JPS6385268A - 真空排気装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空排気技術、特に、オイルフリ真空ポンプ
を用いて高真空を作り出す技術に関し、例えば、半導体
装置の製造において、ウェハに対して真空雰囲気にて各
種の処理を施す際に利用して有効なものに関する。

〔従来の技術〕

半導体装置の製造において、ウェハ上にポリシリコンを
デポジションする減圧ＣＶＤ装置として、ウェハが収容
されているプロセスチューブを油回転ポンプを用いて高
真空に排気した後、高温下で多量のモノシラン（ＳｉＨ
ｉ）ガスを供給するように構成されているものがある。

しかし、このような減圧ＣＶＤ装置においては、液体窒
素によるコールドトラップを設備することができないた
め、プロセスチューブへの油回転ポンプからのオイル蒸
気のバックディフユージッン現象が起こり、パターンの
微細化に伴って眉間耐圧の低下によるディスクープ不良
が発生するという問題点があることが、本発明者によっ
て明らかにされた。

一方、高真空ポンプとして、油を使用しないオイルフリ
真空ポンプが複数種類知られている（例えば、特願昭６
０−８８６２４号明細書、特願昭５９−１８９５９９号
明細書、特開昭６０−２１６８９号公報参照、） そこで、これらのオイルフリ真空ポンプを使用すること
により、オイル蒸気のバックディフュージョン現象の発
生を未然に回避することが、考えられる。

なお、減圧ＣＶＤ技術を述べである例としては、株式会
社工業調査会発行「電子材料１９８５年１１月号別冊」
昭和６０年１１月２０日発行　Ｐ５６〜Ｐ６４、がある
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、中間流領域ないしは分子流領域で高真空排気作
用を行うオイルフリ真空ポンプにおいては、水素やヘリ
ウム等のような分子量の小さい分子からなるガスについ
ては充分な排気が困難であるという問題点があることが
、本発明者によって明らかにされた。

本発明の目的は、分子量の小さい分子からなるガスをも
排気することができる真空排気技術を提供することにあ
る。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

−〔問題点を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。

すなわち、オイルフリ真空ポンプを設けるとともに、こ
のオイルフリ真空ポンプの吸込側に分子量の大きい分子
からなるガスの供給源を接続したものである。

〔作用〕

前記した手段によれば、オイルフリ真空ポンプによる小
さいガスについての排気が不充分になった時に、分子量
の大きい分子からなるガスをオイルフリ真空ポンプの吸
気側に供給することができる。そして、吸気側に分子量
の大きい分子からなるガスが供給されると、オイルフリ
真空ポンプは排気速度等の排気能力を増強するため、分
子量の小さいガスをも充分に排気することができる状態
になる。したがって、各種処理のそれぞれについて要求
される真空状態を実現することができる真空排気装置を
得ることができ、清浄な真空状態が必要な処理室の開発
を迅速かつ正確に達成せしめることができる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である真空排気装置が使用さ
れている減圧ＣＶＤ装置を示す模式図、第２図はそれに
使用されているオイルフリ真空ポンプの全体構造を示す
縦断面図、第３図（ａｌは第２図の遠心圧縮ポンプ段の
詳細を示す縦断面図、同図伽）および（Ｃ１は第３図（
ａｌのｍｂ矢視図およびｍｅ矢視図、第４図ｆａ＋は第
２図の円周流圧縮ポンプ段の詳細を示す縦断面図、同図
−）およびｆｃｌは第４図ｆａｌのｒＶｂ矢視図および
ＩＶｃ矢視図、第５図および第６図はその作用を説明す
るための各線図である。

本実施例において、減圧ＣＶＤ装置は石英ガラスを用い
て略円筒形状に形成されているプロセスチューブ１を備
えており、このプロセスチューブ１の内部室は処理室２
を実質的に形成している。

プロセスチューブ１の外部にはヒータ３が設備されてお
り、ヒータ３はコントローラに制御されて処理室２を加
熱し得るように構成されている。

プロセスチューブｌの一端には炉口４が開設されており
、炉口４にはキャップ５がこれを開閉し得るように取り
付けられている。キャップ５にはガス供給口６が開設さ
れており、この供給口６にはガス供給装置７が接続され
ている。ガス供給装置７は処理ガス源３と、不活性ガス
としての窒素ガス源９と、その他のガス源１ｏと、各ガ
ス供給量をそれぞれ調節するための各エアバルブ８ａ。

