KR970052711A - 웨이퍼 가공처리시 미립자 오염물의 감소방법 및 장치 - Google Patents

웨이퍼 가공처리시 미립자 오염물의 감소방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970052711A
KR970052711A KR1019960061757A KR19960061757A KR970052711A KR 970052711 A KR970052711 A KR 970052711A KR 1019960061757 A KR1019960061757 A KR 1019960061757A KR 19960061757 A KR19960061757 A KR 19960061757A KR 970052711 A KR970052711 A KR 970052711A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flow
fluid
chamber
processing
substrate
Prior art date
Application number
KR1019960061757A
Other languages
English (en)
Inventor
맥 알프레드
첸 링
페이 첸 유
쉐르스틴스키 셈욘
잉글하르트 에릭
왕 빈센
에프. 세퍼드 조셉
지. 채핀 마이클
Original Assignee
제임스 조셉 드롱
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=24267228&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR970052711(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 제임스 조셉 드롱, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 제임스 조셉 드롱
Publication of KR970052711A publication Critical patent/KR970052711A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

반응기가 웨이퍼를 가공하지 않을 때마다 반응기를 통하는 소개가스의 연속적인 라미나 유동을 제공함으로써 웨이퍼 가공반응기에서 입자 오염물의 수준을 감소시키는 방법이다. 반응기는 어떤 웨이퍼 가공도 이루어지지 않을 때 가스입구를 통한 불활성 소개가스로 연속적으로 소개된다. 동시에, 진공펌프가 소개 가스를 배기시킨다. 소개 가스의 형태, 유동률, 챔버 펌핑 특성 및 반응기에서의 기본압력과 같은 변수는 소개가스의 유동이 라미나 유동이 되도록 선택된다. 소개가스의 이러한 유동은 입자오염물을 쓸어서 반응기 밖으로 운반한다. 소개가스의 유동은 양호하게는 라미나이다.

Description

웨이퍼 가공처리시 미립자 오염물의 감소방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 웨이퍼를 화학 건식 에칭하기 위한 종래의 반도체 처리장치를 도시하는 개략적인 단면도.

Claims (22)

  1. 가공 챔버를 형성하는 기판 가공 반응기에서 기판을 가공하는 방법에 있어서, (ⅰ)기판을 챔버내로 삽입시키는 단계와, (ⅱ)가공 유체를 챔버내로 유동시키는 단계와, (ⅲ)가공 유체의 유동을 종료시키는 단계와, (ⅳ)가공 유체의 유동을 종료시킨후에 비가공 소개 유체의 유동을 유지시키는 단계와, 그리고 (ⅴ)소개 유체의 유동을 중지시키지 않고 챔버로부터 기판을 제거시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판가공방법.
  2. 제1항에 있어서, 소개 가스의 유동이 라미나 유동인 것을 특징으로 하는 기판가공방법.
  3. 제2항에 있어서, 소개 유체유동을 유지시키는 단계가 가공 유체의 종료시에 소개 유체의 유동을 개시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판가공방법.
  4. 제3항에 있어서, 소개 유체가 불활성 가스와 질소로 구성된 그룹으로부터 선택된 가스인 것을 특징으로 하는 기판가공방법.
  5. 제4항에 있어서, 소개 가스를 챔버로부터 연속적으로 소개시키는 단계를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 기판가공방법.
  6. 제4항에 있어서, 기판이 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 기판가공방법.
  7. 다수의 기판이 연속적으로 가공 유체의 유동에 노출되는 기판 가공 챔버 작동방법에 있어서, 기판이 가공 유체에 노출되지 않을 때 챔버를 통하여 비-가공성 소개 유체의 유동을 유지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판가공 챔버 작동방법.
  8. 제7항에 있어서, 기판이 제거되기전, 제거되는 동안 그리고 제거된후에 소개 유체의 유동이 유지되는 상태에서 챔버로부터 기판이 제거되는 단계를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 기판가공 챔버 작동방법.
  9. 제8항에 있어서, 기판이 제거되기전, 제거되는 동안 그리고 제거된후에 소개 유체의 유동이 유지되는 상태에서 기판을 챔버내에 삽입시키는 단계를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 기판가공 챔버 작동방법.
  10. 제9항에 있어서, 소개가스의 유동이 라미나 유도인 것을 특징으로 하는 기판가공 챔버 작동방법.
  11. 제10항에 있어서, 소개 유체 유동 유지 단계가 가공 가스 유동 종료시에 소개 유체 유동을 개시하는 것을 특징으로 하는 기판가공 챔버 작동방법.
  12. 제11항에 있어서, 소개 가스가 귀한 가스와 질소로 구성된 그룹으로부터 선택되는 가스인 것을 특징으로 하는 가공 챔버 작동방법.
  13. 제12항에 있어서, 챔버로부터 소개 가스를 연속적으로 소개시키는 단계를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 기판가공 챔버 작동방법.
  14. 제13항에 있어서, 기판이 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 가공 챔버 작동방법.
  15. 웨이퍼 가공장치에 있어서, (a)웨이퍼를 감싸도록 구성된 가공 챔버와, (b)챔버와 연통하는 다수의 유체 공급부와, 그리고(c)유체 공급부의 적어도 하나로부터 챔버로 소개 유체의 유동을 제어하여 장치가 웨이퍼 가공작용을 수행하지 않을때마다 유체가 유동하도록 구성된 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공장치.
  16. 제15항에 있어서, 제어기가, 유체 공급부의 적어도 하나로부터 가공 유체의 유동을 종료한 후에 소개 유체의 유동을 유지하도록 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공장치.
  17. 제16항에 있어서, 챔버내로 그리고 챔버로부터 웨이퍼를 운송하도록 구성된 웨이퍼 운송기구를 또한 포함하고, 제어기가 웨이퍼 운송동안 소개 유체의 유동을 유지하도록 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공장치.
  18. 제15항에 있어서, 제어기가 가공유체 유동의 종료시 소개 유체의 유동을 개시하도록 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공장치.
  19. 제19항에 있어서, 소개유체의 유동이 라미나인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공장치.
  20. 제19항에 있어서, 소개 유체가 불활성 가스 및 질소로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공장치.
  21. 제19항에 있어서, 소개유체의 유동이 비스코스인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공장치.
  22. 제19항에 있어서, 소개 유체를 챔버로부터 계속적으로 소개시키도록 구성된 펌프를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960061757A 1995-12-05 1996-12-05 웨이퍼 가공처리시 미립자 오염물의 감소방법 및 장치 KR970052711A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US56745595A 1995-12-05 1995-12-05
US08/567,455 1995-12-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970052711A true KR970052711A (ko) 1997-07-29

