JP2003008826A - 読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ドライバ回路部を静電気及び外光から保護し、
ドライバ回路部の損傷・誤作動を防ぐことができる読取
装置を提供する。 【解決手段】指紋読取装置Ａは、光学的に指紋を読み取
るフォトセンサ部１０と、該フォトセンサ部１０を駆動
させる駆動信号を供給するドライバ回路部（トップゲー
トドライバ１１，ボトムゲートドライバ１２，ドレイン
ドライバ１３）とを有するフォトセンサデバイスＣを備
える。そして、このドライバ回路部の表面の少なくとも
一部に、静電気を放電するための導電性膜（指先保持部
Ｂ）が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被検体を読み取る
装置に関するものであり、特に指紋を読み取る指紋読取
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、被験者の指先の微細な凹凸により
指紋の形状を読み取る２次元画像の読取装置として、指
紋読取装置が知られている。この指紋読取装置は、指先
の指紋を読み取るフォトセンサ部と、該フォトセンサ部
の近傍に配置されるとともにフォトセンサ部を駆動させ
る駆動信号を供給するドライバ回路部とを有するフォト
センサデバイスを備えている。このような指紋読取装置
の中には、指先の指紋を読み取る際に、指先をフォトセ
ンサ部に接触させ、このフォトセンサ部において、指紋
を形成する皮膚の凹凸が光学的に認識され、指紋が読み
取られるようになっているものや指の凹凸に応じた静電
容量の変化を読み取るものがある。ここで、人間の指は
しばしば帯電した状態にあり、指をある物体に接触させ
た際、指に帯電している数千ボルト程度の静電気が一瞬
にして放電することがある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】指紋読取装置のドライ
バ回路部は、高密度実装するために同一基板上に前述の
フォトセンサ部と電気的に接続しているとともにフォト
センサ部に近接して配置している場合があり、このよう
な指紋読取装置に指が接触する際に、指とドライバ回路
部との間の距離が短くなり、ドライバ回路部上に絶縁膜
を覆っていてもこの絶縁膜を介しドライバ回路部に静電
気の電圧が印加され、誤作動・損傷する可能性があっ
た。また、ドライバ回路部は多数のトランジスタで構成
されているが、このようなトランジスタの半導体層にア
モルファスシリコンやポリシリコンを適用することが提
案されているが、アモルファスシリコン及びポリシリコ
ンは可視光に対し、励起する性質を有している。一方、
ドライバ回路部の最上層の絶縁膜は、一般に光透過性の
材質から構成されているため、ドライバ回路部が強い外
光にさらされた場合に、トランジスタの半導体層に電子
−正孔対が生成し、これらのキャリアのためにドライバ
回路部が誤作動する可能性があった。

【０００４】そこで、本発明は、ドライバ回路部を静電
気及び外光から保護し、ドライバ回路部の損傷・誤作動
を防ぐことができる指紋読取装置を提供する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
例えば図１に示すように、光学的に被検体を読み取るフ
ォトセンサ部（１０）と、該フォトセンサ部を駆動させ
る駆動信号を供給するドライバ回路部（トップゲートド
ライバ１１，ボトムゲートドライバ１２，ドレインドラ
イバ１３）とを有するフォトセンサデバイス（Ｃ）を備
える読取装置（指紋読取装置Ａ）であって、前記ドライ
バ回路部の表面の少なくとも一部に、静電気を放電する
ための導電性膜（指先保持部Ｂ）が設けられていること
を特徴とする。

【０００６】請求項１記載の発明によれば、静電気が帯
電した状態の指先がドライバ回路部に接触しても、接触
時の静電気がドライバ回路部内に放電されることは無く
シールドするので、従って、ドライバ回路部が誤作動・
損傷することを防ぐことができる。

【０００７】請求項２記載の発明は、請求項１記載の読
取装置において、前記導電性膜は、不透明な導電性膜で
あることを特徴とする。

【０００８】請求項２記載の発明によれば、ドライバ回
路部の表面に設けられている導電性膜が不透明なので、
ドライバ回路部が、上方から照射される紫外線やドライ
バ回路部のトランジスタを励起する波長帯の光を含む外
光にさらされても、この導電性膜にて、外光を吸収及び
／又は反射し、外光がドライバ回路部の内部に侵入する
ことはない。従って、励起光入射によるドライバ回路部
のトランジスタの誤動作や、紫外線による劣化を防止す
ることができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の指紋読取装置に係
る実施の形態について図面を参照して説明する。図１に
示すように、指紋読取装置Ａは、指紋を定義づける指先
での隆起した凸部と凸部間に配置する線状の凹部とを光
学的に読み取る装置であって、指先を所定の位置に保持
する指先保持部Ｂと、指先の指紋を読み取るフォトセン
サデバイスＣとを備えている。図２は、図１のＸ−Ｘ線
断面図である。

【００１０】指先保持部Ｂは、内周が指先にフィットす
るような形状に形成され、後述するフォトセンサデバイ
スＣのセンサやドライバ１１〜１３の半導体層を励起す
る励起光に対し不透明な部材であって、フォトセンサデ
バイスＣの表面に載置されるような状態で取り付けられ
ている。指先保持部Ｂにおいて、指先の腹が接触する部
分には、指先の腹程度の大きさに開口された楕円形状の
開口部１が形成されている。そして、開口部１の開口し
た部分に、フォトセンサデバイスＣの後述するフォトセ
ンサ部が配置されるように、指先保持部Ｂがフォトセン
サデバイスＣ上に配置されて取り付けられている。ま
た、指先保持部Ｂは、導電性材料から構成されるととも
に、指先保持部Ｂから連続した配線２を介して、接地さ
れている。従って、被験者が指先を指先保持部Ｂに接触
しても、指先に帯電した静電気によるフォトセンサデバ
イスＣの誤作動・損傷を防ぐことができる。

【００１１】フォトセンサデバイスＣは、図１、２に示
すように、透明絶縁性基板２０上に設けられた、光学的
に指紋を読み取るフォトセンサ部１０と、指先保持部Ｂ
の下方に配置された、該フォトセンサ部１０を駆動させ
る駆動信号を供給する各種ドライバ回路部（トップゲー
トドライバ１１，ボトムゲートドライバ１２，ドレイン
ドライバ１３）と、バックライト３７及び導光板３２と
を有する。

【００１２】フォトセンサ部１０は、図１に示すよう
に、前述した指先保持部Ｂの開口部１の開口した部分に
露出した状態で、配置されている。また、フォトセンサ
部１０は、図１に示すように、マトリクス状に配置され
た複数のダブルゲートトランジスタ１０ａ（以下、ＤＧ
−ＴＦＴ１０ａという）により構成されている。トップ
ゲートドライバ１１，ボトムゲートドライバ１２，ドレ
インドライバ１３の上方には不透明な指先保持部Ｂが配
置されているために、上方から照射される紫外線や各ド
ライバのトランジスタを励起する波長帯の光を含む外光
が直接各ドライバ１１〜１３に入射されることを抑える
ので、励起光による各ドライバ１１〜１３のトランジス
タへの誤動作や、紫外線による劣化を防止することがで
きる。

【００１３】図３及び図４に示すように、各ＤＧ−ＴＦ
Ｔ１０ａは、ボトムゲート電極２１と、ボトムゲート絶
縁膜２２と、半導体層２３と、ブロック絶縁膜２４ａ，
２４ｂと、不純物層２５ａ，２５ｂ，２６と、ソース電
極２７ａ，２７ｂと、ドレイン電極２８と、トップゲー
ト絶縁膜２９と、トップゲート電極３０と、保護絶縁膜
３１とを備える。

【００１４】ボトムゲート電極２２は、絶縁性基板２０
上に形成されている。絶縁性基板２０は、可視光に対し
て透過性を有するとともに絶縁性を有する。ボトムゲー
ト電極２１及び絶縁性基板２０を被覆するようにして、
ボトムゲート絶縁膜２２がボトムゲート電極２１及び絶
縁性基板２０上に設けられている。ボトムゲート電極２
１に対向するようにして、半導体層２３がボトムゲート
絶縁膜２２上に設けられている。この半導体層２３はア
モルファスシリコン又はポリシリコン等からなり、この
半導体層２３に対して可視光が入射されると、半導体層
２３には電子−正孔対が発生するようになっている。

【００１５】半導体層２３には、ブロック絶縁膜２４
ａ，２４ｂが、互いに離れて並列に配設されている。不
純物層２５ａは半導体層２３のチャネル長方向の一端部
に設けられており、他端部に不純物層２５ｂが設けられ
ている。ブロック絶縁膜２４ａとブロック絶縁膜２４ｂ
との間において、不純物層２６が半導体層２３の中央上
に設けられており、この不純物層２６は不純物層２５
ａ、２５ｂから離れている。そして、不純物層２５ａ，
２５ｂ，２６及びブロック絶縁膜２４ａ，２４ｂによっ
て、半導体層２３は覆われるようになっている。平面視
して、不純物層２５ａの一部はブロック絶縁膜２４ａ上
の一部に重なっており、不純物層２５ｂはブロック絶縁
膜２４ｂ上の一部に重なっている。また、不純物層２５
ａ，２５ｂ，２６は、ｎ型の不純物イオンがドープされ
たアモルファスシリコンからなる。