９ａ、１０ａと、各供給系を開閉するための各バルブ１
３ｂ、９ｂ、１０ｂを備えている。

プロセスチェープ１の他端には排気口１２が開設されて
おり、排気口１２には本発明にががる真空排気袋Ｆｌｔ
１３が接続されている。真空排気装置１３は後記するオ
イルフリ真空ポンプ１４と、このポンプ１４を回転駆動
する手段としてのモータ１４Ａと、このモータ１４Ａの
回転数を制御するためのインバータ１４Ｂと、オイルフ
リ真空ポンプ１４の吸気側に接続されているターボ分子
ポンプ１５と、オイルフリ真空ポンプ１４の吸気側に分
子量の大きい分子からなるガスとしてのアルゴンガスを
供給するためのアルゴンガス供給源１６と、この供給源
１６の供給を制御するためのバルブ１６ａと、ポンプ１
４へ異物が侵入するのを防止するためのトラップ１７と
、真空排気系全体を開閉するエアバルブ１８とを備えて
おり、この排気装置１３には処理室２の内圧を測定する
手段としての真空計１９が接続されている。

この減圧ＣＶＤ装置はコンピュータ等からなるコントロ
ーラ２０を備えており、コントローラ２０は予め設定さ
れたシーケンスおよび真空計１９等からの測定データに
基づきインバータ１４Ｂ、アルゴンガス供給源のバルブ
１６ａおよびヒータ３等を制御することにより、後述す
る作用を実現するように構成されている。

前記オイルフリ真空ポンプ１４は第２図〜第４図に示さ
れているように構成されている。すなわち、この真空ポ
ンプは、吸気口２１Ａおよび排気口２１Ｂを有するハウ
ジング２１と、このハウジング２１内に軸受２５を介し
て回転自在に支持された回転軸２２と、吸気口２１Ａ（
１１１７から排気口２１ＢＯ１１に至る間のハウジング
２１内に順次配設さた遠心圧縮ポンプ段２３および円周
流圧縮ポンプ段２４とを備えている０回転軸２２はこれ
に連結したモータ１５により駆動されるようになってお
り、モータ１５はインバータ１６によりその回転数を制
御されるように構成されている。

前記遠心圧縮ポンプ段２３は、第３図（ａｌ　（ｂ）に
示されているように、表面に回転方向に対して内向きの
羽根２６が複数突設されているとともに、回転軸２２に
取付けられているオープン羽根車２３Ａと、第３図（ａ
ｌ　（ｅｌに示されているように、ハウジング２１の内
壁に取付られているとともに、前記羽根車２３Ａの裏面
（羽根２６が設けられていない面）と対向する面に回転
方向に対して内向きの羽根２７を複数個突設されている
固定円板２３Ｂとを交互に並列に配置されて構成されて
いる。

前記円周流圧縮ポンプ段２４は、第４図（ａｌおよび（
ｂｌに示されているように、回転軸２２に取付けられて
いるとともに、外周面に複数個の羽根２８を放射状に形
成されている羽根車２４Ａと、第３図ｆａｔおよび（Ｃ
１に示されているように、ハウジング２１の内壁に取付
けられ、かつ前記羽根車２４Ａの表面（羽根２日が設け
られている面）と対向する面にＵ字状の溝２９を有する
固定円板２４Ｂとを交互に並列に配置して構成されてい
るとともに、第４図＋８１および（Ｃ１に示されている
ように前記溝２９の終端部に孔２９ａを穿設されて通風
路３０を形成されている。

ここで、前記構成にかかるオイルフリ真空ポンプの作用
について説明する。

ポンプ運転初期の過度状態においては、ポンプ内部は全
体が大気圧に近い高い圧力下にあり、気体の流れは粘性
流となるため、遠心圧縮ポンプ段２３は遠心圧縮機とし
て作用する。すなわち、遠心圧縮ポンプ段羽根車２３Ａ
は圧縮機羽根車として働き、羽根車２３Ａと固定円！Ｆ
ｉ、２３Ｂの間の羽根２７にはさまれて形成される流路
は、流れを外径から内径側に案内するリターンチャンネ
ルとして働く、また、羽根車２３Ａが圧縮作用をするの
で、遠心圧縮ポンプ段２３としては、圧力ｔｉ失部とし
てよりは圧縮機として大流量を流す作用を実行すること
になる。

