KR20010108834A - 유기전계발광표시소자의 구조 - Google Patents

유기전계발광표시소자의 구조 Download PDF

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KR20010108834A
KR20010108834A KR1020000029774A KR20000029774A KR20010108834A KR 20010108834 A KR20010108834 A KR 20010108834A KR 1020000029774 A KR1020000029774 A KR 1020000029774A KR 20000029774 A KR20000029774 A KR 20000029774A KR 20010108834 A KR20010108834 A KR 20010108834A
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고영욱
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Abstract

본 발명은 유기EL 소자의 구조에 관한 것으로, 저저항 양극전극을 유기 EL 소자에 도입함으로서 패시브 매트릭스에 의한 대면적 유기EL 패널 제작이 가능하게 하고, 전극에 의한 전력의 손실을 적게함으로서 발광의 전기적 효율을 향상시키며, 공급된 전류량의 차이에 의한 발광의 불균일을 감소시킬 수 있다.
본 발명에 의한 유기EL 소자의 구조는, 유리 기판위에 전도성이 다른 금속을 다층으로 적층하여 형성한 버스 전극과, 상기 다층 적층 구조를 갖는 버스 전극이 형성된 기판위에 투명전도물질로 형성된 양극 전극과, 상기 양극 전극위에 형성된 유기층과, 상기 유기층위에 형성된 음극전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

Description

유기전계발광표시소자의 구조{STRUCTURE OF ORGANIC EL DISPLAY}
본 발명은 영상표시장치인 유기전계발광표시소자(Organic EL display ;OELD)의 구조에 관한 것으로, 특히 저저항 양극전극을 유기 EL 소자에 도입시킨 유기EL 소자의 구조에 관한 것이다.
최근에 각광받는 유기 EL 소자는 PDA용 휴대용 단말기의 표시장치, 차량탑재용 표시장치, 게임기의 표시장치등의 휴대가 가능한 소형 디스플레이(display) 및 노트북 피시(Notebook-PC), 컴퓨터 모니터, 벽걸이용 TV등에 중대형 디스플레이로의 응용이 가능하고, 플라스틱과 같은 플렉시블(flexible)한 기판을 이용하여 장식용, 고급 게임기등의 곡면을 요구하는 표시장치로의 응용이 가능하다.
유기EL 소자는 (+) 전압을 인가하여 정공을 공급하여 주는 양극전극과, 양극전극으로 부터 공급된 정공의 주입효율을 향상시키기 위한 정공주입층과, 주입된 정공을 발광층에 전달하기 위한 정공수송층과, 정공수송층으로 부터 공급된 정공과 전자수송층으로 부터 공급된 전자의 재결합에 의하여 빛을 발하는 발광층과, 음극전극으로부터 공급된 전자의 주입효율을 향상시키기 위한 전자주입층과, 주입된 전자를 발광층으로 수송하여 주는 전자수송층과, (-) 전압을 인가하여 전자를 공급하여 주는 음극전극으로 구성되어 진다.
그러면, 첨부된 도 1을 참조하여 종래의 유기 EL 소자의 기본 구조에 대해 설명하기로 한다.
도 1에서, 기판(1) 위에 양극전극(2)을 형성하고, 상기 양극전극(2) 위에 유기층(3)을 형성한다. 이때, 유기층(3)은 발공층을 포함하고 있어야하고 발광 효율을 향상시키기 위하여 전자수송층 및 전자주입층, 정공수송층 및 정공주입층을 포함할 수 있다. 이 유기층위에 전자를 공급하여 주는 음극전극(4)을 형성한다.
이 구조에서, 양극전극(2)에 (+) 전압을 인가하고 음극전극(4)에 (-) 전압을 인가하면 유기층(3)내로 양극전극(2)에서는 정공이 주입되고 음극전극(4)으로 부터는 전자가 주입되어 전자와 재결합에 의하여 빛을 발하게 된다.
이때, 발광된 빛은 기판(1)을 통하여 방출되게 되어 디스플레이로 제작시 기판방향에서 표시된 정보를 볼 수 있다.
상기 구조를 갖는 유기EL 소자의 각 부위의 명칭과 역할은 다음과 같다.
