JP5455753B2 - Icカード - Google Patents
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Description
本実施形態における情報処理装置の構成について説明する。
図2は、本実施形態の情報処理装置と、外部デバイスとの接続の態様を示したものである。情報処理装置110に設けられた端子部115を介して、外部デバイスA201、外部デバイスB202、又は外部デバイスC203と接続することにより、各外部デバイスが有する機能を情報処理装置110に付加することができる。
図8に示す情報処理装置は、アンテナ803と集積回路802、及び端子804を有する情報処理装置を、それぞれを支持するための基材801に内蔵することによって、カード形状をもたらしている。このような形態を有する情報処理装置は、例えばICカード等と呼ばれる。基材801は、例えば樹脂材料等で形成し、集積回路802、アンテナ803を内部に埋め込む形で支持する。同時に、外部デバイス810、820、830を接続した際に、接続が外れないように支持固定するために、805で示すような支持固定用の構造を有していても良い。図8の場合、基材801(ICカード)側に凹形状のガイド805を有し、外部デバイス810側には、凸形状のガイド813が形成されており、スライドして咬合させ、端子804と端子812を接続する。各々の外部デバイスは、異なる機能を有する集積回路811、821、831をそれぞれ有し、基材801(ICカード)に接続することで機能付加を実現する。
本実施の形態では、上記実施の形態で示した情報処理装置を得るための一作製方法を、図4〜図6を用いて説明する。
本実施の形態では、可撓性を有する情報処理装置を、信頼性を高く、かつ歩留まり良く作製する方法について、図7を用いて説明する。本実施の形態では、情報処理装置を構成する一例としてCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)により構成される半導体集積回路に関して説明する。
101 機能回路
102 アンテナ
110 情報処理装置
111 アンテナ
112 集積回路
113 アナログ回路
114 ロジック回路
115 端子部
122 帯域フィルタ
123 電源回路
124 整流回路
125 定電圧回路
126 復調回路
127 変調回路
131 メモリ
132 メモリコントローラ
133 論理回路
134 インターフェイス
201 外部デバイスA
202 外部デバイスB
203 外部デバイスC
300 保護回路
301 端子
311〜312 端子
313〜316 ダイオード
317〜320 抵抗
801 基材
802 集積回路
803 アンテナ
804 端子
805 ガイド
810 外部デバイス
811 集積回路
812 端子
813 ガイド
Claims (4)
- 無線通信により、第1の端末機と第1の信号の授受を行うアンテナと、
前記第1の信号に基づき処理を実行する集積回路と、
第2の端末機と第2の信号の授受を行う、表面に導電部を露出した端子部とを有する情報処理装置を有するICカードであって、
前記第1の信号は、搬送波と、前記搬送波の振幅又は周波数を情報に応じ変調して生成された変調波とを有し、
前記第2の信号は、デジタル信号を有し、
前記端子部が有する端子の少なくとも一において、前記端子と高電位の電源端子、及び前記端子と低電位の電源端子との間に保護回路を設けられ、
前記情報処理装置を支持する基材を有し、
前記基材は、凹形状のガイドを有し、
前記第2の端末機は、凸形状のガイドを有し、
前記基材に前記第2の端末機をスライドして咬合させて、前記基材に前記第2の端末機を支持固定させ、前記情報処理装置の前記端子と前記第2の端末機の端子とを接続することを特徴とするICカード。 - 請求項1において、
前記集積回路は、絶縁表面上に形成された薄膜トランジスタを有し、
前記保護回路は、前記絶縁表面上に形成されたPNダイオード、PINダイオード、ショットキーバリアダイオード、ゲート・ドレイン間を短絡しダイオード接続した薄膜トランジスタから選ばれた少なくとも一のダイオードを、前記端子と前記高電位の電源端子、及び前記端子と前記低電位の電源端子との間に、それぞれ通常状態において逆バイアスとなるように設けられた構造を有し、
前記薄膜トランジスタと、前記保護回路が有する前記ダイオードは、同一工程によって形成された半導体膜を有することを特徴とするICカード。 - 請求項2において、
前記PNダイオード、又は前記PINダイオードが有する、P型又はN型の不純物領域は、前記薄膜トランジスタが有する不純物領域と同一工程にて形成され、前記P型又は前記N型の不純物領域は、前記半導体膜に形成されていることを特徴とするICカード。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載のICカードと、前記第1及び第2の端末機とを用いた通信システム。
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CN103794190B (zh) * | 2012-10-26 | 2016-08-10 | 纬创资通股份有限公司 | 具有静电放电防护功能的连接装置 |
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JP6689051B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2020-04-28 | デクセリアルズ株式会社 | 光硬化性樹脂組成物、及び画像表示装置の製造方法 |
US9952355B1 (en) * | 2017-03-13 | 2018-04-24 | Goodrich Corporation | Spatially controlled conductivity in transparent oxide coatings |
Family Cites Families (70)
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---|---|---|---|---|
JPH02292692A (ja) * | 1989-05-08 | 1990-12-04 | Hitachi Ltd | カードデータ処理方法 |
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JP3071851B2 (ja) | 1991-03-25 | 2000-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置 |
JP3375659B2 (ja) | 1991-03-28 | 2003-02-10 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | 静電放電保護回路の形成方法 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3477781B2 (ja) * | 1993-03-23 | 2003-12-10 | セイコーエプソン株式会社 | Icカード |
JPH0830747A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-02-02 | Sony Corp | メモリカード |
JP3479375B2 (ja) * | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
US6346886B1 (en) * | 1996-12-20 | 2002-02-12 | Carlos De La Huerga | Electronic identification apparatus |
JPH10207997A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Central Japan Railway Co | Icカードホルダ |
US6046676A (en) * | 1997-11-14 | 2000-04-04 | International Business Machines Corporation | Self powered electronic memory identification tag with dual communication ports |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
US6720866B1 (en) * | 1999-03-30 | 2004-04-13 | Microchip Technology Incorporated | Radio frequency identification tag device with sensor input |
JP2000353227A (ja) | 1999-06-14 | 2000-12-19 | Hitachi Ltd | Icカード |
JP3719885B2 (ja) * | 1999-11-10 | 2005-11-24 | 日本電信電話株式会社 | Icカード変換アダプタ装置 |
JP2001216490A (ja) | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記録媒体 |
TW446192U (en) * | 2000-05-04 | 2001-07-11 | United Microelectronics Corp | Electrostatic discharge protection circuit |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
JP2003346108A (ja) | 2002-03-20 | 2003-12-05 | Oji Paper Co Ltd | 非接触icカード |
TW592420U (en) * | 2002-04-19 | 2004-06-11 | Quanta Comp Inc | Mobile phone |
JP4588341B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2010-12-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Icカード |
US7333072B2 (en) | 2003-03-24 | 2008-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film integrated circuit device |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7597250B2 (en) * | 2003-11-17 | 2009-10-06 | Dpd Patent Trust Ltd. | RFID reader with multiple interfaces |
CN102856390B (zh) | 2004-03-12 | 2015-11-25 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件 |
US7282782B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
JP2005309587A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | タグ、情報読み取り装置、及びタグ情報読み取り補完システム |
TWI240403B (en) * | 2004-04-29 | 2005-09-21 | Via Tech Inc | Electrostatic discharge protection circuit |
JP2006060191A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-03-02 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置及びその製造方法、電気光学装置、電子機器 |
US8217396B2 (en) | 2004-07-30 | 2012-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising electrode layer contacting wiring in the connection region and extending to pixel region |
JP5072202B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2012-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
JP2006109429A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-04-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 無線チップ |
JP2006153470A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Seiko Epson Corp | 静電容量検出装置 |
US7579224B2 (en) * | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
US8111143B2 (en) * | 2005-04-29 | 2012-02-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Assembly for monitoring an environment |
EP1887620A4 (en) * | 2005-05-24 | 2012-03-21 | Fujitsu Ltd | ANBRING STRUCTURE FOR AN IC LABEL AND IC CHIP FOR ATTACHMENTS |
CN101189625B (zh) * | 2005-05-31 | 2011-09-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法以及天线的制造方法 |
US7838993B2 (en) * | 2005-05-31 | 2010-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7465596B2 (en) * | 2005-06-30 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US7510950B2 (en) * | 2005-06-30 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
TWI284843B (en) * | 2005-07-22 | 2007-08-01 | Ind Tech Res Inst | Radio frequency identification reader/writer and financial transaction method using the same |
US7462035B2 (en) * | 2005-07-27 | 2008-12-09 | Physical Optics Corporation | Electrical connector configured as a fastening element |
US7776656B2 (en) * | 2005-07-29 | 2010-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
DE102005043334B4 (de) * | 2005-09-12 | 2007-07-05 | Infineon Technologies Ag | Schnittstellenschaltung mit einem Versorgungseingang, wenigstens einem Dateneingang und einer Fehlerdetektionsschaltung |
US7515438B2 (en) * | 2005-12-05 | 2009-04-07 | Dell Products L. P. | Systems and methods for implementing subcriber identity modules |
WO2007077996A1 (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-12 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 個体識別が可能な管状容器 |
JP5137453B2 (ja) | 2006-04-28 | 2013-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP1850378A3 (en) | 2006-04-28 | 2013-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semicondutor device |
JP4466689B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2010-05-26 | 株式会社カシオ日立モバイルコミュニケーションズ | アンテナ及び携帯電子機器 |
WO2008035296A2 (en) * | 2006-09-22 | 2008-03-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Extended functionality of rfid devices |
US7973316B2 (en) * | 2007-03-26 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP2009054851A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Panasonic Corp | 半導体集積回路 |
JP2009076625A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US7834640B2 (en) * | 2007-09-26 | 2010-11-16 | Nokia Corporation | System and method for testing electrical connection |
JP5138338B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2013-02-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体パッケージ |
CN101453116A (zh) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 芯片保护电路及电子装置 |
DE102008008072A1 (de) * | 2008-01-29 | 2009-07-30 | Balluff Gmbh | Sensor |
US8027131B2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-09-27 | Infineon Technologies Ag | Method and circuit arrangement for protection against electrostatic discharges |
US7961101B2 (en) * | 2008-08-08 | 2011-06-14 | Tyfone, Inc. | Small RFID card with integrated inductive element |
WO2010032611A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2010038582A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Reset signal generation circuit and semiconductor device |
JP5319469B2 (ja) * | 2008-10-03 | 2013-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Rfidタグ |
JP5349945B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2013-11-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8184006B2 (en) * | 2009-03-20 | 2012-05-22 | Mach 1 Development, Inc. | Shipping container integrity device and system |
JP5455753B2 (ja) * | 2009-04-06 | 2014-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Icカード |
JP5577082B2 (ja) * | 2009-12-08 | 2014-08-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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