JP2017195418A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
明な点が多い。特に、不純物が酸化物半導体に及ぼす影響について未だ明らかにされてい
ない。以上に鑑み、酸化物半導体層を用いた半導体装置の電気特性に影響を与える不純物
を防止又は排除した構成を以下に開示する。
【解決手段】ゲート電極と、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、前記ゲート電
極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、前記チャネル形成領
域に含まれる窒素濃度は、1×1020atoms/cm3以下である半導体装置である
。
【選択図】図9
Description
が多い。
止又は排除した構成を以下に開示する。
ある。
含む物質は酸化物半導体層を高純度化してI型に近づけることを妨げる元素であるといえ
る。これは本発明者らが研究により見出した新規な知見である。
に含有されていると、水素が酸化物半導体層中に侵入しやすくなることを見出した。
体層であるといえる。
s Spectrometry)で計測した酸化物半導体層中の窒素濃度を1×1020
atoms/cm3以下(又は、1×1020atoms/cm3未満)とすることによ
って、水素が侵入しにくい酸化物半導体層を形成することができる。
と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、前記チャネル形成領域
に含まれる窒素濃度は、1×1020atoms/cm3以下である半導体装置を提供す
ることができる。
縁層上に設けられチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に
設けられた一対のコンタクト電極と、を有し、前記チャネル形成領域に含まれる窒素濃度
は、1×1020atoms/cm3以下である半導体装置を提供することができる。
縁層上に設けられた一対のコンタクト電極と、前記ゲート絶縁層上及び前記一対のコンタ
クト電極上に設けられチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、を有し、前記チャネ
ル形成領域に含まれる窒素濃度は、1×1020atoms/cm3以下である半導体装
置を提供することができる。
縁層上に設けられチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に
設けられたチャネル保護層と、前記酸化物半導体層上及び前記チャネル保護層上に設けら
れた一対のコンタクト電極と、を有し、前記チャネル形成領域に含まれる窒素濃度は、1
×1020atoms/cm3以下である半導体装置を提供することができる。
018atoms/cm3以下である半導体装置を提供することができる。
間に挟まれたゲート絶縁層と、を有する半導体装置の作製方法であって、窒素濃度が1×
1020atoms/cm3以下である前記酸化物半導体層を350℃以上且つ1時間以
上で加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法を提供することができる。
間に挟まれたゲート絶縁層と、を有する半導体装置の作製方法であって、窒素濃度が1×
1020atoms/cm3以下である前記酸化物半導体層を450℃以上且つ1時間以
上で加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法を提供することができる。
間に挟まれたゲート絶縁層と、を有する半導体装置の作製方法であって、窒素濃度が1×
1020atoms/cm3以下である前記酸化物半導体層を550℃以上且つ1時間以
上で加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法を提供することができる。
間に挟まれたゲート絶縁層と、を有する半導体装置の作製方法であって、窒素濃度が1×
1020atoms/cm3以下である前記酸化物半導体層を650℃以上且つ3分以上
で加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法を提供することができる。
導体層を形成することができる。
層中に侵入することを防止することができる。
当業者であれば容易に理解される。
るものではない。
符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
きる。
半導体装置の作製方法の一例について説明する。
上にゲート絶縁層300を形成し、ゲート絶縁層300上に酸化物半導体層400を形成
する(図1(A))。
チック基板、半導体基板等を用いることができるがこれらに限定されない。
することにより、絶縁表面を形成することができる。
い。
アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、金、銀、銅、シリコン、様々な合金
、酸化物導電層(代表的にはインジウム錫酸化物等)等を用いることができるがこれらに
限定されない。ゲート電極は、単層構造でも積層構造でも良い。
ば、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒素を含む酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜、窒化アル
ミニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜等を用いることができるがこれらに
限定されない。ゲート絶縁層は、単層構造でも積層構造でも良い。
及び窒素含有量が少ない膜とすることが好ましい。
、SiH4等)を含ませないで形成することが好ましい。
、N2O、NH4等)を含ませないで形成することが好ましい。
(例えば、SiH4等)を用いるので、スパッタ法により形成したゲート絶縁膜が好まし
い。
い。
よりも欠陥が少なく膜質に優れる。
が高い場合もある。
ば良い。
元素を含む物質がゲート絶縁層から離脱するため、プラズマCVD法を用いるときはゲー
ト絶縁層形成後に加熱処理(200℃以上1000℃以下(好ましくは300℃以上80
0℃以下))を行うことが好ましい。
鉛と酸素とを主成分とする)、In−Sn−Zn−O系酸化物(インジウムと錫と亜鉛と
酸素とを主成分とする)、In−Al−Zn−O系酸化物(インジウムとアルミニウムと
亜鉛と酸素とを主成分とする)、Sn−Ga−Zn−O系酸化物(錫とガリウムと亜鉛と
酸素とを主成分とする)、Al−Ga−Zn−O系酸化物(アルミニウムとガリウムと亜
