JP4554329B2 - 有機電子デバイス、及び有機電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
以下、まず、本発明に用いられる反応性有機化合物、及び反応生成物について説明する。
電極からの電子の注入障壁を低下することを目的とする場合には、反応性有機化合物は、還元性部位又はプロトン受容性部位を有することが好ましい。反応性有機化合物が還元性部位又はプロトン受容性部位を有する場合には、反応性有機化合物と電荷注入輸送材料が反応して、中性であった電荷注入輸送材料がラジカルアニオンを生成することが可能で、電荷注入輸送材料の電荷密度が増大するため、効率良く電子を注入する有機電子デバイスを製造することができる。従来のように隣接する電極層形成時の熱還元性材料や電子注入材料自身の蒸着等によりアルカリ金属等が還元されて単体にならなくても、中性であった電荷注入輸送材料との間で電荷移動が行われ易いため、蒸着法を用いることなく、良好な電子注入機能を有する有機電子デバイスを製造することが可能である。
電極からの電子の注入障壁を低下することを目的とする場合には、反応性有機化合物は、還元性部位又はプロトン受容性部位を有することが好ましいが、更に、前記反応性有機化合物の還元性部位又はプロトン受容性部位の電子親和力が、前記電荷注入輸送材料の電子親和力よりも小さいことが好ましい。この場合、前記反応性有機化合物の還元性部位が前記電荷注入輸送材料に電子を供与しやすいか、又は、前記電荷注入輸送材料から前記反応性有機化合物のプロトン受容性部位がプロトンを受容しやすく、ラジカルアニオン状態の生成、すなわち電荷が生成しやすくなることで、電子注入特性が向上するからである。
電極からの正孔の注入障壁を低下することを目的とする場合には、反応性有機化合物は、酸化性部位又はプロトン供与性部位を有することが好ましい。更に、前記反応性有機化合物の酸化性部位又はプロトン供与性部位の電子親和力は、前記電荷注入輸送材料のイオン化ポテンシャルの値の1.0eVの範囲内が好ましい。すなわち、電荷注入輸送材料のイオン化ポテンシャルの値から反応性有機化合物の酸化性部位又はプロトン供与性部位の電子親和力を引いた値が±1.0eV以下であることが好ましい。この場合、前記反応性有機化合物の酸化性部位が前記電荷注入輸送材料から電子を受容しやすいか、又は、前記電荷注入輸送材料に前記反応性有機化合物のプロトン供与性部位がプロトンを供与しやすく、電荷移動錯体の形成により正孔注入特性が向上するからである。
次に、下記において、本発明に係る有機電子デバイスのうち、発光材料を含有することを特徴とする有機発光デバイスの説明をする。有機発光デバイスの具体的な一例として有機EL素子を挙げて詳細な説明をするが、本発明における有機発光デバイスは有機EL素子に限られず、有機EL素子以外の有機発光デバイスであるライトエミッティングエレクトロケミカルセル(LECs)やエレクトロケミルミネッセンス(ECL)にも適用できるものである。
本発明の有機EL素子の一実施形態は、図1に示すように、基板1上に形成された陽極電極2と陰極電極6との間に、有機層である正孔注入輸送層3、発光層4、電子注入輸送層5がこの順に設けられたものである。
1.有機層
本発明に係る有機EL素子における有機層は、後述する陽極電極2と陰極電極6の間に形成されるものである。
有機層である発光層4は、電子と正孔の再結合の場を提供して発光する機能を有する層である。発光材料としては、一般的に用いられている材料であれば特に限定されず、例えば、色素系発光材料、金属錯体系発光材料、高分子系発光材料等を挙げることができる。発光材料は上述のように、本発明における電荷注入輸送材料として用いることができる。発光層には、更に本発明の反応性有機化合物及び/又はその反応生成物が含まれていても良い。
電子注入輸送層5は、陰極電極6からの電子の注入を安定化するか、注入された電子を発光層4内に安定的に輸送することが可能である層である。電界印加時に陰極電極6からの電子の注入を安定化する機能を有する電子注入層、及び、陰極電極6から注入された電子を電界の力で発光層4内に輸送する機能を有する電子輸送層のいずれか一方を有する場合であってもよく、電子注入層及び電子輸送層の両方の機能を有していても良い。電子注入輸送層は、1層からなっても良いし、複数層からなっても良い。電子注入輸送層5は、例えば、図1や図3に示すように、発光層4と陰極6の間に形成される。
