WO2019145803A1 - 半導体装置、電子部品、及び電子機器 - Google Patents
半導体装置、電子部品、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2019145803A1 WO2019145803A1 PCT/IB2019/050173 IB2019050173W WO2019145803A1 WO 2019145803 A1 WO2019145803 A1 WO 2019145803A1 IB 2019050173 W IB2019050173 W IB 2019050173W WO 2019145803 A1 WO2019145803 A1 WO 2019145803A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- circuit
- terminal
- transistor
- potential
- insulating layer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 256
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 102
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 92
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 42
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 545
- 230000006870 function Effects 0.000 description 112
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 69
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 69
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 69
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 description 53
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 50
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 42
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 42
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 40
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 40
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 34
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 29
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 22
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 101100464779 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CNA1 gene Proteins 0.000 description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 12
- 101150030566 CCS1 gene Proteins 0.000 description 11
- 101100332461 Coffea arabica DXMT2 gene Proteins 0.000 description 11
- 101100341123 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) IRA2 gene Proteins 0.000 description 11
- 101150104736 ccsB gene Proteins 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 11
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- -1 for example Substances 0.000 description 10
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 6
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101150009136 tlcA gene Proteins 0.000 description 6
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 101000581803 Homo sapiens Lithostathine-1-beta Proteins 0.000 description 5
- 102100027338 Lithostathine-1-beta Human genes 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101150018104 tlcC gene Proteins 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical group [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100464782 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CMP2 gene Proteins 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 101150071385 tlcB gene Proteins 0.000 description 4
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical group Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 229910052718 tin Chemical group 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000806846 Homo sapiens DNA-(apurinic or apyrimidinic site) endonuclease Proteins 0.000 description 1
- 101000835083 Homo sapiens Tissue factor pathway inhibitor 2 Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100026134 Tissue factor pathway inhibitor 2 Human genes 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N perylenediimide Chemical compound C=12C3=CC=C(C(NC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)NC(=O)C4=CC=C3C1=C42 KJOLVZJFMDVPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3696—Generation of voltages supplied to electrode drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
- H01L29/78648—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate arranged on opposing sides of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45183—Long tailed pairs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
- H01L27/0629—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with diodes, or resistors, or capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
Definitions
- the problem of one embodiment of the present invention is not limited to the problems listed above.
- the issues listed above do not disturb the existence of other issues.
- Still other problems are problems which are not mentioned in this item described in the following description.
- the problems not mentioned in this item can be derived by the person skilled in the art from the description such as the specification or the drawings, and can be appropriately extracted from these descriptions.
- one embodiment of the present invention is to solve at least one of the above-listed problems and the other problems. Note that one embodiment of the present invention does not have to solve all of the above-listed problems and the other problems.
- the potential given by each of the wiring ADJL [1] to the wiring ADJL [n] is set to V any and the electrostatic capacitances of the capacitive elements C3 [1] to C3 [n] are set to different values.
- the potentials of wirings electrically connected to the terminals TLb1 and TLb2 are variously changed. It can be done.
- the semiconductor device 100A is supplied with V REF as a reference potential from the wiring REFL.
- the node ND2 is in an electrically floating state. Therefore, by writing V ADJ to the second terminal of the capacitive element C3 [1], capacitive coupling between the node ND2 (the terminal TLc1 of the circuit 103 and the terminal TLd1 of the circuit 104 is performed by capacitive coupling via the capacitive element C3 [1].
- the potential of the wiring between them fluctuates.
- the fluctuation amount of the potential of the node ND2 can be calculated according to the capacitive coupling coefficient determined by the elements around the node ND2, wiring, and the like. In this operation example, the amount of fluctuation of the potential of the node ND2 is set to V C. Therefore, the potential of the node ND2 is V BS + V C from time T13 to time T14.
- the potential of the gate of the transistor Tr6 in the circuit 103 is V BS + V C which is the potential of the node ND2, and the period from time T03 to time T04 in the case where the adjustment circuit 102 is not driven (FIG. 7A). It is higher than the potential V BS of the gate of the transistor Tr6 of the circuit 103. That is, the current flowing between the source and the drain of the transistor Tr6 of the circuit 103 by driving the adjustment circuit 102 can be larger than that in the case where the adjustment circuit 102 is not driven.
- the circuit 201 illustrated in FIG. 9 includes a part of circuit elements constituting the operational amplifier OP2, a transistor Tr11, a resistive element R11, and a resistive element R12.
- the transistor Tr11 is a p-channel transistor.
- the operational amplifier OP2 includes transistors Tr12 to Tr16.
- the transistor Tr12 and the transistor Tr13 are n-channel transistors, and the transistors Tr14 to Tr16 are p-channel transistors.
- the circuit 203 illustrated in FIG. 9 includes a transistor Tr16. That is, in the example of the circuit configuration of the circuit 201 and the circuit 203 illustrated in FIG. 9, the operational amplifier OP2 is configured by part of circuit elements of the circuit 201 and the circuit 203.
