CN102044634A - 有机发光二极管及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及包括电子传输层的有机发光二极管(OLED)和制备该有机发光二极管的方法。所述OLED包括：基板；第一电极；第二电极；和形成在第一电极和第二电极之间的电子传输层。电子传输层包括至少一个单元，所述单元包括：包括第一材料的第一层；形成在第一层上且包括第一材料和第二材料的第一混合层；形成在第一混合层上且包括第二材料的第二层；形成在第二层上且包括第一材料和第二材料的第二混合层；和形成在第二混合层上且包括第一材料的第三层。此外，所述方法包括同时使包括不同沉积材料的第一和第二沉积源横过基板往复运动。

Description

有机发光二极管及其制备方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2009年10月14日在韩国知识产权局递交的、申请号为10-2009-0097733的韩国专利申请的权益，其公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明各方面涉及包括电子传输层的有机发光二极管(OLED)和制备该有机发光二极管的方法。

背景技术

自发光装置有机发光二极管(OLED)具有广视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的驱动电压特性和颜色重现性。典型的OLED包括依次堆叠在基板上的阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极。在此，HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。

当对阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由HTL移动至EML，而从阴极注入的电子经由ETL移动至EML。在EML中空穴和电子再结合产生激子。当激子从激发态下降到基态时发光。空穴和电子的注入和流动应该是平衡的，所以具有上述结构的OLED具有优异效率和长寿命。

发明内容

本发明的各方面提供了提高有机发光二极管(OLED)寿命的方法。

根据本发明的一个方面，提供了一种有机发光二极管(OLED)，包括：基板；第一电极；第二电极；和形成在第一电极和第二电极之间的电子传输层。电子传输层包括至少一个单元，所述单元包括：包括第一材料的第一层；形成在第一层上且包括第一材料和第二材料的第一混合层；形成在第一混合层上且包括第二材料的第二层；形成在第二层上且包括第一材料和第二材料的第二混合层；和形成在第二混合层上且包括第一材料的第三层。

根据各种实施方式，第一材料可包括蒽类材料。

根据各种实施方式，第二材料可包括锂(Li)络合物。

根据各种实施方式，第一层、第二层和第三层的厚度可各自独立地在约0.5nm至约10nm范围内。

根据各种实施方式，第一混合层和第二混合层的厚度可各自独立地在约6nm至约16nm范围内。

根据各种实施方式，基于100重量份的第一混合层，第一混合层内的第二材料的量可以在约30重量份至约70重量份的范围内，而且基于100重量份的第二混合层，第二混合层中第二材料的量在约30重量份至约70重量份的范围内。

根据各种实施方式，第二层可包括两个含第二材料的层，其中含第二材料的层的界面是模糊的，以使得第二层看起来形成为单层。

根据各种实施方式，该OLED可进一步包括形成在第一电极和电子传输层之间的选自由空穴注入层、空穴传输层、发光层和空穴阻挡层组成的组中的至少一层。

根据各种实施方式，该OLED可进一步包括形成在电子传输层和第二电极之间的电子注入层。

根据各种实施方式，本发明提供了包括电子传输层的OLED，该电子传输层包括：包括第一材料的第一层；第一混合层，形成于第一层上且包括第一材料和第二材料；第二层，形成于第一混合层上且包括第二材料；第二混合层，形成于第二层上且包括第一材料和第二材料；第三层，形成于第二混合层上且包括第一材料；第四层，形成于第三层上且包括第一材料；第三混合层，形成于第四层上且包括第一材料和第二材料；第五层，形成于第三混合层上且包括第二材料；第四混合层，形成于第五层上且包括第一材料和第二材料；和第六层，形成于第四混合层上且包括第一材料。

