JPS5913591B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、反応性ガスを用いるドライエッチング方法
に係り、特に、排気系に水流ポンプを使用したドライエ
ッチング方法に関する。

近年、半導体装置における薄膜の微細加工に、溶液を用
いたウェットエッチングに代わりドライエッチングが盛
んに採用されるようになつてきた。

このような、ドライエッチングは減圧状態で行な ・う
必要があり、そのための排気手段としては、従来、ロー
タリーポンプが採用されていた。しかし、使用するエッ
チガスまたはガスプラズマが極めて腐食性の高いもので
ある場合、そのようなガスを排気するロータリーポンプ
の回転系および浸油は 。そのようなガスによつて侵さ
れ、その結果、ポンプの寿命は極めて短かいものであつ
た。このようなことを防止するためポンプの回転系をテ
フロン等で被覆する試みがなされたが、浸油の汚染を防
ぐことは出来なかつた。この発明は、このような事情に
鑑みなされたも５ のであつて、その目的は、極めて腐
食性の高いエッチガスまたはガスプラズマを用いても、
排気系に障害を生ずることのないドライエッチング方法
を提供することにある。

即ち、この発明のドライエッチング方法は、被１０処理
物質を減圧状態で反応性ガスを用いてドライエッチング
する工程の排気手段として、水流ポンプのみまたは水流
ポンプを初段とする排気ポンプ系を配置したことを特徴
とする。

この発明の方法を更によく理解し得るように、１５以下
にこの発明の実施例を示す。

実施例 ｌ ＨＦガスをエッチガスとするドライエッチ装置にこの発
明を適用した。

即ち、ＨＦガスにより半導体材料をエッチングするには
、１０ないし２０クｏＴｏｒｒの減圧状態を必要とする
が、排気手段として水エゼクター型水流ポンプを一段で
使用したところ、上記減圧状態は容易に達成され、また
長期間の操作にわたつてもポンプに障害はなかつた。実
施例 ２２５ＣＦ４ガスのプラズマをエッチガスとする
プラズマエッチ装置にこの発明を適用した。

即ち、ＣＦ４のガスプラズマにより、半導体材料をエッ
チングするには０．１ないし１Ｔｏｒｒの減圧状態が必
要であるが、排気手段として、初段に水エゼクター型？
０ 水流ポンプおよび次段にルーツポンプを配置した２
段のポンプ系を用いたところ、上記減圧状態は容易に達
成され、また長期間の操作にわたつてもポンプ系に障害
はなかつた。実施例 ３ １５Ｃｌ２ガスによる活性スパッタエッチ装置にこの発
明を適用した。

即ち、Ｃｌｌ２ガスによる活性スパッタエッチ装置を操
作するには、１０−゛ないし１０−１Ｔ０ｒｒの減圧状
態が必要であるが、排気手段として初段に水工セクター
型水流ポンプ、次段にルーツポンプおよび終段にターボ
モレキユラーポンプを配置した３段のポンプ系を用いた
ところ、上記減圧状態は容易に達成され、また長期間の
操作にわたつてもポンプ系に障害はなかつた。以上示し
たようにこの発明のドライエツチング方法は、排気手段
として水流ポンプを用いることにより、従来のエツチン
グ装置の排気系に見られたさまざまの欠点を解決するこ
とを可能とした簡単でかつ極めて優れた方法である。即
ち、この発明の方法は以下に示すような優れた効果を有
する。（１）従来のエツチ装置の排気系のように、浸油
等の高価な消耗材を必要としないので経済的である。（
２）腐食性ガスによる機能の停止および機能の低下がな
い。

（３）排気されるガス中の腐食性ガスがポンプの水流に
吸収されるので、ポンプの排気ガスは清浄である。

（４）水流ポンプ以外に何ら特別の手段を必要としない
ので、装置建設費および装置運転費が安価で済む。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 被処理物質を減圧状態で反応性ガスを用いてドライ
   エッチングする工程の排気手段として、水流ポンプのみ
   または水流ポンプを初段とする排気ポンプ系を配置した
   ことを特徴とするドライエッチング方法。 ２ 前記排気ポンプ系の後段は、ルーツポンプおよび／
   または、ターボモレキユラーポンプである特許請求の範
   囲第１項記載の方法。