JP2007250983A - 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents

酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法 Download PDF

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Abstract


【課題】トランジスタの特性（Ｉｄ−Ｖｇ特性）にばらつきが生じる場合があった。
【解決手段】酸化物膜を半導体層１１として有する電界効果型トランジスタであって、酸化物膜の中に、水素又は重水素が添加されたソース部位及びドレイン部位を有している。または、酸化物膜の中に、チャンネル部位１８とソース部位１６とドレイン部位１７とを有し、ソース部位とドレイン部位との水素又は重水素の濃度がチャンネル部位の水素又は重水素の濃度よりも大きい。ソース部位とドレイン部位が、ゲート絶縁層を介して配されるゲート電極と自己整合して配され、且つ、コプレーナ構造からなる構成をとることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、酸化物膜を半導体層として有する電界効果型トランジスタとその製造方法、及び表示装置に係わる。特に、表示デバイスなどに応用可能なトランジスタ特性を有する電界効果型トランジスタとその製造方法、及び表示装置に関する。
電界効果型トランジスタ（Field Effect Transistor, FET）は、ゲート電極、ソース電極、及び、ドレイン電極を備えた３端子素子である。そして、電界効果型トランジスタは、ゲート電極に電圧を印加して、チャンネル層に流れる電流を制御し、ソース電極とドレイン電極間の電流を制御する機能を有する電子アクテイブ素子である。特に、チャンネル層として、セラミックス、ガラス、又はプラスチックなどの絶縁基板上に成膜した薄膜を用いるFETは、薄膜FET（Thin Film Transistor, TFT）と呼ばれている。
上記ＴＦＴは、薄膜技術を用いているために、比較的大面積を有する基板上への形成が容易であるという利点があり、液晶表示素子などのフラットパネル表示素子の駆動素子として広く使われている。すなわち、アクテイブ液晶表示素子（ALCD）では、ガラス基板上に作成したＴＦＴを用いて、個々の画像ピクセルのオン・オフが行われている。また、将来の高性能有機ＬＥＤディスプレイ（OLED）では、ＴＦＴによるピクセルの電流駆動が有効であると考えられている。さらに、画像全体を駆動・制御する機能を有するＴＦＴ回路を、画像表示領域周辺の基板上に形成した、より高性能の液晶表示デバイスが実現している。
ＴＦＴとして、現在、最も広く使われているのは多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜をチャネル層材料としたMetal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor (MIS−FET)素子である。ピクセル駆動用には、アモルファスシリコンＴＦＴが、画像全体の駆動・制御には、高性能な多結晶シリコンＴＦＴが実用化されている。
しかしながら、アモルファスシリコン、ポリシリコンＴＦＴは、デバイス作成に高温プロセスが不可欠で、プラスチック板やフィルムなどの基板上に作成することが困難である。
一方、近年、ポリマー板やフィルムなどの基板上に、ＴＦＴを形成し、LCDやOLEDの駆動回路として用いることで、フレキシブル・ディスプレイを実現しようとする開発が活発に行われている。プラスチックフィルム上などに成膜可能な材料として、低温で成膜でき、かつ電気伝導性を示す有機半導体膜が注目されている。
例えば、有機半導体膜としては、ペンタセンなどの研究開発が進められている。これらの有機半導体はいずれも芳香環を有し、結晶化した際の芳香環の積層方向で大きなキャリア移動度が得られる。例えば、ペンタセンを活性層として用いた場合、キャリア移動度は約0.5 cm2(Vs)-1程度であり、アモルファスSi-MOSFETと同等であることが報告されている。
しかし、ペンタセンなどの有機半導体は、熱的安定性が低く（＜150℃）、かつ毒性（発癌性）もあるとされており、実用的なデバイスは実現していない。
また、最近では、TFTのチャネル層に適用し得る材料として、酸化物材料が注目されてきている。
たとえば、ＺｎＯを主成分として用いた透明伝導性酸化物多結晶薄膜をチャネル層に用いたＴＦＴの開発が活発に行われている。上記薄膜は、比較的に低温で成膜でき、プラスチック板やフィルムなどの基板上に薄膜を形成することが可能である。しかし、ＺｎＯを主成分とする化合物は室温で安定なアモルファス相を形成することができず、多結晶相になるために、多結晶粒子界面の散乱により、電子移動度を大きくすることが困難である。また多結晶粒子の形状や相互接続が成膜方法により大きく異なるため、TFT素子の特性がばらついてしまう。
最近では、In-Ga-Zn-O系のアモルファス酸化物を用いた薄膜トランジスタが報告されている(非特許文献１)。このトランジスタは、室温でプラスチックやガラス基板への作成が可能である。さらには、電界効果移動度が６−９程度でノーマリーオフ型のトランジスタ特性が得られている。また、可視光に対して透明であるという特徴を有している。
K.Noumra et. al, Nature 432, 488 (2004)
本発明者らが、アモルファスＩｎ-Ｇａ-Ｚｎ-Ｏ系をはじめとする酸化物を用いた薄膜トランジスタを検討したところ、どのような組成や製造条件で作製するかにもよるが、ＴＦＴのトランジスタ特性（Ｉｄ−Ｖｇ特性）にばらつきが生じる場合があった。
特性ばらつきは、例えばディスプレイの画素回路などに用いる場合に、駆動対象となる有機ＬＥＤや液晶などの動作にばらつきを生み、最終的にディスプレイの画像品位を落とすことにつながる。
そこで、本発明の目的は、上記特性ばらつきの低減を図ることを目的とする。
これらのばらつきの要因として、
１）ソース、ドレイン電極とチャンネルの間に生じる寄生抵抗や
２）ゲート、ソース、ドレインの位置関係のばらつき
があげられる。
そこで、本発明の第１の目的は、トランジスタのチャネルとソース、ドレイン電極の接続に工夫を加え、上記特性ばらつきを低減することにある。
さらに、本発明の第２の目的は、ゲート、ソース、ドレインの位置関係を、精度良く作成できる構成および製造方法を提供し、これにより、上記特性ばらつきを低減することにある。
本発明の電界効果型トランジスタは、酸化物膜を半導体層として有する電界効果型トランジスタであって、前記酸化物膜の中に、酸化物膜を半導体層として有する電界効果型トランジスタであって、
前記酸化物膜の中に、水素又は重水素が添加されたソース部位及びドレイン部位を有することを特徴とする電界効果型トランジスタである。
また本発明の電界効果型トランジスタは、酸化物膜を半導体層として有する電界効果型トランジスタであって、
前記酸化物膜の中に、チャンネル部位とソース部位とドレイン部位とを有し、
前記ソース部位と前記ドレイン部位との水素又は重水素の濃度が前記チャンネル部位の水素又は重水素の濃度よりも大きいことを特徴とする電界効果型トランジスタである。
本発明の表示装置は、本発明の電界効果型トランジスタを用いたものである。
本発明の電界効果型トランジスタの製造方法は、酸化物膜を半導体層として有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、
基板上に前記酸化物膜を形成する工程と、
前記酸化物膜の一部に水素又は重水素を添加しソース部位およびドレイン部位を形成する工程とを有することを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法である。
また本発明の電界効果型トランジスタの製造方法は、酸化物膜を半導体層として有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、
基板上に前記酸化物膜を形成する工程と、
前記酸化物膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極のパターンをマスクとして前記酸化物膜に水素又は重水素を添加することで、前記ゲート電極のパターンに対して自己整合したソース部位およびドレイン部位を前記酸化物膜の中に形成する工程と、
を有することを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法である。
本発明の電界効果型トランジスタによれば、チャンネル層（酸化物膜）の中に、水素又は重水素が添加されたソース部位、ドレイン部位を有している。又はチャンネル層（酸化物膜）の中に、水素又は重水素を含むチャンネル部位と、チャンネル部位に比べて水素濃度の大きなソース部位、ドレイン部位を有している。これによりチャンネル部位とソース、ドレイン電極の間で、安定な電気接続が可能となり、素子の均一性、信頼性が向上する。さらに、ソース、ドレインとチャンネルの間で、チャージがトラップされにくい良好な電気接続が実現できるため、ヒステリシスが小さく、安定性に優れた特性を有した電界効果型トランジスタを実現できる。
また、本発明では、上述の電界効果型トランジスタを作成するに際し、ゲート電極のパターンをマスクとして該酸化物膜に水素を添加する。これにより、ゲート電極のパターンに自己整合してソース部位およびドレイン部位を作成できるため、ゲート、ソース、ドレインの位置関係を精度良く作成できる。
図１（ａ）、（ｂ）は本発明の電界効果型トランジスタの一実施形態の構成例を示す断面図である。図１（ａ）はトップゲート構造の例、図１（ｂ）は、ボトムゲート構造の例である。
図１（ａ）、（ｂ）において、１０は基板、１１はチャンネル層（酸化物薄膜）、１２はゲート絶縁層、１３はソース電極、１４はドレイン電極、１５はゲート電極、１６はソース部位、１７はドレイン部位、１８はチャンネル部位である。チャンネル層１１はソース部位１６、ドレイン部位１７、チャンネル部位１８を含んでいる。
図１（ａ）では半導体チャネル層11の上にゲート絶縁層12とゲート電極15とを順に形成しており、トップゲート構造となる。図１（ｂ）では、ゲート電極15の上にゲート絶縁膜12と半導体チャネル層11を順に形成しており、ボトムゲート構造となる。図１（ａ）においては、ソース部位、ドレイン部位が、それぞれソース電極、ドレイン電極を兼ねている。図１（ｂ）では、トランジスタのチャンネルとソース電極（ドレイン電極）は、ソース部位（ドレイン部位）を介して接続されている。
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態の電界効果型トランジスタ（Field Effect Transistor, FET）は、チャンネル層である酸化物半薄膜１１の中に、チャンネル部位１８とソース部位１６とドレイン部位１７を有している。そして、ソース部位１６、ドレイン部位１７は水素又は重水素が添加され、抵抗率が低減されている。チャンネル部位１８に水素又は重水素を含む場合、ソース部位１６とドレイン部位１７の水素又は重水素の濃度がチャンネル部位の水素又は重水素の濃度よりも大きくされる。なお、チャネル部位１８には積極的に水素又は重水素が添加される場合と積極的に添加しなくとも、水素が含まれる場合がある。後述するように、ソース部位は（ドレイン部位）は、水素又は重水素を添加することで電気伝導度を高めることができる。また、ソース部位は（ドレイン部位）は、水素又は重水素の濃度をチャネル部位の水素又は重水素の濃度よりも高めることで電気伝導度をチャンネル部位よりも大きくすることができる。このような構成により、チャンネルとソース（ドレイン）電極を信頼性が高く電気接続することが可能となり、ばらつきの小さい薄膜トランジスタを実現できる。
特に、本実施形態においては、酸化物膜中にソース部位、ドレイン部位を形成しているため、従来の酸化物膜上にソース電極、ドレイン電極を直接形成する構成に比べて、安定した電気接続が可能となる。
本実施形態において、電界効果型トランジスタの構成は、任意のトップ／ボトムゲート構造、スタガ／コプレーナ構造を用いることができるが、安定した電気接続の観点から図１に示すコプレーナ型の構造が好ましい。このようなコプレーナ型の構成とすることで、ソース、ドレイン電極とゲート絶縁層―チャンネル層界面が直接接続されるため、信頼性高い電気接続が可能である。
さらに、本実施形態のトランジスタは、ゲート電極とソース（ドレイン）部位が自己整合した構成からなることが好ましい。すなわち、後述するように、ゲート電極のパターンをマスクとして酸化物膜に水素を添加することで、ゲート電極のパターンに対して自己整合したソース部位およびドレイン部位を酸化物膜の中に形成する。
この自己整合的な手法を用いることで、ソース（ドレイン）部位とゲート電極の間の重なりが小さく、さらにこの重なりが均一なトランジスタを実現できる。この結果、ゲートとドレインのオーバーラップ部に形成されるトランジスタの寄生容量を小さく、さらには均一にすることができる。寄生容量が小さいために、高速動作が可能となる。また寄生容量が均一であるために、特性の均一性に優れたトランジスタを実現できる。
（ソース、ドレイン部位）
先述したように、ソース部位とドレイン部位は水素又は重水素を添加することで抵抗率が低減されている。本発明者は、アモルファスからなるIn-Ga-Zn-O薄膜に、水素（もしくは重水素）を添加することで酸化物薄膜の電気伝導度が大きくなることを見出した。そして、チャンネル部位１８に水素又は重水素が含まれるときには、ソース部位とドレイン部位の水素又は重水素の濃度はチャンネル部位の水素又は重水素の濃度よりも大きくされる。
図２は水素イオン注入量と抵抗率の関係の一例を示す特性図である。図２は、膜厚がおよそ５００nmのInGaZnO4薄膜に、水素をイオン注入した際の、イオン注入量に対する電気伝導率の変化を示している。横軸は、単位面積あたりの水素イオンの注入量の対数表示、縦軸は抵抗率の対数表示である。このように、アモルファス酸化物膜に水素を添加することで電気伝導度を制御することができる。
ソース部位とドレイン部位に水素又は重水素を添加することで抵抗率を電気伝導度を高めることができる。またチャンネル部位に水素又は重水素を含むときにはソース部位、ドレイン部位の水素濃度をチャンネル部位に比べて大きくすることで、ソース部位、ドレイン部位の電気伝導度をチャンネル部位より大きくすることができる。このようにチャンネルとほぼ同一の材料系でソース部位、ドレイン部位を構成することで、チャンネル部位とソース、ドレイン電極に良好な電気的な接続を実現できる。すなわち、ソース（ドレイン）電極は、ソース（ドレイン）部位を介して、チャンネルと接続されることで、良好な電気接続がなされる。
本実施形態において、ソース部位、ドレイン部位の抵抗率は、チャンネル部位の抵抗率より小さければ、特にこだわらない。より好ましくはソース部位、ドレイン部位の抵抗率が、チャンネル部位の抵抗率の1／１０以下であることが好ましい。さらにソース部位、ドレイン部位の抵抗率が、チャンネル部位の抵抗率の１/１０００以下となれば、ソース（ドレイン）部位をソース（ドレイン）電極として用いることが可能となる。
水素濃度の変化に対する抵抗率の変化量は、酸化物膜の組成や膜質などに依存するが、たとえば、１０００Ωｃｍ程度のIn-Ga-Zn-O系薄膜に、体積あたり1017(1/cm3)程度の水素イオンを注入することで数５０Ωｃｍ程度とすることができる。さらに、1019(1/cm3)程度の水素イオンを注入することで０．５Ωｃｍ程度とすることができる。ソース部位、ドレイン部位に添加する水素の濃度範囲は、酸化物膜の構成にも依存するが、１０１7以上とすることが好ましい。また、特に、１０１9／ｃｍ３程以上とすることで、ソース部位、ドレイン部位の電気伝導率が大きくなるため、これらをソース電極、ドレイン電極として用いることが可能となり、好ましい。
前述したように酸化物膜は、成膜条件に依存して、積極的に水素添加しなくとも、水素を含有している場合がある。したがって、チャネル部位には積極的に水素添加しなくとも水素を含有している場合がある。このような場合においても、この膜中にあらかじめ存在する水素量を超える水素量がソース部位、ドレイン部位に導入されるように、水素を後工程で添加することでソース部位、ドレイン部位を形成する。こうすることで、上述の構成および効果を実現できる。
他にも、酸化物膜中の水素量を局所的に減じることで、この部分をチャンネル部位としる手法も可能である。
水素濃度の測定は、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）にて評価することができる。評価装置に依存するが、検知限界は１０１7／ｃｍ３程度である。検知限界以下においては、水素添加のプロセスパラメータ（後述の成膜時水素分圧やイオン注入量）に対する薄膜中の含有水素量の関係に線型性を仮定した外挿により間接的に算出することができる。
図１は、それぞれ単一のソース部位、ドレイン部位からなるが、図６のように、複数のソース部位16a,16b、複数のドレイン部17a,17bを配してもよい。ソース部位16a,16bはそれぞれ、異なる電気伝導率を有している。ドレイン部位17a,17bもそれぞれ、異なる電気伝導率を有している。チャンネル部位18、ソース部位16a,ソース部位16bの順番に電気伝導率が大きくなることが好ましい。またチャンネル部位18、ドレイン部位17a,ドレイン部位17bの順番に電気伝導率が大きくなることが好ましい。このような構成は、チャンネル部位18、ソース部位16a,ソース部位16bの順、水素イオン添加量をチャンネル部位18、ドレイン部位17a,ドレイン部位17bの順に水素添加量を増やせばよい。
（チャンネル層；酸化物膜）
チャンネル層（酸化物層）の材料は、酸化物であれば特にこだわらないが、大きな移動度をえることができるInやZn系の酸化物が挙げられる。また、チャンネル層はアモルファスの酸化物からなることがこのましい。以下に記すアモルファス酸化物膜に水素を添加することで、効果的に、電気伝導度を大きくすることができる。
特に、アモルファス酸化物からなるチャンネル層の構成成分は
[（Ｓｎ１−ｘＭ４ｘ）Ｏ２]ａ・[（Ｉｎ１−ｙＭ３ｙ）２Ｏ３]ｂ・[（Ｚｎ１−ｚＭ２ｚＯ）]ｃ
ここで ０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、
０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１、
かつａ＋ｂ＋ｃ＝１、
Ｍ４はＳｎより原子番号の小さい４族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒ）、
Ｍ３は、Ｉｎより原子番号の小さい３族元素（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｙ）又はＬｕ、
Ｍ２はＺｎより原子番号の小さな２族元素（Ｍｇ，Ｃａ）]で示される。
この中でも、特に、[（Ｉｎ１−ｙＧａｙ）２Ｏ３]ｂ・[（ＺｎＯ）]ｃ
０≦ｙ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１、
および
[ＳｎＯ２]ａ・[（Ｉｎ２Ｏ３）ｂ・[（ＺｎＯ）]ｃ
ここで０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１、
が好ましい。
たとえば、アモルファス酸化物膜は、ＳｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ３及びＺｎＯを頂点とする３角形の内部に位置する一元系、二元系、又は三元系組成によって実現し得る。三元系組成の組成比によっては、ある組成比に範囲において結晶化する場合がある。たとえば、上記３種の化合物のうち二つを含む二元系組成（上記３角形の辺に位置する組成）のうち、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系では、Ｉｎが約８０原子％超含まれる組成、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｏ系の場合には、Ｉｎが約８０原子％含まれる組成で、アモルファス膜を作成することができる。
さらには、ＩｎとＧａとＺｎを含有したアモルファス酸化物からなることが、特に、好ましい。
本発明者らはアモルファス酸化物をチャンネル層に適用した薄膜トランジスタを検討した。検討の結果、良好なＴＦＴ特性を得るためには、チャンネルに１０Ｓ／ｃｍ以下で0.000１Ｓ／ｃｍ以上の電気伝導度を有した半絶縁性のアモルファス酸化物膜をチャンネルに適用することが好ましいことが分かった。このような電気伝導度を得るためには、チャンネルの材料組成にも依存するが、１０１4〜１０１８／ｃｍ３程度の電子キャリア濃度を有したアモルファス酸化物膜を形成することが好ましい。
電気伝導度にして１０Ｓ／ｃｍ以上の場合、ノーマリーオフ・トランジスタを構成することができないし、また、オン・オフ比を大きくすることができない。極端な場合には、ゲート電圧の印加によっても、ソース・ドレイン電極間の電流がオン・オフせず、トランジスタ動作を示さない。
一方で、絶縁体、すなわち電気伝導度にして0.000１Ｓ／ｃｍ以下となると、オン電流を大きくすることができなくなる。極端な場合には、ゲート電圧の印加によっても、ソース・ドレイン電極間の電流がオン・オフせず、トランジスタ動作を示さない。
たとえば、チャンネル層に適用する酸化物の電気伝導度を制御するためには、成膜時の酸素分圧を制御することで行うことができる。すなわち、酸素分圧を制御することで、主として薄膜中の酸素欠損量を制御し、これにより電子キャリア濃度を制御する。図９は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物薄膜をスパッタ法で成膜した際の、電気伝導度の酸素分圧依存性の一例を示す図である。実際に、酸素分圧を高度に制御することで、電子キャリア濃度が１０１4〜１０１８／ｃｍ３で半絶縁性を有したアモルファス酸化膜の半絶縁性膜を得ることができ、このような薄膜をチャンネル層に適用することで良好なＴＦＴを作成することができる。図９に示すように典型的には０．００５Ｐａ程度の酸素分圧で成膜することで、半絶縁性の薄膜を得ることができる。０．００１Ｐａ以下では絶縁となり、一方で０．０１Ｐａ以上では電気伝導度が高すぎ、トランジスタのチャンネル層としては不適合である。
また、成膜時の雰囲気の酸素分圧を変化させて、アモルファス酸化膜の電子キャリア濃度およびキャリア濃度を評価したところ、酸素分圧を上げることにより、キャリア濃度と電子移動度が共に増加する傾向がある。評価にはホール移動度測定を用いている。
通常の化合物では、キャリア濃度が増加するにつれて、キャリア間の散乱などにより、電子移動度は減少するが、本実施形態で用いたアモルファス酸化物では、電子キャリア濃度の増加とともに、電子移動度が増加する。その物理機構は明確でない。
ゲート電極に電圧を印加すると、上記アモルファス酸化物チャネル層に、電子を注入できるので、ソース・ドレイン電極間に電流が流れ、両電極間がオン状態になる。本実施形態によるアモルファス酸化膜は、電子キャリア濃度が増加すると、電子移動度が大きくなるので、トランジスタがオン状態での電流を、より大きくすることができる。すなわち、飽和電流及びオン・オフ比をより大きくすることができる。
（ゲート絶縁層）
本実施形態の電界効果型トランジスタにおいて、ゲート絶縁層12の材料は良好な絶縁性を有するものであれば、特にこだわらない。たとえば、ゲート絶縁層12としては、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、又はＨｆＯ２の1種、又はそれらの化合物を少なくとも二種以上含む混晶化合物を用いることができる。これにより、ソース・ゲート電極間及びドレイン・ゲート電極間のリーク電流を約１０−７アンペヤにすることができる。
（電極）
ソース電極13、ドレイン電極14、ゲート電極15の材料は、良好な電気伝導性とソース部位１６、ドレイン部位１７への電気接続を可能とするものであれば特にこだわらない。たとえば、Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ、ＺｎＯなどの透明導電膜や、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｎｉなどの金属膜を用いることができる。
ゲート部位、ドレイン部位が、十分な電気伝導率を有する場合には、図１（a)のよう電極を省くことができる。
図１（ｂ）、図５（ａ）、図５（ｂ）は、ソース電極１３、ドレイン電極１４を配した構成例である。図５（ａ）は、図１（ａ）の構成の上に絶縁層１９を配し、ビアを介してソース電極、ドレイン電極を接続する構成である。
（基板）
基板１０としては、ガラス基板、プラスチック基板、プラスチックフィルムなどを用いることができる。
上述のチャンネル層、ゲート絶縁層は可視光に対して透明であるので、上述の電極及び基板の材料として透明な材料を用いれば、透明な薄膜トランジスタとすることができる。
（特性）
電界効果型トランジスタは、ゲート電極15、ソース電極13、及び、ドレイン電極14を備えた３端子素子である。また電界効果型トランジスタは、ゲート電極に電圧Ｖｇを印加して、チャンネルに流れる電流Ｉｄを制御し、ソース電極とドレイン電極間の電流Ｉｄを制御する機能を有する電子アクテイブ素子である。
図７に本実施形態の電界効果型トランジスタの典型的な特性を示す。ソース・ドレイン電極間に５V程度の電圧Ｖｄを印加したとき、ゲート電圧Ｖｇを印加を０Ｖと５Ｖの間でオン・オフすることで、ソース・ドレイン電極間の電流Ｉｄ（単位：μＡ）を制御する（オン・オフする）ことができる。図７（a)はさまざまなＶｇでのＩｄ−Ｖｄ特性、図７（ｂ）はＶｄ＝６ＶにおけるＩｄ−Ｖｇ特性（トランスファ特性）の例である。
（ヒステリシス）
図８を用いて、本実施形態の効果の一つであるヒステリシスの低減を説明する。ヒステリシスとは、ＴＦＴトランスファ特性の評価において、図８に示すようにＶｄを固定して、Ｖｇを掃引（上下）させた際に、Ｉｄが電圧上昇時と下降時で異なる値を示すことを言う。ヒステリシスが大きいと、設定したＶｇに対して得られるＩｄの値がばらついてしまうため、ヒステリシスが小さい素子が好ましい。
図８（a) と図８（ｂ）は、それぞれ、酸化物膜上にソース電極、ドレイン電極を直接形成する従来の構成の場合と、本実施形態の水素濃度が高いソース部位、ドレイン部位を配した構成の場合と、ＴＦＴトランスファ特性の一例を示している。従来の構成においては、図８（a)のようなヒステリシス特性を示すが、それに比べて、本実施形態の水素を添加したソース部位、ドレイン部位を配することで、図８（ｂ）のようにヒステリシスの小さい素子とすることができる。
水素を添加したソース部位、ドレイン部位を介して、チャンネルとソース（ドレイン）電極間を接続することで、接続部にトラップされる電荷量が減少し、ヒステリシスが低減されると考えられる。
(製造方法)
上述の電界効果型トランジスタの製造方法は、以下の方法で作成することができる。
すなわち、チャンネル層である酸化物膜を形成する工程と、酸化物膜の一部に水素を添加しソース部位およびドレイン部位を形成する工程を有した製造方法である。
あらかじめ、上述のチャンネル部位となるに好ましい抵抗値を有した酸化物膜を形成した後、その一部に水素を添加して、ソース部位とドレイン部位を形成する手法が好ましい。
他にも、あらかじめチャンネル部位となるに好ましい抵抗値よりやや小さい抵抗値を有した酸化物膜を形成した後、その薄膜の一部に対して水素濃度を減じせしめ、チャンネル部位を形成してもよい。前者の方が、水素濃度の制御がしやすい観点から好ましい。
酸化物薄膜の成膜法としては、スパッタ法（ＳＰ法）、パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）、及び電子ビーム蒸着法などの気相法を用いるのがよい。尚、気相法の中でも、量産性の点からは、ＳＰ法が適している。しかし、成膜法は、これらの方法に限られるのものではない。成膜時の基板の温度は意図的に加温しない状態で、ほぼ室温に維持することができる。
酸化物膜に水素を添加する方法としては、水素イオン注入や、水素プラズマ処理、水素雰囲気処理、隣接した水素含有膜からの拡散などの手法を用いることができる。この中でも、水素含有量の制御性の観点ではイオン注入の手法が好ましい。イオン注入の手法において用いるイオン種としては、H+イオン、H-イオン、D+イオン（重水素イオン）、H2+イオン（水素分子イオン）などを用いることができる。一方で、スループットの観点からは、水素プラズマ処理が好ましい。
たとえば、水素プラズマ処理は、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置あるいはＲＩＥタイプのプラズマエッチング装置を用いて行なうことができる。
次に、本実施形態の自己整合（セルフアライン）プロセスについて説明する。
この手法は、ソース部位およびドレイン部位の作成に際し、チャンネル層の上方に配されたゲート電極のパターンをマスクとして、酸化物膜に水素を添加する。この方法では、ソース部位およびドレイン部位をそれぞれゲート電極に対して自己整合的に形成することができる。
図３を用い、図１に示すトップゲート型の薄膜トランジスタを例として本実施形態のセルフアライン工程を説明する。
先ず、基板１０上にチャンネル層１１である酸化物膜をパターニング形成する。次いでゲート絶縁層１２を堆積する。さらにゲート電極１５をパターニング形成する。さらに、水素添加工程として、水素イオン注入法や水素プラズマ処理などにより、ゲート電極をマスクとして水素酸化物薄膜に注入する（図３（a））ことで、ソース部位１６、ドレイン部位１７を形成する（図３（ｂ））。この後、水素量の均質化をはかるために、アニール処理を施してもよい。
このようにして、ゲート電極１５をマスクとして、チャンネル層１１中に水素を添加する自己整合的手法により、容易にコプレーナ型トランジスタを作成することができる。
このような手法を用いることで、ゲート電極とソース部位、ドレイン部位との間の重なりを小さくすることができる。この重なりはコンデンサ（寄生容量）として働くことで、トランジスタの高速動作を妨げる。さらには、この重なりがばらつくことで、トランジスタ特性がばらつくことになる。上述の自己整合的なプロセスを用いることで、ゲートとソース、ドレインのオーバーラップ部に形成されるトランジスタの寄生容量が小さく且つ均一にすることができる。結果として、駆動能力が高く、均一性に優れたトランジスタを作成することができる。
この手法を用いることで、ゲート、ソース、ドレインの位置関係を、誤差の生じやすいマスク合わせを用いることなく自動的に決定することができる。自己整合的な手法を用いることで、高度なマスクの位置合わせが必要なくなる。さらには、マスクの位置合わせの誤差を見込んだマスク合わせの余裕が不必要になり、デバイスの寸法を小さくすることができる。
さらには、この手法は低温プロセスでの実施が可能であるため、薄膜トランジスタをプラスチック板やフィルムなどの基板上に作成することができる。
さらに本実施形態では、エッチングプロセスやリフトオフプロセスの回数が少なく、ソース、ドレインを形成できるため、低コストなプロセスで安定性に優れた電極、半導体接続を実現できる。
上記電界効果型トランジスタの出力端子であるドレインに、有機又は無機のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、液晶素子等の表示素子の電極に接続することで表示装置を構成することができる。以下に表示装置の断面図を用いて具体的な表示装置構成の例を説明する。