鉛と酸素とを主成分とする)、Sn−Al−Zn−O系酸化物(錫とアルミニウムと亜鉛
と酸素とを主成分とする)、In−Zn−O系酸化物(インジウムと亜鉛と酸素とを主成
分とする)、Sn−Zn−O系酸化物(錫と亜鉛と酸素とを主成分とする)、Al−Zn
−O系酸化物(アルミニウムと亜鉛と酸素とを主成分とする)、In−O系酸化物(イン
ジウム酸化物(酸化インジウム))、Sn−O系酸化物(錫酸化物(酸化錫))、Zn−
O系酸化物(亜鉛酸化物(酸化亜鉛))等の酸化物半導体を用いることができるがこれら
に限定されない。
する。
:Secondary Ion Mass Spectrometry)で計測した窒素
濃度が1×1020atoms/cm3以下(又は、1×1020atoms/cm3未
満)、5×1019atoms/cm3以下(又は、5×1019atoms/cm3未
満)、1×1019atoms/cm3以下(又は、1×1019atoms/cm3未
満)、5×1018atoms/cm3以下(又は、5×1018atoms/cm3未
満)、若しくは、1×1018atoms/cm3以下(又は、1×1018atoms
/cm3未満)が好ましい。
向がある。
分析法(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry
)で計測した窒素濃度が1×1020atoms/cm3以下(又は、1×1020at
oms/cm3未満)、5×1019atoms/cm3以下(又は、5×1019at
oms/cm3未満)、1×1019atoms/cm3以下(又は、1×1019at
oms/cm3未満)、5×1018atoms/cm3以下(又は、5×1018at
oms/cm3未満)、若しくは、1×1018atoms/cm3以下(又は、1×1
018atoms/cm3未満)が好ましい。
n Mass Spectrometry)の有効範囲内における平均値を採用できる。
n Mass Spectrometry)の有効範囲内における最大値も採用できる。
(有効範囲内における最大値が所定の値より小さければ、有効範囲内における平均値も該
所定の値よりも小さくなる。)
004を有する。
行う構成になっている。
られている。
6が設けられている。
007及びメタルガスケット2008が設けられている。
まり、Oリング及びメタルガスケットにより大気(特に窒素)が成膜室2001へ侵入し
てしまうことを防止している。
いている。
密性を向上できるメタルガスケットを設けている。
まうので、成膜室2001内に成膜室2001外の大気が侵入してしまう。
いように常に留意し、Oリング又はメタルガスケットに起因する大気(特に窒素)が成膜
室2001へ侵入してしまうことを防止する必要がある。
に置換することも大気(特に窒素)が成膜室2001へ侵入してしまうことを防止する上
では有効である。
2001の内壁、ターゲット2003表面に窒素が付着又は侵入している場合、若しくは
、成膜室2001内に窒素が浮遊している場合は酸化物半導体層中に窒素が混入してしま
う場合がある。
以上500℃以下の温度で加熱する。
れる。
とによって、成膜室の内壁に付着又は侵入している窒素を除去できる。
物半導体層を成膜する前にダミー基板に酸化物半導体層を成膜する処理を行うことが好ま
しい。
している窒素を除去できる。
ダミー基板上の酸化物半導体層に取り込まれるため、半導体装置に用いる酸化物半導体層
を成膜する前に成膜室内に残存した窒素を除去できることになる。
膜等を充分行うことによって、窒素が酸化物半導体層中に混入することを徹底的に排除す
ることができる。
化物半導体層410を形成する(図1(B))。
む雰囲気、酸素と希ガスを含む雰囲気、窒素と希ガスを含む雰囲気、酸素と窒素と希ガス
を含む雰囲気等から適宜選択できる。
を形成する前に行っても良い。
化物半導体層410を形成する工程で酸化物半導体層がフォトレジスト並びに剥離液の水
分に曝される。
体層400を島状にエッチングして酸化物半導体層410を形成した後に第1の加熱処理
を行った方が好ましいといえる。
上(又は400℃超過)、450℃以上(又は450℃超過)、500℃以上(又は50
0℃超過)、550℃以上(又は550℃超過)、600℃以上(又は600℃超過)、
650℃以上(又は650℃超過)、700℃以上(又は700℃超過)、750℃以上
(又は750℃超過)から選ぶことができる。
しい。
により急速に被処理物を加熱する方式をいう。
好ましい。
900℃以下(又は900℃未満)、800℃以下(又は800℃未満)、700℃以下
(又は700℃未満)から選ぶこともできる。
削減の観点から10時間以下、9時間以下、8時間以下から選ぶことができる。
されないが、処理時間削減の観点から1時間以下、50分以下、40分以下から選ぶこと
ができる。
ctroscopy)で測定したところ、450℃、1時間のベークを行ったサンプルは
300℃付近の水分のピークがなくなっていた。ガスRTAで650℃、3分でベークを
行ったサンプルも300℃付近の水分のピークがなくなっていた。一方、350℃、1時
間のベークを行ったサンプルは300℃付近の水分のピークが残存していた。
pectrometry)で測定したところ、550℃、1時間のベークを行ったサンプ
ルは、450℃、1時間のベークを行ったサンプルと比較して、1桁近く水素濃度が減少
していた。
によって、トランジスタの電気特性に悪影響を与える水素元素を含む物質を激減させるこ
とができることがわかった。
やすくなるので、加熱温度は高い方が好ましく、加熱時間も多い方が好ましい。
下(又は、6×1018atoms/cm3未満)、5×1018atoms/cm3以
下(又は、5×1018atoms/cm3未満)、4×1018atoms/cm3以
下(又は、4×1018atoms/cm3未満)、3×1018atoms/cm3以
下(又は、3×1018atoms/cm3未満)、1×1016atoms/cm3以
下(又は、1×1016atoms/cm3未満)、1×1014atoms/cm3以
下(又は、1×1014atoms/cm3未満)、若しくは、1×1012atoms
/cm3以下(又は、1×1012atoms/cm3未満)が好ましい。
素の侵入を防止することができる特性がある。
ms/cm3以下(又は、6×1018atoms/cm3未満)、5×1018ato
ms/cm3以下(又は、5×1018atoms/cm3未満)、4×1018ato
ms/cm3以下(又は、4×1018atoms/cm3未満)、3×1018ato
ms/cm3以下(又は、3×1018atoms/cm3未満)、1×1016ato
ms/cm3以下(又は、1×1016atoms/cm3未満)、1×1014ato