- the second terminal of the transistor Tr14 is electrically connected to the terminal TLA4, and the gate of the transistor Tr14 is electrically connected to the terminal TLA1.
- the second terminal of the transistor Tr15 is electrically connected to the terminal TLA4, and the gate of the transistor Tr15 is electrically connected to the first terminal of the resistor element R11 and the first terminal of the resistor element R12.
- the first terminal of the transistor Tr16 is electrically connected to the terminal TLC2, the second terminal of the transistor Tr16 is electrically connected to the terminal TLC3, and the gate of the transistor Tr16 is electrically connected to the terminal TLC1. .
- a current mirror circuit is constituted by the terminal TLA3 for applying a low power supply potential, the transistor Tr12 and the transistor Tr13, and a differential circuit is constituted by the transistors Tr14 and Tr15. . Therefore, the structures and sizes of the transistors Tr12 and Tr13 are preferably equal to each other, and the structures and sizes of the transistors Tr14 and Tr15 are preferably equal to each other.
- the circuit 201 has the circuit configuration shown in FIG. 9, the circuit 203 and the circuit 204 have the circuit configuration shown in FIG. 10, and the adjusting circuit 202 has the same circuit configuration as the adjusting circuit 102 included in the semiconductor device 100A shown in FIG.
- the configuration of the semiconductor device 200A is shown in FIG.
- the insulating layer 246 and the insulating layer 247 are provided over the electrode 245 and the insulating layer 244, and the electrode 249 is embedded in the insulating layer 246 and the insulating layer 247.
- the electrode 249 is electrically connected to the electrode 245.
- the insulating layer 371, the insulating layer 372, and the insulating layer 373 are formed over the transistor 368a, the transistor 368b, the capacitor 369a, and the capacitor 369b, and the electrode 375 is formed over the insulating layer 373.
- the electrode 375 is electrically connected to the electrode 367 through the contact plug 374.
- the oxide semiconductor layer is preferably formed by a sputtering method.
- the oxide semiconductor layer is preferably formed by a sputtering method because the density of the oxide semiconductor layer can be increased.
- a rare gas typically, argon
- oxygen or a mixed gas of a rare gas and oxygen may be used as a sputtering gas.
- high purification of the sputtering gas is also required.
- an oxygen gas or a rare gas which is used as a sputtering gas is a gas which is highly purified to a dew point of ⁇ 60 ° C. or less, preferably ⁇ 100 ° C. or less.
- the a-like OS is a metal oxide having a structure between nc-OS and an amorphous oxide semiconductor.
- the a-like OS has a wrinkle or low density region. That is, a-like OS has lower crystallinity than nc-OS and CAAC-OS.
- the impurities include hydrogen, nitrogen, alkali metals, alkaline earth metals, iron, nickel, silicon and the like.
- the insulating layer 550 may have a stacked structure similarly to the second gate insulator.
- the insulator that functions as a gate insulator into a stacked structure of a high-k material and a thermally stable material, it is possible to reduce the gate potential during transistor operation while maintaining the physical thickness. It becomes.
- a stacked structure with high thermal stability and high dielectric constant can be obtained.
- the insulating layer 580 and the insulating layer 584 preferably have a lower dielectric constant than the insulating layer 582.
- parasitic capacitance generated between wirings can be reduced.
- oxidation of the conductive layer 560 can be suppressed.
- diffusion of impurities such as water and hydrogen included in the insulating layer 580 into the transistor 510B can be suppressed.
- an offset region may be provided between the channel formation region and the source / drain region.
- the offset region is a region where the electric resistivity is high, and is a region where the introduction of the impurity element described above is not performed.
- the formation of the offset region can be realized by introducing the above-described impurity element after the formation of the insulating layer 575.
- the insulating layer 575 also functions as a mask in the same manner as the insulating layer 571 and the like.
- the impurity element is not introduced into the region of the oxide 530 b which overlaps with the insulating layer 575, and the electrical resistivity of the region can be kept high.
- This embodiment shows an example of an electronic component and an electronic device in which the semiconductor device described in the above embodiment and the like is incorporated.
- the electronic component 730 includes the semiconductor device 710.
- the semiconductor device 710 can be, for example, the semiconductor device 300, a high bandwidth memory (HBM), or the like.
- As the semiconductor device 735 an integrated circuit (semiconductor device) such as a CPU, a GPU, an FPGA, or a memory device can be used.
- the transistor MN1 and the constant current source CCS1 correspond to the circuit 104 described in the first embodiment.
- the transistor MN2 corresponds to the circuit 103 described in Embodiment 1.
- the current value I in flowing through the constant current source CCS1, constant voltage source CVS2 positive terminal - the voltage value V in to be supplied to between the negative terminal, as a parameter, the source of the transistor MN2 - drain current I DS and The potential V NDG of the node NDG was calculated.
- the voltage value applied between the positive electrode terminal and the negative electrode terminal of the constant voltage source CVS1 was 10V.
- the size of each of the transistors MN1 and MN2 is 1.0 ⁇ m in channel length and 1.0 ⁇ m in channel width.
