間で等
しくても問題はないが、視認性を考慮して広い波長領域
の選択反射を期待する場合には、独立領域間での選択反
射の中心波長を３０〜１００ｎｍ程度異ならせることが
好ましい。

【０１１９】一方、第１層の液晶材料と第２層の液晶材
料において円偏光選択性が互いに等しい場合、すなわち
第１層及び第２層の液晶材料の捻れ方向が等しい場合に
は、各液晶層間に存在するスルーホール型両面電極構造
有する中間層には、旋光性を示す材料を用いることが好
ましい。特にこの場合には、第２層の液晶層の選択反射
中心波長λ' ＝ｎ' ｐ（ｎ' は液晶の平均屈折率、ｐは
液晶の捻れピッチ）とこれに伴う反射波長幅Δλ＝Δｎ
ｐ（Δｎは第２層めの液晶材料の屈折率異方性）におけ
る光の常光成分と異常光成分との位相差を半波長（λ'
／２）だけずらすことが可能な光学素子であることが好
ましい。

【０１２０】液晶層を構成する空間を一定間隔に保つス
ペーサ材料としては、従来より液晶素子に用いられる樹
脂ボールを基板面に散布したものを用いることができる
が、好ましくは各基板面に特定間隔に形成された柱状の
絶縁体がよい。樹脂ボールを使用する際には、その散布
密度を１００個／ｍｍ²以下とすることが好ましい。ま
た、柱状の絶縁体を形成する場合には、配向膜と同種の
材料を用いればなお好ましい。

【０１２１】つぎに、本実施形態の構成例を説明する。

【０１２２】まず、本実施形態の第１構成例について、
図１８（同図（Ａ）は断面構成を示した図、同図（Ｂ）
は平面構成を示した図）を参照して説明する。本構成例
は、中間電極群の表面が絶縁性材料からなる薄膜で被覆
される構造を有するものである。

【０１２３】８１は中間層基板、８２は各画素毎に独立
して設けた中間電極群、８３は上下面の導通をとるため
のスルーホールである。各中間電極８２の周囲には、導
電率の異なる複数の状態を取り得る材料膜９２が低導電
状態すなわち絶縁性状態で形成されている。なお、この
低導電状態の材料膜９２は、少なくとも中間電極８２の
一方の面に形成されていればよい。また、この材料膜９
２の表面をさらに別の絶縁層で被覆してもよい。これら
によって構成される中間層と電極８８が形成された上側
基板８７とはスペーサ８９によって一定の間隙に保持さ
れ、この間隙には第１の液晶層９４が設けられいる。ま
た、中間層と電極９１が形成された下側基板９０（ＴＦ
Ｔ等のアクティブマトリクス用スイッチング素子が形成
されている。）とも同様にスペーサ８９によって一定の
間隙に保持され、この間隙には第２の液晶層９５が設け
られいる。

【０１２４】つぎに、本第１構成例の製造方法につい
て、図１９（ａ）〜図２０（ｆ）を参照して説明する。

【０１２５】まず、中間層基板８１にスルーホール８３
を有する両面電極群８２を形成する（ａ）。続いて、導
電率の異なる複数の状態を取り得る材料膜８４を、中間
層基板８１に設置された全ての両面電極８２と接触する
ようにして形成する（ｂ）。続いて、所定の高導電率化
手段８６を用いて材料膜を高導電状態の材料膜８５とす
る（ｃ）。

【０１２６】つぎに、高導電状態の材料膜８５を接地状
態として、セルの組み立てを行う。すなわち、工程
（ｃ）で形成された中間層を一対の対向基板８７（対向
面に電極８８が形成されている。）及び９０（対向面に
電極９１が形成されている。）間に配置し、スペーサ８
９によって一定の間隙を形成する。このとき、両面電極
群８２は高導電状態の材料膜８５を通して接地状態とな
っているため、両面電極群８２に電荷が帯電することを
防止することができる（ｄ）。