ms/cm3以下(又は、1×1014atoms/cm3未満)、若しくは、1×10
12atoms/cm3以下(又は、1×1012atoms/cm3未満)が好ましい
。
n Mass Spectrometry)の有効範囲内における平均値を採用できる。
n Mass Spectrometry)の有効範囲内における最大値も採用できる。
(有効範囲内における最大値が所定の値より小さければ、有効範囲内における平均値も該
所定の値よりも小さくなる。)
体層を用いたトランジスタの電気特性は向上する。
ミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、イットリウム、インジウム、金、銀、銅
、シリコン、これらの金属を含む様々な合金、酸化物導電層(代表的にはインジウム錫酸
化物等)等を用いることができるがこれらに限定されない。導電層は、単層構造でも積層
構造でも良い。
ムと亜鉛との合金、ガリウム合金(窒化ガリウム等)等とすることによって、導電層をエ
ッチングして形成される電極(配線)と酸化物半導体層との接触抵抗を低減することがで
きる。
ウムと亜鉛との合金、ガリウム合金(窒化ガリウム等)等の電子親和力が、酸化物半導体
層の電子親和力よりも低いからである。
物)が好ましい。
)を酸化物半導体層と接する位置に配置することが好ましい。
鉛(Zn)との合金、ガリウム(Ga)合金(窒化ガリウム等)等は抵抗率が高いので、
アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、これらの金属を含む様々
な合金等の抵抗率の低い材料を酸化物半導体層と接する位置に配置された導電層上に積層
することが好ましい。
、Alを順次積層した構造、Y、Al合金を順次積層した構造、Ti、Al、Tiを順次
積層した構造、Ti、Al合金、Tiを順次積層した構造、In、Al、Moを順次積層
した構造、Y、Al、Tiを順次積層した構造、Mo、Al、Tiを順次積層した構造、
Ti、Al合金、Mo、Tiを順次積層した構造等の多くのバリエーションがあるがこれ
らに限定されない。
金をいう。(例えば、Al−Si、Al−Ti、Al−Nd、Cu−Pb−Fe、Cu−
Ni等)
。
酸化物である。水素元素を含む物質及び酸素欠損はキャリアを誘発するので酸化物の導電
性を上昇させることができる。
ない酸化物である。
より抵抗率の調整が可能である。
に起因して、酸化物導電層がチャネル形成領域に用いる酸化物半導体層よりも抵抗率が低
くなるのであれば、酸化物半導体層中の水素元素を含む物質の含有量の調整又は酸素欠損
の調整による抵抗率の調整は不要である。
クト電極)、ドレイン電極(コンタクト電極)、配線等)を形成する(図2(A))。な
お、図2(A)はコンタクト電極510、コンタクト電極520等を図示している。
る。
と呼ばれる。
))。
珪素膜、窒化珪素膜、窒素を含む酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜、窒化アルミニウム
膜、酸化アルミニウム膜、シロキサン膜、アクリル膜、ポリイミド膜等を用いることがで
きるがこれらに限定されない。層間絶縁膜は、単層構造でも積層構造でも良い。
ネル(破線8000の部分)と接する部分の絶縁層はスパッタガスとして水素元素を含む
物質を用いないで形成した膜が良いことが判明した。
)がマイナス側にシフトする。
いるので、プラズマCVD法で絶縁層を形成するとバックチャネルに水素元素を含む物質
が添加されてしまう。
バックチャネルに水素元素を含む物質が常に供給された状態となってしまう。
いることが好ましいといえる。
クチャネル(破線8000の部分)上に絶縁層600を形成する工程ともいえる。
配線810、配線820等を形成しても良い(図3(A))。
画素電極910を形成しても良い(図3(B))。
トランジスタ、表示素子、又はアンテナ等を形成しても良い。
を形成することによって、表示装置を形成することができる。
しい。
理を行っても良い。
0℃以下)が好ましい。
もに、酸化物半導体層中の酸素も放出される。
酸化物半導体層中に酸素を供給することができるので、酸化物半導体層中の酸素欠損を低
減することができる。
ト(珪素、アルミニウム等)を用い且つスパッタガスとして酸素を用いた反応性スパッタ
を行う場合において酸素流量を多くする方法、スパッタターゲットとして酸化物ターゲッ
ト(酸化珪素、酸化アルミニウム等)を用い且つスパッタガスとして酸素を用いる方法(
酸化物ターゲットを用いる場合通常はスパッタガスとして酸素を用いない。)、絶縁層を
形成後に絶縁層に酸素をイオン注入又はイオンドーピングする方法等を用いることができ
るがこれらに限定されない。(なお、反応性スパッタを行う場合、アルゴン等のガスを用
いず酸素100%のスパッタガスとすることが好ましい。)
る方法等を用いれば良い。勿論、絶縁層形成時の成膜ガスに酸素を用い、且つ、絶縁層に
事後的に酸素を添加しても良い。
加熱処理を行うことによって、酸化物半導体層とチタンとの間にチタン酸化物を形成する
ことができる。
タクト抵抗を低減することができる。
タンとの間のコンタクト抵抗を低減することができるため、コンタクト電極を形成する際
にチタン酸化物とチタンとを順次積層した構造を形成しても良い。
て実施することができる。
本実施の形態では実施の形態1と異なる構造のトランジスタを有する半導体装置につい
て説明する。
縁表面を有する基板100上に設けられたゲート電極200と、ゲート電極200上に設
けられたゲート絶縁層300と、ゲート絶縁層300上に設けられたコンタクト電極51
0及びコンタクト電極520と、ゲート絶縁層300上及びコンタクト電極510上及び
コンタクト電極520上に設けられた酸化物半導体層410(島状)と、を有するトラン
ジスタである。
基板100上に設けられた酸化物半導体層410(島状)と、酸化物半導体層410上に
設けられたゲート絶縁層300と、ゲート絶縁層300上に設けられたゲート電極200
とを有するトランジスタである。
ンタクトホールを介して配線810、配線820、配線830が設けられている。
する基板100上に設けられたゲート電極200と、ゲート電極200上に設けられたゲ
ート絶縁層300と、ゲート絶縁層300上に設けられた酸化物半導体層410(島状)
と、酸化物半導体層410上に設けられたチャネル保護層700と、酸化物半導体層41
0上及びチャネル保護層700上に設けられたコンタクト電極510及びコンタクト電極
520と、を有するトランジスタである。
と同様の材料を用いることができる。チャネル保護層700と絶縁層600の材料は同じ
でも異なっていても良い。