먼저, 기판(1)은 투명 기판으로 양극과 음극 사이에 가해진 전압에 의하여 유기층(3)에서 발광하는 빛을 투과하여 볼 수 있어야 한다.
그리고, 양극전극(2)은 정공(hole)을 공급하여 주는 역할을 하는 것으로, 유기층(3)에서 발광된 빛을 투과할 수 있는 ITO와 같은 투명 전극이 사용된다.
또한, 유기층(3)은 발광층을 포함하고 있고 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 등을 포함하고 있다.
상기 음극전극(4)은 전자를 공급하여 주는 곳으로 전자를 원활하게 공급하여 주기 위하여 일함수가 낮은 금속을 사용하여야 한다.
상기 양극전극(2)에 (+) 전압을 인가하고 음극전극(4)에 (-) 전압을 인가하면 유기층(3) 내로 양극전극(2)에서는 정공이 주입되고 음극전극(4)으로부터는 전자가 주입되어 전자와 재결합에 의하여 빛을 발하게 된다.
이때 발광된 빛은 기판(1)을 통하여 방출되게 되어 디스플레이(display)로 제작시 기판방향에서 표시된 정보를 볼 수 있다.
패시브(passive) 매트릭스 유기EL 디스플레이를 제작하기 위하여는 양극전극으로 투명전도막을 사용하여 컬럼(로우)을 형성하고 음극전극으로 금속을 사용하여 로우(컬럼)를 형성한다.
도 2는 종래의 패시브 매트릭스 유기EL 소자의 구조도이다.
도시된 바와 같이, 유리 기판(11)위에 스트라이프(stripe) 형태의 투명전극(양극)(12)을 형성하고, 그 위에 유기층(13)을 형성한 후 그 위에 양극전극(12)과 직교하는 스트라이프 형태의 금속전극(음극)(14)을 형성하는 방법으로 매트릭스를 구성한 것이다.
도 2와 같은 구조로 패널을 구성하여 대형 디스플레이를 제작할 경우 양극전극으로 사용하는 ITO의 비저항이 약 210 μΩ·cm으로 ITO의 저항에 의한 문제점이 발생한다. 예로, 5″QVGA급의 패시브 매트릭스 유기EL 소자의 양극전극을 ITO로 사용하여 제작할 경우 ITO에 의한 전력의 손실은 약 21% 정도가 되고 발광의 균일도는 약 58% 정도의 차이를 보이게 된다.
또한, ITO에 의한 전력의 손실분은 소자가 동작하는 동안에 열을 발생시키게 되어 발광층과 수송층으로 사용되는 유기물의 열화를 초래함으로써 소자 전체의 수명을 단축하게 된다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 종래의 유기EL 소자는 ITO에 전도성이 우수하여 저항값이 적은 금속을 버스 라인으로 사용하는 양극전극이 시도되고 있다.
도 3A 및 도 3B는 종래의 버스 라인을 사용한 유기EL 소자의 구조를 나타낸 개략도로서, 도 3A는 버스전극(25)을 양극전극(22)이 감싸고 있는 유기EL 소자의구조도이고, 도 3B는 양극전극(32) 상부에 버스전극(35)을 설치하여 버스전극(35)과 발광되는 유기층(33)이 직접 접촉하게 한 유기EL 소자의 구조도이다.
상기 도 3A의 구조에서는 전기전도성이 우수한 알루미늄(Al)을 버스전극(25)으로 사용할 경우에 알루미늄(Al)과 ITO층(22)의 계면에서 Al203와 같은 절연박막이 형성되어 전기전도성을 감소시키게 된다.
