KR101097339B1 - 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101097339B1
KR101097339B1 KR1020100020402A KR20100020402A KR101097339B1 KR 101097339 B1 KR101097339 B1 KR 101097339B1 KR 1020100020402 A KR1020100020402 A KR 1020100020402A KR 20100020402 A KR20100020402 A KR 20100020402A KR 101097339 B1 KR101097339 B1 KR 101097339B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hole transport
transport layer
group
layer
substituted
Prior art date
Application number
KR1020100020402A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110101418A (ko
Inventor
임자현
윤지환
전병훈
김범석
Original Assignee
삼성모바일디스플레이주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성모바일디스플레이주식회사 filed Critical 삼성모바일디스플레이주식회사
Priority to KR1020100020402A priority Critical patent/KR101097339B1/ko
Priority to EP11157291.3A priority patent/EP2365555B1/en
Priority to JP2011049978A priority patent/JP2011187959A/ja
Priority to CN201110058209.XA priority patent/CN102201432B/zh
Priority to US13/042,561 priority patent/US9472767B2/en
Publication of KR20110101418A publication Critical patent/KR20110101418A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101097339B1 publication Critical patent/KR101097339B1/ko
Priority to JP2015209630A priority patent/JP6192699B2/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/344—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising ruthenium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/346—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising platinum
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene

Abstract

유기 발광 소자 및 이의 제조 방법이 제공된다.