【００１６】不純物層２５ａ上にソース電極２７ａが設
けられており、不純物層２５ｂ上にソース電極２７ｂが
設けられており、不純物層２６上にドレイン電極２８が
設けられている。平面視して、ソース電極２７ａはブロ
ック絶縁膜２４ａ上の一部に重なっており、ソース電極
２７ｂはブロック絶縁膜２４ｂ上の一部に重なってお
り、ドレイン電極２８はブロック絶縁膜２４ａ，２４ｂ
上の一部に重なっている。また、ソース電極２７ａ，２
７ｂ、ドレイン電極２８は互いに離れている。トップゲ
ート絶縁膜２９は、ボトムゲート絶縁膜２２、ブロック
絶縁膜２４ａ，２４ｂ、ソース電極２７ａ，２７ｂ及び
ドレイン電極２８を覆うように形成されている。トップ
ゲート絶縁膜２９上には、半導体層２３に対向配置され
たトップゲート電極３０が設けられている。トップゲー
ト絶縁膜２９及びトップゲート電極３０上に、保護絶縁
膜３１が設けられている。

【００１７】以上のＤＧ−ＴＦＴ１０ａは、次のような
第一及び第二のダブルゲート型フォトセンサが絶縁性基
板２０上に並列に配置されてなる構成となっている。す
なわち、第一のダブルゲート型フォトセンサは、半導体
層２３、ブロック絶縁膜２４ａ、ソース電極２７ａ、ド
レイン電極２８、トップゲート絶縁膜２９及びトップゲ
ート電極３０で構成される光キャリア蓄積部と、半導体
層２３、ソース電極２７ａ、ドレイン電極２８、ボトム
ゲート絶縁膜２２及びボトムゲート電極２１で構成され
るＭＯＳトランジスタとを備えており、半導体層２３
は、光キャリア蓄積部の光生成領域及びＭＯＳトランジ
スタのチャネル領域として機能している。一方、第二の
ダブルゲート型フォトセンサは、半導体層２３、ブロッ
ク絶縁膜２４ｂ、ソース電極２７ｂ、ドレイン電極２
８、トップゲート絶縁膜２９及びトップゲート電極３０
で構成される光キャリア蓄積部と、半導体層２３、ソー
ス電極２７ｂ、ドレイン電極２８、ボトムゲート絶縁膜
２２、ボトムゲート電極２１で構成されるＭＯＳトラン
ジスタとを備えており、半導体層２３は、光キャリア蓄
積部の光生成領域及びＭＯＳトランジスタのチャネル領
域として機能している。

【００１８】そして、ＤＧ−ＴＦＴ１０ａにおいて、図
１及び図３に示すように、トップゲート電極３０はトッ
プゲートライン（以下、ＴＧＬという）に、ボトムゲー
ト電極２１はボトムゲートライン（以下、ＢＧＬとい
う）に、ドレイン電極２８はドレインライン（以下、Ｄ
Ｌという）に、ソース電極２７ａ，２７ｂは接地された
グラウンドライン（以下、ＧＬという）にそれぞれ接続
されている。

【００１９】なお、図１〜４において、ブロック絶縁膜
２４ａ，２４ｂ、トップゲート絶縁膜２９、トップゲー
ト電極３０上に設けられた保護絶縁膜３１は、窒化シリ
コン等の透光性の絶縁膜からなり、また、トップゲート
電極３０及びＴＧＬはＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）等の
透光性の導電性材料からなり、ともに可視光に対し高い
透過率を示す。一方、ソース電極２７ａ，２７ｂ、ドレ
イン電極２８、ボトムゲート電極２１及びＢＧＬは、ク
ロム、クロム合金、アルミ、アルミ合金等から選択され
た可視光の透過を遮断する材質により構成されている。
なお、保護絶縁膜３１は、図１に示す指先支持部Ｂの開
口部１から露出し、指先の凸部が接触する箇所となる。

【００２０】また、図２及び図４に示すように、絶縁性
基板２０の下方には、平面形状の導光板３２及び導光板
３２の周囲に配置されたバックライト３７とから構成さ
れ、導光板３２はバックライト３７が配置された側面及
び上面を除き、反射部材で覆われ、バックライト３７
は、コントローラ１４に従いＤＧ−ＴＦＴ１０ａが励起
する波長域の光を導光板３２に照射する。

【００２１】上述したフォトセンサ部１０は、指先保持
部Ｂの開口部１及びその周辺にマトリクス状にＤＧ−Ｔ
ＦＴ１０ａが配置される状態になっている。そして、指
紋照合時に帯電した指先が指先保持部Ｂに接触し保持さ
れると、指先を介して放電されるとともに、指の容量に
よる電圧変化又は電流変化を後述するコントローラ１４
が検知し、フォトセンス、すなわち指紋読取処理するた
めにバックライト３７を発光するとともに制御信号Ｔｃ
ｎｔをトップゲートドライバ１１に、制御信号Ｂｃｎｔ
をボトムゲートドライバ１２に、制御信号Ｄｃｎｔをド
レインドライバ１３に、送信する。コントローラ１４
は、指特有のキャパシタによる電気的変位を読み取り制
御信号Ｔｃｎｔ、制御信号Ｂｃｎｔ、制御信号Ｄｃｎｔ
を出力することが可能であるのみならず指以外の指とは
異なるキャパシタの被検体が接触した場合の電気的変位
を読み取り、被検体が指でないことを認証して制御信号
Ｔｃｎｔ、制御信号Ｂｃｎｔ、制御信号Ｄｃｎｔを出力
しないようにすることが可能である。

【００２２】ここで、図１に示すように、トップゲート
ドライバ１１は、フォトセンサ部１０のＴＧＬに接続さ
れ、駆動信号を各ＴＧＬに順次選択的に出力するシフト
レジスタであって、コントローラ１４から出力される制
御信号群Ｔｃｎｔに応じて、複数のＴＧＬに適宜リセッ
ト電圧（＋２５〔Ｖ〕）又はキャリア蓄積電圧（−１５
〔Ｖ〕）を印加するものである。ボトムゲートドライバ
１２は、フォトセンサ部１０のＢＧＬに接続され、駆動
信号を各ＢＧＬに順次選択的に出力するシフトレジスタ
であって、コントローラ１４から出力される制御信号群
Ｂｃｎｔに応じて複数のＢＧＬに適宜チャネル形成用電
圧（＋１０〔Ｖ〕）又はチャネル非形成用電圧（±０
〔Ｖ〕）を印加するものである。ドレインドライバ１３
は、フォトセンサ部１０のＤＬに接続され、コントロー
ラ１４から出力される制御信号群Ｄｃｎｔに応じて全て
のＤＬに基準電圧（＋１０〔Ｖ〕）を印加することで、
電荷をプリチャージさせる。そして、ドレインドライバ
１３は、プリチャージ後の所定期間において、各ダブル
ゲートトランジスタ１０ａでの入射された光量に応じて
変位するＤＬ電圧又は各ＤＧ−ＴＦＴ１０ａのソース−
ドレイン間を流れるドレイン電流を検知し、データ信号
ＤＡＴＡとしてコントローラ１４に出力するものであ
る。

【００２３】コントローラ１４は、制御信号群Ｔｃｎ
ｔ，Ｂｃｎｔによってそれぞれトップゲートドライバ１
１，ボトムゲートドライバ１２を制御して、両ドライバ
から行毎に所定のタイミングで所定レベルの信号を出力
させる。これにより、フォトセンサ部１０の各行を順次
リセット状態、フォトセンス状態、読み出し状態とさせ
る。コントローラ１４は、また、制御信号群Ｄｃｎｔに
よりドレインドライバ１３にＤＬの電位変化を読み出さ
せ、データ信号ＤＡＴＡとして順次取り込んでいくもの
である。

【００２４】次に、フォトセンスについて詳細に説明す
ると、フォトセンサ部１０を構成するＤＧ−ＴＦＴ１０
ａはトップゲート電極３０に印加されている電圧が＋２
５〔Ｖ〕で、ボトムゲート電極２１に印加されている電
圧が±０〔Ｖ〕であると、トップゲート電極３０と半導
体層２３との間に配置される窒化シリコンからなるトッ
プゲート絶縁膜２９と半導体層２３とに蓄積されている
正孔が吐出され、リセット状態とされる。ＤＧ−ＴＦＴ
１０ａは、ソース電極２７ａ，２７ｂとドレイン電極２
８間が±０〔Ｖ〕、トップゲート電極３０に印加されて
いる電圧が−１５〔Ｖ〕、ボトムゲート電極３０に印加
されている電圧が±０〔Ｖ〕の場合、半導体層２３への
光の入射によって発生した電子−正孔対のうちの正孔が
半導体層２３及びトップゲート絶縁膜２９に蓄積される
フォトセンス状態となる。この所定期間に蓄積される正
孔の量は光量に依存している。

【００２５】フォトセンス状態において、バックライト
３２がＤＧ−ＴＦＴ１０ａに向け光を照射するが、この
ままではＤＧ−ＴＦＴ１０ａの半導体層２３の下方に位
置するボトムゲート電極２１が遮光するので、半導体層
２３には充分なキャリアが生成されない。このとき、Ｄ
Ｇ−ＴＦＴ１０ａ上方の保護絶縁膜３１上に指先を載置
すると、指紋の紋様に沿った指先の凹部の直下にあたる
半導体層２３には、保護絶縁膜３１等で反射された光が
あまり入射されない。