Family

ID=24267228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960061757A KR970052711A (ko) 1995-12-05 1996-12-05 웨이퍼 가공처리시 미립자 오염물의 감소방법 및 장치

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0778359B1 (ko)
JP (1) JPH09219346A (ko)
KR (1) KR970052711A (ko)
DE (1) DE69614648T2 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2865314B1 (fr) * 2004-01-20 2006-04-28 Cit Alcatel Station de controle et de purge de mini-environnement
WO2019161328A1 (en) * 2018-02-19 2019-08-22 Tel Fsi, Inc. Microelectronic treatment system having treatment spray with controllable beam size

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR900001666B1 (ko) * 1985-07-19 1990-03-17 후지쓰가부시끼가이샤 화합물 반도체의 에피택셜층 성장용의 화학적 유기 금속 기상 성장장치
DE3772659D1 (de) * 1986-06-28 1991-10-10 Ulvac Corp Verfahren und vorrichtung zum beschichten unter anwendung einer cvd-beschichtungstechnik.
US4842683A (en) 1986-12-19 1989-06-27 Applied Materials, Inc. Magnetic field-enhanced plasma etch reactor
US4976996A (en) * 1987-02-17 1990-12-11 Lam Research Corporation Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof

Also Published As

Publication number Publication date
EP0778359A1 (en) 1997-06-11
JPH09219346A (ja) 1997-08-19
EP0778359B1 (en) 2001-08-22
DE69614648D1 (de) 2001-09-27
DE69614648T2 (de) 2002-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100271758B1 (ko) 반도체장치 제조설비 및 이의 구동방법
KR970077317A (ko) 건식 에칭기(Dry Etcher)의 잔류 가스 제거 장치 및 방법
US6939409B2 (en) Cleaning method and etching method
KR950009986A (ko) 반도체웨이퍼의 반송방법
KR950010008A (ko) 반도체 장치의 플라즈마 처리동안 입자오염을 줄이는 방법
US5240555A (en) Method and apparatus for cleaning semiconductor etching machines
KR950001406A (ko) 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법
KR100648329B1 (ko) 이중 주파수 플라즈마 에칭 챔버에서 금속 산화물의 환원
EP1237177A3 (en) Apparatus and method for etching semiconductor wafers
TW353204B (en) Method of treating semiconductor substrate
JPS57201016A (en) Cleaning method for semiconductor manufacturing apparatus
JPH08293485A (ja) アッシング方法
KR970052711A (ko) 웨이퍼 가공처리시 미립자 오염물의 감소방법 및 장치
KR970030456A (ko) 실리콘 웨이퍼 식각 처리의 개량된 방법
JP2001358123A (ja) プラズマ処理方法
JPH03502861A (ja) シリコンデバイスのガス清浄法
JP2657254B2 (ja) 処理装置及びその排気方法
JPH1050670A (ja) 有機物除去方法
JP2002280354A (ja) 炭素薄膜のエッチング方法及びエッチング装置
JP3197969B2 (ja) 半導体基板の処理方法
JPH05347282A (ja) アッシング装置及びその処理方法
JP2952795B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置のパージ方法
SU1088589A1 (ru) Способ плазмохимической обработки полупроводниковых пластин
JPH08181117A (ja) プラズマ処理装置の減圧方法
JPH07135197A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application