TWI660533B - 發光元件及其透明電極 - Google Patents
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Abstract
一種發光元件及其透明電極，其中所述透明電極包括透明導電層以及注入層。注入層介於透明導電層與發光元件的發光層之間，其中所述注入層的材料為摻雜金屬的鹼金屬鹽類。
Description
本發明是有關於一種發光元件技術，也是有關於一種發光元件及其透明電極。
發光元件一般是由電極層、發光層、驅動元件與各種導線(如掃描線、資料線等)所構成，且電極層可為透明電極，以利發光。傳統的透明電極設計採用在有機層上使用不同功函數金屬摻雜(如Mg:Ag)作為電子注入層，並搭配導電性良好之金屬(如Ag)來作為透明電極。
目前透明發光元件因為可用於生活中來提升資訊傳播的方便性，如智慧櫥窗、廣告看板、車載顯示器…等應用上，因此已成為各界關注與發展的重點項目。
為了追求高透明度，導入高透明電極是必須的，然而傳統以金屬為主的透明電極會導致穿透度(Transmittance)降低，影響面板整體穿透度。
另一種改良穿透度的方式是在傳統以金屬為主的透明電極中打洞或穿孔，但如此一來會有亮度不均的問題，還會使阻值增加而犧牲導電性，進而影響元件的發光效率。
本發明實施例提供一種發光元件的透明電極，能在達到高穿透度的同時保有高導電度。
本發明實施例另提供一種發光元件，具有上述透明電極。
本發明實施例再提供一種透明發光元件，能同時具有50%以上的穿透度與優異的發光效率。
本發明實施例提供一種發光元件的透明電極，包括：透明導電層；以及注入層，介於所述透明導電層與發光元件的發光層之間，其中所述注入層的材料為摻雜金屬的金屬氧化物或鹼金屬鹽類。
在本發明的一實施例中，上述的金屬氧化物包括LiO
2或MoO
3；上述的鹼金屬鹽類包括LiF、LiBO
3、K
2SiO
3、Cs
2CO
3或CH
3COOM (M= Li、Na、K、Rb或Cs)。
在本發明的一實施例中，上述的注入層中摻雜的所述金屬包括Al、Ca、Ag、Cu、Mg或其合金，如Mg:Ag、Li:Al等。
在本發明的一實施例中，上述的透明導電層包括透明金屬氧化物。
在本發明的一實施例中，上述的透明金屬氧化物包括ITO、IZO、AZO、ZnO、FTP或GZO。
在本發明的一實施例中，上述的金屬與鹼金屬鹽類的混合重量比例為1:1~1:5之間；上述的金屬與金屬氧化物的混合重量比例為1:1~1:5之間。
在本發明的一實施例中，上述的注入層的厚度小於15 nm。
在本發明的一實施例中，上述的注入層還可包括有機材料，與所述鹼金屬鹽類以及摻雜的所述金屬混合分佈。
在本發明的一實施例中，上述的有機材料包括Liq、HAT-CN、CuPc或F4TCNQ。
在本發明的一實施例中，基於上述的注入層的總重量為100%，所述有機材料的含量小於50%。
在本發明的一實施例中，上述的發光元件的透明電極還可包括緩衝層，介於所述透明導電層與所述注入層之間。
在本發明的一實施例中，上述的透明導電層包括金屬薄膜，且所述金屬薄膜的穿透度在50%以上。
在本發明的一實施例中，上述的發光元件的透明電極還可包括金屬薄膜，設置於所述透明導電層內，且所述金屬薄膜的穿透度在50%以上。
本發明實施例提供一種發光元件，包括：第一電極、發光層以及第二電極，所述發光層位於所述第一電極與所述第二電極之間，其中第一與第二電極中至少一個為上述的透明電極。
本發明實施例提供一種透明發光元件，具有透光區與不透光區，其中所述透明發光元件包括：第一電極、發光層以及第二電極，發光層位於不透光區的第一與第二電極之間，其中第一與第二電極中至少一個上述的透明電極，且所述透明電極延伸至透光區，使透光區的穿透度在50%以上。
