JP5224702B2 - 画素回路、及び当該画素回路を有する画像表示装置 - Google Patents
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Description
ゲート電圧をオフ状態からオン状態に向かう向きに設定したときのドレイン電流値が、同じゲート電圧をオン状態からオフ状態に向かう向きに設定したときのドレイン電流値より大きい時計回りのヒステリシス特性もしくはその逆の反時計回りのヒステリシス特性を有するトランジスタと、
前記トランジスタによって制御された電流が駆動電流として供給される表示素子と、
一端が前記トランジスタのゲート電極に接続される容量素子と、
を備え、
前記表示素子に供給する駆動電流を設定するための第1の期間では、前記ドレイン電流が大きいほうの向きにゲート電圧が設定され、
前記トランジスタのゲート−ソース間電圧を、前記トランジスタがいったんオン状態またはオフ状態になるまで変化させた後、もとの電圧に戻すことにより、前記ドレイン電流が小さいほうの向きにゲート電圧が設定され、
引き続く第2の期間では、前記トランジスタが前記表示素子に駆動電流を供給して、前記表示素子を発光させることを特徴とする。
一つの画素が、前記いずれかの画素回路を含み構成され、
前記画素はマトリックス状に複数個配置されており、
前記画素回路に接続されるデータ線と走査線と、
を有することを特徴とする。
第1の本実施形態に係る発明について説明する。まず、ゲート電圧値とドレイン電流との関係がヒステリシス特性を有するトランジスタを用意する。
トランジスタは、オフ状態からオン状態にする場合と、オン状態からオフ状態にする場合とで、同じゲート電圧値で異なるドレイン電流値となる時計回りのヒステリシス特性を有することになる。
トランジスタは、オン状態からオフ状態にする場合と、オフ状態からオン状態にする場合とで、同じゲート電圧値で異なるドレイン電流値となる反時計回りのヒステリシス特性を有する。
ガラス基板上にレジスト膜形成後、フォトリソグラフィ法によりゲート電極パターンを形成する。その後、電子ビーム蒸着により、下から、Ti、Auを積層し、リフトオフ法にてゲート電極を形成する。
ガラス基板上にレジスト膜形成後、フォトリソグラフィ法によりソース・ドレイン電極パターンを形成する。その後、電子ビーム蒸着により、下から、Ti、Au、Tiを積層し、リフトオフ法にてソース・ドレイン電極を形成する。
次に、第2の実施形態に係る発明について説明する。まず、第1の実施形態に係る発明と同様に、オフ状態からオン状態にする場合のゲート電圧値とドレイン電流値の関係である第1の関係を備えたトランジスタがある。また、オン状態からオフ状態にする場合のゲート電圧値とドレイン電流値の関係である前記第1の関係とは異なる第2の関係を備えたトランジスタがある。この第1の関係と第2の関係とを兼ね備えているトランジスタを用意する。
(2)前記駆動電流を設定し、その後、前記トランジスタをオン状態にしてから、前記表示素子に前記駆動電流を供給する。
また、前記(2)前記トランジスタをオン状態にした後で、前記駆動電流を設定し(第1の期間)、その後、前記トランジスタを一旦オン状態に戻してから、前記表示素子に前記駆動電流を供給する(第2の期間)ことができる。
本実施形態に係る画像表示装置は、上記第1及び第2の実施形態に係る発明において説明した画素回路2799を含み、1画素が構成される。
画素回路1000の構成例を図1に示す。本実施例では、一端が第一の配線L2(1005)に接続されている有機EL素子LED1(1002)を備えている。有機EL素子LED1(1002)は表示素子の一例を示すものである。また、有機EL素子LED1を駆動する駆動回路を備えている。駆動回路は以下のように構成されている。尚、以下では、有機EL素子と表現せずに、OLED素子と表現することもできるが、この表現の言い換えは、省略する。
ここで、前記容量素子C1と前記トランジスタのデート電極とが電気的に接続される。
画素回路の構成例を図8に示す。本実施例では、一端が第一の配線L2に接続されている有機EL素子LED1と、その駆動回路を備えている。駆動回路は以下のように構成されている。
画素回路の構成例を図10に示す。本実施例では、一端が第一の配線L2に接続されている有機EL素子LED1とその駆動回路を備えている。駆動回路は以下のように構成されている。
次に、実施例4における画素回路の構成例を説明する。回路の構成は実施例1と同じであるが、動作が異なっている。また、各配線の電圧に関しては配線L4以外は実施例1の場合と同様である。本実施例では、後述するように電流設定期間における電流と発光期間における電流を同じとするものである。これは、後述する実施例8でも同様である。
実施例5から実施例8は、図29に示した画素回路を更に改良したものである。
本実施例に係る画素回路の構成例を図15に示す。本実施例では、一端が第一の配線L2に接続されている有機EL素子LED1とその駆動回路を備えている。駆動回路は、以下のように構成されている。
実施例7におけり画素回路の構成例を図17に示す。本実施例では、一端が第一の配線L2に接続されている有機EL素子LED1とその駆動回路を備えている。駆動回路は以下のように構成されている。
本実施例の画素回路の構成は図13を用いて説明した実施例5における画素回路と同じ構成であるが、一部動作が異なっている。本実施例のタイミングチャートを図19に示す。各配線の条件は配線L4を除いて実施例5の図14と同様である。
まず実施例9を説明する前に、実施例9及び実施例10の元となる技術を説明する。図20はその場合の駆動回路を示す。
次に、実施例10における画素回路の構成例を示す。本実施例の構成は図20と同じであるが、動作が異なっている。本実施例では、配線L1の電圧VSS1は固定ではなく、変動する。そのタイミングチャートを図25に示す。
Tr1〜Tr2 n形トランジスタ
SW1〜SW6 スイッチ
L1〜L4 配線
C1 容量
ILED LED1に流れる電流
Claims (11)
- 画素回路であって、
ゲート電圧をオフ状態からオン状態に向かう向きに設定したときのドレイン電流値が、同じゲート電圧をオン状態からオフ状態に向かう向きに設定したときのドレイン電流値より大きい時計回りのヒステリシス特性もしくはその逆の反時計回りのヒステリシス特性を有するトランジスタと、
前記トランジスタによって制御された電流が駆動電流として供給される表示素子と、
一端が前記トランジスタのゲート電極に接続される容量素子と、
を備え、
前記表示素子に供給する駆動電流を設定するための第1の期間では、前記ドレイン電流が大きいほうの向きにゲート電圧が設定され、
前記トランジスタのゲート−ソース間電圧を、前記トランジスタがいったんオン状態またはオフ状態になるまで変化させた後、もとの電圧に戻すことにより、前記ドレイン電流が小さいほうの向きにゲート電圧が設定され、
引き続く第2の期間では、前記トランジスタが前記表示素子に駆動電流を供給して、前記表示素子を発光させることを特徴とする画素回路。 - 前記トランジスタのゲート−ソース間電圧の変化が、前記容量素子の他端の電圧を変化させることにより行われることを特徴とする請求項1に記載の画素回路。
- 前記トランジスタのゲート−ソース間電圧の変化が、前記トランジスタのソース電圧を変化させることにより行われることを特徴とする請求項1に記載の画素回路。
- 前記トランジスタが時計回りのヒステリシス特性を有し、前記第2の期間の終了後に、前記トランジスタがオフ状態に設定されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の画素回路。
- 前記トランジスタが反時計回りのヒステリシス特性を有し、前記第2の期間の終了後に前記トランジスタがオン状態に設定されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の画素回路。
- 前記第1の期間に、前記トランジスタに流れる電流に応じて前記ゲート電圧が設定されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の画素回路。
- 前記トランジスタがカレントミラー回路を構成する一方のトランジスタであり、前記第1の期間に、他方のトランジスタに流れる電流に応じて前記ゲート電圧が設定されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の画素回路。
- 前記第1の期間に、前記ゲート電圧が前記トランジスタの閾値電圧に設定されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の画素回路。
- 画像表示装置であって、一つの画素は、請求項1ないし8のいずれか1項に記載の前記画素回路を含み構成され、
前記画素はマトリックス状に複数個配置されており、前記画素回路に接続されるデータ線と走査線と、を有することを特徴とする画像表示装置。 - 前記画素回路が具備する前記表示素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項9に記載の画像表示装置。
- 前記画素回路を構成するトランジスタのチャネル層が、アモルファスシリコン、アモルファス酸化物材料、あるいは有機半導体材料を含み構成されていることを特徴とする請求項9に記載の画像表示装置。
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