CN101038729A - 像素电路与具有像素电路的图像显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了利用晶体管的磁滞特性驱动显示元件的像素电路和图像显示装置。该像素电路包括：提供分别从关状态过渡到开状态时和从开状态过渡到关状态时栅极电压值与漏极电流值之间的不同的第一和第二关系的晶体管；被提供有由晶体管控制的电流作为驱动电流的显示元件；及连接到晶体管栅极的电容器元件。第一和第二关系中的一个在用于设置要提供给显示元件的驱动电流的第一期间中使用。而第一和第二关系中的另一个在向显示元件提供驱动电流以进行发光的第二期间中使用。

Description

像素电路与具有像素电路的图像显示装置
技术领域
本发明涉及用于驱动例如有机发光二极管(下文中由OLED表示)元件等显示元件的驱动电路，及利用该驱动电路的图像显示装置。
背景技术
有源矩阵(下文中由AM表示)类型的OLED近来被作为具有排列成矩阵形状的像素的光发射显示设备进行了研究，其中每个像素由OLED元件和驱动电路构成。
图26示出了由OLED元件和驱动电路构成的像素电路的概要结构。
图27示出了具有排列成矩阵形状的像素电路的AM类型有机显示器。
图28示出了像素电路的例子。
SW1和SW2接通，电流就从外部(L3)提供给像素电路中的TFT(Tr1)，其中TFT的栅极和漏极短路。
因此，TFT的栅极电压值Vg1可以设置成使外部电流作为漏极电流流动的电压。
因此，流经光发射元件的电流可以被设置。
其后，在保持栅极电压值Vg1的状态下，SW1和SW2断开，而SW3接通，以便将电流路径切换到OLED元件(LED1)侧。
由于TFT栅极与源极之间的电压是与使电流从外部L3流动的电压相同的电压，因此TFT(Tr1)充当用于提供具有与外部电流相同幅值的恒定电流的电流源。即，具有与来自外部(L3)的电流相同幅值的电流流经OLED元件。
通过上述电流驱动操作的显示元件在国际公开号WO 99/065011中描述。
发明内容
TFT的开发正在进行中，其中例如多晶体硅(下文中由p-Si表示)、非晶硅(下文中由a-Si表示)和有机半导体(下文中由OS表示)的半导体用作构成晶体管沟道层的材料。
根据本发明人的知识，在沟道层中利用a-Si、OS或氧化半导体的TFT在有些情况下在栅极电压和漏极电流之间的关系中显示出磁滞特性。
磁滞特性意味着在以下第一和第二种情况下即使处于相同的栅极电压值，也有不同的漏极电流。
第一种情况：栅极电压从小漏极电流状态(或其中漏极电流基本上不流动的状态)的电压值(关状态)连续改变到较大漏极电流流动的状态的电压值(开状态)。
第二种情况：与第一种情况相反，栅极电压从开状态连续改变到关状态。
本发明人在提供考虑晶体管具有磁滞特性的像素电路的目标下进行以下发明。
以下，提供给显示元件的电流表示为驱动电流。
根据第一发明的像素电路包括：提供第一和第二关系的晶体管，第一关系是当关状态过渡到开状态时栅极电压值与漏极电流值之间的关系，第二关系与第一关系不同，它是当开状态过渡到关状态时栅极电压值与漏极电流值之间的关系；被提供有由晶体管控制的电流作为驱动电流的显示元件；及连接到晶体管栅极的电容器元件，其中：在设置要提供给显示元件的驱动电流的第一期间中晶体管基于第一和第二关系中的一个而动作；而在向显示元件提供驱动电流以实现光发射的第二期间中晶体管基于第一和第二关系中的另一个而动作。
在第一发明中，用于使驱动电流流动的晶体管的栅极电压值可以在开状态与关状态之间设置。
根据第二发明的像素电路包括：提供第一和第二关系的晶体管，第一关系是当关状态过渡到开状态时栅极电压值与漏极电流值之间的关系，第二关系与第一关系不同，它是当开状态过渡到关状态时栅极电压值与漏极电流值之间的关系；被提供有由晶体管控制的电流作为驱动电流的显示元件；及连接到晶体管栅极的电容器元件，其中：提供了用于设置要提供给显示元件的驱动电流的第一期间和用于向显示元件提供驱动电流以实现光发射的第二期间；且为了做成在第一和第二期间中都只基于第一和第二关系中的一个而动作的晶体管：(1)设置驱动电流，其后在晶体管设置成关状态后，驱动电流就提供给显示元件，或者(2)设置驱动电流，其后在晶体管设置成开状态后，驱动电流就提供给显示元件。
在根据第三发明的图像显示装置中：一个像素由上述像素电路的任一种构成，多个所述像素排列成矩阵形状；提供连接到像素电路的数据线与扫描线。
在根据另一发明的用于显示元件的驱动方法中，其中显示元件具有驱动该显示元件的晶体管、用于设置要提供给显示元件的电流的第一期间和用于向显示元件提供驱动电流的第二期间，晶体管具有顺时针磁滞特性，其中即使处于相同的栅极电压值，从开状态设置的漏极电流值也小于从关状态设置的漏极电流值，在晶体管设置成关状态后，晶体管的栅极电压值设置成使漏极电流在第一期间中具有第一电流值，并且通过在栅极电压值一旦设置成开状态后反转晶体管的栅极电压值，小于第一电流值的第二电流值在第二期间中作为驱动电流提供给显示元件。
在根据另一发明的用于显示元件的驱动方法中，其中显示元件具有驱动该显示元件的晶体管、用于设置要提供给显示元件的电流的第一期间和用于向显示元件提供驱动电流的第二期间，晶体管具有逆时针磁滞特性，其中即使处于相同的栅极电压值，从开状态设置的漏极电流值也大于从关状态设置的漏极电流值，在晶体管设置成开状态后，晶体管的栅极电压值设置成使漏极电流在第一期间中具有第三电流，并且通过在栅极电压值一旦设置成关状态后反转晶体管的栅极电压值，小于第三电流值的第四电流值在第二期间中作为驱动电流提供给显示元件。
在根据另一发明的用于显示元件的驱动方法中，其中显示元件具有驱动该显示元件的晶体管、用于设置要提供给显示元件的电流的第一期间和用于向显示元件提供驱动电流的第二期间，在第一期间之前和第二期间之前晶体管设置成开状态或关状态。
参考附图，本发明的其它特征将从以下示例实施方式的描述中变得显而易见。
附图说明
图1示出了用于解释本发明的电路图的例子。
图2是显示本发明像素电路操作例子的时序图。
图3是显示具有顺时针磁滞的晶体管的电压-电流特性的图。
图4是显示根据第一实施方式在电流设置期间中开关状态的图。