【００２６】このように光の入射量が少なくて充分な量
の正孔が半導体層２３に蓄積されずに、トップゲート電
極３０に印加されている電圧が−１５〔Ｖ〕で、ボトム
ゲート電極に印加されている電圧が＋１０〔Ｖ〕となる
と、トップゲート電極３０の電界により半導体層内に空
乏層が広がり、ｎチャネルがピンチオフされ、半導体層
２３が高抵抗となる。一方、フォトセンス状態におい
て、指先の凸部の直下にあたるＤＧ−ＴＦＴ１０ａの半
導体層２３には、保護絶縁膜３１等で反射された光が入
射されるとともに、充分な量の正孔が半導体層内に蓄積
された状態で、このような電圧が印加された場合は、蓄
積されている正孔がトップゲート電極３０に引き寄せら
れて保持されることにより、この正孔の電荷がトップゲ
ート電極３０の電界を緩和するので、半導体層２３のボ
トムゲート電極２１側にｎチャネルが形成され、半導体
層２３が低抵抗となる。これらの読み出し状態における
半導体層２３の抵抗値の違いが、ＤＬの電位の変化とな
って現れる。

【００２７】さらに上述したフォトセンスに関して、フ
ォトセンサ部１０を構成するＤＧ−ＴＦＴ１０ａの駆動
原理について、図５（ａ）〜（ｆ）の模式図を参照して
説明する。

【００２８】ＤＧ−ＴＦＴ１０ａの半導体層２３のチャ
ネル形成領域は、不純物層２５ａ、２６間及び不純物層
２５ｂ、２６間のブロック絶縁膜２４ａ，２４ｂの下に
発生するため、チャネル長はブロック絶縁膜２４ａ，２
４ｂのチャネル長方向の長さに等しい。したがって、図
５（ａ）に示すように、ボトムゲート電極２１（ＢＧ）
に印加されている電圧が±０〔Ｖ〕であるときは、トッ
プゲート電極３０（ＴＧ）に印加されている電圧が＋２
５〔Ｖ〕であっても、ソース、ドレイン電極２７ａ，２
７ｂ，２８の直下の半導体層２３では、トップゲート電
極３０（ＴＧ）に印加されている電圧でなく、ソース、
ドレイン電極２７ａ，２７ｂ，２８の印加電圧に、より
強く影響されるので半導体層２３にはチャネル長方向に
連続したｎチャネルが形成されず、ドレイン電極２８
（Ｄ）に＋１０〔Ｖ〕の電圧が印加されても、ドレイン
電極２８（Ｄ）とソース電極２７ａ，２７ｂ（Ｓ）との
間に電流は流れない。また、この状態では、後述するよ
うに半導体層２３及び半導体層２３のチャネル領域直上
のブロック絶縁膜２４ａ，２４ｂに蓄積された正孔が同
じ極性のトップゲート電極３０（ＴＧ）の電圧により反
発し、吐出される。以下、この状態をリセット状態とい
う。

【００２９】図５（ｂ）に示すように、トップゲート電
極３０（ＴＧ）に印加されている電圧が−１５〔Ｖ〕で
あり、ボトムゲート電極２１（ＢＧ）に印加されている
電圧が±０〔Ｖ〕であるときは、半導体層２３にはｎチ
ャネルが形成されず、ドレイン電極２８（Ｄ）に＋１０
〔Ｖ〕の電圧が印加されても、ドレイン電極２８（Ｄ）
とソース電極２７ａ，２７ｂ（Ｓ）との間に電流は流れ
ない。

【００３０】このように、半導体層２３のチャネル領域
の両端とトップゲート電極３０（ＴＧ）との間にそれぞ
れドレイン電極２８（Ｄ）とソース電極２７ａ，２７ｂ
（Ｓ）が配置されているため、チャネル領域の両端は、
ドレイン電極２８（Ｄ）とソース電極２７ａ，２７ｂ
（Ｓ）との電界に影響されるため、トップゲート電極３
０（ＴＧ）のみの電界では連続したチャネルを形成する
ことができない。従って、ボトムゲート電極２１（Ｂ
Ｇ）に印加されている電圧が±０〔Ｖ〕である場合に
は、トップゲート電極３０（ＴＧ）に印加されている電
圧の如何に関わらず、半導体層２３にチャネルが形成さ
れることはない。

【００３１】図５（ｃ）に示すように、トップゲート電
極３０（ＴＧ）に印加されている電圧が＋２５〔Ｖ〕で
あり、ボトムゲート電極２１（ＢＧ）に印加されている
電圧が＋１０（Ｖ）であるときは、半導体層２３のボト
ムゲート電極２１（ＢＧ）側にｎチャネルが形成され
る。これにより、半導体層２３が低抵抗化し、ドレイン
電極２８に＋１０〔Ｖ〕の電圧が印加されると、ドレイ
ン電極２８（Ｄ）とソース電極２７ａ，２７ｂ（Ｓ）と
の間に電流が流れる。

【００３２】図５（ｄ）に示すように、後述するように
半導体層２３内に十分な量の正孔が蓄積されず、トップ
ゲート電極３０（ＴＧ）に印加されている電圧が−１５
〔Ｖ〕であると、ボトムゲート電極２１（ＢＧ）に印加
されている電圧が＋１０〔Ｖ〕であっても、半導体層２
３の内部に空乏層が広がり、ｎチャネルがピンチオフさ
れて、半導体層２３が高抵抗化する。このため、ドレイ
ン電極２８に＋１０〔Ｖ〕の電圧が印加されても、ドレ
イン電極２８（Ｄ）とソース電極２７ａ，２７ｂ（Ｓ）
との間に電流が流れない。以下、この状態を第１の読み
出し状態という。

【００３３】半導体層２３には入射された励起光の光量
に応じて電子−正孔対が生じる。このとき図５（ｅ）に
示すように、トップゲート電極３０（ＴＧ）に印加され
ている電圧が−１５〔Ｖ〕であり、ボトムゲート電極２
１（ＢＧ）に印加されている電圧が±０〔Ｖ〕である
と、電子−正孔対のうち正極性の正孔が半導体層２３及
び半導体層２３のチャネル領域直上のブロック絶縁膜２
４ａ，２４ｂに蓄積される。以下、上述したリセット状
態となり、後述する読み出し状態となるまでにおけるこ
の状態をフォトセンス状態という。なお、こうしてトッ
プゲート電極３０（ＴＧ）の電界に応じて半導体層２３
内に蓄積された正孔は、リセット状態となるまで半導体
層２３から吐出されることはない。

【００３４】図５（ｆ）に示すように、トップゲート電
極３０（ＴＧ）に印加されている電圧が−１５〔Ｖ〕で
あり、ボトムゲート電極２１（ＢＧ）に印加されている
電圧が＋１０（Ｖ）であっても、半導体層２３内に正孔
が蓄積されている場合には、蓄積されている正孔が負電
圧の印加されているトップゲート電極３０（ＴＧ）に引
き寄せられて保持され、トップゲート電極３０（ＴＧ）
に印加されている負電圧が半導体層２３に及ぼす影響を
緩和する方向に働く。このため、半導体層２３のボトム
ゲート電極２１（ＢＧ）側にｎチャネルが形成され、半
導体層２３が低抵抗化して、ドレイン電極２８に＋１０
（Ｖ）の電圧が供給されると、ドレイン電極２８（Ｄ）
とソース電極２７ａ，２７ｂ（Ｓ）との間に電流が流れ
る。以下、この状態を第２の読み出し状態という。

【００３５】ここで、トップゲートドライバ１１，ボト
ムゲートドライバ１２，ドレインドライバ１３を備える
ドライバ回路部は、基本構成として複数のＴＦＴ（Thin
Film Transistor）を備えている。各ＴＦＴは、いずれ
もｎチャネルＭＯＳ型の電界効果トランジスタで構成さ
れ、ゲート絶縁膜に窒化シリコンを用い、半導体層にア
モルファスシリコンを用いている。上記各ＴＦＴは、Ｄ
Ｇ−ＴＦＴ１０ａとともに同じ製造プロセス中に製造さ
れ、概ねＤＧ−ＴＦＴ１０ａと同じ構造である。具体的
には、図４に示すＤＧ−ＴＦＴ１０ａの断面構造を参照
して説明すると、上述したドライバ回路部は、トップゲ
ート電極３０が積層されていないトランジスタ群３４
（図２参照）を備えている。トランジスタ群３４の各ト
ランジスタは、基本構造は概ね同じであるが後述するよ
うにその機能により寸法、形状が異なるように設計され
ている。そして、ドライバ回路部に備えられるトランジ
スタ群３４の最上層に配置された保護絶縁膜３１を覆う
ように、指先保持部Ｂが設けられている。ここで保護絶
縁膜３１はドライバ回路部の最上面を平坦化するととも
に静電気等から保護するような厚さに堆積されている。
この指先保持部Ｂは、不透明な導電体から構成されると
ともに、接地された状態となっている。

【００３６】ここで、上述したトップゲートドライバ１
１及びボトムゲートドライバ１２（図１参照）につい
て、詳細に説明する。なお、トップゲートドライバ１１
及びボトムゲートドライバ１２は、図６に示すシフトレ
ジスタが適用されたものである。フォトセンサ部１０に
配設されたＤＧ−ＴＦＴ１０ａの行数（ＴＧＬ、ＢＧＬ
の数）をｎとすると、トップゲートドライバ１１及びボ
トムゲートドライバ１２は、図６に示すように、ゲート
信号を出力するｎ個の段ＲＳ（１）〜ＲＳ（ｎ）と、段
ＲＳ（ｎ）等を制御するためのダミー段ＲＳ（ｎ＋１）
及びダミー段ＲＳ（ｎ＋２）とから構成される。なお、
図６に示すシフトレジスタは、ｎが２以上の偶数である
場合の構成を示すものである。また、段ＲＳ（１）は一
段目、段ＲＳ（２）は二段目、…、段ＲＳ（ｎ）はｎ段
目、段ＲＳ（ｎ＋１）はｎ＋１段目、段ＲＳ（ｎ＋２）
はｎ＋２段目をそれぞれ示すものである。