【０１２７】つぎに、高導電状態の材料膜８５を所定の
低導電率化手段９３を用いて低導電率化し、低導電状態
の材料膜９２へと遷移させる（ｅ）。この工程により、
各両面電極は低導電状態の材料膜９２によって絶縁され
ることになる。最後に、両間隙に液晶材料を注入して液
晶層９４及び９５を形成する（ｆ）。

【０１２８】つぎに、本実施形態の第２構成例につい
て、図２１（同図（Ａ）は断面構成を示した図、同図
（Ｂ）は平面構成を示した図）を参照して説明する。本
構成例は、中間電極群の周囲が絶縁性材料に埋め込まれ
た構造を有するものである。

【０１２９】１０１は中間層基板、１０２は上下面の導
通をとるためのスルーホールである。中間層基板１０１
の上下面には、中間電極群１２０及び絶縁性の膜１１６
が形成されており、中間電極群１２０は絶縁性の膜１１
６に埋め込まれた状態となっている。これらの中間電極
群１２０及び絶縁性の膜１１６は、導電率の異なる複数
の状態を取り得る材料膜によって形成されたものであ
る。なお、この材料膜９２の表面をさらに別の絶縁層で
被覆してもよい。これらによって構成される中間層と電
極１１２が形成された上側基板１１１とはスペーサ１１
３によって一定の間隙に保持され、この間隙には第１の
液晶層１１８が設けられいる。また、中間層と電極１１
５が形成された下側基板１１４（ＴＦＴ等のアクティブ
マトリクス用スイッチング素子が形成されている。）と
も同様にスペーサ１１３によって一定の間隙に保持さ
れ、この間隙には第２の液晶層１１９が設けられいる。

【０１３０】つぎに、本第２構成例の製造方法につい
て、図２２（ａ）〜図２３（ｉ）を参照して説明する。

【０１３１】まず、中間層基板１０１にスルーホール１
０２を形成する（ａ）。続いて、導電率の異なる複数の
状態を取り得る材料膜１０３を中間層基板１０１の上下
両面に形成する（ｂ）。続いて、所定の高導電率手段１
０４及びマスク１０５を用いて、画素領域に位置する材
料膜を選択的に活性化し、活性化領域１０６を形成する
（ｃ）。続いて、所定のドーパント導入手段１０７を用
いてドーピング処理を行い（ｄ）、ドーピング領域１０
８を形成する（ｅ）。続いて、所定の高導電率手段１１
０を用いて、非選択部分すなわち非画素領域に位置する
材料膜を高導電状態の材料膜１０９とする（ｆ）。

【０１３２】つぎに、上記のようにして形成した中間層
を接地状態として、セルの組み立てを行う。すなわち、
工程（ｆ）で形成された中間層を一対の対向基板１１１
（対向面に電極１１２が形成されている。）及び１１４
（対向面に電極１１５が形成されている。）間に配置
し、スペーサ１１３によって一定の間隙を形成する。こ
のように、接地状態でセルの組み立てを行うため、電荷
の帯電を防止することができる（ｇ）。

【０１３３】つぎに、所定の低導電率手段１１７を用い
て、非画素領域に位置する高導電状態の材料膜を低導電
率状態の材料膜１１６にするとともに、画素領域（ドー
ピング領域）に位置する材料膜を中間電極群１２０とす
る（ｈ）。この工程により、各両面電極１２０は低導電
状態の材料膜１１６によって絶縁されることになる。最
後に、両間隙に液晶材料を注入して液晶層１１８及び１
１９を形成する。

【０１３４】つぎに、本実施形態における具体的な製造
例について説明する。

【０１３５】まず、第１の具体的製造例について説明す
る。

【０１３６】電極付きの上側基板を以下の要領にて作成
した。ガラス基板上に透明電極としてＩＴＯを１５０ｎ
ｍの厚さに堆積し、続いて配向膜としてポリイミド（オ
プトマーＡＬ−３０４６：日本合成ゴム（株）製）を７
０ｎｍの厚さにスピンキャストした。つぎに、張り合わ
せのためのエポキシ接着剤を所定の位置に通常の方法に
より付与し、続いて配向膜を形成した基板面に直径２μ
ｍｍの樹脂製のスペーサボールを密度１００個／ｍ
ｍ²）以下になるように散布した。

