TWI377291B - Apparatus and method for control, pumping and abatement for vacuum process chambers - Google Patents

Description

1377291 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明通常係關於真空抽吸之領域，並且更特 係關於為多個室提供與控制高真空之_方。， 【先前技術】 特定之研究與製造製程需要使 而文災用具有向真空之處理 由於幾個原因需要該真空。在某此 示二障形下，在處理過程中 必須除去能夠引起一化學反庫戋物 應次物理知壞之空氣組分（例 如’在諸如欽之活性金屬之真空炼融中)。在其他情形下， 使用真空打破在正常室之條件下存在之平衡條件，諸如從 物質整體中除去揮發性液體或包藏或者溶解氣體(例如脫 氣石油、冷珠-乾燥）或從表面釋放氣體（例如在製造過程中 清除微波管）。在若干製程中亦使用真空，其中在—粒子與 另'一粒子碰撞之前，宜必項孩々tyc ，、义肩移動之距離必須擴展，因此允 許該等粒子沿源與目標(例如，在真空塗覆、粒子加速器、 電視顯像管）之間之-自由碰撞路徑而行。最後，使用真 空’藉由減少每秒鐘粒子撞擊之數目來製備潔淨表面。那 降低了污染之機會（例如’在純淨的、薄膜之潔淨表面研究 與製備中）。 在半導體晶圓中，在該薄膜沈積與蝕刻操作過程中，主 要使用真空來減少污染。而此處描述之本發明之該真空系 統主要同一半導體晶圓製作操作有關，其可用於需要任何 真空之上述應用之加工與研究活動中。 真空泵之設計如此現實，以致還未建立—從一個大氣壓 97593.doc 1377291 以下到ίο6托或更低之"高真空"之一壓力範圍内運轉之真 空泵，其具有一充分之抽吸速度以滿足一些應用之需求。 作為替代，對於薄臈塗覆與其他高真空應用，為實現一足 夠向之真空，使用一既包含一主要油封或乾式泵又包含一 輔助高真空之分子系之泵系統。該旋轉油封或乾式初級栗 (或前級泵或持壓泵）先將該處理室降至大約〇丨托之"低真 空"壓力，在此之後連續地使用該輔助高真空分子泵與旋轉 泵以將該處理室抽空至處理所需要之高真空級別。 在-高真空抽吸系統中使用兩栗機構之-原因係在抽吸 真空中要考慮兩物理狀態。在該低真空範圍内，降低至大 約I,1或1G·2托時，空氣分子會相互作用。在彼等條件下， 空氣具有黏性特質，並且像一流體一樣流動，&而能夠使 用一油封或乾式旋轉泵抽吸。 在高真空1力下，該等分子彼此獨立，從而形成"分子流、 栗必須作用在每一分+ h。右姑楚 條件下，在特徵為隨 機刀子運動之-糸統中’抽吸”實際上提供—無返回（或返 回概率很低)之點。-分子泵提供此-無返回之點。 =㈣壓$ ’油料與乾錢料都應用於真空抽吸系 積二兩：泵一般都依賴於限制在—抽吸室中氣體之體 可用；旋：!：以側排氣之前體積減小。多種幾何組態 ,以含在平朴域狀旋轉葉片 取興相互父又之形狀。 油封旋轉葉片泉包括一帶有驅動滑動子 軸；該轉子盥棻κ π 丁心早 /、葉片在一偏心疋子内旋轉。該泵可具有一單 97593.doc 1377291 一級或可連續地具有兩級，該較大之第一級排氣進入一較 小之第二級。該整體機構浸沒在油中以潤滑、密封以及冷 卻。 在其他組態中，乾式泵熟知之組態包含鈎與爪、舌板與 溝槽以及螺紋幾何構形’以及魯式栗。