縁層600ではなくチャネル保護層700である。
とが好ましい。
地絶縁層900上に設けられたコンタクト電極510及びコンタクト電極520と、下地
絶縁層900上及びコンタクト電極510上及びコンタクト電極520上に設けられた酸
化物半導体層410(島状)と、酸化物半導体層410上に設けられたゲート絶縁層30
0と、ゲート絶縁層300上に設けられたゲート電極200とを有するトランジスタであ
る。
様の材料を用いることができる。下地絶縁層900と絶縁層600の材料は同じでも異な
っていても良い。
600ではなく下地絶縁層900である。
好ましい。
剰な絶縁層とすると好ましい。この場合、第1の加熱処理を行うと、酸化物半導体層から
酸素が放出されると同時に、下地絶縁層から酸素が酸化物半導体層に供給されることにな
る。
地絶縁層900上に設けられた酸化物半導体層410(島状)と、酸化物半導体層410
上及び下地絶縁層900上に設けられたコンタクト電極510及びコンタクト電極520
と、酸化物半導体層上及びコンタクト電極510上及びコンタクト電極520上に設けら
れたゲート絶縁層300と、ゲート絶縁層300上に設けられたゲート電極200とを有
するトランジスタである。
様の材料を用いることができる。下地絶縁層900と絶縁層600の材料は同じでも異な
っていても良い。
600ではなく下地絶縁層900である。
好ましい。
層とが重なる領域)と、接触領域(配線と酸化物半導体が接触している領域)と、の間に
数μmのオフセット領域が形成されている。
スタのオン電流も下げてしまうという点でデメリットがある。
しないので、図4(B)と比較してトランジスタのオン電流を向上することができるとい
うメリットがある。
極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層を有する構造であればどのような
構造を用いても良い。
ト絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上の第2のゲート絶縁層と、第2のゲー
ト絶縁層上の第2のゲート電極と、を有するデュアルゲート型トランジスタを用いても良
い。
限定されないことを付言しておく。
て実施することができる。
図4(A)に示す半導体装置の作製方法の一例を示す。
ート絶縁層300を形成し、ゲート絶縁層300上にコンタクト電極510及びコンタク
ト電極520を形成する(図5(A))。
に酸化物半導体層400を形成する(図5(B))。
を形成した後に行っても良い。
ンタクト電極が露出している。
て表面の導電性が低下する。
うことが好ましい。
トランジスタを覆う絶縁層600を形成する(図5(C))。
配線810、配線820等を形成しても良い(図6(A))。
画素電極910を形成しても良い(図6(B))。
トランジスタ、表示素子、又はアンテナ等を形成しても良い。
を形成することによって、表示装置を形成することができる。
しい。
加熱処理を行っても良い。
て実施することができる。
図4(C)に示す半導体装置の作製方法の一例を示す。
形成する(図7(A))。
を形成する(図7(B))。
クチャネルがエッチングされないため、バックチャネルのダメージを低減することができ
る。
と同様の材料を用いることができる。チャネル保護層700と絶縁層600の材料は同じ
でも異なっていても良い。
縁層600ではなくチャネル保護層700である。
が好ましい。
素過剰な絶縁層とすると好ましい。
配線810、配線820等を形成しても良い(図8(A))。
画素電極910を形成しても良い(図8(B))。
トランジスタ、表示素子、又はアンテナ等を形成しても良い。
を形成すると表示装置を形成することができる。
しい。
加熱処理を行っても良い。
て実施することができる。
半導体装置としては、各種集積回路がある。
)、アンテナを介して無線通信を行う半導体装置(RFIDタグ、無線タグ、ICチップ
、無線チップ、非接触信号処理装置、半導体集積回路チップ)等があるが、これらに限定
されない。
て実施することができる。
後に加熱処理を行った場合と、を比較した。
Spectrometry)を用いた。
3:Ga2O3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲットをスパッタ
して形成した。
、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素が酸化物半導体層中に混入することを徹底的に排
除した。
スパッタガスの流量がAr/N2=40/0sccm(N2割合0%)のサンプルをサ
ンプル1とした。なお、サンプル1は3つ用意した。
スパッタガスの流量がAr/N2=35/5sccm(N2割合12.5%)のサンプ
ルをサンプル2とした。なお、サンプル2は3つ用意した。
スパッタガスの流量がAr/N2=0/40sccm(N2割合100%)のサンプル
をサンプル3とした。なお、サンプル3は3つ用意した。
図10〜図12において、点線3001が加熱処理を行っていないサンプル(as−d
epo)、太い実線3002が窒素雰囲気で加熱したサンプル(N2ベーク)、細い実線
3003が大気雰囲気で加熱したサンプル(大気ベーク)を示している。
膜厚)である。
m〜30nm付近)及び酸化物半導体層とガラス基板との界面付近(図10〜図12だと
深さが80nm〜100nm付近)について正確な値を算出しにくくなっている。
果の有効範囲とした。
1(as−depo)、及び図12(A)の点線3001(as−depo)の有効範囲
における水素濃度の平均値を比較すると、図11(A)の方が図10(A)よりも高く、
図12(A)の方が図11(A)よりも高いことがわかる。
1(as−depo)、及び図12(B)の点線3001(as−depo)の有効範囲
における窒素濃度の平均値を比較すると、図11(B)の方が図10(B)よりも高く、
図12(B)の方が図11(B)よりも高いことがわかる。
物半導体層中の水素濃度が多くなることがわかる。
しやすくなることがわかった。
ことがわかる。
が上昇していることがわかる。
epo)、太い実線3002(N2ベーク)、細い実線3003(大気ベーク)の水素濃
度にあまり差がない。
3002(N2ベーク)及び細い実線3003(大気ベーク)の方が、点線3001(a
s−depo)よりも高い。
ク)及び細い実線3003(大気ベーク)の方が、点線3001(as−depo)より
も多いことは明らかである。
(大気ベーク)の形状がV字のような形になった理由は、膜表面及びガラス基板から水素
が注入されたためであると考察した。
値は、1×1020atoms/cm3以下(1×1020atoms/cm3未満)で
