JP4732750B2 - 真空排気装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 46
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 claims description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 33
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 9
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000037029 cross reaction Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
- F04D19/00—Axial-flow pumps
- F04D19/02—Multi-stage pumps
- F04D19/04—Multi-stage pumps specially adapted to the production of a high vacuum, e.g. molecular pumps
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
- F04D25/00—Pumping installations or systems
- F04D25/16—Combinations of two or more pumps ; Producing two or more separate gas flows
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Description
半導体ウェーハ製造又は他の反応性気体処理のための一般的な真空システムでは、一つのターボ分子ポンプと一つのバッキングポンプが、一つの処理真空チャンバ用に直列に設けられ、ターボ分子ポンプの方が真空チャンバ近くに配置されている。通常、4つの真空処理チャンバが、1つの製造ツール上に設けられている。1つ又は複数の緩和装置を使って、排気から過剰な処理ガスを取り除く。緩和装置がターボポンプとバッキングポンプの間にある場合、現在は、チャンバ毎に1つの緩和ユニットが必要である。緩和装置が大気中、即ちバッキングポンプの下流にある場合、緩和されていないガスが融和性であれば、1つの緩和装置を複数のチャンバの間で共有することができる。目下のところ、1つのチャンバ内の圧力変動が他のチャンバ内の圧力を乱すのを回避するため、チャンバの構成に関わりなく、チャンバ毎に1つのバッキングポンプが必要である。
本発明のもう1つの実施形態は、半導体製造システムである。本システムは、複数の半導体真空処理チャンバと、複数の圧力制御ユニットを含んでおり、前記各圧力制御ユニットは、1つの処理チャンバに、そのチャンバを排気するために接続されている。本システムは、更に、処理真空チャンバに接続されている単一の準大気緩和チャンバを含んでおり、前記各高真空ポンプは、更に、前記準大気緩和チャンバの入口に排気するために接続されている。最後に、排気は、緩和装置を使って、準大気緩和チャンバ内で調整される。
本方法は、更に、各処理真空チャンバ内の圧力を、各高真空ポンプの排気側の対応する絞り弁を使って個別に制御する段階(ステップ250)も含んでいる。準大気緩和チャンバと絞り弁は、そのような個別の制御ができる程度に、処理チャンバを分離する。
110、115 処理真空チャンバ
130 準大気チャンバ
111、116 高真空ポンプ
140 バッキングポンプ
131 準大気緩和装置
150 大気緩和装置
Claims (16)
- 少なくとも2つの処理真空チャンバ(110、115)から気体を排気して処理真空圧を達成するための真空排気装置(100)において、
少なくとも2つの入口と出口を有している準大気チャンバ(130)と、
複数の高真空ポンプ(111、116)であって、前記高真空ポンプはそれぞれ、排気側が、前記準大気チャンバの前記入口の1つに排気背圧を制御するための手段(112、117)を介して接続され、真空側が、前記処理真空チャンバの1つに接続されて、その処理真空チャンバ内の真空を制御する複数の高真空ポンプと、
前記処理真空圧よりも高い中間真空圧まで前記処理真空チャンバ及び前記準大気チャンバを排気するためのバッキングポンプ(140)であって、前記準大気チャンバの出口に接続されているバッキングポンプ(140)とを備えている、真空排気装置。 - 前記高真空ポンプの排気から所定のガスを取り除くために、前記準大気チャンバ内に準大気緩和装置(131)を更に備えている、請求項1に記載の真空排気装置。
- 前記準大気緩和装置は、スクラバーとプラズマ装置から成るグループから選択される、請求項2に記載の真空排気装置。
- 前記準大気チャンバは前記処理チャンバに近接して設けられている、請求項1乃至3の何れか1項に記載の真空排気装置。
- 前記準大気チャンバの内部容積は、前記処理真空チャンバの内の1つのチャンバにおける圧力変化が他の前記処理真空チャンバ内の圧力に及ぼす影響を低減する、請求項1乃至4の何れか1項に記載の真空排気装置。
- 前記高真空ポンプはターボポンプである、請求項1乃至5の何れか1項に記載の真空排気装置。
- 前記高真空ポンプは、1トルを超える圧力まで排気できるターボポンプである、請求項6に記載の真空排気装置。
- 前記高真空ポンプは、5トルを超える圧力まで排気できるターボポンプである、請求項6に記載の真空排気装置。
- 前記排気背圧を制御するための手段(112、117)は、絞り弁である、請求項1乃至8の何れか1項に記載の真空排気装置。
- 前記バッキングポンプは、前記準大気チャンバに近接して設けられている、請求項1乃至9の何れか1項に記載の真空排気装置。