Abstract
Description
本発明の一態様は、第1乃至第3回路と、第1保持回路と、を有し、第1保持回路は、第1保持部を有し、第1保持回路は、第1保持部を電気的に浮遊状態にして、第1保持部の第1電位を保持する機能を有し、第1回路は、第1保持部の第1電位を第2電位に変動する機能を有し、第2回路は、第1保持部の第1電位、又は第2電位に基づくバイアス電流を生成する機能を有し、第3回路は、第1端子乃至第3端子と、を有し、第3回路は、バイアス電流が第3回路の第1端子に供給されることで、第3回路の第2端子への入力電位に応じて第3電位を生成して、第3回路の第3端子から第3電位を出力する機能を有する半導体装置である。
また、本発明の一態様は、上記(1)の構成において、第1回路は、第1容量素子を有し、第1容量素子の第1端子は、第1保持部に電気的に接続され、第1回路は、第1保持回路が第1保持部を電気的に浮遊状態にした後に、第1容量素子の第2端子に第4電位が入力されることで、第1容量素子の容量結合によって第1保持部に保持されている第1電位を第2電位に変動する機能を有する半導体装置である。
また、本発明の一態様は、上記(2)の構成において、第1回路は、バッファ回路を有し、バッファ回路の出力端子は、第1容量素子の第2端子に電気的に接続されている半導体装置である。
また、本発明の一態様は、上記(2)の構成において、第1回路は、マルチプレクサを有し、マルチプレクサの出力端子は、第1容量素子の第2端子に電気的に接続されている半導体装置である。
また、本発明の一態様は、上記(2)の構成において、第1回路は、コンパレータを有し、コンパレータの出力端子は、第1容量素子の第2端子に電気的に接続され、コンパレータの第1入力端子には第3電位が入力され、コンパレータの第2入力端子には第5電位が入力されている半導体装置である。
また、本発明の一態様は、上記(1)乃至(5)のいずれか一の構成において、第1保持回路は、第1トランジスタと、第2容量素子と、を有し、第1保持部は、第1トランジスタの第1端子と、第2容量素子の第1端子と、に電気的に接続され、第1トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有する半導体装置である。
また、本発明の一態様は、上記(6)の構成において、第4回路を有し、第4回路は、定電流を流す機能を有し、第4回路は、第1トランジスタの第2端子に電気的に接続され、第1トランジスタが導通状態のとき、第1トランジスタの第1端子には、定電流に応じた第1電位が入力される半導体装置である。
また、本発明の一態様は、上記(1)乃至(7)のいずれか一の構成において、第2保持回路を有し、第2保持回路は、第2保持部を有し、第2保持部は、第3回路の第2端子に電気的に接続され、第2保持回路は、第2保持部を電気的に浮遊状態にして、第3回路の第2端子への入力電位を保持する機能を有する半導体装置である。
また、本発明の一態様は、上記(8)の構成において、第2保持回路は、第2トランジスタと、第3容量素子と、を有し、第2保持部は、第2トランジスタの第1端子と、第3容量素子の第1端子と、に電気的に接続され、第2トランジスタの第2端子には、入力電位が入力され、第2トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有する半導体装置である。
また、本発明の一態様は、上記(1)乃至(9)のいずれか一の構成の半導体装置と、集積回路と、がプリント基板上に設けられている電子部品である。
また、本発明の一態様は、上記(1)乃至(9)のいずれか一の構成の半導体装置と、筐体と、を有する電子機器である。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置について説明する。
図1は、本発明の一態様の半導体装置の一例を示したブロック図である。半導体装置100は、配線REFLから参照電位が入力されることによって、配線OUTLから参照電位に応じた電位を出力するボルテージレギュレータである。半導体装置100は、回路101と、調整回路102と、回路103と、回路104と、保持回路SH1と、保持回路SH2と、を有する。
次に、回路101及び回路103の回路構成について説明する。図2は、回路101及び回路103の回路構成の例を示した図である。
次に、調整回路102の回路構成について説明する。図3(A)は、調整回路102の回路構成の例を示した図である。
次に、回路103及び回路104の回路構成について説明する。図5は、回路103及び回路104の回路構成の例を示した図である。なお、回路103及び回路104の接続構成を説明するため、図5では、調整回路102及び保持回路SH2も図示している。
次に、本発明の一態様の半導体装置の動作例について説明する。なお、本動作例では、図6に示す半導体装置100Aの動作について説明する。
初めに、調整回路102を駆動しない場合(図7(A))の、半導体装置100Aの動作例について説明する。
時刻T01より前において、配線SW1L及び配線SW2Lには、低レベル電位が印加されている。そのため、保持回路SH1に含まれるトランジスタOTr1のゲートに低レベル電位が印加されるため、トランジスタOTr1はオフ状態となる。加えて、保持回路SH2に含まれるトランジスタOTr2のゲートに低レベル電位が印加されるため、トランジスタOTr2もオフ状態となる。
時刻T01から時刻T02までの間において、配線SW2Lには、高レベル電位が印加される。そのため、保持回路SH2に含まれるトランジスタOTr2のゲートに高レベル電位が印加されるため、トランジスタOTr2はオン状態となる。
時刻T02から時刻T03までの間において、半導体装置100Aには、配線REFLから参照電位としてVREFが与えられる。
時刻T03から時刻T04までの間において、配線SW1Lには、高レベル電位が印加される。そのため、保持回路SH1に含まれるトランジスタOTr1のゲートに高レベル電位が印加されるため、トランジスタOTr1はオン状態となる。
時刻T04から時刻T05までの間において、配線REFLの電位はVREFからVGNDに変動したとする。
次に、調整回路102を駆動する場合(図7(B))の、半導体装置100Aの動作例について説明する。
時刻T11より前の半導体装置100Aの動作については、図7(A)のタイミングチャートの時刻T01より前の動作の説明を参酌する。
時刻T11から時刻T12までの間の半導体装置100Aの動作については、図7(A)のタイミングチャートの時刻T01から時刻T02までの間の動作の説明を参酌する。
時刻T12から時刻T13までの間の半導体装置100Aの動作については、図7(A)のタイミングチャートの時刻T02から時刻T03までの間の動作の説明を参酌する。
時刻T13から時刻T14までの間において、配線ADJL[1]には、任意の正の電位としてVADJが印加される。そのため、調整回路102のバッファ回路BUF[1]の入力端子にVADJが入力されて、バッファ回路BUF[1]の出力端子からVADJが出力される。これにより、調整回路102に含まれる容量素子C3[1]の第2端子にVADJが書き込まれる。
時刻T14から時刻T15までの間の半導体装置100Aの動作については、図7(A)のタイミングチャートの時刻T03から時刻T04までの間の動作と同様に行われる。
時刻T15から時刻T16までの間の半導体装置100Aの動作については、図7(A)のタイミングチャートの時刻T04から時刻T05までの間の動作の説明を参酌する。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した半導体装置100(半導体装置100A)の別の構成例について、説明する。
次に、回路201及び回路203の回路構成について説明する。図9は、回路201及び回路203の回路構成の例を示した図である。
調整回路202としては、実施の形態1で説明した、図3に示す調整回路102を適用することができる。この場合、端子TLB1乃至端子TLB4のそれぞれは、端子TLb1乃至端子TLb4に対応する。