【００３７】一番目の段ＲＳ（１）には、コントローラ
１４からのスタート信号Ｄｓｔが入力される。図６に示
すシフトレジスタがトップゲートドライバ１１である場
合、スタート信号Ｄｓｔのハイレベルは＋２５〔Ｖ〕で
あり、スタート信号Ｄｓｔのローレベルは−１５〔Ｖ〕
である。一方、図６に示すシフトレジスタがボトムゲー
トドライバ１２である場合、スタート信号Ｄｓｔのハイ
レベルは＋１０〔Ｖ〕であり、スタート信号Ｄｓｔのロ
ーレベルは−１５〔Ｖ〕である。

【００３８】また、二番目以降の段ＲＳ（２）〜段ＲＳ
（ｎ）には、それぞれの前段ＲＳ（１）〜段ＲＳ（ｎ−
１）からの出力信号ＯＵＴ（１）〜ＯＵＴ（ｎ−１）が
入力信号として入力される。図６に示すシフトレジスタ
がトップゲートドライバ１１である場合、各段の出力信
号ＯＵＴ（１）〜出力信号ＯＵＴ（ｎ）が、対応する１
〜ｎ行目のＴＧＬに出力される。一方、図６に示すシフ
トレジスタがボトムゲートドライバ１２である場合、各
段の出力信号ＯＵＴ（１）〜出力信号ＯＵＴ（ｎ）が、
対応する１〜ｎ行目のＢＧＬに出力される。

【００３９】さらに、段ＲＳ（ｎ＋２）以外の段ＲＳ
（１）〜段ＲＳ（ｎ＋１）には、それぞれの後段ＲＳ
（２）〜段ＲＳ（ｎ＋２）からの出力信号ＯＵＴ（２）
〜ＯＵＴ（ｎ＋２）がリセット信号として入力される。
段ＲＳ（ｎ＋２）には、コントローラ１４からのリセッ
ト信号Ｄｅｎｔが入力される。図６に示すシフトレジス
タがトップゲートドライバ１１である場合、リセット信
号Ｄｅｎｔのハイレベルは＋２５〔Ｖ〕であり、リセッ
ト信号Ｄｅｎｔのローレベルは−１５〔Ｖ〕である。一
方、図６に示すシフトレジスタがボトムゲートドライバ
１２である場合、リセット信号Ｄｅｎｔのハイレベルは
＋１０〔Ｖ〕であり、リセット信号Ｄｅｎｔのローレベ
ルは−１５〔Ｖ〕である。

【００４０】各段ＲＳ（ｋ）（ｋは１〜ｎ＋２の任意の
整数）には、コントローラ１４から基準電圧Ｖｓｓが印
加される。図６に示すシフトレジスタがトップゲートド
ライバ１１である場合、基準電圧Ｖｓｓのレベルは−１
５〔Ｖ〕である。一方、図６に示すシフトレジスタがボ
トムゲートドライバ１２である場合、基準電圧Ｖｓｓの
レベルは±０〔Ｖ〕である。また各段ＲＳ（ｋ）には、
コントローラ１４から定電圧Ｖｄｄが印加される。図６
に示すシフトレジスタがトップゲートドライバ１１であ
る場合、定電圧Ｖｄｄのレベルは＋２５〔Ｖ〕である。
一方、図６に示すシフトレジスタがボトムゲートドライ
バ１２である場合、定電圧Ｖｄｄのレベルは＋１０
〔Ｖ〕である。

【００４１】奇数番目の段ＲＳ（ｋ）には、コントロー
ラ１４からのクロック信号ＣＫ１が入力される。また、
偶数番目の段ＲＳ（ｋ）には、クロック信号ＣＫ２が入
力される。クロック信号ＣＫ１，ＣＫ２はそれぞれ、シ
フトレジスタの出力信号をシフトしていくタイムスロッ
トのうちの所定期間、タイムスロット毎に交互にハイレ
ベルとなる。すなわち、一のタイムスロットのうちの所
定の間クロック信号ＣＫ１がハイレベルとなった場合、
そのタイムスロットの間ではクロック信号ＣＫ２がロー
レベルとなり、次のタイムスロットの間ではクロック信
号ＣＫ１がローレベルであるとともに所定期間の間クロ
ック信号ＣＫ２がハイレベルとなる。

【００４２】図６に示すシフトレジスタがトップゲート
ドライバ１１である場合、クロック信号ＣＫ１，ＣＫ２
は、ハイレベルが＋２５〔Ｖ〕、ローレベルが−１５
〔Ｖ〕である。一方、図６に示すシフトレジスタがボト
ムゲートドライバ１２である場合、ハイレベルが＋１０
〔Ｖ〕、ローレベルが±０〔Ｖ〕である。

【００４３】そして、図６に示すように、トップゲート
ドライバ１１及びボトムゲートドライバ１２を構成する
上述したシフトレジスタの各段ＲＳ（ｋ）は、基本構成
として、トランジスタ群３４である六つのＴＦＴ４１〜
４６を備えている。なお、ＴＦＴ４１〜４６は、いずれ
もｎチャネルＭＯＳ型の電界効果トランジスタであり、
ゲート絶縁膜に窒化シリコンが用いられ、半導体層にア
モルファスシリコンが用いられている。

【００４４】図６及び図７に示すように、一番目の段Ｒ
Ｓ（１）のゲート電極及びドレイン電極には、スタート
信号Ｄｓｔが入力されている。一番目の段ＲＳ（１）以
外の各段ＲＳ（ｋ）のＴＦＴ４１のゲート電極及びドレ
イン電極は、前段ＲＳ（ｋ−１）のＴＦＴ４５のソース
電極に接続され、ＴＦＴ４１のソース電極は、ＴＦＴ４
４のゲート電極、ＴＦＴ４２のドレイン電極及びＴＦＴ
４３のゲート電極に接続されている。各段ＲＳ（ｋ）の
ＴＦＴ４１のソース電極、ＴＦＴ４４のゲート電極、Ｔ
ＦＴ４２のドレイン電極、ＴＦＴ４３のゲート電極に接
続される配線には、この配線自体に関係するＴＦＴ４１
〜４４の寄生容量やこの配線自体によって、電荷を蓄積
するための容量Ｃａ（ｋ）が形成される。

【００４５】ＴＦＴ４３のドレイン電極は、ＴＦＴ４６
のソース電極及びＴＦＴ４５のゲート電極に接続され、
ＴＦＴ４２のソース電極及びＴＦＴ４３のソース電極に
は基準電圧Ｖｓｓが印加されている。そして、ＴＦＴ４
６のゲート電極及びドレイン電極には、定電圧Ｖｄｄが
印加されている。また、奇数段のＴＦＴ４４のドレイン
電極にはクロック信号ＣＫ１が入力され、偶数段のＴＦ
Ｔ４４のドレイン電極にはクロック信号ＣＫ２が入力さ
れている。各段のＴＦＴ４４のソース電極は、ＴＦＴ４
５のドレイン電極に接続され、ＴＦＴ４５のソース電極
には、基準電圧Ｖｓｓが印加されている。ＴＦＴ４２の
ゲート電極には、次段からの出力信号ＯＵＴ（ｋ＋１）
が入力されている。

【００４６】次に、各段ＲＳ（ｋ）に備えられているＴ
ＦＴ４１〜４６の機能を説明する。ＴＦＴ４１のゲート
電極及びドレイン電極には、前段ＲＳ（ｋ−１）からの
出力信号ＯＵＴ（ｋ−１）が入力されているか（この場
合、ｋは２〜ｎ＋２）、或いは、コントローラ１４から
スタート信号Ｄｓｔが入力されている（この場合、ｋは
１）。出力信号ＯＵＴ（ｋ−１）又はスタート信号Ｄｓ
ｔがハイレベルになった場合に、ＴＦＴ４１はオン状態
となり、ドレイン電極からソース電極に電流が流れ、Ｔ
ＦＴ４１はハイレベルの出力信号ＯＵＴ（ｋ−１）また
はスタート信号Ｄｓｔをソース電極に出力するようにな
っている。ここで、ＴＦＴ４２がオフ状態である場合に
は、ＴＦＴ４１のソース電極から出力されたハイレベル
の出力信号ＯＵＴ（ｋ−１）またはスタート信号Ｄｓｔ
により、容量Ｃａ（ｋ）が蓄積されるようになってい
る。一方、出力信号ＯＵＴ（ｋ−１）又はスタート信号
Ｄｓｔがローレベルになった場合に、ＴＦＴ４１はオフ
状態となり、ＴＦＴ４１のドレイン電極〜ソース電極に
電流が流れないようになっている。

【００４７】ＴＦＴ４６のゲート電極及びドレイン電極
には、定電圧Ｖｄｄが印加されている。これにより、Ｔ
ＦＴ４６は常にオン状態となっており、ＴＦＴ４６のド
レイン電極〜ソース電極に電流が流れ、ＴＦＴ４６は略
定電圧Ｖｄｄレベルの信号をソース電極に出力するよう
になっている。ＴＦＴ４６は、定電圧Ｖｄｄを分圧する
負荷としての機能を有する。

【００４８】ＴＦＴ４３は、容量Ｃａ（ｋ）に電荷が蓄
積されていないときにオフ状態となり、ＴＦＴ４６から
出力された定電圧Ｖｄｄレベルの信号によって容量Ｃｂ
（ｋ）が蓄積するようになっている。一方、ＴＦＴ４３
は、容量Ｃａ（ｋ）に電荷が蓄積されているときにオン
状態となり、ＴＦＴ４３のドレイン電極〜ソース電極に
電流が流れることにより、ＴＦＴ４３は容量Ｃｂ（ｋ）
に蓄積された電荷を排出するようになっている。

【００４９】ＴＦＴ４５は、容量Ｃｂ（ｋ）に電荷が蓄
積されていないときにオフ状態となり、容量Ｃｂ（ｋ）
に電荷が蓄積されているときにオン状態となる。ＴＦＴ
４４は、容量Ｃａ（ｋ）に電荷が蓄積されているときに
オン状態となり、容量Ｃａ（ｋ）に電荷が蓄積されてい
ないときにオフ状態となる。従って、ＴＦＴ４５がオフ
状態のときにはＴＦＴ４４はオン状態となり、ＴＦＴ４
５がオン状態のときにはＴＦＴ４４はオフ状態となるよ
うになっている。

【００５０】ＴＦＴ４５のソース電極には、基準電圧Ｖ
ｓｓが印加されている。オン状態となったＴＦＴ４５
は、基準電圧Ｖｓｓレベル（ローレベル）の信号を、ド
レイン電極から当該段ＲＳ（ｋ）の出力信号ＯＵＴ
（ｋ）として出力するようになっている。オフ状態とな
ったＴＦＴ４５は、ＴＦＴ４４のソース電極から出力さ
れた信号のレベルを当該段ＲＳ（ｋ）の出力信号ＯＵＴ
（ｋ）として出力するようになっている。

【００５１】ＴＦＴ４４のドレイン電極には、クロック
信号ＣＫ１又はＣＫ２が入力されている。ＴＦＴ４４が
オフ状態である場合には、ＴＦＴ４４は、ドレイン電極
に入力されたクロック信号ＣＫ１又はＣＫ２の出力を遮
断するようになっている。ＴＦＴ４４がオン状態である
場合に、ＴＦＴ４４は、ローレベルのクロック信号ＣＫ
１又はＣＫ２をソース電極に出力するようになってい
る。ここで、ＴＦＴ４４がオン状態である場合には、Ｔ
ＦＴ４５がオフ状態であるから、ローレベルのクロック
信号ＣＫ１又はＣＫ２が当該段ＲＳ（ｋ）の出力信号Ｏ
ＵＴ（ｋ）として出力される。一方、ＴＦＴ４４がオン
状態である場合に、ハイレベルのクロック信号ＣＫ１又
はＣＫ２がドレイン電極に入力されると、ゲート電極及
びソース電極並びにそれらの間のゲート絶縁膜からなる
寄生容量に電荷が蓄積される。すなわち、ブートストラ
ップ効果によって、容量Ｃａ（ｋ）の電位が上昇して、
容量Ｃａ（ｋ）の電位がゲート飽和電圧にまで達する
と、ＴＦＴ４４のソース−ドレイン電流が飽和するよう
になっている。これにより、オン状態のＴＦＴ４４は、
ハイレベルのクロック信号ＣＫ１又はＣＫ２と略同電位
となる信号を、ソース電極に出力するようになってい
る。ここで、ＴＦＴ４４がオン状態である場合には、Ｔ
ＦＴ４５がオフ状態であるから、ハイレベルのクロック
信号ＣＫ１又はＣＫ２が、当該段ＲＳ（ｋ）の出力信号
ＯＵＴ（ｋ）として出力される。

【００５２】ＴＦＴ４２のゲート電極には、次の段ＲＳ
（ｋ＋１）（この場合、ｋは１〜ｎ＋１）の出力信号Ｏ
ＵＴ（ｋ＋１）が入力される。ＴＦＴ４２は、ゲート電
極に入力される出力信号ＯＵＴ（ｋ＋１）がハイレベル
の場合にオン状態となり、容量Ｃａ（ｋ）に蓄積された
電荷を排出するようになっている。

【００５３】なお、ダミー段ＲＳ（ｎ＋２）のＴＦＴ４
２においては、リセット信号Ｄｅｎｄが、コントローラ
１４からＴＦＴ４２のゲート電極に入力されるが、次の
走査での三番目の出力信号ＯＵＴ（３）を代用してもよ
い。

【００５４】次に、上述したトップゲートドライバ１１
及びボトムゲートドライバ１２の動作について図８を参
照して説明する。図中、１つのＴ分の期間が一選択期間
である。なお、トップゲートドライバ１１とボトムゲー
トドライバ１２とは、実質的には信号の入力タイミング
と基準電圧Ｖｓｓのレベルが異なり、これに合わせて出
力信号の出力タイミングとレベルとが異なるだけなの
で、ボトムゲートドライバ１２については、トップゲー
トドライバ１１と異なる部分だけを説明することとす
る。

【００５５】図８に示すように、タイミングＴ０におい
て、ハイレベル（＋２５〔Ｖ〕）のスタート信号Ｄｓｔ
がコントローラ１４から一番目の段ＲＳ（１）に入力さ
れる。スタート信号Ｄｓｔは、一水平期間が終了するタ
イミングＴ１までの所定期間においてハイレベルのまま
となっている。

【００５６】タイミングＴ０では、ＴＦＴ４１がオン状
態となり、ＴＦＴ４１のドレイン電極に入力されたハイ
レベルの入力信号（スタート信号Ｄｓｔ）がソース電極
から出力される。ＴＦＴ４２がオフ状態となっているた
め、ＴＦＴ４１のソース電極から出力されたハイレベル
の入力信号によって、容量Ｃａ（１）に電荷が蓄積され
る。容量Ｃａ（１）に電荷が蓄積されることによって、
容量Ｃａ（１）の電位が上昇し、ＴＦＴ４３，４４がそ
れぞれオン状態となる。そして、ハイレベルのスタート
信号Ｄｓｔが入力されている期間はオン状態のＴＦＴ４
４のドレイン電極にローレベル（−１５〔Ｖ〕）のクロ
ック信号ＣＫ１が入力され、このローレベルのクロック
信号ＣＫ１が当該段ＲＳ（１）の出力信号ＯＵＴ（１）
として出力される。

【００５７】タイミングＴ０後タイミングＴ１の前に、
スタート信号Ｄｓｔがローレベルとなり、ＴＦＴ４３，
４４がオフ状態となる。なお、この場合、容量Ｃａ
（１）には電荷が蓄積されている。ＴＦＴ４４がオフ状
態となることによって、ＴＦＴ４６のソース電極に定電
圧Ｖｄｄレベル（＋２５〔Ｖ〕）の信号が出力され、容
量Ｃｂ（１）に電荷が蓄積される。容量Ｃｂ（１）に電
荷が蓄積されることによって、ＴＦＴ４５がオン状態と
なり、これにより、基準電圧Ｖｓｓレベル（−１５
〔Ｖ〕）の信号が当該段ＲＳ（１）の出力信号ＯＵＴ
（１）として出力される。

【００５８】次に、タイミングＴ１でクロック信号ＣＫ
１がハイレベル（＋２５〔Ｖ〕）になる。すると、ＴＦ
Ｔ４４のゲート電極及びソース電極並びにそれらの間の
ゲート絶縁膜からなる寄生容量がチャージアップされ
る。すなわち、容量Ｃａ（１）がチャージアップされ、
ブートストラップ効果によって容量Ｃａ（１）の電位が
ゲート飽和電圧に達すると、ＴＦＴ４４のドレイン電極
とソース電極との間に流れる電流が飽和する。これによ
り、当該段ＲＳ（１）から出力される出力信号ＯＵＴ
（１）は、クロック信号ＣＫ１と略同電位の＋２５
〔Ｖ〕となり、ハイレベルである。なお、クロック信号
ＣＫ１がハイレベルである期間は、ＴＦＴ４４の寄生容
量がチャージアップされることにより、容量Ｃａ（１）
の電位も略＋４５〔Ｖ〕にまで達する。

【００５９】次に、タイミングＴ１後タイミングＴ２の
前に、クロック信号ＣＫ１がローレベル（−１５
〔Ｖ〕）になる。これにより、出力信号ＯＵＴ（１）の
レベルも略−１５〔Ｖ〕となる。また、ＴＦＴ４４の寄
生容量へチャージされた電荷が放出され、容量Ｃａ
（１）の電位が低下する。

【００６０】また、タイミングＴ１からＴ２までの所定
期間、一番目の段ＲＳ（１）から出力されているハイレ
ベルの出力信号ＯＵＴ（１）は、二番目の段ＲＳ（２）
のＴＦＴ４１のゲート電極及びドレイン電極に入力され
ている。これにより、一番目の段ＲＳ（１）にハイレベ
ルのスタート信号Ｄｓｔが入力された場合と同様に、二
番目の段ＲＳ（２）の容量Ｃａ（２）に電荷が蓄積され
る。タイミングＴ１からＴ２までの一部の間、二番目の
段ＲＳ（２）においては、ＴＦＴ４４がオン状態、ＴＦ
Ｔ４５がオフ状態となる。そして、ハイレベルの入力信
号（出力信号ＯＵＴ（１））が入力されている期間は、
オン状態のＴＦＴ４４のドレイン電極にローレベル（−
１５〔Ｖ〕）のクロック信号ＣＫ２が入力され、このロ
ーレベルのクロック信号ＣＫ２が当該段ＲＳ（２）の出
力信号ＯＵＴ（２）として出力される。

【００６１】次に、タイミングＴ２になると、クロック
信号ＣＫ２がハイレベル（＋２５〔Ｖ〕）になる。する
と、段ＲＳ（２）のＴＦＴ４４のゲート電極及びソース
電極並びにそれらの間のゲート絶縁膜からなる寄生容量
がチャージアップされる。すなわち、容量Ｃａ（２）が
チャージアップされ、ブートストラップ効果によって容
量Ｃａ（２）の電位がゲート飽和電圧に達すると、ＴＦ
Ｔ４４のドレイン電極とソース電極との間に流れる電流
が飽和する。これにより、当該段ＲＳ（２）から出力さ
れる出力信号ＯＵＴ（２）は、クロック信号ＣＫ２と略
同電位の＋２５〔Ｖ〕となり、ハイレベルである。な
お、クロック信号ＣＫ２がハイレベルである期間は、Ｔ
ＦＴ４４の寄生容量がチャージアップされることによ
り、容量Ｃａ（２）の電位も略＋４５〔Ｖ〕にまで達す
る。

【００６２】また、タイミングＴ２後タイミングＴ３前
において、ハイレベルの出力信号ＯＵＴ（２）が、一番
目の段ＲＳ（１）のＴＦＴ４２のゲート電極に入力され
る。これにより、段ＲＳ（１）の容量Ｃａ（１）の電位
は基準電圧Ｖｓｓとなる。

【００６３】次に、タイミングＴ２後タイミングＴ３の
前に、クロック信号ＣＫ２がローレベル（−１５
〔Ｖ〕）になる。これにより、出力信号ＯＵＴ（２）の
レベルも略−１５〔Ｖ〕となる。また、ＴＦＴ４４の寄
生容量へチャージされた電荷が放出され、容量Ｃａ
（２）の電位が低下する。

【００６４】以下同様に、次のタイミングＴ１までの間
で、一走査期間Ｑ以内に、各段の出力信号ＯＵＴ（１）
〜ＯＵＴ（ｎ）が順次ハイレベルとなる。すなわち、ハ
イレベルの出力信号の出力される段が順次次の段にシフ
トしていくようになっている。ハイレベルの出力信号Ｏ
ＵＴ（１）〜ＯＵＴ（ｎ）は、次段にシフトされても逓
減することがない。そして、一走査期間Ｑ後に再びスタ
ート信号Ｄｓｔがハイレベルとなり、以降の段ＲＳ
（１）〜段ＲＳ（ｎ）で上述の動作が繰り返されるよう
になっている。

【００６５】なお、ＴＧＬの最終段ＲＳ（ｎ）におい
て、ハイレベルの出力信号ＯＵＴ（ｎ）が次段のダミー
ＲＳ（ｎ＋１）に出力された後も、容量Ｃａ（ｎ）の電
位はハイレベルのままである。そして、ハイレベルの出
力信号ＯＵＴ（ｎ）が次段ＲＳ（ｎ＋１）に出力される
と、ダミー段ＲＳ（ｎ＋１）の出力信号ＯＵＴ（ｎ＋
１）により、最終段ＲＳ（ｎ）のＴＦＴ４２がオン状態
となり、容量Ｃａ（ｎ）の電位は基準電圧Ｖｓｓにな
る。同様に、ダミー段ＲＳ（ｎ＋２）の出力信号ＯＵＴ
（ｎ＋２）により、ダミー段ＲＳ（ｎ＋１）のＴＦＴ４
２がオン状態となり、容量Ｃａ（ｎ＋１）の電位は基準
電圧Ｖｓｓになる。そして、ハイレベルのリセット信号
Ｄｅｎｔがダミー段ＲＳ（ｎ＋２）のＴＦＴ４２に入力
されることにより、ダミー段ＲＳ（ｎ＋２）の電位は、
ハイレベルから基準電圧Ｖｓｓになる。

【００６６】また、ボトムゲートドライバ１２の動作
は、トップゲートドライバ１１の動作とほぼ同じである
が、コントローラ１４から入力されるクロック信号ＣＫ
１，ＣＫ２のハイレベルが＋１０〔Ｖ〕であるため、各
段ＲＳ（ｋ）（この場合、ｋは１〜ｎ）の出力信号ｏｕ
ｔ（ｋ）のハイレベルはほぼ＋１０〔Ｖ〕であり、この
際の容量Ｃａ（ｋ）のレベルは＋１８〔Ｖ〕程度であ
る。ボトムゲートドライバ１２のクロック信号ＣＫ１，
ＣＫ２がハイレベルとなっている期間は、トップゲート
ドライバ１１のクロック信号ＣＫ１，ＣＫ２がハイレベ
ルとなっている期間より短い。

【００６７】なお、上記のシフトレジスタを適用したト
ップゲートドライバ１１及びボトムゲートドライバ１２
は、コントローラ１４からの制御信号群Ｔｃｎｔ，Ｂｃ
ｎｔに従って、ＴＧＬ，ＢＧＬを順次選択して所定の電
圧を印加するものである。この制御信号群Ｔｃｎｔ，Ｂ
ｃｎｔに、上記したクロック信号ＣＫ１，ＣＫ２、スタ
ート信号Ｄｓｔ、リセット信号Ｄｅｎｄ、定電圧Ｖｄｄ
及び基準電圧Ｖｓｓが含まれる。

【００６８】次に、指紋読取装置Ａにおいて、被験者の
指紋を読み取る際の動作を説明する。被験者は、まず、
図１に示すように、指先が指先保持部Ｂにフィットする
ように、指先を指先保持部Ｂに接触させる。このとき、
指先が電荷を帯びた状態でも、フォトセンサ部１０に接
触する前に、指先保持部Ｂはアースに接続されているの
で、静電気によりフォトセンサデバイスＣが損傷した
り、誤作動したりすることはない。また指先が指先保持
部Ｂに接触すると、指のキャパシタが加わることにより
指先保持部Ｂで変位する電圧又は電流をコントローラ１
４が検知する。そして、コントローラ１４は、フォトセ
ンスを開始するように制御信号群Ｔｃｎｔ，Ｂｃｎｔ，
Ｄｃｎｔをそれぞれトップゲートドライバ１１、ボトム
ゲートドライバ１２，ドレインドライバ１３に供給する
とともに、バックライト３７に発光信号を供給する。こ
れに応じてバックライト３７が発光し、トップゲートド
ライバ１１、ボトムゲートドライバ１２，ドレインドラ
イバ１３は、フォトセンサ部１０の各ＤＧ−ＴＦＴ１０
ａに適宜信号を出力し、行毎にフォトセンスする。

【００６９】ここで、図１を参照して、フォトセンスに
ついて説明すると、バックライト３７から照射される照
射光は、ボトムゲート電極２１により、直接、半導体層
２３には入射されず、保護絶縁膜３１に向かって進行す
る。指先の凸部は、保護絶縁膜３１に接触しており、指
先に当たった照射光は乱反射し、凸部の直下に配置され
たＤＧ−ＴＦＴ１０ａの半導体層２３に入射され、半導
体層２３で光量に応じて電子−正孔対が生成される。一
方、指先の凹部は、保護絶縁膜３１に接触していないの
で乱反射が起こらず、その直下のＤＧ−ＴＦＴ１０ａの
半導体層２３に、充分なキャリアが生成される程の光が
入射されることはない。

【００７０】ＤＧ−ＴＦＴ１０ａは、生成された電子−
正孔対のうちの正孔を、トップゲート電極３０に印加さ
れたキャリア蓄積電圧（−１５〔Ｖ〕）により、半導体
層２３及びトップゲート絶縁膜２９に蓄積させ、この正
孔による電荷がキャリア蓄積電圧の影響を緩和させる。
一定時間経過後、ボトムゲート電極２１の電位は、チャ
ネル非形成電圧（０〔Ｖ〕）からチャネル形成電圧（＋
１０〔Ｖ〕）に変わると、蓄積された正孔の量が多い
程、言い換えると、入射された光の量が多い程、ＤＧ−
ＴＦＴ１０ａでドレイン電流値が大きくなり、ＤＬの電
位の変位も大きくなる。そして、ドレインドライバ１３
は、ＤＬの電位を行毎に読み取り、データ信号ＤＡＴＡ
に変換してコントローラ１４に出力し、その結果、被験
者の指紋パターンが読み取られるようになっている。

【００７１】上述した指紋パターンを読み取る動作にお
いて、フォトセンサ部１０に備えられているＤＧ−ＴＦ
Ｔ１０ａの具体的な動作について、図９（ａ）〜（ｉ）
に示す模式図を参照して説明する。なお、以下の説明に
おいて、１Ｔの期間は、図８に示す１Ｔ分の一選択期間
と同じ長さを有するものとする。また、説明を簡単にす
るため、フォトセンサ部１０に配置されているＤＧ−Ｔ
ＦＴ１０ａのうち、最初の三行のみを考えることとす
る。

【００７２】まず、タイミングＴ１からＴ２までの１Ｔ
の期間において、図９（ａ）に示すように、トップゲー
トドライバ１１は、一行目のＴＧＬに＋２５〔Ｖ〕を印
加し、二、三行目（他の全行）のＴＧＬに−１５〔Ｖ〕
を印加する。すなわち、トップゲートドライバ１１の段
ＲＳ（１）からハイレベルの出力信号が出力され、段Ｒ
Ｓ（２），ＲＳ（３）からローレベルの出力信号が出力
される。一方、ボトムゲートドライバ１２は、すべての
ＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。すなわち、ボトムゲート
ドライバ１２の段ＲＳ（１）〜ＲＳ（３）からローレベ
ルの出力信号が出力される。この期間において、一行目
のＤＧ−ＴＦＴ１０ａがリセット状態（図５（ａ）参
照）となり、二、三行目のＤＧ−ＴＦＴ１０ａが前の垂
直期間での読み出し状態を終了した状態（フォトセンス
に影響しない状態）となる。

【００７３】次に、タイミングＴ２からＴ３までの１Ｔ
の期間において、図９（ｂ）に示すように、ハイレベル
の出力信号がトップゲートドライバ１１の段ＲＳ（２）
にシフトして、トップゲートドライバ１１は、二行目の
ＴＧＬに＋２５〔Ｖ〕を印加し、他のＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。一方、ボトムゲートドライバ１２
は、すべてのＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。この期間に
おいて、一行目のＤＧ−ＴＦＴ１０ａがフォトセンス状
態（図５（ｅ）参照）となり、二行目のＤＧ−ＴＦＴ１
０ａがリセット状態（図５（ａ）参照）となり、三行目
のＤＧ−ＴＦＴ１０ａが前の垂直期間での読み出し状態
を終了した状態（フォトセンスに影響しない状態）とな
る。

【００７４】次に、タイミングＴ３からＴ４までの１Ｔ
の期間において、図９（ｃ）に示すように、ハイレベル
の出力信号がトップゲートドライバ１１の段ＲＳ（３）
にシフトして、トップゲートドライバ４は、三行目のＴ
ＧＬに＋２５〔Ｖ〕を印加し、他のＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。一方、ボトムゲートドライバ１２
は、すべてのＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。この期間に
おいて、一、二行目のＤＧ−ＴＦＴ１０ａがフォトセン
ス状態（図５（ｅ）参照）となり、三行目のＤＧ−ＴＦ
Ｔ１０ａがリセット状態（図５（ａ）参照）となる。

【００７５】次に、タイミングＴ４からＴ４．５までの
０．５Ｔの期間において、図９（ｄ）に示すように、ト
ップゲートドライバ１１は、すべてのＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。一方、ボトムゲートドライバ１２
は、すべてのＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。また、ドレ
インドライバ１３は、すべてのＤＬに＋１０〔Ｖ〕を印
加する。この期間において、すべての行のＤＧ−ＴＦＴ
１０ａがフォトセンス状態（図５（ｅ）参照）となる。

【００７６】次に、タイミングＴ４．５からＴ５までの
０．５Ｔの期間において、図９（ｅ）に示すように、ト
ップゲートドライバ１１は、すべてのＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。一方、ボトムゲートドライバ５は、
一行目のＢＧＬに＋１０〔Ｖ〕を印加し、他のＢＧＬに
０〔Ｖ〕を印加する。すなわち、ボトムゲートドライバ
１２の段ＲＳ（１）からハイレベルの出力信号が出力さ
れ、段ＲＳ（２），ＲＳ（３）からローレベルの出力信
号が出力される。この期間において、一行目のＤＧ−Ｔ
ＦＴ１０ａが第一または第二の読み出し状態（図５
（ｄ）又は（ｆ）参照）となり、二、三行目のＤＧ−Ｔ
ＦＴ１０ａがフォトセンス状態（図５（ｅ）参照）のま
まとなる。

【００７７】ここで、一行目のＤＧ−ＴＦＴ１０ａで
は、フォトセンス状態となっていたタイミングＴ２から
Ｔ４．５までの期間で十分な光が半導体層２３に照射さ
れていると、第二の読み出し状態（図５（ｆ）参照）と
なって半導体層２３内にｎチャネルが形成されるため、
対応するＤＬ上の電荷がディスチャージされる。一方、
タイミングＴ２からＴ４．５までの期間で十分な光が半
導体層２３に照射されていないと、第一の読み出し状態
（図５（ｄ）参照）となって半導体層２３内のｎチャネ
ルがピンチオフされるため、対応するＤＬ上の電荷はデ
ィスチャージされない。ドレインドライバ１３は、タイ
ミングＴ４．５からＴ５までの期間で各ＤＬ上の電位を
読み出して、データ信号ＤＡＴＡに変換し、一行目のＤ
Ｇ−ＴＦＴ１０ａが検出したデータとしてコントローラ
１４に供給する。

【００７８】次に、タイミングＴ５からＴ５．５までの
０．５Ｔの期間において、図９（ｆ）に示すように、ト
ップゲートドライバ１１は、すべてのＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。一方、ボトムゲートドライバ１２
は、すべてのＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。また、ドレ
インドライバ１３は、すべてのＤＬに＋１０〔Ｖ〕を印
加する。この期間において、一行目のＤＧ−ＴＦＴ１０
ａが読み出しを終了した状態となり、二、三行目のＤＧ
−ＴＦＴ１０ａがフォトセンス状態（図５（ｅ）参照）
となる。なお、タイミングＴ５からＴ５．５の間では、
ボトムゲートドライバ１２の段ＲＳ（１）のハイレベル
の出力信号が段ＲＳ（２）に入力されるが、段ＲＳ
（２）に入力されるクロック信号ＣＫ２がハイレベルに
なっていないため、二行目のＢＧＬが０〔Ｖ〕に印加さ
れている。

【００７９】次に、タイミングＴ５．５からＴ６までの
０．５Ｔの期間において、図９（ｇ）に示すように、ト
ップゲートドライバ１１は、すべてのＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。一方、ハイレベルの出力信号がボト
ムゲートドライバ１２の段ＲＳ（２）にシフトして、ボ
トムゲートドライバ１２は、二行目のＢＧＬに＋１０
〔Ｖ〕を印加し、他のＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。こ
の期間において、一行目のＤＧ−ＴＦＴ１０ａが読み出
しを終了した状態となり、二行目のＤＧ−ＴＦＴ１０ａ
が第一または第二の読み出し状態（図５（ｄ）または
（ｆ）参照）となり、三行目のＤＧ−ＴＦＴ１０ａがフ
ォトセンス状態（図５（ｅ）参照）となる。

【００８０】ここで、二行目のＤＧ−ＴＦＴ１０ａで
は、フォトセンス状態となっていたタイミングＴ３から
Ｔ５．５までの期間で十分な光が半導体層２３に照射さ
れていると、第二の読み出し状態（図５（ｆ）参照）と
なって半導体層２３内にｎチャネルが形成されるため、
対応するＤＬ上の電荷がディスチャージされる。一方、
タイミングＴ３からＴ５．５までの期間で十分な光が半
導体層２３に照射されていないと、第一の読み出し状態
（図５（ｄ）参照）となって半導体層２３内のｎチャネ
ルがピンチオフされるため、対応するＤＬ上の電荷はデ
ィスチャージされない。ドレインドライバ１３は、タイ
ミングＴ５．５からＴ６までの期間で各ＤＬ上の電位を
読み出して、データ信号ＤＡＴＡに変換し、二行目のＤ
Ｇ−ＴＦＴ１０ａが検出したデータとしてコントローラ
１４に供給する。

【００８１】次に、タイミングＴ６からＴ６．５までの
０．５Ｔの期間において、図９（ｈ）に示すように、ト
ップゲートドライバ１１は、すべてのＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。一方、ボトムゲートドライバ１２
は、すべてのＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。また、ドレ
インドライバ１３は、すべてのＤＬに＋１０〔Ｖ〕を印
加する。この期間において、一、二行目のＤＧ−ＴＦＴ
１０ａが読み出しを終了した状態となり、三行目のＤＧ
−ＴＦＴ１０ａがフォトセンス状態（図５（ｅ）参照）
となる。

【００８２】次に、タイミングＴ６．５からＴ７までの
０．５Ｔの期間において、図９（ｉ）に示すように、ト
ップゲートドライバ１１は、すべてのＴＧＬに−１５
〔Ｖ〕を印加する。一方、ハイレベルの出力信号がボト
ムゲートドライバ１２の段ＲＳ（３）にシフトして、ボ
トムゲートドライバ１２は、三行目のＢＧＬに＋１０
〔Ｖ〕を印加し、他のＢＧＬに０〔Ｖ〕を印加する。こ
の期間において、一、二行目のＤＧ−ＴＦＴ１０ａが読
み出しを終了した状態となり、三行目のＤＧ−ＴＦＴ１
０ａが第一または第二の読み出し状態（図５（ｄ）また
は（ｆ）参照）となる。

