KR20060123765A - 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터 - Google Patents

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마사히로 히라노
히로미치 오타
토시오 카미야
켄지 노무라
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도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬
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Abstract

본 발명은 아몰퍼스 산화물 및 그것을 이용한 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 구체적으로는 전자캐리어 농도가 1018/㎤ 미만인 아몰퍼스 산화물 및 그것을 이용한 박막 트랜지스터를 제공하는 것이다. 소스 전극(6), 드레인 전극(5), 게이트 전극(4), 게이트 절연막(3) 및 채널층(2)을 가지는 박막 트랜지스터에서 상기 채널층(2)으로 전자캐리어 농도가 1018/㎤ 미만인 아몰퍼스 산화물을 이용한다.
아몰퍼스, 산화물, 박막 트랜지스터, 전자캐리어, 채널층

Description

아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터{AMORPHOUS OXIDE AND THIN FILM TRANSISTOR}
본 발명은 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
박막 트랜지스터(Thin Film Transistor,TFT)는 게이트(gate) 단자, 소스(source) 단자 및 드레인(drain) 단자를 구비한 3 단자 소자로서, 기판상에 성막(成膜)한 반도체 박막을 전자 또는 홀(hole)이 이동하는 채널(channel) 층으로 이용하고, 게이트 단자에 전압을 인가하여 채널 층에 흐르는 전류를 제어하여 소스 단자와 드레인 단자 간의 전류를 스위칭하는 기능을 가지는 액티브 소자이다. TFT로서 현재 가장 널리 사용되고 있는 것은 다결정 실리콘 막 또는 아몰퍼스 실리콘 막을 채널층 재료로 한 Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor(MIS-FET) 소자이다.
또한, 최근에는 ZnO를 이용한 투명 전도성 산화물 다결정 박막을 채널층으로 이용한 TFT의 개발이 활발하게 이루어지고 있다(특허문헌 1). 상기 박막은 저온에서 성막 가능함과 동시에 가시광으로 투명하기 때문에 플라스틱판이나 필름 등의 기판상에 플랙시블(flexible)한 투명 TFT를 형성하는 것이 가능하다.
그러나, 종래의 ZnO는 실온에서 안정된 아몰퍼스상을 형성할 수 없고, 대부 분의 ZnO는 다결정상을 나타내고 있기 때문에 다결정 입자 계면의 산란에 의해 전자이동도를 크게 할 수가 없다. 더욱이 ZnO는 산소결함이 일어나기 쉽고, 캐리어 전자가 다수 발생하여 전기전도도를 작게 하는 것이 어렵다. 이 때문에 트랜지스터의 온ㆍ오프(ONㆍOFF) 비를 크게 하기도 어렵다.
또한, 특허문헌 2에는 아몰퍼스 산화물로서 ZnxMyInzO(x+3y/2+3z/2)(식 중에서, M은 Al 및 Ga 중 적어도 하나의 원소이고, 비율 x/y가 0.2~12의 범위이며 비율 z/y가 0.4~1.4의 범위에 있다.)로 나타나는 비정질 산화물이 기재되어 있다. 그러나 여기에서 얻어지는 비정질 산화물 막의 전자 캐리어 농도는 1018/㎤ 이상으로, 단순한 투명전극으로 이용하기에는 충분하지만 TFT의 채널층에는 적용하기 어려운 것이었다. 왜냐하면 상기의 비정질 산화물막을 채널층으로 한 TFT에서는 온ㆍ오프 비가 충분히 얻어지지 못하고 노말리 오프형(normally off type)의 TFT에는 적합하지 않음이 판명되었기 때문이다.
특허문헌 1 : 특개 2003-298062호 공보
특허문헌 2 : 특개 2000-044236호 공보
(발명의 개시)
그래서 본 발명은 전자 캐리어 농도가 낮은 아몰퍼스 산화물을 제공하고, 더욱이 그 아몰퍼스 산화물을 채널층으로 이용한 박막 트랜지스터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 (1) 전자 캐리어 농도가 1018/㎤ 미만인 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 산화물이다. 또한, 본 발명은 전자 캐리어 농도가 1017/㎤ 이하, 또는 1016/㎤ 이하의 아몰퍼스 산화물인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 (2) 전자 캐리어 농도가 증가함과 동시에 전자이동도가 증가하는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 산화물이다.
또한, 본 발명은 (3) 전자이동도가 0.1㎠/(Vㆍ초)가 넘는 것을 특징으로 하는 상기 (1) 또는 (2) 기재의 아몰퍼스 산화물이다.
또한, 본 발명은 (4) 축퇴전도(縮退傳導)를 나타내는 상기 (2) 또는 (3) 중의 어느 하나에 기재된 아몰퍼스 산화물이다. 여기서 축퇴전도라 함은 전기저항의 온도의존성에서의 열 활성화 에너지가 30meV 이하인 상태를 말한다.
또한, 또 다른 본 발명은 (5) Zn, In 및 Sn 중 적어도 1종류의 원소를 구성성분으로 하여, [(Sn1 - xM4x)O2]aㆍ[(In1 - yM3y)2O3]bㆍ[(Zn1 - xM2x )O]c [0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤z≤1, 한편 x, y, z는 동시에 1이 아닌 0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤c≤1, a+b+c=1, M4는 Sn보다 원자번호가 작은 Ⅳ족(4족)원소(Si, Ge, Zr), M3은 In보다 원자번호가 작은 Ⅲ족(3족)원소(B, Al, Ga, Y)또는 Lu, M2는 Zn보다 원자번호가 작은 Ⅱ족(2족)원소(Mg, Ca)]로 나타나는 상기 (1)부터 (4) 중의 어느 하나에 기재된 아몰퍼스 산화물이다.
또한, 본 발명은 더욱 상기 (5)의 발명에 Ⅴ족(5족)원소 M5(V, Nb, Ta) 또는 W 중 적어도 1종류의 원소를 포함해도 된다.
또한, 다른 본 발명은 (6) 결정상태에서의 조성이 (InM3)2O3(Zn1 - xM2xO)m [0≤x≤1, m은 0 또는 6 미만의 수 또는 자연수, M3은 In보다 원자번호가 작은 Ⅲ족(3족)원소(B, Al, Ga, Y) 또는 Lu, M2는 Zn보다 원자번호가 작은 Ⅱ족(2족)원소(Mg, Ca)]인 화합물 단체 또는 m값이 다른 화합물의 혼합체인 상기 (1)부터 (4)의 어느 하나에 기재된 아몰퍼스 산화물을 이용한 박막 트랜지스터이다. M3로서는 예를 들면, Ga이고, M2로서는 예를 들면 Mg이다.
또한, 본 발명은 글라스(glas)기판, 금속 기판, 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름상에 설치된 (1)부터 (6)의 어느 하나에 기재된 아몰퍼스 산화물이다. 또한 본 발명은 상기 아몰퍼스 산화물을 채널층으로 이용한 전계 효과형 트랜지스터이다. 또한, 본 발명에 관한 상기의 전계 효과형 트랜지스터는 Al2O3. Y2O3 또는 HfO2의 1종, 또는 그들 화합물을 적어도 2종 함유하는 혼정 화합물을 게이트 절연층으로 하는 것을 특징으로 한다.
또 다른 본 발명은, (7) In-Ga-Zn-O로 구성되어 결정상태에서의 조성이 InGaO3(ZnO)m(m은 6 미만의 자연수)로 표시되어 전자이동도가 1㎠/(Vㆍ초)를 초과함과 동시에 전자캐리어 농도가 1018/㎤ 미만인 것을 특징으로 하는 투명 반절연성 아몰퍼스 산화물 박막이다.
또 다른 본 발명은, (8) In-Ga-Zn-Mg-O로 구성되어 결정상태에서의 조성이 InGaO3(Zn1-xMgxO)m(m은 6 미만의 자연수, 0＜x≤1로 표시되어 전자이동도가 1㎠/(Vㆍ초)를 초과함과 동시에 전자캐리어 농도가 1018/㎤ 미만인 것을 특징으로 하는 투명 반절연성 아몰퍼스 산화물 박막이다. 더욱 또한 본 발명은 전기저항을 높이기 위해 불순물 이온을 의도적으로 첨가하지 않고 산소가스를 함유하는 분위기 중에서 성막하는 것을 특징으로 하는 상술한 투명 반절연성 아몰퍼스 산화물 박막의 제조방법이다.
더욱이 또 다른 본 발명에 관한 박막 트랜지스터는 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극, 게이트 절연막 및 채널층을 구비하여, 상기의 채널층에 전자캐리어 농도가 1018/㎤ 미만인 아몰퍼스 산화물이 이용되고 있는 것을 특징으로 한다. 상기 아몰퍼스 산화물의 전자캐리어 농도가 1017/㎤ 이하 또는 1016/㎤ 이하인 것이 바람직하다. 여기서 상기 아몰퍼스 산화물은 In, Ga, Zn을 함유하는 산화물로 원자수 비가 In:Ga:Zn = 1:1:m(m＜6)이다. 또는 상기 아몰퍼스 산화물은 In, Ga, Zn 및 Mg를 함유하는 산화물로, 원자수비가 In:Ga:Zn1 - xMgx = 1:1:m(m＜6), 0＜x≤1이다.
또한, 상기 아몰퍼스 산화물이 InxGa1 -x산화물(0≤x≤1), InxZn1 -x산화물(0.2≤x≤1), InxSn1 -x산화물(0.8≤x≤1), 또는 Inx(Zn, Sn)1-x산화물(0.15≤x≤1)에서 선택되는 아몰퍼스 산화물이다.
또한, 박막 트랜지스터에 관한 본 발명에는 상기 아몰퍼스 산화물로서 전자캐리어 농도가 증가함과 동시에, 전자이동도가 증가하는 재료를 이용할 수 있다.
본 발명에 의하면 전자캐리어 농도가 낮은 아몰퍼스 산화물이 제공가능함과 동시에 그것을 채널층으로 이용한 박막 트랜지스터 제공이 가능하게 된다.
(발명의 실시를 위한 최선의 형태)
본 발명에 관한 아몰퍼스 산화물은 전자캐리어 농도가 1018/㎤ 미만인 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 관한 박막 트랜지스터(TFT)는, 그 채널층에 전자 캐리어 농도가 1018/㎤ 미만인 아몰퍼스 산화물을 이용하는 것을 특징으로 한다.
TFT는 예를 들면 도 5에 나타낸 바와 같이 기판(1) 상에 채널층(2)을 설치하여 그 채널층(2) 위에 게이트 절연막(3), 게이트 전극(4), 소스 전극(6), 드레인 전극(5)을 설치하는 것에 의해 구성된다. 본 발명에서는 이 채널층으로 전자캐리어 농도가 1018/㎤ 미만인 아몰퍼스 산화물을 이용한다.
본 발명에 적용 가능한 TFT구성은, 도 5에 나타낸 바와 같이 반도체 채널층 위에 게이트 절연막과 게이트 단자(전극)를 순서대로 형성하는 스태거형(탑(top) 게이트형)구조에 국한되지 않고 예를 들면, 게이트 단자 위에 게이트 절연막과 반도체 채널층을 순서대로 구비하는 역스태거형(inverse staggerd type, 바텀(bottom) 게이트형) 구조라도 된다. 상술한 전자캐리어 농도는 실온에서 측정하는 경우의 값이다. 실온이라 함은, 예를 들면 25℃로 구체적으로는 0℃부터 40℃정도의 범위에서 적당히 선택되는 어느 온도이다.
또한, 본 발명에 관한 아몰퍼스 산화물의 전자 캐리어 농도는, 0℃부터 40℃의 범위 전체에서 1018/㎤ 미만을 충족할 필요는 없다. 예를 들면, 25℃에서 캐리어 전자밀도 1018/㎤ 미만이 실현되면 된다. 또한, 전자캐리어 농도를 더욱 낮추어 1017/㎤이하, 보다 바람직하게는 1016/㎤이하로 하면 노말리 오프(Normally off) TFT를 적당한 비율로 얻을 수 있다. 전자 캐리어 농도의 측정은 홀(hole) 효과 측정에 의해 구할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서 아몰퍼스 산화물이라 함은 X선 회절 스펙트럼(spectrum)에서, 헤일로(halo) 패턴이 관측되고 특정의 회절선을 나타내지 않는 산화물을 말한다. 본 발명의 아몰퍼스 산화물에서의 전자캐리어 농도의 하한값은 TFT 채널층으로 적용가능하면 특별히 한정되는 것은 아니다. 하한값은 예를 들면 1012/㎤이다.
따라서, 본 발명에서는 후술하는 각 실시예와 같이 아몰퍼스 산화물의 재료, 조성비, 제조조건 등을 제어하고 예를 들면 전자캐리어 농도를 1012/㎤ 이상 1018/㎤ 미만으로 한다. 보다 바람직하게는 1013/㎤ 이상 1017/㎤ 이하, 더욱이는 1015/㎤ 이상 1016/㎤ 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다.
또한, 전자이동도로서는 실온에서 측정하는 경우에 0.1㎠/(Vㆍ초)이상, 바람직하게는 1㎠/(Vㆍ초), 보다 더 바람직하게는 5㎠/(Vㆍ초) 이상이 되도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 아몰퍼스 산화물은, 전자캐리어 농도가 증가함과 동시에 전자이동도가 증가한다. 또한, 그 전도성이 축퇴전도를 나타내는 경향이 있다. 축퇴전도라 함은 전기저항의 온도 의존성에서의 열 활성화 에너지가 30meV 이하인 상태를 말한다.
(아몰퍼스 산화물의 재료)
본 발명에 관한 아몰퍼스 산화물로서는 Zn, In 및 Sn 중 적어도 1종류의 원소를 구성성분으로 하여 [(Sn1 - xM4x)O2]aㆍ[(In1 - yM3y)2O3]bㆍ[(Zn1 - xM2x )O]c [0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, 한편 x, y, z는 동시에 1이 아닌 0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤c≤1, 한편 a+b+c=1, M4는 Sn보다 원자번호가 작은 4족원소(Si, Ge, Zr), M3은 In보다 원자번호가 작은 3족원소(B, Al, Ga, Y) 또는 Lu, M2는 Zn보다 원자번호가 작은 2족원소(Mg, Ca)]로 나타나는 재료이다. 이 아몰퍼스 산화물에 5족원소 M5(V, Nb, Ta) 또는 W중 적어도 1종류의 원소를 첨가할 수도 있다. 또한, 본 명세서에는 주기율표의 Ⅱ족, Ⅲ족, Ⅳ족, Ⅴ족 원소를 각각 2족, 3족, 4족, 5족 원소로 기재하고 있는 경우가 있지만 동일한 의미이다.
상기의 아몰퍼스막에 Zn보다 원자번호가 작은 2족원소 M2(M2는 Mg, Ca), In보다 원자번호가 작은 3족원소 M3(M3는 B, Al, Ga, Y) 및 Lu, Sn보다 원자번호가 작은 4족원소 M4(M4는 Si, Ge, Zr), 5족원소 M5(M5는 V, Nb, Ta) 또는 W중, 적어도 1종류의 복합산화물을 구성하는 원소를 첨가하는 것에 의해, 보다 전자캐리어 농도를 감소시킬 수 있다.
각각 Zn, In, Sn 보다 원자번호가 작은 M2, M3, M4원소는 Zn, In, Sn보다 이온성이 강하여 그로 인해 산소결함의 발생이 적어 전자캐리어 농도를 저감할 수 있다. 또한 Lu는 원자번호는 Ga보다 크지만 이온반경이 작고 이온성이 강하여 M3와 동일한 기능을 달성한다. M5는 플러스 5가(價)로 이온화하기 때문에 산소와의 결합이 강하여 산소결함을 일으키기 어렵다. W는 6가(價)로 이온화하기 때문에 산소와의 결합이 강하여 산소결함을 일으키기 어렵다.
또한, 본 발명에서 적용가능한 아몰퍼스 산화물로는 결정상태에서의 조성이 (InM3)2O3(Zn1-xM2xO)m [0≤x≤1, m은 0 또는 6 미만의 수 또는 자연수, M3은 In보다 원자번호가 작은 3족원소(B, Al, Ga, Y) 또는 Lu, M2는 Zn보다 원자번호가 작은 2족원소(Mg, Ca)]로 표시되는 화합물 단체 또는 m값이 다른 화합물의 혼합체이다. 여기서 M3는 예를 들면 Ga이고, M2는 예를 들면 Mg이다.
이와 같이 본 발명에서 적용가능한 아몰퍼스 산화물로는 SnO2, In2O3 및 ZnO를 정점으로 하는 3각형의 내부에 위치하는 1원계, 2원계, 또는 3원계 조성의 화합물이다. 상기 3종류의 화합물 중 In2O3는 아몰퍼스형 성능이 커서 기상법의 성막 중의 분위기에서 수분을 0.1Pa 정도 첨가하는 등의 수단에 의해 성막한 상태로 완전 비정질상을 형성할 수 있다.
한편, ZnO 및 SnO2 는, 단독으로 아몰퍼스상을 형성할 수 없는 경우가 있으나 In2O3 를 호스트(host) 산화물로 하는 것에 의해 비정질상을 형성할 수 있다, 구체적으로는, 상기 3종의 화합물 중 2개를 포함하는 2원계 조성(상기 3각형 부근에 위치하는 조성) 중, In-Zn-O계에서는 In이 약 20원자% 이상 함유되는 조성, Sn-In-O계의 경우에는 In이 약 80원자%이상 함유되는 조성으로 아몰퍼스막을 제작g할 수 있다.
In-Zn-O계 아몰퍼스막을 기상법으로 얻기 위해서는 예를 들면, 분위기 중에 수증기를 0.1Pa 정도, 또는 In-Sn-O계 아몰퍼스막을 얻기 위해서는 분위기 중에 질소가스를 0.1Pa 정도 도입하면 된다. 상기 화합물 중 3개를 포함하는 3원계 조성인 Sn-In-Zn계에서는, In이 약 15원자% 이상인 조성범위로 기상법에 의해 아몰퍼스막을 얻을 수가 있다. 또한, 여기서 원자%는 산소이온을 제외한 금속이온만에 대한 원자%를 나타내고 있다. 즉, 예를 들면,「In-Zn-O계에서의 In이 약 20원자% 이상」이라는 것은 InxZn1 -x(x＞0.2)이다.
또한, Sn, In, Zn 을 함유하는 아몰퍼스 산화물막의 조성에 있어서 하기와 같이 각각의 원소를 첨가할 수도 있다. 구체적으로는 Zn보다 원자번호가 작은 2족원소 M2(M2는 Mg, Ca), In보다 원자번호가 작은 3족원소 M3(M3는 B, Al, Ga, Y)및 Lu 및 Sn보다 원자번호가 작은 4족원소 M4(M4는 Si, Ge, Zr)중, 적어도 1종류의 복합산화물을 구성하는 원소를 첨가할 수 있다. 더욱이, 본 발명의 아몰퍼스 산화물막은, 상기 조성에 5족원소 M5(M5는 V, Nb, Ta) 또는 W중, 적어도 1종류의 복합산화물을 구성하는 원소를 첨가할 수 있다.
상기 원소를 첨가하는 것에 의해 실온에서의 아몰퍼스막을 보다 안정화시킬 수 있고 더욱이 아몰퍼스막이 얻어지는 조성범위를 넓힐 수 있다. 특히, 공유결합성이 강한 B, Si, Ge의 첨가는 아몰퍼스상 안정화에 유효하고, 이온반경의 차가 큰 이온으로 구성되는 복합산화물은 아몰퍼스상이 안정화된다. 예를 들면, In-Zn-O계에서는, In이 약 20원자%를 초과하는 조성범위가 아니면 실온에서 안정된 아몰퍼스막은 얻기 어렵지만 Mg를 In과 당량(當量)(equivalent) 첨가하는 것에 의해 In이 약 15원자%를 초과하는 조성범위에서 안정된 아몰퍼스막을 얻을 수 있다.
이어서, 본 발명에 관한 박막 트랜지스터의 채널층에 적용가능한 아몰퍼스 산화물 재료의 예에 대하여 설명한다. 채널층에 이용되는 아몰퍼스 산화물로서는 예를 들면, In, Ga, Zn을 포함함과 동시에 원자수 비에서 In:Ha:Zn=1:1:m 을 만족시키는 산화물이다. 여기에서 m은 6 미만의 수이다. 또한, m값은, 자연수이어도 좋지만, 반드시 자연수이어야 할 필요는 없다. 역시 본 명세서의 다른 부분에서의 m도 동일하다. 또한, 원자수 비는 몰(mol)비로 생각해도 된다.
결정상태에서의 조성이 InGaO3(ZnO)m(m은 6 미만의 수)로 표시되는 투명 아몰퍼스 산화물 박막은 m의 값이 6 미만인 경우는 800℃ 이상의 고온까지 아몰퍼스 상태가 안정하게 유지되지만, m의 값이 커짐에 따라 즉, InGaO3에 대한 ZnO의 비가 증대되어 ZnO 조성에 가까워짐에 따라 결정화하기 쉽게 된다. 따라서, 아몰퍼스 TFT의 채널층으로서는 m의 값이 6 미만인 것이 바람직하다. 스퍼터링(Sputtering)법이나 펄스레이저 증착법에 의해 성막을 실시할 때의 타겟 재료(예를 들면 다결정체)의 조성비를, 상기 m＜6을 만족시키도록 하면 원하는 아몰퍼스 산화물을 얻을 수 있다.
또한, 상기 아몰퍼스 산화물로는 상기 InGaZn의 구성비에서 Zn을 Zn1 - xMgx 로 치환할 수도 있다. Mg의 치환량은 0＜x≤1의 범위에서 가능하다. 또한, Mg로 치환하면 산화물막의 전자이동도는 Mg무첨가막에 비해 저하하지만 그 정도는 작아, 한편으로는 더욱 전자캐리어 농도를 치환하지 않는 경우에 비해 낮출 수 있으므로 TFT의 채널층으로서는 보다 더 바람직하다. Mg의 치환량은 바람직하게는 20% 초과, 85% 미만(x로는 0.2＜x＜0.85), 보다 바람직하게는 0.5＜x＜0.85이다.
더욱이 또한 상기 아몰퍼스 산화물로는 In산화물, InxZn1 -x산화물(0.2≤x≤1), InxSn1 -x산화물(0.8≤x≤1), 또는 Inx(Zn, Sn)1-x 산화물(0.15≤x≤1)에서 적당히 선택할 수도 있다. 또한 Inx(Zn, Sn)1-x 산화물에서 Zn과 Sn의 조성비는 적당히 선택할 수 있다. 즉, Inx(Zn, Sn)1-x 산화물은 Inx(ZnySn1 -y)1-x 산화물로 기재할 수 있고, y의 범위는 1부터 0이다. 또한, Zn과 Sn을 포함하지 않는 In산화물의 경우에는 In의 일부를 Ga로 치환할 수도 있다. 즉, InxGa1 -x 산화물(0≤x≤1)의 경우이다.
(아몰퍼스 산화물의 제조방법)
본 발명에서 이용하는 아몰퍼스 산화물은, 이하의 각 실시예에 나타내는 조건하에서 기상 성막법을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, InGaZn 아몰퍼스 산화물을 얻는데는 InGaO3(ZnO)m 조성을 이루는 다결정 소결체를 타겟으로 하여 스퍼터법(SP법), 펄스레이저 증착법(PLD법) 및 전자 빔(beam) 증착법 등의 기상법에 의해 성막을 실시한다. 또한, 양산성의 관점에서는 스퍼터법이 가장 적합하다.
또한, In2O3, In-Zn-O계 아몰퍼스 산화물막 등에서 성막 시의 분위기에 산소 라디칼을 가해도 되고, 이 산소 라디칼의 첨가는 산소 라디칼 발생장치를 이용하면 된다. 또한, 성막 후에 전자캐리어 농도를 증가시킬 필요가 있는 경우에는 그 막을 환원분위기 중에서 열처리하는 것에 의해 전자캐리어 농도를 증가시킬 수 있다. 이리하여 얻어진 전자캐리어 농도가 다른 아몰퍼스 산화물막에 대하여 전자이동도의 전자캐리어 농도의존성을 조사하면, 전자이동도는 전자캐리어 농도가 증가함과 동시에 증가하고 있다.
(기판)
본 발명에 관한 박막 트랜지스터를 형성할 때의 기판으로는, 글라스 기판, 플라스틱 기판, 플라스틱 필름 등을 이용할 수 있다. 또한, 후술의 실시예에서 설명하는 바와 같이 본 발명에 관한 아몰퍼스 산화물은 실온에서 성막할 수 있으므로 PET필름을 비롯한 플랙시블 소재 위에 박막 트랜지스터를 설치할 수 있다. 또한, 상술한 아몰퍼스 산화물을 적당히 선택하여 파장 400㎚이상의 가시광이나 적외광에 대해 투명한 재료를 이용하여 TFT를 제작할 수도 있다.
(게이트 절연막)
본 발명에 관한 박막 트랜지스터에서의 게이트 절연막으로는 Al2O3, Y2O3, HfO2 또는 그들 화합물을 적어도 2개 이상 포함하는 혼정화합물을 게이트 절연막으로 하는 것이 바람직하다. 게이트 절연박막과 채널층 박막과의 계면에 결함이 존재하면 전자이동도의 저하 및 트랜지스터 특성에 히스테리시스(hysteresis)가 생긴다. 또한, 게이트 절연막의 종류에 따라 리크(leak) 전류가 크게 다르다. 이 때문에 채널층에 적합한 게이트 절연막을 선정할 필요가 있다.