在本發明的另一實施例中，上述的透明電極係全面覆蓋所述透光區。
在本發明的另一實施例中，上述的透明發光元件於不透光區內還可包括：驅動元件、掃描線以及資料線。
基於上述，本發明實施例使用摻雜有金屬的金屬氧化物與鹼金族鹽類搭配透明導電層作為電極，無需繁複之製程以及結構設計，即可提升電極的整體穿透度並保有高導電度，還能廣泛應用於透明產品如透明顯示器上，而達到穿透度提升以及發光效率增加的效果。
為讓本發明能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
下文列舉實施例並配合所附圖式來進行詳細地說明，但所提供之實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍。此外，圖式僅以說明為目的，並未依照原尺寸作圖，且可能放大或縮小不同的構件來顯示於單一圖式中。而且，雖然文中使用如「第一」、「第二」等來描述不同的元件及/或膜層，但是這些元件及/或膜層不應當受限於這些用語。而是，這些用語僅用於區別一元件或膜層與另一元件或膜層。因此，以下所討論之第一元件或膜層可以被稱為第二元件或膜層而不違背實施例的教示。而且，為了方便理解，下文中相同的元件將以相同之符號標示來說明。
圖1是依照本發明的第一實施例的一種包括透明電極的發光元件之剖面示意圖。
在圖1中，第一實施例的透明電極100包括透明導電層102以及注入層104。而且，注入層104介於透明導電層102與發光元件的發光層106之間，注入層104的厚度t例如小於15 nm，譬如在2 nm~10 nm之間。此外，發光元件一般還有設置在基板108上的驅動元件110以及相對於透明電極100的另一電極112，其中驅動元件110例如是主動驅動元件或被動驅動元件，如TFT等。發光層106介於電極112和透明電極100之間，電極112可為陽極、透明電極100可為陰極。上述注入層104的材料為摻雜金屬的金屬氧化物或鹼金屬鹽類；舉例來說，金屬氧化物可列舉但不限於LiO
2或MoO
3；鹼金屬鹽類可列舉但不限於LiF、LiBO
3、K
2SiO
3、Cs
2CO
3、CH
3COOM (M= Li、Na、K、Rb、Cs)。注入層104中摻雜的金屬可列舉但不限於Al、Ca、Ag、Cu、Mg或其合金，如Mg:Ag、Li:Al等。在本實施例中，注入層104的製作可採用共蒸鍍法，譬如在真空腔體內利用不同蒸鍍源進行共蒸鍍，因此能以接近的重量或體積比例同時蒸鍍金屬氧化物或鹼金屬鹽類以及金屬，其中金屬與金屬氧化物或鹼金屬鹽類的混合重量比例譬如在1:1~1:5之間，但本發明並不限於此。
由於本實施例使用摻雜金屬的鹼金屬鹽類作為透明電極100內的注入層104，所以會形成如圖2所示的多孔隙結構。在圖2中，較大且帶正號(+)的是代表鹼金屬鹽類、較小且帶負號(-)的是代表所摻雜的金屬，電磁波可在孔洞中共振並重新輻射電磁波，因此能增加穿透度。在另一實施例中，注入層104還可包括有機材料，與所述鹼金屬鹽類以及摻雜的所述金屬混合分佈。所述有機材料可以是用於注入層的有機材料或者當作緩衝用的有機材料，例如Liq、HAT-CN、CuPc、F4TCNQ等。而且，基於注入層104的總重量為100%，有機材料的含量約小於50%。注入層104若是以共蒸鍍法製作，則可通過增加蒸鍍源的方式來加入有機材料。
在第一實施例中，透明導電層102例如透明金屬氧化物，如ITO、IZO、AZO、ZnO、FTP或GZO，因此與注入層104搭配後，不但提升電極的整體穿透度並保有高導電度。至於電極112可以是用於發光元件的一般金屬電極，但本發明並不限於此；在另一實施例中，可採用與透明電極100相同的構件作為電極112，並使注入層介於透明導電層與發光層106之間。