在該乾式泵機構甲 沒有油；其藉由緊密之齒側隙替代實現密封。但是乾式泵 通常更難製造，因而更為昂貴，其宜用於該半導體製造工 業中，因為乾式泵將較少之污染物引入該系統，而油封泵 中之油趨向於吸收腐蝕性處理氣體，從而損壞該泵。 已設計出幾種技術用於分子級之抽吸氣體。彼等包含該 擴散泵，其使用一氣流嘴射給予動力以使得該真空室中之 分子向該排氣裝置運動。氣體捕獲泵藉由離子誘捕、冷凍 (低溫泵）或藉由將該氣體埋藏在一穩定之金屬沈積臈下面 而除去分子。 渦輪泵（或渦輪分子泵）利用一在該排氣裝置方向上加速 分子之類似渦輪之轉子，增加分子移出該室並移向該持壓 泵之概率。彼技術已開始用於實際應用中，其中清潔是關 鍵，因為用於該泵機構中之任何材料之反向流動無任何問 題’即該泵機構係乾式的。 。亥·#刀子泵（擴散、氣體捕獲或渦輪）無一能夠在大氣壓 力下有效運轉》由於彼原因，如上所述，一真空室首先使 用一低真空泵抽空到一大約1托至10-2托之低真空壓力，接 著藉由一高真空分子泵進一步抽空^因此該分子泵通常在 其整個工作循環中，具有大約丨托到10-2托之排氣壓力，而 97593.doc 1377291 能夠排氣到一較大壓力之泵在此項技藝中已為吾人所熟 知0 在很多應用中必須使用排除設備以達到排氣要求，並藉 此控制危險氣體釋放進入該大氣中，以及重新捕獲用於該 製造過程之物質。一排除元件之一實例係一洗滌器，其藉 由將一液體或氣體注入該廢氣，而從一廢氣除去物質。可 利用之洗滌器包含濕式洗滌器與乾式洗滌器。 在一濕式洗滌器中，該處理廢氣被迫進入一喷射室中， 其中純淨之水粒子將氣體溶解並且夾帶灰塵與粒子，而從 該氣流中將其除去《然後對該含灰塵且滿載溶解物之水進 行處理以除去該捕獲之物質。該水可循環利用。 在一乾式洗滌器中，一氣體可注入該廢氣中以用化學方 法改變該廢氣流中之有害氣體。乾式洗滌器可使用多種技 術以除去該等多餘之氣體，纟包含具有或沒有附加燃料或 氧化劑之熱氡化、吸附（熱或冷）與接觸反應以及電漿處理。 包括-乾式級送入一濕式級之洗滌器亦為吾人所熟知。 也可利用僅收集灰塵之活板門。彼等活板門可為大氣壓 或低壓。它們可使用一過濾器或一氣旋。 用於奈導體晶圓之製造或用於其他反應氣體處理之 -般真空系純中，連續地提供一單—漏輪分子泵與一單一 持麼果以用於一單一直介考饰― 允—真二處理至，該渦輪分子泵距離該真 —近纟單"'製造工具上一般地提供四個真空處理 二了 ::：個或多個排除元件自該廢氣除去多餘之處理 、 5玄排除元件位於該渴輪與持壓栗之間，則通常每 97593.doc -10 - 1377291 至而要排除單元。若該排除元件位於大氣中，即：該 初等級泵之下游，則在幾個室中可共用一排除元件，其限 =條件為該等不排除之氣體係相容的。不考慮室之組態， 每室通吊而要一個持壓果，以避免-室中之壓力波動干 擾其他室中之壓力。 已使用多種系統用於調節該真空室内之壓力。在2〇〇2年7 月16日發輕〇職eau等人之美國專利第M19,455號所描述 之此系統中，同時控制一渦輪分子泵與一持壓泵之旋轉 速度，以獲得該室中之一預定之壓力分布。 在2000年6月28日公布之歐洲專利申請案EP 1014427 A2 描述另一系統，其在抽吸複數個處理室中使用一多入口輔 助（低真空）泵。可將該等輔助泵入口連接至若干高真空泵 上。 在1999年8月31日發布Beyer等人之美國專利第5,944,〇49 號中描述之一系統利用放置在一高真空泵之該排氣側之 一控制閥。