根据各种实施方式，第三层和第四层间的界面可以是模糊的，以使得第三层和第四层看起来是一层。

根据各种实施方式，第二层和第五层可分别包括两个含第二材料的层。这两个含第二材料的层的界面是模糊的，以使得第二层和第五层分别看起来形成为单层。

根据本发明的另一方面，本发明提供了一种制备有机发光二极管(OLED)的方法，所述方法使用第一沉积源释放第一沉积材料和第二沉积源释放第二沉积材料，所述方法包括：在基板上形成第一电极；在将第一和第二沉积材料至少彼此部分交叠地释放到第一电极上的同时，使第一和第二沉积源沿第一电极往复运动，在第一电极上形成电子传输层；和在该电子传输层上形成第二电极。

根据各种实施方式，第一沉积源和第二沉积源的往复运动可进行一次、两次、三次或更多次。

根据各种实施方式，该方法可进一步包括在第一电极和电子传输层之间形成选自由空穴注入层、空穴传输层、发光层和空穴阻挡层组成的组中的至少一层。

根据各种实施方式，该方法可进一步包括在空穴传输层上形成电子注入层。

在以下的说明中将部分阐述本发明的另外方面和/或优点，且部分内容在说明中将变得明显，或者可通过实施本发明而得知。

附图说明

本发明的这些和/或其它方面和优点，将从下面结合附图的示例性实施例的说明中变得明显并且更容易理解，附图中：

图1是根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)的截面示意图；

图2是根据本发明的示例性实施方式的OLED的截面示意图；

图3A至3G是描述根据本发明的示例性实施方式制备OLED的方法的示意图；和

图4至6是说明根据本发明的示例性实施方式和对比例的OLED的亮度与时间变化的曲线图。

具体实施方式

现在将详细说明本发明的示例性实施例，这些实施例的示例在附图中示出，附图中的相同标记始终表示相同的元件。为了说明本发明的各方面，下面参照附图说明示例性实施方式。

这里，当提及第一元件被形成或布置在第二元件“上”时，第一元件可以直接布置在第二元件上，或者其间可布置一个或多个其他元件。当提及第一元件被“直接”形成或布置在第二元件“上”时，在它们之间没有其他元件布置。

图1是根据本发明的示例性实施方式的有机发光二极管(OLED)100的截面示意图。参见图1，OLED100包括基板110、第一电极120、空穴注入层(HIL)130、空穴传输层(HTL)140、发光层(EML)150、电子传输层(ETL)160、电子注入层(EIL)180和第二电极190。

ETL160包括：包括第一材料的第一层161；形成在第一层161上且包括第一材料和第二材料的第一混合层163；形成在第一混合层163上且包括第二材料的第二层165；形成在第二层165上且包括第一材料和第二材料的第二混合层167；和形成在第二混合层167上且包括第一材料的第三层169。第一层161可直接形成在EML150上。

基板110可以是通常用于制备有机发光二极管的任何基板。例如，基板110可以是玻璃基板或透明塑料基板，其具有优异的机械强度、热稳定性、透明性、表面光滑度、易于处理和防水性。

第一电极120可通过沉积或溅射用来形成第一电极120的材料来形成在基板110上。第一电极120可以是阳极。当第一电极120构成阳极时，用于形成第一电极120的材料可以是高功函材料，以促进空穴注入。第一电极120可以是透明或反射电极。诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、二氧化锡(SnO₂)和氧化锌(ZnO)等透明导电材料可用于形成第一电极120。第一电极120也可用镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等形成。

HIL130可以通过真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布洛杰特(LB)沉积等形成在第一电极120上。当用真空沉积形成HIL130时，沉积条件可以根据用来形成HIL 130的化合物、HIL 130所需的结构和热性质而改变。但是一般来讲，真空沉积的条件可包括100至500℃的沉积温度，10^-8至10^-3托的压力和0.01至

的沉积速率。

当用旋涂法形成HIL130时，旋涂条件可根据用来形成HIL130的化合物和HIL130所需的结构和热性质而改变。例如，旋涂条件可包括约2000rpm至约5000rpm的旋涂速率和约80℃至约200℃的热处理温度。在进行旋涂之后用热处理去除溶剂。

HIL130可用通常用来形成HIL的任何材料形成。可用于形成HIL130的材料的实例包括酞菁化合物，例如铜酞菁、4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、TDATA、2T-NATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)，但不限于此。

HIL 130的厚度可在约

至

的范围内，例如约

至1000当HIL130的厚度在此范围内时，HIL130可具有优异的空穴注入特性，而不会造成驱动电压的实质升高。

HTL140可以通过真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布洛杰特(LB)沉积等形成在HIL 130上。当用真空沉积或旋涂形成HTL140时，沉积和旋涂的条件可与形成HIL130的条件相似。然而沉积和旋涂的条件可以根据用来形成HTL140的材料而改变。

HTL 140可用通常用来形成HTL的任何材料形成。可用于形成HTL140的材料的实例有：咔唑衍生物，例如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑；具有芳香稠环的胺衍生物，例如N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯]-4，4′-二胺(TPD)或N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)；和三苯胺类材料，例如4，4’，4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)。在这些材料中，TCTA能传输空穴并抑制激活子向EML中的扩散。

HTL 140的厚度可在约至

的范围内，例如约

至

当HTL 140的厚度在此范围内时，HTL140可具有优异的空穴传输特性，而不会造成驱动电压的实质升高。

EML 150可以通过真空沉积、旋涂、浇铸、LB等形成在HTL 140上。当用真空沉积或旋涂形成EML 150时，沉积和旋涂的条件可与形成HIL130的条件相似。然而沉积和旋涂的条件可以根据用来形成EML 150的材料而改变。

可以用主体和掺杂剂的组合形成EML 150。主体的实例为以下Alq₃、4，4′-N，N′-二咔唑-联苯(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9，10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、TCTA、1，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9，10-二-2-萘基蒽(TBADN)、E3、联苯乙烯(distyrylarylene)(DSA)、AND、双(2-(2-羟基苯基)苯并噻唑)锌(Zn(BTZ)₂)、化合物1和化合物2，但不限于此。

化合物1                    化合物2

红色掺杂剂的实例为PtOEP、Ir(piq)₃和Btp₂Ir(acac)，但不限于此。

绿色掺杂剂的实例为以下Ir(ppy)₃(ppy＝苯基吡啶)、Ir(ppy)₂(acac)、Ir(mpyp)₃和化合物3，但不限于此。

化合物3

蓝色掺杂剂的实例为以下F₂Irpic、(F₂ppy)₂Ir(tmd)、Ir(dfppz)₃、叔芴，4.4’-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)、2，5，8，11-四-叔丁基二萘嵌苯(TBPe)和化合物4，但不限于此。

化合物4

基于100重量份的上述主体，掺杂剂的量可以在约0.01至约15重量份的范围内，但不限于此。EML 150可具有约

至约

的厚度，例如约至约

当EML 150厚度在此范围内时，EML 150可以具有优异的发光性，而不会导致驱动电压的实质升高。

当磷光性掺杂剂也用于形成EML150时，可通过真空沉积、旋涂、浇铸、LB沉积等在EML150上形成空穴阻挡层(HBL)(未示出)，以防止三重态激子或空穴扩散入ETL160中。当HBL用真空沉积或旋涂形成时，沉积和旋涂的条件可与形成HIL130的条件相似。但是，沉积和旋涂的条件可以根据用来形成HBL的材料而改变。可以使用常用于形成HBL的任何材料。形成HBL的材料的实例包括噁二唑衍生物、三唑衍生物和邻二氮杂菲衍生物，但不限于此。

HBL可具有约

至约

的厚度，例如约

至约当HBL厚度在此范围内时，HBL可以具有优异的空穴阻挡性质，而不会导致驱动电压的实质升高。

ETL160可形成在EML150上，或者如果形成有HBL则形成在HBL上。ETL160包括：包括第一材料的第一层161；形成在第一层161上且包括第一材料和第二材料的第一混合层163；形成在第一混合层163上且包括第二材料的第二层165；形成在第二层165上且包括第一材料和第二材料的第二混合层167；和形成在第二混合层167上且包括第一材料的第三层169。第一层161、第一混合层163、第二层165、第二混合层167和第三层169可以称为一个单元。

ETL160具有堆叠结构，所以可平衡电子的注入和传输，而且能够有效阻挡空穴。在传统OLED中，由于电子和空穴的量随时间改变，在开始驱动后，发光区域中产生的激子数量可能会减少。因此，不会保持载流子的平衡，从而降低OLED的寿命。

但是，在ETL160中，第一层161、第一混合层163、第二层165、第二混合层167和第三层169具有相似或相同的能级，从而可以在控制电子传输率的同时均匀保持载流子的平衡。所以，OLED100的寿命特性得到改善。

第一材料可以是有效传输电子的材料，例如蒽类材料。例如，第一材料可选自由以下化合物5、通式1表示的化合物和通式2表示的化合物组成的组中：

化合物5

通式1

通式2

在通式1和2中，R₁至R₆各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C₁-C₃₀烷基、取代或未取代的C₁-C₃₀烷氧基、取代或未取代的C₁-C₃₀酰基、取代或未取代的C₂-C₃₀烯基、取代或未取代的C₂-C₃₀炔基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、或者取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳基。至少两个相邻的R₁至R₆基团可选择地互相键合，以形成饱和或不饱和的环。L₁为键、取代或未取代的C₁-C₃₀亚烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀亚芳基、或者取代或未取代的C₃-C₃₀杂亚芳基。Q₁至Q₉各自独立地为氢原子、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、或者取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳基，且“a”为1至10的整数。

例如，R₁至R₆可各自独立地选自由氢原子、卤素原子、羟基、氰基、甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、苯基、萘基、蒽基、吡啶基和吡嗪基组成的组中，但不限于此。

具体来讲，在通式1中，R₁至R₄可各自为氢原子，R₅可选自由卤素原子、羟基、氰基、甲基、乙基、丙基、丁基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、苯基、萘基、蒽基、吡啶基和吡嗪基组成的组中，但不限于此。另外，在通式2中，R₁至R₆可各自为氢原子，但不限于此。

例如，Q₁至Q₉各自独立地为氢原子、苯基、萘基、蒽基、吡啶基和吡嗪基，但不限于此。具体地，在通式1和2中，Q₁、Q₃～Q₆、Q₈和Q₉为氢原子，Q₂和Q₇可各自独立地选自由苯基、萘基、蒽基、吡啶基和吡嗪基组成的组中，但不限于此。

例如，L₁可选自由亚苯基、亚萘基、亚蒽基、亚吡啶基和亚吡嗪基组成的组中，但不限于此。具体来讲，L₁可以是亚苯基或亚吡啶基。例如，“a”可以是1、2或3，但不限于此。

第一材料可以是化合物5或者以下化合物6或7：

化合物6            化合物7

第二材料可以注入电子并阻挡空穴。第二材料可以是锂(Li)络合物。例如，第二材料可以是喹啉锂(LiQ)或以下化合物8，但不限于此：

化合物8

第一层161、第二层165和第三层169的厚度可各自独立地在约0.5nm至约10nm范围内，例如约0.5nm至约6nm。当第一层161、第二层165和第三层169的厚度在此范围内时，层161、165和169可有效注入和传输电子，而不会导致驱动电压的实质升高。层161、165和169可具有相同或不同的厚度。

第一混合层163和第二混合层167的厚度可各自独立地在约6nm至约16nm范围内，例如约6nm至约10nm。当第一层混合163和第二混合层167的厚度在此范围内时，混合层163和167可有效注入和传输电子，而不会导致驱动电压的实质升高。混合层163和167可具有相同或不同的厚度。

基于100重量份的第一混合层163，第一混合层163中第二材料的量可在约30重量份至约70重量份的范围内，例如约45重量份至约55重量份。此外，基于100重量份的第二混合层167，第二混合层167中第二材料的量可在约30重量份至约70重量份的范围内，例如约45重量份至约55重量份。如果第一混合层163和第二混合层167中第二材料的量在上述范围内，可得到优异的效率。

ETL 160可以通过真空沉积、旋涂、浇铸等形成在EML 150上。当用真空沉积或旋涂形成ETL 160时，沉积和旋涂的条件可与形成HIL130的条件相似。然而，沉积和旋涂的条件可以根据用来形成ETL 160的化合物而改变。

使用真空沉积，ETL 160可用第一沉积源在第一沉积区域沉积第一材料、并用第二沉积源在第二沉积区域沉积第二材料来形成。第一沉积源和第二沉积源互相关联放置，以使得在第一沉积区域和第二沉积区域互相交叠的地方形成第一交叠区域。第一沉积源和第二沉积源在EML 150的第一端和第二端之间往复运动。

图3A至3G是描述根据本发明的示例性实施方式在EML150上形成ETL160的方法的示意图。在图3A至3G中，为方便起见，基板110、第一电极120、HIL130和HTL140虽未示出，但是存在。

在图3A中，第一沉积源300和第二沉积源400布置在EML150的表面下，EML150上未形成HIL130和HTL140。第一沉积源300以模式C1释放第一材料，第二沉积源400以模式C2释放第二材料。如图3A所示，模式C1和C2可以是扇形。

第一沉积源300和第二沉积源400互相隔开放置，以使得模式C1和C2至少部分相互交叠。所以，如图3B所示，第一材料和第二材料可同时沉积在交叠区域中，以形成包括第一材料和第二材料的混合层。

第一沉积源300和第二沉积源400可固定在基座350上。基座350可放置在安装于室中的导轨340上，从而基座350可沿着导轨340往复运动。基座350可与驱动单元(未示出)连接。

如上述一样，当第一和第二沉积源300和400开启时，固定第一沉积源300和第二沉积源400的基座350从低于EML150的第一端的导轨340的第一端A以方向B移动，如图3A所示。在这一点上，沉积在EML150上的第一材料在EML150的部分D1上形成第一层161。当基座350沿方向B移动时，继续沉积第一层161。

如图3B所示，基座350沿方向B继续移动，以使得第一材料和第二材料同时沉积在区域(D2)中，从而形成了第一混合层163的一部分。

如图3C所示，随着基座350继续沿方向B移动，在区域D3中形成含第二材料的层165′的一部分。如图3D所示，一旦基座350达到EML150的第二端E，则完成层161、163和165′的形成。如图3E所示，然后基座350开始沿与方向B相反的方向F移动。所以，开始形成含第二材料的层165″。

如图3F所示，随着基座350沿方向F移动时，可在第二层165上依次形成包括第一材料和第二材料的第二混合层167和包括第一材料的第三层169。由于含第二材料的层165′和含第二材料的层165″的成分相同，所以其间的界面是模糊的，从而它们看起来为单层。考虑到这一点，含第二材料的层165′和含第二材料的层165″之间的界面用虚线而不是实线表示。所以，含第二材料的层165′和含第二材料的层165″可以称为单层，即，第二层165。

如图3G所示，基座350到达导轨340的第一端A，从而完成ETL160在EML150上的形成。在这一点上，即使第二层165包括层165′和165″，它们之间的界面S′也是模糊的，如虚线所示。

根据上述的ETL160的形成方法，ETL160可以通过其上固定有第一沉积源300和第二沉积源400的基座350从导轨340的第一端A向第二端E的往复运动来形成。也就是说，ETL160的单元可以用图3A至3G的方法形成。所以，与现有技术中的方法相比，该堆叠方法可更加简单快速地进行。具体来讲，由于可以在单个室中几乎同时沉积多个层，该室不需要在各个层形成之后排空。