円周流圧縮ポンプ段２４の圧縮比が大きくなって、円周
流圧縮ポンプ段の入口の圧力が充分に低くなった定常状
態、すなわち、この圧力が数ＴＯｒｒ以下になった定常
状態においては、遠心圧縮ポンプ段２３の入口、すなわ
ち、真空ポンプの吸気口２１Ａの付近の気体の流れは、
中間流ないしは分子流となり、遠心圧縮ポンプ段２３は
ジーグバーン分子ポンプとして作用する。すなわち、羽
根２６を有する羽根車２３Ａは、螺旋溝を加工した回転
円板として作用し、固定円板２３Ｂの裏面（羽根２７が
設けられていない面）との組み合わせで、内径側から外
径側に向けて圧縮作用をするジーグバーン分子ポンプと
して働（。また、複数個の羽根２７が設けられた固定円
板２３Ｂは、螺旋溝を加工した固定円板として作用し、
羽根車２３Ａの裏面（羽根車２６が設けられていない面
）との組み合わせで、外径側から内径側に向けて圧縮作
用をするジーグバーン分子ポンプとして働り。

同じく定常状態においては、円周流圧縮ポンプ段２４に
流入する気体は遠心圧縮ポンプ段２３において充分に圧
縮されているため、体積流量は殆ど零に近い。すなわち
、円周流圧縮ポンプ段２４は、締切状態に近い状態で運
転されることになるが、円周流圧縮ポンプは締切状態で
高い圧縮比が得られるという特性があるため、少ない段
数で充分低い到達圧力に達する。

遠心圧縮ポンプ段２３、並びに円周流圧縮ポンプ段２４
の段数およびポンプ回転数は、定常運転状態において、
両段の境の圧力が粘性流と中間流との切替わり点、すな
わち、数Ｔｏｒｒになるように設定される０通常、遠心
圧縮ポンプ段を１〜３段、円周流圧縮ポンプ段を６〜ｌ
Ｏ段組み合わせることにより、ポンプの吸気口２１Ａの
圧力は、後記するＣＶＤ処理を実現可能な１０−３〜１
０−’Ｔｏｒｒに達する。

前述により明らかなように、この真空ポンプによれば、
吸気口側に設けられた遠心圧縮段ポンプ段が、過度状態
においては遠心圧縮機として、定常状態においてはジー
グバーン分子ポンプとして働くという二重の作用をする
ので、排気口圧力を大気圧付近に保て、ポンプ運転初期
の過度状態において大きな排気速度が得られる。

本実施例において、前記構成にかかるオイルフリ真空ポ
ンプ１４はターボ分子ポンプ１５の補助ポンプとしてタ
ーボ分子ポンプの吐出側に流体連結されており、ターボ
分子ポンプ１５の分子流領域における排気作用を有効に
引き出させる役割を果たすようになっている。ターボ分
子ポンプ１５には開閉パルプ付きのバイパス回路１５Ａ
が並列に接続されている。本実施例におけるターボ毎子
ポンプ１５は一般的なものであるため、その詳細な説明
は省略する。

次に、第５図を参考にして、前記構成にかかる減圧ＣＶ
Ｄ装置を使用した場合の処理方法の一実施例を説明する
。

ここで、第５図は前記構成にかかる減圧ＣＶＤ装置によ
る処理方法の一実施例であるポリシリコン成１％プロセ
スを示すシーケンスフロー図であり、＋ａ）は窒素ガス
の供給、［ｂｌはモノシランの供給、（Ｃ１は前記オイ
ルフリ真空ポンプの回転数、＋ｄｉは処理室の圧力推移
、＋８１はアルゴンガスの供給をそれぞれ示す線図であ
る。

ポリシリコンを成膜すべき被処理物としてのウェハ３１
は複数枚がボート３２上に立てて整列保持された状態で
、炉口からプロセスチューブ１の処理室２内に収容され
る。ウェハ３１が収容されて炉口４がキャップ５により
閉塞されると、コントローラ２０により、ガス供給装置
７のメインパルプ１１が閉止されるとともに、真空排気
袋ｆ１３のパルプ１８が全開され、第５図＋ｄ）に示さ
れているように、処理室２内が急速に真空排気される。

同時に、処理室２内のウェハ３１はヒータ３によって所
定温度まで加熱される。

このとき、第５図＋ｄ＋に示されているように、処理室
２は大気圧になっているが、前述したように、オイルフ
リ真空ポンプ１４は真空排気初期の過渡期には遠心圧縮
ポンプ段２３が粘性流領域において作用するため、メカ
ニカルブースタポンプやロータリーポンプ等のような粘
性流領域で有効な補助ポンプを必要とせずに、処理室２
を直接的に真空排気することができる。このとき、バイ
パス回路１５Ａが開かれるため、オイルフリ真空ポンプ
１４はターボ分子ポンプ１５を迂回して作用することに
なる。

