JP2009245787A - 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持基板上に第一電極層を形成する工程と、前記第一電極層より上層に発光層を形成する工程と、前記発光層より上層に電荷注入層を形成する工程と、前記電荷注入層より上層に、アルミニウム、銀、錫、銅およびこれらの2種以上を含む複合金属材料からなる群より選ばれる材料を含有する金属層を形成する工程と、前記金属層より上層に、透明導電性酸化物、透明導電性窒化物及びこれらの複合材料から選ばれる電極材料を、低ダメージスパッタリング法、イオンプレーティング法、またはCVD法により積層させて前記第二電極層を形成する工程とを経て、有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する。
【選択図】 図3
Description
〔2〕前記発光層より上層に設けられた前記電荷注入層の直上に前記金属層を形成し、前記金属層の直上に前記第二電極層を形成する、上記〔1〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔3〕前記金属層を、0.5nm以上、30nm以下の厚さに形成する、上記〔1〕または〔2〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔4〕前記金属層を、真空蒸着法より形成する、上記〔1〕から〔3〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔5〕前記低ダメージスパッタリング法が、対向ターゲットスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法である、上記〔1〕から〔4〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔6〕前記発光層を印刷法により形成する、上記〔1〕から〔5〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔7〕支持基板上に、少なくとも第一電極層、高分子化合物を含む発光層、および第二電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記支持基板の上層に前記第一電極層が設けられ、前記第一電極層より上層に前記発光層が設けられ、前記発光層より上層に前記電荷注入層が設けられ、前記電荷注入層より上層に、単一層で形成される金属層が設けられ、前記金属層より上層に、第二電極層が設けられ、前記金属層は、アルミニウム、銀、錫、銅及びこれらの複合金属材料から選ばれる金属材料を含有する層であり、前記第二電極層は、透明導電性酸化物、透明導電性窒化物及びこれらの複合材料から選ばれる電極材料を含有する層である、有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔8〕前記発光層より上層に設けられた電荷注入層の直上に前記金属層を形成し、前記金属層の直上に前記第二電極層を形成する、上記〔7〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔9〕前記金属層の厚さが、0.5nm以上、30nm以下である、上記〔7〕または〔8〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔10〕前記金属層の可視光透過率が30%以上である、上記〔7〕から〔9〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔11〕前記第二電極層が、インジウム、錫、亜鉛およびアルミニウムからなる群から選ばれる1種以上を含有する陰極である、上記〔7〕から〔10〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔12〕前記電荷注入層が、仕事関数あるいはイオン化ポテンシャルが3.0eV以下である金属層、無機層および有機層のうちの少なくとも1層以上を含むこと特徴とする、上記〔7〕から〔11〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔13〕前記電荷注入層が、アルカリ金属、アルカリ金属土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物およびアルカリ金属フッ化物からなる群から選ばれる1種以上を含むことを特徴とする、上記〔7〕から〔12〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
本発明の有機EL素子の製造方法は、支持基板上に、少なくとも第一電極層、高分子化合物を含む発光層、第二電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を作製するものである。本発明で製造される有機EL素子を構成する層としては、さらに発光層よりも上層に電荷注入層が設けられており、さらに、その電荷注入層より上層に金属層が設けられる。本明細書において、素子を構成する層についての上下位置関係は、原則として基板を最下層とした場合を想定して説明される。また、第二の層が第一の層より上層にあるという場合、第二の層が第一の層より上部にある層であることを意味し、必ずしも第一の層に直接接している場合に限られない。すなわち、第二の層が第一の層より上部に設けられる限り、第二の層と第一の層との間にさらに他の層が介在している場合を含む。これに対し、第二の層が第一の層の直上に設けられるということは、第二の層が第一の層の上に直接接して設けられることを意味する。
本発明の製造方法においては、低ダメージスパッタリング法、CVD法、またはイオンプレーティング法と上記金属層とを組み合わせることにより、単一層の金属層を形成するという簡便な手段で、先に形成された層、特に発光層へのダメージを大幅に抑制することができる。特に、陰極が発光層より上層に設けられるトップエミッション型または両面採光型の有機EL素子を作製する場合には、陰極となる第二電極層は透明電極層とする。透明電極層を形成する材料として好ましくは、例えば透明導電性酸化物または窒化物などが好適に用いられ、好ましくは、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)などが用いられる。このような材料には高融点材料のものも多く、薄膜形成のために高エネルギーを与える必要があることなどから、第二電極層を形成させる際に、先に形成されている電荷注入層や発光層にダメージを与えてしまいやすい。しかし、本発明の製造方法によれば、金属層を先に設けておき、後から対向ターゲット型スパッタリング法などにより第二電極層などの上層部を積層させることにより、先に設けられた層へのダメージを大幅に抑制し得る。本発明の製造方法は、陰極層が発光層より上層に設けられるトップエミッション型または両面採光型の有機EL素子を作製する方法として極めて有用である。
また、第二電極層が陽極である場合、発光層より上層の電荷注入層を形成する材料として酸化モリブデンなどを好適に用い得る。本発明の製造方法では、これらの材料を用いて発光層と第二電極層との間に電荷注入層を設けても、その後その上層に透明電極等を積層してもダメージを与えにくい。