使用該控制閥調節該處理室内部之真空。 叙之半導體晶圓處理系統具有幾個真空室，其具有一 用於創建並維持該室内之一真空之獨立冑空抽吸系統。該 等至内之處理循環係獨立運行的，其中根據各種壓力需要 容納反應氣體。 安裝如此一系統之最初成本係很高的，部分原因是由於 諸如排除元件與持壓泵之許多重複組件。由於類似之原 因，如此一系統之維護費用很高，而且該系統佔據大量空 間。 97593.doc • II - 1377291 因此，舉例來說，目前需要提供半導體晶圓之製造中可 使用之真空排氣裝置與方法。尤其是，該技術與目前技藝 之彼等相比’應該實現具有一更低之成本與更少之维護， 以及空間需求。目前仍無熟知之技術可利用。 【發明内容】 本發明涉及以上所描述之該等需求，其提供一種方法與 裝置’該方法與裝置排氣與控制複數個真空處理室的壓 力，而每一室無需一完整之真空系統。在一實施例中，提 供一用於從至少兩真空處理室排氣之真空排氣裝置。該農 置包含一具有至少兩入口與一出口之低於大氣壓之室。該 裝置亦包括複數個高真空泵，其中每一個在一排氣侧連接 至該低於大氣壓之室之該等入口之一，而且每一個在一真 空側連接至該真空處理室之一，以控制彼室内之真空。一 持廢录連接至該低於大氣壓之室之出口，以維持彼室内之 真空。 該真空排氣裝置可進一步在該低於大氣壓之室中包括一 低於大氣壓之排除元件，以控制該排氣。該低於大氣壓之 排除元件可為一洗滌器，或可為一電漿元件。該低於大氣 壓之室可最接近該等處理室，或者是遠離該等處理室。 該等高真空栗可為婦栗。彼等系能夠排氣至超過^托或 甚至超過5托之壓力。若干節流閥可連接至該等高真空泵之 排氣側。 ° —大氣壓之排 大氣壓之排除元 該持壓泵可距離該低於大氣壓之室最近 除元件可連接至該持壓泵之一排氣側。該 97593.doc -12- 1377291 件可係一濕式洗滌器、一乾式洗滌器或一組合元件。 該真空排氣裝置可包含四個真空處理室與四個高真空 泵。 本發明之另一實施例係一半導體製造系統。該系統包含 複數個半導體真空處理室與複數個壓力控制單元，每一該 壓力控制單元連接至一處理室用於抽空彼室β該系統亦包 含一單一低於大氣壓之排除室，其連接至每一該等壓力控 制單元之排氣側’藉此所有該等壓力控制單元排氣進入該 單一低於大氣壓之排除室《該系統另外包括一位於該低於 大氣壓之排除室中之排除構件，其用於控制該排除室内之 排氣，一連接至該低於大氣壓之排除室之單一持壓泵，其 用於在該低於大氣壓之排除室内保持低於大氣壓之壓力， 以及一連接至該持壓泵之一排氣裝置之大氣壓排除室。 §亥半導體製造系統之該壓力控制單元可包含一連接以抽. 空一處理室之渦輪泵，以及一連接至該渦輪泵之一排氣側 之節流閥。在該低於大氣壓之排除室内之排除構件可為一 電漿元件。 複數個壓力控制單元之每一個可直接連接至該低於大氣 壓之排除室，或者是該等壓力控制單元可連接至遠離該低 於大氣壓之排除室。該等真空處理室之每一個可位於一清 潔室内，而該低於大氣壓之排除室可位於該清潔室之外。 在本發明之另一實施例中，提供一方法用於從複數個真 空處理室排出氣體以獲得一真空處理壓力。該方法包含首 先使用一連接至該排除室之一出口之持壓泵，將該等真空 97593.doc -13- 1377291 處理室與-連接至該等真空處理室出口之低於大氣壓之排 除至以抽空至一大於該真空處理壓力之中間真空壓力。 