JP3651801B2 - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3651801B2 JP3651801B2 JP2003188158A JP2003188158A JP3651801B2 JP 3651801 B2 JP3651801 B2 JP 3651801B2 JP 2003188158 A JP2003188158 A JP 2003188158A JP 2003188158 A JP2003188158 A JP 2003188158A JP 3651801 B2 JP3651801 B2 JP 3651801B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting layer
- inorganic compound
- luminance
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 33
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 33
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 14
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- QEDFUJZRPHEBFG-UHFFFAOYSA-K europium(3+);tribromide Chemical compound Br[Eu](Br)Br QEDFUJZRPHEBFG-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 11
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 82
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 27
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 20
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 15
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 6
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 6
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- WFUBYPSJBBQSOU-UHFFFAOYSA-M rubidium iodide Chemical compound [Rb+].[I-] WFUBYPSJBBQSOU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Substances [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 triazole derivatives Chemical class 0.000 description 5
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJVPGMOCWCUQHP-UHFFFAOYSA-L europium(2+);dibromide Chemical compound Br[Eu]Br PJVPGMOCWCUQHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001514 alkali metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/7732—Halogenides
- C09K11/7733—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新規な電荷注入型の電界発光素子に関するものである。
更に詳しくは、発光層として燐光材料を用いる以外に、内部量子効率を高めて発光効率を改善することが期待できる新規な電荷注入型の電界発光素子に関する。
また色純度の良好な、特にフルカラーディスプレイ用の青色に適した電界発光素子に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来、薄膜型の電界発光素子としては、発光層に無機化合物を用いる無機電界発光素子が主流であった。
無機電界発光素子は、無機化合物を絶縁層で挟み、交流電圧を印加して駆動させる方式を採っており、高電界で加速された高速の電子が衝突して発光中心を励起する真性な電界発光素子である。無機電界発光素子はその耐久性の高さから、カーオーディオやＦＡ(Factory Automation)機器のディスプレイ等で実用化されている。
【０００３】
しかしながら、従来の無機電界発光素子では、その駆動に交流電源と200Ｖもの高電圧が必要で、フルカラー化も困難であり、また輝度も不十分である等の問題点を有している。
【０００４】
一方、１９８７年にイーストマン・コダック（Eastman Kodak)社のタン氏（C.W.Tang）らは、陽極と陰極との間に有機薄膜を積層した有機電界発光素子を発表し、低電圧駆動で高輝度の発光を実現した（非特許文献１参照）。
【０００５】
【非特許文献１】
C.W.Tang 他, 「Applied Physics Letters」,1987, 第51巻, p.913
【０００６】
この素子は電荷注入型とも称され、その発光機構は、陽極から注入される正孔（ホール）と陰極から注入される電子が再結合して励起状態の分子（以下、励起子という）を形成し、その励起子が基底状態にもどる際にエネルギーを放出し発光するものと言われている。
【０００７】
このタン氏（C.W.Tang）らの発表以来、有機電界発光素子について、ＲＧＢの三原色の発光、輝度向上、安定性、積層構造、作製方法等の研究が盛んに行われている。現在では、携帯電話やカーオーディオ用のディスプレイとして一部実用化が始まっており、液晶ディスプレイに代わる次世代のフラット・ディスプレイとして有望視されている。
【０００８】
ところで、有機電界発光素子においてみられる発光は、上記したように励起子が基底状態にもどる際の発光現象である。そして、有機化合物が形成する励起子の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態がある。また、理論的（統計的）に、有機電界発光素子における一重項励起状態と三重項励起状態の励起子の生成比は、１：３であることが分かっている。
【０００９】
更に有機化合物の基底状態は、通常、一重項基底状態である。また、一重項励起状態→一重項基底状態の遷移はスピン許容遷移（スピンの向きが逆向き）であるが、三重項励起状態→一重項基底状態への遷移は、強度のスピン禁制遷移（スピンの向きが同じ）である。
【００１０】
以上のようなことから、三重項励起状態の励起子が一重項基底状態へもどろうとしても、既に同じ向きにスピンしている電子が基底状態に存在しているため、三重項励起状態にある励起子は、励起状態に長く留まってエネルギーを熱として放出しまい、結果的に発光に関与できない。
【００１１】
このため一般的な有機化合物は、通常、一重項励起状態からの発光（蛍光）のみが観測され、三重項励起状態からの発光（燐光）は観測されない。しかも上記したように、一重項励起状態と三重項励起状態の励起子の生成比が１：３であることから、有機電界発光素子における発光の内部量子効率は２５％が上限とされている。つまり、１００個の電子を正孔と再結合させてエネルギー励起を生じさせても、理論的には、１００個の電子から２５個の光子しか作り出すことができないことになり、極めて生産性が低い。
【００１２】
そこで近年、内部量子効率を高めるため、三重項励起状態の励起子を利用して発光（燐光）する有機化合物が開発され始めている。
【００１３】
一方、テレビジョンやコンピューター等のフラット・ディスプレイを実用化させるためには、上記した発光効率の改善と共に、フルカラー化が必要不可欠である。特にフルカラーディスプレイ用の青色としては、その色度が緑側にシフトしているため、色純度の良好な青色発光層の開発が望まれている。
【００１４】
この色純度の課題を解決するため、例えば発光層としてジスチリルアリーレン誘導体を使用し、この発光層に蛍光性のドーパント（アミン誘導体であるＤＳＡアミン）を導入したものが開発されており、CIE1931色度座標（0.15,0.16）の青色発光が得られたことが報告されている（非特許文献２参照）。
【００１５】
【非特許文献２】
細川地潮，楠本正, (監修 城戸淳二)「有機ＥＬ材料とディスプレイ」,2001, p.321
