KR101213497B1 - 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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KR101213497B1 KR1020100100474A KR20100100474A KR101213497B1 KR 101213497 B1 KR101213497 B1 KR 101213497B1 KR 1020100100474 A KR1020100100474 A KR 1020100100474A KR 20100100474 A KR20100100474 A KR 20100100474A KR 101213497 B1 KR101213497 B1 KR 101213497B1
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Abstract

다층 구조의 전자 수송층을 구비한 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법이 제공된다.

Description

유기 발광 소자 및 이의 제조 방법{Organic light emitting diode and method for preparing the same}
다층 구조의 전자 수송층을 구비한 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법이 제공된다.
유기 발광 소자(organic light emitting diode)는 자발광형 소자로 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
일반적인 유기 발광 소자는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 여기에서 정공수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기화합물로 이루어진 유기 박막들이다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자의 구동 원리는 다음과 같다.
상기 애노드 및 캐소드간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.
이와 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자가 우수한 효율, 수명 등과 같은 성능을 가지기 위한 한 조건으로서, 정공 및 전자의 주입 및 흐름이 균형을 이루는 것이 필요하다.
이하, 유기 발광 소자의 수명을 개선할 수 있는 방안을 제시하고자 한다.
본 발명의 일 구현예는, 기판; 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송층을 포함하고,
상기 전자 수송층은,
제1물질을 포함한 제1단일층;
상기 제1단일층 상에 형성되고 상기 제1물질과 제2물질을 포함한 제1혼합층;
상기 제1혼합층 상에 형성되고 상기 제2물질을 포함한 제2단일층;
상기 제2단일층 상에 형성되고 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함한 제2혼합층; 및
상기 제2혼합층 상에 형성되고 상기 제1물질을 포함한 제3단일층;
을 포함한 유니트를 하나 이상 포함한 유기 발광 소자를 제공한다.
상기 제1물질은 안트라센계 물질일 수 있다.
상기 제2물질은 Li 착물일 수 있다.
상기 제1단일층, 제2단일층 및 제3단일층의 두께는 서로 독립적으로, 0.1nm 내지 10nm의 범위 내에서 선택될 수 있다.
상기 제1혼합층 및 제2혼합층의 두께는 서로 독립적으로, 1nm 내지 30nm의 범위 내에서 선택될 수 있다.
상기 제1혼합층 및 상기 제2혼합층 중 하나 이상의 층에 포함된 제2물질은 농도 구배를 형성하면서 존재할 수 있다.
상기 제2단일층은 2개의 제2물질-함유층을 포함하고, 상기 2개의 제2물질-함유층 간의 계면은 불분명하여 하나의 층으로 관찰될 수 있다.
상기 제1전극과 상기 전자 수송층 사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 정공 저지층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층이 더 구비될 수 있다.
상기 전자 수송층과 상기 제2전극 사이에 전자 주입층이 더 구비될 수 있다.
상기 전자 수송층은 상기 유니트를 2개 포함할 수 있다. 상기 전자 수송층이 상기 유니트를 2개 포함할 경우, 상기 전자 수송층은,
제1물질을 포함한 제1단일층;
상기 제1단일층 상에 형성되고 상기 제1물질과 제2물질을 포함한 제1혼합층;
상기 제1혼합층 상에 형성되고 상기 제2물질을 포함한 제2단일층;
상기 제2단일층 상에 형성되고 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함한 제2혼합층;
상기 제2혼합층 상에 형성되고 상기 제1물질을 포함한 제3단일층;
상기 제3단일층 상에 형성되고 상기 제1물질을 포함한 제4단일층;
상기 제4단일층 상에 형성되고 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함한 제3혼합층;
상기 제3혼합층 상에 형성되고 상기 제2물질을 포함한 제5단일층;
상기 제5단일층 상에 형성되고 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함한 제4혼합층;
상기 제4혼합층 상에 형성되고 상기 제1물질을 포함한 제6단일층;
을 포함할 수 있다.
상기 제1혼합층, 상기 제2혼합층, 상기 제3혼합층 및 상기 제4혼합층 중 하나 이상의 층에 포함된 제2물질은 농도 구배를 형성하면서 존재할 수 있다.
상기 제3단일층과 상기 제4단일층 사이의 계면이 불분명하여, 상기 제3단일층과 상기 제4단일층이 하나의 층으로 관찰될 수 있다.
상기 제2단일층 및 상기 제5단일층 각각이 2개의 제2물질-함유층을 포함하고, 상기 2개의 제2물질-함유층 간의 계면이 불분명하여 하나의 층으로 관찰될 수 있다.
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면,
기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;
상기 제1전극 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및
상기 전자 수송층 상에 제2전극을 형성하는 단계;
를 포함하고,
상기 전자 수송층 형성 단계가,
제1증착영역으로 제1물질을 방출하는 제1증착원 및 제2증착영역으로 제2물질을 방출하는 제2증착원을 준비하는 단계;
상기 제1증착영역과 상기 제2증착영역이 서로 중첩하는 제1중첩영역이 설정되도록 상기 제1증착원과 상기 제2증착원을 소정 간격을 사이에 두고 배치하는 단계; 및
상기 제1증착원과 상기 제2증착원을 전자 수송층 형성 영역의 제1말단에서 제2말단을 거쳐 다시 제1말단까지 왕복시키는 단계;
를 포함하되, 상기 제1증착원과 상기 제2증착원의 왕복 단계를 1회 이상 수행하는 유기 발광 소자의 제조 방법이 제공된다. 여기서, 상기 유기 발광 소자는 전술한 바와 같은 유기 발광 소자일 수 있다. 한편, 상기 전자 수송층 형성 영역이란, 전자 수송층이 형성될 임의의 지지체 등의 표면을 가리키는 것으로서, 예를 들면 발광층의 일면, 정공 저지층의 일면 등일 수 있으며, 상기 전자 수송층 형성 영역이란 당업자에게 용이하게 인식될 수 있는 것이다.
상기 제1증착원 및 상기 제2증착원의 왕복 단계는 1회 또는 2회 수행할 수 있으며, 필요에 따라, 3회 이상 수행할 수 있다.
상기 제1전극 형성 후 및 상기 전자 수송층 형성 전, 정공 주입층 형성 단계, 정공 수송층 형성 단계, 발광층 형성 단계 및 정공 저지층 형성 단계 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 정공 수송층 형성 후, 전자 주입층 형성 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 소자는 우수한 수명 특성을 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3a 내지 3g는 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자를 형성하는 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4 내지 7은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 시간-휘도비를 나타낸 그래프이다.