次に本発明の有機EL素子の実施形態について説明する。本発明の有機EL素子は、支持基板の上層に第一電極層が設けられ、前記第一電極層より上層に発光層が設けられ、前記発光層より上層に電荷注入層が設けられ、前記電荷注入層より上層に、単一層で形成される金属層が設けられ、前記金属層より上層に、第二電極層が設けられる。金属層は、アルミニウム、銀、錫、銅、及びこれらの複合金属材料から選ばれる金属材料で形成される。また、前記第二電極層は、透明導電性酸化物、透明導電性窒化物及びこれらの複合材料から選ばれる電極材料で形成される。本発明の有機EL素子は、上記本発明の製造方法によって、発光層やその上層に設けれたら電荷注入層に対するダメージを与えないにように製造することができる。すなわち、本発明の有機EL素子は、上記のような構造を有するように設計されているため、製造過程での欠損品が生じにくい。
a)基板/陽極/発光層/電荷注入層/金属層/陰極
b)基板/陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/金属層/陰極
c)基板/陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/金属層/陰極
d)基板/陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/金属層/陰極
e)基板/陽極/発光層/電子輸送層/電荷注入層/金属層/陰極
f)基板/陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/金属層/陰極
g)基板/陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷輸送層/金属層/陰極
h)基板/陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/金属層/陰極
i)基板/陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷輸送層/電荷注入層/金属層/陰極
(ここで、/は各層が隣接して積層されていることを示す。また、基板を最下層とした場合、右側にいくほどより上層として設けられることを示す。以下、同じ。)
b’)基板/陰極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/金属層/陽極
c’)基板/陰極/電子輸送層/発光層/電荷注入層/金属層/陽極
d’)基板/陰極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/金属層/陽極
e’)基板/陰極/発光層/正孔輸送層/電荷注入層/金属層/陽極
f’)基板/陰極/電荷注入層/発光層/正孔輸送層/電荷注入層/金属層/陽極
g’)基板/陰極/電荷注入層/電子輸送層/発光層/電荷輸送層/金属層/陽極
h’)基板/陰極/電子輸送層/発光層/正孔輸送層/電荷注入層/金属層/陽極
i’)基板/陰極/電荷注入層/電子輸送層/発光層/電荷輸送層/電荷注入層/金属層/陽極
2層の発光層を有する有機EL素子としては、例えば、
p)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷輸送層/電荷注入層/電極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/金属層/陰極
の層構成を有するものが挙げられる。
また3層以上の発光層を有する有機EL素子としては、具体的には、電極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層を一つの繰返し単位(以下において「繰返し単位A」という)として、
q)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷輸送層/電荷注入層/繰返し単位A/繰返し単位A・・・/陰極
と、2層以上の繰返し単位Aを含む層構成を有するものが挙げられる。
上記層構成p及びqにおいて、陽極、電極、陰極、発光層以外の各層は必要に応じて省略することができる。金属層は、各繰り返し単位中において電荷注入層よりも上層に設けてもよいし、あるいは、最終的に電極を設ける前の段階で一層だけ設けてもよい。
電極とは電界を印加することにより、正孔と電子を発生する層である。当該電極を構成する材料としては、金属酸化物が挙げられ、例えば、酸化バナジウム、ITO、酸化モリブデンなどが挙げられる。
本発明の有機EL素子を構成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板、金属板、これらを積層したものなどが用いられる。さらに、プラスチック、高分子フィルムなどに低透水化処理を施したものを用いることも出来る。前記基板としては、市販のものが入手可能であり、又は公知の方法により製造することができる。
<陽極>
有機EL素子の陽極としては、光を透過可能な電極を用いることが、陽極を通して発光する素子を構成し得るため好ましい。かかる透明電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜を用いることができ、透過率が高いものが好適に利用でき、用いる有機層により適宜、選択して用いる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)や、金、白金、銀、銅、およびアルミニウムなどの金属、またはこれらの金属を2種類以上含む合金等が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。また、陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極には、光を反射させる材料を用いてもよく、該材料としては、仕事関数3.0eV以上の金属、金属酸化物、金属硫化物が好ましい。
正孔注入層は、陽極と正孔輸送層との間、または陽極と発光層との間に設けることができる。正孔注入層を構成する正孔注入層材料としては、特に制限はないが、公知の材料を適宜用いることができ、例えば、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。また、このような正孔注入層の厚みとしては、5〜300nm程度であることが好ましい。このような厚みが前記下限値未満では、製造が困難になる傾向にあり、他方、前記上限値を超えると駆動電圧、および正孔注入層に印加される電圧が大きくなる傾向にある。
正孔輸送層を構成する正孔輸送層材料としては特に制限はないが、例えばN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)4,4’−ジアミノビフェニル(TPD)、NPB(4,4’−bis[N−(1−naphthyl)−N−phenylamino]biphenyl)等の芳香族アミン誘導体、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などが例示される。
発光層は、本発明においては有機発光層であることが好ましく、通常、主として蛍光またはりん光を発光する有機物を有する。なお、さらにドーパント材料を含んでいてもよい。本発明において用いることができる発光層を形成する材料としては、例えば、以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、およびドーパント材料などが挙げられる。
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
金属錯体系材料としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、中心金属に、Al、Zn、BeなどまたはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることが出来る。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加することができる。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような発光層の厚さは、通常約2nm〜2000nmである。
電子輸送層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等が例示される。
電子注入層は、電子輸送層と陰極との間、または発光層と陰極との間に設けられる。電子注入層としては、発光層の種類に応じて、アルカリ金属やアルカリ土類金属、或いは前記金属を1種類以上含む合金、或いは前記金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸化物、或いは前記物質の混合物などが挙げられる。アルカリ金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等が挙げられる。また、アルカリ土類金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。さらに、金属、金属酸化物、金属塩をドーピングした有機金属化合物、および有機金属錯体化合物、またはこれらの混合物を電子注入層に用いることもできる。電子注入層は、2層以上を積層したものであってもよい。具体的には、LiF/Caなどが挙げられる。電子注入層の膜厚としては、1nm〜1μm程度が好ましい。
電子注入層は、好ましい一形態として、イオン化ポテンシャルあるいは仕事関数が電子輸送層あるいは発光層の最低空軌道(LUMO)準位に近い材料によって構成され得る。したがって、好ましい一形態として電子注入層は、仕事関数あるいはイオン化ポテンシャルが、好ましくは3.0eV以下、より好ましくは2.8eV以下、である金属層、無機層および有機層のうちの少なくとも1層以上を含む。このような材料として、例えば、BaやBaOなどの仕事関数がLUMO準位に近い材料によって構成される形態が挙げられる。
有機EL素子で用いる陰極の材料としては、例えば、仕事関数の小さく発光層への電子注入が容易な材料、電気伝導度が高い材料、可視光反射率の高い材料、およびこれらのうち2種以上の特性を兼ね備える材料等を挙げることができる。金属では、例えばアルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属やIII−b族金属を用いることができる。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、および錫などの金属、又は上記金属のうち2つ以上の合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。また、陰極として透明導電性電極を用いることができ、例えば導電性金属酸化物や導電性有機物などを用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)やインジウム・亜鉛・オキサイド(IZO)、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。なお、陰極を2層以上の積層構造としてもよい。なお、電子注入層が陰極として用いられる場合もある。陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法、および金属薄膜を圧着するラミネート法等が用いられる。
上記電子ブロック層となる高分子化合物1を合成した。まず攪拌翼、バッフル、長さ調整可能な窒素導入管、冷却管、および温度計を備えるセパラブルフラスコに2,7−ビス(1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ジオクチルフルオレン158.29重量部と、ビス−(4−ブロモフェニル)−4−(1−メチルプロピル)−ベンゼンアミン136.11重量部と、トリカプリルメチルアンモニウムクロリド(ヘンケル社製 Aliquat 336)27重量部と、トルエン1800重量部とを仕込み、窒素導入管から窒素を導入しながら、攪拌下90℃まで昇温した。酢酸パラジウム(II)0.066重量部と、トリ(o−トルイル)ホスフィン0.45重量部とを加えた後、17.5%炭酸ナトリウム水溶液573重量部を1時間かけて滴下した。滴下終了後、窒素導入管を液面より引き上げ、還流下7時間保温した後、フェニルホウ酸3.6重量部を加え、14時間還流下保温し、室温まで冷却した。反応液水層を除いた後、反応液油層をトルエンで希釈し、3%酢酸水溶液、イオン交換水で洗浄した。分液油層にN,N−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物13重量部を加え4時間攪拌した後、活性アルミナとシリカゲルとの混合カラムに通液し、トルエンを通液してカラムを洗浄した。濾液および洗液を混合した後、メタノールに滴下して、ポリマーを沈殿させた。得られたポリマー沈殿を濾別し、メタノールで沈殿を洗浄した後、真空乾燥機でポリマーを乾燥させ、ポリマー192重量部を得た。得られたポリマーを高分子化合物1とよぶ。高分子化合物1のポリスチレン換算重量平均分子量は、3.7×105であり、数平均分子量は8.9×104であった。
ポリスチレン換算重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により求めた。GPCの検量線の作成にはポリマーラボラトリーズ社製標準ポリスチレンを使用した。測定する重合体は、約0.02重量%の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、GPCに10μL注入した。
[素子作製]
スパッタ法にて膜厚約150nmであるITO層(陽極)が形成されパターニングされたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(HCスタルクビーテック社製、商品名:Bytron P/TP AI 4083)の懸濁液を0.5μm径のフィルターでろ過した液を、スピンコート法により60nmの厚みで成膜した。次に取り出し電極部分や封止エリアの成膜された部分を拭き取り除去し、大気下にてホットプレートを用い、約200℃で10分間乾燥させた。
(素子構造:ガラス基板/ITO(150nm)/PEDOT(AI−4083)/IL7/SCB670/Ba(5nm)/金属層(Al:10nm、15nm)/ITO(160nm)/Al(100nm)/ガラス封止)
作製した素子に電圧を印加し、電流電圧特性、発光輝度を測定した。測定する光は、発光層から発生した光でガラス基板側に直接放出される光と、ガラス基板とは反対側に放出される光(ITO層を透過し反射電極であるAl層で反射される光)の合計である。したがって、ITOを成膜した事で発光層がダメージを受けているならば輝度(EL強度)は減少する。結果を表1に示す。表1に示されるように、実施例1の素子は輝度が減少しておらず、発光層にダメージを受けていないことが確認された。
[素子作製]
金属層を挿入しない以外は実施例1と同様に素子を作製した。
(素子構造:ガラス基板/ITO(150nm)/PEDOT(AI−4083)/IL7/SCB670/Ba(5nm)/ITO(160nm)/Al(100nm)/ガラス封止)
作製した素子を実施例1と同様に測定した。結果を表1に示す。表1に示されるように比較例1の素子は、実質的に発光すらせず、発光層にダメージを受けているものと推定された。
[素子作製]
反射電極Alを形成しない場合、光を透過しかつ両面が発光する素子になる。さらに、ガラス基板側の電極を反射電極にすればトップエミッション型の素子になる。金属層として、電子ビーム蒸着法を用いて、Alを蒸着速度約2Å/secにて蒸着させ、金属層の膜厚5nmの素子を作製した。本実施例2の素子は、金属層の膜厚が5nmである点と反射電極を形成しない点以外は、実施例1と同様に素子を作製した。
作製した素子を実施例1と同様に測定した。ただし、反射電極を形成していないので、ガラス基板側、その反対面の両面から光が放出される。結果を表2に示す。表2に示されるように、実施例2の素子は輝度が減少しておらず、発光層にダメージを受けていないことが確認された。なお、ガラス基板側から取出される光の測定と、ガラス基板とは反対側から取出される光の測定とを、時間をあけて行ったので、同じ印加電圧でも電流密度が異なっている。
2 ガス注入口
3 ガス排出口
4 容器
5 ターゲット支持台
5a 第一ターゲット支持台
5b 第二ターゲット支持台
6 ターゲット
6a 第一ターゲット
6b 第二ターゲット
7 基板指示台
8 素子形成基板
10 支持基板
11 ガラス基板
20 反射電極(第一電極層、陽極)
21 ITO層(第一電極層、陽極)
30 正孔注入層
31 正孔注入層(PEDOT層)
32 インターレイヤー
40、41 発光層
50 電荷注入層
51 電子注入層
60、61 金属層
70 透明電極層(第二電極層、陰極)
71 ITO層(第二電極層、陰極)
72 反射電極
Claims (13)
- 支持基板上に、少なくとも、第一電極層、高分子有機化合物を含む発光層、および第二電極層を積層する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記支持基板より上層に第一電極層を形成する工程と、
前記第一電極層より上層に前記発光層を形成する工程と、
前記発光層より上層に電荷注入層を形成する工程と、
前記電荷注入層より上層に、アルミニウム、銀、錫、銅およびこれらの2種以上を含む複合金属材料からなる群より選ばれる材料を含有する金属層を形成する工程と、
前記金属層より上層に、透明導電性酸化物、透明導電性窒化物及びこれらの複合材料から選ばれる電極材料を、低ダメージスパッタリング法、イオンプレーティング法、またはCVD法により積層させて前記第二電極層を形成する工程とを含む、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記発光層より上層に設けられた前記電荷注入層の直上に前記金属層を形成し、前記金属層の直上に前記第二電極層を形成する、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記金属層を、0.5nm以上、30nm以下の厚さに形成する、請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記金属層を、真空蒸着法より形成する、請求項1から3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記低ダメージスパッタリング法が、対向ターゲットスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法である、請求項1から4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記発光層を印刷法により形成する請求項1から5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 支持基板上に、少なくとも第一電極層、高分子化合物を含む発光層、および第二電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記支持基板の上層に前記第一電極層が設けられ、
前記第一電極層より上層に前記発光層が設けられ、
前記発光層より上層に前記電荷注入層が設けられ、
前記電荷注入層より上層に、単一層で形成される金属層が設けられ、
前記金属層より上層に、第二電極層が設けられ、
前記金属層は、アルミニウム、銀、錫、銅及びこれらの複合金属材料から選ばれる金属材料を含有する層であり、
前記第二電極層は、透明導電性酸化物、透明導電性窒化物及びこれらの複合材料から選ばれる電極材料を含有する層である、有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記発光層より上層に設けられた電荷注入層の直上に前記金属層を形成し、前記金属層の直上に前記第二電極層を形成する、請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記金属層の厚さが、0.5nm以上、30nm以下である、請求項7または8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記金属層の可視光透過率が30%以上である、請求項7から9のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記第二電極層が、インジウム、錫、亜鉛およびアルミニウムからなる群から選ばれる1種以上を含有する陰極である、請求項7から10のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電荷注入層が、仕事関数あるいはイオン化ポテンシャルが3.0eV以下である金属層、無機層および有機層のうちの少なくとも1層以上を含むこと特徴とする請求項7から11のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電荷注入層が、アルカリ金属、アルカリ金属土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物およびアルカリ金属フッ化物からなる群から選ばれる1種以上を含むことを特徴とする請求項7から12のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011058305A1 (en) * | 2009-11-10 | 2011-05-19 | Cambridge Display Technology Limited | Organic optoelectronic device and method of making the game |
JP2017098036A (ja) * | 2015-11-20 | 2017-06-01 | 日本放送協会 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置 |
JP2021529429A (ja) * | 2018-07-02 | 2021-10-28 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | 発光ダイオード及びその作製方法、表示装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040512A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-02-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP5690578B2 (ja) * | 2010-12-22 | 2015-03-25 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP5901161B2 (ja) * | 2011-07-06 | 2016-04-06 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子、発光装置、画像形成装置、表示装置および撮像装置 |
KR20150018246A (ko) * | 2013-08-09 | 2015-02-23 | 한국전자통신연구원 | 유기발광 다이오드 및 이의 제조 방법 |
KR20150029530A (ko) * | 2013-09-09 | 2015-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US9257672B2 (en) * | 2013-09-09 | 2016-02-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
EP3168886B8 (en) * | 2015-11-10 | 2023-07-26 | Novaled GmbH | Metallic layer comprising alkali metal and second metal |
JP6529920B2 (ja) * | 2016-03-01 | 2019-06-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電界放出電子源、その製造方法および電子線装置 |
JP2017174955A (ja) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
CN106711342A (zh) * | 2016-12-26 | 2017-05-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种oled器件及其制作方法 |
CN108281562B (zh) * | 2017-01-05 | 2020-06-19 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种电极及应用其的有机电致发光器件 |
CN107204400A (zh) * | 2017-05-24 | 2017-09-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法以及显示装置 |
TWI660533B (zh) | 2017-09-15 | 2019-05-21 | Industrial Technology Research Institute | 發光元件及其透明電極 |
CN109903679B (zh) | 2019-03-07 | 2023-06-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 可折叠支撑结构及其制备方法、显示装置 |
CN113748530A (zh) * | 2019-04-29 | 2021-12-03 | 应用材料公司 | 具有活性有机膜的改良的顶部发光装置和处理基板的方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085163A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-03-30 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法と表示装置 |
JP2003045673A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Victor Co Of Japan Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2003203783A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-07-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2004139981A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-05-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 表示素子およびその製造方法 |
JP2004171951A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子用陽極 |
JP2005044799A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2005063928A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子及びエレクトロルミネッセンスパネル |
JP2005122910A (ja) * | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Hitachi Ltd | 有機elディスプレイ装置および有機el素子の構造体の製造方法 |
JP2007149699A (ja) * | 2003-01-24 | 2007-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
JP2008041692A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4097893B2 (ja) * | 2000-12-05 | 2008-06-11 | 株式会社エフ・ティ・エスコーポレーション | 対向ターゲット式スパッタ方法及び導電性膜の形成方法 |
US7488986B2 (en) * | 2001-10-26 | 2009-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7161291B2 (en) * | 2002-09-24 | 2007-01-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd | Display element and method for producing the same |
GB2404284B (en) * | 2003-07-10 | 2007-02-21 | Dainippon Printing Co Ltd | Organic electroluminescent element |
JP3965479B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2007-08-29 | 株式会社エフ・ティ・エスコーポレーション | 箱型対向ターゲット式スパッタ装置及び化合物薄膜の製造方法 |
JP4683829B2 (ja) * | 2003-10-17 | 2011-05-18 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法 |
KR20060135801A (ko) * | 2004-03-05 | 2006-12-29 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 표시 장치 |
US20070290604A1 (en) * | 2006-06-16 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of producing the same |
-
2008
- 2008-03-31 JP JP2008091744A patent/JP2009245787A/ja active Pending
-
2009
- 2009-03-11 EP EP09728596A patent/EP2271182A4/en not_active Withdrawn
- 2009-03-11 CN CN2009801119706A patent/CN101983538A/zh active Pending
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- 2009-03-11 KR KR1020107021695A patent/KR20110000733A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-03-26 TW TW098109992A patent/TW200948178A/zh unknown
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085163A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-03-30 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法と表示装置 |
JP2003045673A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Victor Co Of Japan Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2003203783A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-07-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2004139981A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-05-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 表示素子およびその製造方法 |
JP2004171951A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子用陽極 |
JP2007149699A (ja) * | 2003-01-24 | 2007-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
JP2005044799A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2005063928A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子及びエレクトロルミネッセンスパネル |
JP2005122910A (ja) * | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Hitachi Ltd | 有機elディスプレイ装置および有機el素子の構造体の製造方法 |
JP2008041692A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011058305A1 (en) * | 2009-11-10 | 2011-05-19 | Cambridge Display Technology Limited | Organic optoelectronic device and method of making the game |
JP2017098036A (ja) * | 2015-11-20 | 2017-06-01 | 日本放送協会 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置 |
JP2021529429A (ja) * | 2018-07-02 | 2021-10-28 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | 発光ダイオード及びその作製方法、表示装置 |
US11716871B2 (en) | 2018-07-02 | 2023-08-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light emitting diode, method for preparing the same, and display device |
JP7409584B2 (ja) | 2018-07-02 | 2024-01-09 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード及びその作製方法、表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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KR20110000733A (ko) | 2011-01-05 |
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EP2271182A1 (en) | 2011-01-05 |
US20110043103A1 (en) | 2011-02-24 |
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