あった。(図10(B))
値も1×1020atoms/cm3以下(1×1020atoms/cm3未満)であ
った(平均値が最大値より大きな値になることはない)。
効範囲における窒素濃度の最大値は9.3×1019atoms/cm3であり、SIM
Sの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は1.9×1019atoms/cm
3であり、SIMSの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は6.1×1019
atoms/cm3であった。
効範囲における水素濃度の最大値は6.9×1019atoms/cm3であり、SIM
Sの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は4.5×1019atoms/cm
3であり、SIMSの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は5.6×1019
atoms/cm3であった。
囲における窒素濃度の最大値は9.7×1019atoms/cm3であり、SIMSの
測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は3.0×1019atoms/cm3で
あり、SIMSの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は6.0×1019at
oms/cm3であった。
囲における水素濃度の最大値は2.3×1019atoms/cm3であり、SIMSの
測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は6.4×1018atoms/cm3で
あり、SIMSの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は1.2×1019at
oms/cm3であった。
囲における窒素濃度の最大値は3.1×1019atoms/cm3であり、SIMSの
測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は4.4×1018atoms/cm3で
あり、SIMSの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は1.8×1019at
oms/cm3であった。
囲における水素濃度の最大値は6.7×1018atoms/cm3であり、SIMSの
測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は2.0×1018atoms/cm3で
あり、SIMSの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は3.8×1018at
oms/cm3であった。
素濃度の最小値は、1×1022atoms/cm3以上であった(図11(B)、図1
2(B))。
窒素濃度の平均値も、1×1022atoms/cm3以上であった(平均値が最小値よ
り小さな値になることはない)。
効範囲における窒素濃度の最大値は1.6×1022atoms/cm3であり、SIM
Sの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は1.5×1022atoms/cm
3であり、SIMSの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は1.5×1022
atoms/cm3であった。
効範囲における水素濃度の最大値は1.0×1020atoms/cm3であり、SIM
Sの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は6.3×1019atoms/cm
3であり、SIMSの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は7.8×1019
atoms/cm3であった。
囲における窒素濃度の最大値は1.5×1022atoms/cm3であり、SIMSの
測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は1.4×1022atoms/cm3で
あり、SIMSの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は1.5×1022at
oms/cm3であった。
囲における水素濃度の最大値は1.2×1021atoms/cm3であり、SIMSの
測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は6.5×1020atoms/cm3で
あり、SIMSの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は7.7×1020at
oms/cm3であった。
囲における窒素濃度の最大値は1.6×1022atoms/cm3であり、SIMSの
測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は1.5×1022atoms/cm3で
あり、SIMSの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は1.6×1022at
oms/cm3であった。
囲における水素濃度の最大値は6.9×1020atoms/cm3であり、SIMSの
測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は4.4×1020atoms/cm3で
あり、SIMSの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は5.3×1020at
oms/cm3であった。
効範囲における窒素濃度の最大値は3.4×1022atoms/cm3であり、SIM
Sの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は3.1×1022atoms/cm
3であり、SIMSの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は3.3×1022
atoms/cm3であった。
効範囲における水素濃度の最大値は1.9×1020atoms/cm3であり、SIM
Sの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は1.1×1020atoms/cm