도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자(100)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
유기 발광 소자(100)는 기판(110), 제1전극(120), 정공 주입층(130), 정공 수송층(140), 발광층(150), 전자 수송층(160), 전자 주입층(180) 및 제2전극(190)이 순서대로 적층된 구조를 갖는다. 상기 전자 수송층(160)은 제1물질을 포함한 제1단일층(161), 상기 제1단일층(161) 상에 형성되고 상기 제1물질과 제2물질을 포함한 제1혼합층층(163), 상기 제1혼합층(163) 상에 형성되고 상기 제2물질을 포함한 제2단일층(165), 상기 제2단일층(165) 상에 형성되고 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함한 제2혼합층(167) 및 상기 제2혼합층(167) 상에 형성되고 상기 제1물질을 포함한 제3단일층(169)을 포함한다. 상기 제1단일층(161)은 발광층(150) 상에 구비되어 있다.
상기 기판(110)으로는, 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 기판(110) 상에는 제1전극(120)이 형성되어 있다. 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(120)은 애노드일 수 있으며, 상기 제1전극(120)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록 제1전극용 물질은 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1전극(120)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 이용한 반투과형 전극으로 형성할 수도 있다.
상기 제1전극(120) 상에는 정공 주입층(HIL)(130)이 구비되어 있다. 정공 주입층(130)은 상기 제1전극(120) 상에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
진공 증착법에 의하여 정공 주입층(130)을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 주입층(130)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공 주입층(130)의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 증착온도 100 내지 500℃, 진공도 10-8 내지 10-3torr, 증착 속도 0.01 내지 100Å/sec의 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층(130)을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공 주입층(130)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층(130)의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.
정공 주입층(130) 물질로는 공지된 정공 주입 재료를 사용할 수 있는데, 예를 들면, 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA [4,4',4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], TDATA, 2T-NATA, Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트))등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
Figure 112010066506413-pat00001
Figure 112010066506413-pat00002
Figure 112010066506413-pat00003
상기 정공 주입층(130)의 두께는 약 100Å 내지 10000Å, 바람직하게는 100Å 내지 1000Å일 수 있다. 상기 정공 주입층(130)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승없이 만족스러운 정도의 정공 주입 특성을 얻을 수 있다.
다음으로 상기 정공 주입층(130) 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공 수송층(HTL)(140)을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의하여 정공 수송층(140)을 형성하는 경우, 그 증착 조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층(130)의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
정공 수송층 물질은 공지된 정공 수송 재료를 이용하여 형성할 수 있는데, 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 갖는 아민 유도체, TCTA(4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)) 등과 같은 트리페닐아민계 물질과 같은 공지된 정공수송 물질을 사용할 수 있다. 이 중, 예를 들면, TCTA의 경우, 정공 수송 역할 외에도, 발광층으로부터 엑시톤이 확산되는 것을 방지하는 역할도 수행할 수 있다.
Figure 112010066506413-pat00004
Figure 112010066506413-pat00005
상기 정공 수송층(140)의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 800Å일 수 있다. 상기 정공 수송층(140)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 정공 수송층(140) 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)(150)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 발광층(150)은 하나의 화합물을 포함하거나, 호스트와 도펀트의 조합을 포함할 수 있다. 호스트의 예로는 Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(ADN), TCTA, TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), TBADN(3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), E3, DSA(디스티릴아릴렌), AND, 비스(2-(2-히드록시페닐)벤조티아졸레이트)징크(Bis(2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolate)zinc : Zn(BTZ)2), 하기 화합물 1, 하기 화합물 2을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112010066506413-pat00006
Figure 112010066506413-pat00007
Figure 112010066506413-pat00008
Figure 112010066506413-pat00009
ADN
<화합물 1> <화합물 2>
Figure 112010066506413-pat00010
Figure 112010066506413-pat00011
한편, 적색 도펀트로서 PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112010066506413-pat00012
또한, 녹색 도펀트로서, Ir(ppy)3 (ppy = 페닐피리딘), Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3, 또는 하기 화합물 3을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112010066506413-pat00013
<화합물 3>
Figure 112010066506413-pat00014
한편, 청색 도펀트로서, F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-플루오렌(fluorene), 4,4'-비스(4-디페닐아미노스타릴) 비페닐 (DPAVBi), 2,5,8,11-테트라-티-부틸 페릴렌 (TBPe), 하기 화합물 4 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112010066506413-pat00015
Figure 112010066506413-pat00016
Figure 112010066506413-pat00017
DPAVBi TBPe
<화합물 4>
Figure 112010066506413-pat00018
도펀트와 호스트를 함께 사용하는 경우, 도펀트의 도핑 농도는 특별히 제한 되지 않으나 통상적으로 호스트 100 중량부를 기준으로 하여 상기 도펀트의 함량은 0.01 ~ 15 중량부이다.
상기 발광층(150)의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 바람직하게는 200Å 내지 600Å일 수 있다. 상기 발광층(150)의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 저하없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
발광층(150)에 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자 수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 상기 발광층(150) 상에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 정공 저지층(HBL)(도 1에는 미도시함)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 정공 저지층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 공지의 정공 저지 재료도 사용할 수 있는데, 이의 예로는, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등을 들 수 있다.
상기 정공 저지층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 저하없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다.
상기 발광층(150) 상에(정공 저지층을 형성하였다면 정공 저지층 상에)는 전자 수송층(160)이 구비되어 있다.
상기 전자 수송층(160)은 제1물질을 포함한 제1단일층(161), 상기 제1단일층(161) 상에 형성되고 상기 제1물질과 제2물질을 포함한 제1혼합층(163), 상기 제1혼합층(163) 상에 형성되고 상기 제2물질을 포함한 제2단일층(165), 상기 제2단일층(165) 상에 형성되고 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함한 제2혼합층(167) 및 상기 제2혼합층(167) 상에 형성되고 상기 제1물질을 포함한 제3단일층(169)을 포함한다. 상기 제1단일층(161), 제1혼합층(163), 제2단일층(165), 제2단일층(167) 및 제3단일층(169)은 하나의 유니트를 이룬다.
상기 전자 수송층(160)은 제1단일층(161), 제1혼합층(163), 제2단일층(165), 제2혼합층(167) 및 제3단일층(169)이 차례로 적층된 구조를 갖는 바, 전자의 주입과 수송을 적절히 조절하는 효과 및 정공 저지 효과를 동시에 가질 수 있다. 유기 발광 소자는 구동 후 시간의 경과에 따라 전자 또는 정공의 양이 변화함으로써 발광 영역에서 생성되는 엑시톤의 수가 점점 감소할 수 있다. 그 결과 캐리어 균형(carrier balance)이 무너질 수 있으며, 이는 유기 발광 소자의 수명 저하의 한 원인이 될 수 있다. 그러나, 상술한 바와 같은 구조를 갖는 전자 수송층은 유사 또는 동일한 에너지 레벨을 갖는 여러 층(제1단일층(161), 제1혼합층(163), 제2단일층(165), 제2혼합층(167) 및 제3단일층(169))이 적층되어 있어 전자의 이동 속도를 조절하면서 캐리어의 흐름을 일정하게 유지시켜 줄 수 있다. 이로써, 유기 발광 소자의 수명이 향상될 수 있다.