【０１３７】ＴＦＴ付きの下側基板を以下の要領にて作
成した。ガラス基板上にアクティブマトリクス駆動素子
としてのＴＦＴアレイを通常の方法により形成し、続い
て配向膜としてポリイミド（オプトマーＡＬ−３０４
６：日本合成ゴム（株）製）を７０ｎｍの厚さにスピン
キャストした。つぎに、張り合わせのためのエポキシ接
着剤を所定の位置に通常の方法により付与し、続いて配
向膜を形成した基板面に直径２μｍｍの樹脂製のスペー
サボールを密度１００個／ｍｍ²）以下になるように散
布した。

【０１３８】以下のようにして、すでに説明した図１９
（ａ）〜図２０（ｆ）の工程にしたがって、液晶層を導
入するセルの作成を行った。

【０１３９】電極付き中間分離層を以下の要領にて作成
した。ガラス基板の所定位置にエッチング処理によって
スルーホールを形成し、スルーホール上にバンプを溶融
充填して表裏の電気的導通を取った。続いて、両面にＩ
ＴＯをスパッタ成膜し、エッチング処理によって各画素
電極を形成した。下側基板と対向する面に、以下の化学
式で示されるメチルフェニルポリシラン

【化１】

【０１４０】の５％トルエン溶液を５０ｎｍも厚さにス
ピンキャストし、全面に波長域２８０〜３２０ｎｍの遠
紫外光を照射し、１００℃で１０分間仮焼成した。

【０１４１】以上のようにして作成した電極付き中間分
離層基板とＴＦＴ付き下側基板とを重ね合わせ、画素電
極が重なるように目合わせを施した。続いて、これら二
つの基板と電極付き上側基板とを重ね合わせた。この
際、互いに重ね合わせる二つに基板の縁を接地した。重
ね合わせた基板を２５０℃で６０分間焼成し、液晶層を
導入するセルを形成した。

【０１４２】液晶材料として、ネマチック液晶材料Ｅ４
８（ＭＥＲＣＫ社製）５９部及びカイラル物質ＣＢ１５
（ＭＥＲＣＫ社製）４１部を混合した第１の液晶材料
と、ネマチック液晶材料Ｅ４８（ＭＥＲＣＫ社製）６１
部及びカイラル物質Ｃ１５（ＭＥＲＣＫ社製）３９部を
混合した第２の液晶材料を用い、それぞれを所定のセル
間隙に注入して、図１８に示すような反射型液晶表示素
子を作成した。

【０１４３】以上のようにして作成した素子の反射率は
６０％、コントラストは５０であった。また、本工程導
入前に多発していたような電圧を印加してもセル反射輝
度が不十分であるという表示不良が生じなくなった。

【０１４４】つぎに、本実施形態における第２の具体的
製造例について説明する。

【０１４５】本製造例では、メチルフェニルポリシラン
からなる薄膜を電極付き中間分離層の下半面のみに形成
する点を除いて、上記第１製造例と同様の製造方法によ
り、図２４に示すような断面構造を有する反射型液晶表
示素子を作成した。本製造例における素子の反射率は６
０％、コントラストは４５であった。また、本工程導入
前に多発していたような電圧を印加してもセル反射輝度
が不十分であるという表示不良が大幅に抑制された。

【０１４６】つぎに、本実施形態における第３の具体的
製造例について説明する。

【０１４７】電極付き上側基板及びＴＦＴ付き下側基板
は、上記第１の製造例と同様にして作成した。

【０１４８】以下のようにして、すでに説明した図２２
（ａ）〜図２３（ｉ）の工程にしたがって、液晶層を導
入するセルの作成を行った。

【０１４９】電極付き中間分離層を以下の要領にて作成
した。ガラス基板の所定位置にエッチング処理によって
スルーホールを形成し、ガラス基板の両面にメチルフェ
ニルポリシランの５％トルエン溶液を１μｍの厚さにス
ピンキャストした。続いて、図２５に示すような中間電
極部が開口部となったフォトマスクを用いて、波長域２
８０〜３２０ｎｍの遠紫外光を選択的に照射し、中間電
極部に潜像を形成した。これを以下の組成の導電性ドー
パント分散液に浸積した。