【００８３】ここで、三行目のダブルゲートトランジス
タ７では、フォトセンス状態となっていたタイミングＴ
４からＴ６．５までの期間で十分な光が半導体層２３に
照射されていると、第二の読み出し状態（図５（ｆ）参
照）となって半導体層２３内にｎチャネルが形成される
ため、対応するＤＬ上の電荷がディスチャージされる。
一方、タイミングＴ４からＴ６．５までの期間で十分な
光が半導体層２３に照射されていないと、第一の読み出
し状態（図５（ｄ）参照）となって半導体層２３内のｎ
チャネルがピンチオフされるため、対応するＤＬ上の電
荷はディスチャージされない。ドレインドライバ１３
は、タイミングＴ６．５からＴ７までの期間で各ＤＬ上
の電位を読み出して、データ信号ＤＡＴＡに変換し、三
行目のＤＧ−ＴＦＴ１０ａが検出したデータとしてコン
トローラ１４に供給する。

【００８４】こうしてドレインドライバ１３から行毎に
供給されたデータ信号ＤＡＴＡに対して、コントローラ
１４が所定の処理を行うことで、被験者の指先の指紋パ
ターンが読み取られるようになっている。

【００８５】以上、本実施の形態に係る指紋読取装置Ａ
によれば、ドライバ回路部はトップゲートドライバ１
１，ボトムゲートドライバ１２，ドレインドライバ１３
を備え、これらの各ドライバはトランジスタ群３４を備
え、トップゲートドライバ１１，ボトムゲートドライバ
１２，ドレインドライバ１３の上方に、指先保持部Ｂが
設けられている。そして、この指先保持部Ｂは接地され
た状態となっているので、帯電した状態の指先がドライ
バ回路部に接触しても、接触時の静電気がドライバ回路
部内に放電されることは無く、従って、ドライバ回路部
が誤作動・損傷することを防ぐことができ、またトラン
ジスタ群３４の励起光並びに紫外線に対し不透明なの
で、励起光による誤作動や紫外線による劣化を抑制する
ことができる。

【００８６】また上記実施の形態では、指先保持部Ｂに
より被験者の指に帯電した静電気を放電させたが、図１
０及び図１１に示すように、指先保持部Ｂの代替として
透明導電体５１を、フォトセンサデバイスＣ上並びにト
ップゲートドライバ１１，ボトムゲートドライバ１２，
ドレインドライバ１３上に設けてもよい。透明電極５１
はＩＴＯで形成されており、接地されている。そして、
フォトセンサ部１０でフォトセンスする際に指が直接透
明電極５１に接触すると、透明電極５１から静電気を放
電してダブルゲートトランジスタ１０ａの静電気破壊を
抑制し、同時にコントローラ１４が、指のキャパシタが
加わることにより指先保持部Ｂでわずかに変位する電圧
又は電流を検知し、フォトセンスを開始するように制御
信号群Ｔｃｎｔ，Ｂｃｎｔ，Ｄｃｎｔをそれぞれトップ
ゲートドライバ１１、ボトムゲートドライバ１２，ドレ
インドライバ１３に供給するとともに、バックライト３
７に発光信号を供給する。このとき、指がトップゲート
ドライバ１１，ボトムゲートドライバ１２，ドレインド
ライバ１３の上方まではみ出して載置してしまったとし
ても、透明導電体５１が介在しているので、指の静電気
がトップゲートドライバ１１，ボトムゲートドライバ１
２，ドレインドライバ１３に印加されることはない。ま
た指以外の静電気が帯電したものが各ドライバ１１〜１
３の上方に接触しても同様に透明電極５１から放電する
ことができる。

【００８７】上記各実施の形態では、指先保持部Ｂ又は
透明導電体５１により被検体が帯電した静電気を放電
し、各ドライバを保護したが、図１２に示すように、フ
ォトセンサデバイスＣ並びにトップゲートドライバ１
１，ボトムゲートドライバ１２，ドレインドライバ１３
での保護絶縁膜３１上にＩＴＯ等からなる透明導電体５
１を形成し、さらにトップゲートドライバ１１，ボトム
ゲートドライバ１２，ドレインドライバ１３での透明導
電体５１上に指先保持部Ｂを設けてもよい。ここで指先
保持部Ｂは導電体でなく、半導体又は絶縁体であっても
よい。フォトセンスのために指が直接透明電極５１に接
触すると、透明電極５１及び／又は指先保持部Ｂから静
電気を放電してダブルゲートトランジスタ１０ａの静電
気破壊を抑制し、同時にコントローラ１４が、指のキャ
パシタが加わることにより指先保持部Ｂでわずかに変位
する電圧又は電流を検知し、フォトセンスを開始するよ
うに制御信号群Ｔｃｎｔ，Ｂｃｎｔ，Ｄｃｎｔをそれぞ
れトップゲートドライバ１１、ボトムゲートドライバ１
２，ドレインドライバ１３に供給するとともに、バック
ライト３７に発光信号を供給する。

【００８８】また図１３に示すように、ＩＴＯ等から構
成される透明導電体５２を、トップゲート電極３０，Ｔ
ＧＬの形成工程で一括して形成してもよい。透明導電体
５２は接地されているので、トップゲートドライバ１
１、ボトムゲートドライバ１２，ドレインドライバ１３
上方の保護絶縁膜３１上に静電気を帯電したものが接触
しても、透明導電体５２から放電することができる。

【００８９】なお上記各実施の形態では光学的なセンサ
に関する読取装置について説明したが、これに限らず指
の凹凸の差による容量の差により指紋を検知するセンサ
においても同様の効果をもたらすことができる。この場
合、トップゲートドライバ１１、ボトムゲートドライバ
１２，ドレインドライバ１３の代わりに、マトリクス状
に設けられた複数の容量検出型センサからの電位を読み
取る駆動回路が設けられればよい。

【００９０】上記各実施の形態では、指先保持部Ｂ、透
明導電体５１，５２は接地されていたが、基準電位を接
地電位とし、定期的に上及び／又は下に振れる微弱な波
形信号が印加されるようにして、コントローラ１４が、
指の接触による波形信号の乱れを検知して、フォトセン
スを開始するように制御信号群Ｔｃｎｔ，Ｂｃｎｔ，Ｄ
ｃｎｔを出力するとともに、バックライト３７に発光信
号を出力するようにしてもよい。

【００９１】上記各実施の形態に用いられる読取装置
は、携帯電話等の情報端末、パーソナルコンピュータに
付属して未登録者のアクセス制限するため、またドアや
出入り口に配置することで予め登録されていない者の侵
入防止を行うため、の個人認証デバイスに適用すること
ができる。

【００９２】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、静電気に
よるドライバ回路部の誤作動・損傷を防ぐことができ
る。

【００９３】請求項２記載の発明によれば、外光による
ドライバ回路部の誤作動・損傷を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態に係る指紋読取装置のフォトセン
サデバイスの回路構成を示す図である。

【図２】図１におけるＸ−Ｘ断面を示す断面図である。

【図３】前記指紋読取装置に設けられたフォトセンサ部
のダブルゲートトランジスタの具体的な態様を示す平面
図である。

【図４】前記ダブルゲートトランジスタの具体的な態様
を示す図であり、図３におけるＺ−Ｚ断面を示す断面図
である。

【図５】前記フォトセンサ部を構成するダブルゲートト
ランジスタの駆動原理を説明するための模式図である。

【図６】前記ドライバ回路部を構成するトップゲートド
ライバ又はボトムゲートドライバの全体構成を示す図で
ある。

【図７】前記トップゲートドライバ又はボトムゲートド
ライバの各段の回路構成を示す図である。

【図８】前記トップゲートドライバ又はボトムゲートド
ライバの動作を示すタイミングチャートである。

【図９】前記指紋読取装置において、被験者の指紋読取
動作を説明するための模式図である。

【図１０】他の実施の形態に係る指紋読取装置を示す図
である。

【図１１】図１０におけるＹ−Ｙ断面を示す断面図であ
る。

【図１２】さらに他の実施の形態に係る指紋読取装置を
示す断面図である。

【図１３】さらに他の実施の形態に係る指紋読取装置を
示す断面図である。

【符号の説明】

Ａ 指紋読取装置 Ｂ 指先保持部 Ｃ フォトセンサデバイス １０ フォトセンサ部 １１ トップゲートドライバ（ドライバ回路部） １２ ボトムゲートドライバ（ドライバ回路部） １３ ドレインドライバ（ドライバ回路部）

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被検体を読み取るセンサ部と、該センサ部
   を駆動させる駆動信号を供給するドライバ回路部とを有
   するセンサデバイスを備える読取装置であって、 前記ドライバ回路部の表面の少なくとも一部に、被検体
   に帯電された静電気を放電するための導電性膜が設けら
   れていることを特徴とする読取装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の読取装置において、 前記導電性膜は、不透明な導電性膜であることを特徴と
   する読取装置。
3. 【請求項３】請求項１記載の読取装置において、 前記導電性膜は、前記被検体を保持する形状であること
   を特徴とする読取装置。
4. 【請求項４】請求項１記載の読取装置において、 前記センサデバイスは、ダブルゲートトランジスタを有
   することを特徴とする読取装置。
5. 【請求項５】請求項４記載の読取装置において、 前記ドライバ回路部は、前記ダブルゲートトランジスタ
   を駆動するトップゲートドライバ及びボトムゲートドラ
   イバであることを特徴とする読取装置。
6. 【請求項６】請求項５記載の読取装置において、 前記トップゲートドライバ及びボトムゲートドライバ
   は、前記ダブルゲートトランジスタの製造プロセスの少
   なくとも一部と同一プロセスで製造されることを特徴と
   する読取装置。
7. 【請求項７】請求項１記載の読取装置において、 前記導電性膜上に前記被検体を保持する保持手段が設け
   られていることを特徴とする読取装置。