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、電荷注入型の電界発光素子において、内部量子効率を高めて発光効率を改善するため、三重項励起状態の励起子を利用して発光（燐光）する有機化合物が開発され始めている。
【００１７】
しかしながら、室温で安定に燐光を発する材料は蛍光材料と比べると非常に少なく、材料選択の自由度が狭いというのが現状である。このため、発光層として燐光材料を用いる以外に、内部量子効率を高めて発光効率の改善が期待できる新規な電荷注入型の電界発光素子の開発が望まれる。
【００１８】
また上記したように、色純度の良好な青色発光層として、IE1931色度座標（0.15,0.16）を実現したものが報告されているが、更に色純度の高い青色発光材料が実現されると、カラーフィルタを使用する必要も無くなり、より高品質のディスプレイが実現可能である。
【００１９】
そこで本発明者らは、発光層として燐光材料を用いる以外に内部量子効率を高める有効な手段がないかという発想のもと鋭意研究開発に努めた結果、発光層を無機化合物のみで形成した新規な電荷注入型の電界発光素子を完成した。
【００２０】
つまり、従来の有機電界発光素子の内部量子効率２５％が一重項励起状態と三重項励起状態の励起子の生成比（１：３）に起因していることから、この励起子の生成比に影響されない無機化合物を発光層に用いれば、内部量子効率を向上させて発光効率を上げることが期待できる。
【００２１】
しかも、無機化合物で発光層を形成するようにすれば、従来から積み重ねられてきた無機電界発光素子の有用な研究結果（どの無機化合物を発光層に使用すればどのような発光特性が得られるか等）を参考にすることができ、発光材料の選択の自由度が広くなる。
【００２２】
（本発明の目的）
本発明の目的は、発光層として燐光材料を用いる以外に、内部量子効率を高めて発光効率を改善することが期待できる新規な電荷注入型の電界発光素子を提供することである。
【００２３】
本発明の他の目的は、色純度の良好な、特にフルカラーディスプレイ用の青色に適した電界発光素子を提供することである。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
即ち、上記目的を達成するために講じた本発明の手段は次のとおりである。
第１の発明にあっては、
陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子との再結合により発光する電荷注入型の電界発光素子であって、
有機化合物で形成された正孔輸送層と電子輸送層の間に、無機化合物のみで形成された発光層を備えており、該無機化合物は臭化ユーロピウム（ II ）とヨウ化セシウムを組み合わせたものであり、ヨウ化セシウムに対する臭化ユーロピウム（ II ）のドープ濃度は 0.01 〜 40 重量％であり、発光層の厚さは 5nm 以下であることを特徴とする、
電界発光素子である。
【００３１】
【発明の実施の形態】
本発明に係る電界発光素子は、例えば次のような素子構成によって形成される。
▲１▼ 基板、陽極（透明電極）、無機化合物のみで形成された発光層、陰極（背面電極）を順次積層したもの、
▲２▼ 基板、陽極、無機化合物のみで形成された発光層、単層又は複数層の電子輸送性を有する有機物層、陰極を順次積層したもの、
▲３▼ 基板、陽極、単層又は複数層の正孔輸送性を有する有機物層、無機化合物のみで形成された発光層、陰極を順次積層したもの、
▲４▼ 基板、陽極、単層又は複数層の正孔輸送性を有する有機物層、無機化合物のみで形成された発光層、単層又は複数層の電子輸送性を有する有機物層、陰極を順次積層したもの等である。
また、ホールブロック層（正孔阻止層）や電子注入層を有するものを使用することもできる。
【００３２】
基板としては、ガラス、プラスチック、金属薄膜等を挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００３３】
陽極（透明電極）としては、インジウム錫オキシド（ＩＴＯ）、酸化チタン、酸化錫等を、真空蒸着法、スパッタリング法、ゾルゲル法により薄膜に形成したもの等を挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００３４】
正孔輸送性を有する有機物層としては、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、フェニレンジアミン誘導体（例えばN,N'-ビス(3-メチルフェニル)-N,N'-ビス(フェニル)-ベンジジン（ＴＰＤ等）、トリフェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体、フェニルスチレン誘導体等を挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００３５】
電子輸送性を有する有機物層としては、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、アルミキノリノール錯体等を挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００３６】
正孔輸送性を有する有機物層及び電子輸送性を有する有機物層は、真空蒸着法やスピンコート法等により形成することができる。
【００３７】
陰極（背面電極）としては、リチウム、アルミニウム、マグネシウム、銀等を挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００３８】
無機化合物のみで形成された発光層は、例えば真空蒸着法やスピンコート法等により形成することができるが、これらに限定するものではない。
なお、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの観点から、真空蒸着法が好ましい。
【００３９】
また無機化合物としては、発光性の金属化合物と、該金属化合物を固溶することができる無機化合物を組み合わせたものが好ましい。
発光性の金属化合物を固溶させることにより、発光に関わる金属イオン間の距離を離して濃度消光を抑制することができ、結果的に電界発光素子の発光効率を上げることができる。
【００４０】
無機化合物としては、有機層を熱で傷めないように、比較的低温度で蒸着することができる金属ハロゲン化物が好ましい。
【００４１】
無機化合物としては、以下で説明する希土類元素のハロゲン化物と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物の他、マンガン、銅、アンチモン、白金、銀、金、水銀、モリブデン、タングステン、イリジウム、ルテニウム、コバルト等を用いた発光性の金属化合物を挙げることができる。
なお、無機化合物は、単独で、または二種類以上組み合わせて発光層とすることができる。
【００４２】
ハロゲン化物としては、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物等を挙げることができる。
更に具体的には、金属ハロゲン化物として、例えば希土類元素のハロゲン化物と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物を組み合わせたものを挙げることができる。
【００４３】
希土類元素としては、セリウム, プラセオジム，ネオジム，サマリウム，ユーロピウム，ガドリニウム，テルビウム，ジスプロシウム，ホルミウム，エルビウム，ツリウム，イッテルビウム等を挙げることができる。
アルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等を挙げることができる。
アルカリ土類金属としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等を挙げることができる。
なお、アルカリ金属のハロゲン化物またはアルカリ土類金属のハロゲン化物は、単独で、または二種類以上組み合わせて発光層を形成することができる。
【００４４】
例えば無機化合物として二価のユーロピウムを有する金属化合物を用いた場合、Ｅｕ２＋の発光は、発光遷移である最低励起状態(4f)６(5d)１→基底状態(4f)７のユーロピウムイオンの内殻遷移に由来している。Ｅｕ２＋の(4f)７準位（基底状態）はスピン８重項であり、Ｅｕ２＋の(4f)６(5d)１準位（最低励起状態）はスピン８重項と６重項が混在する。このそれぞれの励起状態からの発光において、８重項励起状態→８重項基底状態への遷移はスピン許容遷移であり、６重項励起状態→８重項基底状態への遷移はスピン禁制遷移である。しかも、有機電界発光素子の発光層とは異なり、Ｅｕ２＋はスピン許容遷移及びスピン禁制遷移の両方から発光すると言われている。
【００４５】