【０１５０】メタノール３０ｍｌインジウムアセチルアセトネート２０ｍｌ（Ｉｎ（ＣＯＣＨ₂ＣＯＣＨ₃）錫アセチルアセトネート１ｍｌ（Ｓｎ（ＣＯＣＨ₂ＣＯＣＨ₃）水８５ｍｌ塩酸０．２５ｍｌアセトニトリル８ｍｌこれを純水で洗浄した後、１００℃で１０分間仮焼成し
た。続いて、全面に波長域２８０〜３２０ｎｍの遠紫外
光を照射した。続いて、絶縁層兼配向膜としてのポリイ
ミド（オプトマーＡＬ−３０４６：日本合成ゴム（株）
製）を７０ｎｍの厚さにスピンキャストした。

【０１５１】以上のようにして作成した電極付き中間分
離層基板とＴＦＴ付き下側基板とを重ね合わせ、画素電
極が重なるように目合わせを施した。続いて、これら二
つの基板と電極付き上側基板とを重ね合わせた。この
際、互いに重ね合わせる二つの基板の縁を接地した。重
ね合わせた基板を２５０℃で６０分間焼成し、液晶層を
導入するセルを形成した。

【０１５２】液晶材料として、ネマチック液晶材料Ｅ４
８（ＭＥＲＣＫ社製）５９部及びカイラル物質ＣＢ１５
（ＭＥＲＣＫ社製）４１部を混合した第１の液晶材料
と、ネマチック液晶材料Ｅ４８（ＭＥＲＣＫ社製）６１
部及びカイラル物質Ｃ１５（ＭＥＲＣＫ社製）３９部を
混合した第２の液晶材料を用い、それぞれを所定のセル
間隙に注入して、図２１に示すような反射型液晶表示素
子を作成した。

【０１５３】以上のようにして作成した素子の反射率は
６５％、コントラストは５５であった。また、本工程導
入前に多発していたような電圧を印加してもセル反射輝
度が不十分であるという表示不良が大幅に抑制された。

【０１５４】以上、本発明の各実施形態について説明し
たが、本発明これらの実施形態に限定されるものではな
く、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して
実施することが可能である。

【０１５５】

【発明の効果】請求項１及び請求項２に係る発明では、
第１の電極を透明導電層によって構成するとともに第１
の電極の下に光吸収層を設けたので、光吸収効率を上げ
ることができ、コントラストの低下等の画質劣化を低減
することが可能となる。

【０１５６】請求項３に係る発明では、第３の電極がシ
ールド電極として機能するため、スイッチング素子や配
線の電位の影響が画素電極に及ぶことを防止することが
でき、表示品質の向上をはかることができるとともに、
第３の電極の形状に応じた凹凸が絶縁層の上面に形成さ
れるため、鏡面反射成分を低減することができ、コント
ラストの低下等の画質劣化を低減することが可能とな
る。

【０１５７】請求項４に係る発明では、画素電極（第１
の電極）が形成されていない領域（非画素領域）におい
てコレステリック液晶がフォーカルコニック状態又はホ
メオトロピック状態となる電位差を液晶層に与えるの
で、非画素領域における輝線の発生や表示ムラの発生を
防止することができ、コントラストの低下等の画質劣化
を低減することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の基本的な構成例を示し
た図。