可以在ETL160上形成促进来自阴极的电子注入的EIL 180。形成EIL 180的材料的实例包括本领域已知的LiF、NaCl、CsF、Li₂O和BaO。形成EIL 180的沉积和旋涂条件与形成HIL130的条件相似，然而，该沉积和旋涂条件可以根据用来形成EIL 180的材料而改变。

EIL 180的厚度可在约

至

的范围内，例如约

至当EIL 180的厚度在此范围内时，EIL 180可具有满意的电子注入特性，而不会造成驱动电压的实质升高。

第二电极190形成在EIL 180上。第二电极190可以是电子注入电极的阴极。第二电极190可由金属、合金、导电化合物或其混合物形成。第二电极190可具有低功函。例如，第二电极190可由锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝(Al)-锂(Li)、钙(Ca)、镁(Mg)-铟(In)、镁(Mg)-银(Ag)等形成。此外，第二电极190可由透明导电材料，例如ITO或IZO形成。

由于ETL160的各层具有相似或相同的能级，所以可以控制电子的注入和传输，而且可有效地阻挡空穴。所以，OLED100可具有长寿命。

图2是根据本发明的另一个示例性实施方式的OLED 200的截面示意图。参见图2，OLED200包括基板210、第一电极220、HIL230、HTL240、EML250、ETL260、EIL280和第二电极290。ETL260包括第一单元260a和第二单元260b。

第一单元260a包括：包括第一材料的第一层261a、形成在第一层261a上且包括第一材料和第二材料的第一混合层263a、形成在第一混合层263a上且包括第二材料的第二层265a、形成在第二层265a上且包括第一材料和第二材料的第二混合层267a；和形成在第二混合层267a上且包括第一材料的第三层269a。

第二单元260b包括：包括第一材料的第四层261b、形成在第四层261b上且包括第一材料和第二材料的第三混合层263b、形成在第三混合层263b上且包括第二材料的第五层265b、形成在第五层265b上且包括第一材料和第二材料的第四混合层267b；和形成在第四混合层267b上且包括第一材料的第六层269b。

ETL260的各层具有相似或相同的能级，所以可以控制电子的注入和传输，而且可以有效地阻挡空穴。所以，OLED 200可具有长使用寿命。

第一单元260a和第二单元260b的各层与上述的相应层(参见图1)相似。ETL260可通过重复图3A至3G中的方法形成。也就是说，可以通过沿导轨340使第一沉积源300和第二沉积源400往复运动两次来形成ETL260。

第三层269a和第四层261b间的界面是模糊的，以使得第三层269a和第四层261b看起来是单层。所以，第三层269a和第四层261b之间的界面在图2中用虚线表示。参见图3E、3F和3G，第三层269a和第四层261b可看起来是单层。

第二层265a和第五层265b可分别包括两个含第二材料的层。由于这两个包含第二材料的层的界面是模糊的，以使得第二层265a和第五层265b看起来为单层。

OLED200的基板210、第一电极220、空穴注入层230、空穴传输层240、发光层250和电子注入层280与图1中描述的对应元件相似。尽管已参考图1、2和3A至3G对OLED200的结构和制备方法进行了描述，但本发明的范围不限于此。例如ETL260可包括三个或更多个单元。

尽管未示出，但可在第二电极190、290上进一步形成密封层，以密封OLED100、200。此外，可对其进行各种其他修改。

下文中将参考以下实施例详细说明本发明的一个或更多个示例性实施方式。但是，这些实施例并不意味着限制本发明的一个或多个示例性实施方式的目的和范围。

实施例

实施例1

将15Ω/cm²

ITO玻璃基板(可购自Corning公司)切割至50mm×50mm×0.7mm大小，用异丙醇超声洗涤5分钟，然后用纯净水洗涤5分钟，再用紫外线臭氧洗涤30分钟，制成第一电极。然后，在ITO电极上真空沉积m-MTDATA，以形成厚度为

的HIL。然后在HIL上真空沉积α-NPD，形成厚度为

的HTL。将作为主体的92wt％和作为掺杂剂的8wt％沉积到HTL上，形成厚度为

的红色EML。

然后，用化合物7作为第一材料、LiQ作为第二材料，执行图3A至3G中描述的方法两次，即，往复运动沉积源两次，形成ETL。该ETL包括：包括化合物7且厚度为

的第一层；包括化合物7和LiQ且厚度为

的第一混合层；包括LiQ且厚度为

的第二层；包括化合物7和LiQ且厚度为

的第二混合层；包括化合物7且厚度为的第三层；以及包括化合物7且厚度为

的第四层；包括化合物7和LiQ且厚度为的第三混合层；包括LiQ且厚度为

的第五层；包括化合物7和LiQ且厚度为

的第四混合层；和包括化合物7且厚度为的第六层。

由于第二层和第五层可分别由依次形成的厚度为

的LiQ层165′和165″形成，所以其间的界面可能不会清楚地确定，如图3G所示。由于第三层和第四层之间的界面不能清楚地确定，所以可观察到厚度为

的单层。

在ETL上真空沉积LiF，以形成厚度为

的EIL。在EIL上真空沉积Al，以形成厚度为

的第二电极。

对比例A

以与实施例相同的方式制备OLED，区别在于通过以1∶1的比例共沉积化合物7和LiQ至厚度为37nm来在红色EML上形成ETL。

实施例2

以与实施例相同的方式制备OLED，只是用97wt％的化合物1作为主体和3wt％的化合物3作为掺杂剂来形成绿色EML。

对比例B

以与实施例2相同的方式制备OLED，只是通过以1∶1的比例共沉积化合物7和LiQ至厚度为37nm来在绿色EML上形成ETL。

实施例3

以与实施例1相同的方式制备OLED，只是用95wt％的化合物2作为主体和5wt％的化合物4作为掺杂剂来形成蓝色EML。

对比例C

以与实施例3相同的方式制备OLED，只是通过以1∶1的比例共沉积化合物7和LiQ至厚度为37nm来在蓝色EML上形成ETL。

评价例1

随时间测量根据实施例1、2和3以及对比例A、B和C制备的OLED的亮度比率，结果示于图4、5和6中。图4、5和6的Y轴表示相对于时间的亮度比率(％)，其中在时间零点(0)的亮度为100％。用PR650(Spectroscan)Source测量单元(PhotoResearch)测量亮度。参见图4、5和6，表明根据实施例1、2和3制备的OLED具有优异的寿命特性。因此，根据本发明各方面的OLED可具有优异的寿命特性。

尽管已经示出并说明了本发明的几个示例性实施方式，但是本领域技术人员会理解，在不背离本发明原理和精神的情况下，可以对这些示例性实施方式做出各种修改，本发明的范围在权利要求及其等同物中限定。

Claims (20)

1.一种有机发光二极管，包括：

基板；

第一电极，形成在所述基板上；

第二电极，形成在第一电极上；和

电子传输层，形成在第一电极和第二电极之间，包括至少一个单元，所述单元包括：

第一层，包括第一材料；

第一混合层，形成在第一层上，包括第一材料和第二材料；

第二层，形成在第一混合层上，包括第二材料；

第二混合层，形成在第二层上，包括第一材料和第二材料；和

第三层，形成在第二混合层上，包括第一材料。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中第一材料包括蒽类材料。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中第一材料选自由以下化合物5、通式1表示的化合物和通式2表示的化合物组成的组中：

化合物5

通式1

通式2

其中，

R₁至R₆各自独立地为氢原子、卤素原子、羟基、氰基、取代或未取代的C₁-C₃₀烷基、取代或未取代的C₁-C₃₀烷氧基、取代或未取代的C₁-C₃₀酰基、取代或未取代的C₂-C₃₀烯基、取代或未取代的C₂-C₃₀炔基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、或者取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳基，

L₁为键、取代或未取代的C₁-C₃₀亚烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀亚芳基、或者取代或未取代的C₃-C₃₀杂亚芳基，

Q₁至Q₉各自独立地为氢原子、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、或者取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳基，且

a为1至10的整数。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中第一材料包括以下化合物5、6或7：

化合物5

化合物6                化合物7

5.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中第二材料包括锂络合物。

6.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中第二材料包括喹啉锂或以下化合物8：

化合物8

7.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中第一层、第二层和第三层的厚度各自独立地在0.5nm至10nm范围内。

8.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中第一混合层和第二混合层的厚度各自独立地在6nm至16nm范围内。

9.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中：

基于100重量份的第一混合层，第一混合层中第二材料的量在30重量份至70重量份的范围内；且

基于100重量份的第二混合层，第二混合层中第二材料的量在30重量份至70重量份的范围内。

10.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中：

第二层包括两个含第二材料的层；且

所述两个含第二材料的层之间的界面模糊。

11.如权利要求1所述的有机发光二极管，进一步包括形成在第一电极和所述电子传输层之间的选自由空穴注入层、空穴传输层、发光层和空穴阻挡层组成的组中的至少一层。

12.如权利要求1所述的有机发光二极管，进一步包括形成在所述电子传输层和第二电极之间的电子注入层。

13.如权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述电子传输层包括一个布置在另一个之上的两个所述单元。

14.一种有机发光二极管，包括：

基板；

第一电极，形成在所述基板上；

第二电极，形成在第一电极上；和

电子传输层，形成在第一电极和第二电极之间，包括：

第一层，包括第一材料；

第一混合层，形成在第一层上，包括第一材料和第二材料；

第二层，形成在第一混合层上，包括第二材料；

第二混合层，形成在第二层上，包括第一材料和第二材料；

第三层，形成在第二混合层上，包括第一材料；

第四层，形成在第三层上，包括第一材料；

第三混合层，形成在第四层上，包括第一材料和第二材料；

第五层，形成在第三混合层上，包括第二材料；

第四混合层，形成在第五层上，包括第一材料和第二材料；和

第六层，形成在第四混合层上，包括第一材料。

15.如权利要求14所述的有机发光二极管，其中第三层和第四层之间的界面模糊。

16.如权利要求14所述的有机发光二极管，其中：

第二层和第五层分别包括两个含第二材料的层；且

所述两个含第二材料的层的界面模糊。

17.一种制备有机发光二极管的方法，所述方法使用第一沉积源释放第一沉积材料和第二沉积源释放第二沉积材料，所述方法包括：

在基板上形成第一电极；

在将第一和第二沉积材料至少彼此部分交叠地释放到第一电极上的同时，使第一和第二沉积源沿第一电极往复运动，在第一电极上形成电子传输层，以使所述电子传输层包括：

第一层，包括第一材料；

第一混合层，形成在第一层上，包括第一材料和第二材料；

第二层，形成在第一混合层上，包括第二材料；

第二混合层，形成在第二层上，包括第一材料和第二材料；和

第三层，形成在第二混合层上，包括第一材料；且

在所述电子传输层上形成第二电极。

18.如权利要求17所述的制备有机发光二极管的方法，其中第一和第二沉积源的所述往复运动进行两次，以使所述电子传输层进一步包括：

第四层，形成在第三层上，包括第一材料；

第三混合层，形成在第四层上，包括第一材料和第二材料；

第五层，形成在第三混合层上，包括第二材料；

第四混合层，形成在第五层上，包括第一材料和第二材料；和

第六层，形成在第四混合层上，包括第一材料。

19.如权利要求17所述的制备有机发光二极管的方法，进一步包括在第一电极和所述电子传输层之间形成选自由空穴注入层、空穴传输层、发光层和空穴阻挡层组成的组中的至少一种。

20.如权利要求17所述的制备有机发光二极管的方法，其中：

第一和第二沉积源布置在基座上；且

第一和第二沉积源的所述往复运动包括在所述基板的相对端之间移动所述基座。

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