そして、コントローラ２０に予め設定されている値、す
なわち、粘性流が中間流ないしは分子流領域に切替わり
オイルフリ真空ポンプ１４における遠心圧縮段ポンプ段
２３がジーグバーン分子ポンプとして作用する圧力値（
数’ｌ”ｏｒｒ）が、真空計１９によって測定されると
、第５１！１（ｅ）に示されているように、コントロー
ラ２０はインバータ１４Ｂを介してモータ１４Ａの回転
数を一定に制御し、真空ポンプ１４を定常状態に移行せ
しめこれを維持させる。同時に、バルブによりバイパス
回路１５Ａが閉じられるとともに、ターボ分子ポンプ１
５が分子流領域における排気作用を実行する。この制御
により、第５図（ｄｌに示されているように、処理室２
の内圧は所定の圧力、約３×１Ｏ−３Ｔｏｒｒに維持さ
れる。

所定のリークチェックが実施された後、コントローラ２
０により供給装置７の窒素ガス源９の窒素ガスバルブ９
ｂが開けられるとともに、バルブ９ａが適当量開けられ
、第５図１ｃＩに示されているように、所定量の窒素ガ
スが処理室２に供給される。処理室２に供給された窒素
ガスは処理室２内の汚染物質と共に、排気装置１３によ
り排気されて行く、シたがって、処理室２の内圧は、第
５図（ｄｌに示されているように、予め設定された圧力
に上昇された後、一定に維持されることになる。この設
定圧力は前記オイルフリ真空ポンプ１４およびターボ分
子１５がジーグバーン分子ポンプとして作用するために
必要な圧力（数Ｔｏｒｒ）以下とされる。

コントローラ２０に予め設定されている所定時間が経過
すると、コントローラ２０により供給装置７の窒素ガス
パルプ９ｂは閉止される。これにより、第５図１ｄｌに
示されているように、処理室２内の窒素ガスが完全に排
気されると、処理ガス源８の処理ガスバルブ８ｂが開け
られるとともに、バルブ８ａが適当量開けられ、第５図
山）に示されているように、ポリシリコン膜デポジショ
ン処理用の処理ガスとしてのモノシランガスが所定量所
定時間供給される。このモノシランガスとヒータ　−３
の加熱とによりＣＶＤ反応が起こり、ウェハ３１上にポ
リシリコンが成膜処理されて行く。

このＣＶＤ反応による成膜処理中、オイルフリ真空ポン
プ１４は真空排気を持続するが、第５図（Ｃ１に示され
ているように、コントローラ２０によりフィードバック
制御されるため、第５図（ｄｌに示されているように、
処理室２の真空状態は処理が最適に実行される所定の圧
力（例えば、０．３Ｔｏｒｒ）に維持される。ここで、
モノシランガスの供給に対応して第５図（ｅｌに示され
ているように、アルゴンガスがバルブ１６ａを開かれる
ことにより、オイルフリ真空ポンプ１４の吸気側に供給
される。供給する理由は後述する。

所定の成膜処理が終了すると、処理ガス＃Ｉ８のバルブ
８ｂが閉止されて第５図（Ｃ１に示されているように、
モノシランガスおよびアルゴンガスの供給が停止される
とともに、第５図（Ｃ１に示されているように、オイル
フリ真空ポンプ１４およびターボ分子ポンプ１５は元の
排気能力まで増強される。

これにより、第５図（ｄｌに示されているようにアフタ
真空排気が実施される。

所定のアフタ真空排気時間が経過すると、コントローラ
２０により窒素ガス源９のバルブ９ａ。

９ｂが開けられ、第５図（Ｍｌに示されているように、
窒素ガスが所定量供給される。同時に、コントローラ２
０により真空排気装置１３におけるバルブ１８が閉じら
れるとともに、第５図１ｃＩに示されているように、オ
イルフリ真空ポンプ１４の回転数は次第に減速されて行
き、その途中においてそれまでの中間流ないしは分子流
領域の真空排気作用から粘性流領域の真空排気作用に切
り替わり、また、ターボ分子ポンプ１５はバイパス回路
１５Ａに切り換えられる。続いて、初期回転速度に維持
されて、次回の処理に待機させられる。

