JP2012099796A - 薄膜素子の作製方法及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の膜、第2の膜及び第3の膜をこの順に積層して形成し、第3の膜上にレジストマスクを形成し、レジストマスクを用いて第3の膜をエッチングすることでマスク層を形成し、レジストマスクを薬液により除去し、マスク層を用いて第2の膜と第1の膜をドライエッチングすることで、第2の層と第1の層を形成し、少なくとも第2の層と第1の層を覆って第4の膜を形成し、第4の膜をエッチバックすることで、少なくとも第1の層の側面のすべてを覆ってサイドウォール層を形成することで薄膜素子を作製する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様である薄膜素子の作製方法について説明する。
実施の形態1にて説明した薄膜素子の作製方法では、マスク層110は第2の層112の上に残存しているが、これに限定されず、マスク層110は、除去されてもよい。本実施の形態の薄膜素子の作製方法について図1、図2、及び図3を参照して説明する。
実施の形態1及び実施の形態2にて説明した薄膜素子の作製方法では、サイドウォール層を単層としたが、これに限定されず、サイドウォール層は複数の層が積層された積層構造であってもよい。本実施の形態では、サイドウォール層が積層構造である形態について図4を参照して説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体素子の作製方法について説明する。本実施の形態では、半導体素子の例としてトランジスタを挙げるが、これに限定されるものではない。
実施の形態4で説明した半導体素子(トランジスタ)は、表示装置の画素トランジスタとして用いることができる。
本発明の一態様である半導体装置としては、電子ペーパーが挙げられる。電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍(電子ブック)、ポスター、デジタルサイネージ、PID(Public Information Display)、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。電子機器の一例を図10に示す。
本発明の一態様である半導体装置としては、電子ペーパー以外にもさまざまな電子機器(遊技機も含む)が挙げられる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
102 第1の膜
104 第2の膜
106 第3の膜
108 レジストマスク
110 マスク層
112 第2の層
114 第1の層
116 第4の膜
118 サイドウォール層
120 第5の膜
122 更なるサイドウォール層
200 基板
202 導電膜
204 レジストマスク
206 ゲート電極層
208 ゲート絶縁層
210 半導体膜
212 導電膜
214 マスク膜
216 第1のレジストマスク
218 第1のマスク層
220 導電層
222 半導体層
224 絶縁膜
226 サイドウォール絶縁層
228 サイドウォール絶縁層
230 第2のレジストマスク
232 第2のマスク層
234 ソース電極及びドレイン電極層
236 保護絶縁膜
238 レジストマスク
240 開口部
242 透明導電膜
244 レジストマスク
246 画素電極層
300 電子書籍
301 筐体
303 筐体
305 表示部
306 光電変換装置
307 表示部
308 光電変換装置
311 軸部
321 電源
323 操作キー
325 スピーカ
400 テレビジョン装置
401 筐体
403 表示部
405 スタンド
407 表示部
409 操作キー
410 リモコン操作機
420 デジタルフォトフレーム
421 筐体
423 表示部
441 上部筐体
442 下部筐体
443 表示部
444 キーボード
445 外部接続ポート
446 ポインティングデバイス
447 表示部
Claims (12)
- 第1の膜、第2の膜及び第3の膜をこの順に積層して形成し、
前記第3の膜上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記第3の膜をエッチングすることでマスク層を形成し、
前記レジストマスクを薬液により除去し、
前記マスク層を用いて前記第2の膜と前記第1の膜をドライエッチングすることで、第2の層及び前記第2の層の下に第1の層を形成し、
少なくとも前記第2の層と前記第1の層を覆って第4の膜を形成し、
前記第4の膜をエッチバック処理することで、少なくとも前記第1の層の側面のすべてを覆ってサイドウォール層を形成することを特徴とする薄膜素子の作製方法。 - 第1の導電層を覆って設けられた第1の絶縁層上に半導体膜、導電膜及びマスク膜をこの順に積層して形成し、
前記マスク膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて前記マスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第1のマスク層を形成し、
前記第1のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第1のマスク層を用いて前記導電膜と前記半導体膜をドライエッチングすることで、第2の導電層と半導体層を形成し、
前記第1のマスク層と前記第2の導電層と前記半導体層を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチバック処理することで、少なくとも前記半導体層の側面のすべてを覆ってサイドウォール絶縁層を形成し、
前記第1のマスク層上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第1のマスク層をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第2のマスク層を形成し、
前記第2のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第2のマスク層を用いて前記第2の導電層をドライエッチングすることで電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の導電層を覆って設けられた第1の絶縁層上に半導体膜、導電膜及び第1のマスク膜をこの順に積層して形成し、
前記第1のマスク膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて前記第1のマスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第1のマスク層を形成し、
前記第1のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第1のマスク層を用いて前記導電膜と前記半導体膜をドライエッチングすることで、第2の導電層と半導体層を形成し、
前記第1のマスク層をドライエッチングにより除去し、
前記第2の導電層と前記半導体層を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチバック処理することで、少なくとも前記半導体層の側面のすべてを覆ってサイドウォール絶縁層を形成し、
少なくとも前記第2の導電層上に第2のマスク膜を形成し、
前記第2のマスク膜上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第2のマスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第2のマスク層を形成し、
前記第2のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第2のマスク層を用いて前記第2の導電層をドライエッチングすることで電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の導電層を覆って設けられた第1の絶縁層上に半導体膜、導電膜及びマスク膜をこの順に積層して形成し、
前記マスク膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて前記マスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第1のマスク層を形成し、
前記第1のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第1のマスク層を用いて前記導電膜と前記半導体膜をドライエッチングすることで、第2の導電層と半導体層を形成し、
前記第1のマスク層と前記第2の導電層と前記半導体層を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチバック処理することで、少なくとも前記半導体層の側面のすべてを覆ってサイドウォール絶縁層を形成しつつ前記第1のマスク層を除去し、
少なくとも前記第2の導電層上に第2のマスク膜を形成し、
前記第2のマスク膜上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第2のマスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第2のマスク層を形成し、
前記第2のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第2のマスク層を用いて前記第2の導電層をドライエッチングすることで電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート電極層を覆って設けられたゲート絶縁層上に半導体膜、導電膜及びマスク膜をこの順に積層して形成し、
前記マスク膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて前記マスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第1のマスク層を形成し、
前記第1のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第1のマスク層を用いて前記導電膜と前記半導体膜をドライエッチングすることで、導電層と半導体層を形成し、
前記第1のマスク層と前記導電層と前記半導体層を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチバック処理することで、少なくとも前記半導体層の側面のすべてを覆ってサイドウォール絶縁層を形成し、
前記第1のマスク層上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第1のマスク層をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第2のマスク層を形成し、
前記第2のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第2のマスク層を用いて前記導電層をドライエッチングすることでソース電極及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート電極層を覆って設けられたゲート絶縁層上に半導体膜、導電膜及び第1のマスク膜をこの順に積層して形成し、
前記第1のマスク膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて前記第1のマスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第1のマスク層を形成し、
前記第1のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第1のマスク層を用いて前記導電膜と前記半導体膜をドライエッチングすることで、導電層と半導体層を形成し、
前記第1のマスク層をドライエッチングにより除去し、
前記導電層と前記半導体層を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチバック処理することで、少なくとも前記半導体層の側面のすべてを覆ってサイドウォール絶縁層を形成し、
少なくとも前記導電層上に第2のマスク膜を形成し、 前記第2のマスク膜上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第2のマスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第2のマスク層を形成し、
前記第2のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第2のマスク層を用いて前記導電層をドライエッチングすることでソース電極及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート電極層を覆って設けられたゲート絶縁層上に半導体膜、導電膜及びマスク膜をこの順に積層して形成し、
前記マスク膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて前記マスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第1のマスク層を形成し、
前記第1のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第1のマスク層を用いて前記導電膜と前記半導体膜をドライエッチングすることで、導電層と半導体層を形成し、
前記第1のマスク層と前記導電層と前記半導体層を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチバック処理することで、少なくとも前記半導体層の側面のすべてを覆ってサイドウォール絶縁層を形成しつつ前記第1のマスク層を除去し、
少なくとも前記第2の導電層上に第2のマスク膜を形成し、
前記第2のマスク膜上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第2のマスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第2のマスク層を形成し、
前記第2のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第2のマスク層を用いて前記導電層をドライエッチングすることでソース電極及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート電極層を覆って設けられたゲート絶縁層上に半導体膜、導電膜及びマスク膜をこの順に積層して形成し、
前記マスク膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて前記マスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第1のマスク層を形成し、
前記第1のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第1のマスク層を用いて前記導電膜と前記半導体膜をドライエッチングすることで、導電層と半導体層を形成し、
前記第1のマスク層と前記導電層と前記半導体層を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチバック処理することで、少なくとも前記半導体層の側面のすべてを覆ってサイドウォール絶縁層を形成し、
前記第1のマスク層上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第1のマスク層をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第2のマスク層を形成し、
前記第2のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第2のマスク層を用いて前記導電層をドライエッチングすることでソース電極及びドレイン電極層を形成し、
少なくとも前記第2のマスク層、前記ソース電極及びドレイン電極層、前記半導体層を覆って保護絶縁膜を形成し、
前記保護絶縁膜の前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳する部分に開口部を形成し、
前記開口部を介して前記ソース電極及びドレイン電極層と接続されるように、前記保護絶縁膜上に画素電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート電極層を覆って設けられたゲート絶縁層上に半導体膜、導電膜及び第1のマスク膜をこの順に積層して形成し、
前記第1のマスク膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて前記第1のマスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第1のマスク層を形成し、
前記第1のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第1のマスク層を用いて前記導電膜と前記半導体膜をドライエッチングすることで、導電層と半導体層を形成し、
前記第1のマスク層をドライエッチングにより除去し、
前記導電層と前記半導体層を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチバック処理することで、少なくとも前記半導体層の側面のすべてを覆ってサイドウォール絶縁層を形成し、
少なくとも前記導電層上に第2のマスク膜を形成し、
前記第2のマスク膜上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第2のマスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第2のマスク層を形成し、
前記第2のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第2のマスク層を用いて前記導電層をドライエッチングすることでソース電極及びドレイン電極層を形成し、
少なくとも前記第2のマスク層、前記ソース電極及びドレイン電極層、前記半導体層を覆って保護絶縁膜を形成し、
前記保護絶縁膜の前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳する部分に開口部を形成し、
前記開口部を介して前記ソース電極及びドレイン電極層と接続されるように、前記保護絶縁膜上に画素電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - ゲート電極層を覆って設けられたゲート絶縁層上に半導体膜、導電膜及びマスク膜をこの順に積層して形成し、
前記マスク膜上に第1のレジストマスクを形成し、
前記第1のレジストマスクを用いて前記マスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第1のマスク層を形成し、
前記第1のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第1のマスク層を用いて前記導電膜と前記半導体膜をドライエッチングすることで、導電層と半導体層を形成し、
前記第1のマスク層と前記導電層と前記半導体層を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をエッチバック処理することで、少なくとも前記半導体層の側面のすべてを覆ってサイドウォール絶縁層を形成しつつ前記第1のマスク層を除去し、
少なくとも前記第2の導電層上に第2のマスク膜を形成し、
前記第2のマスク膜上に第2のレジストマスクを形成し、
前記第2のレジストマスクを用いて前記第2のマスク膜をドライエッチングまたはウエットエッチングすることで第2のマスク層を形成し、
前記第2のレジストマスクをレジスト剥離液により除去し、
前記第2のマスク層を用いて前記導電層をドライエッチングすることでソース電極及びドレイン電極層を形成し、
少なくとも前記第2のマスク層、前記ソース電極及びドレイン電極層、前記半導体層を覆って保護絶縁膜を形成し、
前記保護絶縁膜の前記ソース電極及びドレイン電極層と重畳する部分に開口部を形成し、
前記開口部を介して前記ソース電極及びドレイン電極層と接続されるように、前記保護絶縁膜上に画素電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項2乃至請求項10のいずれか一において、
前記サイドウォール絶縁層は、
少なくとも前記導電層と前記半導体層を覆って絶縁膜を形成した後に、
前記絶縁膜をエッチバック処理することで、少なくとも前記半導体層の側面のすべてを覆って第1のサイドウォール絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層、前記第1のサイドウォール絶縁層及び前記第1のマスク層上に更なる絶縁膜を形成し、
前記更なる絶縁膜をエッチバック処理することで、前記第1のサイドウォール絶縁層を介して前記半導体層の側面に第2のサイドウォール絶縁層を形成することにより形成され、
前記絶縁膜はスパッタリング法により形成され、
前記更なる絶縁膜はCVD法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項2乃至請求項10のいずれか一において、
前記半導体膜がIn−Ga−Zn−O系酸化物半導体膜であり、
前記導電膜がチタン膜であり、
前記マスク膜が酸化アルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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