3であり、SIMSの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は1.4×1020
atoms/cm3であった。
囲における窒素濃度の最大値は3.3×1022atoms/cm3であり、SIMSの
測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は3.2×1022atoms/cm3で
あり、SIMSの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は3.2×1022at
oms/cm3であった。
囲における水素濃度の最大値は8.6×1020atoms/cm3であり、SIMSの
測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は1.4×1020atoms/cm3で
あり、SIMSの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は2.7×1020at
oms/cm3であった。
囲における窒素濃度の最大値は3.5×1022atoms/cm3であり、SIMSの
測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は3.3×1022atoms/cm3で
あり、SIMSの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は3.4×1022at
oms/cm3であった。
囲における水素濃度の最大値は1.0×1021atoms/cm3であり、SIMSの
測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は7.6×1019atoms/cm3で
あり、SIMSの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は2.8×1020at
oms/cm3であった。
ることがわかった。
atoms/cm3以下(1×1020atoms/cm3未満)である酸化物半導体層
は、水素に対して緻密な層であるといえる。
増加しなかった。サンプル1において大気ベークを行ったものでは酸化物半導体層中の窒
素濃度は減少していた。
時において酸化物半導体層中の酸素結合の一部が切れてしまい、切れた結合の位置に窒素
結合が形成されるためであると推測した。
る窒素濃度を低減できるという仮説を立てた。なお、この推測及び仮説が正しければ、I
n−Ga−Zn−O系以外の酸化物半導体においても窒素は影響を及ぼすことになる。
半導体層を形成した。
2O3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成
した。
、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素が酸化物半導体層中に混入することを徹底的に排
除した。
スパッタガスの流量がAr/O2=30/15sccm(O2割合33.3%)のサン
プルをサンプル4(as−depo)とした。
スパッタガスの流量がAr/O2=0/40sccm(O2割合100%)のサンプル
をサンプル5(as−depo)とした。
SIMSの測定結果の有効範囲は実施例1と同じである。
る窒素濃度の最大値は、5×1019atoms/cm3以下(5×1019atoms
/cm3未満)である。
る窒素濃度の平均値も5×1019atoms/cm3以下(5×1019atoms/
cm3未満)である(平均値が最大値より大きな値になることはない)。
窒素濃度の平均値を計算したところ、1×1019atoms/cm3以下(1×101
9atoms/cm3未満)であった。
窒素濃度の最大値は、2×1019atoms/cm3以下(2×1019atoms/
cm3未満)であった。
る窒素濃度の平均値は、1×1019atoms/cm3以下(1×1019atoms
/cm3未満)であった。
(図13(A))及びサンプル5(図13(B))の方が窒素濃度が低い。
果の有効範囲における窒素濃度の最大値は1.6×1019atoms/cm3であり、
SIMSの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は2.2×1018atoms
/cm3であり、SIMSの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は4.6×1
018atoms/cm3であった。
果の有効範囲における窒素濃度の最大値は1.6×1019atoms/cm3であり、
SIMSの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は2.3×1018atoms
/cm3であり、SIMSの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は7.7×1
018atoms/cm3であった。
図2(B)に記載のチャネルエッチ型トランジスタを作製した。
:Ga2O3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲットをスパッタし
て形成した酸化物半導体層を島状にエッチングしたサンプルを用いた。
行った。
600上に配線を形成した。
絶縁層600は、酸化珪素ターゲットを用いてスパッタ法で形成した。
絶縁層600は、酸化珪素ターゲットを用いてスパッタ法で形成した。
絶縁層600は、酸化珪素ターゲットを用いてスパッタ法で形成した。
絶縁層600は、プラズマCVD法で形成した。
絶縁層600は、プラズマCVD法で形成した。
絶縁層600は、シロキサン膜を用いた。
絶縁層600は、アクリル膜を用いた。
絶縁層600は、ポリイミド膜を用いた。
サンプル8乃至サンプル13は、サンプル6及びサンプル7と比較して、閾値電圧Vt
hがマイナス側にシフトしていた。
元素を含んでいる。
出しやすい性質を持つ。
、バックチャネルにドナーが存在する場合にどのような挙動をするか計算を行ったところ
、ドナーが存在すると閾値電圧がマイナス側にシフトすることがわかった。
ことによって閾値電圧のマイナスシフトを防止できることがわかった。
層600を用いた場合(サンプル6及びサンプル7)、第2の加熱処理により酸素がバッ
クチャネルに供給されバックチャネルの酸素欠損が低下したと考察した。
を行わなかったサンプルAと、第2の加熱処理として250℃、1時間の加熱処理を行っ
たサンプルBと、を用意した。そして、サンプルAとサンプルBとを比較した結果、第2
の加熱処理として250℃、1時間の加熱処理を行ったサンプルBの方がトランジスタの
電気特性が優れていた。
600を用いたトランジスタを別途作製した。
を形成する際、基板温度を100℃にした場合と基板温度を200℃にした場合とで比較
すると、基板温度を200℃にした場合の方がゲートBTストレス試験の結果が優れてい
た。
上げることによって、バックチャネル表面の水分を除去できたためであると考察した。
されないが、300℃以下、400℃以下、500℃以下、600℃以下、700℃以下
から選択することができる。)
ジスタ)を作製した。なお、絶縁層600は形成していない。
を浸水した直後の特性と、を比較したところ、トランジスタを浸水した直後ではトランジ
スタを浸水する前と比較して閾値電圧がマイナス側にシフトし且つオフ電流も上昇してい
た。
ランジスタの特性の回復が見られた。
分)、さらにトランジスタの特性の回復が見られた。
3分)、トランジスタの特性が浸水前とほぼ同じになった。
ことがわかった。
加熱すれば除去できることが分かった。
らかである。
l Desorption Spectroscopy)を用いて調査した。
oscopy)は、サンプルを昇温していったときの放出ガスを分析する方法である。
サンプル14としてガラス基板を用意した。
サンプル15として、ガラス基板上にIn:Ga:Znが1:1:0.5(原子比)(
In2O3:Ga2O3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲットを
スパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
サンプル15と同一のサンプルをもう一つ用意し、サンプル16とした。
サンプル17として、ガラス基板上にIn:Ga:Znが1:1:0.5(原子比)(
In2O3:Ga2O3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲットを
スパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
サンプル18として、ガラス基板上にIn:Ga:Znが1:1:0.5(原子比)(
In2O3:Ga2O3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲットを
スパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
サンプル19として、ガラス基板上にIn:Ga:Znが1:1:0.5(原子比)(
In2O3:Ga2O3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲットを
スパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
サンプル14及びサンプル15との昇温脱離ガス分析法の結果を図14(A)に示す。
ラフに対応し、グラフ1415がサンプル15(ガラス基板及び酸化物半導体層(as−
depo))のグラフに対応する。
ーク1402、300℃付近の水分のピーク1403が存在することがわかる。
の水分のピーク1402だけがあり、300℃付近の水分のピーク1403は存在しない
。
、100℃付近の水分のピーク1402、及び300℃付近の水分のピーク1403が存
在する。
クである。
分が含まれていると判断できる。
ラフに対応し、グラフ1417がサンプル17(250℃)のグラフに対応し、グラフ1
418がサンプル18(350℃)のグラフに対応し、グラフ1419がサンプル19(
450℃)のグラフに対応する。
ーク1403が確認された。
分のピーク1403のカウント数が、サンプル16(as−depo)よりも下がってい
た。
ていない。
る。
また、サンプル20として、ガラス基板上にIn:Ga:Znが1:1:0.5(原子
比)(In2O3:Ga2O3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲ
ットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
を行った。
。
O3:ZnOが1:1:2(モル比))の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成し
た酸化物半導体層を形成したサンプルを用意して同様の実験(as−depo、250℃
、350℃、450℃の比較)を行った結果、窒素雰囲気で450℃1時間の加熱処理を
行ったサンプルのみ300℃付近の水分のピークが存在していなかった。
O3:ZnOが1:1:8(モル比))の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成し
た酸化物半導体層を形成したサンプルを用意して同様の実験(as−depo、250℃
、350℃、450℃の比較)を行った結果、窒素雰囲気で450℃1時間の加熱処理を
行ったサンプルのみ300℃付近の水分のピークが存在していなかった。
半導体層(100℃以上400℃以下(好ましくは、250℃以上300℃以下)におい
てカウント数が2×10−11以下)は、450℃以上且つ1時間以上、若しくは、65
0℃以上且つ3分以上で加熱された酸化物半導体層であるということができる。
昇温脱離ガス分析法において100℃以上400℃以下の水分のピークが存在しないとも
いえる。
酸化物半導体層に起因する水分のピークが存在しないともいえる。
ところ、昇温脱離ガス分析法において300℃付近の水分のピークが存在する酸化物半導
体層を用いたトランジスタ(250℃、350℃)は、昇温脱離ガス分析法において30
0℃付近の水分のピークが存在しない酸化物半導体層を用いたトランジスタ(450℃)
よりも、閾値電圧がマイナス側にシフトしており、且つ、ゲートBTストレス試験におけ
る劣化が大きかった。
:Ga2O3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲットをスパッタし
て形成した酸化物半導体層を用いた。
、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素の影響を徹底的に排除した。
分かった。
oscopy)を用いて以下のサンプルの脱ガス(水分)を測定した。
ガラス基板上にIn:Ga:Znが1:1:0.5(原子比)(In2O3:Ga2O
3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した
酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成し
たサンプルを用意した。
量で成膜を行った。
ガラス基板上にIn:Ga:Znが1:1:0.5(原子比)(In2O3:Ga2O