图5是显示根据第一实施方式在增加电压期间中开关状态的图。
图6是显示根据第一实施方式在光发射期间中开关状态的图。
图7是显示根据第一实施方式在减小电压期间中开关状态的图。
图8是根据第二实施方式的电路图。
图9是显示第二实施方式电路操作的时序图。
图10是根据第三实施方式的电路图。
图11是显示第三实施方式电路操作的时序图。
图12是显示根据第四实施方式的电路操作的时序图。
图13是根据第五实施方式的电路图。
图14是显示第五实施方式电路操作的时序图。
图15是根据第六实施方式的电路图。
图16是显示第六实施方式电路操作的时序图。
图17是根据第七实施方式的电路图。
图18是显示第七实施方式电路操作的时序图。
图19是显示根据第八实施方式电路操作的时序图。
图20是解释实现第九和第十实施方式所基于的技术的电路图。
图21是显示图20中所示电路操作的时序图。
图22是根据第九实施方式的电路图。
图23是显示第九实施方式中所述电路图操作的时序图。
图24是显示第九实施方式中所述电路图操作的时序图。
图25是显示第十实施方式中所述电路图操作的时序图。
图26是显示光发射显示设备像素结构例子的图。
图27是显示OLED显示装置结构例子的图。
图28示出了根据传统技术的电路图例子。
图29示出了电路图的例子。
具体实施方式
(第一实施方式类型：明确使用第一和第二磁滞关系的像素电路)
关于第一实施方式类型，对本发明进行描述。
首先，准备在栅极电压和漏极电流之间的关系中具有磁滞特性的晶体管。
具体而言，例如如图3所示，准备在关状态变成开状态时在栅极电压值与漏极电流值之间具有第一关系3001而在开状态变成关状态时在栅极电压值与漏极电流值之间具有第二关系3002的晶体管。
关于这种实施方式类型的发明适用于具有磁滞特性的晶体管，不管该磁滞特性大还是小。
例如，本发明适用于具有漏极电流为1nA时栅极电压值在第一和第二关系之间具有0.05V或更高或者0.5V或更高的差值的特性的晶体管。尽管栅极电压差值的上限是没有限定的，但它可以是例如5V。
参考图1，将关于这种实施方式类型，对适用于本发明的像素电路例子进行描述。很显然，关于这种实施方式类型的适用于本发明的像素电路不限于图1所示的像素电路。
所准备的晶体管对应于图1所示的晶体管Tr1(1001)。
准备显示元件LED1(1002)，其源电流的切换操作是由晶体管实现的。
电容器元件C1(1003)连接到晶体管1001的栅极。
在设置要提供给显示元件1002的驱动电流时，第一和第二关系(图3中的3001和3002)中的一个在第一期间中使用。
此外，在通过向显示元件1002提供驱动电流而实现光发射时，另一个关系在第二期间中使用。
第一关系3001可以在第一期间中使用，而第二关系3002可以在第二期间中使用。第二关系3002可以在第一期间中使用，而第一关系3001可以在第二期间中使用。
在第一期间中设置的电流值在连接到栅极的电容器元件1003中存储并保留。在开始第二期间(即光发射期间)之前，栅极电压值一度增加，然后减小，或执行其它操作，使得栅极电压和漏极电流之间的关系可以从第一关系过渡到第二关系(或者从第二关系过渡到第一关系)。
因此，有可能使在第一期间设置的漏极电流值大于在第二期间提供给显示元件的驱动电流值。
如果灰度(gradation)呈现是由提供给光发射元件的电流量控制的，则尤其对于低灰度必须减少电流提供量。在这种情况下，因为小电流，所以担心电流设置期间或第一期间延长。
但是，通过关于这种实施方式类型使用本发明，可以使第一期间中的写电流大于光发射期间中的驱动电流，使得有可能抑制电流设置期间的延长。
如果OLED元件用作显示元件，则因为期望将来改进元件的电流-辉度(luminance)特性，所以可以认为要提供给OLED元件的源电流低。而且从这点看，本发明是有效的，它明确地使用了晶体管的磁滞特性。
还有一种优选的情况是在第一期间中确定的栅极电压值设置成等于在驱动电流提供给显示元件时的栅极电压值。
尽管图3显示了其中晶体管从关状态变成开状态又变回关状态的顺时针磁滞特性。不仅顺时针晶体管可用于本发明，逆时针晶体管也可用于本发明。
此外，还可能配置在第一期间设置的漏极电流设置成小于在第二期间中提供给显示元件的驱动电流值。这意味着在第一期间中设置所需的电流值保持小的同时，可以使用于光发射的驱动电流大。
以下，说明性地描述利用具有顺时针磁滞特性的晶体管和具有逆时针磁滞特性的晶体管的电路操作。
1)在顺时针磁滞的情况下
晶体管具有顺时针磁滞并在从关状态变成开状态的情况和从开状态变成关状态的情况之间在栅极电压值相同时有不同的漏极电流值。第一漏极电流大于第二漏极电流。
在第一期间中，处于关状态的晶体管的栅极电压值增加，以便使第一电流值(漏极电流)流动。
接下来，晶体管的栅极电压值进一步增加，进入开状态一回。其后，栅极电压值减小或者执行其它操作，以便在第二期间中向显示元件提供小于第一电流值的第二电流值作为驱动电流。
2)在逆时针磁滞的情况下
晶体管具有逆时针磁滞并在从开状态变成关状态的情况和从关状态变成开状态的情况之间在栅极电压值相同时有不同的漏极电流值。第一漏极电流大于第二漏极电流。
这是以第三电流值流经在开状态下的晶体管的方式在第一期间内设置的(例如，第三电流值在栅极电压减小时设置)。
接下来，在第二期间中，晶体管一度变成关，然后栅极电压增加或者执行其它操作，以便向显示元件提供小于第三电流值的第四电流值作为驱动电流。
将说明性地对具有磁滞特性的晶体管的制造方法进行描述。
a)具有顺时针磁滞的晶体管结构的例子
在光抗蚀剂膜在石英衬底上形成以后，栅极图案通过光刻法形成。其后，Ti和Au通过电子束沉积按这个次序从底部堆叠，而栅极由剥离(lift-off)法形成。
接下来，在光抗蚀剂膜形成后，绝缘层图案通过光刻法形成。其后，SiO2膜由喷溅法形成，而绝缘层由剥离法形成。
接下来，在光抗蚀剂膜形成后，有源层图案通过光刻法形成。其后，In-Ga-Zn-O的金属氧化半导体膜由喷溅法形成，而有源层由剥离法形成。
接下来，在光抗蚀剂膜形成后，源/漏极图案通过光刻法形成。其后，Ti和Au通过电子束沉积按这个次序从底部堆叠，而源/漏极由剥离法形成。
通过使用上述制造方法，底栅极(反向交错(stagger))类型的薄膜晶体管(TFT)可以利用SiO2作为栅极绝缘膜来制造。
具有顺时针磁滞特性的晶体管有可能通过这种方式形成，虽然实际上要依赖于有源层的厚度和膜形成条件。
b)具有逆时针磁滞的晶体管结构的例子
在光抗蚀剂膜在玻璃衬底上形成以后，源/漏极图案通过光刻法形成。其后，Ti、Au和Ti通过电子束沉积按这个次序从底部堆叠，而源/漏极由剥离法形成。
接下来，在光抗蚀剂膜形成后，有源层图案通过光刻法形成。其后，In-Ga-Zn-O的金属氧化半导体膜由喷溅法形成，而有源层由剥离法形成。
接下来，在光抗蚀剂膜形成后，绝缘层图案通过光刻法形成。其后，Y2O3膜由喷溅法形成，而绝缘层由剥离法形成。
接下来，在光抗蚀剂膜形成后，栅极图案通过光刻法形成。其后，Ti和Au通过电子束沉积按这个次序从底部堆叠，而栅极由剥离法形成。
通过使用上述制造方法，顶栅极类型的薄膜晶体管(TFT)可以利用Y2O3作为栅极绝缘膜来制造。具有逆时针磁滞特性的晶体管有可能以这种方式形成，尽管实际上要依赖于有源层的厚度和膜形成条件。
将关于这种实施方式类型对适用于本发明的晶体管的磁滞特性进行描述。
作为开关操作的晶体管通常在像素电路中提供。如果晶体管处于开状态时用于向显示元件提供驱动电流的电压值高于作为开关操作的晶体管的最大栅极电压VDD，则电路不能正常操作。
类似地，如果晶体管处于关状态时用于提供驱动电流的电压值低于作为开关操作的晶体管的最小栅极电压VSS，则电路也不能正常操作。
因此，优选地是处于开状态和处于关状态的电压值分别为(VDD-5V)或更小和(VSS+5V)或更高。
尽管VDD和VSS的值依赖于由TFT的目前性能所确定的设计因素，但在许多情况下VDD高于10V，而VSS低于-5V。
因此，如果晶体管具有其中在第一期间设置的栅极电压值在(VDD-5V)-(VSS+5V)＝5V的范围内的磁滞特性，则本发明可以使用。
但是，通过改变电压VDD和VSS，这个范围可以加宽，而且上述范围只是例子。
(第二实施方式类型：只明确使用第一和第二磁滞关系中一个的像素电路)
接下来，关于第二实施方式类型对本发明进行描述。
首先，类似于关于第一实施方式类型的本发明，准备在关状态变成开状态时在栅极电压值与漏极电流值之间具有第一关系而在开状态变成关状态时在栅极电压值与漏极电流值之间具有与第一关系不同的第二关系的晶体管。
类似于在第一实施方式类型中描述的那些元件，提供了其源电流的切换操作由晶体管实现的显示元件、及连接到晶体管栅极的电容器元件。
关于这种实施方式类型的像素电路在具有其中设置要提供给显示元件的驱动电流的第一期间和其中通过向显示元件提供驱动电流来实现光发射的第二期间的状态下操作。
(1)在晶体管设置为关状态后，栅极电压值增加或执行其它操作，以便设置驱动电流(第一期间)，其后，在晶体管再次一旦设置为关状态后，栅极电压值增加或执行其它操作，以便将驱动电流提供给显示元件(第二期间)，或者(2)在晶体管设置为开状态后，设置驱动电流(第一期间)，其后，在晶体管一旦设置为开状态后，将驱动电流提供给显示元件(第二期间)。
在某些情况下，在用于设置驱动电流的第一期间中，仅基于所述两个关系之一的驱动电流可被提供到显示元件，而不用经过预定状态(在(1)中的关状态和在(2)中的开状态)。然后，有必要在不让电流在晶体管的源极和漏极之间流过的情况下设置电流。例如，有可能电压施加到晶体管的栅极，而栅极不与晶体管的源极或漏极相连。此后，预定的状态进入，并且在第一期间的设置状态后，可以恢复，以便向显示元件提供驱动电流。该结果显示仅基于所述两个关系之一的驱动电流可提供到显示元件而不经过预定状态。当在预定状态后电流被提供到显示元件时，初始状态(其在这种情况下不是在第一期间中设置的栅极电压值)不一定恢复。
例如，用于在第一期间中设置驱动电流的漏极电流可以设置成大于第二期间中给显示元件供电并驱动其的驱动电流，或者反之亦然，或者两个值可以相同。
通过以这种方式构造并操作像素电路，在第一和第二期间中，向显示元件提供驱动电流的晶体管可以只基于第一和第二关系中的一个而动作。
(第三实施方式类型：图像显示装置)
这种实施方式类型的图像显示设备包括关于第一和第二实施方式类型在本发明中描述的构成一个像素的像素电路2799。
如图27所示，多个像素排列成矩阵形状。图像显示装置是通过将数据线2701和扫描线2702连接到像素电路2799实现的。(对于附图标记，参见图26)。
现在将通过解释特定的电路结构与操作来关于这种实施方式类型对本发明进行描述。
第一至第三实施方式、第五至第七实施方式及第九至第十实施方式示出了利用磁滞特性的第一和第二关系的结构的例子(即，对应于第一实施方式类型)。
第四和第八实施方式示出了只利用磁滞特性的第一和第二关系中一个的结构的例子(即，对应于第二实施方式类型)。
在以下实施方式中，尽管描述是通过使用用于OLED元件的示例驱动方法进行的，但本发明不限于OLED元件，本发明可以适用于驱动其它显示元件。
(第一实施方式)
图1示出了像素电路1000的结构的例子。
这种实施方式具有OLED元件LED1(1002)，其一端连接到第二线L2(1005)。
OLED元件LED1(1002)是显示元件的一个例子。该实施方式还具有用于驱动OLED元件LED1的驱动电路。该驱动电路如下构成。
提供了n-型第一晶体管Tr1(1001)，其源极连接到第一线L1(1006)，而其栅极连接到电容器元件C1(1003)的一端。
电容器元件C1的一端连接到n-型晶体管Tr1(1001)的栅极，而其另一端连接到第四线L4(1007)。提供了第一开关SW1(1011)，其一端连接到n-型晶体管Tr1的漏极，而其另一端连接到第三线L3(1008)。
还提供了第二开关SW2(1012)，其一端连接到晶体管Tr1的栅极，另一端连接到晶体管Tr1的漏极。还提供了第三开关SW3(1013)，其一端连接到晶体管Tr1的漏极，另一端连接到OLED元件LED1；及第四开关SW4(1014)，其一端连接到晶体管Tr1的漏极，另一端连接到线L4。
图2示出了说明像素电路操作的时序图。
恒定的电压VSS1和VDD1分别施加到线L1和L2(1006、1005)，且合适的电流Id1提供给线L3。晶体管Tr1的栅极电压由Vg表示。假定晶体管Tr1具有图3所示的顺时针磁滞特性。
首先，如图2所示，在电流设置期间(第一期间)中，开关SW1和SW2接通，而开关SW3和SW4关。这种状态在图4中示出。线L4的电压电平假定为L电平。
在这种情况下，电流Id1从线L3提供给晶体管Tr1，而晶体管Tr1的栅极电压Vg是稳态下使电流Id1流动的电压。其后，在电流设置期间的末尾，开关SW1和SW2断开，因此使电流Id1流动的电压在晶体管Tr1的栅极和电容器C1中保留。
接下来，如图2所示，开关SW4接通，而开关SW1至SW3关。这种状态在图5中示出。线L4的电压电平假定为H电平。在这种情况下，晶体管Tr1的栅极电压Vg由于电荷泵浦效应而上升。由于漏极连接到线L4，因此大电流流经晶体管Tr1，使得晶体管Tr1开。其后，线L4的电压电平设置成L，且开关SW4断开，因此栅极电压Vg恢复到初始电压。
接下来，如图2所示，在光发射期间(第二期间)中开关SW3接通。这种状态在图6中示出。在这种情况下，对应于电流设置期间中所设置电压的电流作为电流Id2流经OLED元件LED1并流经晶体管Tr1的源-漏极，因此OLED元件LED1发光。
接下来，如图2所示，开关SW2和SW4接通。这种状态在图7中示出。在这种情况下，晶体管Tr1的漏极和栅极短路，因此L电平从线L4施加，而晶体管Tr1关。
在这种实施方式中，电流设置期间、增加电压期间、光发射期间与减小电压期间是重复操作的。在这种情况下，晶体管Tr1在电流设置期间之前关，并在光发射期间之前接通。因此，因为图3所示晶体管Tr1的磁滞特性，电流设置期间中的电流Id1可以设置成大于光发射期间中的电流Id2。因此，电流设置期间可以缩短。
此外，由于电压是通过在电流设置期间中流动的电流设置的，因此，如果磁滞特性没有变化，则即使晶体管Tr1的阈值有变化，不变的电流也可以施加到OLED元件LED1。
(第二实施方式)
图8示出了像素电路的结构例子。
在这种实施方式中，提供了其一端连接到第二线L2的OLED元件LED1和用于该OLED元件LED1的驱动电路。该驱动电路如下构成。
提供了：n-型第一晶体管Tr1，其源极连接到第一线L1；及电容器C1，其一端连接到晶体管Tr1的栅极，其另一端连接到第四线L4。还提供了：第一开关SW1，其一端连接到晶体管Tr1的漏极而另一端连接到第三线L3；及第二开关SW2，其一端连接到晶体管的栅极而另一端连接到漏极。
还提供了：第三开关SW3，其一端连接到晶体管Tr1的漏极而另一端连接到OLED元件LED1；及第四开关SW4，其一端连接到晶体管Tr1的漏极而另一端连接到第四线L4。
还提供了第五开关SW5，其一端连接到第四线L4，而另一端连接到电容器C1未连接到晶体管Tr1栅极的一侧的一端。还提供了第六开关SW6，其一端连接到线L1，而另一端连接到电容器C1未连接到晶体管Tr1栅极一侧的一端。假定晶体管Tr1具有图3所示的顺时针磁滞特性。
图9示出了这种实施方式类型的时序图。开关SW1至SW4的操作与图2所示的类似。类似于图2，恒定的电压VSS1和VDD1分别施加到线L1和L2，且合适的电流Id1提供给线L3。晶体管Tr1的栅极电压由Vg表示。
在这种实施方式中，开关SW5和SW6添加到第一实施方式的结构中。
如图9所示，在电流设置期间和光发射期间中，开关SW5断开而SW6接通。
在这种情况下，在电流设置期间和光发射期间中，电容器C1的一端可以连接到晶体管Tr1的栅极，而另一端可以连接到晶体管Tr1的源极。因此，即使线L1具有非优选的电压变化，但由于电容器C1的电荷泵浦作用，晶体管Tr1的栅极-源极电压也可以固定。
因此，不仅可以获得与第一实施方式相同的优点，还有可能避免光发射期间中流经OLED元件LED1和流经晶体管Tr1漏极-源极的电流的低精度。
(第三实施方式)
图10示出了像素电路的结构例子。这种实施方式具有：OLED元件LED1，其一端连接到第二线L2；和用于该OLED元件LED1的驱动电路。该驱动电路如下构成。
提供了n-型第一晶体管Tr1，其源极连接到第一线L1，其栅极连接到电容器C1的一端。电容器C1的一端连接到晶体管Tr1的栅极。还提供了第一开关SW1，其一端连接到晶体管Tr1的漏极而另一端连接到第三线L3。
还提供了第二开关SW2，其一端连接到晶体管Tr1的栅极而另一端连接到晶体管Tr1的漏极。还提供了第三开关SW3，其一端连接到晶体管Tr1的漏极而另一端连接到OLED元件LED1未连接到线L2的一侧的一端。假定晶体管Tr1具有图3所示的顺时针磁滞特性。
图11示出了这种实施方式的时序图。线L1的电压未固定到VSS1，而是可以改变。其它线L2、L3和L4类似于图2中所示的那些。开关SW1至SW3的操作类似于图2所示的那些。
在这种实施方式中，除去了图1中所示第一实施方式的开关SW4，而且如图11所示，线L1的电压在增加电压的过程中降低。因此，晶体管Tr1的栅极-源极电压在增加电压的过程中增加，使得晶体管Tr1可以变为开。因此，即使组件个数少，但类似于第一实施方式的操作与优点也可以实现。
(第四实施方式)
接下来，将对根据第四实施方式的像素电路的结构例子进行描述。
尽管电路的结构与第一实施方式的相同，但操作不同。
除了线L4的电压，其它各线的电压与第一实施方式的类似。
在这种实施方式中，如随后将要描述的，电流设置期间中的电流设置成等于光发射期间中的电流。
这也适用于后述第八实施方式。
图12是这种实施方式的时序图。
在这种实施方式中，如图12所示，在对应于第一实施方式中增加电压期间的期间中，线L4的电压减小，以便形成减小电压的期间1，且对应于第一实施方式减小电压的期间的期间用作减小电压的期间2。
由于线L4的电压在减小电压的期间1中降低，因此由于电荷泵浦效应，晶体管Tr1栅极的电压取使晶体管Tr1断开的电压。
因此，由于晶体管Tr1在电流设置期间之前和光发射期间之前变为关，因此，即使晶体管Tr1具有磁滞特性，但电流设置期间中提供到驱动电路的电流也与在光发射期间中由驱动电路提供给OLED元件LED1的电流相同。在这种情况下，磁滞特性是图3所示的顺时针磁滞特性。逆时针磁滞特性也可以使用。
此外，由于光发射期间和电流设置期间之前的电压条件是固定的，因此有可能抑制由磁滞造成的电压变化。因此，在这种实施方式类型中，如果没有磁滞特性的影响且电流设置期间中所提供的电流没有变化，则不管晶体管特性中的变化，不变的电流可以提供给LED1。
通过在电流设置期间和光发射期间之前提供增加电压的期间来代替减小电压的期间，可以获得类似的优点。即，在这种实施方式类型中，尽管晶体管Tr1在电流设置期间和光发射期间之前为关，但晶体管Tr1也可以在电流设置期间和光发射期间之前为开。
(第五实施方式)
第五至第八实施方式提供了从图29所示像素电路改进的像素电路。
首先，将描述图29的像素电路。
两个TFT(Tr1和Tr2)构成电流镜(mirror)。电流镜的一个TFT的栅极与漏极短路，且电流从外部提供。电流镜中一个TFT的栅极电压设置成使外部电流流动。
电流镜的另一TFT根据所施加的电压向OLED元件LED1提供电流。由于构成电流镜的两个TFT彼此靠近，因此两个TFT特性的变化很小，且提供给OLED元件的电流由从外部提供的电流确定。该电路的结构将具体描述。
提供了其一端连接到第二线L2的OLED元件LED1：和用于该OLED元件的驱动电路。该驱动电路具备n-型第一晶体管Tr1，其源极连接到第一线L1，其栅极连接到电容器C1的一端，而其漏极连接到OLED元件LED1未连接到线L2的一侧的一端。
还提供了n-型第二晶体管Tr2，其源极连接到第一线L1，其栅极连接到电容器C1的一端。电容器C1的另一端连接到第一和第二晶体管Tr1和Tr2的源极。
还提供了第一开关SW1，其一端连接到晶体管Tr2的漏极，其另一端连接到第三线L3。还提供了第二开关SW2，其一端连接到晶体管Tr1和Tr2的栅极，其另一端连接到晶体管Tr2的漏极。在此假定至少晶体管Tr1具有图3所示的顺时针磁滞特性。
在这种实例中，开关SW1和SW2在电流设置期间中接通，以便从线L3向晶体管Tr2提供电流。在稳态下电压施加到晶体管Tr2的栅极，以便使对应的电流流动。其后，开关SW1和SW2断开，因此晶体管Tr2的栅极电压保留在电容器C1中。根据所保留的电压，晶体管Tr1使电流流经OLED元件LED1。
图13示出了根据第五实施方式的像素电路的结构例子。
图13所示的像素电路是图29所示像素电路的改进电路。在这种实施方式中，提供了其一端连接到第二线L2的OLED元件LED1和用于该OLED元件的驱动电路。
该驱动电路具备n-型第一晶体管Tr1，其源极连接到第一线，其栅极连接到电容器C1的一端。该驱动电路还具备n-型第二晶体管Tr2，其源极连接到第一线L1，其栅极连接到电容器C1的一端。电容器C1的另一端连接到第四线L4，而晶体管Tr1和Tr2的栅极连接在一起。
提供了第一开关SW1，其一端连接到晶体管Tr2的漏极，其另一端连接到第三线L3。还提供了第二开关SW2，其一端连接到晶体管Tr1和Tr2的栅极，其另一端连接到晶体管Tr2的漏极。
还提供了第三开关SW3，其一端连接到线L4，其另一端连接到晶体管Tr1的漏极。还提供了第四开关SW4，其一端连接到OLED元件LED1未连接到线L2的一侧的一端，其另一端连接到晶体管Tr1的漏极。在此假定至少晶体管Tr1具有图3所示的顺时针磁滞特性。
图14是说明这种实施方式操作的时序图。恒定的电压VSS1和VDD1分别施加到线L1和L2，且合适的电流Id1提供给线L3。晶体管Tr1的栅极电压由Vg表示。为了简单，假定晶体管Tr1和Tr2的电特性完全相同。
首先，如图14所示，在电流设置期间中，开关SW1、SW2和SW4接通，而开关SW3断开。线L4的电压电平为L。在这种情况下，来自线L3的电流Id1提供给晶体管Tr2，而且在稳态下晶体管Tr2的栅极电压Vg使电流Id1流动。其后，在电流设置期间的末尾，开关SW1和SW2断开，因此使电流Id1流动的电压保留在晶体管Tr1的栅极和电容器C1中。
接下来，如图14所示，在增加电压的过程中，开关SW3接通，而开关SW1、SW2和SW4关，以便将线L4的电压电平设置成H。在这种情况下，晶体管Tr1的栅极电压Vg由于电荷泵浦效应而增加，而且由于漏极连接到线L4，因此大电流流经晶体管Tr1，从而使晶体管Tr1变为开。其后，线L4的电压电平设置成L，且开关SW3断开，因此电压Vg恢复初始电压。
接下来，如图14所示，开关SW4接通，而开关SW1至SW3断开。在这种情况下，对应于电流设置期间中所设置电压的电流作为电流Id2流经OLED元件LED1并流经晶体管Tr1的源-漏极，使得OLED元件LED1发光。
接下来，在减小电压的过程中，开关SW2和SW3接通，而开关SW1和SW4断开。在这种情况下，晶体管Tr2的漏极和栅极短路，因此晶体管Tr1和Tr2的栅极电压使晶体管变为关。
电流设置期间、增加电压期间、光发射期间和减小电压期间是重复操作的。晶体管Tr1和Tr2在电流设置期间之前变为关，而晶体管Tr1在光发射期间之前变为开。因此，由于图3所示晶体管Tr1的磁滞特性，电流设置期间中的电流Id1可以设置成大于光发射期间中的电流Id2。因此，电流设置期间可以缩短。
此外，由于电压是由在电流设置期间中流动的电流设置的，因此即使绝对阈值有变化，晶体管Tr1和Tr2的特性也没有变化。如果磁滞特性没有变化，则不变的电流可以提供给OLED元件LED1。此外，由于光发射期间之前和电流设置期间之前的电压条件是固定的，因此有可能抑制由于晶体管磁滞影响造成的电流变化。
(第六实施方式)
图15示出了这种实施方式的像素电路的结构例子。
在这种实施方式中，提供了其一端连接到第二线L2的OLED元件LED1、和用于该OLED元件的驱动电路。该驱动电路如下构成。
提供了n-型第一晶体管Tr1，其源极连接到第一线L1，其栅极连接到电容器C1的一端。还提供了n-型第二晶体管Tr2，其源极连接到第一线L1，其栅极连接到电容器C1的一端。提供了第一开关SW1，其一端连接到晶体管Tr2的漏极，其另一端连接到第三线L3。还提供了第二开关SW2，其一端连接到晶体管Tr1和Tr2的栅极，其另一端连接到晶体管Tr2的漏极。
还提供了第三开关SW3，其一端连接到线L4，其另一端连接到晶体管Tr1的漏极。还提供了第四开关SW4，其一端连接到OLED元件LED1未连接到线L2的一侧的一端，其另一端连接到晶体管Tr1的漏极。
还提供了：第五开关SW5，其一端连接到线L4，其另一端连接到电容器C1；及第六开关SW6，其一端连接到线L1，其另一端连接到电容器C1的一端。在此假定至少晶体管Tr1具有图3所示的顺时针磁滞特性。
图16是说明这种实施方式操作的时序图。在这种实施方式中，开关SW5和SW6添加到图13所示的结构中。开关SW1至SW4的操作及线L1至L4的电压条件与图14所示的类似。为了简单，假定晶体管Tr1和Tr2的电特性完全相同。
在这种实施方式中，如图16所示，在电流设置期间和光发射期间中，开关SW5断开而开关SW6接通。在这种情况下，在电流设置期间和光发射期间中，有可能将电容器C1的一端连接到晶体管Tr1的栅极并将其另一端连接到晶体管Tr1的源极。
因此，即使在线L1有非优选的电压变化，晶体管Tr1的栅极-源极电压也可以通过电容器C1的电荷泵浦操作而固定。因此，有可能避免光发射期间中流经OLED元件LED1并流经晶体管Tr1的漏极-源极的电流的低精度。
(第七实施方式)
图17示出了根据第七实施方式的像素电路的结构例子。
在这种实施方式中，提供了其一端连接到第二线L2的OLED元件LED1、和用于该OLED元件的驱动电路。该驱动电路如下构成。
提供了n-型第一晶体管Tr1，其源极连接到第一线L1，其栅极连接到电容器C1的一端，而其漏极连接到OLED元件LED1来连接到第二线L2的一侧的一端。
还提供了n-型第二晶体管Tr2，其源极连接到第一线L1，其栅极连接到电容器C1的一端。电容器C1的另一端连接到线L4，而晶体管Tr1和Tr2的栅极连接到一起。
还提供了第一开关SW1，其一端连接到晶体管Tr2的漏极，其另一端连接到第三线L3。还提供了第二开关SW2，其一端连接到晶体管Tr1和Tr2的栅极，其另一端连接到晶体管Tr2的漏极。在此假定至少晶体管Tr1具有图3所示的顺时针磁滞特性。
图18是这种实施方式的时序图。在这种实施方式中，线L1的电压没有固定，而是可以变化的。
其它线L2至L4的条件等类似于图14的那些。为了简单，在这种实施方式中假定晶体管Tr1和Tr2的电特性完全相同。
在这种实施方式中，开关SW3和SW4从图13所示第五实施方式的结构中除去，而且如图18所示，线L1的电压在增加电压的过程中降低。因此，晶体管Tr1的栅极-源极电压变大，且晶体管Tr1可以变为开。即使元件的个数少，但类似于第五实施方式的那些操作与优点也可以实现。
(第八实施方式)
尽管这种实施方式的像素电路的结构与参考图13所述第五实施方式的像素电路具有相同的结构，但操作有部分不同。
图19是这种实施方式类型的时序图。除了线L4的条件，其它每条线的条件都与图14所示第五实施方式的类似。
开关SW1至SW4的操作类似于图14中的那些。在这种实施方式类型中，与第四实施方式类似，电流设置期间中的电流与光发射期间中的电流相同。为了简单，在这种实施方式类型中，假定晶体管Tr1和Tr2的电特性完全相同。
在这种实施方式中，如图19所示，线L4的电压在对应于在第五实施例中增加电压的期间的期间降低，以便形成减小电压的期间1，且对应于第五实施方式中减小电压的期间的期间用作减小电压的期间2。由于线L4的电压在减小电压的期间1中降低，因此晶体管Tr1的栅极电压由于电荷泵浦效应而使晶体管Tr1变为关。
因此，由于晶体管Tr1在电流设置期间之前和光发射期间之前关，所以即使晶体管Tr1具有磁滞特性，但在电流设置期间中提供给驱动电路的电流也与由在光发射期间中驱动电路提供给OLED元件LED1的电流相同。在这种情况下，磁滞特性是图3所示的顺时针磁滞特性。逆时针磁滞特性也可以使用。
此外，由于光发射期间和电流设置期间之前的电压条件是固定的，因此有可能抑制由磁滞的影响造成的电压变化。因此，在这种实施方式中，如果没有磁滞特性的影响且电流设置期间中所提供的电流也没有变化，则不管光发射期间中晶体管特性的变化，不变的电流也可以提供给OLED元件LED1。
类似的优点可以通过在电流设置期间和光发射期间之前提供增加电压的期间代替减小电压的期间来获得。即，在这种实施方式中，尽管晶体管Tr1在电流设置期间和光发射期间之前变为关，但晶体管Tr1也可以在电流设置期间和光发射期间之前变为开。
如上所述，尽管第五至第八实施方式具有不同于第一至第四实施方式的电路结构，但第五至第八实施方式可以提供与第一至第四实施方式相同的功能。这对于具有驱动电路的所有光发射显示设备也是成立的，其中驱动电路根据在电流设置期间中提供的电流设置在光发射期间中向OLED元件LED1提供的电流。
即，确定要提供给OLED元件LED1的电流的晶体管操作在电流设置期间或光发射期间之前固定为ON或OFF。因此，可以获得类似于第一至第四实施方式的优点。
此外，这对于具有这种类型的驱动电路的光发射显示设备也是成立的，在所述类型的驱动电路中要在光发射期间中提供给OLED元件LED1的电流通过在电流设置期间中提供电压来设置。
(第九实施方式)
在描述第九实施方式之前，先描述第九和第十实施方式基于的技术。
图20示出了驱动电路。
在图20中，提供了其一端连接到第二线L2的OLED元件LED1、和用于该OLED元件的驱动电路。该驱动电路如下构成。
提供了n-型第一晶体管Tr1，其源极连接到第一线L1，其栅极连接到电容器C1的一端。提供了第一开关SW1，其一端连接到电容器C1未连接到晶体管Tr1栅极的一侧的一端，其另一端连接到第三线L3。
还提供了第二开关SW2，其一端连接到晶体管Tr1的栅极，其另一端连接到晶体管Tr1的漏极。还提供了第三开关SW3，其一端连接到电容器C1未连接到晶体管Tr1栅极的一侧的一端，其另一端连接到第四线L4。
还提供了第四开关SW4，其一端连接到OLED元件LED1未连接到线L2的一侧的一端，其另一端连接到晶体管Tr1的漏极。在此假定至少晶体管Tr1具有图3所示的顺时针磁滞特性。
图21是说明具有图20所示结构的像素电路操作的时序图。恒定的电压VSS1、VDD1和Vb分别施加到线L1、L2和L4，且适当的电压Va施加到线L3。晶体管Tr1的栅极电压由Vg表示，而电容器C1未连接到晶体管Tr1栅极的一侧的一端的电压由V1表示。
在这个例子中，如图21所示，在电流设置期间中，开关SW1和SW2接通，而开关SW3断开。一开始接通的开关SW4在从接通开关SW1和SW2的时间点延迟的时间点断开。即，开关SW4在电流流经OLED元件LED1并流经晶体管Tr1的漏极-源极之后断开。
在开关SW4接通期间，电压Vg取比晶体管Tr1的阈值电压Vth高的电压，其后当开关SW4断开时取阈值电压Vth。电压V1通过开关SW1和线L3取电压Va。
在接下来的光发射期间中，开关SW1和SW2断开，而开关SW3和SW4接通。在这种情况下，由于电荷泵浦效应，电压Vg取值Vb-Va+Vth。因此，根据晶体管饱和区域中的漏极电流等式，流经晶体管Tr1的电流与(Vg-Vth)2，即(Vb-Va)2，成比例，且不依赖于阈值电压。
在第九实施方式中，上述结构改进成图22所示的结构。
图22所示结构与图20所示结构的区别在于线L4与晶体管Tr1漏极之间连接了第五开关SW5。
在这种实施方式中，提供了其一端连接到第二线的OLED元件LED1、和用于该OLED元件的驱动电路。该驱动电路如下构成。
提供了n-型第一晶体管Tr1，其源极连接到第一线L1，其栅极连接到电容器C1的一端。提供了第一开关SW1，其一端连接到电容器C1未连接到晶体管Tr1栅极的一侧的一端，其另一端连接到第三线L3。
还提供了第二开关SW2，其一端连接到晶体管Tr1的栅极，其另一端连接到晶体管Tr1的漏极。还提供了第三开关SW3，其一端连接到电容器C1未连接到晶体管Tr1栅极的一侧的一端，其另一端连接到第四线L4。
还提供了第四开关SW4，其一端连接到OLED元件LED1未连接到线L2的一侧的一端，其另一端连接到晶体管Tr1的漏极。还提供了第五开关SW5，其一端连接到线L4，其另一端连接到晶体管Tr1的漏极。在此假定至少晶体管Tr1具有图3所示的顺时针磁滞特性。
图23是说明这种实施方式的时序图。恒定的电压VSS1和VDD1分别施加到线L1和L2。适当的电压Va施加到线L3。电压Va优选地比晶体管Tr1的阈值电压高。晶体管Tr1的栅极电压由Vg表示，而电容器C1未连接到晶体管Tr1栅极的一侧的一端的电压由V1表示。
首先，如图23所示，在电流设置期间中，开关SW1和SW2接通，而开关SW3、SW4和SW5断开。在这种情况下，电压V1取通过开关SW1从线L3施加的电压Va。尽管电Vg由于电荷泵浦效应而上升，但因为开关SW4断开且晶体管Tr1的栅极和漏极短路，所以这个电压在阈值电压Vth变得稳定。
接下来，如图23所示，在增加电压的期间中，开关SW1、SW2和SW4接通，而开关SW3和SW5断开。线L4的电压适当地升高。在这种情况下，电压Vg由于电荷泵浦效应而变高，因此晶体管Tr1可靠地变为开。
在接下来的光发射期间中，开关SW1、SW2和SW5断开，而开关SW3和SW4接通。线L4的电压设置成电压Vb。在这种情况下，电压Vg由于电荷泵浦效应上升到Vb-Va+Vth。因此，根据晶体管饱和区域中的漏极电流等式，流经晶体管Tr1的电流与(Vg-Vth)2，即(Vb-Va)2，成比例，且不依赖于阈值电压。
接下来，在接下来的减小电压的期间中，开关SW1和SW4断开，而开关SW2、SW3和SW5接通。线L4的电压设置成VSS1。在这种情况下，晶体管Tr1的栅极、源极和漏极都处于VSS1，而晶体管固定为OFF。电容器C1的两端取相同的电压。
以上操作是重复执行的。在这种情况下，类似于图20所示的操作的操作是可能的，而且由于光发射期间和电流设置期间之前的电压条件是固定的，因此有可能抑制由于磁滞影响造成的电流变化。
通过设置增加电压的期间为减小电压的期间1并设置减小电压的期间为减小电压的期间2，类似的优点可以通过这种实施方式的结构获得。这种情况的时序图在图24中示出。相同的优点可以通过设置减小电压的期间1为增加电压的期间1并通过设置减小电压的期间2为增加电压的期间2来获得。即，这些优点与通过驱动电路获得的第四实施方式的优点相同，在第四实施方式中在光发射期间中要提供给OLED元件LED1的电流是通过使用在电流设置期间中提供的电流确定的。在通过施加电压设置电流的情况下，在设置电流的期间前，升高电压的期间或降低电压的期间是不必要的。
(第十实施方式)
接下来，将对根据第十实施方式的像素电路的结构例子进行描述。尽管该实施方式的结构与图20所示的相同，但操作不同。在这种实施方式中，线L1的电压VSS1不是固定的，而是可变的。图25是这种实施方式的时序图。
在这种实施方式中，如图25所示，线L1的电压在增加电压的过程中降低。因此，晶体管Tr1的栅极-源极电压变高，且晶体管Tr1可以变为开。即使元件个数少，但类似于第一实施方式的操作和优点也可以实现。
实际上，在象第九实施例那样通过施加电压来设置电流的情况下，在电流设置期间前增加或减少电压的期间几乎没有优点，因为该电流设置不依赖于电流-电压关系。
电压施加到晶体管栅极以便在电流设置期间之前和光发射期间之前开(关)晶体管的结构不仅可以应用到这种实施方式的驱动电路，还可以应用到在国际公告号WO99/065011等中描述的驱动电路。
在第一至第十实施方式中，尽管晶体管具有顺时针磁滞(图3)，但类似的操作对于逆时针磁滞也是可能的。
在这种情况下，要在光发射期间之前执行的增加电压期间中的电压增加操作或减小电压的期间1中的电压减小操作改变成减小电压期间中的电压减小操作或增加电压的期间1中的电压增加操作。此外，要在电流设置期间之前执行的减小电压期间中的电压减小操作或减小电压的期间2中的电压减小操作改变成增加电压期间中的电压增加操作或增加电压的期间2中的电压增加操作。
具体而言，在第一至第十实施方式(除第四和第八实施方式之外)的结构中，对于顺时针磁滞，在电流设置期间之前把使晶体管变为关的电压施加到栅极，而在光发射期间之前把使晶体管变为开的电压施加到栅极。
对于逆时针磁滞，在电流设置期间之前把使晶体管变为开的电压施加到栅极，而在光发射期间之前把使晶体管变为关的电压施加到栅极。以这种方式，可以获得类似的优点。
此外，在第一至第十实施方式中，通过改变所施加电压的极性、OLED元件的连接等，n-型晶体管可以改变成相反的p-型晶体管。
此外，在第一至第六实施方式中，开关可以改变成晶体管。晶体管和开关可以只由n-型晶体管或p-型晶体管构成。
在第一至第十实施方式中，包括开关在内的所有晶体管可以是在沟道区域中使用硅晶体的场效应晶体管，或者是在沟道区域中使用非晶硅、多晶硅、有机半导体或氧化半导体的薄膜晶体管。特别地，如果使用薄膜晶体管，则有可能在石英或塑料衬底上制造大尺寸的矩阵类型光发射显示设备。
因为非晶氧化半导体具有高活动性并可以实现高速电路操作，所以还有可能制造大尺寸、高精度且便宜的矩阵类型光发射显示设备。
非晶氧化半导体的例子是在国际公告号WO2005/088726中描述的透明非晶氧化材料。更具体而言，这种材料可以是包含In、Ga和Zn的非晶氧化材料、包含In和Ga的氧化材料、包含In和Zn的非晶氧化材料、包含In和Sn的非晶氧化材料，等等。电子载流子浓度优选地是小于1018cm-3，更优选地是1017cm-3或更少。
本发明允许通过在衬底上以矩阵形状排列显示元件(例如第一至第十实施方式每一个的OLED元件LED1和驱动电路)，来配置图像显示装置。
修复电路的概念可以引入到其中TFT有源层使用在国际公告号WO2005/088726中描述的透明非晶氧化物的情况中。例如，多个TFT在一个像素中准备为用于例如OLED的显示元件的驱动TFT。如果存在有缺陷的像素，则多余的TFT可以通过利用受激准分子(excimer)激光器来使用。
更具体而言，为每个像素准备了用于切换晶体管的两对TFT，并准备用于驱动OLED(二极管)的两对TFT。如果不存在有缺陷的像素，在两对中的一对是虚设的TFT。即使准备了多个修复TFT，由于使用了透明TFT，因此这也不会显著负面影响孔径比。修复电路的具体描述在日本专利申请特开号2000-22776中给出。
尽管本发明已经参考示例实施方式进行了描述，但应当理解，本发明不限于所公开的示例实施方式。以下权利要求的范围是要符合最广泛的解释，从而包括所有这种修改及等价结构和功能。

Claims (13)

1、一种像素电路，包括：
晶体管，提供当晶体管从关状态过渡到开状态时栅极电压值与漏极电流值之间的第一关系及当晶体管从开状态过渡到关状态时栅极电压值与漏极电流值之间的第二关系，其中第二关系与第一关系不同；
显示元件，被提供有由所述晶体管控制的电流作为驱动电流；及
电容器元件，连接到所述晶体管的栅极，
其中：
基于所述第一和第二关系之一，在第一期间中设置要提供给显示元件的驱动电流；及
基于所述第一和第二关系中的另一个，在第二期间中将所述驱动电流提供给所述显示元件用于发光。
2、如权利要求1所述的像素电路，其中在所述第一期间中设置的漏极电流值大于在所述第二期间中提供给所述显示元件的驱动电流值。
3、如权利要求1所述的像素电路，其中在所述第一期间中设置的漏极电流值小于在所述第二期间中提供给所述显示元件的驱动电流值。
4、如权利要求1所述的像素电路，其中在所述第一期间中确定的栅极电压值等于当驱动电流提供给所述显示元件时的栅极电压值。
5、如权利要求2所述的像素电路，其中所述晶体管具有：
顺时针磁滞特性，其中即使处于相同的栅极电压值，从开状态设置的漏极电流值也小于从关状态设置的漏极电流值；
在所述晶体管设置成关状态后，所述晶体管的栅极电压值设置成使漏极电流在所述第一期间中具有第一电流值；及
通过在栅极电压值一旦设置成开状态后反转所述晶体管的栅极电压值，小于所述第一电流值的第二电流值在所述第二期间中作为驱动电流提供给所述显示元件。
6、如权利要求2所述的像素电路，其中所述晶体管具有：
逆时针磁滞特性，其中即使处于相同的栅极电压值，从开状态设置的漏极电流值也大于从关状态设置的漏极电流值；
在所述晶体管一旦设置成开状态后，所述晶体管的栅极电压值设置成使漏极电流在所述第一期间中具有第三电流值；及
通过在栅极电压值一度设置成关状态后反转所述晶体管的栅极电压值，小于所述第三电流值的第四电流值在所述第二期间中作为驱动电流提供给所述显示元件。
7、如权利要求2所述的像素电路，其中所述电容器元件和所述晶体管的所述栅极电连接，且要在所述第一期间中确定的栅极电压值由于所述电容器元件的电荷泵浦效应增加或减小。
8、一种图像显示装置，其中：
一个像素由根据权利要求1的像素电路构成；
多个所述像素排列成矩阵形状；
提供连接到所述像素电路的数据线和扫描线。
9、如权利要求8所述的图像显示装置，其中所述像素电路中的所述显示元件是OLED元件。
10、如权利要求8所述的图像显示装置，其中构成像素电路的所述晶体管的沟道层由非晶硅、非晶硅氧化材料或有机半导体材料制成。
11、一种像素电路，包括：
晶体管，提供第一和第二关系，所述第一关系是当关状态过渡到开状态时栅极电压值与漏极电流值之间的关系，所述第二关系与第一关系不同并且是当开状态过渡到关状态时栅极电压值与漏极电流值之间的关系；
显示元件，被提供有由所述晶体管控制的电流作为驱动电流；及
电容器元件，连接到所述晶体管的栅极，
其中：
提供了用于设置要提供给所述显示元件的驱动电流的第一期间和用于向显示元件提供所述驱动电流以实现发光的第二期间；及
为了在所述第一和第二期间中都只基于所述第一和第二关系中的一个来设置和提供驱动电流：
(1)设置所述驱动电流，其后在所述晶体管设置成关状态后，所述驱动电流提供给所述显示元件，或者
(2)设置所述驱动电流，其后在所述晶体管设置成开状态后，所述驱动电流提供给所述显示元件。
12、如权利要求11所述的像素电路，其中，为了在所述第一和第二期间中仅基于所述第一和第二关系中的一个来设置和提供驱动电流：
(1)在所述晶体管设置成关状态后设置所述驱动电流，然后，在一度设置到关状态的所述晶体管一旦又经过开状态反转到关状态后，将所述驱动电流提供给所述显示元件，或
(2)在所述晶体管设置成开状态后设置所述驱动电流，然后，在一度设置到开状态的所述晶体管一旦又经过关状态反转到开状态后，将所述驱动电流提供给所述显示元件。
13、一种图像显示装置，其中：
一个像素由权利要求11中所述的像素电路构成；
多个所述像素排列成矩阵形状；
提供连接到所述像素电路的数据线和扫描线。
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