JP2009272427A - 薄膜トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極とドレイン電極とチャネル領域とからなる酸化物半導体層と、チャネル保護層と、層間絶縁層と、を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、前記チャネル保護層は1層以上で形成され、そのうち前記酸化物半導体層と接する層は酸素を含む絶縁体からなり、該チャネル保護層の端部の膜厚が該チャネル保護層の中央部の膜厚と比べ薄く、かつ、前記層間絶縁層は水素を含有しており、該層間絶縁層と直接接している該酸化物半導体層の領域がソース及びドレイン電極をなしていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
まず、基板10上にゲート電極11を形成する。ここで、基板10としては、ガラス基板の他、ポリエチレン・テレフタレート(PET)、ポリエチレン・ナフタレート(PEN)、ポリイミド、ポリカーボネート等のプラスチックのフィルムや、薄板、絶縁層をコーティングしたステンレス基板等を用いてもよい。ゲート電極11の層の形成には、スパッタ法、パルスレーザー蒸着法(PLD法)、電子ビーム蒸着法、化学気相蒸着法(CVD法)等を用いることができる。その材料としては、良好な電気伝導性を有するものであればどのようなものでもよい。例えば、Ti、Pt、Au、Ni、Al、Mo等の金属やそれらの合金などの金属電極材料、及びそれらの積層膜、ITO(Indium Tin Oxide)等の酸化物導電体を用いることができる。次に、フォトリソグラフィー法等を用いてゲート電極11のパターンを形成する。
次に、パターニングされたゲート電極11を有する基板10上にゲート絶縁層12を形成する。ゲート絶縁層12の形成には、スパッタ法、パルスレーザー蒸着法(PLD法)、電子ビーム蒸着法、プラズマCVD法等を用いることができる。ゲート絶縁層12の材料としては、良好な絶縁特性を有するものであればどのようなものでもよい。例えば、PECVD法やスパッタ法などによるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いることができる。
次に、ゲート絶縁層12上に酸化物膜からなる酸化物半導体層13を形成する。作製には、スパッタ法、PLD法、電子ビーム蒸着法等を用いることができる。酸化物半導体層13はフォトリゾグラフィー法とエッチング法を用いてパターニングされる。
次に、酸化物半導体層13上にスパッタ法によりチャネル保護層14となる絶縁層としてシリコン酸化膜を形成する。それから、該シリコン酸化膜にフォトレジストを塗布し、ゲート電極11をマスクとして裏面露光を行うことによりレジストパターンを形成する。レジストパターンはレジスト現像後のポストベークの温度や時間を調整することにより、順テーパー状に形成する。この後、レジストパターンをマスクとして、CF4などのガスでドライエッチングを行うことで、チャネル保護層14が形成される。この際、エッチングガスにO2ガス(酸化性ガス)を混合して、チャネル保護層14のエッチングと同時にレジストの一部もエッチングすることで、レジストのテーパー形状を反映した順テーパー形状のチャネル保護層を形成することが可能である。一般にO2ガスの量を変化させることにより、テーパー角度の制御が可能である。ただし、O2ガスを混合しなくとも、チャネル保護層14のエッチング時にレジストの一部も同時にエッチングすることができれば、特にO2ガスを混合する必要はない。これにより、チャネル保護層の端部が順テーパー形状になるためにチャネル保護層の端部の膜厚が中央部の膜厚と比べて薄いチャネル保護層14を形成することができる。
次に、層間絶縁層15を成膜する。層間絶縁層15には、プラズマCVD法により水素を含む原料を用いて形成したシリコン窒化膜やシリコン酸化膜などの絶縁層を用いる。 ここで、層間絶縁層15には、酸化物半導体層13に直接形成した際に該酸化物半導体層13を低抵抗化させる機能が求められる。酸化物半導体は水素を添加することにより低抵抗化させることが可能であるので、層間絶縁層15として水素を含む絶縁層を用いることが求められる。具体的には、水素を含むシリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、シリコン炭化膜及びこれらの積層膜などが望ましい。また、これらの絶縁層の組成がストイキオメトリーから外れていても問題はない。形成方法としては水素を含む原料ガスを用いるプラズマCVD法が、プラズマによる酸化物半導体への水素拡散の促進効果もあるため望ましい。図5に、本発明者らがアモルファスIGZO上にプラズマCVD法により形成されたシリコン窒化膜の有無についてアモルファスIGZOの抵抗率を比較した結果を示す。図5より、シリコン窒化膜が有する方が有さない方と比べて約10−8倍抵抗率が減少していることがわかる。よって、プラズマCVD法によるシリコン窒化膜の形成がアモルファス酸化物半導体を低抵抗化させる機能を有することがわかる。また、窒素を含む原料でも同様の効果が得られることがある。
この後、フォトリソグラフィー法とエッチング法を用いてコンタクトホールを形成し、外部との電気的接続を行うためにドレイン配線16とソース配線17を形成する。ドレイン・ソース配線層の形成には、スパッタ法、パルスレーザー蒸着法(PLD法)、電子ビーム蒸着法、CVD法等を用いることができる。電極材料は、良好な電気伝導性を有するものであればどのようなものでもよい。例えば、Ti、Pt、Au、Ni、Al、Mo等の金属やそれらの合金などの金属電極材料及びそれらの積層膜、ITO等の酸化物導電体を用いることができる。ただし、ドレイン電極13aとソース電極13bをそのままドレイン・ソース配線に用いても構わない。
ここでは、図6を用いて、本発明を適用したトップゲート型薄膜トランジスタ及びその製造方法を説明する。
本実施例では、図1に示す、チャネル保護層が1層で形成されるボトムゲート型コプラナー構造の酸化物半導体TFTを作製した。
本実施例では、図2(a)に示す、チャネル保護層が2層で形成されるボトムゲート型コプラナー構造の酸化物半導体TFTを作製した。
本実施例では、図8に示す、ボトムゲート型コプラナー構造の酸化物半導体TFTを用いた表示装置を製造した。
本実施例では、図9に示す、ボトムゲート型コプラナー構造の酸化物半導体TFTを用いた表示装置を製造した。
本実施例では、実施例4における酸化物半導体TFTを形成する基板として白色のプラスチック基板110を用い、酸化物半導体TFT120の各電極を金に置き換え、ポリイミド膜133、135と偏光板100、140を廃する構成とした。そして、白色のプラスチック基板110と透明のプラスチック基板150の空隙に粒子と流体を絶縁性皮膜にて被覆したカプセル134を充填させる構成とする。この構成の表示装置の場合、本発明の酸化物半導体TFTによって、延長されたドレイン配線と上部のITO膜間の電圧が制御され、カプセル内の粒子が上下に移動する。それによって、透明基板側から見た延長されたソース配線領域の反射率を制御することで表示を行うことができる。
本実施例では、図6に示すトップゲート型コプラナー構造の酸化物半導体TFTを作製した。
11 ゲート電極
12 ゲート絶縁層
12a 第1のゲート絶縁層
12b 第2のゲート絶縁層
13 酸化物半導体層
13a ドレイン電極(領域)
13b ソース電極(領域)
13c チャネル領域
13d 中間抵抗領域
14 チャネル保護層
14a 第1のチャネル保護層
14b 第2のチャネル保護層
15 層間絶縁層
15a 第1の層間絶縁層
15b 第2の層間絶縁層
16 ドレイン配線
17 ソース配線
100 偏光板
110 基板
120 酸化物半導体TFT
121 ゲート電極
122 ゲート絶縁層
123 酸化物半導体層
123a ドレイン電極(領域)
123b ソース電極(領域)
123c チャネル領域
124 チャネル保護層
125 層間絶縁層
126 ドレイン配線
127 ソース配線
128 絶縁層
130 電極
131a ホール輸送層
131b 発光層
132 電極
133 高抵抗層又はポリイミド膜
134 ネマチック液晶又は電気泳動型粒子セル
135 高抵抗層又はポリイミド膜
140 基板
150 偏光板
Claims (17)
- 基板の上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極とドレイン電極とチャネル領域とからなる酸化物半導体層と、チャネル保護層と、層間絶縁層と、を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、
前記チャネル保護層は1層以上で形成され、そのうち前記酸化物半導体層と接する層は酸化物からなり、該チャネル保護層の端部の膜厚が該チャネル保護層の中央部の膜厚と比べ薄く、かつ、前記層間絶縁層は水素を含有しており、該層間絶縁層と直接接している該酸化物半導体層の領域がソース及びドレイン電極をなしていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記チャネル保護層は1層からなっており、及び順テーパー形状に加工されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記チャネル保護層における順テーパー領域下の酸化物半導体層の水素濃度は、チャネル保護層中央部から端部に向かって濃度が減少するように連続的に変化することを特徴とする請求項2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記チャネル保護層は第1のチャネル保護層と第2のチャネル保護層の2層からなっており、該第1のチャネル保護層の上に該第2のチャネル保護層が積層した構造をしていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記チャネル保護層と前記酸化物半導体層が重なる領域の上部または下部にゲート電極が形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体は、Sn、In、Znの少なくとも1種類の元素を含むアモルファス酸化物半導体であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記酸化物半導体は、Sn−In−Zn酸化物、In−Zn−Ga−Mg酸化物、In酸化物、In−Sn酸化物、In−Ga酸化物、In−Zn酸化物、Zn−Ga酸化物、Sn−In−Zn酸化物のいずれかであることを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記層間絶縁層は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、シリコン炭化膜、又はそれらの積層膜のいずれかであることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ドレイン電極と前記チャネル領域の間、及び前記ソース電極と該チャネル領域の間には、中間抵抗領域が形成されており、該中間抵抗領域の抵抗率は該チャネル領域の抵抗率より低く、該ドレイン電極及びソース電極の抵抗率よりは高いことを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 基板の上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極とドレイン電極とチャネル領域とからなる酸化物半導体層と、チャネル保護層と、層間絶縁層と、を少なくとも有する薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記基板の上に、前記ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を有する前記基板の上に、前記ゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層の上に、前記酸化物半導体層を形成する工程と、
前記酸化物半導体の上に絶縁層を形成し、該絶縁層をエッチングすることで、前記酸化物半導体のチャネル領域を覆うように、端部の膜厚が中央部の膜厚と比べ薄くなっている前記チャネル保護層を形成する工程と、
前記チャネル保護層が形成された前記酸化物半導体層及びゲート絶縁層の上に、水素を含有する層間絶縁層を形成することで、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記チャネル保護層を形成する工程において、該チャネル保護層は順テーパー状に形成されることを特徴とする請求項10に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記チャネル保護層を形成する工程において、前記エッチングは酸化性ガスが含まれる雰囲気でなされることを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記チャネル保護層を形成する工程において、該チャネル保護層は、前記絶縁層の成膜とパターニングを繰り返すことによって、積層をなすように形成されることを特徴とする請求項10に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 少なくとも基板の上で表示素子の電極と薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極とが接続されてなる表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、請求項1から13のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。 - 前記表示素子は、エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項14に記載の表示装置。
- 前記表示素子は、液晶セルであることを特徴とする請求項14に記載の表示装置。
- 前記基板の上に前記表示素子及び前記薄膜トランジスタが二次元状に複数配されていることを特徴とする請求項14から16のいずれか1項に記載の表示装置。
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