3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した
酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成し
たサンプルを用意した。
量で成膜を行った(スパッタガスとして酸素を用いた)。
ガラス基板上にIn:Ga:Znが1:1:0.5(原子比)(In2O3:Ga2O
3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した
酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成し
たサンプルを用意した。
量で成膜を行った。(スパッタガスとして酸素を用いた。)
ガラス基板上にIn:Ga:Znが1:1:0.5(原子比)(In2O3:Ga2O
3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した
酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成し
たサンプルを用意した。
量で成膜を行った。(スパッタガスとして酸素を用いた。)
昇温脱離ガス分析法(TDS:Thermal Desorption Spectr
oscopy)で計測したところ、いずれのサンプルも300℃付近の水分のピークが観
測されなかった。
い。
ずであるのに、300℃付近の水分のピークが確認されなかったことになる。
水分の放出をブロックしてしまったためであると考察した。
は水分の拡散を防止することがわかった。
酸化珪素膜を形成すれば、外部からの水分の混入を防止することができるということにな
る。
た。
量分析法(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometr
y)を用いて調べた。
a2O3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形
成した酸化物半導体層を形成したサンプルを複数用意した。
O3:ZnOが1:1:2(モル比))の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成し
た酸化物半導体層を形成したサンプルを複数用意した。
、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素が酸化物半導体層中に混入することを徹底的に排
除した。
。
ンプルを用意した。なお、複数のサンプルの加熱時間は1時間である。
y Air(窒素:酸素=4:1である雰囲気))と条件を変えたサンプルを用意した。
ss Spectrometry)の値はSIMSの有効範囲の平均値を示した。
大幅に減少することがわかった。
50℃以上且つ1時間以上)で加熱された酸化物半導体層であるということができる。
ところ、1×1019atoms/cm3以上の水素を含有する酸化物半導体層を用いた
トランジスタ(450℃)は、1×1019atoms/cm3未満の水素を含有する酸
化物半導体層を用いた酸化物半導体層を用いたトランジスタ(550℃、600℃、65
0℃)よりも、閾値電圧がマイナス側にシフトしており、且つ、ゲートBTストレス試験
における劣化が大きかった。
:Ga2O3:ZnOが1:1:1(モル比))の酸化物半導体ターゲットをスパッタし
て形成した酸化物半導体層を用いた。
、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素の影響を徹底的に排除した。
分かった。
透過型電子顕微鏡(TEM,Hitachi H−9000NAR,300kV)で観察
した写真である。
O系酸化物半導体層を50nm成膜後、窒素雰囲気下において第1の加熱処理(650℃
、1時間)を行い、その後金属膜としてチタン層1604を150nm成膜し、さらに窒
素雰囲気下において第2の加熱処理(250℃、1時間)を行ったサンプルである。
ムリッチ層1602およびチタン酸化物層1603が確認できる。
(Fast Fourier Transform Mapping)法を用いて行った
。
うことによって、酸化物半導体層から酸素が引き抜かれてチタン酸化物層1603が形成
されたと考察した。
析出したインジウムリッチ層1602になったと考察した。
加熱処理を行うことによってチタン酸化物層1603を形成することができる。
O系の酸化物半導体層以外でも同様の反応が生じることは明らかである。
ないが、300℃以下、400℃以下、500℃以下、600℃以下、700℃以下から
選択することができる。)
分とする膜等)を形成すると配線抵抗を下げることができるので好ましい。
200 ゲート電極
300 ゲート絶縁層
400 酸化物半導体層
410 酸化物半導体層
500 導電層
510 コンタクト電極
520 コンタクト電極
600 絶縁層
700 チャネル保護層
810 配線
820 配線
830 配線
900 下地絶縁層
1401 ピーク
1402 ピーク
1403 ピーク
1414 グラフ
1415 グラフ
1416 グラフ
1417 グラフ
1418 グラフ
1419 グラフ
1601 酸化物半導体層
1602 インジウムリッチ層
1603 チタン酸化物層
1604 チタン層
2001 成膜室
2002 蓋
2003 ターゲット
2004 ポンプ
2005 Oリング
2006 Oリング
2007 メタルガスケット
2008 メタルガスケット
3001 点線
3002 太い実線
3003 細い実線
8000 破線
Claims (1)
- 酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の絶縁層と、
前記絶縁層が有する第1のコンタクトホールを介して、前記ゲート電極と電気的に接続される第1配線と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層が有する第2のコンタクトホールを介して、前記酸化物半導体層の第1の領域と電気的に接続される第2配線と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層が有する第3のコンタクトホールを介して、前記酸化物半導体層の第2の領域と電気的に接続される第3配線と、を有し、
前記酸化物半導体層の窒素濃度は、1×1020atoms/cm3以下であり、
前記第1の領域と前記第2の領域とはそれぞれ、チタン酸化物を有することを特徴とする半導体装置。
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