TWI271119B

TWI271119B - Organic electroluminescent device

Info

Publication number: TWI271119B
Application number: TW092106689A
Authority: TW
Inventors: Junji Kido; Toshio Matsumoto
Original assignee: Junji Kido; Int Mfg & Eng Services Co Ltd; Mitsubishi Heavy Ind Ltd
Priority date: 2002-03-26
Filing date: 2003-03-25
Publication date: 2007-01-11
Also published as: US8080934B2; US20030189401A1; TW200306762A; ATE332623T1; JP2003272860A; KR100835725B1; DE60306570D1; EP1351558B1; US20120132895A1; CN100487942C; CN1447629A; US10312474B2; US10217967B2; US20180277796A1; US10319949B2; US20180277797A1; JP3933591B2; US20140151648A1; US20180351134A1; KR20030077476A

Description

1271119 玫、發明說明：【發明所屬之技術領域】於有機電冷光裝置（下文中，稱為”有機a裝置 )，係可使用於平面光源與顯示裝置中。次本衣【先前技術】近來’業界已將紐集中於擁有—發光層或冷光率樹糊大峨嫩。二= 手的虬衣置，Tang等人於Appl· phys· L咐 /奴门所揭露的技術，已成功達到—具有充分，▲ (1987年）置，即，於作用帝屙不士又木乍上的向效率之EL裝子兮L 於1G伏特時，發光度為丨，__且其外部= 物二人而該裝置的結構係利用具有不同載體運輸性質的有機二 :=’猎此可分別自陽極與陰極間均衡地 = =且其有機化合物層的厚度不大於2咖埃，此外，於二= 其他專利中（例如·太奎 g寻人所揭路的 2 本翻 ^ 公職第 59-194393、63-264692 號斑 2一15595 5虎，以及美國專利第4,卿507、4,期，292與4, 885 2时。提 ^若3陰極與陽極間的有機層總厚度不超過約_，則EL裝置可於^ 用包昼下發光’以及較佳情況為總厚度減至介於L __5, _埃、則作用電壓可不大於約25伏特便能產生-驗發光的電場（V/cm)。

Tang等人之所以驗意力針於減少有機層厚度喊到減健動電壓 =原因’如同瞒參考文章所述，係為了克服㈣恤等人於刪年所提出之問;4 ’即’ Helfrich等人觀察到當施加—充足的電場電冷光（EL) 於一單晶蒽（anthracene)可產生約5%之外部量子效率，然而，該方法需要高電壓（大於⑽伏特）來驅動該裝置卻僅能達到低功率轉換效率（W/W)。 B根據岫述Tang等人之專利，其建議之有機EL裝置係具有多層結構：一陽極、一電洞射入（傳遞）層、一發光層（具有電子傳遞性 1271119 號將該量=定申請公嶋一 ^ 出的光子數盘々 1里^率，係恰寻於每秒從電池射先子數Μ母秒於外部電路測得的電子數之比值。發能Sir j等人所揭露的，當使用1光物質(單激而:X先）潯層EL裝置，可得到大於5%的量子㈣， WHS光物f (三重激發態發光）於一薄層EL裝置，了侍到接近20%的量子效率。衣直出之的量子效率係計算從裝置實際射方面部可;為外部量子效率。另-旦工η 的先子數置，稱内部量子效率，盥外部里=率相比較為相對多量，内部量子效率可達到約5、倍於 :广：子效率的數值。因此，即使是現在，當使：質 :’其内部量子效率顯示可到職，所以，目前的心勿】的問題即在於增加裝置運作的生命期。、 EL ㈣加速了全世料對有機 :多:一一置被使用於儀表板或行動電話的顯示裝置上。、 _ 而纟衣置的耐久性方面，前述傳統有機π裝置在 =途所需j發光度100cd/m2下，半衰期很少維持超過1〇 _ 而目剛在照明用途所需發光度約i肩㈣Μ，刚* h況下’仍_達到-實用的運作生命期（i〇,〇〇M、時或以事貫上’目W尚無法達仙及購得—兼具高發期的有機EL裝置。瓦％丨卜生〒動有Γ二置:==形成材料的發現’使得驅

Tu不起過10伏特。然而該裝置仍有缺 1271119 的乾Λ f 明所需“發光度時’須要提供數十到數百mA/W 流密度；而目前最好的綠光發光裝置在產生數千到時’仍需約iΗ。〇—2的電流密度。入型裝置（像此類有機EL裝置）的特性，而此種特性使 1機EL裝置比無機⑽農置（發光二極管）在運作才目對縮短了許^無機⑽裝置亦同為電荷注人型裝置，而其使之热機化合物半導體較有機化合物更為耐用。 ^機層係低分子有機材料藉由真空蒸錢的方式所形成，電流 =，機層的現㈣被解釋為電子與電洞在材料分子間的跳躍匕。prg conduction)所導致；另外，當以化學角度觀察 :刀子&，則可讀描述：常態下為電中性之電子傳遞分子盘电洞傳遞分子’反覆不斷地轉移職離子基態或陽離子基態，以路易士化學（Lewis’ ehemistry)的說法，便是這些分子斷^進行氧化還原作用。根據上述有機EL裝置在產生較高發光 $需要較高電流密度之特性，其意義就是進行較高頻率的氧化，原作用。顯然地，有機分子的劣化（deteriQratiQn)速度盘八乳化還原頻率，即電流密度，係成比例關係。〃為解決前述問題，日本專利中請公開號第n_32974U 應至美國專利第6，1&7,734號）建議利用藉由—中間導電芦 (intermediate conductive layer) (electrically c〇職cted)之複數個有機發光層；中間導電層的組成材料有呼多種，只要能將電洞與電子射入至一個或另一個主表面端 (Pnmary surface side)，以及能夠使該層維持於約等電位的材料即可。然而前述E L裝置具有以下的問題，例如，一含有簡易基質社構的顯示裝置，當提供電壓時所產生的發光區域係、為夾在陰極線與陽極線之間的像素’即交匯區（lnterseGtiQn _)，藉此得 1271119 =動：圖像’·然而在前述例子中，中間導電層有-相當大的陽糾讀有機發光層一樣大的區域，即，若欲於夾在陰極盘 =: ;%匯區之外的區域發光，則需要在交匯區以外的區區域、陽二:導有陰極與中間導電層的交會中間導電層含有兩個或更多的均具有發光的可的父會區域’上述三種狀況間導:::i f利申請公開號第1 "29748號描述每個像素的中隔γ=ΓΓ』像素的中間導電層隔開，並且也必須和電源卜β亥發明亦描述一種可於含有簡單基質結構的EL妒 =將每個像素的中間導電層隔離的想法。如果預先設置4 (nsharp step pattern)且厚度超過1叫層間絕緣膜 #f4!'ayer lnsulation =積的遮罩所製成的導電層，亦可自動被突然變型的 uddenly-changed shape)的層間絕緣膜所隔離。然而’在此财，雖鎌極不應被隔離，但若是極的厚度财㈣.^(副⑽）就有被層間絕緣丨為避免此問題，日本專利申請公開號第1卜329748 銦㈤测）為材料製作較厚的陰極，以防止陰極線絕、“ 口為即使陰極的厚度等於或大於_，銦也不容易因為產生、口日日而造成問題（此問題通稱為，，突起，，（hiu〇ck))。 2而在另一個例子中’仍然不能避免產能減少的情況，因為 -種傳統且廉價的電線材料，不能用來當作陰極的材料，還· 必須維持層間絕緣膜的厚度大於ljxm以及突然變型的特性。再者，本發明的發明人亦於日本專利中請號第⑽卜Μ㈣一置種有 1EL裝置’含有至少兩個發光單元組成該傳装置（由陰極與陽極以外的所有元件的内容組成），其 1271119 eQuipotential surface) 内的發光單元之間係以一做為等位面之透明層隔開。此處所謂的”等位面，，係表示當施以一電壓於透明層時，於透明層之厚度方向（thickness direction)與平面（側面）方向 j planar ( lateral) direction)均不能產生顯著的電位差，換言之’雖然發明人並未特別描述’然其暗示了在導電材料，即任何電阻係數小於之材料，建構等位面之必要性。然而，如同日本專利申請公開號第u_329748 &所描#若利用高導電性（低電阻係數）材質作為二或多個發光單元之間办阻隔，將會造成區分發光區域上的困難，此乃因為平面方向（平行基材的方向）的導電性之緣故。執行上，如第3 8 B圖所示，雖然E L裝置的製作係根據曰本專利:請公開號第u-329748號之方法，將陰極55與陽極52均製成見度2關的長條狀，並使其成直角相交，因此於相交（交匯）區’即2平方毫米（mm square，口），便成為發光區，但於宜他 "也可能因為等位面54的延伸而產生非預期性的發光。此種 EL裝置的非預期發光現象係顯示於第38a圖。為避免前述問題，正如日本專利申請號第2〇〇卜225847號所揭路’發明人須利用一遮罩（2平方毫米型式；□)來形成一等位面^遮罩上的模式化開口（patterned叩如叫）可對應至所欲發光之區域’藉此可以選擇性的僅在所欲之發光層形成等位然而，此法很難在顯示裝置上選擇性的僅讓所欲之特定像素發光，因顯示裝置的像素與點距（pitch，每個像素的間距）必須在約〇· 1mm或更小。。在增加EL裝置量產的生產率的方面’遮罩的頻繁更換以及定位操作將大量減低產能，故應盡量避免。【發明内容】 1271119 有鑑於前述傳統有機電冷光（EL)裝置之缺失，本發明係提仏^種有;f幾EL ^置’其可以提供一有效而穩定的裝置結構使得在鬲發光度下能夠達到長時間的運作，此為傳統EL裝置所盔法輕易達成。本發明之有機EL裝置之製作係於陰極與陽極間置^ . 二或多個發光單元（主要係利用有機材料），在製作本發明新導. 入的電荷產生層時，並不需要頻繁的更換與定位遮罩以確認沈積位置。本發明亦不需製作突然變型的（sudden 1 y-changed shape) 的層間絕緣膜’以避免造成陰極線的斷線（discQnnecti〇n)，因而可以強化生產力並簡化簡易基質型（matrix_type)顯示裝置的製造過料。本發明之_實_係提供__種有機電冷光裝置，孀包含至少兩個發光單元置於陰極電極與相對於陰極的陽極電極之每個發光單元包含至少一發光層’每個發光單元間至少以私=產生層間隔，電荷產生層係由一電阻係數不小“ 1· 0X102Dcm之電氣絕緣層所組成。較佳情況下，電荷產生層組成之電氣絕緣層其電阻係數不小於 1 · 0X105Ωατι 〇電何產生層較佳係包含由兩種不同材料形成之疊合及/或混合層，一包含陽離子基與陰離子基之電荷轉移錯合物（吐紅狀 transfer c⑽piex)係藉由兩種材料間的氧化還原作用而形成，鲁並且田施私壓於裝置時，在電荷轉移錯合物中的陽離子基態與陰離子基態係分別往陰極與陽極的方向轉移，因此電洞可以射進鄰近電荷產生層陰極面之發光單元，以及電子可以射進鄰近電荷產生層陽極面之發光單元。亀電荷產生層較佳係包含一疊合及/或混合層，其材料包含一有· 機化合物其游離電位（i〇nizati〇n p〇tential)小於5· 7eV且具有電/同傳遞性質或電子供給性質（electr〇n北⑽衍叩 property)，以及一無機及/或有機材料，其可與有機化合物行氧 10 1271119 化還原作用而形成電荷轉移錯合物。電荷產生層係包含一電荷轉移錯合物，係藉由有機化合物與其中一種無機及有機材料兩者間的氧化還原作用而形成。有機化合物可包含芳基胺（arylamine)化合物，其中芳基胺化合物係以下列化學式（1)作為代表：