したがって、このＥｕ２＋ を電荷注入型の電界発光素子の発光層として利用すれば、通常、内部量子効率２５％が上限とされている有機電界発光素子と比較して、その４倍の内部量子効率１００％の発光効率が期待できる。
【００４６】
本明細書にいう「スピン許容遷移またはスピン禁制遷移」には、スピン許容遷移またはスピン禁制遷移のいずれか一方を含む場合もあるし、あるいはスピン許容遷移及びスピン禁制遷移の両方を含む場合もある。
【００４７】
また無機化合物として例えばセリウムを有する金属化合物を用いた場合、セリウムイオンの励起状態は(5d)1準位、基底状態は(4f)1準位で共にスピン二重項しか存在せず、励起状態と基底状態間の遷移はスピン許容遷移のみであると言われているため、Ｅｕ２＋と同様、内部量子効率１００％の発光効率が期待できる。
【００４８】
更に無機化合物の中には、一重項励起状態から項間交差した三重項励起状態の励起子が１００％発光に関与するようなものも存在する。このように、その発光経路の種類は有機化合物よりも多岐に亘っているため、発光層に好適な無機化合物を選択すれば、内部量子効率がより高い素子の作製が期待できる。
【００４９】
無機化合物としてＥｕＢｒ２とＣｓＩを組み合わせたものを用いた場合、ＣｓＩに対するＥｕＢｒ２ドープ濃度は好ましくは0.01〜40重量％であり、更に好ましくは0.1から10重量％である。0.01重量％未満では、発光センター密度が低く、キャリアが正孔輸送層または電子輸送層で発光する可能性が高いため好ましくなく、40重量％を越えると濃度消光が強くなり、著しく輝度が低下する可能性が高いので好ましくない。
【００５０】
無機化合物として希土類元素の塩化物とアルカリ金属の塩化物を組み合わせたものを用いた場合、発光層の厚さは好ましくは0.1〜20nmであり、更に好ましくは0.3〜10nmである。発光層の厚さが0.1nm未満では、キャリアが正孔輸送層から電子輸送層へまたは逆の電子輸送層から正孔輸送層へ抜けて、発光層以外で再結合してしまう可能性があるため好ましくなく、20nmを越えると抵抗値が上がり電流が流れにくくなる可能性が高いので好ましくない。
【００５１】
また無機化合物として臭化ユーロピウム（II）とヨウ化セシウムを組み合わせたものを用いた場合、発光層の厚さは5nm以下が好ましい。5nmを越えると、駆動電圧が高くなくなると共に輝度が低下し、更に素子が損傷を受けやすくなるので好ましくない。
【００５２】
無機化合物として臭化ユーロピウム（II）とヨウ化セシウムを組み合わせたものを用いた場合、CIE1931色度座標でx≦0.16、y≦0.15の高純度の青色発光を得ることができる。即ち、非特許文献２に記載された発光素子の色度座標(0.15,0.16)と同等か、あるいはそれを上回る高い色純度の青色発光素子を得ることができる。
【００５３】
ホールブロック層としては、例えばバソクプロイン(ＢＣＰ)、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、オキサジアゾール誘導体を挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００５４】
電子注入層としては、例えばフッ化リチウムやフッ化マグネシウムなどを挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００５５】
【実施例】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５６】
［実施例１］
図１は本発明の実施例１に係る電界発光素子の素子構成を示す説明図である。
【００５７】
希土類元素のハロゲン化物であるＥｕＢｒ２（臭化ユーロピウム（II））と、アルカリ金属のハロゲン化物であるＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を共蒸着して発光層５を成膜することにより、図１に示す電界発光素子１を作製した。
【００５８】
素子構成の詳細は、以下の通りである。
透明電極２（ITO） / ホール輸送層４（TPD）/発光層５（CsI+EuBr2 ） / ホールブロック層６（BCP） / 電子輸送層７ (Alq 3 ) / 陰極 ８(LiF/Al)
【００５９】
即ち、ＩＴＯで構成される透明電極２（100nm）付きのガラス基板３上に、ＴＰＤ（N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-N,N'-ビス(フェニル)-ベンジジン）を真空蒸着法によって蒸着し、ホール輸送層４を形成した。真空度は2.0×10-4Paであり（実施例２以降も同じ）、ホール輸送層４の膜厚は55nmである。
【００６０】
その上に、発光層５として、ＥｕＢｒ２とＣｓＩを共蒸着して成膜した。ＥｕＢｒ２はＣｓＩに対して１重量％とし、発光層５の膜厚は2nmとした。蒸着速度は、ＣｓＩが0.2ng/cm2・sec、臭化ユーロピウムが0.002ng/cm2・secとした。
【００６１】
更にその上に、ＢＣＰ（バクソプロイン）を用いて蒸着を行い、厚さ25nmのホールブロック層６を形成し、更に、Alq 3 （トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム）を用いて蒸着を行い、膜厚35nmの電子輸送層７を形成した。
【００６２】
更に電子輸送層７の上に、陰極としてLiF-Al電極を100.7nm（LiF 0.7nm、Al100nm）蒸着し、陰極８を得た。図１で符号９は電極を示している。
【００６３】
［実施例２〜４］
アルカリ金属のハロゲン化物として、ＲｂＩ（ヨウ化ルビジウム）、ＫＩ（ヨウ化カリウム）、ＣｓＢｒ（臭化セシウム）をそれぞれ用いる以外は、上記した実施例１と同様に発光層を成膜して電界発光素子を作製した。ＲｂＩを用いたものを実施例２、ＫＩを用いたものを実施例３、ＣｓＢｒ（臭化セシウム）を用いたものを実施例４とした。
【００６４】
（実施例１〜４の発光スペクトルの測定）
実施例１〜４に係る電界発光素子の発光スペクトルを図２に示す。
なお、発光スペクトルは、マルチチャンネル検出器（浜松ホトニクス PMA-11）で測定した。
【００６５】
図２に示すように、各実施例において、Ｅｕ２＋の最低励起状態(4f)６(5d)１→基底状態(4f)７に由来する発光が観測された。
【００６６】
また、アルカリ金属のハロゲン化物（ホスト材料）としてＣｓＩを用いた実施例１では、青色を示す波長域である発光ピーク466nm、半値幅67nmのシャープな発光ピークが得られ、CIE1931色度座標（0.15,0.11）が得られた。これは、非特許文献２記載で報告されている青色発光材料のCIE1931色度座標（0.15,0.16）を上回る高純度の青色発光である。
【００６７】
ＣｓＩを用いた場合に高い色純度が実現できた理由は明らかではないが、ＣｓＩの陽イオン(Ｃｓ+)と陰イオン(Ｉ-)が共に大きなイオン半径を持つため、ＣｓＩ結晶の６配位空間にＥｕＢｒ２が固溶されて、Ｅｕ２＋の周囲の歪みが少なくなったためであると推察される。
【００６８】
（実施例１の発光輝度の測定）
実施例１に係る電界発光素子に電圧13Ｖを印加し、その発光輝度を輝度計（ミノルタ LS-110）で測定したところ、その輝度は25cd/m2であった。図３にその輝度−電流の関係を示す特性図を示す。
【００６９】
［実施例５］
ＣｓＩに対するＥｕＢｒ２のドープ濃度を変えて発光層を成膜し、その素子の発光スペクトル及び発光輝度を測定した。
詳しくは、ＥｕＢｒ２のドープ濃度をＣｓＩに対して5重量％とした以外は、上記した実施例１と同様に電界発光素子を作製し、これを実施例５とした。
【００７０】
（発光スペクトルについて）
実施例５に係る電界発光素子の発光スペクトルを、実施例１と共に図４に示す。実施例５では、ＥｕＢｒ２のドープ濃度を実施例１の５倍である5重量％としてもその発光スペクトルはほぼ同じであり、CIE1931色度座標（0.16,0.10）が得られた。
【００７１】
（発光輝度について）
実施例５に係る電界発光素子に電圧15Ｖを印加し、その発光輝度を輝度計（ミノルタ LS-110）で測定したところ、その輝度は15cd/m2であった。図５にその輝度−電流の関係を示す特性図を示す。なお、図５には、実施例１（ＥｕＢｒ２のドープ濃度がＣｓＩに対して１重量％）に係る電界発光素子の輝度−電流の関係についても併せて示している。
【００７２】
図５に示すように、ＥｕＢｒ２のドープ濃度を５倍にした実施例５（5重量％）よりも、実施例１（1重量％）の方が電流当たりの輝度が約２．５倍と高い。よって、ＥｕＢｒ２のドープ濃度は1重量％程度が良いと考えられる。
【００７３】
［実施例６］
発光層の膜厚を変えて発光層を成膜し、その素子の発光スペクトル及び発光輝度を測定した。
詳しくは、発光層の膜厚を5nmにした以外は、上記した実施例１と同様に電界発光素子を作製し、これを実施例６とした。