正孔注入輸送層3は、陽極電極2からの正孔の注入を安定化するか、注入された正孔を発光層4内に安定的に輸送することが可能である層である。電界印加時に陽極電極2からの正孔の注入を安定化する機能を有する正孔注入層、及び、陽極電極2から注入された正孔を電界の力で発光層4内に輸送する機能を有する正孔輸送層のいずれか一方を有する場合であってもよく、正孔注入層及び正孔輸送層の両方の機能を有していても良い。正孔注入輸送層は、1層からなっても良いし、複数層からなっても良い。正孔注入輸送層3は、例えば、図1や図3に示すように、発光層4と陽極電極2の間に形成される。
(1)陰極電極
陰極電極6は、発光層4に電子を注入するよう作用する。陰極電極6は、発光層4で発光した光を陰極側から取り出す場合には、陰極電極6を透明な材料で形成する必要がある。本発明においては、前記反応性有機化合物が用いられるため、陰極電極6にアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素を用いなくても、良好な電子注入効果を有し、陰極電極の材料や製造方法が制限されないという特徴を有する。
基板1側から光を取り出す場合には陽極電極2を透明な材料で形成する必要がある。基板1の発光層側に設けられている陽極電極2は、発光層4に正孔を注入するよう作用する。
発光層の両側に配置される基板1は、本発明の有機EL素子の支持体になるものであり、例えばフレキシブルな材質であっても、硬質な材質であってもよい。発光層4で発光した光が基板1側を透過して取り出される場合においては、少なくともその基板1が透明な材質である必要があるが、光が陰極側を透過して取り出される場合においては、少なくともその陰極側の基板(図示せず)が透明な材質である必要がある。
図4は、本発明に係る有機発光デバイスの一実施態様である直列積層型有機EL素子を示す略示断面図である。基板1上には、順に、陽極電極2、発光ユニット10−1、電荷発生層11−1、発光ユニット10−2、電荷発生層11−2、・・・・・・、電荷発生層11−(n−1)、発光ユニット10−nと繰り返され、最後に陰極電極6が積層されている。
次に、本発明の有機電子デバイスの他の例である有機トランジスタについて説明する。
図5〜8は、本発明に係る有機トランジスタの一例を示す概略断面図である。
電荷注入層27は、有機半導体層24がp型半導体の場合には正孔注入層として機能するように、n型半導体の場合には電子注入層として機能するように、形成される材料を選択する必要がある。正孔注入層とする場合には、上述の有機EL素子の正孔注入輸送層と同様に層を形成することが好ましく、電子注入層とする場合には、上述の有機EL素子の電子注入輸送層と同様に層を形成することが好ましい。
有機層である有機半導体層のキャリア移動度は10−6cm/Vs以上であることが、特に有機トランジスタに対しては10−3cm/Vs以上であることが、トランジスタ特性の点から好ましい。
基板、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極と、絶縁層については、特に限定されず、例えば以下のような材料を用いて形成することができる。
基板21は、本発明の有機デバイスの支持体になるものであり、例えばフレキシブルな材質であっても、硬質な材質であってもよい。具体的には、上記有機EL素子の基板と同様のもの用いることができる。
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極としては、導電性材料であれば特に限定されない。具体的には、上述の有機EL素子における電極と同様の金属又は金属酸化物を用いることができるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ITOおよび炭素が好ましい。
ゲート電極を絶縁する絶縁層には種々の絶縁材料を用いることができ、無機酸化物でも有機化合物でも用いることが出来るが、特に、比誘電率の高い無機酸化物が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどの無機窒化物も好適に用いることができる。
図9及び図10は、本発明に係る有機太陽電池の一例を示す概略断面図である。
本発明の有機太陽電池の一実施形態は、図9に示すように、基板31上に形成された第一電極32と第二電極37との間に、有機層である正孔注入層33、正孔輸送層34、電子輸送層35、電子注入層36がこの順に設けられたものである。
