JP2005276029A - 読取装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ガラス基板1上には複数の光電変換型の薄膜トランジスタ11および第1〜第3の駆動回路部3〜5を構成するCMOS薄膜トランジスタが一体形成され、その上には透明絶縁膜を介して静電気保護用の透明導電膜7が設けられている。これにより、第1〜第3の駆動回路部3〜5を読取領域2に可及的に近づけることができ、装置全体の面積を小さくすることができる。また、透明導電膜7とそれ用の外部接続端子8とを接続する引き回し線10を透明絶縁膜上に設け、第1〜第3の駆動回路部3〜5とそれ用の外部接続端子9とを接続する引き回し線を透明絶縁膜下に設け、これにより、両引き回し線が交差しても短絡しないようにすることができ、ひいては、透明導電膜用引き回し線10の線幅をある程度大きくすることができる。
【選択図】 図2
Description
図1はこの発明の第1実施形態としての読取装置の要部の平面図を示す。この読取装置はガラス基板1を備えている。ガラス基板1上のほぼ中央部の読取領域2には後述する複数のフォトセンサがマトリクス状に配置されている。ガラス基板1上において読取領域2の右側、左側および下側の各隣接する領域には、読取領域2に設けられた複数のフォトセンサを駆動するための後述する第1〜第3の駆動回路部3〜5が設けられている。
図4はこの発明の第2実施形態としての読取装置の一部の等価回路的平面図を示す。この読取装置において、図2に示す場合と異なる点は、読取領域2に配置された複数の光電変換型の薄膜トランジスタ11と第2の駆動回路部(ボトムゲートドライバ)4との間におけるガラス基板1上に静電気保護素子を一体形成した点である。
上記実施形態では、フォトセンサとして光電変換型の薄膜トランジスタを用いた場合について説明したが、これに限らず、フォトダイオートを用いるようにしてもよい。また、上記実施形態では、駆動回路部をポリシリコン薄膜トランジスタからなるCMOS薄膜トランジスタによって構成した場合について説明したが、これに限らず、NMOS薄膜トランジスタのみによって構成するようにしてもよく、また、ポリシリコン薄膜トランジスタとアモルファスシリコン薄膜トランジスタとの組合わせによって構成するようにしてもよい。
2 読取領域
3〜5 駆動回路部
6 透明絶縁膜
7 透明導電膜
8 透明導電膜用外部接続端子
9 駆動回路部用外部接続端子
10 透明導電膜用引き回し線
11 光電変換型の薄膜トランジスタ(フォトセンサ)
Claims (5)
- 読取領域を有する基板と、
前記基板上の前記読取領域に形成された複数のフォトセンサと、
前記基板上の前記読取領域の外側に前記フォトセンサと一体形成された、前記フォトセンサを駆動するための駆動回路部と、
前記複数のフォトセンサおよび前記駆動回路部を含む前記基板上に設けられた透明絶縁膜と、
前記複数のフォトセンサ上および前記駆動回路部上における前記透明絶縁膜上に設けられた静電気保護用の透明導電膜と、
を具備することを特徴とする読取装置。 - 請求項1に記載の発明において、
前記駆動回路部は前記読取領域に隣接して設けられていることを特徴とする読取装置。 - 請求項1に記載の発明において、
前記基板上の一端部に駆動回路部用外部接続端子および透明導電膜用外部接続端子が設けられ、
前記透明絶縁膜下に前記駆動回路部と前記駆動回路部用外部接続端子とを接続する引き回し線が設けられ、
前記透明絶縁膜上に前記透明導電膜と前記透明導電膜用外部接続端子とを接続する引き回し線が設けられていることを特徴とする読取装置。 - 請求項1に記載の発明において、
前記基板上において前記複数のフォトセンサと前記駆動回路部との間に静電気保護素子が一体形成されていることを特徴とする読取装置。 - 請求項1に記載の発明において、
前記フォトセンサは、前記基板側に遮光性材料からなる第1ゲート電極を有し、且つ、前記透明導電膜側に透光性材料からなる第2ゲート電極を有する光電変換型の薄膜トランジスタによって構成されていることを特徴とする読取装置。
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