【００７４】
（発光スペクトルついて）
実施例６に係る電界発光素子の発光スペクトルを、実施例１と共に図６に示す。図６に示すように、発光層の膜厚を5nmにした実施例６では、その裾の発光が減少し、CIE1931色度座標（0.16,0.09）の高純度の青色発光が得られた。これは、発光層を厚くしたことにより、結晶が成長し、欠陥が減少したためと考えられる。
【００７５】
（発光輝度について）
実施例６に係る電界発光素子に電圧15Ｖを印加し、その発光輝度を輝度計（ミノルタ LS-110）で測定したところ、その輝度は5.5cd/m2であった。図７にその輝度−電流の関係を示す。なお、図７には実施例１に係る電界発光素子（膜厚を2nm）の輝度−電流の関係についても併せて示している。
更に図８に、実施例１及び実施例６に係る電界発光素子の輝度−電圧の関係を示す特性図を示す。
【００７６】
図７に示すように、発光層を5nmまで厚くした実施例６では、電流当たりの輝度が低下した。最高輝度についても実施例６では5cd/m2程度であった。この原因としては、発光層を厚くしたことにより、駆動電圧が上がってしまったことに起因すると考えられる。
【００７７】
なお、本明細書で使用している用語と表現はあくまで説明上のものであって、限定的なものではなく、上記用語、表現と等価の用語、表現を除外するものではない。
【００７８】
【発明の効果】
本発明の効果は次の通りである。
（ａ）本発明によれば、有機化合物を発光層として用いた有機電界発光素子と相違して、有機化合物で形成された正孔輸送層と電子輸送層の間に、無機化合物のみで形成された発光層を用いることにより、内部量子効率の上限が２５％とされる限界値の影響を受けない新規な電荷注入型の電界発光素子を形成することができる。これにより、内部量子効率を向上させることで、発光効率の改善が期待できる新規な電荷注入型の電界発光素子を得ることができる。
【００７９】
（ｂ）無機化合物として、発光性の金属化合物と、該金属化合物を固溶できる無機化合物を組み合わせたものを用いたものでは、発光に関わる金属イオン間の距離を離して濃度消光を抑制することができ、結果的に電界発光素子の発光効率を上げることができる。
【００８０】
（ｃ）無機化合物として金属ハロゲン化物を用いたものでは、発光層を比較的低温度で蒸着できるので、有機層を熱で傷めにくいという利点がある。
【００８１】
（ｄ）無機化合物として臭化ユーロピウム（II）とヨウ化セシウムを組み合わせたものを用いたものでは、非特許文献２に記載された発光素子の色度座標（0.15,0.16）を上回る高い色純度の青色発光素子を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例１に係る電界発光素子の素子構成を示す説明図。
【図２】 実施例１〜４に係る電界発光素子の発光スペクトルの特性図。
【図３】 実施例１に係る電界発光素子の輝度−電流の関係を示す特性図。
【図４】 実施例１及び実施例５に係る電界発光素子の発光スペクトルの特性図。
【図５】 実施例１及び実施例５に係る電界発光素子の輝度−電流の関係を示す特性図。
【図６】 実施例１及び実施例６に係る電界発光素子の発光スペクトルの特性図。
【図７】 実施例１及び実施例６に係る電界発光素子の輝度−電流の関係を示す特性図。
【図８】 実施例１及び実施例６に係る電界発光素子の輝度−電圧の関係を示す特性図。
【符号の説明】
１ 電界発光素子
２ 透明電極
３ ガラス基板
４ ホール輸送層
５ 発光層
６ ホールブロック層
７ 電子輸送層
８ 陰極
９ 電極
【発明の属する技術分野】
本発明は新規な電荷注入型の電界発光素子に関するものである。
更に詳しくは、発光層として燐光材料を用いる以外に、内部量子効率を高めて発光効率を改善することが期待できる新規な電荷注入型の電界発光素子に関する。
また色純度の良好な、特にフルカラーディスプレイ用の青色に適した電界発光素子に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来、薄膜型の電界発光素子としては、発光層に無機化合物を用いる無機電界発光素子が主流であった。
無機電界発光素子は、無機化合物を絶縁層で挟み、交流電圧を印加して駆動させる方式を採っており、高電界で加速された高速の電子が衝突して発光中心を励起する真性な電界発光素子である。無機電界発光素子はその耐久性の高さから、カーオーディオやＦＡ(Factory Automation)機器のディスプレイ等で実用化されている。
【０００３】
しかしながら、従来の無機電界発光素子では、その駆動に交流電源と200Ｖもの高電圧が必要で、フルカラー化も困難であり、また輝度も不十分である等の問題点を有している。
【０００４】
一方、１９８７年にイーストマン・コダック（Eastman Kodak)社のタン氏（C.W.Tang）らは、陽極と陰極との間に有機薄膜を積層した有機電界発光素子を発表し、低電圧駆動で高輝度の発光を実現した（非特許文献１参照）。
【０００５】
【非特許文献１】
C.W.Tang 他, 「Applied Physics Letters」,1987, 第51巻, p.913
【０００６】
この素子は電荷注入型とも称され、その発光機構は、陽極から注入される正孔（ホール）と陰極から注入される電子が再結合して励起状態の分子（以下、励起子という）を形成し、その励起子が基底状態にもどる際にエネルギーを放出し発光するものと言われている。
【０００７】
このタン氏（C.W.Tang）らの発表以来、有機電界発光素子について、ＲＧＢの三原色の発光、輝度向上、安定性、積層構造、作製方法等の研究が盛んに行われている。現在では、携帯電話やカーオーディオ用のディスプレイとして一部実用化が始まっており、液晶ディスプレイに代わる次世代のフラット・ディスプレイとして有望視されている。
【０００８】
ところで、有機電界発光素子においてみられる発光は、上記したように励起子が基底状態にもどる際の発光現象である。そして、有機化合物が形成する励起子の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態がある。また、理論的（統計的）に、有機電界発光素子における一重項励起状態と三重項励起状態の励起子の生成比は、１：３であることが分かっている。
【０００９】
更に有機化合物の基底状態は、通常、一重項基底状態である。また、一重項励起状態→一重項基底状態の遷移はスピン許容遷移（スピンの向きが逆向き）であるが、三重項励起状態→一重項基底状態への遷移は、強度のスピン禁制遷移（スピンの向きが同じ）である。
【００１０】
以上のようなことから、三重項励起状態の励起子が一重項基底状態へもどろうとしても、既に同じ向きにスピンしている電子が基底状態に存在しているため、三重項励起状態にある励起子は、励起状態に長く留まってエネルギーを熱として放出しまい、結果的に発光に関与できない。
【００１１】
このため一般的な有機化合物は、通常、一重項励起状態からの発光（蛍光）のみが観測され、三重項励起状態からの発光（燐光）は観測されない。しかも上記したように、一重項励起状態と三重項励起状態の励起子の生成比が１：３であることから、有機電界発光素子における発光の内部量子効率は２５％が上限とされている。つまり、１００個の電子を正孔と再結合させてエネルギー励起を生じさせても、理論的には、１００個の電子から２５個の光子しか作り出すことができないことになり、極めて生産性が低い。
【００１２】
そこで近年、内部量子効率を高めるため、三重項励起状態の励起子を利用して発光（燐光）する有機化合物が開発され始めている。
【００１３】
一方、テレビジョンやコンピューター等のフラット・ディスプレイを実用化させるためには、上記した発光効率の改善と共に、フルカラー化が必要不可欠である。特にフルカラーディスプレイ用の青色としては、その色度が緑側にシフトしているため、色純度の良好な青色発光層の開発が望まれている。
【００１４】
この色純度の課題を解決するため、例えば発光層としてジスチリルアリーレン誘導体を使用し、この発光層に蛍光性のドーパント（アミン誘導体であるＤＳＡアミン）を導入したものが開発されており、CIE1931色度座標（0.15,0.16）の青色発光が得られたことが報告されている（非特許文献２参照）。
【００１５】
【非特許文献２】
細川地潮，楠本正, (監修 城戸淳二)「有機ＥＬ材料とディスプレイ」,2001, p.321
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、電荷注入型の電界発光素子において、内部量子効率を高めて発光効率を改善するため、三重項励起状態の励起子を利用して発光（燐光）する有機化合物が開発され始めている。
【００１７】
しかしながら、室温で安定に燐光を発する材料は蛍光材料と比べると非常に少なく、材料選択の自由度が狭いというのが現状である。このため、発光層として燐光材料を用いる以外に、内部量子効率を高めて発光効率の改善が期待できる新規な電荷注入型の電界発光素子の開発が望まれる。
【００１８】
また上記したように、色純度の良好な青色発光層として、IE1931色度座標（0.15,0.16）を実現したものが報告されているが、更に色純度の高い青色発光材料が実現されると、カラーフィルタを使用する必要も無くなり、より高品質のディスプレイが実現可能である。
【００１９】
そこで本発明者らは、発光層として燐光材料を用いる以外に内部量子効率を高める有効な手段がないかという発想のもと鋭意研究開発に努めた結果、発光層を無機化合物のみで形成した新規な電荷注入型の電界発光素子を完成した。
【００２０】
つまり、従来の有機電界発光素子の内部量子効率２５％が一重項励起状態と三重項励起状態の励起子の生成比（１：３）に起因していることから、この励起子の生成比に影響されない無機化合物を発光層に用いれば、内部量子効率を向上させて発光効率を上げることが期待できる。
【００２１】
しかも、無機化合物で発光層を形成するようにすれば、従来から積み重ねられてきた無機電界発光素子の有用な研究結果（どの無機化合物を発光層に使用すればどのような発光特性が得られるか等）を参考にすることができ、発光材料の選択の自由度が広くなる。
【００２２】
（本発明の目的）
本発明の目的は、発光層として燐光材料を用いる以外に、内部量子効率を高めて発光効率を改善することが期待できる新規な電荷注入型の電界発光素子を提供することである。
【００２３】
本発明の他の目的は、色純度の良好な、特にフルカラーディスプレイ用の青色に適した電界発光素子を提供することである。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
即ち、上記目的を達成するために講じた本発明の手段は次のとおりである。
第１の発明にあっては、
陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子との再結合により発光する電荷注入型の電界発光素子であって、
有機化合物で形成された正孔輸送層と電子輸送層の間に、無機化合物のみで形成された発光層を備えており、該無機化合物は臭化ユーロピウム（ II ）とヨウ化セシウムを組み合わせたものであり、ヨウ化セシウムに対する臭化ユーロピウム（ II ）のドープ濃度は 0.01 〜 40 重量％であり、発光層の厚さは 5nm 以下であることを特徴とする、
電界発光素子である。
【００３１】
【発明の実施の形態】
本発明に係る電界発光素子は、例えば次のような素子構成によって形成される。
▲１▼ 基板、陽極（透明電極）、無機化合物のみで形成された発光層、陰極（背面電極）を順次積層したもの、
▲２▼ 基板、陽極、無機化合物のみで形成された発光層、単層又は複数層の電子輸送性を有する有機物層、陰極を順次積層したもの、
▲３▼ 基板、陽極、単層又は複数層の正孔輸送性を有する有機物層、無機化合物のみで形成された発光層、陰極を順次積層したもの、
▲４▼ 基板、陽極、単層又は複数層の正孔輸送性を有する有機物層、無機化合物のみで形成された発光層、単層又は複数層の電子輸送性を有する有機物層、陰極を順次積層したもの等である。
また、ホールブロック層（正孔阻止層）や電子注入層を有するものを使用することもできる。
【００３２】
基板としては、ガラス、プラスチック、金属薄膜等を挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００３３】
陽極（透明電極）としては、インジウム錫オキシド（ＩＴＯ）、酸化チタン、酸化錫等を、真空蒸着法、スパッタリング法、ゾルゲル法により薄膜に形成したもの等を挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００３４】
正孔輸送性を有する有機物層としては、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、フェニレンジアミン誘導体（例えばN,N'-ビス(3-メチルフェニル)-N,N'-ビス(フェニル)-ベンジジン（ＴＰＤ等）、トリフェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体、フェニルスチレン誘導体等を挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００３５】
電子輸送性を有する有機物層としては、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、アルミキノリノール錯体等を挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００３６】
正孔輸送性を有する有機物層及び電子輸送性を有する有機物層は、真空蒸着法やスピンコート法等により形成することができる。
【００３７】
陰極（背面電極）としては、リチウム、アルミニウム、マグネシウム、銀等を挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００３８】
無機化合物のみで形成された発光層は、例えば真空蒸着法やスピンコート法等により形成することができるが、これらに限定するものではない。
なお、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの観点から、真空蒸着法が好ましい。
【００３９】
また無機化合物としては、発光性の金属化合物と、該金属化合物を固溶することができる無機化合物を組み合わせたものが好ましい。
発光性の金属化合物を固溶させることにより、発光に関わる金属イオン間の距離を離して濃度消光を抑制することができ、結果的に電界発光素子の発光効率を上げることができる。
【００４０】
無機化合物としては、有機層を熱で傷めないように、比較的低温度で蒸着することができる金属ハロゲン化物が好ましい。
【００４１】
無機化合物としては、以下で説明する希土類元素のハロゲン化物と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物の他、マンガン、銅、アンチモン、白金、銀、金、水銀、モリブデン、タングステン、イリジウム、ルテニウム、コバルト等を用いた発光性の金属化合物を挙げることができる。
なお、無機化合物は、単独で、または二種類以上組み合わせて発光層とすることができる。
【００４２】
ハロゲン化物としては、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物等を挙げることができる。
更に具体的には、金属ハロゲン化物として、例えば希土類元素のハロゲン化物と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物を組み合わせたものを挙げることができる。
【００４３】
希土類元素としては、セリウム, プラセオジム，ネオジム，サマリウム，ユーロピウム，ガドリニウム，テルビウム，ジスプロシウム，ホルミウム，エルビウム，ツリウム，イッテルビウム等を挙げることができる。
アルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等を挙げることができる。
アルカリ土類金属としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等を挙げることができる。
なお、アルカリ金属のハロゲン化物またはアルカリ土類金属のハロゲン化物は、単独で、または二種類以上組み合わせて発光層を形成することができる。
【００４４】
例えば無機化合物として二価のユーロピウムを有する金属化合物を用いた場合、Ｅｕ２＋の発光は、発光遷移である最低励起状態(4f)６(5d)１→基底状態(4f)７のユーロピウムイオンの内殻遷移に由来している。Ｅｕ２＋の(4f)７準位（基底状態）はスピン８重項であり、Ｅｕ２＋の(4f)６(5d)１準位（最低励起状態）はスピン８重項と６重項が混在する。このそれぞれの励起状態からの発光において、８重項励起状態→８重項基底状態への遷移はスピン許容遷移であり、６重項励起状態→８重項基底状態への遷移はスピン禁制遷移である。しかも、有機電界発光素子の発光層とは異なり、Ｅｕ２＋はスピン許容遷移及びスピン禁制遷移の両方から発光すると言われている。
【００４５】
したがって、このＥｕ２＋ を電荷注入型の電界発光素子の発光層として利用すれば、通常、内部量子効率２５％が上限とされている有機電界発光素子と比較して、その４倍の内部量子効率１００％の発光効率が期待できる。
【００４６】
本明細書にいう「スピン許容遷移またはスピン禁制遷移」には、スピン許容遷移またはスピン禁制遷移のいずれか一方を含む場合もあるし、あるいはスピン許容遷移及びスピン禁制遷移の両方を含む場合もある。
【００４７】
また無機化合物として例えばセリウムを有する金属化合物を用いた場合、セリウムイオンの励起状態は(5d)1準位、基底状態は(4f)1準位で共にスピン二重項しか存在せず、励起状態と基底状態間の遷移はスピン許容遷移のみであると言われているため、Ｅｕ２＋と同様、内部量子効率１００％の発光効率が期待できる。
【００４８】
更に無機化合物の中には、一重項励起状態から項間交差した三重項励起状態の励起子が１００％発光に関与するようなものも存在する。このように、その発光経路の種類は有機化合物よりも多岐に亘っているため、発光層に好適な無機化合物を選択すれば、内部量子効率がより高い素子の作製が期待できる。
【００４９】
無機化合物としてＥｕＢｒ２とＣｓＩを組み合わせたものを用いた場合、ＣｓＩに対するＥｕＢｒ２ドープ濃度は好ましくは0.01〜40重量％であり、更に好ましくは0.1から10重量％である。0.01重量％未満では、発光センター密度が低く、キャリアが正孔輸送層または電子輸送層で発光する可能性が高いため好ましくなく、40重量％を越えると濃度消光が強くなり、著しく輝度が低下する可能性が高いので好ましくない。
【００５０】
無機化合物として希土類元素の塩化物とアルカリ金属の塩化物を組み合わせたものを用いた場合、発光層の厚さは好ましくは0.1〜20nmであり、更に好ましくは0.3〜10nmである。発光層の厚さが0.1nm未満では、キャリアが正孔輸送層から電子輸送層へまたは逆の電子輸送層から正孔輸送層へ抜けて、発光層以外で再結合してしまう可能性があるため好ましくなく、20nmを越えると抵抗値が上がり電流が流れにくくなる可能性が高いので好ましくない。
【００５１】
また無機化合物として臭化ユーロピウム（II）とヨウ化セシウムを組み合わせたものを用いた場合、発光層の厚さは5nm以下が好ましい。5nmを越えると、駆動電圧が高くなくなると共に輝度が低下し、更に素子が損傷を受けやすくなるので好ましくない。
【００５２】
無機化合物として臭化ユーロピウム（II）とヨウ化セシウムを組み合わせたものを用いた場合、CIE1931色度座標でx≦0.16、y≦0.15の高純度の青色発光を得ることができる。即ち、非特許文献２に記載された発光素子の色度座標(0.15,0.16)と同等か、あるいはそれを上回る高い色純度の青色発光素子を得ることができる。
【００５３】
ホールブロック層としては、例えばバソクプロイン(ＢＣＰ)、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、オキサジアゾール誘導体を挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００５４】
電子注入層としては、例えばフッ化リチウムやフッ化マグネシウムなどを挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００５５】
【実施例】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５６】
［実施例１］
図１は本発明の実施例１に係る電界発光素子の素子構成を示す説明図である。
【００５７】
希土類元素のハロゲン化物であるＥｕＢｒ２（臭化ユーロピウム（II））と、アルカリ金属のハロゲン化物であるＣｓＩ（ヨウ化セシウム）を共蒸着して発光層５を成膜することにより、図１に示す電界発光素子１を作製した。
【００５８】
素子構成の詳細は、以下の通りである。
透明電極２（ITO） / ホール輸送層４（TPD）/発光層５（CsI+EuBr2 ） / ホールブロック層６（BCP） / 電子輸送層７ (Alq 3 ) / 陰極 ８(LiF/Al)
【００５９】
即ち、ＩＴＯで構成される透明電極２（100nm）付きのガラス基板３上に、ＴＰＤ（N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-N,N'-ビス(フェニル)-ベンジジン）を真空蒸着法によって蒸着し、ホール輸送層４を形成した。真空度は2.0×10-4Paであり（実施例２以降も同じ）、ホール輸送層４の膜厚は55nmである。
【００６０】
その上に、発光層５として、ＥｕＢｒ２とＣｓＩを共蒸着して成膜した。ＥｕＢｒ２はＣｓＩに対して１重量％とし、発光層５の膜厚は2nmとした。蒸着速度は、ＣｓＩが0.2ng/cm2・sec、臭化ユーロピウムが0.002ng/cm2・secとした。
【００６１】
更にその上に、ＢＣＰ（バクソプロイン）を用いて蒸着を行い、厚さ25nmのホールブロック層６を形成し、更に、Alq 3 （トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム）を用いて蒸着を行い、膜厚35nmの電子輸送層７を形成した。
【００６２】
更に電子輸送層７の上に、陰極としてLiF-Al電極を100.7nm（LiF 0.7nm、Al100nm）蒸着し、陰極８を得た。図１で符号９は電極を示している。
【００６３】
［実施例２〜４］
アルカリ金属のハロゲン化物として、ＲｂＩ（ヨウ化ルビジウム）、ＫＩ（ヨウ化カリウム）、ＣｓＢｒ（臭化セシウム）をそれぞれ用いる以外は、上記した実施例１と同様に発光層を成膜して電界発光素子を作製した。ＲｂＩを用いたものを実施例２、ＫＩを用いたものを実施例３、ＣｓＢｒ（臭化セシウム）を用いたものを実施例４とした。
【００６４】
（実施例１〜４の発光スペクトルの測定）
実施例１〜４に係る電界発光素子の発光スペクトルを図２に示す。
なお、発光スペクトルは、マルチチャンネル検出器（浜松ホトニクス PMA-11）で測定した。
【００６５】
図２に示すように、各実施例において、Ｅｕ２＋の最低励起状態(4f)６(5d)１→基底状態(4f)７に由来する発光が観測された。
【００６６】
また、アルカリ金属のハロゲン化物（ホスト材料）としてＣｓＩを用いた実施例１では、青色を示す波長域である発光ピーク466nm、半値幅67nmのシャープな発光ピークが得られ、CIE1931色度座標（0.15,0.11）が得られた。これは、非特許文献２記載で報告されている青色発光材料のCIE1931色度座標（0.15,0.16）を上回る高純度の青色発光である。
【００６７】
ＣｓＩを用いた場合に高い色純度が実現できた理由は明らかではないが、ＣｓＩの陽イオン(Ｃｓ+)と陰イオン(Ｉ-)が共に大きなイオン半径を持つため、ＣｓＩ結晶の６配位空間にＥｕＢｒ２が固溶されて、Ｅｕ２＋の周囲の歪みが少なくなったためであると推察される。
【００６８】
（実施例１の発光輝度の測定）
実施例１に係る電界発光素子に電圧13Ｖを印加し、その発光輝度を輝度計（ミノルタ LS-110）で測定したところ、その輝度は25cd/m2であった。図３にその輝度−電流の関係を示す特性図を示す。
【００６９】
［実施例５］
ＣｓＩに対するＥｕＢｒ２のドープ濃度を変えて発光層を成膜し、その素子の発光スペクトル及び発光輝度を測定した。
詳しくは、ＥｕＢｒ２のドープ濃度をＣｓＩに対して5重量％とした以外は、上記した実施例１と同様に電界発光素子を作製し、これを実施例５とした。
【００７０】
（発光スペクトルについて）
実施例５に係る電界発光素子の発光スペクトルを、実施例１と共に図４に示す。実施例５では、ＥｕＢｒ２のドープ濃度を実施例１の５倍である5重量％としてもその発光スペクトルはほぼ同じであり、CIE1931色度座標（0.16,0.10）が得られた。
【００７１】
（発光輝度について）
実施例５に係る電界発光素子に電圧15Ｖを印加し、その発光輝度を輝度計（ミノルタ LS-110）で測定したところ、その輝度は15cd/m2であった。図５にその輝度−電流の関係を示す特性図を示す。なお、図５には、実施例１（ＥｕＢｒ２のドープ濃度がＣｓＩに対して１重量％）に係る電界発光素子の輝度−電流の関係についても併せて示している。
【００７２】
図５に示すように、ＥｕＢｒ２のドープ濃度を５倍にした実施例５（5重量％）よりも、実施例１（1重量％）の方が電流当たりの輝度が約２．５倍と高い。よって、ＥｕＢｒ２のドープ濃度は1重量％程度が良いと考えられる。
【００７３】
［実施例６］
発光層の膜厚を変えて発光層を成膜し、その素子の発光スペクトル及び発光輝度を測定した。
詳しくは、発光層の膜厚を5nmにした以外は、上記した実施例１と同様に電界発光素子を作製し、これを実施例６とした。
【００７４】
（発光スペクトルついて）
実施例６に係る電界発光素子の発光スペクトルを、実施例１と共に図６に示す。図６に示すように、発光層の膜厚を5nmにした実施例６では、その裾の発光が減少し、CIE1931色度座標（0.16,0.09）の高純度の青色発光が得られた。これは、発光層を厚くしたことにより、結晶が成長し、欠陥が減少したためと考えられる。
【００７５】
（発光輝度について）