Ar 2

Ar 1 - |s--Ar 3 其中Ar 1、Ar2與Ar3係各別代表一可能含有取代基的芳香煙基（aromatic hydrocarbon group)。有機化合物較佳係包含一玻璃轉換溫度（glass transition temperature)不低於90°C的芳基胺化合物。芳基胺可包含 a -NPD、2-TNATA、spiro-TAD 與 spiro-NPB 之其中一種。無機材料係可為一金屬氧化物。無機材料係可為一金屬鹵化物。金屬氧化物係可為五氧化二飢（vanadium pentaoxide)或七氧化二銖（rhenium heptaoxide )。無機材料係可藉由電阻加熱蒸鑛法（resistive heating vapor deposition method)、電子束蒸鐘法（electron beam vapor deposition method)以及雷射光束蒸艘法（laser beam vapor deposition method)之其中一種方法沈積。無機材料係可藉由濺射（sputtering)方法沈積，用於濺射方法的裝置為面向標的物濺射系統（facing target sputtering system)，係包含兩個相對且相隔一段距離的標的物、一反射電極可將電子反射至每個標的物之前方周圍區域，以及一磁場產生 1271119 裝置可在接近標的物周邊部分產生一平行的磁場，磁場係有一部分為平行於標的物周邊的部分。有機材料可包括至少一個氟作為取代基，並且擁有至少一電子射入性質（electron injection property)與電子接受性質 (electron accepting property)0 有機材料可包括至少一個氰基作為取代基，並且擁有至少一電子射入性質與電子接受性質。有機化合物可為四氟-四氰基S昆二甲烧 (tetrafluoro-tetracyano quinodimethane (4F-TCNQ)) 發光單元可包括··一薄層係位在電荷產生層的陽極端並貼附其上、一電子射入層含有一混合物包含有機化合物與功能為電子供給摻質（electron donating dopant)之金屬。電子供給換質可包含至少一金屬，其係選自一群組包含驗族金屬、驗土族金屬與稀土金屬。電子供給摻質之金屬與電子射入層之有機化合物之莫耳比例可在0. 1-10之間。發光單元可包括：一薄層，係位在電荷產生層的陽極端並貼附其上、一厚度不大於5nm之金屬層，係可選自鹼族金屬、鹼土族金屬與稀土金屬。組成金屬層之金屬係擴散至隔鄰的電子傳遞層以便與電子傳遞有機材料作用，擴散的結果使得電子射入層的組成包括電子傳遞有機材料以及作為電子供給摻質之金屬。發光單元可以包括：一薄層，係位在電荷產生層的陽極端並貼附其上、一包含有機金屬複合化合物之薄層，其包含至少一種金屬離子，係可選自驗族金屬離子、驗土族金屬離子與稀土金屬離子，與一反應生成層（reaction generation layer)，其組成係利用一熱還原（thermally reducible)金屬於真空狀態下將 1271119 有機金^複合物中的金屬離子還原成金屬，進行原位還原反應，使可熱還原金屬被蒸鍍至有機金屬複合物組成之薄層上。舍光單7G可以包括··一薄層，係位在電荷產生層的陽極端並貼附/、上包含然機化合物之薄層，其包含至少一種金屬離 ^，係可砥自鹼族金屬離子、鹼土族金屬離子與稀土金屬離子，與反應生成層，其組成係利用一熱還原金屬於真空狀態下將無機化σ物巾的金屬離子還原成金屬，進行原位還原反應，使可献還原金屬被蒸鍍至無機化合物組成之薄層上。 Μ 熱還原金屬較佳係包括至少一種選自鋁（Aluminum)、結 (zircon^)、石夕（Slllcon)、鈦（Titanium)與嫣（Tungsten)。山^光單7L可包括的結構有··一薄層，係位在電荷產生層的陽極端並貼附其上、-混合物層包含有機化合物與電子供給接質，與-反應生成層’其組成係利用—熱還原金屬於真空狀態下將驗私至屬離子、驗土族金屬离隹子與稀土金屬離子還原成金屬，進行原位還原反應，使可熱還原金屬被蒸鑛至含有至少_種選自驗族至屬離子、驗土族金屬離子與稀土金屬離子之有機金屬複合化人物。 σ 山發光早7L可包括的結構有··一薄層，係位在電荷產生層的陽極知亚貼附其上、_混合物層包含有機化合物與電子供給捧質，與-反應生成層，係利用—熱還原金屬於真空狀態下將驗族金屬離子、鹼土族金屬離子與稀土金屬離子還原成金屬，進行原位還原反應，使可熱還原金屬被紐至含有至少_種選自驗族金屬= 子、鹼土族金屬離子與稀土金屬離子之無機金屬化合物。發光單元可包括：-薄層，係、位在電荷產生層的陰極面並貼附其上，以及一電洞射入層係含一混合物，其包含一有機化合物與一電子接受化合物（electron accepting c⑽p〇und)，以路士酸化學的角度而言，電子接受化合物係、可氧化有機化合物。 13 1271119 以路易士酸化學的角度而言，電子接受化合物係可氧化電洞射入層的有機化合物，電子接受化合物與有機化合物的莫耳比例介於〇· 01-10之間。發光單元可以包括··一薄層，係位在電荷產生層的陰極面並貼附其上，與一厚度不大於30nm之電洞射入層，係包含一電子接受化合物。每個發光單元可擁有不同的發光光譜。有機電冷光裝置内的每個發光單元發出的不同光線經過重疊後會產生出白光。至少個發光單元可以包含一含有磷光材料的發光層。在每個發光單元中，發光點（lightgenerationsite)與光，射金屬電極（light-reflective metal electrod幻之間的光仫長度（optical path length)較隹係為四分之一光波長的單數倍。 g括毛光單元、私荷產生層與電極層的所有薄層均可藉由真空加熱-可蒸發材料使該蒸發且昇華的材料被沈積至基材上。當沈積該蒸發或昇華的材料於基材上時，基材係以其平面方向運达’沈積區4之開口位於基材的下表φ;另位在運送基材的下表面處有-裝有蒸鑛材料的容器，容器的沈積寬度係可覆蓋以垂直 j :材運ϋ方向延伸的整個洛鑛區域，容器係經過力口熱以蒸發與昇華其内的可蒸發材料使其沈積。夹在陰極與陽極之間的發光單元與電荷產生單元，其總厚度較佳係大於l，〇〇〇nm (1μπι)。有機電冷光裝置之驅動電壓較佳係大於25伏特。有機電冷光裝置之發光點所發出的光，其行進方向較佳為陽極電極方向與陰極電極方向的其個方向，相反於此方向的光將被光吸收〜夜（light—medium)所吸收，每個發光 14 1271119 單元的光干涉效應（light interference effect)均已被移除，所以從發光層的發光點到光反射金屬電極之間的光徑長度基本上不需經過調節。自有故笔冷光t置的發光點發出的光，其行進方向較佳為陽極電極方向與陰極電極方向的其中一個方向，且光會被一漫射溶液（diffused reflection medium)發生漫反射現象，每個發光單兀的光干涉效應（light interference effect)均已被移除，所以從發光層的發光點到光反射金屬電極之間的光徑長度基本上不需經過調節。【實施方式】本發明之發明團隊投入相當多的心力於研究以解決上述問題’發現可洲兩個❹個疊合的發光單元夾於陰極電極盘於陰極的陽極電極之間，並且每個發光單元之間以_電阻係少為1. (m攸㈤較佳為i. GX1 ，之電荷產生層作為間卜此種電阻係數之特性可簡稱為，，電氣絕緣，，。 ’’’、^ 0當施與某種程度的電壓於含有上述結構的el裝置 %極之間時，只有位於陰極舆陽極交會區的兩個 ::、可以類似串聯的形式連結，因而可以同時發 u早疋子故使用本EL^置可以達到其他傳統EL裝置: 到的鬲Ϊ子效率或電流效率。直所…、法達如前所述’本發明之發光單元H期而通過電荷產生層，此贿光單元間㈣聯方/方式連結某種程度的Μ於EL m每個 ^=，當施以裝置的陰極方向，因而將電子射人陽極方向，;電洞射入虹可產生發射效應。雖麵有夹在陰極和陽 ^㈣和電子均元與電荷產生層）係從電落絕緣層所形成，層（發光單元仍可以像串聯於電氣:::般成，但兩個或多個發光單 15 1271119 換言之，本發明之有機el裝置係包含兩個或多個發光單元夾於陰極電極與相對於陰極的陽極電極之間，並且每個發光單元至少有一個發光層，每個發光層之間以至少一個電荷產生層作為間隔，電荷產生層為一電阻係數至少大於1〇xl〇2ncm，較佳為 1·0Χ105Ωαη，之電氣絕緣層。裝置的薄層均此外，用於製造每個發光單元的材料恰為夾於傳統EL 陽極和陰極間的組成物之材料，因此所有EL裝置内部的為電阻係數不小於1· 〇Xl〇2Qcm的電氣絕緣層。發光單7G係指EL裝置内的一組成物，其為一層狀結構，包含了至少-個含有有機化合物的發光層，即，省統有機EL裝置内的組成物。再者，電荷產生層係由—電阻餘不小於丨·咖，較佳 ΐ至=GX10^r’之電氣絕緣層所組成，係可以在施以-電壓 :H主衣置的陽極方向’以及將電洞射往裝置的陰極方材料开有機乩裝置’電荷產生層較佳係包含由兩種不同材枓形成之豐合或混合層。—包含陽離子基與_子基之移錯合物係藉由兩種材料間土电。了#r 於eL裝置時，陽離化通原作用而形成’當施-電屋子基悲（电洞）與陰離子基態（電子）可八與陽極的方向轉移，因此電洞可以射進鄰近電: 發光單元’以及電子可以射進鄰近電荷產生層陽層，其組成物包八此外，電荷產生層餘係包含—疊合或混合 3 · (a ) —有機化合物，盆游離沪枓,… 離電位小於5.7e[且具有電洞傳 ⑴—無機或有機材料’係可與有生貝或电子供給性質；及還機化合物（a)行氧化 16 1271119 原作用而形成電荷轉移錯合物；及一電荷轉移錯合物’為組成物（a)與⑴ 原作用而形成’係於電荷產生層之内。曰’的乳化還得到::子輕易地從一般具有電子供給性質的有機化合物中小於5 7 組成物（a)的有機化合物之游離電位較佳係电成物ίΙΛ、存離電位若等於或大於5.7eV，則有機化合物盘 Γίΐ 物之間將很難發生成氧化還原反應，因而电成物⑴之化合物將無法生成本發明所需的電荷轉移錯合物。更具體而言，組成物“）的有機化合物較佳為芳基胺

(arylamine)化合物，其中芳基胺化合物較佳係以下 (I)作為代表： A

Ar 2

Ar -j ——n ——Ar 3 其中Arl、Ar2與Ar3係分別代表一可含有取代基的芳香烴基。 N，N，N，，N-四-對-甲苯基—4,4，-二胺聯苯 (1^，1^，『，1^-七61:『&1-1:〇1;^1-4,4’-(113111]111〇13101161171)，雙（4-二-對-甲苯基胺苯基）苯基甲烷 (bis(4-di-p-tolylaminophenyl)phenylmethane)，N，Ν’ - 二苯基-Ν，Ν’ -二（4-曱氧基苯基）-4, 4’ -二胺聯苯）（Ν，Ν’-diphenyl-N，N’-di(4-methoxyphenyl)-4, 4’ diamin 〇1^口1161171)，1^，]\1，『，『-四苯基-4,4’-二胺二苯醚 (N，N，N4, Ν’-tetraphenyl-4, t-diaminodiphenylether) ’ 4,4’-雙（二苯基胺基）四元苯基（4,4‘_bis (diphenylamino)quadriphenyl)，4-N，N-二苯基胺基-（2一二苯基乙稀基）苯（4-N，N-di phenyl ami no-(2-diphenyl vinyl) 17 1271119 benzene) ， 3-曱氧基-4’-N，N-二苯胺二笨乙稀 (3-methoxy-44-N，N-dipheny laminost i lbenzene)，N-苯基叶 ^(N-phenylcarbazole)，1-1-雙（4 -二-對-三胺苯）環己：)：完 (1, 1-bis(4-di-p-triaminopheny1)cyclohexane)，1，卜雙 (4-二-對-三胺苯基）-4- 苯基環己烧 (1，1-bi s(4-di -p-triaminopheny1)-4-phenyl cyclohexane) ，雙（4-二甲基胺-2-甲基苯基）苯基甲烷 (bi s(4-dimethyl ami no-2-methy 1 phenyl)phenylmethane)， 1^，1^，1^-三（對-曱苯基）胺（1^，]^，1^，-1：1^(0-1:〇171)31111116)， 4-（二-對-甲苯基胺基）-4’ -[4-(二-對-甲苯基胺）苯乙烯基] 二苯乙稀 dCdi-p-tolylamino)·^4-!^- (di-p-toly lamino)styry 1 ]st i lbene)，N，N，N’，N’-四元苯基 -4,4’-二胺聯苯-N-苯基咔（N，N，N‘，N，-tetraphenyl-4, 4‘-diaminobiphenyl-N-phenylcarbazole)， 4, 4’- 雙 [N-U- 萘基）-N- 苯基胺]聯苯 (4,4‘-bis[N-l-naphthyl]-N-phenylamino)biphenyl ， 4,4”-雙 [N-(l- 萘基）-N- 苯基胺]對三聯苯 (4, 4’’-bis[N-（1-naphthy1)-N-phenylamino]p-terpheny1) ，4, 4’- 雙 [N-(3- 苊基）-N- 苯基胺]萘 (4,44-bis[N-(3-acenaphtheny1)-N-phenylamino] naphthalene)，4, 4-雙[N-(9-蒽基）-N-苯基胺]聯苯 (4, 4’-bis[N-(9-anthryl)-N-phenylamino]biphenyl)，4, 4n -雙 [N-U- 蒽基）-N- 苯基胺]對三聯苯 (4, 4,5-bis[N~(l-anthryl )-N-pheny lam i no] p-ter phenyl)， 4, 4’- 雙 [N-(2- 菲基）-N- 苯基胺]聯苯 (4, 4’-bis[N-（2-phenanthry1)_N-phenylamino]bipheny1)， 4, 4’- 雙 [N-(8- 螢蒽）-N- 苯基胺]聯苯 18 1271119 (4,45bis[N-(8-fluorantheny1)-N-phenyl ami no]biphenyl) ，4,4’-雙[N-(2-芘基）-N-苯基胺]聯苯 (4, 4’-bis[N-(2-pyrenyl)-N-phenylamino]bipheny1) ， 4,4’-雙[N-(2-二苯駢蒽基）-N-苯基胺]聯笨 (4, 4’-bis[N-(2-perylenyl)-N-phenylainino] biphenyl)， 4,4’-雙[N-(1-暈苯基）-N-苯基胺]聯笨 (4,4,~bis[N-(1-coroneny1)-N-phenylamino] biphenyl)， 2,6 -雙（二-對-甲苯基胺）萘（2,6-bis(di-p-tolylamino) naphthalene) ， 2,6-雙[二-(1 -萘基）胺]萘 (2, 6-bis[di-(l-naphthyl)amino] naphthalene)，2, 6-雙 [N-(l_ 萘基）-N-(2- 萘基）胺] 萘 (2,6-bis[N,(1-naphthy1)-N-(2-naphthy1)amino] naphthalene)，4, 4”-雙[N，N-二（2-萘基）胺]三聯苯 (4,4”-bis[N，N-di(2-naphthyl)amino] terphenyl) ， 4,4’-雙 [N- 笨基 -N-[2-( 芘基）胺基]聯苯 (4, 4’-bis[N-phenyl-N-(2-pyreny1)amino]bipheny1)，4, 4’ -雙 [N- 笨基 -N-(2- 芘基）胺]聯苯 (4, 4‘-bis[N-phenyl-N-（2-pyrenyl)amino] biphenyl)，2, 6-雙 [N，N- 二（2- 萘基）胺基] 芴 (2,6-bis[N，N-di(2-naphthyl)amino]fluorene) ， 4,4”- 雙 (N，N_ 二-對-甲苯基胺）三聯苯 (4,4”-bis(N，N-di-p-tolylamino)terphenyl ，雙（N-1-萘基）（N-2-萘基）胺（bis(N-l-naphthyl)(N-2-naphthyl) amine) ， 4,4’ -雙[N_(2-萘基）-N-苯基胺]聯苯 (4, 4’-bis[N-(2-naphthy1)-N-phenylamino]biphenyl ， a -NPD)，係可以下列化學式作為代表： 19 1271119

O G>

20 1271119 spiro-TAD係以下列化學式作為代表：

2-TNATA係以下列化學式作為代表：

21 1271119 及其相似物。此外，任何用於生產傳統有機EL裝置的已知芳基胺化合物也適合用於此發明。另外，為增加本裝置的耐熱性，使用的芳基胺化合物其玻璃轉換溫度較佳係不低於9〇。〇。在許多上述芳基胺化合物中，α_NPD、spiro_NPB、spir〇_TAD m 胺化合物’峨麵溫度係不田田本t明有機EL裝置之電荷產生層若由—含有兩種不同材料的且口層所組成’則g合層的其中_種材料可為鄰近 z光單元上之電洞傳遞層之有機材料，並且在此狀態下，㈣傳遞層較佳係利用同樣當作組成物U)的芳基胺化合物。以下將進一步配合圖式描述本發明。複數發k有機EI^置其特點係包含—陽極電極/ 具有二層二1:包二個:光層’原則上含有有機材料且於陽極與陰極電G數個發光單元係位荷產生層作為間隔，該電荷產;^之九電之電氣絕緣之電 L〇X1(^Cm，較佳為不小於UXH)、。T 1阻丰不小於則從陽極面射向L，e使“ίΓΓ、.=ΐ’同時—電洞⑻ 生一激發“造成發光現象好—料於早心結合，因而產相反地，如第二圖所示，本發明之 :結合係發生於複數個發光單與電洞層作::rr此於電極之間可以發出本…有…置係包含一電阻係數不小於 22 1271119 ::㈤較佳為不小於“她㈤之電/ 何產生層，另外’-般而言，電荷產生層之可見光穿透率/為电 light transmitt概e)較㈣科於⑽。即使個發光單元，可見光穿透率若小於5⑽，仍無法提供师產生層時被吸收。先早兀所發出的光線會在穿過電荷產生二有前述電阻率的無機材料與有機材料均可作為電荷曰之材枓，然而如同前述，一合適的電荷產生層其係不同材料形成的疊合或混合層所構 ’、、原作用而$ + 一^人θ 焉成猎由兩種材料間的氧化還為離子基與_子基之電荷轉移錯合物，因 ==Γ 陽離子基態與陰離子基態可分別往陰極方向與％極方向移動，故當施加—電壓時，電荷產生層可以將電洞射進鄰近電荷產生層，極面夕恭忠ϋσ — 、了座玍層匕極面之發先早兀，以及將電子射進鄰近電何產生層陽極面之發光單元。如同前述，本裝置之電荷產生層較佳係包含一疊合或混合層’係由芳基胺化合物例如組成物（a)，與組成物⑴所組成°，其中組成物（b)可為無機或有機物f，且必須能與芳基胺化合物進行氧化還原反應以形成電荷轉移錯合物。 σ + —第三圖係顯示電荷產生層上之電荷轉移錯合物的形成，其中電何產生層為疊合層，並且包含前述組成物（a)與（b)，以及在施加電壓後，電荷產生層上之電子與電洞轉移現象之示意圖。另外第四圖係頌示電街產生層上之電荷轉移錯合物的形成，以及在施加電壓後電子與電洞之轉移現象，其中電荷產生層為包含上述組成物（a)與（b)之混合層結構。再者，利用光譜分析（Spectrosc0pic anaiysis )可分析出組成私荷產生層之兩種化合物是否可形成電荷轉移錯合物，例如，當測試此兩種化合物時，個別使用此兩種化合物並不會在波 23 1271119 長800 2,〇〇〇 nm的近紅外光區域呈現一吸收波峰（ah邮i〇n peak)仁田合併使用於混合層時，則會在波長糊一匕刚_的近紅外光區域呈現-吸收波峰，即，吸收波峰位置的確認可清楚· 表現（或證實）兩個化合物之間的電子轉移現象。第五圖係鮮員不單獨使用每個芳基胺化合物所得到的吸收光譜· 圖，包括」2-TNATA、α -_、spir〇_TAD與邛.訓，以及〜〇5 (五氧化二！凡），以及每個芳基胺化合物分別與五氧化二飢一㈣用於混合層所得到之吸收光譜圖；如第五圖所示，每個芳基月女化合物與五氧化二釩當單獨使用時，並不會在波長8〇〇_2,〇〇〇 nm的近紅外光區域呈現一波峰，但若以包含芳基胺化合物與五氧 φ 化二釩之混合層形式使用時，該層就會在波長8〇〇-2,〇〇〇的近紅外光區域呈現一明顯波峰，由此即可確認電荷轉移錯合物之形成。第六圖係顯示2-TNATA與4F-TCNQ使用於單層或混合層的吸收光譜圖。第七圖係顯示用於混合層之a_NpD與Re2〇?(七氧化二銖）的吸收光譜圖。由第五圖到第七圖中顯示的每個混合層的吸收光譜中，可觀察到在近紅外光區域（ 800-2,000 nm)間有一新的第三吸收光譜伴隨電子轉移而產生，此第三吸收光譜並非純粹是一個單一物質修的光譜與另一個單一物質的光譜的加總結果；經過研究發現混合層上所產生的化學反應，係施加電壓後造成電荷轉移的重要因 . 素。當兩種化合物（或層）經過疊合，可輕易得知在其疊合界面 · 間會產生化學反應，因此，電荷產生層上的兩種化合物疊合也必然會產生預期之性質。如前所述，本發明之，，發光單元，，係指除了陽極與陰極之外的，，傳統有機EL裝置的組成物，，。 24 1271119 /二f置的組成物，，係包括’例如:(陽極)/發光層 f rw自r氐 ^專4層/ (陰極）、（陽極）/電洞射入層/ 電洞= 發光層/電子傳遞層/(陰極)，及其相似物射根據本务明之有機EL裝置，苴發前提是複數個發光單元中，每^ 構造’但荷產生層作為間隔。此外，=緣之電 μ . ^ 〜尤涫弘洞傳遞層、電洞射入 i材：，亦二、電子射入層及其相似層之材料並不限於任何特 "亦可為傳統用於形成這些薄層的任何材料。定材：卜、、':用於發光層的發光材料或冷光材料亦不限於任何特料與磷光知材料包括’例如’各種不同的營光材搬來况，具有低功函數（low work function)之全屬4是 =函=合金、金屬氧化一 -浐扩八严一而。’陰極材料包括，例如’一單-金屬，例如， :u蜀，如鐘及其相似物，—驗土族金屬，如鎂、齊及立相似物’-稀土金屬’域（Eu)及其相似物，以铭二;姻及其相似物之金屬合金。此外，根據日本專二:公、二 :丄"7〇171與2〇01，2175號中所述，金屬摻質之有機層係用i ^丨於陰極財機層的界面上，且任何導t材料均可料料’於該裝置結構中，所選擇的陰極材料其性f，例如並不受到限制。再者，如同日本專利申請公開號第1 1-233262號盘第 2000 —1827J4號所揭露之技術，利用含有至少一種的鹼族：屬離子、驗土驗屬離子與稀土金屬離子之有機㈣複合化合物組鄰近陰極的有機層，則用作陰極材料的金屬須能夠在真空狀將複合化合物中的金屬離子還原成對應之金屬，例如，—熱=原 25 1271119 至肩例如：紹、錯（Zr)、鈦、石夕及其相似物，或一包括 =合金。在這些金屬中，一般常使用作為電線材料的二呈 =易於减、南反光性與化性穩定之特f，特別適合用於陰極材同樣地，陽極材料也不限制於特定材料，例如料例如：ITO (氧化銦錫，indi_ τ. η <乃夺电材辟，1 η. 7· η Μ、H 〇Xlde)、IZO(氧化銦辞Zinc 0xlde)及其相似物，均可作為陽極材料。二若依照曰本專利申請號第方法來塗佈ΙΊΌ以避免有機層的損宝，透月V屯材料，例如前述之I TO盥了 7〇料。因此，將陰極與陽極作成透明用來作為陰極材 ^ , 包極，且有機層與電荷產生；亦均為透明，那麼便可製造出一透明的發光妒置 β 任何==’係，於前述—般有㈣裝置的則裝==广極為透明電極，則該裝置結構便成為從置的$合層面發光，而非《置的基板面發光。间始。成，也可由裝置的陰極面開始。

褒置之技術，二:了 2層之方法’係均可遵照習知用於傳統EL 光單元，並且每，輯簡較佳係不小於！ _ίΩ以一電阻係數不小於以训‘，本發明之有機£L心’，之甘電荷產生層作為間隔。

裝置係具有下列獨特之^ 新穎的裝置構造比起傳統有機£L 限制，然而在傳之有機£L装置’其量子效率係無理論上的在傳統有機£L裝置，理論上，其量子效率，即每秒 26 1271119 光子（數量）與每秒電子（數量）之比值，之最大上限值為丨（= 1JOO% )。此乃因為，如第二圖所示，電洞（h+)的射入代表隨著包子脫離有機層上的價帶（valance band)(或最高填滿分子軌域，HOMO，Highest Occupied Molecular Orbital)而產生一陽離子基，因此鄰近電荷產生層的陰極面之有機層，其上的電子脫 ”係射入鄰近電荷產生層的陽極面之有機層的電子傳導帶（或最低空的分子軌域，LUM〇，L〇west Un〇cc叩iedM〇iecuiar (Mntal)’ m而產生—發光激態’即’脫離的電子係被再度用於產生發光激態。、、一因此f本發明的有機EL裝置，其每個由電荷產生層隔開的發，單70的置子效率係計算每秒通過每個發光單元的電子（表觀數量，aPparent number)與每秒射出每個發光單元的光子（數量） ^比值’之後再將每個發光單元的量子效率相加，因而本裝置里之量子效率並無上限。即’雖財裝置具有迴路構造，與傳統農置利用金屬線串聯 =個EU置-樣，但因為本發明裝置具有非常薄且透明層狀 ^的電荷產生層，且電荷產生層係—（電氣）絕緣層，其電阻 h數士致上與有機層相同，因此本發明的有機η裝置亦可面且薄層型悲的發光裝置，如同傳統之有機此裝置—樣僅能陰極與陽極的交會區域發光。；虽^本發明之有機EI^置除電極外，係'僅由_電阻係數不小佳為不小於之電氣絕緣層所組成，了 ^有機EL裝置之驅動電壓可為每個發光單元的還原電位弋：=總合’即㈣他.··…’因為本發明之裝置之運作方系列複數個傳統裝置的串聯。因此，本發明裝置之發目⑷的增加’使其無法像傳統裝置—樣具有驅 &寻於或小於1 〇伏特的優點。 27 1271119 本發明之有機此發光裝置仍具有—些優勢為傳統有機衣.不及。在傳統裝置中，其發光度與電流密度成正相關 ‘ ’因而需要供應較大的電流密度以增加其m換言之，因為裝置的運作生命期與電流錢（非驅動壓力）呈負相關性，古發光度也就等於縮短裝置的運作生命期。回本發明之有機EL裝置與傳統裝置之缺點不同在於， :!之電度下得到n倍的發光度，只要在兩邮^ 先早π(母個構造均相同）而不需要增加電流密度。於前述方法中，驅動電壓也會增加η倍甚至更多，兩 =的是：發明之一意料之外與重要的好處便在於達: 發先度部不會減少運作生命期。此外，在本發明之有機EL裝置中，於陰極和陽極之間厚^自❸也藉著增加發光單元的數目增加，舉例來說，假設: 兩电極間的發光單元數目為” n”個，則本發明裝置的薄層厚度就合 :加成，傳統EL裝置之約n倍厚度。另外，因為本發明之發：早π的數目沒有限制’兩電極間的薄層厚度亦沒有限制，統EL裝置’兩電極間的薄層厚度必須不能超⑸⑽實^上，不 ^大於2刚埃（不能超過200nm))，並且驅動電璧需為丁25伏特或U、，本發明之EL裝置基本上有著傳統EL裝置所沒有的特點 (則述之Kodak Patent,曰本專利申請公開號第59_19伽 j、第63-264692號與第2-15595號，美國專利第4 539 5 第 4, 769, 292 號第 4, 885, 21 1 號）。 ’ 化因此，在本發明之有機EL裝置中並不需定義兩電極間的薄声厚度之上限、驅動電壓之上限以及量子效率（電流效率）的上阳曰。換言之，於傳統有機EL裝置中，增加驅動電壓只會降低轉換效率（w/w)，相反地’本發明之有機EL冑置原則上可以维持-定的功率轉換效率，因為如果放置”n”個發光單元於兩電極 28 1271119 :加::發:起始電壓(啟動電壓（t_〇"〇㈣))也會同樣曰^ 4 ’因此達到所欲發光度的電壓也會增加n倍，並了、_电壓的增加以外’量子效率（電流效率)也會增加約订倍。再者本發明之有機EL裝置所包含的複數個發光單元，1笛在於可以減少裝置短路（sh〇rt 士如如）的風險。 =有機^裝置僅含有—個發光單元，如果在單元薄層上因為二針孔*，而使得陰極和陽極間產生短路現象，队裝置將會立二：二發光。相反地’本發明之有機EL裝置因為兩電極間二薄 ^度轉’因而可降低短路的風險，即使部分發光單料生短路縣’也不致於發生完全無法發光的情況，因為其增光’具體而言，當需將此裝置的設定在特定； ::ΓΓ，可讓一些發光單元發生短路現象以減低驅_，而其他未短路的發光單元則仍可正常地發光。 ::上述的優點之外，本發明有機EL裝置的優點尚有，例 ° Ί、應用於-含有簡易基f結構的EL顯示裝置時， -不裝置相比較，前者可以大量減少：的 r而必須減少電流密度，即降低電壓，的問題產二裝置相比較，夾在發料以卜面的兩電極間的驅動㈣較兩，也表示因電線電阻所導致的電壓降低不會：；^〇(^25 10〇〇cd/m2, EL 5〇 c m之L衣置，其因為電線電阻而降低 =度減弱的程度，便可以充分了解較高的驅n而使 3效應，結合本發明此裝置之另-特色1其電線白=電 “生’使付本發明可成為一控制於穩定電統技術所無法達成。衣罝此為傳度另外，前述之優勢亦能應用在大平特別是可用於照明儀器。傳統有機面區域以達到一致的發光 EL裝置，因其所使用的 29 1271119 特別是透明電極材料，基本上為1το等，其電阻係數比金屬（1〇6Ω(：ιη)的電阻係數高了 1〇〇倍，盆發先早4電壓⑺或電場E(V/cm)會隨著與電源接觸點（c〇nt: p=t)的距離增加而減弱，因而與電源接觸點較近的部分和較分’其會產生發光不—致（發光的差異）的現象。相反地，光二=?置，因為可以大量降低電流而達到所欲的發 =幾1的降低現象，因而在大表面的發光儀器能夠違到幾乎一致的發光度。地栋H ’在製造電荷產生層方面，㈣本發明之特點係在於特數比™及其他導電材料更高的材料（約1π) i邊不小於i. 0X1 〇也„ ’較佳為不小於i. 〇χι ），所荷產生層的過程中，需要—遮罩以界U鑛區域，使A :用來衣造模組化之有機層相同’並且除了製造兩極的過程之外’於其他製造過程均不需頻繁的更換與定位遮罩，換言之發明之生產量可以顯著增加。、 π弟八圖為-剖面圖顯示本發明一實施態樣的有機EL裝置之中疊在玻璃基材（透明基材）1之上的包括有（順 )·—透明電極1組成—陽極電極一發光單元3_卜一廷何產生層4]、一發光單元3_2、_電荷產生層4_2、. -電％產生層4-(n-i)、一發光單元（3_η) η=ι、2、3 ，以及最後-陰極電極（金屬電極）5。在這些元件（層）中其中玻璃基材（透明基材Μ、透明陽極電極2、發光單曰元（3_二 η=1、1、2 3·..···與陰極電極5,每個均為習知元件（層）。本發明 EL裝置之新特色在於兩電極間的複數個發光單元（Η，η為i、 30 1 …）’以及將其間隔開來之電阻係數不小於1 · 0X1 〇1ncm之 2 電氣絶緣的電何產生層（，n為1、2、3 ) 3 此外，有機EL裝置的驅動電壓會隨著功函數（㈣⑴隱“on) 1271119 而改變’而功函數又為電極材料裝置其所使用的電荷產生層 2本兔明的有機el :射在％極電極的方向，而電洞會射口^子前述發光單元的組成物時，特制a的方向’在製造子射入（傳遞）層與電洞射入（：：二立：電荷產生層兩旁的電很重要的。开1早〖energy barner)是舉例來况’如果欲將電子由每個電 —^ 極的方向，較佳係如a太畜w 生王層4 η射彺％極電 2001-1 0917^ ^ 利申請公開號第10-270171與第财）所述’為—包含有機化合物與作為電子提供w 面。射入層，其鄰近電荷產生層的陽極 =貝車乂佳係包含至少_種金屬土族金屬與稀土金屬。、目蚯鉍至屬、驗合物:者層中作為供體摻質的金屬，其相對於有機化 .1至1G之間1分子比例小於η合變差’因為還原分子的濃度會隨著摻質減少而大^ 二文果：：二還原分子”)。若分子比例大於10同樣會導致摻力較於有機化合物，薄層中的摻質濃度大幅增加因而導致還原分子過度還原。 -將f述電子射入層包含的結構應用到有機EL裝置的發光單恭从:^ %子射到每個發光單元時無能量屏障的阻礙，不管組成电何產生層材料的功函數為何。亚且n單元的結構中’電子射人層包含—金屬，其係可 :【驗族金屬、驗土族金屬與稀土金屬，且其厚度達到5nm (較 -〇· 2至5nm)係被置於其鄰近電荷產生層的陽極面。薄層厚度超過5四較不理想，因其會減少光線穿透，並且同時因為金屬成分會隨著薄層變厚而大幅增加，其高反應性（highreactivity) 31 1271119 與在空氣中的不安定性將導致裝置的不穩定。再者，於厚度5ηπι 的金屬層中，將有大量的金屬層會擴散到有機層中，形成一層基本上如同前述金屬摻雜層之組成一般的薄層，該層至少不會是具有導電性之金屬層。舉例而言，如果電子自每一個電荷產生層4-η射往陽極方向，則如日本專利申請公開號第11-233262號與第2000-182774 號（對應至美國專利第6,396,209號）〇.£11(1〇，1\肘3七311111〇1:〇， and J. Kido, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41 (2002) pp. L800-L803) 所揭露的，電子射入層亦較佳位於電荷產生層的陽極面。該型的電子射入層係可解釋為一”原位反應生成層（in-situ reaction generating layer ) ”，其可藉由蒸鍍一熱還原金屬，例如：銘，於一含有自驗族金屬離子、驗土族金屬離子與稀土金屬離子之化合物上，使得金屬離子還原成金屬狀態而產生。本發明之裝置較佳係提供一層還原反應所需最小量之極薄的熱還原金屬於化合物上，若化合物中的金屬離子被還原，提供的熱還原金屬本身會氧化成電阻係數不小於1. 0 X 102Ω cm之絕緣化合物，該層極薄的熱還原金屬其厚度係不超過lOnm，金屬原子並不會行還原反應，因而失去透明度與絕緣特性。除了前述專利文件（日本專利申請公開號第Π-233262號與、第2000-182774號）所述的有機金屬複合化合物之外，也可使用無機化合物包括驗族金屬離子、驗土族金屬離子與稀土金屬離子形成化合物，用以作為前述”原位反應生成層”。一氧化物與鹵化物包括鹼族金屬離子、鹼土族金屬離子與稀土金屬離子也可用來形成化合物，用來作為原位反應生成層。並且任何包括驗族金屬離子、鹼土族金屬離子與稀土金屬離子之無機化合物皆可用來作為化合物。 <

此外，於前述日本專利申請公開號第10-270171號、I 1271119 2001 102175 號、第 π—233262 號與第 2000-182774 號（對應至美國專利第6, 396, 209號）也可使用不同型的電子射入（傳遞）層彼此重豐。曰本專利申請公開號第I?〗號或第 2001 102175號的金屬摻雜層較佳係以一預定的厚度置在有機層 (包括發光層）的上方，作為低電阻的電子傳遞層，之後，於前述日本專利申請公開號第233262號與第2000-182774號之原位反應生成層再置於金屬#雜層之上。如同前述，本發明之作者已在日本專利申請公開號第2002-273656號中提及一技術概令，

其係將傳統電冷光裝置中藉由重疊不同型的電子射入（傳遞）層而將電子射入層與陰極電極相連結。曰於本例中，原位反應生成層係與電荷產生層的陽極面接觸，本發明可避免電荷產生層的材料與反應金屬，例如··驗族金屬，之間的反應，因此，本發明之方法很適合用來製造電子射入層，因其可減低電子從電荷產生層射到發光單元的屏障。再一者，以電洞從每個電荷產生層4—n射往陰極電極方向為命 :吕’根據曰本專利申請公開號第η—251〇67號盥第〇。"44〇79號所建議的’ 一含有摻雜的化合物（路易地匕合 ’即以路易士化學的角度而言係擁有氧化有機化合物的性

人層财置於㈣電荷產生層㈣極面，不論組 :的材料其功函數為何，均可達到在缺少能量屏 1手的％境下射入電洞。另外’含有電子接受化合物（路易士酸化合物） :ί t 〇常薄:維持透明度。根據此法所製作的電洞射入層厚度較访，更力為〇· 5至3〇nm間，若層厚超過3〇二==穿透，並且同時因為路易士酸化合物的高 ;乳中的聽定性’若其於料含量過多將導致裝置的不穩= 33 1271119 本文中之電子接受化合物（路易士酸化合物）並不限定於特定化合物。舉例來說，電子接受化合物可包括’一無機化合物’ 例如：氣化鐵、溴化鐵、埃化鐵、氯化鋁、溴化鋁、蛾化銘、氣化鎵（gallium chloride)、溴化鎵、碘化鎵、氯化銦（indium chloride )、溴化銦、碘化銦、五氯化銻（Antimony Pentachloride)、五氟化砷（arsenic pentafluoride)、三氟化石朋（boron trifluoride)與其相似物，

DDQ (dicyanodichloroquinone) 、 TNF (trinitrofluorenone)、 TCNQ (tetracyanoquinodimethane) ' 4F-TCNQ (tetraf luoro-tet racyanoquinodi me thane)及其相似物0 在電洞射入層中，有機化合物與電子接受化合物（摻質化合物）的莫耳比例較佳係介於〇·〇1幻〇。若莫耳比例小於〇〇卜將因，隨摻質氧化的分子（以下稱為氧化的分子）濃度過低，而導文果㉙差，若莫耳比例大於lQ，則因為層中摻質濃度比化合物的濃度呈現過量，使得氧化的分子的濃度大少’導欵摻雜效果不彰。情況:便可發射電洞二個合物(路易士酸化合物)的可作:::產所示’士酸化合物本身有時也可分別與％月斤光早70中，與陰極或陽極直接接觸的薄層，係物，或者备/荷產生層陰極面或陽極面的薄層有相同的組成物，當软，偉:子射人層與電洞射人層可以有—些其他的組成發明。、、· L裝置的電子射入層與電洞射入層亦適用於本、先有機ELI置相比較，製作本發明之有機el裝置的薄 34 1271119 層必定需要花費更多的時間。另外’因為本發明方法之特色就在於可大里重稷執打同樣的程序，所以目前廣泛使用統之蒸鍍裝置（batch…以 u , h system-based vapor deposition apparatuses) f要更多的處理時間。再者，比起傳統有機此裝置為必須使用大量昂貴的有機材料，生產費用的增加亦需列入考量。此情況下’可參考日本專利巾請公開號第2刪_15咖號之建議’使用直排排列系統為基礎之持續生產薄層之裂置:二 line-lme system-based continuous layer f〇rmation apparatus)，利用該裝置可大量減少形成薄層所需的時間，並且材料的利用效率可增加到1。並且，在製作本發明有機EL襄置的有機層、電荷產生層極層時’可使用所有任㈣知之傳統沈積方法，例如力: 蒸鑛方，（reS1Stlveheatlngvap〇rdep〇siti〇nmeth〇d)、電子光束洛鍵法、雷射光束蒸鑛法、㈣法與其類似方法。特別是’當一無機物質或化合物，例如：氧化金屬，用來 =何產生層時，操作蒸鑛方法必須很小心，因為在將氧原子等物質自化合物中分離時，很可能會使得沈積層含有預定之計量址成物（stoichiometric composition)以外的成分出現。再者，當一無機物質或化合物利用濺射法沈積時，很重要的 -點係在沈積^程中’將形成有機層的物f與已生成的電聚分開沈積，以避免破壞有機層’另外還有一點报重要的是，將濺射二無機化合物分子輕輕地以-狀之動能值沈積在有機層上，少對裝置的損害。適合用來製造本發電荷產生層亦有，舉例而言，面向样的物 (facing target sputtering apparatus ) ^ 相對且相隔-段距離的目標、—反射電極可將電子反射至每個標 35 1271119 =前^圍區域，以及—磁場產生裝置，磁場係有—部分為平订於目仏周邊的部分，用 — 用乂在母個私的物周圍之近端產生一與標 ’、面平订的電場（參考日本專利中請號第2G0H42672號）。此外’所有基材上的薄層均可蒸鑛方法，藉由在真空中力口.4-可蒸鏟材料使其蒸發或昇華，再將之沈積至基材上，並且 ?含將基材以一平面方向運送，使蒸鍍區域位在基材的下表面；，且提供-容器位於運送的基材下方，容器内部裝有紐材料， 7的㈣寬度係、垂直於基材的運送方向，其寬度可涵蓋蒸鑛區

以及加熱容器’使得容器内之可蒸鑛材料蒸發或昇華以進行瘵鍍（日本專利申請號第2〇〇卜153367號）。另外，與傳統EL裝置相反，因為本發明之一重要特色為兩個或夕们光單元心以一定間隔設置，故當本發明之有機此裝置之發光點至光反射電極的光徑長度（邮㈤_ lengh)接近四分之一光波長的單數倍時，即λχ(2η—ΐ)/4，其中n為卜2、I . I 可達到袁而發光率。傳統EL裝置的結構中，其發光點至光反射電極的光徑長度係控制約在四分之一光波長的單數倍，於這樣的裝置中，即使有機層的厚度大於四分之一波長，結果也僅是導致驅動電壓的增加。

然而，如前述日本專利申請公開號第2〇〇1 —1〇2175號所揭露，若適當的選擇一電子傳遞有機化合物與鹼族金屬（兩者均組成一鄰近光反射電極之電子射入層）之結合，則可避免因為薄層厚度變厚（約Ιμπι)而產生驅動電壓增加的問題，以及因為薄層厚度增加所產生的干涉效應（interference effect)所導致色相（color hue)(即發光光譜圖）大幅改變。舉例而言，假設電子射入層的光徑長度係調整至約為四分之一光波長的單數倍時，即λχ(2η-1)/4，其中1!為i、2、3··，則發光光譜圖會因著η的增加而變窄。另一方面，若將電子射入芦 36 1271119 的光徑長度調整至約為四分之一光波長的偶數倍時，即入著;^4’其中11為卜2、3···，則干涉效應會因著η的增加而顯二冒加，而使得發光效率大幅減低，此乃因為原始發光和劇增的干涉效應互相抵銷所導致。曰矛 _ 士因此’當本發明之有機EL褒置的η很大且擁有複數個發光單 ^的精確地控制每個發光點至光反射電極間的薄層厚度是相當為了避免微調薄層厚度的麻煩’較佳係將傳㈣置中當陽極 =透明電極時’當作光反射電㈣陰極建構成—不會反射的黑色 :極或疋至少在陰極方向建構一薄層以作為光吸收層，如光干涉的問題便可以解決。小相反地’若陽極為光反射電極，那麼較佳係由陽極本身或至 > 一層在陽極方向的薄層具有光吸收功能。當-個電極為透明電極時，如果提供一光擴散反射平另—個電極’則理論上可以避免光干涉的問題。 …另外’如附加f施觸述，本發明之另—特色在於每個發光早⑽可發出不同的色彩’故可得到—所欲之混合（重疊）之發 =顏色。於本例中亦需要如上述之方式最佳化發光點至光反射電 °之光㈣度’至於薄層厚度之最佳化的需要則視每個發光單元籲的發光顏色而定。實施例立本發明將藉由以下的參考實施例作進一步之描述，然而請注思，本發明係不受限於這些實施例。 ;、下貝％例中，有機化合物與金屬之蒸錢，以及電荷產生層之形成，係利用—購自Μ·· MpAN之蒸鍵裝置，·蒸鍵材料的减速度與沈積層的厚度之控制係藉由—厚度彳貞測儀，含 37 1271119 一石英振盪器（quartz oscillator )，貼附在蒸錄裝置上，型號為 CRTM-8000，購自ULVAC。另外，為在薄層形成後偵測其厚度，係可利用一購自Tencor公司之（stylus step meter ) ”p 10”。再者， . 有機EL裝置之特性係利用購自KEITHLEY之電壓測定儀（source · meter )”2400”與購自 TOPCON 之亮度計（luminance meter )，，BM-8” 來評估。以每兩秒增加〇·2伏特的增加速度，將逐步增加的直流電壓通入一以ΙΤΟ陽極、鋁陰極的EL裝置，於每次電壓增加後隔一秒測量其發光度與電流。利用光學多頻道分析儀（optical φ multi-channel analyzer) “PMA-11”（購自 HAMAMATSU PHOTONICS公司）在一固定電流之驅動下，測量el的光譜圖。參考實施例1 (製造傳統有機綠光發光裝置之實施例）第九圖所示之含有疊層結構之傳統有機el裝置，其製造方式係如下所述。使用的玻璃基材1係包括，其外部係覆以一層預定模式鲁 (predetermined pattern)之表面、一含有IT0(氧化銦錫）之透明陽極電極2、購自ASAHI GLASS公司之藏射產品（sputtered product) 或構自 Nippon Sheet Glass 有限公司，薄膜電阻（sheet resistance) 約20Ω/ιΐ](Ω/平方）之離子電鑛產品（i〇I1 piating pr〇duct)(參見第十 A圖）。含有電洞傳遞性質之Alpha(a)-NPD係藉由一金屬罩（遮罩）40做成之有機層（參見第十B圖），在1〇_6 τ〇ΙΤ壓力之真空狀 38 1271119 悲'下’以約2埃/秒的沈積速度沈積於ITO包覆之玻璃基材1之上’形成一厚度約700埃的電洞傳遞層6。將三（8-氫基啉）鋁（tris(8-quinolinolato)aluminum)的有機-金屬複合物（以下縮寫為Alq)，其化學式係如下圖所示：

ΝΆ，0、

八購自柯達公司之綠色螢光染劑的香豆素(coumarin)衍生物“C545T，，(藥物商品名），於真空蒸鍍環境下沈積於電洞傳遞層6的上方，成為一厚度約 40〇埃之發光層7，沈積速度係經過調整使得每層發光層7所含的螢光染劑之重量比為1%。之後，將浴銅靈(bathocuproine)，其化學式如下所示：

與金屬難)則:1之莫耳_，在真空蒸奴境下共同沈積，於發光層7 39 1271119 之上形成-摻雜金屬(绝)之電子射入層8，其厚度約為細埃。蒸鍵速率係經過調整使得墨耳比例約為1:1。最後’雜藉由-金屬罩(遮罩)41，以約1〇埃/秒的沈積速度沈積於電子射入層8之上’形成厚度約為_埃之陰極電極％參見第十c圖），因而可得到-大小為G.2公分(長度)軌2公分(寬度)之正方形發光區域之有機 EL裝置(參見第十D圖）。第十六圖係顯不該有機乱裝置之發光光谱圖。於該有機EL錢巾，施加—直流賴赠極電極_)與陰極電極⑻ 之間，則從發光層(A_C545T之共沈積層)7發出的綠光係可被偵測到並且％製成第一十一、二十二與二十三圖。於第一十-、一十二與二十三圖中，其中圓形符號❹係分別代表參考貝㈣1的EL ^置其發光度(cd/m2)·電壓(v)之特性曲線圖㈣臟㈣stic )驗讀(mA/cm )-電壓之特性曲線圖，以及電流效率(cd/A)-電流密度(mA/cm2)之特性曲線圖。於參考實齡m恨健巾，其發光初辦之霞為η伏特。參考實施例2 (製造傳統有機藍光發光裝置之實施例）士第十-®所7F之-含有疊層結構之舰有機EL裝置，其製造方式係與參考實施例1之方式雷同，係敘述如下。表面、-含有πυ(氧化銦錫，購自AS細GLASS公司之產品)之透明 1271119 1¼極笔極2 ’係具有20Ω/□之薄膜電阻(sheetresistance)(參見第十A圖）。含有電洞傳遞性質之Spiro-NPB係藉由一金屬罩(遮罩)40做成之有機層(參見第十B圖），在l〇_6Torr壓力之真空狀態下，以約2埃/秒的沈積速度沈積於ITO包覆之玻璃基材1之上，形成一厚度約6〇〇埃的電洞傳遞層9。將Spiro-DPVBi ’其化學式係如下圖所示:

於真空蒸鍍環境下沈積於電洞傳遞層9的上方，成為一厚度約4〇〇埃之發光層1 〇。之後’如同參考貫施例1 ’將浴銅靈（bathocuproine)與金屬絶 (Cs)以1:1之莫耳比例，在真空蒸鍍環境下共同沈積，於發光層 10之上形成一摻雜金屬（铯）之電子射入層11，其厚度約為200埃。最後，將鋁藉由一金屬罩（遮罩）41，以約1〇埃/秒的沈積速度沈積於電子射入層11之上，形成厚度約為1，〇〇〇埃之陰極電極 5(參見第十C圖），因而可得到一大小為〇.2公分（長度）乘0.2公分（寬度）之正方形發光區域之有機EL裝置（參見第十D圖）。第十七圖之虛線部份係顯示該有機EL裝置（參考實施例2)之發光光譜 1271119 圖於該有機EL裝置中，施加一直流電壓於陽極電極（ΙΤ〇)與& 極電極（鋁）之間，則從發光層（Spiro-DPVBi) 10發出的藍光係可被 * 债〉則到並且繪製成第二十四、二十五與二十六圖。於第一十四、二十五與二十六圖中’其中圓形符號（〇）係分別代表參考實施例2的EL裝置其發光度（cd/m2)-電壓（v)之特性曲線圖、電流密度（mA/cm2)-電壓之特性曲線圖，以及電流效率（cd/A)· 電流密度（mA/cm2)之特性曲線圖。 φ 於參考實施例2的EL裝置中，其發光初始時之電壓為2 · 6伏特。參考實施例3 (製造傳統有機紅光發光裝置之實施例）如第十二圖所示之一含有疊層結構之傳統有機EL裝置，其製造方式係與參考實施例1之方式雷同，係敘述如下。使用的玻璃基材1係包括，其外部係覆以一層（predetermined 鲁 pattern)之表面、一含有ITO(氧化銦錫，購自ASAHI GLASS公司之濺射產品）之透明陽極電極2,係異有20Ω/□之薄膜電阻（sheet resistance)(參見第十A圖）。含有電洞傳遞性質之α-NPD係藉由一金屬罩（遮罩）40做成之有機層（參見第十B圖），在l(T6Torr壓力之真空狀態下，以約2埃/秒的沈積速度沈積於ITO包覆之玻璃基材1之上，形成一厚度約700埃的電洞傳遞層12。 42 1271119 將Alq與購自柯達公司之紅光發光螢光染劑“DCJTB”（藥品商品名）於真空蒸鍍環境下沈積於電洞傳遞層12的上方，成為一厚度約400埃之發光層13。每種沈積速度係經過調整使得每層 · 發光層13所含的螢光染劑之重量比為1%。 · 之後’如同參考實施例1 ’將浴銅靈（bathocuproine)與金屬絶 (Cs)以1:1之莫耳比例，在真空蒸鍍環境下共同沈積，於發光層 13之上形成一摻雜金屬（铯）之電子射入層14,其厚度約為200埃。最後，將鋁藉由一金屬罩（遮罩）41，以約1〇埃/秒的沈積速度春沈積於電子射入層11之上’形成厚度約為1，〇〇〇埃之陰極電極 5(參見第十C圖），因而可得到一大小為〇.2公分（長度）乘〇·2公分（寬度）之正方形發光區域之有機EL裝置（參見第十D圖）。弟十七圖之鍵線部份（chain line )係顯示該有機el裝置（灸考實施例3)之發光光譜圖。於該有機EL裝置中，施加一直流電壓於陽極電極（IT〇)與陰極電極（铭）之間’則從發光層（Alq與DCJTB之共沈積層）丨3發出 · 的紅光係可被偵測到並且繪製成第二十四、二十五與二十六圖。於第二十四、二十五與二十六圖中’其中加號（+)係分別代表參考實施例3的EL裝置其發光度（cd/m2)-電壓（v)之特性曲線圖 (characteristic curve)、電流密度（mA/cm2)-電壓之特性曲線圖，以及電流效率（cd/A)-電流密度（mA/cm2)之特性曲線圖。 · 於參考實施例3的EL裝置中，其發光初始時之電壓為2 2伏 43 1271119 特。實施例1 (本實施例係關於製造-含有五氧化二飢⑽）之電荷產生層的有機EL裝置）。本發明之有機EL裝置，如第十三圖所示，係含有4層結構，其衣作方法如下。 …其方法與順序與參考實施例i相同，如第+ A圖所示將發光 2 34藉由-金屬罩（遮罩）4G做成之有機層（參見第十B圖）沈知於™模式包覆（ITQ pattern_eQated)之玻縣材i之上，即，一f度_埃之a_NPD、一厚度4〇〇埃包含⑼：⑽㈣〇 : 混合層里係比依層，以及一厚度200埃包含浴銅靈與金屬絶之之後，五氧化二飢以約2埃/秒的沈積速度之上，形成厚度約為剛埃之電荷產生層Η，電荷產的，成亦同樣在-金屬罩（遮罩）4G做成之有機層（參曰的存在之下進行。 I Μ 7 i —金屬罩（遮罩）4G做成之有機層（參見第十B圖）仍在玻璃基材1上之時，再度重複前述步驟⑽成發光層3_2，即， -厚度 600 埃之 a_NPD、-厚度 400 埃包含 Alq : C545T=1〇〇 : i (重量比）之薄層’以及—厚度咖埃包含浴合層係依序沈積。蜀冗I此敢後’將銘精由一全風篇（、命罢\ 孟屬罩（遮罩Mi，以約1〇埃/秒的沈積速度沈積於發光層3-2之上，形后& ^丄上形成厗度約為〗，〇〇〇埃之陰極電極5(參見第十Cil)’因而可得到一大小為〇·2公分（長度）乘U公分（寬度)之正方形發光區域之有機EL裝置(參見第十〇圖)。於4有機EL I置中，施加一直流電壓於陽極電極(ITO)與陰 44 1271119 極電極（鋁）之間，則從發光層（Alq與C545T共沈積層）發出的綠光係可被偵測到並且繪製成第二十一、二十二與二十三圖。於第二十一、二十二與二十三圖中，其中白色方形符號（□)係分別代表實施例1的EL裝置其發光度（cd/m2)-電壓⑺之特性曲線圖 (characteristic curve)、電流密度（mA/cm2)-電壓之特性曲線圖，以及電流效率（cd/A)-電流密度（mA/cm2)之特性曲線圖。於本EL裝置中，其發光初始時之電壓為4.4伏特，也就是恰好為參考實施例1的兩倍。由上述結果可得知，包含兩個發光單元，每個發光單元均由一電荷產生層隔開之有機EL裝置，相較於參考實施例1的有機 EL裝置，其所增加的最大電流效率（以及量子效率）可以達到約兩倍高。在實施例1的有機EL裝置中，在五氧化二釩與（X-NPD(—做為電洞傳遞分子的芳基胺化合物）之間會產生氧化還原反應，以形成一電荷轉移複合物（V205-+a-NPD+)，即，於五氧化二釩層與α-NPD層之間的界面（interfacial surface )係作為電荷產生層。於第十六圖中，該有機EL裝置的發光光譜圖係以鏈線（chain line)表示。其發光光譜大致上與參考實施例1相同，唯在二分之一最大值之處，其寬度較參考實施例1來的窄，此乃因為干涉效應的緣故。即，干涉效應會產生在兩個發光單元間，因為從第一個發光單元3-1所發出的光線會反射回陰極，而該反射光之相位 1271119 (phase)會與從基材射入發光點之光相位（phase)相對應。實施例2 (一生產有機EL裝置之實施例，該有機EL裝置包含僅由有機化合物組成之電荷產生層）如第十四圖所示，本發明之一含有疊層結構之有機EL裝置，其製造方式係敘述如下。

製造方式係與參考實施例1之方式一致，如第十A圖所示，將一發光單元3-1藉由一金屬罩（遮罩）40做成之有機層（參見第十 B圖）沈積於一 ITO模式包覆之玻璃基材1之上，即一厚度700 埃之α-NPD層、一厚度400埃，含有Alq:C545T=100:l(重量比）之薄層以及一厚度200埃，包含浴銅靈（bathocuproine)與金屬铯 (Cs)之薄層係依序沈積。將4F-TCNQ，其化學式如下：，

F F

以1埃/秒之沈積速度沈積至金屬摻雜層之上，形成厚度約20 埃之電荷產生層4-1。2-TNATA(BANDO CHEMICAL之產品）以 1埃/秒之沈積速度沈積至電荷產生層4-1之上，形成厚度約50 埃之薄層。電荷產生層之形成4-1亦可在金屬遮罩40做成之有機層（參見 46 1271119 第十B圖）的環境下實施。之後，在金屬遮罩40做成之有機層（參見第十B圖）仍在玻璃基材之上時，再度重複前述步驟以形成發光單元3-2，即一厚度 · 700 埃之 a -NPD 層、一厚度 400 埃，含有 Alq:C545T=100:l(重 · 量比）之薄層以及一厚度200埃，包含浴銅靈（bathocuproine)與金屬铯（Cs)之薄層係依序沈積。最後，將鋁藉由一金屬罩（遮罩）41，以約10埃/秒的沈積速度沈積於發光單元3-2之上，形成厚度約為1，000埃之陰極電極5(參馨見第十C圖），因而可得到一大小為0.2公分（長度）乘0.2公分（寬度）之正方形發光區域之有機EL裝置（參見第十D圖）。於該有機EL裝置中，施加一直流電壓於陽極電極（IT0)與陰極電極（鋁）之間，則從發光層（Alq與C545T之共沈積層）發出的綠光係可被偵測到並且繪製成第二十一、二十二與二十三圖。於第二十一、二十二與二十三圖中，其中加號（+)係分別代表實施例2的EL裝置其發光度（cd/m2)-電壓（v)之特性曲線圖、電流 · 密度（mA/cm2)-電壓之特性曲線圖，以及電流效率（cd/A)-電流密度 (mA/cm2)之特性地線圖。於實施例2之有機EL裝置中，電荷轉移化合物（4F-TCNQ· + . 2-TNATA+)係在兩種有機分子之間形成，即4F-TCNQ為一路易士酸，而2-TNATA為一電洞傳遞芳基氨分子。也就是一 4F-TCNQ 層與2-TNATA層之間的界面係作為一電荷產生層。 47 1271119 再者，於此EL裝置中可以觀察到，電流效率係從發光度 30〇〇1/1112逐漸減少（電流密度=0.12111八/(：1112)，但在電流密度達到約 · 0_ 1 mA/cm2時，可以達到26.5cd/A之最大電流效率。26.5cd/A係 _ 為僅含有一個發光單元之傳統有機EL裝置所無法達到之最大電 · 流效應。本實施例亦證實電荷產生層可以僅由一種有機化合物所形成。實施例3 (一生產有機EL裝置之實施例，該有機EL裝置係包含兩個 β 不同發光光譜之發光單元）如第十五圖所示，本發明之一含有疊層結構之有機EL裝置，其製造方式係敘述如下。如同參考實施例1，如第十Α圖所示，一外部係覆以預定模式（predetermined pattern)表面之玻璃基材1、一透明陽極電極2 係含有ITO((氧化銦錫），購自ASAHI GLASS公司之濺射產品），其薄膜電阻約20Ω/□(參見第十A圖）。於ITO模式包覆玻璃基材 · 1之上方，以和參考實施例2同樣之順序，將含有電洞傳遞性質之Spiro-NPB(COVION之產品）係藉由一金屬罩（遮罩）40做成之有機層（參見第十B圖），在l(T6Torr壓力之真空狀態下，以約2 埃/秒的沈積速度沈積於ITO包覆之玻璃基材1之上，形成一發光單元3-1的電洞傳遞層，其厚度約800埃。按照順序將Spiro-DPVBi(COVION之產品）以約2埃/秒的沈 48 1271119 積速度沈積於電洞傳遞層之上，成為一發 %尤早凡^1之藍光發光们〇 ’其厚度約埃。之後再沈積—層包含浴鋼靈與金屬絶，厚度約為200埃之混和層。、接著，如同實施例！，將五氧化二鈒以約2埃/秒的沈積速度，· 沈積於包含浴地與金屬狀混和層之上，形成—厚度約刚埃之電荷產生層μ。電荷產生層η亦可在金屬遮罩4〇做成之有機層（參見第十Β圖）的環境下實施。之後，如同參考實施例3，沈積a_NPD以形成—厚度埃，^ 發光單元3-2的電洞傳遞層。接著將⑼與紅光發光染劑 “DCJTB” (柯達公司）沈積至電洞傳遞層之上形成_厚度·埃之紅光發光層。每個沈積速耗經過調整使得紅光發光單元係含有重量比約1%之螢光染劑。之後，如同前述，沈積—厚度埃，含有浴銅靈與金屬鉋之混和層。最後’將銘藉由一金屬罩（遮罩）4卜以約1〇埃/秒的沈積速度沈積於浴銅靈與金屬铯之混和層之上，形成厚度約為i，咖埃之# 陰極電極5(參見第十C圖)’因而可得到—大小為〇·2公分(長度）乘〇·2公分（見度）之正方形發光區域之有機el裝置（參見第十d 圖）。於第十七圖中，貫施例3之有機EL裝置的發光光譜圖係以實線（solid line)表*。於該有機EL裝置中，施加一直流電壓於陽極電極(IT0)與陰極電極(銘）之間，、结果從兩個發光層發出混合的藍 49 1271119 光和紅（粉紅）光。第三十九A 一 ^ ^ ^ 狀態之照片。 Μ本衣置（弟二十九6圖）之發光之後，測量本裝置的特性以得到第二十四、二十五與二十六圖之結果。於這政圖表中，甘士 + 、巾其巾方形符號(□)係分別代表實施例3 的EL·裝置其發光度（d/ 2) ' )私壓（¥)之特性曲線圖、電流宓戶刚之特性曲線圖，以及電流效率(。叫電； (mA/cm2)之特性曲線圖。又於實施例3之EL梦罟由廿μ , ^ 一 "中，，、奄光初始時之電壓約為4.8伏特，也就是為參考實施例2的初包土 C2·6伙知〇與苓考實施例3 之初始電壓（2.2伏特）之總合。另外，在實施例3的有機EL裝置係與實施们相同，在五^ 化二:舆：PD (一做為電洞傳遞分子的芳基胺化合物)之間：產生乳化遂原反應’以形成—電荷轉移複合物（V2〇5· + :胸^即’於五乳化二鈒層與心卿層之間的界面係作為電荷產生層。實施例4 (本實施例係關於製造—含有三個發光單元之有機EL裝置，以及光徑長度，即每個發光點到反射陰極之距離，之最佳化银驗）。 ^ 本發明之有機EL裝罟，‘馀丄、π 結構，置如弟十八圖所示，係含有疊層其製作方法如下。提㈣陶U㈣嶋1。h物序與參考 50 1271119 二二1相同’如第十A圖所示，將發光單元W藉由-金屬罩 ^ 做成之有機層（參見第十B圖）沈積於ITO模式包覆（IT〇 pattern-coated)之破璃其从, 、匕设U川一厚度_埃包含A=材1之上，即，-厚度埃之α-胸、一厚度100埃勺人"、 T=i00: 1 (重量比）之薄層，以及又 L匕3 /合鋼靈與金屬鉋之混合層係依序沈積。之上之=====沈積於金屬摻雜層的=^=屬罩（遮彻做成之删（參見第十_ 在玻Γΐ材屬士罩（遮罩）40做成之有機層（參見第十㈣）仍 " 之日守，再度重複前述步驟以形成發光單元3 2盥發光單元3-3。在此實施财須特別注意的是，為確保從每奸光點到反射陰極的光徑長度為最理想的狀況傳遞層，其厚度係刻意變更，^ NPD之电洞厚度約_，或埃的電洞傳的電池其分別包含即，二個厚度為3〇〇、5〇〇或7〇〇埃之Μ 、埃包含Alq:C545T=100:1 (重量比）之薄層，以及一 ^度= ::銅靈與金屬铯之混合層係依序沈積在每個基材上以形之後，將五氧化二叙以約2埃/秒的沈積速度沈年貝於至屬以層之上，形成厚度約為3⑽埃之電荷產生層4_2。於形成電荷產生層4·2之後，再度重複前述步驟一厚度 3〇〇、500或觸埃之^_層、一厚度_埃含有 Alq:C545T=100:1(重量比）之薄層以及一厚度1〇〇埃，包含浴銅靈 (bath〇Cuproine)與金屬铯（Cs)之薄層係依序沈積於電荷產生層ο 之上以形成發光單元3-3。最後’將銘藉由-金屬罩（遮罩)41，以約10埃/秒的沈積速度 51 1271119 沈積於發光層3·3之上，形成厚度約為1，000埃之陰極電極5(參見第十C圖），因而可得到一大小為0.2公分（長度）乘0.2公分（寬度）之正方形發光區域之有機EL裝置（參見第十D圖）。於該有機EL裝置中，施加一直流電壓於陽極電極（ITO)與陰極電極（鋁）之間，則從發光層（Alq與C545T共沈積層）發出的綠光係可被偵測到並且繪製成第二十七、二十八與二十九圖。於這些圖中，其中圓形符號（〇）、方形符號（□)與加號(+)係分別代表前述三種不同厚度之EL裝置，其發光度（cd/m2)-電壓（v)之特性曲線圖（characteristic curve)、電流密度（mA/cm2)-電壓之特性曲線圖，以及電流效率（cd/A)-電流密度（mA/cm2)之特性曲線圖。如第二十九圖所示，三種不同厚度的EL裝置，其電流效率 (cd/A)係有很大的差異性，在發光單元3-2與3-3之電洞傳遞層厚度為700埃的裝置中，其最大電流密度係超過48 cd/A，然而在發光單元3-2與3-3之電洞傳遞層厚度為300或500埃的裝置中，其電流密度僅達18或28 cd/A。在發光單元3-2與3-3之電洞傳遞層厚度為700埃的EL裝置中，其每個發光單元的電流效率約16cd/A，（48/3 cd/A)，因此為三個發光點中最理想的實施例。從發光點到鋁陰極電極（光反射電極）之光徑長度（薄層真實厚度與折射率（index of refraction) 之產物）係總是約為四分之一光波長的奇數倍，即在此實施例中，從鋁陰極面開始的薄層厚度係分別為發射光波波長的1/4、3/4與 1271119 5/4 倍。第十九圖係顯示實施例4的每個有機EL裝置之光譜圖。另外，實施例4其中一個最高電流效率陶/A)的裝置，其光譜圖. 亦被選出繪於第十六圖中，以便和參考實施例1(_個發光單元）. 的光譜圖，以及實施例1(二個發光單元）之光譜圖作比較。實施例5 (本實施例係關於製造-含有二個具有不同發射光譜之發光早兀之有機EL裝置’以及光徑長度，即每個發光點到反射陰極之距離，之最佳化實驗）。（提供三片™模式包覆之玻璃基材丨。其㈣大致與實施^ 相同H紐光單元與-紅光發光單元藉由電荷產生層Η 之五氧化二釩而沈積，然而為確保從發光單元3—丨的藍光ς光點到光反射電極的光徑長度為最理想的狀況，發光單元3_2 ^含有 α-NPD之電洞傳遞層，其厚度係刻意變更以達到三個不同的電池其分別包含厚度約3GG、50G或70G埃的電洞傳遞層。其他層的沈積與測量方式均與實施例3相同。、曰 …於弟二十、三十一與三十二圖中，其中方形符號（□)、加號_ ⑴與圓形符號⑼係分別代表本實施例三種不同厚度之el裝餐置’其發光度（Cd/m2)-電壓（v)之特性曲線圖（characteristic curve)、電流密度（„^/^2)—電壓之特性曲線圖，以及電流效率 (cd/A)-電流密度（mA/cm2)之特性曲線圖。如第三十二圖所示，三種不同厚度的EL裝置，其電流效率-(cd/A)係有很大的差異性，在發光單元3·2之電洞傳遞層厚度約為· 700埃的裝置中，其最大電流密度係超過8 cd/A，然而在發光單元3-2之電洞傳遞層厚度約為3〇〇或5〇〇埃的裝置中，其電流密度僅達6.5或4 cd/A。 53 1271119 在發光單元3-2之電洞傳遞層厚度約為700埃的EL裝置中，其從spiro-DPVBi(藍光發光材料）之發光點到鋁陰極電極（光反射電極）之光徑長度（薄層真實厚度與折射率（index of refraction) 之產物）係約為四分之一光波長的三倍，即此實施例之EL裝置為一最佳裝置。實施例6 (一生產有機EL裝置之實施例，該有機EL裝置係含有一原位反應生成層係接觸電荷產生層的陽極端，並且包含一個混合五氧化二釩與芳基胺化合物的電荷產生層）如第四Η--圖所示，本發明之一含有疊層結構之有機EL裝置，其製造方式係敘述如下。如同參考實施例1，如第十A圖所示，一發光單元3-1係藉由一金屬罩40做成之有機層（參見第十B圖）沈積在ITO模式包覆的玻璃基材1上，即一厚度600埃之α-NPD與厚度700埃之 Alq:C545T=100:l(重量比）之薄層系依序沈積。之後於其上形成原位反應生成層。即，將一 8-氫基琳鋰（8-quinolinolato lithium)(以下縮寫為 “Liq”）之金屬-有機複合物，其化學式係如下圖所示： 54 1271119

沈積成10埃的厚度。之德脾您後將鋁作為一熱還原金屬，以〗埃秒的沈積速度沈積，以形成一户 4 ;度15埃之原位反應生成層。接著將五氧化二鈒與a_NPD以墨耳比例(五氧化二鈒： D 4 1) w約2埃/秒的沈積速度沈積，形成—厚度埃之電荷產生層4-1。電荷產生屌 >、十# + _丄曰之沈積亦猎由一金屬罩4〇做成之有機層（參見第十B圖）。之後，當一金屬罩（遮罩）40做成之有機層（參見第+ B圖）仍在玻祝基材1上之時，再度重複前述步驟以形成發光單元Μ，即-厚度_埃之a_NPD、—厚度·埃之构:⑽了：丨猶（重量比）之薄層，以及-厚度1G埃之Liq層係依序沈積。最後，將銘藉由-金屬1 4卜㈣H)埃/秒的沈積速度沈積，形成厚度約為1，000埃之陰極電極5(參見第十c圖），因而可得到一大小為〇·2 a刀（長度）乘0.2公分（覓度）之正方形發光區域之有機pi裝置 (參見第十D圖）。於該有機EL裝置中，施加一直流電壓於陽極電極（IT〇)與陰極電極（鋁）之間，測量從發光層（Alq與C545T之共沈積層）發出的綠光可得到第四十二、四十三、四十四與第四十五圖之結果。於 55 1271119 第四十二、四十三、四十四與第四十五圖中，其中實心圓符號（魯）係分別代表實施例6的EL裝置其發光度（cd/m2)_電壓^)之特性曲線圖、電流密度（mA/cm2)-電壓之特性曲線圖，以及電流效率· (cd/A)-電流密度（mA/cm2)之特性曲線圖。 . 將參考衣置（ITO/a-NPD, 600 埃/Alq:C545T=l〇〇:l，700 埃 /Liq，10埃/A1)的結果以空心圓符號（〇）繪於第四十二、四十三、四十四與第四十五圖以作為比較。如圖所示，於發光單元被隔為兩個的有機EL裝置中，其最大省電流效率（以及量子效率）比前述參考有機此裝置增加了兩倍。在實施例6的有機EL裝置中’在五氧化二飢與a_NpD(一做為電洞傳遞分子的芳基胺化合物）之間會產生氧化還原反應，以形成-電荷轉移複合物（V2〇5-+a_NpD+)，即，於五氧化二飢層與a-NPD層之間的混合層係作為電荷產生層。此外’在本EL襄置中’形成原位反應生成層僅包括含有驗族金屬離子（實施例6之鐘）之有機金屬複合物。然而，也可使用_ 电子傳1^化σ物之,昆合層’例如··浴銅靈、心以及有機金屬化合物（參見日本專利公射請號第厕·182774號），或—包含前述金屬離子之有機金屬化合物所形成的薄層。 . 接觸电何產生層陽極端的薄層也可利用含有前述金屬離子之. 的热機化口物產生原位反應，因為係曾經觀察到利用無機驗族金屬作為接触陰極的材料，以產生制原位反應_子（參見. 56 1271119 芩考文件”J. Endo, T. Matsumoto, and J. Kido, jpn. j· AppL phys· Vo1· 41 (2002) pp.L800_L803”）。測試實施例 G則量電荷產生層及其類似物之電阻係數）於此實施例中，電阻係數（Qcm)係根據測試樣品之電阻係數聋已圍’而有兩種測量方式。第—種測量方式係適用於電阻係數較大的樣品。其測量方式係精由電極(參見第三十三與三十四圖)夾住測試樣品的蒸鍍層 (―月/σ方法）。測試樣品的電阻係數便可藉由計算電場 (提供的電®⑺除以樣品之沈積層的厚度（em)，即電極之間的距離）與電流密度（AW)(為觀察到的電流值（a)除以電流流經的剖面區域(cm2))之比值，即，電阻係數(Μ·)/ (A/cm2) 、…用於此測量方法的電阻係數測量裝置係可根據下述方法製造三十三圖係一測量裝置的平面圖，第三十四圖係其剖面圖。φ —前述實施例與參考實施例係使用第十Β圖所示之金屬罩4〇。 -測試樣品（欲測量其電阻係數的材料）18係藉由金屬罩仙作成的有機層與電荷產生層，沈積在—寬度約“之⑽電極W 之上’或者是-寬度約2mm之紹電極之上，形成所欲厚度的薄·· :。之後再將寬度約2mm之銘電極17以同樣方法沈積，且使其與1TO電極16交叉，便可得到一測量裝置。 57 1271119 弟二種測量方式俜谪田μ mi ，、相於電阻係數較小的樣品。其測量方式 ⑽由'、平面排列結構之電阻係數測量裳十六圖所示，提供_Α σ弟—十五與二 ”基材19,並且再基材19__ 預先沈積陽極20 i险朽9〗由-金屬罩使其_ —特定雜[公分。藉 :二罩4。沈積測試材料22已定義出_灿域係在電極沈積基材19 _ 9上有-特定减（Wem)的開口以達到一所欲厚度（t em )之沈藉 θ u積層。於此種測試方法中，測試樣品的

包場E(V/cm)係將提供的電摩（ 1 V)除以电極之間的距離（L· cm))，琶/现禮度（A/cnr )則為觀察到的、鱿斤、引的私机值（A)除以電流流經的剖面&域（於本貫施例為Wxtem2))。測試樣品的電阻係數便可藉由計算前述第-項方法（三明治方法）的公式而可得到。 /第三十七圖係顯示電阻係數之測量結果。此處使用的測試樣品係ΙΤΟ(透明電極材料)、五氧化二釩(為本發明之電荷產生

層）、-五氧化二lH^a_NPD《共沈積層（三種莫耳比例之五氧化二釩：a-NPD=4:l、1:1及1:2)(為本發明之電荷產生層）、一五氧化二釩與2-TANA之共沈積層（五氧化二釩：2_TANA=4:l(莫耳比例）（為本發明之電荷產生層），以及一 α_Νρ]〇 '铯與浴鋼靈之共沈積層〔鉋··浴銅靈=1:1(莫耳比例）（發光單元之電子射入層）〕，以及Alq(發光材料）。針對ITO,其五氧化二釩與〇：屮1>1)之共沈積層，以及五氧化二釩與2-TANA之共沈積層，其電阻係數之測量係利用含有共平 58 1271119 面排列結構（共平面排列法）的測量裝置。針對a -NPD，铯與浴銅靈之共沈積層以及Alq3，其電阻係數之測量係利用含有三明治結構（三明治方法）的測量裝置。另外，厚度為1000埃的a -NPD係

利用含有三明治結構的測量裝置測量，其中五氧化二釩與a-NPD 之混合層（本發明之電荷產生層的組成物）其厚度為50埃，並且有部分與兩電極相接觸使得電荷從電極歐姆（ohmic)射出。再者，五氧化二釩的電阻係數可用共平面排列法或三明治方

法測量，得到的結果大致相同。共平面排列法 Ο ITO 4.6 X ΙΟ-4 Ωοιίι • 五氧化二飢 7·2 X 10$ Ωαιι ▲ 五氧化二飢與a-NPD之共沈積層（五氧化二飢·· a-NPD=4:l) 2.0 x 103 Qcm 0 五氧化二飢與a-NPD之共沈積層（五氧化二訊：a-NPD=l:l) 3·6 x 104 Ωαη

+ 五氧化二鈒與a-NPD之共沈積層（五氧化二飢：a-NPD=l:2) 2·9χ 103

Qcm 口五氧化二釩與2-TNATA之共沈積層（五氧化二釩:2-ΤΝΑΤΑ=4:1) 5·8 x 103 Ωοή 三明治方法： Δ ITO/五氧化二飢/1 呂 2·8 X ΙΟ5 Ωατι ▼ ITO/a-NPD/鋁 1.5 x 1013 Ωαη ΙΤΟ/五氧化二釩:a-NPD(50埃)/ a-NPD(1000埃)/ 五氧化二釩：a-NPD(50 埃)/ I呂8.0 X 108Ωαη 59 1271119 IS/ Alq3/|g 6 x l〇13 Qcm ito/絶··浴銅靈/叙2χ1〇5 第四十圖顯示五氧化二銳與α_卿之共沈積層之混合比例(莫耳分率與電阻係數的關係，如細十_示，因為兩種材料混合的緣故，所以本發明之電荷產生層的電阻係數會比兩觀料各自的電峨來得低。此姓果代表一舒魏，㈣恤侧鼓，❿嫩蝴反η 此電荷產繼陶子接受„，例如:五氧化二鈒，_傳遞物質利

用適合的方式接觸時，·㈣或混合，相為接_方式不同而造成電阻係數之改變。士同月J述在本务明之有機虹裝置之結構係可於電極之間裝有兩個或多個的發光單元，每個發光單元間以—魏絕緣之電荷產生層隔開，那麼

便可在大闕加電流贿的情灯，達聰長的運魅命期與高發光區域。另外’在量產時，並不需要頻繁更換遮罩以及準確蚊位遮罩以定義蒸鑛區域’尤其是在軸兩個或多個發光單元以及電荷產生層時。並且在生產簡單基質型_示裝置時，並不f要操作—可能在形成陰極線會導致斷線(disconnection)風險之動作，因此可以達到一高生產量，並且有嗖而 %疋地生產南發光度以及長運作生命期之有機El裝置。再者’當將該EL裝置應用於生產發光裝置時，因為可以避免因為電極材料之電阻而造成電壓減低的問題，所以便可以達到在大面積下產生均勻的發光。同樣地，如果該EL裝置應用於生產簡單基質結構的顯示裝置時，因為可以大量避免電線電阻與基材溫度上升而造成電壓減低的問題，因此 60 1271119 便可做出大面積之簡單基質結構的顯示裝置，此為傳統有機EL裝置所無法達到的。本文中所述之本發明實施例係可做明顯的修改，然而此類修改並不會脫離本發明之專利申請範圍的精神與範疇，特別指出的是本文所述之實施例僅為說明敘述之用，並不會限制本發明之範疇。

61 1271119 【圖式之簡單說明】第-圖係習知有機EL裝置之發光機制示意圖。第二圖係本發明之有機虹裝置之發光機制示意圖。第三圖係本發明裝置之疊合結_電荷產生層，其上之電荷轉你人物的形成，以及在施加電壓後電子與翻轉移現象之示意^ 曰。第四圖係本發明裳置之混合層結構的電荷產生層，其上之電荷轉移錯 “勿的形成，以及在施加電壓後f子與物轉移現象之示意圖。曰 =五圖係單層或混合紅絲耻合物與五氧彳㈡价耻弟六圖係單層或混合狀2-T贈心4托_嫩光·。弟七圖料層或混合層之《,與七氧化二鍊的吸收光譜圖。，八圖係本發明有機此裝置之疊合結構剖面示意圖。參考實施例1之有機EL裝置之疊合結構的剖面示意圖。 ^十A圖係齡塗佈於透明陽極電極上之玻璃基材。第十B圖係顯示形成有機層之金屬遮罩之結構。第十C _職陰極電極之金屬鮮之結構。第十D圖係有機裝置之結構示意圖。圖第十一圖係顯示參考實施例2之有機EL裝置之疊合結構的剖面示意圖第十二圖御括參考實施例3之有機EL裝置之疊合結構的剖面示意 2三圖係實施例i之有機EL裝置之疊合結構的剖面示意圖。 =十四_實補2之麵EL裝置之疊合結 f:五圖係實施例3之有紐袭置之疊合― 弟十六圖係顯示茶考實施例1、實施例i與4之發射光级圖。第十七圖係顯示參考實施例2盘曰。貝施例3之發射光譜圖。 =八圖^補4之有機EL裝置之疊合結構的剖面示音圖。弟十九圖係顯示實施例4之三彳吼裝置的發射光«。 62 I271H9 第二十圖係顯示實施例5之三個EL裝置的發射光譜圖。弟一十一圖係參考貫施例1、貝％例1與2之有機此裝置的發光度一電壓曲線圖。 - 第二十二_參考實施例卜實施例i與2之有機虹裝置的電流密度_ ’ 電壓曲線圖。 ^ 第二十三圖係參考實施例1、實施例1與2之有機EL裝置的電流效率一電流岔度曲線圖。第二十四圖係參考實施例2與3及實施例3之有機乩裝置的發光度— 電壓曲線圖。弟一十五圖係參考實施例2與3及貫施例3之有機既裝置的電流密度〜電壓曲線圖。弟二十六圖係參考實施例2與3及實施例3之有機虹裝置的電流效率〜電流密度曲線圖。弟一十七圖係實施例4之二個有機EL裝置的發光度—電壓曲線圖。弟一十八圖係實施例4之三個EL裝置的電流密度〜電壓曲線圖。第二十九圖係實施例4之三個EL裝置的電流效率〜電流密度曲線圖。第三十圖係實施例5之三個有機EL裝置的發光度〜電壓曲線圖。第三十一圖係實施例5之三個EL裝置的電流密度-電壓曲線圖。第二十二圖係實施例5之三個EL裝置的電流效率-電流密度曲線圖。 · 第三十三圖係顯示一用於測量電阻係數的裝置其夾層結構的平面圖。第三十四圖係顯示一用於測量電阻係數的裝置其夾層結構的剖面圖。第三十五圖係顯示一用於測量電阻係數的裝置其共面排列（⑺贞如虹 arrangement)結構的平面圖。第二十六圖係顯示-用於測量電阻係數的裝置其共面排列結構的剖面圖。 - 第三十七圖係顯示計算測試例（Test Ex卿Ie)之電場_電流密度之曲 63 1271119 第二十八A圖係曰本專利申請號第2〇〇卜225847號所述之其發光狀態之照片。置第三十八B圖係有機EL裝置之叠合結構剖面示意圖。第三十九A圖係實施例3的有機既裝置其發光狀態之照片。 =三十九B ®係實關3的有機肛裝置之疊合結構麻示第四十圖係顯示共沈積層之β 電阻係數之間的關個。V2〇5與的混合比例（莫耳分率）與第四十-圖係實施例6的有機& ^ ^ 第四十二圖係實施例6的有機之^;f構剖面示意圖。線圖。衣置/’、傳統裝置之發光度-電壓曲第四十三圖係實施例6的有機.m # 曲線圖。衣置與一傳統裝置之電流強度-電壓第四十四圖係實施例6的有機£ 密度曲線圖。衣置與一傳統裝置之電流效率-電流第四十五圖係實施例6的有機士 (1咖inous efficiency) _發光度曲吃^裝置與—傳統裝置之發光效率【主要元件符號】 1 透明玻璃基材 2 一〜透明電極（陽極） 3一1一-發光單元 3^2一-發光單元 3-η發光單元一〜電荷產生層 4'2一〜電荷產生層 4〜(η-1)一—電荷產生層 5-一陰極 64 1271119 6— --電洞傳遞層（α-NPD) 7— 綠光發光層（Alq :C545T) 8— 電子射入層(浴銅靈：絶） 9— —電洞傳遞層（spi r ο- NPB) 10— —發光層（spiro-DPVBi) 11— --電子射入層（浴銅靈：鉋) 12— —電洞傳遞層（a-NPD) 13— --發光層（Alq iDCJTB) 14— --電子射入層（浴銅靈：鉋) 15— --基材 16— --電極 17— -電極 18— 測試樣品 19— -基材 20…陽極 21---陰極 22 —測試材料 40…金屬罩（遮罩） 41-—金屬罩(遮罩） 52---陽極 54 ---等位面 55 ---陰極 65

Claims

1271119 拾、申請專利範圍·· 1 · 一種有機電冷光裝置，係包含·· 至少兩個發光單元，彳間，每個發光單元包含極與相對陰極之陽極電極則連電何產生層係由一電阻係數不；緣層所組成。〇11之包虱絶 2. 如申請專利範圍第i項所述 ^ , 月例电〜九I置，其中丽述電荷產生層係由一琶阻係數不小於成。、i· ϋχ10 Ω cm之電氣絕緣層所組 3. t申請專利範圍第1項或第2項所述之有機電冷光裝置，μ 耵述電荷產生層含有至少一岸&人八' 八另、、e八Μ · * ^ 層包3由兩種不同材料形成之疊 :传：：曰”、—包含陽離子基與陰離子基之電荷轉移錯合猎由兩種材料間的氧化還原作用而形成’並且當施-電塵 ^置時’在電荷轉移錯合物中的陽離子基態與陰離子基態係 !:彺陰極與陽極的方向轉移’因此電洞可以射進鄰近電荷產 ^層陰極面之發光單元並貼附其上，以及電子可以射進鄰近電何產生層陽極面之發光單元並貼附其上。 4·如申料利範圍第丨項所狀有機電冷光裝置，其巾前述電荷產生層包含一豐合及混合層，係包括·· 一有機化合物，其游離電位小於5 7eV且具有電洞傳遞性質或電子供給性質；以及一種無機及有機材料，其可與前述有機化合物進行氧化還原作用而形成電荷轉移錯合物；其中别述電荷產生層係包含一電荷轉移錯合物，係藉由有機化合物與其中一種無機及有機材料兩者間的氧化還原作用而形成。 66 1271119 5. 如申清專利範圍第4項所述之有機電機化合物包含一芳基胺化合物，其中^ 列化學式（I)作為代表： /令光裝置，其中前述有述芳基胺化合物係以下 Ar 2

Ν Ar 具中Arl 香烴基。 Ar2 與 Ar3 係各別代表可能含有取代基的芳 6·如申請專利範圍第5項所述之有機電冷光裝置，機化合物係包含一玻璃轉換温度 /、月J A 7如由个低於90 C的芳基胺化合物。 • m範㈣6項所述之有機電冷光«，其中前述芳包含 l 2—TNATA、sp♦與 spir。—npb 之其 8u請專利範圍第4項所述之有機電冷光裝置柃材料係包含一金屬氧化物。請專利範圍第4項所述之有機電冷光裝置才料係包含一金屬_化物。申請專利範圍第8項所述之有機電冷光裝置氧化：凱及七氧化二鍊中之-種。料專利範圍第4項所述之有機電冷光裝置，前述無機材 =㈣電阻加熱魏法、電子束蒸雜以及雷射光束蒸錢〆之其中一種方法沈積。檣1申5月專利乾圍第4項所述之有機電冷光裝置，其中前述益 &材料係可藉由濺射方法沈積； …、其中用於歲射方法的裝置為面向標的物藏射系統，係包含其中前述無其中前述無金屬氧化物 67 1271119 隔—段距_標的物、—反射電極可將電子反主母個標的物之前方周圍區域，以及一周邊部分產生一平行的磁場,該磁場= 為千订於軚的物周邊的部分。 13機:;=!㈣!項所述之有機電冷光裝置，其中前述有匕^個氟作為取代基，並且擁有至少一f 性質與電子接受性質。㈣主V电子射入 14機;C圍第4項所述之有機電冷光裝置，其中前述有少—個氰基作為取代基，並且擁有至少—電子射入性貝與電子接受性質。 15有如申：專:範圍…所述之有機電冷光裝置， W 係、包含四“氛基醒二甲院 e rafluoro-tetracyano quinodimeihane) 〇中圍第1項或第2項所述之有機電冷光裝置，其貼包;;二薄層’係位在電荷產生㈣子供給摻所rl a，铩含有—包含有機化合物及作為電 17 士 φ二 e eCtr〇n d〇natlng d。卿t)之金屬之混合物。電範圍第16項所述之峨包含至少—金屬，其係選自一群組包含驗族金屬、驗土族金屬與稀土金屬。請專利㈣第17項所収有機電冷光裝置，其中前述 C質之金屬與電子射入層之有機化合物之莫耳比例 k介於0· 1-10之間。 v;t請專::範圍第1項或第2項所述之有機電冷光裝置，其並;光早70可包括：—薄層’係位在電荷產生層的陽極端亚貼附其上、一厚度不大於R 认丄 5nm之金屬層，係可選自鹼族金屬、鹼土私金屬與稀土金屬； 68 1271119 =離子、驗土族金屬離子與稀土金屬離子之有機金屬複 24.如申請專利範圍第！項所述之光單元可包括的結構有:-薄層，係:在產置=前述發離子、驗土=屬於真空狀態下將鹼族金屬還原反應，使可二屬離子、鹼土族金屬離子與稀土 =種選自驗族金如申請專利範，項或第2項：=^^ 、I上以及一氧洞射入層係含一混合物，其包含合物與一電子接受化合物，以路易士酸化學的角度而今，年接受化合物係可氧化有機化合物。口屯子 26·如申請專利範圍第25項所述之有機電冷光裝置，以路易士酸化學㈣度而言，電子接受化合物係可氧^電= 入層的有機化合物，電子接受化合物與有機化合物的介於〇· 01 -10之間。、列 27.如申請專利範圍第i項或第2項所述之有機電冷光裝置，其中丽述發光單元係包括：一薄層，係位在電荷產生層的陰極面並貼附其上，與一厚度不大於30nm之電洞射入層，係包含一電子接受化合物。 28·如申請專利範圍第1項或第2項所述之有機電冷光裝置，其中前述每個發光單元擁有不同的發光光譜。 ' 29·如申請專利範圍第1項或第2項所述之有機電冷光裝置，其中前述有機電冷光裝置内的每個發光單元發出的不同光線經過重疊後會產生出白光。