【図２】本発明の第１実施形態の第１構成例を示した
図。

【図３】本発明の第１実施形態の第１構成例を示した
図。

【図４】本発明の第１実施形態の第２構成例を示した
図。

【図５】本発明の第１実施形態の第２構成例を示した
図。

【図６】本発明の第１実施形態の第３構成例を示した
図。

【図７】本発明の第２実施形態の第１構成例を示した
図。

【図８】本発明の第２実施形態の第１構成例を示した
図。

【図９】本発明の第２実施形態の第２構成例を示した
図。

【図１０】本発明の第３実施形態の第１構成例を示した
図。

【図１１】コレステリック液晶の状態変化を電圧−反射
率特性に対応させて示した図。

【図１２】本発明の第３実施形態の第１構成例における
表示状態（Ａ）と従来構成における表示状態（Ｂ）との
差異を示した図。

【図１３】本発明の第３実施形態の第２構成例を示した
図。

【図１４】本発明の第３実施形態における回路構成例を
示した図。

【図１５】本発明の第３実施形態の第３構成例を示した
図。

【図１６】本発明の第３実施形態の第３構成例における
表示状態を示した図。

【図１７】本発明の第３実施形態の第４構成例を示した
図。

【図１８】本願における他の実施形態の第１構成例を示
した図。

【図１９】本願における他の実施形態の第１構成例に係
る製造工程例を示した図。

【図２０】本願における他の実施形態の第１構成例に係
る製造工程例を示した図。

【図２１】本願における他の実施形態の第２構成例を示
した図。

【図２２】本願における他の実施形態の第２構成例に係
る製造工程例を示した図。

【図２３】本願における他の実施形態の第２構成例に係
る製造工程例を示した図。

【図２４】本願における他の実施形態の第１構成例の変
更例を示した図。

【図２５】本願における他の実施形態の具体的な製造例
において用いるフォトマスクの例を示した図。

【符号の説明】

１、１１、３１、５１…第１の基板３、１９…光吸収層４、２０、４２、５３…第１の電極５、２１、４３、６１…第２の基板６、２２、４４、６２…第２の電極７、２３、４６、６３…液晶層４０…第３の電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鈴木公平神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地株式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者岐津裕子神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地株式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者福永容子神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地株式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者川田靖神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地株式会社東芝生産技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の第１の電極が配列された第１の基
板と、前記第１の基板に対向する面側に第２の電極が配
列された第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板と
の間に設けた液晶層とを有し、前記第１の電極と第２の
電極との間の電位差に応じて前記液晶層に状態変化を与
えることにより表示を行う反射型の液晶表示装置におい
て、前記第１の電極を透明導電層によって構成し、前記第１
の電極の下に光吸収層を設けたことを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項２】複数のスイッチング素子及びこれらのス
イッチング素子に接続される複数の第１の電極をマトリ
クス状に配置した第１の基板と、前記第１の基板に対向
する面側に第２の電極が形成された第２の基板と、前記
第１の基板と第２の基板との間に設けた液晶層とを有
し、前記第１の電極と前記第２の電極との間の電位差に
応じて前記液晶層に状態変化を与えることにより表示を
行う反射型の液晶表示装置において、前記第１の電極を透明導電層によって構成し、前記第１
の電極の下に光吸収層を設けたことを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項３】複数のスイッチング素子及びこれらのス
イッチング素子に接続される複数の第１の電極をマトリ
クス状に配置した第１の基板と、前記第１の基板に対向
する面側に第２の電極が形成された第２の基板と、前記
第１の基板と第２の基板との間に設けた液晶層とを有
し、前記第１の電極は前記スイッチング素子を覆う絶縁
層上に設けられており、前記第１の電極と前記第２の電
極との間の電位差に応じて前記液晶層に状態変化を与え
ることにより表示を行う液晶表示装置において、前記絶縁層は複数の層で構成され、この複数の層の層間
に所定の電位が与えられる第３の電極が設けられ、この
第３の電極の形状に応じた凹凸が前記絶縁層の上面に形
成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】複数のスイッチング素子及びこれらのス
イッチング素子に接続される複数の第１の電極をマトリ
クス状に配置した第１の基板と、前記第１の基板に対向
する面側に第２の電極が形成された第２の基板と、前記
第１の基板と第２の基板との間に設けたコレステリック
液晶を用いた液晶層とを有し、前記第１の電極と前記第
２の電極との間の電位差に応じて前記コレステリック液
晶に状態変化を与えることにより表示を行う反射型の液
晶表示装置において、前記第１の電極が形成されていない領域において前記コ
レステリック液晶がフォーカルコニック状態又はホメオ
トロピック状態となる電位差を前記液晶層に与える手段
を設けたことを特徴とする液晶表示装置。