たとえば図１１に示すように、基体１１１上に、酸化物膜（チャネル層）１１２と、ソース電極１１３と、ドレイン電極１１４とゲート絶縁膜１１５と、ゲート電極１１６から構成される電界効果トランジスタを形成する。そして、ドレイン電極１１４に、層間絶縁膜１１７を介して電極１１８が接続されており、電極１１８は発光層１１９と接し、さらに発光層１１９が電極１２０と接している。かかる構成により、発光層１１９に注入する電流を、ソース電極１１３からドレイン電極１１４に酸化物膜１１２に形成されるチャネルを介して流れる電流値によって制御することが可能となる。したがってこれを電界効果トランジスタのゲート電極１１６の電圧によって制御することができる。ここで、電極１１８、発光層１１９、電極１２０は無機もしくは有機のエレクトロルミネッセンス素子を構成する。
あるいは、図１２示すように、ドレイン電極１１４が延長されて電極１１８を兼ねており、これを高抵抗膜１２１、１２２に挟まれた液晶セルや電気泳動型粒子セル１２３へ電圧を印加する電極１１８とする構成を取ることができる。液晶セルや電気泳動型粒子セル１２３、高抵抗層１２１及び１２２、電極１８、電極２０は表示素子を構成する。これら表示素子に印加する電圧を、ソース電極１１３からドレイン電極１１４に非晶質酸化物半導体膜１１２に形成されるチャネルを介して流れる電流値によって制御することが可能となる。したがってこれをＴＦＴのゲート電極１１６の電圧によって制御することができる。ここで表示素子の表示媒体が流体と粒子を絶縁性被膜中に封止したカプセルであるなら、高抵抗膜１２１、１２２は不要である。
上述の２例において電界効果型トランジスタとしては、トップゲートのコプレナー型の構成で代表させたが、本実施形態は必ずしも本構成に限定されるものではない。例えば、電界効果型トランジスタの出力端子であるドレイン電極と表示素子の接続が位相幾何的に同一であれば、スタガ型等他の構成も可能である。
また、上述の２例においては、表示素子を駆動する一対の電極が、基体と平行に設けられた例を図示したが、本実施形態は必ずしも本構成に限定されるものではない。例えば、電界効果型トランジスタの出力端子であるドレイン電極と表示素子の接続が位相幾何的に同一であれば、いずれかの電極もしくは両電極が基体と垂直に設けられていてもよい。
さらに、上述の２例においては、表示素子に接続される電界効果型トランジスタをひとつだけ図示したが、本実施形態は必ずしも本構成に限定されるものではない。例えば、図中に示した電界効果型トランジスタがさらに本実施形態による別の電界効果型トランジスタに接続されていてもよく、図中の電界効果型トランジスタはそれら電界効果型トランジスタによる回路の最終段であればよい。
ここで、表示素子を駆動する一対の電極が、基体と平行に設けられた場合、表示素子がＥＬ素子もしくは反射型液晶素子等の反射型表示素子ならば、いずれかの電極が発光波長もしくは反射光の波長に対して透明である必要がある。あるいは透過型液晶素子等の透過型表示素子ならば、両電極とも透過光に対して透明である必要がある。
さらに本実施形態の電界効果型トランジスタでは、全ての構成体を透明にすることも可能であり、これにより、透明な表示素子を形成することもできる。また、軽量可撓で透明な樹脂製プラスチック基板など低耐熱性基体の上にも、かかる表示素子を設けることができる。
次に、ＥＬ素子（ここでは有機ＥＬ素子）と電界効果型トランジスタを含む画素を二次元状に配置した表示装置について図１３を用いて説明する。
図１３において、１８１は有機EL層１８４を駆動するトランジスタであり、１８２は画素を選択するトランジスタである。また、コンデンサ１８３は選択された状態を保持するためのものであり、共通電極線１８７とトランジスタ１８２のソース部分との間に電荷を蓄え、トランジスタ１８１のゲートの信号を保持している。画素選択は走査電極線１８５と信号電極線１８６により決定される。
より具体的に説明すると、画像信号がドライバ回路（不図示）から走査電極１８５を通してゲート電極へパルス信号で印加される。それと同時に、別のドライバ回路（不図示）から信号電極１８６を通してやはりパスル信号でトランジスタ１８２へと印加されて画素が選択される。そのときトランジスタ１８２がONとなり信号電極線１８６とトランジスタ１８２のソースの間にあるコンデンサ１８３に電荷が蓄積される。これによりトランジスタ１８１のゲート電圧が所望の電圧に保持されトランジスタ１８１はONになる。この状態は次の信号を受け取るまで保持される。トランジスタ１８１がONである状態の間、有機EL層１８４には電圧、電流が供給され続け発光が維持されることになる。
この図１３の例では１画素にトランジスタ２ヶコンデンサー１ヶの構成であるが、性能を向上させるために更に多くのトランジスタ等を組み込んでも構わない。本質的なのはトランジスタ部分に本実施形態の低温で形成でき透明の電界効果型トランジスタであるIn-Ga-Zn-O系の電界効果トランジスタを用いることにより、有効なＥＬ素子が得られる。
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
本実施例では、図１（ａ）に示すコプレーナ型構造を有したトップゲート型ＴＦＴ素子を作製した例である。
製造方法において、図３に示す自己整合的な手法を適用した例である。
また、チャンネル層11にＩｎ−Ｇａ―Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物を用い、ソース部位、ドレイン部位の形成には、水素のイオン注入の手法を用いている。
まず、ガラス基板10（コーニング社製1737）上にチャンネル層としてアモルファス酸化物膜11を形成する。本実施例では、アルゴンガスと酸素ガスと混合雰囲気中で高周波スパッタ法により、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜を形成する。
図１０に示すようなスパッタ成膜装置を用いている。図１０において、51は試料、52はターゲット、53は真空ポンプ、54は真空計、55は基板保持手段、56はそれぞれのガス導入系に対して設けられたガス流量制御手段、57は圧力制御手段、58は成膜室である。
すなわち、成膜室58と、成膜室内を真空排気するための真空ポンプ53と、酸化物膜を形成する基板を成膜室内に保持するための基板保持手段55と、基板保持手段に対向して配置された固体材料源（ターゲット）52とを有する。また、固体材料源から材料を蒸発させるためのエネルギー源(不図示の高周波電源)と成膜室内に酸素ガスを供給する手段を有する。
ガス導入系としては、アルゴン、酸素、アルゴンと酸素の混合ガス（Ar:O2=80:20）の３系統を有している。それぞれのガス流量を独立に制御可能とするガス流量制御手段56と、排気速度を制御するための圧力制御手段57により、成膜室内に所定のガス雰囲気を得ることができる。
本実施例では、ターゲット（材料源）としては、２インチサイズのＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）組成を有する多結晶焼結体を用い、投入ＲＦパワーは１００Wとしている。成膜時の雰囲気は、全圧0.5Paであり、その際ガス流量比としてＡｒ：Ｏ２＝100：1である。成膜レートは13nm/minである。また、基板温度は25℃である。
得られた膜に関し、膜面にすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法、入射角 0.5度）を行ったところ、明瞭な回折ピークは検出されず、作製したＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系膜はアモルファス膜であることがわかる。
さらに、分光エリプソ測定を行い、パターンの解析を行った結果、薄膜の平均二乗粗さ（Rrms）は約0.5 nmであり、膜厚は約60 nmであることが分かった。蛍光Ｘ線（XRF）分析の結果、薄膜の金属組成比はIn : Ga : Zn = 38 : 37 : 25であった。
また、電気伝導度で１０-2Ｓ/cm程度であり、電子キャリア濃度は４×１０16／ｃｍ３、電子移動度は、約２ｃｍ２／Ｖ・秒程度と見積もっている。
また、光吸収スペクトルの解析から、作製したアモルファス酸化物膜の禁制帯エネルギー幅は、約3 eVである。
次に、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ゲート絶縁層12をパターニング形成した。ゲート絶縁膜は、Y2O3膜を電子ビーム蒸着法により成膜し、厚みは150nmである。またY2O3膜の比誘電率は約15である。
さらに、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ゲート電極15を形成した。チャネル長は、４０μｍで、チャネル幅は、２００μｍである。電極材質はＡｕであり、厚さは30nmである。
次に、アモルファス酸化物薄膜に水素（もしくは重水素）イオン注入を行い（図３（a））、チャンネル層中に、ソース部位、ドレイン部位を形成した（図３（ｂ））。イオン注入において、図に示すように水素イオンは、ゲート絶縁層を介してチャンネル層中に注入される。
このような手法によって、ゲート電極がマスクとなり、ゲート電極のパターンに対応して、ソース部位、ドレイン部位が自己整合的に配置される。
ここで、イオン注入に際し、イオン種としてH+(陽子)を用い加速電圧は20kVである。面積あたりのイオン照射量としては、1×1013〜1×1017(1/cm2)程度とすることができる。また、別途、同様に重水素D+のイオン注入した試料も用意している。
水素含有量を評価するためにＳＩＭＳにより組成分析を行うと、1×1015 (1/cm2)のイオン照射を行った試料を薄膜中の水素濃度が2×１０19（１/ｃｍ３）程度である。これにより、たとえば1×1013(1/cm2)がイオン照射量の試料は水素濃度が検出限界以下で測定できないが、2×１０17（１/ｃｍ３）程度と見積もることができる。
本実施例の薄膜トランジスタのソース部位、ドレイン部位には、水素イオン照射量が1×1016 (1/cm2)としている。水素濃度が２×１０20（１/ｃｍ３）程度と見積もられる。また、別途、用意した試料で、電気伝導度を評価すると、80Ｓ/cm程度である。本実施例においては、ソース部位、ドレイン部位の電気伝導率が十分に高いため、ソース電極、ドレイン電極は省略した図１（a)の構成を採用している。
(比較例１)
比較例として、酸化物膜上にソース電極、ドレイン電極を直接形成する構成の素子を作成した。基板上にアモルファス酸化物層を形成後、ソース及びドレイン電極、ゲート絶縁層、ゲート電極をそれぞれパターニング形成することで作成できる。自己整合的な手法は用いていない。また、各層の形成は本実施例１に準じている。ソース及びドレイン電極には厚さ30nmのAu電極を用いている。
ＴＦＴ素子の特性評価
図７に、室温下で測定したＴＦＴ素子の電流−電圧特性の一例を示す。図７（a)はＩｄ−Ｖｄ特性であり、図７（ｂ）はＩｄ−Ｖｇ特性である。図７（ａ）に示すように、一定のゲート電圧Vgを印加し、Ｖｄの変化に伴うソース−ドレイン間電流のＩｄのドレイン電圧Ｖｄ依存性を測定すると、Ｖｄ= 6 V程度で飽和（ピンチオフ）する典型的な半導体トランジスタの挙動を示した。利得特性を調べたところ、Ｖｄ= 4 V印加時におけるゲート電圧VGの閾値は約-0.5 Vであった。また、Ｖｇ=10 V時には、Ｉｄ=1.0 × 10-5A程度の電流が流れた。
トランジスタのオン・オフ比は、１０6超であった。また、出力特性から電界効果移動度を算出したところ、飽和領域において約8cm2(Vs)-1の電界効果移動度が得られた。作製した素子に可視光を照射して同様の測定を行なったが、トランジスタ特性の変化は認められなかった。
また、同一基板上に作成された複数の素子を特性ばらつきを評価すると、本実施例においては、比較例に比べて、ばらつきが小さい。たとえば、オン電流のばらつきを評価すると、比較例では±１５％程度であるが、本実施例においては±１０％程度である。
本実施例の電界効果型トランジスタは、チャンネル層（酸化物薄膜）の中に、チャンネル部位と、チャンネル部位に比べて水素濃度の大きなソース部位、ドレイン部位を有している。そのため、チャンネルとソース、ドレイン電極の間で、安定な電気接続が可能となり、素子の均一性、信頼性が向上していると考えられる。
また、本実施例のＴＦＴは、比較例のＴＦＴに比べた所、ヒステリシスが小さい。図８には、本実施例と比較例のＩｄ−Ｖｇを図に記して比較している。図８（a)は比較例、図８（ｂ）は本実施例のＴＦＴ特性の一例である。このようにチャンネル層に水素を添加することで、ＴＦＴのヒステリシスを低減することができる。
すなわち、本実施例では、ソース、ドレイン電極とチャンネルの間で、チャージがトラップされにくい良好な電気接続が実現できるため、ヒステリシスが小さい薄膜トランジスタを実現できる。
次に、前述のトップゲート薄膜トランジスタの動特性を評価した。ソース、ドレイン間に５Vを印加し、ゲート電極に＋5Vおよび-5V の電圧を交互にパルス幅30μsec、周期30msecで切り替えて印加し、ドレイン電流の応答を測定した。本実施例においては、電流立ち上がりに優れ、さらに立ち上がり時間の素子間ばらつきが小さい。
すなわち、本実施例において、自己整合的な手法により、ゲート、ソース、ドレインの位置関係を精度良く作成できたことで、高速動作が可能であるとともに、均一性が高い素子を実現できている。
水素をイオン注入した場合と重水素をイオン注入した際で、特性に大きな差は見られていない。
本実施例の比較的大きな電界効果移動度を有した電界効果型トランジスタは、有機発光ダイオードを動作回路への利用などが期待できる。
本実施例において、その構成と製法は実施例１に準じているが、水素注入量を制御し、ソース部位、ドレイン部位の水素濃度が1×１０18（１/ｃｍ３）程度とした。
本実施例においては、ソース部位とドレイン部位の電気伝導度が不十分であるため、実施例１と比べてややオン電流がやや小さい傾向がある。別途、用意した上記水素濃度の試料では、電気伝導度を評価すると、0.01Ｓ/cm程度である。
このような比較的低い水素濃度をソース部位、ドレイン部位に適用する場合には、図５（ａ）に示すように、絶縁層１９とソース電極、ドレイン電極を付加することで、実施例１と同様に良好なトランジスタ特性を実現できる。ヒステリシス特性、均一性、高速動作性も良好である。
本実施例では、図１（ｂ）に示すコプレーナ型構造を有したボトムゲート型ＴＦＴ素子を作製した例である。
図４に示す手法による製法を用いて作成する例である。自己整合的な手法は用いていない。
また、Ｉｎ−Ｇａ―Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物からなるチャンネル層の形成には、ＰＬＤ法を用い、ソース部位、ドレイン部位の形成には水素プラズマ処理を用いる。
まず、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ガラス基板１０（コーニング社製1737）上に、ゲート電極15をパターニング形成した。電極材料はTaであり、厚さ50nmとした。
次に、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、ゲート絶縁層12をパターニング形成した。ゲート絶縁膜は、厚さ150nmのHfO2膜をレーザ蒸着法により成膜した。
さらに、フォトリソグラフィー法とリフトオフ法により、チャンネル層であるＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜をパターニング形成した。
KrFエキシマレーザーを用いたＰＬＤ法により、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜を堆積させた。
ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系アモルファス酸化物膜を堆積させた。成膜時の酸素分圧は７Ｐａである。なおKrFエキシマレーザーのパワーは1.5×10-3mJ/cm2/pulse、パルス幅は20nsec、繰り返し周波数は10Hzである。また、基板温度は25℃である。
蛍光Ｘ線（XRF）分析の結果、薄膜の金属組成比はIn : Ga : Zn = 0.97 :1.01: 4であった。さらに、分光エリプソ測定を行い、パターンの解析を行った結果、薄膜の平均二乗粗さ（Rrms）は約0.6 nmであり、膜厚は約100 nmである。得られた膜に関し、膜面にすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法、入射角 0.5度）を行ったところ、明瞭な回折ピークは検出されず、作製したＩｎ−Ｚｎ−Ｇａ−Ｏ系膜はアモルファス膜である。
次に、ゲート電極と同じパターンからなるレジストマスク20をパターニング形成した（図４（a））。
その後、プラズマ処理装置を用い、チャンネル層であるアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜に対して水素プラズマ処理により水素添加を行う。水素プラズマ処理は、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置あるいはＲＩＥタイプのプラズマエッチング装置を用いて行うことができる（図４（ｂ））。
真空排気された装置内に処理の対象となる試料（前工程まで終了した基板）を収容した後、反応ガス導入口から水素を含むガスを導入すると共に、高周波電源（ＲＦ）により処理容器内に高周波を導入することによりプラズマを発生させることで行う。例えば、電極間隔を５ｃｍ、基板温度は１００°Ｃ、Ｈ2ガス流量を５００ｓｃｃｍ、チャンバー内圧を１Ｔｏｒｒとする。水素プラズマ処理を施した薄膜は、水素含有量が増加し、抵抗率が減少する。
引き続きドレイン電極14及びソース電極13をパターニング形成した。各電極材質は、金であり、厚さは30nmである（図４（ｃ））。
最後に、マスク２０をエッチング、図４（ｄ）に示す薄膜トランジスタとする。チャネル長は、５０μｍで、チャネル幅は１８０μｍである。
(比較例２)
上述の水素プラズマ処理を行わない試料を用意した。すなわち、チャンネル層内は、膜全体にわたり水素濃度がほぼ均一であり、ソース部位、ドレイン部位を有していない。その他の構成、製法は、実施例２に準じている。
ＴＦＴ素子の特性評価
本実施例の薄膜トランジスタは、Ｖｄ= 6 V程度で飽和（ピンチオフ）する典型的な半導体トランジスタの挙動を示した。トランジスタのオン・オフ比は、１０6超であり、電界効果移動度は約7cm2(Vs)-1である。
また、本実施例３のＴＦＴは、比較例２のＴＦＴに比べて、複数の素子を作成した際の特性ばらつきが小さい。また、ヒステリシス特性や高速動作性も良好である。
本実施例の電界効果型トランジスタは、チャンネル層（酸化物薄膜）の中に、チャンネル部位と、チャンネル部位に比べて水素濃度の大きなソース部位、ドレイン部位を有しているため、チャンネルとソース、ドレイン電極の間で、安定な電気接続が可能となり、素子の均一性、信頼性が向上していると考えられる。
本実施例の比較的大きな電界効果移動度を有した電界効果型トランジスタは、有機発光ダイオードを動作回路への利用などが期待できる。
本実施例は、プラスチック基板上に、図５（ｂ)に示すトップゲート型ＴＦＴ素子を作製した例である。
基板として、ポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用いている。
まず基板上にチャンネル層をパターニング形成する。
また、本実施例では、チャンネル層成膜において、ターゲットとしては、２インチサイズのＩｎ2Ｏ３・ＺｎＯ組成を有する多結晶焼結体を用い、投入ＲＦパワーは１００Wとしている。成膜時の雰囲気は、全圧0.4Paであり、その際ガス流量比としてＡｒ：Ｏ２＝100：2である。成膜レートは12nm/minである。また、基板温度は25℃である。
得られた膜に関し、膜面にすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法、入射角 0.5度）を行ったところ、明瞭な回折ピークは検出されず、作製したＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系膜は、アモルファス膜である。また、蛍光Ｘ線（XRF）分析の結果、金属組成比はIn : Zn = １．１: ０．９である。
次に、ゲート絶縁層とゲート電極を積層する。ゲート絶縁層とゲート電極は同一のパターンとして形成する。ゲート電極、はＩｎ２Ｏ３：Ｓｎからなる透明導電膜である。
次に、実施例３と同様に水素プラズマ処理する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に、ソース部位１６、ドレイン部位１７が形成される。
さらに、ソース電極、ドレイン電極をパターニング形成する。ソース電極、ドレイン電極はＩｎ２Ｏ３：Ｓｎからなる透明導電膜とした。厚さは100nmである。
ＴＦＴ素子の特性評価
ＰＥＴフィルム上に形成したＴＦＴの室温下で測定した。トランジスタのオン・オフ比は、１０３超である。また、電界効果移動度を算出したところ、約3cm2(Vs)-1の電界効果移動度である。また、素子の特性ばらつき、ヒステリシス特性、高速動作性は、実施例１と同程度に、良好である。
ＰＥＴフィルム上に作成した素子を、曲率半径３０ｍｍで屈曲させ、同様のトランジスタ特性の測定を行ったが、トランジスタ特性に大きな変化は認められなかった。また、可視光を照射して同様の測定を行なったが、トランジスタ特性の変化は認められなかった。
本実施例で作成した薄膜トランジスタは可視光に対して透明であり、フレキシブルな基板上に形成されている。
本実施例では図１２の電界効果型トランジスタを用いた表示装置について説明する。上記電界効果型トランジスタにおいて、ドレイン電極をなすITO膜の島の短辺を100μmまで延長し、延長された90μmの部分を残し、ソース電極およびゲート電極への配線を確保した上で、ＴＦＴを絶縁層で被覆する。この上にポリイミド膜を塗布し、ラビング工程を施す。一方で、同じくプラスチック基板上にITO膜とポリイミド膜を形成し、ラビング工程を施したものを用意し、上記電界効果型トランジスタを形成した基板と5μmの空隙を空けて対向させ、ここにネマチック液晶を注入する。さらにこの構造体の両側に一対の偏光板を設ける。ここで、電界効果型トランジスタのソース電極に電圧を印加し、ゲート電極の印加電圧を変化させると、ドレイン電極から延長されたITO膜の島の一部である30μm×90μmの領域のみ、光透過率が変化する。またその透過率は、電界効果型トランジスタがオン状態となるゲート電圧の下ではソース−ドレイン間電圧によっても連続的に変化させることができる。かようにして、図１２に対応した、液晶セルを表示素子とする表示装置を作成する。
本実施例において、ＴＦＴを形成する基板として白色のプラスチック基板を用い、ＴＦＴの各電極を金に置き換え、ポリイミド膜と偏光板を廃する構成とする。そして、白色と透明のプラスチック基板の空隙に粒子と流体を絶縁性皮膜にて被覆したカプセルを充填させる構成とする。この構成の表示装置の場合、本電界効果型トランジスタによって延長されたドレイン電極と上部のITO膜間の電圧が制御され、よってカプセル内の粒子が上下に移動する。それによって、透明基板側から見た延長されたドレイン電極領域の反射率を制御することで表示を行うことができる。
また、本実施例において、電界効果型トランジスタを複数隣接して形成して、たとえば、通常の４トランジスタ１キャパシタ構成の電流制御回路を構成し、その最終段トランジスタのひとつを図１１のＴＦＴとして、ＥＬ素子を駆動することもできる。たとえば、上述のITO膜をドレイン電極とする電界効果型トランジスタを用いる。そして、ドレイン電極から延長されたITO膜の島の一部である30μm×90μmの領域に電荷注入層と発光層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する。こうして、ＥＬ素子を用いる表示装置を形成することができる。
実施例５の表示素子と電界効果型トランジスタを二次元に配列させる。たとえば、実施例５の液晶セルやＥＬ素子等の表示素子と、電界効果型トランジスタとを含めて約30μm×115μmの面積を占める画素を、短辺方向に40μmピッチ、長辺方向に120μmピッチでそれぞれ7425×1790個方形配列する。そして、長辺方向に7425個の電界効果型トランジスタのゲート電極を貫くゲート配線を1790本、1790個のＴＦＴのソース電極が非晶質酸化物半導体膜の島から5μmはみ出した部分を短辺方向に貫く信号配線を7425本設ける。そして、それぞれをゲートドライバ回路、ソースドライバ回路に接続する。さらに液晶表示素子の場合、液晶表示素子と同サイズで位置を合わせRGBが長辺方向に反復するカラーフィルタを表面に設ければ、約211 ppiでA4サイズのアクティブマトリクス型カラー画像表示装置を構成することができる。
また、ＥＬ素子においても、ひとつのＥＬ素子に含まれる２つの電界効果型トランジスタのうち第一電界効果型トランジスタのゲート電極をゲート線に配線し、第二電界効果型トランジスタのソース電極を信号線に配線し、さらに、ＥＬ素子の発光波長を長辺方向にRGBで反復させる。こうすることで、同じ解像度の発光型カラー画像表示装置を構成することができる。
ここで、アクティブマトリクスを駆動するドライバ回路は、画素の電界効果型トランジスタと同じ本実施形態のＴＦＴを用いて構成しても良いし、既存のICチップを用いても良い。
本発明の電界効果型トランジスタは、ＰＥＴフィルムをはじめとするフレキシブル素材上に形成することができる。すなわち、湾曲させた状態でのスイッチングが可能なうえ、波長400nm以上の可視光・赤外光に対して透明であるので、本発明の電界効果型トランジスタはＬＣＤや有機ＥＬディスプレイのスイッチング素子として応用することができる。また、フレキシブル・ディスプレイをはじめ、シースルー型のディスプレイ、ＩＣカードやＩＤタグなどに幅広く応用できる。
本発明の電界効果型トランジスタの構成例を示す断面図である。 水素を添加した際のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス酸化物膜の抵抗率変化を示す図である。 本発明の自己整合的な手法を用いた電界効果型トランジスタの作成方法を示す図である。 本発明の電界効果型トランジスタの作成方法を示す図である。 本発明の電界効果型トランジスタの構成例を示す図である。 本発明の電界効果型トランジスタの構成例を示す図である。 本発明の電界効果型トランジスタのＴＦＴ特性を示すグラフである。 本発明の電界効果型トランジスタのヒステリシス特性を示すグラフである。 Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系アモルファス酸化物膜の電気伝導率と成膜中の酸素分圧の関係を示すグラフである。 アモルファス酸化物膜の製造装置を示す図である。 本発明に係わる表示装置の一例の断面図である。 本発明に係わる表示装置の他の例の断面図である。 有機ＥＬ素子と薄膜トランジスタを含む画素を二次元状に配置した表示装置の構成を示す図である。
符号の説明
１０ 基板
１１ チャンネル層（酸化物薄膜）
１２ ゲート絶縁層
１３ ソース電極
１４ ドレイン電極
１５ ゲート電極
１６ ソース部位
１７ ドレイン部位
１８ チャンネル部位

Claims (14)

  1. 酸化物膜を半導体層として有する電界効果型トランジスタであって、
    前記酸化物膜の中に、水素又は重水素が添加されたソース部位及びドレイン部位を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
  2. 酸化物膜を半導体層として有する電界効果型トランジスタであって、
    前記酸化物膜の中に、チャンネル部位とソース部位とドレイン部位とを有し、
    前記ソース部位と前記ドレイン部位との水素又は重水素の濃度が前記チャンネル部位の水素又は重水素の濃度よりも大きいことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
  3. 前記ソース部位と前記ドレイン部位が、ゲート絶縁層を介して配されるゲート電極と自己整合して配され、且つ、コプレーナ構造からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電界効果型トランジスタ。
  4. 前記ソース部位もしくは前記ドレイン部位の抵抗率が、前記チャンネル部位の抵抗率の１/１０以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電界効果型トランジスタ。
  5. 前記ソース部位もしくは前記ドレイン部位の抵抗率が、前記チャンネル部位の抵抗率の１/１０００以下であることを特徴とする請求項４に記載の電界効果型トランジスタ。
  6. 前記酸化物膜がアモルファス構造をなすことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電界効果型トランジスタ。
  7. 前記酸化物膜が、
    [（Ｓｎ１−ｘＭ４ｘ）Ｏ２]ａ・[（Ｉｎ１−ｙＭ３ｙ）２Ｏ３]ｂ・[（Ｚｎ１−ｚＭ２ｚＯ）]ｃ
    [０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、
    ０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１、かつ
    ａ＋ｂ＋ｃ＝１、
    Ｍ４はＳｎより原子番号の小さい４族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒ）、Ｍ３は、Ｉｎより原子番号の小さい３族元素（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｙ）又はＬｕ、
    Ｍ２はＺｎより原子番号の小さな２族元素（Ｍｇ，Ｃａ）]
    で示されるアモルファス酸化物からなることを特徴とする請求項６に記載の電界効果型トランジスタ。
  8. 前記酸化物膜がＩｎとＧａとＺｎを含有したアモルファス酸化物からなることを特徴とする請求項７に記載の電界効果型トランジスタ。
  9. 表示素子の電極に、請求項１から８のいずれか１項に記載の電界効果型トランジスタの前記ソース部位又はドレイン部位が電気的に接続されている表示装置。
  10. 前記表示素子がエレクトロルミネッセンス素子である、請求項９に記載の表示装置。
  11. 前記表示素子が液晶セルである、請求項９に記載の表示装置。
  12. 基板上に前記表示素子及び前記電界効果型トランジスタが二次元的に複数配されている請求項９から１１のいずれか１項に記載の表示装置。
  13. 酸化物膜を半導体層として有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、
    基板上に前記酸化物膜を形成する工程と、
    前記酸化物膜の一部に水素又は重水素を添加しソース部位およびドレイン部位を形成する工程と、を有することを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
  14. 酸化物膜を半導体層として有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、