Description

유기 발광 소자 및 이의 제조 방법{Organic light emitting diode and method for preparing the same}
유기 발광 소자 및 이의 제조 방법이 제공된다.
유기 발광 소자(organic light emitting diode)는 자발광형 소자로 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
일반적인 유기 발광 소자는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 여기에서 정공수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기화합물로 이루어진 유기 박막들이다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자의 구동 원리는 다음과 같다.
상기 애노드 및 캐소드간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.
이와 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자가 우수한 효율, 수명 등과 같은 성능을 가지기 위한 한 조건으로서, 정공 및 전자의 주입 및 흐름이 균형을 이루는 것이 필요하다.
신규 구조의 유기 발광 소자를 제공하고자 한다.
상기 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공하고자 한다.
기판; 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하고,
상기 정공 수송층은,
정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층; 상기 제1정공 수송층 상에 형성되고 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층; 및 상기 제3정공 수송층 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제5정공 수송층;을 포함한 정공 수송 유니트를 하나 이상 포함하고,
상기 전자 수송층은 전자 수송 물질 및 금속 함유 물질을 포함한, 유기 발광 소자를 제공한다.
상기 정공 수송 유니트는, 상기 제1정공 수송층과 상기 제3정공 수송층 사이에 개재되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제2정공 수송층 및 상기 제3정공 수송층과 상기 제5정공 수송층 사이에 개재되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제4정공 수송층로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함할 수 있다.
상기 정공 수송 물질은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다:
<화학식 1>
Figure 112010014600545-pat00001
<화학식 2>
Figure 112011064884545-pat00073
상기 화학식 1 및 2 중, R10은 -(Ar1)n-Ar2로 표시되고; R16은 -(Ar11)m-Ar12로 표시되고; Ar1, Ar11, L1 및 L11은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C5-C30아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C4-C30헤테로아릴렌기, 및 -N(Q1)-로 표시되는 그룹으로 이루어진 군으로부터 선택되고; n, m, a 및 b는 서로 독립적으로, 0 내지 10의 정수이고; 상기 R1 내지 R3, R11 내지 R15 , R17, R18, R21 내지 R29, Ar2, Ar12 및 Q1은 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C5-C30아릴기, C4-C30헤테로아릴기, 및 -N(Q2)(Q3)로 표시되는 그룹들로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있고; 상기 Q2 및 Q3는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C5-C30아릴기, 및 C4-C30헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고; 상기 -(Ar1)n- 중 n개의 Ar1은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 상기 -(Ar11)m- 중 m개의 Ar11은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 상기 -(L1)a- 중 a개의 L1은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, -(L11)b- 중 b개의 L11은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 전하 생성 물질은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:
<화학식 3>
Figure 112010014600545-pat00003
상기 화학식 3 중, R51 내지 R56은 서로 독립적으로, 수소, -CN, -SOR100, -SON(R101)2, -SO2R102, -SO2N(R103)2, -SO3R104, -SO3N(R105)2, -NO2, -CFH2, -CF2H, 및 -CF3로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 R100 내지 R105는 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30아릴기, 및 치환 또는 비치환된 C4-C30헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
상기 제1정공 수송층, 상기 제3정공 수송층 및 상기 제5정공 수송층의 두께는, 서로 독립적으로 0.1nm 내지 100nm의 범위 내에서 선택될 수 있다.
상기 제2정공 수송층 및 상기 제4정공 수송층의 두께는, 서로 독립적으로 0.01nm 내지 16nm의 범위 내에서 선택될 수 있다.
상기 제2정공 수송층 중 전하 생성 물질의 함량이 상기 제2정공 수송층 100중량부 당 0.01중량부 내지 99중량부이고, 상기 제4정공 수송층 중 전하 생성 물질의 함량이 상기 제4정공 수송층 100중량부 당 0.01중량부 내지 99중량부일 수 있다.
상기 제3정공 수송층은 2개의 전하 생성 물질-함유층을 포함하고, 상기 2개의 전하 생성 물질-함유층 간의 계면은 불분명하여 상기 제3정공 수송층은 하나의 층으로 관찰될 수 있다.
상기 정공 수송층은 2개의 정공 수송 유니트를 포함할 수 있다.
상기 전자 수송층 중 전자 수송 물질은 하기 화합물 5, 하기 화학식 4로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 5로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다:
<화합물 5>
Figure 112010014600545-pat00004
<화학식 4>
Figure 112010014600545-pat00005
<화학식 5>
Figure 112010014600545-pat00006
상기 화학식 4 및 5 중,
R61 내지 R66는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30아실기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴기이고, 이 중 인접한 2 이상은 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있고;
L21은 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴렌기이고;
Q11 내지 Q19는 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴기이고;
c는 0 내지 10의 정수이다.
상기 전자 수송층 중 금속 함유 물질은 Li 착물을 포함할 수 있다.
상기 전자 수송층은, 상기 전자 수송 물질을 포함한 제1전자 수송층; 상기 제1전자 수송층 상에 형성되고 상기 금속 함유 물질을 포함한 제3전자 수송층; 및 상기 제3전자 수송층 상에 형성되고 상기 전자 수송 물질을 포함한 제5전자 수송층;을 포함한 전자 수송 유니트를 하나 이상 포함할 수 있다.
상기 전자 수송 유니트는, 상기 제1전자 수송층과 상기 제3전자 수송층 사이에 개재되고 상기 전자 수송 물질과 상기 금속 함유 물질을 포함한 제2전자 수송층 및 상기 제3전자 수송층과 상기 제5전자 수송층 상에 개재되고 상기 전자 수송 물질과 상기 금속 함유 물질을 포함한 제4전자 수송층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함할 수 있다.
상기 제3전자 수송층은 2개의 금속 함유 물질-함유층을 포함하고, 상기 2개의 금속 함유 물질-함유층 간의 계면은 불분명하여 상기 제3전자 수송층은 하나의 층으로 관찰될 수 있다.
상기 전자 수송층은 2개의 전자 수송 유니트를 포함할 수 있다.
또한, 기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;
상기 제1전극 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;
상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계;
상기 발광층 상에 전자 수송 물질 및 금속 함유 물질을 포함한 전자 수송층을 형성하는 단계; 및
상기 전자 수송층 상에 제2전극을 형성하는 단계;
를 포함하고,
상기 정공 수송층 형성 단계가,
정공 수송 물질을 방출하는 제1증착원 및 전하 생성 물질을 방출하는 제2증착원을 준비하는 단계;
상기 제1증착원과 상기 제2증착원 사이에 방착판을 배치하는 단계; 및
상기 제1증착원과 상기 제2증착원을 정공 수송층 형성 영역의 제1말단에서 제2말단을 거쳐 다시 제1말단까지 왕복시키는 것을 1회 이상 수행하여, 정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층; 상기 제1정공 수송층 상에 형성되고 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층; 및 상기 제3정공 수송층 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제5정공 수송층;을 포함한 정공 수송 유니트를 하나 이상 포함한 정공 수송층을 형성하는 단계;
를 포함하거나, 또는,
정공 수송 물질을 방출하는 제1증착원 및 전하 생성 물질을 방출하는 제2증착원을 준비하는 단계;
상기 정공 수송 물질이 방출되는 영역과 상기 전하 생성 물질이 방출되는 영역이 서로 중첩되도록 상기 제1증착원과 상기 제2증착원을 소정 간격을 사이에 두고 배치하는 단계; 및
상기 제1증착원과 상기 제2증착원을 정공 수송층 형성 영역의 제1말단에서 제2말단을 거쳐 다시 제1말단까지 왕복시키는 것을 1회 이상 수행하여, 정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층; 상기 제1정공 수송층 상에 형성되고 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층; 및 상기 제3정공 수송층 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제5정공 수송층;을 포함하고, 상기 제1정공 수송층과 상기 제3정공 수송층 사이에 개재되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제2정공 수송층 및 상기 제3정공 수송층과 상기 제5정공 수송층 사이에 개재되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제4정공 수송층로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 포함한 정공 수송 유니트를 포함한 정공 수송층을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법이 제공된다.
상기 유기 발광 소자는 우수한 수명 특성을 가질 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 다른 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 또 다른 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 또 다른 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5a 내지 5g는 도 1의 유기 발광 소자 중 정공 수송층을 형성하는 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 또 다른 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 7은 실시예 1의 유기 발광 소자의 시간-휘도 특성을 나타낸 도면이다.
도 8은 실시예 1의 유기 발광 소자의 전압-전류 밀도 특성을 나타낸 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자(100)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
유기 발광 소자(100)는 기판(110), 제1전극(120), 정공 주입층(130), 정공 수송층(140), 발광층(150), 전자 수송층(160), 전자 주입층(180) 및 제2전극(190)이 순서대로 적층된 구조를 갖는다. 상기 정공 수송층(140)은 정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층(141); 상기 제1정공 수송층(141) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 전하 생성 물질을 포함한 제2정공 수송층(142); 상기 제2정공 수송층(142) 상에 형성되고 상기 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층(143); 상기 제3정공 수송층(143) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제4정공 수송층(144); 및 상기 제4정공 수송층(144) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제5정공 수송층(145);을 포함한 정공 수송 유니트를 1개 포함한다.
상기 기판(110)으로는, 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 기판(110) 상에는 제1전극(120)이 형성되어 있다. 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(120)은 애노드일 수 있으며, 상기 제1전극(120)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록 제1전극용 물질은 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1전극(120)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 이용한 반투과형 전극으로 형성할 수도 있다.
상기 제1전극(120) 상에는 정공 주입층(HIL)(130)이 구비되어 있다. 정공 주입층(130)은 상기 제1전극(120) 상에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
진공 증착법에 의하여 정공 주입층(130)을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 주입층(130)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공 주입층(130)의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 예를 들면, 증착온도 100 내지 500℃, 진공도 10-8 내지 10-3torr, 증착 속도 0.01 내지 100Å/sec의 범위 내에서 선택될 수 있다.
스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층(130)을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공 주입층(130)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층(130)의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 예를 들면, 약 2000rpm 내지 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위 내에서 선택될 수 있다.
정공 주입층(130) 물질로는 공지된 정공 주입 재료를 사용할 수 있는데, 예를 들면, 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA [4,4',4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], NPB(N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine)), TDATA, 2T-NATA, Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트))등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
Figure 112010014600545-pat00007
Figure 112010014600545-pat00008
Figure 112010014600545-pat00009
상기 정공 주입층(130)의 두께는 약 100Å 내지 10000Å, 예를 들면, 100Å 내지 1000Å일 수 있다. 상기 정공 주입층(130)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승없이 만족스러운 정도의 정공 주입 특성을 얻을 수 있다.
상기 정공 수송층(140)은 상기 정공 주입층(130) 상에 형성되어 있다. 상기 정공 수송층(140)은 정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층(141); 상기 제1정공 수송층(141) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 전하 생성 물질을 포함한 제2정공 수송층(142); 상기 제2정공 수송층(142) 상에 형성되고 상기 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층(143); 상기 제3정공 수송층(143) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제4정공 수송층(144); 및 상기 제4정공 수송층(144) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제5정공 수송층(145);을 포함한 정공 수송 유니트를 1개 포함한다.
상기 정공 수송층(140)은 제1정공 수송층(141), 제2정공 수송층(142), 제3정공 수송층(143), 제4정공 수송층(144), 및 제5정공 수송층(145)이 차례로 적층된 구조를 갖는 바, 정공의 주입과 수송을 적절히 조절하는 효과 및 전자 저지 효과를 동시에 가질 수 있다. 유기 발광 소자는 구동 후 시간의 경과에 따라 전자 또는 정공의 양이 변화함으로써 발광 영역에서 생성되는 엑시톤의 수가 점점 감소할 수 있다. 그 결과 캐리어 균형(carrier balance)이 무너질 수 있으며, 이는 유기 발광 소자의 수명 저하의 한 원인이 될 수 있다. 그러나, 상술한 바와 같은 구조를 갖는 정공 수송층은 유사 또는 동일한 에너지 레벨을 갖는 여러 층(제1정공 수송층(141), 제2정공 수송층(142), 제3정공 수송층(143), 제4정공 수송층(144), 및 제5정공 수송층(145))이 적층되어 있어 정공의 이동 속도를 조절하면서 캐리어의 흐름을 일정하게 유지시켜 줄 수 있다. 이로써, 유기 발광 소자의 수명이 향상될 수 있다.
상기 정공 수송 물질은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112010014600545-pat00010
<화학식 2>
Figure 112011064884545-pat00074
상기 화학식 1 및 2 중, R10은 -(Ar1)n-Ar2로 표시되고; R16은 -(Ar11)m-Ar12로 표시되고; Ar1, Ar11, L1 및 L11은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C5-C30아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C4-C30헤테로아릴렌기, 및 -N(Q1)-로 표시되는 그룹으로 이루어진 군으로부터 선택되고; n, m, a 및 b는 서로 독립적으로, 0 내지 10의 정수이고; 상기 R1 내지 R3, R11 내지 R15, R17, R18, R21 내지 R29, Ar2, Ar12 및 Q1은 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C5-C30아릴기, C4-C30헤테로아릴기, 및 -N(Q2)(Q3)로 표시되는 그룹들로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있고; 상기 Q2 및 Q3는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C5-C30아릴기, 및 C4-C30헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고; 상기 -(Ar1)n- 중 n개의 Ar1은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 상기 -(Ar11)m- 중 m개의 Ar11은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 상기 -(L1)a- 중 a개의 L1은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, -(L11)b- 중 b개의 L11은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 R10인 -(Ar1)n-Ar2- 및 R16인 -(Ar11)m-Ar12- 중 Ar1의 및 Ar11의 구체예로는, 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 펜타레닐렌기(pentalenylene), 치환 또는 비치환된 인데닐렌기(indenylene), 치환 또는 비치환된 나프틸렌기(naphthylene), 치환 또는 비치환된 아줄레닐렌(azulenylene), 치환 또는 비치환된 헵탈레닐렌(heptalenylene), 치환 또는 비치환된 인다세닐렌(indacenylene), 치환 또는 비치환된 아세나프틸렌기(acenaphthylene), 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기(fluorenylene), 치환 또는 비치환된 페나레닐렌기(phenalenylene), 치환 또는 비치환된 페난트레닐렌기(phenanthrenylene), 치환 또는 비치환된 안트라세닐렌기(anthracenylene), 치환 또는 비치환된 플루오란테닐렌기(fluoranthenylene), 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐렌기(triphenylenylene), 치환 또는 비치환된 파이레닐렌기(pyrenylenylene), 치환 또는 비치환된 크라이세닐레닐렌기(chrysenylene), 치환 또는 비치환된 나프타세닐렌기(naphthacenylene), 치환 또는 비치환된 피세닐렌기(picenylene), 치환 또는 비치환된 페릴레닐렌기(perylenylene), 치환 또는 비치환된 펜타세닐렌기(pentaphenylene), 치환 또는 비치환된 헥사세닐렌기(hexacenylene), 치환 또는 비치환된 피롤일렌기(pyrrolylene), 치환 또는 비치환된 피라졸일렌기(pyrazolylene), 치환 또는 비치환된 이미다졸일렌기(imidazolylene), 치환 또는 비치환된 이미다졸리닐렌기(imidazolinylene), 치환 또는 비치환된 이미다조 피리디닐렌기(imidazopyridinylene), 치환 또는 비치환된 이미다조피리미디닐렌기(imidazopyrimidinylene), 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기(pyridinylene), 치환 또는 비치환된 피라지닐렌기(pyrazinylene), 치환 또는 비치환된 피리미디닐렌기(pyrimidinylene), 치환 또는 비치환된 인돌일렌기(indolylene), 치환 또는 비치환된 푸리닐렌기(purinylene), 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐렌기(quinolinylene), 치환 또는 비치환된 프탈라지닐렌기(phthalazinylene), 치환 또는 비치환된 인돌리지닐렌기(indolizinylene), 치환 또는 비치환된 나프티리디닐렌기(naphthyridinylene), 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐렌기(quinazolinylene), 치환 또는 비치환된 시놀리닐렌기(cinnolinylene), 치환 또는 비치환된 인다졸일렌기(indazolylene), 치환 또는 비치환된 카바졸일렌기(carbazolylene), 치환 또는 비치환된 페나지닐렌기(phenazinylene), 치환 또는 비치환된 페난트리디닐렌기(phenanthridinylene), 치환 또는 비치환된 파이라닐렌기(pyranylene), 치환 또는 비치환된 크로메닐렌기(chromenylene), 치환 또는 비치환된 벤조푸라닐렌기(benzofuranylene), 치환 또는 비치환된 티오페닐렌기(thiophenylene), 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐렌기(benzothiophenylene), 치환 또는 비치환된 이소티아졸일렌기(isothiazolylene), 치환 또는 비치환된 벤조이미다졸일렌기(benzoimidazolylene), 치환 또는 비치환된 이속사졸일렌기(isoxazolylene), 치환 또는 비치환된 트리아지닐렌기, 및 -N(Q1)-으로 표시되는 그룹을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 상기 Q1은, 예를 들면, 수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C10알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C5-C14아릴기, C4-C14헤테로아릴기 및 -N(Q2)(Q3)로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 Ar1은 및 Ar11은 서로 독립적으로, C1-C10알킬렌기; 페닐렌기; 나프틸렌기; 안트릴렌기; 플루오레닐렌기; 카바졸일렌기; 피라졸일렌기; 피리디닐렌기; 트리아지닐렌기; -N(Q1)-; 할로겐 원자, 시아노기, 히드록실기, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 및 안트릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환된 C1-C10알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기, 안트릴렌기, 플루오레닐렌기, 카바졸일렌기, 피라졸일렌기, 피리디닐렌기, 및 트리아지닐렌기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 상기 Q1은 수소; C1-C10알킬기; 페닐기; 나프틸기; 카바졸일기; 플루오레닐기; 파이레닐기; 할로겐 원자, 시아노기, 히드록실기, C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 및 안트릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 치환된 C1-C10알킬기, C1-C10알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 카바졸일기, 플루오레닐기 및 파이레닐기; 및 -N(Q2)(Q3)로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 상기 Q2 및 Q3는 메틸기, 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 -(Ar1)n-Ar2- 및 -(Ar11)m-Ar12- 중 Ar2 및 Ar12에 대한 상세한 설명은, 상술한 Q1에 대한 설명과 동일하므로 Q1에 대한 설명을 참조한다.
상기 -(Ar1)n-Ar2- 및 -(Ar11)m-Ar12- 중 n 및 m은 서로 독립적으로, 0 내지 10의 정수이다. 예를 들어, 상기 n 및 m은 서로 독립적으로, 0, 1, 2, 3, 4 또는 5일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 -(Ar1)n-Ar2- 의 -(Ar1)n- 중 n개의 Ar1은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, n이 2일 경우, -(Ar1)n- 중 2개의 Ar1은 모두 페닐렌기이거나, 또는 하나의 Ar1은 -N(Q1)-이고, 나머지 다른 Ar1는 페닐렌기일 수 있는 등, 다양한 변형예가 가능하다. 상기 -(Ar11)m-Ar12-도 이와 동일하게 해설될 수 있다.
상기 화학식 1 및 2 중 R1 내지 R3, R11 내지 R15 , R17, R18 및 R21 내지 R29에 대한 상세한 설명은 상기 Q1에 대한 상세한 설명과 동일하므로, 이를 참조한다.
예를 들어, 상기 R13은 페닐기, 나프틸기, 또는 안트릴기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 R28 및 R29는 서로 독립적으로, 수소, 메틸기, 에틸기, 메톡시, 에톡시, 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 및 2 중, L1 및 L2에 대한 상세한 설명은 상기 Ar1 및 Ar11에 대한 상세한 설명과 동일하므로 이를 참조한다.
예를 들어, 상기 L1 및 L2는 서로 독립적으로, 페닐렌기, 카바졸일렌기, 또는 페닐카바졸일렌기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 및 2 중 a 및 b는 서로 독립적으로, 0 내지 10의 정수일 수 있다. 예를 들어, 상기 a 및 b는 서로 독립적으로, 0, 1, 2 또는 3일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 2의 일 구현예에서, R10인 -(Ar1)n-Ar2- 중 Ar1 및 R16인 -(Ar11)m-Ar12- 중 Ar11은 서로 독립적으로, 페닐렌기, 카바졸일렌기, 플루오레닐렌기, 메틸플루오레닐렌기, 피라졸일렌기, 페닐피라졸일렌기, -N(Q1)-(여기서, Q1은 수소, 페닐기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기임), 디페닐플루오레닐렌기, 트리아지닐렌기, 메틸트리아지닐렌기, 페닐트리아지닐렌기, 테트라플루오로페닐렌기, 에틸렌기, 및 메틸페닐렌기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있고, n 및 m은 서로 독립적으로, 0, 1, 2, 3, 4, 5 또는 6이고, 상기 Ar2 및 Ar12는 수소, 시아노기, 플루오르기, 페닐기, 시아노페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 메틸기, 피리디닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기 및 디페닐플루오레닐기로 이루어진 군으로부터 선택되고; R11, R12, R14, R15, R17, R18 및 R21 내지 R27은 수소이고; R13은 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고; R28 및 R29는 서로 독립적으로, 수소, 메틸기, 에틸기, 메톡시, 에톡시, 페닐기, 나프틸기 및 안트릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고; L11은 페닐렌기이고; b는 0 또는 1일 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 정공 수송성 화합물은 하기 화합물 1 내지 37 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure 112010014600545-pat00012
Figure 112010014600545-pat00013
Figure 112010014600545-pat00014
Figure 112010014600545-pat00015
Figure 112010014600545-pat00016
Figure 112010014600545-pat00017
Figure 112010014600545-pat00018
Figure 112010014600545-pat00019

Figure 112010014600545-pat00020
Figure 112010014600545-pat00021
Figure 112010014600545-pat00022
Figure 112010014600545-pat00023
Figure 112010014600545-pat00024
Figure 112010014600545-pat00025
Figure 112010014600545-pat00026
Figure 112010014600545-pat00027
상기 전하 생성 물질은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:
<화학식 3>
Figure 112010014600545-pat00028
상기 화학식 3 중, R51 내지 R56은 서로 독립적으로, 수소, -CN, -SOR100, -SON(R101)2, -SO2R102, -SO2N(R103)2, -SO3R104, -SO3N(R105)2, -NO2, -CFH2, -CF2H, 및 -CF3로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 R100 내지 R105는 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30아릴기, 및 치환 또는 비치환된 C4-C30헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
예를 들어, 상기 R100 내지 R105는 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C14아릴기, 및 치환 또는 비치환된 C4-C14헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 R100 내지 R105는 서로 독립적으로, 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 하나 이상의 -CN으로 치환된 메틸기, 하나 이상의 -CN으로 치환된 에틸기, 하나 이상의 -CN으로 치환된 프로필기, 하나 이상의 -CN으로 치환된 부틸기, 하나 이상의 -CN으로 치환된 펜틸기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 플루오레닐기, 하나 이상의 -CN으로 치환된 페닐기, 하나 이상의 -CN으로 치환된 나프틸기, 하나 이상의 -CN으로 치환된 안트릴기, 하나 이상의 -CN으로 치환된 플루오레닐기, 카바졸일기, 퀴놀리닐기, 이미다졸일기, 하나 이상의 -CN으로 치환된 카바졸일기, 하나 이상의 -CN으로 치환된 퀴놀리닐기, 및 하나 이상의 -CN으로 치환된 이미다졸일기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 전하 생성 물질은 하기 화합물 40일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화합물 40>
Figure 112010014600545-pat00029
상기 제1정공 수송층(141), 제3정공 수송층(143) 및 제5정공 수송층(145)의 두께는 서로 독립적으로, 0.1nm 내지 100nm일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1정공 수송층(141) 및 상기 제5정공 수송층(145)의 두께는 서로 독립적으로, 10nm 내지 100nm, 예를 들면, 50nm 내지 60nm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 제3정공 수송층(143)의 두께는 0.5nm 내지 100nm, 예를 들면, 0.5nm 내지 10nm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1정공 수송층(141), 제3정공 수송층(143) 및 제5정공 수송층(145)이 상기 두께 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 정공을 효과적으로 주입 및 수송할 수 있다. 상기 제1정공 수송층(141), 제3정공 수송층(143) 및 제5정공 수송층(145)의 두께는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 제2정공 수송층(142) 및 제4정공 수송층(144)의 두께는 서로 독립적으로, 0.01nm 내지 16nm, 예를 들면 0.5nm 내지 1nm일 수 있다. 상기 제2정공 수송층(142) 및 제4정공 수송층(144)이 상기 두께 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 전자를 효과적으로 주입 및 수송할 수 있다. 상기 제2정공 수송층(142) 및 제4정공 수송층(144)의 두께는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 제2정공 수송층(142) 중 상기 전하 생성 물질의 함량은 상기 제2정공 수송층(142) 100중량부 당 0.01중량부 내지 99중량부, 예를 들면 45중량부 내지 55중량부일 수 있다. 또한, 제4정공 수송층(144) 중 전하 생성 물질의 함량은 제4정공 수송층(144) 100중량부 당 0.01중량부 내지 99중량부, 예를 들면 45중량부 내지 55중량부일 수 있다. 제2정공 수송층(142) 및 제4정공 수송층(144) 중 전하 생성 물질의 함량이 상술한 바를 만족하면 우수한 효율을 얻을 수 있다.
상기 정공 수송층(140)은 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자수송층을 형성하는 경우, 그 증착 조건 및 코팅 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 전자 수송층(140)을 증착법을 이용하여 형성할 경우, 전자 수송층(140)은, 예를 들어, 정공 수송 물질을 방출하는 제1증착원 및 전하 생성 물질을 방출하는 제2증착원을 준비하는 단계, 상기 정공 수송 물질이 방출되는 영역과 상기 전하 생성 물질이 방출되는 영역이 서로 중첩되도록 상기 제1증착원과 상기 제2증착원을 소정 간격을 사이에 두고 배치하는 단계, 및 상기 제1증착원과 상기 제2증착원을 정공 수송층 형성 영역(도 1의 경우, 정공 주입층(130) 상부)의 제1말단에서 제2말단을 거쳐 다시 제1말단까지 왕복시키는 것을 1회 수행하는 단계를 수행함으로써 형성될 수 있다.
도 5a 내지 도 5g는 정공 수송층(140)을 정공 주입층(130) 상부에 형성하는 방법의 일 구현예를 차례로 도시한 것이다. 도 5a 내지 5g 중 정공 주입층(130) 중 정공 수송층(140)이 형성되지 않는 일면에는 기판(110) 및 제1전극(120)이 존재하나, 도 5a 내지 5g에서는 편의상 미도시하였다.
도 5a 중 정공 주입층(130)의 일면(즉, 기판(110) 및 제1전극(120)이 존재하지 않은 일면) 하부에는 제1증착원(1001) 및 제2증착원(1002)이 배치될 수 있다. 상기 제1증착원(1001)은 상기 정공 수송 물질을 방출하는 증착원이고, 제2증착원(1002)은 상기 전하 생성 물질을 방출하는 증착원일 수 있다. 상기 제1증착원(1001)에 의하여 정공 수송 물질이 방출되는 영역(C1)과 제2증착원(1002)에 의하여 전하 생성 물질이 방출되는 영역(C2)은 도 5a에서 볼 수 있듯이 소정 각도를 갖는 부채꼴 형상을 가질 수 있다.
한편, 상기 제1증착원(1001)과 상기 제2증착원(1002)은 상기 정공 수송 물질이 방출되는 영역(C1)과 상기 전하 생성 물질이 방출되는 영역(C2)이 서로 중첩되는 영역이 형성되도록 소정 간격으로 배치한다. 이로써, 후술하는 도 5b에서와 같이 상기 정공 수송 물질과 전하 생성 물질이 동시에 적층되어 정공 수송 물질과 전하 생성 물질을 모두 포함한 제2정공 수송층(142) 및 제4정공 수송층(144)이 형성될 수 있다.
상기 제1증착원(1001) 및 상기 제2증착원(1002)은 베이스(1006)에 배설될 수 있으며, 베이스(1006)는 챔버 내에 배설되어 있는 가이드 레일(1005) 상에 놓여 이 가이드 레일(1005)을 따라 왕복운동하도록 구비될 수 있다. 따라서, 베이스(1006)는 별도의 구동부(미도시)와 연결되어 구동될 수 있다.
상술한 바와 같이 소정 간격으로 이격된 제1증착원(1001)과 제2증착원(1002)이 배설된 베이스(1006)는 도 5a에 도시된 바와 같이, 제1증착원(1001)과 제2증착원(1002) 온 상태에서 정공 주입층(130) 하부의 제1말단(A)에서 B 방향으로 이동할 수 있다. 이 때, 정공 수송 물질만이 먼저 정공 주입층(130)에 증착되어 정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층(141)(D1 참조)이 형성되기 시작한다. 제1정공 수송층(141)은 베이스(1006)가 B 방향으로 이동함에 따라 정공 주입층(130)의 다른 일면으로 계속 연장되어 증착된다.
이 후, 도 5b에서와 같이 제1증착원(1001)과 제2증착원(1002)이 배설된 베이스(1006)이 B 방향으로 계속 이동하면, 정공 수송 물질과 전하 생성 물질이 동시에 증착되는 영역(D2 참조)이 형성되어, 정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층(141) 하부에 정공 수송 물질과 전하 생성 물질을 포함한 제2정공 수송층(142)이 형성되기 시작한다. 제2정공 수송층(142)은 베이스(1006)가 B 방향으로 이동함에 따라 정공 주입층(130)의 다른 일면으로 계속 연장되어 증착된다.
그 다음으로, 도 5c에서와 같이 제1증착원(1001)과 제2증착원(1002)이 배설된 베이스(1006)이 B 방향으로 또 다시 계속 이동하면, 제1전하 생성 물질-함유층(143')이 상기 제2정공 수송층(142) 하부에 형성되기 시작한다 (D3 참조).
계속해서 제1증착원(1001)과 제2증착원(1002)이 배설된 베이스(1006)가 B 방향으로 계속 이동하여 정공 주입층(130) 하부의 제2말단(E)에 도착하면, 도 5d에서와 같이 정공 주입층(130) 하부에 정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층(141), 정공 수송 물질 및 전하 생성 물질을 포함한 제2정공 수송층(142) 및 제1전하 생성 물질-함유층(143')이 형성될 수 있다.
이어서, 정공 주입층(130) 하부의 제2말단(E)에 도착한 베이스(1006)는 도 5e에서와 같이 진행 방향을 바꾸어 B 방향과 반대인 F 방향으로 이동하기 시작한다. 여기서 도 5e에 도시된 바와 같이 제2전하 생성 물질-함유층(143")이 제일 먼저 형성되기 시작한다.
계속하여, 베이스(1006)가 F 방향으로 이동하면서, 도 5f에 도시된 바와 같이, 제2전하 생성 물질-함유층(143") 하부에는 정공 수송 물질 및 전하 생성 물질을 포함한 제4정공 수송층(144) 및 전하 생성 물질을 포함한 제5정공 수송층(145)이 차례로 형성될 수 있다. 이 때, 제1전하 생성 물질-함유층(143')과 제2전하 생성 물질-함유층(143")은 층 구성 성분(즉, 전하 생성 물질)이 동일하기 때문에, 이들 간의 계면은 실질적으로 불분명할 수 있어, 이들 층은 하나의 층, 즉, 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층(143)으로 관찰될 수 있다. 이를 고려하여, 도 5f에서 제1전하 생성 물질-함유층(143')과 제2전하 생성 물질-함유층(143") 사이의 계면은 실선 대신 점선으로 표시되어 있다.
이 후, 제1증착원(1001)과 제2증착원(1002)을 포함한 베이스(1006)가 정공 주입층(130) 하부의 제1말단(A)에 도착함으로써, 도 5g에서와 같이 정공 주입층(130) 하부에는 정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층(131), 정공 수송 물질 및 전하 생성 물질을 포함한 제2정공 수송층(142), 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층(143), 정공 수송 물질 및 전하 생성 물질을 포함한 제4정공 수송층(144) 및 정공 수송 물질을 포함한 제5정공 수송층(145)가 차례로 형성될 수 있다. 여기서, 제3정공 수송층(143)는 2 개의 전하 생성 물질-함유층, 즉, 제1전하 생성 물질-함유층(143') 및 제2전하 생성 물질-함유층(143")을 포함하나, 이들 간의 계면(S')은 불분명할 수 있어, 하나의 층으로 관찰될 수 있는 바, 도 5g에서와 같이 실선으로 표시되어 있다.
상술한 바와 같은 정공 수송층(140) 형성 방법에 따르면, 제1증착원(1001) 및 제2증착원(1002)이 배설된 베이스(1006)가 정공 주입층(130) 하부의 제1말단(A)을 출발하여 제2말단(E)을 거쳐 다시 제1말단(A)으로 돌아오는 왕복 1회에 의하여, 제1정공 수송층(141), 제2정공 수송층(142), 제3정공 수송층(143), 제4정공 수송층(144) 및 제5정공 수송층(145)을 포함한 정공 수송 유니트를 1개 포함한 정공 수송층(140)을 형성할 수 있다. 즉, 도 5a 내지 5g에 도시된 다층 형성 방법은 하나의 정공 수송 유니트를 형성하는 방법의 일예일 수 있다. 따라서, 적층 공정이 더욱 간단하고 빨라지며, 단일 챔버 내에서 여러 막을 동시에 증착한다 하더라도 공정이 거의 동시에 이뤄지기 때문에 각 층의 성막 사이에 챔버 내를 배기할 필요가 없다.
상기 정공 수송층(140) 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)(150)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 발광층(150)은 하나의 화합물을 포함하거나, 호스트와 도펀트의 조합을 포함할 수 있다. 호스트의 예로는 Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), PVK(폴리(n-비닐카바졸)), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(ADN), TCTA, TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), TBADN(3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), E3, DSA(디스티릴아릴렌), AND, 비스(2-(2-히드록시페닐)벤조티아졸레이트)징크(Bis(2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolate)zinc : Zn(BTZ)2), 하기 화합물 51, 하기 화합물 52을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112010014600545-pat00030
Figure 112010014600545-pat00031
Figure 112010014600545-pat00032
Figure 112010014600545-pat00033
Figure 112010014600545-pat00034
PVK ADN
<화합물 51>
Figure 112010014600545-pat00035
<화합물 52>
Figure 112010014600545-pat00036
한편, 적색 도펀트로서 PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112010014600545-pat00037
또한, 녹색 도펀트로서, Ir(ppy)3 (ppy = 페닐피리딘), Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3, 또는 하기 화합물 53을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112010014600545-pat00038
<화합물 53>
Figure 112010014600545-pat00039
한편, 청색 도펀트로서, F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-플루오렌(fluorene), 4,4'-비스(4-디페닐아미노스타릴) 비페닐 (DPAVBi), 2,5,8,11-테트라-티-부틸 페릴렌 (TBPe), 하기 화합물 54, 4,4'-비스(2,2-디페닐에텐일)비페닐(DPVBi) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112010014600545-pat00040
Figure 112010014600545-pat00041
DPAVBi
Figure 112010014600545-pat00042
TBPe
<화합물 54>
Figure 112010014600545-pat00043
도펀트와 호스트를 함께 사용하는 경우, 도펀트의 도핑 농도는 특별히 제한 되지 않으나 통상적으로 호스트 100 중량부를 기준으로 하여 상기 도펀트의 함량은 0.01 ~ 15 중량부이다.
상기 발광층(150)의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 예를 들면 200Å 내지 600Å일 수 있다. 상기 발광층(150)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
발광층(150)에 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자 수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 상기 발광층(150) 상에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 정공 저지층(HBL)(도 1에서는 미도시함)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 정공 저지층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 공지의 정공 저지 재료도 사용할 수 있는데, 이의 예로는, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등을 들 수 있다.
상기 정공 저지층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 예를 들면 100Å 내지 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다.
상기 발광층(150) 상에(정공 저지층을 형성하였다면 정공 저지층 상에)는 전자 수송층(160)이 구비되어 있다.
상기 전자 수송층(160)은 전자 수송 물질 및 금속 함유 물질을 포함한다.
상기 전자 수송 물질은 임의의 전자 수송 물질일 수 있다.
또는, 상기 전자 수송 물질은, 하기 화합물 60, 하기 화학식 4로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 5로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다:
<화합물 60: ADN>
Figure 112010014600545-pat00044
<화학식 4>
Figure 112010014600545-pat00045
<화학식 5>
Figure 112010014600545-pat00046
상기 화학식 4 및 5 중,
R61 내지 R66는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30아실기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴기이고, 이 중 인접한 2 이상은 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있고;
L21은 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴렌기이고;
Q11 내지 Q19는 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴기이고;
c는 0 내지 10의 정수이다.
예를 들어, 상기 R61 내지 R66는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 시아노기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 피리디닐기 및 피라지닐기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
구체적으로, 상기 화학식 1 중, R61 내지 R64는 수소이고, 상기 화학식 1 중 R65는 할로겐 원자, 히드록시기, 시아노기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 피리디닐기 및 피라지닐기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 또한, 상기 화학식 2 중, R61 내지 R66는 수소일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 Q11 내지 Q19는 서로 독립적으로서, 수소, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 피리디닐기 및 피라지닐기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
구체적으로, 상기 화학식 1 및 2 중, Q11, Q13-Q16, Q18 및 Q19는 수소이고, Q12 및 Q17은 서로 독립적으로, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 피리디닐기 및 피라지닐기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 L21은 페닐렌기, 나프틸렌기, 안트릴렌기, 피리디닐렌기 및 피라지닐렌기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 L21은 페닐렌기 또는 피리디닐렌기일 수 있다.
예를 들어, 상기 c는 1, 2, 또는 3일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1물질은 상기 화합물 60, 하기 화합물 61 또는 하기 화합물 62일 수 있다:
<화합물 61>
Figure 112010014600545-pat00047
<화합물 62>
Figure 112010014600545-pat00048
상기 금속 함유 물질은 전자를 주입하고 정공을 저지하는 역할을 할 수 있다. 이를 고려하여, 상기 금속 함유 물질은 Li 착물일 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 함유 물질은 리튬 퀴놀레이트(Lithium Quinolate(LiQ)), 하기 화합물 81일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화합물 81: LiBTZ>
Figure 112010014600545-pat00049
상기 전자 수송층(160)의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 예를 들면 100Å 내지 300Å일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다.
전자 수송층(160) 상에는 캐소드로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자 주입층(EIL)(180)이 적층될 수 있다. 상기 전자 주입층 형성 재료로는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등과 같은 전자주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 전자 주입층(180)의 두께는 약 1Å 내지 100Å, 예를 들면, 5Å 내지 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 주입층(180) 상에는 제2전극(190)이 구비되어 있다. 상기 제2전극(190)은 전자 주입 전극인 캐소드(Cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 이용하여 반사형 전극을 얻을 수 있다. 또한, ITO, IZO 등과 같은 투명한 도전성 물질을 이용하여 투과형 전극 또는 반투과형 전극으로 형성할 수도 있다.
상기 유기 발광 소자(100)의 정공 수송층(140)은 다층 구조를 갖되, 전자 수송층을 이루는 각 층들 간의 에너지 레벨이 유사하며, 상기 전자 수송층(160)은 상술한 바와 같은 전자 수송 물질과 금속 함유 물질을 갖는 바, 정공과 전자 흐름의 균형이 장시간 유지되고, 전자의 주입과 수송을 적절히 조절하는 효과 및 정공 저지 효과를 동시에 가질 수 있어, 장수명을 가질 수 있다.
도 2는 다른 구현예에 따른 유기 발광 소자(200)의 구조를 개략적으로 도시한 것이다.
유기 발광 소자(200)은 기판(210), 제1전극(220), 정공 주입층(230), 정공 수송층(240), 발광층(250), 전자 수송층(260), 전자 주입층(280) 및 제2전극(290)이 차례로 적층된 구조를 갖는다.
상기 정공 수송층(240)은 2개의 정공 수송 유니트, 즉, 제1정공 수송 유니트(240a) 및 제2정공 수송 유니트(240b)를 포함한다. 구체적으로, 상기 정공 수송층(240)은, 정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층(241); 상기 제1정공 수송층(241) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 전하 생성 물질을 포함한 제2정공 수송층(242); 상기 제2정공 수송층(242) 상에 형성되고 상기 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층(243); 상기 제3정공 수송층(243) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제4정공 수송층(244); 상기 제4정공 수송층(244) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제5정공 수송층(245)(이상, 제1정공 수송 유니트(240a)에 포함됨); 정공 수송 물질을 포함한 제6정공 수송층(246); 상기 제6정공 수송층(246) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 전하 생성 물질을 포함한 제7정공 수송층(247); 상기 제7정공 수송층(247) 상에 형성되고 상기 전하 생성 물질을 포함한 제8정공 수송층(248); 상기 제8정공 수송층(248) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제9정공 수송층(249); 및 상기 제9정공 수송층(249) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제10정공 수송층(249b)(이상, 제2정공 수송 유니트(240b)에 포함됨);을 포함한다.
상기 정공 수송층(240)은 2개의 정공 수송 유니트, 즉, 제1정공 수송 유니트(240a) 및 제2정공 수송 유니트(240b)를 포함하므로, 예를 들면, 도 5a 내지 5g에 도시되어 있는 다층 형성 방법을 2회 반복함으로써 형성할 수 있다. 즉, 제1증착원(1001) 및 제2증착원(1002)를 포함한 베이스(1006)을 가이드 레일(1005)을 따라 2회 왕복시킴으로써(즉, 제1말단(A) 출발 → B 방향으로 이동 → 제2말단(E) 도착 → F 방향으로 이동 → 제1말단(A) 도착 → B 방향으로 이동 → 제2말단(E) 도착 → F 방향으로 이동 → 제1말단(A) 도착), 정공 수송층(240)을 형성할 수 있다.
상술한 바와 같은 방법으로 정공 수송층(240)을 형성할 경우, 상기 제3정공 수송층(243)은 2개의 전하 생성 물질-함유층, 즉 제1전하 생성 물질-함유층(243') 및 제2전하 생성 물질-함유층(243")을 포함하되, 이들 층의 구성 성분(즉, 전하 생성 물질)은 서로 동일하므로, 상기 2개의 전하 생성 물질-함유층 간의 계면은 불분명하여 상기 제3정공 수송층(243)은 하나의 층으로 관찰될 수 있다. 마찬가지로, 상기 제8정공 수송층(248)은 2개의 전하 생성 물질-함유층, 즉 제1전하 생성 물질-함유층(248') 및 제2전하 생성 물질-함유층(248")을 포함하되, 이들 층의 구성 성분(즉, 전하 생성 물질)은 서로 동일하므로, 상기 2개의 전하 생성 물질-함유층 간의 계면은 불분명하여 상기 제8정공 수송층(248)은 하나의 층으로 관찰될 수 있다. 이를 고려하여, 도 2에서 제3정공 수송층(243)의 제1전하 생성 물질-함유층(243')과 제2전하 생성 물질-함유층(243") 사이의 계면 및 제8정공 수송층(248)의 제1전하 생성 물질-함유층(248') 과 제2전하 생성 물질-함유층(243") 사이의 계면은 실선 대신 점선으로 표시되어 있다.
한편, 도 2 중 제5정공 수송층(245) 및 제6정공 수송층(246) 사이의 계면은 점선으로 표시되어 있다. 이는, 베이스(1006)가 "제1말단(A) 출발 → B 방향으로 이동 → 제2말단(E) 도착 → F 방향으로 이동 → 제1말단(A) 도착"이라는 제1왕복 직후 형성된 제5정공 수송층(245)의 구성 성분(정공 수송 물질)과 상기 제1왕복 직후 상기 베이스(1006)이 제2왕복을 시작하기 위하여 제1말단(A)에서 출발하면서 최초로 형성되는 제6정공 수송층(246)의 구성 성분(정공 수송 물질)이 서로 동일하므로, 상기 제5정공 수송층(245)과 상기 제6정공 수송층(246) 사이의 계면이 불분명하여, 상기 제5정공 수송층(245)과 상기 제6정공 수송층(246)은 하나의 층으로 관찰될 수 있다는 점을 고려한 것이다.
도 2의 유기 발광 소자(200)은 1개의 정공 수송 유니트 대신 2개의 정공 수송 유니트를 포함한 정공 수송층(240)을 포함한다는 점을 제외하고는, 도 1의 유기 발광 소자(100)와 동일한 구조를 갖는 바, 유기 발광 소자(200)의 각 층의 물질, 각 층의 두께 등은 도 1에 대한 설명을 참조한다.
도 3은 다른 구현예에 따른 유기 발광 소자(300)의 구조를 개략적으로 도시한 것이다.
유기 발광 소자(300)은 기판(310), 제1전극(320), 정공 주입층(330), 정공 수송층(340), 발광층(350), 전자 수송층(360), 전자 주입층(380) 및 제2전극(390)이 차례로 적층된 구조를 갖는다.
상기 정공 수송층(340)은 2개의 정공 수송 유니트, 즉, 제1정공 수송 유니트(340a) 및 제2정공 수송 유니트(340b)를 포함한다. 구체적으로, 상기 정공 수송층(340)은, 정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층(341); 상기 제1정공 수송층(341) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 전하 생성 물질을 포함한 제2정공 수송층(342); 상기 제2정공 수송층(342) 상에 형성되고 상기 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층(343); 상기 제3정공 수송층(343) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제4정공 수송층(344); 상기 제4정공 수송층(344) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제5정공 수송층(345)(이상, 제1정공 수송 유니트(340a)에 포함됨); 정공 수송 물질을 포함한 제6정공 수송층(346); 상기 제6정공 수송층(346) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 전하 생성 물질을 포함한 제7정공 수송층(347); 상기 제7정공 수송층(347) 상에 형성되고 상기 전하 생성 물질을 포함한 제8정공 수송층(348); 상기 제8정공 수송층(348) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제9정공 수송층(349); 및 상기 제9정공 수송층(349) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제10정공 수송층(349b)(이상, 제2정공 수송 유니트(340b)에 포함됨);을 포함한다.
상기 정공 수송층(340)에 대한 상세한 설명은 상기 정공 수송층(240)에 대한 설명을 참조한다.
상기 전자 수송층(360)은 상기 전자 수송 물질을 포함한 제1전자 수송층(361); 상기 제1전자 수송층(361) 상에 형성되고 상기 전자 수송 물질과 상기 금속 함유 물질을 포함한 제2전자 수송층(362); 상기 제2전자 수송층(362) 상에 형성되고 상기 금속 함유 물질을 포함한 제3전자 수송층(363); 상기 제3전자 수송층(363) 상에 형성되고 상기 전자 수송 물질과 상기 금속 함유 물질을 포함한 제4전자 수송층(364); 및 상기 제4전자 수송층(364) 상에 형성되고 상기 전자 수송 물질을 포함한 제5전자 수송층(365);을 포함한 전자 수송 유니트를 1개 포함한다.
상기 전자 수송층(360)은 제1전자 수송층(361), 제2전자 수송층(362), 제3전자 수송층(363), 제4전자 수송층(364), 및 제5전자 수송층(365)이 차례로 적층된 구조를 갖는 바, 전자의 주입과 수송을 적절히 조절하는 효과 및 정공 저지 효과를 동시에 가질 수 있다. 유기 발광 소자는 구동 후 시간의 경과에 따라 전자 또는 정공의 양이 변화함으로써 발광 영역에서 생성되는 엑시톤의 수가 점점 감소할 수 있다. 그 결과 캐리어 균형(carrier balance)이 무너질 수 있으며, 이는 유기 발광 소자의 수명 저하의 한 원인이 될 수 있다. 그러나, 상술한 바와 같은 구조를 갖는 전자 수송층은 유사 또는 동일한 에너지 레벨을 갖는 여러 층(제1전자 수송층(361), 제2전자 수송층(362), 제3전자 수송층(363), 제4전자 수송층(364), 및 제5전자 수송층(365))이 적층되어 있어 전자의 이동 속도를 조절하면서 캐리어의 흐름을 일정하게 유지시켜 줄 수 있다. 이로써, 유기 발광 소자의 수명이 향상될 수 있다.
상기 전자 수송층(360)은, 예를 들면, 전자 수송 물질을 방출하는 제3증착원 및 금속 함유 물질을 방출하는 제4증착원을 준비하는 단계, 상기 전자 수송 물질이 방출되는 영역과 상기 금속 함유 물질이 방출되는 영역이 서로 중첩되도록 상기 제3증착원과 상기 제4증착원을 소정 간격을 사이에 두고 배치하는 단계, 및 상기 제3증착원과 상기 제4증착원을 전자 수송층 형성 영역(예를 들면, 발광층(350) 상부)의 제1말단에서 제2말단을 거쳐 다시 제1말단까지 왕복시키는 것을 1회 수행하는 단계를 수행함으로써 형성될 수 있다.
상술한 바와 같은 전자 수송층(360)의 형성 방법은, 예를 들면, 상기 도 5a 내지 5g 및 이에 대한 설명을 참조하되, "정공 수송 물질"을 "전자 수송 물질"로, "전하 생성 물질"을 "금속 함유 물질"로, "제1증착원"을 "제3증착원"으로, "제2증착원"을 "제4증착원"으로 대체하여 참조함으로써, 용이하게 이해될 수 있다.
상술한 바와 같이 전자 수송층(360)을 형성할 경우, 제1금속 함유 물질-함유층(363')과 제2금속 함유 물질-함유층(363")은 층 구성 성분(즉, 금속 함유 물질)이 동일하기 때문에, 이들 간의 계면은 실질적으로 불분명할 수 있어, 이들 층은 하나의 층, 즉, 금속 함유 물질을 포함한 제3전자 수송층(363)으로 관찰될 수 있다. 이를 고려하여, 도 3에서 제1금속 함유 물질-함유층(363')과 제2금속 함유 물질-함유층(363") 사이의 계면은 실선 대신 점선으로 표시되어 있다.
상기 제1전자 수송층(361), 제3전자 수송층(363) 및 제5전자 수송층(365)의 두께는 서로 독립적으로, 0.01nm 내지 1nm, 예를 들면 0.5nm 내지 0.7nm일 수 있다. 상기 제1전자 수송층(361), 제3전자 수송층(363) 및 제5전자 수송층(365)이 상기 두께 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 전자를 효과적으로 주입 및 수송할 수 있다. 상기 제1전자 수송층(361), 제3전자 수송층(363) 및 제5전자 수송층(365)의 두께는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 제2전자 수송층(362) 및 제4전자 수송층(364)의 두께는 서로 독립적으로, 6nm 내지 16nm, 예를 들면 6nm 내지 10nm일 수 있다. 상기 제2전자 수송층(362) 및 제4전자 수송층(364)이 상기 두께 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 전자를 효과적으로 주입 및 수송할 수 있다. 상기 제2전자 수송층(362) 및 제4전자 수송층(364)의 두께는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 제2전자 수송층(362) 중 상기 금속 함유 물질의 함량은 상기 제2전자 수송층(362) 100중량부 당 20중량부 내지 80중량부, 예를 들면 45중량부 내지 55중량부일 수 있다. 또한, 제4전자 수송층(364) 중 금속 함유 물질의 함량은 제4전자 수송층(364) 100중량부 당 20중량부 내지 80중량부, 예를 들면 45중량부 내지 55중량부일 수 있다. 제2전자 수송층(362) 및 제4전자 수송층(364) 중 금속-함유 물질의 함량이 상술한 바를 만족하면 우수한 효율을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송층(360)의 전자 수송 물질 및 금속 함유 물질에 대한 상세한 설명은 도 1에 대한 설명을 참조한다.
도 3의 유기 발광 소자(300)은 전자 수송층(360)을 상술한 바와 같은 다층 구조로 구성하였다는 점을 제외하고는 도 2의 유기 발광 소자(200)와 동일한 구조를 갖는 바, 유기 발광 소자(300)의 각 층의 물질, 각 층의 두께 등은 도 1 및 2에 대한 설명을 참조한다.
도 4는 다른 구현예에 따른 유기 발광 소자(400)의 구조를 개략적으로 도시한 것이다.
유기 발광 소자(400)은 기판(410), 제1전극(420), 정공 주입층(430), 정공 수송층(440), 발광층(450), 전자 수송층(460), 전자 주입층(480) 및 제2전극(490)이 차례로 적층된 구조를 갖는다.
상기 정공 수송층(440)은 2개의 정공 수송 유니트, 즉, 제1정공 수송 유니트(440a) 및 제2정공 수송 유니트(440b)를 포함한다. 구체적으로, 상기 정공 수송층(440)은, 정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층(441); 상기 제1정공 수송층(441) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 전하 생성 물질을 포함한 제2정공 수송층(442); 상기 제2정공 수송층(442) 상에 형성되고 상기 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층(443); 상기 제3정공 수송층(443) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제4정공 수송층(444); 상기 제4정공 수송층(444) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제5정공 수송층(445)(이상, 제1정공 수송 유니트(440a)에 포함됨); 정공 수송 물질을 포함한 제6정공 수송층(446); 상기 제6정공 수송층(446) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 전하 생성 물질을 포함한 제7정공 수송층(447); 상기 제7정공 수송층(447) 상에 형성되고 상기 전하 생성 물질을 포함한 제8정공 수송층(448); 상기 제8정공 수송층(448) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제9정공 수송층(449); 및 상기 제9정공 수송층(449) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제10정공 수송층(449b)(이상, 제2정공 수송 유니트(440b)에 포함됨);을 포함한다.
상기 정공 수송층(440)에 대한 상세한 설명은 상기 정공 수송층(240)에 대한 설명을 참조한다.
상기 전자 수송층(460)은 2개의 전자 수송 유니트, 즉, 제1전자 수송 유니트(460a) 및 제2전자 수송 유니트(460b)를 포함한다. 구체적으로, 상기 전자 수송층(460)은, 전자 수송 물질을 포함한 제1전자 수송층(461); 상기 제1전자 수송층(461) 상에 형성되고 상기 전자 수송 물질과 전하 생성 물질을 포함한 제2전자 수송층(462); 상기 제2전자 수송층(462) 상에 형성되고 상기 전하 생성 물질을 포함한 제3전자 수송층(463); 상기 제3전자 수송층(463) 상에 형성되고 상기 전자 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제4전자 수송층(464); 상기 제4전자 수송층(464) 상에 형성되고 상기 전자 수송 물질을 포함한 제5전자 수송층(465)(이상, 제1전자 수송 유니트(460a)에 포함됨); 전자 수송 물질을 포함한 제6전자 수송층(466); 상기 제6전자 수송층(466) 상에 형성되고 상기 전자 수송 물질과 전하 생성 물질을 포함한 제7전자 수송층(467); 상기 제7전자 수송층(467) 상에 형성되고 상기 전하 생성 물질을 포함한 제8전자 수송층(468); 상기 제8전자 수송층(468) 상에 형성되고 상기 전자 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제9전자 수송층(469); 및 상기 제9전자 수송층(469) 상에 형성되고 상기 전자 수송 물질을 포함한 제10전자 수송층(469b)(이상, 제2전자 수송 유니트(460b)에 포함됨);을 포함한다.
상기 전자 수송층(460)은 2개의 전자 수송 유니트, 즉, 제1전자 수송 유니트(460a) 및 제2전자 수송 유니트(460b)를 포함하므로, 예를 들면, 도 5a 내지 5g에 도시되어 있는 다층 형성 방법(단, 상기 도 5a 내지 5g 및 이에 대한 설명을 참조하되, "정공 수송 물질"을 "전자 수송 물질"로, "전하 생성 물질"을 "금속 함유 물질"로, "제1증착원"을 "제3증착원"으로, "제2증착원"을 "제4증착원"으로 대체하여 참조)을 2회 반복함으로써 형성할 수 있다.
상술한 바와 같은 방법으로 전자 수송층(460)을 형성할 경우, 상기 제3전자 수송층(463)은 2개의 금속 함유 물질-함유층, 즉 제1금속 함유 물질-함유층(463') 및 제2금속 함유 물질-함유층(463")을 포함하되, 이들 층의 구성 성분(즉, 금속 함유 물질)은 서로 동일하므로, 상기 2개의 금속 함유 물질-함유층 간의 계면은 불분명하여 상기 제3전자 수송층(463)은 하나의 층으로 관찰될 수 있다. 마찬가지로, 상기 제8전자 수송층(468) 역시 이와 동일하게 이해될 수 있다.
한편, 도 4 중 제5전자 수송층(465) 및 제6전자 수송층(466) 사이의 계면은 점선으로 표시되어 있다. 이는, 베이스(1006)가 "제1말단(A) 출발 → B 방향으로 이동 → 제2말단(E) 도착 → F 방향으로 이동 → 제1말단(A) 도착"이라는 제1왕복 직후 형성된 제5전자 수송층(465)의 구성 성분(전자 수송 물질)과 상기 제1왕복 직후 상기 베이스(1006)가 제2왕복을 시작하기 위하여 제1말단(A)에서 출발하면서 최초로 형성되는 제6전자 수송층(466)의 구성 성분(전자 수송 물질)이 서로 동일하므로, 상기 제5전자 수송층(465)과 상기 제6전자 수송층(466) 사이의 계면이 불분명하여, 상기 제5전자 수송층(465)과 상기 제6전자 수송층(466)은 하나의 층으로 관찰될 수 있다는 점을 고려한 것이다.
도 4의 유기 발광 소자(400)은 1개의 전자 수송 유니트 대신 2개의 전자 수송 유니트를 포함한 전자 수송층(460)을 포함한다는 점을 제외하고는, 도 3의 유기 발광 소자(300)와 동일한 구조를 갖는 바, 유기 발광 소자(400)의 각 층의 물질, 각 층의 두께 등은 도 1, 2 및 3에 대한 설명을 참조한다.
도 6은 본 발명의 다른 구현예를 따르는 유기 발광 소자(10)의 구조를 간략하게 도시한 것이다. 상기 유기 발광 소자(10)는 기판(11), 제1전극(12), 정공 주입층(13), 정공 수송층(14), 발광층(15), 전자 수송층(16), 전자 주입층(18) 및 제2전극(19)이 순서대로 적층된 구조를 갖는다. 상기 정공 수송층(14)은 정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층(14a); 상기 제1정공 수송층(14a) 상에 형성되고 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층(14b); 상기 제3정공 수송층(14b) 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제5정공 수송층(14c);을 포함한 정공 수송 유니트를 1개 포함한다.
상기 유기 발광 소자(10) 중 기판(11), 제1전극(12), 정공 주입층(13), 발광층(15), 전자 수송층(16), 전자 주입층(18) 및 제2전극(19)에 대한 상세한 설명은 도 1에 대한 설명을 참조한다.
상기 정공 수송층(14)은 제1정공 수송층(14a), 제3정공 수송층(14b) 및 제5정공 수송층(14c)를 포함하며, 이들에 대한 상세한 설명은 상기 도 1에 대한 설명 중 제1정공 수송층(141), 제3정공 수송층(143) 및 제5정공 수송층(145)에 대한 설명을 참조한다. 즉, 도 6에 도시된 유기 발광 소자(10)는 제2정공 수송층(142) 및 제4정공 수송층(144)가 형성되어 있지 않다는 점을 제외하고는 도 1에 도시된 유기 발광 소자(100)와 동일한 구성을 갖는다.
상기 유기 발광 소자(10)의 제3정공 수송층(14b)는 상술한 바와 같은 전하 생성 물질을 포함할 수 있다. 상기 제3정공 수송층(14b)은 제1전하 생성 물질-함유층(14b')및 제2전하 생성 물질-함유층(14b")을 포함할 수 있는데, 이들 간의 계면은 실질적으로 불분명할 수 있어, 하나의 층, 즉, 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층(14b)으로 관찰될 수 있다. 이를 고려하여, 도 6 중 제1전하 생성 물질-함유층(14b') 및 제2전하 생성 물질-함유층(14b") 사이의 계면은 실선 대신 점선으로 표시되어 있다.
상기 전자 수송층(14)은 유사 또는 동일한 에너지 레벨을 갖는 제1정공 수송층(14a), 제3정공 수송층(14b), 및 제5정공 수송층(14c)이 차례로 적층된 구조를 갖는 바, 정공의 주입과 수송을 적절히 조절하는 효과 및 전자 저지 효과를 동시에 가질 수 있다. 이로서, 수명이 향상된 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
상기 유기 발광 소자(10)의 정공 수송층(14)은, 예를 들면, 도 5a에 도시된 바와 같이 제1증착원(1001) 및 제2증착원(1002)이 배설된 베이스(1006)를 준비하되, 상기 제1증착원(1001)과 제2증착원(1002) 사이에 방착판을 설치한 후, 제1증착원(1001)과 제2증착원(1002) 사이에 방착판이 설치된 베이스(1006)를 "제1말단(A) 출발 → B 방향으로 진행 → 제2말단(E) 도착 → F 방향으로 진행 → 제1말단(A) 도착"의 경로로 1회 왕복시킴으로써 형성할 수 있다. 상술한 바와 같이 제1증착원(1001) 및 제2증착원(1002) 사이에 방착판을 형성함으로써, 제1증착원(1001)로부터 방출되는 정공 수송 물질과 제2증착원(1002)으로부터 방출되는 전하 생성 물질의 동시 증착이 실질적으로 방지되어, 제1정공 수송층(14a), 제3정공 수송층(14b) 및 제5정공 수송층(14c)이 순서대로 적층될 수 있다.
본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조 및 제조 방법은 도 1, 2, 3, 4, 도 5a 내지 5g 및 도 6을 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 다양한 변형예가 가능하다. 예를 들면, 본 발명의 다른 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 정공 수송층은 3개 이상의 정공 수송 유니트를 포함할 수 있거나 및/또는 전자 수송층은 3개 이상의 전자 수송 유니트를 포함할 수 있는 등, 다양한 변형예가 가능하다. 또한, 필요에 따라, 유기 발광 소자 중 정공 주입층 형성없이 제1전극 상에 바로 정공 수송층을 형성할 수 있는 등, 다양한 변형예가 가능하다.
또한, 본 발명의 다양한 구현예들에 예시된 정공 수송층과 전자 수송층 간의 다양한 조합도 가능하다. 예를 들어, 도 6에 도시된 유기 발광 소자(10)의 정공 수송층(14) 및 도 3에 도시된 유기 발광 소자(300)의 전자 수송층(360)을 동시에 채용한 유기 발광 소자의 구현도 가능하다.
본 명세서에 있어서, "A층이 B층(또는 B면) 상에 형성된다" 또는 "A층이 B층(또는 B면) 상에 구비된다"란 표현은, A층이 B층(또는 B면)의 일부 이상을 덮도록 형성되어 있는 구조를 설명하기 위한 표현으로서, 이는 A층과 B층 사이에 다른 층이 추가로 형성되어 있는 구조 및 A층이 B층과 접촉하는 구조 모두를 가리키는 표현이며, 이는 당업자에게 용이하게 이해될 수 있다.
한편, 도 1 내지 4에는 도시하지 않았으나, 제2전극 상부로는 유기 발광 소자의 밀봉을 위한 공지된 구조의 밀봉층이 추가로 구비될 수 있는 등, 다양한 변형예가 가능하다.
이하에서, 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1
코닝사(Corning)의 15Ω/㎠ (70Å) ITO(제1전극)가 구비된 유리 기판을 50mm×50mm×0.5mm 크기로 잘라 이소프로필 알콜과 순수에서 각각 5분간 초음파 세정한 후 30분간 열처리 후 N2 플라즈마 처리하여 사용하였다. 상기 ITO 전극 상에 정공 주입 및 수송 물질로서 화합물 14 및 전하 생성 물질로서 화합물 40을 이용하는 도 5a 내지 5g로 설명된 방법을 수행(즉, 제1증착원(1001)은 화합물 14 방출 / 제2증착원(1002)는 화합물 40 방출 / 베이스(1006)은 "제1말단(A) 출발 → B 방향으로 진행 → 제2말단(E) 도착 → F 방향으로 진행 → 제1말단(A) 도착"의 경로로 1회 왕복)하여, 화합물 14의 제1정공 수송층 600Å, 화합물 14+화합물 40의 제2정공 수송층 10Å, 화합물 40의 제3정공 수송층 30Å, 화합물 14+화합물 40의 제4정공 수송층 10Å 및 화합물 14의 제5정공 수송층 600Å를 포함한 1개의 정공 수송 유니트로 이루어진 정공 수송층을 형성하였다. 상기 정공 수송층 상부에 호스트로서 Alq3을 97중량%, 도펀트로서 DPVBI를 3중량% 사용하여 200Å 두께의 발광층을 형성하고, 상기 발광층 상부에 화합물 62 및 LiQ를 공증착(LiQ의 함량은 전자 수송층 100중량부 당 50중량부임)하여 300Å 두께의 전자 수송층을 형성한 후, LiF를 진공 증착하여 5Å 두께의 전자 주입층을 형성한 다음, Mg:Ag을 진공 증착하여 120Å 두께의 제2전극을 형성하고, 제2전극 위에 유기 캡핑층으로 Alq3 를 진공증착하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
<화합물 14>
Figure 112010014600545-pat00050
<화합물 40>
Figure 112010014600545-pat00051
<화합물 62>
Figure 112010014600545-pat00052

평가예 1
상기 실시예 1 의 유기 발광 소자의 휘도를 시간에 따라 측정하여 도 7에 나타내었다. 도 7의 y축은 0시간일 때의 휘도를 100%로 한 휘도비(%)이다. 휘도는 PR650 (Spectroscan) Source Measurement Unit.(PhotoResearch사 제품임)를 이용하여 평가하였다. 또한 실시예 1의 유기 발광 소자 인가의 전압에 대한 전류밀도 변화를 측정하여 그 결과를 도 8에 나타내었다. 도 8 중 X 축은 인가 전압(V) 이며 y 축은 그에 따른 전류 밀도 (mA/cm2)이다. 도 7 및 8로부터 실시예 1의 유기 발광 소자는 우수한 전기적 특성 및 수명 특성을 가짐을 확인하였다.
100: 유기 발광 소자
110: 기판
120: 제1전극
130: 정공 주입층
140: 정공 수송층
150: 발광층
160: 전자 수송층
180: 전자 주입층
190: 제2전극
141: 제1정공 수송층
142: 제2정공 수송층
143: 제3정공 수송층
144: 제4정공 수송층
145:제5정공 수송층

Claims (19)

  1. 기판; 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하고,
    상기 정공 수송층은,
    정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층; 상기 제1정공 수송층 상에 형성되고 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층; 및 상기 제3정공 수송층 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제5정공 수송층;을 포함한 정공 수송 유니트를 하나 이상 포함하고,
    상기 전자 수송층은 전자 수송 물질 및 금속 함유 물질을 포함하고,
    상기 전자 수송층이, 상기 전자 수송 물질을 포함한 제1전자 수송층; 상기 제1전자 수송층 상에 형성되고 상기 금속 함유 물질을 포함한 제3전자 수송층; 및 상기 제3전자 수송층 상에 형성되고 상기 전자 수송 물질을 포함한 제5전자 수송층;을 포함한 전자 수송 유니트를 하나 이상 포함한, 유기 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 정공 수송 유니트가, 상기 제1정공 수송층과 상기 제3정공 수송층 사이에 개재되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제2정공 수송층 및 상기 제3정공 수송층과 상기 제5정공 수송층 사이에 개재되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제4정공 수송층로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 정공 수송 물질이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자:
    <화학식 1>
    Figure 112011064884545-pat00053

    <화학식 2>
    Figure 112011064884545-pat00075

    상기 화학식 1 및 2 중, R10은 -(Ar1)n-Ar2로 표시되고; R16은 -(Ar11)m-Ar12로 표시되고; Ar1, Ar11, L1 및 L11은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C5-C30아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C4-C30헤테로아릴렌기, 및 -N(Q1)-로 표시되는 그룹으로 이루어진 군으로부터 선택되고; n, m, a 및 b는 서로 독립적으로, 0 내지 10의 정수이고; 상기 R1 내지 R3, R11 내지 R15, R17, R18, R21 내지 R29, Ar2, Ar12 및 Q1은 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C5-C30아릴기, C4-C30헤테로아릴기, 및 -N(Q2)(Q3)로 표시되는 그룹들로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있고; 상기 Q2 및 Q3는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C5-C30아릴기, 및 C4-C30헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고; 상기 -(Ar1)n- 중 n개의 Ar1은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 상기 -(Ar11)m- 중 m개의 Ar11은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, 상기 -(L1)a- 중 a개의 L1은 서로 동일하거나 상이할 수 있고, -(L11)b- 중 b개의 L11은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전하 생성 물질이 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자:
    <화학식 3>
    Figure 112010014600545-pat00055

    상기 화학식 3 중, R51 내지 R56은 서로 독립적으로, 수소, -CN, -SOR100, -SON(R101)2, -SO2R102, -SO2N(R103)2, -SO3R104, -SO3N(R105)2, -NO2, -CFH2, -CF2H, 및 -CF3로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 R100 내지 R105는 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30아릴기, 및 치환 또는 비치환된 C4-C30헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1정공 수송층, 상기 제3정공 수송층 및 상기 제5정공 수송층의 두께가, 서로 독립적으로 0.1nm 내지 100nm의 범위 내에서 선택된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제2정공 수송층 및 상기 제4정공 수송층의 두께가 서로 독립적으로 0.01nm 내지 16nm의 범위 내에서 선택된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제2정공 수송층 중 전하 생성 물질의 함량이 상기 제2정공 수송층 100중량부 당 0.01중량부 내지 99중량부이고, 상기 제4정공 수송층 중 전하 생성 물질의 함량이 상기 제4정공 수송층 100중량부 당 0.01중량부 내지 99중량부인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제3정공 수송층이 2개의 전하 생성 물질-함유층을 포함하고, 상기 2개의 전하 생성 물질-함유층 간의 계면은 불분명하여 상기 제3정공 수송층은 하나의 층으로 관찰되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 정공 수송층이 2개의 정공 수송 유니트를 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 정공 수송층이,정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층; 상기 제1정공 수송층 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 전하 생성 물질을 포함한 제2정공 수송층; 상기 제2정공 수송층 상에 형성되고 상기 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층; 상기 제3정공 수송층 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제4정공 수송층; 상기 제4정공 수송층 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제5정공 수송층; 상기 제5정공 수송층 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제6정공 수송층; 상기 제6정공 수송층 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제7정공 수송층; 상기 제7정공 수송층 상에 형성되고 상기 전하 생성 물질을 포함한 제8정공 수송층; 상기 제8정공 수송층 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제9정공 수송층; 및 상기 제9정공 수송층 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제10정공 수송층;을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제3정공 수송층이 2개의 전하 생성 물질-함유층을 포함하고 상기 2개의 전하 생성 물질-함유층 간의 계면은 불분명하여 상기 제3정공 수송층은 하나의 층으로 관찰되며, 상기 제8정공 수송층이 2개의 전하 생성 물질-함유층을 포함하고 상기 2개의 전하 생성 물질-함유층 간의 계면은 불분명하여 상기 제8정공 수송층은 하나의 층으로 관찰되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제5정공 수송층과 상기 제6정공 수송층 사이의 계면이 불분명하여, 상기 제5정공 수송층과 상기 제6정공 수송층이 하나의 층으로 관찰되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 전자 수송층 중 전자 수송 물질이 하기 화합물 60, 하기 화학식 4로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 5로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자:
    <화합물 60>
    Figure 112010014600545-pat00056

    <화학식 4>
    Figure 112010014600545-pat00057

    <화학식 5>
    Figure 112010014600545-pat00058

    상기 화학식 4 및 5 중,
    R61 내지 R66는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30아실기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴기이고, 이 중 인접한 2 이상은 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있고;
    L21은 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴렌기이고;
    Q11 내지 Q19는 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴기이고;
    c는 0 내지 10의 정수이다.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 전자 수송층 중 금속 함유 물질이 Li 착물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  15. 삭제
  16. 제1항에 있어서,
    상기 전자 수송 유니트가, 상기 제1전자 수송층과 상기 제3전자 수송층 사이에 개재되고 상기 전자 수송 물질과 상기 금속 함유 물질을 포함한 제2전자 수송층 및 상기 제3전자 수송층과 상기 제5전자 수송층 상에 개재되고 상기 전자 수송 물질과 상기 금속 함유 물질을 포함한 제4전자 수송층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 제3전자 수송층이 2개의 금속 함유 물질-함유층을 포함하고, 상기 2개의 금속 함유 물질-함유층 간의 계면은 불분명하여 상기 제3전자 수송층은 하나의 층으로 관찰되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 전자 수송층이 2개의 전자 수송 유니트를 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  19. 기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;
    상기 제1전극 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;
    상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계;
    상기 발광층 상에 전자 수송 물질 및 금속 함유 물질을 포함한 전자 수송층을 형성하는 단계; 및
    상기 전자 수송층 상에 제2전극을 형성하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 정공 수송층 형성 단계가,
    정공 수송 물질을 방출하는 제1증착원 및 전하 생성 물질을 방출하는 제2증착원을 준비하는 단계;
    상기 제1증착원과 상기 제2증착원 사이에 방착판을 배치하는 단계; 및
    상기 제1증착원과 상기 제2증착원을 정공 수송층 형성 영역의 제1말단에서 제2말단을 거쳐 다시 제1말단까지 왕복시키는 것을 1회 이상 수행하여, 정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층; 상기 제1정공 수송층 상에 형성되고 상기 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층; 및 상기 제3정공 수송층 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제5정공 수송층;을 포함한 정공 수송 유니트를 하나 이상 포함한 정공 수송층을 형성하는 단계;
    를 포함하거나, 또는
    정공 수송 물질을 방출하는 제1증착원 및 전하 생성 물질을 방출하는 제2증착원을 준비하는 단계;
    상기 정공 수송 물질이 방출되는 영역과 상기 전하 생성 물질이 방출되는 영역이 서로 중첩되도록 상기 제1증착원과 상기 제2증착원을 소정 간격을 사이에 두고 배치하는 단계; 및
    상기 제1증착원과 상기 제2증착원을 정공 수송층 형성 영역의 제1말단에서 제2말단을 거쳐 다시 제1말단까지 왕복시키는 것을 1회 이상 수행하여, 정공 수송 물질을 포함한 제1정공 수송층; 상기 제1정공 수송층 상에 형성되고 상기 전하 생성 물질을 포함한 제3정공 수송층; 및 상기 제3정공 수송층 상에 형성되고 상기 정공 수송 물질을 포함한 제5정공 수송층;을 포함하고, 상기 제1정공 수송층과 상기 제3정공 수송층 사이에 개재되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제2정공 수송층 및 상기 제3정공 수송층과 상기 제5정공 수송층 사이에 개재되고 상기 정공 수송 물질과 상기 전하 생성 물질을 포함한 제4정공 수송층로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 포함한 정공 수송 유니트를 포함한 정공 수송층을 형성하는 단계;를 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
KR1020100020402A 2010-03-08 2010-03-08 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 KR101097339B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100020402A KR101097339B1 (ko) 2010-03-08 2010-03-08 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
EP11157291.3A EP2365555B1 (en) 2010-03-08 2011-03-08 Organic light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2011049978A JP2011187959A (ja) 2010-03-08 2011-03-08 有機発光素子及びその製造方法
CN201110058209.XA CN102201432B (zh) 2010-03-08 2011-03-08 有机发光装置及其制造方法
US13/042,561 US9472767B2 (en) 2010-03-08 2011-03-08 Organic light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2015209630A JP6192699B2 (ja) 2010-03-08 2015-10-26 有機発光素子及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100020402A KR101097339B1 (ko) 2010-03-08 2010-03-08 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110101418A KR20110101418A (ko) 2011-09-16
KR101097339B1 true KR101097339B1 (ko) 2011-12-23

Family

ID=43795135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100020402A KR101097339B1 (ko) 2010-03-08 2010-03-08 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9472767B2 (ko)
EP (1) EP2365555B1 (ko)
JP (2) JP2011187959A (ko)
KR (1) KR101097339B1 (ko)
CN (1) CN102201432B (ko)

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101881081B1 (ko) * 2011-06-22 2018-08-20 삼성디스플레이 주식회사 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 평판 표시 장치
CN103548172B (zh) 2011-10-05 2017-08-04 株式会社Lg化学 有机发光器件及其制造方法
KR101305869B1 (ko) * 2011-10-12 2013-09-09 포항공과대학교 산학협력단 단순화된 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN102643296B (zh) * 2011-10-20 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 一种甲酸锂金属络合物及其制作方法、有机电致发光器件
WO2013060418A1 (en) * 2011-10-27 2013-05-02 Merck Patent Gmbh Materials for electronic devices
KR20130050713A (ko) 2011-11-08 2013-05-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
KR101927943B1 (ko) * 2011-12-02 2018-12-12 삼성디스플레이 주식회사 다층 구조의 정공수송층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
KR101429924B1 (ko) * 2011-12-08 2014-08-14 엘지디스플레이 주식회사 탠덤형 백색 유기 발광 소자
KR101927941B1 (ko) * 2011-12-19 2018-12-12 삼성디스플레이 주식회사 다층 구조의 정공수송층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
JP6118034B2 (ja) * 2012-02-06 2017-04-19 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子とそれに用いることができる化合物および有機電界発光素子用材料、並びに該素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置
EP2816025B1 (en) 2012-02-10 2018-12-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd Aromatic amine derivative, organic electroluminescent element and electronic device
KR20210068605A (ko) * 2012-03-15 2021-06-09 메르크 파텐트 게엠베하 전자 소자
KR101973166B1 (ko) * 2012-03-27 2019-04-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN102694131B (zh) * 2012-06-04 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法以及显示装置
KR101932563B1 (ko) * 2012-06-27 2018-12-28 삼성디스플레이 주식회사 다층 구조의 정공수송층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN107266399A (zh) * 2012-08-30 2017-10-20 出光兴产株式会社 芳香族胺衍生物以及使用其的有机电致发光元件
EP2891648B1 (en) 2012-08-31 2022-02-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd Aromatic amine derivative, and organic electroluminescent element using the same
WO2014034791A1 (ja) * 2012-08-31 2014-03-06 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2907173B1 (de) * 2012-10-09 2018-03-21 Merck Patent GmbH Elektronische vorrichtung
KR102017745B1 (ko) * 2012-10-12 2019-09-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102014168B1 (ko) * 2012-10-12 2019-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 물질층 형성 방법
KR102081119B1 (ko) * 2012-10-31 2020-02-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
GB2508092B (en) * 2012-10-31 2015-09-23 Lg Display Co Ltd Light emitting device and organic light emitting display device including the same
GB2508289B (en) * 2012-10-31 2015-09-30 Lg Display Co Ltd Organic light emitting display device
CN102931355B (zh) * 2012-11-09 2015-12-09 四川虹视显示技术有限公司 Oled器件
CN103204798B (zh) * 2012-11-12 2015-08-26 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种芳香胺衍生物、其制备方法以及由其制成的有机电致发光器件
JP6208424B2 (ja) 2012-12-05 2017-10-04 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． フッ素置換されたアリール基を有するアミン誘導体、それを含む有機ｅｌ材料及びそれを用いた有機ｅｌ素子
CN103915470B (zh) * 2012-12-31 2016-12-07 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
KR102086547B1 (ko) * 2013-02-13 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
WO2014129048A1 (ja) 2013-02-22 2014-08-28 出光興産株式会社 アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器
KR20140143545A (ko) * 2013-06-07 2014-12-17 삼성디스플레이 주식회사 발광소자, 이를 포함하는 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102090704B1 (ko) * 2013-06-12 2020-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102108454B1 (ko) * 2013-07-08 2020-05-26 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102098738B1 (ko) * 2013-07-09 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102084170B1 (ko) * 2013-07-25 2020-03-04 삼성디스플레이 주식회사 유기발광소자, 이를 포함하는 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102081605B1 (ko) * 2013-07-31 2020-02-27 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기전계발광소자
KR102090714B1 (ko) * 2013-08-23 2020-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102081122B1 (ko) * 2013-09-30 2020-02-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20150077269A (ko) 2013-12-27 2015-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR20150098181A (ko) * 2014-02-17 2015-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 일렉트로루미네센스 소자
KR102543271B1 (ko) 2014-02-28 2023-06-14 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자 및 전자 기기
KR102146367B1 (ko) * 2014-03-06 2020-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
KR20150115622A (ko) 2014-04-04 2015-10-14 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101537500B1 (ko) 2014-04-04 2015-07-20 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR101542714B1 (ko) 2014-04-04 2015-08-12 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN106463634B (zh) * 2014-06-03 2019-01-18 夏普株式会社 有机el元件和制造方法
KR102545858B1 (ko) 2014-07-11 2023-06-21 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 화합물, 유기 전기발광 소자용 재료, 유기 전기발광 소자, 및 전자 기기
JP6788335B2 (ja) 2014-08-11 2020-11-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用モノアミン材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102390993B1 (ko) * 2014-09-09 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 일렉트로루미네센스 소자
EP3002796A1 (en) * 2014-10-01 2016-04-06 Novaled GmbH Organic light-emitting diode including an electron transport layer comprising a three component blend of a matrix compound and two lithium compounds
KR102448359B1 (ko) 2014-10-06 2022-09-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
JP6552802B2 (ja) * 2014-10-21 2019-07-31 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102401598B1 (ko) 2014-11-07 2022-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR102285387B1 (ko) * 2014-11-14 2021-08-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR101796288B1 (ko) * 2014-12-02 2017-11-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR102498847B1 (ko) * 2014-12-03 2023-02-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US10230053B2 (en) * 2015-01-30 2019-03-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
KR102460641B1 (ko) * 2015-01-30 2022-10-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN106206961A (zh) * 2015-05-06 2016-12-07 上海和辉光电有限公司 一种oled器件
KR102624166B1 (ko) 2015-06-15 2024-01-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR102556088B1 (ko) 2015-06-23 2023-07-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
JP6661289B2 (ja) * 2015-07-08 2020-03-11 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102573815B1 (ko) 2016-05-09 2023-09-04 삼성디스플레이 주식회사 다환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102620085B1 (ko) * 2016-07-29 2024-01-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR102478677B1 (ko) * 2017-12-29 2022-12-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
CN109232382B (zh) * 2018-11-15 2021-12-28 长春海谱润斯科技股份有限公司 一种咔唑衍生物及其有机电致发光器件
US20200212336A1 (en) * 2018-12-27 2020-07-02 Lg Display Co., Ltd. Display device
KR20200099249A (ko) 2019-02-13 2020-08-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP2020184568A (ja) * 2019-05-07 2020-11-12 キヤノン株式会社 有機発光素子、それを有する表示装置、撮像装置、照明装置、移動体
US20210226086A1 (en) * 2020-01-21 2021-07-22 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting element and display device including the same
EP3855524A1 (en) 2020-01-21 2021-07-28 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting diode and display device including the same
CN111320565B (zh) * 2020-03-06 2021-06-11 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种有机材料、其制备方法及有机电致发光器件
CN111864096A (zh) * 2020-07-28 2020-10-30 京东方科技集团股份有限公司 蓝色有机发光二极管和显示装置
CN112500326A (zh) * 2020-11-10 2021-03-16 华南理工大学 高三线态能级、高玻璃化转变温度空穴传输/激子阻挡材料及制备与应用
JP2023150363A (ja) * 2022-03-31 2023-10-16 キヤノン株式会社 発光装置、表示装置、撮像装置、及び、電子機器

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100254592B1 (ko) * 1994-03-16 2000-05-01 구라우치 노리타카 트리아졸유도체 및 그것을 사용한 유기일렉트로루미너센스소자
US7560175B2 (en) * 1999-12-31 2009-07-14 Lg Chem, Ltd. Electroluminescent devices with low work function anode
JP4394331B2 (ja) * 2002-02-05 2010-01-06 シャープ株式会社 有機ｅｌ素子
JP3933591B2 (ja) * 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2004207000A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Denso Corp 有機ｅｌ素子
KR100769946B1 (ko) 2003-01-15 2007-10-25 주식회사 엘지화학 저 전압에서 구동되는 유기 발광 소자
US7037600B2 (en) * 2003-03-18 2006-05-02 City University Of Hong Kong Red-emitting organic electroluminescent elements
JP4624653B2 (ja) * 2003-05-20 2011-02-02 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
ATE454719T1 (de) * 2003-10-29 2010-01-15 Koninkl Philips Electronics Nv Lichtaussendendes gerät mit verbesserter quantenausbeute
KR100573137B1 (ko) * 2004-04-02 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 플루오렌계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
KR100720100B1 (ko) * 2005-08-23 2007-05-18 한양대학교 산학협력단 다중 이종 헤테로 구조의 정공속박층을 가지는유기발광소자 및 그 제조방법
US20070092759A1 (en) * 2005-10-26 2007-04-26 Begley William J Organic element for low voltage electroluminescent devices
JP2007123611A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4673279B2 (ja) * 2005-12-20 2011-04-20 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機発光表示素子及びその製造方法
JP4963248B2 (ja) * 2006-03-20 2012-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 芳香族アミン化合物
KR100858816B1 (ko) 2007-03-14 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 안트라센 유도체 화합물을 포함하는 유기막을 구비하는유기 발광 소자
JP2008251626A (ja) 2007-03-29 2008-10-16 Kyocera Corp 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法、並びに有機ｅｌディスプレイ
US7948165B2 (en) * 2007-05-09 2011-05-24 Global Oled Technology Llc High-performance tandem white OLED
US20080284317A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Liang-Sheng Liao Hybrid oled having improved efficiency
US20090091242A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Liang-Sheng Liao Hole-injecting layer in oleds
WO2009061145A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Lg Chem, Ltd. New compound and organic light emitting device using the same
KR100994114B1 (ko) 2008-03-11 2010-11-12 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 형성 방법
KR101042954B1 (ko) * 2008-07-30 2011-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 아민계 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이러한유기 발광 소자를 구비한 평판 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20110215308A1 (en) 2011-09-08
JP2011187959A (ja) 2011-09-22
CN102201432A (zh) 2011-09-28
EP2365555B1 (en) 2017-11-15
KR20110101418A (ko) 2011-09-16
CN102201432B (zh) 2015-11-25
JP6192699B2 (ja) 2017-09-06
JP2016048787A (ja) 2016-04-07
US9472767B2 (en) 2016-10-18
EP2365555A3 (en) 2012-06-06
EP2365555A2 (en) 2011-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101097339B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101213497B1 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101927941B1 (ko) 다층 구조의 정공수송층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
KR101097315B1 (ko) 유기 발광 소자
KR102055685B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101358784B1 (ko) 개선된 효율 특성을 갖는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR101097316B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101003267B1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조 방법
KR102081281B1 (ko) 유기 발광 소자
KR101927943B1 (ko) 다층 구조의 정공수송층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
KR102055684B1 (ko) 유기 발광 소자
US20140191206A1 (en) Organic Light-Emitting Device Having Improved Efficiency Characteristics and Organic Light-Emitting Display Apparatus Including the Same
KR101182446B1 (ko) 유기 발광 소자
US20090015150A1 (en) Organic light emitting device and method for manufacturing the same
EP2309566B1 (en) Organic light-emitting device
EP3996150A1 (en) Perovskite photoelectric element and method for manufacturing same
KR20090125616A (ko) 유기 발광 소자의 제조 방법 및 유기 발광 소자
KR20110112992A (ko) 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR101213500B1 (ko) 유기 발광 소자
CN116803233A (zh) 薄层电阻组件

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141128

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171129

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181126

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191202

Year of fee payment: 9