実施例６に係る電界発光素子に電圧15Ｖを印加し、その発光輝度を輝度計（ミノルタ LS-110）で測定したところ、その輝度は5.5cd/m2であった。図７にその輝度−電流の関係を示す。なお、図７には実施例１に係る電界発光素子（膜厚を2nm）の輝度−電流の関係についても併せて示している。
更に図８に、実施例１及び実施例６に係る電界発光素子の輝度−電圧の関係を示す特性図を示す。
【００７６】
図７に示すように、発光層を5nmまで厚くした実施例６では、電流当たりの輝度が低下した。最高輝度についても実施例６では5cd/m2程度であった。この原因としては、発光層を厚くしたことにより、駆動電圧が上がってしまったことに起因すると考えられる。
【００７７】
なお、本明細書で使用している用語と表現はあくまで説明上のものであって、限定的なものではなく、上記用語、表現と等価の用語、表現を除外するものではない。
【００７８】
【発明の効果】
本発明の効果は次の通りである。
（ａ）本発明によれば、有機化合物を発光層として用いた有機電界発光素子と相違して、有機化合物で形成された正孔輸送層と電子輸送層の間に、無機化合物のみで形成された発光層を用いることにより、内部量子効率の上限が２５％とされる限界値の影響を受けない新規な電荷注入型の電界発光素子を形成することができる。これにより、内部量子効率を向上させることで、発光効率の改善が期待できる新規な電荷注入型の電界発光素子を得ることができる。
【００７９】
（ｂ）無機化合物として、発光性の金属化合物と、該金属化合物を固溶できる無機化合物を組み合わせたものを用いたものでは、発光に関わる金属イオン間の距離を離して濃度消光を抑制することができ、結果的に電界発光素子の発光効率を上げることができる。
【００８０】
（ｃ）無機化合物として金属ハロゲン化物を用いたものでは、発光層を比較的低温度で蒸着できるので、有機層を熱で傷めにくいという利点がある。
【００８１】
（ｄ）無機化合物として臭化ユーロピウム（II）とヨウ化セシウムを組み合わせたものを用いたものでは、非特許文献２に記載された発光素子の色度座標（0.15,0.16）を上回る高い色純度の青色発光素子を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例１に係る電界発光素子の素子構成を示す説明図。
【図２】 実施例１〜４に係る電界発光素子の発光スペクトルの特性図。
【図３】 実施例１に係る電界発光素子の輝度−電流の関係を示す特性図。
【図４】 実施例１及び実施例５に係る電界発光素子の発光スペクトルの特性図。
【図５】 実施例１及び実施例５に係る電界発光素子の輝度−電流の関係を示す特性図。
【図６】 実施例１及び実施例６に係る電界発光素子の発光スペクトルの特性図。
【図７】 実施例１及び実施例６に係る電界発光素子の輝度−電流の関係を示す特性図。
【図８】 実施例１及び実施例６に係る電界発光素子の輝度−電圧の関係を示す特性図。
【符号の説明】
１ 電界発光素子
２ 透明電極
３ ガラス基板
４ ホール輸送層
５ 発光層
６ ホールブロック層
７ 電子輸送層
８ 陰極
９ 電極
Claims (1)
- 陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子との再結合により発光する電荷注入型の電界発光素子であって、
有機化合物で形成された正孔輸送層と電子輸送層の間に無機化合物のみで形成された発光層を備えており、該無機化合物は臭化ユーロピウム（ II ）とヨウ化セシウムを組み合わせたものであり、ヨウ化セシウムに対する臭化ユーロピウム（ II ）のドープ濃度は 0.1 〜 10 重量％であり、発光層の厚さは 5nm 以下であることを特徴とする、
電界発光素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003188158A JP3651801B2 (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 電界発光素子 |
| US10/563,168 US20070108895A1 (en) | 2003-06-30 | 2004-06-23 | Electroluminescent device |
| PCT/JP2004/008799 WO2005002289A1 (ja) | 2003-06-30 | 2004-06-23 | 電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003188158A JP3651801B2 (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 電界発光素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004339480A Division JP2005072020A (ja) | 2004-11-24 | 2004-11-24 | 電界発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005025998A JP2005025998A (ja) | 2005-01-27 |
| JP3651801B2 true JP3651801B2 (ja) | 2005-05-25 |
Family
ID=33549742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003188158A Expired - Fee Related JP3651801B2 (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 電界発光素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070108895A1 (ja) |
| JP (1) | JP3651801B2 (ja) |
| WO (1) | WO2005002289A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021244801A1 (en) | 2020-06-04 | 2021-12-09 | Beeoled Gmbh | Metal-organic coordination compound and method for producing the same |
| WO2022218562A1 (en) | 2021-04-16 | 2022-10-20 | Beeoled Gmbh | Metal-organic coordination compound and method for producing the same |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070194321A1 (en) * | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
| EP1821579A3 (en) * | 2006-02-17 | 2008-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic appliance |
| GB2458443A (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-23 | Univ Dublin City | Electroluminescent device |
| KR101652789B1 (ko) | 2009-02-23 | 2016-09-01 | 삼성전자주식회사 | 다중 양자점층을 가지는 양자점 발광소자 |
| TW201110423A (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-16 | Power Light Tech Co Ltd | Light-emitting diode illumination device capable of adjusting color temperature |
| CN103855310A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-11 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光装置及其制备方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2259435B1 (ja) * | 1974-01-29 | 1978-06-16 | Thomson Csf | |