상기 제1물질은 전자를 수송하는 역할을 할 수 있다. 이를 고려하여, 상기 제1물질은 안트라센계 물질일 수 있다.
예를 들어, 상기 제1물질은 하기 화합물 5, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다:
<화합물 5: ADN>
Figure 112010066506413-pat00019
<화학식 1>
Figure 112010066506413-pat00020
<화학식 2>
Figure 112010066506413-pat00021
상기 화학식 1 및 2 중,
R1 내지 R6는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30아실기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴기이고, 이 중 인접한 2 이상은 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있고;
L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴렌기이고;
Q1 내지 Q9는 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴기이고;
a는 1 내지 10의 정수이다.
예를 들어, 상기 R1 내지 R6는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 시아노기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 피리디닐기 및 피라지닐기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
구체적으로, 상기 화학식 1 중, R1 내지 R4는 수소이고, 상기 화학식 1 중 R5는 할로겐 원자, 히드록시기, 시아노기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 피리디닐기 및 피라지닐기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 또한, 상기 화학식 2 중, R1 내지 R6는 수소일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 Q1 내지 Q9는 서로 독립적으로서, 수소, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 피리디닐기 및 피라지닐기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
구체적으로, 상기 화학식 1 및 2 중, Q1, Q3-Q6, Q8 및 Q9는 수소이고, Q2 및 Q7은 서로 독립적으로, 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 피리디닐기 및 피라지닐기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 L1은 페닐렌기, 나프틸렌기, 안트릴렌기, 피리디닐렌기 및 피라지닐렌기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 L1은 페닐렌기 또는 피리디닐렌기일 수 있다.
예를 들어, 상기 a는 1, 2, 또는 3일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1물질은 상기 화합물 5, 하기 화합물 6 또는 하기 화합물 7일 수 있다:
<화합물 6> <화합물 7>
Figure 112010066506413-pat00022
Figure 112010066506413-pat00023
상기 제2물질은 전자를 주입하고 정공을 저지하는 역할을 할 수 있다. 이를 고려하여, 상기 제2물질은 Li 착물일 수 있다.
예를 들어, 상기 제2물질은 리튬 퀴놀레이트(Lithium Quinolate(LiQ)), 하기 화합물 8일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
<화합물 8: LiBTZ>
Figure 112010066506413-pat00024
상기 제1단일층(161), 제2단일층(165) 및 제3단일층(169)의 두께는 서로 독립적으로, 0.1nm 내지 10nm, 예를 들면, 0.5nm 내지 10nm, 예를 들면 0.5nm 내지 6nm일 수 있다. 상기 제1층(161), 제3층(165) 및 제5층(169)이 상기 두께 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 전자를 효과적으로 주입 및 수송할 수 있다. 상기 제1층(161), 제3층(165) 및 제5층(169)의 두께는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 제1혼합층(163) 및 제2혼합층(167)의 두께는 서로 독립적으로, 1nm 내지 30nm, 예를 들면, 6nm 내지 16nm, 예를 들면 6nm 내지 10nm일 수 있다. 상기 제1혼합층(163) 및 제2혼합층(167)이 상기 두께 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 전자를 효과적으로 주입 및 수송할 수 있다. 상기 제1혼합층(163) 및 제2혼합층(167)의 두께는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 제1혼합층(163) 중 제2물질의 함량은 제1혼합층(163) 100중량부 당 30중량부 내지 70중량부, 예를 들면 45중량부 내지 55중량부일 수 있다. 또한, 제2혼합층(167) 중 제2물질의 함량은 제2혼합층(167) 100중량부 당 30중량부 내지 70중량부, 예를 들면 45중량부 내지 55중량부일 수 있다. 제1혼합층(163) 및 제2혼합층(167) 중 제2물질의 함량이 상술한 바를 만족하면 우수한 효율을 얻을 수 있다.
또는, 상기 제1혼합층(163) 및/또는 제2혼합층(167) 중 제1물질과 제2물질의 중량비는, 서로 독립적으로, 100:1 내지 100:100 범위 내에 들 수 있다. 제1물질과 제2물질의 중량비가 상술한 바와 같은 범위를 만족하며, 우수한 효율 및 수명 특성을 얻을 수 있다.
상기 제1혼합층(163) 중 제1물질과 제2물질은 균일하게 혼합된 상태로 존재할 수 있다. 균일하게 혼합된 상기 제1물질과 상기 제2물질 간의 중량비는 상술한 바와 같은 범위 내에서 선택될 수 있다.
또는, 상기 제1혼합층(163) 및 상기 제2혼합층(167) 중 하나 이상의 층에 포함된 제2물질은 농도 구배를 형성하며 존재할 수 있다. 즉, 상기 제1혼합층(163), 상기 제2혼합층(167) 또는 상기 제1혼합층(163) 및 상기 제2혼합층(167)에 포함된 제1물질과 제2물질의 농도는 연속적으로 변할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1혼합층(163) 중 제2물질의 농도는, 상기 제1단일층(161)에서 상기 제2단일층(165)을 향하는 방향에 따라 연속적으로 증가 또는 감소할 수 있다. 이로써, 구동 전압이 저하되고 수명이 향상된 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 제1단일층(161)과 상기 제1혼합층(163) 사이의 계면에서의 제1물질과 제2물질 간의 중량비는 100:1이고, 상기 제1혼합층(163)과 상기 제2단일층(165) 사이의 계면에서의 제1물질과 상기 제2물질 간의 중량비는 100:100일 수 있으며, 상기 제1혼합층(163) 중 제2물질의 농도는 상기 제1단일층(161)에서 상기 제2단일층(165)을 향하는 방향에 따라 점진적으로 증가할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2혼합층(167)에 포함된 제1물질과 제2물질 역시, 상기 제1혼합층(163)에 대한 설명과 마찬가지로, 균일하게 혼합된 상태로 존재하거나, 제2물질이 농도 구배를 형성하면서 존재할 수 있다.
예를 들어, 상기 제2혼합층(167) 중 제2물질의 농도는, 상기 제2단일층(165)에서 상기 제3단일층(169)을 향하는 방향에 따라 연속적으로 증가 또는 감소할 수 있다. 이로써, 구동 전압이 저하되고 수명이 향상된 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.
다른 일 구현예에 따르면, 상기 제2단일층(165)과 상기 제2혼합층(167) 사이의 계면에서의 제1물질과 제2물질 간의 중량비는 100:100이고, 상기 제2혼합층(167)과 상기 제3단일층(169) 사이의 계면에서의 제1물질과 상기 제2물질 간의 중량비는 100:1일 수 있으며, 상기 제2혼합층(167) 중 제2물질의 농도는 상기 제2단일층(165)에서 상기 제3단일층(169)을 향하는 방향에 따라 점진적으로 감소할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 수송층(160)은 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자수송층을 형성하는 경우, 그 증착 조건 및 코팅 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 전자 수송층(160)을 증착법을 이용하여 형성할 경우, 전자 수송층(160)은, 제1증착영역으로 제1물질을 방출하는 제1증착원 및 제2증착영역으로 제2물질을 방출하는 제2증착원을 준비하는 단계, 상기 제1증착영역과 상기 제2증착영역이 서로 중첩하는 제1중첩영역이 설정되도록 상기 제1증착원과 상기 제2증착원을 소정 간격을 사이에 두고 배치하는 단계; 및 상기 제1증착원과 상기 제2증착원을 발광층(150)(정공 저지층을 형성하였다면 정공 저지층 상부)의 제1말단에서 제2말단을 거쳐 다시 제1말단까지 왕복시키는 단계를 수행함으로써 형성될 수 있다.
도 3a 내지 도 3g는 전자 수송층(160)을 발광층(150) 상부에 형성하는 방법의 일 구현예를 차례로 도시한 것이다. 도 3a 내지 3g 중 발광층(150) 중 전자 수송층(160)이 형성되지 않는 일면에는 기판(110), 제1전극(120), 정공 주입층(130) 및 정공 수송층(140)이 형성되어 있으나, 도 3a 내지 3g에서는 편의상 미도시하였다.
도 3a 중 발광층(150)의 일면(즉, 정공 주입층(130) 및 정공 수송층(140)이 형성되어 있지 않은 일면) 하부에는 제1증착원(300) 및 제2증착원(400)이 배치될 수 있다. 상기 제1증착원(300)은 상기 제1물질을 방출하는 증착원이고, 제2증착원(400)은 상기 제2물질을 방출하는 증착원일 수 있다. 상기 제1증착원(300)에 의하여 제1물질이 방출되는 영역(C1) 및 제2증착원(400)에 의하여 제2물질이 방출되는 영역(C2)은 도 3a에서 볼 수 있듯이 소정 각도를 갖는 부채꼴 형상을 가질 수 있다.
한편, 상기 제1증착원(300)과 상기 제2증착원(400)은 상기 제1물질이 방출되는 영역(C1)과 상기 제2물질이 방출되는 영역(C2)이 서로 중첩되는 영역이 형성되도록 소정 간격으로 배치한다. 이로써, 후술하는 도 3b에서와 같이 상기 제1물질과 제2물질이 동시에 적층되어 제1물질과 제2물질을 모두 포함한 혼합층이 형성될 수 있다.
상기 제1증착원(300) 및 상기 제2증착원(400)은 베이스(350)에 배설될 수 있으며, 베이스(350)는 챔버 내에 배설되어 있는 가이드 레일(340) 상에 놓여 이 가이드 레일(340)을 따라 왕복운동하도록 구비될 수 있다. 따라서, 베이스(350)는 별도의 구동부(미도시)와 연결되어 구동될 수 있다.
상술한 바와 같이 소정 간격으로 이격된 제1증착원(300)과 제2증착원(400)이 배설된 베이스(350)는 도 3a에 도시된 바와 같이, 제1증착원(300)과 제2증착원(400) 온 상태에서 발광층(150) 하부의 제1말단(A)에서 B 방향으로 이동할 수 있다. 이 때, 제1물질만이 먼저 발광층(150)에 증착되어 제1물질을 포함한 제1단일층(161)(D1 참조)이 형성되기 시작한다. 제1단일층(161)은 베이스(350)가 B 방향으로 이동함에 따라 발광층(150)의 다른 일면으로 계속 연장되어 증착된다.
이 후, 도 3b에서와 같이 제1증착원(300)과 제2증착원(400)이 배설된 베이스(350)이 B 방향으로 계속 이동하면, 제1물질과 제2물질이 동시에 증착되는 영역(D2 참조)이 형성되어, 제1물질을 포함한 제1단일층(161) 하부에 제1물질과 제2물질을 포함한 제1혼합층(163)이 형성되기 시작한다. 제1혼합층(163)은 베이스(350)가 B 방향으로 이동함에 따라 발광층(150)의 다른 일면으로 계속 연장되어 증착된다.
그 다음으로, 도 3c에서와 같이 제1증착원(300)과 제2증착원(400)이 배설된 베이스(350)이 B 방향으로 또 다시 계속 이동하면, 제2물질-함유층(165')이 상기 제1혼합층(163) 하부에 형성되기 시작한다 (D3 참조).
계속해서 제1증착원(300)과 제2증착원(400)이 배설된 베이스(350)가 B 방향으로 계속 이동하여 발광층(150) 하부의 제2말단(E)에 도착하면, 도 3d에서와 같이 발광층(150) 하부에 제1물질을 포함한 제1단일층(161), 제1물질 및 제2물질을 포함한 제1혼합층(163) 및 제2물질-함유층(165')이 형성될 수 있다. 상기 제1혼합층(163)에 포함된 제2물질은 농도 구배를 형성하며 존재할 수 있다. 한편, 상기 제1혼합층(163)에 포함된 제1물질과 제2물질은 균일한 상태로 혼합되어 존재할 수도 있다. 예를 들어, 상기 베이스(350) 중 제1증착원(300)과 상기 제2증착원(400)이 각각 상기 제1증착원(300)과 상기 제2증착원(400) 사이의 공간을 향하여 기울어져 있는 경우, 제1물질과 제2물질이 균일한 상태로 혼합된 제1혼합층(163)을 수득할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 발광층(150) 하부의 제2말단(D)에 도착한 베이스(350)는 도 3e에서와 같이 진행 방향을 바꾸어 B 방향과 반대인 F 방향으로 이동하기 시작한다. 여기서 도 3e에 도시된 바와 같이 제2물질-함유층(165")이 제일 먼저 형성되기 시작한다.
계속하여, 베이스(350)가 F 방향으로 이동하면서, 도 3f에 도시된 바와 같이, 제2단일층(165) 하부에는 제1물질 및 제2물질을 포함한 제2혼합층(167) 및 제2물질을 포함한 제3단일층(169)이 차례로 형성될 수 있다. 이 때, 제2물질-함유층(165')과 제2물질-함유층(165")은 층 구성 성분이 동일하기 때문에, 이들 간의 계면은 실질적으로 불분명할 수 있어, 이들 층은 하나의 층으로 관찰될 수 있다. 이를 고려하여, 도 3f에서 제2물질-함유층(165')과 제2물질-함유층(165") 사이의 계면은 실선 대신 점선으로 표시되어 있다. 따라서, 예를 들면, 제2물질-함유층(165')과 제2물질-함유층(165")은 하나의 층, 즉, 제2물질을 포함한 제2단일층(165)으로 관찰될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2혼합층(167)에 포함된 제2물질은 농도 구배를 형성하며 존재할 수 있다. 한편, 상기 제2혼합층(167)에 포함된 제1물질과 제2물질은 균일한 상태로 혼합되어 존재할 수도 있다. 예를 들어, 상기 베이스(350) 중 제1증착원(300)과 상기 제2증착원(400)이 각각 상기 제1증착원(300)과 상기 제2증착원(400) 사이의 공간을 향하여 기울어져 있는 경우, 제1물질과 제2물질이 균일한 상태로 혼합된 제2혼합층(167)을 수득할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이 후, 제1증착원(300)과 제2증착원(400)을 포함한 베이스(350)가 발광층(150) 하부의 제1말단(A)에 도착함으로써, 도 3g에서와 같이 발광층(150) 하부에는 제1물질을 포함한 제1단일층(161), 제1물질 및 제2물질을 포함한 제1혼합층(163), 제2물질을 포함한 제2단일층(165), 제1물질 및 제2물질을 포함한 제2혼합층(167) 및 제1물질을 포함한 제3단일층(169)가 차례로 형성될 수 있다. 여기서, 제3단일층(165)는 2 개의 제2물질-함유층을 포함하나, 이들 간의 계면(S')은 불분명하므로, 도 3g에서와 같이 실선으로 표시되어 있다.
상술한 바와 같은 전자 수송층(160) 형성 방법에 따르면, 제1증착원(300) 및 제2증착원(400)이 배설된 베이스(350)가 발광층(150) 하부의 제1말단(A)을 출발하여 제2말단(D)을 거쳐 다시 제1말단(A)으로 돌아오는 왕복 1회에 의하여 전자 수송층(160)을 형성할 수 있다. 즉, 도 3a 내지 3g에 도시된 다층 형성 방법은 본 발명의 일 구현예에 따른 전자 수송층의 하나의 유니트를 형성하는 방법의 일예일 수 있다. 따라서, 적층 공정이 더욱 간단하고 빨라지며, 단일 챔버 내에서 여러 막을 동시에 증착한다 하더라도 공정이 거의 동시에 이뤄지기 때문에 각 층의 성막 사이에 챔버 내를 배기할 필요가 없다.
전자 수송층(160) 상에는 캐소드로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자 주입층(EIL)(180)이 적층될 수 있다. 상기 전자 주입층 형성 재료로는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등과 같은 전자주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.
상기 전자 주입층(180)의 두께는 약 1Å 내지 100Å, 바람직하게는 5Å 내지 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 저하없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 주입층(180) 상에는 제2전극(190)이 구비되어 있다. 상기 제2전극(190)은 전자 주입 전극인 캐소드(Cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 이용하여 반사형 전극을 얻을 수 있다. 또한, ITO, IZO 등과 같은 투명한 도전성 물질을 이용하여 투과형 전극 또는 반투과형 전극으로 형성할 수도 있다.
상기 유기 발광 소자(100)의 전자 수송층(160)은 다층 구조를 갖되, 전자 수송층을 이루는 각 층들 간의 에너지 레벨이 유사하여, 전자의 주입과 수송을 적절히 조절하는 효과 및 정공 저지 효과를 동시에 가질 수 있는 바, 장수명을 가질 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자(200)의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
상기 유기 발광 소자(200)은 기판(210), 제1전극(220), 정공 주입층(230), 정공 수송층(240), 발광층(250), 전자 수송층(260), 전자 주입층(280) 및 제2전극(290)을 포함한다. 상기 전자 수송층(260)은 제1유니트(260a) 및 제2유니트(260b)를 갖는다.
상기 제1유니트(260a)는, 제1물질을 포함한 제1단일층(261a), 상기 제1단일층(261a) 상에 형성되고 상기 제1물질과 제2물질을 포함한 제1혼합층(263a), 상기 제1혼합층(263a) 상에 형성되고 상기 제2물질을 포함한 제2단일층(265a), 상기 제2단일층(265a) 상에 형성되고 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함한 제2혼합층(267a) 및 상기 제2혼합층(267a) 상에 형성되고 상기 제1물질을 포함한 제3단일층(269a)을 포함한다.
상기 제2유니트(260b)는, 제1물질을 포함한 제4단일층(261b), 상기 제4단일층(261b) 상에 형성되고 상기 제1물질과 제2물질을 포함한 제3혼합층(263b), 상기 제3혼합층(263b) 상에 형성되고 상기 제2물질을 포함한 제5단일층(265b), 상기 제5단일층(265a) 상에 형성되고 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함한 제4혼합층(267b) 및 상기 제4혼합층(267b) 상에 형성되고 상기 제1물질을 포함한 제6단일층(269b)을 포함한다.
상기 전자 수송층(260)은 전술한 바와 같은 구조를 갖는 바, 전자 수송층(260)을 이루는 각 층들 간의 에너지 레벨이 유사하여, 전자의 주입과 수송을 적절히 조절하는 효과 및 정공 저지 효과를 동시에 가질 수 있는 바, 장수명을 가질 수 있다.
상기 전자 수송층(260)의 제1유니트(260a) 및 제2유니트(260b)에 포함된 각 층에 대한 상세한 설명은 상기 도 1에 대한 설명을 참조한다. 예를 들어, 상기 제1혼합층(263a), 상기 제2혼합층(267a), 상기 제3혼합층(263b) 및 상기 제4혼합층(267b) 중 하나 이상의 층에 포함된 제1물질 및 제2물질은 균일하게 혼합되어 있거나, 상기 제1혼합층(263a), 상기 제2혼합층(267a), 상기 제3혼합층(263b) 및 상기 제4혼합층(267b) 중 하나 이상의 층에 포함된 제2물질은 농도 구배를 형성하며 존재할 수 있는 등 다양한 변형예가 가능하다.
상기 전자 수송층(260)은 2개의 유니트를 포함하므로, 예를 들면, 도 3a 내지 3g에 도시되어 있는 다층 형성 방법을 2회 반복함으로써 형성할 수 있다. 즉, 제1증착원(300) 및 제2증착원(400)을 가이드 레일(340)을 따라 2회 왕복시킴으로써 전자 수송층(260)을 형성할 수 있다.
도 3a 내지 3g에 도시되어 있는 다층 형성 방법을 2회 반복함으로써 전자 수송층(260)을 형성할 경우, 상기 제3단일층(269a) 및 상기 제4단일층(261b) 사이의 계면은 불분명하여, 제3단일층(269a) 및 제4단일층(261b)는 실질적으로 하나의 층으로 관찰될 수 있다. 따라서, 도 2 중, 제3단일층(269a) 및 상기 제4단일층(261b) 사이의 계면은 점선으로 표시되어 있다. 이는, 베이스(350)의 이동 방향이 바꾸어 제2물질-함유층(165') 형성 직후 제2물질-함유층(165")이 그 하부에 형성됨에 따라, 제2물질-함유층(165')과 제2물질-함유층(165") 사이의 계면이 불분명하여 이들이 하나의 제3단일층(165)로 관찰되는 것과 동일한 원리이다. 상기 제3단일층(269a) 및 상기 제4단일층(261b)가 실질적으로 하나의 층으로 관찰될 수 있음은 도 3e, 도 3f 및 도 3g를 참조하여 용이하게 인식될 수 있다.
한편, 도 3a 내지 3g에 되시되어 있는 다층 형성 방법을 2회 반복함으로써 전자 수송층(260)을 형성할 경우, 상기 제2단일층(265a) 및 상기 제5단일층(265b) 각각은 2개의 제2물질-함유층을 포함할 수 있다. 상기 2개의 제2물질-함유층 간의 계면은 불분명하여 상기 제2단일층(265a) 및 상기 제5단일층(265b)는 실질적으로는 하나의 층으로 관찰될 수 있다.
유기 발광 소자(200)의 기판(210), 제1전극(220), 정공 주입층(230), 정공 수송층(240), 발광층(250), 전자 주입층(280) 등에 대한 상세한 설명은 상기 도 1에 대한 설명을 참조한다.
본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조 및 제조 방법은 도 1, 2, 도 3a 내지 3g를 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 다양한 변형예가 가능하다. 예를 들면, 본 발명의 다른 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 전자 수송층은 3개 이상의 유니트를 포함할 수 있는 등, 다양한 변형예가 가능하다.
본 명세서 있어서, "A층이 B층(또는 B면) 상에 형성된다" 또는 "A층이 B층(또는 B면) 상에 구비된다"란 표현은, A층이 B층(또는 B면)의 일부 이상을 덮도록 형성되어 있는 구조를 설명하기 위한 표현으로서, 이는 A층과 B층 사이에 다른 층이 추가로 형성되어 있는 구조 및 A층이 B층과 접촉하는 구조 모두를 가리키는 표현이며, 이는 당업자에게 용이하게 이해될 수 있다.
한편, 도 1 및 2에는 도시하지 않았으나, 제2전극 상부로는 유기 발광 소자의 밀봉을 위한 공지된 구조의 밀봉층이 추가로 구비될 수 있는 등, 다양한 변형예가 가능하다.
이하에서, 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1
코닝사(Corning)의 15Ω/㎠ (1200Å) ITO(제1전극)가 구비된 유리 기판을 50mm×50mm×0.7mm 크기로 잘라 이소프로필 알콜과 순수에서 각각 5분간 초음파 세정한 후 30분간 UV 오존 세정하여 사용하였다. 상기 ITO 전극 상에 m-MTDATA를 진공 증착하여 750Å두께의 정공 주입층을 형성한 다음, 상기 정공 주입층 상부에 α-NPD를 진공 증착하여 150Å 두께의 정공 수송층을 형성하였다. 상기 정공 수송층 상부에 호스트로서 Zn(BTZ)2을 92중량%, 도펀트로서 Ir(piq)3를 8중량% 사용하여 300Å 두께의 적색 발광층을 형성하였다.
이 후, 도 3a 내지 3g로 설명된 방법을 제1물질로서 화합물 7 및 제2물질로서 LiQ를 이용하여 수행(즉, 증착원 왕복 2회)하여,
- 화합물 7의 제1단일층 5Å;
- 화합물 7+LiQ의 제1혼합층 82Å;
- LiQ의 제2단일층 10Å(도 3d 및 도 3e에서의 참조번호 165' 및 165"와 같이 5Å의 LiQ층이 순차적으로 2회 형성되나, 도 3g에서와 같이 계면 S'은 실질적으로 구분되지 않을 수 있으므로, 10Å LiQ층으로 관찰됨);
- 화합물 7+LiQ의 제2혼합층 82Å,;
- 화합물 7의 제3단일층 5Å 및 화합물 7의 제4단일층 5Å(상기 제3단일층 및 상기 제4단일층 간의 계면은 실질적으로 불분명하여, 10Å 두께의 층(화합물 7로 이루어짐)이 관찰될 수 있음);
- 화합물 7+LiQ의 제3혼합층 82Å;
- LiQ의 제5단일층 10Å(도 3d 및 도 3e에서의 참조번호 165' 및 165"와 같이 5Å의 LiQ층이 순차적으로 2회 형성되나, 도 3g에서와 같이 계면 S'는 실질적으로 구분되지 않을 수 있으므로, 10Å LiQ층으로 관찰됨);
- 화합물 7+LiQ의 제4혼합층 82Å; 및
- 화합물 7의 제6단일층 5Å;
로 이루어진 전자 수송층을 형성하였다. 상기 제1혼합층, 상기 제2혼합층, 상기 제3혼합층 및 상기 제4혼합층에 포함된 LiQ는 농도 구배를 형성하며 존재할 수 있다. 예를 들어, 제1혼합층에 포함된 LiQ의 농도는 제1단일층에서 제3단일층을 향하는 방향으로 연속적으로 증가할 수 있고, 상기 제2혼합층에 포함된 LiQ의 농도는 제2단일층에서 제3단일층을 향하는 방향으로 감소할 수 있고, 제3혼합층에 포함된 LiQ의 농도는 제4단일층에서 제5단일층을 향하는 방향으로 증가할 수 있고, 제4혼합층에 포함된 LiQ의 농도는 제5단일층에서 제6단일층을 향하는 방향으로 감소할 수 있다. 상기 전자 수송층 상부에 LiF를 진공 증착하여 80Å 두께의 전자 주입층을 형성한 다음, Al을 진공 증착하여 1000Å 두께의 제2전극을 형성하였다.
비교예 A
상기 적색 발광층 상부에 화합물 7과 LiQ를 1:1로 공증착하여 37nm 두께의 의 전자 수송층을 형성하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 2
호스트로서 화합물 1을 97중량%, 도펀트로서 화합물 3을 3중량% 사용하여 녹색 발광층을 형성하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 B
상기 녹색 발광층 상부에 화합물 7과 LiQ를 1:1로 공증착하여 37nm 두께의 전자 수송층을 형성하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 2과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 3
호스트로서 화합물 2을 95중량%, 도펀트로서 화합물 4을 5중량% 사용하여 청색 발광층을 형성하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 C
상기 청색 발광층 상부에 화합물 7과 LiQ를 1:1로 공증착하여 37nm 두께의 전자 수송층을 형성하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 3과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 4
실시예 1에 기재된 방법에 따라, 유리 기판 상의 ITO 전극 상에, 정공 주입층 및 정공 수송층을 형성하였다.
상기 정공 수송층 상부에 호스트로서 Zn(BTZ)2을 92중량%, 도펀트로서 Ir(piq)3를 8중량%를 포함한 300Å 두께의 적색 발광층, 호스트로서 화합물 1을 97중량%, 도펀트로서 화합물 3을 3중량%을 포함한 300Å 두께의 녹색 발광층 및 호스트로서 화합물 2을 95중량%, 도펀트로서 화합물 4을 5중량%을 포함한 300Å 두께의 청색 발광층을 패터닝하여 형성하였다.
상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 상부에 상기 실시예 1에 기재된 방법에 따라 전자 수송층, 전자 주입층 및 제2전극을 공통층으로서 차례로 형성하여 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 D
상기 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 상부에 화합물 7과 LiQ를 1:1로 공증착하여 37nm 두께의 전자 수송층을 형성하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 4와 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제조하였다.
평가예 1
상기 실시예 1, 2 및 3의 유기 발광 소자 및 비교예 A, B 및 C의 유기 발광 소자의 휘도를 시간에 따라 측정하여 도 4, 5 및 6에 나타내었다. 도 4, 5 및 6의 y축은 0시간일 때의 휘도를 100%로 한 휘도비(%)이다. 휘도는 PR650 (Spectroscan) Source Measurement Unit.(PhotoResearch사 제품임)를 이용하여 평가하였다. 도 4, 5 및 6으로부터 실시예 1, 2 및 3의 유기 발광 소자는 우수한 수명 특성을 가짐을 확인하였다.
평가예 2
상기 실시예 4의 유기 발광 소자(백색광 방출) 및 비교예 D의 유기 발광 소자(백색광 방출)의 효율 및 구동 전압을 PR650 (Spectroscan) Source Measurement Unit.(PhotoResearch사 제품임)를 이용하여 평가하였다. 그 결과, 실시예 4의 유기 발광 소자의 효율은 23cd/A였고, 비교예 4의 유기 발광 소자의 효율은 20cd/A였으며, 실시예 4의 유기 발광 소자의 구동 전압은 비교예 D의 유기 발광 소자의 구동 전압보다 1V 낮았다. 한편, 실시예 4 및 비교예 D의 유기 발광 소자의 휘도를 시간에 따라 측정하여 도 7에 나타내었다. 도 7의 y축은 0시간일 때의 휘도를 100%로 한 휘도비(%)이다. 휘도 역시, PR650 (Spectroscan) Source Measurement Unit.(PhotoResearch사 제품임)를 이용하여 평가하였다. 도 7로부터 실시예 4의 유기 발광 소자는 비교예 D의 유기 발광 소자에 비하여 우수한 수명 특성을 가짐을 확인하였다.
100: 유기 발광 소자
110: 기판
120: 제1전극
130: 정공 주입층
140: 정공 수송층
150: 발광층
160: 전자 수송층
161: 제1단일층
163: 제1혼합층
165: 제2단일층
167: 제2혼합층
169: 제3단일층
180: 전자 주입층
190: 제2전극

Claims (20)

  1. 기판; 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송층을 포함하고,
    상기 전자 수송층은,
    제1물질을 포함한 제1단일층;
    상기 제1단일층 상에 형성되고 상기 제1물질과 제2물질을 포함한 제1혼합층;
    상기 제1혼합층 상에 형성되고 상기 제2물질을 포함한 제2단일층;
    상기 제2단일층 상에 형성되고 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함한 제2혼합층; 및
    상기 제2혼합층 상에 형성되고 상기 제1물질을 포함한 제3단일층;
    을 포함한 유니트를 하나 이상 포함한 유기 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1물질이 안트라센계 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1물질이 하기 화합물 5, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자:
    <화합물 5>
    Figure 112010066506413-pat00025

    <화학식 1>
    Figure 112010066506413-pat00026

    <화학식 2>
    Figure 112010066506413-pat00027

    상기 화학식 1 및 2 중,
    R1 내지 R6는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30아실기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C30알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴기이고, 이 중 인접한 2 이상은 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있고;
    L1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴렌기이고;
    Q1 내지 Q9는 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3-C30헤테로아릴기이고;
    a는 1 내지 10의 정수이다.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1물질이 하기 화합물 5, 하기 화합물 6 또는 하기 화합물 7인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자:
    <화합물 5>
    Figure 112010066506413-pat00028

    <화합물 6> <화합물 7>
    Figure 112010066506413-pat00029
    Figure 112010066506413-pat00030
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2물질이 Li 착물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2물질이 리튬 퀴놀레이트(Lithium Quinolate(LiQ)) 또는 하기 화합물 8인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자:
    <화합물 8>
    Figure 112010066506413-pat00031
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1단일층, 제2단일층 및 제3단일층의 두께가 서로 독립적으로 0.1nm 내지 10nm의 범위 내에서 선택된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1혼합층 및 제2혼합층의 두께가 서로 독립적으로 1nm 내지 30nm의 범위 내에서 선택된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1혼합층 및 상기 제2혼합층 중 하나 이상의 층에 포함된 상기 제2물질이 농도 구배를 형성하며 존재하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2단일층이 2개의 제2물질-함유층을 포함하고, 상기 2개의 제2물질-함유층 간의 계면이 불분명하여 하나의 층으로 관찰되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극과 상기 전자 수송층 사이에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 정공 저지층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층이 더 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 전자 수송층과 상기 제2전극 사이에 전자 주입층이 더 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 전자 수송층이 상기 유니트를 2개 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 전자 수송층이,
    제1물질을 포함한 제1단일층;
    상기 제1단일층 상에 형성되고 상기 제1물질과 제2물질을 포함한 제1혼합층;
    상기 제1혼합층 상에 형성되고 상기 제2물질을 포함한 제2단일층;
    상기 제2단일층 상에 형성되고 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함한 제2혼합층;
    상기 제2혼합층 상에 형성되고 상기 제1물질을 포함한 제3단일층;
    상기 제3단일층 상에 형성되고 상기 제1물질을 포함한 제4단일층;
    상기 제4단일층 상에 형성되고 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함한 제3혼합층;
    상기 제3혼합층 상에 형성되고 상기 제2물질을 포함한 제5단일층;
    상기 제5단일층 상에 형성되고 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함한 제4혼합층;
    상기 제4혼합층 상에 형성되고 상기 제1물질을 포함한 제6단일층;
    을 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제3단일층과 상기 제4단일층 사이의 계면이 불분명하여, 상기 제3단일층과 상기 제4단일층이 하나의 층으로 관찰되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제2단일층 및 상기 제5단일층 각각이 2개의 제2물질-함유층을 포함하고, 상기 2개의 제2물질-함유층 간의 계면이 불분명하여 하나의 층으로 관찰되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  17. 기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;
    상기 제1전극 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및
    상기 전자 수송층 상에 제2전극을 형성하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 전자 수송층 형성 단계가,
    제1물질을 방출하는 제1증착원 및 제2물질을 방출하는 제2증착원을 준비하는 단계;
    상기 제1물질이 방출되는 영역과 상기 제2물질이 방출되는 영역이 서로 중첩되도록 상기 제1증착원과 상기 제2증착원을 소정 간격을 사이에 두고 배치하는 단계; 및
    상기 제1증착원과 상기 제2증착원을 전자 수송층 형성 영역의 제1말단에서 제2말단을 거쳐 다시 제1말단까지 왕복시키는 단계;
    를 포함하되, 상기 제1증착원과 상기 제2증착원의 왕복 단계를 1회 이상 수행하여,
    기판; 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송층을 포함하고,
    상기 전자 수송층은,
    제1물질을 포함한 제1단일층;
    상기 제1단일층 상에 형성되고 상기 제1물질과 제2물질을 포함한 제1혼합층;
    상기 제1혼합층 상에 형성되고 상기 제2물질을 포함한 제2단일층;
    상기 제2단일층 상에 형성되고 상기 제1물질과 상기 제2물질을 포함한 제2혼합층; 및
    상기 제2혼합층 상에 형성되고 상기 제1물질을 포함한 제3단일층;
    을 포함한 유니트를 하나 이상 포함한 유기 발광 소자를 제조하는 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1증착원 및 상기 제2증착원의 왕복 단계를 2회 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제1전극 형성 후 및 상기 전자 수송층 형성 전, 정공 주입층 형성 단계, 정공 수송층 형성 단계, 발광층 형성 단계 및 정공 저지층 형성 단계 중 하나 이상을 더 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 전자 수송층 형성 후, 전자 주입층 형성 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10910580B2 (en) 2015-10-05 2021-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device and display including the same

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100994118B1 (ko) * 2009-01-13 2010-11-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101821256B1 (ko) * 2011-11-03 2018-01-24 삼성디스플레이 주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20130050713A (ko) * 2011-11-08 2013-05-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
KR101944917B1 (ko) * 2012-02-08 2019-02-08 삼성디스플레이 주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101895616B1 (ko) * 2012-02-14 2018-09-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101358784B1 (ko) * 2012-02-14 2014-02-10 삼성디스플레이 주식회사 개선된 효율 특성을 갖는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR101908385B1 (ko) * 2012-03-02 2018-10-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20140008126A (ko) * 2012-07-10 2014-01-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
KR101952706B1 (ko) * 2012-07-24 2019-02-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102014168B1 (ko) * 2012-10-12 2019-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 물질층 형성 방법
KR20140063300A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102017743B1 (ko) * 2013-01-04 2019-09-04 삼성디스플레이 주식회사 개선된 효율 특성을 갖는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102102352B1 (ko) 2013-01-30 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN105143186A (zh) 2013-02-22 2015-12-09 出光兴产株式会社 蒽衍生物、有机电致发光元件用材料、有机电致发光元件和电子设备
US20140284580A1 (en) * 2013-03-22 2014-09-25 E-Ray Optoelectronics Techonology Co., Ltd. Electron transporting compounds and organic electroluminescent devices using the same
KR102059941B1 (ko) * 2013-06-07 2019-12-30 삼성디스플레이 주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102103959B1 (ko) * 2013-07-11 2020-04-28 삼성디스플레이 주식회사 이리듐 착물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR20150022529A (ko) * 2013-08-23 2015-03-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102124859B1 (ko) * 2013-12-31 2020-06-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 그 제조방법과 이를 이용한 유기발광표시장치
KR20150094127A (ko) * 2014-02-10 2015-08-19 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 소자
CN104926732B (zh) * 2014-03-21 2017-06-13 昱镭光电科技股份有限公司 用于有机发光元件的化合物及具有该化合物的有机发光元件
KR102251735B1 (ko) 2014-04-14 2021-05-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치용 재료, 유기 발광 장치, 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102423171B1 (ko) * 2015-03-16 2022-07-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN107068915B (zh) * 2017-04-28 2019-01-15 华南理工大学 一种小分子空穴传输材料在蓝光有机发光二极管中的应用
CN107195791B (zh) * 2017-05-03 2019-01-01 武汉华星光电技术有限公司 有机发光显示装置
KR102138410B1 (ko) * 2017-06-30 2020-07-27 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR102401011B1 (ko) * 2017-08-16 2022-05-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함한 장치
CN107501193A (zh) * 2017-09-18 2017-12-22 长春海谱润斯科技有限公司 一种蒽类化合物及其合成方法和有机发光器件
KR102455727B1 (ko) * 2017-11-13 2022-10-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093425A (ja) 2003-08-12 2005-04-07 Toray Ind Inc 発光素子

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6566692B2 (en) * 2000-08-11 2003-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electron device and junction transistor
JP2003229264A (ja) * 2002-01-31 2003-08-15 Toyota Industries Corp 有機ｅｌ素子
JP4394331B2 (ja) * 2002-02-05 2010-01-06 シャープ株式会社 有機ｅｌ素子
JP2004207000A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Denso Corp 有機ｅｌ素子
EP1603369B1 (en) * 2003-03-13 2012-12-19 UDC Ireland Limited Organic electroluminescence device and organic electroluminescence display
US7517595B2 (en) * 2005-03-10 2009-04-14 Eastman Kodak Company Electroluminescent devices with mixed electron transport materials
KR100806812B1 (ko) * 2005-07-25 2008-02-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
US7563518B2 (en) * 2005-07-28 2009-07-21 Eastman Kodak Company Low voltage organic electroluminescent element
EP1780816B1 (en) * 2005-11-01 2020-07-01 Novaled GmbH A method for producing an electronic device with a layer structure and an electronic device
KR100858816B1 (ko) * 2007-03-14 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 안트라센 유도체 화합물을 포함하는 유기막을 구비하는유기 발광 소자
US8367219B2 (en) * 2007-10-30 2013-02-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Anthracene-based compound and organic light emitting device employing the same
KR101481822B1 (ko) * 2007-12-07 2015-01-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 이를 구비한 유기전계발광 표시장치
KR100894627B1 (ko) * 2008-01-15 2009-04-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
KR20090082778A (ko) * 2008-01-28 2009-07-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR100922758B1 (ko) * 2008-02-20 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093425A (ja) 2003-08-12 2005-04-07 Toray Ind Inc 発光素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10910580B2 (en) 2015-10-05 2021-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device and display including the same

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