該方法亦包含使用複數個高真空泵，其獨立地將該等真空 處理室之每一個抽空至該真空處理壓力之步驟，連接每一 個該等高真空泵，以抽空該等真空處理室之一；進一步連 接每一個該等高真空泵，以排氣進入該低於大氣壓之排除 室之入口。最後，使用一排除元件將廢氣控制於該低於大 氣壓之排除室中。 該中間真空壓力可在5與10托之間。該方法可另外包括在 每一高真空泵之一排氣侧使用一相應之高真空泵與一相應 之節流閥，其獨立地控制該等真空處理室中每一個之一壓 力。 【實施方式】 本發明係用於抽空複數個處理室以及用於控制彼等室之 壓力之一系統與方法。與該先前技術相比較該系統減少了 成本支出、維護以及空間要求。 將參照一實施例描述本發明，其中四個半導體處理室被 抽空並且維持在真空處理壓力。熟悉此項技術者應瞭解該 系統可應用於需要高真空之其他應用中，並且可用於多於 或少於四個室之該抽空中。 圖1圖示根據本發明之一系統。該系統包含用於四個處理 室A — D(110、115、120、125)之每一個之一壓力控制單元 113、118、123、128，該壓力控制單元包括一渦輪分子高 真空泵111、116、121、126以及用於控制排氣背壓之一構 -14- 97593.doc 1377291 件’諸如布置一節流閥112、117、122、127以節流該渦輪 一 · 分子泵之排氣。 在此處提出之該示範性實施例中，該高真空泵係一渦輪 分子泵。如以上所指出’也可使用其他諸如擴散或氣體捕 獲之高真空柚吸技術，因而本發明不限於使用一渦輪分子 泵作為該高真空泵。雖然目前所描述之系統中所使用之該 高真空泵不能夠排氣至大氣壓力，但是其必須能夠排氣至 一高於一渦輪分子泵之常態排氣壓力。而一般之渦輪分子 _ 栗排氣可達到大約1托’本發明之該系統需要一排氣能夠達 到大約5 — 1〇托之泵。此一渦輪分子泵屬於該熟知之技藝範 圍内，因此本文中不再詳述。 布置該等壓力控制單元113、118、123、128以獨立地控 制該等室A- D内持壓泵140之操作壓力。該等壓力控制單 元113、118、123、128宜位於該製造工具設備上。在該目 前所描述之實施例中，該等單元安裝在一多室半導體製造 工具上，其令每一壓力控制元件安裝於一相應之室内或其 | 附近。在一般之應用中，該工具包含於一清潔室中，以減 少污染。該等壓力控制單元113、11 8、123、128亦包含在 該清潔室内。 每一個該等壓力控制單元113、118、123、128排氣進入 一單一、多入口之低於大氣壓之室130中。該低於大氣壓之 室對於每一個該等排氣裝置都具有一入口。在本發明之一 實施例中，該室130位於遠離該等壓力控制單元113、U8、 123、128之處，並藉由排氣管道114、119、124、129連接。 97593.doc -15· 1377291 在彼情況下，該低於大氣壓之室1 30可位於該清潔室之外， 因而可更易於保養。雖然該低於大氣壓之室之維護事項可 決疋其位於該清潔室之外，該低於大氣壓之室距離處理室 越近’該系統之成本越低。 該等壓力控制單元113、118、123、128之一渦輪分子裝 與節流閥之存在，於該等排氣管道114、119、ι24、129與 處理室110、115、120、125之間提供一隔離度，而允許從 連接至一單一室130之該工具（在本實例中之四個）上的所有 處理室排氣。然而彼等元件僅具有一有限之回應，因而不 完全地隔離該等室。該低於大氣壓之室之内部容積提供額 外之緩衝’其降低一室中之壓力變化作用對其他室之該等 壓力之影響。 在本發明之一較佳實施例中，在該低於大氣壓之室13〇 内提供一排除元件131。在該排除元件ηι之内部，廢氣（特 別是PFCs)藉由電漿或其他構件引起反應，以將該廢氣轉化 成與水反應或與水相溶之氣體，該副產品排放到一持壓真 空栗。在該技藝中’電漿排除元件已為吾人所熟知，因而 本文將不再贅述。熟悉此項技藝者應瞭解，當保持在本發 明之範圍内時，目前所描述之系統中可使用其他可利用之 排除技術。 除了從該處理廢氣中除去氣體之功能外，該排除元件13 i 亦可在處理室110、115、120、125中’提供額外壓力隔離 之作用。而且’該排除元件131保護下游硬體不受來自該等 室之交又反應之影響。 97593.doc •16- 1377291 該低於大氣壓之室130藉由—繼14〇批空並且維持在 -穩定麗力。該㈣泵宜為工業遍應用之乾式運行真 空泵’並且必須與來自該排除元件之廢氣副產品相容。’、 對於該所要求之壓力與流量，必須適當設㈣㈣^ 尺寸。該㈣W40之尺寸取決於該系統之流率要求與㈣ 力要求。持愿泉之尺寸亦為該等屋力控制單元ιι〇、"5、 m25與該低於大氣壓之室13G之間距離之函數；即：菜 之尺寸隨著距離增加。兮；ς i & # 土 / , ▲ 曰加該泵可位於靠近或遠離該低於大氣 壓之室130 » 該持壓泵之尺寸亦為該初級壓力之一函數。在一真空系 統中該前管道壓力越大，該持壓泵之尺寸可越小。因為在 本系統中使用—高於常態之渦輪轉氣壓力，所以該前管 道壓力較高，且可使用—較小之持廢泵，藉此節約成本與 能量費用，並且節省空間。 根據本發明，使用一單一持壓泵14〇以提供一用於複數個 渦輪分子泵之真空排氣壓力，同時獨立地控制該等處理室 壓力。那使得該持壓泵140與渴輪分子泵之間之該等節流閥 112、117、122、127與低於大氣壓之室13〇之布置成為可能。 該低於大氣壓之室與節流閥都有助於吸收壓力波動，並且 至少部分地隔離該等處理室中之壓力變化。若使用的話， 該排除元件131可進一步增強彼效果。 該持壓泵丨40排氣進入一大氣壓之洗滌器15〇，其可為一 濕式洗滌器或一乾式洗滌器，但是其宜為該二者之一組 合。右PFCs已在該低於大氣壓之排除元件丨3 i中處理過，則 97593.doc •17- 1377291 雖然其他技術也是 最經濟有效之技術可Ά 1 w 7為一濕式洗滌器 合適的。 如以上所描述之該組合， 柃供幾個超越目前技蓺之優 點。例如，在該等渦給毛 ^ 優 ^ . ’ 口，節流閥是沒有必要的。 ^ 至為輪泵之排氣管，該節流間所產 生或捕獲之粒子，不可能钟r 不了犯找到回到該處理室的路徑，而可 月匕至一晶圓表面。此外，若嗲y „ 右该即流閥在該渦輪泵之排氣側， 可大大減小維護之需要’從—般18個月之周期到一個月之 周期。另彳，在-較高壓力下操作之閥可更小、更便宜， 並且不易受洩漏與維護之影響。 另外’在目前所描述之布置中，該持壓泵之尺寸與位置 不受處理室壓力控制約束。作為該處理室壓力控制之一部 分’彼係-優於目前一些控制該持壓泵之實施方案之改 進。在彼等系統中，對於系統性能該持壓泵之尺寸與定位 係至關重要的。 目刚所描述之系統利用一單一低於大氣壓之室、持壓泵 以及排除70件用於四個或者多個處理室之排氣。此一布置 具有較低之初始成本費用、較少之維護與較低之空間需求 之顯明優點》 本發明之另一實施例係一處理2〇〇,其從複數個真空處理 室排放氣體以獲得一真空處理壓力。如圖2所示，該處理以 抽空（步驟220)該等真空處理室與一低於大氣壓之排除室開 始（步驟210)。彼等室抽空至一大於該真空處理壓力之中間 真空壓力。使用一連接至該排除室之一出口之持壓栗抽空 97593.doc -18· 1377291 該等室。該中間真空壓力可在5與10托之間β 該方法另外包含將該等真空處理室之每一個獨立地抽空 (步驟230)至該真空處理壓力之步驟。使用複數個高真空栗 抽空該等真空處理室，每一處理室使用一個。該等高真空 泵之每一個直接或間接地排氣進入該低於大氣壓之排除室 之一入口0 最後，該方法包含使用一排除元件控制來自該低於大氣 壓之排除室之排氣（步驟240)。 該方法亦可包含在每一高真空泵之一排氣側使用一相應 之節流閥’獨立地控制（步驟250)每一該等真空處理室中之 壓力。該低於大氣壓之排除室與該等節流閥提供足夠之處 理室隔離，以實現如此獨立之控制。 應瞭解前述之[實施方式]係屬每一相關之說明與示範， 而非限制性的’而且本文所揭示之本發明之範圍不取決於 [發明内容]’而是根據專利法所允許之全部範圍解釋說明之 [申明專利乾圍]確定。例如’當以連同满輪分子高真空泵之 使用一起描述該系統時，可使用諸如擴散或誘捕之其他分 子果技術。應瞭解本文所圖示與描述之該等實施例僅說明 本發明之原理’因此可由熟悉此項技術者進行多種修改而 不偏離本發明之範圍與精神。 【圖式簡單說明】 圖1係一示意圖，其圖式根據本發明之一實施例之一真空 排氣裝置之功能元件。 圖2係一方框圖，其圖式根據本發明之一實施例之一方 97593.doc -19- 1377291 法。 【主要元件符號說明】 100 真空排氣裝置 110 室A 111 高真空泵 112 節流閥 113 壓力控制單元 114 排氣管道 115 室B 116 高真空泵 117 節流閥 118 壓力控制單元 119 排氣管道 120 室C 121 高真空泵 122 節流閥 123 壓力控制單元 124 排氣管道 125 室D 126 高真空泵 127 節流閥 128 壓力控制單元 129 排氣管道 130 低於大氣壓之室 97593.doc 1377291 131 排除元件 140 持壓泵 150 大氣壓之洗滌器 200 處理 210 步驟 220 步驟 230 步驟 240 步驟 250 步驟 -21 - 97593.doc

Claims (1)

1377291 第093136166號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(100年7月）》β 十、申請專利範圍： 1.種用於從至少兩真空處理室排放氣體之真空排氣裝 置，其包括： 一低於大氣壓之室’其具有至少兩人口與-出口，並 具有一低於大氣壓之排除元件，以控制排氣； 複數個高真空:¾，：.fc.. ^ 具泵母一該咼真空泵在一排氣側連接至 /低於大氣壓之室之該等入口之一每一該高真空泵在 -真空侧連接至該等真空處理室之一，以控制彼室内之 真空；以及 、壓泵，其連接至該低於大氣壓之室之該出口，以 維持彼室内之真空。 2.如請求項1之真空排氣震置，其中該低於大氣壓之排除元 件係一洗滌器。 ’、項1之真空排氣裝置，其中該低於大氣屋之排除元 件係—電漿元件。 4. 如請求項1之直命知严 、 一二排氣裝置，其中該低於大氣壓之室鄰接 該等處理室。 5.如請求項彳夕吉介 外雄也 異二排氣裝置，其中該低於大氣壓之室遠離 該等處理室。 内Γί項1之真空排氣裝置’其中該低於大氣壓之室之一 積減小该等處理室之一之壓力變化對另一處理室 之壓力的影響。 7·.如請求項1 1之真空排氣裝置’其中該等高真空泵係渦輪 97593-1000708.doc 氣至21之真空排氣裝置’其中該等高真空泵係能夠排 乱超過1托之壓力之渴輪系。 H1之真空排氣裝置，其中該等高真空果係能夠排 氣至一超過5托之壓力之渦輪系。 1〇.如清求項1之真空排氣裝置， 真空果之排氣側之節流閥。 11·如請求項10之真空排氣裝置 泵0 其進一步包括連接至該等高 ’其中該等高真空泵係渦輪 T凊求項1之真轉氣裝置，其中該持壓录鄰接該低於大 氣壓之室。 13.如凊求項1之真空排教 . 共F礼褒置其進一步包括一連接至該持 壓泵之—排氣側之大氣壓之排除元件。 14·如凊求項13之真空排氣裝置，其中該大氣壓之排除元件 係選自由-濕式洗蘇器、一乾式洗鲦器以及一乾式/濕式 洗務器之組合所組成之群之一元件。 15. 如請求項！之冑空排氣裝置，其包括四個真空處理室與四 個高真空泵。 16. —種半導體製造系統，其包括： 複數個半導體真空處理室； 複數個壓力控制單元，各該壓力控制單元連接至一處 理室以抽空該室； 一單一低於大氣壓之排除室，其連接至各該壓力控制 單元之排氣側，從而該等壓力控制單元排氣至該單—低 於大氣壓之排除室内； 97593-1000708.doc ⑶7291 排除構件’係位於該低於大氣壓之排除室内，以控制 該低於大氣壓之排除室之排氣； 單一持壓泵’其連接至該低於大氣壓之排除室，以 維持該低於大氣壓之排除室内之壓力低於大氣壓；及 一大氣壓排除室’其連接至該持壓泵之一排氣口。 17. 如請求項16之半導體製造系統，其中該壓力控制系統包 含—渦輪泵及一節流閥’該渦輪泵經連接以抽空該一處 理室’該節流閥連接至該渦輪泵之一排氣側。 18. 如s青求項16之半導體製造系統，其中位於該低於大氣壓 之排除至内之§玄排除構件係一電裝元件。 1 9.如凊求項16之半導體製造系統，其中各該複數個壓力控 制單元係直接連接至該低於大氣壓之排除室。 2〇.如請求項16之半導體製造系統，其中各該複數個壓力控 制單元係遠離地連接至該低於大氣壓之排除室。 21. 如請求項16之半導體製造系統’其中各該真空處理室係 位於一清潔室中’且該低於大氣壓之排除室係位於該清 潔室之外。 22. 如請求項16之半導體製造系統，其中該低於大氣壓之室 的内部容積減少該等處理室之其一中之壓力變化對該等 處理室之另一的壓力影響。 23. —種從複數個真空處理室排放氣體以獲得一真空處理壓 力之方法，該方法包括該等步驟： 使用一連接至該排除室之一出口之持壓泵，將該等真 空處理室與一低於大氣壓之排除室抽空至一大於該真空 97593-1000708.doc ^77291 處理壓力之中間真空壓力 使用複數個高真空泵獨 個抽空至該真空處理壓力 抽空該等真空處理室之一 進步連接每一個該等高真空泵，以排氣進入該低於 大氣壓之排除室之入口；以及 使用一排除元件控制該低於大氣壓之排除室内之排 氣。

立地將該等真空處理室之每一 ，連接每一個該等高真空泵以 24·如請求項23之方法，其進一步包括在每一高真空泵之一 排氣側’使用一相應之高真空泵以及一相應之節流閥， 獨立地控制每一該真空處理室内之一壓力之該步驟。 25’如凊求項23之方法，其中該中間真空壓力在5與1〇托之 間。 97593-1000708.doc