圖3是第一實施例的另一種發光元件的示意圖，其中使用與圖1相同的元件符號來表示相同的構件，且未描述的技術內容均可參照以上說明，故不再贅述。
在圖3中，透明電極100中的透明導電層為金屬薄膜300，其餘構件則與圖1相同，且金屬薄膜300的穿透度在50%以上，因此搭配注入層104可確保電極的整體穿透度並具有高導電度。所述金屬薄膜300的材料例如銀或鋁。
圖4是第一實施例的再一種發光元件的示意圖，其中使用與圖1相同的元件符號來表示相同的構件，且未描述的技術內容均可參照以上說明，故不再贅述。
在圖4中，透明電極100還包括一緩衝層400，介於所述透明導電層102與所述注入層104之間，其餘構件則與圖1相同。緩衝層400可用以保護底下的發光層106免於後續製程的影響。舉例來說，透明導電層102通常是採用濺鍍形成的，所以濺鍍過程有可能破壞發光層106的表面，因此在注入層104表面可先形成一層緩衝層400再進行後續濺鍍製程。此外，緩衝層400如為HAT-CN (Hexaazatriphenylenehexacarbonitrile)，也能因為材料本身的結構而具備平坦化的功效。
圖5是第一實施例的又一種發光元件的示意圖，其中使用與圖4相同的元件符號來表示相同的構件，且未描述的技術內容均可參照以上說明，故不再贅述。
在圖5中，透明電極100還包括一金屬薄膜500，設置於所述透明導電層102內，且所述金屬薄膜500的穿透度在50%以上，其餘構件則與圖4相同。金屬薄膜500能增加導電度，且維持高穿透度。所述金屬薄膜500的材料例如銀或鋁。此外，圖5中的緩衝層400也可視情形而省略。
圖6是依照本發明的第二實施例的一種發光元件的示意圖，其中使用與第一實施例相同的元件符號來表示相同的構件。
請參照圖6，第二實施例中的透明電極600包括透明導電層102以及注入層104。第二實施例與第一實施例的差別在於其為倒置型結構，因此發光元件的發光層106與基板108之間是透明電極600，而另一電極112是設置在發光層106之上，電極112可為陽極、透明電極600可為陰極。驅動元件110則位在透明電極600與基板108之間。另外，在發光層106與電極112之間可選擇性的設置一緩衝層602，用以保護底下的發光層106免於後續製程的影響。緩衝層602例如HAT-CN或其他適用的材料。以上未描述的技術內容均可參照以上第一實施例的說明，故不再贅述。
圖7是依照本發明的第三實施例的一種發光元件的示意圖，其中使用與第二實施例相同的元件符號來表示相同的構件。
請參照圖7，第三實施例與第二實施例的差別在於，設置在發光層106之上的電極為透明電極700，且其包含透明導電層102以及注入層104，注入層104介於透明導電層102與發光層106之間。而此實施例與第二實施例相較亦未繪示選擇性設置的緩衝層。因此，第三實施例的元件整體的穿透度會進一步地增加。以上未描述的技術內容均可參照以上各個實施例的說明，故不再贅述。
圖8是依照本發明的第四實施例的一種發光元件的示意圖，其中使用與第一實施例相同的元件符號來表示相同的構件。
在圖8中，發光元件具有透光區800a與不透光區800b，其中透光區800a是指穿透度遠大於不透光區800b的區域。發光元件包括第一電極802、發光層804以及第二電極806，所述發光層804位於不透光區800b的第一電極802與第二電極806之間，其中第一電極802是透明電極，且透明電極延伸至透光區800a，使透光區800a的穿透度在50%以上。在此實施例中，第一電極802(透明電極)係全面覆蓋透光區800a，所以不但能提升電極的整體穿透度，還能改善傳統以打洞或穿孔的方式來增加穿透度的方式所帶來的亮度不均與阻值增加等問題，而維持元件既有的發光效率。然而本發明並不限於此，第一電極802(透明電極)也可依照需求設計而覆蓋部分的透光區800a。在本實施例中，於不透光區800b內除了有驅動元件110，還可能包括掃描線(未繪示)以及資料線(未繪示)等線路。透光區800a則會有透明材料808填充於基板108與第一電極802之間。
圖9是圖8的發光元件的上視示意圖。從圖9可知，透光區800a與不透光區800b的位置關係，透光區800a一般是被像素界定層(Pixel Define Layer，PDL)900所界定的區域，而不透光區800b基本上包含第二電極806，其可為陽極。在圖9中，第一電極802(透明電極)除了位於不透光區800b也全面覆蓋整個透光區800a與PDL 900。
圖10是第四實施例的另一種發光元件的示意圖，其中使用與圖8相同的元件符號來表示相同的構件，且未描述的技術內容均可參照以上說明，故不再贅述。
在圖10中，第一電極802還包括一緩衝層1000，介於不透光區800b內的透明導電層102與所述注入層104之間，其餘構件則與圖8相同。緩衝層1000可用以保護底下的發光層804免於後續製程的影響，如同圖4的緩衝層400還可具備平坦化的功效。
以下列舉數個實驗來驗證本發明之功效，但實驗內容並非用以限制本發明的範圍。
〈實驗例1〉
首先在一玻璃基板上沉積100 nm厚的氮化矽層，然後以Al:LiF的混合重量比例3:2，藉由共蒸鍍形成10 nm厚的摻雜Al的LiF，再於其上濺鍍一層280 nm厚的IZO，以完成受測的透明電極。
對上述透明電極進行電阻率與穿透度的測量，並將結果顯示於下表一。
〈實驗例2〉
採用實驗例1的方式製作透明電極，但Al: LiF的混合重量比例改為1:1。
對上述透明電極進行電阻率與穿透度的測量，並將結果顯示於下表一。
〈實驗例3〉
採用實驗例1的方式製作透明電極，但Al:LiF的混合重量比例改為2:3。
對上述透明電極進行電阻率與穿透度的測量，並將結果顯示於下表一與圖11。
〈對照例1〉
採用實驗例1的方式製作透明電極，但摻雜Al的LiF改為純鋁。
對上述透明電極進行電阻率與穿透度的測量，並將結果顯示於下表一。
〈對照例2〉
採用實驗例1的方式製作透明電極，但摻雜Al的LiF改為純LiF。
對上述透明電極進行電阻率與穿透度的測量，並將結果顯示於下表一。
表一
| 對照例1 | 實驗例1 | 實驗例2 | 實驗例3 | 對照例2 | |
| 電阻率 (Ohm/square) | 30.8 | 27.9 | 27.6 | 27.6 | 784K |
| 穿透度(%)@550 nm | 52.3 | 68.5 | 89.8 | 89.8 | 87.9 |
從表一可得到，單獨使用LiF或者Al薄膜，在濺鍍製程下IZO的阻值偏高。相反地，摻雜Al的LiF膜具有較低的阻值，因此這樣的共蒸鍍膜具有使IZO穩定成膜之功效。而且，當Al:LiF的混合比例在1:1以下，在光線波長為550 nm時，其整體穿透度由原本52%提升至約90% (@550 nm)。
〈對照例3〉
採用實驗例3的方式製作透明電極，但摻雜Al的LiF改為分別蒸鍍單層LiF(3 nm)與單層Al(2 nm)交替堆疊的四層結構，其總厚度為10nm。
對上述透明電極進行穿透度的測量，並將結果顯示於圖11。圖11的橫軸為波長(單位為nm)，縱軸為穿透度T。
〈對照例4〉
採用實驗例3的方式製作透明電極，但摻雜Al的LiF改為分別蒸鍍單層LiF(6 nm)與單層Al(4 nm)堆疊的雙層結構，其總厚度為10 nm。
對上述透明電極進行穿透度的測量，並將結果顯示於圖11。
從圖11可得到，相比於對照例3及對照例4之LiF與Al交互堆疊方式，實驗例3的作法有更高的透明度。
〈實驗例4〉
首先在一玻璃基板上沉積100 nm厚的ITO作為電極(陽極)，然後形成有機電洞傳輸層以及Ir(ppy)
3作為發光層，在形成電子傳輸層後，再以Al:LiF的混合重量比例2:3，藉由共蒸鍍形成5 nm厚的摻雜Al的LiF，並於其上濺鍍一層280 nm厚的IZO作為含Al:LiF與IZO之透明電極(陰極)，以完成受測的發光元件。
對上述發光元件先以模擬得到其電流效率與穿透度，再進行上發光與下發光的光學與電性測量，並將結果顯示於下表二及圖12和圖13。
〈實驗例5〉
採用實驗例4的方式製作發光元件，但摻雜Al的LiF的厚度改為10 nm。
對上述發光元件先以模擬得到其電流效率與穿透度，再進行上發光與下發光的光學與電性測量，並將結果顯示於下表二及圖12和圖13。
〈對照例5〉
採用實驗例4的方式製作發光元件，但透明電極直接換成Mg:Ag(5 nm)與Ag(15 nm)的疊層結構。
對上述發光元件先以模擬得到其電流效率與穿透度，再進行下發光的光學與電性測量，並將結果顯示於下表二。
表二
| 實驗例4 | 實驗例5 | 對照例5 | |
| 模擬總效率 (正向能量任意單位) | 0.0822 | 0.0436(0.53X) | 0.0441(0.54X) |
| 量測總效率 | 40 cd/A | 16.05 cd/A (0.40X) | 15.9 cd/A (0.40X) |
| 穿透率 T% (模擬/實驗) | 0%/0% | 68.30%/76.56% | 68.14%/71.7% |
從表二可得到，實驗例4~5的效率雖然較低，但在穿透率方面增幅極大。以實驗例4的模擬總效率0.0822視為基準，實驗例5及對照例5的模擬總效率與實驗例4的模擬總效率比值分別為0.53及0.54，在表二中以(0.53X)及(0.54X)標示於實驗例5及對照例5的模擬總效率的數值之後。另外，以實驗例4的量測總效率40cd/A視為基準，實驗例5及對照例5的量測總效率與實驗例4的量測總效率比值分別為0.40及0.40，在表二中以(0.40X)及(0.40X)標示於實驗例5及對照例5的量測總效率的數值之後。
圖12是實驗例4(LiF:Al為5nm) 和實驗例5(LiF:Al為10nm) 的電流密度對操作電壓之關係曲線圖。圖12中的Bottom係指朝基板方向出光，Top係指朝陰極方向出光。其中橫軸為電壓，單位為伏特，縱軸為電流密度，單位為mA/cm
2。圖13是實驗例4(LiF:Al為5nm)和實驗例5(LiF:Al為10nm)的電流效率與電流密度之關係曲線圖。圖13中的Bottom係指朝基板方向出光，Top係指朝陰極方向出光。其中橫軸為電流密度，單位為mA/cm
2，縱軸為電流效率，單位為cd/A。從圖12~13可得到，厚度較薄的摻雜Al的LiF具有較佳的注入能力。
〈實驗例6〉
首先在一玻璃基板上製作TFT，再沉積100 nm厚的ITO作為電極(陽極)，然後形成有機電洞傳輸層以及Ir(ppy)
3作為發光層，在形成電子傳輸層後，再以Al:LiF的混合重量比例2:3，藉由共蒸鍍形成10 nm厚的摻雜Al的LiF，並於其上濺鍍一280 nm厚的IZO作為含Al:LiF與IZO之透明電極(陰極)，以完成受測的發光元件。
對上述發光元件進行電性測量，並將結果顯示於圖14和圖15。
〈實驗例7〉
採用實驗例6的方式製作透明電極，但在Al:LiF與IZO之間形成一層20 nm厚的HAT-CN作為緩衝層。
對上述發光元件進行電性測量，並將結果顯示於圖14和圖15。
從圖15可知，實驗例6~7的發光元件隨操作電壓變化均具有相同的電流密度。從圖16還能觀察出沒有緩衝層的實驗例6的效率還比有緩衝層的實驗例7要高，所以Al:LiF本身即具有保護發光層免於濺鍍製程損傷之功效。
圖16是依照本發明的第五實施例的一種透明發光元件的示意圖。
在圖16中，透明發光元件具有透光區1600a與不透光區1600b，其中透光區1600a是指穿透度遠大於不透光區1600b的區域。透明發光元件包括設置於一基板1602上的第一電極1604與多層發光層1606以及多個第二電極1608，其中發光層1606與第二電極1608分別交替地堆疊於第一電極1604上。所述發光層1606位於不透光區1600b，且可分別發不同的光，因此可藉由直流調整各第二電極1608之間電位差，來調整各發光層1606的發光強度，達到調整光色目的。第二電極1608是如上述各實施例中的透明電極並延伸至透光區1600a，使透光區1600a的穿透度在50%以上，其中第二電極1608包括透明導電層1610以及注入層1612，其詳細內容可參照上述各實施例，故不再贅述。
在此實施例中，第二電極1608(透明電極)可全面覆蓋透光區1600a，所以不但能提升電極的整體穿透度，還能改善傳統以打洞或穿孔的方式來增加穿透度的方式所帶來的亮度不均與阻值增加等問題，而維持元件既有的發光效率。然而本發明並不限於此，第二電極1608(透明電極)也可依照需求設計而覆蓋部分的透光區1600a。在本實施例中，於不透光區1600b內還可能包括驅動元件(未繪示)、掃描線(未繪示)以及資料線(未繪示)等構件。透光區1600a則會有透明材料1614填充於基板1602與第二電極1608之間以及各個第二電極1608之間。
圖17是依照本發明的第六實施例的一種透明發光元件的示意圖，其中使用與圖16相同的元件符號來表示相同的構件，且未描述的技術內容均可參照以上說明，故不再贅述。
在圖17中，透明發光元件同樣包括第一電極1604、多層發光層1606以及多個第二電極1608。由於發光層1606可分別發不同的光，因此可藉由交流電時脈，來調整發光顏色。
綜上所述，本發明實施例引進一種結構設計取代傳統的電極，主要使用摻雜有金屬的鹼金族鹽類搭配透明導電層作為透明電極，不需要繁複的製程及結構設計，即可提升電極的整體穿透度並保有高導電度，還能廣泛應用於透明產品上，而達到穿透度提升以及發光效率增加的效果。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、600、700：透明電極 102、1610：透明導電層 104、1612：注入層 106、804、1606：發光層 108、1602：基板 110：驅動元件 112：電極 300、500：金屬薄膜 400、602、1000：緩衝層 800a、1600a：透光區 800b、1600b：不透光區 802、1604：第一電極 806、1608：第二電極 808、1614：透明材料 900：像素界定層 t：厚度
圖1是依照本發明的第一實施例的一種包括透明電極的發光元件之剖面示意圖。 圖2是圖1的注入層之穿透原理示意圖。 圖3是第一實施例的另一種發光元件的示意圖。 圖4是第一實施例的再一種發光元件的示意圖。 圖5是第一實施例的又一種發光元件的示意圖。 圖6是依照本發明的第二實施例的一種發光元件的示意圖。 圖7是依照本發明的第三實施例的一種發光元件的示意圖。 圖8是依照本發明的第四實施例的一種透明發光元件的示意圖。 圖9是圖8的發光元件的上視示意圖。 圖10是第四實施例的另一種發光元件的示意圖。 圖11是實驗例3與對照例3~4的穿透度曲線圖。 圖12是實驗例4~5的電流密度對操作電壓之關係曲線圖。 圖13是實驗例4~5的電流效率與電流密度之關係曲線圖。 圖14是實驗例6~7的電流密度對操作電壓之關係曲線圖。 圖15是實驗例6~7的電流效率與電流密度之關係曲線圖。 圖16是依照本發明的第五實施例的一種透明發光元件的示意圖。 圖17是依照本發明的第六實施例的一種透明發光元件的示意圖。
Claims (18)
- 一種發光元件的透明電極，包括：透明導電層；以及注入層，介於所述透明導電層與發光元件的發光層之間，其中所述注入層的材料為摻雜金屬的金屬氧化物或鹼金屬鹽類，其中所述注入層中摻雜的所述金屬包括Al、Ca、Ag、Cu、Mg或其合金，所述金屬氧化物包括LiO2或MoO3，以及所述鹼金屬鹽類包括LiF、LiBO3、K2SiO3、Cs2CO3或CH3COOM，M=Li、Na、K、Rb或Cs。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件的透明電極，其中所述透明導電層包括透明金屬氧化物。
- 如申請專利範圍第2項所述的發光元件的透明電極，其中所述透明金屬氧化物包括ITO、IZO、AZO、ZnO、FTP或GZO。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件的透明電極，其中摻雜的所述金屬與所述鹼金屬鹽類的混合重量比例為1：1~1：5之間；摻雜的所述金屬與所述金屬氧化物的混合重量比例為1：1~1：5之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件的透明電極，其中所述注入層的厚度小於15nm。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件的透明電極，其中所述注入層更包括有機材料，與所述鹼金屬鹽類以及摻雜的所述金屬混合分佈。
- 如申請專利範圍第6項所述的發光元件的透明電極，其中所述有機材料包括Liq、HAT-CN、CuPc或F4TCNQ。
- 如申請專利範圍第6項所述的發光元件的透明電極，其中基於所述注入層的總重量為100%，所述有機材料的含量小於50%。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件的透明電極，更包括緩衝層，介於所述透明導電層與所述注入層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件的透明電極，其中所述透明導電層包括金屬薄膜，且所述金屬薄膜的穿透度在50%以上。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光元件的透明電極，更包括金屬薄膜，設置於所述透明導電層內，且所述金屬薄膜的穿透度在50%以上。
- 一種發光元件，包括：第一電極、發光層以及第二電極，所述發光層位於所述第一電極與所述第二電極之間，其中所述第一電極與所述第二電極中至少一個為申請專利範圍第1~11項中任一項所述的透明電極。
- 如申請專利範圍第12項所述的發光元件，其中所述發光元件具有透光區與不透光區，所述發光層位於所述不透光區的所述第一電極與所述第二電極之間，且所述透明電極延伸至所述透光區，所述透光區的穿透度在50%以上。
- 如申請專利範圍第13項所述的發光元件，其中所述透明電極係全面覆蓋所述透光區。
- 如申請專利範圍第13項所述的發光元件，其中所述透明發光元件於所述不透光區內更包括：驅動元件、掃描線以及資料線。
- 一種透明發光元件，具有透光區與不透光區，其中所述透明發光元件包括：第一電極，設置於一基板上；以及多數個發光層與多數個第二電極，分別交替地堆疊於所述第一電極上，其中所述發光層位於所述不透光區，所述第二電極為申請專利範圍第1~11項中任一項所述的透明電極，且所述透明電極延伸至所述透光區，所述透光區的穿透度在50%以上。
- 如申請專利範圍第16項所述的透明發光元件，其中所述透明電極係全面覆蓋所述透光區。
- 如申請專利範圍第16項所述的透明發光元件，其中所述透明發光元件於所述不透光區內更包括：驅動元件、掃描線以及資料線。
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