Al2O3 막을 이용하면 리크전류를 저감할 수 있다. 또한, Y2O3 막을 이용하면 히스테리시스를 작게 할 수 있다. 더욱이, 고유전율(高透電率)의 HfO2막을 이용하면 전계효과 이동도를 크게 할 수 있다. 또한, 이들 화합물의 혼정으로 된 막을 이용하여 리크전류, 히스테리시스가 작고 전계효과 이동도가 큰 TFT를 형성할 수 있다. 또한, 게이트 절연막 형성 프로세스 및 채널층 형성 프로세스는 실온에서 실시가능하므로 TFT구조로서, 스태거 구조 및 역스태거 구조 모두 다 형성할 수 있다.
(트랜지스터)
전자 캐리어 농도가 1018/㎤ 미만인 아몰퍼스 산화물을 채널층으로 이용하여 소스 단자, 드레인 단자 및 게이트 절연막을 통해 게이트 단자를 배치한 전계효과형 트랜지스터를 구성하면, 소스ㆍ드레인 단자 간에 5V정도의 전압을 인가했을 때, 게이트 전압을 인가하지 않을 때의 소스ㆍ드레인 단자 간의 전류를 약 10-7암페어로 할 수 있다. 전자캐리어 농도의 이론적 하한계(下限界)는 가전자대의 전자가 열적으로 여기(勵起)된다 라고 가정하면, 105/㎤ 이하지만 실제적인 가능성으로는 1012/㎤ 정도이다.
또한, Al2O3, Y2O3 또는 HfO2 의 1종, 또는 그들 화합물을 적어도 2종 이상 포함하는 혼정화합물을 게이트 절연층으로 이용하면 소스ㆍ게이트 단자 간 및 드레인ㆍ게이트 단자 간의 리크전류를 약 10-7암페어로 할 수 있고, 노말리 오프ㆍ트랜지스터를 실현할 수 있다.
산화물 결정의 전자이동도는 금속이온의 s궤도의 겹침이 커질수록 크게 되어 원자번호가 큰 Zn, In, Sn 의 산화물 결정은 0.1부터 200㎠/(Vㆍ초)의 큰 전자이동도를 가진다. 더욱이, 산화물에서는 산소와 금속이온이 이온결합하고 있기 때문에 화학결합의 방향성이 없고 구성이 랜덤(random)하여 결합의 방향이 불균일한 아몰퍼스 상태라도, 전자이동도는 결정상태의 전자이동도에 비교해서 같은 정도의 크기를 가지는 것이 가능하게 된다. 한편, Zn, In, Sn을 원자번호가 작은 원소로 치환하는 것에 의해 전자이동도는 작아진다. 따라서, 상기의 아몰퍼스 산화물을 이용하는 것에 의해 전자이동도를 약 0.01㎠/(Vㆍ초)부터 20㎠/(Vㆍ초)의 범위로 제어할 수 있다.
또한, 통상의 화합물에서는 캐리어 농도가 증가함에 따라 캐리어 간의 산란 등에 의해 전자이동도는 감소하지만, 그에 비해 본 발명의 아몰퍼스 산화물에서는 전자캐리어 농도의 증가와 동시에 전자이동도가 증가하지만 그 물리기구는 명확하지 않다.
게이트 단자에 전압을 인가하면 상기 아몰퍼스 화합물 채널층에 전자를 주입할 수 있으므로 소스ㆍ드레인 단자 간에 전류가 흘러 양 단자 사이가 온(on) 상태로 된다. 본 발명에 의한 아몰퍼스 산화막은 전자캐리어 농도가 증가하면 전자이동도가 커지므로 트랜지스터가 온 상태에서의 전류를 보다 크게 할 수 있다. 즉, 포화전류 및 온ㆍ오프 비를 보다 크게 할 수 있다. 전자이동도가 큰 아몰퍼스 산화물막을 TFT의 채널층으로 이용하면 포화전류를 크게 할 수 있고, 또한 TFT의 스위칭 속도를 크게 할 수 있어 고속 작동이 가능해진다.
예를 들면, 전자이동도가 0.01㎠/(Vㆍ초)정도이면, 액정표시소자를 구동하는 TFT의 채널층으로서 이용할 수 있다. 또한, 전자이동도가 0.1㎠/(Vㆍ초)정도인 아몰퍼스 산화물막을 이용하면 아몰퍼스 실리콘막을 이용한 TFT와 동등 이상의 성능을 가져, 동화상용(動畵像用) 표시소자를 구동하는 TFT를 제작할 수가 있다.
더욱이, 전류로 구동하는 유기발광 다이오드를 작동시키는 경우 등 큰 전류를 필요로 하는 TFT를 실현하기 위해서는 전자이동도는 1㎠/(Vㆍ초) 초과하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 의한 축퇴전도를 나타내는 아몰퍼스 산화물을 채널층으로 이용한 경우, 전자캐리어 농도가 많은 상태에서의 전류, 즉 트랜지스터의 포화전류의 온도의존성이 작아져 온도특성이 우수한 TFT를 실현할 수 있다.
도 1은 펄스레이저 증착법으로 성막한 In-Ga-Zn-O계 아몰퍼스 산화물의 전자캐리어 농도와 성막중의 산소분압의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 2는 펄스레이저 증착법으로 성막한 In-Ga-Zn-O계 아몰퍼스 산화물막의 전자캐리어 농도와 전자이동도의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 3은 고주파 스퍼터법으로 성막한 In-Ga-Zn-O계 아몰퍼스 산화물막의 전기전도도와 성막중의 산소분압의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 펄스레이저 증착법에 의해 성막한 InGaO3(Zn1 - xMgxO)4 의 x의 값에 대한 전기전도도, 전자캐리어 농도, 전자이동도의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 5는 탑 게이트형 TFT 소자 구조를 나타내는 모식도이다.
도 6은 탑 게이트형 TFT소자의 전류-전압 특성을 나타내는 그래프이다.
도 7은 펄스레이저 증착장치를 나타내는 모식도이다.
도 8은 스퍼터 제막(製膜)장치를 나타내는 모식도이다.
(실시예 1 : PLD법에 의한 아몰퍼스 In-Ga-Zn-O 박막의 제작)
도 7에 나타내는 바와 같이 PLD 성막장치를 이용하여 성막을 실시했다. 도 7에서 701은 RP(로터리 펌프(rotary pump)), 702는 TMP(터보(turbo)분자 펌프), 703은 준비실, 704는 RHEED용 전자총, 705는 기판을 회전, 상하 이동하기 위한 기판유지수단, 706은 레이저 입사창, 707은 기판, 708은 타겟, 709는 라디칼 원(源), 710은 가스 도입구, 711은 타겟을 회전, 상하 이동하기 위한 타겟 유지수단, 712는 바이패스 라인(bypass line), 713은 메인라인(main line), 714는 TMP(터보분자 펌프), 715는 RP(로터리 펌프), 716은 티탄게터펌프(titan getter pump), 717은 셔터(shutter)이다. 또한 도면 중 718은 IG(이온진공계), 719는 PG(피라니(pirani) 진공계), 720은 BG(바라트론(baratron) 진공계), 721은 성장실(chamber)이다.
KrF 엑시머(excimer) 레이저를 이용한 펄스레이저 증착법에 의해 SiO2 글라스 기판(코닝사 제조 1737) 위에 In-Ga-Zn-O 계 아몰퍼스 산화물 반도체 박막을 퇴 적시켰다. 퇴적전의 처리로서, 기판의 초음파에 의한 탈지세정을, 아세톤, 에탄올, 초순수(超純水)를 이용하여 각 5분간 실시한 후, 공기중 100℃에서 건조시켰다.
상기 다결정 타겟으로는 InGaO3(ZnO)4 소결체 타겟(사이즈 20㎜Ф5㎜t)을 이용했다. 이것은 출발원료로서 In2O3: Ga2O3: ZnO(각 4N시약)를 습식혼합한 후(용매 : 에탄올), 가소(假燒)(1000℃ : 2h), 건식분쇄, 본 소결(1550℃ : 2h)을 거쳐 얻어지는 것이다. 이렇게 하여 제작한 타겟의 전기전도도는 90(S/㎝)이었다.
성장실의 도달진공을 2×10-6(Pa)로 하고, 성장중의 산소분압을 6.5(Pa)로 제어하여 성막을 실시했다. 챔버(721) 내 산소분압은 6.5Pa, 기판온도는 25℃이다. 또한, 타겟(708)과 피성막기판(707) 사이의 거리는 30(㎜)이고, 입사창(716)으로 입사되는 KrF 엑시머 레이저의 출력(power)은 1.5-3(mJ/㎠/pulse)의 범위이다. 또한, 펄스 폭은 20(nsec), 반복 주파수는 10(Hz), 그리고 조사지점(spot) 지름은 1×1(㎜각)로 했다. 이리하여 성막 비율(rate) 7(㎚/min)로 성막을 실시했다.
얻어진 박막에 대하여, 박막이 간신히 입사 X선 회절(박막법, 입사각 0.5도)을 실시한 결과, 명료한 회절 피크(peak)는 확인할 수 없었던 점으로 보아 제작한 In-Ga-Zn-O계 박막은 아몰퍼스라고 말할 수 있다. 더욱이 X선 반사율 측정을 실시하여 패턴을 해석한 결과, 박막의 평균이승(二乘) 거칠기 (Rrms)는 약 0.5㎚이고, 막 두께는 약 120㎚인 것이 밝혀졌다. 형광 X선(XRF) 분석의 결과, 박막의 금속 조성비는 In:Ga:Zn=0.98:1.02:4이었다. 전기전도도는 약 10-2S/㎝ 미만이었다. 전자 캐리어 농도는 약 1016/㎤ 이하, 전자이동도는 약 5㎠/(Vㆍ초)로 측정되었다.
광(光)흡수 스펙트럼의 해석에서, 제작한 아몰퍼스 박막의 금지대(禁制帶)에너지 폭은 약 3eV로 얻어졌다. 이상으로부터, 제작한 In-Ga-Zn-O계 박막은 결정이 InGaO3(ZnO)4 의 조성에 가까운 아몰퍼스상을 나타내고 있고, 산소결손이 적고 전기전도도가 작은 투명한 평탄 박막인 것이 밝혀졌다.
구체적으로 도 1을 이용하여 설명한다. 도 1은 In-Ga-Zn-O로 구성되어 결정상태를 가정한 때의 조성이 InGaO3(ZnO)m(m은 6 미만의 수)로 표시되는 투명 아몰퍼스 산화물 박막을 본 실시예와 같은 조건에서 제작하는 경우에, 산소분압을 변화시킨 경우 성막된 산화물의 전자캐리어 농도의 변화를 나타낸 것이다.
본 실시예와 동일한 조건하에서 산소분압을 4.5 Pa 초과의 높은 분위기 중에서 성막하는 것에 의해 도 1에 나타낸 바와 같이 전자캐리어 농도를 1018/㎤ 미만으로 저하시킬 수 있다. 이 경우, 기판의 온도는 의도적으로 가온하지 않은 상태로 거의 실온으로 유지되어 있다. 플랙시블한 플라스틱 필름을 기판으로 사용하기 위해서는 기판온도는 100℃미만으로 유지하는 것이 바람직하다.
산소분압을 더욱 크게 하면, 전자캐리어 농도를 더욱 저하시킬 수 있다.
예를 들면, 도 1에 나타낸 바처럼 기판온도 25℃, 산소분압 5Pa로 성막한 InGaO3(ZnO)4 박막에서는 전자캐리어 수를 1016/㎤ 로 저하시킬 수 있다.
얻어진 박막은, 도 2에 나타낸 바처럼, 전자이동도가 1㎠/(Vㆍ초)를 초과했 다. 그러나 본 실시예의 펄스레이저 증착법에서는 산소분압을 6.5Pa이상으로 하면 퇴적한 막의 표면이 요철(凹凸)로 되어 TFT의 채널층으로서 이용하는 것이 어려워진다. 따라서 산소분압 4.5Pa 초과, 바람직하게는 5Pa 초과, 6.5Pa 미만의 분위기에서 펄스레이저 증착법으로 제작한 In-Ga-Zn-O로 구성되어 결정상태에서의 조성 InGaO3(ZnO)m(m은 6미만의 수)로 나타나는 투명 아몰퍼스 산화물 박막을 이용하면 노말리 오프 트랜지스터를 구성할 수 있다.
또한, 그 박막의 전자이동도는 1㎠/Vㆍ초 초과하여 얻어져 온ㆍ오프 비를 103 초과로 크게 할 수 있었다. 이상 설명한 바와 같이 본 실시예에 나타난 조건하에서 PLD법에 의해 InGaZn 산화물의 성막을 실시하는 경우는, 산소분압을 4.5Pa 이상 6.5Pa 미만이 되도록 제어하는 것이 바람직하다. 또한, 전자캐리어 농도를 1018/㎤ 미만을 실현하기 위해서는 산소분압의 조건, 성막 장치의 구성이나 성막할 재료나 조성 등에 의존한다.
이어서, 상기 장치에서의 산소분압 6.5Pa의 조건에서 아몰퍼스 산화물을 제작하고, 도 5에 나타나는 탑 게이트형 MISFET 소자를 제작했다. 구체적으로는 먼저 글라스 기판(1) 위에 상기의 아몰퍼스 In-Ga-Zn-O 박막의 제작법에 의해 채널층(2)으로 이용하는 두께 120㎚의 반절연성 아몰퍼스 InGaO3(ZnO)4막을 형성했다.
더욱이 그 위에 챔버 내 산소분압을 1Pa 미만으로 하여 펄스레이저 퇴적법에 의해 전기전도도가 큰 InGaO3(ZnO)4 및 금막을 각각 30㎚ 적층하고, 포토 리소그라 피(photolithography)법과 리프트 오프(lift off)법에 의해 드레인 단자(5) 및 소스 단자(6)를 형성했다.
마지막으로 게이트 절연막(3)으로 이용한 Y2O3막을 전자빔 증착법에 의해 성막하고(두께:90㎚, 비유전율:약15, 리크전류밀도:0.5MV/㎝ 인가시에10-3A/㎠), 그 위에 금을 성막하고, 포토리소그라피법과 리프트오프법에 의해 게이트 단자(4)를 형성했다.
(MISFET소자의 특성평가)
도 6에, 실온하에서 측정한 MISFET소자의 전류-전압 특성을 나타낸다. 드레인 전압 VDS의 증가에 수반하여 드레인 전류 IDS가 증가한 것으로부터 채널이 n형 반도체인 것이 밝혀졌다. 이것은 아몰퍼스 In-Ga-Zn-O계 반도체가 n형이라고 하는 사실과 모순되지 않는다. IDS는 VDS=6V 정도로 포화(pinch off)하는 전형적인 반도체 트랜지스터의 거동을 나타냈다. 이득특성을 조사해본 바, VDS=4V 인가시의 게이트 전압 VGS 의 최소치는 약 -0.5V였다. 또한, VG=10V 시에는 IDS=1.0×10-5A의 전류가 흘렀다. 이것은 게이트 바이어스(bias)에 의해 절연체의 In-Ga-Zn-O계 아몰퍼스 반도체 박막 내에 캐리어를 유기가능한 것에 대응한다. 트랜지스터의 온ㆍ오프 비는 103 이상이었다. 또한, 출력특성으로부터 전계효과 이동도를 산출한 바, 포화영역에서 7㎠(Vs)- 1 의 전계효과 이동도가 얻어졌다.
제작한 소자에 가시광을 조사하여 동일한 형태로 측정을 하였지만 트랜지스터 특성의 변화는 확인할 수 없었다. 본 실시예에 의하면 전자캐리어 농도가 작음에 따라 전기저항이 높음과 동시에 전자이동도가 큰 채널층을 가지는 박막 트랜지스터를 실현할 수 있다. 또한, 상기한 아몰퍼스 산화물은 전자캐리어 농도의 증가와 동시에 전자이동도가 증가하고 더욱이 축퇴전도(縮退傳導)를 나타내는 우수한 특성을 구비하고 있다.
본 실시예에서는 글라스 기판 위에 박막 트랜지스터를 제작하였지만, 성막 자체가 실온에서 행해지므로 플라스틱판이나 필름 등의 기판이 사용가능하다. 또한, 본 실시예에서 얻어진 아몰퍼스 산화물은 가시광의 광흡수가 거의 없고, 투명한 플렉시블 TFT를 실현할 수 있다.
(실시예 2 : PLD법에 의한 아몰퍼스 InGaO3(ZnO) 및 InGaO3(ZnO)4 산화막의 성막)
KrF 엑시머 레이저를 이용한 PLD법에 의해 InGaO3(ZnO) 및 InGaO3(ZnO)4 조성을 가지는 다결정 소결체를 각각 타겟으로 하여 글라스 기판(코닝사 제조 1737) 위에 In-Zn-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막을 퇴적시켰다. PLD 성막장치는 실시예 1에서 나타낸 것을 이용하고, 성막조건은 상기와 동일하게 했다.
기판온도는 25℃로 성막을 실시했다.
얻어진 막에 관하여 막 면에 밀접하게 입사X선 회절(박막법, 입사각 0.5도)을 실시한 바, 명료한 회절 피크는 검출되지 않고, 2종류의 타겟으로 제작한 In- Zn-Ga-O계 막은 모두 아몰퍼스막인 것이 나타났다.
더욱이 글라스 기판 위의 In-Zn-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막의 X선 반사율 측정을 하여 패턴해석을 실시한 결과, 박막의 평균 이승(二乘) 거칠기 (Rrms)는 약 0.5㎚이고, 막 두께는 약 120㎚인 것이 밝혀졌다. 형광 X선(XRF) 분석의 결과, InGaO3(ZnO) 조성을 가지는 다결정 소결체를 타겟으로 하여 얻어진 막의 금속원자 조성비는 In:Ga:Zn=1.1:1.1:0.9였다. 또한, InGaO3(ZnO)4 조성을 가지는 다결정 소결체를 타겟으로 하여 얻어진 막의 금속원자 조성비는 In:Ga:Zn=0.98:1.02:4였다.
성막시의 분위기 산소분압을 변화시켜 InGaO3(ZnO)4 조성을 가지는 다결정 소결체를 타겟으로 하여 얻어진 아몰퍼스 산화막의 전자캐리어 농도를 측정했다. 그 결과를 도 1에 나타낸다. 산소분압이 4.5Pa 초과의 분위기 중에서 성막하는 것에 의해 전자캐리어 농도를 1018/㎤ 미만으로 저하시킬 수 있었다. 이 경우 기판의 온도는 의도적으로 가온하지 않은 상태에서 거의 실온으로 유지되고 있다. 또한 산소분압이 6.5Pa 미만 시에는 얻어진 아몰퍼스 산화물막의 표면은 평탄하다.
산소분압이 5Pa 일 때, InGaO3(ZnO)4 조성을 가지는 다결정 소결체를 타겟으로 하여 얻어진 아몰퍼스 산화막의 전자 캐리어 농도는 1016/㎤ , 전기전도도는 10-2S/㎝였다. 또한, 전자이동도는 약 5㎠/Vㆍ초로 추측되었다. 광흡수 스펙트럼의 해석으로부터, 제작한 아몰퍼스 산화물막의 금지대 에너지폭은 약 3eV로 얻어졌다. 산소분압을 5Pa에서 더욱 크게 하면 전자 캐리어 농도를 더욱 저하시킬 수 있었다.
도 1에 나타낸 바처럼, 기판온도 25℃, 산소분압 6Pa로 성막한 In-Zn-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막에서는 전자캐리어 농도를 8×1015/㎤(전기전도도 : 약 8×10-3S/㎝)로 저하시킬 수 있었다. 얻어진 막은 전자이동도가 1㎠/(Vㆍ초)이상으로 추측되었다. 그러나 PLD법에서는 산소분압을 6.5Pa 이상으로 하면 퇴적한 막의 표면이 요철(凹凸)로 되어 TFT의 채널층으로 이용하는 것이 곤란해졌다.
InGaO3(ZnO)4 조성을 가지는 다결정 소결체를 타겟으로 하고, 다른 산소분압으로 성막한 In-Zn-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막에 관하여 전자 캐리어 농도와 전자이동도의 관계를 조사했다. 그 결과를 도 2에 나타낸다. 전자캐리어 농도가 1016/㎤에서 1020/㎤ 으로 증가하면 전자이동도는 약 3㎠/(Vㆍ초)에서 약 11㎠/(Vㆍ초) 로 증가함이 나타났다. 또한, InGaO3(ZnO) 조성을 가지는 다결정 소결체를 타겟으로 하여 얻어진 아몰퍼스 산화막에 관해서도 동일한 경향이 나타났다.
글라스 기판 대신에 두께 200㎛의 폴리에틸렌ㆍ테레프탈레이트(PET) 필름을 이용한 경우에도 얻어진 In-Zn-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막은 동일한 특성을 나타냈다.
(실시예 3 : SP법에 의한 In-Zn-Ga-O계 아몰퍼스 산화막의 성막)
분위기 가스로서 아르곤 가스를 이용한 고주파 SP법에 의해 성막하는 경우에 대하여 설명한다. SP법은 도 8에 나타나는 장치를 이용하여 실시했다. 도 8에서 807은 피성막기판, 808은 타겟, 805는 냉각기구 부착 기판 유지수단, 814는 터보분 자펌프, 815는 로터리 펌프, 817은 셔터, 818은 이온진공계, 819는 피라니 진공계, 821은 성장실(챔버), 830은 게이트 밸브이다. 피성막기판(807)으로는, SiO2 글라스 기판(코닝사 제조 1737)을 준비했다. 성막 전 처리로서, 이 기판의 초음파 탈지세정을 아세톤, 에탄올, 초순수에 의해 각 5분씩 실시한 후, 공기중 100℃에서 건조시켰다.
타겟 재료로는 InGaO3(ZnO)4 조성을 가지는 다결정 소결체(사이즈 20㎜Ф5㎜t)를 이용했다. 이 소결체는 출발원료로서 In2O3: Ga2O3: ZnO(각 4N시약)를 습식혼합(용매 : 에탄올)하고, 가소(假燒)(1000℃ : 2h), 건식분쇄, 본 소결(1550℃ : 2h)을 거쳐 제작했다. 이 타겟(808)의 전기전도도는 90(S/㎝)로, 반 절연체 상태였다.
성장실(821) 내의 도달 진공은 1×10-4(Pa)이고, 성장중의 산소가스와 아르곤가스의 전체 압력은 4~0.1x10-1(Pa)의 범위에서 일정한 값으로 하고 아르곤가스와 산소와의 분압비를 바꾸어 산소분압을 10-3~2x10-1(Pa)의 범위에서 변화시켰다. 또한, 기판온도는 실온으로 하고 타겟(808)과 피성막기판(807) 사이의 거리는 30(㎜)였다. 투입전력은 RF180W이고, 성막비율은 10(㎚/min)으로 실시했다.
얻어진 막에 관해서, 막 면에 밀접하게 입사X선 회절(박막법, 입사각 lang=EN-US＞0.5도)을 실시한 바, 명료한 회절 피크는 검출되지 않고, 제작한 In-Zn-Ga-O계 막은 모두 아몰퍼스막인 것이 나타났다. 더욱이 X선 반사율 측정을 하여 패턴 해석을 실시한 결과, 박막의 평균 이승(二乘) 거칠기 (Rrms)는 약 0.5㎚이고, 막 두께는 약 120㎚임을 알 수 있었다. 형광 X선(XRF) 분석의 결과, 박막의 금속조성비는In:Ga:Zn=0.98:1.02:4였다.
성막시의 분위기 산소분압을 변화시켜 얻어진 아몰퍼스 산화물막의 전기전도도를 측정했다. 그 결과를 도 3에 나타낸다. 도 3에 나타낸 바와 같이 산소분압을 3×10-2Pa 초과의 높은 분위기 중에서 성막하는 것에 의해 전기전도도를 10S/㎝미만으로 저하시킬 수 있었다.
산소분압을 크게 하는 것에 의해 전자캐리어 수를 저하시킬 수가 있었다. 예를 들면, 도 3에 나타낸 바처럼, 기판온도 25℃, 산소분압 10-1Pa 로 성막한 InGaO3(ZnO)4 박막에서는 더욱 전기전도도를 약 10-10S/㎝로 저하시킬 수 있었다. 또한, 산소분압 10-1Pa 초과에서 성막한 InGaO3(ZnO)4 박막은 전기저항이 너무 높아 전기전도도는 측정할 수 없었다. 이 경우 전자이동도는 측정할 수 없었지만, 전자캐리어 농도가 큰 막에서의 값으로부터 외삽(外揷,extrapolation)하여 전자이동도는 약 1㎠/Vㆍ초로 추정되었다.
즉, 산소분압 3×10-2Pa 초과, 바람직하게는 5×10-1Pa초과의 아르곤가스 분위기에서 스퍼터 증착법으로 제작한 In-Ga-Zn-O로 구성되고 결정상태에서의 조성InGaO3(ZnO)m(m은 6 미만의 자연수)로 표시되는 투명 아몰퍼스 산화물 박막을 이용 하여 노말리 오프함과 동시에 온ㆍ오프 비가 103 초과의 트랜지스터를 구성할 수 있었다.
본 실시예에서 나타낸 장치, 재료를 이용하는 경우는, 스퍼터에 의한 성막 시의 산소분압으로는 예를 들면, 3×10-2Pa이상, 5×10-1Pa이하의 범위이다. 또한, 펄스레이저 증착법 및 스퍼터법으로 제작한 박막에서는 도 2에 나타낸 바와 같이 전도전자수의 증가와 동시에 전자이동도가 증가한다.
상기와 같이, 산소분압을 제어하는 것에 의해 산소결함을 저감할 수 있고, 그 결과, 전자캐리어 농도를 감소시킬 수 있다. 또한, 아몰퍼스 상태에서는 다결정 상태와는 달리, 본질적으로 입자계면이 존재하지 않기 때문에 고(高)전자이동도의 아몰퍼스 박막을 얻을 수 있다. 또한, 글라스 기판 대신에 두께 200㎛의 폴리에틸렌ㆍ테레프탈레이트(PET) 필름을 이용한 경우에도, 얻어진 InGaO3(ZnO)4 아몰퍼스 산화물막은 동일한 특성을 나타냈다.
(실시예 4 : PLD법에 의한 In-Zn-Ga-Mg-O계 아몰퍼스 산화물막의 성막)
다음으로, PLD법에 의해 글라스 기판 위에 InGaO3(Zn1 - xMgxO)4(0＜x＜1)막을 성막하는 경우에 대하여 설명한다. 성막장치로는 도 7에 기재된 성막장치를 이용하여 실시했다. 피성막기판으로는 SiO2 글라스 기판(코닝사 제조 1737)을 준비했다. 그 기판에 전 처리로서 초음파 탈지세정을 아세톤, 에탄올, 초순수에 의해 각 5분씩 실시한 후 공기중 100℃에서 건조시켰다.
타겟으로는 InGa(Zn1 - xMgxO)4(x=1-0) 소결체(사이즈 20㎜Ф5㎜t)를 이용했다. 타겟은 출발원료 In2O3: Ga2O3: ZnO: MgO(각 4N시약)를 습식혼합(용매 : 에탄올), 가소(假燒)(1000℃ : 2h), 건식분쇄, 본 소결(1550℃ : 2h)을 거쳐 제작했다.
성장실 도달 진공은 2×10-6(Pa)이고, 성장중의 산소분압은 0.8(Pa)로 했다. 기판온도는 실온(25℃)으로 하고 타겟과 피성막기판 사이의 거리는 30(㎜)였다. 또한, KrF 엑시머 레이저의 출력(power)은, 1.5(mJ/㎠/pulse), 펄스 폭은 20(nsec), 반복주파수는 10(Hz), 조사지점(spot) 지름은 1×1(㎜각)로 했다. 성막비율(rate)은 7(㎚/min)였다.
이와 같이 하여 얻어진 막에 관해서, 막 면에 밀접하게 입사X선 회절(박막법, 입사각 0.5도)을 실시한 바, 명료한 회절 피크는 검출되지 않고, 제작한 In-Zn-Ga-Mg-O계 막은 아몰퍼스막인 것이 나타났다. 얻어진 막 표면은 평탄했다.
다른 x값의 타겟을 이용하여 산소분압 0.8Pa의 분위기 중에서 성막한 In-Zn-Ga-Mg-O계 아몰퍼스 산화물막의 전기전도도, 전자캐리어 농도 및 전자이동도의 x값 의존성을 조사했다. 또한 타겟으로 다결정 InGaO3(Zn1 - xMgxO)m(m은 6 미만의 자연수, 0＜x≤1)을 이용하면 1Pa 미만의 산소분압 하에서도 고저항 아몰퍼스 InGaO3(Zn1 -xMgxO)m막을 얻을 수 있었다.
그 결과를 도 4에 나타낸다. x값이 0.4 초과할 때, 산소분압 0.8Pa의 분위기 중에서 PLD법에 의해 성막한 아몰퍼스 산화물막에서는 전자캐리어 농도를 1018/㎤ 미만으로 할 수 있음이 나타났다. 또한, x값이 0.4 초과의 아몰퍼스 산화물막에서 전자이동도는 1㎠/Vㆍ초 이상이었다. 도 4에 나타낸 바와 같이 Zn을 80원자%의 Mg로 치환한 타겟을 사용한 경우 산소분압 0.8Pa의 분위기에서 펄스레이저 퇴적법으로 얻어진 막의 전자캐리어 농도를 1016/㎤ 미만으로 할 수 있다.
이렇게 한 막의 전자이동도는 Mg 무첨가 막에 비하여 저하하지만 그 정도는 적고 실온에서의 전자이동도는 약5㎠/(Vㆍ초)로, 아몰퍼스 실리콘에 비해 1 자릿수 정도 큰 값을 나타낸다. 동일한 조건에서 성막한 경우, Mg함유량의 증가에 대해 전기전도도와 전자이동도는 동시에 저하하므로 Mg의 함유량은 바람직하게는 20원자%초과, 85원자% 미만(x로는 0.2＜x＜0.85), 보다 더 바람직하게는 0.5＜x＜0.85이다.
또한, 글라스 기판 대신에 두께 200㎛의 폴리에틸렌ㆍ테레프탈레이트(PET) 필름을 이용한 경우에도, 얻어진 InGaO3(Zn1 - xMgxO)4(0＜x≤1) 아몰퍼스 산화물막은 동일한 특성을 나타냈다.
(실시예 5 : PLD법에 의한 In2O3 아몰퍼스 산화물막의 성막)
다음으로, In산화물막을 성막하는 경우에 대하여 설명한다. 성막장치는 도 7 에 기재된 장치를 이용했다. 피성막기판으로는 SiO2 글라스 기판(코닝사 제조 1737)을 준비했다. 그 기판의 전 처리로서 초음파 탈지세정을 아세톤, 에탄올, 초순수로 각 5분씩 실시한 후, 공기중 100℃에서 건조시켰다.
타겟으로는 In2O3 소결체(사이즈 20㎜Ф5㎜t)를 이용했다. 이것은 출발원료 In2O3(4N시약)를 가소(假燒)(1000℃ : 2h), 건식분쇄, 본 소결(1550℃ : 2h)을 거쳐 준비했다.
성장실 도달 진공은 2×10-6(Pa)이고, 성장중의 산소분압은 5(Pa)로 하고, 수증기분압 0.1(Pa)로 하고 , 더욱이 산소 라디칼 발생장치에 200W를 인가하여 산소 라디칼을 발생시켰다. 기판온도는 실온으로 했다. 타겟과 피성막기판 사이의 거리는 40(㎜), KrF 엑시머 레이저의 출력(power)은 0.5(mJ/㎠/pulse), 펄스 폭은 20(nsec), 반복주파수는 10(Hz), 조사지점(spot) 지름은 1×1(㎜각)이었다. 성막 비율(rate)은 3(㎚/min)이었다.
얻어진 막에 관해서, 막 면에 밀접하게 입사X선 회절(박막법, 입사각 0.5도)을 실시한 바, 명료한 회절 피크는 검출되지 않고, 제작한 In-O계 막은 아몰퍼스막인 것이 나타났다. 막 두께는 80㎚ 이었다. 얻어진 In-O계 아몰퍼스 산화물막의 전자캐리어 농도는 5×1017/㎤이고, 전자이동도는 약 7㎠/Vㆍ초였다.
(실시예 6 : PLD법에 의한 In-Sn-O계 산화물막의 성막)
PLD법에 의해 두께 200㎛의 In-Sn-O계 산화물막을 성막하는 경우에 대하여 설명한다. 피성막기판으로는 SiO2 글라스 기판(코닝사 제조 1737)을 준비했다. 기판 전 처리로서 초음파 탈지세정을 아세톤, 에탄올, 초순수를 이용하여 각 5분씩 실시했다. 그 후, 공기중 100℃에서 건조시켰다.
타겟은 In2O3-SnO2 소결체(사이즈 20㎜Ф5㎜t)를 준비했다. 이것은 출발원료로서 In2O3-SnO2(4N시약)를 습식혼합(용매 : 에탄올), 가소(假燒)(1000℃ : 2h), 건식분쇄, 본 소결(1550℃ : 2h)을 거쳐 얻어졌다. 타겟의 조성은 (In0 .9Sn0 .1)2 O3 .1 다결정체였다.
성장실 도달 진공은 2×10-6(Pa), 성장중의 산소분압은 5(Pa), 질소분압은 0.1(Pa)로 하고, 더욱이 산소 라디칼 발생장치에 200W를 인가하여 산소 라디칼을 발생시켰다. 기판온도는 실온에서 성막했다. 타겟과 피성막기판 사이의 거리는 30(㎜)로 하고, KrF 엑시머 레이저의 출력(power)은 1.5(mJ/㎠/pulse), 펄스 폭은 20(nsec), 반복주파수는 10(Hz), 조사지점(spot) 지름은 1×1(㎜각)이었다.
성막비율은 6(㎚/min)이었다. 얻어진 막에 관해서, 막 표면에 밀접하게 입사X선 회절(박막법, 입사각 0.5도)을 실시한 바, 명료한 회절 피크는 검출되지 않고, 제작한 In-Sn-O계 막은 아몰퍼스막인 것이 나타났다. 얻어진 In-Sn-O 아몰퍼스 산화물막의 전자캐리어 농도는 8×1017/㎤이고, 전자이동도는 약 5㎠/(Vㆍ초)였다. 막 두께는 100㎚ 이었다.
(실시예 7 : PLD법에 의한 In-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막의 성막)
다음으로, InGa 산화물을 성막하는 경우에 대하여 설명한다. 피성막기판으로 SiO2 글라스 기판(코닝사 제조 1737)을 준비했다. 기판의 전 처리로서 초음파 탈지세정을 아세톤, 에탄올, 초순수를 이용하여 각 5분씩 실시한 후, 공기중 100℃에서 건조시켰다.
타겟으로 (In2O3)1-x-(Ga2O3)x(x=0-1) 소결체(사이즈 20㎜Ф5㎜t)를 준비했다. 또한, 예를 들면 x=0.1의 경우에 타겟은 (In0 .9Ga0 .1)2O3 다결정 소결체라고 하는 것으로 된다. 이것은 출발원료:In2O3-Ga2O2(4N시약)를, 습식혼합(용매 : 에탄올), 가소(假燒)(1000℃ : 2h), 건식분쇄, 본 소결(1550℃ : 2h)을 거쳐 얻어졌다.
성장실 도달 진공은 2×10-6(Pa)이고, 성장중의 산소분압은 1(Pa)로 했다. 기판온도는 실온에서 실시하고, 타겟과 피성막기판 사이의 거리는 30(㎜), KrF 엑시머 레이저의 출력은 1.5(mJ/㎠/pulse), 펄스 폭은 20(nsec), 반복주파수는 10(Hz), 조사지점(spot) 지름은 1×1(㎜각)이었다. 성막비율은 6(㎚/min)이었다.
얻어진 막에 관하여, 막 표면에 밀접하게 입사X선 회절(박막법, 입사각 0.5도)을 실시한 바, 명료한 회절 핌크는 검출되지 않고, 제작한 In-Ga-O계 막은 아몰퍼스막인 것이 나타났다. 막 두께는 120㎚ 이었다. 얻어진 In-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막의 전자캐리어 농도는 8×1016/㎤이고, 전자이동도는 약 1㎠/Vㆍ초였다.
(실시예 8 : In-Zn-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막을 이용한 TFT소자의 제작(글라스 기판))
도 5에 나타낸 탑 게이트형 TFT소자를 제작했다.
먼저, 글라스 기판(1) 위에, InGaO3(ZnO)4 조성을 이루는 다결정 소결체를 타겟으로 하여 산소분압 5Pa의 조건에서 실시예 2의 In-Ga-Zn-O계 아몰퍼스 산화물 박막의 제작법에 의해 채널층(2)로 이용하는 두께 120㎚의 In-Ga-Zn-O계 아몰퍼스막을 형성했다.
더욱이 그 위에 챔버 내 산소분압을 1Pa미만으로 하여 PLD법에 따라 전기전도도가 큰 In-Ga-Zn-O계 아몰퍼스막 및 금막을 각각 30㎚ 적층하고, 포토리소그라피법과 리프트오프법에 의해 드레인 단자(5) 및 소스 단자(6)를 형성했다.
마지막으로 게이트 절연막(3)으로 이용한 Y2O3막을 전자빔 증착법에 의해 성막하고(두께:90㎚, 비유전율:약 15, 리크 전류밀도:0.5MV/㎝ 인가시에 10-3A/㎠), 그 위에 금을 성막하고, 포토리소그라피법과 리프트오프법에 의해 게이트 단자(4)를 형성했다. 채널 길이는 50㎛이고, 채널 폭은 200㎛였다.
(TFT 소자의 특성평가)
도 6에, 실온 하에서 측정한 TFT 소자의 전류-전압 특성을 나타낸다. 드레인 전압 VDS의 증가에 수반하여 드레인 전류 IDS가 증가한 것으로부터 채널이 n형 전도인 것이 밝혀졌다. 이것은 아몰퍼스 In-Ga-Zn-O계 아몰퍼스 산화물막이 n형 전도체라고 하는 사실과 모순되지 않는다. IDS는 VDS=6V 정도로 포화(pinch off)하는 전형적인 반도체 트랜지스터의 거동을 나타냈다. 이득 특성을 조사해본 바, VDS=4V 인가시의 게이트 전압 VGS의 최소치는 약 -0.5V였다. 또한, VG=10V시에는 IDS=1.0×10-5A의 전류가 흘렀다. 이것은 게이트 바이어스에 의해 절연체인 In-Ga-Zn-O계 아몰퍼 스 산화물막 내에 캐리어를 유기가능한 것에 대응한다. 트랜지스터 온ㆍ오프 비는 103 초과였다. 또한, 출력특성으로부터 전계효과 이동도를 산출했더니 포화영역에서 약 7㎠(Vs)-1의 전계효과 이동도를 얻을 수 있었다.
제작한 소자에 가시광을 조사(照射)하여 동일하게 측정하였지만 트랜지스터 특성의 변화는 찾아볼 수 없었다. 또한, 아몰퍼스 산화물의 전자캐리어 농도를 1018/㎤ 미만으로 하는 것으로 TFT의 채널층으로의 적용할 수 있다. 이 전자캐리어 농도로는 1017/㎤ 이하가 바람직하고, 1016/㎤ 이하로 하면 더욱 바람직했다.
(실시예 9 : In-Zn-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막을 이용한 TFT소자의 제작)
도 5에 나타낸 탑 게이트형 TFT 소자를 제작했다. 구체적으로는 폴리에틸렌ㆍ테레프탈레이트(PET) 필름(1) 위에, 실시예 2에 나타낸 성막법에 따라 InGaO3(ZnO) 조성을 가지는 다결정 소결체를 타겟으로 하여 산소분압 5Pa의 분위기에서 채널층(2)으로 이용하는 두께 120㎚의 In-Zn-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막을 형성했다.
더욱이 그 위에 챔버 내 산소분압을 1Pa미만으로 하고 PLD법에 의해 전기전도도가 큰 In-Zn-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막 및 금막을 각각 30㎚ 적층하고, 포토리소그라피법과 리프트오프법에 의해 드레인 단자(5) 및 소스 단자(6)을 형성했다.
마지막으로 게이트 절연막(3)을 전자빔 증착법에 의해 성막하고, 그 위에 금을 성막하여 포토리소그라피법과 리프트오프법에 의해 게이트 단자(4)를 형성했다. 채널 길이는 50㎛이고, 채널 폭은 200㎛였다. 게이트 절연막으로 Y2O3(두께 : 140㎚), Al2O3(두께 : 130㎚) 및 HfO2 (두께 : 140㎚)를 이용한 3종류의 상기 구조를 가지는 TFT를 제작했다.
(TFT소자의 특성평가)
PET 필름 위에 형성한 TFT의 실온하에서 측정한 전류-전압 특성은 도 6과 동일하였다. 즉, 드레인 전압 VDS의 증가에 수반하여 드레인 전류 IDS가 증가하는 것으로부터 채널이 n형 전도체인 것이 밝혀졌다. 이것은 아몰퍼스 In-Ga-Zn-O계 아몰퍼스 산화물막이 n형 전도체라고 하는 사실과 모순되지 않는다. IDS는 VDS=6V 정도로 포화(pinch off)하는 전형적인 트랜지스터의 거동을 나타냈다. 또한, Vg =0일 때에는 Ids= 10-8A, Vg=10V 때에는 IDS=2.0×10-5A의 전류가 흘렀다. 이것은 게이트 바이어스에 의해 절연체의 In-Ga-Zn-O계 아몰퍼스 산화물막 내에 전자캐리어를 유기할 수 있는 것에 대응한다. 트랜지스터 온ㆍ오프 비는 103 을 초과했다. 또한, 출력특성으로부터 전계효과 이동도를 산출했더니 포화영역에서 약 7㎠(Vs)-1의 전계효과 이동도를 얻어졌다.
PET필름 위에 제작한 소자를 곡률반경(曲率半徑) 30㎜으로 굴곡시켜 동일하게 트랜지스터 특성을 측정했지만 트랜지스터 특성에 큰 폭의 변화는 확인되지 않았다. 또한 가시광을 조사하여 동일한 측정을 실시했지만 트랜지스터 특성의 변화 는 찾아볼 수 없었다.
게이트 절연막으로서 Al2O3막을 이용한 TFT에서도, 도 6에 나타낸 것과 유사한 트랜지스터 특성을 나타냈지만 Vg =0일 때에는 Ids= 10-8A, Vg=10V시에는 IDS=5.0×10-6A의 전류가 흘렀다. 트랜지스터 온ㆍ오프 비는 102을 초과했다. 또한, 출력특성으로부터 전계효과 이동도를 산출했더니 포화영역에서 약 2㎠(Vs)-1의 전계효과 이동도가 얻어졌다.
게이트 절연막으로서 HfO2막을 이용한 TFT에서도, 도 6에 나타낸 것과 유사한 트랜지스터 특성을 나타냈지만 Vg =0일 때에는 Ids= 10-8A, Vg=10V시에는 IDS=1.0×10-6A의 전류가 흘렀다. 트랜지스터 온ㆍ오프 비는 102을 초과했다. 또한, 출력특성으로부터 전계효과 이동도를 산출했더니 포화영역에서 약 10㎠(Vs)-1의 전계효과 이동도가 얻어졌다.
(실시예 10 : PLD법에 의한 In2O3 아몰퍼스 산화물막을 이용한 TFT소자의 제작)
도 5에 나타낸 탑 게이트형 TFT 소자를 제작했다. 먼저, 폴리에틸렌ㆍ테레프탈레이트(PET) 필름(1) 위에, 실시예 5에 나타낸 성막법에 따라 채널층(2)으로 이용하는 두께 80㎚의 In2O3 아몰퍼스 산화물막을 형성했다.
더욱이 그 위에 챔버 내 산소분압을 1Pa미만으로 하고 그 위에 산소 라디칼 발생장치로의 인가전압을 제로(Zero)로 하여 PLD법에 의해 전기전도도가 큰 In2O3 아몰퍼스 산화물막 및 금막을 각각 30㎚ 적층하고, 포토리소그라피법과 리프트오프법에 의해 드레인 단자(5) 및 소스 단자(6)을 형성했다.
마지막으로 게이트 절연막(3)으로 이용하는 Y2O3막을 전자 빔 증착법에 의해 성막하고 그 위에 금을 성막하여 포토리소그라피법과 리프트오프법에 의해 게이트 단자(4)를 형성했다.
(TFT소자의 특성평가)
PET 필름 위에 형성한 TFT의 실온하에서 측정한 전류-전압 특성을 측정했다.
드레인 전압 VDS의 증가에 수반하여 드레인 전류 IDS가 증가하는 것으로부터 채널이 n형 반도체인 것이 밝혀졌다.
이것은 In-O계 아몰퍼스 산화물막이 n형 전도체라고 하는 사실과 모순되지 않는다. IDS는 VDS=5V 정도로 포화(pinch off)하는 전형적인 트랜지스터의 거동을 나타냈다. 또한, Vg =0V일 때에는 2×10-8A, Vg=10V시에는 Ids=2.0×10-6A의 전류가 흘렀다. 이것은 게이트 바이어스에 의해 절연체의 In-O계 아몰퍼스 산화물막 내에 전자캐리어를 유기할 수 있는 것에 대응한다. 트랜지스터 온ㆍ오프 비는 약 102이었다. 또한, 출력특성으로부터 전계효과 이동도를 산출했더니 포화영역에서 약 10㎠(Vs)-1 의 전계효과 이동도가 얻어졌다.
글라스 기판 위에 제작한 TFT 소자도 동일한 특성을 나타냈다. PET 필름상에 제작한 소자를 곡률반경 30㎜으로 굴곡시켜 동일하게 트랜지스터 특성을 측정했지만 트랜지스터 특성의 변화는 찾아볼 수 없었다.
(실시예 11 : PLD법에 의한 In-Sn-O계 아몰퍼스 산화물막을 이용한 TFT소자의 제작)
도 5에 나타낸 탑 게이트형 TFT 소자를 제작했다. 먼저, 폴리에틸렌ㆍ테레프탈레이트(PET) 필름(1) 위에, 실시예 6에 나타낸 성막법에 따라 채널층(2)으로 이용하는 두께 100㎚의 In-Sn-O계 아몰퍼스 산화물막을 형성했다.
더욱이 그 위에 챔버 내 산소분압을 1Pa미만으로 하고, 게다가 산소 라디칼 발생장치로의 인가전압을 제로(0)로 하여 PLD법에 의해 전기전도도가 큰 In-Sn-O계 아몰퍼스 산화물막 및 금막을 각각 30㎚ 적층하고, 포토리소그라피법과 리프트오프법에 의해 드레인 단자(5) 및 소스 단자(6)을 형성했다.
마지막으로 게이트 절연막(3)으로 이용하는 Y2O3 막을 전자 빔 증착법에 의해 성막하고, 그 위에 금을 성막하여 포토리소그라피법과 리프트오프법에 의해 게이트 단자(4)를 형성했다.
(TFT 소자의 특성 평가)
PET 필름 위에 형성한 TFT를 실온하에서 측정한 전류-전압 특성을 측정했다.
드레인 전압 VDS의 증가에 수반하여 드레인 전류 IDS가 증가하는 것으로부터 채널이 n형 반도체인 것이 밝혀졌다. 이것은 In-Sn-O계 아몰퍼스 산화물막이 n형 전도체라는 사실과 모순되지 않는다. IDS는 VDS=6V 정도로 포화(pinch off)하는 전형적인 트랜지스터의 거동을 나타냈다. 또한, Vg =0V일 때에는 5×10-8A, VG=10V시에는 IDS=5.0×10-5A의 전류가 흘렀다. 이것은 게이트 바이어스에 의해 절연체의 In-Sn-O계 아몰퍼스 산화물막 내에 전자캐리어를 유기할 수 있는 것에 대응한다. 트랜지스터 온ㆍ오프 비는 약 103이었다. 또한, 출력특성으로부터 전계효과 이동도를 산출했더니 포화영역에서 약 5㎠(Vs)-1의 전계효과 이동도가 얻어졌다.
글라스 기판 위에 제작한 TFT 소자도 동일한 특성을 나타냈다. PET 필름 위에 제작한 소자를 곡률반경 30㎜으로 굴곡시켜 동일하게 트랜지스터 특성을 측정했지만 트랜지스터 특성의 변화는 찾아볼 수 없었다.
(실시예 12 : PLD법에 의한 In-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막을 이용한 TFT소자의 제작)
도 5에 나타낸 탑 게이트형 TFT 소자를 제작했다. 먼저, 폴리에틸렌ㆍ테레프탈레이트(PET) 필름(1) 위에, 실시예 7에 나타낸 성막법에 의해 채널층(2)으로서 이용하는 두께 120㎚의 In-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막을 형성했다.
더욱이 그 위에 챔버 내 산소분압을 1Pa미만으로 하고, 게다가 산소 라디칼 발생장치로의 인가전압을 제로(Zero)로 하여 PLD법에 의해 전기전도도가 큰 In-Ga- O계 아몰퍼스 산화물막 및 금막을 각각 30㎚ 적층하고, 포토리소그라피법과 리프트오프법에 의해 드레인 단자(5) 및 소스 단자(6)을 형성했다.
마지막으로 게이트 절연막(3)으로서 이용하는 Y2O3 막을 전자 빔 증착법에 의해 성막하고, 그 위에 금을 성막하여 포토리소그라피법과 리프트오프법에 의해 게이트 단자(4)를 형성했다.
(TFT 소자의 특성 평가)
PET 필름상에 형성한 TFT를 실온하에서 측정한 전류-전압 특성을 측정했다.
드레인 전압 VDS의 증가에 수반하여 드레인 전류 IDS가 증가하는 것으로부터 채널이 n형 반도체인 것이 밝혀졌다. 이것은 In-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막이 n형 전도체라는 사실과 모순되지 않는다. IDS는 VDS=6V 정도로 포화(pinch off)하는 전형적인 트랜지스터의 거동을 나타냈다. 또한, Vg =0V일 때에는 1×10-8A, VG=10V시에는 IDS=1.0×10-6A의 전류가 흘렀다. 이것은 게이트 바이어스에 의해 절연체의 In-Ga-O계 아몰퍼스 산화물막 내에 전자캐리어를 유기할 수 있는 것에 대응한다. 트랜지스터 온ㆍ오프 비는 약 102이었다. 또한, 출력특성으로부터 전계효과 이동도를 산출했더니 포화영역에서 약 0.8㎠(Vs)-1의 전계효과 이동도가 얻어졌다.
글라스 기판 위에 제작한 TFT 소자도 동일한 특성을 나타냈다. PET 필름상에 제작한 소자를 곡률반경 30㎜으로 굴곡시켜 동일하게 트랜지스터 특성을 측정했지 만 트랜지스터 특성에 큰 폭의 변화는 찾아볼 수 없었다.
또한, 상술한 실시예에서 나타낸 바와 같이, 아몰퍼스 산화물의 전자캐리어 농도를 1018/㎤ 미만으로 하는 것으로 TFT의 채널층으로서의 적용이 가능하다. 이 전자캐리어 농도로는 1017/㎤ 이하가 보다 바람직하고, 1016/㎤ 이하로 하면 더욱 바람직하다.
본 발명에 관한 아몰퍼스 산화물은 박막 트랜지스터 등의 반도체 장치(device)에 이용할 수 있다. 그리고, 이 박막 트랜지스터는 예를 들면, LCD나 유기EL 디스플레이의 스위칭 소자로서 응용할 수 있고, 플랙시블ㆍ디스플레이를 비롯하여 시스루(see-through)형의 디스플레이, IC카드나 ID태그(tag) 등에 폭넓게 응용할 수 있다.

Claims (21)

  1. 전자캐리어 농도가 1018/㎤ 미만인 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 산화물.
  2. 전자캐리어 농도가 1017/㎤ 이하인 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 산화물.
  3. 전자캐리어 농도가 1016/㎤ 이하인 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 산화물.
  4. 전자캐리어 농도가 증가함과 동시에 전자이동도가 증가하는 것을 특징으로 하는 아몰퍼스 산화물.
  5. 전자이동도가 0.1㎠/(Vㆍ초) 초과인 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 4중 어느 한 항에 기재된 아몰퍼스 산화물.
  6. 축퇴전도를 나타내는 청구항 1 내지 5중 어느 한 항에 기재된 아몰스 산화물.
  7. 청구항 1 내지 6중 어느 한 항에 있어서, 상기 아몰퍼스 산화물이 Zn, In, 및 Sn 중 적어도 1종류의 원소를 구성성분으로 하여 [(Sn1 - xM4x)O2]aㆍ[(In1 - yM3y)2O3]bㆍ[(Zn1 - xM2xO]c (0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤z≤1, 한편 x, y, z는 동시에 1이 아니고, 0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤c≤1, a+b+c=1, M4는 Sn보다 원자번호가 작은 Ⅳ족 원소, M3은 In보다 원자번호가 작은 Ⅲ족 원소 또는 Lu, M2는 Zn보다 원자번호가 작은 Ⅱ족 원소)로 나타나는 화합물인 아몰퍼스 산화물.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 아몰퍼스 산화물이 V족 원소 M5 또는 W중 적어도 1종류의 원소를 포함하는 아몰퍼스 산화물.
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 아몰퍼스 산화물이 결정상태에서의 조성이 (InM3)2O3(Zn1-xM2xO)m (0≤x≤1, m은 0 또는 6 미만의 자연수, M3은 In보다 원자번호가 작은 Ⅲ족 원소 또는 Lu, M2는 Zn보다 원자번호가 작은 Ⅱ족 원소)로 표시되는 화합물 단체 또는 m의 값이 다른 화합물의 혼합체인 아몰퍼스 산화물.
  10. 청구항 9에 있어서, M3가 Ga인 아몰퍼스 산화물.
  11. 청구항 9 또는 10에 있어서, M2가 Mg인 아몰퍼스 산화물.
  12. 글라스 기판, 금속 기판, 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름 위에 설치된 청 구항 1 내지 11의 어느 한 항에 기재된 아몰퍼스 산화물.
  13. 청구항 1 내지 12의 어느 한 항에 기재된 아몰퍼스 산화물을 채널층으로 이용한 전계효과형 트랜지스터.
  14. Al2O3, Y2O3, 또는 HfO2의 1종 또는 그들 화합물을 적어도 2종 포함하는 혼정 화합물을 게이트 절연층으로 하는 청구항 13 기재의 전계효과형 트랜지스터.
  15. 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 전극, 게이트 절연막 및 채널층을 가지는 박막 트랜지스터로서, 상기 채널층에 전자캐리어 농도가 1016/㎤ 미만인 아몰퍼스 산화물이 이용되고 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 아몰퍼스 산화물의 전자캐리어 농도가 1017/㎤ 이하인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  17. 청구항 15에 있어서, 상기 아몰퍼스 산화물의 전자캐리어 농도가 1016/㎤ 이하인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  18. 청구항 15 내지 17중 어느 한 항에 있어서, 상기 아몰퍼스 산화물이 In, Ga, Zn을 포함하는 산화물로서 원자수 비가 In:Ga:Zn=1:1:m(m〈6) 인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  19. 청구항 15 내지 17중 어느 한 항에 있어서, 상기 아몰퍼스 산화물이 In, Ga, Zn 및 Mg을 포함하는 산화물로서, 원자수 비가 In: Ga: Zn1 - xMgx=1:1:m(m＜6), 0＜x≤1인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  20. 청구항 15 내지 17의 어느 한 항에 있어서, 상기 아몰퍼스 산화물이 InxGa1 -x 산화물(0≤x≤1), InxZn1 -x산화물(0.2≤x≤1), InxSn1 -x산화물(0.8≤x≤1), 또는 Inx(Zn, Sn)1-x산화물(0.15≤x≤1)인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
  21. 청구항 15 내지 17의 어느 한 항에 있어서, 상기 아몰퍼스 산화물은 전자캐리어 농도가 증가함과 동시에 전자이동도가 증가하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100858088B1 (ko) * 2007-02-28 2008-09-10 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
EP1993141A1 (en) 2007-05-17 2008-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. ZnO-based thin film transistor and method of manufacturing the same
KR100889688B1 (ko) * 2007-07-16 2009-03-19 삼성모바일디스플레이주식회사 반도체 활성층 제조 방법, 그를 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법 및 반도체 활성층을 구비하는 박막 트랜지스터
US7682882B2 (en) 2007-06-20 2010-03-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing ZnO-based thin film transistor
US7863607B2 (en) 2007-06-14 2011-01-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
KR101148829B1 (ko) * 2008-10-23 2012-05-29 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터
US8188472B2 (en) 2007-04-19 2012-05-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor, method of manufacturing the same, and flat panel display having the same
US8349647B2 (en) 2007-05-29 2013-01-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistors and methods of manufacturing the same
US8450732B2 (en) 2007-06-19 2013-05-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
US8749725B2 (en) 2010-06-17 2014-06-10 Samsung Display Co., Ltd. Flat panel display apparatus and method of manufacturing the same
KR20180110235A (ko) * 2009-03-12 2018-10-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR20220104940A (ko) 2021-01-19 2022-07-26 주식회사 원빈테크 중량 조절 제어장치를 구비한 운동기구

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7642573B2 (en) 2004-03-12 2010-01-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
CN102354658B (zh) * 2004-03-12 2015-04-01 独立行政法人科学技术振兴机构 薄膜晶体管的制造方法
US8314420B2 (en) * 2004-03-12 2012-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device with multiple component oxide channel
US7242039B2 (en) * 2004-03-12 2007-07-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
JP5138163B2 (ja) * 2004-11-10 2013-02-06 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
JP5126729B2 (ja) * 2004-11-10 2013-01-23 キヤノン株式会社 画像表示装置
RU2358355C2 (ru) 2004-11-10 2009-06-10 Кэнон Кабусики Кайся Полевой транзистор
JP2006165530A (ja) * 2004-11-10 2006-06-22 Canon Inc センサ及び非平面撮像装置
US7453065B2 (en) * 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
EP1812969B1 (en) * 2004-11-10 2015-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor comprising an amorphous oxide
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
EP1810335B1 (en) 2004-11-10 2020-05-27 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI505473B (zh) * 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
TWI467702B (zh) 2005-03-28 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 記憶裝置和其製造方法
US7928938B2 (en) 2005-04-19 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus
US7710739B2 (en) 2005-04-28 2010-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
TWI429327B (zh) 2005-06-30 2014-03-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置、顯示裝置、及電子設備
US9318053B2 (en) * 2005-07-04 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8629819B2 (en) 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI424408B (zh) 2005-08-12 2014-01-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，和安裝有該半導體裝置的顯示裝置和電子裝置
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP5058469B2 (ja) * 2005-09-06 2012-10-24 キヤノン株式会社 スパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた薄膜の形成方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4981282B2 (ja) * 2005-09-06 2012-07-18 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
EP1764770A3 (en) * 2005-09-16 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
JP5006598B2 (ja) * 2005-09-16 2012-08-22 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
EP1998374A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5427340B2 (ja) * 2005-10-14 2014-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2007043493A1 (en) 2005-10-14 2007-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2007115735A (ja) * 2005-10-18 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd トランジスタ
JP2007115808A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd トランジスタ
JP2007115807A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd トランジスタ
JP5037808B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
JP5098151B2 (ja) * 2005-10-31 2012-12-12 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP5098152B2 (ja) * 2005-10-31 2012-12-12 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP5224676B2 (ja) * 2005-11-08 2013-07-03 キヤノン株式会社 表示装置の製造方法
JP4560505B2 (ja) 2005-11-08 2010-10-13 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
KR101117948B1 (ko) * 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
JP5376750B2 (ja) * 2005-11-18 2013-12-25 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
JP5395994B2 (ja) * 2005-11-18 2014-01-22 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
WO2007058248A1 (ja) * 2005-11-18 2007-05-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
US7314801B2 (en) * 2005-12-20 2008-01-01 Palo Alto Research Center Incorporated Semiconductor device having a surface conducting channel and method of forming
US7821613B2 (en) 2005-12-28 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP5177954B2 (ja) * 2006-01-30 2013-04-10 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP2007212699A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Idemitsu Kosan Co Ltd 反射型ｔｆｔ基板及び反射型ｔｆｔ基板の製造方法
US8599111B2 (en) * 2006-03-10 2013-12-03 Canon Kabushiki Kaisha Driving circuit of display element and image display apparatus
WO2007105605A1 (en) * 2006-03-10 2007-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the same
JP5224702B2 (ja) 2006-03-13 2013-07-03 キヤノン株式会社 画素回路、及び当該画素回路を有する画像表示装置
WO2007108371A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5110803B2 (ja) * 2006-03-17 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2007250982A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置
JP5016831B2 (ja) 2006-03-17 2012-09-05 キヤノン株式会社 酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた発光素子及びこれを用いた画像表示装置
JP5196813B2 (ja) * 2006-03-20 2013-05-15 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物膜をゲート絶縁層に用いた電界効果型トランジスタ
US7616179B2 (en) 2006-03-31 2009-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL display apparatus and driving method therefor
TWI430234B (zh) * 2006-04-05 2014-03-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，顯示裝置，和電子裝置
EP2924498A1 (en) * 2006-04-06 2015-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance
JP2007286150A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Idemitsu Kosan Co Ltd 電気光学装置、並びに、電流制御用ｔｆｔ基板及びその製造方法
KR100785038B1 (ko) * 2006-04-17 2007-12-12 삼성전자주식회사 비정질 ＺｎＯ계 ＴＦＴ
JP5364242B2 (ja) * 2006-04-28 2013-12-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7692223B2 (en) * 2006-04-28 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8900970B2 (en) 2006-04-28 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a flexible substrate
JP5105044B2 (ja) * 2006-05-09 2012-12-19 株式会社ブリヂストン 酸化物トランジスタ及びその製造方法
JP2007311404A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Fuji Electric Holdings Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP4614148B2 (ja) * 2006-05-25 2011-01-19 富士電機ホールディングス株式会社 酸化物半導体及び薄膜トランジスタの製造方法
US7443202B2 (en) 2006-06-02 2008-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic apparatus having the same
US7847904B2 (en) * 2006-06-02 2010-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
JP5210546B2 (ja) * 2006-06-02 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4999400B2 (ja) * 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
CA2556961A1 (en) * 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
JP5127183B2 (ja) 2006-08-23 2013-01-23 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
JP5007792B2 (ja) * 2006-08-24 2012-08-22 株式会社ブリヂストン ｐ型Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜の成膜方法
US7651896B2 (en) 2006-08-30 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
EP1895545B1 (en) 2006-08-31 2014-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
US7646015B2 (en) 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
JP5216204B2 (ja) 2006-10-31 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその作製方法
JP2008115025A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 省インジウム系ｉｔｏ微粒子及びその製造方法
JP5305630B2 (ja) * 2006-12-05 2013-10-02 キヤノン株式会社 ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
US8058675B2 (en) * 2006-12-27 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device using the same
KR101312259B1 (ko) 2007-02-09 2013-09-25 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR101509663B1 (ko) 2007-02-16 2015-04-06 삼성전자주식회사 산화물 반도체층 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자제조방법
US8436349B2 (en) 2007-02-20 2013-05-07 Canon Kabushiki Kaisha Thin-film transistor fabrication process and display device
JP2008235871A (ja) * 2007-02-20 2008-10-02 Canon Inc 薄膜トランジスタの形成方法及び表示装置
JP5196870B2 (ja) * 2007-05-23 2013-05-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体を用いた電子素子及びその製造方法
WO2008105347A1 (en) * 2007-02-20 2008-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Thin-film transistor fabrication process and display device
JP5121254B2 (ja) * 2007-02-28 2013-01-16 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタおよび表示装置
WO2008117739A1 (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 半導体デバイス、多結晶半導体薄膜、多結晶半導体薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ、及び、電界効果型トランジスタの製造方法
JP5244331B2 (ja) * 2007-03-26 2013-07-24 出光興産株式会社 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット
KR101334181B1 (ko) * 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
JP2008277326A (ja) * 2007-04-25 2008-11-13 Canon Inc アモルファス酸化物半導体、半導体デバイス及び薄膜トランジスタ
US7927713B2 (en) 2007-04-27 2011-04-19 Applied Materials, Inc. Thin film semiconductor material produced through reactive sputtering of zinc target using nitrogen gases
JP2009194351A (ja) * 2007-04-27 2009-08-27 Canon Inc 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5542296B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP5542297B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP5245287B2 (ja) 2007-05-18 2013-07-24 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法、薄膜トランジスタ基板の製造方法および表示装置の製造方法
JP4989309B2 (ja) 2007-05-18 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR101448899B1 (ko) * 2007-06-12 2014-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 커패시터리스 메모리
US7935964B2 (en) * 2007-06-19 2011-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
US8354674B2 (en) 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
JP5718052B2 (ja) 2007-08-02 2015-05-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 薄膜半導体材料を用いる薄膜トランジスタ
JP5393058B2 (ja) * 2007-09-05 2014-01-22 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP5354999B2 (ja) * 2007-09-26 2013-11-27 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタの製造方法
JP4759598B2 (ja) * 2007-09-28 2011-08-31 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた表示装置
JP2009099887A (ja) * 2007-10-19 2009-05-07 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP5489446B2 (ja) * 2007-11-15 2014-05-14 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
US7982216B2 (en) * 2007-11-15 2011-07-19 Fujifilm Corporation Thin film field effect transistor with amorphous oxide active layer and display using the same
KR101270174B1 (ko) * 2007-12-03 2013-05-31 삼성전자주식회사 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법
JP5213429B2 (ja) * 2007-12-13 2013-06-19 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
KR101516034B1 (ko) 2007-12-25 2015-05-04 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 산화물 반도체 전계효과형 트랜지스터 및 그의 제조 방법
CN101910450B (zh) 2007-12-27 2012-08-29 Jx日矿日石金属株式会社 a-IGZO氧化物薄膜的制备方法
JP5213458B2 (ja) 2008-01-08 2013-06-19 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ
JP5219529B2 (ja) * 2008-01-23 2013-06-26 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及び、該電界効果型トランジスタを備えた表示装置
JP5264197B2 (ja) 2008-01-23 2013-08-14 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ
NO332409B1 (no) * 2008-01-24 2012-09-17 Well Technology As Anordning og fremgangsmate for a isolere en seksjon av et bronnhull
JP2009206508A (ja) * 2008-01-31 2009-09-10 Canon Inc 薄膜トランジスタ及び表示装置
JP5191247B2 (ja) * 2008-02-06 2013-05-08 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
WO2009117438A2 (en) * 2008-03-20 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer
JP2009267399A (ja) * 2008-04-04 2009-11-12 Fujifilm Corp 半導体装置，半導体装置の製造方法，表示装置及び表示装置の製造方法
US8017045B2 (en) * 2008-04-16 2011-09-13 Electronics And Telecommunications Research Institute Composition for oxide semiconductor thin film and field effect transistor using the composition
JP5704790B2 (ja) * 2008-05-07 2015-04-22 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ、および、表示装置
JP5202094B2 (ja) * 2008-05-12 2013-06-05 キヤノン株式会社 半導体装置
JP5305731B2 (ja) * 2008-05-12 2013-10-02 キヤノン株式会社 半導体素子の閾値電圧の制御方法
KR101496148B1 (ko) 2008-05-15 2015-02-27 삼성전자주식회사 반도체소자 및 그 제조방법
US9041202B2 (en) * 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR101344594B1 (ko) 2008-05-22 2013-12-26 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟, 그것을 이용한 비정질 산화물 박막의 형성 방법, 및 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR101468591B1 (ko) * 2008-05-29 2014-12-04 삼성전자주식회사 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
US9045823B2 (en) * 2008-06-10 2015-06-02 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sintered oxide compact target for sputtering and process for producing the same
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
US8258511B2 (en) 2008-07-02 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Thin film transistors using multiple active channel layers
JP5511157B2 (ja) 2008-07-03 2014-06-04 キヤノン株式会社 発光表示装置
US20100006837A1 (en) * 2008-07-09 2010-01-14 Electronics And Telecommunications Research Institute Composition for oxide semiconductor thin film, field effect transistor using the composition and method of fabricating the transistor
JP5358324B2 (ja) 2008-07-10 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電子ペーパー
KR102112799B1 (ko) 2008-07-10 2020-05-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
JP5616038B2 (ja) 2008-07-31 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI500159B (zh) 2008-07-31 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
JP2010056541A (ja) 2008-07-31 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
KR101468594B1 (ko) * 2008-07-31 2014-12-04 삼성전자주식회사 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
TWI627757B (zh) 2008-07-31 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI413260B (zh) 2008-07-31 2013-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP5608347B2 (ja) 2008-08-08 2014-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
TWI637444B (zh) 2008-08-08 2018-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5480554B2 (ja) 2008-08-08 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5525778B2 (ja) 2008-08-08 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI508282B (zh) 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
KR20100023151A (ko) * 2008-08-21 2010-03-04 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US10644163B2 (en) 2008-08-27 2020-05-05 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Semiconductor film comprising an oxide containing in atoms, Sn atoms and Zn atoms
US8129718B2 (en) 2008-08-28 2012-03-06 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide semiconductor and thin film transistor using the same
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
TWI569454B (zh) 2008-09-01 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101665734B1 (ko) 2008-09-12 2016-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 생산 방법
WO2010029865A1 (en) 2008-09-12 2010-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101623224B1 (ko) 2008-09-12 2016-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101657957B1 (ko) * 2008-09-12 2016-09-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101911386B1 (ko) 2008-09-19 2018-12-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
CN102881696A (zh) 2008-09-19 2013-01-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置
EP2421030B1 (en) 2008-09-19 2020-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101563527B1 (ko) 2008-09-19 2015-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
WO2010032638A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2010038599A1 (en) 2008-10-01 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2010038820A1 (en) 2008-10-03 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2010038819A1 (en) 2008-10-03 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN103928476A (zh) 2008-10-03 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20110069831A (ko) * 2008-10-03 2011-06-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 변조회로 및 그것을 갖는 반도체장치
EP2172804B1 (en) 2008-10-03 2016-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device
JP5430113B2 (ja) * 2008-10-08 2014-02-26 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
CN101719493B (zh) 2008-10-08 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP5484853B2 (ja) 2008-10-10 2014-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101799601B1 (ko) 2008-10-16 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치
WO2010044235A1 (ja) * 2008-10-16 2010-04-22 株式会社アルバック スパッタリング装置、薄膜形成方法及び電界効果型トランジスタの製造方法
JP5361651B2 (ja) 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102251817B1 (ko) 2008-10-24 2021-05-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP5616012B2 (ja) 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8106400B2 (en) 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101667909B1 (ko) 2008-10-24 2016-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2010047288A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
JP5442234B2 (ja) 2008-10-24 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
KR101603303B1 (ko) 2008-10-31 2016-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법
WO2010050419A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and display device
TWI633605B (zh) 2008-10-31 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101631454B1 (ko) 2008-10-31 2016-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리회로
JP2010135771A (ja) 2008-11-07 2010-06-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び当該半導体装置の作製方法
CN103730509B (zh) 2008-11-07 2018-03-30 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
TWI574423B (zh) 2008-11-07 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
EP2184783B1 (en) * 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI487104B (zh) 2008-11-07 2015-06-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
CN101740631B (zh) 2008-11-07 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及该半导体装置的制造方法
TWI656645B (zh) 2008-11-13 2019-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101432764B1 (ko) * 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010153802A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2010123836A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Idemitsu Kosan Co Ltd Ｉｎ−Ｓｎ−Ｌｎ系半導体膜を有する薄膜トランジスタ
KR101671660B1 (ko) 2008-11-21 2016-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 기기
TWI571684B (zh) 2008-11-28 2017-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
TWI585955B (zh) 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置
TWI529949B (zh) 2008-11-28 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
WO2010064590A1 (en) * 2008-12-01 2010-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI613489B (zh) 2008-12-03 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP5491833B2 (ja) 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8753548B2 (en) 2008-12-12 2014-06-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Composite oxide sintered body and sputtering target comprising same
CN103456794B (zh) 2008-12-19 2016-08-10 株式会社半导体能源研究所 晶体管的制造方法
JP5615540B2 (ja) * 2008-12-19 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2202802B1 (en) 2008-12-24 2012-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR101719350B1 (ko) * 2008-12-25 2017-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8383470B2 (en) 2008-12-25 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof
TWI654689B (zh) 2008-12-26 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5590877B2 (ja) 2008-12-26 2014-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101648927B1 (ko) * 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP5210187B2 (ja) 2009-01-22 2013-06-12 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
US8492756B2 (en) 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8436350B2 (en) 2009-01-30 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters
US8367486B2 (en) 2009-02-05 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the transistor
US8174021B2 (en) 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US8749930B2 (en) * 2009-02-09 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device
CN101840936B (zh) 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
US8247812B2 (en) 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8278657B2 (en) 2009-02-13 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8529802B2 (en) 2009-02-13 2013-09-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Solution composition and method of forming thin film and method of manufacturing thin film transistor using the solution composition
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8841661B2 (en) * 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
US20100217090A1 (en) * 2009-02-26 2010-08-26 Heiges Bradley A Retractor and mounting pad
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20100224878A1 (en) 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5504008B2 (ja) 2009-03-06 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI556323B (zh) 2009-03-13 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
WO2010110571A2 (en) * 2009-03-23 2010-09-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductor and thin film transistor including the same
US8450144B2 (en) * 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI617029B (zh) 2009-03-27 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101752640B1 (ko) 2009-03-27 2017-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR101681884B1 (ko) 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
TWI485851B (zh) 2009-03-30 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI489628B (zh) * 2009-04-02 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US8338226B2 (en) * 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5455753B2 (ja) * 2009-04-06 2014-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｉｃカード
US8319300B2 (en) 2009-04-09 2012-11-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Solution composition for forming oxide thin film and electronic device including the oxide thin film
US8441047B2 (en) 2009-04-10 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI535023B (zh) 2009-04-16 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
EP2422372A1 (en) * 2009-04-24 2012-02-29 Panasonic Corporation Oxide semiconductor
WO2010125986A1 (en) 2009-05-01 2010-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5751762B2 (ja) 2009-05-21 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5396335B2 (ja) 2009-05-28 2014-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル
EP2256814B1 (en) 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5564331B2 (ja) 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2256795B1 (en) 2009-05-29 2014-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for oxide semiconductor device
JP5528727B2 (ja) * 2009-06-19 2014-06-25 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ製造装置、酸化物半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及び発光デバイス
KR101968855B1 (ko) 2009-06-30 2019-04-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
EP2449594B1 (en) 2009-06-30 2019-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011002046A1 (en) 2009-06-30 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101604577B1 (ko) 2009-06-30 2016-03-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
US20110000175A1 (en) * 2009-07-01 2011-01-06 Husqvarna Consumer Outdoor Products N.A. Inc. Variable speed controller
KR101476817B1 (ko) 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
JP5663214B2 (ja) 2009-07-03 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20170119742A (ko) 2009-07-03 2017-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011004723A1 (en) 2009-07-10 2011-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method the same
KR101422362B1 (ko) 2009-07-10 2014-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 패널 및 전자 기기
SG10201403913PA (en) 2009-07-10 2014-10-30 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
WO2011007677A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011007682A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR101739154B1 (ko) 2009-07-17 2017-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011010545A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20180112107A (ko) 2009-07-18 2018-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
WO2011010541A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101768786B1 (ko) 2009-07-18 2017-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2011010542A1 (en) 2009-07-23 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010546A1 (en) 2009-07-24 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102526493B1 (ko) 2009-07-31 2023-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
KR101235776B1 (ko) 2009-07-31 2013-02-21 후지필름 가부시키가이샤 유기 디바이스용 증착 재료 및 유기 디바이스의 제조 방법
CN102473734B (zh) 2009-07-31 2015-08-12 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
JP4598136B1 (ja) 2009-07-31 2010-12-15 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
KR20190141791A (ko) 2009-07-31 2019-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011013523A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011013502A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI596741B (zh) 2009-08-07 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI634642B (zh) 2009-08-07 2018-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP5642447B2 (ja) * 2009-08-07 2014-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI830077B (zh) 2009-08-07 2024-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5663231B2 (ja) 2009-08-07 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI582951B (zh) * 2009-08-07 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置
EP2284891B1 (en) 2009-08-07 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
DE102009038589B4 (de) * 2009-08-26 2014-11-20 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg TFT-Struktur mit Cu-Elektroden
US8115883B2 (en) 2009-08-27 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
WO2011027649A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device
CN105810753A (zh) 2009-09-04 2016-07-27 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011027656A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
KR101746198B1 (ko) 2009-09-04 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
US9805641B2 (en) * 2009-09-04 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
CN102484140B (zh) 2009-09-04 2015-04-22 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
WO2011027664A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
WO2011027702A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR101707433B1 (ko) 2009-09-04 2017-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
EP2544237B1 (en) 2009-09-16 2017-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
WO2011033914A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device and display device
KR102246529B1 (ko) 2009-09-16 2021-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011034012A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
EP2478563B1 (en) * 2009-09-16 2021-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing a samesemiconductor device
KR102480780B1 (ko) 2009-09-16 2022-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
US9715845B2 (en) 2009-09-16 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
KR101700470B1 (ko) * 2009-09-16 2017-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기
US8460452B2 (en) 2009-09-24 2013-06-11 Fuji Xerox Co., Ltd. Oxide material, electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming device
KR101470785B1 (ko) 2009-09-24 2014-12-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
WO2011037008A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
CN102576677B (zh) 2009-09-24 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 半导体元件及其制造方法
CN105161543A (zh) 2009-09-24 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR101740943B1 (ko) 2009-09-24 2017-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20180094132A (ko) 2009-09-24 2018-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 상기 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 상기 표시 장치를 포함하는 전자 기기
JP5655288B2 (ja) * 2009-09-25 2015-01-21 富士ゼロックス株式会社 酸化物膜、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
TWI512997B (zh) 2009-09-24 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法
KR102054650B1 (ko) 2009-09-24 2019-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
JP5889791B2 (ja) 2009-09-24 2016-03-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ソース・ドレイン金属エッチングのためのウェットプロセスを用いた金属酸化物又は金属酸窒化物ｔｆｔの製造方法
KR101707260B1 (ko) 2009-09-24 2017-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8840763B2 (en) * 2009-09-28 2014-09-23 Applied Materials, Inc. Methods for stable process in a reactive sputtering process using zinc or doped zinc target
JP5613508B2 (ja) 2009-09-30 2014-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 レドックスキャパシタ
WO2011040213A1 (en) 2009-10-01 2011-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011043182A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device
KR20120084751A (ko) 2009-10-05 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101623619B1 (ko) 2009-10-08 2016-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체층 및 반도체 장치
KR101991006B1 (ko) 2009-10-08 2019-06-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011043164A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR101949670B1 (ko) 2009-10-09 2019-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102576737B (zh) 2009-10-09 2015-10-21 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
EP2486595B1 (en) 2009-10-09 2019-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
KR101820973B1 (ko) * 2009-10-09 2018-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
WO2011043206A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20120083341A (ko) * 2009-10-09 2012-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함하는 전자 기기
CN102549638B (zh) 2009-10-09 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 发光显示器件以及包括该发光显示器件的电子设备
US9171640B2 (en) 2009-10-09 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device
WO2011043215A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device and driving method thereof
KR101680047B1 (ko) 2009-10-14 2016-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101962603B1 (ko) 2009-10-16 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기
KR102290831B1 (ko) 2009-10-16 2021-08-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치
KR101745747B1 (ko) 2009-10-16 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로 및 반도체 장치
KR101772639B1 (ko) 2009-10-16 2017-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102689629B1 (ko) 2009-10-16 2024-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102162746B1 (ko) 2009-10-21 2020-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
CN112447130A (zh) 2009-10-21 2021-03-05 株式会社半导体能源研究所 显示装置和包括显示装置的电子设备
KR101847656B1 (ko) * 2009-10-21 2018-05-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101801959B1 (ko) 2009-10-21 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기
JP5730529B2 (ja) 2009-10-21 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101402294B1 (ko) 2009-10-21 2014-06-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
EP2491586B1 (en) 2009-10-21 2019-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
WO2011048923A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
WO2011052396A1 (en) 2009-10-29 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP2494594B1 (en) 2009-10-29 2020-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
SG188112A1 (en) 2009-10-30 2013-03-28 Semiconductor Energy Lab Logic circuit and semiconductor device
WO2011052411A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
TWI409561B (zh) * 2009-10-30 2013-09-21 Innolux Corp 液晶顯示器與其製造方法
WO2011052382A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011052409A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
EP2494601A4 (en) * 2009-10-30 2016-09-07 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
CN102484471B (zh) 2009-10-30 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括该驱动器电路的显示设备和包括该显示设备的电子设备
CN102576172B (zh) 2009-10-30 2016-01-27 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备、其驱动方法以及包括该液晶显示设备的电子电器
WO2011052366A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
KR101796909B1 (ko) 2009-10-30 2017-12-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 비선형 소자, 표시 장치, 및 전자 기기
WO2011052437A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
KR101837102B1 (ko) 2009-10-30 2018-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101293262B1 (ko) * 2009-10-30 2013-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101740684B1 (ko) 2009-10-30 2017-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 다이오드, 정류기 및 그것을 가지는 반도체 장치
KR101788521B1 (ko) 2009-10-30 2017-10-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5539846B2 (ja) 2009-11-06 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 評価方法、半導体装置の作製方法
KR101727469B1 (ko) * 2009-11-06 2017-04-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
EP2497115A4 (en) 2009-11-06 2015-09-02 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
CN104465318B (zh) 2009-11-06 2018-04-24 株式会社半导体能源研究所 制造半导体器件的方法
CN104600074A (zh) 2009-11-06 2015-05-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101747158B1 (ko) 2009-11-06 2017-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
WO2011055769A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and semiconductor device, and deposition apparatus
KR101605984B1 (ko) 2009-11-06 2016-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011055668A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011055660A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102148664B1 (ko) 2009-11-06 2020-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011055626A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2011100944A (ja) 2009-11-09 2011-05-19 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
WO2011058865A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor devi ce
WO2011058913A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102612714B (zh) 2009-11-13 2016-06-29 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其驱动方法
WO2011058867A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing the same, and transistor
KR101975741B1 (ko) 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
KR101721850B1 (ko) 2009-11-13 2017-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20230174763A (ko) 2009-11-13 2023-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
WO2011058864A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device including nonvolatile memory element
KR20120094013A (ko) 2009-11-13 2012-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터
KR101787353B1 (ko) 2009-11-13 2017-10-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2011129873A (ja) * 2009-11-17 2011-06-30 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法、電子機器
WO2011062029A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
JP5596963B2 (ja) * 2009-11-19 2014-09-24 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット及びそれを用いた薄膜トランジスタ
KR101800854B1 (ko) 2009-11-20 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
WO2011062057A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI507934B (zh) * 2009-11-20 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
KR101995704B1 (ko) 2009-11-20 2019-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR20140074404A (ko) 2009-11-20 2014-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
KR101752212B1 (ko) * 2009-11-20 2017-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5866089B2 (ja) * 2009-11-20 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
CN102668063B (zh) * 2009-11-20 2015-02-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101693914B1 (ko) 2009-11-20 2017-01-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102682982B1 (ko) 2009-11-20 2024-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101700154B1 (ko) 2009-11-20 2017-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 래치 회로와 회로
JP5762723B2 (ja) 2009-11-20 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 変調回路及びそれを備えた半導体装置
WO2011065183A1 (en) 2009-11-24 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory cell
KR101506304B1 (ko) 2009-11-27 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
WO2011065209A1 (en) 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
KR101911382B1 (ko) 2009-11-27 2018-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102640293B (zh) * 2009-11-27 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
WO2011065210A1 (en) 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
KR101824124B1 (ko) 2009-11-28 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101329849B1 (ko) 2009-11-28 2013-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011065216A1 (en) 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
WO2011065230A1 (en) 2009-11-30 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, method for driving the same, and electronic device including the same
JP5679143B2 (ja) 2009-12-01 2015-03-04 ソニー株式会社 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器
WO2011068028A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
KR102333270B1 (ko) 2009-12-04 2021-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2011139052A (ja) 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
WO2011068025A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc converter circuit and power supply circuit
JP5584103B2 (ja) * 2009-12-04 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011068021A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN104795323B (zh) 2009-12-04 2017-12-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR102450889B1 (ko) 2009-12-04 2022-10-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101963300B1 (ko) 2009-12-04 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101943109B1 (ko) 2009-12-04 2019-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011068106A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
WO2011068022A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011068016A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101470303B1 (ko) 2009-12-08 2014-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101511076B1 (ko) * 2009-12-08 2015-04-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011070902A1 (en) 2009-12-10 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP5727204B2 (ja) 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101777643B1 (ko) 2009-12-11 2017-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 논리 회로, 및 cpu
WO2011070901A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2011070928A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20170116239A (ko) 2009-12-11 2017-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
JP5185357B2 (ja) * 2009-12-17 2013-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101743620B1 (ko) 2009-12-18 2017-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법
US9057758B2 (en) * 2009-12-18 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group
KR101763660B1 (ko) 2009-12-18 2017-08-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
WO2011074407A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011074392A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102067919B1 (ko) 2009-12-18 2020-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
WO2011074506A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102275522B1 (ko) 2009-12-18 2021-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
CN102668377B (zh) 2009-12-18 2015-04-08 株式会社半导体能源研究所 非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用它们的半导体器件
KR101768433B1 (ko) 2009-12-18 2017-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
CN102652396B (zh) 2009-12-23 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011077926A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2011077916A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8441009B2 (en) * 2009-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011077978A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
WO2011077966A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101781336B1 (ko) 2009-12-25 2017-09-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011077946A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011077925A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving liquid crystal display device
KR101393265B1 (ko) * 2009-12-25 2014-05-08 가부시키가이샤 리코 전계효과 트랜지스터, 반도체 메모리, 표시 소자, 화상 표시 장치, 및 시스템
KR102712211B1 (ko) 2009-12-25 2024-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 장치, 반도체 장치, 및 전자 장치
CN105047669B (zh) 2009-12-28 2018-08-14 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和半导体装置
CN104867984B (zh) 2009-12-28 2018-11-06 株式会社半导体能源研究所 制造半导体装置的方法
WO2011081041A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR101842413B1 (ko) 2009-12-28 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101749944B1 (ko) 2009-12-28 2017-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
EP2519969A4 (en) 2009-12-28 2016-07-06 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
CN102696064B (zh) 2010-01-15 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和电子装置
KR101791279B1 (ko) * 2010-01-15 2017-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101698537B1 (ko) 2010-01-15 2017-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011086847A1 (en) 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101848516B1 (ko) 2010-01-15 2018-04-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8780629B2 (en) 2010-01-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
SG10201500220TA (en) 2010-01-15 2015-03-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for driving the same
WO2011089843A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device
KR101816505B1 (ko) 2010-01-20 2018-01-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 표시 방법
US8415731B2 (en) * 2010-01-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections
KR102217907B1 (ko) * 2010-01-20 2021-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011089851A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving liquid crystal display device
CN102713999B (zh) 2010-01-20 2016-01-20 株式会社半导体能源研究所 电子设备和电子系统
US9984617B2 (en) 2010-01-20 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including light emitting element
WO2011089849A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Portable electronic device
WO2011089832A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device and liquid crystal display device
KR101978106B1 (ko) 2010-01-20 2019-05-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101747421B1 (ko) 2010-01-20 2017-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
WO2011089847A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving the same
KR101817372B1 (ko) 2010-01-20 2018-01-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
WO2011089852A1 (en) * 2010-01-22 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and driving method thereof
KR102088281B1 (ko) 2010-01-22 2020-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101829309B1 (ko) 2010-01-22 2018-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101873730B1 (ko) 2010-01-24 2018-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI525377B (zh) 2010-01-24 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
WO2011089844A1 (en) 2010-01-24 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR20120120330A (ko) 2010-01-29 2012-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011093151A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the same
KR101299256B1 (ko) * 2010-01-29 2013-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
US8436403B2 (en) 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
CN102687275B (zh) 2010-02-05 2016-01-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20180028557A (ko) 2010-02-05 2018-03-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2011096277A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
KR101791713B1 (ko) 2010-02-05 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치
WO2011096264A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
WO2011096153A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9391209B2 (en) 2010-02-05 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101399609B1 (ko) 2010-02-05 2014-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2011096262A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101822962B1 (ko) 2010-02-05 2018-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011099342A1 (en) 2010-02-10 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
US8947337B2 (en) 2010-02-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN102754209B (zh) * 2010-02-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其驱动方法
WO2011099343A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011099368A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
KR101775180B1 (ko) 2010-02-12 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR101838130B1 (ko) 2010-02-12 2018-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작방법
EP2534679B1 (en) 2010-02-12 2021-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of the same
KR102197415B1 (ko) 2010-02-12 2020-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 구동 방법
CN102763156B (zh) 2010-02-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置和电子装置
US8617920B2 (en) 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20230145240A (ko) 2010-02-18 2023-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102015762B1 (ko) * 2010-02-19 2019-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치, 그 구동 방법, 및 반도체 장치 제작 방법
KR101906151B1 (ko) 2010-02-19 2018-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 이를 이용한 표시 장치
CN105786268B (zh) 2010-02-19 2019-03-12 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其驱动方法
WO2011102183A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011102233A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120121931A (ko) * 2010-02-19 2012-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN102754162B (zh) * 2010-02-19 2015-12-09 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及半导体器件的驱动方法
KR101686089B1 (ko) 2010-02-19 2016-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5740169B2 (ja) * 2010-02-19 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
KR101848684B1 (ko) 2010-02-19 2018-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 장치
KR101780748B1 (ko) 2010-02-19 2017-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복조회로 및 복조회로를 이용한 ｒｆｉｄ 태그
KR102386149B1 (ko) * 2010-02-23 2022-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011105310A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011105218A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and e-book reader provided therewith
KR101733765B1 (ko) * 2010-02-26 2017-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 구동 방법
US9000438B2 (en) 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011105198A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011105183A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus
CN107045235A (zh) 2010-02-26 2017-08-15 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置
KR102047354B1 (ko) 2010-02-26 2019-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20180001562A (ko) 2010-02-26 2018-01-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
KR101706292B1 (ko) 2010-03-02 2017-02-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
KR101817926B1 (ko) 2010-03-02 2018-01-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 승압 회로 및 승압 회로를 포함하는 ｒｆｉｄ 태그
WO2011108343A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
WO2011108345A1 (en) * 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
JP5520084B2 (ja) * 2010-03-03 2014-06-11 富士フイルム株式会社 電界効果型トランジスタの製造方法
WO2011108199A1 (ja) * 2010-03-04 2011-09-09 シャープ株式会社 薄膜トランジスタの製造方法及びその方法により製造された薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板
WO2011108475A1 (en) * 2010-03-04 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device
WO2011108374A1 (en) 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR102341927B1 (ko) 2010-03-05 2021-12-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011108382A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101878206B1 (ko) 2010-03-05 2018-07-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법
TWI594173B (zh) * 2010-03-08 2017-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 電子裝置及電子系統
KR101791253B1 (ko) 2010-03-08 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자기기 및 전자 시스템
WO2011111490A1 (en) 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
CN104979369B (zh) 2010-03-08 2018-04-06 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR101812467B1 (ko) 2010-03-08 2017-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE112011100841B4 (de) 2010-03-08 2021-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung der halbleitervorrichtung
KR20190018049A (ko) 2010-03-08 2019-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
US8900362B2 (en) * 2010-03-12 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of gallium oxide single crystal
KR101840185B1 (ko) 2010-03-12 2018-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로를 구동하는 방법 및 표시 장치를 구동하는 방법
WO2011111508A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving input circuit and method for driving input-output device
CN102804380B (zh) 2010-03-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011111507A1 (en) 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101770550B1 (ko) * 2010-03-12 2017-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법
JP5506475B2 (ja) 2010-03-15 2014-05-28 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子の製造方法
WO2011114866A1 (en) 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
CN102812547B (zh) * 2010-03-19 2015-09-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR102001820B1 (ko) * 2010-03-19 2019-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법
US20110227082A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011114868A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011114905A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
EP2369627B1 (en) * 2010-03-22 2017-01-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors
WO2011118351A1 (en) 2010-03-25 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011118364A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101435970B1 (ko) 2010-03-26 2014-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하는 방법
WO2011118741A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
DE112011101069B4 (de) 2010-03-26 2018-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung
JP5731244B2 (ja) * 2010-03-26 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2011122299A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
KR101814367B1 (ko) 2010-03-31 2018-01-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
WO2011122514A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply device and driving method thereof
CN102844873B (zh) 2010-03-31 2015-06-17 株式会社半导体能源研究所 半导体显示装置
WO2011122271A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field-sequential display device
WO2011122363A1 (en) 2010-04-02 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9196739B2 (en) 2010-04-02 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film
US9190522B2 (en) 2010-04-02 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor
CN102834922B (zh) 2010-04-02 2016-04-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8884282B2 (en) 2010-04-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9147768B2 (en) 2010-04-02 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film
PT105039A (pt) 2010-04-06 2011-10-06 Univ Nova De Lisboa Ligas de óxidos tipo p baseados em óxidos de cobre, óxidos estanho, óxidos de ligas de estanho-cobre e respectiva liga metálica, e óxido de níquel, com os respectivos metais embebidos, respectivo processo de fabrico e utilização
CN102918650B (zh) 2010-04-07 2017-03-22 株式会社半导体能源研究所 晶体管
WO2011125432A1 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8653514B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011125456A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2011222767A (ja) * 2010-04-09 2011-11-04 Sony Corp 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器
KR101321833B1 (ko) 2010-04-09 2013-10-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체 메모리 장치
US8207025B2 (en) 2010-04-09 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
WO2011125806A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR101884798B1 (ko) 2010-04-09 2018-08-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE112011101260T5 (de) 2010-04-09 2013-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung und Verfahren zum Ansteuern derselben
JP5744366B2 (ja) 2010-04-12 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8854583B2 (en) 2010-04-12 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device
KR101904445B1 (ko) * 2010-04-16 2018-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2011237418A (ja) 2010-04-16 2011-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電流測定方法、半導体装置の検査方法、半導体装置、および特性評価用回路
KR20130061678A (ko) 2010-04-16 2013-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전원 회로
CN102844847B (zh) 2010-04-16 2015-09-23 株式会社半导体能源研究所 沉积方法及半导体装置的制造方法
US8692243B2 (en) 2010-04-20 2014-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101540039B1 (ko) 2010-04-23 2015-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR20130054275A (ko) 2010-04-23 2013-05-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
DE112011101396T5 (de) 2010-04-23 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und Treiberverfahren für dieselbe
WO2011132591A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011132625A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
CN106057907B (zh) 2010-04-23 2019-10-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
KR101854421B1 (ko) 2010-04-23 2018-05-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9537043B2 (en) 2010-04-23 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
WO2011135999A1 (en) 2010-04-27 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8890555B2 (en) 2010-04-28 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring transistor
WO2011136018A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
WO2011135987A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
DE112011101475T5 (de) 2010-04-28 2013-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleiteranzeigevorrichtung mit Ansteuerverfahren
US9697788B2 (en) 2010-04-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9064473B2 (en) 2010-05-12 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
US9478185B2 (en) 2010-05-12 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
JP5797449B2 (ja) 2010-05-13 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
WO2011142371A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI511236B (zh) 2010-05-14 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
KR101806271B1 (ko) 2010-05-14 2017-12-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8588000B2 (en) 2010-05-20 2013-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device having a reading transistor with a back-gate electrode
US8416622B2 (en) * 2010-05-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of a semiconductor device with an inverted period having a negative potential applied to a gate of an oxide semiconductor transistor
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
US9490368B2 (en) 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US8624239B2 (en) 2010-05-20 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5714973B2 (ja) 2010-05-21 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011145537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101872927B1 (ko) 2010-05-21 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20230173747A (ko) 2010-05-21 2023-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 출력 회로, 시프트 레지스터, 및 표시 장치
JP5852793B2 (ja) 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
WO2011145634A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145468A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US8906756B2 (en) 2010-05-21 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011145484A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8629438B2 (en) 2010-05-21 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN105957802A (zh) 2010-05-21 2016-09-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011145707A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
JP5766012B2 (ja) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2011145706A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
CN102906882B (zh) 2010-05-21 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011145633A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5749975B2 (ja) 2010-05-28 2015-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置、及び、タッチパネル
US8895375B2 (en) 2010-06-01 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing the same
WO2011152254A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101894897B1 (ko) 2010-06-04 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011152286A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8779433B2 (en) 2010-06-04 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011155295A1 (en) 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
US8610180B2 (en) 2010-06-11 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor
KR101938726B1 (ko) 2010-06-11 2019-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011155302A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9209314B2 (en) 2010-06-16 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
JP5823740B2 (ja) 2010-06-16 2015-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
JP5797471B2 (ja) 2010-06-16 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
WO2011158704A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011158703A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8637802B2 (en) 2010-06-18 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor
US8552425B2 (en) 2010-06-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011162147A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120000499A (ko) 2010-06-25 2012-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
WO2011162104A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8912016B2 (en) 2010-06-25 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method and test method of semiconductor device
WO2012002236A1 (en) 2010-06-29 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
WO2012002104A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5814558B2 (ja) * 2010-06-30 2015-11-17 株式会社神戸製鋼所 酸化物半導体薄膜の評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法
JP5771079B2 (ja) 2010-07-01 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
KR101801960B1 (ko) 2010-07-01 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
US8441010B2 (en) 2010-07-01 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20180135118A (ko) 2010-07-02 2018-12-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP5792524B2 (ja) 2010-07-02 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
KR20130090405A (ko) 2010-07-02 2013-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
CN102959713B (zh) 2010-07-02 2017-05-10 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8605059B2 (en) 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
US9336739B2 (en) 2010-07-02 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI541782B (zh) 2010-07-02 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
KR101850567B1 (ko) 2010-07-16 2018-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2012008390A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101859361B1 (ko) 2010-07-16 2018-05-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8785241B2 (en) 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5917035B2 (ja) 2010-07-26 2016-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101853516B1 (ko) 2010-07-27 2018-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102143469B1 (ko) 2010-07-27 2020-08-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI565001B (zh) 2010-07-28 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5718072B2 (ja) 2010-07-30 2015-05-13 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ
WO2012014628A1 (ja) * 2010-07-30 2012-02-02 株式会社日立製作所 酸化物半導体装置
WO2012014786A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method thereof
KR101842181B1 (ko) 2010-08-04 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8537600B2 (en) 2010-08-04 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low off-state leakage current semiconductor memory device
US8928466B2 (en) 2010-08-04 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5739257B2 (ja) 2010-08-05 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5671418B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8792284B2 (en) 2010-08-06 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
CN103069717B (zh) 2010-08-06 2018-01-30 株式会社半导体能源研究所 半导体集成电路
JP5832181B2 (ja) 2010-08-06 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
TWI605549B (zh) 2010-08-06 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI555128B (zh) 2010-08-06 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
US8467232B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8803164B2 (en) 2010-08-06 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state image sensing device and semiconductor display device
TWI524347B (zh) 2010-08-06 2016-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其驅動方法
CN103026416B (zh) 2010-08-06 2016-04-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8467231B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP5743790B2 (ja) 2010-08-06 2015-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9343480B2 (en) 2010-08-16 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9129703B2 (en) 2010-08-16 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory device
US8748224B2 (en) 2010-08-16 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP5848912B2 (ja) 2010-08-16 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
TWI508294B (zh) 2010-08-19 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8759820B2 (en) * 2010-08-20 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8883555B2 (en) 2010-08-25 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target
US8685787B2 (en) 2010-08-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8508276B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including latch circuit
JP5727892B2 (ja) 2010-08-26 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013009285A (ja) 2010-08-26 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 信号処理回路及びその駆動方法
US9058047B2 (en) 2010-08-26 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5806043B2 (ja) 2010-08-27 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8603841B2 (en) 2010-08-27 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device
US8450123B2 (en) 2010-08-27 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body
JP5674594B2 (ja) 2010-08-27 2015-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
WO2012026503A1 (en) * 2010-08-27 2012-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
JP5864163B2 (ja) 2010-08-27 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の設計方法
JP5763474B2 (ja) 2010-08-27 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
JP5702689B2 (ja) 2010-08-31 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法、及び半導体装置
US8575610B2 (en) 2010-09-02 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8634228B2 (en) 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
WO2012029612A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
WO2012029638A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8728860B2 (en) 2010-09-03 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20180015760A (ko) * 2010-09-03 2018-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치의 제조 방법
US8487844B2 (en) 2010-09-08 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device including the same
JP2012256819A (ja) 2010-09-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8520426B2 (en) 2010-09-08 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
KR20120026970A (ko) 2010-09-10 2012-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 발광 장치
US8922236B2 (en) 2010-09-10 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
US8797487B2 (en) 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
KR101824125B1 (ko) 2010-09-10 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9142568B2 (en) 2010-09-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting display device
US8766253B2 (en) 2010-09-10 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101872926B1 (ko) 2010-09-13 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8871565B2 (en) 2010-09-13 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8546161B2 (en) 2010-09-13 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device
US8664097B2 (en) 2010-09-13 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9496743B2 (en) 2010-09-13 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and wireless power feed system
JP5827520B2 (ja) 2010-09-13 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US9546416B2 (en) 2010-09-13 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming crystalline oxide semiconductor film
US8592879B2 (en) 2010-09-13 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2012256821A (ja) 2010-09-13 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
KR101952235B1 (ko) 2010-09-13 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI608486B (zh) 2010-09-13 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8835917B2 (en) 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
KR101932576B1 (ko) 2010-09-13 2018-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US20120064665A1 (en) * 2010-09-13 2012-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition apparatus, apparatus for successive deposition, and method for manufacturing semiconductor device
JP5815337B2 (ja) 2010-09-13 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI539453B (zh) 2010-09-14 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和半導體裝置
KR101426515B1 (ko) 2010-09-15 2014-08-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
KR20130106398A (ko) 2010-09-15 2013-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 제작 방법
JP2012256012A (ja) 2010-09-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9230994B2 (en) 2010-09-15 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8767443B2 (en) 2010-09-22 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
KR101856722B1 (ko) 2010-09-22 2018-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터
US8792260B2 (en) 2010-09-27 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit and semiconductor device using the same
TWI574259B (zh) 2010-09-29 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置和其驅動方法
TWI691960B (zh) 2010-10-05 2020-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置及其驅動方法
US9437743B2 (en) 2010-10-07 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8716646B2 (en) 2010-10-08 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for operating the same
US8679986B2 (en) 2010-10-14 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
JP5636867B2 (ja) * 2010-10-19 2014-12-10 富士通株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8546892B2 (en) 2010-10-20 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8803143B2 (en) 2010-10-20 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including buffer layers with high resistivity
JP5877992B2 (ja) * 2010-10-25 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TWI543158B (zh) 2010-10-25 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置及其驅動方法
KR101952456B1 (ko) * 2010-10-29 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치
KR101924231B1 (ko) 2010-10-29 2018-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
JP5771505B2 (ja) 2010-10-29 2015-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 受信回路
KR101924656B1 (ko) 2010-11-02 2018-12-03 우베 고산 가부시키가이샤 (아미드아미노알칸) 금속 화합물, 및 당해 금속 화합물을 사용한 금속 함유 박막의 제조 방법
US8916866B2 (en) 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI555205B (zh) 2010-11-05 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8957468B2 (en) 2010-11-05 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Variable capacitor and liquid crystal display device
JP6010291B2 (ja) 2010-11-05 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の駆動方法
US9087744B2 (en) 2010-11-05 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving transistor
JP5668917B2 (ja) 2010-11-05 2015-02-12 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
WO2012060253A1 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012060202A1 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8902637B2 (en) 2010-11-08 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof
TWI535014B (zh) 2010-11-11 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5770068B2 (ja) 2010-11-12 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8854865B2 (en) 2010-11-24 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP2012164963A (ja) * 2010-11-26 2012-08-30 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ
US8936965B2 (en) 2010-11-26 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI562379B (en) 2010-11-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8816425B2 (en) 2010-11-30 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8809852B2 (en) 2010-11-30 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US9103724B2 (en) 2010-11-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device
US8823092B2 (en) 2010-11-30 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8629496B2 (en) 2010-11-30 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8461630B2 (en) 2010-12-01 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5908263B2 (ja) 2010-12-03 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃ−ｄｃコンバータ
TWI632551B (zh) 2010-12-03 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 積體電路，其驅動方法，及半導體裝置
KR101457833B1 (ko) 2010-12-03 2014-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5856827B2 (ja) 2010-12-09 2016-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI534905B (zh) 2010-12-10 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
JP2012256020A (ja) 2010-12-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
US8730416B2 (en) 2010-12-17 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8686415B2 (en) * 2010-12-17 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102001577B1 (ko) 2010-12-17 2019-07-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 재료 및 반도체 장치
US8894825B2 (en) 2010-12-17 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device
JP2012142562A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
US9202822B2 (en) 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9024317B2 (en) 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
JP5864054B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5975635B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5973165B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048142B2 (en) 2010-12-28 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012090799A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6030298B2 (ja) * 2010-12-28 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 緩衝記憶装置及び信号処理回路
JP5852874B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012090973A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5993141B2 (ja) 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US8941112B2 (en) 2010-12-28 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
KR101981808B1 (ko) 2010-12-28 2019-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
TWI621121B (zh) 2011-01-05 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路
US8536571B2 (en) 2011-01-12 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8912080B2 (en) 2011-01-12 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of the semiconductor device
TWI535032B (zh) 2011-01-12 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI570809B (zh) 2011-01-12 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8921948B2 (en) 2011-01-12 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8575678B2 (en) 2011-01-13 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device with floating gate
US8421071B2 (en) 2011-01-13 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
KR102026718B1 (ko) 2011-01-14 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법
JP5859839B2 (ja) 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
TWI657565B (zh) 2011-01-14 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶裝置
JP5897910B2 (ja) 2011-01-20 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2012102182A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI570920B (zh) 2011-01-26 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9601178B2 (en) 2011-01-26 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
JP2011086962A (ja) * 2011-01-26 2011-04-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
WO2012102183A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW202211311A (zh) 2011-01-26 2022-03-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI552345B (zh) 2011-01-26 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5798933B2 (ja) 2011-01-26 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
KR20190007525A (ko) 2011-01-27 2019-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI525619B (zh) 2011-01-27 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路
US9494829B2 (en) 2011-01-28 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same
WO2012102281A1 (en) 2011-01-28 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20210034703A (ko) 2011-01-28 2021-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치
US8634230B2 (en) 2011-01-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP6000560B2 (ja) 2011-02-02 2016-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体メモリ装置
TWI520273B (zh) 2011-02-02 2016-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US9799773B2 (en) 2011-02-02 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
US8513773B2 (en) 2011-02-02 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor
US9431400B2 (en) 2011-02-08 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US8787083B2 (en) 2011-02-10 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit
US9167234B2 (en) 2011-02-14 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 ｌｓｉ
US8975680B2 (en) 2011-02-17 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device
US8643007B2 (en) 2011-02-23 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709920B2 (en) 2011-02-24 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9443455B2 (en) 2011-02-25 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a plurality of pixels
US9691772B2 (en) 2011-03-03 2017-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor
US8785933B2 (en) 2011-03-04 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8841664B2 (en) 2011-03-04 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9023684B2 (en) 2011-03-04 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5898527B2 (ja) 2011-03-04 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9646829B2 (en) 2011-03-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8659015B2 (en) 2011-03-04 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8659957B2 (en) 2011-03-07 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9099437B2 (en) 2011-03-08 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5827145B2 (ja) 2011-03-08 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8625085B2 (en) 2011-03-08 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Defect evaluation method for semiconductor
US8541781B2 (en) 2011-03-10 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8772849B2 (en) 2011-03-10 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2012121265A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US8760903B2 (en) 2011-03-11 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit
JP2012209543A (ja) 2011-03-11 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TWI521612B (zh) 2011-03-11 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI658516B (zh) 2011-03-11 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5933300B2 (ja) 2011-03-16 2016-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012128030A1 (en) 2011-03-18 2012-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
JP5933897B2 (ja) * 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8859330B2 (en) 2011-03-23 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5839474B2 (ja) 2011-03-24 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US9012904B2 (en) 2011-03-25 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8686416B2 (en) 2011-03-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
TWI545652B (zh) 2011-03-25 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8956944B2 (en) 2011-03-25 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9219159B2 (en) 2011-03-25 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
TWI538215B (zh) 2011-03-25 2016-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路
US8987728B2 (en) 2011-03-25 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5879165B2 (ja) 2011-03-30 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8927329B2 (en) 2011-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties
US8686486B2 (en) 2011-03-31 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
TWI567735B (zh) 2011-03-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路，記憶體單元，及訊號處理電路
US9082860B2 (en) 2011-03-31 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8541266B2 (en) 2011-04-01 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9960278B2 (en) 2011-04-06 2018-05-01 Yuhei Sato Manufacturing method of semiconductor device
US9142320B2 (en) 2011-04-08 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
US9093538B2 (en) 2011-04-08 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8743590B2 (en) 2011-04-08 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device using the same
US9012905B2 (en) 2011-04-08 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP5883699B2 (ja) 2011-04-13 2016-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルｌｓｉ
US8854867B2 (en) 2011-04-13 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and driving method of the memory device
JP5890234B2 (ja) 2011-04-15 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
US8779488B2 (en) 2011-04-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8878270B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8878174B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit
JP6001900B2 (ja) 2011-04-21 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8941958B2 (en) 2011-04-22 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9331206B2 (en) 2011-04-22 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide material and semiconductor device
US9006803B2 (en) 2011-04-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US10079053B2 (en) 2011-04-22 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and memory device
US8932913B2 (en) 2011-04-22 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8809854B2 (en) 2011-04-22 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8878288B2 (en) 2011-04-22 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5946683B2 (ja) 2011-04-22 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8916868B2 (en) 2011-04-22 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
CN105931967B (zh) 2011-04-27 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US8729545B2 (en) 2011-04-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8681533B2 (en) 2011-04-28 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device
US9935622B2 (en) 2011-04-28 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Comparator and semiconductor device including comparator
KR101919056B1 (ko) 2011-04-28 2018-11-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 회로
US8476927B2 (en) 2011-04-29 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US9111795B2 (en) 2011-04-29 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
TWI525615B (zh) 2011-04-29 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US9614094B2 (en) 2011-04-29 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same
US8785923B2 (en) 2011-04-29 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8446171B2 (en) 2011-04-29 2013-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing unit
US8848464B2 (en) 2011-04-29 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
KR101963457B1 (ko) 2011-04-29 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법
TWI743509B (zh) 2011-05-05 2021-10-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2012153697A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9117701B2 (en) 2011-05-06 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8809928B2 (en) 2011-05-06 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device
WO2012153473A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709922B2 (en) 2011-05-06 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI568181B (zh) 2011-05-06 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 邏輯電路及半導體裝置
CN103534382B (zh) 2011-05-10 2016-01-20 出光兴产株式会社 In2O3－SnO2－ZnO系溅射靶
US9443844B2 (en) 2011-05-10 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof
TWI541978B (zh) 2011-05-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法
US8946066B2 (en) 2011-05-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI557711B (zh) 2011-05-12 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的驅動方法
US8847233B2 (en) 2011-05-12 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film
KR101940570B1 (ko) 2011-05-13 2019-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Ｅｌ 표시 장치 및 그 전자 기기
JP6013773B2 (ja) 2011-05-13 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101952570B1 (ko) 2011-05-13 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2012157472A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9093539B2 (en) 2011-05-13 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2012157463A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6110075B2 (ja) 2011-05-13 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9105749B2 (en) 2011-05-13 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI536502B (zh) 2011-05-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路及電子裝置
US9048788B2 (en) 2011-05-13 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion
JP5886128B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
SG11201503709SA (en) 2011-05-13 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
CN103534950B (zh) 2011-05-16 2017-07-04 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置
TWI570891B (zh) 2011-05-17 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9673823B2 (en) 2011-05-18 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
TWI552150B (zh) 2011-05-18 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
KR102093909B1 (ko) 2011-05-19 2020-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 및 회로의 구동 방법
KR102081792B1 (ko) 2011-05-19 2020-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산회로 및 연산회로의 구동방법
US8709889B2 (en) 2011-05-19 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and manufacturing method thereof
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP6006975B2 (ja) 2011-05-19 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8837203B2 (en) 2011-05-19 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101991735B1 (ko) 2011-05-19 2019-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
JP6030334B2 (ja) 2011-05-20 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US8508256B2 (en) 2011-05-20 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
TWI557739B (zh) 2011-05-20 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
TWI614995B (zh) 2011-05-20 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置
JP5820336B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6013682B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP5886496B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5951351B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 加算器及び全加算器
JP5892852B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP5936908B2 (ja) 2011-05-20 2016-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 パリティビット出力回路およびパリティチェック回路
TWI501226B (zh) 2011-05-20 2015-09-21 Semiconductor Energy Lab 記憶體裝置及驅動記憶體裝置的方法
WO2012161059A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP6082189B2 (ja) 2011-05-20 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び信号処理回路
TWI570719B (zh) 2011-05-20 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
KR101922397B1 (ko) 2011-05-20 2018-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI559683B (zh) 2011-05-20 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP5947099B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012161022A1 (ja) * 2011-05-20 2012-11-29 シャープ株式会社 表示装置、液晶表示装置、および駆動方法
JP5820335B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9336845B2 (en) 2011-05-20 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Register circuit including a volatile memory and a nonvolatile memory
JP6091083B2 (ja) 2011-05-20 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP6013680B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20120298998A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
US9171840B2 (en) 2011-05-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101912971B1 (ko) 2011-05-26 2018-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 분주 회로 및 분주 회로를 이용한 반도체 장치
US8610482B2 (en) 2011-05-27 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Trimming circuit and method for driving trimming circuit
US9467047B2 (en) 2011-05-31 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device
US8669781B2 (en) 2011-05-31 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5912844B2 (ja) 2011-05-31 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP5890251B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 通信方法
CN103290371B (zh) 2011-06-08 2015-02-25 株式会社半导体能源研究所 溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法
JP2013016243A (ja) 2011-06-09 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
JP6104522B2 (ja) 2011-06-10 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6009226B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8958263B2 (en) 2011-06-10 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8891285B2 (en) 2011-06-10 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6005401B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8804405B2 (en) 2011-06-16 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US9299852B2 (en) 2011-06-16 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI557910B (zh) 2011-06-16 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
SG11201504734VA (en) 2011-06-17 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8901554B2 (en) 2011-06-17 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor
KR20130007426A (ko) 2011-06-17 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9099885B2 (en) 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
US9166055B2 (en) 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8673426B2 (en) 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9130044B2 (en) 2011-07-01 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103620084B (zh) * 2011-07-06 2016-03-02 出光兴产株式会社 溅射靶
US9214474B2 (en) 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9490241B2 (en) 2011-07-08 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter
US9385238B2 (en) 2011-07-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor using oxide semiconductor
KR102014876B1 (ko) 2011-07-08 2019-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8748886B2 (en) 2011-07-08 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9318506B2 (en) 2011-07-08 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9496138B2 (en) 2011-07-08 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP2013042117A (ja) 2011-07-15 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9200952B2 (en) 2011-07-15 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit
US8847220B2 (en) 2011-07-15 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8946812B2 (en) 2011-07-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20240063195A (ko) 2011-07-22 2024-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US9012993B2 (en) 2011-07-22 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6013685B2 (ja) 2011-07-22 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8716073B2 (en) 2011-07-22 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US8643008B2 (en) 2011-07-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8994019B2 (en) 2011-08-05 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8718224B2 (en) 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
JP6006572B2 (ja) 2011-08-18 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6128775B2 (ja) 2011-08-19 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI575494B (zh) 2011-08-19 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的驅動方法
KR101160845B1 (ko) * 2011-08-23 2012-06-29 주식회사 나우테크 금속산화물계 투명전극의 제조방법
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TW202412006A (zh) 2011-08-29 2024-03-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9252279B2 (en) 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
JP6016532B2 (ja) 2011-09-07 2016-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8802493B2 (en) 2011-09-13 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor device
JP5825744B2 (ja) 2011-09-15 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
WO2013039126A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8952379B2 (en) 2011-09-16 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5832399B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9082663B2 (en) 2011-09-16 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103022012B (zh) 2011-09-21 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 半导体存储装置
WO2013042643A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetector and method for driving photodetector
KR101891650B1 (ko) 2011-09-22 2018-08-27 삼성디스플레이 주식회사 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 표시판
WO2013042562A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8841675B2 (en) 2011-09-23 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute transistor
US9431545B2 (en) 2011-09-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102108572B1 (ko) 2011-09-26 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2013084333A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ回路
DE112012007294B3 (de) 2011-09-29 2019-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
DE112012004061B4 (de) 2011-09-29 2024-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR101506303B1 (ko) 2011-09-29 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
US8716708B2 (en) 2011-09-29 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5806905B2 (ja) 2011-09-30 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8982607B2 (en) 2011-09-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
US20130087784A1 (en) 2011-10-05 2013-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6022880B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US10014068B2 (en) 2011-10-07 2018-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013093561A (ja) * 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
US9117916B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
JP6026839B2 (ja) 2011-10-13 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9287405B2 (en) 2011-10-13 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor
JP5912394B2 (ja) 2011-10-13 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9018629B2 (en) 2011-10-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8637864B2 (en) 2011-10-13 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR20130040706A (ko) 2011-10-14 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
DE112012007290B3 (de) 2011-10-14 2017-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI567985B (zh) 2011-10-21 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101976212B1 (ko) 2011-10-24 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102067051B1 (ko) 2011-10-24 2020-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6226518B2 (ja) 2011-10-24 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6082562B2 (ja) 2011-10-27 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20130046357A (ko) 2011-10-27 2013-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2013061895A1 (en) 2011-10-28 2013-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20130049620A (ko) 2011-11-04 2013-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US8604472B2 (en) 2011-11-09 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5933895B2 (ja) 2011-11-10 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6076038B2 (ja) 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
KR101984739B1 (ko) 2011-11-11 2019-05-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 신호선 구동 회로 및 액정 표시 장치
US9082861B2 (en) 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8878177B2 (en) 2011-11-11 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8796682B2 (en) 2011-11-11 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US8969130B2 (en) 2011-11-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
US10026847B2 (en) 2011-11-18 2018-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor device including semiconductor element
US8962386B2 (en) 2011-11-25 2015-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8951899B2 (en) 2011-11-25 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Method for manufacturing semiconductor device
US8772094B2 (en) 2011-11-25 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6059968B2 (ja) 2011-11-25 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び液晶表示装置
JP6099368B2 (ja) 2011-11-25 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US9057126B2 (en) 2011-11-29 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
CN103137701B (zh) 2011-11-30 2018-01-19 株式会社半导体能源研究所 晶体管及半导体装置
TWI591611B (zh) 2011-11-30 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體顯示裝置
US9076871B2 (en) 2011-11-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102072244B1 (ko) 2011-11-30 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US20130137232A1 (en) 2011-11-30 2013-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
TWI669760B (zh) 2011-11-30 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8981367B2 (en) 2011-12-01 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI621185B (zh) 2011-12-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
EP2786404A4 (en) 2011-12-02 2015-07-15 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP2013137853A (ja) 2011-12-02 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置および記憶装置の駆動方法
JP6050662B2 (ja) 2011-12-02 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US9257422B2 (en) 2011-12-06 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit
JP6081171B2 (ja) 2011-12-09 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
WO2013089115A1 (en) 2011-12-15 2013-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6105266B2 (ja) 2011-12-15 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP2013149953A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8785258B2 (en) 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US8748240B2 (en) 2011-12-22 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8907392B2 (en) 2011-12-22 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including stacked sub memory cells
JP6033071B2 (ja) 2011-12-23 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6053490B2 (ja) 2011-12-23 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2013094547A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6012450B2 (ja) 2011-12-23 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
TWI580189B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 位準位移電路及半導體積體電路
TWI569446B (zh) 2011-12-23 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置
US8704221B2 (en) 2011-12-23 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI580047B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2013099537A1 (en) 2011-12-26 2013-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Motion recognition device
KR102100425B1 (ko) 2011-12-27 2020-04-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI584383B (zh) 2011-12-27 2017-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102103913B1 (ko) 2012-01-10 2020-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8836555B2 (en) 2012-01-18 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, sensor circuit, and semiconductor device using the sensor circuit
US8969867B2 (en) 2012-01-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9040981B2 (en) 2012-01-20 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9099560B2 (en) 2012-01-20 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
SG10201605470SA (en) 2012-01-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US9653614B2 (en) 2012-01-23 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102412138B1 (ko) 2012-01-25 2022-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US9006733B2 (en) 2012-01-26 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
TWI605597B (zh) 2012-01-26 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8956912B2 (en) 2012-01-26 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6091905B2 (ja) 2012-01-26 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI561951B (en) 2012-01-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Power supply circuit
CN104081447B (zh) * 2012-01-31 2017-04-12 夏普株式会社 液晶显示装置、液晶显示装置的驱动方法
TWI604609B (zh) 2012-02-02 2017-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9362417B2 (en) 2012-02-03 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102101167B1 (ko) 2012-02-03 2020-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9196741B2 (en) 2012-02-03 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8916424B2 (en) 2012-02-07 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9859114B2 (en) 2012-02-08 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
US9112037B2 (en) 2012-02-09 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP5981157B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8817516B2 (en) 2012-02-17 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit and semiconductor device
JP2014063557A (ja) 2012-02-24 2014-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置及び半導体装置
US20130221345A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
US9553200B2 (en) 2012-02-29 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8988152B2 (en) 2012-02-29 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9312257B2 (en) 2012-02-29 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013129260A1 (ja) * 2012-03-01 2013-09-06 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
US8975917B2 (en) 2012-03-01 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP2013183001A (ja) 2012-03-01 2013-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6046514B2 (ja) 2012-03-01 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9176571B2 (en) 2012-03-02 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Microprocessor and method for driving microprocessor
US9287370B2 (en) 2012-03-02 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
JP6100559B2 (ja) 2012-03-05 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
JP6041707B2 (ja) 2012-03-05 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 ラッチ回路および半導体装置
US8995218B2 (en) 2012-03-07 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981370B2 (en) 2012-03-08 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN104160295B (zh) 2012-03-09 2017-09-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的驱动方法
CN104170001B (zh) 2012-03-13 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其驱动方法
KR102108248B1 (ko) 2012-03-14 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치
JP6168795B2 (ja) 2012-03-14 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9058892B2 (en) 2012-03-14 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and shift register
US9117409B2 (en) 2012-03-14 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer
US9541386B2 (en) 2012-03-21 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Distance measurement device and distance measurement system
US9349849B2 (en) 2012-03-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
JP6169376B2 (ja) 2012-03-28 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置
US9324449B2 (en) 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
US9786793B2 (en) 2012-03-29 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements
WO2013146154A1 (en) 2012-03-29 2013-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply control device
JP2013229013A (ja) 2012-03-29 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アレイコントローラ及びストレージシステム
JP6139187B2 (ja) 2012-03-29 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8941113B2 (en) 2012-03-30 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
KR20130111874A (ko) 2012-04-02 2013-10-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치, 그리고 박막 트랜지스터의 제조 방법
US9553201B2 (en) 2012-04-02 2017-01-24 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor
US8999773B2 (en) 2012-04-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US9711110B2 (en) 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
US8947155B2 (en) 2012-04-06 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state relay
JP5975907B2 (ja) 2012-04-11 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9208849B2 (en) 2012-04-12 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
JP2013236068A (ja) 2012-04-12 2013-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP6139952B2 (ja) * 2012-04-13 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6059566B2 (ja) 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2013154195A1 (en) 2012-04-13 2013-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN104221075B (zh) * 2012-04-13 2017-06-23 夏普株式会社 液晶显示装置及其驱动方法
US9030232B2 (en) 2012-04-13 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Isolator circuit and semiconductor device
JP6128906B2 (ja) 2012-04-13 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6143423B2 (ja) 2012-04-16 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP6001308B2 (ja) 2012-04-17 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6076612B2 (ja) 2012-04-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9029863B2 (en) 2012-04-20 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9219164B2 (en) 2012-04-20 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor channel
US9236408B2 (en) 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
US9006024B2 (en) 2012-04-25 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9230683B2 (en) 2012-04-25 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8860022B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US9331689B2 (en) 2012-04-27 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply circuit and semiconductor device including the same
JP6199583B2 (ja) 2012-04-27 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9285848B2 (en) 2012-04-27 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device
US9048323B2 (en) 2012-04-30 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6228381B2 (ja) 2012-04-30 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6100071B2 (ja) 2012-04-30 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9007090B2 (en) 2012-05-01 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving semiconductor device
US9703704B2 (en) 2012-05-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8860023B2 (en) 2012-05-01 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9104395B2 (en) 2012-05-02 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processor and driving method thereof
JP6227890B2 (ja) 2012-05-02 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路および制御回路
US8866510B2 (en) 2012-05-02 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6243136B2 (ja) 2012-05-02 2017-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 スイッチングコンバータ
DE112013002281T5 (de) 2012-05-02 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmierbare Logikvorrichtung
KR102025722B1 (ko) 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
US9261943B2 (en) 2012-05-02 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR20130125717A (ko) 2012-05-09 2013-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR102069158B1 (ko) 2012-05-10 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2013168624A1 (en) 2012-05-10 2013-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE112013002407B4 (de) 2012-05-10 2024-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR102087443B1 (ko) 2012-05-11 2020-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
DE102013022449B3 (de) 2012-05-11 2019-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
TWI670553B (zh) 2012-05-16 2019-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及觸控面板
US8929128B2 (en) 2012-05-17 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and writing method of the same
KR20130129674A (ko) 2012-05-21 2013-11-29 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판
US9817032B2 (en) 2012-05-23 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measurement device
JP2014003594A (ja) 2012-05-25 2014-01-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
JP6050721B2 (ja) 2012-05-25 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102059218B1 (ko) 2012-05-25 2019-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치
KR102164990B1 (ko) 2012-05-25 2020-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자의 구동 방법
JP6250955B2 (ja) 2012-05-25 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9147706B2 (en) 2012-05-29 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US8995607B2 (en) 2012-05-31 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
KR102119914B1 (ko) 2012-05-31 2020-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP6158588B2 (ja) 2012-05-31 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN104380473B (zh) 2012-05-31 2017-10-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9048265B2 (en) 2012-05-31 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer
JP6208469B2 (ja) 2012-05-31 2017-10-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8872174B2 (en) 2012-06-01 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9916793B2 (en) 2012-06-01 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the same
US9343120B2 (en) 2012-06-01 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High speed processing unit with non-volatile register
KR20150023547A (ko) 2012-06-01 2015-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 경보 장치
US9135182B2 (en) 2012-06-01 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central processing unit and driving method thereof
JP6002088B2 (ja) 2012-06-06 2016-10-05 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ
JP6078288B2 (ja) * 2012-06-13 2017-02-08 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、半導体薄膜及びそれを用いた薄膜トランジスタ
US8901557B2 (en) 2012-06-15 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102113160B1 (ko) 2012-06-15 2020-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9059219B2 (en) 2012-06-27 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8873308B2 (en) 2012-06-29 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit
KR20200019269A (ko) 2012-06-29 2020-02-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102161077B1 (ko) 2012-06-29 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
TWI596778B (zh) 2012-06-29 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
US9083327B2 (en) 2012-07-06 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9054678B2 (en) 2012-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP6310194B2 (ja) 2012-07-06 2018-04-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102099262B1 (ko) 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2014032399A (ja) 2012-07-13 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP6006558B2 (ja) 2012-07-17 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその製造方法
JP5965338B2 (ja) 2012-07-17 2016-08-03 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
KR102141977B1 (ko) 2012-07-20 2020-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
CN107564967B (zh) 2012-07-20 2020-10-23 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP6185311B2 (ja) 2012-07-20 2017-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 電源制御回路、及び信号処理回路
KR102368865B1 (ko) 2012-07-20 2022-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
JP2014042004A (ja) 2012-07-26 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR20140013931A (ko) 2012-07-26 2014-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
JP6224931B2 (ja) 2012-07-27 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014045175A (ja) 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20150040873A (ko) 2012-08-03 2015-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2880690B1 (en) 2012-08-03 2019-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor stacked film
US9885108B2 (en) 2012-08-07 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming sputtering target
US10557192B2 (en) 2012-08-07 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for using sputtering target and method for forming oxide film
US8937307B2 (en) 2012-08-10 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI581404B (zh) 2012-08-10 2017-05-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
JP2014057296A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
JP6220597B2 (ja) 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014057298A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
WO2014024808A1 (en) 2012-08-10 2014-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102171650B1 (ko) 2012-08-10 2020-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2014199899A (ja) 2012-08-10 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN104584229B (zh) 2012-08-10 2018-05-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US9929276B2 (en) 2012-08-10 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9245958B2 (en) 2012-08-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20140025224A (ko) * 2012-08-22 2014-03-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조방법
US8872120B2 (en) 2012-08-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and method for driving the same
KR102069683B1 (ko) 2012-08-24 2020-01-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치
KR20140029202A (ko) 2012-08-28 2014-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
DE102013216824B4 (de) 2012-08-28 2024-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
US9625764B2 (en) 2012-08-28 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
TWI657539B (zh) 2012-08-31 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
SG11201504939RA (en) 2012-09-03 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Microcontroller
DE102013217278B4 (de) 2012-09-12 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung
US8981372B2 (en) 2012-09-13 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
US9018624B2 (en) 2012-09-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
KR102679509B1 (ko) 2012-09-13 2024-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TW202422663A (zh) 2012-09-14 2024-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101472219B1 (ko) 2012-09-18 2014-12-11 주식회사 엘지화학 투명 전도성막 및 이의 제조방법
US8927985B2 (en) 2012-09-20 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI709244B (zh) 2012-09-24 2020-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014046222A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8927986B2 (en) 2012-09-28 2015-01-06 Industrial Technology Research Institute P-type metal oxide semiconductor
JP5966840B2 (ja) 2012-10-11 2016-08-10 住友金属鉱山株式会社 酸化物半導体薄膜および薄膜トランジスタ
JP6351947B2 (ja) 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
TWI681233B (zh) 2012-10-12 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
JP6290576B2 (ja) 2012-10-12 2018-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその駆動方法
KR102226090B1 (ko) 2012-10-12 2021-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
KR102046996B1 (ko) 2012-10-16 2019-11-21 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
TWI591966B (zh) 2012-10-17 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法
JP6283191B2 (ja) 2012-10-17 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6059501B2 (ja) 2012-10-17 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6021586B2 (ja) 2012-10-17 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
DE112013005029T5 (de) 2012-10-17 2015-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mikrocontroller und Herstellungsverfahren dafür
KR102227591B1 (ko) 2012-10-17 2021-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2014061567A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP5951442B2 (ja) 2012-10-17 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014061762A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9166021B2 (en) 2012-10-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014082388A (ja) 2012-10-17 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6284710B2 (ja) 2012-10-18 2018-02-28 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
KR102220279B1 (ko) 2012-10-19 2021-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6204145B2 (ja) 2012-10-23 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI691084B (zh) 2012-10-24 2020-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9865743B2 (en) 2012-10-24 2018-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide layer surrounding oxide semiconductor layer
JP6300489B2 (ja) 2012-10-24 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102279459B1 (ko) 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2014065343A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014065389A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central control system
JP6219562B2 (ja) 2012-10-30 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
WO2014073374A1 (en) 2012-11-06 2014-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI649794B (zh) * 2012-11-08 2019-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 金屬氧化物膜及形成金屬氧化物膜的方法
JP6059513B2 (ja) 2012-11-14 2017-01-11 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
JP6220641B2 (ja) 2012-11-15 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI608616B (zh) 2012-11-15 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI605593B (zh) 2012-11-15 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI620323B (zh) 2012-11-16 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI613813B (zh) 2012-11-16 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6317059B2 (ja) 2012-11-16 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
JP6285150B2 (ja) 2012-11-16 2018-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101948695B1 (ko) * 2012-11-20 2019-02-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 유기 발광 표시 장치
US9450200B2 (en) 2012-11-20 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode
JP6107085B2 (ja) 2012-11-22 2017-04-05 住友金属鉱山株式会社 酸化物半導体薄膜および薄膜トランジスタ
US9263531B2 (en) 2012-11-28 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device
TWI757837B (zh) 2012-11-28 2022-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
TWI627483B (zh) 2012-11-28 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電視接收機
US9412764B2 (en) 2012-11-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
WO2014084153A1 (en) 2012-11-28 2014-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9246011B2 (en) 2012-11-30 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9153649B2 (en) 2012-11-30 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
US9594281B2 (en) 2012-11-30 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR102389073B1 (ko) 2012-11-30 2022-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2014130336A (ja) 2012-11-30 2014-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
TWI624949B (zh) 2012-11-30 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2014135478A (ja) 2012-12-03 2014-07-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
KR102207028B1 (ko) 2012-12-03 2021-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6320009B2 (ja) 2012-12-03 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
KR102112364B1 (ko) 2012-12-06 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
TWI617437B (zh) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
US9577446B2 (en) 2012-12-13 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device
TWI611419B (zh) 2012-12-24 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
KR20220145922A (ko) 2012-12-25 2022-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102241249B1 (ko) 2012-12-25 2021-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
US9905585B2 (en) 2012-12-25 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising capacitor
WO2014103901A1 (en) 2012-12-25 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014142986A (ja) 2012-12-26 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR102639256B1 (ko) 2012-12-28 2024-02-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102211596B1 (ko) 2012-12-28 2021-02-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6329762B2 (ja) 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014143410A (ja) 2012-12-28 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9316695B2 (en) 2012-12-28 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI607510B (zh) 2012-12-28 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US9391096B2 (en) 2013-01-18 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI614813B (zh) 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9466725B2 (en) 2013-01-24 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI619010B (zh) 2013-01-24 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5807076B2 (ja) 2013-01-24 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6223198B2 (ja) 2013-01-24 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9190172B2 (en) 2013-01-24 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9105658B2 (en) 2013-01-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor layer
US9076825B2 (en) 2013-01-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
TWI618252B (zh) 2013-02-12 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102112367B1 (ko) 2013-02-12 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9231111B2 (en) 2013-02-13 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014125979A1 (en) 2013-02-13 2014-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9190527B2 (en) 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9318484B2 (en) 2013-02-20 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5830045B2 (ja) * 2013-02-22 2015-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI611566B (zh) 2013-02-25 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
US9293544B2 (en) 2013-02-26 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having buried channel structure
US9373711B2 (en) 2013-02-27 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI612321B (zh) 2013-02-27 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置
TWI651839B (zh) 2013-02-27 2019-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置
JP2014195241A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014195243A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6141777B2 (ja) 2013-02-28 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102238682B1 (ko) 2013-02-28 2021-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP6250883B2 (ja) 2013-03-01 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013153178A (ja) * 2013-03-01 2013-08-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014195060A (ja) 2013-03-01 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
KR102153110B1 (ko) 2013-03-06 2020-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막 및 반도체 장치
US9269315B2 (en) 2013-03-08 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US9543447B2 (en) 2013-03-08 2017-01-10 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Oxynitride semiconductor thin film
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI644433B (zh) 2013-03-13 2018-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR20150128823A (ko) 2013-03-14 2015-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 구동 방법 및 반도체 장치
KR102290247B1 (ko) 2013-03-14 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
US9294075B2 (en) 2013-03-14 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014199709A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、半導体装置
JP6283237B2 (ja) 2013-03-14 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014142043A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device and semiconductor device
JP6298662B2 (ja) 2013-03-14 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI722545B (zh) 2013-03-15 2021-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9786350B2 (en) 2013-03-18 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9153650B2 (en) 2013-03-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor
US9577107B2 (en) 2013-03-19 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film
JP6355374B2 (ja) 2013-03-22 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6093726B2 (ja) 2013-03-22 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9007092B2 (en) 2013-03-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014157019A1 (en) 2013-03-25 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10347769B2 (en) 2013-03-25 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes
JP6272713B2 (ja) 2013-03-25 2018-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置
JP6316630B2 (ja) 2013-03-26 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6376788B2 (ja) 2013-03-26 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9608122B2 (en) 2013-03-27 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014209209A (ja) 2013-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6454974B2 (ja) 2013-03-29 2019-01-23 株式会社リコー 金属酸化物膜形成用塗布液、金属酸化物膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法
US9368636B2 (en) 2013-04-01 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers
JP6300589B2 (ja) 2013-04-04 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9112460B2 (en) 2013-04-05 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device
JP6224338B2 (ja) 2013-04-11 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法
JP6198434B2 (ja) 2013-04-11 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
TWI620324B (zh) 2013-04-12 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6280794B2 (ja) 2013-04-12 2018-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP6333028B2 (ja) 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置
JP6456598B2 (ja) 2013-04-19 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9893192B2 (en) 2013-04-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014175296A1 (en) 2013-04-24 2014-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6401483B2 (ja) 2013-04-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6396671B2 (ja) 2013-04-26 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI644434B (zh) 2013-04-29 2018-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI631711B (zh) 2013-05-01 2018-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102222344B1 (ko) 2013-05-02 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9882058B2 (en) 2013-05-03 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9231002B2 (en) 2013-05-03 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN105190902B (zh) 2013-05-09 2019-01-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US9246476B2 (en) 2013-05-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit
US9704894B2 (en) 2013-05-10 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel electrode including oxide
TWI621337B (zh) 2013-05-14 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 信號處理裝置
TWI627751B (zh) 2013-05-16 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI809225B (zh) 2013-05-16 2023-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9312392B2 (en) 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9209795B2 (en) 2013-05-17 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device and measuring method
TWI638519B (zh) 2013-05-17 2018-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
US9454923B2 (en) 2013-05-17 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10032872B2 (en) 2013-05-17 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device
US9754971B2 (en) 2013-05-18 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE102014019794B4 (de) 2013-05-20 2024-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR102442752B1 (ko) 2013-05-20 2022-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE112014002485T5 (de) 2013-05-20 2016-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9647125B2 (en) 2013-05-20 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9293599B2 (en) 2013-05-20 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI664731B (zh) 2013-05-20 2019-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9343579B2 (en) 2013-05-20 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10416504B2 (en) 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20160009626A (ko) 2013-05-21 2016-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 그 형성 방법
KR102090289B1 (ko) 2013-05-30 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 산화물 스퍼터링 타겟, 이를 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
US9806198B2 (en) 2013-06-05 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6400336B2 (ja) 2013-06-05 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015195327A (ja) 2013-06-05 2015-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI687748B (zh) 2013-06-05 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
TWI624936B (zh) 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9773915B2 (en) 2013-06-11 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI641112B (zh) 2013-06-13 2018-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6368155B2 (ja) 2013-06-18 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9035301B2 (en) 2013-06-19 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
TWI652822B (zh) 2013-06-19 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體膜及其形成方法
TWI633650B (zh) 2013-06-21 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6357363B2 (ja) 2013-06-26 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
KR20210079411A (ko) 2013-06-27 2021-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TW201513128A (zh) 2013-07-05 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US9666697B2 (en) 2013-07-08 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer
US20150008428A1 (en) 2013-07-08 2015-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9312349B2 (en) 2013-07-08 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9424950B2 (en) 2013-07-10 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9293480B2 (en) 2013-07-10 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6400961B2 (ja) 2013-07-12 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6018607B2 (ja) 2013-07-12 2016-11-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6322503B2 (ja) 2013-07-16 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI503992B (zh) 2013-07-16 2015-10-11 Sumitomo Metal Mining Co 氧化物半導體薄膜以及薄膜電晶體
JP6516978B2 (ja) 2013-07-17 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI621130B (zh) 2013-07-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及用於製造半導體裝置之方法
US9395070B2 (en) 2013-07-19 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Support of flexible component and light-emitting device
US9379138B2 (en) 2013-07-19 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity
TWI608523B (zh) 2013-07-19 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
TWI632688B (zh) 2013-07-25 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
US10529740B2 (en) 2013-07-25 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
TWI641208B (zh) 2013-07-26 2018-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 直流對直流轉換器
JP6460592B2 (ja) 2013-07-31 2019-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃｄｃコンバータ、及び半導体装置
JP6410496B2 (ja) 2013-07-31 2018-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 マルチゲート構造のトランジスタ
US9343288B2 (en) 2013-07-31 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI635750B (zh) 2013-08-02 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置以及其工作方法
US9496330B2 (en) 2013-08-02 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2015053477A (ja) 2013-08-05 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6345023B2 (ja) 2013-08-07 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9601591B2 (en) 2013-08-09 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9299855B2 (en) 2013-08-09 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having dual gate insulating layers
JP6329843B2 (ja) 2013-08-19 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9374048B2 (en) 2013-08-20 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device, and driving method and program thereof
TWI663820B (zh) * 2013-08-21 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置
KR102232133B1 (ko) 2013-08-22 2021-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9443987B2 (en) 2013-08-23 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102244553B1 (ko) 2013-08-23 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 용량 소자 및 반도체 장치
JP5678149B2 (ja) * 2013-08-26 2015-02-25 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
TW202334724A (zh) 2013-08-28 2023-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
JP5702447B2 (ja) * 2013-08-29 2015-04-15 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
US9360564B2 (en) 2013-08-30 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US9552767B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
WO2015030150A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit and semiconductor device
US9590109B2 (en) 2013-08-30 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6426402B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9449853B2 (en) 2013-09-04 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer
JP6406926B2 (ja) 2013-09-04 2018-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6345544B2 (ja) 2013-09-05 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9607991B2 (en) 2013-09-05 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10008513B2 (en) 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102294507B1 (ko) 2013-09-06 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6401977B2 (ja) 2013-09-06 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI566413B (zh) 2013-09-09 2017-01-11 元太科技工業股份有限公司 薄膜電晶體
US9590110B2 (en) 2013-09-10 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ultraviolet light sensor circuit
TWI640014B (zh) 2013-09-11 2018-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置
US9893194B2 (en) 2013-09-12 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9269822B2 (en) 2013-09-12 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI646690B (zh) 2013-09-13 2019-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP2015079946A (ja) 2013-09-13 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9461126B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit
US9805952B2 (en) 2013-09-13 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2015037500A1 (en) 2013-09-13 2015-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9887297B2 (en) 2013-09-17 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer
US9269915B2 (en) 2013-09-18 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6347704B2 (ja) 2013-09-18 2018-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI677989B (zh) 2013-09-19 2019-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP2015084418A (ja) 2013-09-23 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6570817B2 (ja) 2013-09-23 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9425217B2 (en) 2013-09-23 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9397153B2 (en) 2013-09-23 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6383616B2 (ja) 2013-09-25 2018-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9799774B2 (en) 2013-09-26 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Switch circuit, semiconductor device, and system
JP6392603B2 (ja) 2013-09-27 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6581765B2 (ja) 2013-10-02 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置
JP6386323B2 (ja) 2013-10-04 2018-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN105556681B (zh) 2013-10-04 2017-11-17 旭化成株式会社 太阳能电池及其制造方法、半导体元件及其制造方法
TWI741298B (zh) 2013-10-10 2021-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9293592B2 (en) 2013-10-11 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6591739B2 (ja) 2013-10-16 2019-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 演算処理装置の駆動方法
TWI621127B (zh) 2013-10-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 運算處理裝置及其驅動方法
TWI642170B (zh) 2013-10-18 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
KR20160074514A (ko) 2013-10-22 2016-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2015060133A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015109424A (ja) 2013-10-22 2015-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、該半導体装置の作製方法、及び該半導体装置に用いるエッチング溶液
DE102014220672A1 (de) 2013-10-22 2015-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9455349B2 (en) 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
JP2015179247A (ja) 2013-10-22 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102270823B1 (ko) 2013-10-22 2021-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
US9583516B2 (en) 2013-10-25 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6457239B2 (ja) 2013-10-31 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6478562B2 (ja) 2013-11-07 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6440457B2 (ja) 2013-11-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9385054B2 (en) 2013-11-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and manufacturing method thereof
JP2015118724A (ja) 2013-11-13 2015-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP2014074917A (ja) * 2013-11-20 2014-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP6393590B2 (ja) 2013-11-22 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6426437B2 (ja) 2013-11-22 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6486660B2 (ja) 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US20150155313A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6496132B2 (ja) 2013-12-02 2019-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102361966B1 (ko) 2013-12-02 2022-02-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제조방법
DE112014005486B4 (de) 2013-12-02 2024-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
US9991392B2 (en) 2013-12-03 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016027597A (ja) 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6537264B2 (ja) 2013-12-12 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9349751B2 (en) 2013-12-12 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI642186B (zh) 2013-12-18 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI666770B (zh) 2013-12-19 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6444714B2 (ja) 2013-12-20 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9379192B2 (en) 2013-12-20 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015097586A1 (en) 2013-12-25 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9960280B2 (en) 2013-12-26 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20160102295A (ko) 2013-12-26 2016-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI637484B (zh) 2013-12-26 2018-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2015097596A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6402017B2 (ja) 2013-12-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6506961B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US9577110B2 (en) 2013-12-27 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9349418B2 (en) 2013-12-27 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6488124B2 (ja) 2013-12-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6446258B2 (ja) 2013-12-27 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
KR102529174B1 (ko) 2013-12-27 2023-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102658554B1 (ko) 2013-12-27 2024-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
TWI534089B (zh) * 2013-12-31 2016-05-21 財團法人工業技術研究院 ｐ型金屬氧化物半導體材料及其製造方法
JP6444723B2 (ja) 2014-01-09 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9300292B2 (en) 2014-01-10 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit including transistor
TWI545777B (zh) 2014-01-15 2016-08-11 Kobe Steel Ltd Thin film transistor
US9401432B2 (en) 2014-01-16 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9379713B2 (en) 2014-01-17 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and driving method thereof
KR102306200B1 (ko) 2014-01-24 2021-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102353030B1 (ko) 2014-01-27 2022-01-19 코닝 인코포레이티드 얇은 시트와 캐리어의 제어된 결합을 위한 물품 및 방법
WO2015114476A1 (en) 2014-01-28 2015-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9929044B2 (en) 2014-01-30 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP6523695B2 (ja) 2014-02-05 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI665778B (zh) 2014-02-05 2019-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組及電子裝置
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9721968B2 (en) 2014-02-06 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic appliance
JP6420165B2 (ja) 2014-02-07 2018-11-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6545970B2 (ja) 2014-02-07 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
WO2015118436A1 (en) 2014-02-07 2015-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, device, and electronic device
US9479175B2 (en) 2014-02-07 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
TWI658597B (zh) 2014-02-07 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2015165226A (ja) 2014-02-07 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
KR102393626B1 (ko) 2014-02-11 2022-05-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
KR102317297B1 (ko) 2014-02-19 2021-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물, 반도체 장치, 모듈, 및 전자 장치
JP2015172991A (ja) 2014-02-21 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
US9817040B2 (en) 2014-02-21 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measuring method of low off-state current of transistor
CN111524967B (zh) 2014-02-21 2024-07-12 株式会社半导体能源研究所 半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备
JP6387823B2 (ja) 2014-02-27 2018-09-12 住友金属鉱山株式会社 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
JP6358083B2 (ja) 2014-02-27 2018-07-18 住友金属鉱山株式会社 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
JP5613851B1 (ja) 2014-02-28 2014-10-29 Jsr株式会社 表示又は照明装置
CN112233982A (zh) 2014-02-28 2021-01-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
JP6542542B2 (ja) 2014-02-28 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9294096B2 (en) 2014-02-28 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9564535B2 (en) 2014-02-28 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
US10074576B2 (en) 2014-02-28 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6474280B2 (ja) 2014-03-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20150104518A (ko) 2014-03-05 2015-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레벨 시프터 회로
JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9397637B2 (en) 2014-03-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device
US10096489B2 (en) 2014-03-06 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9537478B2 (en) 2014-03-06 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9419622B2 (en) 2014-03-07 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
JP6585354B2 (ja) 2014-03-07 2019-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443872B2 (en) 2014-03-07 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9711536B2 (en) 2014-03-07 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6607681B2 (ja) 2014-03-07 2019-11-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6442321B2 (ja) 2014-03-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
WO2015132697A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20160132405A (ko) 2014-03-12 2016-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6560508B2 (ja) 2014-03-13 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6525421B2 (ja) 2014-03-13 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015136418A1 (en) 2014-03-13 2015-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6677449B2 (ja) 2014-03-13 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6541376B2 (ja) 2014-03-13 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
US9324747B2 (en) 2014-03-13 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US9640669B2 (en) 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP2015188071A (ja) 2014-03-14 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6269814B2 (ja) * 2014-03-14 2018-01-31 住友金属鉱山株式会社 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
US9299848B2 (en) 2014-03-14 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RF tag, and electronic device
SG11201606647PA (en) 2014-03-14 2016-09-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Circuit system
US9887212B2 (en) 2014-03-14 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP6559444B2 (ja) 2014-03-14 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2015176965A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社日本製鋼所 酸化物系材料の製造方法
JP6509596B2 (ja) 2014-03-18 2019-05-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
SG11201606536XA (en) 2014-03-18 2016-09-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9842842B2 (en) 2014-03-19 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same
US9887291B2 (en) 2014-03-19 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
TWI657488B (zh) 2014-03-20 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
JP6495698B2 (ja) 2014-03-20 2019-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
CN106165106B (zh) 2014-03-28 2020-09-15 株式会社半导体能源研究所 晶体管以及半导体装置
US20150279671A1 (en) * 2014-03-28 2015-10-01 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University Method for forming oxide thin film and method for fabricating oxide thin film transistor employing germanium doping
JP6487738B2 (ja) 2014-03-31 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品
SG11201608442TA (en) 2014-04-09 2016-11-29 Corning Inc Device modified substrate article and methods for making
TWI767772B (zh) 2014-04-10 2022-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
JP6541398B2 (ja) 2014-04-11 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6635670B2 (ja) 2014-04-11 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI646782B (zh) 2014-04-11 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置
US9674470B2 (en) 2014-04-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device
US9732004B2 (en) 2014-04-17 2017-08-15 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법
DE112015001878B4 (de) 2014-04-18 2021-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
KR102318728B1 (ko) 2014-04-18 2021-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 이를 가지는 표시 장치
JP6613044B2 (ja) 2014-04-22 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
KR102380829B1 (ko) 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
KR102330412B1 (ko) 2014-04-25 2021-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
US9780226B2 (en) 2014-04-25 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6468686B2 (ja) 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
TWI643457B (zh) 2014-04-25 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10043913B2 (en) 2014-04-30 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device
JP2014179636A (ja) * 2014-05-01 2014-09-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TWI679624B (zh) 2014-05-02 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
JP6537341B2 (ja) 2014-05-07 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6653997B2 (ja) 2014-05-09 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示補正回路及び表示装置
CN103972300B (zh) * 2014-05-14 2015-09-30 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
KR102333604B1 (ko) 2014-05-15 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP2015233130A (ja) 2014-05-16 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板および半導体装置の作製方法
JP6612056B2 (ja) 2014-05-16 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、及び監視装置
JP6580863B2 (ja) 2014-05-22 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、健康管理システム
US20170047206A1 (en) 2014-05-23 2017-02-16 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target
JP6616102B2 (ja) 2014-05-23 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
TWI672804B (zh) 2014-05-23 2019-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US10020403B2 (en) 2014-05-27 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR20150138026A (ko) 2014-05-29 2015-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102418666B1 (ko) 2014-05-29 2022-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법
KR102354008B1 (ko) 2014-05-29 2022-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법 및 전자 기기
JP6525722B2 (ja) 2014-05-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、電子部品、及び電子機器
JP6653129B2 (ja) 2014-05-29 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP6537892B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
WO2015181997A1 (en) 2014-05-30 2015-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI663726B (zh) 2014-05-30 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置、模組及電子裝置
JP6538426B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
KR102259172B1 (ko) 2014-05-30 2021-06-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이의 제조 방법, 및 전자 장치
TWI646658B (zh) 2014-05-30 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9831238B2 (en) 2014-05-30 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion
KR102344782B1 (ko) 2014-06-13 2021-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 장치 및 입출력 장치
KR102437450B1 (ko) 2014-06-13 2022-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치를 포함하는 전자 기기
JP2016015475A (ja) * 2014-06-13 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI663733B (zh) 2014-06-18 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電晶體及半導體裝置
TWI666776B (zh) 2014-06-20 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
KR20150146409A (ko) 2014-06-20 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
US9722090B2 (en) 2014-06-23 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
JP6545541B2 (ja) 2014-06-25 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
JP6424892B2 (ja) 2014-06-26 2018-11-21 住友金属鉱山株式会社 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
US10002971B2 (en) 2014-07-03 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9647129B2 (en) 2014-07-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9461179B2 (en) 2014-07-11 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure
KR20220069118A (ko) 2014-07-15 2022-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6581825B2 (ja) 2014-07-18 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
JP2016029795A (ja) 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、撮像装置及び電子機器
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2016012893A1 (en) 2014-07-25 2016-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oscillator circuit and semiconductor device including the same
US10115830B2 (en) 2014-07-29 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
JP6555956B2 (ja) 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
CN106537486B (zh) 2014-07-31 2020-09-15 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子装置
US9705004B2 (en) 2014-08-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6739150B2 (ja) 2014-08-08 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、発振回路、位相同期回路及び電子機器
JP6553444B2 (ja) 2014-08-08 2019-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6652342B2 (ja) 2014-08-08 2020-02-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN106462062B (zh) 2014-08-12 2020-02-14 Jsr株式会社 元件、绝缘膜及其制造方法以及感放射线性树脂组合物
US10147747B2 (en) 2014-08-21 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US10032888B2 (en) 2014-08-22 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device
US10559667B2 (en) 2014-08-25 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
KR102509203B1 (ko) 2014-08-29 2023-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
WO2016034983A1 (en) 2014-09-02 2016-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP6659255B2 (ja) 2014-09-02 2020-03-04 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ
KR102329498B1 (ko) 2014-09-04 2021-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9766517B2 (en) 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
JP2016066065A (ja) 2014-09-05 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および電子機器
US9722091B2 (en) 2014-09-12 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6676316B2 (ja) 2014-09-12 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE112015004272T5 (de) 2014-09-19 2017-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung
JP2016066788A (ja) 2014-09-19 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法
KR20160034200A (ko) 2014-09-19 2016-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9401364B2 (en) 2014-09-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10071904B2 (en) 2014-09-25 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
WO2016046685A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP2016111677A (ja) 2014-09-26 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、無線センサ、及び電子機器
JP6633330B2 (ja) 2014-09-26 2020-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10170055B2 (en) 2014-09-26 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US9450581B2 (en) 2014-09-30 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
WO2016055894A1 (en) 2014-10-06 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9698170B2 (en) 2014-10-07 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
WO2016055903A1 (en) 2014-10-10 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
KR20220119177A (ko) 2014-10-10 2022-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로, 처리 유닛, 전자 부품, 및 전자 기기
US9991393B2 (en) 2014-10-16 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
JP6645793B2 (ja) 2014-10-17 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016063159A1 (en) 2014-10-20 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device
US10068927B2 (en) 2014-10-23 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6615565B2 (ja) 2014-10-24 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016067144A1 (en) 2014-10-28 2016-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method of display device, and electronic device
US9704704B2 (en) 2014-10-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
TWI652362B (zh) 2014-10-28 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物及其製造方法
JP6780927B2 (ja) 2014-10-31 2020-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10680017B2 (en) 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
US9584707B2 (en) 2014-11-10 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9548327B2 (en) 2014-11-10 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer
US9438234B2 (en) 2014-11-21 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device including logic circuit
TWI711165B (zh) 2014-11-21 2020-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
TWI766298B (zh) 2014-11-21 2022-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6563313B2 (ja) 2014-11-21 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
KR20170086473A (ko) 2014-11-25 2017-07-26 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 산화물 소결체, 스퍼터링용 타겟, 및 그것을 이용하여 얻어지는 산화물 반도체 박막
KR102524983B1 (ko) 2014-11-28 2023-04-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 모듈, 및 전자 기기
JP6647841B2 (ja) 2014-12-01 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物の作製方法
JP6613116B2 (ja) 2014-12-02 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP6667267B2 (ja) 2014-12-08 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6647846B2 (ja) 2014-12-08 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016092427A1 (en) 2014-12-10 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9773832B2 (en) 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP6689062B2 (ja) 2014-12-10 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6833315B2 (ja) 2014-12-10 2021-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
WO2016092416A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and electronic device
JP2016116220A (ja) 2014-12-16 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
JP6676354B2 (ja) 2014-12-16 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102581808B1 (ko) 2014-12-18 2023-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 센서 장치, 및 전자 기기
US10396210B2 (en) 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
KR20170101233A (ko) 2014-12-26 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링용 타깃의 제작 방법
TWI686874B (zh) 2014-12-26 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法
WO2016108122A1 (en) 2014-12-29 2016-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having semiconductor device
US10522693B2 (en) 2015-01-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
US10192994B2 (en) 2015-01-26 2019-01-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxide semiconductor film including indium, tungsten and zinc and thin film transistor device
JP6857447B2 (ja) 2015-01-26 2021-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9954112B2 (en) 2015-01-26 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9443564B2 (en) 2015-01-26 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
TWI792065B (zh) 2015-01-30 2023-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及電子裝置
US9647132B2 (en) 2015-01-30 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
WO2016125049A1 (en) 2015-02-02 2016-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide and manufacturing method thereof
KR20240090743A (ko) 2015-02-04 2024-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 또는 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
TWI683365B (zh) 2015-02-06 2020-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 裝置及其製造方法以及電子裝置
US9660100B2 (en) 2015-02-06 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6717604B2 (ja) 2015-02-09 2020-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、中央処理装置及び電子機器
JP6674269B2 (ja) 2015-02-09 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
WO2016128859A1 (en) 2015-02-11 2016-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2016128854A1 (en) 2015-02-12 2016-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2016154225A (ja) 2015-02-12 2016-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9818880B2 (en) 2015-02-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US10249644B2 (en) 2015-02-13 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US9489988B2 (en) 2015-02-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US10403646B2 (en) 2015-02-20 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9991394B2 (en) 2015-02-20 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP6711642B2 (ja) 2015-02-25 2020-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6739185B2 (ja) 2015-02-26 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 ストレージシステム、およびストレージ制御回路
US9653613B2 (en) 2015-02-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6744108B2 (ja) 2015-03-02 2020-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、トランジスタの作製方法、半導体装置および電子機器
TWI718125B (zh) 2015-03-03 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2016139560A1 (en) 2015-03-03 2016-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device including the oxide semiconductor film, and display device including the semiconductor device
CN107408579B (zh) 2015-03-03 2021-04-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置
US9905700B2 (en) 2015-03-13 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device or memory device and driving method thereof
CN107430461B (zh) 2015-03-17 2022-01-28 株式会社半导体能源研究所 触摸屏
US9964799B2 (en) 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US9882061B2 (en) 2015-03-17 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10008609B2 (en) 2015-03-17 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
US10134332B2 (en) 2015-03-18 2018-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and driving method of display device
US10147823B2 (en) 2015-03-19 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6662665B2 (ja) 2015-03-19 2020-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
KR102582523B1 (ko) 2015-03-19 2023-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9842938B2 (en) 2015-03-24 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including semiconductor device
KR20160114511A (ko) 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP6688116B2 (ja) 2015-03-24 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置および電子機器
US10429704B2 (en) 2015-03-26 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
US10096715B2 (en) 2015-03-26 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
CN107484435A (zh) * 2015-03-27 2017-12-15 株式会社半导体能源研究所 晶体管及电子设备
JP6736321B2 (ja) 2015-03-27 2020-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
TWI695513B (zh) 2015-03-27 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
US9806200B2 (en) 2015-03-27 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TW202316486A (zh) 2015-03-30 2023-04-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9716852B2 (en) 2015-04-03 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Broadcast system
US10389961B2 (en) 2015-04-09 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10372274B2 (en) 2015-04-13 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
KR102546189B1 (ko) 2015-04-13 2023-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10056497B2 (en) 2015-04-15 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10460984B2 (en) 2015-04-15 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating electrode and semiconductor device
JP2016206659A (ja) 2015-04-16 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
WO2016171369A1 (ko) * 2015-04-24 2016-10-27 경희대학교산학협력단 광증폭 포토트랜지스터를 포함하는 광반응성 센서, 상기 광반응성 센서를 포함하는 디스플레이 패널 및 차량 제어 시스템
US10192995B2 (en) 2015-04-28 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10002970B2 (en) 2015-04-30 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same
KR102549926B1 (ko) 2015-05-04 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기
US10671204B2 (en) 2015-05-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and data processor
JP6681780B2 (ja) 2015-05-07 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システムおよび電子機器
DE102016207737A1 (de) 2015-05-11 2016-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand
TWI693719B (zh) 2015-05-11 2020-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US11728356B2 (en) 2015-05-14 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element and imaging device
JP6935171B2 (ja) 2015-05-14 2021-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9627034B2 (en) 2015-05-15 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
KR102573207B1 (ko) 2015-05-19 2023-08-31 코닝 인코포레이티드 시트와 캐리어의 결합을 위한 물품 및 방법
US9837547B2 (en) 2015-05-22 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
CN114695562A (zh) 2015-05-22 2022-07-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
KR20160137843A (ko) * 2015-05-22 2016-12-01 엘지디스플레이 주식회사 고신뢰성 금속 산화물 반도체 물질을 포함하는 박막 트랜지스터 기판
JP6773453B2 (ja) 2015-05-26 2020-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
JP2016225614A (ja) 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10139663B2 (en) 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
KR102553553B1 (ko) 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
JP2015207779A (ja) * 2015-06-16 2015-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
DE112016002769T5 (de) 2015-06-19 2018-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren dafür und elektronisches Gerät
US9860465B2 (en) 2015-06-23 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
EP3313799B1 (en) 2015-06-26 2022-09-07 Corning Incorporated Methods and articles including a sheet and a carrier
US9935633B2 (en) 2015-06-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6394518B2 (ja) 2015-07-02 2018-09-26 住友電気工業株式会社 半導体デバイスおよびその製造方法
US10290573B2 (en) 2015-07-02 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9917209B2 (en) 2015-07-03 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor
US10181531B2 (en) 2015-07-08 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor having low parasitic capacitance
JP2017022377A (ja) 2015-07-14 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10501003B2 (en) 2015-07-17 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, lighting device, and vehicle
US10985278B2 (en) 2015-07-21 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US11189736B2 (en) 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US10424671B2 (en) 2015-07-29 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
US10585506B2 (en) 2015-07-30 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with high visibility regardless of illuminance of external light
US9825177B2 (en) 2015-07-30 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask
CN106409919A (zh) 2015-07-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
KR102513517B1 (ko) 2015-07-30 2023-03-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9911861B2 (en) 2015-08-03 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device
US9876946B2 (en) 2015-08-03 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP6791661B2 (ja) 2015-08-07 2020-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
US9893202B2 (en) 2015-08-19 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP2017041877A (ja) 2015-08-21 2017-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、および電子機器
US9666606B2 (en) 2015-08-21 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9773919B2 (en) 2015-08-26 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2017037564A1 (en) 2015-08-28 2017-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device
JP2017050537A (ja) 2015-08-31 2017-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9911756B2 (en) 2015-08-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage
JP6807683B2 (ja) 2015-09-11 2021-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力パネル
SG10201607278TA (en) 2015-09-18 2017-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic device
JP2017063420A (ja) 2015-09-25 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN108140657A (zh) 2015-09-30 2018-06-08 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电子设备
WO2017064590A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2017064587A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
US9852926B2 (en) 2015-10-20 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
WO2017068490A1 (en) 2015-10-23 2017-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
DE112016000146T5 (de) 2015-10-23 2017-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronische Vorrichtung
US10007161B2 (en) 2015-10-26 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
SG10201608814YA (en) 2015-10-29 2017-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
JP6796461B2 (ja) 2015-11-18 2020-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
US10868045B2 (en) 2015-12-11 2020-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP2018032839A (ja) 2015-12-11 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器
US10050152B2 (en) 2015-12-16 2018-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
KR20180095836A (ko) 2015-12-18 2018-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함한 표시 장치
US10177142B2 (en) 2015-12-25 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device
KR102687427B1 (ko) 2015-12-28 2024-07-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6851814B2 (ja) 2015-12-29 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
JP2017135698A (ja) 2015-12-29 2017-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
KR20180099725A (ko) 2015-12-29 2018-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물막 및 반도체 장치
US10580798B2 (en) 2016-01-15 2020-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102233786B1 (ko) 2016-01-18 2021-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물막, 반도체 장치, 및 표시 장치
US9905657B2 (en) 2016-01-20 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6822853B2 (ja) 2016-01-21 2021-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び記憶装置の駆動方法
US10411013B2 (en) 2016-01-22 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
US10700212B2 (en) 2016-01-28 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof
US10115741B2 (en) 2016-02-05 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10250247B2 (en) 2016-02-10 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6970511B2 (ja) 2016-02-12 2021-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
KR102655935B1 (ko) 2016-02-12 2024-04-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
US9954003B2 (en) 2016-02-17 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP6875088B2 (ja) 2016-02-26 2021-05-19 株式会社神戸製鋼所 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ
CN109075205A (zh) * 2016-03-02 2018-12-21 国立大学法人东京工业大学 氧化物半导体化合物、具备氧化物半导体化合物的层的半导体元件和层叠体
US10263114B2 (en) 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
WO2017149413A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2017149428A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device
JP6904730B2 (ja) 2016-03-08 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US9882064B2 (en) 2016-03-10 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and electronic device
US10096720B2 (en) 2016-03-25 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP6668455B2 (ja) 2016-04-01 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物半導体膜の作製方法
US10236875B2 (en) 2016-04-15 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the semiconductor device
KR102295315B1 (ko) 2016-04-15 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
KR20240145076A (ko) 2016-05-19 2024-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터
WO2017208119A1 (en) 2016-06-03 2017-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide and field-effect transistor
KR102330605B1 (ko) 2016-06-22 2021-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TW201825623A (zh) 2016-08-30 2018-07-16 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI810161B (zh) 2016-08-31 2023-08-01 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
JP2017037312A (ja) * 2016-09-02 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び携帯情報端末
JP6581057B2 (ja) * 2016-09-14 2019-09-25 株式会社東芝 半導体装置、半導体記憶装置及び固体撮像装置
US10411003B2 (en) 2016-10-14 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2018067672A (ja) 2016-10-21 2018-04-26 株式会社ブイ・テクノロジー 酸化物半導体装置及びその製造方法
CN114115609B (zh) 2016-11-25 2024-09-03 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其工作方法
CN110024089B (zh) * 2016-11-30 2023-06-27 株式会社理光 氧化物或氧氮化物绝缘体膜及其形成用涂布液，场效应晶体管及其制造方法
JP2018098313A (ja) 2016-12-12 2018-06-21 株式会社ブイ・テクノロジー 酸化物半導体装置の製造方法
JP6965894B2 (ja) 2016-12-12 2021-11-10 住友電気工業株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP6168253B1 (ja) 2017-05-01 2017-07-26 富士電機株式会社 駆動装置およびスイッチ装置
US11257722B2 (en) 2017-07-31 2022-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide containing gallium indium and zinc
KR101999894B1 (ko) * 2017-08-03 2019-07-12 주식회사 나노신소재 복합 산화물 소결체 및 스퍼터링 타겟, 산화물 투명도전막의 제조방법
CN111372772A (zh) 2017-08-18 2020-07-03 康宁股份有限公司 使用聚阳离子聚合物的临时结合
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
JP6930885B2 (ja) 2017-09-21 2021-09-01 株式会社東芝 半導体装置
JP6550514B2 (ja) 2017-11-29 2019-07-24 株式会社神戸製鋼所 ディスプレイ用酸化物半導体薄膜、ディスプレイ用薄膜トランジスタ及びディスプレイ用スパッタリングターゲット
JP7431160B2 (ja) 2017-12-15 2024-02-14 コーニング インコーポレイテッド 基板を処理するための方法および結合されたシートを含む物品を製造するための方法
JP7204686B2 (ja) 2018-01-24 2023-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
JP7293190B2 (ja) 2018-03-16 2023-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6724057B2 (ja) 2018-03-30 2020-07-15 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット部材
JP7063712B2 (ja) 2018-05-09 2022-05-09 株式会社神戸製鋼所 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ
WO2020012276A1 (ja) 2018-07-09 2020-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11990778B2 (en) 2018-07-10 2024-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Secondary battery protection circuit and secondary battery anomaly detection system
KR102598375B1 (ko) * 2018-08-01 2023-11-06 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 결정 구조 화합물, 산화물 소결체, 스퍼터링 타깃, 결정질 산화물 박막, 아모르퍼스 산화물 박막, 박막 트랜지스터, 및 전자 기기
KR20210119963A (ko) 2018-12-20 2021-10-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전지 팩
JP6753969B2 (ja) 2019-02-13 2020-09-09 株式会社神戸製鋼所 酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット
JP7528063B2 (ja) 2019-04-26 2024-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および電子機器
KR20220006541A (ko) 2019-05-10 2022-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
CN113728450A (zh) 2019-05-24 2021-11-30 索尼集团公司 摄像元件、层叠式摄像元件和固态摄像装置以及无机氧化物半导体材料
JP6756875B1 (ja) 2019-05-30 2020-09-16 株式会社神戸製鋼所 ディスプレイ用酸化物半導体薄膜、ディスプレイ用薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット
WO2020240331A1 (ja) 2019-05-31 2020-12-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および当該半導体装置を備えた無線通信装置
JP7384777B2 (ja) 2019-12-16 2023-11-21 株式会社神戸製鋼所 酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット
KR20210143046A (ko) 2020-05-19 2021-11-26 삼성전자주식회사 산화물 반도체 트랜지스터
CN111969034A (zh) * 2020-09-03 2020-11-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2930373A1 (de) * 1979-07-26 1981-02-19 Siemens Ag Verfahren zum herstellen transparenter, elektrisch leitender indiumoxid (in tief 2 o tief 3 )-schichten
US4752814A (en) * 1984-03-12 1988-06-21 Xerox Corporation High voltage thin film transistor
US4514437A (en) * 1984-05-02 1985-04-30 Energy Conversion Devices, Inc. Apparatus for plasma assisted evaporation of thin films and corresponding method of deposition
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
GB2250751B (en) * 1990-08-24 1995-04-12 Kawasaki Heavy Ind Ltd Process for the production of dielectric thin films
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
US5565266A (en) * 1993-06-14 1996-10-15 Eastman Kodak Company Multilayer magnetooptic recording media
US5563000A (en) * 1994-03-11 1996-10-08 Eastman Kodak Company Multilayer magnetooptic recording media
JP3947575B2 (ja) 1994-06-10 2007-07-25 Ｈｏｙａ株式会社 導電性酸化物およびそれを用いた電極
JP3246189B2 (ja) * 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
JPH11505377A (ja) 1995-08-03 1999-05-18 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体装置
US6351068B2 (en) * 1995-12-20 2002-02-26 Mitsui Chemicals, Inc. Transparent conductive laminate and electroluminescence light-emitting element using same
US5817550A (en) * 1996-03-05 1998-10-06 Regents Of The University Of California Method for formation of thin film transistors on plastic substrates
JP2940486B2 (ja) * 1996-04-23 1999-08-25 三菱電機株式会社 電圧非直線抵抗体、電圧非直線抵抗体の製造方法および避雷器
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) * 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) * 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP2000238178A (ja) * 1999-02-24 2000-09-05 Teijin Ltd 透明導電積層体
GB9915633D0 (en) * 1999-07-05 1999-09-01 Printable Field Emitters Limit Field electron emission materials and devices
JP2001194676A (ja) * 2000-01-07 2001-07-19 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US6888750B2 (en) * 2000-04-28 2005-05-03 Matrix Semiconductor, Inc. Nonvolatile memory on SOI and compound semiconductor substrates and method of fabrication
JP4089858B2 (ja) * 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
US6603181B2 (en) * 2001-01-16 2003-08-05 International Business Machines Corporation MOS device having a passivated semiconductor-dielectric interface
JP2002266012A (ja) † 2001-03-08 2002-09-18 Nippon Steel Corp 高炉用熱風炉排熱回収設備
JP2002289859A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4201241B2 (ja) * 2001-05-17 2008-12-24 株式会社カネカ 集積型薄膜光電変換モジュールの作製方法
JP4090716B2 (ja) * 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
US7061014B2 (en) * 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4298194B2 (ja) * 2001-11-05 2009-07-15 独立行政法人科学技術振興機構 自然超格子ホモロガス単結晶薄膜の製造方法。
JP4164562B2 (ja) * 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP2003257671A (ja) * 2002-02-28 2003-09-12 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JP2003298062A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
US7339187B2 (en) * 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
US7189992B2 (en) * 2002-05-21 2007-03-13 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures having a transparent channel
TWI227529B (en) * 2002-05-22 2005-02-01 Kawasaki Masashi Semiconductor device and display device using the same
DE10393327D2 (de) * 2002-06-24 2005-06-02 Nanogate Technologies Gmbh Beschichtungsmaterial
JP4400028B2 (ja) 2002-08-08 2010-01-20 株式会社ジーエス・ユアサコーポレーション 鉛蓄電池の製造方法
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP2004325938A (ja) 2003-04-25 2004-11-18 Shin Etsu Polymer Co Ltd 現像ロール及び現像装置
ATE353648T1 (de) 2003-05-21 2007-03-15 Hoffmann La Roche Benzothiazole derivate und ihre anwendung in der behandlung von adenosine a2a rezeptor vermittelte krankheiten
US7262463B2 (en) * 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US20050017244A1 (en) * 2003-07-25 2005-01-27 Randy Hoffman Semiconductor device
US7026713B2 (en) 2003-12-17 2006-04-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor device having a delafossite material
US7008833B2 (en) * 2004-01-12 2006-03-07 Sharp Laboratories Of America, Inc. In2O3thin film resistivity control by doping metal oxide insulator for MFMox device applications
US7256465B2 (en) 2004-01-21 2007-08-14 Sharp Laboratories Of America, Inc. Ultra-shallow metal oxide surface channel MOS transistor
JP3994998B2 (ja) * 2004-03-03 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器
US7242039B2 (en) * 2004-03-12 2007-07-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7250627B2 (en) * 2004-03-12 2007-07-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) * 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US8314420B2 (en) * 2004-03-12 2012-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device with multiple component oxide channel
US7145174B2 (en) * 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
CN102354658B (zh) * 2004-03-12 2015-04-01 独立行政法人科学技术振兴机构 薄膜晶体管的制造方法
US7297977B2 (en) * 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7642573B2 (en) * 2004-03-12 2010-01-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7863611B2 (en) * 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
JP4560502B2 (ja) * 2005-09-06 2010-10-13 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
KR101146574B1 (ko) * 2006-12-05 2012-05-16 캐논 가부시끼가이샤 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치
KR101468594B1 (ko) 2008-07-31 2014-12-04 삼성전자주식회사 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8063421B2 (en) 2007-02-28 2011-11-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor having a graded metal oxide layer
KR100858088B1 (ko) * 2007-02-28 2008-09-10 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
US8188472B2 (en) 2007-04-19 2012-05-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor, method of manufacturing the same, and flat panel display having the same
EP1993141A1 (en) 2007-05-17 2008-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. ZnO-based thin film transistor and method of manufacturing the same
EP2362424A1 (en) 2007-05-17 2011-08-31 Samsung Electronics Co., Ltd. ZnO-based thin film transistor and method of manufacturing the same
US8349647B2 (en) 2007-05-29 2013-01-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistors and methods of manufacturing the same
US7863607B2 (en) 2007-06-14 2011-01-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
US8450732B2 (en) 2007-06-19 2013-05-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
US7682882B2 (en) 2007-06-20 2010-03-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing ZnO-based thin film transistor
US8796679B2 (en) 2007-07-16 2014-08-05 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor having semiconductor active layer
KR100889688B1 (ko) * 2007-07-16 2009-03-19 삼성모바일디스플레이주식회사 반도체 활성층 제조 방법, 그를 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법 및 반도체 활성층을 구비하는 박막 트랜지스터
US8017513B2 (en) 2007-07-16 2011-09-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor active layer, method of manufacturing thin film transistor using the same and thin film transistor having semiconductor active layer
KR101148829B1 (ko) * 2008-10-23 2012-05-29 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터
KR20180110235A (ko) * 2009-03-12 2018-10-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US8749725B2 (en) 2010-06-17 2014-06-10 Samsung Display Co., Ltd. Flat panel display apparatus and method of manufacturing the same
KR20220104940A (ko) 2021-01-19 2022-07-26 주식회사 원빈테크 중량 조절 제어장치를 구비한 운동기구

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Publication number Publication date
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