그리고, 도 3B의 구조에서는 버스전극(35)에서 유기층(33)으로 공급되는 정공과 ITO층(32)에서 유기층(33)으로 공급되는 정공의 수에 차이가 생기게 되어 동일 화소내에서 발광이 불균일하게 되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 저저항 양극전극을 유기 EL 소자에 도입함으로서 패시브(passive) 매트릭스에 의한 대면적 유기EL 패널 제작이 가능하게 하고, 전극에 의한 전력의 손실을 적게함으로서 발광의 전기적 효율을 향상시키며, 공급된 전류량의 차이에 의한 발광의 불균일을 감소시킨 유기EL 소자의 구조를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기EL 소자의 구조는,
유리 기판위에 전도성이 다른 금속을 다층으로 적층하여 형성한 버스 전극과,
상기 다층 적층 구조를 갖는 버스 전극이 형성된 기판위에 투명전도물질로 형성된 양극 전극과,
상기 양극 전극위에 형성된 유기층과,
상기 유기층위에 형성된 음극전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기전계발광표시소자의 구조에 있어서, 상기 버스 전극은, 상기 유기 기판 위에 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au) 등과 같은 전도성이 뛰어난 제 1 금속층(45)을 형성한 후, 접촉저항이 적은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리텅스텐(MoW), 알리멘델레븀(AlMd), 알리네오디뮴(AlNd) 등과 같은 제 2 금속층(46)을 상기 제 1 금속층(45)위에 증착하여 2층 적층 구조로 형성한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기전계발광표시소자의 구조에 있어서, 상기 버스 전극은, 알루미늄(Al)과 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al)과 텅스텐(W), 알루미늄(Al)과 크롬(Cr), 알루미늄(Al)과 몰리텅스텐(MoW), 알루미늄(Al)과 알리멘델레븀(AlMd), 구리(Cu)와 몰리브덴(Mo), 구리(Cu)와 텅스텐(W), 구리(Cu)와 크롬(Cr), 구리(Cu)와 몰리텅스텐(MoW), 구리(Cu)와 알리네오디뮴(AlNd), 금(Au)과 몰리브덴(Mo), 금(Au)과 텅스텐(W), 금(Au)과 크롬(Cr), 금(Au)과 몰리텅스텐(MoW), 금(Au)과 알리네오디뮴(AlNd) 중 어느 1개를 이용한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기전계발광표시소자의 구조에 있어서, 상기 버스 전극은, 상기 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 구리(Cu), 금(Au), 몰리텡스텐(MoW), 알리네오디뮴(AlNd) 등과 같은 금속을 조합하여 3층으로 적층하여 형성한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기전계발광표시소자의 구조에 있어서, 상기 버스 전극은, 금(Au)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo), 금(Au)/크롬(Cr)/몰리브덴(Mo), 금(Au)/알루미늄(Al)/텅스텐(W), 금(Au)/크롬(Cr)/텅스텐(W) 중 어느 1개를 사용한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기전계발광표시소자의 구조에 있어서, 상기 다층 구조를 갖는 버스 전극의 두께는 10㎚ ∼ 100㎚ 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기전계발광표시소자의 구조에 있어서, 상기 다층 구조를 갖는 버스 전극의 폭은 상기 양극 전극으로 사용한 투명전극 폭의 50%를 초과하지 않는 범위에서 형성한 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 유기전계발광표시소자의 구조는,
유리 기판위에 전도성을 갖는 합금 금속으로 형성한 버스 전극과,
상기 버스 전극이 형성된 기판위에 투명전도물질로 형성된 양극 전극과,
상기 양극 전극위에 형성된 유기층과,
상기 유기층위에 형성된 음극전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기전계발광표시소자의 구조에 있어서, 상기 버스 전극은 몰리텅스텐(MoW), 알리네오디뮴(AlNd), 알리미늄리듐(AlLi), 마그네슘은(MgAg), 마그네슘인듐(MgIn) 등의 합금 금속중 어느 1개를 사용한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기전계발광표시소자의 구조에 있어서, 상기 다층 구조를 갖는 버스 전극의 두께는 10㎚ ∼ 100㎚ 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기전계발광표시소자의 구조에 있어서, 상기 다층 구조를 갖는 버스 전극의 폭은 상기 양극 전극으로 사용한 투명전극 폭의 50%를 초과하지 않는범위에서 형성한 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래의 유기EL 소자의 기본 구조도
도 2는 종래의 패시브 매트릭스 유기EL 소자의 구조도
도 3A 및 도 3B는 종래의 버스 라인을 사용한 유기EL 소자의 구조도로서,
도 3A는 버스 라인을 양극전극이 감싸고 있는 유기EL 소자의 구조도이고,
도 3B는 양극전극 상부에 버스라인을 설치한 유기EL 소자의 구조도이다.
