ES2268192T3 - Un dispositivo electroluminescente organico. - Google Patents

Un dispositivo electroluminescente organico. Download PDF

Info

Publication number
ES2268192T3
ES2268192T3 ES03006494T ES03006494T ES2268192T3 ES 2268192 T3 ES2268192 T3 ES 2268192T3 ES 03006494 T ES03006494 T ES 03006494T ES 03006494 T ES03006494 T ES 03006494T ES 2268192 T3 ES2268192 T3 ES 2268192T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
layer
organic
organic electroluminescent
electroluminescent device
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
ES03006494T
Other languages
English (en)
Inventor
Junji Kido
Toshio Int. Man. & Eng. Serv. Co Ltd. Matsumoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Manufacturing and Engineering Services Co Ltd IMES
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
International Manufacturing and Engineering Services Co Ltd IMES
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=28043836&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=ES2268192(T3) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by International Manufacturing and Engineering Services Co Ltd IMES, Mitsubishi Heavy Industries Ltd filed Critical International Manufacturing and Engineering Services Co Ltd IMES
Application granted granted Critical
Publication of ES2268192T3 publication Critical patent/ES2268192T3/es
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/57—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton
    • C07C211/58—Naphthylamines; N-substituted derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/57—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton
    • C07C211/61—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton with at least one of the condensed ring systems formed by three or more rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/04—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings
    • C07C2603/06—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members
    • C07C2603/10—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members containing five-membered rings
    • C07C2603/12—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members containing five-membered rings only one five-membered ring
    • C07C2603/18—Fluorenes; Hydrogenated fluorenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Un dispositivo electroluminescente orgánico incluyendo: al menos dos unidades fotoemisoras dispuestas entre un electrodo de cátodo y un electrodo de ánodo enfrente de dicho electrodo de cátodo, incluyendo cada una de dichas unidades fotoemisoras al menos una capa fotoemisora; donde dichas unidades fotoemisoras están divididas una de otra por al menos una capa de generación de carga, constituyendo dicha capa de generación de carga una capa aislante eléctrica que tiene una resistividad no inferior a 1, 0 x 102 Ùcm.

Description

Un dispositivo electroluminescente orgánico.
Antecedentes de la invención 1. Campo de la invención
La presente invención se refiere a un dispositivo electroluminescente orgánico (en adelante, abreviado como "dispositivo EL orgánico" o "dispositivo") que puede ser usado en fuentes de luz planas y dispositivos de visualización y a un método para producir un dispositivo electroluminescente orgánico.
2. Descripción de la técnica relacionada
La atención se ha dirigido recientemente a dispositivos electroluminescentes orgánicos que tienen una capa fotoemisora o luminiscente incluyendo un compuesto orgánico entre un electrodo de cátodo y un electrodo de ánodo enfrente del electrodo de cátodo como un dispositivo de visualización de zona grande utilizable a un voltaje de activación bajo. A los efectos de una eficiencia más alta en un dispositivo EL, Tang y colaboradores, como se describe en Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987), han logrado con éxito una luminancia suficientemente alta y eficiencia alta para uso práctico, es decir, una luminancia de 1.000 cd/m^{2} y una eficiencia cuántica externa de 1% a un voltaje aplicado no superior (mayor) a 10 voltios, adoptando una estructura en la que capas compuestas orgánicas que tienen diferentes propiedades de transporte de portadora se laminan para introducir por ello huecos y electrones con buen equilibrio desde un ánodo y cátodo, respectivamente, y teniendo el grosor de la capa de compuesto orgánico no superior (mayor) a 2.000 \ring{A}.
Además, según las descripciones de las patentes inventadas por Tang y colaboradores, (como las Solicitudes de Patente japonesas publicadas números 59-194393, 63-264692 y 2-15595 y las Patentes de Estados Unidos números 4.539.507, 4.769.292 y 4.885.211) se afirma que si el grosor de capa total de las capas orgánicas intercaladas entre un ánodo y un cátodo no excede de aproximadamente 1 \mum, se puede proporcionar un dispositivo EL capaz de emitir luz a un nivel inferior del voltaje aplicado, y que deseablemente, si el grosor de capa total se reduce a un rango de 1.000 a 5,000 \ring{A}, se puede obtener un campo eléctrico (V/cm) útil al obtener una emisión de luz a un voltaje aplicado no superior a aproximadamente 25 voltios.
La razón por la qué Tang y colaboradores han dirigido su atención a una reducción del grosor de capa de las capas orgánicas al conseguir una reducción del voltaje de activación, como se describe en el artículo antes citado, reside en superar el problema sugerido por Helfrich y colaboradores en la década de 1960. A saber, Helfrich y colaboradores han observado que se puede obtener una eficiencia cuántica externa de aproximadamente 5% cuando se aplica una electroluminescencia de campo eléctrico suficiente (EL) a un monocristal de antraceno; sin embargo, según su método, solamente se podría obtener una eficiencia de conversión de baja potencia (w/w), ya que el voltaje requerido para mover tales dispositivos es bastante alto (superior a 100 V).
Con referencia a las patentes de Tang y colaboradores antes citadas, los dispositivos EL orgánicos indicados tienen una estructura multicapa en la que un ánodo, una capa de inyección (transporte) de huecos, una capa fotoemisora (que tiene una propiedad de transporte de electrones) y un cátodo se laminan en ese orden, y los dispositivos pueden proporcionar eficiencia cuántica de al menos aproximadamente 5 x 10^{-4} (0,05%). Además, la eficiencia cuántica se define en la Solicitud de Patente japonesa publicada número 59-194393 como la eficiencia cuántica EL que iguala simplemente la proporción de fotones por segundo emitidos por la célula, a los electrones por segundo medidos en el circuito externo.
Actualmente, como ya se ha descrito, cuando se usa un material fluorescente (utilizando emisión de un estado de excitación de singlete) en los dispositivos EL de capa fina sugeridos por Tang y colaboradores, se puede obtener una eficiencia cuántica superior a 5%. Además, cuando se usa un material fosforescente (utilizando emisión de un estado de excitación de triplete) en los dispositivos EL, se puede obtener una eficiencia cuántica que se aproxima a 20%.
Como se puede apreciar por la descripción anterior, la eficiencia cuántica se calcula a partir del número de los fotones realmente emitidos (fuera) del dispositivo, y por lo tanto, la eficiencia cuántica se denomina la eficiencia cuántica externa. Por otra parte, el número de fotones generados interiormente en el dispositivo podría ser muy grande en comparación con el valor observado exteriormente, y se predice que dicha eficiencia, denominada la eficiencia cuántica interna, podría llegar a aproximadamente 5 veces la eficiencia cuántica externa. En consecuencia, incluso actualmente, al usar un material fosforescente, se puede exhibir una eficiencia cuántica interna a 100%, y por lo tanto, parece que el problema que subsiste en los dispositivos EL orgánicos reside solamente en un aumento de la fiabilidad con respecto a la duración operativa de los dispositivos.
Como se ha descrito anteriormente, las sugerencias de Tang y colaboradores en sus patentes y artículos han acelerado una investigación y desarrollo mundiales en el campo de los dispositivos EL orgánicos, y por lo tanto, se ha desarrollado gran número de dispositivos EL mejorados sobre la base de la estructura de dispositivo básica sugerida por Tang y colaboradores. Actualmente, la comercialización de los dispositivos EL ya ha empezado con respecto a su uso como un dispositivo de visualización en un tablero de mandos o en un teléfono celular.
Sin embargo, desde un punto de vista de la durabilidad del dispositivo, los dispositivos EL orgánicos convencionales antes descritos apenas pueden alcanzar la mitad de la duración de decadencia de 10.000 horas con una luminancia solamente del orden de 100 cd/m^{2}, que se requiere en el uso de la visualización. Actualmente, todavía es difícil conseguir una duración operativa práctica requerida (10.000 horas o más) con una luminancia de aproximadamente 1.000 a 10.000 cd/m^{2}, que se requiere en el uso de iluminación, etc. A decir verdad, un dispositivo El orgánico que tiene una luminancia alta y larga duración operativa todavía no se ha realizado y no está disponible en el mercado.
Como se ha descrito anteriormente, la atención dirigida recientemente a los dispositivos EL orgánicos ha estado basada en el descubrimiento de un material formador de película fina que active el dispositivo resultante a un voltaje bajo de no menos de 10 voltios. Sin embargo, el dispositivo resultante todavía sufre la desventaja de que, si se desea que el dispositivo obtenga una emisión de luminancia alta necesaria a efectos de iluminación, se necesita una densidad de corriente más alta que se aproxime a decenas de mA/cm^{2} a cientos de mA/cm^{2}. Obsérvese que en los mejores dispositivos emisores de luz verde actualmente disponibles, una luminancia de aproximadamente miles a decenas de miles de cd/m^{2} todavía necesita la densidad de corriente antes indicada de aproximadamente 10 a 100 mA/cm^{2}. Se puede considerar que esta propiedad es característica de los dispositivos del tipo de inyección de carga (como este dispositivo EL orgánico), y tales características pueden causar un problema relativamente grande con la duración operativa de los dispositivos EL orgánicos a la comparación con un LED inorgánico (diodo fotoemisor) que es también un dispositivo de inyección de carga y usa un semiconductor compuesto inorgánico que puede ser más robusto que los compuestos orgánicos.
En una capa orgánica formada a partir de un material orgánico de peso molecular bajo mediante un método de deposición al vacío en fase vapor, la naturaleza de la corriente eléctrica que pasa a través de la capa orgánica se define como una conducción de salto de electrones y huecos entre las moléculas del material. Además, al observar las moléculas desde el aspecto químico, se puede describir de este modo: las moléculas de transporte de electrones y las moléculas de transporte de huecos que son en general moléculas eléctricamente neutras se someten repetidas veces a un proceso en el que las moléculas de transporte de electrones y de transporte de huecos se cambian a un estado de radical anión o un estado de radical catión, es decir, la reacción de oxidación-reducción en términos d la química de Lewis se está repitiendo entre estas moléculas. Haciendo referencia a la propiedad antes descrita en los dispositivos EL orgánicos, es decir, que se requiere una densidad de corriente más alta para conseguir luminancia más alta, esta propiedad significa que las reacciones de oxidación-reducción se repiten a una frecuencia más alta. Obviamente, la velocidad de deterioro de las moléculas orgánicas es proporcional a una frecuencia de las reacciones de oxidación-reducción, a saber, la densidad de corriente.
Para solucionar el problema anterior, la Solicitud de Patente japonesa publicada número 11-329748 (Patente de Estados Unidos correspondiente número 6.107.734) sugiere un dispositivo EL orgánico en el que una pluralidad de capas fotoemisoras orgánicas están conectadas eléctricamente en serie a través de una capa conductora intermedia, y con respecto a la capa conductora intermedia, describe que se puede usar muchos tipos de materiales en la formación de la capa conductora intermedia, a condición de que (la capa conductora intermedia) sean capaces de inyectar huecos y
electrones a uno u otro lado de la superficie primaria, y capaces de mantener un equipotencial aproximado en la capa.
Este dispositivo EL, sin embargo, tiene el problema siguiente. Por ejemplo, en el dispositivo de visualización que tiene una estructura de matriz simple, la zona de emisión de luz a la aplicación de voltaje debe definirse solamente con respecto al pixel, es decir, la zona de intersección, intercalada por la línea de cátodo y ánodo, permitiendo así ver una imagen en movimiento. Sin embargo, en el caso antes descrito en el que la capa conductora intermedia que tiene una superficie considerablemente equipotencial se forma en una superficie sustancialmente general en una zona que es igual a la zona de las capas fotoemisoras orgánicas, es decir, cuando la capa conductora intermedia también está formada en zonas distintas de las zonas de intersección intercaladas por la línea de cátodo y ánodo, la emisión de luz puede ser generada en zonas distintas de las zonas de intersección en las que se desea generar la emisión de luz. Específicamente, hay una posibilidad de generar la emisión de luz en toda la zona cruzada del cátodo con la capa conductora intermedia, la zona cruzada del ánodo y con la capa conductora intermedia, y si se contienen dos o más capas
conductoras intermedias, la zona cruzada entre una capa conductora intermedia y otra capa conductora intermedia.
Por lo tanto, se describe en la Solicitud de Patente japonesa publicada número 11-329748 que las capas conductoras intermedias de cada pixel están separadas no sólo de la capa conductora intermedia de los pixeles adyacentes, sino también de una fuente de alimentación. Además, una idea de separar las capas conductoras intermedias una de otra en los pixeles en el dispositivo EL que tiene una estructura de matriz simple también se describe en esta publicación. Si una película de aislamiento de capa intermedia se forma y dispone previamente a un grosor de capa superior a 1 m\mu y en forma de una configuración de pasos pronunciados, la capa conductora se puede separar automáticamente en presencia de una forma de cambio brusco de la película de aislamiento de capa intermedia, incluso si la capa conductora se forma usando la máscara de sombra idéntica a la de la deposición de material orgánico.
Sin embargo, en este caso, aunque el cátodo no deba estar separado, el cátodo puede estar separado por la película de aislamiento de capa intermedia si el cátodo tiene solamente un grosor de aproximadamente 0,1 \mum (100 nm) como en los dispositivos EL orgánicos convencionales. Para evitar este problema, la Solicitud de Patente japonesa publicada número 11-329748 describe el uso de In (indio) como el material de cátodo a un grosor grande, evitando así la separación eléctrica de la línea de cátodo, porque el indio no puede producir fácilmente problemas debido a la cristalización (este problema se denomina en general "montículo"), aunque el cátodo se forme a un grosor de 1 \mum
o más.
En este caso alternativo, sin embargo, tampoco se puede evitar un problema de la reducción de producción, porque un metal como Al (aluminio), que es un material de cableado convencional y de bajo costo, no puede ser usado como un material de cátodo y también hay que formar establemente una película de aislamiento de capa intermedia que tiene un grosor de capa superior a 1 \mum y una forma de cambio rápido de la capa intermedia.
Además, los inventores de la presente invención han propuesto otro dispositivo El orgánico en la Solicitud de Patente japonesa número 2001-225847, que tiene al menos dos unidades fotoemisoras que constituyen el dispositivo EL orgánico convencional (los componentes en todos los elementos que constituyen el dispositivo EL orgánico convencional menos un cátodo y un ánodo), y las unidades fotoemisoras contenidas están separadas una de otra con una capa transparente que actúa como una superficie equipotencial.
La "superficie equipotencial" en el sentido en que se usa aquí significa que cuando se aplica un voltaje, la capa transparente no puede exhibir una diferencia potencial cuantiosa tanto en una dirección de grosor como en una dirección (lateral) plana en la capa. En otros términos, aunque los inventores no lo han descrito específicamente, suponen la necesidad de construir la superficie equipotencial a partir de un material conductor eléctrico, es decir, algún material que tenga una resistividad inferior a 1,0 x 10^{2} \Omegacm.
Sin embargo, como en la Solicitud de Patente japonesa publicada antes citada número 11-329748, si se separan dos o más unidades fotoemisoras usando un material que tiene alta conductividad eléctrica (baja resistividad) antes descrito, podría haber dificultades al definir las zonas de emisión de luz necesarias, debido a la conductividad en una dirección (lateral) plana (dirección paralela a un sustrato).
En la práctica, como se representa en la figura 38B, incluso si la producción del dispositivo EL se realiza según el método de la Solicitud de Patente japonesa publicada número 11-329748 produciendo un cátodo 55 y un ánodo 52, ambos en forma de una tira que tiene una anchura de 2 mm, y disponiendo el cátodo 55 y el ánodo 52 de manera que se crucen en ángulos rectos, produciendo así una zona de emisión de luz correspondiente a la zona de (intersección) cruzada, es decir, 2 mm cuadrados (\square), se puede producir emisión de luz inesperada en otras zonas cuando hay una zona que tiene una superficie equipotencial 54 que se extiende a otra zona. La emisión no deseada en el dispositivo EL se muestra en la fotografía de la figura 38A.
Para evitar el problema anterior, como se describe en los ejemplos de la Solicitud de Patente japonesa número 2001-225847, los inventores tuvieron que formar una superficie equipotencial usando una máscara de sombra (configuración de 2 mm cuadrados; (\square) que tenía una abertura configurada correspondiente a la zona de emisión de luz deseada, formando así de forma selectiva la superficie equipotencial solamente en la capa de emisión deseada. Sin embargo, en este método, es difícil lograr la emisión solamente en los pixeles selecta deseados en el dispositivo de visualización, porque el dispositivo de visualización se tiene que producir a una longitud y paso de pixel (entre cada pixel) de aproximadamente 0,1 milímetros o menos.
Para mejorar la productividad en la producción en serie de los dispositivos EL, no son deseables frecuentes operaciones de cambio y colocación exacta de la máscara de sombra, porque causa una tremenda reducción de la producción. Se describen dispositivos EL adicionales en US 5 641 582 A y WO 95/06400 A.
Resumen de la invención
En vista de los problemas anteriores de los dispositivos electroluminiscentes (EL) orgánicos convencionales, la presente invención proporciona un dispositivo EL orgánico que puede proporcionar eficaz y establemente una estructura de dispositivo capaz de conseguir una duración operativa larga con una emisión de luz de mayor luminancia, que no se puede conseguir fácilmente en dispositivos EL convencionales, así como un método para producir tal dispositivo EL orgánico. En la producción de tales dispositivos electroluminescentes (EL) orgánicos, con la formación de dos o más unidades fotoemisoras (formadas principalmente a partir de un material orgánico), intercaladas entre un cátodo y un ánodo, no se requiere el cambio frecuente y la colocación exacta de máscaras de sombra para definir una zona de deposición durante la formación de una capa de generación de carga, que se introduce de forma novedosa en la presente invención. Tampoco se requiere la formación de la película de aislamiento de capa intermedia de forma de cambio repentino, que tiene el riesgo de producir desconexión de una línea de cátodo, permitiendo por lo tanto aumentar la productividad y simplificar el proceso de fabricar dispositivos de visualización del tipo de matriz simple, etc. Según un aspecto de la presente invención, se proporciona un dispositivo electroluminescente orgánico, incluyendo al menos dos unidades fotoemisoras dispuestas entre un electrodo de cátodo y un electrodo de ánodo enfrente del electrodo de cátodo, incluyendo cada una de las unidades fotoemisoras al menos una capa fotoemisora. Las unidades fotoemisoras están divididas una de otra por al menos una capa de generación de carga, constituyendo la capa de generación de carga una capa aislante eléctrica que tiene una resistividad no inferior a 1,0 x 10^{2} \Omegacm.
Es deseable que la capa de generación de carga constituya una capa aislante eléctrica que tiene una resistividad no inferior a 1,0 x 10^{5} \Omegacm.
Es deseable que la capa de generación de carga incluya una capa laminada y/o mezclada formada a partir de dos materiales diferentes. Un complejo de transferencia de carga incluyendo un radical catión y un radical anión se forma después de una reacción de oxidación-reducción entre los dos materiales, y un estado de radical catión y un estado de radical anión en el complejo de transferencia de carga se transfiere a una dirección del cátodo y a una dirección del ánodo, respectivamente, cuando se aplica un voltaje al dispositivo, de manera que se inyecte un hueco en la unidad fotoemisora que está situada en un lado de cátodo de la capa de generación de carga y es adyacente a ella, y se inyecte un electrón en la unidad fotoemisora que está situada en un lado de ánodo de la capa de generación de carga y es adyacente a ella.
Es deseable que la capa de generación de carga incluya una capa laminada y/o mezclada incluyendo un compuesto orgánico que tiene un potencial de ionización de al menos 5,7 eV y una propiedad de transporte de huecos o propiedad de donación de electrones; y un material inorgánico y/u orgánico capaz de formar un complejo de transferencia de carga mediante su reacción de oxidación-reducción con el compuesto orgánico. La capa de generación de carga contiene un complejo de transferencia de carga formado después de la reacción de oxidación-reducción entre el compuesto orgánico y uno de un material inorgánico u orgánico.
El compuesto orgánico puede incluir un compuesto de arilamina, donde el compuesto de arilamina está representado por la fórmula siguiente (I):
Ar_{1} --- 
\uelm{N}{\uelm{\para}{Ar _{2} }}
--- Ar_{3}
donde cada Ar1, Ar2 y Ar3 representa independientemente un grupo hidrocarburo aromático que puede tener sustituyentes.
Es deseable que el compuesto orgánico incluya un compuesto de arilamina que tenga una temperatura de transición vítrea no inferior a 90ºC.
La arilamina puede incluir uno de \alpha-NPD, 2-TNATA, espiro-TAD, y espiro-NPB.
El material inorgánico puede ser un óxido metálico.
El material inorgánico puede ser un haluro de metal.
El óxido metálico puede ser pentaóxido de vanadio o heptaóxido de renio.
El material inorgánico puede ser depositado por uno de un método de deposición en fase vapor por calentamiento resistivo, un método de deposición de vapor por haz de electrones y un método de deposición de vapor de haz láser.
El material inorgánico puede ser depositado por un método de deposición catódica. Un aparato de deposición catódica usado en el método de deposición catódica es un sistema de deposición catódica de blancos opuestos que incluye un par de blancos opuestos dispuestos a cierta distancia, un electrodo de reflexión capaz de reflejar electrones hacia una zona periférica delantera de cada blanco, y un dispositivo de generación de campo magnético capaz de constituir un campo magnético paralelo cerca de la porción periférica de cada blanco, teniendo el campo magnético una porción paralela a la porción periférica del blanco.
El material orgánico puede incluir al menos un flúor como un grupo sustituyente, y poseer por lo menos una de una propiedad de inyección de electrones y una propiedad de aceptación de electrones.
El material orgánico puede incluir al menos un grupo ciano como un grupo sustituyente, y poseer por lo menos una de una propiedad de inyección de electrones y una propiedad de aceptación de electrones.
El material orgánico puede ser tetrafluoro-tetracianoquinodimetano (4F-TCNQ).
La unidad fotoemisora puede incluir, como una capa situada en un lado de ánodo de la capa de generación de carga y adyacente a ella, una capa de inyección de electrones que tiene una mezcla incluyendo un compuesto orgánico y un metal que funciona como un dopante donante de electrones.
El dopante donante de electrones puede incluir al menos un metal seleccionado de un grupo incluyendo un metal alcalino, un metal alcalinotérreo y un metal de tierras raras.
El metal del dopante donante de electrones se puede prever en una relación molar 0,1 a 10 con respecto al compuesto orgánico en la capa de inyección de electrones.
La unidad fotoemisora puede incluir, como una capa situada el lado de ánodo de la capa de generación de carga y adyacente a ella, una capa de metal que tiene un grosor no superior a 5 nm formada a partir de un metal seleccionado a partir de un metal alcalino, un metal alcalinotérreo y un metal de tierras raras. El metal que constituye la capa se difunde en la capa adyacente de transporte de electrones para reaccionar con el material orgánico de transporte de electrones. Como resultado de la difusión, se forma una capa de inyección de electrones compuesta de una mezcla incluyendo
el material orgánico de transporte de electrones y un metal que funciona como un dopante donante de electrones.
La unidad fotoemisora puede incluir, como una capa situada en un lado de ánodo de la capa de generación de carga y adyacente a ella, una capa incluyendo un compuesto complejo organometálico incluyendo al menos un ión metal seleccionado de entre un ión metal alcalino, un ión metal alcalinotérreo y un ión metal de tierras raras, y una capa de generación de reacción que se forma por una reacción de reducción in situ cuando un metal térmicamente reducible, que puede reducir un ión metal en el complejo organometálico a un metal en vacío se deposita sobre el complejo organometálico que constituye la capa.
La unidad fotoemisora puede incluir, como una capa situada en un lado de ánodo de la capa de generación de carga y adyacente a ella, una capa incluyendo un compuesto inorgánico incluyendo al menos un ión metal seleccionado de entre un ión metal alcalino, un ión metal alcalinotérreo y un ión metal de tierras raras, y una capa de generación de reacción que se forma por una reacción de reducción in situ cuando un metal térmicamente reducible, que puede reducir un ión metal en el compuesto inorgánico a un metal en vacío, se deposita sobre el compuesto inorgánico que constituye la capa.
Es deseable que el metal térmicamente reducible incluya al menos uno seleccionado de entre aluminio, circonio, silicio, titanio y tungsteno.
La unidad fotoemisora puede incluir una estructura, como una capa situada en un lado de ánodo de la capa de generación de carga y adyacente a ella, en la que se forma una capa de una mezcla incluyendo un compuesto orgánico y un dopante donante de electrones, posteriormente se genera una capa de generación de reacción por una reacción de reducción in situ cuando un metal térmicamente reducible, que puede reducir un ión metal alcalino, un ión metal alcalinotérreo o un ión metal de tierras raras a un metal en vacío, se deposita sobre un compuesto complejo organometálico que contiene al menos un ión metal seleccionado de entre un ión metal alcalino, un ión metal alcalinotérreo y un ión metal de tierras raras.
La unidad fotoemisora puede incluir una estructura, como una capa situada en un lado de ánodo de la capa de generación de carga y adyacente a ella, en la que se forma una capa de una mezcla incluyendo un compuesto orgánico y un dopante donante de electrones, se genera una capa de generación de reacción por una reacción de reducción in situ cuando un metal térmicamente reducible, que puede reducir un ión metal alcalino, un ión metal de alcalinotérreo o un ión metal de tierras raras a un metal en vacío, se deposita sobre un compuesto inorgánico que contiene al menos un ión metal seleccionado de un ión metal alcalino, un ión metal de alcalinotérreo y un ión metal de tierras
raras.
La unidad fotoemisora puede incluir, como una capa situada en un lado de cátodo de la capa de generación de carga y adyacente a ella, una capa de inyección de huecos incluyendo una mezcla de un compuesto orgánico y un complejo aceptador de electrones que tiene una propiedad capaz de oxidar el compuesto orgánico en términos de la química del ácido de Lewis.
El complejo aceptador de electrones que tiene una propiedad capaz de oxidar el compuesto orgánico en la capa de inyección de huecos en términos de la química del ácido de Lewis, se puede prever en una relación molar de 0,01 a 10 con respecto al compuesto orgánico.
La unidad fotoemisora puede incluir, como una capa situada en el lado de cátodo de la capa de generación de carga y adyacente a ella, una capa de inyección de huecos incluyendo un compuesto aceptador de electrones y teniendo un grosor no superior a 30 nm.
Cada una de las unidades fotoemisoras puede tener espectros de emisión diferentes.
El dispositivo electroluminescente orgánico puede emitir luz blanca debido a la superposición de luces diferentes de cada unidad fotoemisora.
Al menos una de las unidades fotoemisoras puede incluir una capa fotoemisora conteniendo un material fosforescente.
En cada una de las unidades fotoemisoras, es deseable que un tramo de recorrido óptico de un lugar fotoemisor a un electrodo metálico fotorreflector sea un número impar de veces un cuarto de longitud de onda de la luz.
Todas las capas incluyendo las unidades fotoemisoras, la capa de generación de carga y la capa de electrodo, se pueden formar sobre un sustrato calentando un material vaporizable en vacío para depositar uno de un material vaporizado o sublimado sobre el sustrato. Al depositar el material vaporizado o sublimado sobre el sustrato, un sustrato es transportado en una dirección de su superficie plana, estando abierta una zona de deposición en una superficie inferior del sustrato; se ha previsto un contenedor, en una posición inferior del sustrato de transporte, incluyendo un material vaporizable que tiene una anchura de deposición que puede cubrir la zona de deposición que se extiende en una dirección perpendicular a la dirección de transporte del sustrato; y el contenedor se calienta para vaporizar o sublimar por ello con el fin de depositar el material vaporizable suministrado en el conte-
nedor.
\newpage
Es deseable que un grosor combinado de las unidades fotoemisoras y las capas de generación de carga, intercaladas entre el cátodo y el ánodo, sea superior a 1.000 nm (1 \mum).
Es deseable que el dispositivo electroluminescente orgánico opere a un voltaje de activación superior a 25 voltios.
Es deseable que la luz pueda pasar solamente en una dirección que es una de una dirección de electrodo de ánodo y una dirección de electrodo de cátodo, desde un lugar de generación de luz en el dispositivo electroluminescente orgánico, donde la luz que avanza en una dirección opuesta a la única dirección es absorbida por un medio de absorción de luz, y donde, en cada una de las unidades fotoemisoras, se quita un efecto de interferencia de luz de manera que no es sustancialmente necesario un ajuste de un tramo de recorrido óptico de un lugar fotoemisor de capas fotoemisoras a un electrodo metálico fotorreflector.
Es deseable que la luz avance en una dirección que es una de una dirección de electrodo de ánodo y una dirección de electrodo de cátodo, desde un lugar de generación de luz en el dispositivo electroluminescente orgánico de manera que se refleje de manera difusa por un medio de reflexión difusa, y en cada una de las unidades fotoemisoras, se quite un efecto de interferencia de luz de manera que un ajuste de un tramo de recorrido óptico desde un lugar fotoemisor de capas fotoemisoras a un electrodo metálico fotorreflector no sea sustancialmente necesario.
Breve descripción de los dibujos
La figura 1 es una vista esquemática que representa un mecanismo de emisión de luz de un dispositivo EL orgánico de la técnica anterior.
La figura 2 es una vista esquemática que representa un mecanismo de emisión de luz del dispositivo EL orgánico según la presente invención.
La figura 3 es una vista esquemática que representa una formación de complejo de transferencia de carga y transferencia de electrones y huecos a la aplicación de voltaje en una capa de generación de carga que tiene una estructura de capa laminada, según el dispositivo de la presente invención.
La figura 4 es una vista esquemática que representa una formación de complejo de transferencia de carga y transferencia de electrones y huecos a la aplicación de voltaje en una capa de generación de carga que tiene una estructura de capa mezclada, según el dispositivo de la presente invención.
La figura 5 es un gráfico del espectro de absorción obtenido en una capa única o capa mezclada de un compuesto de arilamina y pentaóxido de vanadio.
La figura 6 es un gráfico del espectro de absorción obtenido en una capa única o capa mezclada de 2-TNATA y 4F-TCNQ.
La figura 7 es un gráfico del espectro de absorción obtenido en una capa única o capa mezclada de \alpha-NPD y uno heptaóxido de renio.
La figura 8 es una vista esquemática en sección transversal que ilustra una estructura de laminación del dispositivo EL orgánico según la presente invención.
La figura 9 es una vista esquemática en sección transversal que ilustra una estructura de laminación del dispositivo EL orgánico producido en el ejemplo de referencia 1.
La figura 10A muestra un sustrato de vidrio sobre el que se recubre un electrodo de ánodo transparente.
La figura 10B muestra una construcción de una máscara metálica para la formación de capa orgánica.
La figura 10C muestra una construcción de una máscara metálica para formación de electrodo de cátodo.
La figura 10D muestra una vista esquemática que ilustra una construcción del dispositivo EL orgánico.
La figura 11 es una vista esquemática en sección transversal que ilustra una estructura de laminación del dispositivo EL orgánico producido en el ejemplo de referencia 2.
La figura 12 es una vista esquemática en sección transversal que ilustra una estructura de laminación del dispositivo EL orgánico producido en el ejemplo de referencia 3.
La figura 13 es una vista esquemática en sección transversal que ilustra una estructura de laminación del dispositivo EL orgánico producido en el ejemplo 1.
La figura 14 es una vista esquemática en sección transversal que ilustra una estructura de laminación del dispositivo EL orgánico producido en el ejemplo 2.
La figura 15 es una vista esquemática en sección transversal que ilustra una estructura de laminación del dispositivo EL orgánico producido en el ejemplo 3.
La figura 16 es un gráfico del espectro de emisión obtenido en el ejemplo de referencia 1, y los ejemplos 1 y 4.
La figura 17 es un gráfico del espectro de emisión obtenido en los ejemplos de referencia 2 y 3, y el ejemplo 3.
La figura 18 es una vista esquemática en sección transversal que ilustra una estructura de laminación del dispositivo EL orgánico producido en el ejemplo 4.
La figura 19 es un gráfico del espectro de emisión de tres dispositivos EL producidos en el ejemplo 4.
La figura 20 es un gráfico del espectro de emisión de tres dispositivos EL producidos en el ejemplo 5.
La figura 21 es un gráfico de la curva de luminancia-voltaje de los dispositivos EL orgánicos producidos en el ejemplo de referencia 1, y los ejemplos 1 y 2.
La figura 22 es un gráfico de la curva de densidad de corriente-voltaje de los dispositivos EL producidos en el ejemplo de referencia 1, y los ejemplos 1 y 2.
La figura 23 es un gráfico de la curva de eficiencia de corriente-densidad de corriente de los dispositivos EL producidos en el ejemplo de referencia 1, y los ejemplos 1 y 2.
La figura 24 es un gráfico de la curva de luminancia-voltaje de los dispositivos EL orgánicos producidos en los ejemplos de referencia 2 y 3, y el ejemplo 3.
La figura 25 es un gráfico de la curva de densidad de corriente-voltaje de los dispositivos EL producidos en los ejemplos de referencia 2 y 3, y el ejemplo 3.
La figura 26 es un gráfico de la curva de eficiencia de corriente-densidad de corriente de los dispositivos EL producidos en los ejemplos de referencia 2 y 3, y el ejemplo 3.
La figura 27 es un gráfico de la curva de luminancia-voltaje de tres dispositivos EL orgánicos producidos en el ejemplo 4.
La figura 28 es un gráfico de la curva de densidad de corriente-voltaje de tres dispositivos EL producidos en el ejemplo 4.
La figura 29 es un gráfico de la curva de eficiencia de corriente-densidad de corriente de tres dispositivos EL producidos en el ejemplo 4.
La figura 30 es un gráfico de la curva de luminancia-voltaje de tres dispositivos EL orgánicos producidos en el ejemplo 5.
La figura 31 es un gráfico de la curva de densidad de corriente-voltaje de tres dispositivos EL producidos en el ejemplo 5.
La figura 32 es un gráfico de la curva de eficiencia de corriente-densidad de corriente de tres dispositivos EL producidos en el ejemplo 5.
La figura 33 es una vista en planta que muestra un dispositivo que tiene una estructura intercalada usada en la evaluación de la resistividad.
La figura 34 es una vista en sección transversal que muestra un dispositivo que tiene una estructura intercalada usada en la evaluación de la resistividad.
La figura 35 es una vista en planta que representa un dispositivo que tiene una estructura de disposición coplanar usada en la evaluación de la resistividad.
La figura 36 es una vista en sección transversal que representa un dispositivo que tiene una estructura de disposición coplanar usada en la evaluación de la resistividad.
La figura 37 es un gráfico de la curva de campo eléctrico-densidad de corriente para calcular una resistividad determinada en un ejemplo de prueba.
La figura 38A es una fotografía que muestra un estado de emisión en el dispositivo EL orgánico descrito en la Solicitud de Patente japonesa número 2001-225847.
La figura 38B es una vista esquemática en sección transversal que ilustra una estructura de laminación del dispositivo EL orgánico.
La figura 39A es una fotografía que muestra un estado de emisión en el dispositivo EL orgánico producido en el ejemplo 3.
La figura 39B es una vista esquemática en sección transversal que ilustra una estructura de laminación del dispositivo EL orgánico producido en el ejemplo 3.
La figura 40 es un gráfico que indica una relación entre relación mezclada (fracción molar) de la capa de codeposición de V_{2}O_{5} y \alpha-NPD, y la resistividad.
La figura 41 es una vista esquemática en sección transversal que ilustra una estructura de laminación del dispositivo EL orgánico producido en el ejemplo 6.
La figura 42 es un gráfico de la curva de luminancia-voltaje de los dispositivos EL orgánicos producidos en el ejemplo 6 y un dispositivo convencional.
La figura 43 es un gráfico de la curva de densidad de corriente-voltaje de los dispositivos EL producidos en el ejemplo 6 y un dispositivo convencional.
La figura 44 es un gráfico de la curva de eficiencia de corriente-densidad de corriente de los dispositivos EL producidos en el ejemplo 6 y un dispositivo convencional.
Y la figura 45 es un gráfico de la curva de eficiencia luminosa-luminancia de los dispositivos EL orgánicos producidos en el ejemplo 6 y un dispositivo convencional.
Descripción de las realizaciones preferidas
Los inventores de la presente invención han realizado intensos estudios para solucionar los problemas antes indicados, y haber descubierto que se puede conseguir una solución si se intercala dos o más unidades fotoemisoras laminadas entre un electrodo de cátodo y un electrodo de ánodo enfrente del electrodo de cátodo, y cada una de las unidades fotoemisoras se divide con una capa de generación de carga que tiene una resistividad de al menos 1,0 x 10^{2} \Omegacm, deseablemente al menos 1,0 x 10^{5} \Omegacm. En adelante, la propiedad que tiene tal resistividad es abreviada como "eléctricamente aislante".
Cuando se aplica cierto nivel del voltaje entre un cátodo y un ánodo en el dispositivo EL que tiene la estructura anterior, solamente las dos o más unidades fotoemisoras situadas en una zona cruzada del cátodo y el ánodo se pueden conectar como si se conectasen en serie, y por lo tanto, pueden emitir la luz simultáneamente. Debido a esta emisión simultánea, usando el dispositivo EL, es posible conseguir una eficiencia cuántica alta o la eficiencia de corriente que se puede obtener en cualquier dispositivo EL convencional.
Como se ha descrito anteriormente, según la presente invención, las unidades fotoemisoras se conectan "como si se conectasen en serie" durante toda la capa de generación de carga. Tal conexión en serie de las unidades fotoemisoras significa que cuando se aplica cierto nivel de voltaje al dispositivo EL, cada capa de generación de carga puede inyectar huecos en una dirección de cátodo del dispositivo, desempeñando así el papel de inyectar electrones en una dirección de ánodo, y como consecuencia de la inyección de tanto electrones como huecos, aunque todas las capas (las unidades fotoemisoras y las capas de generación de carga) intercaladas entre el ánodo y el cátodo se formen de una capa aislante eléctrica, las dos o más unidades fotoemisoras pueden actuar como si estuviesen conectadas eléctricamente en serie como en un circuito eléctrico.
En otros términos, el dispositivo EL orgánico según la presente invención reside en un dispositivo EL orgánico incluyendo dos o más unidades fotoemisoras entre un electrodo de cátodo y un electrodo de ánodo enfrente del electrodo de cátodo, teniendo cada unidad fotoemisora al menos una capa fotoemisora, en el que las unidades fotoemisoras están divididas una de otra por al menos una capa de generación de carga, y la capa de generación de carga es una capa aislante eléctrica que tiene una resistividad de al menos más de 1,0 x 10^{2} \Omegacm, deseablemente por lo menos
1,0 x 10^{5} \Omegacm.
Además, el material usado en la formación de capas que constituyen cada unidad fotoemisora corresponde a un componente intercalado entre el ánodo y el cátodo en los dispositivos EL convencionales, y por lo tanto, todas las capas allí formadas son capas eléctricamente aislantes que tienen una resistividad no inferior a 1,0 x 10^{2} \Omegacm.
La "unidad fotoemisora" se refiere a un componente del dispositivo EL que tiene una estructura de capa incluyendo al menos una capa fotoemisora incluyendo una sustancia orgánica compuesta, es decir, el componente del dispositivo EL orgánico convencional del que se omite un ánodo y un cátodo.
Además, la "capa de generación de carga" se refiere a una capa aislante eléctrica que tiene una resistividad no inferior a 1,0 x 10^{2} \Omegacm, deseablemente por lo menos 1,0 x 10^{5} \Omegacm, y como se ha descrito anteriormente, representa una capa capaz de inyectar un electrón para una dirección de ánodo del dispositivo además de inyectar un hueco para una dirección de cátodo del dispositivo al aplicar voltaje.
En el dispositivo EL orgánico de la presente invención, la capa de generación de carga incluye deseablemente una capa laminada o mezclada formada de dos materiales diferentes. Se forma complejo de transferencia de carga que tiene un radical catión y un radical anión después de una reacción de oxidación-reducción entre estos dos materiales. Cuando se aplica un voltaje al dispositivo EL, un estado de radical catión (hueco) y un estado de radical anión (electrón) en el complejo de transferencia de carga son transferidos a una dirección del cátodo y a una dirección del ánodo, respectivamente, de manera que se inyecte un hueco en la unidad fotoemisora que está situada en un lado de cátodo de la capa de generación de carga y es adyacente a ella, y se inyecte un electrón en la unidad fotoemisora que está situada en un lado de ánodo de la capa de generación de carga y es adyacente a ella.
Además, en el dispositivo EL orgánico de la presente invención, la capa de generación de carga incluye deseablemente una capa laminada o mezclada que tiene los componentes siguientes:
(a) un compuesto orgánico que tiene un potencial de ionización inferior a 5,7 eV y una propiedad de transporte de huecos o propiedad de donación de electrones; y
(b) un material inorgánico o orgánico capaz de formar un complejo de transferencia de carga mediante su reacción de oxidación-reducción con el compuesto orgánico (a); y
un complejo de transferencia de carga formado después de la reacción de oxidación-reducción entre los componentes (a) y (b) contenidos en la capa de generación de carga.
Además, con el fin de obtener fácilmente un estado de radical catión de un compuesto orgánico que tiene una propiedad de donación de electrones, es deseable en general que el compuesto orgánico tenga un potencial de ionización inferior a 5,7 eV. Si el potencial de ionización del compuesto orgánico usado como el componente (a) es 5,7 eV o más, es difícil producir una oxidación-reducción entre el compuesto orgánico y el compuesto usado como el componente (b) con el resultado de la dificultad de producir un complejo de transferencia de carga que se requiere al aplicar la presente invención.
Más en concreto, el complejo orgánico usado como el componente (a) es deseablemente un compuesto de arilamina, y el compuesto de arilamina está representado deseablemente por la fórmula siguiente (I):
\vskip1.000000\baselineskip
Ar_{1} --- 
\uelm{N}{\uelm{\para}{Ar _{2} }}
--- Ar_{3}
donde cada Ar1, Ar2 y Ar3 representa por separado un grupo hidrocarburo aromático que puede tener sustituyentes.
tetra-p-tolil-4,4'-diaminobifenil, bis (4-di-p-toli-laminofenil)fenilmetano, N,N'-difenil-N,N'-di(4-metoxi-fenil)-4,4'-diaminobifenil, N,N,N',N'-tetrafenil-4,4'-diaminodifeniléter, 4,4'-bis(difenilamino)quadrifenil, 4-N,N-difenil-
amino-(2-difenilvinil)benceno, 3-metoxi-4'-N,N-difenilaminostilbenceno, N-fenilcarbazol, 1,1-bis(4-di-p-triaminofenil)ciclohexano,1,1-bis(4-di-p-triaminofe-nil)-4-fenilciclohexano, bis(4-dimetilamino-2-metilfenil)fenilmetano, N,N,
N-tri(p-tolil)amina, 4-(di-p-tolilamino)-4'-[4-(di-p-tolilamino)estitil]estilbenceno, N,N,N',N'-tetrafenil-4,4'-diaminobifenil N-fenilcarbazol, 4,4'-bis[N-(1-naftil)-N-fenilamino]bifenil, 4,4''-bis[N-(1-naftil)-N-fenilamino] p-terfenil,
4,4'-bis[N-(3-acenaftenil)-N-fenilamino]bifenil, 1,5-bis[N-(1-naftil)-N-fenilamino]naftaleno, 4,4'-bis[N-(9-antril)-N-fenil-amino]bifenil, 4,4''-bis[N-(1-antril)-N-fenilamino] p-terfenil, 4,4'-bis[N-(2-fenantril)-N-fenilamino]bifenil, 4,4'-bis[N-(8-fluorantenil)-N-fenilamino]bifenil, 4,4'-bis[N-(2-pirenil)-N-fenilamino]bifenil, 4,4'-bis[N-(2-perilenil)-N-fenilamino]bifenil, 4,4'-bis[N-(1-corone-nil)-N-fenilamino]bifenil, 2,6-bis(di-p-tolilamino) naftaleno, 2,6-bis[di-(1-naftil)amino]naftaleno, 2,6-bis[N-(1-naftil)-N-(2-naftil)amino]naftaleno, 4,4''-bis-[N,N-di(2-naftil)amino]terfenil,
4,4'-bis N-fenil-N-[4-(1-naftil)fenil]amino}bifenil, 4,4'-bis[N-fenil-N-(2-pirenil)amino]bifenil, 2,6-bis[N,N-di(2-naftil) amino] fluoreno, 4,4''-bis(N,N-di-p-tolilamino)terfenil, bis(N-1-naftil)(N-2-naftil)amina, 4,4'-bis[N-(2-naftil)-N-fenilamino]bifenil (\alpha-NPD), representado por la fórmula siguiente:
1 
\vskip1.000000\baselineskip
, espiro-NPD representado por la fórmula siguiente:
2 
\vskip1.000000\baselineskip
, espiro-TAD representado por la fórmula siguiente:
\vskip1.000000\baselineskip
3 
\newpage
, 2-TNATA representado por la fórmula siguiente:
4
Además, se puede usar adecuadamente cualquier compuesto de arilamina conocido usado en la producción de dispositivos EL orgánicos convencionales.
Además, con respecto a incrementar la resistencia térmica de los dispositivos, es deseable que el compuesto de arilamina usado sea un compuesto de arilamina que tenga una temperatura de transición vítrea no inferior a 90ºC.
Entre muchos compuestos de arilamina arriba enumerados, \alpha-NPD, espiro-NPB, espiro-TAD y 2-TNATA son ejemplos típicos de un compuesto de arilamina apropriado porque tienen una temperatura de transición vítrea no inferior a 90ºC.
En el dispositivo EL orgánico de la presente invención, si la capa de generación de carga se construye a partir de un laminado incluyendo dos materiales diferentes, un material que constituye el laminado puede ser una capa de transporte de huecos en la unidad fotoemisora adyacente a la capa de generación de carga. Además, en tal caso, la capa de transporte de huecos se construye deseablemente a partir de un compuesto de arilamina usado como el componente (a).
La presente invención se describirá mejor con referencia a los dibujos acompañantes.
Como se ha descrito anteriormente, el dispositivo EL orgánico según la presente invención se caracteriza porque el dispositivo incluye un electrodo de ánodo/una pluralidad de unidades fotoemisoras (incluye al menos una capa fotoemisora, consta principalmente de un material orgánico y tiene en general una estructura laminada de dos o más capas)/un electrodo de cátodo. La pluralidad de unidades fotoemisoras están dispuestas entre los electrodos de ánodo y cátodo, y cada unidad fotoemisora está dividida con una capa de generación de carga aislante eléctrica que tiene una resistividad o resistencia específica no inferior a 1,0 x 10^{2} \Omegacm, deseablemente no inferior a 1,0 x 10^{5} \Omegacm.
Como se representa en la figura 1, el dispositivo EL orgánico de la técnica anterior tiene una construcción en la que una sola unidad fotoemisora está intercalada entre los electrodos, y un electrón (e^{-}) es inyectado desde un lado de cátodo en la unidad de manera que un hueco (h^{+}) se inyecte en un lado de ánodo en la unidad de manera que el electrón y el hueco se puedan recombinar dentro de la unidad, formando por ello un estado de excitación para producir emisión de luz.
A la inversa, en el dispositivo EL orgánico según la presente invención, como se representa en la figura 2, se puede realizar una recombinación del electrón y el hueco dentro de la pluralidad de unidades fotoemisoras, que están divididas por una capa de generación de carga, y por lo tanto, se puede generar una pluralidad de emisiones de luz entre los electrodos.
En el dispositivo EL orgánico de la presente invención, un material aislante eléctrico que tiene una resistividad no inferior a 1,0 x 10^{2} \Omegacm, deseablemente no inferior a 1,0 x 10^{5} \Omegacm se usa como un material para constituir una capa de generación de carga. Además, en general, la capa de generación de carga es deseablemente una capa que tiene una transmitancia de luz visible no inferior a 50%. Una transmitancia inferior a 50% no proporcionará la eficiencia cuántica deseada (eficiencia de corriente) aunque el dispositivo tenga una pluralidad de unidades fotoemisoras porque la luz generada en las unidades es absorbida durante su transmisión a través de la capa de generación de
carga.
Además, se puede usar tanto un material inorgánico como un material orgánico como un material para constituir una capa de generación de carga, siempre que el material usado tenga una resistividad específica antes descrita. Sin embargo, una construcción apropiada de la capa de generación de carga de la presente invención, como se ha descrito anteriormente, incluye una capa laminada o mezclada formada a partir de dos materiales diferentes. Después de la reacción de oxidación-reducción entre estos dos materiales, se forma un complejo de transferencia de carga incluyendo un radical catión y un radical anión en la capa de generación de carga. Debido a que un estado de radical catión y un estado de radical anión en el complejo de transferencia de carga se mueven a una dirección de cátodo y a una dirección de ánodo, respectivamente, cuando se aplica un voltaje, la capa de generación de carga puede inyectar un hueco en una unidad fotoemisora adyacente a la capa en un lado de cátodo y también puede inyectar un electrón en una unidad fotoemisora adyacente a la capa en un lado de ánodo.
Como se ha descrito anteriormente, la capa de generación de carga en el dispositivo de la presente invención es deseablemente un laminado o una capa mezclada formados a partir de un compuesto de arilamina (a) y una sustancia, tal como el componente (b), que puede ser una sustancia inorgánica o una sustancia orgánica, capaz de formar un complejo de transferencia de carga después de la reacción de oxidación-reducción con el compuesto de arilamina.
La figura 3 es una vista esquemática que representa una formación de complejo de transferencia de carga en una capa de generación de carga que es un laminado los componentes (a) y (b) antes descritos, y la transferencia de electrones y huecos en la capa de generación de carga a la aplicación del voltaje.
Además, la figura 4 es una vista esquemática que representa una formación de complejo de transferencia de carga y la transferencia de electrones y huecos a la aplicación de voltaje en una capa de generación de carga que es una capa mezclada incluyendo los componentes (a) y (b) anteriores.
Además, si los dos compuestos que constituyen la capa de generación de carga pueden formar o no un complejo de transferencia de carga se puede confirmar usando un análisis espectroscópico. Por ejemplo, cuando se examinan los dos compuestos, se puede confirmar que, en uso separado, ninguno de los compuestos presenta un pico de absorción en una región del infrarrojo cercano de la longitud de onda de 800 a 2.000 nm; sin embargo, si se usan como una capa mezclada, la capa puede presentar un pico de absorción en una región del infrarrojo cercano de la longitud de onda de 800 a 2.000 nm, es decir, el pico de absorción confirmado muestra claramente la presencia (o evidencia) de una transferencia de electrones entre los dos compuestos.
La figura 5 representa un espectro de absorción obtenido en un uso único de cada uno de los compuestos de arilamina: 2-TNATA, \alpha-NPD, espiro-TAD y espiro-NPB, y V_{2}O_{5} (pentaóxido de vanadio), y un espectro de absorción obtenido en una capa mezclada de cada compuesto de arilamina y pentaóxido de vanadio. Como se puede apreciar por el gráfico de la figura 5, los compuestos de arilamina y pentaóxido de vanadio no pueden presentar un pico en una región IR de la longitud de onda de 800 a 2.000 nm cuando se usan solos, pero si se utilizan en forma de una capa mezclada incluyendo el compuesto de arilamina y pentaóxido de vanadio, la capa puede exhibir un pico prominente en una región IR cercano de la longitud de onda de 800 a 2.000 nm, a partir de la que se puede confirmar una formación de complejo de transferencia de carga.
La figura 6 indica un espectro de absorción de cada uno de 2-TNATA y 4F-TCNQ obtenido cuando se usan en forma de una capa sola o una capa mezclada, y la figura 7 muestra un espectro de absorción obtenido en una capa mezclada de \alpha-NPD y Re2O7 (heptaóxido de di-renio).
Los inventores de la presente invención pudieron observar a partir de los espectros de absorción de cada una de las capas mezcladas mostradas en las figuras 5 a 7 que se producía un nuevo y tercer espectro de absorción en una posición de la región IR cercano (800 a 2.000 nm) después de la reacción producida con la transferencia de electrón, y el tercer espectro de absorción no es una curva de espectro simplemente apilada obtenida como consecuencia de la combinación de un espectro de una sola sustancia con un espectro de otra sustancia sola. Los inventores han estudiado y descubierto que una reacción química generada en la capa mezclada es un factor importante para asegurar una transferencia de carga a la aplicación de voltaje.
Cuando dos compuestos (o capas) están laminados, se concibe fácilmente que se pueda generar una reacción química en una superficie interfacial entre las dos capas. Por lo tanto, es cierto que las propiedades previstas y deseadas se pueden obtener en una capa de generación de carga cuando la capa se forma por laminación de los dos compuestos.
En la presente invención, el término "unidad fotoemisora", como se ha explicado anteriormente, significa un "componente del dispositivo EL orgánico convencional" a excepción de un ánodo y un cátodo.
El "componente del dispositivo EL orgánico convencional" incluye, por ejemplo, (ánodo)/una capa fotoemisora/(cátodo), (ánodo)/una capa de transporte de huecos/una capa fotoemisora/(cátodo), (ánodo)/una capa de transporte de huecos/una capa fotoemisora/una capa de transporte de electrones/(cátodo), (ánodo)/una capa de inyección de huecos/una capa de transporte de huecos/una capa fotoemisora/una capa de transporte de electrones /(cátodo).
En el dispositivo EL orgánico según la presente invención, las unidades fotoemisoras pueden tener cualquier estructura laminar, a condición de que la estructura laminar satisfaga el requisito de que cada unidad fotoemisora esté dividida con una capa de generación de carga aislante eléctrica y haya una pluralidad de unidades fotoemisoras. Además, los materiales usados en la formación de una capa fotoemisora, una capa de transporte de huecos, una capa de inyección de huecos, una capa de transporte de electrones, una capa de inyección de electrones, no están restringidos a ningún material específico y pueden ser cualquier material convencional usado en la formación de estas capas.
Además, los materiales fotoemisores o luminiscentes que se pueden añadir a una capa fotoemisora tampoco se limitan a un material específico, y pueden ser cualquier material conocido que incluya, por ejemplo, una gran variedad de materiales fluorescentes y materiales fosforescentes.
En general, un metal que tiene una función de trabajo baja o una aleación metálica, un óxido metálico, conteniendo tal metal de función de trabajo baja, se usa principalmente como el material de cátodo. Específicamente, el material de cátodo incluye, por ejemplo, un solo cuerpo de un metal, por ejemplo, un metal alcalino como Li, un metal alcalinotérreo como Mg o Ca, un metal de tierras raras como Eu, y una aleación metálica de estos metales y Al, Ag o In. Además, en la construcción del dispositivo indicada por los inventores en las Solicitudes de Patente japonesas publicadas números 10-270171 y 2001-102175, en la que se usa una capa orgánica dopada con metal en una superficie interfacial entre un cátodo y una capa orgánica, se puede usar cualquier material conductor eléctrico como el material de cátodo. En esta construcción, la selección del material de cátodo no está restringida por las propiedades como la función de trabajo del material seleccionado.
Además, si se construye una capa orgánica adyacente a un cátodo a partir de un compuesto complejo organometálico conteniendo al menos uno de iones de metal alcalinos, iones de metales alcalinotérreos y iones de metales raros usando las tecnologías descritas por los inventores en sus Solicitudes de Patente japonesas publicadas números 11-233262 y 2000-182774, se puede usar un metal capaz de reducir un ión metal contenido en el compuesto complejo en vacío al metal correspondiente, por ejemplo un metal térmicamente reducible como Al, Zr, Ti o Si, o una aleación incluyendo estos metales como el material de cátodo. Entre estos metales, se desea en particular aluminio (Al) que se utiliza en general y ampliamente como un material de cableado como el material de cátodo en vista de su fácil deposición en fase vapor, alta reflectancia de luz y estabilidad química.
De forma semejante, el material de ánodo no está restringido a un material específico. Por ejemplo, un material conductor transparente como ITO (óxido de estaño e indio) o IZO (óxido de zinc e indio), se puede usar como el material de ánodo.
Además, suponiendo que se forme una capa de ITO con un método de deposición catódica usando el proceso indicado en la Solicitud de Patente japonesa número 2001-142672 para evitar el daño en una capa orgánica, se puede usar un material conductor transparente como ITO e IZO antes descritos como el material de cátodo si se usa una capa orgánica dopada con metal descrita en la Solicitud de Patente japonesa publicada número 10-270171 como una capa de inyección de electrones de la manera antes descrita. Por lo tanto, es posible producir un dispositivo fotoemisor transparente formando el ánodo y el cátodo como un electrodo transparente, porque la capa orgánica y la capa de generación de carga también son transparentes. Alternativamente, en contraposición a la estructura del dispositivo EL orgánico general antes descrito, si se forma un ánodo a partir de cualquier material de metal y se forma un cátodo como un electrodo transparente, es posible proporcionar una estructura de dispositivo en la que la luz emitida puede ser proyectada desde un lado de capas separadas del dispositivo, no desde un lado de sustrato del dispositivo.
Además, el orden de los pasos para formar las capas no está restringido a ningún orden específico. A saber, la formación de capa no siempre se puede empezar desde un lado de ánodo del dispositivo, y las capas se pueden formar a partir de un lado de cátodo del dispositivo.
En el dispositivo EL orgánico de la presente invención, los tipos del material usado en la formación de los electrodos de cátodo y ánodo o el método para formar una capa de inyección de carga adyacente a estos electrodos se puede basar en tecnología ampliamente conocida usada en los dispositivos EL convencionales, siempre que haya dos o más unidades fotoemisoras entre los electrodos de cátodo y ánodo opuestos y cada unidad fotoemisora esté dividida por una capa de generación de carga que tenga una resistividad no inferior a 1,0 x 10^{2} \Omegacm, deseablemente no menos que 1,0 x 10^{5} \Omegacm.
El dispositivo EL orgánico de la presente invención que tiene una estructura de dispositivo nueva se puede distinguir de los dispositivos EL orgánicos convencionales en vista de las siguientes características considerablemente diferentes.
En primer lugar, en el dispositivo EL orgánico de la presente invención, no se aplica una limitación teórica a la eficiencia cuántica del dispositivo, mientras que en los dispositivos EL convencionales, una limitación superior de la eficiencia cuántica que es una relación del (número) de fotones/segundo frente al (número) de electrones/segundo, determinada simplemente en un circuito externo, es 1 (= 100%) en teoría. Esto es porque una inyección del hueco (h^{+}) mostrada en la figura 2 representa una generación de un radical catión como una función de la retirada de electrones de una banda de valencia (u HOMO, orbital molecular ocupado más alto) de una capa orgánica, y por lo tanto, los electrones retirados de una banda de valencia de la capa orgánica que constituye una capa adyacente a la capa de generación de carga en un lado de cátodo son inyectados a una banda de conducción de electrones (o LUMO, orbital molecular ocupado más bajo) de una capa orgánica que constituye una capa adyacente a la capa en un lado de ánodo, produciendo así un estado de excitación fotoemisor. A saber, los electrones retirados son utilizados otra vez en la formación de un estado de excitación fotoemisor.
Por lo tanto, en el dispositivo EL orgánico de la presente invención, su eficiencia cuántica se calcula como una suma de la eficiencia cuántica de cada unidad fotoemisora dividida con una capa de generación de carga donde la eficiencia cuántica se define como una proporción de electrones (número aparente) que pasan por cada unidad fotoemisora/segundo frente a los fotones (número), emitidos por cada unidad fotoemisora/segundo, y por lo tanto la eficiencia cuántica no tiene ningún límite superior.
A saber, el dispositivo EL orgánico de la presente invención todavía puede ser operado como un dispositivo fotoemisor plano de forma de película fina capaz de emitir luz solamente desde una zona cruzada del cátodo y el ánodo como en los dispositivos EL orgánicos convencionales, aunque tiene la misma estructura de circuito que la de los dispositivos convencionales en los que los múltiples dispositivos EL están conectados en serie con un cableado de metal, porque el dispositivo de la presente invención tiene una capa de generación de carga que tiene una estructura de capa muy fina y transparente y la capa de generación de carga se construye con una capa aislante (eléctrica) que tiene una resistividad que es considerablemente la misma que la de la capa orgánica.
Aunque el dispositivo EL orgánico de la presente invención se construye solamente a partir de un material aislante que tiene una resistividad no inferior a 1,0 x 10^{2} \Omegacm, deseablemente no inferior a 1,0 x 10^{5} \Omegacm, a excepción de los electrodos, el dispositivo EL orgánico puede operar a un voltaje de activación que es una suma de la cantidad de reducción potencial (Vn) consumida en cada una de las unidades fotoemisoras, es decir, V = V1 + + V2 +... + Vn, porque el dispositivo de la invención sólo opera consiguientemente como si la pluralidad (n) de los dispositivos EL convencionales estuviese conectada en serie. Por lo tanto, una ventaja obtenida en los dispositivos convencionales, es decir, un voltaje bajo que opera a 10 voltios o menos, no se puede obtener en el dispositivo de la presente invención con el aumento del número (n) de las unidades fotoemisoras.
Sin embargo, el dispositivo EL orgánico de la presente invención todavía tiene algunas ventajas sobre los dispositivos EL orgánicos convencionales. En los dispositivos convencionales, debido a que la luminancia es considerablemente proporcional a una densidad de corriente, había que aplicar esencialmente una densidad de corriente más alta para obtener una luminancia incrementada. Por otro lado, debido a que, como se ha indicado anteriormente, la duración operativa del dispositivo era inversamente proporcional a la densidad de corriente (no a un voltaje de activación), una emisión de alta luminancia da lugar a una duración operativa acortada del dispositivo.
En contraposición a las desventajas de los dispositivos convencionales, en el dispositivo EL orgánico de la presente invención, si se desea obtener una luminancia n-veces incrementada a una densidad de corriente deseada, tal aumento de la luminancia se puede obtener incrementando n-veces el número de unidades fotoemisoras (con la misma construcción) utilizadas por los electrodos, sin incrementar la densidad de corriente.
En este método, el voltaje de activación también se incrementará a un nivel de n-veces o más. Sin embargo, se deberá observar que una ventaja inesperada e importante es que se puede lograr una luminancia n-veces incrementada sin sacrificar la duración operativa.
Además, en el dispositivo EL orgánico de la presente invención, un grosor de capa entre el cátodo y el ánodo se puede aumentar naturalmente incrementando el número de las unidades fotoemisoras utilizadas. Por ejemplo, suponiendo que el número de las unidades fotoemisoras entre los electrodos es "n", un grosor de capa de el dispositivo de la presente invención se incrementa a aproximadamente n-veces el de de los dispositivos EL convencionales. Además, debido a que el número de las unidades fotoemisoras en el dispositivo de la presente invención no es restrictivo, el grosor de capa entre los electrodos tampoco es restrictivo. En vista del hecho de que en dispositivos EL convencionales, un grosor de capa entre los electrodos no excede de 1 \mum (prácticamente, no más de 2000 A (no más de 200 nm)) y de que hay que aplicar un voltaje de activación de 25 voltios o menos, el dispositivo EL de la invención tiene unas características esencialmente diferentes que no se pueden hallar en los dispositivos EL convencionales (Patente de KODAK antes mencionada, Solicitudes de Patente japonesas publicadas números 59-194393, 63-264692 y 2-15595, Patentes de Estados Unidos números 4.539.507, 4.769.292, y 4.885.211).
A saber, en el dispositivo EL orgánico de la presente invención, no hay que definir un límite superior del grosor de capa entre los electrodos, un límite superior del voltaje de activación y un límite superior de la eficiencia cuántica (eficiencia de corriente).
Por otra parte, en los dispositivos EL orgánicos convencionales, un aumento del voltaje de activación da lugar solamente a una reducción de la eficiencia de conversión de potencia (w/w). A la inversa, según el dispositivo EL orgánico de la presente invención, en principio, la eficiencia de conversión (w/w) se puede mantener sin ningún cambio, porque si se introdujesen "n" unidades fotoemisoras entre los electrodos, el voltaje de inicio de emisión de luz (voltaje de activación), se incrementaría aproximadamente n-veces, y por lo tanto el voltaje para obtener la luminancia deseada se incrementa aproximadamente n-veces, y además del aumento de estos voltajes, la eficiencia cuántica (eficiencia de corriente) también se puede incrementar aproximadamente n-veces.
Además, el dispositivo EL orgánico de la presente invención que contiene una pluralidad de unidades fotoemisoras, tiene la ventaja secundaria de ser capaz de reducir el riesgo de corto circuito en el dispositivo. En los dispositivos EL convencionales que contienen solamente una unidad fotoemisora, si se produce un cortocircuito eléctrico entre un cátodo y un ánodo atribuible a la presencia de huecos, etc, en la capa de la unidad, los dispositivos EL podían cambiar inmediatamente a un estado de no emisión de luz. A la inversa, en el dispositivo EL orgánico de la presente invención, debido a que el grosor de capa entre los electrodos es grande, se puede reducir el riesgo de corto circuito, y al mismo tiempo, aunque se produzca un corto circuito en algunas unidades fotoemisoras, se puede evitar el peor resultado de no emisión de luz, porque las unidades fotoemisoras restantes todavía pueden emitir luz. Específicamente, cuando el dispositivo EL está diseñado para ser activado con corriente constante, un voltaje de activación solamente se reduce una cantidad que corresponde a las unidades cortocircuitadas, y las unidades no cortocircuitas restantes pueden emitir luz normalmente.
Además de las ventajas anteriores, por ejemplo, cuando el dispositivo EL orgánico de la presente invención se aplica a un dispositivo de visualización EL que tiene una estructura de matriz simple, una reducción de la densidad de corriente significa que una reducción de voltaje atribuible a la resistencia de cableado y un aumento de temperatura en el sustrato se pueden reducir en gran parte en comparación con un dispositivo de visualización convencional. Además, un voltaje de activación más alto entre los electrodos, que intercalan la porción del elemento fotoemisor, en comparación con los dispositivos convencionales significa que una reducción de voltaje atribuible a la resistencia de cableado no produce una reducción de la luminancia en gran parte (el efecto debido al voltaje de activación más alto sólo se puede entender suficientemente considerando la influencia de la reducción potencial posible de 1 voltio debido a la resistencia de cableado a una reducción de la luminancia en comparación con un dispositivo EL capaz de proporcionar una luminancia de 1.000 cd/m^{2} a 5 voltios y un dispositivo EL capaz de proporcionar una luminancia de 1.000 cd/m^{2} a 50 voltios). Este efecto, en combinación con otra característica del dispositivo EL de la presente invención donde el dispositivo tiene naturalmente una baja reducción de voltaje en su porción de cableado, permite conseguir un dispositivo de visualización controlable a un voltaje constante que no se puede proporcionar usando un dispositivo convencional.
Además, las características antes descritas afectan ventajosamente a los otros usos para obtener una emisión de luz uniforme en una zona superficial grande, en particular, para uso como un aparato de iluminación. En los dispositivos EL orgánicos convencionales, dado que un material de electrodo usado, especialmente un material de electrodo transparente, típicamente ITO, tiene una resistividad de hasta 10^{-4} \Omegacm, que es aproximadamente 100 \Omegacm más alta que una resistividad de metal (hasta 10^{-6} \Omegacm), un voltaje (V) o un campo eléctrico E (V/cm) aplicado a la unidad fotoemisora se reduce con un aumento de la distancia desde un punto de contacto de la energía eléctrica, de manera que la irregularidad (diferencia de luminancia) en la luminancia se produce entre una porción próxima y una porción lejana de un punto de contacto de energía eléctrica. A la inversa, según el dispositivo EL orgánico de la presente invención, dado que la corriente eléctrica al obtener la luminancia deseada se puede reducir en gran parte en comparación con los dispositivos EL convencionales, la reducción potencial se puede disminuir con el resultado de que se puede obtener una emisión de luz considerablemente uniforme en un aparato de iluminación de gran superficie.
Además, en la formación de la capa de generación de carga, dado que la presente invención se caracteriza por usar intencionadamente un material que tiene una resistividad considerablemente incrementada (de no menos de 1,0 x 10^{2} \Omegacm, convenientemente no menos de 1,0 x 10^{5} \Omegacm) que la de un ITO y otros materiales conductores eléctricos (aproximadamente 10^{-4} \Omegacm), una máscara de sombra para definir una zona de deposición en fase vapor, que es la misma que la utilizada en la formación de la capa orgánica configurada, se puede usar en el proceso de formación de capa de la capa de generación de carga, y por lo tanto, el cambio frecuente y la colocación exacta de la máscara de sombra pueden ser excluidos del proceso de producción a excepción de la formación de los electrodos. A saber, según la presente invención, es posible conseguir una productividad excepcionalmente incrementada.
La figura 8 es una vista esquemática en sección transversal que ilustra una estructura laminada del dispositivo EL orgánico según una realización de la presente invención. Un sustrato de vidrio (sustrato transparente) 1 incluye, laminados en secuencia, un electrodo transparente 2 que constituye un electrodo de ánodo, una unidad fotoemisora 3-1, una capa de generación de carga 4-1, una unidad fotoemisora 3-2, una capa de generación de carga 4-2,..., una capa de generación de carga 4-(n-1), una unidad fotoemisora (3-n) donde n = 1 2, 3,..., y finalmente un electrodo de cátodo (electrodo de metal) 5. En estos elementos (capas), el sustrato de vidrio (sustrato transparente) 1, el electrodo de ánodo transparente 2, la unidad fotoemisora (3-n) donde n es 1, 2, 3,..., y el electrodo de cátodo 5 es un elemento conocido (capa). La nueva característica del dispositivo EL de la presente invención reside en que una pluralidad de unidades fotoemisoras (3-n, donde n es 1, 2, 3,...,) se contienen entre ambos electrodos y están divididas con una capa de generación de carga aislante eléctrica (4-n, donde n es 1, 2, 3,...,) que tiene una resistividad no inferior
a 1,0 x 10^{2} \Omegacm.
Además, con respecto a dispositivos EL orgánicos, es sabido que sus características como el voltaje de activación, etc., se pueden variar dependiendo de la función de trabajo, siendo la función de trabajo una propiedad del material de electrodo. Con referencia al dispositivo EL orgánico de la presente invención, la capa de generación de carga 4-n usada no está actuando como un electrodo. Sin embargo, debido a que un electrón es inyectado en una dirección del electrodo de ánodo y un hueco es inyectado en una dirección del electrodo de cátodo, en la formación de los componentes antes descritos de la unidad fotoemisora, particularmente el método para formar una capa de inyección (transporte) de electrones y una capa de inyección (transporte) de huecos, que son adyacentes a una capa de generación de carga, es esencial para reducir una barrera de energía en la inyección del carga (electrón y hueco) a cada unidad fotoemisora.
Por ejemplo, si se pretende inyectar un electrón desde cada capa de generación de carga 4-n a una dirección del electrodo de ánodo, es deseable que, como se describe en las Solicitudes de Patente japonesas publicadas números 10-270171 y 2001-102175, una capa de inyección de electrones que tiene una capa mezclada de un compuesto orgánico y un metal que funciona como un dopante donante de electrones, se forme como una capa adyacente a la capa de generación de carga en el lado de ánodo. El dopante donante incluye deseablemente al menos un metal seleccionado de metales alcalinos, metales alcalinotérreos y metales de tierras raras.
Además, en la capa de inyección de electrones, una relación molar del metal como el dopante donante está deseablemente en el rango de 0,1 a 10 con respecto al compuesto orgánico. Una relación molar inferior a 0,1 da lugar a una reducción del efecto dopante porque se reduce excesivamente una concentración de la molécula reducida con el dopante (en adelante, se denomina una "molécula reducida"). Una relación molar superior a 10 también da lugar a una reducción de los efectos dopantes porque una concentración del dopante en la capa se incrementa significativamente en comparación con la concentración del compuesto orgánico, produciendo así una reducción excesiva de la molécula reducida en la capa.
La aplicación de la estructura antes descrita conteniendo una capa de inyección de electrones a una unidad fotoemisora del dispositivo EL orgánico consigue una inyección de electrones libre de barrera de energía a cada una de las unidades fotoemisoras sin considerar la función de trabajo del material que constituye una capa de generación de carga.
Además, la unidad fotoemisora puede tener una estructura en la que una capa de inyección de electrones incluyendo un metal seleccionado de entre metales alcalinos, metales alcalinotérreos y metales de tierras raras, y que tiene un grosor de capa superior a 5 nm (deseablemente de 0,2 a 5 nm) está dispuesta como una capa adyacente a la capa de generación de carga en un lado de ánodo. Un grosor de capa superior a 5 nm no es deseable porque reduce la transmitancia de luz, y hace al mismo tiempo que el dispositivo sea inestable, porque el contenido del metal que tiene una reactividad alta y está inestable en el aire se incrementa excesivamente en la capa. Además, en esta capa de metal que tiene un grosor de capa superior a 5 nm, se considera que una cantidad sustancial de la capa de metal se puede difundir a una capa orgánica dando lugar a una capa que tiene una composición considerablemente la misma que la de la capa dopante metálica antes descrita. La capa resultante no tiene al menos la forma de la capa de metal que tiene una conductividad eléctrica.
Por ejemplo, si el electrón es inyectado desde cada capa de generación de carga 4-n en la dirección de ánodo, también es deseable que la capa de inyección de electrones, que se describe en las Solicitudes de Patente japonesas publicadas números 11-233262 y 2000-182774 (Patente de Estados Unidos correspondiente número 6.396.209) (J. Endo, T. Matsumoto, y J. Kido, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41 (2002) pág. L800-L803), se disponga sobre el lado de ánodo de la capa de generación de carga. La capa de inyección de electrones de este tipo se explica como "capa de generación de reacción in situ" que se genera depositando un metal térmicamente reducible como aluminio sobre un compuesto conteniendo un ión metal alcalino, un ión metal alcalinotérreo y un ión metal de tierras raras para reducir los iones de metal a una condición de metal. En el dispositivo de la presente invención, es deseable disponer el metal térmicamente reducible muy fino sobre el compuesto en una cantidad mínima requerida para la reacción de reducción. Si se reduce el ión metal en el compuesto, el metal térmicamente reducible suministrado se oxida de manera que sea un compuesto aislante que tiene una resistividad no inferior a 1,0 x 10^{2} \Omegacm. El metal térmicamente reducible muy fino tiene un grosor de capa no superior a 10 nm. Si el grosor de capa del metal térmicamente reducible es superior a 10 nm, un átomo de metal, que no contribuye a la reacción de reducción, permanece de manera que se pierden la transparencia y la propiedad de aislamiento.
Además de un compuesto complejo organometálico descrito en el documento de patente antes mencionado (Solicitudes de Patente japonesas publicadas números 11-233262 y 2000-182774), un compuesto inorgánico puede ser usado cuando el compuesto incluyendo el ión metal alcalino, ión metal alcalinotérreo y ión metal de tierras raras, que son usados para la "capa de generación de reacción in situ" antes mencionada. Un óxido y haluro incluyendo el ión metal alcalino, ión metal alcalinotérreo y ión metal de tierras raras pueden ser usados como el compuesto para la capa de generación de reacción in situ, y además, cualquier compuesto inorgánico incluyendo el ión metal alcalino, ión metal alcalinotérreo y ión metal de tierras raras puede ser usado como el compuesto.
Además, también es deseable usar diferentes clases de capas de inyección (transporte) de electrones en las Solicitudes de Patente japonesas publicadas antes mencionadas números 10-270171, 2001-102175, 11-233262 y 2000-182774 (correspondientes a la Patente de Estados Unidos número 6.396.209) en una condición superpuesta. La capa dopante de metal en las Solicitudes de Patente japonesas publicadas números 10-270171 o 2001-102175 se deposita deseablemente sobre la capa orgánica (incluyendo la capa fotoemisora), por un grosor predeterminado, como una capa de transporte de electrones de baja resistencia, entonces la capa de generación de reacción in situ descrita en las Solicitudes de Patente japonesas publicadas números 11-233262 y 2000-182774 se superpone sobre la capa dopante de metal. Como se indicó anteriormente, una idea técnica en la que una capa de inyección de electrones que contacta el electrodo de cátodo del dispositivo electroluminescente convencional se forma usando diferentes tipos superpuestos de capas de inyección (transporte) de electrones se describe en la Solicitud de Patente japonesa número 2002-273656 por los inventores de la presente invención.
En este caso, la capa de generación de reacción in situ contacta la capa de generación de carga en un lado de ánodo. Según la presente invención, se puede evitar una interacción entre un material usado para la capa de generación de carga y un metal reactivo como metal alcalino. Como resultado, se ha hallado que dicho método es deseable para formar una capa de inyección de electrones en un punto en el que la barrera de inyección de electrones desde la capa de generación de carga a la unidad emisora de luz se puede bajar.
Además, por ejemplo en la inyección de huecos desde cada capa de generación de carga 4-n a una dirección del electrodo de cátodo, una capa de inyección de huecos, propuesta por los inventores en las Solicitudes de Patente japonesas publicadas números 11-251067 y 2001-244079, que contiene un compuesto dopado aceptador de electrones (compuesto de ácido de Lewis) que tiene una propiedad de oxidar un compuesto orgánico en términos de la química de ácido de Lewis, se puede formar como una capa adyacente a la capa de generación de carga en un lado de cátodo. Sin considerar la función de trabajo del material que constituye la capa de generación de carga 4-n, se puede conseguir inyección de huecos en ausencia de una barrera de energía.
Además, una capa del compuesto aceptador de electrones (compuesto de ácido de Lewis) que es muy fina y así asegura una transparencia, se puede formar como una capa de inyección de huecos. En este método, un grosor de capa de la capa de inyección de huecos es deseablemente 30 nm o menos, más deseablemente en el rango de 0,5 a 30 nm. El grosor de capa superior a 30 nm produce una reducción de la transmitancia de luz, y al mismo tiempo, hace inestable el dispositivo, porque en la capa se incluye un contenido excesivo del compuesto de ácido de Lewis que tiene alta reactividad y es inestable en aire.
El compuesto aceptador de electrones (compuesto de ácido de Lewis) usado no está restringido a un compuesto específico. Por ejemplo, un compuesto aceptador de electrones incluye un compuesto inorgánico como cloruro férrico, bromuro férrico, yoduro férrico, cloruro de aluminio, bromuro de aluminio, yoduro de aluminio, cloruro de galio, bromuro de galio, yoduro de galio, cloruro de indio, bromuro de indio, yoduro de indio, pentacloruro de antimonio, pentafluoruro de arsénico o trifluoruro de boro, y un compuesto orgánico como DDQ (dicianodicloroquinona), TNF (trinitrofluorenona), TCNQ (tetracianoquinodimetano) o 4F-TCNQ (tetrafluoro-tetracianoquinodimetano).
En la capa de inyección de huecos, una relación molar del compuesto orgánico y el compuesto aceptador de electrones (compuesto dopante) está deseablemente en el rango de 0,01 a 10 con respecto al compuesto orgánico. Una relación molar inferior a 0,01 da lugar a una reducción de los efectos dopantes porque la concentración de la molécula oxidada con el dopante (en adelante también denominada una "molécula oxidada") es excesivamente reducida. Una relación molar superior a 10 también da lugar a una reducción de los efectos dopantes porque la concentración del dopante en la capa aumenta considerablemente en comparación con la concentración del compuesto orgánico, produciendo así una reducción excesiva de una concentración de la molécula oxidada en la capa.
Además, si el material que una capa de generación de carga tiene una función de trabajo no inferior a 4,5 eV, puede ser posible a veces inyectar huecos a cada unidad fotoemisora sin usar especialmente un compuesto aceptador de electrones (compuesto de ácido de Lewis).
A la inversa, como se muestra en el ejemplo 2 descrito más adelante, el compuesto de ácido de Lewis podría actuar a veces como un componente de la capa de generación de carga.
En las unidades fotoemisoras usadas en la presente invención, las capas que se forman en contacto directo con el cátodo o el ánodo podrían tener la misma composición que la de la capa adyacente a la capa de generación de carga en un lado de ánodo o la capa adyacente a la capa de generación de carga en un lado de cátodo, respectivamente, o la capa de inyección de electrones y la capa de inyección de huecos podrían tener otros compuestos cada una. Por supuesto, la capa de inyección de electrones y la capa de inyección de huecos usadas en los dispositivos EL convencionales pueden ser usadas adecuadamente.
En comparación con los dispositivos EL orgánicos convencionales, la cantidad del tiempo que se tarda en formar la capa en la producción del dispositivo EL orgánico de la presente invención es necesariamente más larga. Además, debido a que el método actual se caracteriza porque se realizan repetidas veces sustancialmente los mismos procesos, los aparatos de deposición en fase vapor basados en un sistema discontinuo convencional que actualmente se usan ampliamente para la formación de capa requieren un tiempo de procesado excesivamente largo. Además, una preocupación es el aumento de los costos de producción porque hay que usar una cantidad grande de materiales orgánicos costosos, en comparación con los dispositivos EL orgánicos convencionales.
En tal caso, los inventores de la Solicitud de Patente japonesa número 2001-153367 sugieren usar un aparato de formación de capa continua basado en un sistema en línea. Usando este aparato, el tiempo requerido para la formación de capa puede ser acortado en gran parte y la eficiencia de uso de materiales se puede incrementar de manera que se aproxime a 100%.
Además, en la formación de la capa orgánica, la capa de generación de carga y la capa de electrodo que constituyen el dispositivo EL orgánico de la presente invención, se puede usar cualquier método de deposición conocido que se utilice convencionalmente como un método de deposición en fase vapor por calentamiento resistivo, un método de deposi-
ción de vapor de haz de electrones, un método de deposición de vapor de haz láser o un método de deposición catódica.
En particular, cuando se utiliza una sustancia inorgánica o compuesto, tal como óxido metálico, como un elemento para formar una capa de generación de carga, se debe llevar a cabo con cuidado un método de deposición de vapor, porque hay una tendencia a que una capa depositada pueda tener una composición fuera de la composición estequiométrica deseada debido a la separación, etc, de átomos de oxígeno del compuesto.
Además, cuando una sustancia inorgánica o compuesto se depositan usando un método de deposición catódica, es importante usar un método en el que un sustrato con la capa orgánica formada se deposite por separado del plasma generado durante el proceso de deposición para evitar así el daño de la capa orgánica. Al mismo tiempo, también es importante que las moléculas de los compuestos inorgánicos depositados catódicamente se depositen suavemente sobre la capa orgánica con una energía cinética de hasta un nivel predeterminado con el fin de reducir el daño en el dispositivo.
Por ejemplo, los aparatos de deposición catódica de blancos opuestos en los que blancos opuestos dispuestos por separado uno de otro a cierta distancia tienen un electrodo de reflexión para reflejar electrones contra una porción periférica delantera de cada uno de los blancos, y un dispositivo generador de campo magnético que se incluye para formar un campo magnético paralelo que tenía una porción paralela a una superficie del blanco cerca de la porción periférica de cada blanco (véase la Solicitud de Patente japonesa número 2001-142672), también se puede usar adecuadamente en la formación de la capa de generación de carga de la presente invención.
Además, todas las capas a formar sobre un sustrato se pueden formar por el método de deposición de vapor en el que todas las capas se forman sobre un sustrato calentando un material vaporizable en vacío para depositar un material vaporizado o sublimado sobre el sustrato, y incluye transportar un sustrato en una dirección de su superficie plana, abriéndose una zona de deposición en una superficie más baja del sustrato; suministrar un contenedor, en una posición inferior del sustrato de transporte, incluyendo un material vaporizable que tiene una anchura de deposición que puede cubrir la zona de deposición que se extiende en una dirección perpendicular a la dirección de transporte del sustrato; y calentar el contenedor, vaporizando así o sublimando y depositando por lo tanto el material vaporizable en el contenedor (Solicitud de Patente japonesa número 2001-153367).
Además, en contraposición a los dispositivos EL convencionales, usando el dispositivo EL orgánico de la presente invención, se puede obtener una eficiencia de emisión de luz más alta cuando un tramo de recorrido óptico desde el lugar fotoemisor al electrodo fotorreflector es casi un número impar mayor que un cuarto de longitud de onda de la luz, es decir, \lambda x (2n-1)/4 donde n es 1, 2, 3,..., puesto que una característica importante de la presente invención es que se disponen dos o más lugares fotoemisores a intervalos. En los dispositivos EL convencionales, se adopta una estructura en la que un tramo de recorrido óptico desde el lugar fotoemisor al electrodo fotorreflector se ajusta a aproximadamente un número impar de veces de un cuarto de longitud de onda de luz. En tales dispositivos, aunque la capa orgánica se forme a un grosor mayor superior a un cuarto de longitud de onda de luz, el resultado sólo es un aumento no deseado del voltaje de activación.
Sin embargo, como se describe en la Solicitud de Patente japonesa publicada antes citada número 2001-102175, si se selecciona apropiadamente una combinación del compuesto orgánico de transporte de electrones y el metal alcalino (que constituyen una capa de inyección de electrones adyacente a un cátodo reflector de luz), es posible inhibir un aumento del voltaje de activación a un grosor de capa más grande de aproximadamente 1 \mum, y un tono de color (a saber, un perfil del espectro de emisión) se puede cambiar en gran parte porque el efecto de interferencia se puede incrementar considerablemente con un aumento del grosor de capa.
Por ejemplo, suponiendo que un tramo de recorrido óptico de la capa de inyección de electrones se ajusta de manera que sea aproximadamente un número impar de veces una longitud de onda de la luz, es decir, \lambda x (2n-1)/4 donde n es 1, 2, 3,..., un perfil del espectro de emisión resultante se estrecha por un aumento de n. Por otra parte, si un tramo de recorrido óptico de la capa de inyección de electrones se ajusta de manera que sea aproximadamente un número par de veces un cuarto de la longitud de onda de la luz, es decir, \lambda x (2n)/4 donde n es 1, 2, 3,..., surge un efecto de interferencia notable con un aumento de n, con el resultado de que la eficiencia de emisión se deteriora en gran parte, porque la emisión en pico fotoemisor original se compensa con el efecto de interferencia notable.
En consecuencia, cuando el dispositivo EL orgánico tiene la estructura resultante en la que n es grande y se contiene una pluralidad de lugares fotoemisores como en el dispositivo EL de la presente invención, es esencial controlar exactamente el grosor de capa desde cada lugar fotoemisor a un electrodo reflector de luz.
Para liberarse de tal ajuste fino problemático del grosor de capa, es deseable construir el electrodo de cátodo, que era convencionalmente un electrodo fotorreflector cuando el electrodo de ánodo es un electrodo transparente, un electrodo negro no reflector, o construir al menos una capa existente en la dirección de electrodo de cátodo de manera que funcione como una capa fotoabsorbente. Por lo tanto, se pueden evitar los problemas de la interferencia de luz.
A la inversa, si el electrodo de ánodo es el electrodo fotorreflector, es deseable que el electrodo de ánodo propiamente dicho o al menos una capa existente en la dirección de electrodo de ánodo tenga una función fotoabsorbente.
Si se dispone una superficie fotorreflectora difusa sobre uno de los electrodos cuando el otro electrodo es el electrodo transparente, se pueden evitar en teoría los problemas de la interferencia de luz.
Además, como se muestra en los ejemplos acompañantes, otra característica de la presente invención es que las unidades fotoemisoras tienen colores de emisión diferentes de manera que se pueda obtener una emisión de color mezclada (superpuesta) deseada. En este caso, también es necesario optimizar el tramo de recorrido óptico desde el lugar fotoemisor al electrodo fotorreflector de la manera antes descrita. La necesidad de optimización del grosor de capa dependerá del color de emisión en cada unidad fotoemisora.
Ejemplos
La presente invención se describirá mejor con referencia a los ejemplos siguientes. Obsérvese, sin embargo, que la presente invención no se limita a estos ejemplos.
En los ejemplos siguientes, la deposición en fase vapor del compuesto orgánico y el metal, así como la formación de la capa de generación de carga, se realizaron usando un aparato de deposición en fase vapor que se puede obtener en el mercado de VIEETECH JAPAN. El control de la velocidad de deposición del material de deposición en fase vapor y del grosor de las capas depositadas se lleva a cabo usando un supervisor de grosor, provisto de un oscilador de cuarzo y unido al aparato de deposición de vapor, "CRTM-8000" que se puede obtener en el mercado de ULVAC. Además, para determinar un grosor de capa real después de la formación de capa, se utilizó un medidor de paso de aguja "P10" que se puede obtener en el mercado de Tencor, Co. Además, las características del dispositivo EL orgánico fueron valoradas con el medidor fuente "2400", que se puede obtener en el mercado de KEITHLEY, y el medidor de luminancia "BM-8", que se puede obtener en el mercado de TOPCON. Se aplicó gradualmente un voltaje CC a una velocidad creciente de 0,2 voltios por 2 segundos al dispositivo EL que tiene un ánodo de ITO y un cátodo de aluminio (Al), y la luminancia y la corriente eléctrica se determinaron después del paso de un segundo desde la terminación de cada aumento del voltaje. El espectro EL se determinó usando el analizador multicapa óptico, "PMA-11" que se puede obtener en el mercado de HAMAMATSU PHOTONICS, que funciona a una corriente eléctrica contínua.
Ejemplo de referencia 1
Ejemplo para la producción del dispositivo EL orgánico convencional-dispositivo emisor de luz verde
El dispositivo EL orgánico convencional que tiene una estructura laminada representada en la figura 9 se produjo de la siguiente manera.
Un sustrato de vidrio 1 utilizado incluye, recubierto en la configuración predeterminada sobre una superficie del mismo, un electrodo de ánodo transparente 2 incluyendo un ITO (óxido de estaño e indio, producto depositado catódicamente que se puede obtener en el mercado de ASASHI GLASS, o producto de chapado iónico que se puede obtener en el mercado de Nippon Sheet Glass Co., Ltd.) que tiene una resistencia de hoja de aproximadamente 20\Omega/\square (\Omega/cuadrado) (véase la figura 10A). Se depositó alfa (\alpha)-NPD que tenía una propiedad de transporte de huecos, mediante una máscara de metal (máscara de sombra) 40 para la formación de capa orgánica (véase la figura 10B), sobre el sustrato de vidrio recubierto con ITO 1 bajo vacío de aproximadamente 10^{-6} Torr y a una velocidad de deposición de aproximadamente 2 \ring{A}/segundo para formar una capa de transporte de huecos 6 que tiene un grosor de aproximadamente 700 \ring{A}.
Un complejo organometálico de tris (8-quinolinolato) aluminio (en adelante se denomina brevemente "Alq") se representa por la fórmula siguiente:
5
y un derivado de cumarina que es un colorante fluorescente emisor de luz verde, "C545T" (denominación comercial) que se puede obtener en el mercado de KODAK, se depositó sobre la capa de transporte de huecos 6 en condiciones de deposición al vacío en fase vapor para formar una capa fotoemisora 7 de un grosor de aproximadamente 400 \ring{A}. Cada velocidad de deposición se ajustó de manera que la capa fotoemisora resultante 7 tuviese un colorante fluorescente a una concentración de aproximadamente 1% en peso.
A continuación, se codepositaron batocuproína representada por la fórmula siguiente:
6
y cesio metal (Cs) en una relación molar de aproximadamente 1:1 en condiciones de deposición al vacío en fase vapor para formar una capa de inyección de electrones dopada con metal (Cs) 8 con un grosor de aproximadamente 200 \ring{A} sobre la capa fotoemisora 7. Cada velocidad de deposición se ajustó para obtener la relación molar de aproximadamente 1:1.
Por último, se depositó aluminio (Al) a través de una máscara de metal (máscara de sombra) 41 para la formación de capa de cátodo (véase la figura 10C) a una velocidad de deposición de aproximadamente 10 \ring{A}/segundo sobre la capa de inyección de electrones 8 para formar un electrodo de cátodo 5 con un grosor de aproximadamente 1.000 \ring{A}. Así se obtuvo un dispositivo EL orgánico que tenía una zona fotoemisora cuadrada de 0,2 centímetros (longitud) por 0,2 cm (anchura) (véase la figura 10D).
La figura 16 representa un espectro de emisión del dispositivo EL orgánico resultante.
En este dispositivo EL orgánico, se aplicó un voltaje CC entre el electrodo de ánodo (ITO) y el electrodo de cátodo (Al), y se midieron las características de la luz verde emitida por la capa fotoemisora (capa codepositada de Alq y C545T) 7 obteniendo los resultados representados en las figuras 21, 22 y 23.
En las figuras 21, 22 y 23, los símbolos con círculo (\medcirc) designan la curva característica de luminancia (cd/ m^{2})-voltaje (V), un gráfico de la curva característica de densidad de corriente (mA/cm^{2})-voltaje (V) y un gráfico de la curva característica de eficiencia de corriente (cd/A)-densidad de corriente (mA/cm^{2}), respectivamente, del dispositivo EL del ejemplo de referencia 1.
En el dispositivo EL del ejemplo de referencia 1, el voltaje al que se inició la emisión, era 2,2 voltios.
Ejemplo de referencia 2
Ejemplo para la producción del dispositivo EL orgánico convencional-dispositivo emisor de luz azul
Un dispositivo EL orgánico convencional que tiene una estructura laminada representada en la figura 11 se produjo de manera similar al ejemplo de referencia 1 de la siguiente manera.
Un sustrato de vidrio 1 utilizado incluye, recubierto en la configuración predeterminada sobre su superficie, un electrodo de ánodo transparente 2 incluyendo uno ITO (óxido de estaño e indio, producto depositado catódicamente que se puede obtener en el mercado de ASASHI GLASS) con una resistencia de hoja de aproximadamente 20 \Omega/\square (véase la figura 10A). Se depositó espiro-NPB con una propiedad de transporte de huecos, a través de una máscara de metal 40 para la formación de la capa orgánica (véase la figura 10B), sobre el sustrato de vidrio recubierto con ITO 1 a un vacío de aproximadamente 10^{-6} Torr y a una velocidad de deposición de aproximadamente 2 \ring{A}/segundo para formar una capa de transporte de huecos 9 que tenía un grosor de aproximadamente 800 \ring{A}.
Se depositó espiro-DPVBi representado por la fórmula siguiente:
7
sobre la capa de transporte de huecos 9 en condiciones de deposición al vacío en fase vapor para formar una capa fotoemisora 10 que tenía un grosor de aproximadamente 400 \ring{A}.
A continuación, como en el ejemplo de referencia 1, se codepositaron batocuproína y metal cesio (Cs) en una relación molar de aproximadamente 1:1 en las condiciones de deposición al vacío en fase vapor controladas para formar una capa de inyección de electrones dopada con metal (Cs) 11 que tenía un grosor de aproximadamente 200 \ring{A} sobre la capa fotoemisora 10.
Finalmente, se depositó aluminio (Al) a través de una máscara de metal 41 para la formación de capa de cátodo (véase la figura 10C) a una velocidad de deposición de aproximadamente 10 \ring{A}/segundo sobre la capa de inyección de electrones 11 para formar un electrodo de cátodo 5 que tenía un grosor de aproximadamente 1.000 \ring{A}. Así se obtuvo un dispositivo EL orgánico con una zona fotoemisora cuadrada de 0,2 centímetros (longitud) por 0,2 cm (anchura), (véase la figura 10D). En la figura 17, se representa un espectro de emisión del dispositivo EL orgánico resultante (ejemplo de referencia 2) como una línea de puntos.
En este dispositivo EL orgánico, se aplicó un voltaje CC entre el electrodo de ánodo (ITO) y el electrodo de cátodo (Al), y se midieron las características de la luz azul emitida por la capa fotoemisora (espiro-DPVBi) 10 obteniendo los resultados representados en las figuras 24, 25 y 26.
En las figuras 24, 25 y 26 los símbolos con círculo en blanco (\medcirc) representan un gráfico de la curva característica de luminancia (cd/m^{2})-voltaje (V), un gráfico de la curva característica de la densidad de corriente (mA/cm^{2})-voltaje (V) y un gráfico de la curva característica de la eficiencia de corriente (cd/A)-densidad de corriente (mA/cm^{2}), respectivamente, del dispositivo EL del ejemplo de referencia 2.
En el dispositivo EL del ejemplo de referencia 2, el voltaje al que se inició la emisión era 2,6 voltios.
Ejemplo de referencia 3
Ejemplo para la producción del dispositivo EL orgánico convencional-dispositivo emisor de luz roja
Se produjo un dispositivo EL orgánico convencional que tiene una estructura laminada representada en la figura 12 de manera similar al ejemplo de referencia 1 de la siguiente manera.
Un sustrato de vidrio 1 usado incluye, recubierto en la configuración predeterminada sobre una superficie del mismo, un electrodo de ánodo transparente 2 incluyendo un ITO (óxido de estaño e indio, producto depositado catódicamente que se puede obtener en el mercado de ASASHI GLASS) con una resistencia de hoja de aproximadamente 20 \Omega/\square (véase la figura 10A). Se depositó \alpha-NPD con una propiedad de transporte de huecos, a través de una máscara de metal 40 para la formación de capa orgánica (véase la figura 10B), sobre el sustrato de vidrio recubierto con ITO 1 bajo vacío de aproximadamente 10^{-6} Torr y a una velocidad de deposición de aproximadamente 2 \ring{A}/segundo para formar una capa de transporte de huecos 12 que tenía un grosor de aproximadamente 700 \ring{A}.
Se depositaron Alq y colorante fluorescente emisor de luz roja, "DCJTB" (denominación comercial), que se puede obtener en el mercado de KODAK, sobre la capa de transporte de huecos 12 en las condiciones de deposición al vacío en fase vapor para formar una capa fotoemisora 13 que tenía un grosor de aproximadamente 400 \ring{A}. Cada velocidad de deposición se ajustó de manera que la capa fotoemisora resultante 13 tuviese el colorante fluorescente a una concentración de aproximadamente 1% en peso.
A continuación, como en el ejemplo de referencia 1, se codepositaron batocuproína y metal cesio (Cs) a una relación molar de aproximadamente 1:1 en las condiciones de deposición en fase vapor al vacío controladas para formar una capa de inyección de electrones dopada con metal (Cs) 14 que tenía un grosor de aproximadamente 200 \ring{A} sobre la capa fotoemisora 13.
Finalmente, se depositó aluminio (Al) a través de una máscara de metal 41 para la formación de la capa de cátodo (véase la figura 10C) a una velocidad de deposición de aproximadamente 10 \ring{A}/segundo sobre la capa de inyección de electrones 11 para formar un electrodo de cátodo 5 que tenía un grosor de aproximadamente 1.000 \ring{A}. Así se obtuvo un dispositivo EL orgánico que tenía una zona fotoemisora cuadrada de 0,2 centímetros (longitud) por 0,2 cm (anchura), (véase la figura 10D).
En la figura 17, un espectro de emisión del dispositivo EL orgánico resultante (ejemplo de referencia 3) se indica con una línea de trazos.
En este dispositivo EL orgánico, se aplicó un voltaje CC entre el electrodo de ánodo (ITO) y el electrodo de cátodo (Al), y se midieron las características de la luz roja emitida por la capa fotoemisora (capa codepositada de Alq y DCJTB) 13 obteniendo los resultados representados en las figuras 24, 25 y 26.
En las figuras 24, 25 y 26, los símbolos más (+) representan un gráfico de la curva característica de luminancia (cd/m^{2})-voltaje (V), un gráfico de la curva característica de la densidad de corriente (mA/cm^{2})-voltaje (V) y un gráfico de la curva característica de la eficiencia de corriente (cd/A)-densidad de corriente (mA/cm^{2}), respectivamente, del dispositivo EL (ejemplo de referencia 3).
En el dispositivo EL del ejemplo de referencia 3, el voltaje al que se inició la emisión era 2,2 voltios.
Ejemplo 1 Ejemplo para la producción del dispositivo EL orgánico que tiene una capa de generación de carga incluyendo V_{2}O_{5}, pentaóxido de vanadio
El dispositivo EL orgánico según la presente invención que tiene una estructura laminada representada en la figura 13 se produjo de la siguiente manera.
Según la manera y el orden descritos en el ejemplo de referencia 1, se depositó una unidad fotoemisora 3-1 a través de una máscara de metal 40 para la formación de la capa orgánica (véase la figura 10B) sobre un sustrato de vidrio recubierto con una configuración de ITO 1 representado en la figura 10A. A saber, se depositó secuencialmente \alpha-NPD de 600 \ring{A} de grosor, una capa de 400 \ring{A} de grosor incluyendo Alq: C545T = 100:1 (proporción en peso) y una capa mezclada de 200 \ring{A} de grosor incluyendo batocuproína y metal cesio (Cs).
Posteriormente, se depositó V_{2}O_{5} (pentaóxido de vanadio) sobre la capa dopada con metal a una velocidad de deposición sobre 2 \ring{A}/segundo para formar una capa de generación de carga 4-1 que tenía un grosor de aproximadamente 100 \ring{A}. La formación de la capa de generación de carga 4-1 también se realizó en presencia de la máscara de metal 40 para la formación de la capa orgánica (véase la figura 10B).
A continuación, mientras la máscara de metal 40 para la formación de capa orgánica (figura 10B) todavía está sobre el sustrato de vidrio 1, de nuevo se repitió el paso antes descrito para formar una unidad fotoemisora 3-2. A saber, se depositó secuencialmente \alpha-NPD de 600 \ring{A} de grosor, una capa de 400 \ring{A} de grosor incluyendo Alq:C545T = 100:1 (proporción en peso) y una capa mezclada de 200 \ring{A} de grosor incluyendo batocuproína y metal cesio (Cs).
Finalmente, se depositó aluminio (Al) a través de una máscara de metal 41 para la formación de la capa de cátodo (véase la figura 10C) a una velocidad de deposición de aproximadamente 10 \ring{A}/segundo sobre la unidad fotoemisora 3-2 para formar un electrodo de cátodo 5 que tenía un grosor de aproximadamente 1.000 \ring{A}. Así se obtuvo un dispositivo EL orgánico que tiene una zona fotoemisora cuadrada de 0,2 cm (longitud) por 0,2 cm (anchura), (véase la figura 10D).
En este dispositivo EL orgánico, se aplicó un voltaje CC entre el electrodo de ánodo (ITO) y el electrodo de cátodo (Al), y se midieron las características de la luz verde emitida por la capa fotoemisora (capa codepositada de Alq y C545T) obteniendo los resultados representados en las figuras 21, 22 y 23. En las figuras 21, 22 y 23, los símbolos de cuadrado blanco (\square) representan un gráfico de la curva característica de luminancia (cd/cm^{2})-voltaje (V), un gráfico de la curva característica de la densidad de corriente (mA/cm^{2})-voltaje (V), y un gráfico de la curva característica de la eficiencia de corriente (cd/A)-densidad de corriente (mA/cm^{2}), respectivamente, del dispositivo EL del ejemplo 1.
En este dispositivo EL, el voltaje al que se inició la emisión era 4,4 voltios, es decir, exactamente el doble del voltaje observado en el ejemplo de referencia 1.
Como se puede apreciar por los resultados anteriores, el dispositivo EL orgánico que incluye dos unidades fotoemisoras, dividida cada una por una capa de generación de carga, consigue una eficiencia de corriente máxima (y por lo tanto, eficiencia cuántica) incrementada aproximadamente 2 veces en comparación con el dispositivo EL orgánico del ejemplo de referencia 1.
En el dispositivo EL del ejemplo 1, se considera que se indujo una reacción de oxidación-reducción entre las moléculas de pentaóxido de vanadio (V_{2}O_{5}) y \alpha-NPD, un compuesto de arilamina que actúa como una molécula de transporte de huecos, para formar un complejo de transferencia de carga (V_{2}O_{5}^{-} + \alpha-NPD^{+}). A saber, una superficie interfacial entre la capa de pentaóxido de vanadio (V_{2}O_{5}) y la capa de \alpha-NPD actúa como una capa de generación de carga.
En la figura 16, un espectro de emisión del dispositivo EL orgánico resultante se representa con una línea de trazos. Con referencia al espectro de emisión representado, se observa que el espectro es considerablemente el mismo que el del ejemplo de referencia 1; sin embargo, la anchura completa a la mitad máxima del espectro se estrecha ligeramente en comparación con la del ejemplo de referencia 1. Por lo tanto, se puede concluir que esto es atribuible al efecto de interferencia generado. A saber, se generó un efecto de interferencia en las dos unidades fotoemisoras porque una luz emitida por la unidad fotoemisora formada en primer lugar 3-1 se reflejó sobre el cátodo, y la luz reflejada tenía una fase que corresponde sustancialmente a una fase de la luz proyectada directamente en la dirección del sustrato desde el sitio emisor.
Ejemplo 2 Ejemplo para la producción del dispositivo EL orgánico que tiene una capa de generación de carga que consta solamente de un compuesto orgánico
El dispositivo EL orgánico según la presente invención que tiene una estructura laminada representada en la figura 14 se produjo de la siguiente manera.
Según una manera sustancialmente idéntica a la descrita en el ejemplo de referencia 1, se depositó una unidad fotoemisora 3-1 a través de una máscara de metal 40 para la formación de capa orgánica (véase la figura 10B) sobre un sustrato de vidrio recubierto con configuración de ITO 1 representado en la figura 10A. A saber, se depositó secuencialmente \alpha-NPD de 700 \ring{A} de grosor, una capa de 400 \ring{A} de grosor incluyendo Alq:C545T = 100:1 (proporción en peso) y una capa mezclada de 200 \ring{A} de grosor incluyendo batocuproína y metal cesio (Cs).
Se depositó 4F-TCNQ representado por la fórmula siguiente:
8
sobre la capa dopada con metal a una velocidad de deposición de aproximadamente 1 \ring{A}/segundo para formar una capa de generación de carga 4-1 que tenía un grosor de aproximadamente 20 \ring{A}. Se depositó 2-TNATA (producto de BANDO CHEMICAL) sobre la capa de generación de carga 4-1 a una velocidad de deposición de aproximadamente 1 \ring{A}/segundo para obtener un grosor de capa de aproximadamente 50 \ring{A}.
La formación de la capa de generación de carga 4-1 también se realizó en presencia de la máscara de metal 40 para la formación de capa orgánica (véase la figura 10B).
Posteriormente, mientras la máscara de metal 40 para la formación de capa orgánica (figura 10B) todavía estaba sobre el sustrato de vidrio 1, de nuevo se repitió el paso antes descrito para formar una unidad fotoemisora 3-2. A saber, se depositó secuencialmente \alpha-NPD de 700 \ring{A} de grosor, una capa de 400 \ring{A} de grosor incluyendo de Alq:C545T = 100:1 (proporción en peso) y una capa mezclada de 200 \ring{A} de grosor incluyendo batocuproína y metal cesio (Cs).
Finalmente, se depositó aluminio (Al) a través de una máscara de metal 41 para la formación de capa de cátodo (véase la figura 10C) a una velocidad de deposición de aproximadamente 10 \ring{A}/segundo sobre la unidad fotoemisora 3-2 para formar un electrodo de cátodo 5 que tenía un grosor de aproximadamente 1.000 \ring{A}. Así se obtuvo el dispositivo EL orgánico que tiene una zona fotoemisora cuadrada de 0,2 cm (longitud) por 0,2 cm (anchura), (véase la figura 10D).
En este dispositivo EL orgánico, se aplicó un voltaje CC entre el electrodo de ánodo (ITO) y el electrodo de cátodo (Al), y se midieron las características de la luz verde emitida por la capa fotoemisora (capa codepositada de Alq y C545T) obteniendo los resultados representados en las figuras 21, 22 y 23.
En las figuras 21, 22 y 23, los símbolos más (+) representan un gráfico de la curva característica de luminancia (cd/m^{2})-voltaje (V), un gráfico de la curva característica de densidad de corriente (mA/cm^{2})-voltaje (V) y un gráfico de la curva característica de eficiencia de corriente (cd/A)-densidad de corriente (mA/cm^{2}), respectivamente, del dispositivo EL del ejemplo 2.
En el dispositivo EL del ejemplo 2 se considera que se formó un complejo de transferencia de carga (4F-TCNQ- + 2-TNATA) entre las dos moléculas orgánicas, es decir, 4F-TCNQ, que es un ácido de Lewis, y 2-TNATA, que es una molécula de arilamina de transporte de huecos. A saber, una superficie interfacial entre la capa de 4F-TCNQ y la capa de 2-TNATA actúa como capa de generación de carga.
Además, en este dispositivo EL, se observó que la eficiencia de corriente se reducía gradualmente desde una luminancia de aproximadamente 30 cd/m^{2} (densidad de corriente = 0,12 mA/cm^{2}), pero la eficiencia de corriente máxima de aproximadamente 25,6 se obtuvo a un rango de densidad de corriente de hasta aproximadamente 0,1 mA/cm2. La eficiencia de corriente máxima de aproximadamente 25,6 cd/A es un valor que no se podía obtener en los dispositivos EL orgánicos convencionales que tienen solamente una unidad fotoemisora, y prueba que la capa de generación de carga se puede formar usando solamente un compuesto orgánico.
Ejemplo 3 Ejemplo para la producción del dispositivo EL orgánico que tiene dos unidades fotoemisoras que tienen espectros de emisión diferentes
El dispositivo EL orgánico según la presente invención que tiene una estructura laminada representada en la figura 15 se produjo de la siguiente manera.
Como en el ejemplo de referencia 1, un sustrato de vidrio 1 incluye, recubierto en un configuración predeterminada sobre una superficie del mismo, un electrodo de ánodo transparente 2 incluyendo un ITO (óxido de estaño e indio, producto depositado catódicamente que se puede obtener en el mercado de ASASHI GLASS) que tiene una resistencia de hoja de aproximadamente 20 \Omega/\square (véase la figura 10A). Sobre el sustrato de vidrio recubierto con la configuración de ITO 1, en el mismo orden que en el ejemplo de referencia 2, se depositó espiro-NPB que tiene una propiedad de transporte de huecos (producto de COVION) a través de una máscara de metal 40 para la formación de capa orgánica (véase la figura 10B) sobre el sustrato de vidrio recubierto con ITO 1 bajo vacío de aproximadamente 10^{-6} Torr y a una velocidad de deposición de aproximadamente 2 \ring{A}/segundo para formar una capa de transporte de huecos de la unidad fotoemisora 3-1 que tenía un grosor de aproximadamente 800 \ring{A}.
Posteriormente, se depositó espiro-DPVBi (producto de COVION) sobre la capa de transporte de huecos a una velocidad de deposición aproximadamente 2 \ring{A}/segundo para formar una capa emisora de luz azul de la unidad fotoemisora 3-1 que tenía un grosor de aproximadamente 400 \ring{A}, seguido de depositar una capa mezcla de 200 \ring{A} de grosor incluyendo batocuproína y metal cesio (Cs).
Posteriormente, como en el ejemplo 1, se depositó V_{2}O_{5} (pentaóxido de vanadio) sobre la capa mezclada incluyendo batocuproína y Cs a una velocidad de deposición de aproximadamente 2 \ring{A}/segundo para formar una capa de generación de carga 4-1 que tenía un grosor de aproximadamente 100 \ring{A}. La formación de la capa de generación de carga 4-1 también se realizó en presencia de la máscara de metal 40 para la formación de capa orgánica (véase la figura 10B).
Posteriormente, como en el ejemplo de referencia 3, se depositó \alpha-NPD a un grosor de capa aproximadamente 700 \ring{A} para formar una capa de transporte de huecos de la unidad fotoemisora 3-2. Posteriormente, se depositó Alq y un colorante fluorescente emisor de luz roja, "DCJTB" (KODAK), sobre la capa de transporte de huecos para formar una capa fotoemisora roja que tenía un grosor de aproximadamente 400 \ring{A}. Cada velocidad de deposición se ajustó de manera que la capa fotoemisora roja resultante tuviese el colorante fluorescente a una concentración aproximadamente 1% en peso. Posteriormente, como se ha descrito anteriormente, se depositó una capa mezclada de 200 \ring{A} de grosor incluyendo batocuproína y Cs.
Finalmente, se depositó aluminio (Al) a través de una máscara de metal 41 para la formación de capa de cátodo (véase la figura 10C) a una velocidad de deposición de aproximadamente 10 \ring{A}/segundo sobre la capa mezclada de batocuproína y Cs para formar un electrodo de cátodo 5 que tenía un grosor de aproximadamente 1.000 \ring{A}. Así se obtuvo el dispositivo EL orgánico que tiene una zona fotoemisora cuadrada de 0,2 cm (longitud) por 0,2 cm (anchura), (véase la figura 10D).
En la figura 17, un espectro de emisión del dispositivo EL orgánico obtenido en el ejemplo 3 se representa con una línea sólida. En este dispositivo EL orgánico, se aplicó un voltaje CC entre el electrodo de ánodo (ITO) y el electrodo de cátodo (Al). Por consiguiente, se pudo obtener una emisión de luz color azul y rojo mezclados (emisión de color rosa) de las dos capas fotoemisoras. La figura 39A es una fotografía que muestra un estado de emisión en este dispositivo (figura 39B).
Posteriormente, se midieron las características del dispositivo obteniendo los resultados mostrados en las figuras 24, 25 y 26. En estos dibujos, los símbolos cuadrados blancos (\square) representan un gráfico de la curva característica de luminancia (cd/cm^{2})-voltaje (V), un gráfico de la curva característica de la densidad de corriente (mA/cm^{2})-voltaje (V), y un gráfico de la curva característica de eficiencia de corriente (cd/A)-densidad de corriente (mA/cm^{2}), respectivamente, del dispositivo EL del ejemplo 3.
En el dispositivo EL del ejemplo 3, el voltaje al que se inició la emisión era aproximadamente 4,8 voltios. A saber, el voltaje de arranque de aproximadamente 4,8 voltios es una suma del voltaje de arranque (2,6 voltios) del dispositivo del ejemplo de referencia 2 y el voltaje (2,2 voltios) de arranque del dispositivo del ejemplo de referencia 3.
Además, en el dispositivo EL del ejemplo 3, como en el ejemplo 1, se considera que se indujo una reacción de oxidación-reducción entre las moléculas de pentaóxido de vanadio (V_{2}O_{5}), un compuesto de arilamina que actúa como una molécula de transporte de huecos, para formar un complejo de transferencia de carga (V_{2}O_{5}^{-} + \alpha-NPD^{+}). A saber, una superficie interfacial entre la capa de pentaóxido de vanadio (V_{2}O_{5}) y la capa de \alpha-NPD actúa como una capa de generación de carga.
Ejemplo 4 Ejemplo para la producción del dispositivo EL orgánico que tiene tres unidades fotoemisoras; experimentos para optimizar el tramo de recorrido óptico, una distancia desde cada lugar fotoemisor a un cátodo reflector
El dispositivo EL orgánico según la presente invención que tiene una estructura laminada representada en la figura 18 se produjo de la siguiente manera.
Se suministraron tres láminas del sustrato de vidrio recubierto con la configuración de ITO 1. Según la manera y el orden descritos en el ejemplo de referencia 1, se depositó una unidad fotoemisora 3-1 a través de una máscara de metal 40 para la formación de capa orgánica (véase la figura 10B) sobre el sustrato de vidrio recubierto con la configuración de ITO 1 representada en la figura 10A. A saber, se depositó secuencialmente \alpha-NPD de 700 \ring{A} de grosor, una capa de 600 \ring{A} de grosor incluyendo Alq:C545T = 100:1 (proporción en peso) y una capa mezclada de 100 \ring{A} de grosor incluyendo batocuproína y metal cesio (Cs) sobre cada sustrato de vidrio recubierto con la configuración de ITO 1.
Posteriormente, se depositó V_{2}O_{5} (pentaóxido de vanadio) sobre la capa dopada con metal a una velocidad de deposición de aproximadamente 2 \ring{A}/segundo para formar una capa de generación de carga 4-1 que tenía un grosor de aproximadamente 300 \ring{A}. La formación de la capa de generación de carga 4-1 también se realizó en presencia de la máscara de metal 40 para la formación de la capa orgánica (véase la figura 10B).
A continuación, mientras la máscara de metal 40 para la formación de capa orgánica (figura 10B) todavía estaba sobre el sustrato de vidrio 1, se repitió de nuevo el paso antes descrito para formar una unidad fotoemisora 3-2 y una capa fotoemisora 3-3. Obsérvese, en este ejemplo, que para determinar las condiciones óptimas por un tramo de recorrido óptico de cada lugar fotoemisor a un cátodo reflector, se varió un grosor de capa de la capa de transporte de huecos incluyendo \alpha-NPD con la intención de obtener tres celdas diferentes que tenían la capa de transporte de huecos de un grosor de aproximadamente 300, 500 o 700 \ring{A}.
A saber, se depositó secuencialmente \alpha-NPD de 300, 500 o 700 \ring{A} de grosor, una capa de 600A de grosor incluyendo Alq:C545T = 100:1 (proporción en peso) y una capa mezclada de 100 \ring{A} de grosor incluyendo batocuproína y metal cesio (Cs) sobre cada sustrato para formar una unidad fotoemisora 3-2. Posteriormente, se depositó V_{2}O_{5} (pentaóxido de vanadio) a una velocidad de deposición aproximadamente 2 \ring{A}/segundo para formar una capa de generación de carga 4-2 que tenía un grosor de aproximadamente 300 \ring{A}.
Después de la formación de la capa de generación de carga 4-2, se repitió de nuevo el proceso antes descrito. Es decir, se depositó secuencialmente \alpha-NPD de 300, 500 o 700 \ring{A}, una capa de 600 \ring{A} de grosor incluyendo Alq:C545T =
100:1 (proporción en peso), y una capa mezclada de 100 \ring{A} de grosor incluyendo batocuproína y metal cesio (Cs) sobre la capa de generación de carga 4-2 para formar una unidad fotoemisora 3-3.
Finalmente, se depositó aluminio (Al) a través de una máscara de metal 41 para la formación de capa de cátodo (véase la figura 10C) a una velocidad de deposición de aproximadamente 10 \ring{A}/segundo sobre la unidad fotoemisora 3-3 para formar un electrodo de cátodo 5 que tenía un grosor de aproximadamente 1.000 \ring{A}. Así se obtuvo el dispositivo EL orgánico que tiene una zona fotoemisora cuadrada de 0,2 cm (longitud) por 0,2 cm (anchura), (véase la figura 10D).
En el dispositivo EL orgánico resultante, se aplicó un voltaje CC entre el electrodo de ánodo (ITO) y el electrodo de cátodo (Al) para medir las características de la luz verde emitida por la capa fotoemisora (la capa codepositada de Alq y C545T). Se obtuvieron los resultados mostrados en las figuras 27, 28 y 29. En estas figuras, los símbolos \medcirc, \square y + representan un gráfico de la curva característica de luminancia (cd/m^{2})-voltaje (V), un gráfico de la curva característica de densidad de corriente (mA/cm^{2})-voltaje (V), y un gráfico de la curva característica de la eficiencia de corriente (cd/A)-densidad de corriente (mA/cm^{2}), respectivamente, de cada uno de los dispositivos EL que tenían los tres grosores diferentes antes descritos.
Como se representa en la figura 29, los dispositivos EL que tienen los tres grosores diferentes tienen una eficiencia de corriente (cd/A) en gran parte variada. En los dispositivos que tienen las unidades fotoemisoras 3-2 y 3-3 que tienen un grosor de aproximadamente 700 \ring{A} en la capa de transporte de hueco, se obtuvo una densidad de corriente máxima superior a aproximadamente 48 cd/A, mientras que en los dispositivos incluyendo las unidades fotoemisoras 3-2 y 3-3 que tienen un grosor de aproximadamente 300 o 500 \ring{A} en la capa de transporte de hueco, la densidad de corriente obtenida fue solamente de aproximadamente 18 o 28 cd/A.
Los dispositivos EL incluyendo las unidades fotoemisoras 3-2 y 3-3 que tienen un grosor de aproximadamente 700 \ring{A} en la capa de transporte de huecos muestran que tienen una eficiencia de corriente aproximadamente 16 cd/A (48/3 cd/A) por unidad fotoemisora, y por lo tanto, representan los ejemplos optimizados en los que los tres lugares fotoemisores, un tramo de recorrido óptico (producto de un grosor de capa real y un índice de refracción) desde el lugar fotoemisor al cátodo de Al (cátodo fotorreflector) siempre es aproximadamente un número impar de veces un cuarto de longitud de onda, es decir, en este ejemplo, el grosor de capa es 1/4 de longitud de onda, 3/4 de longitud de onda y 5/4 de longitud de onda de la longitud de onda de emisión, respectivamente, desde un lado de cátodo de Al del dispositivo.
Un espectro de emisión de cada uno de los tres dispositivos EL orgánicos obtenidos en el ejemplo 4 se representa en la figura 19. Además, el espectro de emisión del dispositivo que muestra la eficiencia de corriente máxima (48 cd/A), seleccionado de todos los espectros de emisión los dispositivos del ejemplo 4, también se representa en la figura 16 para comparación con el espectro del dispositivo (una unidad fotoemisora) del ejemplo de referencia 1 y el espectro del dispositivo (dos unidades fotoemisoras) del ejemplo 1.
Ejemplo 5 Ejemplo para la producción del dispositivo EL orgánico incluyendo dos unidades fotoemisoras que tienen espectros de emisión diferentes; experimentos para optimizar el tramo de recorrido óptico, una distancia desde cada lugar fotoemisor a un electrodo reflector
Se proporcionaron tres láminas del sustrato de vidrio recubierto con la configuración de ITO, y según el proceso que es sustancialmente el mismo que el del ejemplo 3, se depositaron una unidad emisora de luz azul y una unidad emisora de luz roja a través de una capa de V_{2}O_{5} (pentaóxido de vanadio) 4-1 de la capa de generación de carga 4-1, en este ejemplo, con la condición de que, para determinar las condiciones óptimas del tramo de recorrido óptico desde una unidad de emisión de luz azul de la unidad fotoemisora 3-1 al electrodo fotorreflector, el grosor de capa de la capa de transporte de huecos incluyendo \alpha-NPD de la unidad fotoemisora 3-2 se varió con la intención de obtener tres celdas diferentes que tenían la capa de transporte de huecos de un grosor de aproximadamente 300, 500 o 700 \ring{A}. Las otras condiciones de deposición de capa y las condiciones de medición son las mismas que las del ejemplo 3.
En las figuras 30, 31 y 32, los símbolos \square, + y \medcirc representan un gráfico de la curva característica de luminancia (cd/m^{2})-voltaje (V), un gráfico de la curva característica de densidad de corriente (mA/cm^{2})-voltaje (V), y un gráfico de la curva característica de la eficiencia de corriente (cd/A)-densidad de corriente (mA/cm^{2}), respectivamente, de cada uno de los dispositivos EL que tienen los tres grosores diferentes obtenidos en este ejemplo.
Además, un espectro de emisión de cada uno de los tres dispositivos EL orgánicos obtenidos en este ejemplo (ejemplo 5) se representa en la figura 20.
Como se representa en la figura 32, los dispositivos EL que tenían las tres capas diferentes tenían una eficiencia de corriente (cd/A) en gran parte variada. En los dispositivos incluyendo la unidad fotoemisora 3-2 que tenía un grosor de aproximadamente 700 \ring{A} en la capa de transporte de hueco, se obtuvo una densidad de corriente máxima superior a aproximadamente 8 cd/A, mientras que en los dispositivos incluyendo la unidad fotoemisora 3-2 que tenía un grosor de aproximadamente 300 o 500 \ring{A} en la capa de transporte de hueco, la densidad de corriente obtenida era solamente de aproximadamente 6,5 o 4 cd/A.
El dispositivo EL incluyendo la unidad fotoemisora 3-2 que tiene un grosor de aproximadamente 700 \ring{A} tenía una longitud de recorrido óptico (producto de un grosor de capa real y un índice de la refracción) desde el lugar fotoemisor de espiro-DPVBi (material emisor de luz azul) al cátodo (electrodo fotorreflector) de Al de aproximadamente tres veces un cuarto de longitud de onda de la luz. A saber, el dispositivo EL es un ejemplo de un dispositivo optimizado.
Ejemplo 6 Ejemplo para la producción del dispositivo EL orgánico en el que una capa que contacta una capa de generación de carga en un lado de ánodo es una capa generadora de reacción in situ, y tiene una capa de generación de carga que consta de la mezcla de V_{2}O_{5} y compuesto de arilamina
El dispositivo EL orgánico según la presente invención que tiene una estructura laminada representada en la figura 41 se produjo de la siguiente manera.
Según una forma sustancialmente idéntica a la del ejemplo de referencia 1, se depositó una unidad fotoemisora 3-1 a través de una máscara de metal 40 para la formación de capa orgánica (véase la figura 10B) sobre un sustrato de vidrio recubierto con la configuración de ITO 1 representada en la figura 10A. A saber, se depositó secuencialmente \alpha-NPD de 600 \ring{A} de grosor, una capa de 700 \ring{A} de grosor incluyendo Alq:C545T = 100:1 (proporción en peso). A continuación la capa de generación de reacción in situ se formó encima.
A saber, un complejo organometálico de 8-quinolinolato litio (en adelante, brevemente "Liq") representado por la fórmula siguiente
9
se depositó a 10 \ring{A}. Posteriormente se depositó Al como un metal térmicamente reducible a una velocidad de deposición de aproximadamente 1 \ring{A}/segundo para formar una capa de generación de reacción in situ que tenía un grosor de 15 \ring{A}.
Posteriormente, se codepositaron V_{2}O_{5} (pentaóxido de vanadio) y \alpha-NPD en una relación molar (V_{2}O_{5}:\alpha-NPD =
4:1) sobre la capa de generación de reacción in situ a una velocidad de deposición de 2 \ring{A}/segundo para formar la capa de generación de carga 4-1 que tenía un grosor de 200 \ring{A}. La capa de generación de carga también se depositó mediante la máscara de metal 40 para la formación de capa orgánica (véase la figura 10B).
A continuación, mientras la máscara de metal 40 para la formación de capa orgánica (figura 10B) todavía estaba sobre el sustrato de vidrio 1, de nuevo se repitió el paso antes descrito para formar una unidad fotoemisora 3-2. A saber, se depositó secuencialmente \alpha-NPD de 600 \ring{A}, una capa de 700 \ring{A} de grosor incluyendo Alq:C545T = 100:1 (proporción en peso) y Liq de 10 \ring{A} de grosor. Finalmente, se depositó aluminio (Al) a través de una máscara de metal 41 para la formación de capa de cátodo (véase la figura 10C) a una velocidad de deposición de 10 \ring{A}/segundo para formar un electrodo de cátodo 5 que tenía un grosor de aproximadamente 1.000 \ring{A}. Así se obtuvo el dispositivo EL orgánico que tiene una zona fotoemisora cuadrada de 0,2 cm (longitud) por 0,2 cm (anchura), (véase la figura 10D).
En este dispositivo EL orgánico, se aplicó un voltaje CC entre el electrodo de ánodo (ITO) y el electrodo de cátodo (Al), y se midieron las características de la luz verde emitida por la capa fotoemisora (capa codepositada de Alq y C545T) obteniendo los resultados de las figuras 42, 43, 44 y 45. En las figuras 42, 43, 44 y 45, los símbolos con círculo (\bullet) representan un gráfico de la curva característica de luminancia (cd/m^{2})-voltaje (V), una gráfico de la curva característica de densidad de corriente (mA/cm^{2})-voltaje (V), un gráfico de la curva característica de eficiencia de corriente (cd/A)-densidad de corriente (mA/cm^{2}) y un gráfico de la curva características de la eficiencia luminosa (lm/W)-luminancia (cd/m^{2}), respectivamente, del dispositivo EL del ejemplo 6.
Para comparación, un resultado de un dispositivo de referencia (ITO/\alpha-NPD, 600 \ring{A}/Alq:C545T=100:1, 700 \ring{A}/Liq, 10 \ring{A}/A1) que tiene una estructura convencional se representa en las figuras 42, 43, 44 y 45, usando los símbolos con círculo (\medcirc).
Como se representa en los dibujos, en el dispositivo EL orgánico en el que la unidad fotoemisora estaba dividida en 2 unidades, la eficiencia de corriente máxima (y la eficiencia cuántica) se mejora al doble de la del dispositivo EL orgánico en el dispositivo de referencia anterior.
En el dispositivo EL del ejemplo 6, se considera, como en el ejemplo 1, que un complejo de transferencia de carga (V_{2}O_{5}^{-}+\alpha-NPD) se formó entre moléculas del V_{2}O_{5} y \alpha-NPD, una molécula de arilamina de transporte de huecos, por una reacción de oxidación-reducción. Una capa mezclada de V_{2}O_{5} y \alpha-NPD funciona como la capa de generación de carga.
Además, en este dispositivo EL, un material que constituye la capa de generación de reacción in situ incluye solamente el complejo organometálico que tiene un ión metal alcalino (ión de litio en el ejemplo 6). El material puede ser, sin embargo, una capa mezclada del compuesto de transporte de electrones como batocuproína y Alq y el complejo organometálico (véase la Solicitud de Patente japonesa publicada número 2000-182774) o una capa incluyendo el complejo organometálico que contiene uno de dicho ión metal.
La reacción in situ que usa compuesto inorgánico conteniendo uno de dicho ión metal también se puede adoptar para la capa que contacta la capa de generación de carga en un lado de ánodo, porque tal reacción in situ se ha observado convencionalmente también al usar un compuesto de metal alcalino inorgánico como un material de contacto para el cátodo de Al, etc (véase un documento de referencia "J. Endo, T. Matsumoto, y J. Kido, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41 (2002) pág. L800-L803").
Ejemplo de prueba
Medición de la resistividad en la capa de generación de carga
En este ejemplo, la resistividad (\Omegacm) se midió con dos métodos diferentes dependiendo del rango de resistividad de la muestra de prueba.
El primer método de medición se puede aplicar adecuadamente a muestras de prueba que tienen una resistividad relativamente grande. La medición se lleva a cabo intercalando una capa de deposición en fase vapor de la muestra de prueba con electrodos (véase las figuras 33 y 34). La resistividad de la muestra de prueba se calcula entonces a partir de una relación del campo eléctrico E(V/centímetros), obtenida de un voltaje aplicado (V) y un grosor de capa (cm) de la capa de deposición de la muestra, es decir, la distancia entre los electrodos, y una densidad de corriente (A/cm^{2}) obtenida de un valor de corriente observado (A) y un área en sección de la región de circulación de corriente, es decir, resistividad (\Omegacm) = (V/cm)/(A/cm^{2}).
El dispositivo de evaluación de resistividad para uso en este método de medición puede ser producido según el método siguiente. La figura 33 es una vista en planta del dispositivo de evaluación, y la figura 34 es una vista en sección transversal del mismo.
Como en los ejemplos y los ejemplos de referencia antes descritos, se utiliza una máscara de metal 40 representada en la figura 10B. Se deposita una muestra de prueba (material, cuya resistividad se intenta medir) 18, a través de una máscara de sombra para formar tanto una capa orgánica como una capa de generación de carga, a un grosor deseado sobre un electrodo de ITO 16 que tiene una anchura de aproximadamente 2 mm o, alternativamente, un electrodo de aluminio que tiene una anchura de aproximadamente 2 mm. Finalmente, se deposita un electrodo de aluminio 17 que tiene una anchura de aproximadamente 2 mm de tal manera que se cruce con el electrodo de ITO 16. Así se obtiene un dispositivo de evaluación deseado.
El segundo método de medición se puede aplicar adecuadamente a las muestras de prueba que tienen una resistividad relativamente pequeña. La medición se lleva a cabo usando un dispositivo de evaluación de resistividad que tiene una estructura de disposición coplanar. A saber, como se representa en las figuras 35 y 36, se suministra un sustrato 19, y sobre la misma superficie plana del sustrato 19, electrodos que se usan como un ánodo 20 y un cátodo 21 se depositan previamente a cierta distancia de L cm. Se deposita un material de prueba 22 a través de una máscara de metal para definir una zona de deposición que tiene una abertura de cierta anchura (W centímetros) sobre sustrato depositado con electrodos 19 para obtener una capa depositada que tiene un grosor deseado (t centímetros). En este método de medición, un campo eléctrico E (V/cm) de la muestra de prueba se calcula dividiendo un voltaje aplicado (V) con una distancia (L cm) entre los electrodos, y la densidad de corriente (A/cm^{2}) se calcula dividiendo un valor de corriente observado (A) por un área en sección de la región de circulación de corriente (en este ejemplo, W x t cm^{2}). La resistividad (\Omegacm) de la muestra de prueba puede ser calculada a partir de la ecuación antes descrita con respecto al primer método de medición (el método de intercalación).
La figura 37 es un gráfico que representa los resultados de medición de la resistividad. Las muestras de prueba aquí usadas son ITO (material de electrodo transparente), V_{2}O_{5} (una capa de generación de carga según la presente invención), una capa de codeposición de V_{2}O_{5} y \alpha-NPD (tres tipos de relaciones molares de V_{2}O_{5}:\alpha-NPD=4:11. 1:1, 1:2) (una capa de generación de carga según la presente invención), una capa de codeposición de V_{2}O_{5} y 2-TNATA [V_{2}O_{5}:2-TNATA = 4:1 (relación molar) (una capa de generación de carga según la presente invención], una capa de codeposición de \alpha-NPD, Ca y batocuproína {Cs:batocuproína = 1:1 (relación molar) (capa de inyección de electrones en la unidad fotoemisora), y Alq (material fotoemisor).
Para el ITO, la capa de codeposición de V_{2}O_{5} y \alpha-NPD, y la capa de codeposición de V_{2}O_{5} y 2-TNATA, la resistividad se midió usando un dispositivo de medida que tenía una estructura de disposición coplanar (método de disposición coplanar), y para \alpha-NPD, la capa de codeposición de Cs y batocuproína, y Alq_{3}, la resistividad se midió usando un dispositivo de medida que tenía una estructura intercalada (método de intercalación). Además, \alpha-NPD con un grosor de 1000 \ring{A} se midió con un dispositivo de medida que tenía la estructura intercalada donde la capa mezclada de V_{2}O_{5} y \alpha-NPD (la composición de la capa de generación de carga según la presente invención) se formó finamente con 50 \ring{A} sobre una parte que contactaba ambos electrodos para hacer óhmica la inyección de carga del electrodo.
Además, con respecto a V_{2}O_{5}, su resistividad se midió usando tanto el método de disposición coplanar y como el método de intercalación con el resultado de que se puede medir una resistividad sustancialmente idéntica sin considerar la diferencia de los métodos aplicados.
\vskip1.000000\baselineskip
Método de disposición coplanar:
\medcirc
ITO 4,6 x 10^{-4} \Omegacm
\bullet
V_{2}O_{5} 7,2 x 10^{4} \Omegacm
\ding{115}
capa de deposición de V_{2}O_{5} y \alpha-NPD (V_{2}O_{5}:\alpha-NPD = 4:1) 2,0 x 10^{3} \Omegacm
\lozenge
capa de deposición de V_{2}O_{5} y \alpha-NPD (V_{2}O_{5}:\alpha-NPD = 1:1) 3,6 x 10^{4} \Omegacm
+
capa de deposición de V_{2}O_{5} y \alpha-NPD (V_{2}O_{5}:\alpha-NPD = 1:2) 2,9 x 10^{5} \Omegacm
\square
capa de deposición de V_{2}O_{5} y 2-TNATA (V_{2}O_{5}:2-TNATA= 4:1) 5,8 x 10^{3} \Omegacm
\vskip1.000000\baselineskip
Método de intercalación:
\Delta
ITO/V_{2}O_{5}/Al 2,8 x 10^{5} \Omegacm
\blacktriangledown
ITO/\alpha-NPD/Al 1,5 x 10^{13} \Omegacm
\blacksquare
ITO/V_{2}O_{5}: \alpha-NPD (50 \ring{A})/\alpha-NPD (1000 \ring{A})/V_{2}O_{5}: \alpha-NPD (50 \ring{A})/Al 8,0 x 10^{8} \Omegacm
x
Al/Alq_{3}/Al 6 x 10^{13} \Omegacm
|
ITO/Cs:batoquinoína/Al 2 x 10^{5} \Omegacm
La figura 40 indica una relación entre una relación mezclada (fracción molar) de la capa de codeposición de V_{2}O_{5} y \alpha-NPD, y la resistividad. Como se representa en la figura 40, debido a la mezcla de ambos materiales, la capa de generación de carga según la presente invención indica una resistividad más baja que la de cada material. Este resultado indica una presencia de reacción de oxidación-reducción causada por la transferencia de electrones, es decir, la formación del complejo de transferencia de carga. Por consiguiente, se halló que la resistividad de la capa de generación de carga se podía variar dependiendo de la manera de contactar el material aceptador de electrones como V_{2}O_{5} con el material de transporte de huecos, usando un método apropiado como laminado o mezclado.
Como se ha descrito anteriormente, debido a que el dispositivo EL de la presente invención tiene una estructura donde dos o más unidades fotoemisoras se dispusieron entre los electrodos mientras las unidades fotoemisoras estaban divididas con una capa de generación de carga aislante eléctrica, se puede lograr un dispositivo EL que tiene una duración operativa larga y una región de luminancia alta sin incrementar mucho la densidad de corriente. Además, no es necesario cambiar frecuentemente y colocar con precisión máscaras de sombra para definir una zona de deposición en fase vapor durante la producción, especialmente durante la formación de dos o más unidades fotoemisoras y una capa de generación de carga. Además, en la producción de dispositivos de visualización de tipo de matriz simple, no hay que llevar a cabo una operación que puede producir un riesgo de desconexión en la formación de una línea de cátodo, permitiendo por ello mantener alta la productividad, y producir eficaz y establemente un dispositivo EL orgánico con una luminancia alta y larga duración operativa.
Además, cuando el dispositivo EL se aplicó a la producción de un aparato de iluminación, dado que se puede disminuir la reducción de voltaje debida a la resistencia del electrodo el material, es posible lograr una emisión de luz uniforme en un área superficial grande. Igualmente, si el dispositivo EL se aplica a la producción de un dispositivo de visualización que tiene una estructura de matriz simple, dado que se puede reducir en gran medida la reducción de voltaje debida a la resistencia del cableado y un aumento de la temperatura del sustrato, es posible lograr un dispositivo de visualización de matriz simple y gran área superficial que no se podía obtener usando los dispositivos EL convencionales.

Claims (36)

1. Un dispositivo electroluminescente orgánico incluyendo:
al menos dos unidades fotoemisoras dispuestas entre un electrodo de cátodo y un electrodo de ánodo enfrente de dicho electrodo de cátodo, incluyendo cada una de dichas unidades fotoemisoras al menos una capa fotoemisora;
donde dichas unidades fotoemisoras están divididas una de otra por al menos una capa de generación de carga, constituyendo dicha capa de generación de carga una capa aislante eléctrica que tiene una resistividad no inferior a 1,0 x 10^{2} \Omegacm.
2. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1, donde la capa de generación de carga constituye una capa aislante eléctrica que tiene una resistividad no inferior a 1,0 x 10^{5} \Omegacm.
3. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1 o 2, donde dicha capa de generación de carga incluye al menos una de una capa laminada y otra mezclada formada de dos materiales diferentes; los cuales dos materiales diferentes son capaces de formar un complejo de transferencia de carga incluyendo un radical catión y un radical anión después de una reacción de oxidación-reducción entre dichos dos materiales.
4. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1, donde dicha capa de generación de carga incluye una de una capa laminada y otra mezclada incluyendo:
un compuesto orgánico que tiene un potencial de ionización inferior a 5,7 eV y una propiedad de transporte de huecos o propiedad de donación de electrones; y
uno de un material inorgánico u orgánico capaz de formar un complejo de transferencia de carga mediante su reacción de oxidación-reducción con dicho compuesto orgánico; donde
dicha capa de generación de carga contiene un complejo de transferencia de carga formado a la reacción de oxidación-reducción entre dicho compuesto orgánico y uno de un material inorgánico u orgánico.
5. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 4, donde dicho compuesto orgánico incluye un compuesto de arilamina, donde dicho compuesto de arilamina está representado por la fórmula siguiente (I)
Ar_{1} --- 
\uelm{N}{\uelm{\para}{Ar _{2} }}
--- Ar_{3}
donde cada Ar1, Ar2 y Ar3 representa por separado un grupo hidrocarburo aromático que puede tener sustituyentes.
6. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 5, donde dicho compuesto orgánico incluye un compuesto de arilamina que tiene una temperatura de transición vítrea no inferior a 90ºC.
7. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 6, donde dicha arilamina incluye uno de \alpha-NPD 2-TNATA, espiro-TAD, y espiro-NPB.
8. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 4, donde dicho material inorgánico incluye un óxido metálico.
9. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 4, donde dicho material inorgánico incluye un haluro de metal.
10. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 8, donde dicho óxido metálico incluye uno de pentaóxido de vanadio y heptaóxido de renio.
11. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 4, donde dicho material orgánico incluye al menos un flúor como un grupo sustituyente, y posee por lo menos una de una propiedad de inyección de electrones y una propiedad de aceptación de electrones.
12. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 4, donde dicho material orgánico incluye al menos un grupo ciano como un grupo sustituyente, y posee por lo menos una de una propiedad de inyección de electrones y una propiedad de aceptación de electrones.
13. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 11, donde dicho material orgánico incluye tetrafluorotetracianoquinodimetano (4F-TCNQ).
\newpage
14. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1 o 2, donde dicha unidad fotoemisora incluye, como una capa situada sobre un lado de ánodo de dicha capa de generación de carga y adyacente ella, una capa de inyección de electrones que tiene una mezcla incluyendo un compuesto orgánico y un metal que funciona como un dopante donante de electrones.
15. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 14, donde dicho dopante donante de electrones incluye al menos un metal seleccionado de un grupo incluyendo un metal alcalino, un metal alcalinotérreo y un metal de tierras raras.
16. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 15, donde dicho metal del dopante donante de electrones se suministra en una relación molar de 0,1 a 10 con respecto a dicho compuesto orgánico en dicha capa de inyección de electrones.
17. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1 o 2, donde dicha unidad fotoemisora incluye, como una capa situada en el lado de ánodo de dicha capa de generación de carga y adyacente a ella, una capa de inyección de electrones que se puede obtener suministrando una capa metálica de un grosor no superior a 5 nm formada a partir de un metal seleccionado de entre un metal alcalino, un metal alcalinotérreo y un metal de tierras raras;
induciendo por ello la difusión del metal que constituye la capa en una capa de transporte de electrones adyacente para reaccionar con el material orgánico de transporte de electrones; de manera que
como consecuencia de dicha difusión, se forma una capa de inyección de electrones que está compuesta de una mezcla incluyendo dicho material orgánico de transporte de electrones y un metal que funciona como un dopante donante de electrones.
18. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1 o 2, donde dicha unidad fotoemisora incluye, como una capa situada en un lado de ánodo de dicha capa de generación de carga y adyacente a ella, una capa incluyendo un compuesto complejo organometálico incluyendo al menos un ión metal seleccionado de entre un ión metal alcalino, un ión metal alcalinotérreo y un ión metal de tierras raras, y una capa de generación de reacción, pudiendo obtenerse dicha capa de generación de reacción depositando un metal térmicamente reducible, que puede reducir un ión metal en dicho complejo organometálico a un metal en vacío sobre el complejo organometálico que constituye la capa, induciendo así una reducción in situ de dicho ión metal.
19. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1 o 2, donde dicha unidad fotoemisora incluye, como una capa situada en un lado de ánodo de dicha capa de generación de carga y adyacente a ella, una capa incluyendo un compuesto inorgánico incluyendo al menos un ión metal, seleccionado de entre un ión metal alcalino, un ión metal alcalinotérreo y un ión metal de tierras raras, y una capa de generación de reacción, pudiendo obtenerse dicha capa de generación de reacción depositando un metal térmicamente reducible, que puede reducir un ión metal en el compuesto inorgánico a un metal al vacío en el compuesto inorgánico que constituye la capa, induciendo así una reducción in situ de dicho ión metal.
20. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 18 o 19, donde el metal térmicamente reducible incluye al menos uno seleccionado de entre aluminio, circonio, silicio, titanio y tungsteno.
21. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1, donde dicha unidad fotoemisora incluye una estructura, como una capa situada en un lado de ánodo de dicha capa de generación de carga y adyacente a ella, en la que una capa de una mezcla incluyendo un compuesto orgánico y un dopante donante de electrones y una capa de generación de reacción están superpuestas, pudiendo obtenerse dicha capa de generación de reacción depositando un metal térmicamente reducible, que puede reducir un ión metal alcalino, un ión metal alcalinotérreo o un ión metal de tierras raras a un metal en vacío, en un compuesto complejo organometálico que contiene al menos un ión metal seleccionado de un ión metal alcalino, un ión metal alcalinotérreo y un ión metal de tierras
raras.
22. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1, donde dicha unidad fotoemisora incluye una estructura, como una capa situada en un lado de ánodo de dicha capa de generación de carga y adyacente a ella, en la que una capa de una mezcla incluyendo un compuesto orgánico y un dopante donante de electrones y una capa de generación de reacción están superpuestas, pudiendo obtenerse dicha capa de generación de reacción depositando un metal térmicamente reducible, que puede reducir un ión metal alcalino, un ión metal alcalinotérreo o un ión metal de tierras raras a un metal al vacío, en un compuesto inorgánico que comprende al menos un ión metal seleccionado de entre un ión metal alcalino, un ión metal alcalinotérreo y un ión metal de tierras raras.
23. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1 o 2, en el que dicha unidad fotoemisora incluye, como una capa situada en un lado de cátodo de dicha capa de generación de carga y adyacente a ella, una capa de inyección de huecos que incluye una mezcla de un compuesto orgánico y un complejo aceptador de electrones teniendo una propiedad capaz de oxidar dicha sustancia orgánica con ayuda de un ácido de Lewis.
\newpage
24. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 23, donde el complejo aceptador de electrones que tiene una propiedad capaz de oxidar el compuesto orgánico en dicha capa de inyección de huecos con ayuda de un ácido de Lewis se suministra según una relación molar de 0,01 a 10 con relación al compuesto orgánico.
25. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1 o 2, donde dicha unidad fotoemisora incluye, como una capa situada en un lado de cátodo de dicha capa de generación de carga y adyacente a ella, una capa de inyección de huecos incluyendo un complejo aceptador de electrones y teniendo un grosor no superior a 30 nm.
26. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1 o 2, donde dichas unidades fotoemisoras tienen espectros de emisión diferentes.
27. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1 o 2, donde dicho dispositivo electroluminescente orgánico emite luz blanca debido a la superposición de luces diferentes procedentes de cada unidad fotoemisora.
28. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1 o 2, donde al menos una de dichas unidades fotoemisoras incluye una capa fotoemisora conteniendo un material fosforescente.
29. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1 o 2, donde, en cada una de dichas unidades fotoemisoras, un tramo de recorrido óptico desde un lugar fotoemisor a un electrodo metálico fotorreflector es un múltiplo impar de un cuarto de la longitud de onda de la luz emitida en el lugar fotoemisor.
30. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1 o 2, donde un grosor combinado de dichas unidades fotoemisoras y dichas capas de generación de carga, intercaladas entre el cátodo y el ánodo, es superior a 1.000 nm (1 \mum).
31. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1 o 2, donde dicho dispositivo electroluminescente orgánico opera a un voltaje de activación superior a 25 voltios.
32. El dispositivo electroluminescente orgánico según la reivindicación 1 o 2, donde uno del electrodo de cátodo y el electrodo de ánodo es un electrodo transparente, y donde un medio fotoabsorbente o una superficie de fotorreflexión difusa se ha previsto en el recorrido óptico de la luz que está avanzando desde un lugar de generación de luz en una dirección de alejamiento de dicho electrodo transparente.
33. Un método para producir un dispositivo electroluminescente orgánico, en el que
al menos dos unidades fotoemisoras se han previsto entre un electrodo de cátodo y un electrodo de ánodo enfrente de dicho electrodo de cátodo, incluyendo cada una de dichas unidades fotoemisoras al menos una capa fotoemisora;
y donde se ha previsto dicha al menos única capa de generación de carga que divide dichas unidades fotoemisoras, constituyendo dicha capa de generación de carga una capa aislante eléctrica que tiene una resistividad no inferior a 1,0 x 10^{2} \Omegacm.
34. Método según la reivindicación 33, donde dicha capa de generación de carga incluye una de una capa laminada y otra mezclada, incluyendo:
un compuesto orgánico que tiene un potencial de ionización inferior a 5,7 eV y una propiedad de transporte de huecos o propiedad de donación de electrones; y
uno de un material inorgánico u orgánico capaz de formar un complejo de transferencia de carga mediante su reacción de oxidación-reducción con dicho compuesto orgánico;
donde dicha capa de generación de carga contiene un complejo de transferencia de carga formado a la reacción de oxidación-reducción entre dicho compuesto orgánico y uno de un material inorgánico u orgánico;
donde dicho material inorgánico se deposita por uno de un método de deposición en fase vapor por calentamiento resistivo, un método de deposición de vapor por haz de electrones y un método de deposición en fase vapor por haz de electrones.
35. El método según la reivindicación 33, donde dicha capa de generación de carga incluye una de una capa laminada y otra mezclada, incluyendo:
un compuesto orgánico que tiene un potencial de ionización inferior a 5,7 eV y una propiedad de transporte de huecos o propiedad de donación de electrones; y
uno de un material inorgánico u orgánico capaz de formar un complejo de transferencia de carga mediante su reacción de oxidación-reducción con dicho compuesto orgánico;
donde dicha capa de generación de carga contiene un complejo de transferencia de carga formado a la reacción de oxidación-reducción entre dicho compuesto orgánico y uno de un material inorgánico u orgánico;
donde dicho material inorgánico se deposita por un método de deposición;
donde un aparato de deposición utilizado en el método de deposición es un sistema de deposición de blancos opuestos que incluye un par de blancos opuestos dispuestos a cierta distancia, un electrodo de reflexión capaz de reflejar electrones hacia una zona periférica frontal de cada blanco, y un dispositivo de generación de campo magnético que puede formar un campo magnético paralelo cerca de la porción periférica de cada blanco, teniendo dicho campo magnético una parte paralela a la porción periférica del blanco.
36. El método según la reivindicación 33, donde todas las capas, incluyendo dichas unidades fotoemisoras, dicha capa de generación de carga, y una capa de electrodo, se forman sobre un sustrato calentando un material vaporizable en vacío para depositar uno de un material vaporizado o sublimado sobre el sustrato;
donde, a la deposición de uno de dicho material vaporizado o sublimado sobre el sustrato, un sustrato es transportado en una dirección de su superficie plana, abriéndose una zona de deposición en una superficie inferior del sustrato; se ha previsto un contenedor, en una posición inferior del sustrato de transporte, incluyendo un material vaporizable que tiene una anchura de deposición que puede cubrir la zona de deposición que se extiende en la dirección perpendicular a la dirección de transporte del sustrato; y dicho contenedor se calienta para ser vaporizado o sublimado de manera que deposite el material que puede ser vaporizado previsto en el contenedor.
ES03006494T 2002-03-26 2003-03-21 Un dispositivo electroluminescente organico. Expired - Lifetime ES2268192T3 (es)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002086599 2002-03-26
JP2002-86599 2002-03-26
JP2003-70135 2003-03-14
JP2003070135A JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2003-03-14 有機エレクトロルミネッセント素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2268192T3 true ES2268192T3 (es) 2007-03-16

Family

ID=28043836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES03006494T Expired - Lifetime ES2268192T3 (es) 2002-03-26 2003-03-21 Un dispositivo electroluminescente organico.

Country Status (9)

Country Link
US (8) US20030189401A1 (es)
EP (1) EP1351558B1 (es)
JP (1) JP3933591B2 (es)
KR (1) KR100835725B1 (es)
CN (1) CN100487942C (es)
AT (1) ATE332623T1 (es)
DE (1) DE60306570T2 (es)
ES (1) ES2268192T3 (es)
TW (1) TWI271119B (es)

Families Citing this family (2284)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4514841B2 (ja) 1998-02-17 2010-07-28 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3884564B2 (ja) * 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
KR100721656B1 (ko) 2005-11-01 2007-05-23 주식회사 엘지화학 유기 전기 소자
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US6830830B2 (en) * 2002-04-18 2004-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Semiconducting hole injection materials for organic light emitting devices
EP1367659B1 (en) * 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
US7045955B2 (en) * 2002-08-09 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence element and a light emitting device using the same
EP1388903B1 (en) * 2002-08-09 2016-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent device
TWI272874B (en) 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
US7158161B2 (en) * 2002-09-20 2007-01-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element
JP3717879B2 (ja) * 2002-09-30 2005-11-16 三洋電機株式会社 発光素子
KR101114899B1 (ko) 2002-12-26 2012-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR101156971B1 (ko) 2003-01-29 2012-06-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치
US7333072B2 (en) * 2003-03-24 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device
CN1778147A (zh) * 2003-04-24 2006-05-24 出光兴产株式会社 有机电致发光元件以及显示装置
JP3651801B2 (ja) * 2003-06-30 2005-05-25 九州電力株式会社 電界発光素子
ATE532386T1 (de) * 2003-07-02 2011-11-15 Idemitsu Kosan Co Organisches elektrolumineszenz-bauelement und display damit
US7511421B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed metal and organic electrode for organic device
US7504049B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device
TWI407829B (zh) 2003-09-26 2013-09-01 Semiconductor Energy Lab 發光元件和其製法
JP5244456B2 (ja) * 2003-09-26 2013-07-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器、携帯電話、照明機器
EP2276088B1 (en) * 2003-10-03 2018-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light emitting element, and light emitting device using the light emitting element
JP4476594B2 (ja) 2003-10-17 2010-06-09 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4683829B2 (ja) * 2003-10-17 2011-05-18 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法
JP2005135600A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス発光素子
AU2003291283A1 (en) * 2003-11-03 2004-06-06 General Mills Marketing, Inc. Dough and method for preparing leavened food product
JP4961412B2 (ja) * 2003-11-10 2012-06-27 淳二 城戸 有機素子、及び、有機素子の製造方法
JP4243237B2 (ja) 2003-11-10 2009-03-25 淳二 城戸 有機素子、有機ｅｌ素子、有機太陽電池、及び、有機ｆｅｔ構造、並びに、有機素子の製造方法
JP4300176B2 (ja) * 2003-11-13 2009-07-22 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4485184B2 (ja) * 2003-12-15 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
JP4431379B2 (ja) 2003-12-19 2010-03-10 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌ素子及びその形成方法
CN100551187C (zh) 2003-12-26 2009-10-14 株式会社半导体能源研究所 发光元件
KR100670543B1 (ko) 2003-12-29 2007-01-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자
GB2410600A (en) * 2004-01-30 2005-08-03 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitting diode display device
US7030554B2 (en) * 2004-02-06 2006-04-18 Eastman Kodak Company Full-color organic display having improved blue emission
TW200541401A (en) 2004-02-13 2005-12-16 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent device
JP5167571B2 (ja) * 2004-02-18 2013-03-21 ソニー株式会社 表示素子
JP2011249349A (ja) * 2004-02-18 2011-12-08 Sony Corp 表示素子
JP4276109B2 (ja) * 2004-03-01 2009-06-10 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4175273B2 (ja) * 2004-03-03 2008-11-05 セイコーエプソン株式会社 積層型有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び表示装置
JP4408382B2 (ja) 2004-03-18 2010-02-03 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光表示装置
US8339037B2 (en) 2004-03-26 2012-12-25 Panasonic Corporation Organic light emitting device with reduced angle dependency
JP4393249B2 (ja) * 2004-03-31 2010-01-06 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光素子，画像表示装置、及びその製造方法
KR100552707B1 (ko) 2004-04-07 2006-02-20 삼성전자주식회사 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법
KR100601949B1 (ko) 2004-04-07 2006-07-14 삼성전자주식회사 나노와이어 발광소자
CN100493289C (zh) 2004-04-09 2009-05-27 Lg化学株式会社 具有高效率和高亮度的叠层式有机发光器件
WO2005109542A1 (en) * 2004-05-11 2005-11-17 Lg Chem. Ltd. Organic electronic device
WO2005115062A1 (en) * 2004-05-20 2005-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
JP4027914B2 (ja) 2004-05-21 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置及びそれを用いた機器
US7598670B2 (en) * 2004-05-21 2009-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device
KR101215860B1 (ko) * 2004-05-21 2012-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자 및 그 소자를 사용하는 발광 장치
JP4461367B2 (ja) * 2004-05-24 2010-05-12 ソニー株式会社 表示素子
JP2006106673A (ja) * 2004-05-25 2006-04-20 Victor Co Of Japan Ltd 表示装置
CN100405440C (zh) * 2004-05-25 2008-07-23 日本胜利株式会社 显示装置
US7126267B2 (en) * 2004-05-28 2006-10-24 Eastman Kodak Company Tandem OLED having stable intermediate connectors
JP4554329B2 (ja) * 2004-06-02 2010-09-29 大日本印刷株式会社 有機電子デバイス、及び有機電子デバイスの製造方法
US7733441B2 (en) 2004-06-03 2010-06-08 Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. Organic electroluminescent lighting system provided with an insulating layer containing fluorescent material
KR100587304B1 (ko) 2004-06-03 2006-06-08 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
JP4925569B2 (ja) * 2004-07-08 2012-04-25 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US20060014044A1 (en) * 2004-07-14 2006-01-19 Au Optronics Corporation Organic light-emitting display with multiple light-emitting modules
JP2006295104A (ja) 2004-07-23 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
JP2006066380A (ja) * 2004-07-30 2006-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4785386B2 (ja) * 2005-01-31 2011-10-05 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
US20060289882A1 (en) * 2004-07-30 2006-12-28 Kazuki Nishimura Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
JP4565921B2 (ja) * 2004-07-30 2010-10-20 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4565922B2 (ja) * 2004-07-30 2010-10-20 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006066379A (ja) * 2004-07-30 2006-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4315874B2 (ja) * 2004-07-30 2009-08-19 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4434872B2 (ja) * 2004-07-30 2010-03-17 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4578215B2 (ja) * 2004-11-30 2010-11-10 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP5132041B2 (ja) * 2004-08-03 2013-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電気機器
WO2006013990A1 (en) 2004-08-03 2006-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light-emitting device
JP4684042B2 (ja) * 2004-08-04 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置および電子機器
EP1624502B1 (en) 2004-08-04 2015-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
WO2006015567A1 (de) 2004-08-13 2006-02-16 Novaled Ag Schichtanordnung für ein lichtemittierendes bauelement
US7273663B2 (en) * 2004-08-20 2007-09-25 Eastman Kodak Company White OLED having multiple white electroluminescence units
KR101163194B1 (ko) * 2004-08-23 2012-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 발광장치 및 조명 시스템
JP4817755B2 (ja) * 2004-08-23 2011-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子および発光装置
US20080093981A1 (en) * 2004-08-23 2008-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electron Injecting Composition, and Light Emitting Element and Light Emitting Device Using the Electron Injecting Composition
JP2006073219A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
JP4945076B2 (ja) * 2004-12-02 2012-06-06 スタンレー電気株式会社 両面発光型有機ｅｌ素子
JP4513060B2 (ja) * 2004-09-06 2010-07-28 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌ素子
KR101381906B1 (ko) * 2004-09-13 2014-04-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 조명장치
KR101251622B1 (ko) * 2004-09-24 2013-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치
KR101197691B1 (ko) 2004-09-24 2012-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치
CN100565963C (zh) 2004-09-30 2009-12-02 株式会社半导体能源研究所 发光元件
KR101187202B1 (ko) * 2004-09-30 2012-10-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 및 전자 장치
US7750560B2 (en) * 2004-10-01 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting-element
EP1653529B1 (en) * 2004-10-11 2007-11-21 Samsung SDI Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
JP4956893B2 (ja) * 2004-10-19 2012-06-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US8026510B2 (en) 2004-10-20 2011-09-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic electronic device and method for producing the same
US7560862B2 (en) * 2004-10-22 2009-07-14 Eastman Kodak Company White OLEDs with a color-compensated electroluminescent unit
KR101254494B1 (ko) 2004-10-22 2013-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 재료 및 발광 소자
KR101436791B1 (ko) * 2004-10-29 2014-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 재료, 발광 소자, 발광 장치 및 이의 제조방법
US7683532B2 (en) 2004-11-02 2010-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and light emitting device
JP5036164B2 (ja) * 2004-11-05 2012-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置および電子機器
US7564052B2 (en) 2004-11-05 2009-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light emitting device using the same
JP4877874B2 (ja) * 2004-11-05 2012-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器及び照明機器
CN101053093B (zh) * 2004-11-05 2011-01-26 株式会社半导体能源研究所 发光元件以及采用该发光元件的发光装置
JP2006135145A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Sony Corp 表示素子用有機材料および表示素子
CN100521283C (zh) 2004-11-26 2009-07-29 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子器件
WO2006059736A1 (en) 2004-11-30 2006-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
KR101251623B1 (ko) 2004-11-30 2013-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자 및 발광 장치
JP4906048B2 (ja) * 2004-11-30 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、及び電子機器
US8927114B2 (en) 2004-11-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and electronic device using the same
JP5392970B2 (ja) * 2004-11-30 2014-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子及びそれを用いた電子機器
US7714501B2 (en) 2004-12-01 2010-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device and electronic equipment
JP2006156267A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Sony Corp 表示装置の製造方法および表示装置
US7776456B2 (en) 2004-12-03 2010-08-17 Universal Display Corporation Organic light emitting devices with an emissive region having emissive and non-emissive layers and method of making
US7667389B2 (en) 2004-12-06 2010-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
CN101894917B (zh) * 2004-12-06 2012-08-29 株式会社半导体能源研究所 发光元件和使用该元件的发光装置
US7989694B2 (en) * 2004-12-06 2011-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element, solar battery, and photo sensor
JP4789598B2 (ja) * 2004-12-06 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子及び電子機器
US20070216292A1 (en) * 2004-12-06 2007-09-20 Satoshi Seo Composite Material Including organic Compound And Inorganic Compound Light-Emitting Element And Light-Emitting Device Using The Composite Compound, And Manufacturing Method Of The Light-Emitting Element
JP2006190995A (ja) * 2004-12-06 2006-07-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機化合物と無機化合物とを含む複合材料、前記複合材料を用いた発光素子および発光装置、並びに前記発光素子の作製方法
JP4626967B2 (ja) * 2004-12-07 2011-02-09 スタンレー電気株式会社 面発光素子及びその製造方法
JP4496949B2 (ja) * 2004-12-13 2010-07-07 株式会社豊田自動織機 有機ｅｌ素子
JP4496948B2 (ja) * 2004-12-13 2010-07-07 株式会社豊田自動織機 有機ｅｌ素子
JP4712372B2 (ja) 2004-12-16 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8217569B2 (en) 2004-12-28 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low drive voltage light emitting element
US7075231B1 (en) 2005-01-03 2006-07-11 Eastman Kodak Company Tandem OLEDs having low drive voltage
JP4939809B2 (ja) * 2005-01-21 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2006210155A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置および電子機器
TWI445178B (zh) 2005-01-28 2014-07-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI505473B (zh) * 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
WO2006080553A1 (en) * 2005-01-31 2006-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Hole-injecting material, material for light-emitting element, light-emitting element, organic compound, monomer, and monomer mixture
EP1846963A4 (en) * 2005-02-08 2010-08-04 Semiconductor Energy Lab LIGHT ELEMENT, ILLUMINATING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
JP5159042B2 (ja) * 2005-02-08 2013-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置及び電子機器
JP5072233B2 (ja) * 2005-02-15 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、照明装置、発光装置および電子機器
US9530968B2 (en) 2005-02-15 2016-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device
US7494722B2 (en) 2005-02-23 2009-02-24 Eastman Kodak Company Tandem OLED having an organic intermediate connector
JP5707013B2 (ja) * 2005-02-28 2015-04-22 株式会社半導体エネルギー研究所 複合材料、並びに前記複合材料を用いた発光素子、発光装置及び電気機器
KR101336111B1 (ko) * 2005-02-28 2013-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합재료, 상기 복합재료를 사용한 발광소자, 발광장치 및전자기기
WO2006093176A1 (ja) * 2005-03-04 2006-09-08 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示装置および照明装置
DE502005002342D1 (de) * 2005-03-15 2008-02-07 Novaled Ag Lichtemittierendes Bauelement
US8026531B2 (en) * 2005-03-22 2011-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP5078267B2 (ja) * 2005-03-22 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP5025151B2 (ja) * 2005-03-23 2012-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 蒸着物の作製方法
JP5089063B2 (ja) * 2005-03-23 2012-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 複合材料および複合材料を用いた発光素子並びに発光装置
KR101290099B1 (ko) * 2005-03-23 2013-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합재료, 발광소자용 재료, 발광소자, 발광장치 및전자기기
JP5878272B2 (ja) * 2005-03-23 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 複合材料、発光素子、発光装置及び電気機器
US8420227B2 (en) * 2005-03-23 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light emitting element and light emitting device
US7649197B2 (en) 2005-03-23 2010-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, and light emitting element and light emitting device using the composite material
JP5008324B2 (ja) * 2005-03-23 2012-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 複合材料、発光素子用材料、発光素子、発光装置及び電子機器。
JP2006269351A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Aitesu:Kk トップエミッション型マルチフォトン有機ｅｌ表示パネル
WO2006104020A1 (en) * 2005-03-25 2006-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device and electric appliance using the same
JP5238136B2 (ja) * 2005-03-25 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP5072243B2 (ja) * 2005-03-25 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7851989B2 (en) 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4737746B2 (ja) * 2005-03-30 2011-08-03 株式会社昭和真空 薄膜形成方法及びその装置
US8906517B2 (en) 2005-04-04 2014-12-09 Sony Corporation Organic electroluminescence device
JP4792828B2 (ja) * 2005-06-17 2011-10-12 ソニー株式会社 表示素子
US7777232B2 (en) * 2005-04-11 2010-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device using the same
ATE381117T1 (de) 2005-04-13 2007-12-15 Novaled Ag Anordnung für eine organische leuchtdiode vom pin-typ und verfahren zum herstellen
JP4507964B2 (ja) * 2005-04-15 2010-07-21 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
US7271537B2 (en) 2005-04-15 2007-09-18 Sony Corporation Display device and a method of manufacturing the display device
JP4797438B2 (ja) * 2005-05-17 2011-10-19 ソニー株式会社 有機電界発光素子および表示装置
US7928938B2 (en) * 2005-04-19 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus
US8057916B2 (en) * 2005-04-20 2011-11-15 Global Oled Technology, Llc. OLED device with improved performance
KR101253998B1 (ko) * 2005-04-21 2013-04-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치 및 전자 장치
CN100431195C (zh) * 2005-04-22 2008-11-05 友达光电股份有限公司 有机发光元件
EP1720149A3 (en) * 2005-05-02 2007-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7777407B2 (en) * 2005-05-04 2010-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer
US8487527B2 (en) 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US7943244B2 (en) * 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes
US7795806B2 (en) * 2005-05-20 2010-09-14 Lg Display Co., Ltd. Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML)
US7728517B2 (en) * 2005-05-20 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Intermediate electrodes for stacked OLEDs
EP1724852A3 (en) 2005-05-20 2010-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US7750561B2 (en) * 2005-05-20 2010-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stacked OLED structure
US7811679B2 (en) * 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
US8334057B2 (en) 2005-06-08 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8269227B2 (en) 2005-06-09 2012-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
JP2007019487A (ja) * 2005-06-09 2007-01-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
TWI295900B (en) * 2005-06-16 2008-04-11 Au Optronics Corp Method for improving color-shift of serially connected organic electroluminescence device
US8017252B2 (en) 2005-06-22 2011-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
JP4876453B2 (ja) * 2005-06-29 2012-02-15 ソニー株式会社 有機発光素子および有機発光装置
US7564182B2 (en) 2005-06-29 2009-07-21 Eastman Kodak Company Broadband light tandem OLED display
US7531959B2 (en) 2005-06-29 2009-05-12 Eastman Kodak Company White light tandem OLED display with filters
JP2007012369A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Sony Corp 有機発光素子および有機発光装置
JP4890117B2 (ja) * 2005-06-30 2012-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US8729795B2 (en) 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
US7745989B2 (en) 2005-06-30 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus
US8288180B2 (en) 2005-07-04 2012-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light emitting device
WO2007004729A1 (en) 2005-07-06 2007-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP4954623B2 (ja) * 2005-07-08 2012-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8659008B2 (en) * 2005-07-08 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material
US8629819B2 (en) 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP2007027326A (ja) * 2005-07-14 2007-02-01 Niigata Univ 有機電界効果トランジスタ
TWI321968B (en) * 2005-07-15 2010-03-11 Lg Chemical Ltd Organic light meitting device and method for manufacturing the same
KR100806812B1 (ko) * 2005-07-25 2008-02-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
CN102163697B (zh) * 2005-07-25 2015-09-16 株式会社半导体能源研究所 发光元件,发光器件,和电子设备
JP4785509B2 (ja) * 2005-11-30 2011-10-05 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4767059B2 (ja) * 2006-03-27 2011-09-07 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US7994711B2 (en) 2005-08-08 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4842587B2 (ja) * 2005-08-11 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 フェナントロリン誘導体化合物、並びにそれを利用する電子輸送性材料、発光素子、発光装置及び電子機器
KR20070019495A (ko) * 2005-08-12 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 그의 제조방법
WO2007020804A1 (en) * 2005-08-12 2007-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Arylamine compound and synthetic method thereof
JP4869661B2 (ja) * 2005-08-23 2012-02-08 株式会社Ｊｖｃケンウッド 表示装置
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
KR100721947B1 (ko) * 2005-08-29 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 다수의 발광층을 구비하는 유기 전계 발광 소자
US20070046189A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Eastman Kodak Company Intermediate connector for a tandem OLED device
KR101540037B1 (ko) 2005-09-12 2015-07-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 퀴녹살린 유도체, 및 퀴녹살린 유도체를 사용한 발광소자, 발광장치, 전자 기기
US7712009B2 (en) * 2005-09-21 2010-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Cyclic redundancy check circuit and semiconductor device having the cyclic redundancy check circuit
CN101288343B (zh) * 2005-09-22 2010-08-25 松下电工株式会社 有机发光元件及其制备方法
JP4769068B2 (ja) * 2005-09-22 2011-09-07 パナソニック電工株式会社 有機発光素子及びその製造方法
CN101278403B (zh) 2005-10-14 2010-12-01 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
EP1784055A3 (en) 2005-10-17 2009-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting system
JP2007123611A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
US20070098891A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Eastman Kodak Company Vapor deposition apparatus and method
JP5078329B2 (ja) * 2005-11-30 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置並びに電子機器
JP2007157629A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
KR100730190B1 (ko) * 2005-12-20 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 소자 및 이의 제조방법
KR100741098B1 (ko) * 2005-12-20 2007-07-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 소자 및 이의 제조방법
JP4673279B2 (ja) * 2005-12-20 2011-04-20 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機発光表示素子及びその製造方法
EP1806795B1 (de) * 2005-12-21 2008-07-09 Novaled AG Organisches Bauelement
EP1804308B1 (en) 2005-12-23 2012-04-04 Novaled AG An organic light emitting device with a plurality of organic electroluminescent units stacked upon each other
DE602006001930D1 (de) 2005-12-23 2008-09-04 Novaled Ag tur von organischen Schichten
EP1808909A1 (de) 2006-01-11 2007-07-18 Novaled AG Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung
JP2007188677A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ素子
JP2009524189A (ja) * 2006-01-18 2009-06-25 エルジー・ケム・リミテッド 積層型有機発光素子
KR20080095244A (ko) 2006-02-07 2008-10-28 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자
US7528418B2 (en) * 2006-02-24 2009-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP4896544B2 (ja) 2006-03-06 2012-03-14 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
WO2007105906A1 (en) * 2006-03-14 2007-09-20 Lg Chem, Ltd. Organic light emitting diode having high efficiency and process for fabricating the same
US7641815B2 (en) * 2006-03-21 2010-01-05 Ultradots, Inc. Luminescent materials that emit light in the visible range or the near infrared range
US9112170B2 (en) 2006-03-21 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US20080038494A1 (en) * 2006-03-21 2008-02-14 Midgley John A Authenticating and identifying objects by detecting markings through turbid materials
US7332860B2 (en) * 2006-03-30 2008-02-19 Eastman Kodak Company Efficient white-light OLED display with filters
EP1843194A1 (en) 2006-04-06 2007-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
EP1848049B1 (de) * 2006-04-19 2009-12-09 Novaled AG Lichtemittierendes Bauelement
US7951421B2 (en) * 2006-04-20 2011-05-31 Global Oled Technology Llc Vapor deposition of a layer
WO2007123061A1 (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機発光素子
TWI307978B (en) 2006-04-28 2009-03-21 Au Optronics Corp Cascade organic electroluminescent device
EP2084123B1 (en) 2006-04-28 2014-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anthracene derivative, and light-emitting element, light-emitting device, electronic device using anthracene derivative
WO2007132965A1 (en) * 2006-05-12 2007-11-22 Cheong-A Baek High brightness electro luminescence device and method for manufacturing thereof
KR101084100B1 (ko) * 2006-06-01 2011-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자
EP1863105B1 (en) * 2006-06-02 2020-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
EP1876658A3 (en) * 2006-07-04 2014-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8974918B2 (en) 2006-07-04 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US7902742B2 (en) 2006-07-04 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP2008034367A (ja) * 2006-07-04 2008-02-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2006344606A (ja) * 2006-07-31 2006-12-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
JP2008047340A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100881455B1 (ko) * 2006-08-14 2009-02-06 주식회사 잉크테크 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
JP5237541B2 (ja) * 2006-09-21 2013-07-17 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US10700141B2 (en) 2006-09-29 2020-06-30 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Method and apparatus for infrared detection and display
US7646015B2 (en) * 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
JP2008135258A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Dic Corp 分散型無機エレクトロルミネッセンスパネル
JP5030742B2 (ja) 2006-11-30 2012-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
US9397308B2 (en) * 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
KR100796604B1 (ko) 2006-12-15 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
WO2008075615A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light-emitting device
TWI502049B (zh) * 2006-12-28 2015-10-01 Semiconductor Energy Lab 有機化合物及合成有機化合物與蒽衍生物之方法
KR101407574B1 (ko) 2007-01-12 2014-06-17 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
EP2117063B1 (en) 2007-02-19 2012-09-26 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic electroluminescence element
DE102007023876A1 (de) * 2007-03-02 2008-09-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrisches organisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2008108254A1 (en) * 2007-03-07 2008-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light-emitting device
KR20080083881A (ko) 2007-03-13 2008-09-19 삼성전자주식회사 색 조절층을 구비한 백색 유기발광소자
US7723722B2 (en) 2007-03-23 2010-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic compound, anthracene derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device using anthracene derivative
WO2008120603A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 発光素子
US7875881B2 (en) * 2007-04-03 2011-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
JP4939284B2 (ja) 2007-04-05 2012-05-23 財団法人山形県産業技術振興機構 有機エレクトロルミネッセント素子
DE102007019260B4 (de) * 2007-04-17 2020-01-16 Novaled Gmbh Nichtflüchtiges organisches Speicherelement
DE102007024153A1 (de) 2007-04-23 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrisches organisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US7816859B2 (en) * 2007-04-30 2010-10-19 Global Oled Technology Llc White light tandem OLED
US7948165B2 (en) * 2007-05-09 2011-05-24 Global Oled Technology Llc High-performance tandem white OLED
JP5542297B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP4989309B2 (ja) 2007-05-18 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR101482760B1 (ko) 2007-06-14 2015-01-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기, 및 발광장치의 제조 방법
JP2010531067A (ja) 2007-06-22 2010-09-16 ウルトラドッツ・インコーポレイテッド スペクトルコンセントレータの使用で効率が高められたソーラーモジュール
US20090001885A1 (en) * 2007-06-27 2009-01-01 Spindler Jeffrey P Tandem oled device
JP5208591B2 (ja) 2007-06-28 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び照明装置
US8354674B2 (en) 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
JP5452853B2 (ja) * 2007-08-28 2014-03-26 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009076865A (ja) 2007-08-29 2009-04-09 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
EP2444470B1 (en) 2007-08-31 2016-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance
KR100850886B1 (ko) * 2007-09-07 2008-08-07 (주)그라쎌 전기발광용 유기금속 화합물 및 이를 발광재료로 채용하고있는 표시소자
KR101548382B1 (ko) 2007-09-14 2015-08-28 유디씨 아일랜드 리미티드 유기 전계 발광 소자
CN101803058B (zh) * 2007-10-19 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光设备和电子设备
KR100923655B1 (ko) * 2007-11-02 2009-10-28 (주)그라쎌 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자
KR100923571B1 (ko) * 2007-11-05 2009-10-27 (주)그라쎌 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자
JP5281271B2 (ja) * 2007-11-09 2013-09-04 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100933228B1 (ko) * 2007-11-15 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자
JP5489446B2 (ja) 2007-11-15 2014-05-14 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP5489445B2 (ja) 2007-11-15 2014-05-14 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
KR100933226B1 (ko) * 2007-11-20 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자
KR100933225B1 (ko) * 2007-11-27 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는유기발광소자
US8877350B2 (en) 2007-12-11 2014-11-04 Global Oled Technology Llc White OLED with two blue light-emitting layers
EP2075850A3 (en) * 2007-12-28 2011-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
NO332409B1 (no) * 2008-01-24 2012-09-17 Well Technology As Anordning og fremgangsmate for a isolere en seksjon av et bronnhull
US7804245B2 (en) * 2008-01-24 2010-09-28 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved brightness uniformity
KR100966886B1 (ko) * 2008-01-29 2010-06-30 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자
US7955719B2 (en) 2008-01-30 2011-06-07 Global Oled Technology Llc Tandem OLED device with intermediate connector
US7821201B2 (en) * 2008-01-31 2010-10-26 Global Oled Technology Llc Tandem OLED device with intermediate connector
EP2257984A1 (en) * 2008-02-22 2010-12-08 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Double sided organic light emitting diode (oled)
EA201001219A1 (ru) * 2008-02-25 2011-02-28 Йехи-Ор Лайт Криэйшн Лтд. Высокоэффективная газонаполненная лампа
KR20090092051A (ko) 2008-02-26 2009-08-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
JP5243972B2 (ja) 2008-02-28 2013-07-24 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
KR100966885B1 (ko) * 2008-02-29 2010-06-30 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전계 발광 소자
JP5343853B2 (ja) * 2008-03-13 2013-11-13 株式会社村田製作所 ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層型セラミック電子部品
KR100946409B1 (ko) * 2008-03-19 2010-03-09 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전계 발광 소자
JP4555358B2 (ja) 2008-03-24 2010-09-29 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
JP2009245787A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP4734368B2 (ja) * 2008-03-31 2011-07-27 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光表示装置
JP5593621B2 (ja) 2008-04-03 2014-09-24 ソニー株式会社 有機電界発光素子および表示装置
JP4531836B2 (ja) 2008-04-22 2010-08-25 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子並びに新規な白金錯体化合物及びその配位子となり得る新規化合物
US9041202B2 (en) 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2009301731A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Rohm Co Ltd 有機発光装置及び有機発光装置の製造方法
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
KR102383642B1 (ko) 2008-07-10 2022-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
JP5476061B2 (ja) 2008-07-30 2014-04-23 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US8945981B2 (en) * 2008-07-31 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI500159B (zh) 2008-07-31 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
TWI622175B (zh) 2008-07-31 2018-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI711182B (zh) 2008-07-31 2020-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US9666719B2 (en) 2008-07-31 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
DE102008036063B4 (de) * 2008-08-04 2017-08-31 Novaled Gmbh Organischer Feldeffekt-Transistor
DE102008036062B4 (de) 2008-08-04 2015-11-12 Novaled Ag Organischer Feldeffekt-Transistor
TWI500160B (zh) * 2008-08-08 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP5525778B2 (ja) 2008-08-08 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI637444B (zh) 2008-08-08 2018-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5480554B2 (ja) * 2008-08-08 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI508282B (zh) 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP2010055926A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
TWI606592B (zh) 2008-09-01 2017-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2327069A4 (en) 2008-09-12 2013-03-20 Semiconductor Energy Lab DISPLAY DEVICE
WO2010029859A1 (en) * 2008-09-12 2010-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101772377B1 (ko) * 2008-09-12 2017-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101545460B1 (ko) * 2008-09-12 2015-08-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 생산 방법
US7977872B2 (en) * 2008-09-16 2011-07-12 Global Oled Technology Llc High-color-temperature tandem white OLED
KR101622978B1 (ko) * 2008-09-19 2016-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR101660327B1 (ko) 2008-09-19 2016-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
WO2010032619A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101762112B1 (ko) 2008-09-19 2017-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정표시장치
KR102150275B1 (ko) 2008-09-19 2020-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
WO2010038599A1 (en) 2008-10-01 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP2172804B1 (en) 2008-10-03 2016-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device
CN103928476A (zh) 2008-10-03 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
KR101652693B1 (ko) 2008-10-03 2016-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2010038820A1 (en) 2008-10-03 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN101719493B (zh) 2008-10-08 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP5484853B2 (ja) * 2008-10-10 2014-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2010044478A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device
JP5361651B2 (ja) 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2010102968A (ja) * 2008-10-23 2010-05-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 照明光通信システム用の送信装置
JP5442234B2 (ja) 2008-10-24 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
CN102386236B (zh) 2008-10-24 2016-02-10 株式会社半导体能源研究所 半导体器件和用于制造该半导体器件的方法
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8106400B2 (en) 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5616012B2 (ja) * 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2010047288A1 (en) 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101667909B1 (ko) 2008-10-24 2016-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
KR101841892B1 (ko) 2008-10-28 2018-03-23 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 별개의 적색, 녹색 및 청색 서브엘리먼트를 갖는 적층형 백색 ｏｌｅｄ
WO2010050419A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and display device
KR101631454B1 (ko) * 2008-10-31 2016-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리회로
TWI478356B (zh) 2008-10-31 2015-03-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
KR101603303B1 (ko) 2008-10-31 2016-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법
TWI487104B (zh) 2008-11-07 2015-06-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
CN101740631B (zh) * 2008-11-07 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及该半导体装置的制造方法
EP2184783B1 (en) * 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI589006B (zh) 2008-11-07 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP2010135771A (ja) 2008-11-07 2010-06-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び当該半導体装置の作製方法
KR101659703B1 (ko) * 2008-11-07 2016-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI656645B (zh) 2008-11-13 2019-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101432764B1 (ko) 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010153365A (ja) 2008-11-19 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
JP2010153802A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2010153820A (ja) 2008-11-21 2010-07-08 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
KR101785887B1 (ko) 2008-11-21 2017-10-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
JP5314393B2 (ja) * 2008-11-26 2013-10-16 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI529949B (zh) 2008-11-28 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI585955B (zh) * 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置
TWI616707B (zh) * 2008-11-28 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
TWI609604B (zh) * 2008-12-01 2017-12-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、照明裝置、及電子裝置
KR101472771B1 (ko) * 2008-12-01 2014-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI613489B (zh) 2008-12-03 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP5491833B2 (ja) 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5390850B2 (ja) * 2008-12-19 2014-01-15 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101642384B1 (ko) * 2008-12-19 2016-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터의 제작 방법
JP5615540B2 (ja) * 2008-12-19 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2202802B1 (en) 2008-12-24 2012-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
KR101719350B1 (ko) * 2008-12-25 2017-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8383470B2 (en) 2008-12-25 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
TWI654689B (zh) 2008-12-26 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5590877B2 (ja) 2008-12-26 2014-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101648927B1 (ko) 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8492756B2 (en) 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8436350B2 (en) * 2009-01-30 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters
JP2010182449A (ja) 2009-02-03 2010-08-19 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置
US8367486B2 (en) 2009-02-05 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the transistor
US8174021B2 (en) 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US8749930B2 (en) * 2009-02-09 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device
US8278657B2 (en) 2009-02-13 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8247812B2 (en) * 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
CN101840936B (zh) * 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
JP2010186723A (ja) 2009-02-13 2010-08-26 Fujifilm Corp 有機ｅｌ装置及びその製造方法
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8841661B2 (en) 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2010205650A (ja) 2009-03-05 2010-09-16 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置
US20100224878A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8461582B2 (en) * 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5504008B2 (ja) 2009-03-06 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5434159B2 (ja) * 2009-03-12 2014-03-05 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
CN102349158B (zh) 2009-03-12 2015-05-06 株式会社半导体能源研究所 制造半导体器件的方法
TWI556323B (zh) 2009-03-13 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
KR101511072B1 (ko) * 2009-03-20 2015-04-10 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광소자
US8450144B2 (en) * 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101752640B1 (ko) 2009-03-27 2017-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
TWI529942B (zh) 2009-03-27 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101681884B1 (ko) * 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
TWI485851B (zh) * 2009-03-30 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
EP2416628A4 (en) * 2009-04-01 2013-08-14 Ason Technology Co Ltd ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
US8338226B2 (en) * 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI489628B (zh) 2009-04-02 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US8283054B2 (en) * 2009-04-03 2012-10-09 Global Oled Technology Llc Tandem white OLED with efficient electron transfer
JP5615018B2 (ja) 2009-04-10 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
TWI535023B (zh) 2009-04-16 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI407831B (zh) * 2009-04-17 2013-09-01 Innolux Corp 影像顯示系統
CN102422426B (zh) * 2009-05-01 2016-06-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
WO2010133208A1 (de) * 2009-05-19 2010-11-25 Technische Universität Dresden Halbleitendes bauelement
JP5751762B2 (ja) 2009-05-21 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP2256795B1 (en) 2009-05-29 2014-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for oxide semiconductor device
EP2256814B1 (en) 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
US8389979B2 (en) * 2009-05-29 2013-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR101703524B1 (ko) 2009-05-29 2017-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자기기 및 조명 장치
JP5564331B2 (ja) * 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2010287484A (ja) * 2009-06-12 2010-12-24 Sony Corp 有機発光素子、並びにこれを備えた表示装置および照明装置
EP3236504A1 (en) 2009-06-30 2017-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN102460713B (zh) 2009-06-30 2016-12-07 株式会社半导体能源研究所 用于制造半导体器件的方法
KR101810699B1 (ko) 2009-06-30 2018-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
KR20120031026A (ko) 2009-06-30 2012-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
US20110000175A1 (en) * 2009-07-01 2011-01-06 Husqvarna Consumer Outdoor Products N.A. Inc. Variable speed controller
JP5663214B2 (ja) * 2009-07-03 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2449593B1 (en) 2009-07-03 2019-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101476817B1 (ko) 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
KR101791370B1 (ko) 2009-07-10 2017-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN104835850B (zh) 2009-07-10 2018-10-26 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101801500B1 (ko) 2009-07-10 2017-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011007675A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011007682A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
WO2011007677A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101870460B1 (ko) 2009-07-18 2018-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2011010545A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102751295B (zh) 2009-07-18 2015-07-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置与用于制造半导体装置的方法
KR101782176B1 (ko) 2009-07-18 2017-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US8987726B2 (en) 2009-07-23 2015-03-24 Kaneka Corporation Organic electroluminescent element
WO2011010542A1 (en) 2009-07-23 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8664647B2 (en) 2009-07-23 2014-03-04 Kaneka Corporation Organic electroluminescent element
KR101904811B1 (ko) 2009-07-24 2018-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101839292B1 (ko) 2009-07-28 2018-03-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치의 검사 방법 및 제조 방법
WO2011013502A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011013522A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102215941B1 (ko) 2009-07-31 2021-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011013523A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102153841B1 (ko) * 2009-07-31 2020-09-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP5054737B2 (ja) * 2009-08-05 2012-10-24 財団法人山形県産業技術振興機構 有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI746064B (zh) 2009-08-07 2021-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI596741B (zh) 2009-08-07 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI634642B (zh) 2009-08-07 2018-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP5663231B2 (ja) * 2009-08-07 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI604594B (zh) * 2009-08-07 2017-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置
JP5642447B2 (ja) 2009-08-07 2014-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP2284891B1 (en) * 2009-08-07 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2009259852A (ja) * 2009-08-12 2009-11-05 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス発光素子
CN102474934B (zh) 2009-08-27 2014-12-31 株式会社钟化 集成化有机发光装置、有机发光装置的制造方法及有机发光装置
US8115883B2 (en) 2009-08-27 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
WO2011027649A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011027702A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP5700626B2 (ja) * 2009-09-04 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
WO2011027664A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101746198B1 (ko) 2009-09-04 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR101791812B1 (ko) 2009-09-04 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011027656A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
WO2011027661A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
CN102598283B (zh) 2009-09-04 2016-05-18 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
CN102484922B (zh) 2009-09-07 2015-08-19 株式会社半导体能源研究所 发光元件,发光器件,照明器件和电子器件
JP2011060549A (ja) 2009-09-09 2011-03-24 Fujifilm Corp 有機ｅｌ装置用光学部材及び有機ｅｌ装置
JP5473506B2 (ja) 2009-09-14 2014-04-16 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド カラーフィルタ及び発光表示素子
JP5657243B2 (ja) 2009-09-14 2015-01-21 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド カラーフィルタ及び発光表示素子
KR102113064B1 (ko) 2009-09-16 2020-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
CN105448937A (zh) 2009-09-16 2016-03-30 株式会社半导体能源研究所 晶体管及显示设备
US9715845B2 (en) 2009-09-16 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
WO2011033914A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device and display device
KR101470811B1 (ko) 2009-09-16 2014-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011034012A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
KR101700470B1 (ko) * 2009-09-16 2017-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기
KR102157249B1 (ko) * 2009-09-16 2020-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101470785B1 (ko) 2009-09-24 2014-12-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
TWI512997B (zh) * 2009-09-24 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法
KR20120071393A (ko) 2009-09-24 2012-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101608923B1 (ko) 2009-09-24 2016-04-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
KR101342343B1 (ko) 2009-09-24 2013-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자의 제작 방법
KR20180094132A (ko) 2009-09-24 2018-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 상기 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 상기 표시 장치를 포함하는 전자 기기
WO2011037008A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
WO2011036987A1 (en) * 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101707260B1 (ko) * 2009-09-24 2017-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5676867B2 (ja) * 2009-09-29 2015-02-25 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101883330B1 (ko) * 2009-09-30 2018-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레독스 커패시터 및 그 제작 방법
WO2011040213A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011043182A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device
KR20120084751A (ko) 2009-10-05 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101980505B1 (ko) 2009-10-08 2019-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체층, 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN105185837B (zh) * 2009-10-08 2018-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体器件、显示装置和电子电器
EP2486569B1 (en) 2009-10-09 2019-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device
WO2011043164A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR101944239B1 (ko) * 2009-10-09 2019-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기
KR101820973B1 (ko) 2009-10-09 2018-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
WO2011043218A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2486595B1 (en) 2009-10-09 2019-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
EP2486593B1 (en) 2009-10-09 2017-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011043217A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN107180608B (zh) 2009-10-09 2020-10-02 株式会社半导体能源研究所 移位寄存器和显示装置以及其驱动方法
WO2011043206A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101832698B1 (ko) * 2009-10-14 2018-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101801538B1 (ko) 2009-10-16 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로 및 반도체 장치
CN110908203A (zh) * 2009-10-16 2020-03-24 株式会社半导体能源研究所 显示设备
WO2011046048A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101865546B1 (ko) * 2009-10-16 2018-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기
MY158956A (en) 2009-10-16 2016-11-30 Semiconductor Energy Lab Logic circuit and semiconductor device
WO2011048925A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011048923A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
CN102723364B (zh) 2009-10-21 2015-02-25 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR102162746B1 (ko) 2009-10-21 2020-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
CN102598280B (zh) 2009-10-21 2016-05-18 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器件及包括该液晶显示器件的电子设备
CN102576734B (zh) 2009-10-21 2015-04-22 株式会社半导体能源研究所 显示装置和包括显示装置的电子设备
WO2011049230A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
KR101847656B1 (ko) 2009-10-21 2018-05-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
US8642190B2 (en) * 2009-10-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fluorene derivative, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
MY164205A (en) 2009-10-29 2017-11-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
KR20190006091A (ko) 2009-10-29 2019-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011052437A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
CN102576172B (zh) * 2009-10-30 2016-01-27 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备、其驱动方法以及包括该液晶显示设备的电子电器
KR101740684B1 (ko) 2009-10-30 2017-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 다이오드, 정류기 및 그것을 가지는 반도체 장치
WO2011052409A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
CN102668096B (zh) 2009-10-30 2015-04-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011052385A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101751712B1 (ko) 2009-10-30 2017-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전압 조정 회로
WO2011052488A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011052413A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device, and electronic device
MY180559A (en) * 2009-10-30 2020-12-02 Semiconductor Energy Lab Logic circuit and semiconductor device
WO2011052382A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101712340B1 (ko) 2009-10-30 2017-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기
WO2011052411A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
KR101752348B1 (ko) 2009-10-30 2017-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102574883B (zh) * 2009-11-02 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 有机金属配合物、发光元件、显示器件、电子器件和照明器件
US8404500B2 (en) 2009-11-02 2013-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
WO2011055769A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and semiconductor device, and deposition apparatus
CN104600074A (zh) 2009-11-06 2015-05-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101727469B1 (ko) 2009-11-06 2017-04-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101876470B1 (ko) 2009-11-06 2018-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN104681079B (zh) 2009-11-06 2018-02-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及用于驱动半导体装置的方法
JP5539846B2 (ja) 2009-11-06 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 評価方法、半導体装置の作製方法
KR101747158B1 (ko) 2009-11-06 2017-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
KR101952065B1 (ko) 2009-11-06 2019-02-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 동작 방법
KR20230007544A (ko) 2009-11-06 2023-01-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101645680B1 (ko) 2009-11-06 2016-08-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101876473B1 (ko) 2009-11-06 2018-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2011055668A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4926229B2 (ja) * 2009-11-11 2012-05-09 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
KR102329497B1 (ko) 2009-11-13 2021-11-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
WO2011058882A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor
KR101975741B1 (ko) * 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
KR101738996B1 (ko) * 2009-11-13 2017-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 메모리 소자를 포함하는 장치
WO2011058913A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101751560B1 (ko) * 2009-11-13 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101893332B1 (ko) 2009-11-13 2018-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
WO2011058852A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20170076818A (ko) * 2009-11-13 2017-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제작 방법 및 트랜지스터
KR102138547B1 (ko) 2009-11-13 2020-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011062029A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
KR101700154B1 (ko) 2009-11-20 2017-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 래치 회로와 회로
KR20140074404A (ko) 2009-11-20 2014-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
WO2011062058A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5762723B2 (ja) 2009-11-20 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 変調回路及びそれを備えた半導体装置
CN103151266B (zh) 2009-11-20 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 用于制造半导体器件的方法
WO2011062041A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
KR101922849B1 (ko) 2009-11-20 2018-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101790365B1 (ko) * 2009-11-20 2017-10-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101752212B1 (ko) 2009-11-20 2017-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101800852B1 (ko) 2009-11-20 2017-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CA2781432A1 (en) 2009-11-24 2011-06-03 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for sensing infrared radiation
KR101662359B1 (ko) * 2009-11-24 2016-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 셀을 포함하는 반도체 장치
WO2011065209A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
KR20170091760A (ko) * 2009-11-27 2017-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101943051B1 (ko) 2009-11-27 2019-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
WO2011065258A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5573127B2 (ja) 2009-11-27 2014-08-20 セイコーエプソン株式会社 発光素子、表示装置および電子機器
CN102668028B (zh) 2009-11-28 2015-09-02 株式会社半导体能源研究所 层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法
WO2011065210A1 (en) * 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
KR101824124B1 (ko) 2009-11-28 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101895080B1 (ko) 2009-11-28 2018-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20180030255A (ko) * 2009-11-30 2018-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 액정 표시 장치의 구동 방법, 및 이 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기
JP2011139044A (ja) * 2009-12-01 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
KR20120107107A (ko) 2009-12-04 2012-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011068033A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011068025A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc converter circuit and power supply circuit
JP2011139052A (ja) 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
KR101125570B1 (ko) 2009-12-04 2012-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
WO2011068021A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011068028A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
WO2011068017A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
KR20170100065A (ko) 2009-12-04 2017-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011068016A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102640272B (zh) 2009-12-04 2015-05-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011068032A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5584103B2 (ja) 2009-12-04 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011068106A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
KR101835300B1 (ko) 2009-12-08 2018-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
ES2648256T3 (es) * 2009-12-08 2017-12-29 OmniPV, Inc. Materiales luminiscentes que emiten luz en el rango visible o en un rango cercano al de infrarrojos y métodos de formación de los mismos
KR101511076B1 (ko) * 2009-12-08 2015-04-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101742777B1 (ko) 2009-12-10 2017-06-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
CN102656683B (zh) 2009-12-11 2015-02-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20170116239A (ko) 2009-12-11 2017-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
JP5727204B2 (ja) 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101777643B1 (ko) * 2009-12-11 2017-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 논리 회로, 및 cpu
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2011070901A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5185357B2 (ja) * 2009-12-17 2013-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9057758B2 (en) * 2009-12-18 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group
CN102725784B (zh) 2009-12-18 2016-03-23 株式会社半导体能源研究所 具有光学传感器的显示设备及其驱动方法
WO2011074409A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN107886916B (zh) 2009-12-18 2021-09-21 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及其驱动方法
WO2011074407A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101729933B1 (ko) * 2009-12-18 2017-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 래치 회로와 논리 회로, 및 이를 사용한 반도체 장치
KR101813460B1 (ko) 2009-12-18 2017-12-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102656625B (zh) * 2009-12-18 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 用于驱动液晶显示设备的方法
KR102352590B1 (ko) 2009-12-18 2022-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
CN105429621B (zh) * 2009-12-23 2019-03-19 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011077916A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20120101716A (ko) 2009-12-24 2012-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
EP2517245B1 (en) 2009-12-25 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
WO2011077978A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
WO2011077925A1 (en) * 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving liquid crystal display device
KR20170142998A (ko) * 2009-12-25 2017-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
WO2011078373A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device, semiconductor device, and electronic device
KR101781336B1 (ko) * 2009-12-25 2017-09-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8441009B2 (en) * 2009-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102903758B (zh) 2009-12-28 2015-06-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
EP2519969A4 (en) * 2009-12-28 2016-07-06 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
WO2011081041A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
TWI536628B (zh) * 2009-12-28 2016-06-01 住友化學股份有限公司 有機電場發光元件
KR102198144B1 (ko) * 2009-12-28 2021-01-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치와 반도체 장치
CN105353551A (zh) 2009-12-28 2016-02-24 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及电子设备
KR101762316B1 (ko) 2009-12-28 2017-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8780629B2 (en) * 2010-01-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011086871A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101698537B1 (ko) * 2010-01-15 2017-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101943807B1 (ko) * 2010-01-15 2019-01-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102471810B1 (ko) 2010-01-15 2022-11-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법
KR101798367B1 (ko) 2010-01-15 2017-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011086837A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
EP2526622B1 (en) 2010-01-20 2015-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
KR101889382B1 (ko) * 2010-01-20 2018-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기 및 전자 시스템
WO2011090087A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display method of display device
KR101842860B1 (ko) 2010-01-20 2018-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법
US9984617B2 (en) 2010-01-20 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including light emitting element
KR101750126B1 (ko) * 2010-01-20 2017-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치
US8415731B2 (en) * 2010-01-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections
KR101747421B1 (ko) 2010-01-20 2017-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
KR101861991B1 (ko) 2010-01-20 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 신호 처리 회로 및 신호 처리 회로를 구동하기 위한 방법
KR102542681B1 (ko) 2010-01-20 2023-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
US8288187B2 (en) * 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
KR102253973B1 (ko) 2010-01-20 2021-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102174859B1 (ko) * 2010-01-22 2020-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101773641B1 (ko) 2010-01-22 2017-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102714209B (zh) 2010-01-22 2015-09-16 株式会社半导体能源研究所 半导体存储器件及其驱动方法
KR102069496B1 (ko) 2010-01-24 2020-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102008754B1 (ko) * 2010-01-24 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
US8879010B2 (en) 2010-01-24 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9401493B2 (en) 2010-01-26 2016-07-26 Unified Innovative Technology, Llc Organic electroluminescent element, method for manufacturing same, and organic electroluminescent display device
KR20120120330A (ko) 2010-01-29 2012-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011093151A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the same
KR101800850B1 (ko) * 2010-01-29 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
US9391209B2 (en) 2010-02-05 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102725851B (zh) 2010-02-05 2016-01-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和制造半导体装置的方法
US8436403B2 (en) * 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
WO2011096277A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
WO2011096275A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102742001B (zh) 2010-02-05 2017-03-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101921618B1 (ko) 2010-02-05 2018-11-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
WO2011096153A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011096270A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101135536B1 (ko) * 2010-02-05 2012-04-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
WO2011096286A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and semiconductor device
KR20230141883A (ko) 2010-02-05 2023-10-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101810261B1 (ko) * 2010-02-10 2017-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
US8947337B2 (en) 2010-02-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101775180B1 (ko) 2010-02-12 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
US8617920B2 (en) 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101817054B1 (ko) * 2010-02-12 2018-01-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 포함한 표시 장치
KR102129413B1 (ko) 2010-02-12 2020-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 구동 방법
WO2011099335A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101924318B1 (ko) 2010-02-12 2018-12-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR101811204B1 (ko) * 2010-02-12 2017-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR101814222B1 (ko) * 2010-02-12 2018-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 장치
KR101830196B1 (ko) 2010-02-12 2018-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
JP5787538B2 (ja) * 2010-02-16 2015-09-30 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体及びそれを用いた発光素子、発光装置及び電子機器
KR102586642B1 (ko) 2010-02-18 2023-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101848684B1 (ko) * 2010-02-19 2018-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 장치
CN102754162B (zh) 2010-02-19 2015-12-09 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及半导体器件的驱动方法
WO2011102233A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5740169B2 (ja) * 2010-02-19 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
WO2011102501A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving display device
KR101939713B1 (ko) 2010-02-19 2019-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101780748B1 (ko) 2010-02-19 2017-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복조회로 및 복조회로를 이용한 ｒｆｉｄ 태그
KR20190102090A (ko) 2010-02-19 2019-09-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 이를 이용한 표시 장치
KR101889285B1 (ko) * 2010-02-19 2018-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치, 그 구동 방법, 및 반도체 장치 제작 방법
WO2011102183A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120121931A (ko) * 2010-02-19 2012-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102318235B1 (ko) 2010-02-23 2021-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011105310A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130025871A (ko) 2010-02-26 2013-03-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
KR102261505B1 (ko) * 2010-02-26 2021-06-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
KR101969291B1 (ko) * 2010-02-26 2019-04-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011105198A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9000438B2 (en) 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011105183A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus
KR101733765B1 (ko) * 2010-02-26 2017-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 구동 방법
KR101803552B1 (ko) * 2010-02-26 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비하는 전자 서적
KR101838628B1 (ko) 2010-03-02 2018-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
KR101389120B1 (ko) 2010-03-02 2014-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
KR101767037B1 (ko) 2010-03-02 2017-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 승압 회로 및 승압 회로를 포함하는 ｒｆｉｄ 태그
CN102783030B (zh) 2010-03-02 2016-01-13 株式会社半导体能源研究所 脉冲信号输出电路和移位寄存器
WO2011108475A1 (en) * 2010-03-04 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device
WO2011108382A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011108381A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101878206B1 (ko) 2010-03-05 2018-07-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법
WO2011108374A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR101097339B1 (ko) * 2010-03-08 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101812467B1 (ko) * 2010-03-08 2017-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101791253B1 (ko) 2010-03-08 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자기기 및 전자 시스템
KR102220018B1 (ko) 2010-03-08 2021-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
EP2365417A3 (en) * 2010-03-08 2015-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Electronic device and electronic system
KR101874784B1 (ko) 2010-03-08 2018-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011111490A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011111503A1 (en) 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
EP2365556B1 (en) 2010-03-08 2014-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US8900362B2 (en) * 2010-03-12 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of gallium oxide single crystal
CN102782622B (zh) * 2010-03-12 2016-11-02 株式会社半导体能源研究所 显示装置的驱动方法
KR101769970B1 (ko) 2010-03-12 2017-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102822978B (zh) * 2010-03-12 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011111508A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving input circuit and method for driving input-output device
KR101840185B1 (ko) 2010-03-12 2018-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로를 구동하는 방법 및 표시 장치를 구동하는 방법
WO2011114866A1 (en) * 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
WO2011114905A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US20110227082A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011114868A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011114919A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101891065B1 (ko) * 2010-03-19 2018-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법
CN102201541B (zh) 2010-03-23 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
WO2011118351A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102822980B (zh) 2010-03-26 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
JP5731244B2 (ja) * 2010-03-26 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102112065B1 (ko) * 2010-03-26 2020-06-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102822979B (zh) * 2010-03-26 2015-08-26 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
WO2011118741A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5572004B2 (ja) * 2010-03-29 2014-08-13 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 白色有機電界発光素子
CN102844873B (zh) 2010-03-31 2015-06-17 株式会社半导体能源研究所 半导体显示装置
WO2011122299A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
WO2011122514A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply device and driving method thereof
JP5801579B2 (ja) 2010-03-31 2015-10-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
WO2011122271A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field-sequential display device
WO2011122312A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for driving the same
TWI506121B (zh) 2010-03-31 2015-11-01 Semiconductor Energy Lab 發光元件，發光裝置，電子裝置以及照明裝置
US8569793B2 (en) * 2010-04-01 2013-10-29 National Tsing Hua University Organic light-emitting diode with high color rendering
KR20130014562A (ko) 2010-04-02 2013-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9196739B2 (en) 2010-04-02 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film
US9147768B2 (en) 2010-04-02 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film
WO2011122364A1 (en) 2010-04-02 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9190522B2 (en) 2010-04-02 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor
US8884282B2 (en) 2010-04-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011125432A1 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2011125453A1 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
KR101748901B1 (ko) 2010-04-09 2017-06-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
US8653514B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101884798B1 (ko) 2010-04-09 2018-08-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011125806A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR101321833B1 (ko) 2010-04-09 2013-10-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체 메모리 장치
WO2011125456A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8207025B2 (en) 2010-04-09 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP5744366B2 (ja) 2010-04-12 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8854583B2 (en) 2010-04-12 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device
KR101904445B1 (ko) 2010-04-16 2018-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2011237418A (ja) 2010-04-16 2011-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電流測定方法、半導体装置の検査方法、半導体装置、および特性評価用回路
WO2011129456A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and method for manufacturing semiconductor device
KR20130061678A (ko) 2010-04-16 2013-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전원 회로
US8692243B2 (en) 2010-04-20 2014-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102870151B (zh) 2010-04-23 2016-03-30 株式会社半导体能源研究所 显示装置以及其驱动方法
KR101877377B1 (ko) 2010-04-23 2018-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9537043B2 (en) 2010-04-23 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
WO2011132591A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011132556A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101748404B1 (ko) 2010-04-23 2017-06-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20150088324A (ko) 2010-04-23 2015-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
CN103500709B (zh) 2010-04-23 2015-09-23 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
WO2011135999A1 (en) 2010-04-27 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
CN105824397B (zh) 2010-04-28 2018-12-18 株式会社半导体能源研究所 半导体显示装置及其驱动方法
WO2011135987A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8890555B2 (en) 2010-04-28 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring transistor
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US9697788B2 (en) 2010-04-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2011136018A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
US9478185B2 (en) 2010-05-12 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
US9064473B2 (en) 2010-05-12 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
JP5797449B2 (ja) 2010-05-13 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
TWI511236B (zh) 2010-05-14 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
KR101806271B1 (ko) 2010-05-14 2017-12-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011142371A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8624239B2 (en) 2010-05-20 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145738A1 (en) 2010-05-20 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device
JP5923248B2 (ja) 2010-05-20 2016-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
US9490368B2 (en) 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
WO2011145538A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011145634A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2012009420A (ja) 2010-05-21 2012-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び照明装置
JP5714973B2 (ja) 2010-05-21 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8629438B2 (en) 2010-05-21 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5766012B2 (ja) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2011145468A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
KR101808198B1 (ko) 2010-05-21 2017-12-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP5852793B2 (ja) 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
CN102906980B (zh) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及显示装置
WO2011145484A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2011145467A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145632A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2011145707A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
WO2011145633A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8716701B2 (en) 2010-05-24 2014-05-06 Nanoholdings, Llc Method and apparatus for providing a charge blocking layer on an infrared up-conversion device
JP5749975B2 (ja) 2010-05-28 2015-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置、及び、タッチパネル
US8895375B2 (en) 2010-06-01 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing the same
US8779433B2 (en) 2010-06-04 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011152254A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101894897B1 (ko) 2010-06-04 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011152286A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011155125A1 (ja) * 2010-06-08 2011-12-15 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置並びに薄膜トランジスタ基板の製造方法
US8564015B2 (en) * 2010-06-09 2013-10-22 National Tsing Hua University Organic light-emitting diode with high color rendering
WO2011155295A1 (en) 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
WO2011155502A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8610180B2 (en) 2010-06-11 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor
WO2011155302A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101805144B1 (ko) * 2010-06-14 2017-12-05 노발레드 게엠베하 유기 발광 장치
JP5797471B2 (ja) 2010-06-16 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
JP5823740B2 (ja) 2010-06-16 2015-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US9209314B2 (en) 2010-06-16 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
WO2011158703A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8552425B2 (en) 2010-06-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8637802B2 (en) 2010-06-18 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor
WO2011158704A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011162147A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011162105A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display, and electronic device
KR101746197B1 (ko) 2010-06-25 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 검사 방법
WO2011162104A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
KR20120000499A (ko) 2010-06-25 2012-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
WO2012002236A1 (en) 2010-06-29 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
WO2012002104A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101350751B1 (ko) 2010-07-01 2014-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
US9473714B2 (en) 2010-07-01 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state imaging device and semiconductor display device
US8441010B2 (en) 2010-07-01 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130090405A (ko) 2010-07-02 2013-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5792524B2 (ja) 2010-07-02 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9336739B2 (en) 2010-07-02 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8766252B2 (en) 2010-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor
KR102220873B1 (ko) 2010-07-02 2021-02-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8605059B2 (en) 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
TWI541782B (zh) 2010-07-02 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
WO2012005045A1 (ja) * 2010-07-06 2012-01-12 シャープ株式会社 照明装置、およびその製造方法
US8785241B2 (en) 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103003934B (zh) 2010-07-16 2015-07-01 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101859361B1 (ko) 2010-07-16 2018-05-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2012008390A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8519387B2 (en) 2010-07-26 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing
WO2012014759A1 (en) 2010-07-26 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device
KR101853516B1 (ko) 2010-07-27 2018-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102143469B1 (ko) 2010-07-27 2020-08-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI565001B (zh) 2010-07-28 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012014786A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method thereof
DE112011102558B4 (de) * 2010-07-30 2022-01-05 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
KR101842181B1 (ko) 2010-08-04 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8928466B2 (en) 2010-08-04 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8537600B2 (en) 2010-08-04 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low off-state leakage current semiconductor memory device
JP5739257B2 (ja) 2010-08-05 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI605549B (zh) 2010-08-06 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8582348B2 (en) 2010-08-06 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device
JP5832181B2 (ja) 2010-08-06 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2012017843A1 (en) 2010-08-06 2012-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
US8803164B2 (en) 2010-08-06 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state image sensing device and semiconductor display device
KR101925159B1 (ko) 2010-08-06 2018-12-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8467231B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP5743790B2 (ja) 2010-08-06 2015-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8467232B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI555128B (zh) 2010-08-06 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
US8792284B2 (en) 2010-08-06 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
JP5671418B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
TWI587405B (zh) 2010-08-16 2017-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置之製造方法
US9129703B2 (en) 2010-08-16 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory device
US9343480B2 (en) 2010-08-16 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5848912B2 (ja) 2010-08-16 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
TWI508294B (zh) 2010-08-19 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8759820B2 (en) 2010-08-20 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP2609616A2 (en) * 2010-08-24 2013-07-03 Yehi-Or Light Creation Ltd. Energy efficient lamp
US8685787B2 (en) 2010-08-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8508276B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including latch circuit
US8883555B2 (en) 2010-08-25 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target
US9058047B2 (en) 2010-08-26 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5727892B2 (ja) 2010-08-26 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013009285A (ja) 2010-08-26 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 信号処理回路及びその駆動方法
US8450123B2 (en) 2010-08-27 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body
JP5806043B2 (ja) 2010-08-27 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5763474B2 (ja) 2010-08-27 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
WO2012026503A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
JP5674594B2 (ja) 2010-08-27 2015-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
US8592261B2 (en) 2010-08-27 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for designing semiconductor device
US8603841B2 (en) 2010-08-27 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device
JP5702689B2 (ja) 2010-08-31 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法、及び半導体装置
US8634228B2 (en) 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8575610B2 (en) 2010-09-02 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
WO2012029596A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20130099074A (ko) 2010-09-03 2013-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20180015760A (ko) 2010-09-03 2018-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2012029638A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8520426B2 (en) 2010-09-08 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
JP2012256819A (ja) 2010-09-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8487844B2 (en) 2010-09-08 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device including the same
US8766253B2 (en) 2010-09-10 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120026970A (ko) 2010-09-10 2012-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 발광 장치
US8797487B2 (en) 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
KR101824125B1 (ko) 2010-09-10 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9142568B2 (en) 2010-09-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting display device
US8592879B2 (en) 2010-09-13 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101932576B1 (ko) 2010-09-13 2018-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8871565B2 (en) 2010-09-13 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2012256821A (ja) 2010-09-13 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
US8546161B2 (en) 2010-09-13 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
US9546416B2 (en) 2010-09-13 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming crystalline oxide semiconductor film
US8835917B2 (en) 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
JP5815337B2 (ja) 2010-09-13 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP5827520B2 (ja) 2010-09-13 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
TWI543166B (zh) 2010-09-13 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101952235B1 (ko) 2010-09-13 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9496743B2 (en) 2010-09-13 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and wireless power feed system
KR101872926B1 (ko) 2010-09-13 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8664097B2 (en) 2010-09-13 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI670711B (zh) 2010-09-14 2019-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和半導體裝置
KR20130106398A (ko) 2010-09-15 2013-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 제작 방법
US9230994B2 (en) 2010-09-15 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101426515B1 (ko) 2010-09-15 2014-08-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
JP2012256012A (ja) 2010-09-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US8767443B2 (en) 2010-09-22 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
KR101856722B1 (ko) 2010-09-22 2018-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터
US8792260B2 (en) 2010-09-27 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit and semiconductor device using the same
TWI574259B (zh) 2010-09-29 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置和其驅動方法
WO2012046560A1 (en) 2010-10-04 2012-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
TWI620176B (zh) 2010-10-05 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置及其驅動方法
TWI556317B (zh) 2010-10-07 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 薄膜元件、半導體裝置以及它們的製造方法
US8716646B2 (en) 2010-10-08 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for operating the same
US8679986B2 (en) 2010-10-14 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8803143B2 (en) 2010-10-20 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including buffer layers with high resistivity
TWI565079B (zh) 2010-10-20 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
TWI543158B (zh) 2010-10-25 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置及其驅動方法
KR101924231B1 (ko) 2010-10-29 2018-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
KR101952456B1 (ko) 2010-10-29 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치
JP5771505B2 (ja) 2010-10-29 2015-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 受信回路
CN102074658B (zh) * 2010-11-01 2014-08-27 中国科学院长春应用化学研究所 电荷产生层、叠层有机发光二极管及其制备方法
KR101924656B1 (ko) 2010-11-02 2018-12-03 우베 고산 가부시키가이샤 (아미드아미노알칸) 금속 화합물, 및 당해 금속 화합물을 사용한 금속 함유 박막의 제조 방법
US8916866B2 (en) 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9087744B2 (en) 2010-11-05 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving transistor
TWI555205B (zh) 2010-11-05 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6010291B2 (ja) 2010-11-05 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の駆動方法
KR101973212B1 (ko) 2010-11-05 2019-04-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8957468B2 (en) 2010-11-05 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Variable capacitor and liquid crystal display device
KR101952733B1 (ko) 2010-11-05 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8902637B2 (en) 2010-11-08 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof
TWI654764B (zh) 2010-11-11 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5770068B2 (ja) 2010-11-12 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8854865B2 (en) 2010-11-24 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP5860677B2 (ja) 2010-11-24 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光素子の作製方法、及び照明装置
US8936965B2 (en) 2010-11-26 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI562379B (en) 2010-11-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8629496B2 (en) 2010-11-30 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8823092B2 (en) 2010-11-30 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8816425B2 (en) 2010-11-30 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9103724B2 (en) 2010-11-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device
US8809852B2 (en) 2010-11-30 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8461630B2 (en) 2010-12-01 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI590249B (zh) 2010-12-03 2017-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 積體電路，其驅動方法，及半導體裝置
CN103339715B (zh) 2010-12-03 2016-01-13 株式会社半导体能源研究所 氧化物半导体膜以及半导体装置
DE102010061013B4 (de) 2010-12-03 2019-03-21 Novaled Gmbh Organisches elektro-optisches Bauelement
JP5908263B2 (ja) 2010-12-03 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃ−ｄｃコンバータ
JP5856827B2 (ja) 2010-12-09 2016-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI534905B (zh) 2010-12-10 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
DE102010062954A1 (de) 2010-12-13 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verwendung eines Kupferkomplexes in einer Ladungserzeugungsschichtfolge
JP2012256020A (ja) 2010-12-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
JP2012142562A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
US8894825B2 (en) 2010-12-17 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device
US8730416B2 (en) 2010-12-17 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9202822B2 (en) 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9024317B2 (en) 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
US8552440B2 (en) 2010-12-24 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
KR101872925B1 (ko) 2010-12-24 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 조명 장치
JP5827885B2 (ja) 2010-12-24 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び照明装置
CN103262656B (zh) 2010-12-28 2016-08-24 株式会社半导体能源研究所 发光单元、发光装置以及照明装置
US8941112B2 (en) 2010-12-28 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8883556B2 (en) 2010-12-28 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6030298B2 (ja) 2010-12-28 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 緩衝記憶装置及び信号処理回路
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012090799A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
JP5731369B2 (ja) 2010-12-28 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5973165B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5852874B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5864054B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5975635B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048142B2 (en) 2010-12-28 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5993141B2 (ja) 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
TWI562142B (en) 2011-01-05 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Storage element, storage device, and signal processing circuit
TWI570809B (zh) 2011-01-12 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8921948B2 (en) 2011-01-12 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8912080B2 (en) 2011-01-12 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of the semiconductor device
US8536571B2 (en) 2011-01-12 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI535032B (zh) 2011-01-12 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8421071B2 (en) 2011-01-13 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9287527B2 (en) 2011-01-13 2016-03-15 Kaneka Corporation Organic EL light emitting element and method for manufacturing same
US8575678B2 (en) 2011-01-13 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device with floating gate
KR102026718B1 (ko) 2011-01-14 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법
TWI572009B (zh) 2011-01-14 2017-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶裝置
JP5859839B2 (ja) 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
KR101942701B1 (ko) 2011-01-20 2019-01-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체 소자 및 반도체 장치
US9516713B2 (en) 2011-01-25 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TW202320146A (zh) 2011-01-26 2023-05-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2012102183A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012103292A1 (en) * 2011-01-26 2012-08-02 Massachusetts Institute Of Technology Device and method for luminescence enhancement by resonant energy transfer from an absorptive thin film
TWI602303B (zh) 2011-01-26 2017-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI564890B (zh) 2011-01-26 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
WO2012102182A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI570920B (zh) 2011-01-26 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5798933B2 (ja) 2011-01-26 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
TWI525619B (zh) 2011-01-27 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路
KR20130140824A (ko) 2011-01-27 2013-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101899375B1 (ko) 2011-01-28 2018-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9494829B2 (en) 2011-01-28 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same
DE112012000601T5 (de) 2011-01-28 2014-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung sowie Halbleitervorrichtung
US8634230B2 (en) 2011-01-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP6000560B2 (ja) 2011-02-02 2016-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体メモリ装置
TWI520273B (zh) 2011-02-02 2016-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US8513773B2 (en) 2011-02-02 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor
US9799773B2 (en) 2011-02-02 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
US9431400B2 (en) 2011-02-08 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US8787083B2 (en) 2011-02-10 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit
JP5969216B2 (ja) 2011-02-11 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置、照明装置、及びこれらの作製方法
US8957442B2 (en) 2011-02-11 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP5925511B2 (ja) 2011-02-11 2016-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光ユニット、発光装置、照明装置
JP5996876B2 (ja) 2011-02-11 2016-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子及び表示装置
KR101880183B1 (ko) 2011-02-11 2018-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 표시 장치
KR101894898B1 (ko) 2011-02-11 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
TWI569041B (zh) 2011-02-14 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US8772795B2 (en) 2011-02-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and lighting device
US8735874B2 (en) 2011-02-14 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same
US8975680B2 (en) 2011-02-17 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 ｌｓｉ
US8643007B2 (en) 2011-02-23 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709920B2 (en) 2011-02-24 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9443455B2 (en) 2011-02-25 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a plurality of pixels
TWI680600B (zh) * 2011-02-28 2019-12-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件
US9691772B2 (en) 2011-03-03 2017-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor
US9646829B2 (en) 2011-03-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9023684B2 (en) 2011-03-04 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8659015B2 (en) 2011-03-04 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8785933B2 (en) 2011-03-04 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2012199231A (ja) 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US8841664B2 (en) 2011-03-04 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5898527B2 (ja) 2011-03-04 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8659957B2 (en) 2011-03-07 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
JP5827145B2 (ja) 2011-03-08 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8625085B2 (en) 2011-03-08 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Defect evaluation method for semiconductor
US9099437B2 (en) 2011-03-08 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102683599B (zh) * 2011-03-09 2015-07-29 海洋王照明科技股份有限公司 白光电致发光器件的发光层、其制备方法和应用
JP5772085B2 (ja) * 2011-03-09 2015-09-02 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
CN102683597B (zh) * 2011-03-09 2015-06-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种白光电致发光器件及其制备方法
CN102683598B (zh) * 2011-03-09 2015-04-29 海洋王照明科技股份有限公司 白光电致发光器件的发光层、其制备方法和应用
US8772849B2 (en) 2011-03-10 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2012121265A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US8541781B2 (en) 2011-03-10 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012209543A (ja) 2011-03-11 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TWI521612B (zh) 2011-03-11 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8760903B2 (en) 2011-03-11 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit
TWI658516B (zh) 2011-03-11 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5933300B2 (ja) 2011-03-16 2016-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012128030A1 (en) 2011-03-18 2012-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8859330B2 (en) 2011-03-23 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2012128188A1 (en) * 2011-03-23 2012-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and lighting device
EP2503618B1 (en) 2011-03-23 2014-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP5839474B2 (ja) 2011-03-24 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
JP2012204110A (ja) 2011-03-24 2012-10-22 Sony Corp 表示素子および表示装置ならびに電子機器
WO2012128079A1 (ja) 2011-03-24 2012-09-27 パナソニック株式会社 白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子及び白色発光有機エレクトロルミネッセンスパネル
TWI562424B (en) 2011-03-25 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting panel, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting panel
US8987728B2 (en) 2011-03-25 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US8686416B2 (en) 2011-03-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
TWI565078B (zh) 2011-03-25 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路
US8956944B2 (en) 2011-03-25 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9219159B2 (en) 2011-03-25 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
TWI545652B (zh) 2011-03-25 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9012904B2 (en) 2011-03-25 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN105702873B (zh) * 2011-03-30 2017-11-24 株式会社半导体能源研究所 发光元件
US8927329B2 (en) 2011-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties
JP5879165B2 (ja) 2011-03-30 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8686486B2 (en) 2011-03-31 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
TWI567735B (zh) 2011-03-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路，記憶體單元，及訊號處理電路
US9082860B2 (en) 2011-03-31 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI485899B (zh) 2011-03-31 2015-05-21 Panasonic Corp 有機電致發光元件
US8541266B2 (en) 2011-04-01 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6108664B2 (ja) * 2011-04-04 2017-04-05 ローム株式会社 有機ｅｌ装置
US9960278B2 (en) 2011-04-06 2018-05-01 Yuhei Sato Manufacturing method of semiconductor device
KR101960759B1 (ko) 2011-04-08 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US9093538B2 (en) 2011-04-08 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI567736B (zh) 2011-04-08 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體元件及信號處理電路
US9012905B2 (en) 2011-04-08 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same
US8743590B2 (en) 2011-04-08 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device using the same
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US8854867B2 (en) 2011-04-13 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and driving method of the memory device
JP5883699B2 (ja) 2011-04-13 2016-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルｌｓｉ
US8878174B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit
US9070776B2 (en) 2011-04-15 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8779488B2 (en) 2011-04-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6045176B2 (ja) 2011-04-15 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6001900B2 (ja) 2011-04-21 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US10079053B2 (en) 2011-04-22 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and memory device
US9331206B2 (en) 2011-04-22 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide material and semiconductor device
US8878288B2 (en) 2011-04-22 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8932913B2 (en) 2011-04-22 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8916868B2 (en) 2011-04-22 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8809854B2 (en) 2011-04-22 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5946683B2 (ja) 2011-04-22 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9006803B2 (en) 2011-04-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
TWI548057B (zh) 2011-04-22 2016-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
CN105931967B (zh) 2011-04-27 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US8729545B2 (en) 2011-04-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9935622B2 (en) 2011-04-28 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Comparator and semiconductor device including comparator
KR101919056B1 (ko) 2011-04-28 2018-11-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 회로
US8681533B2 (en) 2011-04-28 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device
US9614094B2 (en) 2011-04-29 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same
JP6157804B2 (ja) * 2011-04-29 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
US8785923B2 (en) 2011-04-29 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8848464B2 (en) 2011-04-29 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US8476927B2 (en) 2011-04-29 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US9111795B2 (en) 2011-04-29 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
KR101963457B1 (ko) 2011-04-29 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법
US8446171B2 (en) 2011-04-29 2013-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing unit
TWI525615B (zh) 2011-04-29 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
TWI654762B (zh) 2011-05-05 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8809928B2 (en) 2011-05-06 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device
WO2012153473A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012153697A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8709922B2 (en) 2011-05-06 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9117701B2 (en) 2011-05-06 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI568181B (zh) 2011-05-06 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 邏輯電路及半導體裝置
US9443844B2 (en) 2011-05-10 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof
KR101917752B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 모듈, 발광 패널, 발광 장치
TWI541978B (zh) 2011-05-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法
US8946066B2 (en) 2011-05-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI557711B (zh) 2011-05-12 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的驅動方法
US8847233B2 (en) 2011-05-12 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film
KR101952570B1 (ko) 2011-05-13 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9093539B2 (en) 2011-05-13 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6013773B2 (ja) 2011-05-13 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048788B2 (en) 2011-05-13 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion
US9954110B2 (en) 2011-05-13 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
JP6110075B2 (ja) 2011-05-13 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9105749B2 (en) 2011-05-13 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6023461B2 (ja) 2011-05-13 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置
JP5886128B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012157463A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8564331B2 (en) 2011-05-13 2013-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012157472A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI536502B (zh) 2011-05-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路及電子裝置
CN107316865B (zh) 2011-05-16 2021-02-02 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置
TWI570891B (zh) 2011-05-17 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI552150B (zh) 2011-05-18 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US9673823B2 (en) 2011-05-18 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
KR102081792B1 (ko) 2011-05-19 2020-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산회로 및 연산회로의 구동방법
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
JP6006975B2 (ja) 2011-05-19 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
KR101991735B1 (ko) 2011-05-19 2019-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
US8709889B2 (en) 2011-05-19 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and manufacturing method thereof
US8837203B2 (en) 2011-05-19 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102093909B1 (ko) 2011-05-19 2020-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 및 회로의 구동 방법
JP5892852B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP6013680B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI573136B (zh) 2011-05-20 2017-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
US8508256B2 (en) 2011-05-20 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
JP6030334B2 (ja) 2011-05-20 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5936908B2 (ja) 2011-05-20 2016-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 パリティビット出力回路およびパリティチェック回路
JP5951351B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 加算器及び全加算器
KR101922397B1 (ko) 2011-05-20 2018-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5947099B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI570730B (zh) 2011-05-20 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI501226B (zh) 2011-05-20 2015-09-21 Semiconductor Energy Lab 記憶體裝置及驅動記憶體裝置的方法
JP6013682B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP5820335B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI557739B (zh) 2011-05-20 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
WO2012161059A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
TWI559683B (zh) 2011-05-20 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
TWI614995B (zh) 2011-05-20 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置
TWI570719B (zh) 2011-05-20 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
JP5886496B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6091083B2 (ja) 2011-05-20 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5820336B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20120298998A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
KR101912971B1 (ko) 2011-05-26 2018-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 분주 회로 및 분주 회로를 이용한 반도체 장치
US9171840B2 (en) 2011-05-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8610482B2 (en) 2011-05-27 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Trimming circuit and method for driving trimming circuit
JP5912844B2 (ja) 2011-05-31 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9467047B2 (en) 2011-05-31 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device
DE102011076791A1 (de) * 2011-05-31 2012-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches elektrolumineszierendes bauelement
US8669781B2 (en) 2011-05-31 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5890251B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 通信方法
SG11201504191RA (en) 2011-06-08 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film
JP2013016243A (ja) 2011-06-09 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
US8891285B2 (en) 2011-06-10 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9112036B2 (en) 2011-06-10 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP6104522B2 (ja) 2011-06-10 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8958263B2 (en) 2011-06-10 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6005401B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI557910B (zh) 2011-06-16 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8804405B2 (en) 2011-06-16 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US9299852B2 (en) 2011-06-16 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8901554B2 (en) 2011-06-17 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor
SG10201505586UA (en) 2011-06-17 2015-08-28 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9166055B2 (en) 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9099885B2 (en) 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
KR20130007426A (ko) 2011-06-17 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
CN102842682A (zh) * 2011-06-21 2012-12-26 海洋王照明科技股份有限公司 叠层有机电致发光器件及其制备方法
US8673426B2 (en) 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
WO2013003850A2 (en) 2011-06-30 2013-01-03 University Of Florida Researchfoundation, Inc. A method and apparatus for detecting infrared radiation with gain
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2013005380A1 (en) 2011-07-01 2013-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9490241B2 (en) 2011-07-08 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter
US9419239B2 (en) 2011-07-08 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and organic compound
KR102014876B1 (ko) 2011-07-08 2019-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI565067B (zh) 2011-07-08 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9214474B2 (en) 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8748886B2 (en) 2011-07-08 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9385238B2 (en) 2011-07-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor using oxide semiconductor
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9496138B2 (en) 2011-07-08 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
WO2013008765A1 (en) 2011-07-08 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module
KR101429537B1 (ko) * 2011-07-11 2014-08-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자
JP2013042117A (ja) 2011-07-15 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9200952B2 (en) 2011-07-15 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit
US8847220B2 (en) 2011-07-15 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9159939B2 (en) 2011-07-21 2015-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device
US8946812B2 (en) 2011-07-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9012993B2 (en) 2011-07-22 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6013685B2 (ja) 2011-07-22 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8716073B2 (en) 2011-07-22 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
KR102223582B1 (ko) 2011-07-22 2021-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US8643008B2 (en) 2011-07-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8994019B2 (en) 2011-08-05 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8718224B2 (en) 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
JP6006572B2 (ja) 2011-08-18 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI575494B (zh) 2011-08-19 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的驅動方法
JP6128775B2 (ja) 2011-08-19 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI805306B (zh) 2011-08-29 2023-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9252279B2 (en) 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
JP2013058562A (ja) 2011-09-07 2013-03-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
JP6016532B2 (ja) 2011-09-07 2016-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8802493B2 (en) 2011-09-13 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor device
JP5825744B2 (ja) 2011-09-15 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
US8952379B2 (en) 2011-09-16 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013039126A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5832399B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9082663B2 (en) 2011-09-16 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103022012B (zh) 2011-09-21 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 半导体存储装置
WO2013042643A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetector and method for driving photodetector
WO2013042562A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8841675B2 (en) 2011-09-23 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute transistor
US9431545B2 (en) 2011-09-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102108572B1 (ko) 2011-09-26 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2013084333A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ回路
CN103843145B (zh) 2011-09-29 2017-03-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
TWI605590B (zh) 2011-09-29 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101506303B1 (ko) 2011-09-29 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
WO2013047631A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5806905B2 (ja) 2011-09-30 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8982607B2 (en) 2011-09-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
KR102062319B1 (ko) 2011-10-04 2020-01-03 가부시키가이샤 제이올레드 유기 전계발광 소자
US20130087784A1 (en) 2011-10-05 2013-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6022880B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US10014068B2 (en) 2011-10-07 2018-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013093561A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
US9287405B2 (en) 2011-10-13 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor
US8637864B2 (en) 2011-10-13 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US9018629B2 (en) 2011-10-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP5912394B2 (ja) 2011-10-13 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6026839B2 (ja) 2011-10-13 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9117916B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
CN104025301B (zh) 2011-10-14 2017-01-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20130040706A (ko) 2011-10-14 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI567985B (zh) 2011-10-21 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6226518B2 (ja) 2011-10-24 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101976212B1 (ko) 2011-10-24 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6045285B2 (ja) 2011-10-24 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20130046357A (ko) 2011-10-27 2013-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6082562B2 (ja) 2011-10-27 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2013061895A1 (en) 2011-10-28 2013-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102012981B1 (ko) 2011-11-09 2019-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5933895B2 (ja) 2011-11-10 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
US9082861B2 (en) 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
KR101984739B1 (ko) 2011-11-11 2019-05-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 신호선 구동 회로 및 액정 표시 장치
US8796682B2 (en) 2011-11-11 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
JP6076038B2 (ja) 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US8878177B2 (en) 2011-11-11 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR20130055521A (ko) 2011-11-18 2013-05-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자, 및 반도체 소자의 제작 방법, 및 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치
US8969130B2 (en) 2011-11-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
US8962386B2 (en) 2011-11-25 2015-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8829528B2 (en) 2011-11-25 2014-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including groove portion extending beyond pixel electrode
US8772094B2 (en) 2011-11-25 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8951899B2 (en) 2011-11-25 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Method for manufacturing semiconductor device
JP6099368B2 (ja) 2011-11-25 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US9057126B2 (en) 2011-11-29 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
KR102072244B1 (ko) 2011-11-30 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US20130137232A1 (en) 2011-11-30 2013-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
TWI591611B (zh) 2011-11-30 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體顯示裝置
TWI556319B (zh) 2011-11-30 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
CN103137701B (zh) 2011-11-30 2018-01-19 株式会社半导体能源研究所 晶体管及半导体装置
US9076871B2 (en) 2011-11-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8981367B2 (en) 2011-12-01 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI621185B (zh) 2011-12-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP2013137853A (ja) 2011-12-02 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置および記憶装置の駆動方法
JP6050662B2 (ja) 2011-12-02 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
KR20140101817A (ko) 2011-12-02 2014-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9257422B2 (en) 2011-12-06 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit
US9076505B2 (en) 2011-12-09 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
JP6105266B2 (ja) 2011-12-15 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
WO2013089115A1 (en) 2011-12-15 2013-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8785258B2 (en) 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2013149953A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8907392B2 (en) 2011-12-22 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including stacked sub memory cells
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US8748240B2 (en) 2011-12-22 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2013094547A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8796683B2 (en) 2011-12-23 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6012450B2 (ja) 2011-12-23 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US8704221B2 (en) 2011-12-23 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6053490B2 (ja) 2011-12-23 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI569446B (zh) 2011-12-23 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置
JP6033071B2 (ja) 2011-12-23 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI580189B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 位準位移電路及半導體積體電路
WO2013099537A1 (en) 2011-12-26 2013-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Motion recognition device
TWI584383B (zh) 2011-12-27 2017-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102100425B1 (ko) 2011-12-27 2020-04-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102103913B1 (ko) 2012-01-10 2020-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
DE102012200224A1 (de) * 2012-01-10 2013-07-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement, verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements, vorrichtung zum abtrennen eines raumes und möbelstück
US8969867B2 (en) 2012-01-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013168926A (ja) 2012-01-18 2013-08-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 回路、センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
US9099560B2 (en) 2012-01-20 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9040981B2 (en) 2012-01-20 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9653614B2 (en) 2012-01-23 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2013111757A1 (en) 2012-01-23 2013-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102083380B1 (ko) 2012-01-25 2020-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8956912B2 (en) 2012-01-26 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9006733B2 (en) 2012-01-26 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
JP6091905B2 (ja) 2012-01-26 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI642193B (zh) 2012-01-26 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
TWI561951B (en) 2012-01-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Power supply circuit
TWI562361B (en) 2012-02-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
KR102101167B1 (ko) 2012-02-03 2020-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9362417B2 (en) 2012-02-03 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9196741B2 (en) 2012-02-03 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8916424B2 (en) 2012-02-07 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9859114B2 (en) 2012-02-08 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP5981157B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9112037B2 (en) 2012-02-09 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8817516B2 (en) 2012-02-17 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit and semiconductor device
JP2014063557A (ja) 2012-02-24 2014-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置及び半導体装置
US20130221345A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
US9312257B2 (en) 2012-02-29 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9553200B2 (en) 2012-02-29 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8988152B2 (en) 2012-02-29 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6046514B2 (ja) 2012-03-01 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8975917B2 (en) 2012-03-01 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP2013183001A (ja) 2012-03-01 2013-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9176571B2 (en) 2012-03-02 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Microprocessor and method for driving microprocessor
US9287370B2 (en) 2012-03-02 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
JP6100559B2 (ja) 2012-03-05 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8754693B2 (en) 2012-03-05 2014-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Latch circuit and semiconductor device
US8995218B2 (en) 2012-03-07 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981370B2 (en) 2012-03-08 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013133143A1 (en) 2012-03-09 2013-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
CN106504697B (zh) 2012-03-13 2019-11-26 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其驱动方法
DE112013001439B4 (de) 2012-03-14 2022-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
KR102108248B1 (ko) 2012-03-14 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치
US9117409B2 (en) 2012-03-14 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer
US9058892B2 (en) 2012-03-14 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and shift register
JP6168795B2 (ja) 2012-03-14 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE102012204432B4 (de) * 2012-03-20 2018-06-07 Osram Oled Gmbh Elektronische Struktur, aufweisend mindestens eine Metall-Aufwachsschicht sowie Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Struktur
US9541386B2 (en) 2012-03-21 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Distance measurement device and distance measurement system
WO2013141057A1 (ja) 2012-03-21 2013-09-26 コニカミノルタ株式会社 有機電界発光素子
JP6169376B2 (ja) 2012-03-28 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置
US9349849B2 (en) 2012-03-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
US9324449B2 (en) 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
US9786793B2 (en) 2012-03-29 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements
JP2013229013A (ja) 2012-03-29 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アレイコントローラ及びストレージシステム
JP6251670B2 (ja) 2012-03-29 2017-12-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2013146154A1 (en) 2012-03-29 2013-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply control device
JP6139187B2 (ja) 2012-03-29 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8941113B2 (en) 2012-03-30 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
US8999773B2 (en) 2012-04-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device
JP2013232885A (ja) 2012-04-06 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体リレー
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2013232629A (ja) 2012-04-06 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9711110B2 (en) 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
JP5975907B2 (ja) 2012-04-11 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9208849B2 (en) 2012-04-12 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
JP2013236068A (ja) 2012-04-12 2013-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP6128906B2 (ja) 2012-04-13 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6059566B2 (ja) 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9030232B2 (en) 2012-04-13 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Isolator circuit and semiconductor device
KR102254731B1 (ko) 2012-04-13 2021-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6143423B2 (ja) 2012-04-16 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP6076612B2 (ja) 2012-04-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6001308B2 (ja) 2012-04-17 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9029863B2 (en) 2012-04-20 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9219164B2 (en) 2012-04-20 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor channel
US9230683B2 (en) 2012-04-25 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9006024B2 (en) 2012-04-25 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9236408B2 (en) 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
US8860022B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP6199583B2 (ja) 2012-04-27 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9285848B2 (en) 2012-04-27 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device
US9331689B2 (en) 2012-04-27 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply circuit and semiconductor device including the same
JP6100071B2 (ja) 2012-04-30 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6228381B2 (ja) 2012-04-30 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048323B2 (en) 2012-04-30 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8860023B2 (en) 2012-05-01 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9703704B2 (en) 2012-05-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9007090B2 (en) 2012-05-01 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving semiconductor device
US8866510B2 (en) 2012-05-02 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102025722B1 (ko) 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
JP6100076B2 (ja) 2012-05-02 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プロセッサ
JP6227890B2 (ja) 2012-05-02 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路および制御回路
JP2013250965A (ja) 2012-05-02 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその駆動方法
JP6243136B2 (ja) 2012-05-02 2017-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 スイッチングコンバータ
CN106298772A (zh) 2012-05-02 2017-01-04 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑器件
TWI588540B (zh) 2012-05-09 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
TWI675222B (zh) 2012-05-09 2019-10-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 驅動半導體裝置的方法
KR20130125717A (ko) 2012-05-09 2013-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
DE112013002407B4 (de) 2012-05-10 2024-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR20230104756A (ko) 2012-05-10 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102069158B1 (ko) 2012-05-10 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102087443B1 (ko) 2012-05-11 2020-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
DE102013207324A1 (de) 2012-05-11 2013-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
US8994891B2 (en) 2012-05-16 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
US8929128B2 (en) 2012-05-17 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and writing method of the same
US8994013B2 (en) 2012-05-18 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
US9817032B2 (en) 2012-05-23 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measurement device
JP6250955B2 (ja) 2012-05-25 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP2014003594A (ja) 2012-05-25 2014-01-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
JP6050721B2 (ja) 2012-05-25 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN104321967B (zh) 2012-05-25 2018-01-09 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置及半导体装置
KR102164990B1 (ko) 2012-05-25 2020-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자의 구동 방법
US9147706B2 (en) 2012-05-29 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP6208469B2 (ja) 2012-05-31 2017-10-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048265B2 (en) 2012-05-31 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer
JP6158588B2 (ja) 2012-05-31 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8995607B2 (en) 2012-05-31 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
CN104380473B (zh) 2012-05-31 2017-10-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR102119914B1 (ko) 2012-05-31 2020-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9916793B2 (en) 2012-06-01 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the same
DE102013208844A1 (de) * 2012-06-01 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
US9343120B2 (en) 2012-06-01 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High speed processing unit with non-volatile register
US9135182B2 (en) 2012-06-01 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central processing unit and driving method thereof
WO2013180016A1 (en) 2012-06-01 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and alarm device
US8872174B2 (en) 2012-06-01 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP5263460B1 (ja) 2012-06-12 2013-08-14 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 光散乱層用樹脂組成物、光散乱層、および有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2014027263A (ja) 2012-06-15 2014-02-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US8901557B2 (en) 2012-06-15 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5889730B2 (ja) 2012-06-27 2016-03-22 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置
US9059219B2 (en) 2012-06-27 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI596778B (zh) 2012-06-29 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
CN104380444A (zh) 2012-06-29 2015-02-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
US8873308B2 (en) 2012-06-29 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
KR102161077B1 (ko) 2012-06-29 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9083327B2 (en) 2012-07-06 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9054678B2 (en) 2012-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9190525B2 (en) 2012-07-06 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer
KR102099262B1 (ko) 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2014032399A (ja) 2012-07-13 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP6006558B2 (ja) 2012-07-17 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその製造方法
JP6185311B2 (ja) 2012-07-20 2017-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 電源制御回路、及び信号処理回路
KR102078213B1 (ko) 2012-07-20 2020-02-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
DE112013007837B3 (de) 2012-07-20 2023-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
KR102282866B1 (ko) 2012-07-20 2021-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
JP2014042004A (ja) 2012-07-26 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR20140013931A (ko) 2012-07-26 2014-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
JP6224931B2 (ja) 2012-07-27 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014045175A (ja) 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
SG11201505225TA (en) 2012-08-03 2015-08-28 Semiconductor Energy Lab Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device
KR20150040873A (ko) 2012-08-03 2015-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9885108B2 (en) 2012-08-07 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming sputtering target
US10557192B2 (en) 2012-08-07 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for using sputtering target and method for forming oxide film
CN108305895B (zh) 2012-08-10 2021-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
JP6220597B2 (ja) 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014057296A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
TWI581404B (zh) 2012-08-10 2017-05-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
JP2014057298A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
US9245958B2 (en) 2012-08-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9929276B2 (en) 2012-08-10 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102171650B1 (ko) 2012-08-10 2020-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102099261B1 (ko) 2012-08-10 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8937307B2 (en) 2012-08-10 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014199899A (ja) 2012-08-10 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8872120B2 (en) 2012-08-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and method for driving the same
EP2890221A4 (en) 2012-08-24 2016-09-14 Konica Minolta Inc TRANSPARENT ELECTRODE, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE TRANSPARENT ELECTRODE
KR102069683B1 (ko) 2012-08-24 2020-01-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
DE102013216824A1 (de) 2012-08-28 2014-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
CN102867920A (zh) * 2012-08-28 2013-01-09 李崇 白色oled发光体
US9625764B2 (en) 2012-08-28 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR20140029202A (ko) 2012-08-28 2014-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI575663B (zh) 2012-08-31 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
SG11201504939RA (en) 2012-09-03 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Microcontroller
WO2014038006A1 (ja) 2012-09-05 2014-03-13 パイオニア株式会社 発光装置
JP6245724B2 (ja) * 2012-09-05 2017-12-13 三菱重工業株式会社 照明装置及び機体
DE102013217278B4 (de) 2012-09-12 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung
KR20230175323A (ko) 2012-09-13 2023-12-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9018624B2 (en) 2012-09-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
US8981372B2 (en) 2012-09-13 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
TWI799011B (zh) 2012-09-14 2023-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8927985B2 (en) 2012-09-20 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI821777B (zh) 2012-09-24 2023-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014046222A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI681233B (zh) 2012-10-12 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
JP6351947B2 (ja) 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP6290576B2 (ja) 2012-10-12 2018-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその駆動方法
KR102226090B1 (ko) 2012-10-12 2021-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
JP6021586B2 (ja) 2012-10-17 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102102589B1 (ko) 2012-10-17 2020-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그램 가능한 논리 장치
JP6059501B2 (ja) 2012-10-17 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5951442B2 (ja) 2012-10-17 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014061762A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6283191B2 (ja) 2012-10-17 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014082388A (ja) 2012-10-17 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR102168987B1 (ko) 2012-10-17 2020-10-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 마이크로컨트롤러 및 그 제조 방법
US9166021B2 (en) 2012-10-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102227591B1 (ko) 2012-10-17 2021-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI591966B (zh) 2012-10-17 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法
KR102220279B1 (ko) 2012-10-19 2021-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6204145B2 (ja) 2012-10-23 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9865743B2 (en) 2012-10-24 2018-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide layer surrounding oxide semiconductor layer
KR102279459B1 (ko) 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI782259B (zh) 2012-10-24 2022-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2014065343A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6300489B2 (ja) 2012-10-24 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2014065389A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central control system
JP6219562B2 (ja) 2012-10-30 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
KR102178068B1 (ko) 2012-11-06 2020-11-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
TWI649794B (zh) 2012-11-08 2019-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 金屬氧化物膜及形成金屬氧化物膜的方法
TWI605593B (zh) 2012-11-15 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6220641B2 (ja) 2012-11-15 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI608616B (zh) 2012-11-15 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI600157B (zh) 2012-11-16 2017-09-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6317059B2 (ja) 2012-11-16 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
TWI620323B (zh) 2012-11-16 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6285150B2 (ja) 2012-11-16 2018-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN102982742A (zh) * 2012-11-26 2013-03-20 李崇 多组分oled发光器件技术结合滤光技术制作的全色oled显示器
US9263531B2 (en) 2012-11-28 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device
KR102148549B1 (ko) 2012-11-28 2020-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI662698B (zh) 2012-11-28 2019-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9412764B2 (en) 2012-11-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
TWI627483B (zh) 2012-11-28 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電視接收機
US9246011B2 (en) 2012-11-30 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102526635B1 (ko) 2012-11-30 2023-04-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9594281B2 (en) 2012-11-30 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9153649B2 (en) 2012-11-30 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
JP2014130336A (ja) 2012-11-30 2014-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
TWI582993B (zh) 2012-11-30 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9406810B2 (en) 2012-12-03 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9349593B2 (en) 2012-12-03 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102207028B1 (ko) 2012-12-03 2021-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102112364B1 (ko) 2012-12-06 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9577446B2 (en) 2012-12-13 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device
TWI611419B (zh) 2012-12-24 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
KR102241249B1 (ko) 2012-12-25 2021-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
US9905585B2 (en) 2012-12-25 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising capacitor
DE112013006219T5 (de) 2012-12-25 2015-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren
KR102370069B1 (ko) 2012-12-25 2022-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2014142986A (ja) 2012-12-26 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR102151696B1 (ko) 2012-12-28 2020-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2014143410A (ja) 2012-12-28 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TWI607510B (zh) 2012-12-28 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP6329762B2 (ja) 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102211596B1 (ko) 2012-12-28 2021-02-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9316695B2 (en) 2012-12-28 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9391096B2 (en) 2013-01-18 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI614813B (zh) 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9466725B2 (en) 2013-01-24 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9190172B2 (en) 2013-01-24 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6223198B2 (ja) 2013-01-24 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI619010B (zh) 2013-01-24 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5807076B2 (ja) 2013-01-24 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI593025B (zh) 2013-01-30 2017-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體層的處理方法
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9076825B2 (en) 2013-01-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
CN103972420A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN103972417A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
KR102112367B1 (ko) 2013-02-12 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI618252B (zh) 2013-02-12 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9231111B2 (en) 2013-02-13 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102125593B1 (ko) 2013-02-13 2020-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9190527B2 (en) 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US9318484B2 (en) 2013-02-20 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI611566B (zh) 2013-02-25 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
US9293544B2 (en) 2013-02-26 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having buried channel structure
US9373711B2 (en) 2013-02-27 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI612321B (zh) 2013-02-27 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置
TWI651839B (zh) 2013-02-27 2019-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置
KR102238682B1 (ko) 2013-02-28 2021-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP2014195243A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014195241A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6141777B2 (ja) 2013-02-28 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2014195060A (ja) 2013-03-01 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
JP6250883B2 (ja) 2013-03-01 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102153110B1 (ko) 2013-03-06 2020-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막 및 반도체 장치
CN104037329A (zh) * 2013-03-06 2014-09-10 海洋王照明科技股份有限公司 叠层有机电致发光器件及其制备方法
US9269315B2 (en) 2013-03-08 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
CN104051661A (zh) * 2013-03-12 2014-09-17 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI644433B (zh) 2013-03-13 2018-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6298662B2 (ja) 2013-03-14 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014199709A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、半導体装置
US9294075B2 (en) 2013-03-14 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6283237B2 (ja) 2013-03-14 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014199708A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
KR102290247B1 (ko) 2013-03-14 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
WO2014142043A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device and semiconductor device
US9245650B2 (en) 2013-03-15 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9786350B2 (en) 2013-03-18 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9153650B2 (en) 2013-03-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor
US9577107B2 (en) 2013-03-19 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film
JP6093726B2 (ja) 2013-03-22 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9007092B2 (en) 2013-03-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6355374B2 (ja) 2013-03-22 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2014157019A1 (en) 2013-03-25 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10347769B2 (en) 2013-03-25 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes
JP6272713B2 (ja) 2013-03-25 2018-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置
JP6316630B2 (ja) 2013-03-26 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6376788B2 (ja) 2013-03-26 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9608122B2 (en) 2013-03-27 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014209209A (ja) 2013-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN104078577A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104078613A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104078604A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104078605A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104078571A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 白光有机电致发光器件及其制备方法
EP2980876B1 (en) 2013-03-29 2019-05-08 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element, lighting device and display device
JP6314599B2 (ja) 2013-03-29 2018-04-25 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス用化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子、それを具備した照明装置及び表示装置
CN104078576A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104078572A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104078611A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 白光有机电致发光器件及其制备方法
CN104078578A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
US9368636B2 (en) 2013-04-01 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers
JP6300589B2 (ja) 2013-04-04 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9112460B2 (en) 2013-04-05 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device
JP6224338B2 (ja) 2013-04-11 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法
JP6198434B2 (ja) 2013-04-11 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP6280794B2 (ja) 2013-04-12 2018-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
TWI620324B (zh) 2013-04-12 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
JP6333028B2 (ja) 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP6456598B2 (ja) 2013-04-19 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
TWI647559B (zh) 2013-04-24 2019-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9893192B2 (en) 2013-04-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6396671B2 (ja) 2013-04-26 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6401483B2 (ja) 2013-04-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI644434B (zh) 2013-04-29 2018-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI631711B (zh) 2013-05-01 2018-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102222344B1 (ko) 2013-05-02 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9882058B2 (en) 2013-05-03 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9231002B2 (en) 2013-05-03 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN105190902B (zh) 2013-05-09 2019-01-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US9246476B2 (en) 2013-05-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit
US9704894B2 (en) 2013-05-10 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel electrode including oxide
TWI621337B (zh) 2013-05-14 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 信號處理裝置
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI639235B (zh) 2013-05-16 2018-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI669824B (zh) 2013-05-16 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9312392B2 (en) 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10032872B2 (en) 2013-05-17 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device
JP6298353B2 (ja) 2013-05-17 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI638519B (zh) 2013-05-17 2018-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
US9209795B2 (en) 2013-05-17 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device and measuring method
US9754971B2 (en) 2013-05-18 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102442752B1 (ko) 2013-05-20 2022-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9343579B2 (en) 2013-05-20 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI664731B (zh) 2013-05-20 2019-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
DE102014208859B4 (de) 2013-05-20 2021-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9293599B2 (en) 2013-05-20 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
DE112014002485T5 (de) 2013-05-20 2016-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9647125B2 (en) 2013-05-20 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10416504B2 (en) 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2014188983A1 (en) 2013-05-21 2014-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and formation method thereof
CN104183712A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光装置、显示屏及其终端
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015195327A (ja) 2013-06-05 2015-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6400336B2 (ja) 2013-06-05 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI624936B (zh) 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9806198B2 (en) 2013-06-05 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI649606B (zh) 2013-06-05 2019-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
US9773915B2 (en) 2013-06-11 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI641112B (zh) 2013-06-13 2018-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6368155B2 (ja) 2013-06-18 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
TWI652822B (zh) 2013-06-19 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體膜及其形成方法
US9035301B2 (en) 2013-06-19 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
KR102257058B1 (ko) 2013-06-21 2021-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6357363B2 (ja) 2013-06-26 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
KR20210079411A (ko) 2013-06-27 2021-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE102013106949A1 (de) * 2013-07-02 2015-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, organische funktionelle Schicht und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
TW201513128A (zh) 2013-07-05 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
JP6435124B2 (ja) 2013-07-08 2018-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9666697B2 (en) 2013-07-08 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer
US20150008428A1 (en) 2013-07-08 2015-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9293480B2 (en) 2013-07-10 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
TWI654614B (zh) 2013-07-10 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9006736B2 (en) 2013-07-12 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6400961B2 (ja) 2013-07-12 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6322503B2 (ja) 2013-07-16 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6516978B2 (ja) 2013-07-17 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443592B2 (en) 2013-07-18 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9395070B2 (en) 2013-07-19 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Support of flexible component and light-emitting device
TWI608523B (zh) 2013-07-19 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
US9379138B2 (en) 2013-07-19 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity
US10529740B2 (en) 2013-07-25 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
TWI632688B (zh) 2013-07-25 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
TWI641208B (zh) 2013-07-26 2018-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 直流對直流轉換器
US9343288B2 (en) 2013-07-31 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6460592B2 (ja) 2013-07-31 2019-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃｄｃコンバータ、及び半導体装置
JP5857006B2 (ja) * 2013-07-31 2016-02-10 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置
JP6410496B2 (ja) 2013-07-31 2018-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 マルチゲート構造のトランジスタ
US9496330B2 (en) 2013-08-02 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
TWI635750B (zh) 2013-08-02 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置以及其工作方法
JP2015053477A (ja) 2013-08-05 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6345023B2 (ja) 2013-08-07 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
KR102304824B1 (ko) 2013-08-09 2021-09-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TW202339325A (zh) 2013-08-09 2023-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示模組、照明模組、發光裝置、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置
US9601591B2 (en) 2013-08-09 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102244374B1 (ko) 2013-08-09 2021-04-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 디스플레이 모듈, 조명 모듈, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP6329843B2 (ja) 2013-08-19 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9374048B2 (en) 2013-08-20 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device, and driving method and program thereof
TWI663820B (zh) 2013-08-21 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置
KR102232133B1 (ko) 2013-08-22 2021-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9443987B2 (en) 2013-08-23 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102244553B1 (ko) 2013-08-23 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 용량 소자 및 반도체 장치
TWI749810B (zh) 2013-08-28 2021-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9552767B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9360564B2 (en) 2013-08-30 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6426402B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9590109B2 (en) 2013-08-30 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2015030150A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit and semiconductor device
US9449853B2 (en) 2013-09-04 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer
JP6406926B2 (ja) 2013-09-04 2018-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10008513B2 (en) 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6345544B2 (ja) 2013-09-05 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9607991B2 (en) 2013-09-05 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6401977B2 (ja) 2013-09-06 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102294507B1 (ko) 2013-09-06 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9590110B2 (en) 2013-09-10 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ultraviolet light sensor circuit
TWI640014B (zh) 2013-09-11 2018-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置
US9893194B2 (en) 2013-09-12 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9269822B2 (en) 2013-09-12 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI646690B (zh) 2013-09-13 2019-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9805952B2 (en) 2013-09-13 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2015037500A1 (en) 2013-09-13 2015-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9461126B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit
JP2015079946A (ja) 2013-09-13 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6467171B2 (ja) 2013-09-17 2019-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9859439B2 (en) 2013-09-18 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9269915B2 (en) 2013-09-18 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI677989B (zh) 2013-09-19 2019-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6570817B2 (ja) 2013-09-23 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9425217B2 (en) 2013-09-23 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015084418A (ja) 2013-09-23 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9397153B2 (en) 2013-09-23 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6383616B2 (ja) 2013-09-25 2018-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9799774B2 (en) 2013-09-26 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Switch circuit, semiconductor device, and system
JP6392603B2 (ja) 2013-09-27 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015069757A (ja) 2013-09-27 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP6581765B2 (ja) 2013-10-02 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置
JP6386323B2 (ja) 2013-10-04 2018-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI688102B (zh) 2013-10-10 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102183763B1 (ko) 2013-10-11 2020-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US9245593B2 (en) 2013-10-16 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving arithmetic processing unit
TWI642170B (zh) 2013-10-18 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
TWI621127B (zh) 2013-10-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 運算處理裝置及其驅動方法
CN105659370A (zh) 2013-10-22 2016-06-08 株式会社半导体能源研究所 显示装置
DE102014220672A1 (de) 2013-10-22 2015-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
CN105659369B (zh) 2013-10-22 2019-10-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
US9276128B2 (en) 2013-10-22 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and etchant used for the same
JP2015179247A (ja) 2013-10-22 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9455349B2 (en) 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
KR102244460B1 (ko) 2013-10-22 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6625796B2 (ja) 2013-10-25 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6457239B2 (ja) 2013-10-31 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6478562B2 (ja) 2013-11-07 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6440457B2 (ja) 2013-11-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9385054B2 (en) 2013-11-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and manufacturing method thereof
JP2015118724A (ja) 2013-11-13 2015-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP6426437B2 (ja) 2013-11-22 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6393590B2 (ja) 2013-11-22 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6486660B2 (ja) 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20150155313A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102215364B1 (ko) 2013-12-02 2021-02-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제조방법
KR102264987B1 (ko) 2013-12-02 2021-06-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9601634B2 (en) 2013-12-02 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9991392B2 (en) 2013-12-03 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016027597A (ja) 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9349751B2 (en) 2013-12-12 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6537264B2 (ja) 2013-12-12 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9666822B2 (en) 2013-12-17 2017-05-30 The Regents Of The University Of Michigan Extended OLED operational lifetime through phosphorescent dopant profile management
TWI642186B (zh) 2013-12-18 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI721409B (zh) 2013-12-19 2021-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9379192B2 (en) 2013-12-20 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6444714B2 (ja) 2013-12-20 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102283814B1 (ko) 2013-12-25 2021-07-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9960280B2 (en) 2013-12-26 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015097596A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI637484B (zh) 2013-12-26 2018-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6402017B2 (ja) 2013-12-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
SG11201604650SA (en) 2013-12-26 2016-07-28 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
US9318618B2 (en) 2013-12-27 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9577110B2 (en) 2013-12-27 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
JP6506961B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US9349418B2 (en) 2013-12-27 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP6488124B2 (ja) 2013-12-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20220046701A (ko) 2013-12-27 2022-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR102529174B1 (ko) 2013-12-27 2023-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6444723B2 (ja) 2014-01-09 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9300292B2 (en) 2014-01-10 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit including transistor
US9401432B2 (en) 2014-01-16 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9379713B2 (en) 2014-01-17 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and driving method thereof
JP2015138746A (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 ソニー株式会社 有機ｅｌ素子、表示装置及び照明装置
KR102306200B1 (ko) 2014-01-24 2021-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2015114476A1 (en) 2014-01-28 2015-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9929044B2 (en) 2014-01-30 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI665778B (zh) 2014-02-05 2019-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組及電子裝置
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP6523695B2 (ja) 2014-02-05 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9721968B2 (en) 2014-02-06 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic appliance
JP2015165226A (ja) 2014-02-07 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
TWI685116B (zh) 2014-02-07 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9479175B2 (en) 2014-02-07 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP6420165B2 (ja) 2014-02-07 2018-11-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6545970B2 (ja) 2014-02-07 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
WO2015118436A1 (en) 2014-02-07 2015-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, device, and electronic device
DE112015000739T5 (de) 2014-02-11 2016-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und elektronisches Gerät
JP6379338B2 (ja) 2014-02-12 2018-08-29 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機電界発光素子、表示装置、および有機電界発光素子の製造方法
WO2015125042A1 (en) 2014-02-19 2015-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide, semiconductor device, module, and electronic device
CN104867981B (zh) 2014-02-21 2020-04-21 株式会社半导体能源研究所 半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备
JP2015172991A (ja) 2014-02-21 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
JP6506566B2 (ja) 2014-02-21 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 電流測定方法
KR20160126991A (ko) 2014-02-28 2016-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
US10074576B2 (en) 2014-02-28 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9564535B2 (en) 2014-02-28 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
US9294096B2 (en) 2014-02-28 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102329066B1 (ko) 2014-02-28 2021-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법, 및 전자 기기
JP6474280B2 (ja) 2014-03-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20150104518A (ko) 2014-03-05 2015-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레벨 시프터 회로
US9537478B2 (en) 2014-03-06 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10096489B2 (en) 2014-03-06 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9397637B2 (en) 2014-03-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device
JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9419622B2 (en) 2014-03-07 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6545976B2 (ja) 2014-03-07 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015132697A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6442321B2 (ja) 2014-03-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
US9711536B2 (en) 2014-03-07 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP6585354B2 (ja) 2014-03-07 2019-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9653611B2 (en) 2014-03-07 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
KR20160132405A (ko) 2014-03-12 2016-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6525421B2 (ja) 2014-03-13 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20230062676A (ko) 2014-03-13 2023-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
JP6560508B2 (ja) 2014-03-13 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9324747B2 (en) 2014-03-13 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6541376B2 (ja) 2014-03-13 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
JP6677449B2 (ja) 2014-03-13 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9640669B2 (en) 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
US9887212B2 (en) 2014-03-14 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP2015188071A (ja) 2014-03-14 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6559444B2 (ja) 2014-03-14 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102367921B1 (ko) 2014-03-14 2022-02-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 시스템
US9299848B2 (en) 2014-03-14 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RF tag, and electronic device
WO2015140656A1 (en) 2014-03-18 2015-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6509596B2 (ja) 2014-03-18 2019-05-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9842842B2 (en) 2014-03-19 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same
US9887291B2 (en) 2014-03-19 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
WO2015141142A1 (ja) 2014-03-20 2015-09-24 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル、それを備えた表示装置および有機ｅｌ表示パネルの製造方法
JP6222719B2 (ja) 2014-03-20 2017-11-01 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル、それを備えた表示装置および有機ｅｌ表示パネルの製造方法
JP6495698B2 (ja) 2014-03-20 2019-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
TWI657488B (zh) 2014-03-20 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
KR102400212B1 (ko) 2014-03-28 2022-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
JP6487738B2 (ja) 2014-03-31 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品
TWI735206B (zh) 2014-04-10 2021-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
JP6635670B2 (ja) 2014-04-11 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6541398B2 (ja) 2014-04-11 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI646782B (zh) 2014-04-11 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置
US9674470B2 (en) 2014-04-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device
WO2015159183A2 (en) 2014-04-18 2015-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having the same
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법
DE112015001878B4 (de) 2014-04-18 2021-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
JP6613044B2 (ja) 2014-04-22 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
KR102380829B1 (ko) 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
JP6468686B2 (ja) 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US9780226B2 (en) 2014-04-25 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102330412B1 (ko) 2014-04-25 2021-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
TWI643457B (zh) 2014-04-25 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10043913B2 (en) 2014-04-30 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
TWI679624B (zh) 2014-05-02 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6537341B2 (ja) 2014-05-07 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6653997B2 (ja) 2014-05-09 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示補正回路及び表示装置
KR102333604B1 (ko) 2014-05-15 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
TWI776722B (zh) 2014-05-15 2022-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、電子裝置以及照明設備
JP6612056B2 (ja) 2014-05-16 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、及び監視装置
JP2015233130A (ja) 2014-05-16 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板および半導体装置の作製方法
JP6580863B2 (ja) 2014-05-22 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、健康管理システム
TWI672804B (zh) 2014-05-23 2019-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP6616102B2 (ja) 2014-05-23 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
US10020403B2 (en) 2014-05-27 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR20150138026A (ko) 2014-05-29 2015-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102418666B1 (ko) 2014-05-29 2022-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법
JP6615490B2 (ja) 2014-05-29 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
JP6525722B2 (ja) 2014-05-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、電子部品、及び電子機器
JP6653129B2 (ja) 2014-05-29 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
TWI663726B (zh) 2014-05-30 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置、模組及電子裝置
US9831238B2 (en) 2014-05-30 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion
JP6538426B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
KR20170013240A (ko) 2014-05-30 2017-02-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제조하기 위한 방법
DE112014006711B4 (de) 2014-05-30 2021-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren dafür und elektronische Vorrichtung
TWI646658B (zh) 2014-05-30 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6537892B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
JP6134292B2 (ja) * 2014-05-30 2017-05-24 信越化学工業株式会社 反応性シリル基を有する電荷移動錯体及びその製造方法、並びに表面修飾剤及びこれを用いた透明酸化物電極及びその製造方法
JP2016015475A (ja) 2014-06-13 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
WO2015189731A1 (en) 2014-06-13 2015-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
KR102344782B1 (ko) 2014-06-13 2021-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 장치 및 입출력 장치
TWI663733B (zh) 2014-06-18 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電晶體及半導體裝置
KR20150146409A (ko) 2014-06-20 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
TWI666776B (zh) 2014-06-20 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
US9722090B2 (en) 2014-06-23 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
JP6545541B2 (ja) 2014-06-25 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US10002971B2 (en) 2014-07-03 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9647129B2 (en) 2014-07-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9461179B2 (en) 2014-07-11 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure
CN112038410A (zh) 2014-07-15 2020-12-04 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法以及包括半导体装置的显示装置
KR102422059B1 (ko) 2014-07-18 2022-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 촬상 장치, 및 전자 기기
JP6581825B2 (ja) 2014-07-18 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
CN104143608B (zh) * 2014-07-25 2017-09-26 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2016012893A1 (en) 2014-07-25 2016-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oscillator circuit and semiconductor device including the same
JP6527416B2 (ja) 2014-07-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6555956B2 (ja) 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
KR102533396B1 (ko) 2014-07-31 2023-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
US9705004B2 (en) 2014-08-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE102014111140B4 (de) * 2014-08-05 2019-08-14 Infineon Technologies Austria Ag Halbleitervorrichtung mit Feldeffektstrukturen mit verschiedenen Gatematerialien und Verfahren zur Herstellung davon
JP6553444B2 (ja) 2014-08-08 2019-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6739150B2 (ja) 2014-08-08 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、発振回路、位相同期回路及び電子機器
DE102014111346B4 (de) * 2014-08-08 2022-11-03 Pictiva Displays International Limited Optoelektronische Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung
JP6652342B2 (ja) 2014-08-08 2020-02-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9343691B2 (en) 2014-08-08 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR102377360B1 (ko) 2014-08-08 2022-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치, 표시 장치, 디스플레이 패널, 전자 기기
US10147747B2 (en) 2014-08-21 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US10032888B2 (en) 2014-08-22 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device
US10559667B2 (en) 2014-08-25 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
KR102509203B1 (ko) 2014-08-29 2023-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR102545592B1 (ko) 2014-09-02 2023-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR102329498B1 (ko) 2014-09-04 2021-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2016066065A (ja) 2014-09-05 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および電子機器
US9766517B2 (en) 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
US9722091B2 (en) 2014-09-12 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6676316B2 (ja) 2014-09-12 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN104269429B (zh) * 2014-09-19 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其驱动方法及显示装置
US9401364B2 (en) 2014-09-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP2016066788A (ja) 2014-09-19 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法
DE112015004272T5 (de) 2014-09-19 2017-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung
KR20160034200A (ko) 2014-09-19 2016-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10071904B2 (en) 2014-09-25 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
WO2016046685A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP2016111677A (ja) 2014-09-26 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、無線センサ、及び電子機器
US10170055B2 (en) 2014-09-26 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP6633330B2 (ja) 2014-09-26 2020-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN104269431B (zh) 2014-09-29 2017-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其驱动方法及显示装置
US9450581B2 (en) 2014-09-30 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9356249B2 (en) * 2014-09-30 2016-05-31 Industrial Technology Research Institute Organic electronic device and electric field-induced carrier generation layer
WO2016055894A1 (en) 2014-10-06 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9698170B2 (en) 2014-10-07 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
CN106796918A (zh) 2014-10-10 2017-05-31 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、电路板及电子设备
DE112015004644T5 (de) 2014-10-10 2017-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logikschaltung, Verarbeitungseinheit, elektronisches Bauelement und elektronische Vorrichtung
US9991393B2 (en) 2014-10-16 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
US10153449B2 (en) 2014-10-16 2018-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP6645793B2 (ja) 2014-10-17 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016063159A1 (en) 2014-10-20 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device
US10068927B2 (en) 2014-10-23 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6615565B2 (ja) 2014-10-24 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9704704B2 (en) 2014-10-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
CN107111970B (zh) 2014-10-28 2021-08-13 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示装置的制造方法及电子设备
TWI652362B (zh) 2014-10-28 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物及其製造方法
JP6780927B2 (ja) 2014-10-31 2020-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10680017B2 (en) 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
US9548327B2 (en) 2014-11-10 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer
US9584707B2 (en) 2014-11-10 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR102358545B1 (ko) * 2014-11-13 2022-02-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US9859529B2 (en) * 2014-11-13 2018-01-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP6503699B2 (ja) * 2014-11-17 2019-04-24 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス照明装置
TWI711165B (zh) 2014-11-21 2020-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
US9438234B2 (en) 2014-11-21 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device including logic circuit
TWI699897B (zh) 2014-11-21 2020-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6563313B2 (ja) 2014-11-21 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
KR102317991B1 (ko) * 2014-11-28 2021-10-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR20230058538A (ko) 2014-11-28 2023-05-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 모듈, 및 전자 기기
JP6647841B2 (ja) 2014-12-01 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物の作製方法
KR102295796B1 (ko) * 2014-12-04 2021-08-30 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이를 구비한 표시소자
JP6667267B2 (ja) 2014-12-08 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9768317B2 (en) 2014-12-08 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device
JP6689062B2 (ja) 2014-12-10 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016092427A1 (en) 2014-12-10 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6833315B2 (ja) 2014-12-10 2021-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
US9773832B2 (en) 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2016092416A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and electronic device
JP2016116220A (ja) 2014-12-16 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
JP6676354B2 (ja) 2014-12-16 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI687657B (zh) 2014-12-18 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、感測裝置和電子裝置
TWI686874B (zh) 2014-12-26 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法
KR20170101233A (ko) 2014-12-26 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링용 타깃의 제작 방법
US10396210B2 (en) 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
CN111933668A (zh) 2014-12-29 2020-11-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US10522693B2 (en) 2015-01-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
JP6857447B2 (ja) 2015-01-26 2021-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443564B2 (en) 2015-01-26 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9954112B2 (en) 2015-01-26 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI710124B (zh) 2015-01-30 2020-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及電子裝置
US9647132B2 (en) 2015-01-30 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
KR20170109231A (ko) 2015-02-02 2017-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 및 그 제작 방법
WO2016125051A1 (en) 2015-02-04 2016-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI732383B (zh) 2015-02-06 2021-07-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 裝置及其製造方法以及電子裝置
US9660100B2 (en) 2015-02-06 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6717604B2 (ja) 2015-02-09 2020-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、中央処理装置及び電子機器
US9954113B2 (en) 2015-02-09 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor including oxide semiconductor, semiconductor device including the transistor, and electronic device including the transistor
WO2016128859A1 (en) 2015-02-11 2016-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9818880B2 (en) 2015-02-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
CN114512547A (zh) 2015-02-12 2022-05-17 株式会社半导体能源研究所 氧化物半导体膜及半导体装置
JP2016154225A (ja) 2015-02-12 2016-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US10249644B2 (en) 2015-02-13 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP5831654B1 (ja) 2015-02-13 2015-12-09 コニカミノルタ株式会社 芳香族複素環誘導体、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
US9991394B2 (en) 2015-02-20 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US9489988B2 (en) 2015-02-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US10403646B2 (en) 2015-02-20 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9722092B2 (en) 2015-02-25 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a stacked metal oxide
JP6739185B2 (ja) 2015-02-26 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 ストレージシステム、およびストレージ制御回路
US9653613B2 (en) 2015-02-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6022014B2 (ja) 2015-03-02 2016-11-09 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置
JP6744108B2 (ja) 2015-03-02 2020-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、トランジスタの作製方法、半導体装置および電子機器
KR102653836B1 (ko) 2015-03-03 2024-04-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 또는 그를 포함하는 표시 장치
TWI718125B (zh) 2015-03-03 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
CN107406966B (zh) 2015-03-03 2020-11-20 株式会社半导体能源研究所 氧化物半导体膜、包括该氧化物半导体膜的半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US9905700B2 (en) 2015-03-13 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device or memory device and driving method thereof
US9882061B2 (en) 2015-03-17 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102560862B1 (ko) 2015-03-17 2023-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
US9964799B2 (en) 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US10008609B2 (en) 2015-03-17 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
JP2016177280A (ja) 2015-03-18 2016-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
US10147823B2 (en) 2015-03-19 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6662665B2 (ja) 2015-03-19 2020-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
KR102582523B1 (ko) 2015-03-19 2023-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9634048B2 (en) 2015-03-24 2017-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9842938B2 (en) 2015-03-24 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including semiconductor device
KR20160114511A (ko) 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10429704B2 (en) 2015-03-26 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
US10096715B2 (en) 2015-03-26 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
TWI695513B (zh) 2015-03-27 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
JP6736321B2 (ja) 2015-03-27 2020-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
US9806200B2 (en) 2015-03-27 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TW202416542A (zh) 2015-03-30 2024-04-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9716852B2 (en) 2015-04-03 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Broadcast system
US10389961B2 (en) 2015-04-09 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
WO2016166628A1 (en) 2015-04-13 2016-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US10372274B2 (en) 2015-04-13 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
US10056497B2 (en) 2015-04-15 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10460984B2 (en) 2015-04-15 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating electrode and semiconductor device
US9916791B2 (en) 2015-04-16 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and method for driving display device
US10192995B2 (en) 2015-04-28 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10002970B2 (en) 2015-04-30 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same
US10671204B2 (en) 2015-05-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and data processor
KR102549926B1 (ko) 2015-05-04 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기
JP6681780B2 (ja) 2015-05-07 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システムおよび電子機器
DE102016207737A1 (de) 2015-05-11 2016-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand
TWI693719B (zh) 2015-05-11 2020-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP6935171B2 (ja) 2015-05-14 2021-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11728356B2 (en) 2015-05-14 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element and imaging device
US9627034B2 (en) 2015-05-15 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US9837547B2 (en) 2015-05-22 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
KR20240014632A (ko) 2015-05-22 2024-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP2016225614A (ja) 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6773453B2 (ja) 2015-05-26 2020-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
CN104993066B (zh) * 2015-05-27 2017-11-14 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其制备方法、显示装置
US10139663B2 (en) 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
US10749058B2 (en) 2015-06-11 2020-08-18 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Monodisperse, IR-absorbing nanoparticles and related methods and devices
KR102553553B1 (ko) 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
US9702689B2 (en) * 2015-06-18 2017-07-11 Xerox Corporation Use of a full width array imaging sensor to measure real time film thicknesses on film manufacturing equipment
KR102593883B1 (ko) 2015-06-19 2023-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 및 전자 기기
US9860465B2 (en) 2015-06-23 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
CN104966789A (zh) * 2015-06-30 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种电荷连接层及其制造方法、叠层oled器件
US9935633B2 (en) 2015-06-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10290573B2 (en) 2015-07-02 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9917209B2 (en) 2015-07-03 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor
US10181531B2 (en) 2015-07-08 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor having low parasitic capacitance
JP2017022377A (ja) 2015-07-14 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN107852793B (zh) 2015-07-15 2020-02-21 柯尼卡美能达株式会社 有机薄膜层叠体及有机电致发光元件
US10501003B2 (en) 2015-07-17 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, lighting device, and vehicle
US10985278B2 (en) 2015-07-21 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US11189736B2 (en) 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US10424671B2 (en) 2015-07-29 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
CN106409919A (zh) 2015-07-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US10585506B2 (en) 2015-07-30 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with high visibility regardless of illuminance of external light
US9825177B2 (en) 2015-07-30 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask
JP6802656B2 (ja) 2015-07-30 2020-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 メモリセルの作製方法及び半導体装置の作製方法
JP6725357B2 (ja) 2015-08-03 2020-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、半導体装置の作製方法
US9876946B2 (en) 2015-08-03 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP6791661B2 (ja) 2015-08-07 2020-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
WO2017029576A1 (en) 2015-08-19 2017-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP2017041877A (ja) 2015-08-21 2017-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、および電子機器
US9666606B2 (en) 2015-08-21 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9773919B2 (en) 2015-08-26 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2017037564A1 (en) 2015-08-28 2017-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device
US9911756B2 (en) 2015-08-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage
JP2017050537A (ja) 2015-08-31 2017-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6807683B2 (ja) 2015-09-11 2021-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力パネル
SG10201607278TA (en) 2015-09-18 2017-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic device
JP2017063420A (ja) 2015-09-25 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2017055967A1 (en) 2015-09-30 2017-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2017064590A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2017064587A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
US9852926B2 (en) 2015-10-20 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
JP2017102904A (ja) 2015-10-23 2017-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および電子機器
US10922605B2 (en) 2015-10-23 2021-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10007161B2 (en) 2015-10-26 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6022015B2 (ja) * 2015-10-27 2016-11-09 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び照明装置
SG10201608814YA (en) 2015-10-29 2017-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
JP6796461B2 (ja) 2015-11-18 2020-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
US10868045B2 (en) 2015-12-11 2020-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP2018032839A (ja) 2015-12-11 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器
US10050152B2 (en) 2015-12-16 2018-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
CN108475491B (zh) 2015-12-18 2021-04-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US10177142B2 (en) 2015-12-25 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device
CN114361180A (zh) 2015-12-28 2022-04-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置
JP6851814B2 (ja) 2015-12-29 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
CN113105213A (zh) 2015-12-29 2021-07-13 株式会社半导体能源研究所 金属氧化物膜以及半导体装置
JP2017135698A (ja) 2015-12-29 2017-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
JP6788314B2 (ja) 2016-01-06 2020-11-25 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置
JP6827328B2 (ja) 2016-01-15 2021-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
KR102330089B1 (ko) 2016-01-18 2021-12-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물막, 반도체 장치, 및 표시 장치
US9905657B2 (en) 2016-01-20 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6822853B2 (ja) 2016-01-21 2021-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び記憶装置の駆動方法
US10411013B2 (en) 2016-01-22 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
US10700212B2 (en) 2016-01-28 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof
US10115741B2 (en) 2016-02-05 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
EP3416459B1 (en) 2016-02-10 2022-03-02 Merck Patent GmbH Organic electroluminescent light emitting device
US10250247B2 (en) 2016-02-10 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6970511B2 (ja) 2016-02-12 2021-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
WO2017137869A1 (en) 2016-02-12 2017-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
KR20170096956A (ko) 2016-02-17 2017-08-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 기기
KR20180124874A (ko) 2016-03-04 2018-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
US10263114B2 (en) 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
WO2017149413A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6904730B2 (ja) 2016-03-08 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US9882064B2 (en) 2016-03-10 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and electronic device
US10096720B2 (en) 2016-03-25 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP6668455B2 (ja) 2016-04-01 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物半導体膜の作製方法
JP5991686B1 (ja) 2016-04-14 2016-09-14 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子および照明装置
US10236875B2 (en) 2016-04-15 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the semiconductor device
CN109074296B (zh) 2016-04-15 2023-09-12 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、电子构件及电子设备
KR20170128664A (ko) * 2016-05-12 2017-11-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
WO2017199130A1 (en) 2016-05-19 2017-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite oxide semiconductor and transistor
WO2017208119A1 (en) 2016-06-03 2017-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Metal oxide and field-effect transistor
KR102330605B1 (ko) 2016-06-22 2021-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102611206B1 (ko) * 2016-07-13 2023-12-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP6998308B2 (ja) 2016-08-24 2022-02-04 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
US10411003B2 (en) 2016-10-14 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10777619B2 (en) * 2016-11-11 2020-09-15 HotaluX, Ltd. Organic EL device
CN108109592B (zh) 2016-11-25 2022-01-25 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其工作方法
KR102157756B1 (ko) * 2016-12-12 2020-09-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치
JP6151846B1 (ja) 2016-12-27 2017-06-21 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子、照明装置、ディスプレイ装置
JP6151847B1 (ja) * 2016-12-27 2017-06-21 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子および照明装置
JP6142070B1 (ja) * 2016-12-27 2017-06-07 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子および照明装置
JP6151845B1 (ja) 2016-12-27 2017-06-21 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子、照明装置、ディスプレイ装置
JP6155378B1 (ja) 2016-12-27 2017-06-28 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子、照明装置、ディスプレイ装置
CN106783932A (zh) * 2016-12-30 2017-05-31 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及装置
JP6151873B1 (ja) 2017-02-10 2017-06-21 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント装置、ディスプレイ装置、照明装置
JP6151874B1 (ja) 2017-02-10 2017-06-21 Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 有機エレクトロルミネッセント装置および照明装置
KR102086890B1 (ko) * 2017-05-31 2020-03-09 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
CN110998863A (zh) 2017-07-31 2020-04-10 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
KR102478497B1 (ko) * 2017-09-22 2022-12-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 헤드 마운트 표시 장치
CN107863445A (zh) * 2017-10-30 2018-03-30 武汉华美晨曦光电有限责任公司 一种以交流驱动的白光oled器件
JP6808662B2 (ja) 2018-01-15 2021-01-06 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルの製造方法、および、有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置
WO2019145803A1 (ja) 2018-01-24 2019-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
WO2019175704A1 (ja) 2018-03-16 2019-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 電気モジュール、表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置、電気モジュールの作製方法
CN108649057B (zh) * 2018-05-14 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
JPWO2019220283A1 (ja) 2018-05-18 2021-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置
JP2021182459A (ja) * 2018-06-04 2021-11-25 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
US11610998B2 (en) 2018-07-09 2023-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2020012284A1 (ja) 2018-07-10 2020-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 二次電池の保護回路及び二次電池の異常検知システム
CN109192759B (zh) * 2018-08-29 2021-09-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示面板的制备方法
JP6789275B2 (ja) * 2018-10-31 2020-11-25 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法、並びに有機ｅｌパネル、有機ｅｌ表示装置、電子機器
KR102110834B1 (ko) * 2018-11-12 2020-05-14 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20210119963A (ko) 2018-12-20 2021-10-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전지 팩
KR102121187B1 (ko) * 2018-12-28 2020-06-11 한밭대학교 산학협력단 전하이동 착물의 형성효율을 분광법으로 결정하는 방법
US11903232B2 (en) 2019-03-07 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device comprising charge-generation layer between light-emitting units
KR102675353B1 (ko) * 2019-08-02 2024-06-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광장치
CN110611034A (zh) * 2019-08-29 2019-12-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机电致发光器件和显示面板
US20210066636A1 (en) * 2019-09-04 2021-03-04 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode and organic light emitting device having the diode
KR20210046439A (ko) * 2019-10-18 2021-04-28 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 유기발광장치
CN113964279A (zh) * 2020-07-20 2022-01-21 咸阳彩虹光电科技有限公司 顶发射有机电致发光元件和顶发射有机电致发光器件
US11756983B2 (en) 2020-12-10 2023-09-12 Massachusetts Institute Of Technology Silicon nano light emitting diodes
WO2022229775A1 (ja) 2021-04-30 2022-11-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2022255178A1 (ja) * 2021-06-01 2022-12-08 株式会社カネカ 電荷発生構造及び有機ｅｌ素子
KR20240073893A (ko) * 2021-09-24 2024-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04192376A (ja) 1990-11-22 1992-07-10 Sekisui Chem Co Ltd タンデム型有機太陽電池
US5641582A (en) * 1992-04-16 1997-06-24 Komatsu Ltd. Thin-film EL element
JPH0628278A (ja) 1992-07-10 1994-02-04 Daikin Ind Ltd データ処理装置の画面データ出力方法およびその装置
GB9317932D0 (en) * 1993-08-26 1993-10-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
JPH07176383A (ja) * 1993-12-21 1995-07-14 Casio Comput Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
US5677546A (en) 1995-05-19 1997-10-14 Uniax Corporation Polymer light-emitting electrochemical cells in surface cell configuration
US6351068B2 (en) * 1995-12-20 2002-02-26 Mitsui Chemicals, Inc. Transparent conductive laminate and electroluminescence light-emitting element using same
JPH10270171A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
US6337492B1 (en) * 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
JPH1161386A (ja) 1997-08-22 1999-03-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子の成膜装置
JP4514841B2 (ja) * 1998-02-17 2010-07-28 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3875401B2 (ja) * 1998-05-12 2007-01-31 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ素子
JP3884564B2 (ja) * 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
US6451415B1 (en) 1998-08-19 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer
US6274980B1 (en) 1998-11-16 2001-08-14 The Trustees Of Princeton University Single-color stacked organic light emitting device
TW474114B (en) * 1999-09-29 2002-01-21 Junji Kido Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device assembly and method of controlling the emission spectrum in the device
JP4192376B2 (ja) 1999-12-24 2008-12-10 株式会社デンソー 車両用コクピットモジュール組付体
KR20010068549A (ko) * 2000-01-06 2001-07-23 김순택 반사방지막을 가지는 평판표시장치
KR100329571B1 (ko) 2000-03-27 2002-03-23 김순택 유기 전자 발광소자
US6911129B1 (en) 2000-05-08 2005-06-28 Intematix Corporation Combinatorial synthesis of material chips
KR20010108834A (ko) * 2000-05-31 2001-12-08 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 유기전계발광표시소자의 구조
KR100357119B1 (ko) * 2000-07-18 2002-10-18 엘지전자 주식회사 유기전계발광 마이크로 디스플레이 소자의 구조 및 그제조방법
JP4868099B2 (ja) 2000-11-09 2012-02-01 日産化学工業株式会社 電界発光素子
JP2002151271A (ja) 2000-11-15 2002-05-24 Pioneer Electronic Corp 有機ｅｌ素子及びその製造方法
SG142163A1 (en) * 2001-12-05 2008-05-28 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element
JP2003264085A (ja) * 2001-12-05 2003-09-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US6717358B1 (en) 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
US7564052B2 (en) 2004-11-05 2009-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light emitting device using the same
JP5530608B2 (ja) 2007-09-13 2014-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子および発光装置
JP5759669B2 (ja) 2008-12-01 2015-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3933591B2 (ja) 2007-06-20
DE60306570D1 (de) 2006-08-17
US10217967B2 (en) 2019-02-26
DE60306570T2 (de) 2007-07-05
KR20030077476A (ko) 2003-10-01
US10998527B2 (en) 2021-05-04
CN100487942C (zh) 2009-05-13
US20140151648A1 (en) 2014-06-05
US8482193B2 (en) 2013-07-09
TWI271119B (en) 2007-01-11
US20150249230A1 (en) 2015-09-03
EP1351558B1 (en) 2006-07-05
EP1351558A1 (en) 2003-10-08
US8080934B2 (en) 2011-12-20
US20180277796A1 (en) 2018-09-27
US10312474B2 (en) 2019-06-04
KR100835725B1 (ko) 2008-06-05
JP2003272860A (ja) 2003-09-26
US20120132895A1 (en) 2012-05-31
US9070892B2 (en) 2015-06-30
TW200306762A (en) 2003-11-16
US10319949B2 (en) 2019-06-11
US20180351134A1 (en) 2018-12-06
ATE332623T1 (de) 2006-07-15
CN1447629A (zh) 2003-10-08
US20030189401A1 (en) 2003-10-09
US20070182317A1 (en) 2007-08-09
US20180277797A1 (en) 2018-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2268192T3 (es) Un dispositivo electroluminescente organico.
ES2636486T3 (es) Procedimiento para producir un dispositivo electroluminiscente orgánico
JP4300176B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
EP1097981B1 (en) Organic electroluminescent device
JP4683829B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法
JP4939284B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
KR102497779B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US20080176099A1 (en) White oled device with improved functions
JP2007123865A (ja) 有機電界発光素子
US20110068357A1 (en) Organic electroluminescent element
JP5922654B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4926229B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子