- 前記バッキングポンプの排気側に接続された大気緩和装置(150)を更に備えている、請求項1乃至10の何れか1項に記載の真空排気装置。
- 前記大気緩和装置は、湿式スクラバーと、乾式スクラバーと、組み合わせ乾式/湿式スクラバーとから成るグループから選択される装置である、請求項11に記載の真空排気装置。
- 4つの処理真空チャンバと4つの高真空ポンプを備えている、請求項1乃至12の何れか1項に記載の真空排気装置。
- 複数の処理真空チャンバから気体を排出して、処理真空圧を達成するための方法において、
前記処理真空チャンバ及び準大気緩和チャンバを、前記準大気緩和チャンバの出口に接続されているバッキングポンプを使って、前記処理真空圧よりも高い中間真空圧まで排気する段階と、
各前記処理真空チャンバを、複数の高真空ポンプを使って前記処理真空圧まで個別に排気する段階であって、各前記高真空ポンプは、前記処理真空チャンバの1つを排気するように接続されており、更に、前記準大気緩和チャンバの入口に排気するように排気背圧を制御するための手段を介して接続されている、処理真空チャンバを排気する段階と、
緩和装置を使って、前記準大気緩和チャンバ内の排気から所定のガスを取り除く段階とを有する、方法。 - 各前記処理真空チャンバ内の圧力を、対応する高真空ポンプと、対応する排気背圧を制御するための手段とを使って、個別に制御する段階を更に有している、請求項14に記載の方法。
- 前記中間真空圧は、5から10トルの間である、請求項14又は15に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/750,309 US7278831B2 (en) | 2003-12-31 | 2003-12-31 | Apparatus and method for control, pumping and abatement for vacuum process chambers |
US10/750309 | 2003-12-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005207419A JP2005207419A (ja) | 2005-08-04 |
JP4732750B2 true JP4732750B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=34592545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004380891A Active JP4732750B2 (ja) | 2003-12-31 | 2004-12-28 | 真空排気装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7278831B2 (ja) |
EP (1) | EP1553303B2 (ja) |
JP (1) | JP4732750B2 (ja) |
KR (1) | KR101099854B1 (ja) |
CN (1) | CN1637283B (ja) |
SG (1) | SG112978A1 (ja) |
TW (1) | TWI377291B (ja) |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2003
- 2003-12-31 US US10/750,309 patent/US7278831B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-11-22 SG SG200407451A patent/SG112978A1/en unknown
- 2004-11-24 TW TW093136166A patent/TWI377291B/zh active
- 2004-12-06 EP EP04257576.1A patent/EP1553303B2/en active Active
- 2004-12-28 JP JP2004380891A patent/JP4732750B2/ja active Active
- 2004-12-30 KR KR1020040116295A patent/KR101099854B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-31 CN CN2004100818740A patent/CN1637283B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1553303B2 (en) | 2020-02-26 |
US7278831B2 (en) | 2007-10-09 |
JP2005207419A (ja) | 2005-08-04 |
TWI377291B (en) | 2012-11-21 |
KR20050071354A (ko) | 2005-07-07 |
CN1637283B (zh) | 2010-05-26 |
CN1637283A (zh) | 2005-07-13 |
EP1553303A2 (en) | 2005-07-13 |
US20050147509A1 (en) | 2005-07-07 |
TW200532108A (en) | 2005-10-01 |
EP1553303B1 (en) | 2013-08-28 |
KR101099854B1 (ko) | 2011-12-28 |
SG112978A1 (en) | 2005-07-28 |
EP1553303A3 (en) | 2009-12-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100520 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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