基板31は、本発明の有機電子デバイスの支持体になるものであり、例えばフレキシブルな材質であっても、硬質な材質であってもよい。具体的には、上記有機EL素子の基板と同様のものを用いることができる。
第一電極32としては、導電性材料であれば特に限定されない。具体的には、上述の有機EL素子における陽極電極と同様の導電性材料を用いることができる。光の照射方向、第2電極を形成する材料の仕事関数等を考慮して適宜選択することが好ましい。基板を受光面とした場合には、第1電極を透明電極とすることが好ましく、この場合、一般的に透明電極として使用されているものを用いることができる。具体的には、In−Zn−O(IZO)、In−Sn−O(ITO)、ZnO−Al、Zn−Sn−O等を挙げることができる。
また、正孔輸送層34を形成する材料としては、電子供与体としての機能を有するものであれば特に限定はされない。具体的には、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、ポリアルキルチオフェンおよびその誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、有機金属ポリマー等を挙げることができる。
正孔注入層33及び/又は電子注入層36として、電荷注入輸送材料に前記反応性有機化合物を含有させて形成する場合の電荷注入輸送材料としては、正孔注入層33を形成する場合には、前記正孔輸送層34を形成する材料を用いることができ、電子注入層36を形成する場合には、前記電子輸送層35を形成する材料を用いることができる。
次に本発明に係る有機電子デバイスの製造方法について説明する。
本発明に係る有機電子デバイスの製造方法の第一の態様は、基板上に、対向する2つ以上の電極と、そのうちの2つの電極間に配置された少なくとも1層の有機層とを有する有機電子デバイスの製造方法において、反応性有機化合物を含有する層を、少なくとも1つの電極と電荷注入輸送材料を含有する有機層との間に形成する工程を有することを特徴とする。
(陽極の形成)
基材として、縦横40mm×40mm、厚み0.7mmの透明ガラス基板(NHテクノグラス(株)製 無アルカリガラスNA35)を準備し、この透明ガラス基板を定法にしたがって洗浄した後、酸化インジウム亜鉛化合物(IZO)の薄膜(厚み130nm)をスパッタリング法により形成した。上記のIZO薄膜形成では、スパッタガスとしてArとO2 の混合ガス(体積比Ar:O2 =100:1)を使用し、圧力0.1Pa、DC出力150Wとした。
次に、陽極および絶縁層を備えた透明ガラス基板を洗浄し、UVオゾン処理を施した後、大気中にて、陽極を覆うように透明ガラス基板上に下記構造式で示されるポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホネート(PEDOT−PSS)をスピンコート法により塗布し、乾燥して、正孔注入輸送層(厚み80nm)を形成した。
低酸素(酸素濃度1ppm以下)、低湿度(水蒸気濃度1ppm以下)状態のグローブボックス中にて、上記正孔注入輸送層上に下記構造式(2)で示されるポリ(9,9ジオクチルフルオレン−co−ベンゾチアゾール)(F8BT)およびポリ(9,9ジオクチルフルオレン)(PF8)からなるポリマー(5BTF8)を合成し、スピンコート法により塗布し、乾燥して、発光層(厚み80nm)を形成した。上記のポリマー(5BTF8)は、F8BTおよびPF8を重量比5:95としてブレンドした発光材料である。
更に、上記の発光層上にリチウムジイソプロピルアミドからなる層を3nmの厚みでスピンコート法により形成して、電子注入輸送層とした。
電子注入輸送層上に、陰極としてAuを150nmの厚みで蒸着して陰極を形成した。蒸着条件は、真空度5×10−5Pa、成膜速度2〜3Å/秒とした。
以上により、幅2mmのライン状にパターニングされた陽極と、この陽極に直交するように幅2mmのライン状で形成された電子注入輸送層、陰極を備え、4ヶ所の発光エリア(面積4mm2 )を有する有機EL素子を作製した。
この有機EL素子に電圧6Vを印加した時の電流密度は約110mA/cm2が得られた。また、陽極側から観測した輝度は約12000cd/m2であった。この結果から、リチウムジイソプロピルアミドからなる電子注入輸送層を塗布により形成し、陰極として仕事関数の大きな金属を用いても良好な素子特性が得られることが明らかになった。
電子注入輸送層を形成しないで、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。この有機EL素子に電圧13Vを印加した時の電流密度は約50mA/cm2が得られた。また、陽極側から観測した輝度は約3cd/m2であった。この結果から、リチウムジイソプロピルアミドからなる電子注入輸送層が無いことにより、陰極から発光層への電子注入障壁が大きく、電流―電圧特性が低下することが明らかにされた。
実施例1と同様にして電子注入輸送層まで形成した。その後ガリウム:インジウム:スズ(重量比50:25:25)からなる金属を用いて陰極を形成した。この合金は加熱処理により溶融化させてコーティングし、所定の陰極パターンに形成した。
この有機EL素子に電圧6Vを印加した時の電流密度は約100mA/cm2が得られた。また、陽極側から観測した輝度は約10000cd/m2であった。この結果から、リチウムジイソプロピルアミドからなる電子注入輸送層を塗布により形成し、その後、陰極をコーティングにより形成しても良好な素子特性が得られることが明らかになった。
リチウムテトラメチルシクロペンタジエンからなる電子注入輸送層を形成した他は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。この有機EL素子に電圧6Vを印加した時の電流密度は約50mA/cm2が得られた。また、陽極側から観測した輝度は約5000cd/m2であった。この結果から、リチウムテトラメチルシクロペンタジエンからなる電子注入輸送層を塗布により形成し、陰極として仕事関数の大きな金属を用いても良好な素子特性が得られることが明らかになった。
電子注入輸送層として、高分子化合物であるポリビニルアルコールにリチウムジイソプロピルアミドを混合(重量比1:1)して層を形成した他は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。この有機EL素子に電圧6Vを印加した時の電流密度は約70mA/cm2が得られた。また、陽極側から観測した輝度は約7000cd/m2であった。この結果から、リチウムジイソプロピルアミドを含む電子注入輸送層を塗布により形成し、陰極として仕事関数の大きな金属を用いても良好な素子特性が得られることが明らかになった。
実施例1と同様にリチウムジイソプロピルアミドからなる電子注入輸送層までを形成した。その後、スクリーン印刷によりAgペースト(藤倉化成ドータイト、無機EL用)を厚み3μm形成した。
この有機EL素子に電圧6Vを印加した時の電流密度は約10mA/cm2が得られた。また、陽極側から観測した輝度は約100cd/m2であった。この結果から、リチウムジイソプロピルアミドからなる電子注入輸送層を塗布により形成し、陰極として仕事関数の大きな金属を塗布して用いても良好な素子特性が得られることが明らかになった。
前記リチウムジイソプロピルアミドからなる電子注入輸送層を形成せず、発光層上に、実施例5と同様にAgペーストで陰極を形成して有機EL素子を作製した。この有機EL素子に電圧20Vを印加した時の電流密度は約10mA/cm2が得られた。また、陽極側から観測した輝度は約20cd/m2であった。この結果から、リチウムジイソプロピルアミドからなる電子注入輸送層が無いことにより、陰極から発光層への電子注入障壁が大きく、電流―電圧特性が低下することが明らかにされた。
電子注入輸送層として、リチウムエトキシド(CH3CH2OLi)を用いて実施例1と同様に有機EL素子を作製した。この有機EL素子に電圧6Vを印加した時の電流密度は約13mA/cm2が得られた。また、陽極側から観測した輝度は約85cd/m2であった。この結果から、電子注入輸送層においてアルカリ金属に酸素が直接結合した注入材料では、陰極から発光層への電子注入障壁が大きく、電流―電圧特性が低下することが明らかにされた。
(正孔注入輸送層の形成)
陽極透明電極として、シート抵抗15Ω/□のITO(インジウム‐スズ酸化物、旭硝子社製)が形成されているITOガラス基板を用い、陽極上にポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホネート(PEDOT−PSS)を塗布により形成、乾燥して、正孔注入輸送層(厚み80nm)を形成した。
上記正孔注入輸送層上にポリ(9,9ジオクチルフルオレン−co−ベンゾチアゾール)(F8BT)およびポリ(9,9ジオクチルフルオレン)(PF8)からなるポリマー(5BTF8)を合成し、塗布により形成、乾燥して、発光層(厚み80nm)を形成した。上記のポリマー(5BTF8)は、F8BTおよびPF8を重量比5:95としてブレンドした発光材料である。
更に、上記の発光層上にペンタメチルシクロペンタジエニルリチウムを塗布により3nmの厚みで形成して本発明に係る反応性有機化合物からなる電子注入輸送層を形成した。
電子注入輸送層上に、陰極としてAgを100nmの厚みで蒸着して陰極を形成した。蒸着条件は、真空度5×10−5Pa、成膜速度2〜3Å/秒とした。
その後、低酸素(酸素濃度1ppm以下)、低湿度(水蒸気濃度1ppm以下)状態のグローブボックス中にてガラスで封止を行った。
トリス(ブチルシクロペンタジエニル)イットリウムを塗布により3nmの厚みで形成して本発明に係る反応性有機化合物からなる電子注入輸送層を形成した以外は、実施例6と同様に有機EL素子を作製した。
ビス(シクロペンタジエニル)マグネシウムを塗布により3nmの厚みで形成して本発明に係る反応性有機化合物からなる電子注入輸送層を形成した以外は、実施例6と同様に有機EL素子を作製した。
ビス(シクロペンタジエニル)ストロンチウムを塗布により3nmの厚みで形成して本発明に係る反応性有機化合物からなる電子注入輸送層を形成した以外は、実施例6と同様に有機EL素子を作製した。
トリス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ユーロピウムを塗布により3nmの厚みで形成して本発明に係る反応性有機化合物からなる電子注入輸送層を形成した以外は、実施例6と同様に有機EL素子を作製した。
トリス(テトラメチルシクロペンタジエニル)コバルトを塗布により3nmの厚みで形成して本発明に係る反応性有機化合物からなる電子注入輸送層を形成した以外は、実施例6と同様に有機EL素子を作製した。
前記反応性有機化合物からなる電子注入輸送層を形成しないで、実施例6と同様にして有機EL素子を作製した。この有機EL素子に電圧10Vを印加した時の電流密度は約50mA/cm2が得られた。また、陽極側から観測した輝度は約1000cd/m2であった。この結果から、前記反応性有機化合物からなる電子注入輸送層が無いことにより、陰極から発光層への電子注入障壁が大きく、電流―電圧特性が低下することが明らかにされた。
実施例6と同様にして電子注入輸送層まで形成した。その後ガリウム:インジウム:スズ(重量比50:25:25)からなる金属を用いて陰極を形成した。この合金は加熱処理により溶融化させてコーティングし、所定の陰極パターンに形成した。
実施例6と同様にして発光層まで形成した。Agペースト中にトリス(ブチルシクロペンタジエニル)イットリウムを重量比(Ag:反応性有機化合物)で97:3となるように分散させ、発光層上にコーティングにより陰極を形成した。
実施例6と同様にして発光層まで形成した。その後ITO微粒子ペースト中にトリス(ブチルシクロペンタジエニル)イットリウムを分散させ、発光層上にコーティングにより反応性有機化合物を含む電荷発生層を形成した。その後再び、正孔注入輸送層(PEDOT−PSS)を80nmと発光層(5BTF8)を80nm形成した。電子注入輸送層としてトリス(ブチルシクロペンタジエニル)イットリウムを3nm形成し、その後、陰極電極としてガリウム:インジウム:スズ(重量比50:25:25)からなる合金を用いてコーティングによりパターン化された陰極を形成した。
2…陽極電極
3…正孔注入輸送層
4…発光層
5…電子注入輸送層
6…陰極電極
20…有機トランジスタ
21…基板
22…ゲート電極
23…絶縁層
24…有機半導体層
25…ソース電極
26…ドレイン電極
27…電荷注入層
31…基板
32…第一電極
33…正孔注入層
34…正孔輸送層
35…電子輸送層
36…電子注入層
37…第二電極
Claims (13)
- 基板上に、対向する2つ以上の電極と、そのうちの2つの電極間に配置された少なくとも1層の有機層とを有する有機電子デバイスであって、少なくとも1つの電極と電荷注入輸送材料を含有する有機層との間に、還元性部位又はプロトン受容性部位を有する反応性有機化合物を含有する層を有し、前記反応性有機化合物が、金属シクロペンタジエン化合物、並びに、Li、Na,K,Rb又はCsのアルカリ金属、或いは、Mg,Ca、Sr,又はBaのアルカリ土類金属を含む金属アミドよりなる群から選択される1種以上であることを特徴とする、有機電子デバイス。