その後、キャンプ５が取り外されてウェハ３１が炉口４
から引き出され、所定のＣＶＤ処理が終了する。

ところで、ポリシリコンのデポジションに使用されるモ
ノシランガスの沸点温度は液体窒素の温度よりも高いた
め、減圧ＣＶＤ装置の真空排気装置には液体窒素が使用
されているコールドトラッブを通用することができない
、けだし、コールドトラップにおいてモノシランガスが
トラップされることにより、排気系が急速に詰まってし
まうためである。

このように、真空排気装置にコールドトラップが介設さ
れていないと、第５図（ｄ＋に示されているように、処
理室がＣＶＤ反応による成膜処理の前後において真空に
排気された時、真空ポンプとして油回転ポンプが使用さ
れている場合、オイル蒸気が処理室にバフクディフエー
ジッンしてしまう。

その結果、処理室内がオイル蒸気により汚染され、種々
の二次的障害が発生する。二次的障害としては、オイル
蒸気のウェハへの付着による製品の特性不良の発生や、
処理ガスがオイル蒸気と接触することにより、腐食性の
液体になりプロセスチューブを腐食させたり、ポンプの
オイルを劣化させて蒸気圧を低下させたりする等の障害
がある。

しかし、本実施例においては、前述したように、吸引媒
体が全く使用されないオイルフリ真空ポンプ１　’４お
よびターボ分子ポンプ１５により処理室２が直接真空排
気されるため、オイル蒸気が処理室２にバックディフユ
ージッンする現象は当然起こり得ず、その二次的障害も
未然に回避されることになる。

ところで、前記作用中処理室にモノシランガスが供給さ
れると、安全上モノシランガスに添加されたヘリウム、
および反応により発生する水素のガス量が増加するため
、オイルフリ真空ポンプ１４およびターボ分子ポンプ１
５を単に運転させるのみでは処理室２の内圧が漸増して
しまうという問題点があることが、本発明者によって明
らかにされた。これは、ターボ分子ポンプおよびオイル
フリ真空ポンプがその排気原理上、ヘリウムや水素等の
ような分子量（質量）の小さい分子に対する排気速度が
低下し易いためと考えられる。

ところが、第３図（ｅ）に示されているように、モノシ
ランガスの供給中、前記構成にかかるオイルフリ真空ポ
ンプ１４の吸気側（吸気側であれば、その場所の如何は
、効果にさほど影響しない、）にアルゴンガスを供給す
ると、オイルフリ真空ポンプ１４およびターボ分子ポン
プ１５によって処理室２の圧力を前記所定の圧力（０，
３Ｔｏ　ｒ　ｒ）に維持し得ることが、本発明者によっ
て明らかにされた。これは、分子量の小さいヘリウムや
水素のガスは分子ポンプでの圧縮比が小さく排気速度が
低下し易いが、オイルフリ真空ポンプ１４の吸気側に分
子量の大きいアルゴンガスを混合させることによって高
い圧縮比になることにより、分子量の小さいヘリウムや
水素のガスについての排気速度が高まるためと考えられ
る。

なお、アルゴンガスの供給流量は反応ガスの流量および
処理室内の圧力に依存するため、供給すべきｍ通流量は
個々の条件に対応して設定することが望ましい。

第６図は前記構成にかかるオイルフリ真空ポンプ１４の
性能を示す線図であり、縦軸に排気速度１７分）、横軸
に吸気圧力（Ｔｏｒｒ）がそれぞれとられている０図中
、直線Ａは反応ガス（モノシランガス４８九＋ヘリウム
ガス５２％）の供給量（平均毎分３００ＣＣ）、曲線Ｂ
はオイルフリ真空ポンプ単体によるヘリウムに対する排
気特性、曲線Ｃは前記真空排気装置１３における反応ガ
スに対する実効排気特性、曲線りはアルゴンガスをオイ
ルフリ真空ポンプの吸気側に供給した時の排気特性、曲
線Ｅは窒素ガスをオイルフリ真空ポンプの吸気側に供給
した時の排気特性をそれぞれ示している。

本図によれば、曲線りに示されるようにアルゴンガスを
供給した時に排気速度が急激に高くなり、曲線Ｃに示さ
れる実効排気特性を上回るため、ヘリウムや水素ガスを
排気することにより、処理室を所定の圧力に維持させる
ことができるのが理解される。

前記実施例によれば次の効果が得られる。

＋１）　　オイルフリ真空ポンプによる分子量の小さい
ガスについての排気が不充分になった時に分子量の大き
いガスをオイルフリ真空ポンプの吸気側に供給すること
により、オイルフリ真空ポンプをして小さい分子量のガ
スについても充分な排気性能を発揮させることができる
ため、分子量が小さいガスが発生または使用される処理
であっても、オイルフリ真空ポンプによって所望の真空
状態を作り出すことができる。

（２）各種処理のそれぞれについて要求される真空状態
を実現し得るオイルフリ真空ポンプを提供することがで
きるため、清浄な真空状態が必要な処理室の開発を迅速
かつ正確に達成せしめることができる。

（３）　　オイルや水銀等のような拡散する吸引媒体が
全く使用されないオイルフリ真空ポンプを用いることに
より、高真空時における吸引媒体の処理室へのバックデ
ィフユージッン現象の危険を必然的に回避することがで
去るため、当該現象に伴って派生する二次的障害を完全
に防止することができるとともに、処理並びに製品の品
質および信頼性を高めることができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、ターボ分子ポンプを使用するに限らず、第７図
に示されているように、前記構成にかかるオイルフリ真
空ポンプ１４により処理室２を直接的に排気するように
構成してもよい。

分子量の大きいガスはアルゴンガスに限らず、窒素ガス
等であってもよい、但し、不活性ガスを使用すると、処
理に対する悪影響を回避することができる。

分子量の大きいガスの供給口を設置する場所はオイルフ
リ真空ポンプの吸気口付近に限らず、オイルフリ真空ポ
ンプの吸気側であればよく、処理室付近、処理ガス供給
口、さらには処理ガス中に混合させてもよい。

真空ポンプはモータにより回転駆動するように構成する
に限らないし、インバータにより回転数を制御するよう
に構成するに限らない。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造分
野に通用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、高真空排気される処理室において処理
を行う場合全般に通用することができる。

（発明の効果〕 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

オイルフリ真空ポンプの吸気側に分子量の大きいガスの
供給源を接続することにより、オイルフリ真空ポンプに
よる分子量の小さいガスについての排気が不充分になっ
た時に分子量の大きいガスをオイルフリ真空ポンプの吸
気側に供給することができるため、オイルフリ真空ポン
プをして小さい分子量のガスについても充分な排気性情
を発揮させることができ、その結果、分子量の小さいガ
スが発生または使用される処理であっても、要求される
真空状態を作り出すことができるため、清浄な真空状態
が必要な処理室の開発を迅速かつ正確に達成せしめるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である真空排気装置が使用さ
れている減圧ＣＶＤ装置を示す模式図、第２図はそれに
使用されているオイルフリ真空ポンプの全体構造を示す
縦断面図、 第３図＋ａｌは第２図の遠心圧縮ポンプ段の詳細を示す
縦断面図、 同図（ｂｌおよび（Ｃ１は第３図（ａ）のｍｂ矢視図お
よびｍｃ矢視図、 第４図Ｔａｌは第２図の円周流圧縮ポンプ段の詳細を示
す縦断面図、 同図中）および（Ｃ１は第４図（ａｌのｒＶｂ矢視図お
よび■ｃ矢視図、 第５図および第６図は作用を説明するための各ｌｌｌＩ
図、 第７図は本発明の他の実施例を示す模式図である。 １・・・プロセスチューブ、２・・・処理室、３・・・
ヒータ、４・・・炉口、５・・・キャップ、６・・・ガ
ス供給口、７・・・ガス供給装置、８・・・処理ガス源
、９・・・窒素ガス（不活性第　　２　　図 ２／Ａ 第　　３　　図 （Ｃ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、オイルフリ真空ポンプを備えているとともに、この
   オイルフリ真空ポンプの吸気側に分子量の大きい分子か
   らなるガスの供給源が接続されていることを特徴とする
   真空排気装置。 ２、オイルフリ真空ポンプが、粘性流領域の真空排気作
   用と中間流領域ないしは分子流領域の高真空排気作用と
   の切換、および各領域における排気速度の増減を回転数
   の増減によって制御されるように構成されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の真空排気装置。 ３、オイルフリ真空ポンプが、吸気口側に遠心圧縮ポン
   プ段を、排気口側に円周圧縮ポンプ段をそれぞれ備えて
   おり、前記遠心圧縮ポンプ段の回転体が複数個の後退羽
   根を有するオープン形羽根車から構成されており、固定
   体が外径部における羽根の向きが回転方向に対して内向
   きである羽根を前記羽根車の裏面に対向するように複数
   個取付けられている固定円板から構成されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の真空排気装置。 ４、分子量の大きい分子からなるガスとして、不活性ガ
   スが使用されることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の真空排気装置。