次に、回路203及び回路204の回路構成について説明する。図10は、回路203及び回路204の回路構成の例を示した図である。なお、回路203及び回路204の接続構成を説明するため、図10では、調整回路202及び保持回路SH2も図示している。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した半導体装置100、半導体装置100A、実施の形態2で説明した半導体装置200などの断面構成例について説明する。なお、本実施の形態では、半導体装置100、半導体装置100A、実施の形態2で説明した半導体装置200などを包括して、半導体装置300と呼称する。
図12に、半導体装置300の一部の断面を示す。図12に示す半導体装置300は、基板231上に、層310および層320を積層している。図12では、基板231として単結晶半導体基板(例えば、単結晶シリコン基板)を用いる場合を示している。
図12において、層310は、基板231上にトランジスタ233a、トランジスタ233b、およびトランジスタ233cを有する。図12では、トランジスタ233a、トランジスタ233b、およびトランジスタ233cのチャネル長方向の断面を示している。
層320は、層310上に設けられる。層320は、トランジスタ368a、トランジスタ368b、容量素子369a、および容量素子369bを有する。図12では、トランジスタ368aおよびトランジスタ368bのチャネル長方向の断面を示している。なお、トランジスタ368a、およびトランジスタ368bは、バックゲートを有するトランジスタである。
〔基板〕
基板として用いる材料に大きな制限はないが、少なくとも後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。例えば、基板としてシリコンや炭化シリコンなどを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどを材料とした化合物半導体基板等を用いることができる。また、SOI基板や、半導体基板上に歪トランジスタやFIN型トランジスタなどの半導体素子が設けられたものなどを用いることもできる。または、高電子移動度トランジスタ(HEMT:High Electron Mobility Transistor)に適用可能なヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウムガリウム、ヒ化インジウムガリウム、窒化ガリウム、リン化インジウム、シリコンゲルマニウムなどを用いてもよい。すなわち、基板は、単なる支持基板に限らず、他のトランジスタなどのデバイスが形成された基板であってもよい。
絶縁層は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、アルミニウムシリケートなどから選ばれた材料を、単層でまたは積層して用いる。また、酸化物材料、窒化物材料、酸化窒化物材料、窒化酸化物材料のうち、複数の材料を混合した材料を用いてもよい。
電極を形成するための導電性材料としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウムなどから選ばれた金属元素を1種以上含む材料を用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。
半導体層として、単結晶半導体、多結晶半導体、微結晶半導体、または非晶質半導体などを、単体でまたは組み合わせて用いることができる。半導体材料としては、例えば、シリコンや、ゲルマニウムなどを用いることができる。また、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウムヒ素、酸化物半導体、窒化物半導体などの化合物半導体や、有機半導体などを用いることができる。
金属酸化物の一種である酸化物半導体は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC(Cloud−Aligned Composite)−OS、及びCAAC(c−axis aligned crystalline)−OSについて説明する。
金属酸化物の一種である酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、CAAC−OS、多結晶酸化物半導体、nc−OS(nanocrystalline oxide semiconductor)、擬似非晶質酸化物半導体(a−like OS:amorphous−like oxide semiconductor)および非晶質酸化物半導体などがある。
続いて、上記金属酸化物をトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合について説明する。
ここで、金属酸化物中における各不純物の影響について説明する。
絶縁層を形成するための絶縁性材料、電極を形成するための導電性材料、または半導体層を形成するための半導体材料は、スパッタリング法、スピンコート法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法(熱CVD法、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、PECVD(Plasma Enhanced CVD)法、高密度プラズマCVD(High density plasma CVD)法、LPCVD(low pressure CVD)法、APCVD(atmospheric pressure CVD)法等を含む)、ALD(Atomic Layer Deposition)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法、PLD(Pulsed Laser Deposition)法、ディップ法、スプレー塗布法、液滴吐出法(インクジェット法など)、または、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷など)を用いて形成することができる。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した半導体装置などに用いることができるトランジスタの構造例について説明する。
図13(A)、(B)および(C)を用いてトランジスタ510Aの構造例を説明する。図13(A)はトランジスタ510Aの上面図である。図13(B)は、図13(A)に一点鎖線L1−L2で示す部位の断面図である。図13(C)は、図13(A)に一点鎖線W1−W2で示す部位の断面図である。なお、図13(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図14(A)、(B)および(C)を用いてトランジスタ510Bの構造例を説明する。図14(A)はトランジスタ510Bの上面図である。図14(B)は、図14(A)に一点鎖線L1−L2で示す部位の断面図である。図14(C)は、図14(A)に一点鎖線W1−W2で示す部位の断面図である。なお、図14(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。
図15(A)、(B)および(C)を用いてトランジスタ510Cの構造例を説明する。図15(A)はトランジスタ510Cの上面図である。図15(B)は、図15(A)に一点鎖線L1−L2で示す部位の断面図である。図15(C)は、図15(A)に一点鎖線W1−W2で示す部位の断面図である。なお、図15(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図16(A)、(B)および(C)を用いてトランジスタ510Dの構造例を説明する。図16(A)はトランジスタ510Dの上面図である。図16(B)は、図16(A)に一点鎖線L1−L2で示す部位の断面図である。図16(C)は、図16(A)に一点鎖線W1−W2で示す部位の断面図である。なお、図16(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
本実施の形態は、上記実施の形態に示す半導体装置などが組み込まれた電子部品および電子機器の一例を示す。
まず、半導体装置300が組み込まれた電子部品の例を、図17(A)、(B)を用いて説明を行う。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した半導体装置、又は電子部品を電子機器に適用した製品例について説明する。
本発明の一態様の半導体装置、又は電子部品は、情報端末装置に備えられるディスプレイに適用することができる。図18(A)は、情報端末装置の一種であるノート型パーソナルコンピュータであり、筐体5401、表示部5402、キーボード5403、ポインティングデバイス5404等を有する。
本発明の一態様の半導体装置、又は電子部品は、ウェアラブル端末に適用することができる。図18(B)はウェアラブル端末の一種であるスマートウォッチであり、筐体5901、表示部5902、操作ボタン5903、操作子5904、バンド5905などを有する。また、表示部5902に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしてもよい。また、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。あるいは、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。また、操作ボタン5903にスマートウォッチを起動する電源スイッチ、スマートウォッチのアプリケーションを操作するボタン、音量調整ボタン、または表示部5902を点灯、あるいは消灯するスイッチなどのいずれかを備えることができる。また、図18(B)に示したスマートウォッチでは、操作ボタン5903の数を2個示しているが、スマートウォッチの有する操作ボタンの数は、これに限定されない。また、操作子5904は、スマートウォッチの時刻合わせを行うリューズとして機能する。また、操作子5904は、時刻合わせ以外に、スマートウォッチのアプリケーションを操作する入力インターフェースとして、用いるようにしてもよい。なお、図18(B)に示したスマートウォッチでは、操作子5904を有する構成となっているが、これに限定せず、操作子5904を有さない構成であってもよい。
本発明の一態様の半導体装置、又は電子部品は、ビデオカメラに適用することができる。図18(C)に示すビデオカメラは、第1筐体5801、第2筐体5802、表示部5803、操作キー5804、レンズ5805、接続部5806等を有する。操作キー5804及びレンズ5805は第1筐体5801に設けられており、表示部5803は第2筐体5802に設けられている。そして、第1筐体5801と第2筐体5802とは、接続部5806により接続されており、第1筐体5801と第2筐体5802の間の角度は、接続部5806により変更が可能である。表示部5803における映像を、接続部5806における第1筐体5801と第2筐体5802との間の角度に従って切り替える構成としてもよい。
本発明の一態様の半導体装置、又は電子部品は、携帯電話に適用することができる。図18(D)は、情報端末の機能を有する携帯電話であり、筐体5501、表示部5502、マイク5503、スピーカ5504、操作ボタン5505を有する。また、表示部5502に、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしてもよい。また、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができる。あるいは、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。また、操作ボタン5505に携帯電話を起動する電源スイッチ、携帯電話のアプリケーションを操作するボタン、音量調整ボタン、または表示部5502を点灯、あるいは消灯するスイッチなどのいずれかを備えることができる。
本発明の一態様の半導体装置、又は電子部品は、テレビジョン装置に適用することができる。図18(E)に示すテレビジョン装置は、筐体9000、表示部9001、スピーカ9003、操作キー9005(電源スイッチ、または操作スイッチを含む)、接続端子9006などを有する。テレビジョン装置は、大画面、例えば、50インチ以上、または100インチ以上の表示部9001を組み込むことが可能である。
本発明の一態様の半導体装置、又は電子部品は、移動体である自動車の運転席周辺に適用することができる。
本発明の一態様の半導体装置、又は電子部品は、据え置き型ゲーム機、又は携帯型ゲーム機に適用することができる。図18(G)には据え置き型ゲーム機を示しており、ゲーム機本体7520と、無線または有線で接続することができるコントローラ7522と、が図示されている。また、図18(H)には携帯型ゲーム機を示しており、携帯型ゲーム機は、筐体5201と、表示部5202と、ボタン5203と、を有する。
本明細書に記載の実施の形態、及び実施例における各構成の説明について、以下に付記する。
各実施の形態、及び実施例に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一態様とすることができる。また、1つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、互いに構成例を適宜組み合わせることが可能である。
本明細書等において、「第1」、「第2」、「第3」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また、構成要素の順序を限定するものではない。また例えば、本明細書等の実施の形態(又は実施例)の一において「第1」に言及された構成要素が、他の実施の形態(又は実施例)、あるいは特許請求の範囲において「第2」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の実施の形態(又は実施例)の一において「第1」に言及された構成要素を、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において省略することもありうる。
実施の形態(又は実施例)について図面を参照しながら説明している。但し、実施の形態(又は実施例)は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、実施の形態(又は実施例)の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態の発明の構成(又は実施例の構成)において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、「ソース又はドレインの一方」(又は第1電極、又は第1端子)、「ソース又はドレインの他方」(又は第2電極、又は第2端子)という表記を用いる。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース(ドレイン)端子や、ソース(ドレイン)電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。また、本明細書等では、ゲート以外の2つの端子を第1端子、第2端子と呼ぶ場合や、第3端子、第4端子と呼ぶ場合がある。なお、本明細書等において、チャネル形成領域はチャネルが形成される領域を指し、ゲートに電位を印加することでこの領域が形成されて、ソース‐ドレイン間に電流を流すことができる。
以下では、上記実施の形態、及び実施例で言及した語句の定義について説明する。
半導体の不純物とは、例えば、半導体層を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が0.1原子%未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、半導体にDOS(Density of States)が形成されることや、キャリア移動度が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第1族元素、第2族元素、第13族元素、第14族元素、第15族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に、例えば、水素(水にも含まれる)、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコン層である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第1族元素、第2族元素、第13族元素、第15族元素などがある。
本明細書等において、スイッチとは、導通状態(オン状態)、又は、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。又は、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。
本明細書等において、XとYとが接続されている、と記載する場合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合と、XとYとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図又は文章に示された接続関係に限定されず、図又は文章に示された接続関係以外のものも含むものとする。
Claims (11)
- 第1回路、第2回路、及び第3回路と、第1保持回路と、を有し、
前記第1保持回路は、第1保持部を有し、
前記第1保持回路は、前記第1保持部を電気的に浮遊状態にして、前記第1保持部の第1電位を保持する機能を有し、
前記第1回路は、前記第1保持部の前記第1電位を第2電位に変動する機能を有し、
前記第2回路は、前記第1保持部の前記第1電位、又は前記第2電位に基づくバイアス電流を生成する機能を有し、
前記第3回路は、第1端子、第2端子、及び第3端子と、を有し、
前記第3回路は、前記バイアス電流が前記第3回路の前記第1端子に供給されることで、前記第3回路の前記第2端子への入力電位に応じて第3電位を生成して、前記第3回路の前記第3端子から前記第3電位を出力する機能を有する半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1回路は、第1容量素子を有し、
前記第1容量素子の第1端子は、前記第1保持部に電気的に接続され、
前記第1回路は、前記第1保持回路が前記第1保持部を電気的に浮遊状態にした後に、前記第1容量素子の第2端子に第4電位が入力されることで、前記第1容量素子の容量結合によって前記第1保持部に保持されている前記第1電位を前記第2電位に変動する機能を有する半導体装置。 - 請求項2において、
前記第1回路は、バッファ回路を有し、
前記バッファ回路の出力端子は、前記第1容量素子の前記第2端子に電気的に接続されている半導体装置。 - 請求項2において、
前記第1回路は、マルチプレクサを有し、
前記マルチプレクサの出力端子は、前記第1容量素子の前記第2端子に電気的に接続されている半導体装置。 - 請求項2において、
前記第1回路は、コンパレータを有し、
前記コンパレータの出力端子は、前記第1容量素子の前記第2端子に電気的に接続され、
前記コンパレータの第1入力端子には前記第3電位が入力され、
前記コンパレータの第2入力端子には第5電位が入力されている半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記第1保持回路は、第1トランジスタと、第2容量素子と、を有し、
前記第1保持部は、前記第1トランジスタの第1端子と、前記第2容量素子の第1端子と、に電気的に接続され、
前記第1トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有する半導体装置。 - 請求項6において、
第4回路を有し、
前記第4回路は、定電流を流す機能を有し、
前記第4回路は、前記第1トランジスタの第2端子に電気的に接続され、
前記第1トランジスタが導通状態のとき、前記第1トランジスタの前記第1端子には、前記定電流に応じた前記第1電位が入力される半導体装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、
第2保持回路を有し、
前記第2保持回路は、第2保持部を有し、
前記第2保持部は、前記第3回路の前記第2端子に電気的に接続され、
前記第2保持回路は、前記第2保持部を電気的に浮遊状態にして、前記第3回路の前記第2端子への前記入力電位を保持する機能を有する半導体装置。 - 請求項8において、
前記第2保持回路は、第2トランジスタと、第3容量素子と、を有し、
前記第2保持部は、前記第2トランジスタの第1端子と、前記第3容量素子の第1端子と、に電気的に接続され、
前記第2トランジスタの第2端子には、前記入力電位が入力され、
前記第2トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有する半導体装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一の半導体装置と、集積回路と、がプリント基板上に設けられている電子部品。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか一の半導体装置と、筐体と、を有する電子機器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/961,991 US11714438B2 (en) | 2018-01-24 | 2019-01-10 | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
KR1020207023702A KR102605008B1 (ko) | 2018-01-24 | 2019-01-10 | 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기 |
CN201980007719.9A CN112041776B (zh) | 2018-01-24 | 2019-01-10 | 半导体装置、电子构件及电子设备 |
JP2019567410A JP7204686B2 (ja) | 2018-01-24 | 2019-01-10 | 半導体装置、電子部品、及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018-009327 | 2018-01-24 | ||
JP2018009327 | 2018-01-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2019145803A1 true WO2019145803A1 (ja) | 2019-08-01 |
WO2019145803A8 WO2019145803A8 (ja) | 2020-06-25 |
Family
ID=67395345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/IB2019/050173 WO2019145803A1 (ja) | 2018-01-24 | 2019-01-10 | 半導体装置、電子部品、及び電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11714438B2 (ja) |
JP (1) | JP7204686B2 (ja) |
KR (1) | KR102605008B1 (ja) |
CN (1) | CN112041776B (ja) |
WO (1) | WO2019145803A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI802096B (zh) * | 2021-11-23 | 2023-05-11 | 新唐科技股份有限公司 | 電晶體元件 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11663990B2 (en) | 2018-11-09 | 2023-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus and electronic device |
US11942468B2 (en) * | 2021-05-25 | 2024-03-26 | Cirrus Logic, Inc. | Symmetric layout for high-voltage amplifier |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005196251A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Ricoh Co Ltd | 定電圧回路 |
JP2007184688A (ja) * | 2006-01-04 | 2007-07-19 | Fujitsu Ltd | バイアス回路 |
JP2013235564A (ja) * | 2012-04-11 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (109)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5159260A (en) | 1978-03-08 | 1992-10-27 | Hitachi, Ltd. | Reference voltage generator device |
US4553098A (en) | 1978-04-05 | 1985-11-12 | Hitachi, Ltd. | Battery checker |
US4559694A (en) | 1978-09-13 | 1985-12-24 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a reference voltage generator device |
KR940017214A (ko) | 1992-12-24 | 1994-07-26 | 가나이 쓰토무 | 기준전압 발생회로 |
EP0820644B1 (en) | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
US6114907A (en) | 1998-12-08 | 2000-09-05 | National Semiconductor Corporation | Amplifier with dynamic compensation and method |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
US6785344B1 (en) * | 2000-04-11 | 2004-08-31 | Terawave Communications, Inc. | Fast threshold determination for packet-multiplexed digital communication |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
US6518817B2 (en) * | 2001-06-28 | 2003-02-11 | Intel Corporation | Voltage buffer |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP2003283271A (ja) | 2002-01-17 | 2003-10-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気回路 |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
JP2004022093A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP4445780B2 (ja) | 2004-03-02 | 2010-04-07 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 電圧レギュレータ |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
EP2246894B2 (en) | 2004-03-12 | 2018-10-10 | Japan Science and Technology Agency | Method for fabricating a thin film transistor having an amorphous oxide as a channel layer |
WO2005098955A1 (en) | 2004-04-09 | 2005-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Limiter and semiconductor device using the same |
US7531852B2 (en) | 2004-06-14 | 2009-05-12 | Denso Corporation | Electronic unit with a substrate where an electronic circuit is fabricated |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI412138B (zh) | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7068019B1 (en) * | 2005-03-23 | 2006-06-27 | Mediatek Inc. | Switchable linear regulator |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP1998375A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR20090115222A (ko) | 2005-11-15 | 2009-11-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 제조방법 |
US7432737B2 (en) | 2005-12-28 | 2008-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP4804975B2 (ja) | 2006-03-22 | 2011-11-02 | エルピーダメモリ株式会社 | 基準電位発生回路及びそれを備えた半導体記憶装置 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
TWI331335B (en) * | 2007-03-06 | 2010-10-01 | Nanya Technology Corp | Semiconductor device and the related semiconductor memory module and signal adjustment method |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
WO2009069093A1 (en) | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Nxp B.V. | Arrangement and approach for providing a reference voltage |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP2009171548A (ja) | 2007-12-20 | 2009-07-30 | Nec Electronics Corp | 差動増幅回路 |
US8138742B2 (en) * | 2008-02-06 | 2012-03-20 | Mediatek Inc. | Semiconductor circuits capable of mitigating unwanted effects caused by input signal variations |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
WO2010038602A1 (en) | 2008-10-02 | 2010-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and rfid tag using the semiconductor device |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
KR101585958B1 (ko) | 2008-12-29 | 2016-01-18 | 주식회사 동부하이텍 | 기준전압 발생회로 |
JP5467845B2 (ja) | 2009-09-29 | 2014-04-09 | セイコーインスツル株式会社 | ボルテージレギュレータ |
KR101773641B1 (ko) | 2010-01-22 | 2017-09-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8508276B2 (en) | 2010-08-25 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including latch circuit |
JP5727892B2 (ja) | 2010-08-26 | 2015-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5908263B2 (ja) | 2010-12-03 | 2016-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Dc−dcコンバータ |
US8400339B2 (en) * | 2011-03-30 | 2013-03-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Correlated-level-shifting and correlated-double-sampling switched-capacitor gain stages, systems implementing the gain stages, and methods of their operation |
JP2013012000A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Mitsumi Electric Co Ltd | レギュレータ用半導体集積回路 |
US8542066B2 (en) | 2012-02-09 | 2013-09-24 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and methods for reducing output noise of a signal channel |
US9435841B2 (en) * | 2012-04-13 | 2016-09-06 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit protection during high-current ESD testing |
US9378844B2 (en) * | 2013-07-31 | 2016-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor whose gate is electrically connected to capacitor |
-
2019
- 2019-01-10 WO PCT/IB2019/050173 patent/WO2019145803A1/ja active Application Filing
- 2019-01-10 CN CN201980007719.9A patent/CN112041776B/zh active Active
- 2019-01-10 US US16/961,991 patent/US11714438B2/en active Active
- 2019-01-10 JP JP2019567410A patent/JP7204686B2/ja active Active
- 2019-01-10 KR KR1020207023702A patent/KR102605008B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005196251A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Ricoh Co Ltd | 定電圧回路 |
JP2007184688A (ja) * | 2006-01-04 | 2007-07-19 | Fujitsu Ltd | バイアス回路 |
JP2013235564A (ja) * | 2012-04-11 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI802096B (zh) * | 2021-11-23 | 2023-05-11 | 新唐科技股份有限公司 | 電晶體元件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2019145803A1 (ja) | 2021-03-04 |
CN112041776B (zh) | 2022-06-07 |
JP7204686B2 (ja) | 2023-01-16 |
CN112041776A (zh) | 2020-12-04 |
WO2019145803A8 (ja) | 2020-06-25 |
US20200401170A1 (en) | 2020-12-24 |
KR102605008B1 (ko) | 2023-11-24 |
US11714438B2 (en) | 2023-08-01 |
KR20200106544A (ko) | 2020-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7052110B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2020060767A (ja) | 表示装置 | |
TWI745357B (zh) | 半導體裝置、半導體晶圓及電子裝置 | |
WO2019145803A1 (ja) | 半導体装置、電子部品、及び電子機器 | |
JP6798942B2 (ja) | トランジスタおよび半導体装置 | |
TW201448228A (zh) | 半導體裝置以及該半導體裝置的製造方法 | |
TWI721176B (zh) | 半導體裝置 | |
JP2018074151A (ja) | 半導体装置 | |
JP7032071B2 (ja) | トランジスタ | |
WO2019111113A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP7019346B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7089645B2 (ja) | 半導体装置及び情報端末 | |
US10236357B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
KR20200019624A (ko) | 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기 | |
WO2020128722A1 (ja) | ヒステリシスコンパレータ、半導体装置、及び蓄電装置 | |
WO2021181192A1 (ja) | 半導体装置、及び電子機器 | |
JP2022002342A (ja) | 半導体装置 | |
WO2019111112A1 (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2019016642A1 (ja) | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 | |
WO2020225640A1 (ja) | 半導体装置 | |
US20220020683A1 (en) | Semiconductor device | |
WO2021156700A1 (ja) | 半導体装置、及び撮像装置 | |
JP7106529B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2018002757A1 (ja) | トランジスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 19743612 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2019567410 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20207023702 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 19743612 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |