JP2006153470A - 静電容量検出装置 - Google Patents
静電容量検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006153470A JP2006153470A JP2004340111A JP2004340111A JP2006153470A JP 2006153470 A JP2006153470 A JP 2006153470A JP 2004340111 A JP2004340111 A JP 2004340111A JP 2004340111 A JP2004340111 A JP 2004340111A JP 2006153470 A JP2006153470 A JP 2006153470A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitance detection
- detection electrode
- electrode
- capacitance
- fingerprint sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
【課題】 従来の構成に比して静電耐圧を一層向上させることが可能な静電容量検出装置を提供する。
【解決手段】 本発明の静電容量検出装置10は、対象物(指)Fとの距離に応じて変化する静電容量を検出する静電容量検出装置であって、容量検出電極11と、能動素子12と、前記容量検出電極11と前記能動素子12とを電気的に接続する配線17とを備え、前記容量検出電極11が前記配線17よりも高抵抗材料にて構成されてなることを特徴とする。
【選択図】 図3
【解決手段】 本発明の静電容量検出装置10は、対象物(指)Fとの距離に応じて変化する静電容量を検出する静電容量検出装置であって、容量検出電極11と、能動素子12と、前記容量検出電極11と前記能動素子12とを電気的に接続する配線17とを備え、前記容量検出電極11が前記配線17よりも高抵抗材料にて構成されてなることを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
本発明は、指紋センサ等に適用可能な静電容量検出装置に関する。
従来から、指紋などの対象物の表面形状を読み取る静電容量検出装置は、静電気により破壊され易いとの課題を有している。これに対して、特許文献1には、容量を検出するための容量検出電極に保護ダイオードを接続し、この保護ダイオードによって過剰な電荷を逃すことで、静電耐圧を向上させた半導体装置が開示されている。一方、特許文献2に開示されているように、薄膜半導体装置にて静電容量検出装置を作成する場合には、容量検出電極により読み取った信号を、薄膜半導体装置からなる信号増幅素子によって増幅することが好ましい。
特開2001−133213号公報
特開2003−254706号公報
しかしながら、特許文献1のような保護ダイオードを含んだ構成であっても、容量検出電極とスイッチング素子などの能動素子との間の抵抗が小さいために、能動素子が破壊されてしまう惧れがある。また、特許文献2のように薄膜半導体装置からなる信号増幅素子を設けた場合、そのゲート電極は容量検出電極と直接接続されることとなる。この場合、スイッチング素子のドレイン電極と容量検出電極が接続されてなる特許文献1の構成よりも静電耐圧が低下するため、単純に容量検出電極に保護ダイオードを追加するだけでは静電対策が不十分であるとの問題がある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、従来の構成に比して静電耐圧を一層向上させることが可能な静電容量検出装置を提供することを目的としている。
上記課題を解決するために、本発明の静電容量検出装置は、対象物との距離に応じて変化する静電容量を検出する静電容量検出装置であって、容量検出電極と、能動素子と、前記容量検出電極と前記能動素子とを電気的に接続する配線とを備え、前記容量検出電極が前記配線よりも高抵抗材料にて構成されてなることを特徴とする。このような静電容量検出装置によると、容量検出電極が、該容量検出電極と能動素子とを接続する配線よりも高抵抗材料にて構成されてなるため、容量検出電極に対して静電気の放電があった場合にも、容量検出電極から能動素子に電流が流れる場合の時定数を増大させ、能動素子が破壊されることを防止ないし抑制することが可能となる。
また、上記課題を解決するために、本発明の静電容量検出装置は、その異なる態様として、対象物との距離に応じて変化する静電容量を検出する静電容量検出装置であって、容量検出電極と、能動素子と、前記容量検出電極と前記能動素子との間に配設された抵抗体とを有してなることを特徴とする。このような静電容量検出装置によると、容量検出電極と能動素子との間に抵抗体が配設されてなるため、容量検出電極に対して静電気の放電があった場合にも、容量検出電極から能動素子に電流が流れる場合の時定数を増大させ、能動素子が破壊されることを防止ないし抑制することが可能となる。
本発明の静電容量検出装置において、前記能動素子は、前記容量検出電極が検出した信号を増幅するための信号増幅素子を含み、該信号増幅素子は、ソース電極とドレイン電極とゲート電極とを有する信号増幅用薄膜半導体装置からなり、該信号増幅素子のゲート電極が前記容量検出電極と接続されてなるものとすることができる。このようにゲート電極と容量検出電極とが直接接続される場合にも、本発明の構成によれば、十分な静電耐圧を確保することができるようになる。
以下、本発明の静電容量検出装置を適用した指紋センサを具備するICカードの実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、ICカードKを示す分解斜視図である。ICカードKは、2枚のプラスチック等の基材61,62が貼り合わされて形成された基板60と、2枚の基材61,62の間に挟持されたICチップ(集積回路)40及び指紋センサ(静電容量検出装置)10とを備えている。また、カード端末等の外部装置(不図示)との情報交換を行うインターフェイスとして、外部装置と直接接触する接触用IC端子51と、外部装置と一定周波数の電波を受信・送信する非接触型IC用アンテナ52とを備えている。さらに、基材61の上面60aには、指紋センサ10の検出面10aを基板上面に露出させるために開口部63が形成されている。
図1は、ICカードKを示す分解斜視図である。ICカードKは、2枚のプラスチック等の基材61,62が貼り合わされて形成された基板60と、2枚の基材61,62の間に挟持されたICチップ(集積回路)40及び指紋センサ(静電容量検出装置)10とを備えている。また、カード端末等の外部装置(不図示)との情報交換を行うインターフェイスとして、外部装置と直接接触する接触用IC端子51と、外部装置と一定周波数の電波を受信・送信する非接触型IC用アンテナ52とを備えている。さらに、基材61の上面60aには、指紋センサ10の検出面10aを基板上面に露出させるために開口部63が形成されている。
接触用IC端子51は、ICチップ40の上面に接触しつつ、基板60の上面60aに露出するように形成されている。一方、非接触型IC用アンテナ52は、2枚の基材61,62の間にコイル状に形成されている。なお、本実施形態では、接触用IC端子と非接触型IC用アンテナとを備えるコンビカード(デュアルインターフェイス)について説明するが、接触用IC端子のみを備える場合(ISO7816参照)や、非接触型IC用アンテナのみを備える場合(ISO14443等参照)、或いは、接触用ICチップと非接触用ICチップを備えるハイブリッドカードであってもよい。
図2は、ICチップ40の概略構成を示す説明図である。
ICチップ40は、指紋センサ10に取り込まれた指紋パターンの特徴抽出を行うデータ処理部41と、特定の指紋パターンについて特徴量等の各種情報を記憶するメモリ42と、データ処理部41により抽出された特徴量とメモリ42に記憶された特徴量とを比較する比較部43と、ICカードKの動作を制御する制御部44とを備えている。そして、比較部43には、接触用IC端子51及び非接触型IC用アンテナ52が接続されている。
ICチップ40は、指紋センサ10に取り込まれた指紋パターンの特徴抽出を行うデータ処理部41と、特定の指紋パターンについて特徴量等の各種情報を記憶するメモリ42と、データ処理部41により抽出された特徴量とメモリ42に記憶された特徴量とを比較する比較部43と、ICカードKの動作を制御する制御部44とを備えている。そして、比較部43には、接触用IC端子51及び非接触型IC用アンテナ52が接続されている。
次に、指紋センサ10について図3及び図4を参照しつつ説明する。
図3は指紋センサ10の概略構成を示す断面模式図、図4は指紋センサ10の回路構成を示す模式図である。指紋センサ10は、静電容量型の指紋センサであって、凹凸を有する指Fの表面と、当該指紋センサ10の検出面10aとの間の距離に応じて変化する静電容量を測定し、指紋パターンを検出するセンサである。このような静電容量型の指紋センサ10は、光源が不要であるために薄型化することが容易であり、且つ表面保護層(パッシベーション膜)を適切に選択することによって、耐傷性を向上させることができるという特徴がある。
図3は指紋センサ10の概略構成を示す断面模式図、図4は指紋センサ10の回路構成を示す模式図である。指紋センサ10は、静電容量型の指紋センサであって、凹凸を有する指Fの表面と、当該指紋センサ10の検出面10aとの間の距離に応じて変化する静電容量を測定し、指紋パターンを検出するセンサである。このような静電容量型の指紋センサ10は、光源が不要であるために薄型化することが容易であり、且つ表面保護層(パッシベーション膜)を適切に選択することによって、耐傷性を向上させることができるという特徴がある。
指紋センサ10は、ガラス等からなる絶縁層の基板15を有しており、この基板15上には、所定の間隔を隔てて互いに平行に形成された不図示の複数の行線と、この行線に対して直交するように所定の間隔を隔てて互いに平行に形成された複数の出力線16(図4)とが設けられている。複数の行線と複数の出力線16との交点のそれぞれに対応する位置には、薄膜トランジスタ(薄膜半導体装置)等によって構成されるスイッチング素子(検出回路)12が設けられている。
スイッチング素子12はゲート電極19を有してなり、該ゲート電極19には配線17を介して容量検出電極11が接続されている。なお、スイッチング素子12と容量検出電極11は一対一の関係でマトリクス状(M行N列)に配設されており、これらの間にはSiO2等の絶縁膜からなる層間絶縁層18が形成されている。
上記の行線(図示略)、出力線16およびスイッチング素子12によって、アクティブマトリクスアレイ13(図4)が構成されており、各検出電極11は、アクティブマトリクスアレイ13の全面を覆うように形成されたSiO2等の誘電体膜(パッシベーション膜)14にて覆われている。そして、誘電体膜14に対して、ICカードKの利用者の指Fが接触可能となっている。
このような構成を有する指紋センサ10においては、指Fが検出面10aに接触すると、指Fとマトリクス状に配置された各検出電極11との間に、2次元的に分布する静電容量が発生する(図4のC1,C2,C3等)。各検出電極11は、2次元的に分布した各静電容量の値をアクティブマトリクスアレイ13によって電気的に読み出すことにより、指Fの表面に形成された微細な凹凸形状のパターン(指紋パターン)を検出することができるものとされている。
ここで、本実施形態において、各検出電極11はITO(インジウム錫酸化物)から形成されてなる一方、検出電極11とスイッチング素子12とを接続する配線17はアルミニウムから形成されている。つまり、検出電極11は配線17よりも高抵抗な材料にて形成されている。
ところで、指Fの表面形状を読み取るためには、上述の通り、指Fが誘電体膜14に接する、若しくは誘電体膜14に接近する必要があるが、その際に生じ得る静電気によりスイッチング素子12が破壊される惧れがある。そこで、上述のように検出電極11を配線17よりも高抵抗な材料にて構成すれば、検出電極11に電荷が注入され難くなり、ひいては静電気が落ち難いものとなる。また、検出電極11が相対的に高抵抗な材料より構成されていれば、検出電極11からスイッチング素子12に流れる電流の時定数が大きくなり、スイッチング素子12にかかる電圧の最大値を小さくすることができるようになる。
配線層17を高抵抗材料にて構成する場合にも同様の効果を得ることは可能である。しかしながら、配線17は出力線16または行線と同一の薄膜層にて形成されている事が好ましい。そうする事により、余計な配線層を減らすことが出来るので、指紋センサ作成に必要なコスト及び時間を減少させ、かつ寄生容量や寄生抵抗を減少させることができる。この場合、配線17を高抵抗とすると同一の薄膜層にて形成された出力線または行線も高抵抗と成ってしまい、検出精度や動作速度を低下させてしまう。そこで本願発明の静電容量検出装置では、配線17を形成する配線層は低抵抗であるアルミニウムで構成し、検出電極11を抵抗値の高いITOなどにより形成する。
配線層17を高抵抗材料にて構成する場合にも同様の効果を得ることは可能である。しかしながら、配線17は出力線16または行線と同一の薄膜層にて形成されている事が好ましい。そうする事により、余計な配線層を減らすことが出来るので、指紋センサ作成に必要なコスト及び時間を減少させ、かつ寄生容量や寄生抵抗を減少させることができる。この場合、配線17を高抵抗とすると同一の薄膜層にて形成された出力線または行線も高抵抗と成ってしまい、検出精度や動作速度を低下させてしまう。そこで本願発明の静電容量検出装置では、配線17を形成する配線層は低抵抗であるアルミニウムで構成し、検出電極11を抵抗値の高いITOなどにより形成する。
なお、本実施形態では、検出電極11とは異なる接地された電極、すなわち人体に帯電した静電気を放電させる除電電極20を指紋センサ10の誘電体膜14上に設けている。このような除電電極20を形成することで、人体に帯電した静電気を放電した後に、指Fとの間の静電容量Cfを測定することが可能となり、上記のように検出電極11に高抵抗材料を用いる構成との併用により、人体に帯電した静電気による放電破壊を一層回避することが可能となる。
次に、ICカードKを用いた指紋照合動作の態様について説明する。
まず、ICカードKの使用者は、指紋センサ10の検出面10aに指Fを接触させる。検出面10aに指Fが触れると、指Fとマトリクス状に配置された各検出電極11との間に、2次元的に分布する静電容量が発生する。そして、この静電容量の値をアクティブマトリクスアレイ13によって電気的に読み出すことにより、指Fの指紋パターンが検出される。検出された指紋パターンは、ICチップ40のデータ処理部41に転送され特徴量が抽出される。この特徴量は、例えば指紋線の傾き量、分岐の位置、分岐の数等である。更に、求められた特徴量は、比較部43に転送され、メモリ42に格納されている特定の特徴量と比較される。
まず、ICカードKの使用者は、指紋センサ10の検出面10aに指Fを接触させる。検出面10aに指Fが触れると、指Fとマトリクス状に配置された各検出電極11との間に、2次元的に分布する静電容量が発生する。そして、この静電容量の値をアクティブマトリクスアレイ13によって電気的に読み出すことにより、指Fの指紋パターンが検出される。検出された指紋パターンは、ICチップ40のデータ処理部41に転送され特徴量が抽出される。この特徴量は、例えば指紋線の傾き量、分岐の位置、分岐の数等である。更に、求められた特徴量は、比較部43に転送され、メモリ42に格納されている特定の特徴量と比較される。
そして、仮に2つの特徴量が一致した場合には、一致信号が照合結果として、接触用IC端子51及び非接触型IC用アンテナ52を介して外部装置に出力される。すなわち、この場合、一致信号を調べることにより、検出された指紋パターンがメモリ42に格納されている特定の特徴量と同一の特徴量を持つことが確認できる。このようにメモリ42に特定の個人の指紋の特徴量を予め格納しておくことにより、ICカードKの使用者を特定することができる。
続いて、指紋センサ(静電容量検出装置)の変形例について説明する。
図5は第1の変形例に係る指紋センサ100の概略構成を示す模式図であって、指紋センサ10の図3に相当する図面である。なお、図5の指紋センサ100において、図3の指紋センサ10と同一の構成要素又は構成部材については、図3と同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。
図5は第1の変形例に係る指紋センサ100の概略構成を示す模式図であって、指紋センサ10の図3に相当する図面である。なお、図5の指紋センサ100において、図3の指紋センサ10と同一の構成要素又は構成部材については、図3と同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。
図5に示した指紋センサ100は、検出電極11とスイッチング素子12との間を接続する配線17の途上に、抵抗体としての半導体層21が形成されている。このような半導体層21を介在させることにより、検出電極11に対して静電気の放電があった場合にも、検出電極11からスイッチング素子12に電流が流れる場合の時定数を増大させ、スイッチング素子12が破壊されることを防止ないし抑制することが可能となる。なお、指紋センサ100においても、検出電極11を配線17よりも高抵抗な材料にて構成し、さらに除電電極20を設ける構成とすれば、静電耐圧を一層高めることが可能となる。
図6は、半導体層等で構成される抵抗体21を介在させた指紋センサ100の回路構成について、その要部を示す図である。つまり、指紋センサ100では、容量検出電極11からの検出信号がゲート電極(G)に入力されると、行線22からの信号がスイッチング素子12のソース電極(S)からドレイン電極(D)に流れて、その結果、該信号は出力線16に導出される。以上の様な構成とすることで、容量検出電極11に静電気が落ちた場合にスイッチング素子12に印加される電圧の最大値を下げることが出来る。
なお、図7に示すように、行線22をゲート電極(G)に接続する一方、容量検出電極11をソース電極(S)に接続する構成とすることもできる。この場合、行線22からの走査信号に基づいて、容量検出電極11にて検出された検出信号が抵抗体21を介してソース電極(S)からドレイン電極(D)に流れて、その結果、該信号は出力線16に導出されることとなる。この場合も、容量検出電極11に静電気が落ちた場合にも、スイッチング素子12に印加される電圧の最大値を下げることが出来る。
また、図8及び図9に示すように、容量検出電極11から余分な電荷を逃がすために、保護ダイオード23,24やトランジスタ25,26から成る静電保護回路を設けるものとしても良い。なお、静電保護回路を接続する場合は、容量検出電極11からスイッチング素子12へ電流が流れる場合の抵抗は、容量検出電極11から静電保護回路へ電流が流れる場合の抵抗よりも大きいことが好ましい。このような構成の導入により、静電気により容量検出電極11に電荷が注入された場合でも、スイッチング素子12が破壊されることなく、電荷を散逸し得ることが可能となる。
次に、上記のような静電保護回路を含む構成における、指紋センサ(静電容量検出装置)の好適な構成について図10〜図13を参照しつつ説明する。
この場合の指紋センサ(静電容量検出装置)は、図10に示すように、マトリクス状(M行N列)に配置された静電容量検出素子35を備え、各静電容量検出素子35は、少なくとも指(対象物)との間でコンデンサを形成する容量検出素子36と、容量検出素子が形成したコンデンサの容量値に応じてノードG(ゲート電極)に誘起される電圧を増幅するための信号増幅素子28とを有している。容量検出素子は、容量検出電極11及び誘電体膜14から成り、前述の如く容量検出電極1と指(対象物)の間でコンデンサを形成する。
この場合の指紋センサ(静電容量検出装置)は、図10に示すように、マトリクス状(M行N列)に配置された静電容量検出素子35を備え、各静電容量検出素子35は、少なくとも指(対象物)との間でコンデンサを形成する容量検出素子36と、容量検出素子が形成したコンデンサの容量値に応じてノードG(ゲート電極)に誘起される電圧を増幅するための信号増幅素子28とを有している。容量検出素子は、容量検出電極11及び誘電体膜14から成り、前述の如く容量検出電極1と指(対象物)の間でコンデンサを形成する。
更に、各静電容量検出素子35は、特定の行に配置された静電容量検出素子から出力線に信号を取り出すための行選択素子27と、容量検出素子が指(対象物)との間に形成したコンデンサとの容量比に応じて電位VGをノードGに誘起する基準コンデンサと、信号を読み出す前にノードGに所定の電位を印加するリセット素子34とを備えていることが好ましい。リセット素子34を備えた構成では、読み出し前にノードGの電位が必ず所定の値となるので、測定のばらつきを抑え、検出精度を向上することができる。このリセット素子34は、図8に示した保護ダイオード23,24や、図9に示したトランジスタ25,26を用いて置き換えることが可能である。その置き換えた構成例について、図11及び図12に示す。
図11に示した保護ダイオード31は閾値が略0Vであり、図12に示した保護回路33のトランジスタは閾値がVdd/2以上である。こうした構成において、各行線22i,22i-1…に図13に示す波形を印加する。図11及び図12に示した例では、行選択素子27がN型トランジスタにて構成されているので、行線22iに高電位(Vdd)が印加されている期間には、その行(i行)に配置された静電容量検出素子35の行選択素子27がONされ、静電容量検出素子35は選択状態となる。逆に、低電位(Vss:接地電位)が印加された場合には、行選択素子27はOFFとなり、i行に配置された静電容量検出素子35は非選択状態となる。
図11の構成では、行線22iに接地電位Vssが印加されている期間には、ノードGの電位VGはVssとなり、リセット素子と同様の効果を得ることができる。行線22iに高電位Vddが印加されている期間には、ノードGの電位VGは対象物の表面形状に応じてVss〜Vddの間で変化する。このノードGの電位VGを信号増幅素子により増幅し、表面形状を読み取る。こうした構成とすることで、ある静電容量検出素子から表面形状に応じた情報を読み取る直前に、ノードGの電位をVssとすることができ、検出精度を向上することができる。
また、図12の構成では、それぞれVthn及びVthpの閾値を持ったトランジスタを静電保護回路として用いている。このような構成にて、図13の波形を行線22i,22i-1…に印加する。前段の行線22i-1が選択されると、静電保護回路33のN型トランジスタの閾値電圧をVthnとすると、ノードGの電位VGは、VG=Vdd−Vthnとなる。
ここで、静電保護回路33のP型トランジスタの閾値電圧をVthpとすると、Vthp>VG=Vdd−Vthnであるので、行線22i-1から行線22iへ直接電流が流れることはない。その後、行線22iが選択されると、ノードGの電位VGは、Vss+(Vdd−Vthn)〜Vdd+Vthpの範囲で変化する。このノードGの変化を信号増幅素子により増幅し、表面形状を読み取る。この場合、指紋の凹凸により信号増幅素子の出力信号を大きく変化させ、検出感度を向上するとの観点から、VG=Vdd−Vthnは信号増幅素子の閾値よりも僅かに低いことが好ましい。こうした構成では、ある静電容量検出素子から表面形状に応じた情報を読み取る直前に、ノードGの電位を信号増幅素子の閾値電圧よりも僅かに低い所定の値にすることができ、検出精度を向上することができる。
以上のように、本実施の形態では、容量検出電極11を配線17よりも高抵抗な材料にて構成する、若しくは容量検出電極11とスイッチング素子12との間に抵抗体を挿むことで、静電気により容量検出電極11に多量の電荷が流れ込んだ場合でも、最も静電破壊され易いスイッチング素子12の電圧変化を緩やかにすることができ、ひいては静電耐圧を向上することができるようになる。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更し得ることは勿論である。例えば、本発明の静電容量検出装置は、上記指紋センサ以外にも、対象物との間の静電容量を検出するにより各種情報を識別する装置、具体的にはタッチセンサ等にも適用することが可能である。
10…指紋センサ(静電容量検出装置)、11…検出電極(容量検出電極)、12…スイッチング素子(能動素子)、17…配線、K…ICカード、G…グランド(基準電位)
Claims (4)
- 対象物との距離に応じて変化する静電容量を検出する静電容量検出装置であって、容量検出電極と、能動素子と、前記容量検出電極と前記能動素子とを電気的に接続する配線とを備え、前記容量検出電極が前記配線よりも高抵抗材料にて構成されてなることを特徴とする静電容量検出装置。
- 対象物との距離に応じて変化する静電容量を検出する静電容量検出装置であって、容量検出電極と、能動素子と、前記容量検出電極と前記能動素子との間に配設された抵抗体とを有してなることを特徴とする静電容量検出装置。
- 請求項2に記載の静電容量検出装置であって、静電保護回路をさらに備えることを特徴とする静電容量検出装置。
- 前記能動素子は、前記容量検出電極が検出した信号を増幅するための信号増幅素子を含み、該信号増幅素子は、ソース電極とドレイン電極とゲート電極とを有する信号増幅用薄膜半導体装置からなり、該信号増幅素子のゲート電極が前記容量検出電極と接続されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の静電容量検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004340111A JP2006153470A (ja) | 2004-11-25 | 2004-11-25 | 静電容量検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004340111A JP2006153470A (ja) | 2004-11-25 | 2004-11-25 | 静電容量検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006153470A true JP2006153470A (ja) | 2006-06-15 |
Family
ID=36631975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004340111A Withdrawn JP2006153470A (ja) | 2004-11-25 | 2004-11-25 | 静電容量検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006153470A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009079897A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | センサ装置及び表示装置 |
JP2010262635A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-11-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 情報処理装置、icカード及び通信システム |
-
2004
- 2004-11-25 JP JP2004340111A patent/JP2006153470A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009079897A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | センサ装置及び表示装置 |
JP2010262635A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-11-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 情報処理装置、icカード及び通信システム |
US8797142B2 (en) | 2009-04-06 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Data processing device, IC card and communication system |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4441927B2 (ja) | 静電容量検出装置 | |
US9990533B2 (en) | Self-capacitive fingerprint sensor with active amplified pixels | |
US6370965B1 (en) | Capacitive sensing array devices | |
EP1399876B1 (en) | Image acquisition apparatus | |
US7835553B2 (en) | Identity authentication device and fingerprint sensor | |
US6483931B2 (en) | Electrostatic discharge protection of a capacitve type fingerprint sensing array | |
KR100371115B1 (ko) | 요철 검출 센서, 지문 조합 장치 및 개인 판별 장치 | |
JP4308508B2 (ja) | 導電性懸濁剤を包含する保護コーティングを有する容量性指紋センサー | |
TWI390452B (zh) | 指紋感測裝置與方法以及具指紋感測之觸控裝置 | |
JP3858728B2 (ja) | 静電容量検出装置 | |
KR20160135172A (ko) | 향상된 감지소자를 갖는 정전용량 지문센서 | |
JP2006133217A (ja) | 静電容量検出装置及びスマートカード | |
AU2002304241A1 (en) | Image acquisition apparatus | |
KR101596377B1 (ko) | 정전용량 지문센서 | |
JP2006138675A (ja) | 静電容量検出装置 | |
US9984275B2 (en) | Fingerprint sensor having electrostatic discharge protection | |
JP3909712B2 (ja) | 静電容量検出装置 | |
JP2003510587A (ja) | 容量性感知アレイ装置 | |
JP2006153470A (ja) | 静電容量検出装置 | |
JP2001324303A (ja) | 表面形状認識装置 | |
JP4710929B2 (ja) | 接触検知装置及びその検知方法 | |
JP3866642B2 (ja) | 表面形状認識センサ装置 | |
JP4517599B2 (ja) | 静電容量検出装置 | |
JP2003008826A (ja) | 読取装置 | |
KR101728627B1 (ko) | 터치 센서 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080205 |