    基板上に前記酸化物膜を形成する工程と、
    前記酸化物膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
    前記ゲート電極のパターンをマスクとして前記酸化物膜に水素又は重水素を添加することで、前記ゲート電極のパターンに対して自己整合したソース部位およびドレイン部位を前記酸化物膜の中に形成する工程と、
    を有することを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
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CN2007800091475A CN101401213B (zh) 2006-03-17 2007-03-08 使用氧化物膜用于沟道的场效应晶体管及其制造方法
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AT07738746T ATE527693T1 (de) 2006-03-17 2007-03-08 Feldeffekttransistor mit einer oxydschicht als kanalschicht und verfahren zu dessen herstellung
BRPI0709583A BRPI0709583B8 (pt) 2006-03-17 2007-03-08 transistor de efeito de campo, dispositivo exibidor e método para fabricar um transistor de efeito de campo
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Cited By (203)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009099887A (ja) * 2007-10-19 2009-05-07 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2009111125A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Fujifilm Corp 酸化物半導体素子とその製造方法、薄膜センサおよび電気光学装置
JP2009141341A (ja) * 2007-11-15 2009-06-25 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP2009141342A (ja) * 2007-11-15 2009-06-25 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP2009146100A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Sony Corp 表示装置および光センサ素子
JP2009147069A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Canon Inc 電界効果型トランジスタ
WO2009093625A1 (ja) * 2008-01-23 2009-07-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 電界効果型トランジスタ及びその製造方法、それを用いた表示装置、並びに半導体装置
JP2009223036A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2009272427A (ja) * 2008-05-07 2009-11-19 Canon Inc 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2009278115A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 Samsung Electronics Co Ltd トランジスタとこれを含む半導体素子及びそれらの製造方法
JP2010040645A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタの製造方法及び該製造方法によって製造された薄膜電界効果型トランジスタ
JP2010045263A (ja) * 2008-08-15 2010-02-25 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化物半導体、スパッタリングターゲット、及び薄膜トランジスタ
JP2010067849A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP2010067710A (ja) * 2008-09-09 2010-03-25 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
EP2175493A1 (en) 2008-10-08 2010-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor and process for production thereof
JP2010141230A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
WO2010071034A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing transistor
CN101764064A (zh) * 2008-12-24 2010-06-30 索尼株式会社 制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示单元
JP2010171404A (ja) * 2008-12-26 2010-08-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2010192881A (ja) * 2009-01-23 2010-09-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2010199456A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Dainippon Printing Co Ltd トランジスタ素子およびその製造方法
CN101840937A (zh) * 2009-02-13 2010-09-22 株式会社半导体能源研究所 晶体管、具有该晶体管的半导体装置及它们的制造方法
JP2010232651A (ja) * 2009-03-05 2010-10-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2011044699A (ja) * 2009-07-18 2011-03-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US7915075B2 (en) 2008-10-22 2011-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2011086955A (ja) * 2011-01-14 2011-04-28 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび表示装置
WO2011052344A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic appliance including the same
US7952392B2 (en) 2008-10-31 2011-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
JP2011119672A (ja) * 2009-10-29 2011-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2011120222A (ja) * 2009-10-30 2011-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 論理回路及び半導体装置
US7977675B2 (en) 2008-04-16 2011-07-12 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2011139047A (ja) * 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2011146694A (ja) * 2009-12-18 2011-07-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
US7989815B2 (en) 2008-10-03 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2011149933A (ja) * 2009-12-25 2011-08-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 固体試料の分析方法
WO2011104938A1 (ja) * 2010-02-23 2011-09-01 シャープ株式会社 回路基板の製造方法、回路基板及び表示装置
US8021916B2 (en) 2008-09-01 2011-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8021917B2 (en) 2008-11-07 2011-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
JP2011187506A (ja) * 2010-03-04 2011-09-22 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
US8030663B2 (en) 2008-08-08 2011-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011125940A1 (ja) * 2010-04-06 2011-10-13 株式会社日立製作所 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US8049225B2 (en) 2008-08-08 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2011222982A (ja) * 2010-03-26 2011-11-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US8058647B2 (en) 2008-11-13 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8067775B2 (en) 2008-10-24 2011-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with two gate electrodes
JP2012009836A (ja) * 2010-05-21 2012-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
US8106400B2 (en) 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8129717B2 (en) 2008-07-31 2012-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012074692A (ja) * 2010-09-03 2012-04-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電界効果トランジスタおよび半導体装置の作製方法
US8158975B2 (en) 2008-10-10 2012-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8188477B2 (en) 2008-11-21 2012-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2012119667A (ja) * 2010-11-11 2012-06-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US8236635B2 (en) 2008-10-24 2012-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2012151457A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2012151460A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
US8243873B2 (en) 2009-09-24 2012-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic appliance including the display device
US8241949B2 (en) 2009-07-17 2012-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US8242494B2 (en) 2008-10-24 2012-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor using multi-tone mask
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8253135B2 (en) 2009-03-27 2012-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
JP2012169606A (ja) * 2011-01-26 2012-09-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US8293595B2 (en) 2008-07-31 2012-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012212874A (ja) * 2011-03-18 2012-11-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜、半導体装置および半導体装置の作製方法
US8304765B2 (en) 2008-09-19 2012-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8304300B2 (en) 2009-07-03 2012-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing display device including transistor
US8305109B2 (en) 2009-09-16 2012-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
US8319216B2 (en) 2008-11-07 2012-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US8318551B2 (en) 2008-12-01 2012-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8329506B2 (en) 2008-11-20 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8338226B2 (en) 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2012256929A (ja) * 2009-12-11 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8344372B2 (en) 2008-10-03 2013-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US8343799B2 (en) 2008-10-24 2013-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8344387B2 (en) 2008-11-28 2013-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8350261B2 (en) 2009-02-13 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of the semiconductor device
US8368067B2 (en) 2008-12-09 2013-02-05 Hitachi, Ltd. Oxide semiconductor device with oxide semiconductor layers of different oxygen concentrations and method of manufacturing the same
US8368066B2 (en) 2008-10-03 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8373164B2 (en) 2008-11-07 2013-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2013033998A (ja) * 2009-09-04 2013-02-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US8383470B2 (en) 2008-12-25 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof
US8389988B2 (en) 2008-10-08 2013-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8395716B2 (en) 2008-12-03 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8395148B2 (en) 2008-11-07 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2013055329A (ja) * 2011-08-05 2013-03-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8427595B2 (en) 2008-09-19 2013-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with pixel portion and common connection portion having oxide semiconductor layers
US8426868B2 (en) 2008-10-31 2013-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN103077961A (zh) * 2008-08-28 2013-05-01 佳能株式会社 非晶氧化物半导体和使用其的薄膜晶体管
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8450144B2 (en) 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8461584B2 (en) 2010-03-26 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with metal oxide film
US8471252B2 (en) 2008-08-08 2013-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8492757B2 (en) 2009-03-06 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8501555B2 (en) 2008-09-12 2013-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8502225B2 (en) 2009-09-04 2013-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP2013214731A (ja) * 2012-03-05 2013-10-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2013219341A (ja) * 2012-03-14 2013-10-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
KR101338099B1 (ko) 2009-06-11 2013-12-06 후지필름 가부시키가이샤 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 전기 광학 장치, 및 센서
JP2013251526A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Samsung Display Co Ltd 薄膜トランジスター、これを備える薄膜トランジスター表示板およびその製造方法
WO2013183495A1 (ja) * 2012-06-08 2013-12-12 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2013545273A (ja) * 2010-09-29 2013-12-19 ガーディアン・インダストリーズ・コーポレーション 酸化物薄膜トランジスタアレイの製造方法及び酸化物薄膜トランジスタアレイを組み込んだ装置
US8624237B2 (en) 2008-07-31 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8629432B2 (en) 2009-01-16 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2014007398A (ja) * 2012-06-01 2014-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2014502038A (ja) * 2010-10-29 2014-01-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 薄膜電極および薄膜スタックを堆積させる方法
US8643018B2 (en) 2009-07-18 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a pixel portion and a driver circuit
KR20140020602A (ko) * 2012-08-10 2014-02-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US8704217B2 (en) 2008-01-17 2014-04-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Field effect transistor, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
US8704267B2 (en) 2008-10-16 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device
US8716061B2 (en) 2008-11-07 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8744038B2 (en) 2011-09-28 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register circuit
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8759132B2 (en) 2009-08-07 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8796078B2 (en) 2009-05-29 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2014143404A (ja) * 2012-12-25 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 抵抗素子、表示装置、及び電子機器
JP2014160249A (ja) * 2008-12-05 2014-09-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8841661B2 (en) 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2014187378A (ja) * 2014-05-26 2014-10-02 Renesas Electronics Corp 半導体装置
US8860023B2 (en) 2012-05-01 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014197678A (ja) * 2008-12-24 2014-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8878172B2 (en) 2008-10-24 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US8883554B2 (en) 2008-12-19 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using an oxide semiconductor
US8927981B2 (en) 2009-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8936963B2 (en) 2009-03-13 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US8941114B2 (en) 2008-09-12 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including protective circuit
JP2015018271A (ja) * 2009-12-04 2015-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8945981B2 (en) 2008-07-31 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2015029146A (ja) * 2009-03-12 2015-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015053520A (ja) * 2009-02-13 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015092603A (ja) * 2009-11-20 2015-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015097275A (ja) * 2009-11-20 2015-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048320B2 (en) 2008-09-19 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including oxide semiconductor layer
JP2015119201A (ja) * 2006-04-28 2015-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015128189A (ja) * 2010-02-10 2015-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 電界効果トランジスタ
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
JP2015144309A (ja) * 2009-12-11 2015-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015146462A (ja) * 2011-04-22 2015-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9136389B2 (en) 2008-10-24 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US9171957B2 (en) 2012-01-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2015188116A (ja) * 2010-12-28 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2016001712A (ja) * 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2016027649A (ja) * 2014-07-03 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、該半導体装置を有する表示装置
US9324874B2 (en) 2008-10-03 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising an oxide semiconductor
JP2016105502A (ja) * 2008-07-16 2016-06-09 シーブライト・インコーポレイテッドＣｂｒｉｔｅ Ｉｎｃ． 金属酸化物半導体装置および半導体装置を製造する方法
JP2016106402A (ja) * 2010-11-05 2016-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
KR20160092152A (ko) * 2015-01-26 2016-08-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 제조 방법과 박막 트랜지스터
US9412876B2 (en) 2014-02-07 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9419113B2 (en) 2009-05-29 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9450133B2 (en) 2008-11-28 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor and display device
JP2016181718A (ja) * 2011-01-26 2016-10-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9478597B2 (en) 2008-09-19 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2016201550A (ja) * 2009-12-18 2016-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9530894B2 (en) 2014-02-07 2016-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9634150B2 (en) 2014-03-07 2017-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device
US9666719B2 (en) 2008-07-31 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2017120919A (ja) * 2009-09-16 2017-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US9704976B2 (en) 2009-04-02 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2017123489A (ja) * 2012-07-12 2017-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017152740A (ja) * 2010-02-12 2017-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017204658A (ja) * 2009-10-16 2017-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9842859B2 (en) 2008-10-31 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and display device
JP2018014508A (ja) * 2011-04-15 2018-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018029198A (ja) * 2010-11-12 2018-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9911856B2 (en) 2009-10-09 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2018046152A (ja) * 2016-09-14 2018-03-22 株式会社東芝 酸化物半導体、半導体装置、半導体記憶装置及び固体撮像装置
TWI622032B (zh) * 2009-11-13 2018-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及包括顯示裝置之電子裝置
JP2018078298A (ja) * 2012-01-18 2018-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20180079114A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 표시 장치
US10074646B2 (en) 2008-09-12 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2018169631A (ja) * 2009-12-04 2018-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2018174339A (ja) * 2013-09-06 2018-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018186304A (ja) * 2011-04-27 2018-11-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10205030B2 (en) 2008-08-08 2019-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2019057723A (ja) * 2009-10-21 2019-04-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019096909A (ja) * 2011-01-12 2019-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2019101423A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタアレイ基板及びそれを含む有機発光表示装置
JP2019110311A (ja) * 2011-06-08 2019-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
JP2019195095A (ja) * 2009-06-30 2019-11-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019197935A (ja) * 2013-12-06 2019-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019208060A (ja) * 2009-09-24 2019-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20200000844A (ko) * 2019-12-26 2020-01-03 삼성디스플레이 주식회사 스위칭 소자, 이를 포함하는 표시 기판 및 이의 제조 방법
US10566459B2 (en) 2009-10-30 2020-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a first region comprising silicon, oxygen and at least one metal element formed between an oxide semiconductor layer and an insulating layer
JP2020031219A (ja) * 2012-01-23 2020-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020057818A (ja) * 2013-05-02 2020-04-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20200045458A (ko) * 2020-04-21 2020-05-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2020520557A (ja) * 2017-05-02 2020-07-09 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 Ｏｌｅｄ表示パネルおよびその製造方法
JP2020523767A (ja) * 2017-06-16 2020-08-06 武漢華星光電半導体顕示技術有限公司Ｗｕｈａｎ Ｃｈｉｎａ Ｓｔａｒ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｉｓｏｌａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ Ｏｌｅｄ表示パネル及びその製造方法
JP2021013036A (ja) * 2011-01-12 2021-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ及び半導体装置
JP2021015989A (ja) * 2011-07-22 2021-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
JP2021048414A (ja) * 2011-02-23 2021-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021057600A (ja) * 2015-05-22 2021-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2021073718A (ja) * 2012-04-06 2021-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
JP2021100134A (ja) * 2011-06-29 2021-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021101466A (ja) * 2010-03-05 2021-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ及び液晶表示装置
US11183597B2 (en) 2009-09-16 2021-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2022000896A (ja) * 2008-09-01 2022-01-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2022001959A (ja) * 2010-01-24 2022-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US11659735B2 (en) 2020-03-05 2023-05-23 Japan Display Inc. Semiconductor device and display device
JP2023524181A (ja) * 2021-04-13 2023-06-09 深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司 ディスプレイパネル及び表示装置
US11710746B2 (en) 2020-03-05 2023-07-25 Japan Display Inc. Semiconductor device and display device
JP7494274B2 (ja) 2014-02-07 2024-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7371605B2 (en) * 2005-03-25 2008-05-13 Lucent Technologies Inc. Active organic semiconductor devices and methods for making the same
KR100785038B1 (ko) 2006-04-17 2007-12-12 삼성전자주식회사 비정질 ＺｎＯ계 ＴＦＴ
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5116290B2 (ja) * 2006-11-21 2013-01-09 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US8274078B2 (en) * 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
JP5408842B2 (ja) * 2007-04-27 2014-02-05 キヤノン株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5294651B2 (ja) * 2007-05-18 2013-09-18 キヤノン株式会社 インバータの作製方法及びインバータ
KR100873081B1 (ko) * 2007-05-29 2008-12-09 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
EP2158608A4 (en) 2007-06-19 2010-07-14 Samsung Electronics Co Ltd OXIDE SEMICONDUCTORS AND THIN FILM TRANSISTORS THEREWITH
JP5393058B2 (ja) * 2007-09-05 2014-01-22 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP5354999B2 (ja) 2007-09-26 2013-11-27 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタの製造方法
JP2009130209A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Fujifilm Corp 放射線撮像素子
JP5213458B2 (ja) 2008-01-08 2013-06-19 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ
JP5219529B2 (ja) * 2008-01-23 2013-06-26 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及び、該電界効果型トランジスタを備えた表示装置
JP2009206508A (ja) * 2008-01-31 2009-09-10 Canon Inc 薄膜トランジスタ及び表示装置
JP5305696B2 (ja) * 2008-03-06 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の処理方法
DE112009000012B4 (de) * 2008-03-13 2014-11-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Glaskeramikzusammensetzung, Glaskeramik-Sinterkörper und keramisches Mehrschicht-Elektronikbauteil
CN102881696A (zh) * 2008-09-19 2013-01-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR20200085934A (ko) 2008-10-03 2020-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
KR101432764B1 (ko) * 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TW201103090A (en) * 2009-07-01 2011-01-16 Univ Nat Chiao Tung Method for manufacturing a self-aligned thin film transistor and a structure of the same
JP5640478B2 (ja) * 2009-07-09 2014-12-17 株式会社リコー 電界効果型トランジスタの製造方法及び電界効果型トランジスタ
KR101929726B1 (ko) 2009-07-18 2018-12-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101638978B1 (ko) * 2009-07-24 2016-07-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP4970622B2 (ja) * 2009-08-26 2012-07-11 株式会社アルバック 半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法
CN105810753A (zh) * 2009-09-04 2016-07-27 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
EP2486569B1 (en) * 2009-10-09 2019-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device
KR102462145B1 (ko) 2009-10-16 2022-11-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치
EP2489075A4 (en) 2009-10-16 2014-06-11 Semiconductor Energy Lab LOGIC CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
KR101824123B1 (ko) 2009-11-06 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011055625A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and operating method thereof
KR101824854B1 (ko) * 2009-11-06 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101751560B1 (ko) * 2009-11-13 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101811203B1 (ko) 2009-12-25 2017-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제작하기 위한 방법
KR101842413B1 (ko) * 2009-12-28 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120121931A (ko) * 2010-02-19 2012-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN113540253A (zh) 2010-02-26 2021-10-22 株式会社半导体能源研究所 制造半导体装置的方法
KR20130045418A (ko) 2010-04-23 2013-05-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011145484A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101824125B1 (ko) * 2010-09-10 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101952235B1 (ko) * 2010-09-13 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101856722B1 (ko) * 2010-09-22 2018-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터
TWI423449B (zh) * 2010-12-09 2014-01-11 Au Optronics Corp 氧化物半導體薄膜電晶體及其製作方法
WO2012090799A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2012090973A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012090974A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8445969B2 (en) * 2011-04-27 2013-05-21 Freescale Semiconductor, Inc. High pressure deuterium treatment for semiconductor/high-K insulator interface
US9112036B2 (en) 2011-06-10 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP6005401B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9012993B2 (en) * 2011-07-22 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20130037793A1 (en) * 2011-08-11 2013-02-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Amorphous oxide semiconductor thin film transistor fabrication method
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
TW201312757A (zh) * 2011-09-14 2013-03-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 薄膜電晶體結構及其製造方法
US8952379B2 (en) 2011-09-16 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9082663B2 (en) 2011-09-16 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2013039126A1 (en) * 2011-09-16 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9431545B2 (en) 2011-09-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20130087784A1 (en) * 2011-10-05 2013-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8637864B2 (en) 2011-10-13 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5912394B2 (ja) 2011-10-13 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6053490B2 (ja) 2011-12-23 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN102629590B (zh) * 2012-02-23 2014-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
US20140062849A1 (en) * 2012-09-05 2014-03-06 Tagnetics, Inc. Cmos-compatible display system and method
KR102001057B1 (ko) 2012-10-31 2019-07-18 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판의 제조방법
DE112013006214T5 (de) 2012-12-25 2015-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
CN103915508B (zh) * 2013-01-17 2017-05-17 上海天马微电子有限公司 一种底栅结构的氧化物薄膜晶体管及其制作方法
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN103984170A (zh) * 2013-02-19 2014-08-13 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其制造方法、液晶显示器
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN104124277B (zh) * 2013-04-24 2018-02-09 北京京东方光电科技有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI687748B (zh) 2013-06-05 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
TWI518430B (zh) * 2013-12-02 2016-01-21 群創光電股份有限公司 顯示面板及應用其之顯示裝置
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI660490B (zh) 2014-03-13 2019-05-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置
JP6559444B2 (ja) 2014-03-14 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN103928400A (zh) * 2014-03-31 2014-07-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR102380829B1 (ko) 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
CN104112779A (zh) * 2014-07-29 2014-10-22 叶志 基于氘化金属氧化物薄膜的薄膜晶体管
CN104201111A (zh) * 2014-09-18 2014-12-10 六安市华海电子器材科技有限公司 一种氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法
US10147823B2 (en) 2015-03-19 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2017029576A1 (en) * 2015-08-19 2017-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP6851166B2 (ja) 2015-10-12 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102617041B1 (ko) 2015-12-28 2023-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 장치, 텔레비전 시스템, 및 전자 기기
RU167501U1 (ru) * 2016-06-14 2017-01-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" (ВГТУ) Тонкопленочный прозрачный полевой транзистор
CN105977306A (zh) * 2016-06-21 2016-09-28 北京大学深圳研究生院 一种自对准薄膜晶体管及其制备方法
KR102643111B1 (ko) * 2016-07-05 2024-03-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
WO2018076268A1 (zh) * 2016-10-28 2018-05-03 华为技术有限公司 场效应晶体管结构及其制作方法
US10955950B2 (en) 2016-11-09 2021-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing the display device
CN110521003B (zh) * 2017-03-27 2023-06-09 夏普株式会社 有源矩阵基板及其制造方法
JP7108386B2 (ja) * 2017-08-24 2022-07-28 住友化学株式会社 電荷トラップ評価方法
US10854612B2 (en) * 2018-03-21 2020-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device including active region with variable atomic concentration of oxide semiconductor material and method of forming the same
US10396061B1 (en) * 2018-03-22 2019-08-27 International Business Machines Corporation Transparent electronics for invisible smart dust applications
CN109148598B (zh) * 2018-08-20 2022-04-26 Tcl华星光电技术有限公司 薄膜晶体管及其制备方法
KR20210028318A (ko) * 2019-09-03 2021-03-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 제조 방법
CN110707042A (zh) * 2019-09-23 2020-01-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 反相器的制作方法及反相器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264794A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Res Dev Corp Of Japan 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JP2002141359A (ja) * 2000-08-25 2002-05-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2003179233A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子
WO2004114391A1 (ja) * 2003-06-20 2004-12-29 Sharp Kabushiki Kaisha 半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
WO2005088726A1 (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Japan Science And Technology Agency アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ
JP2007220816A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ及びその製法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06338631A (ja) 1993-03-29 1994-12-06 Canon Inc 発光素子及びその製造方法
JP3205167B2 (ja) 1993-04-05 2001-09-04 キヤノン株式会社 電子源の製造方法及び画像形成装置の製造方法
JP3141979B2 (ja) 1993-10-01 2001-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
RU2069417C1 (ru) 1994-06-08 1996-11-20 Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" Способ изготовления тонкопленочных транзисторов матриц жидкокристаллических экранов
JP2946189B2 (ja) 1994-10-17 1999-09-06 キヤノン株式会社 電子源及び画像形成装置、並びにこれらの活性化方法
US6936854B2 (en) 2001-05-10 2005-08-30 Canon Kabushiki Kaisha Optoelectronic substrate
US7242039B2 (en) * 2004-03-12 2007-07-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
JP4544518B2 (ja) 2004-09-01 2010-09-15 キヤノン株式会社 電界励起型発光素子及び画像表示装置
US7791072B2 (en) * 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
JP4560502B2 (ja) * 2005-09-06 2010-10-13 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP5006598B2 (ja) * 2005-09-16 2012-08-22 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
US20070215945A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Light control device and display
JP2009528670A (ja) * 2006-06-02 2009-08-06 財団法人高知県産業振興センター 半導体機器及びその製法
JP4332545B2 (ja) * 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264794A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Res Dev Corp Of Japan 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JP2002141359A (ja) * 2000-08-25 2002-05-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2003179233A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子
WO2004114391A1 (ja) * 2003-06-20 2004-12-29 Sharp Kabushiki Kaisha 半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
WO2005088726A1 (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Japan Science And Technology Agency アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ
JP2007220816A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ及びその製法

Cited By (579)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015119201A (ja) * 2006-04-28 2015-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2009099887A (ja) * 2007-10-19 2009-05-07 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2009111125A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Fujifilm Corp 酸化物半導体素子とその製造方法、薄膜センサおよび電気光学装置
JP2009141341A (ja) * 2007-11-15 2009-06-25 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP2009141342A (ja) * 2007-11-15 2009-06-25 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP2009146100A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Sony Corp 表示装置および光センサ素子
JP2009147069A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Canon Inc 電界効果型トランジスタ
US8704217B2 (en) 2008-01-17 2014-04-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Field effect transistor, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
WO2009093625A1 (ja) * 2008-01-23 2009-07-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 電界効果型トランジスタ及びその製造方法、それを用いた表示装置、並びに半導体装置
JP2009223036A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置及びその製造方法
US7977675B2 (en) 2008-04-16 2011-07-12 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2009272427A (ja) * 2008-05-07 2009-11-19 Canon Inc 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2009278115A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 Samsung Electronics Co Ltd トランジスタとこれを含む半導体素子及びそれらの製造方法
KR101496148B1 (ko) * 2008-05-15 2015-02-27 삼성전자주식회사 반도체소자 및 그 제조방법
JP2016105502A (ja) * 2008-07-16 2016-06-09 シーブライト・インコーポレイテッドＣｂｒｉｔｅ Ｉｎｃ． 金属酸化物半導体装置および半導体装置を製造する方法
US8945981B2 (en) 2008-07-31 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10930792B2 (en) 2008-07-31 2021-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8729544B2 (en) 2008-07-31 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11296121B2 (en) 2008-07-31 2022-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9666719B2 (en) 2008-07-31 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8624237B2 (en) 2008-07-31 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8293595B2 (en) 2008-07-31 2012-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8841710B2 (en) 2008-07-31 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10937897B2 (en) 2008-07-31 2021-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10559695B2 (en) 2008-07-31 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10326025B2 (en) 2008-07-31 2019-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9111804B2 (en) 2008-07-31 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9859441B2 (en) 2008-07-31 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9412798B2 (en) 2008-07-31 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9087745B2 (en) 2008-07-31 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9496406B2 (en) 2008-07-31 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8129717B2 (en) 2008-07-31 2012-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2010040645A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタの製造方法及び該製造方法によって製造された薄膜電界効果型トランジスタ
US8471252B2 (en) 2008-08-08 2013-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9105659B2 (en) 2008-08-08 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8481363B2 (en) 2008-08-08 2013-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8900917B2 (en) 2008-08-08 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10205030B2 (en) 2008-08-08 2019-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8030663B2 (en) 2008-08-08 2011-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8785242B2 (en) 2008-08-08 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8049225B2 (en) 2008-08-08 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2010045263A (ja) * 2008-08-15 2010-02-25 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化物半導体、スパッタリングターゲット、及び薄膜トランジスタ
CN103077961A (zh) * 2008-08-28 2013-05-01 佳能株式会社 非晶氧化物半导体和使用其的薄膜晶体管
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
US9397194B2 (en) 2008-09-01 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device with oxide semiconductor ohmic conatct layers
US8809115B2 (en) 2008-09-01 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8021916B2 (en) 2008-09-01 2011-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US10128381B2 (en) 2008-09-01 2018-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxygen rich gate insulating layer
US11824124B2 (en) 2008-09-01 2023-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device including transistor comprising oxide semiconductor
JP2022000896A (ja) * 2008-09-01 2022-01-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9224839B2 (en) 2008-09-01 2015-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2010067710A (ja) * 2008-09-09 2010-03-25 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP2010067849A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
US8501555B2 (en) 2008-09-12 2013-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8941114B2 (en) 2008-09-12 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including protective circuit
US10236303B2 (en) 2008-09-12 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer
US10074646B2 (en) 2008-09-12 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9478597B2 (en) 2008-09-19 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8304765B2 (en) 2008-09-19 2012-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US11139359B2 (en) 2008-09-19 2021-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10756080B2 (en) 2008-09-19 2020-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including protection circuit
US8427595B2 (en) 2008-09-19 2013-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with pixel portion and common connection portion having oxide semiconductor layers
US9048320B2 (en) 2008-09-19 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including oxide semiconductor layer
US10032796B2 (en) 2008-09-19 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9343517B2 (en) 2008-09-19 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10559599B2 (en) 2008-09-19 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US11610918B2 (en) 2008-09-19 2023-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10229904B2 (en) 2008-09-19 2019-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including oxide semiconductor layer
US8334540B2 (en) 2008-10-03 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8344372B2 (en) 2008-10-03 2013-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US8368066B2 (en) 2008-10-03 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9324874B2 (en) 2008-10-03 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising an oxide semiconductor
US7989815B2 (en) 2008-10-03 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8907335B2 (en) 2008-10-03 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US9570470B2 (en) 2008-10-03 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9978776B2 (en) 2008-10-03 2018-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9589988B2 (en) 2008-10-03 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US10367006B2 (en) 2008-10-03 2019-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display Device
US8674371B2 (en) 2008-10-03 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10685985B2 (en) 2008-10-03 2020-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9082688B2 (en) 2008-10-03 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8389988B2 (en) 2008-10-08 2013-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9130067B2 (en) 2008-10-08 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9703157B2 (en) 2008-10-08 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP2175493A1 (en) 2008-10-08 2010-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor and process for production thereof
US9915843B2 (en) 2008-10-08 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with pixel including capacitor
US10254607B2 (en) 2008-10-08 2019-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8158975B2 (en) 2008-10-10 2012-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8313980B2 (en) 2008-10-10 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8704267B2 (en) 2008-10-16 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device
US7915075B2 (en) 2008-10-22 2011-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8912040B2 (en) 2008-10-22 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9853069B2 (en) 2008-10-22 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9691789B2 (en) 2008-10-22 2017-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US10211240B2 (en) 2008-10-22 2019-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9373525B2 (en) 2008-10-22 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9000431B2 (en) 2008-10-24 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8236635B2 (en) 2008-10-24 2012-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US10170632B2 (en) 2008-10-24 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer
US8242494B2 (en) 2008-10-24 2012-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor using multi-tone mask
US9219158B2 (en) 2008-10-24 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9029851B2 (en) 2008-10-24 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
US8686417B2 (en) 2008-10-24 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device formed by using multi-tone mask
US8980685B2 (en) 2008-10-24 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing thin film transistor using multi-tone mask
US8067775B2 (en) 2008-10-24 2011-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with two gate electrodes
US10141343B2 (en) 2008-10-24 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US10978490B2 (en) 2008-10-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US9136389B2 (en) 2008-10-24 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US8729546B2 (en) 2008-10-24 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US12009434B2 (en) 2008-10-24 2024-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistors and method for manufacturing the same
US8106400B2 (en) 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10153380B2 (en) 2008-10-24 2018-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9318512B2 (en) 2008-10-24 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US10692894B2 (en) 2008-10-24 2020-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US9111806B2 (en) 2008-10-24 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US9123751B2 (en) 2008-10-24 2015-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8878172B2 (en) 2008-10-24 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US8878178B2 (en) 2008-10-24 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9601603B2 (en) 2008-10-24 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8343799B2 (en) 2008-10-24 2013-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US11563124B2 (en) 2008-10-24 2023-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including flip-flop circuit which includes transistors
US11594555B2 (en) 2008-10-24 2023-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US10763372B2 (en) 2008-10-24 2020-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with dual and single gate structure transistors
US9647137B2 (en) 2008-10-24 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device
US7952392B2 (en) 2008-10-31 2011-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
US8759167B2 (en) 2008-10-31 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9349874B2 (en) 2008-10-31 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11107928B2 (en) 2008-10-31 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8633492B2 (en) 2008-10-31 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8373443B2 (en) 2008-10-31 2013-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
US9842942B2 (en) 2008-10-31 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10269978B2 (en) 2008-10-31 2019-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9842859B2 (en) 2008-10-31 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and display device
US9911860B2 (en) 2008-10-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11594643B2 (en) 2008-10-31 2023-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9083334B2 (en) 2008-10-31 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
US8426868B2 (en) 2008-10-31 2013-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8803146B2 (en) 2008-11-07 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9231110B2 (en) 2008-11-07 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10411102B2 (en) 2008-11-07 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8980665B2 (en) 2008-11-07 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10665684B2 (en) 2008-11-07 2020-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11239332B2 (en) 2008-11-07 2022-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8716061B2 (en) 2008-11-07 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8319216B2 (en) 2008-11-07 2012-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR20210068000A (ko) * 2008-11-07 2021-06-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8395148B2 (en) 2008-11-07 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20220068211A (ko) * 2008-11-07 2022-05-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8021917B2 (en) 2008-11-07 2011-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR102457863B1 (ko) 2008-11-07 2022-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9847396B2 (en) 2008-11-07 2017-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102401287B1 (ko) * 2008-11-07 2022-05-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8373164B2 (en) 2008-11-07 2013-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8440502B2 (en) 2008-11-07 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9293545B2 (en) 2008-11-07 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9559212B2 (en) 2008-11-13 2017-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8298858B2 (en) 2008-11-13 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8748887B2 (en) 2008-11-13 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9112038B2 (en) 2008-11-13 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8058647B2 (en) 2008-11-13 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9252288B2 (en) 2008-11-20 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9893200B2 (en) 2008-11-20 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10403763B2 (en) 2008-11-20 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8329506B2 (en) 2008-11-20 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8643011B2 (en) 2008-11-20 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11374028B2 (en) 2008-11-21 2022-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8907348B2 (en) 2008-11-21 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11776967B2 (en) 2008-11-21 2023-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9570619B2 (en) 2008-11-21 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10243006B2 (en) 2008-11-21 2019-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8188477B2 (en) 2008-11-21 2012-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10622381B2 (en) 2008-11-21 2020-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9893089B2 (en) 2008-11-21 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9722054B2 (en) 2008-11-28 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8552434B2 (en) 2008-11-28 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8546182B2 (en) 2008-11-28 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9450133B2 (en) 2008-11-28 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor and display device
US8344387B2 (en) 2008-11-28 2013-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8318551B2 (en) 2008-12-01 2012-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10095071B2 (en) 2008-12-03 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device including transistor which includes oxide semiconductor
US9348189B2 (en) 2008-12-03 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11175542B2 (en) 2008-12-03 2021-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US10838264B2 (en) 2008-12-03 2020-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8395716B2 (en) 2008-12-03 2013-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2021007157A (ja) * 2008-12-05 2021-01-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014160249A (ja) * 2008-12-05 2014-09-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2018160679A (ja) * 2008-12-05 2018-10-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9201280B2 (en) 2008-12-05 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP7080286B2 (ja) 2008-12-05 2022-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8999750B2 (en) 2008-12-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8368067B2 (en) 2008-12-09 2013-02-05 Hitachi, Ltd. Oxide semiconductor device with oxide semiconductor layers of different oxygen concentrations and method of manufacturing the same
US9754816B2 (en) 2008-12-15 2017-09-05 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US9312394B2 (en) 2008-12-15 2016-04-12 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP2010141230A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9129937B2 (en) 2008-12-15 2015-09-08 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US10439050B2 (en) 2008-12-19 2019-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing transistor
US9601601B2 (en) 2008-12-19 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing transistor
JP2014033213A (ja) * 2008-12-19 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の作製方法
WO2010071034A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing transistor
JP2015043444A (ja) * 2008-12-19 2015-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US8883554B2 (en) 2008-12-19 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using an oxide semiconductor
US8803149B2 (en) 2008-12-19 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin-film transistor device including a hydrogen barrier layer selectively formed over an oxide semiconductor layer
US8183099B2 (en) 2008-12-19 2012-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing transistor
US9941310B2 (en) 2008-12-24 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit with oxide semiconductor layers having varying hydrogen concentrations
US9202827B2 (en) 2008-12-24 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
KR101620517B1 (ko) 2008-12-24 2016-05-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로 및 반도체 장치
JP2016096346A (ja) * 2008-12-24 2016-05-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8163592B2 (en) 2008-12-24 2012-04-24 Sony Corporation Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor, and display unit
JP2014197678A (ja) * 2008-12-24 2014-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020123727A (ja) * 2008-12-24 2020-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443888B2 (en) 2008-12-24 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device including transistor and resistor incorporating hydrogen in oxide semiconductor
US8395151B2 (en) 2008-12-24 2013-03-12 Sony Corporation Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor, and display unit
JP2010153435A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Sony Corp 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび表示装置
CN101764064A (zh) * 2008-12-24 2010-06-30 索尼株式会社 制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示单元
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11158654B2 (en) 2008-12-25 2021-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8629434B2 (en) 2008-12-25 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8383470B2 (en) 2008-12-25 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof
US9768280B2 (en) 2008-12-25 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11996416B2 (en) 2008-12-25 2024-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10483290B2 (en) 2008-12-25 2019-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8237167B2 (en) 2008-12-25 2012-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8772784B2 (en) 2008-12-25 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including pair of electrodes and oxide semiconductor film with films of low conductivity therebetween
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US10720451B2 (en) 2008-12-25 2020-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8878175B2 (en) 2008-12-25 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9112043B2 (en) 2008-12-25 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US9136390B2 (en) 2008-12-26 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9711651B2 (en) 2008-12-26 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2010171404A (ja) * 2008-12-26 2010-08-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US11817506B2 (en) 2008-12-26 2023-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8222092B2 (en) 2008-12-26 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8629432B2 (en) 2009-01-16 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8884287B2 (en) 2009-01-16 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8492756B2 (en) 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8785929B2 (en) 2009-01-23 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2010192881A (ja) * 2009-01-23 2010-09-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9040985B2 (en) 2009-01-23 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014199930A (ja) * 2009-01-23 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI489633B (zh) * 2009-01-23 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US8350261B2 (en) 2009-02-13 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of the semiconductor device
JP2016146498A (ja) * 2009-02-13 2016-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN101840937A (zh) * 2009-02-13 2010-09-22 株式会社半导体能源研究所 晶体管、具有该晶体管的半导体装置及它们的制造方法
US8247812B2 (en) 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
JP2015053520A (ja) * 2009-02-13 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6974650B1 (ja) * 2009-02-13 2021-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
JP2015181171A (ja) * 2009-02-13 2015-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020036036A (ja) * 2009-02-13 2020-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
JP2022008364A (ja) * 2009-02-13 2022-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
JP2021141331A (ja) * 2009-02-13 2021-09-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2015005757A (ja) * 2009-02-13 2015-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11011549B2 (en) 2009-02-20 2021-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US10096623B2 (en) 2009-02-20 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US9859306B2 (en) 2009-02-20 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US10586811B2 (en) 2009-02-20 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US9443981B2 (en) 2009-02-20 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8362563B2 (en) 2009-02-20 2013-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8987822B2 (en) 2009-02-20 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8629000B2 (en) 2009-02-20 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US9209283B2 (en) 2009-02-20 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US11824062B2 (en) 2009-02-20 2023-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8841661B2 (en) 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2010199456A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Dainippon Printing Co Ltd トランジスタ素子およびその製造方法
US11955537B2 (en) 2009-03-05 2024-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9941393B2 (en) 2009-03-05 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11233132B2 (en) 2009-03-05 2022-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10326008B2 (en) 2009-03-05 2019-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11961894B2 (en) 2009-03-05 2024-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10686061B2 (en) 2009-03-05 2020-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2010232651A (ja) * 2009-03-05 2010-10-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8759206B2 (en) 2009-03-05 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9324878B2 (en) 2009-03-06 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9496414B2 (en) 2009-03-06 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10236391B2 (en) 2009-03-06 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10700213B2 (en) 2009-03-06 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9991396B2 (en) 2009-03-06 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11715801B2 (en) 2009-03-06 2023-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8916870B2 (en) 2009-03-06 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8872175B2 (en) 2009-03-06 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11309430B2 (en) 2009-03-06 2022-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8492757B2 (en) 2009-03-06 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8993386B2 (en) 2009-03-12 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2015029146A (ja) * 2009-03-12 2015-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9768281B2 (en) 2009-03-12 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8936963B2 (en) 2009-03-13 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US8450144B2 (en) 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9184189B2 (en) 2009-03-27 2015-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
US8759829B2 (en) 2009-03-27 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer as channel formation layer
US8253135B2 (en) 2009-03-27 2012-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
US8927981B2 (en) 2009-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9704976B2 (en) 2009-04-02 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8338226B2 (en) 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8796078B2 (en) 2009-05-29 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10283627B2 (en) 2009-05-29 2019-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9419113B2 (en) 2009-05-29 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101338099B1 (ko) 2009-06-11 2013-12-06 후지필름 가부시키가이샤 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 전기 광학 장치, 및 센서
JP2019195095A (ja) * 2009-06-30 2019-11-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10796908B2 (en) 2009-06-30 2020-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8735884B2 (en) 2009-07-03 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor
US11978741B2 (en) 2009-07-03 2024-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including transistor and manufacturing method thereof
US11637130B2 (en) 2009-07-03 2023-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including transistor and manufacturing method thereof
US8304300B2 (en) 2009-07-03 2012-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing display device including transistor
US9812465B2 (en) 2009-07-03 2017-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including transistor and manufacturing method thereof
US9837441B2 (en) 2009-07-03 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including transistor and manufacturing method thereof
US11257847B2 (en) 2009-07-03 2022-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including transistor and manufacturing method thereof
US10714503B2 (en) 2009-07-03 2020-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including transistor and manufacturing method thereof
US10211231B2 (en) 2009-07-03 2019-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including transistor and manufacturing method thereof
US9130046B2 (en) 2009-07-03 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including transistor and manufacturing method thereof
US8241949B2 (en) 2009-07-17 2012-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US8952378B2 (en) 2009-07-17 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US10256291B2 (en) 2009-07-17 2019-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US9263472B2 (en) 2009-07-18 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US11177289B2 (en) 2009-07-18 2021-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US11715741B2 (en) 2009-07-18 2023-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8643018B2 (en) 2009-07-18 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a pixel portion and a driver circuit
KR101414926B1 (ko) * 2009-07-18 2014-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
US8698143B2 (en) 2009-07-18 2014-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10461098B2 (en) 2009-07-18 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP2011044699A (ja) * 2009-07-18 2011-03-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8552423B2 (en) 2009-07-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9171867B2 (en) 2009-08-07 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8759132B2 (en) 2009-08-07 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9954005B2 (en) 2009-08-07 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer
US9431465B2 (en) 2009-09-04 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP2020038991A (ja) * 2009-09-04 2020-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019135787A (ja) * 2009-09-04 2019-08-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10672915B2 (en) 2009-09-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
US8957411B2 (en) 2009-09-04 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
US8890166B2 (en) 2009-09-04 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
TWI707405B (zh) * 2009-09-04 2020-10-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及其製造方法
US11024747B2 (en) 2009-09-04 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP2021168398A (ja) * 2009-09-04 2021-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018037681A (ja) * 2009-09-04 2018-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8502225B2 (en) 2009-09-04 2013-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP2013033998A (ja) * 2009-09-04 2013-02-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP7201749B2 (ja) 2009-09-04 2023-01-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11626521B2 (en) 2009-09-04 2023-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP2017120919A (ja) * 2009-09-16 2017-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US11791417B2 (en) 2009-09-16 2023-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11183597B2 (en) 2009-09-16 2021-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11211499B2 (en) 2009-09-16 2021-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8305109B2 (en) 2009-09-16 2012-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
US8582716B2 (en) 2009-09-24 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic appliance including the display device
JP2020043359A (ja) * 2009-09-24 2020-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9991890B2 (en) 2009-09-24 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic appliance including the display device
US8363778B2 (en) 2009-09-24 2013-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic appliance including the display device
US9406398B2 (en) 2009-09-24 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic appliance including the display device
JP2019216280A (ja) * 2009-09-24 2019-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8243873B2 (en) 2009-09-24 2012-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic appliance including the display device
JP2019208060A (ja) * 2009-09-24 2019-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9911856B2 (en) 2009-10-09 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2017204658A (ja) * 2009-10-16 2017-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7482310B2 (ja) 2009-10-16 2024-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10074747B2 (en) 2009-10-16 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11837461B2 (en) 2009-10-16 2023-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10777682B2 (en) 2009-10-16 2020-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2022044680A (ja) * 2009-10-16 2022-03-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7383739B2 (ja) 2009-10-16 2023-11-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10714622B2 (en) 2009-10-21 2020-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
JP2019057723A (ja) * 2009-10-21 2019-04-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9202546B2 (en) 2009-10-29 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2011119672A (ja) * 2009-10-29 2011-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US10720433B2 (en) 2009-10-29 2020-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9806079B2 (en) 2009-10-29 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014209250A (ja) * 2009-10-30 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2011052344A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic appliance including the same
US9207511B2 (en) 2009-10-30 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic appliance including the same
KR101835155B1 (ko) * 2009-10-30 2018-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 액정 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치를 포함하는 전자 기기
US9722086B2 (en) 2009-10-30 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device
JP2011120222A (ja) * 2009-10-30 2011-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 論理回路及び半導体装置
US10566459B2 (en) 2009-10-30 2020-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a first region comprising silicon, oxygen and at least one metal element formed between an oxide semiconductor layer and an insulating layer
US8570070B2 (en) 2009-10-30 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device
US10332912B2 (en) 2009-11-13 2019-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
TWI622032B (zh) * 2009-11-13 2018-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及包括顯示裝置之電子裝置
JP2015097275A (ja) * 2009-11-20 2015-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015092603A (ja) * 2009-11-20 2015-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9070596B2 (en) 2009-12-04 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2011139047A (ja) * 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9411208B2 (en) 2009-12-04 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2015173274A (ja) * 2009-12-04 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2018169631A (ja) * 2009-12-04 2018-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2015018271A (ja) * 2009-12-04 2015-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017069568A (ja) * 2009-12-04 2017-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2022022462A (ja) * 2009-12-11 2022-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2012256929A (ja) * 2009-12-11 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8901559B2 (en) 2009-12-11 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having inverter circuit with terminal electrically connected to transistor that includes oxide semiconductor material
US11545579B2 (en) 2009-12-11 2023-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10804409B2 (en) 2009-12-11 2020-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10103272B2 (en) 2009-12-11 2018-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6994536B2 (ja) 2009-12-11 2022-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 エレクトロルミネッセンス表示装置
KR102492561B1 (ko) * 2009-12-11 2023-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작방법
JP2015144309A (ja) * 2009-12-11 2015-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017195418A (ja) * 2009-12-11 2017-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9893204B2 (en) 2009-12-11 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having transistor including two oxide semiconductor layers having different lattice constants
JP7228666B2 (ja) 2009-12-11 2023-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 エレクトロルミネッセンス表示装置
KR20210084667A (ko) * 2009-12-11 2021-07-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작방법
US9508742B2 (en) 2009-12-11 2016-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having switching transistor that includes oxide semiconductor material
US8809850B2 (en) 2009-12-11 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having switching transistor that includes oxide semiconductor material
US9209251B2 (en) 2009-12-11 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having switching transistor that includes oxide semiconductor material
JP2020145444A (ja) * 2009-12-11 2020-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2015130518A (ja) * 2009-12-18 2015-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2011146694A (ja) * 2009-12-18 2011-07-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
US9240488B2 (en) 2009-12-18 2016-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9728651B2 (en) 2009-12-18 2017-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2015195400A (ja) * 2009-12-18 2015-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10453964B2 (en) 2009-12-18 2019-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2016201550A (ja) * 2009-12-18 2016-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9378980B2 (en) 2009-12-18 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2011149933A (ja) * 2009-12-25 2011-08-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 固体試料の分析方法
JP2022001959A (ja) * 2010-01-24 2022-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US11887553B2 (en) 2010-01-24 2024-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP7341201B2 (ja) 2010-01-24 2023-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2015128189A (ja) * 2010-02-10 2015-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 電界効果トランジスタ
JP2017152740A (ja) * 2010-02-12 2017-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011104938A1 (ja) * 2010-02-23 2011-09-01 シャープ株式会社 回路基板の製造方法、回路基板及び表示装置
JP2011187506A (ja) * 2010-03-04 2011-09-22 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
JP7152539B2 (ja) 2010-03-05 2022-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
JP2021101466A (ja) * 2010-03-05 2021-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ及び液晶表示装置
US9941414B2 (en) 2010-03-26 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide semiconductor device
US9425295B2 (en) 2010-03-26 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2011222982A (ja) * 2010-03-26 2011-11-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US8461584B2 (en) 2010-03-26 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with metal oxide film
US9012908B2 (en) 2010-03-26 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with metal oxide film
US8704219B2 (en) 2010-03-26 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5554832B2 (ja) * 2010-04-06 2014-07-23 株式会社日立製作所 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JPWO2011125940A1 (ja) * 2010-04-06 2013-07-11 株式会社日立製作所 薄膜トランジスタおよびその製造方法
WO2011125940A1 (ja) * 2010-04-06 2011-10-13 株式会社日立製作所 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US8653517B2 (en) 2010-04-06 2014-02-18 Hitachi, Ltd. Thin-film transistor and method for manufacturing the same
JP2012009836A (ja) * 2010-05-21 2012-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
US9263589B2 (en) 2010-05-21 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI588994B (zh) * 2010-05-21 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9331210B2 (en) 2010-09-03 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing semiconductor device
JP2016131258A (ja) * 2010-09-03 2016-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2012074692A (ja) * 2010-09-03 2012-04-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電界効果トランジスタおよび半導体装置の作製方法
US9704960B2 (en) 2010-09-03 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing semiconductor device
US9425199B2 (en) 2010-09-03 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing semiconductor device
JP2013545273A (ja) * 2010-09-29 2013-12-19 ガーディアン・インダストリーズ・コーポレーション 酸化物薄膜トランジスタアレイの製造方法及び酸化物薄膜トランジスタアレイを組み込んだ装置
JP2014502038A (ja) * 2010-10-29 2014-01-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 薄膜電極および薄膜スタックを堆積させる方法
JP2016106402A (ja) * 2010-11-05 2016-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US10170598B2 (en) 2010-11-05 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2019117948A (ja) * 2010-11-05 2019-07-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9673305B2 (en) 2010-11-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2020036032A (ja) * 2010-11-11 2020-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7439208B2 (ja) 2010-11-11 2024-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
US10153360B2 (en) 2010-11-11 2018-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2021122057A (ja) * 2010-11-11 2021-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
US10811522B2 (en) 2010-11-11 2020-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11631756B2 (en) 2010-11-11 2023-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012119667A (ja) * 2010-11-11 2012-06-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP7159389B2 (ja) 2010-11-11 2022-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
JP2018029198A (ja) * 2010-11-12 2018-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015188116A (ja) * 2010-12-28 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2015046642A (ja) * 2010-12-28 2015-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10714625B2 (en) 2010-12-28 2020-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11670721B2 (en) 2010-12-28 2023-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012151460A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
US10522692B2 (en) 2010-12-28 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012151457A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
US11923249B2 (en) 2010-12-28 2024-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10886414B2 (en) 2010-12-28 2021-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2016219818A (ja) * 2010-12-28 2016-12-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11430896B2 (en) 2010-12-28 2022-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP7472181B2 (ja) 2011-01-12 2024-04-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019096909A (ja) * 2011-01-12 2019-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2021013036A (ja) * 2011-01-12 2021-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ及び半導体装置
JP2022063364A (ja) * 2011-01-12 2022-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2011086955A (ja) * 2011-01-14 2011-04-28 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび表示装置
JP2021073703A (ja) * 2011-01-26 2021-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2016181718A (ja) * 2011-01-26 2016-10-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2012169606A (ja) * 2011-01-26 2012-09-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
KR102118516B1 (ko) * 2011-01-26 2020-06-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제작 방법
US10069014B2 (en) 2011-01-26 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20190015429A (ko) * 2011-01-26 2019-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제작 방법
JP2022191455A (ja) * 2011-01-26 2022-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US10008587B2 (en) 2011-01-26 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2022101670A (ja) * 2011-02-23 2022-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021048414A (ja) * 2011-02-23 2021-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7262435B2 (ja) 2011-02-23 2023-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101900525B1 (ko) * 2011-03-18 2018-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2016225639A (ja) * 2011-03-18 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20180104776A (ko) * 2011-03-18 2018-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
US9379223B2 (en) 2011-03-18 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
JP2012212874A (ja) * 2011-03-18 2012-11-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜、半導体装置および半導体装置の作製方法
US10109743B2 (en) 2011-03-18 2018-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
KR20140025384A (ko) * 2011-03-18 2014-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
KR101995682B1 (ko) 2011-03-18 2019-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
JP7368570B2 (ja) 2011-04-15 2023-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018014508A (ja) * 2011-04-15 2018-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015146462A (ja) * 2011-04-22 2015-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9818820B2 (en) 2011-04-22 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide material and semiconductor device
JP2018186304A (ja) * 2011-04-27 2018-11-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10889888B2 (en) 2011-06-08 2021-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film
US11066739B2 (en) 2011-06-08 2021-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film
JP2019110311A (ja) * 2011-06-08 2019-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
US11959165B2 (en) 2011-06-08 2024-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
JP2021100134A (ja) * 2011-06-29 2021-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021015989A (ja) * 2011-07-22 2021-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
JP7266565B2 (ja) 2011-07-22 2023-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
JP2013055329A (ja) * 2011-08-05 2013-03-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8744038B2 (en) 2011-09-28 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register circuit
US9548133B2 (en) 2011-09-28 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register circuit
US10483402B2 (en) 2012-01-18 2019-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2019195072A (ja) * 2012-01-18 2019-11-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018078298A (ja) * 2012-01-18 2018-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2020031219A (ja) * 2012-01-23 2020-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11081502B2 (en) 2012-01-26 2021-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10243064B2 (en) 2012-01-26 2019-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9171957B2 (en) 2012-01-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11682677B2 (en) 2012-01-26 2023-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2013214731A (ja) * 2012-03-05 2013-10-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2013219341A (ja) * 2012-03-14 2013-10-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2021073718A (ja) * 2012-04-06 2021-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
US11437523B2 (en) 2012-04-06 2022-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9496413B2 (en) 2012-05-01 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9035305B2 (en) 2012-05-01 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2017028324A (ja) * 2012-05-01 2017-02-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9281407B2 (en) 2012-05-01 2016-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8860023B2 (en) 2012-05-01 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014007398A (ja) * 2012-06-01 2014-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9793377B2 (en) 2012-06-04 2017-10-17 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, thin film transistor array panel including the same, and manufacturing method thereof
USRE48290E1 (en) 2012-06-04 2020-10-27 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel
JP2013251526A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Samsung Display Co Ltd 薄膜トランジスター、これを備える薄膜トランジスター表示板およびその製造方法
US9305939B2 (en) 2012-06-08 2016-04-05 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device with oxide layer as transparent electrode
WO2013183495A1 (ja) * 2012-06-08 2013-12-12 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2017123489A (ja) * 2012-07-12 2017-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014039009A (ja) * 2012-08-10 2014-02-27 Samsung Display Co Ltd 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
KR102002858B1 (ko) * 2012-08-10 2019-10-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US9929191B2 (en) 2012-08-10 2018-03-27 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same
KR20140020602A (ko) * 2012-08-10 2014-02-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2014143404A (ja) * 2012-12-25 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 抵抗素子、表示装置、及び電子機器
US10978492B2 (en) 2012-12-25 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Resistor, display device, and electronic device
US10229934B2 (en) 2012-12-25 2019-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Resistor, display device, and electronic device
US10629625B2 (en) 2012-12-25 2020-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Resistor, display device, and electronic device
JP2020057818A (ja) * 2013-05-02 2020-04-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102642676B1 (ko) * 2013-05-02 2024-02-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20220119593A (ko) * 2013-05-02 2022-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2018174339A (ja) * 2013-09-06 2018-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016001712A (ja) * 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2019197935A (ja) * 2013-12-06 2019-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10763282B2 (en) 2014-02-07 2020-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10367013B2 (en) 2014-02-07 2019-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP7494274B2 (ja) 2014-02-07 2024-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2019068081A (ja) * 2014-02-07 2019-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021077901A (ja) * 2014-02-07 2021-05-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11355529B2 (en) 2014-02-07 2022-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9412876B2 (en) 2014-02-07 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP7184496B2 (ja) 2014-02-07 2022-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9530894B2 (en) 2014-02-07 2016-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9997637B2 (en) 2014-02-07 2018-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9847358B2 (en) 2014-02-07 2017-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10249768B2 (en) 2014-02-07 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9634150B2 (en) 2014-03-07 2017-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device
US9859444B2 (en) 2014-03-07 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device
JP2014187378A (ja) * 2014-05-26 2014-10-02 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JP2016027649A (ja) * 2014-07-03 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、該半導体装置を有する表示装置
KR20160092152A (ko) * 2015-01-26 2016-08-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 제조 방법과 박막 트랜지스터
KR102281848B1 (ko) 2015-01-26 2021-07-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 제조 방법과 박막 트랜지스터
JP2021057600A (ja) * 2015-05-22 2021-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2018046152A (ja) * 2016-09-14 2018-03-22 株式会社東芝 酸化物半導体、半導体装置、半導体記憶装置及び固体撮像装置
KR102627305B1 (ko) * 2016-12-30 2024-01-18 한양대학교 산학협력단 박막 트랜지스터 기판 및 표시 장치
JP2018110226A (ja) * 2016-12-30 2018-07-12 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタ基板及び表示装置
KR20180079114A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 표시 장치
JP2020520557A (ja) * 2017-05-02 2020-07-09 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 Ｏｌｅｄ表示パネルおよびその製造方法
JP2020523767A (ja) * 2017-06-16 2020-08-06 武漢華星光電半導体顕示技術有限公司Ｗｕｈａｎ Ｃｈｉｎａ Ｓｔａｒ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｉｓｏｌａｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ Ｏｌｅｄ表示パネル及びその製造方法
JP2019101423A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタアレイ基板及びそれを含む有機発光表示装置
US10811438B2 (en) 2017-11-29 2020-10-20 Lg Display Co., Ltd. Thin-film transistor array substrate and organic light-emitting display device including the same
KR20200000844A (ko) * 2019-12-26 2020-01-03 삼성디스플레이 주식회사 스위칭 소자, 이를 포함하는 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR102111067B1 (ko) * 2019-12-26 2020-05-18 삼성디스플레이 주식회사 스위칭 소자, 이를 포함하는 표시 기판 및 이의 제조 방법
US11659735B2 (en) 2020-03-05 2023-05-23 Japan Display Inc. Semiconductor device and display device
US11710746B2 (en) 2020-03-05 2023-07-25 Japan Display Inc. Semiconductor device and display device
KR102237898B1 (ko) * 2020-04-21 2021-04-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR20200045458A (ko) * 2020-04-21 2020-05-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP7397556B2 (ja) 2021-04-13 2023-12-13 深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司 ディスプレイパネル及び表示装置
JP2023524181A (ja) * 2021-04-13 2023-06-09 深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司 ディスプレイパネル及び表示装置

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