- 基板上に、対向する2つ以上の電極と、そのうちの2つの電極間に配置された少なくとも1層の有機層とを有する有機電子デバイスであって、少なくとも1つの電極及び/又は電極に隣接し電荷注入輸送材料を含有する有機層に、還元性部位又はプロトン受容性部位を有する反応性有機化合物を含有し、前記反応性有機化合物が、金属シクロペンタジエン化合物、並びに、Li、Na,K,Rb又はCsのアルカリ金属、或いは、Mg,Ca、Sr,又はBaのアルカリ土類金属を含む金属アミドよりなる群から選択される1種以上であることを特徴とする、有機電子デバイス。
- 前記電荷注入輸送材料が電子注入輸送材料であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の有機電子デバイス。
- 前記反応性有機化合物の還元性部位又はプロトン受容性部位の電荷が中性になっていることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載の有機電子デバイス。
- 前記反応性有機化合物の還元性部位又はプロトン受容性部位の電子親和力が、電荷注入輸送材料の電子親和力よりも小さいことを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載の有機電子デバイス。
- 前記少なくとも1つの電極が、金属微粒子、金属酸化物微粒子、150℃以下の融点を有する低融点金属及び150℃以下の融点を有する低融点金属を含む合金よりなる群から選択される1種以上の材料からなる湿式成膜からなることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載の有機電子デバイス。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の前記有機電子デバイスが発光材料を含有することを特徴とする、有機発光デバイス。
- 対向する陽極電極と陰極電極との間に、少なくとも1層の発光層を含む発光ユニットを複数個有し、当該発光ユニットが電荷発生層によって仕切られている有機発光デバイスであって、当該電荷発生層及び/又は電荷発生層に隣接し電荷注入輸送材料を含有する有機層に、前記反応性有機化合物を含有していることを特徴とする請求項7に記載の有機発光デバイス。
- 基板上に、対向する2つ以上の電極と、そのうちの2つの電極間に配置された少なくとも1層の有機層とを有する有機電子デバイスの製造方法において、還元性部位又はプロトン受容性部位を有する反応性有機化合物を含有する層を、少なくとも1つの電極と電荷注入輸送材料を含有する有機層との間に形成する工程を有し、前記反応性有機化合物が、金属シクロペンタジエン化合物、並びに、Li、Na,K,Rb又はCsのアルカリ金属、或いは、Mg,Ca、Sr,又はBaのアルカリ土類金属を含む金属アミドよりなる群から選択される1種以上であることを特徴とする、有機電子デバイスの製造方法。
- 基板上に、対向する2つ以上の電極と、そのうちの2つの電極間に配置された少なくとも1層の有機層とを有する有機電子デバイスの製造方法において、還元性部位又はプロトン受容性部位を有する反応性有機化合物を含有する層を、少なくとも1つの電極及び/又は電極に隣接し電荷注入輸送材料を含有する有機層として形成する工程を有し、前記反応性有機化合物が、金属シクロペンタジエン化合物、並びに、Li、Na,K,Rb又はCsのアルカリ金属、或いは、Mg,Ca、Sr,又はBaのアルカリ土類金属を含む金属アミドよりなる群から選択される1種以上であることを特徴とする、有機電子デバイスの製造方法。
- 前記反応性有機化合物を含有する層を、湿式成膜法により形成することを特徴とする、請求項9又は10に記載の有機電子デバイスの製造方法。
- 前記少なくとも1つの電極を、金属微粒子、金属酸化物微粒子、150℃以下の融点を有する低融点金属及び150℃以下の融点を有する低融点金属を含む合金よりなる群から選択される1種以上の材料を用いて、湿式成膜法により形成することを特徴とする、請求項9乃至11のいずれかに記載の有機電子デバイスの製造方法。
- 前記有機電子デバイスが、対向する陽極電極と陰極電極との間に、少なくとも1層の発光層を含む発光ユニットを複数個有し、当該発光ユニットが電荷発生層によって仕切られている有機発光デバイスであって、当該電荷発生層及び/又は電荷発生層に隣接する有機層として、反応性有機化合物を含有する層を形成する工程を有することを特徴とする、請求項9乃至12のいずれかに記載の有機電子デバイスの製造方法。
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