도 4는 본 발명에 의한 유기EL 소자의 구조도
도 5는 본 발명에 의한 다른 유기EL 소자의 구조도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1, 11, 21, 31, 41 : 기판
2, 12, 22, 32, 42, 52 : 양극전극
3, 13, 23, 33, 43, 53 : 유기층
4, 14, 24, 34, 44, 54 : 음극전극
이하, 본 발명의 실시예에 관하여 첨부도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
또, 실시예를 설명하기 위한 모든 도면에서 동일한 기능을 갖는 것은 동일한 부호를 사용하고 그 반복적인 설명은 생략한다.
도 4는 금속박막을 적층하여 버스라인으로 사용한 본 발명의 유기EL 소자의 구조를 나타낸 것이다.
상기 도면을 참조하여 본 발명의 유기EL 소자의 구조에 대해 설명한다.
먼저, 유리 기판(41)위에 2층 적층 구조의 버스전극(45, 46)을 형성한다.
상기 2층 적층 구조의 버스전극(45, 46)은, 먼저 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au) 등과 같은 전도성이 뛰어난 제 1 금속층(45)을 상기 유리 기판(41)위에 형성한 후, 접촉저항이 적은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리텅스텐(MoW), 알리멘델레븀(AlMd), 알리네오디뮴(AlNd) 등과 같은 제 2 금속층(46)을 상기 제 1 금속층(45)위에 증착하여 2층 적층 구조를 형성한다.
예를 들어, 상기 2층 적층 구조의 버스전극(45, 46)은 알루미늄(Al)과 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al)과 텅스텐(W), 알루미늄(Al)과 크롬(Cr), 알루미늄(Al)과 몰리텅스텐(MoW), 알루미늄(Al)과 알리멘델레븀(AlMd), 구리(Cu)와 몰리브덴(Mo), 구리(Cu)와 텅스텐(W), 구리(Cu)와 크롬(Cr), 구리(Cu)와 몰리텅스텐(MoW), 구리(Cu)와 알리네오디뮴(AlNd), 금(Au)과 몰리브덴(Mo), 금(Au)과 텅스텐(W), 금(Au)과 크롬(Cr), 금(Au)과 몰리텅스텐(MoW), 금(Au)과 알리네오디뮴(AlNd) 등이사용된다.
이후, 2층 적층 구조의 버스전극(45)이 형성된 기판 위에 ITO와 같은 투명전극으로 이루어진 양극전극(42)을 형성한다.
그리고, 상기 양극전극(42)위에 발광층을 포함하고 있고 정공 주입층 및 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 등을 포함하는 유기층(43)을 형성한다.
그리고, 상기 유기층(43)위에 전자를 발생하는 음극전극(44)을 형성한다.
한편, 본 발명의 유기EL 소자에 있어서는, 상기 2층 적층 구조의 버스전극(45, 46) 대신에, 3층 적층 구조를 갖는 버스전극을 사용할 수도 있다.
즉, 상기 3층 적층 구조의 버스전극은, 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 구리(Cu), 금(Au), 몰리텡스텐(MoW), 알리네오디뮴(AlNd) 등과 같은 금속을 조합하여 3층으로 적층하여 만들 수 있다. 예를 들어, 금(Au)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo), 금(Au)/크롬(Cr)/몰리브덴(Mo), 금(Au)/알루미늄(Al)/텅스텐(W), 금(Au)/크롬(Cr)/텅스텐(W) 등이 사용된다.
이때, 2층 또는 3층으로 적층된 상기 버스전극의 두께는 10㎚ 이상으로 하고, 100㎚ 이하로 두께를 조절하여 만든다.
그리고, 2층 또는 3층으로 적층된 상기 버스전극의 폭은 양극전극으로 사용한 투명전극 폭의 50%를 초과하지 않는 범위에서 형성하여 제작한다.
도 5는 합금금속을 버스라인으로 사용한 본 발명의 다른 유기EL 소자의 구조를 나타낸 것이다.
상기 도면을 참조하여 본 발명의 유기EL 소자의 구조에 대해 설명한다.
먼저, 유리 기판(51)위에 전도성이 우수한 합금 금속의 버스전극(55)을 형성한다. 이때, 합금 금속으로는 몰리텅스텐(MoW), 알리네오디뮴(AlNd), 알리미늄리듐(AlLi), 마그네슘은(MgAg), 마그네슘인듐(MgIn) 등이 사용된다.
이후, 상기 합금 금속의 버스전극(55)이 형성된 기판(51) 위에 ITO와 같은 투명전극으로 이루어진 양극전극(52)을 형성한다.
그리고, 상기 양극전극(52)위에 발광층을 포함하고 있고 정공 주입층 및 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 등을 포함하는 유기층(53)을 형성한다.
그리고, 상기 유기층(53)위에 전자를 발생하는 음극전극(54)을 형성한다.
이때, 상기 버스전극의 두께는 10㎚ 이상으로 하고, 100㎚ 이하로 두께를 조절하여 만든다.
그리고, 상기 버스전극의 폭은 양극전극으로 사용한 투명전극 폭의 50%를 초과하지 않는 범위에서 형성하여 제작한다.
그러면, 본 발명의 유기EL 소자의 구조에 따른 동작 원리에 대해 설명한다.
일반적으로, 금속과 금속이 접촉할 경우 두 금속 사이에는 접촉저항이 발생하게 된다. 접촉저항은 기본적으로는 두 금속사이의 일 함수(work function) 차이에 의하여 발생하게 되나, 특별한 경우에는 두 금속 사이의 화학적 결합에 의하여 새로운 물질을 형성하게 되어 새로운 배리어(barrier)를 형성하는 경우도 있다.
ITO의 일 함수는 약 4.9 eV로 일 함수의 차이에 의한 접촉저항의 차이가 발생하게 되고, 이 경우는 알루미늄(Al)위에 ITO가 위치하게 됨으로서, 알루미늄(Al)의 표면부위에 Al203의 절연박막이 형성될 수 있어 알루미늄(Al)과ITO 사이의 접촉저항이 큰 값을 가지게 되어 저저항 양극전극을 형성하는데 방해가 될 수 있다.
따라서, 전도성이 우수한 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등을 메인 버스로 사용하고 그 위에 ITO와의 일 함수 차이를 줄이고 배리어로 작용할 수 있는 화합물을 형성하지 않는 물질을 버퍼층으로 사용하므로써, 저저항 양극전극을 형성하였다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 유기EL 소자의 저저항 양극전극을 형성하기 위하여, 투명전도막 하부에 버스 라인을 형성하고, 버스 라인으로 전도성이 우수한 금속을 2층 또는 3층 구조로 적층하여 버스 라인과 양극전극 사이의 접촉성을 향상시킴으로써 전력의 손실을 감소시킬 수 있다.
또한, 전도성이 우수하고 일 함수의 차이가 적으며 배리어 화합물을 형성하지 않은 합금 금속을 버스 라인으로 하는 양극 전극을 형성하므로써(도 5의 경우), 양극전극에 의한 전력의 손실과 발광의 차이를 줄였다.
도 5에 도시된 바와 같이, 유기EL 소자의 저저항 양극전극을 형성하기 위하여 투명전도막 하부에 버스 라인을 형성하고 버스 라인으로 전도성이 우수한 합금 금속을 사용하여 버스 라인과 양극전극 사이의 접촉성을 향상시켜 전력의 손실을 감소시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 유기EL 소자의 구조에 의하면, 유기EL 소자의 제작에 있어서, 버스 라인을 사용한 양극전극을 사용한 경우 외부에서 공급된 전원의 손실을 적게함으로서 양극전극 라인에서의 발열을 억제할 수있다. 전극에 의한 발열현상은 소자의 열화를 초래할 수 있으나 전극에서의 발열을 억제함으로서 전극에 의한 소자의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 유기EL 소자의 발광휘도는 전류에 비례하여 증가하거나 감소하게 된다. 따라서 인가된 전류가 전극 라인에 의하여 손실된 경우 발광의 휘도는 차이를 보이게 되어 외부 전원이 인가되는 패드(또는 리드) 라인 근처에서는 밝은 휘도를 나타내게 되고, 패드(또는 리드) 라인에서 멀리 떨어진 부분의 화소는 어두운 발광휘도를 가지게 된다. 따라서 동일 패널에 동일한 전압과 전류를 인가할 경우에 부분적으로 다른 발광휘도를 가지게 되나 저저항의 금속을 버스 라인으로 사용함으로서 발광휘도의 차이를 줄일 수 있다.
데이타 라인의 경우는 저항에 비례하여 신호 전송에 지연이 발생하게 된다. 따라서, 데이타 라인의 저항 감소에 의하여 빠른 시간내에 신호의 전송이 가능하게 되어 화면의 떨림현상을 줄일 수 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 유기전계발광표시소자의 구조에 있어서,
    유리 기판위에 전도성이 다른 금속을 다층으로 적층하여 형성한 버스 전극과,
    상기 다층 적층 구조를 갖는 버스 전극이 형성된 기판위에 투명전도물질로 형성된 양극 전극과,
    상기 양극 전극위에 형성된 유기층과,
    상기 유기층위에 형성된 음극전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 구조.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 버스 전극은,
    상기 유기 기판 위에 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au) 등과 같은 전도성이 뛰어난 제 1 금속층(45)을 형성한 후,
    접촉저항이 적은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리텅스텐(MoW), 알리멘델레븀(AlMd), 알리네오디뮴(AlNd) 등과 같은 제 2 금속층(46)을 상기 제 1 금속층(45)위에 증착하여 2층 적층 구조로 형성한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 구조.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 버스 전극은,
    알루미늄(Al)과 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al)과 텅스텐(W), 알루미늄(Al)과 크롬(Cr), 알루미늄(Al)과 몰리텅스텐(MoW), 알루미늄(Al)과 알리멘델레븀(AlMd), 구리(Cu)와 몰리브덴(Mo), 구리(Cu)와 텅스텐(W), 구리(Cu)와 크롬(Cr), 구리(Cu)와 몰리텅스텐(MoW), 구리(Cu)와 알리네오디뮴(AlNd), 금(Au)과 몰리브덴(Mo), 금(Au)과 텅스텐(W), 금(Au)과 크롬(Cr), 금(Au)과 몰리텅스텐(MoW), 금(Au)과 알리네오디뮴(AlNd) 중 어느 1개를 이용한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 구조.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 버스 전극은,
    상기 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 구리(Cu), 금(Au), 몰리텡스텐(MoW), 알리네오디뮴(AlNd) 등과 같은 금속을 조합하여 3층으로 적층하여 형성한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 구조.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 버스 전극은,
    금(Au)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo), 금(Au)/크롬(Cr)/몰리브덴(Mo),
    금(Au)/알루미늄(Al)/텅스텐(W), 금(Au)/크롬(Cr)/텅스텐(W) 중 어느 1개를 사용한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 구조.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 다층 구조를 갖는 버스 전극의 두께는 10㎚ ∼ 100㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 구조.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 다층 구조를 갖는 버스 전극의 폭은 상기 양극 전극으로 사용한 투명전극 폭의 50%를 초과하지 않는 범위에서 형성한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 구조.
  8. 유기전계발광표시소자의 구조에 있어서,
    유리 기판위에 전도성을 갖는 합금 금속으로 형성한 버스 전극과,
    상기 버스 전극이 형성된 기판위에 투명전도물질로 형성된 양극 전극과,
    상기 양극 전극위에 형성된 유기층과,
    상기 유기층위에 형성된 음극전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 구조.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 버스 전극은 몰리텅스텐(MoW), 알리네오디뮴(AlNd), 알리미늄리듐(AlLi), 마그네슘은(MgAg), 마그네슘인듐(MgIn) 등의 합금 금속중 어느 1개를 사용한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 구조.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 다층 구조를 갖는 버스 전극의 두께는 10㎚ ∼ 100㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 구조.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 다층 구조를 갖는 버스 전극의 폭은 상기 양극 전극으로 사용한 투명전극 폭의 50%를 초과하지 않는 범위에서 형성한 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시소자의 구조.
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