| DE3482869D1 (de) * | 1983-11-07 | 1990-09-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | Phosphor, verfahren zum speichern und zum reproduzieren eines strahlungsbildes und schirm zum speichern eines strahlungsbildes mittels dieses verfahrens. |
| JPH0696862A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 無機薄膜ｅｌ素子 |
| EP0745657B1 (en) * | 1995-06-01 | 1998-09-30 | Agfa-Gevaert N.V. | A novel class of stabilizing compounds for phosphor screens |
| JP3817081B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2006-08-30 | パイオニア株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2001043977A (ja) * | 1999-05-27 | 2001-02-16 | Tdk Corp | 発光ダイオード |
| JP3980372B2 (ja) * | 2001-02-19 | 2007-09-26 | 九州電力株式会社 | 電界発光素子 |
| JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| DE10242006B4 (de) * | 2002-09-11 | 2006-04-27 | Siemens Ag | Leuchtstoffplatte |
| US6833202B2 (en) * | 2003-03-13 | 2004-12-21 | City University Of Hong Kong | Electroluminescent devices |
-
2003
- 2003-06-30 JP JP2003188158A patent/JP3651801B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-06-23 US US10/563,168 patent/US20070108895A1/en not_active Abandoned
- 2004-06-23 WO PCT/JP2004/008799 patent/WO2005002289A1/ja active Application Filing
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021244801A1 (en) | 2020-06-04 | 2021-12-09 | Beeoled Gmbh | Metal-organic coordination compound and method for producing the same |
| WO2022218562A1 (en) | 2021-04-16 | 2022-10-20 | Beeoled Gmbh | Metal-organic coordination compound and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2005002289A1 (ja) | 2005-01-06 |
| JP2005025998A (ja) | 2005-01-27 |
| US20070108895A1 (en) | 2007-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5295521B2 (ja) | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| US7736758B2 (en) | Light emitting device having dopants in a light emitting layer | |
| JP4496949B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP4933832B2 (ja) | 発光素子 | |
| JP2004319424A (ja) | 有機電界発光ディスプレイ装置 | |
| JP4035372B2 (ja) | 発光素子 | |
| WO2012008331A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2010034484A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| WO2012124642A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| CN109545932B (zh) | 发光二极管 | |
| JP5057351B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP3651801B2 (ja) | 電界発光素子 | |
| KR20150112811A (ko) | 유기 일렉트로루미네센스 소자용 발광 재료 및 이를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 | |
| JP2007318130A (ja) | 有機発光デバイス、発光層、およびその製造方法 | |
| JP4767725B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP2005072020A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2005310741A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3980372B2 (ja) | 電界発光素子 | |
| JP4214482B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| US7303825B2 (en) | Electroluminescence device | |
| JP2005340143A (ja) | 発光素子 | |
| JP2005285787A (ja) | 薄膜の形成方法、薄膜、電界発光素子の製造方法及び電界発光素子 | |
| JP2007087959A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2006024655A (ja) | 有機電界発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040524 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040524 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040928 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041124 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050208 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050217 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080304 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090304 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100304 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100304 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110304 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110304 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120304 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130304 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |