JP2009167087A - 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス - Google Patents
無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009167087A JP2009167087A JP2008320678A JP2008320678A JP2009167087A JP 2009167087 A JP2009167087 A JP 2009167087A JP 2008320678 A JP2008320678 A JP 2008320678A JP 2008320678 A JP2008320678 A JP 2008320678A JP 2009167087 A JP2009167087 A JP 2009167087A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- inorganic
- crystal
- alignment film
- inorganic crystalline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 43
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 171
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 40
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 23
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 212
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 22
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 7
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 7
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 2
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- OVZUSPADPSOQQN-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)indigane Chemical compound [In+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] OVZUSPADPSOQQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N zafuleptine Chemical compound OC(=O)CCCCCC(C(C)C)NCC1=CC=C(F)C=C1 YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000002182 crystalline inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate Chemical compound CC(C)[O-] OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
【解決手段】ガラス基板等の非晶質基板11上に、層状結晶構造を有する無機結晶粒子20を含む原料と有機溶媒とを含む原料液を用いて、液相法により無機結晶粒子20を含む非単結晶膜12を成膜し、この非単結晶膜12が結晶化する温度以上の条件で非単結晶膜12を加熱し、無機結晶粒子20の一部を結晶核として非単結晶膜12を結晶化させることにより、無機結晶性配向膜1を製造する。
【選択図】図1
Description
NxMyRzO(x+3y/2+3z/2−d) ・・・(P)
(式中R =In、M =In,Fe,Ga,Alからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素、N=Zn及び/又はMg、x,y,zは0超の実数、dは酸素欠損量であり0≦d≦(x+3y/2+3z/2)/10)
例えば、c軸配向((00n)配向(但し、nは正の整数))している膜の場合は、(00n)面の最も強いピーク強度を1として規格化した、(1m0)面(但し、mは正の整数)の最も強いピーク強度をIとした時に、バルクにおけるI値の1/2以下のI値を有している膜を意味する。
図面を参照して、本発明に係る実施形態の無機結晶性配向膜及びその製造方法について説明する。図1は無機結晶性配向膜の製造工程図(基板の厚み方向の断面図)である。視認しやすくするため、構成要素の縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。
NxMyRzO(x+3y/2+3z/2−d) ・・・(P)
(式中R =In、M =In,Fe,Ga,Alからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素、N=Zn及び/又はMg、x,y,zは0超の実数、dは酸素欠損量であり0≦d≦(x+3y/2+3z/2)/10)
以下に無機結晶性配向膜1の製造方法について示す。
はじめに、図1(a)に示すように、基板11を用意し、無機結晶性配向膜1の構成材料を含む無機結晶粒子20と有機溶媒とを含む原料液を、基板11の表面に塗布し、無機結晶粒子20を含む非単結晶膜12を成膜する(工程(A))。
次に、非単結晶膜12を加熱し、無機結晶粒子20の一部を結晶核として非単結晶膜を結晶化させて本実施形態の無機結晶性配向膜1を得る(図1(c),(d))。結晶化は、非単結晶膜が結晶化する温度以上の条件で、非単結晶膜12を加熱することにより行う。
図2を参照して、上記実施形態の無機結晶性配向膜1を用いた半導体装置(半導体デバイス)及びその製造方法について説明する。本実施形態では、ボトムゲート型を例として説明する。図2は、TFTの製造工程図(基板の厚み方向の断面図)である。視認しやすくするため、構成要素の縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。
以上の工程により、本実施形態の半導体装置(TFT)2が製造される。
半導体装置2の活性層32は、上記実施形態の無機結晶性配向膜の製造方法により製造された半導体膜からなるので、良好な配向性を有しており、また直接描画によるパターニングも可能である。従って、本実施形態によれば、素子特性(キャリア移動度等)に優れた半導体装置2を簡易かつ低コストなプロセスにて製造することができる。
(実施例1)
ゾルゲル法により作製したZnxGayInzO(x+3y/2+3z/2−d)結晶ナノ粒子(以下、IGZOとする)を用いてIGZO膜を成膜した。式中x,y,zは0超の実数であり0<d≦(x+3y/2+3z/2)/10である。
実施例1のA液を粒子化せずにそのまま用いて、実施例1と同様にして非単結晶膜を成膜した。A液に対してTEM観察を行った結果、粒子は観測されなかった。
実施例1及び比較例1の結果を表2に示す。表2より、通常のゾルゲル法をそのまま利用して非単結晶膜を成膜するより、あらかじめ塗布液中に結晶核となる無機結晶粒子を作製してから非単結晶膜を成膜した方が、結晶化後に得られる膜は、良好な配向性を有するIGZO膜となり、その結果電子移動度が向上していることが確認された。
実施例1と同様のIGZO結晶ナノ粒子分散液を用い、結晶化を、KrFエキシマレーザ248nmの光を照射してレーザアニールにより行った。レーザアニールは、アッテネータを用いてサンプルに照射されるレーザパワーを調整し、照射回数を200shotとした。最もよい結晶性が得られたレーザ照射パワーは、103mJ/cm2であった。
A液の加熱条件を、230℃での1時間加熱攪拌とした以外は実施例1と同様にしてIGZOの結晶ナノ粒子が分散した結晶ナノ粒子分散液(B液)を作製し、同様の評価を行った。得られたB液は、黄褐色であり、In:Ga:Znの組成比(モル比)は、1.05:1:1であった。また、B液のTEM像から観察された結晶ナノ粒子の平均粒径は約5nmであった。
A液の加熱条件を、200℃での1時間加熱攪拌とした以外は実施例1と同様にしてIGZOの結晶ナノ粒子が分散した結晶ナノ粒子分散液(B液)を作製し、同様の評価を行った。得られたB液は、黄褐色であり、In:Ga:Znの組成比(モル比)は、1.06:1.1:1であった。また、B液のTEM像から観察された結晶ナノ粒子の平均粒径は約2〜3nmであった。
基板としてPET基板表面に膜厚100nmのSiO2膜が成膜されたものを用いた以外は実施例1と同様にして非単結晶膜を成膜し、KrFエキシマレーザ248nmの光を照射してレーザアニールによる結晶化を行った。レーザアニール条件は、レーザ照射パワーは、82mJ/cm2、照射回数を200shotとした。
比較例1と同様、実施例1のA液を粒子化せずにそのまま用いて、実施例1と同様にして非単結晶膜を成膜した。
比較例1と同様、実施例1のA液を粒子化せずにそのまま用いて、実施例5と同様にして表面にSiO2膜を成膜したPET基板上に非単結晶膜を成膜し、KrFエキシマレーザ248nmの光を照射してレーザアニールによる結晶化を行った。レーザアニール条件は、レーザ照射パワーは、82mJ/cm2、照射回数を200shotとした。
実施例2〜5及び比較例2,3の結果を表2に示す。実施例2,5及び比較例2,3の結果より、結晶化をレーザ照射により行った場合においても、通常のゾルゲル法をそのまま利用して非単結晶膜を成膜するより、あらかじめ塗布液中に結晶核となる無機結晶粒子を作製してから非単結晶膜を成膜した方が、結晶化後に得られる膜は、良好な配向性を有するIGZO膜となり、その結果電子移動度が向上していることが確認された。
ゾルゲル法により作製したZnxAlyInzO(x+3y/2+3z/2−d)結晶ナノ粒子(以下、IAZOとする)を用いてIAZO膜を成膜した。式中x,y,zは0超の実数であり0<d≦(x+3y/2+3z/2)/10である。
実施例6のC液を粒子化せずにそのまま用いて、実施例6と同様にして非単結晶膜を成膜した。C液に対してTEM観察を行った結果、粒子は観測されなかった。
実施例6及び比較例4の結果を表3に示す。表3より、IAZO結晶膜においても、通常のゾルゲル法をそのまま利用して非単結晶膜を成膜するより、あらかじめ塗布液中に結晶核となる無機結晶粒子を作製してから非単結晶膜を成膜した方が、結晶化後に得られる膜は、良好な配向性を有するIAZO膜となり、その結果電子移動度が向上していることが確認された。
11 基板
12 非単結晶膜
20 無機結晶粒子
2 半導体装置(TFT)
31、33、34 電極
32 活性層
L レーザ光線(熱線)
Claims (15)
- 基板上に、層状結晶構造を有する無機結晶粒子を含む原料と有機溶媒とを含む原料液を用いて、液相法により前記無機結晶粒子を含む非単結晶膜を成膜する工程(A)と、
該非単結晶膜が結晶化する温度以上の条件で、該非単結晶膜を加熱し、前記無機結晶粒子の一部を結晶核として前記非単結晶膜を結晶化させる工程(B)と順次実施することを特徴とする無機結晶性配向膜の製造方法。 - 前記工程(A)において、前記無機結晶粒子のうち、前記結晶核となる無機粒子が、前記非単結晶膜中で分散して存在していることを特徴とする請求項1に記載の無機結晶性配向膜の製造方法。
- 前記無機結晶性配向膜が、酸化物からなる(不可避不純物を含んでもよい)ものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の無機結晶性配向膜の製造方法。
- 前記酸化物が、一般式(P)で表される複合酸化物であることを特徴とする請求項3に記載の無機結晶性配向膜の製造方法。
NxMyRzO(x+3y/2+3z/2−d) ・・・(P)
(式中R =In、M =In,Fe,Ga,Alからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素、N=Zn及び/又はMg、x,y,zは0超の実数、dは酸素欠損量であり0≦d≦(x+3y/2+3z/2)/10) - 前記無機結晶性配向膜が(00n)配向(但し、nは正の整数)の結晶配向性を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の無機結晶性配向膜の製造方法。
- 前記結晶核となる無機結晶粒子の平均粒径が2nm以上、かつ前記非単結晶膜の膜厚以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の無機結晶性配向膜の製造方法。
- 前記無機結晶粒子は、前記無機結晶性配向膜のすべての構成元素を含む有機前駆体原料と有機溶媒とを含む原料液を用いてゾルゲル法により製造されたものであることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の無機結晶性配向膜の製造方法。
- 前記基板が、非晶質基板であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の無機結晶性配向膜の製造方法。
- 前記基板が、樹脂基板であることを特徴とする請求項8に記載の無機結晶性配向膜の製造方法。
- 前記基板が、ガラス基板であることを特徴とする請求項8に記載の無機結晶性配向膜の製造方法。
- 前記工程(B)において、熱線を用いて前記非単結晶膜を加熱して結晶化させることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の無機結晶性配向膜の製造方法。
- 前記熱線としてパルスレーザを用いることを特徴とする請求項11に記載の無機結晶性配向膜の製造方法。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の無機結晶性配向膜の製造方法により製造されたものであることを特徴とする無機結晶性配向膜。
- 半導体膜であることを特徴とする請求項13に記載の無機結晶性配向膜。
- 請求項14に記載の無機結晶性配向膜を備えたことを特徴とする半導体デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008320678A JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2008-12-17 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007324394 | 2007-12-17 | ||
JP2007324394 | 2007-12-17 | ||
JP2008320678A JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2008-12-17 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009167087A true JP2009167087A (ja) | 2009-07-30 |
JP5215158B2 JP5215158B2 (ja) | 2013-06-19 |
Family
ID=40751984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008320678A Active JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2008-12-17 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8202365B2 (ja) |
JP (1) | JP5215158B2 (ja) |
Cited By (144)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6183684A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-28 | 株式会社日立製作所 | セラミツクスの接合方法 |
JP2011086923A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | トランジスタ及び表示装置 |
JP2011091375A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜及び半導体装置 |
JP2011100992A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
JP2011100979A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜、および半導体装置 |
JP2011100994A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2011109079A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-06-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011119675A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011119718A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2011124557A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011124556A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011135067A (ja) * | 2009-11-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2011139054A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011142314A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011146694A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2011151384A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011170346A (ja) * | 2010-01-24 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2011171702A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011171727A (ja) * | 2010-01-24 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置とその作製方法 |
JP2011205089A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜の作製方法、およびトランジスタの作製方法 |
JP2011211186A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011248356A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体表示装置及びその駆動方法 |
JP2012003832A (ja) * | 2010-05-20 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の駆動方法 |
JP2012008541A (ja) * | 2010-05-28 | 2012-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光検出装置 |
JP2012009843A (ja) * | 2010-05-21 | 2012-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2012069231A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012079691A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、発光装置 |
JP2012079690A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、発光装置、およびその作製方法 |
JP2012084858A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-04-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、パワーダイオード及び整流器 |
JP2012114422A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体記憶装置 |
JP2012142562A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体記憶装置 |
WO2012102183A1 (en) * | 2011-01-26 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2012102182A1 (en) * | 2011-01-26 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2012151455A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012151454A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012151461A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2012151453A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の駆動方法 |
JP2012151457A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2012160718A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2012160720A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2012169606A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
WO2012121265A1 (en) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and method for manufacturing the same |
KR20120109347A (ko) * | 2011-03-25 | 2012-10-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 상기 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2012227525A (ja) * | 2011-04-08 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶素子および信号処理回路 |
JP2012235098A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および当該半導体装置の作製方法 |
JP2012235107A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2012235106A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012235103A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2012238880A (ja) * | 2009-12-04 | 2012-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012238851A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2012248868A (ja) * | 2009-11-28 | 2012-12-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012256814A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012256813A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の駆動方法 |
JP2012256815A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012256821A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置 |
JP2012256404A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶素子、信号処理回路 |
JP2012256825A (ja) * | 2010-11-03 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013009008A (ja) * | 2009-11-24 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013008937A (ja) * | 2010-11-05 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013012764A (ja) * | 2009-12-18 | 2013-01-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013021310A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および当該半導体装置の作製方法 |
JP2013070070A (ja) * | 2009-12-18 | 2013-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013101404A (ja) * | 2010-07-01 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2013201444A (ja) * | 2009-11-06 | 2013-10-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013219342A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-10-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜、トランジスタ、及び半導体装置 |
KR20130129403A (ko) * | 2010-12-17 | 2013-11-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 재료 및 반도체 장치 |
JP2013258411A (ja) * | 2010-01-29 | 2013-12-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014007431A (ja) * | 2011-03-25 | 2014-01-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014042054A (ja) * | 2008-09-01 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜、及び半導体装置 |
US8669556B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20140061341A (ko) * | 2011-01-12 | 2014-05-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2014096607A (ja) * | 2010-12-28 | 2014-05-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014123966A (ja) * | 2009-11-20 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014142623A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2014205608A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体 |
JP2014207442A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜および酸化物半導体膜の作製方法 |
JP2014209650A (ja) * | 2010-01-22 | 2014-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015019096A (ja) * | 2009-10-29 | 2015-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015084433A (ja) * | 2010-02-19 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015092615A (ja) * | 2009-09-24 | 2015-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015092603A (ja) * | 2009-11-20 | 2015-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015097275A (ja) * | 2009-11-20 | 2015-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015122522A (ja) * | 2009-12-11 | 2015-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
JP2015144296A (ja) * | 2009-12-08 | 2015-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2015144286A (ja) * | 2010-08-06 | 2015-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015144279A (ja) * | 2010-09-14 | 2015-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015146462A (ja) * | 2011-04-22 | 2015-08-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015149489A (ja) * | 2008-09-01 | 2015-08-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜及び半導体装置 |
JP2015164213A (ja) * | 2010-08-27 | 2015-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015164212A (ja) * | 2009-10-30 | 2015-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015167237A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-09-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2015173274A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2015181187A (ja) * | 2010-09-03 | 2015-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015201656A (ja) * | 2010-08-27 | 2015-11-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光センサ |
JP2015216398A (ja) * | 2009-10-30 | 2015-12-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9209092B2 (en) | 2011-01-26 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with a wide-gap semiconductor layer on inner wall of trench |
JP2015233144A (ja) * | 2010-10-29 | 2015-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015233030A (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-24 | 株式会社リコー | 電気−機械変換膜の製造方法、電気−機械変換素子の製造方法、液体吐出ヘッド、インクジェットプリンタ、偏向ミラー、加速度センサ、hddヘッド用微調整装置、強誘電体メモリ素子、角速度センサ、マイクロポンプ及びマイクロバルブ |
JP2016001743A (ja) * | 2010-02-12 | 2016-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016015498A (ja) * | 2009-11-28 | 2016-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体層 |
JP2016015507A (ja) * | 2010-01-24 | 2016-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2016034032A (ja) * | 2010-10-20 | 2016-03-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2016034034A (ja) * | 2011-04-29 | 2016-03-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
JP2016054325A (ja) * | 2010-02-05 | 2016-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016105478A (ja) * | 2010-09-08 | 2016-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016136629A (ja) * | 2011-01-20 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
CN105826204A (zh) * | 2010-08-06 | 2016-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
JP2016149565A (ja) * | 2010-12-03 | 2016-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US9437831B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP2016167616A (ja) * | 2010-09-08 | 2016-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016195262A (ja) * | 2009-11-06 | 2016-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017072863A (ja) * | 2010-01-20 | 2017-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
JP2017085172A (ja) * | 2009-12-28 | 2017-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9685500B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit system |
JP2017118144A (ja) * | 2010-02-05 | 2017-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
JP2017116943A (ja) * | 2011-11-30 | 2017-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | メモリ回路の作製方法 |
JP2017126800A (ja) * | 2011-03-11 | 2017-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017152737A (ja) * | 2011-01-26 | 2017-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
JP2017188652A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | フレキシブルデバイス及び表示装置、並びにそれらの作製方法 |
JP2017194688A (ja) * | 2010-07-02 | 2017-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2017199938A (ja) * | 2010-07-01 | 2017-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2017201399A (ja) * | 2010-04-28 | 2017-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2018022187A (ja) * | 2010-04-23 | 2018-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2018061047A (ja) * | 2010-09-13 | 2018-04-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101872678B1 (ko) | 2009-12-28 | 2018-07-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 전자 기기 |
JP2018133574A (ja) * | 2010-09-13 | 2018-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2018148221A (ja) * | 2011-06-10 | 2018-09-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018157223A (ja) * | 2011-04-13 | 2018-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018182337A (ja) * | 2010-02-05 | 2018-11-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20180135837A (ko) * | 2010-08-06 | 2018-12-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2019031429A (ja) * | 2013-03-15 | 2019-02-28 | ザ・ボーイング・カンパニーThe Boeing Company | 低温薄膜結晶化方法およびその方法から作製された生成物 |
US10361318B2 (en) | 2012-11-16 | 2019-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20190091433A (ko) * | 2011-08-19 | 2019-08-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US10382016B2 (en) | 2009-12-11 | 2019-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same |
JP2019186587A (ja) * | 2009-11-20 | 2019-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2020003803A (ja) * | 2010-01-20 | 2020-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
KR20200043354A (ko) * | 2011-03-31 | 2020-04-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20200057805A (ko) * | 2010-08-27 | 2020-05-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치, 반도체 장치 |
KR102141015B1 (ko) * | 2010-12-28 | 2020-08-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2020129662A (ja) * | 2009-11-27 | 2020-08-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020156315A (ja) * | 2012-12-13 | 2020-09-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気機器 |
JP2021103778A (ja) * | 2009-12-28 | 2021-07-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20220050120A (ko) * | 2012-12-25 | 2022-04-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기 |
WO2024047995A1 (ja) * | 2022-09-01 | 2024-03-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体デバイス及びその製造方法 |
Families Citing this family (1645)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI412138B (zh) * | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI481024B (zh) | 2005-01-28 | 2015-04-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7928938B2 (en) | 2005-04-19 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus |
US8629819B2 (en) | 2005-07-14 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
EP1758072A3 (en) * | 2005-08-24 | 2007-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
EP1843194A1 (en) | 2006-04-06 | 2007-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
US7646015B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device |
JP5542297B2 (ja) | 2007-05-17 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP5542296B2 (ja) | 2007-05-17 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP4989309B2 (ja) | 2007-05-18 | 2012-08-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US8354674B2 (en) * | 2007-06-29 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer |
WO2009014155A1 (en) | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and electronic device having the same |
US9041202B2 (en) | 2008-05-16 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US8314765B2 (en) | 2008-06-17 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, display device, and electronic device |
KR101656843B1 (ko) | 2008-07-10 | 2016-09-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 전자기기 |
US8945981B2 (en) | 2008-07-31 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI627757B (zh) * | 2008-07-31 | 2018-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI500159B (zh) | 2008-07-31 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
JP5616038B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI626744B (zh) | 2008-07-31 | 2018-06-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
TWI637444B (zh) | 2008-08-08 | 2018-10-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP5525778B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5608347B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP5480554B2 (ja) | 2008-08-08 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US20100043117A1 (en) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | Mary Elizabeth Hildebrandt | Convertible Head And Neck Supporting Apparel |
JP5627071B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2010029859A1 (en) | 2008-09-12 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2010029885A1 (en) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR20110056542A (ko) | 2008-09-12 | 2011-05-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR101829673B1 (ko) | 2008-09-12 | 2018-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR101681882B1 (ko) * | 2008-09-19 | 2016-12-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
KR102113024B1 (ko) | 2008-09-19 | 2020-06-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
CN102160104B (zh) | 2008-09-19 | 2013-11-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
CN102881696A (zh) | 2008-09-19 | 2013-01-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
CN102160102B (zh) | 2008-09-19 | 2013-11-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
KR101611643B1 (ko) * | 2008-10-01 | 2016-04-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20210135349A (ko) | 2008-10-03 | 2021-11-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자기기 |
EP2172804B1 (en) | 2008-10-03 | 2016-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Display device |
EP2172977A1 (en) | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2010038819A1 (en) | 2008-10-03 | 2010-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
CN103928476A (zh) | 2008-10-03 | 2014-07-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法 |
CN101719493B (zh) | 2008-10-08 | 2014-05-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
JP5484853B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2014-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101799601B1 (ko) * | 2008-10-16 | 2017-11-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 표시 장치 |
JP5361651B2 (ja) | 2008-10-22 | 2013-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2010047288A1 (en) | 2008-10-24 | 2010-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductordevice |
KR101667909B1 (ko) | 2008-10-24 | 2016-10-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
JP5616012B2 (ja) | 2008-10-24 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8741702B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8106400B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
EP2180518B1 (en) | 2008-10-24 | 2018-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101259727B1 (ko) * | 2008-10-24 | 2013-04-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP5442234B2 (ja) | 2008-10-24 | 2014-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
KR101634411B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2016-06-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 표시 장치 및 전자 장치 |
KR101631454B1 (ko) | 2008-10-31 | 2016-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 논리회로 |
KR101603303B1 (ko) | 2008-10-31 | 2016-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법 |
TWI501401B (zh) | 2008-10-31 | 2015-09-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
KR20130138352A (ko) | 2008-11-07 | 2013-12-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN101740631B (zh) * | 2008-11-07 | 2014-07-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及该半导体装置的制造方法 |
EP2184783B1 (en) | 2008-11-07 | 2012-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI487104B (zh) | 2008-11-07 | 2015-06-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
TW202115917A (zh) | 2008-11-07 | 2021-04-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
KR101432764B1 (ko) | 2008-11-13 | 2014-08-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
TWI536577B (zh) | 2008-11-13 | 2016-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US8232947B2 (en) | 2008-11-14 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP2010153802A (ja) | 2008-11-20 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
KR101671660B1 (ko) | 2008-11-21 | 2016-11-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 기기 |
TWI606593B (zh) | 2008-11-28 | 2017-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
TWI585955B (zh) * | 2008-11-28 | 2017-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 光感測器及顯示裝置 |
TWI616707B (zh) | 2008-11-28 | 2018-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
KR101472771B1 (ko) * | 2008-12-01 | 2014-12-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP5491833B2 (ja) | 2008-12-05 | 2014-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN103456794B (zh) | 2008-12-19 | 2016-08-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 晶体管的制造方法 |
WO2010071183A1 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
EP2515337B1 (en) * | 2008-12-24 | 2016-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit and semiconductor device |
TWI476915B (zh) * | 2008-12-25 | 2015-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
US8114720B2 (en) * | 2008-12-25 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8441007B2 (en) | 2008-12-25 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US8330156B2 (en) * | 2008-12-26 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor with a plurality of oxide clusters over the gate insulating layer |
KR101648927B1 (ko) | 2009-01-16 | 2016-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US8492756B2 (en) | 2009-01-23 | 2013-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8436350B2 (en) * | 2009-01-30 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters |
US8367486B2 (en) | 2009-02-05 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and method for manufacturing the transistor |
US8174021B2 (en) | 2009-02-06 | 2012-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device |
US8749930B2 (en) * | 2009-02-09 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device |
CN101840936B (zh) | 2009-02-13 | 2014-10-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 包括晶体管的半导体装置及其制造方法 |
US8278657B2 (en) * | 2009-02-13 | 2012-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device |
US8247812B2 (en) * | 2009-02-13 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device |
US8247276B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device |
US8841661B2 (en) * | 2009-02-25 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8704216B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US20100224880A1 (en) * | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20100224878A1 (en) | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8461582B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5504008B2 (ja) | 2009-03-06 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102159147B1 (ko) * | 2009-03-12 | 2020-09-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
TWI485781B (zh) * | 2009-03-13 | 2015-05-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法 |
US8450144B2 (en) * | 2009-03-26 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101681884B1 (ko) | 2009-03-27 | 2016-12-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치, 표시장치 및 전자기기 |
KR101752640B1 (ko) | 2009-03-27 | 2017-06-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
TWI617029B (zh) * | 2009-03-27 | 2018-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US8927981B2 (en) * | 2009-03-30 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI489628B (zh) * | 2009-04-02 | 2015-06-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
US8338226B2 (en) * | 2009-04-02 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5615018B2 (ja) | 2009-04-10 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
TWI476917B (zh) | 2009-04-16 | 2015-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
KR101842182B1 (ko) * | 2009-05-01 | 2018-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
JP5751762B2 (ja) | 2009-05-21 | 2015-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
EP2256795B1 (en) | 2009-05-29 | 2014-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for oxide semiconductor device |
JP5564331B2 (ja) | 2009-05-29 | 2014-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP2256814B1 (en) * | 2009-05-29 | 2019-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN102473728B (zh) | 2009-06-30 | 2014-11-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
CN102460713B (zh) | 2009-06-30 | 2016-12-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 用于制造半导体器件的方法 |
KR101810699B1 (ko) | 2009-06-30 | 2018-01-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작 방법 |
US20110000175A1 (en) * | 2009-07-01 | 2011-01-06 | Husqvarna Consumer Outdoor Products N.A. Inc. | Variable speed controller |
KR101476817B1 (ko) | 2009-07-03 | 2014-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법 |
JP5663214B2 (ja) | 2009-07-03 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101820176B1 (ko) | 2009-07-10 | 2018-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101642620B1 (ko) | 2009-07-10 | 2016-07-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR102216028B1 (ko) | 2009-07-10 | 2021-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101739154B1 (ko) * | 2009-07-17 | 2017-05-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2011007677A1 (en) | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011007682A1 (en) | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
KR102181301B1 (ko) | 2009-07-18 | 2020-11-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 |
WO2011010541A1 (en) | 2009-07-18 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011010545A1 (en) * | 2009-07-18 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101768786B1 (ko) | 2009-07-18 | 2017-08-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2011010542A1 (en) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011010546A1 (en) | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011013502A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101291434B1 (ko) | 2009-07-31 | 2013-08-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 |
WO2011013523A1 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN103489871B (zh) | 2009-07-31 | 2016-03-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
KR101967480B1 (ko) | 2009-07-31 | 2019-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
EP2284891B1 (en) | 2009-08-07 | 2019-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5642447B2 (ja) | 2009-08-07 | 2014-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI626731B (zh) | 2009-08-07 | 2018-06-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
TWI604594B (zh) * | 2009-08-07 | 2017-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置 |
TWI596741B (zh) * | 2009-08-07 | 2017-08-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
TWI634642B (zh) | 2009-08-07 | 2018-09-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
JP5663231B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US8115883B2 (en) | 2009-08-27 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
WO2011027649A1 (en) * | 2009-09-02 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device |
CN103151387A (zh) | 2009-09-04 | 2013-06-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
WO2011027676A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2011027702A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
WO2011027656A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
KR101791812B1 (ko) | 2009-09-04 | 2017-10-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101746198B1 (ko) * | 2009-09-04 | 2017-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 전자기기 |
US9805641B2 (en) * | 2009-09-04 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
WO2011027664A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
WO2011027701A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
KR102221207B1 (ko) | 2009-09-04 | 2021-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법 |
KR101730347B1 (ko) | 2009-09-16 | 2017-04-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US9715845B2 (en) | 2009-09-16 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
WO2011034012A1 (en) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device |
KR20120068772A (ko) | 2009-09-16 | 2012-06-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101709749B1 (ko) | 2009-09-16 | 2017-03-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치 |
WO2011033909A1 (en) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic device including the display device |
EP2478563B1 (en) * | 2009-09-16 | 2021-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Method for manufacturing a samesemiconductor device |
WO2011037008A1 (en) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
KR101342179B1 (ko) | 2009-09-24 | 2013-12-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
KR20180031077A (ko) | 2009-09-24 | 2018-03-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
CN105161543A (zh) | 2009-09-24 | 2015-12-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN102474256B (zh) | 2009-09-24 | 2016-03-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 驱动器电路、包括驱动器电路的显示设备以及包括显示设备的电子电器 |
WO2011036981A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101740943B1 (ko) | 2009-09-24 | 2017-06-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
CN102576608B (zh) * | 2009-09-30 | 2015-06-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 氧化还原电容器以及其制造方法 |
KR101767035B1 (ko) * | 2009-10-01 | 2017-08-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
WO2011043182A1 (en) | 2009-10-05 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device |
KR20120084751A (ko) * | 2009-10-05 | 2012-07-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
CN102648524B (zh) | 2009-10-08 | 2015-09-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件、显示装置和电子电器 |
KR101944239B1 (ko) | 2009-10-09 | 2019-01-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기 |
WO2011043164A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
KR101949670B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2019-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN107180608B (zh) * | 2009-10-09 | 2020-10-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 移位寄存器和显示装置以及其驱动方法 |
KR101820973B1 (ko) | 2009-10-09 | 2018-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 |
KR101790704B1 (ko) | 2009-10-09 | 2017-11-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 시프트 레지스터 및 표시 장치 |
WO2011043206A1 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN102598278B (zh) | 2009-10-09 | 2015-04-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
KR20120083341A (ko) * | 2009-10-09 | 2012-07-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함하는 전자 기기 |
KR101779349B1 (ko) * | 2009-10-14 | 2017-09-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
SG178057A1 (en) | 2009-10-16 | 2012-03-29 | Semiconductor Energy Lab | Logic circuit and semiconductor device |
KR101717460B1 (ko) * | 2009-10-16 | 2017-03-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기 |
KR101844080B1 (ko) | 2009-10-16 | 2018-03-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치 |
KR101772639B1 (ko) | 2009-10-16 | 2017-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101812683B1 (ko) | 2009-10-21 | 2017-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작방법 |
WO2011048959A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101751908B1 (ko) | 2009-10-21 | 2017-06-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전압 조정 회로 |
KR101875794B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2018-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 표시 장치를 갖는 전자 기기 |
CN102598280B (zh) * | 2009-10-21 | 2016-05-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示器件及包括该液晶显示器件的电子设备 |
KR101789309B1 (ko) | 2009-10-21 | 2017-10-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 아날로그 회로 및 반도체 장치 |
CN102723364B (zh) | 2009-10-21 | 2015-02-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
WO2011048923A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | E-book reader |
WO2011052344A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic appliance including the same |
WO2011052366A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Voltage regulator circuit |
WO2011052437A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device |
KR20120102653A (ko) * | 2009-10-30 | 2012-09-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법 |
WO2011052410A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power diode, rectifier, and semiconductor device including the same |
WO2011052413A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device, and electronic device |
WO2011052409A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor |
WO2011052411A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor |
KR102019239B1 (ko) | 2009-10-30 | 2019-09-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101712340B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2017-03-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기 |
KR101818265B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2018-01-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101930230B1 (ko) | 2009-11-06 | 2018-12-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하기 위한 방법 |
KR101952065B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2019-02-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 동작 방법 |
CN102598282B (zh) * | 2009-11-06 | 2015-09-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
KR101824123B1 (ko) | 2009-11-06 | 2018-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011055645A1 (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011055638A1 (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2011055769A1 (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor element and semiconductor device, and deposition apparatus |
KR101975741B1 (ko) | 2009-11-13 | 2019-05-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법 |
KR101738996B1 (ko) * | 2009-11-13 | 2017-05-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 불휘발성 메모리 소자를 포함하는 장치 |
WO2011058934A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
KR20120106950A (ko) * | 2009-11-13 | 2012-09-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스퍼터링 타겟 및 그 제작 방법 및 트랜지스터 |
WO2011058885A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
KR20120094013A (ko) | 2009-11-13 | 2012-08-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터 |
WO2011058852A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101751560B1 (ko) * | 2009-11-13 | 2017-06-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011062029A1 (en) | 2009-11-18 | 2011-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
JP5762723B2 (ja) | 2009-11-20 | 2015-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 変調回路及びそれを備えた半導体装置 |
WO2011062067A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101790365B1 (ko) * | 2009-11-20 | 2017-10-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20220137807A (ko) | 2009-11-20 | 2022-10-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20140074404A (ko) | 2009-11-20 | 2014-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 |
KR101370301B1 (ko) | 2009-11-20 | 2014-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
CN102640293B (zh) | 2009-11-27 | 2015-07-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
WO2011065209A1 (en) * | 2009-11-27 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device |
KR101844972B1 (ko) | 2009-11-27 | 2018-04-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법 |
WO2011065210A1 (en) | 2009-11-28 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device |
CN105739209B (zh) | 2009-11-30 | 2022-05-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法 |
CN102640272B (zh) | 2009-12-04 | 2015-05-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
WO2011068022A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5584103B2 (ja) | 2009-12-04 | 2014-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2011139052A (ja) | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体記憶装置 |
KR101800038B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2017-11-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
WO2011068106A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
WO2011068025A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dc converter circuit and power supply circuit |
WO2011068028A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
KR20120106786A (ko) * | 2009-12-08 | 2012-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR101742777B1 (ko) | 2009-12-10 | 2017-06-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치 |
WO2011070901A1 (en) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2011070887A1 (en) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor |
WO2011074590A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, measurement apparatus, and measurement method of relative permittivity |
KR102067919B1 (ko) | 2009-12-18 | 2020-01-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치 |
US9057758B2 (en) | 2009-12-18 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group |
EP2513893A4 (en) | 2009-12-18 | 2016-09-07 | Semiconductor Energy Lab | Liquid crystal display device and electronic device |
CN102668377B (zh) | 2009-12-18 | 2015-04-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用它们的半导体器件 |
CN107886916B (zh) * | 2009-12-18 | 2021-09-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置及其驱动方法 |
CN105429621B (zh) * | 2009-12-23 | 2019-03-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
KR20120101716A (ko) | 2009-12-24 | 2012-09-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
WO2011077916A1 (en) | 2009-12-24 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR20170142998A (ko) | 2009-12-25 | 2017-12-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작 방법 |
KR101613701B1 (ko) * | 2009-12-25 | 2016-04-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치의 구동 방법 |
CN102804360B (zh) | 2009-12-25 | 2014-12-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
US8441009B2 (en) * | 2009-12-25 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR20200013808A (ko) | 2009-12-25 | 2020-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 메모리 장치, 반도체 장치, 및 전자 장치 |
WO2011077978A1 (en) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
KR101760537B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2017-07-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011081041A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
WO2011080998A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011086847A1 (en) | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101698537B1 (ko) | 2010-01-15 | 2017-01-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101848516B1 (ko) * | 2010-01-15 | 2018-04-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101791279B1 (ko) * | 2010-01-15 | 2017-10-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102237655B1 (ko) | 2010-01-15 | 2021-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법 |
US8780629B2 (en) | 2010-01-15 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
CN102696064B (zh) | 2010-01-15 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置和电子装置 |
US9984617B2 (en) | 2010-01-20 | 2018-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including light emitting element |
KR101883629B1 (ko) | 2010-01-20 | 2018-07-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011089832A1 (en) | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving display device and liquid crystal display device |
US8415731B2 (en) * | 2010-01-20 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections |
WO2011089843A1 (en) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving display device |
WO2011089848A1 (en) | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and electronic system |
WO2011090087A1 (en) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display method of display device |
KR101916012B1 (ko) | 2010-01-20 | 2018-11-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 기기 |
KR101861991B1 (ko) | 2010-01-20 | 2018-05-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 신호 처리 회로 및 신호 처리 회로를 구동하기 위한 방법 |
CN103779426B (zh) * | 2010-01-22 | 2017-01-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
CN102714209B (zh) | 2010-01-22 | 2015-09-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体存储器件及其驱动方法 |
CN102714001B (zh) | 2010-01-29 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置与包含半导体装置的电子装置 |
KR20120120330A (ko) | 2010-01-29 | 2012-11-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011096277A1 (en) * | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
CN105590964B (zh) * | 2010-02-05 | 2019-01-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
US8436403B2 (en) | 2010-02-05 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance |
KR101791713B1 (ko) | 2010-02-05 | 2017-10-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치 |
US9391209B2 (en) | 2010-02-05 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011096153A1 (en) | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
CN102725842B (zh) | 2010-02-05 | 2014-12-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
KR101921618B1 (ko) | 2010-02-05 | 2018-11-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법 |
KR101810261B1 (ko) | 2010-02-10 | 2017-12-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전계 효과 트랜지스터 |
US8947337B2 (en) | 2010-02-11 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2011099368A1 (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
WO2011099389A1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method of the same |
KR101838130B1 (ko) | 2010-02-12 | 2018-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작방법 |
KR101814222B1 (ko) * | 2010-02-12 | 2018-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 전자 장치 |
KR102197415B1 (ko) | 2010-02-12 | 2020-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 구동 방법 |
CN105336744B (zh) * | 2010-02-12 | 2018-12-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其驱动方法 |
KR101775180B1 (ko) | 2010-02-12 | 2017-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
US8617920B2 (en) * | 2010-02-12 | 2013-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR102376342B1 (ko) | 2010-02-18 | 2022-03-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 장치 |
WO2011102183A1 (en) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5740169B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2015-06-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタの作製方法 |
WO2011102217A1 (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101848684B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2018-04-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 전자 장치 |
WO2011102228A1 (en) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method of semiconductor device |
WO2011102190A1 (en) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Demodulation circuit and rfid tag including the demodulation circuit |
WO2011102233A1 (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011102501A1 (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving display device |
KR101889285B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2018-08-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 메모리 장치, 그 구동 방법, 및 반도체 장치 제작 방법 |
WO2011102203A1 (en) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device using the same |
KR101772246B1 (ko) * | 2010-02-23 | 2017-08-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 반도체 장치, 및 그 구동 방법 |
WO2011105184A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2011105310A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011105198A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN106328085B (zh) * | 2010-02-26 | 2020-07-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示设备及其驱动方法 |
WO2011105183A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus |
KR102078253B1 (ko) | 2010-02-26 | 2020-04-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 |
CN102770903B (zh) * | 2010-02-26 | 2015-10-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及具备该显示装置的电子书阅读器 |
US9000438B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR20130025871A (ko) * | 2010-02-26 | 2013-03-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하기 위한 방법 |
WO2011108345A1 (en) | 2010-03-02 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
KR101389120B1 (ko) | 2010-03-02 | 2014-04-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터 |
KR101767037B1 (ko) | 2010-03-02 | 2017-08-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 승압 회로 및 승압 회로를 포함하는 rfid 태그 |
CN105553462B (zh) | 2010-03-02 | 2019-12-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 脉冲信号输出电路和移位寄存器 |
KR101932909B1 (ko) * | 2010-03-04 | 2018-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 메모리 장치 및 반도체 장치 |
WO2011108374A1 (en) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
WO2011108382A1 (en) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR102268217B1 (ko) | 2010-03-05 | 2021-06-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
CN106449649B (zh) | 2010-03-08 | 2019-09-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
KR101791253B1 (ko) | 2010-03-08 | 2017-11-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자기기 및 전자 시스템 |
KR101874784B1 (ko) | 2010-03-08 | 2018-07-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011111490A1 (en) | 2010-03-08 | 2011-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
KR20180020327A (ko) * | 2010-03-08 | 2018-02-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법 |
EP2365417A3 (en) * | 2010-03-08 | 2015-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Electronic device and electronic system |
US8900362B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of gallium oxide single crystal |
WO2011111521A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of display device |
KR101761558B1 (ko) * | 2010-03-12 | 2017-07-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 입력 회로를 구동하는 방법 및 입출력 장치를 구동하는 방법 |
KR101840185B1 (ko) | 2010-03-12 | 2018-03-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 회로를 구동하는 방법 및 표시 장치를 구동하는 방법 |
CN102822978B (zh) * | 2010-03-12 | 2015-07-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
CN105304661B (zh) | 2010-03-12 | 2018-08-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
WO2011114866A1 (en) | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
US20110227082A1 (en) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102001820B1 (ko) * | 2010-03-19 | 2019-07-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법 |
WO2011114868A1 (en) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101840797B1 (ko) * | 2010-03-19 | 2018-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 메모리 장치 |
CN102812547B (zh) * | 2010-03-19 | 2015-09-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
WO2011118351A1 (en) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011118741A1 (en) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5731244B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2015-06-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20130062919A (ko) * | 2010-03-26 | 2013-06-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하는 방법 |
WO2011118509A1 (en) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101862539B1 (ko) * | 2010-03-26 | 2018-05-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011122280A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
DE112011101152T5 (de) | 2010-03-31 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co.,Ltd. | Flüssigkristallanzeigeeinrichtung und Verfahren zu deren Ansteuerung |
WO2011122514A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power supply device and driving method thereof |
KR20130069583A (ko) | 2010-03-31 | 2013-06-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 필드 시퀀셜 구동형 표시 장치 |
WO2011122299A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of liquid crystal display device |
US9147768B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film |
US9190522B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor |
US9196739B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film |
US8884282B2 (en) | 2010-04-02 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102134294B1 (ko) | 2010-04-02 | 2020-07-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN106098788B (zh) | 2010-04-02 | 2020-10-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
WO2011125453A1 (en) | 2010-04-07 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor |
WO2011125432A1 (en) | 2010-04-07 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
WO2011125806A1 (en) | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
WO2011125688A1 (en) | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for driving the same |
US8653514B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101465192B1 (ko) | 2010-04-09 | 2014-11-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8207025B2 (en) | 2010-04-09 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
KR20130036739A (ko) | 2010-04-09 | 2013-04-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체 메모리 장치 |
WO2011125456A1 (en) | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8854583B2 (en) | 2010-04-12 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and liquid crystal display device |
JP5744366B2 (ja) | 2010-04-12 | 2015-07-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2011237418A (ja) | 2010-04-16 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電流測定方法、半導体装置の検査方法、半導体装置、および特性評価用回路 |
WO2011129456A1 (en) | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition method and method for manufacturing semiconductor device |
KR101904445B1 (ko) | 2010-04-16 | 2018-10-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20130061678A (ko) | 2010-04-16 | 2013-06-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전원 회로 |
US8692243B2 (en) | 2010-04-20 | 2014-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR20130045418A (ko) | 2010-04-23 | 2013-05-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
CN104851810B (zh) | 2010-04-23 | 2018-08-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
WO2011132591A1 (en) | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR20150088324A (ko) | 2010-04-23 | 2015-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
CN102859704B (zh) | 2010-04-23 | 2016-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
KR101636008B1 (ko) | 2010-04-23 | 2016-07-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US9537043B2 (en) | 2010-04-23 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
WO2011135999A1 (en) | 2010-04-27 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
US8890555B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for measuring transistor |
WO2011135987A1 (en) | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9349325B2 (en) | 2010-04-28 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
WO2011136018A1 (en) | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic appliance |
US9064473B2 (en) | 2010-05-12 | 2015-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device and display method thereof |
US9478185B2 (en) | 2010-05-12 | 2016-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device and display method thereof |
JP5797449B2 (ja) | 2010-05-13 | 2015-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の評価方法 |
WO2011142371A1 (en) | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI511236B (zh) | 2010-05-14 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置 |
US8664658B2 (en) | 2010-05-14 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101806271B1 (ko) | 2010-05-14 | 2017-12-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US9496405B2 (en) | 2010-05-20 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer |
US8624239B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011145738A1 (en) | 2010-05-20 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
US9490368B2 (en) | 2010-05-20 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
WO2011145484A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101872188B1 (ko) | 2010-05-21 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 표시 장치 |
KR20130077839A (ko) | 2010-05-21 | 2013-07-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
WO2011145468A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
WO2011145633A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011145538A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5852793B2 (ja) | 2010-05-21 | 2016-02-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
WO2011145634A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011145707A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
KR101808198B1 (ko) | 2010-05-21 | 2017-12-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2011145537A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP5766012B2 (ja) | 2010-05-21 | 2015-08-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP5714973B2 (ja) | 2010-05-21 | 2015-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2011145467A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8895375B2 (en) | 2010-06-01 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor and method for manufacturing the same |
US8779433B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011152286A1 (en) | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101894897B1 (ko) | 2010-06-04 | 2018-09-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011152254A1 (en) | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011155295A1 (en) | 2010-06-10 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device |
WO2011155302A1 (en) | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8610180B2 (en) | 2010-06-11 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor |
KR101938726B1 (ko) | 2010-06-11 | 2019-01-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP5797471B2 (ja) | 2010-06-16 | 2015-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
US9209314B2 (en) | 2010-06-16 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor |
JP5823740B2 (ja) | 2010-06-16 | 2015-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
WO2011158703A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8552425B2 (en) | 2010-06-18 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011158704A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8637802B2 (en) | 2010-06-18 | 2014-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor |
WO2011162147A1 (en) | 2010-06-23 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011162104A1 (en) | 2010-06-25 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
US8912016B2 (en) | 2010-06-25 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method and test method of semiconductor device |
KR20120000499A (ko) | 2010-06-25 | 2012-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 반도체 장치 |
US9437454B2 (en) | 2010-06-29 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof |
KR101822526B1 (ko) | 2010-06-30 | 2018-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
US8441010B2 (en) | 2010-07-01 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9336739B2 (en) | 2010-07-02 | 2016-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8642380B2 (en) | 2010-07-02 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
KR20130090405A (ko) | 2010-07-02 | 2013-08-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 |
KR102479939B1 (ko) | 2010-07-02 | 2022-12-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US8605059B2 (en) | 2010-07-02 | 2013-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Input/output device and driving method thereof |
JP5792524B2 (ja) | 2010-07-02 | 2015-10-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
CN102959713B (zh) | 2010-07-02 | 2017-05-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
WO2012002186A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2012008286A1 (en) | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN103003934B (zh) | 2010-07-16 | 2015-07-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
WO2012008390A1 (en) | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8785241B2 (en) | 2010-07-16 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5917035B2 (ja) | 2010-07-26 | 2016-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5735872B2 (ja) | 2010-07-27 | 2015-06-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102143469B1 (ko) | 2010-07-27 | 2020-08-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
TWI565001B (zh) | 2010-07-28 | 2017-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法 |
JP5846789B2 (ja) | 2010-07-29 | 2016-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2012014786A1 (en) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semicondcutor device and manufacturing method thereof |
US8928466B2 (en) | 2010-08-04 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5739257B2 (ja) | 2010-08-05 | 2015-06-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2012017844A1 (en) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8467231B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
JP5671418B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-02-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
US8792284B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor memory device |
JP5743790B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-07-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8467232B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5832181B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
TWI555128B (zh) | 2010-08-06 | 2016-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法 |
US8803164B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solid-state image sensing device and semiconductor display device |
US8582348B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
US9129703B2 (en) | 2010-08-16 | 2015-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving semiconductor memory device |
US9343480B2 (en) | 2010-08-16 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5848912B2 (ja) | 2010-08-16 | 2016-01-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
TWI621184B (zh) | 2010-08-16 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置之製造方法 |
TWI508294B (zh) | 2010-08-19 | 2015-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置 |
US8759820B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8685787B2 (en) | 2010-08-25 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8883555B2 (en) | 2010-08-25 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target |
US8508276B2 (en) | 2010-08-25 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including latch circuit |
JP2013009285A (ja) | 2010-08-26 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 信号処理回路及びその駆動方法 |
US9058047B2 (en) | 2010-08-26 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8592261B2 (en) | 2010-08-27 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for designing semiconductor device |
JP5674594B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の駆動方法 |
US8603841B2 (en) | 2010-08-27 | 2013-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device |
US8450123B2 (en) | 2010-08-27 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body |
US8593858B2 (en) | 2010-08-31 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of semiconductor device |
US8634228B2 (en) | 2010-09-02 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of semiconductor device |
US8575610B2 (en) | 2010-09-02 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
WO2012029612A1 (en) | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target and method for manufacturing semiconductor device |
US8728860B2 (en) | 2010-09-03 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR20130102581A (ko) | 2010-09-03 | 2013-09-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US8520426B2 (en) | 2010-09-08 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving semiconductor device |
US8766253B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101824125B1 (ko) | 2010-09-10 | 2018-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US8797487B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof |
US9142568B2 (en) | 2010-09-10 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting display device |
US8592879B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5827520B2 (ja) | 2010-09-13 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体記憶装置 |
US9546416B2 (en) | 2010-09-13 | 2017-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of forming crystalline oxide semiconductor film |
JP5815337B2 (ja) | 2010-09-13 | 2015-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9496743B2 (en) | 2010-09-13 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power receiving device and wireless power feed system |
US8647919B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting display device and method for manufacturing the same |
US8558960B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
KR101932576B1 (ko) | 2010-09-13 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
TWI608486B (zh) | 2010-09-13 | 2017-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR101872926B1 (ko) | 2010-09-13 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8546161B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device |
KR101952235B1 (ko) | 2010-09-13 | 2019-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR20130106398A (ko) | 2010-09-15 | 2013-09-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 제작 방법 |
US9230994B2 (en) | 2010-09-15 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
KR20140054465A (ko) | 2010-09-15 | 2014-05-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 표시 장치 |
JP2012256012A (ja) | 2010-09-15 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
KR101856722B1 (ko) | 2010-09-22 | 2018-05-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터 |
US8767443B2 (en) | 2010-09-22 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method for inspecting the same |
US8792260B2 (en) | 2010-09-27 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Rectifier circuit and semiconductor device using the same |
TWI574259B (zh) | 2010-09-29 | 2017-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體記憶體裝置和其驅動方法 |
TWI664631B (zh) | 2010-10-05 | 2019-07-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體記憶體裝置及其驅動方法 |
TWI556317B (zh) | 2010-10-07 | 2016-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 薄膜元件、半導體裝置以及它們的製造方法 |
US8716646B2 (en) | 2010-10-08 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for operating the same |
US8679986B2 (en) | 2010-10-14 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
US8546892B2 (en) | 2010-10-20 | 2013-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US8803143B2 (en) | 2010-10-20 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor including buffer layers with high resistivity |
TWI543158B (zh) | 2010-10-25 | 2016-07-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體儲存裝置及其驅動方法 |
KR101952456B1 (ko) | 2010-10-29 | 2019-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치 |
JP5771505B2 (ja) | 2010-10-29 | 2015-09-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 受信回路 |
CN105732401A (zh) | 2010-11-02 | 2016-07-06 | 宇部兴产株式会社 | (酰胺氨基烷烃)金属化合物及使用所述金属化合物制备含金属的薄膜的方法 |
US9087744B2 (en) | 2010-11-05 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving transistor |
TWI555205B (zh) | 2010-11-05 | 2016-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
US8957468B2 (en) | 2010-11-05 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Variable capacitor and liquid crystal display device |
JP6010291B2 (ja) | 2010-11-05 | 2016-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の駆動方法 |
US8569754B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8902637B2 (en) | 2010-11-08 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof |
TWI654764B (zh) | 2010-11-11 | 2019-03-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI541981B (zh) | 2010-11-12 | 2016-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US8854865B2 (en) | 2010-11-24 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
US8936965B2 (en) | 2010-11-26 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8809852B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US8629496B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9103724B2 (en) | 2010-11-30 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device |
TWI562379B (en) | 2010-11-30 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US8816425B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8823092B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8461630B2 (en) | 2010-12-01 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI590249B (zh) | 2010-12-03 | 2017-07-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 積體電路,其驅動方法,及半導體裝置 |
US8957462B2 (en) | 2010-12-09 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an N-type transistor with an N-type semiconductor containing nitrogen as a gate |
TWI534905B (zh) | 2010-12-10 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及顯示裝置之製造方法 |
JP2012256020A (ja) | 2010-12-15 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその駆動方法 |
US8894825B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device |
US8730416B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US9202822B2 (en) | 2010-12-17 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9024317B2 (en) | 2010-12-24 | 2015-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device |
US9048142B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2012090974A1 (en) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5852874B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-02-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5993141B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-09-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
JP5864054B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6030298B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 緩衝記憶装置及び信号処理回路 |
US8735892B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device using oxide semiconductor |
TWI621121B (zh) | 2011-01-05 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路 |
TWI535032B (zh) | 2011-01-12 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP5977523B2 (ja) | 2011-01-12 | 2016-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタの作製方法 |
JP5982125B2 (ja) | 2011-01-12 | 2016-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8421071B2 (en) | 2011-01-13 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
US8575678B2 (en) | 2011-01-13 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device with floating gate |
KR102026718B1 (ko) | 2011-01-14 | 2019-09-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법 |
JP5859839B2 (ja) | 2011-01-14 | 2016-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子 |
US9601178B2 (en) | 2011-01-26 | 2017-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
TWI657580B (zh) | 2011-01-26 | 2019-04-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR20190007525A (ko) | 2011-01-27 | 2019-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TWI525619B (zh) | 2011-01-27 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路 |
KR102111015B1 (ko) | 2011-01-28 | 2020-05-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치 |
US8634230B2 (en) | 2011-01-28 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
EP2668310B1 (en) * | 2011-01-28 | 2017-08-02 | Northwestern University | Low-temperature fabrication of metal oxide thin films and nanomaterial-derived metal composite thin films |
US9494829B2 (en) | 2011-01-28 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same |
WO2012102281A1 (en) | 2011-01-28 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8513773B2 (en) | 2011-02-02 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor |
TWI520273B (zh) | 2011-02-02 | 2016-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體儲存裝置 |
US9799773B2 (en) | 2011-02-02 | 2017-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and semiconductor device |
US8780614B2 (en) | 2011-02-02 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
US9431400B2 (en) | 2011-02-08 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method for manufacturing the same |
US8787083B2 (en) | 2011-02-10 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory circuit |
TWI569041B (zh) | 2011-02-14 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
US8975680B2 (en) | 2011-02-17 | 2015-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device |
KR101899880B1 (ko) | 2011-02-17 | 2018-09-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그래머블 lsi |
US8643007B2 (en) | 2011-02-23 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8709920B2 (en) | 2011-02-24 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9443455B2 (en) | 2011-02-25 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having a plurality of pixels |
US9691772B2 (en) | 2011-03-03 | 2017-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor |
US8659015B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5898527B2 (ja) | 2011-03-04 | 2016-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8785933B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9646829B2 (en) | 2011-03-04 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8841664B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9023684B2 (en) | 2011-03-04 | 2015-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8659957B2 (en) | 2011-03-07 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
US9099437B2 (en) | 2011-03-08 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8625085B2 (en) | 2011-03-08 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Defect evaluation method for semiconductor |
US8541781B2 (en) | 2011-03-10 | 2013-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8772849B2 (en) | 2011-03-10 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
TWI541904B (zh) | 2011-03-11 | 2016-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
TWI521612B (zh) | 2011-03-11 | 2016-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US8760903B2 (en) | 2011-03-11 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage circuit |
JP5933300B2 (ja) | 2011-03-16 | 2016-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101995682B1 (ko) | 2011-03-18 | 2019-07-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP5933897B2 (ja) | 2011-03-18 | 2016-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8859330B2 (en) | 2011-03-23 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5839474B2 (ja) | 2011-03-24 | 2016-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
US9012904B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8686416B2 (en) | 2011-03-25 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
US8956944B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9219159B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
TWI545652B (zh) | 2011-03-25 | 2016-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
JP6053098B2 (ja) | 2011-03-28 | 2016-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8927329B2 (en) | 2011-03-30 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties |
JP5879165B2 (ja) | 2011-03-30 | 2016-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI567735B (zh) | 2011-03-31 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路,記憶體單元,及訊號處理電路 |
US8686486B2 (en) | 2011-03-31 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
JP5982147B2 (ja) | 2011-04-01 | 2016-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US8541266B2 (en) | 2011-04-01 | 2013-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9960278B2 (en) | 2011-04-06 | 2018-05-01 | Yuhei Sato | Manufacturing method of semiconductor device |
US9093538B2 (en) | 2011-04-08 | 2015-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9012905B2 (en) | 2011-04-08 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same |
US8743590B2 (en) | 2011-04-08 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device using the same |
US8854867B2 (en) | 2011-04-13 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and driving method of the memory device |
JP5883699B2 (ja) | 2011-04-13 | 2016-03-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルlsi |
US9070776B2 (en) | 2011-04-15 | 2015-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
US8878270B2 (en) | 2011-04-15 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
US8878174B2 (en) | 2011-04-15 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit |
US8779488B2 (en) | 2011-04-15 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
JP6001900B2 (ja) | 2011-04-21 | 2016-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
TWI548057B (zh) | 2011-04-22 | 2016-09-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP5946683B2 (ja) | 2011-04-22 | 2016-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10079053B2 (en) | 2011-04-22 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and memory device |
US8878288B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8729545B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
KR101919056B1 (ko) | 2011-04-28 | 2018-11-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 회로 |
US9935622B2 (en) | 2011-04-28 | 2018-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Comparator and semiconductor device including comparator |
US8681533B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device |
TWI525615B (zh) | 2011-04-29 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體儲存裝置 |
KR101963457B1 (ko) | 2011-04-29 | 2019-03-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법 |
US9614094B2 (en) | 2011-04-29 | 2017-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same |
US9111795B2 (en) | 2011-04-29 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film |
US8785923B2 (en) | 2011-04-29 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8446171B2 (en) | 2011-04-29 | 2013-05-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing unit |
US8848464B2 (en) | 2011-04-29 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
TWI743509B (zh) | 2011-05-05 | 2021-10-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9117701B2 (en) | 2011-05-06 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101874144B1 (ko) | 2011-05-06 | 2018-07-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
US8709922B2 (en) | 2011-05-06 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI568181B (zh) | 2011-05-06 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 邏輯電路及半導體裝置 |
WO2012153473A1 (en) | 2011-05-06 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8809928B2 (en) | 2011-05-06 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device |
US9443844B2 (en) | 2011-05-10 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof |
US8946066B2 (en) | 2011-05-11 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
TWI541978B (zh) | 2011-05-11 | 2016-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法 |
US8847233B2 (en) | 2011-05-12 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film |
TWI557711B (zh) | 2011-05-12 | 2016-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置的驅動方法 |
JP6013773B2 (ja) | 2011-05-13 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9466618B2 (en) | 2011-05-13 | 2016-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including two thin film transistors and method of manufacturing the same |
WO2012157472A1 (en) | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5886128B2 (ja) | 2011-05-13 | 2016-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6109489B2 (ja) | 2011-05-13 | 2017-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置 |
TWI536502B (zh) | 2011-05-13 | 2016-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路及電子裝置 |
US9093539B2 (en) | 2011-05-13 | 2015-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101921772B1 (ko) | 2011-05-13 | 2018-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6110075B2 (ja) | 2011-05-13 | 2017-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9105749B2 (en) | 2011-05-13 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9048788B2 (en) | 2011-05-13 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion |
CN103548263B (zh) | 2011-05-13 | 2016-12-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
CN107316865B (zh) | 2011-05-16 | 2021-02-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 可编程逻辑装置 |
TWI570891B (zh) | 2011-05-17 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9673823B2 (en) | 2011-05-18 | 2017-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
TWI552150B (zh) | 2011-05-18 | 2016-10-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體儲存裝置 |
KR101991735B1 (ko) | 2011-05-19 | 2019-06-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 집적 회로 |
US8779799B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit |
US9117920B2 (en) | 2011-05-19 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device using oxide semiconductor |
JP6014362B2 (ja) | 2011-05-19 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8581625B2 (en) | 2011-05-19 | 2013-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
US8837203B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102081792B1 (ko) | 2011-05-19 | 2020-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 연산회로 및 연산회로의 구동방법 |
KR102093909B1 (ko) | 2011-05-19 | 2020-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 회로 및 회로의 구동 방법 |
JP5951351B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 加算器及び全加算器 |
JP5886496B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5936908B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-06-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | パリティビット出力回路およびパリティチェック回路 |
JP6013680B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI614995B (zh) | 2011-05-20 | 2018-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置 |
TWI573136B (zh) | 2011-05-20 | 2017-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 儲存裝置及信號處理電路 |
JP6030334B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
JP6013682B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
TWI570730B (zh) | 2011-05-20 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP5820335B2 (ja) | 2011-05-20 | 2015-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2012161059A1 (en) | 2011-05-20 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
TWI570719B (zh) | 2011-05-20 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 儲存裝置及信號處理電路 |
JP5947099B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6091083B2 (ja) | 2011-05-20 | 2017-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
TWI559683B (zh) | 2011-05-20 | 2016-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體積體電路 |
WO2012160963A1 (en) | 2011-05-20 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5820336B2 (ja) | 2011-05-20 | 2015-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5892852B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-03-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
US8508256B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
CN102789808B (zh) | 2011-05-20 | 2018-03-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 存储器装置和用于驱动存储器装置的方法 |
TWI557739B (zh) | 2011-05-20 | 2016-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體積體電路 |
US20120298998A1 (en) | 2011-05-25 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
WO2012161003A1 (en) | 2011-05-26 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Divider circuit and semiconductor device using the same |
US9171840B2 (en) | 2011-05-26 | 2015-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8610482B2 (en) | 2011-05-27 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Trimming circuit and method for driving trimming circuit |
US9467047B2 (en) | 2011-05-31 | 2016-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device |
US8669781B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5912844B2 (ja) | 2011-05-31 | 2016-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
WO2012169449A1 (en) | 2011-06-08 | 2012-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film |
JP5890251B2 (ja) | 2011-06-08 | 2016-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 通信方法 |
JP2013016243A (ja) | 2011-06-09 | 2013-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置 |
JP6005401B2 (ja) | 2011-06-10 | 2016-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9112036B2 (en) | 2011-06-10 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8891285B2 (en) | 2011-06-10 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
US8958263B2 (en) | 2011-06-10 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5871263B2 (ja) * | 2011-06-14 | 2016-03-01 | 富士フイルム株式会社 | 非晶質酸化物薄膜の製造方法 |
US8804405B2 (en) | 2011-06-16 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
TWI575751B (zh) | 2011-06-16 | 2017-03-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US8901554B2 (en) | 2011-06-17 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor |
KR20130007426A (ko) | 2011-06-17 | 2013-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
WO2012172746A1 (en) | 2011-06-17 | 2012-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9166055B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9099885B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless power feeding system |
US8673426B2 (en) | 2011-06-29 | 2014-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit |
US8878589B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
US9130044B2 (en) | 2011-07-01 | 2015-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9385238B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor using oxide semiconductor |
US9318506B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9490241B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter |
US9496138B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
US8748886B2 (en) | 2011-07-08 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US9214474B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR102014876B1 (ko) | 2011-07-08 | 2019-08-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US8952377B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2013042117A (ja) | 2011-07-15 | 2013-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9200952B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit |
US8847220B2 (en) | 2011-07-15 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8836626B2 (en) | 2011-07-15 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
US8946812B2 (en) | 2011-07-21 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR20220135256A (ko) | 2011-07-22 | 2022-10-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
JP6013685B2 (ja) | 2011-07-22 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8716073B2 (en) | 2011-07-22 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
US8643008B2 (en) | 2011-07-22 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9012993B2 (en) | 2011-07-22 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8994019B2 (en) | 2011-08-05 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8718224B2 (en) | 2011-08-05 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
JP6006572B2 (ja) | 2011-08-18 | 2016-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI575494B (zh) | 2011-08-19 | 2017-03-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的驅動方法 |
JP6116149B2 (ja) | 2011-08-24 | 2017-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI637483B (zh) | 2011-08-29 | 2018-10-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9660092B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer |
US9252279B2 (en) | 2011-08-31 | 2016-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6016532B2 (ja) | 2011-09-07 | 2016-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6050054B2 (ja) | 2011-09-09 | 2016-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8802493B2 (en) | 2011-09-13 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of oxide semiconductor device |
JP5825744B2 (ja) | 2011-09-15 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
WO2013039126A1 (en) | 2011-09-16 | 2013-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9082663B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5832399B2 (ja) | 2011-09-16 | 2015-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US8952379B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN103022012B (zh) | 2011-09-21 | 2017-03-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体存储装置 |
WO2013042562A1 (en) | 2011-09-22 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101976228B1 (ko) | 2011-09-22 | 2019-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 광 검출 장치 및 광 검출 장치의 구동 방법 |
US8841675B2 (en) | 2011-09-23 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Minute transistor |
US9431545B2 (en) | 2011-09-23 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102108572B1 (ko) | 2011-09-26 | 2020-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2013084333A (ja) | 2011-09-28 | 2013-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | シフトレジスタ回路 |
KR101506303B1 (ko) | 2011-09-29 | 2015-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
CN103843145B (zh) | 2011-09-29 | 2017-03-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
CN103843146B (zh) | 2011-09-29 | 2016-03-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
US8716708B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8982607B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and signal processing circuit |
JP5806905B2 (ja) | 2011-09-30 | 2015-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US20130087784A1 (en) | 2011-10-05 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6022880B2 (ja) | 2011-10-07 | 2016-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US10014068B2 (en) | 2011-10-07 | 2018-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2013093561A (ja) | 2011-10-07 | 2013-05-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜及び半導体装置 |
US9018629B2 (en) | 2011-10-13 | 2015-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US9287405B2 (en) | 2011-10-13 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor |
US9117916B2 (en) | 2011-10-13 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor film |
JP5912394B2 (ja) | 2011-10-13 | 2016-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8637864B2 (en) | 2011-10-13 | 2014-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP6026839B2 (ja) | 2011-10-13 | 2016-11-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20140074384A (ko) | 2011-10-14 | 2014-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20130040706A (ko) | 2011-10-14 | 2013-04-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR20130043063A (ko) | 2011-10-19 | 2013-04-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
TWI567985B (zh) | 2011-10-21 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
JP6226518B2 (ja) | 2011-10-24 | 2017-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101976212B1 (ko) | 2011-10-24 | 2019-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR102067051B1 (ko) | 2011-10-24 | 2020-01-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP6082562B2 (ja) | 2011-10-27 | 2017-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20130046357A (ko) | 2011-10-27 | 2013-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2013061895A1 (en) | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR102012981B1 (ko) | 2011-11-09 | 2019-08-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP5933895B2 (ja) | 2011-11-10 | 2016-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
US8796682B2 (en) | 2011-11-11 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
US8878177B2 (en) | 2011-11-11 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP6122275B2 (ja) | 2011-11-11 | 2017-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6076038B2 (ja) | 2011-11-11 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US9082861B2 (en) | 2011-11-11 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer |
WO2013069548A1 (en) | 2011-11-11 | 2013-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driver circuit and liquid crystal display device |
US10026847B2 (en) | 2011-11-18 | 2018-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor device including semiconductor element |
US8969130B2 (en) | 2011-11-18 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof |
US8951899B2 (en) | 2011-11-25 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory | Method for manufacturing semiconductor device |
JP6059968B2 (ja) | 2011-11-25 | 2017-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び液晶表示装置 |
US8962386B2 (en) | 2011-11-25 | 2015-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6099368B2 (ja) | 2011-11-25 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
US8772094B2 (en) | 2011-11-25 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9057126B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device |
TWI591611B (zh) | 2011-11-30 | 2017-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體顯示裝置 |
TWI556319B (zh) | 2011-11-30 | 2016-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US9076871B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6147992B2 (ja) | 2011-11-30 | 2017-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US20130137232A1 (en) | 2011-11-30 | 2013-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
KR102072244B1 (ko) | 2011-11-30 | 2020-01-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
TWI621185B (zh) | 2011-12-01 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
US8981367B2 (en) | 2011-12-01 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6050662B2 (ja) | 2011-12-02 | 2016-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
WO2013080900A1 (en) | 2011-12-02 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2013137853A (ja) | 2011-12-02 | 2013-07-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置および記憶装置の駆動方法 |
US9257422B2 (en) | 2011-12-06 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit |
JP6081171B2 (ja) | 2011-12-09 | 2017-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
US10002968B2 (en) | 2011-12-14 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
WO2013089115A1 (en) | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6105266B2 (ja) | 2011-12-15 | 2017-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
JP2013149953A (ja) | 2011-12-20 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US8785258B2 (en) | 2011-12-20 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8907392B2 (en) | 2011-12-22 | 2014-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device including stacked sub memory cells |
US8748240B2 (en) | 2011-12-22 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2013130802A (ja) | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器 |
JP6012450B2 (ja) | 2011-12-23 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
JP6033071B2 (ja) | 2011-12-23 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2013094547A1 (en) | 2011-12-23 | 2013-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI580189B (zh) | 2011-12-23 | 2017-04-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 位準位移電路及半導體積體電路 |
US8796683B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8704221B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6053490B2 (ja) | 2011-12-23 | 2016-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI569446B (zh) | 2011-12-23 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置 |
WO2013099537A1 (en) | 2011-12-26 | 2013-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Motion recognition device |
KR102100425B1 (ko) | 2011-12-27 | 2020-04-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
TWI584383B (zh) | 2011-12-27 | 2017-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR102103913B1 (ko) | 2012-01-10 | 2020-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US8836555B2 (en) | 2012-01-18 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit, sensor circuit, and semiconductor device using the sensor circuit |
US8969867B2 (en) | 2012-01-18 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9040981B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9099560B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9653614B2 (en) | 2012-01-23 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102147870B1 (ko) | 2012-01-23 | 2020-08-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20220088814A (ko) | 2012-01-25 | 2022-06-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
TWI581431B (zh) | 2012-01-26 | 2017-05-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
US9006733B2 (en) | 2012-01-26 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing thereof |
JP6091905B2 (ja) | 2012-01-26 | 2017-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9419146B2 (en) | 2012-01-26 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8956912B2 (en) | 2012-01-26 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
TWI561951B (en) | 2012-01-30 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Power supply circuit |
TWI562361B (en) | 2012-02-02 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
US9362417B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9196741B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102101167B1 (ko) | 2012-02-03 | 2020-04-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8916424B2 (en) | 2012-02-07 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9859114B2 (en) | 2012-02-08 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer |
JP5981157B2 (ja) | 2012-02-09 | 2016-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9112037B2 (en) | 2012-02-09 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20130207111A1 (en) | 2012-02-09 | 2013-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
JP6125850B2 (ja) | 2012-02-09 | 2017-05-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US8817516B2 (en) | 2012-02-17 | 2014-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory circuit and semiconductor device |
JP2014063557A (ja) | 2012-02-24 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置及び半導体装置 |
US20130221345A1 (en) | 2012-02-28 | 2013-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6220526B2 (ja) | 2012-02-29 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9312257B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6151530B2 (ja) | 2012-02-29 | 2017-06-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサ、カメラ、及び監視システム |
US8988152B2 (en) | 2012-02-29 | 2015-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8975917B2 (en) | 2012-03-01 | 2015-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
JP6046514B2 (ja) | 2012-03-01 | 2016-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2013183001A (ja) | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9176571B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. | Microprocessor and method for driving microprocessor |
US9735280B2 (en) | 2012-03-02 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film |
US9287370B2 (en) | 2012-03-02 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same |
JP6100559B2 (ja) | 2012-03-05 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体記憶装置 |
JP6041707B2 (ja) | 2012-03-05 | 2016-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ラッチ回路および半導体装置 |
US8995218B2 (en) | 2012-03-07 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8981370B2 (en) | 2012-03-08 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN104160295B (zh) | 2012-03-09 | 2017-09-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的驱动方法 |
CN104170001B (zh) | 2012-03-13 | 2017-03-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及其驱动方法 |
US9058892B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and shift register |
US9117409B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer |
JP6168795B2 (ja) | 2012-03-14 | 2017-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9541386B2 (en) | 2012-03-21 | 2017-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Distance measurement device and distance measurement system |
US9349849B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device |
US9324449B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device |
JP6169376B2 (ja) | 2012-03-28 | 2017-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置 |
JP6139187B2 (ja) | 2012-03-29 | 2017-05-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9786793B2 (en) | 2012-03-29 | 2017-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements |
JP2013229013A (ja) | 2012-03-29 | 2013-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アレイコントローラ及びストレージシステム |
KR102044725B1 (ko) | 2012-03-29 | 2019-11-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전원 제어 장치 |
US8941113B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element |
US8999773B2 (en) | 2012-04-05 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device |
US9793444B2 (en) | 2012-04-06 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US8901556B2 (en) | 2012-04-06 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
JP2013232885A (ja) | 2012-04-06 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体リレー |
US9711110B2 (en) | 2012-04-06 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising grayscale conversion portion and display portion |
JP5975907B2 (ja) | 2012-04-11 | 2016-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9276121B2 (en) | 2012-04-12 | 2016-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9208849B2 (en) | 2012-04-12 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device |
JP6128906B2 (ja) | 2012-04-13 | 2017-05-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102479944B1 (ko) | 2012-04-13 | 2022-12-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6059566B2 (ja) | 2012-04-13 | 2017-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9030232B2 (en) | 2012-04-13 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Isolator circuit and semiconductor device |
JP6143423B2 (ja) | 2012-04-16 | 2017-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
JP6076612B2 (ja) | 2012-04-17 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6001308B2 (ja) | 2012-04-17 | 2016-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9029863B2 (en) | 2012-04-20 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9219164B2 (en) | 2012-04-20 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with oxide semiconductor channel |
US9230683B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
US9006024B2 (en) | 2012-04-25 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9236408B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor device including photodiode |
US8860022B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
US9331689B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power supply circuit and semiconductor device including the same |
JP6199583B2 (ja) | 2012-04-27 | 2017-09-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9285848B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device |
US9048323B2 (en) | 2012-04-30 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6228381B2 (ja) | 2012-04-30 | 2017-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6100071B2 (ja) | 2012-04-30 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9007090B2 (en) | 2012-05-01 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving semiconductor device |
US9703704B2 (en) | 2012-05-01 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6035195B2 (ja) | 2012-05-01 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6227890B2 (ja) | 2012-05-02 | 2017-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路および制御回路 |
JP2013250965A (ja) | 2012-05-02 | 2013-12-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその駆動方法 |
JP6243136B2 (ja) | 2012-05-02 | 2017-12-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | スイッチングコンバータ |
US9104395B2 (en) | 2012-05-02 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Processor and driving method thereof |
KR102025722B1 (ko) | 2012-05-02 | 2019-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치 |
CN106298772A (zh) | 2012-05-02 | 2017-01-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 可编程逻辑器件 |
US8866510B2 (en) | 2012-05-02 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20130125717A (ko) | 2012-05-09 | 2013-11-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
KR102551443B1 (ko) | 2012-05-10 | 2023-07-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
DE112013002407B4 (de) | 2012-05-10 | 2024-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
KR102069158B1 (ko) | 2012-05-10 | 2020-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
DE102013207324A1 (de) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät |
KR102087443B1 (ko) | 2012-05-11 | 2020-03-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
US8994891B2 (en) | 2012-05-16 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and touch panel |
US8929128B2 (en) | 2012-05-17 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage device and writing method of the same |
US9817032B2 (en) | 2012-05-23 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Measurement device |
KR102164990B1 (ko) | 2012-05-25 | 2020-10-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 소자의 구동 방법 |
KR102059218B1 (ko) | 2012-05-25 | 2019-12-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치 |
JP6250955B2 (ja) | 2012-05-25 | 2017-12-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
JP6050721B2 (ja) | 2012-05-25 | 2016-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014003594A (ja) | 2012-05-25 | 2014-01-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその駆動方法 |
US9147706B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit |
JP6377317B2 (ja) | 2012-05-30 | 2018-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
US8995607B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
US9048265B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer |
KR102071545B1 (ko) | 2012-05-31 | 2020-01-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102119914B1 (ko) | 2012-05-31 | 2020-06-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP6158588B2 (ja) | 2012-05-31 | 2017-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP6208469B2 (ja) | 2012-05-31 | 2017-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9343120B2 (en) | 2012-06-01 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | High speed processing unit with non-volatile register |
US9916793B2 (en) | 2012-06-01 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving the same |
US9135182B2 (en) | 2012-06-01 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Central processing unit and driving method thereof |
US8872174B2 (en) | 2012-06-01 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
WO2013180016A1 (en) | 2012-06-01 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and alarm device |
JP2014027263A (ja) | 2012-06-15 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US8901557B2 (en) | 2012-06-15 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9059219B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR102082794B1 (ko) | 2012-06-29 | 2020-02-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치 |
US8873308B2 (en) | 2012-06-29 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing circuit |
DE112013003041T5 (de) | 2012-06-29 | 2015-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
KR102161077B1 (ko) | 2012-06-29 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102099445B1 (ko) | 2012-06-29 | 2020-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US9742378B2 (en) | 2012-06-29 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit and semiconductor device |
JP6310194B2 (ja) | 2012-07-06 | 2018-04-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9054678B2 (en) | 2012-07-06 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
US9083327B2 (en) | 2012-07-06 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
KR102099262B1 (ko) | 2012-07-11 | 2020-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법 |
JP2014032399A (ja) | 2012-07-13 | 2014-02-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP6006558B2 (ja) | 2012-07-17 | 2016-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN104488016B (zh) | 2012-07-20 | 2018-08-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及具有该显示装置的电子设备 |
CN104508548B (zh) | 2012-07-20 | 2017-11-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
KR20230003262A (ko) | 2012-07-20 | 2023-01-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 |
JP6185311B2 (ja) | 2012-07-20 | 2017-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電源制御回路、及び信号処理回路 |
KR20140013931A (ko) | 2012-07-26 | 2014-02-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 |
JP2014042004A (ja) | 2012-07-26 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP6224931B2 (ja) | 2012-07-27 | 2017-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014045175A (ja) | 2012-08-02 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP6134598B2 (ja) | 2012-08-02 | 2017-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN104508549B (zh) | 2012-08-03 | 2018-02-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
WO2014021442A1 (en) | 2012-08-03 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device |
US9885108B2 (en) | 2012-08-07 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming sputtering target |
US10557192B2 (en) | 2012-08-07 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for using sputtering target and method for forming oxide film |
KR102171650B1 (ko) | 2012-08-10 | 2020-10-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP2014057296A (ja) | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の駆動方法 |
JP2014199899A (ja) | 2012-08-10 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014057298A (ja) | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の駆動方法 |
US9245958B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9929276B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8937307B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2014024808A1 (en) | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI581404B (zh) | 2012-08-10 | 2017-05-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法 |
WO2014025002A1 (en) | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
JP6220597B2 (ja) | 2012-08-10 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8872120B2 (en) | 2012-08-23 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and method for driving the same |
KR102069683B1 (ko) | 2012-08-24 | 2020-01-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치 |
DE102013216824A1 (de) | 2012-08-28 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
KR102161078B1 (ko) | 2012-08-28 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제작 방법 |
KR20140029202A (ko) | 2012-08-28 | 2014-03-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US9625764B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
TWI657539B (zh) | 2012-08-31 | 2019-04-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102088865B1 (ko) | 2012-09-03 | 2020-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 마이크로 컨트롤러 |
US8947158B2 (en) | 2012-09-03 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
DE102013217278B4 (de) | 2012-09-12 | 2017-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung |
KR102331652B1 (ko) | 2012-09-13 | 2021-12-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US8981372B2 (en) | 2012-09-13 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic appliance |
US9018624B2 (en) | 2012-09-13 | 2015-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic appliance |
KR102211215B1 (ko) | 2012-09-14 | 2021-02-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US8927985B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2014046222A1 (en) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
TWI627750B (zh) | 2012-09-24 | 2018-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6290576B2 (ja) | 2012-10-12 | 2018-03-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
KR102226090B1 (ko) | 2012-10-12 | 2021-03-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치 |
JP6351947B2 (ja) | 2012-10-12 | 2018-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
TWI681233B (zh) | 2012-10-12 | 2020-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法 |
KR102102589B1 (ko) | 2012-10-17 | 2020-04-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그램 가능한 논리 장치 |
JP6021586B2 (ja) | 2012-10-17 | 2016-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5951442B2 (ja) | 2012-10-17 | 2016-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6059501B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI591966B (zh) | 2012-10-17 | 2017-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法 |
US9166021B2 (en) | 2012-10-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6283191B2 (ja) | 2012-10-17 | 2018-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014082388A (ja) | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR102227591B1 (ko) | 2012-10-17 | 2021-03-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
DE112013005029T5 (de) | 2012-10-17 | 2015-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Mikrocontroller und Herstellungsverfahren dafür |
KR102094568B1 (ko) | 2012-10-17 | 2020-03-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그의 제작 방법 |
KR102220279B1 (ko) | 2012-10-19 | 2021-02-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP6204145B2 (ja) | 2012-10-23 | 2017-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102130184B1 (ko) | 2012-10-24 | 2020-07-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TWI637517B (zh) | 2012-10-24 | 2018-10-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
JP6300489B2 (ja) | 2012-10-24 | 2018-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2014065343A1 (en) | 2012-10-24 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102279459B1 (ko) | 2012-10-24 | 2021-07-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
WO2014065389A1 (en) | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Central control system |
JP6219562B2 (ja) | 2012-10-30 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
WO2014073374A1 (en) | 2012-11-06 | 2014-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
KR101728289B1 (ko) * | 2012-11-08 | 2017-04-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 금속 산화물 막 |
TWI608616B (zh) | 2012-11-15 | 2017-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI605593B (zh) | 2012-11-15 | 2017-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6220641B2 (ja) | 2012-11-15 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6317059B2 (ja) | 2012-11-16 | 2018-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
JP6285150B2 (ja) | 2012-11-16 | 2018-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI620323B (zh) | 2012-11-16 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9263531B2 (en) | 2012-11-28 | 2016-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device |
US9412764B2 (en) | 2012-11-28 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
KR102148549B1 (ko) | 2012-11-28 | 2020-08-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
TWI627483B (zh) | 2012-11-28 | 2018-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電視接收機 |
TWI613759B (zh) | 2012-11-28 | 2018-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
JP2014130336A (ja) | 2012-11-30 | 2014-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US9594281B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
KR102389073B1 (ko) | 2012-11-30 | 2022-04-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9153649B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device |
TWI582993B (zh) | 2012-11-30 | 2017-05-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9246011B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9406810B2 (en) | 2012-12-03 | 2016-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR102207028B1 (ko) | 2012-12-03 | 2021-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9349593B2 (en) | 2012-12-03 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP6254834B2 (ja) | 2012-12-06 | 2017-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI611419B (zh) | 2012-12-24 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 可程式邏輯裝置及半導體裝置 |
DE112013006219T5 (de) | 2012-12-25 | 2015-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
US9905585B2 (en) | 2012-12-25 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising capacitor |
WO2014103900A1 (en) | 2012-12-25 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9437273B2 (en) | 2012-12-26 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20230023050A (ko) | 2012-12-28 | 2023-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2014143410A (ja) | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
KR102305310B1 (ko) | 2012-12-28 | 2021-09-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
TWI607510B (zh) | 2012-12-28 | 2017-12-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
JP6329762B2 (ja) | 2012-12-28 | 2018-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9316695B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9391096B2 (en) | 2013-01-18 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI614813B (zh) | 2013-01-21 | 2018-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US9190172B2 (en) | 2013-01-24 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6223198B2 (ja) | 2013-01-24 | 2017-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9466725B2 (en) | 2013-01-24 | 2016-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5807076B2 (ja) | 2013-01-24 | 2015-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI619010B (zh) | 2013-01-24 | 2018-03-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US8981374B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9105658B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for processing oxide semiconductor layer |
US9076825B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
KR102112367B1 (ko) | 2013-02-12 | 2020-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TWI618252B (zh) | 2013-02-12 | 2018-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US8952723B2 (en) | 2013-02-13 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device and semiconductor device |
KR102125593B1 (ko) | 2013-02-13 | 2020-06-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치 |
US9190527B2 (en) | 2013-02-13 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
US9231111B2 (en) | 2013-02-13 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9318484B2 (en) | 2013-02-20 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI611566B (zh) | 2013-02-25 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置和電子裝置 |
US9293544B2 (en) | 2013-02-26 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having buried channel structure |
US9373711B2 (en) | 2013-02-27 | 2016-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI612321B (zh) | 2013-02-27 | 2018-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 成像裝置 |
TWI651839B (zh) | 2013-02-27 | 2019-02-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置 |
KR102238682B1 (ko) | 2013-02-28 | 2021-04-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
JP2014195243A (ja) | 2013-02-28 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP6141777B2 (ja) | 2013-02-28 | 2017-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2014195241A (ja) | 2013-02-28 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9647152B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sensor circuit and semiconductor device including sensor circuit |
JP6250883B2 (ja) | 2013-03-01 | 2017-12-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102153110B1 (ko) | 2013-03-06 | 2020-09-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체막 및 반도체 장치 |
US9269315B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of semiconductor device |
US8947121B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
TWI644433B (zh) | 2013-03-13 | 2018-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9294075B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102290247B1 (ko) | 2013-03-14 | 2021-08-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
JP6283237B2 (ja) | 2013-03-14 | 2018-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014199709A (ja) | 2013-03-14 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置、半導体装置 |
JP6298662B2 (ja) | 2013-03-14 | 2018-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014199708A (ja) | 2013-03-14 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
KR20150128820A (ko) | 2013-03-14 | 2015-11-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 구동 방법 및 반도체 장치 |
US9245650B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9786350B2 (en) | 2013-03-18 | 2017-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
US9007092B2 (en) | 2013-03-22 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6093726B2 (ja) | 2013-03-22 | 2017-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6355374B2 (ja) | 2013-03-22 | 2018-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6272713B2 (ja) | 2013-03-25 | 2018-01-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置 |
US10347769B2 (en) | 2013-03-25 | 2019-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes |
WO2014157019A1 (en) | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6376788B2 (ja) | 2013-03-26 | 2018-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP6316630B2 (ja) | 2013-03-26 | 2018-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9608122B2 (en) | 2013-03-27 | 2017-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2014209209A (ja) | 2013-03-28 | 2014-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9368636B2 (en) | 2013-04-01 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers |
JP6300589B2 (ja) | 2013-04-04 | 2018-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9112460B2 (en) | 2013-04-05 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing device |
JP6198434B2 (ja) | 2013-04-11 | 2017-09-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
JP6224338B2 (ja) | 2013-04-11 | 2017-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法 |
TWI620324B (zh) | 2013-04-12 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6280794B2 (ja) | 2013-04-12 | 2018-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその駆動方法 |
US10304859B2 (en) | 2013-04-12 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film |
JP6456598B2 (ja) | 2013-04-19 | 2019-01-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6333028B2 (ja) | 2013-04-19 | 2018-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置及び半導体装置 |
US9915848B2 (en) | 2013-04-19 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US9893192B2 (en) | 2013-04-24 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI647559B (zh) | 2013-04-24 | 2019-01-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
JP6401483B2 (ja) | 2013-04-26 | 2018-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6396671B2 (ja) | 2013-04-26 | 2018-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI644434B (zh) | 2013-04-29 | 2018-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI631711B (zh) | 2013-05-01 | 2018-08-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102222344B1 (ko) | 2013-05-02 | 2021-03-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9882058B2 (en) | 2013-05-03 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9231002B2 (en) | 2013-05-03 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
CN105190902B (zh) | 2013-05-09 | 2019-01-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
US9246476B2 (en) | 2013-05-10 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit |
US9704894B2 (en) | 2013-05-10 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including pixel electrode including oxide |
TWI621337B (zh) | 2013-05-14 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 信號處理裝置 |
TWI618058B (zh) | 2013-05-16 | 2018-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9312392B2 (en) | 2013-05-16 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI802017B (zh) | 2013-05-16 | 2023-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI809474B (zh) | 2013-05-16 | 2023-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9209795B2 (en) | 2013-05-17 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing device and measuring method |
TWI638519B (zh) | 2013-05-17 | 2018-10-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 可程式邏輯裝置及半導體裝置 |
US10032872B2 (en) | 2013-05-17 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device |
JP6298353B2 (ja) | 2013-05-17 | 2018-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9754971B2 (en) | 2013-05-18 | 2017-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9293599B2 (en) | 2013-05-20 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN109860278A (zh) | 2013-05-20 | 2019-06-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
TWI664731B (zh) | 2013-05-20 | 2019-07-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102537022B1 (ko) | 2013-05-20 | 2023-05-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
DE102014208859B4 (de) | 2013-05-20 | 2021-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
US9343579B2 (en) | 2013-05-20 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9647125B2 (en) | 2013-05-20 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR20160009626A (ko) | 2013-05-21 | 2016-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 그 형성 방법 |
US10416504B2 (en) | 2013-05-21 | 2019-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP2015195327A (ja) | 2013-06-05 | 2015-11-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6475424B2 (ja) | 2013-06-05 | 2019-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI687748B (zh) | 2013-06-05 | 2020-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
TWI624936B (zh) | 2013-06-05 | 2018-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
JP6400336B2 (ja) | 2013-06-05 | 2018-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9806198B2 (en) | 2013-06-05 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9773915B2 (en) | 2013-06-11 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI641112B (zh) | 2013-06-13 | 2018-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6368155B2 (ja) | 2013-06-18 | 2018-08-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
US9035301B2 (en) | 2013-06-19 | 2015-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
TWI652822B (zh) | 2013-06-19 | 2019-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 氧化物半導體膜及其形成方法 |
TWI633650B (zh) | 2013-06-21 | 2018-08-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9515094B2 (en) | 2013-06-26 | 2016-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage device and semiconductor device |
WO2014208476A1 (en) | 2013-06-27 | 2014-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6352070B2 (ja) | 2013-07-05 | 2018-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6435124B2 (ja) | 2013-07-08 | 2018-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US20150008428A1 (en) | 2013-07-08 | 2015-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US9666697B2 (en) | 2013-07-08 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer |
US9293480B2 (en) | 2013-07-10 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
TWI622053B (zh) | 2013-07-10 | 2018-04-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6018607B2 (ja) | 2013-07-12 | 2016-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6400961B2 (ja) | 2013-07-12 | 2018-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6322503B2 (ja) | 2013-07-16 | 2018-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6516978B2 (ja) | 2013-07-17 | 2019-05-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI621130B (zh) | 2013-07-18 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及用於製造半導體裝置之方法 |
US9379138B2 (en) | 2013-07-19 | 2016-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity |
US9395070B2 (en) | 2013-07-19 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Support of flexible component and light-emitting device |
TWI608523B (zh) | 2013-07-19 | 2017-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device |
TWI632688B (zh) | 2013-07-25 | 2018-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 |
US10529740B2 (en) | 2013-07-25 | 2020-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer |
TWI636309B (zh) | 2013-07-25 | 2018-09-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置及電子裝置 |
TWI641208B (zh) | 2013-07-26 | 2018-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 直流對直流轉換器 |
JP6460592B2 (ja) | 2013-07-31 | 2019-01-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Dcdcコンバータ、及び半導体装置 |
JP6410496B2 (ja) | 2013-07-31 | 2018-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | マルチゲート構造のトランジスタ |
US9343288B2 (en) | 2013-07-31 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI635750B (zh) | 2013-08-02 | 2018-09-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 攝像裝置以及其工作方法 |
US9496330B2 (en) | 2013-08-02 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
JP2015053477A (ja) | 2013-08-05 | 2015-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
JP6345023B2 (ja) | 2013-08-07 | 2018-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
US9601591B2 (en) | 2013-08-09 | 2017-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9299855B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having dual gate insulating layers |
JP6329843B2 (ja) | 2013-08-19 | 2018-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9374048B2 (en) | 2013-08-20 | 2016-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing device, and driving method and program thereof |
US9385592B2 (en) | 2013-08-21 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Charge pump circuit and semiconductor device including the same |
KR102232133B1 (ko) | 2013-08-22 | 2021-03-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102244553B1 (ko) | 2013-08-23 | 2021-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 용량 소자 및 반도체 장치 |
US9443987B2 (en) | 2013-08-23 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI803081B (zh) | 2013-08-28 | 2023-05-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
WO2015030150A1 (en) | 2013-08-30 | 2015-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage circuit and semiconductor device |
US9360564B2 (en) | 2013-08-30 | 2016-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
US9590109B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9552767B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP6426402B2 (ja) | 2013-08-30 | 2018-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6406926B2 (ja) | 2013-09-04 | 2018-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9449853B2 (en) | 2013-09-04 | 2016-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer |
US10008513B2 (en) | 2013-09-05 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9607991B2 (en) | 2013-09-05 | 2017-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6345544B2 (ja) | 2013-09-05 | 2018-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6401977B2 (ja) | 2013-09-06 | 2018-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102294507B1 (ko) | 2013-09-06 | 2021-08-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9590110B2 (en) | 2013-09-10 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Ultraviolet light sensor circuit |
TWI640014B (zh) | 2013-09-11 | 2018-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置 |
US9269822B2 (en) | 2013-09-12 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US9893194B2 (en) | 2013-09-12 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9461126B2 (en) | 2013-09-13 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit |
JP6429540B2 (ja) | 2013-09-13 | 2018-11-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR102643577B1 (ko) | 2013-09-13 | 2024-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
TWI646690B (zh) | 2013-09-13 | 2019-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
JP2015079946A (ja) | 2013-09-13 | 2015-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9887297B2 (en) | 2013-09-17 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer |
US9269915B2 (en) | 2013-09-18 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP6347704B2 (ja) | 2013-09-18 | 2018-06-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI677989B (zh) | 2013-09-19 | 2019-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI678740B (zh) | 2013-09-23 | 2019-12-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6570817B2 (ja) | 2013-09-23 | 2019-09-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015084418A (ja) | 2013-09-23 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9425217B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6383616B2 (ja) | 2013-09-25 | 2018-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102213515B1 (ko) | 2013-09-26 | 2021-02-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스위치 회로, 반도체 장치, 및 시스템 |
JP6392603B2 (ja) | 2013-09-27 | 2018-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6581765B2 (ja) | 2013-10-02 | 2019-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置 |
JP6386323B2 (ja) | 2013-10-04 | 2018-09-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI688102B (zh) | 2013-10-10 | 2020-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9293592B2 (en) | 2013-10-11 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR102275031B1 (ko) | 2013-10-16 | 2021-07-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 연산 처리 장치의 구동 방법 |
TWI642170B (zh) | 2013-10-18 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
TWI621127B (zh) | 2013-10-18 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 運算處理裝置及其驅動方法 |
WO2015060318A1 (en) | 2013-10-22 | 2015-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
DE102014220672A1 (de) | 2013-10-22 | 2015-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
JP2015109424A (ja) | 2013-10-22 | 2015-06-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、該半導体装置の作製方法、及び該半導体装置に用いるエッチング溶液 |
JP2015179247A (ja) | 2013-10-22 | 2015-10-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9455349B2 (en) | 2013-10-22 | 2016-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion |
DE112014004839T5 (de) | 2013-10-22 | 2016-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung |
KR102244460B1 (ko) | 2013-10-22 | 2021-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6625796B2 (ja) | 2013-10-25 | 2019-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6457239B2 (ja) | 2013-10-31 | 2019-01-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9590111B2 (en) | 2013-11-06 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
JP6478562B2 (ja) | 2013-11-07 | 2019-03-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6440457B2 (ja) | 2013-11-07 | 2018-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9385054B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Data processing device and manufacturing method thereof |
JP2015118724A (ja) | 2013-11-13 | 2015-06-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の駆動方法 |
JP6393590B2 (ja) | 2013-11-22 | 2018-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6426437B2 (ja) | 2013-11-22 | 2018-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6486660B2 (ja) | 2013-11-27 | 2019-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US20150155313A1 (en) | 2013-11-29 | 2015-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9882014B2 (en) | 2013-11-29 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2016001712A (ja) | 2013-11-29 | 2016-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9601634B2 (en) | 2013-12-02 | 2017-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN105874524B (zh) | 2013-12-02 | 2019-05-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
US9991392B2 (en) | 2013-12-03 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2016027597A (ja) | 2013-12-06 | 2016-02-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6537264B2 (ja) | 2013-12-12 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9349751B2 (en) | 2013-12-12 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI642186B (zh) | 2013-12-18 | 2018-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI666770B (zh) | 2013-12-19 | 2019-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6444714B2 (ja) | 2013-12-20 | 2018-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9379192B2 (en) | 2013-12-20 | 2016-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102283814B1 (ko) | 2013-12-25 | 2021-07-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6402017B2 (ja) | 2013-12-26 | 2018-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20160102295A (ko) | 2013-12-26 | 2016-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TWI637484B (zh) | 2013-12-26 | 2018-10-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9960280B2 (en) | 2013-12-26 | 2018-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2015097596A1 (en) | 2013-12-26 | 2015-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102320576B1 (ko) | 2013-12-27 | 2021-11-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9472678B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9318618B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9397149B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6506545B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN105849796B (zh) | 2013-12-27 | 2020-02-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置 |
JP6506961B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US9577110B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device |
US9349418B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
JP6444723B2 (ja) | 2014-01-09 | 2018-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
US9300292B2 (en) | 2014-01-10 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit including transistor |
US9401432B2 (en) | 2014-01-16 | 2016-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US9379713B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Data processing device and driving method thereof |
KR102306200B1 (ko) | 2014-01-24 | 2021-09-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2015114476A1 (en) | 2014-01-28 | 2015-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9929044B2 (en) | 2014-01-30 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US9929279B2 (en) | 2014-02-05 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI665778B (zh) | 2014-02-05 | 2019-07-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、模組及電子裝置 |
US9443876B2 (en) | 2014-02-05 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module |
US9653487B2 (en) | 2014-02-05 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, module, and electronic device |
JP6473626B2 (ja) | 2014-02-06 | 2019-02-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015165226A (ja) | 2014-02-07 | 2015-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
WO2015118436A1 (en) | 2014-02-07 | 2015-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, device, and electronic device |
US10055232B2 (en) | 2014-02-07 | 2018-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising memory circuit |
JP6545970B2 (ja) | 2014-02-07 | 2019-07-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
TWI658597B (zh) | 2014-02-07 | 2019-05-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6534530B2 (ja) | 2014-02-07 | 2019-06-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI803431B (zh) | 2014-02-11 | 2023-05-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
WO2015125042A1 (en) | 2014-02-19 | 2015-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide, semiconductor device, module, and electronic device |
TWI675004B (zh) | 2014-02-21 | 2019-10-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體膜、電晶體、半導體裝置、顯示裝置以及電子裝置 |
JP2015172991A (ja) | 2014-02-21 | 2015-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品、及び電子機器 |
JP6506566B2 (ja) | 2014-02-21 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電流測定方法 |
US9294096B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10074576B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
JP6542542B2 (ja) | 2014-02-28 | 2019-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN106104772B (zh) | 2014-02-28 | 2020-11-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及具有该半导体装置的显示装置 |
US9564535B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module |
JP6474280B2 (ja) | 2014-03-05 | 2019-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20150104518A (ko) | 2014-03-05 | 2015-09-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 레벨 시프터 회로 |
US10096489B2 (en) | 2014-03-06 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP6625328B2 (ja) | 2014-03-06 | 2019-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
US9537478B2 (en) | 2014-03-06 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9397637B2 (en) | 2014-03-06 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device |
US9443872B2 (en) | 2014-03-07 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6442321B2 (ja) | 2014-03-07 | 2018-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器 |
JP6585354B2 (ja) | 2014-03-07 | 2019-10-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6607681B2 (ja) | 2014-03-07 | 2019-11-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2015132694A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel |
US9419622B2 (en) | 2014-03-07 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9711536B2 (en) | 2014-03-07 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
KR102267237B1 (ko) | 2014-03-07 | 2021-06-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
WO2015132697A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2015136413A1 (en) | 2014-03-12 | 2015-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102450562B1 (ko) | 2014-03-13 | 2022-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 |
JP6560508B2 (ja) | 2014-03-13 | 2019-08-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6677449B2 (ja) | 2014-03-13 | 2020-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
JP6541376B2 (ja) | 2014-03-13 | 2019-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイスの動作方法 |
JP6525421B2 (ja) | 2014-03-13 | 2019-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9640669B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module |
US9324747B2 (en) | 2014-03-13 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
US9299848B2 (en) | 2014-03-14 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, RF tag, and electronic device |
JP2015188071A (ja) | 2014-03-14 | 2015-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9887212B2 (en) | 2014-03-14 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP6559444B2 (ja) | 2014-03-14 | 2019-08-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6509596B2 (ja) | 2014-03-18 | 2019-05-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
SG11201606536XA (en) | 2014-03-18 | 2016-09-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9842842B2 (en) | 2014-03-19 | 2017-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same |
US9887291B2 (en) | 2014-03-19 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module |
JP6495698B2 (ja) | 2014-03-20 | 2019-04-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品、及び電子機器 |
TWI657488B (zh) | 2014-03-20 | 2019-04-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置 |
KR102332469B1 (ko) | 2014-03-28 | 2021-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 반도체 장치 |
JP6487738B2 (ja) | 2014-03-31 | 2019-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品 |
TWI767772B (zh) | 2014-04-10 | 2022-06-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體裝置及半導體裝置 |
TWI646782B (zh) | 2014-04-11 | 2019-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置 |
JP6541398B2 (ja) | 2014-04-11 | 2019-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9674470B2 (en) | 2014-04-11 | 2017-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device |
JP6635670B2 (ja) | 2014-04-11 | 2020-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102318728B1 (ko) | 2014-04-18 | 2021-10-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 이를 가지는 표시 장치 |
KR102511325B1 (ko) | 2014-04-18 | 2023-03-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 동작 방법 |
KR20160144492A (ko) | 2014-04-18 | 2016-12-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 장치 |
JP6613044B2 (ja) | 2014-04-22 | 2019-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
KR102380829B1 (ko) | 2014-04-23 | 2022-03-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 |
US9780226B2 (en) | 2014-04-25 | 2017-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR102330412B1 (ko) | 2014-04-25 | 2021-11-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기 |
TWI643457B (zh) | 2014-04-25 | 2018-12-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6468686B2 (ja) | 2014-04-25 | 2019-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
US10043913B2 (en) * | 2014-04-30 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device |
US10656799B2 (en) | 2014-05-02 | 2020-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and operation method thereof |
TWI679624B (zh) | 2014-05-02 | 2019-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6537341B2 (ja) | 2014-05-07 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN103996717B (zh) * | 2014-05-07 | 2015-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置 |
WO2015170220A1 (en) | 2014-05-09 | 2015-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and electronic device |
JP6653997B2 (ja) | 2014-05-09 | 2020-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示補正回路及び表示装置 |
US20150329371A1 (en) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide, semiconductor device, module, and electronic device |
KR102333604B1 (ko) | 2014-05-15 | 2021-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
JP2015233130A (ja) | 2014-05-16 | 2015-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板および半導体装置の作製方法 |
JP6612056B2 (ja) | 2014-05-16 | 2019-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、及び監視装置 |
JP6580863B2 (ja) | 2014-05-22 | 2019-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、健康管理システム |
JP6616102B2 (ja) | 2014-05-23 | 2019-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置及び電子機器 |
TWI672804B (zh) | 2014-05-23 | 2019-09-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
WO2015181679A1 (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10020403B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9874775B2 (en) | 2014-05-28 | 2018-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
JP6525722B2 (ja) | 2014-05-29 | 2019-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置、電子部品、及び電子機器 |
JP6653129B2 (ja) | 2014-05-29 | 2020-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
KR20150138026A (ko) | 2014-05-29 | 2015-12-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102418666B1 (ko) | 2014-05-29 | 2022-07-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법 |
JP6615490B2 (ja) | 2014-05-29 | 2019-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
TWI646658B (zh) | 2014-05-30 | 2019-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6537892B2 (ja) | 2014-05-30 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
TWI663726B (zh) | 2014-05-30 | 2019-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導體裝置、模組及電子裝置 |
KR20170013240A (ko) | 2014-05-30 | 2017-02-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 이를 제조하기 위한 방법 |
JP6538426B2 (ja) | 2014-05-30 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
US9831238B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion |
KR102398950B1 (ko) | 2014-05-30 | 2022-05-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 이의 제조 방법, 및 전자 장치 |
KR102344782B1 (ko) | 2014-06-13 | 2021-12-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 입력 장치 및 입출력 장치 |
JP2016015475A (ja) | 2014-06-13 | 2016-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
KR102437450B1 (ko) | 2014-06-13 | 2022-08-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치를 포함하는 전자 기기 |
TWI663733B (zh) | 2014-06-18 | 2019-06-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 電晶體及半導體裝置 |
KR20150146409A (ko) | 2014-06-20 | 2015-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기 |
TWI666776B (zh) | 2014-06-20 | 2019-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置 |
US9722090B2 (en) | 2014-06-23 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate |
JP6545541B2 (ja) | 2014-06-25 | 2019-07-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、監視装置、及び電子機器 |
US10002971B2 (en) | 2014-07-03 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
US9647129B2 (en) | 2014-07-04 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9729809B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method of semiconductor device or electronic device |
US9461179B2 (en) | 2014-07-11 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure |
CN112038410A (zh) | 2014-07-15 | 2020-12-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法以及包括半导体装置的显示装置 |
JP6581825B2 (ja) | 2014-07-18 | 2019-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システム |
KR102422059B1 (ko) | 2014-07-18 | 2022-07-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 촬상 장치, 및 전자 기기 |
US9312280B2 (en) | 2014-07-25 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102352633B1 (ko) | 2014-07-25 | 2022-01-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발진 회로 및 그것을 포함하는 반도체 장치 |
JP6527416B2 (ja) | 2014-07-29 | 2019-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6555956B2 (ja) | 2014-07-31 | 2019-08-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、監視装置、及び電子機器 |
WO2016016765A1 (en) | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US9705004B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9595955B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including power storage elements and switches |
JP6652342B2 (ja) | 2014-08-08 | 2020-02-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6553444B2 (ja) | 2014-08-08 | 2019-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10147747B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device |
US10032888B2 (en) | 2014-08-22 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device |
US10559667B2 (en) | 2014-08-25 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device |
KR102509203B1 (ko) | 2014-08-29 | 2023-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 및 전자 기기 |
KR102393272B1 (ko) | 2014-09-02 | 2022-05-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 및 전자 기기 |
KR102329498B1 (ko) | 2014-09-04 | 2021-11-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TW201614626A (en) | 2014-09-05 | 2016-04-16 | Semiconductor Energy Lab | Display device and electronic device |
US9766517B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and display module |
US9722091B2 (en) | 2014-09-12 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP6676316B2 (ja) | 2014-09-12 | 2020-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
DE112015004272T5 (de) | 2014-09-19 | 2017-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung |
US9401364B2 (en) | 2014-09-19 | 2016-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
JP2016066788A (ja) | 2014-09-19 | 2016-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法 |
KR20160034200A (ko) | 2014-09-19 | 2016-03-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US10071904B2 (en) | 2014-09-25 | 2018-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
WO2016046685A1 (en) | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
US10141342B2 (en) | 2014-09-26 | 2018-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
US10170055B2 (en) | 2014-09-26 | 2019-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
JP2016111677A (ja) | 2014-09-26 | 2016-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、無線センサ、及び電子機器 |
US9450581B2 (en) | 2014-09-30 | 2016-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device |
KR20170068511A (ko) | 2014-10-06 | 2017-06-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
US9698170B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
CN106797213B (zh) | 2014-10-10 | 2021-02-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 逻辑电路、处理单元、电子构件以及电子设备 |
CN106796918A (zh) | 2014-10-10 | 2017-05-31 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、电路板及电子设备 |
US9991393B2 (en) | 2014-10-16 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, module, and electronic device |
JP6645793B2 (ja) | 2014-10-17 | 2020-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2016063159A1 (en) | 2014-10-20 | 2016-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device |
US10068927B2 (en) | 2014-10-23 | 2018-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
JP6615565B2 (ja) | 2014-10-24 | 2019-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9704704B2 (en) | 2014-10-28 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
WO2016067144A1 (en) | 2014-10-28 | 2016-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, manufacturing method of display device, and electronic device |
TWI652362B (zh) | 2014-10-28 | 2019-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 氧化物及其製造方法 |
US9793905B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10680017B2 (en) | 2014-11-07 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device |
US9584707B2 (en) | 2014-11-10 | 2017-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
US9548327B2 (en) | 2014-11-10 | 2017-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer |
TWI711165B (zh) | 2014-11-21 | 2020-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及電子裝置 |
US9438234B2 (en) | 2014-11-21 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device including logic circuit |
TWI766298B (zh) | 2014-11-21 | 2022-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6563313B2 (ja) | 2014-11-21 | 2019-08-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
WO2016083952A1 (en) | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, module, and electronic device |
JP6647841B2 (ja) | 2014-12-01 | 2020-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物の作製方法 |
US9768317B2 (en) | 2014-12-08 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device |
JP6667267B2 (ja) | 2014-12-08 | 2020-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN113793872A (zh) | 2014-12-10 | 2021-12-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
JP6689062B2 (ja) | 2014-12-10 | 2020-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9773832B2 (en) | 2014-12-10 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP6833315B2 (ja) | 2014-12-10 | 2021-02-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
WO2016092416A1 (en) | 2014-12-11 | 2016-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, and electronic device |
JP6676354B2 (ja) | 2014-12-16 | 2020-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016116220A (ja) | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
TWI687657B (zh) | 2014-12-18 | 2020-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、感測裝置和電子裝置 |
KR20170101233A (ko) | 2014-12-26 | 2017-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스퍼터링용 타깃의 제작 방법 |
TWI686874B (zh) | 2014-12-26 | 2020-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法 |
US10396210B2 (en) | 2014-12-26 | 2019-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device |
KR20170098839A (ko) | 2014-12-29 | 2017-08-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치를 가지는 표시 장치 |
US10522693B2 (en) | 2015-01-16 | 2019-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and electronic device |
JP6857447B2 (ja) | 2015-01-26 | 2021-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9954112B2 (en) | 2015-01-26 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9443564B2 (en) | 2015-01-26 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
US9647132B2 (en) | 2015-01-30 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and memory device |
TWI710124B (zh) | 2015-01-30 | 2020-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 成像裝置及電子裝置 |
WO2016125049A1 (en) | 2015-02-02 | 2016-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide and manufacturing method thereof |
CN107210226B (zh) | 2015-02-04 | 2020-12-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
TWI732383B (zh) | 2015-02-06 | 2021-07-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 裝置及其製造方法以及電子裝置 |
US9660100B2 (en) | 2015-02-06 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6674269B2 (ja) | 2015-02-09 | 2020-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP6717604B2 (ja) | 2015-02-09 | 2020-07-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、中央処理装置及び電子機器 |
TWI685113B (zh) | 2015-02-11 | 2020-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9818880B2 (en) | 2015-02-12 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
KR20230141954A (ko) | 2015-02-12 | 2023-10-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
JP2016154225A (ja) | 2015-02-12 | 2016-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP6758844B2 (ja) | 2015-02-13 | 2020-09-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US10403646B2 (en) | 2015-02-20 | 2019-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9489988B2 (en) | 2015-02-20 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
US9991394B2 (en) | 2015-02-20 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
US9722092B2 (en) | 2015-02-25 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a stacked metal oxide |
JP6739185B2 (ja) | 2015-02-26 | 2020-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ストレージシステム、およびストレージ制御回路 |
US9653613B2 (en) | 2015-02-27 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9685560B2 (en) | 2015-03-02 | 2017-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device |
KR102526654B1 (ko) | 2015-03-03 | 2023-04-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막, 상기 산화물 반도체막을 포함하는 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
WO2016139551A1 (en) | 2015-03-03 | 2016-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same |
TWI718125B (zh) | 2015-03-03 | 2021-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
JP6681117B2 (ja) | 2015-03-13 | 2020-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2016147074A1 (en) | 2015-03-17 | 2016-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch panel |
US9964799B2 (en) | 2015-03-17 | 2018-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
US9882061B2 (en) | 2015-03-17 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10008609B2 (en) | 2015-03-17 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same |
US10134332B2 (en) | 2015-03-18 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic device, and driving method of display device |
JP6662665B2 (ja) | 2015-03-19 | 2020-03-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器 |
US10147823B2 (en) | 2015-03-19 | 2018-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102582523B1 (ko) | 2015-03-19 | 2023-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
KR20160114511A (ko) | 2015-03-24 | 2016-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US9842938B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including semiconductor device |
US9634048B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
US10429704B2 (en) | 2015-03-26 | 2019-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module |
US10096715B2 (en) | 2015-03-26 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device |
JP6736321B2 (ja) | 2015-03-27 | 2020-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
TWI695513B (zh) | 2015-03-27 | 2020-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及電子裝置 |
US9806200B2 (en) | 2015-03-27 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI777164B (zh) | 2015-03-30 | 2022-09-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US9716852B2 (en) | 2015-04-03 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Broadcast system |
US10389961B2 (en) | 2015-04-09 | 2019-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
KR102546189B1 (ko) | 2015-04-13 | 2023-06-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US10372274B2 (en) | 2015-04-13 | 2019-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and touch panel |
US10460984B2 (en) | 2015-04-15 | 2019-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating electrode and semiconductor device |
US10056497B2 (en) | 2015-04-15 | 2018-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2016206659A (ja) | 2015-04-16 | 2016-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法 |
US10192995B2 (en) | 2015-04-28 | 2019-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10002970B2 (en) | 2015-04-30 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same |
US10671204B2 (en) | 2015-05-04 | 2020-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch panel and data processor |
KR102549926B1 (ko) | 2015-05-04 | 2023-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기 |
JP6681780B2 (ja) | 2015-05-07 | 2020-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システムおよび電子機器 |
TWI693719B (zh) | 2015-05-11 | 2020-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
DE102016207737A1 (de) | 2015-05-11 | 2016-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand |
JP6935171B2 (ja) | 2015-05-14 | 2021-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11728356B2 (en) | 2015-05-14 | 2023-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element and imaging device |
US9627034B2 (en) | 2015-05-15 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
CN113990756A (zh) | 2015-05-22 | 2022-01-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
US9837547B2 (en) | 2015-05-22 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device |
JP2016225614A (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6773453B2 (ja) | 2015-05-26 | 2020-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置及び電子機器 |
US10139663B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Input/output device and electronic device |
KR102553553B1 (ko) | 2015-06-12 | 2023-07-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기 |
KR102556718B1 (ko) | 2015-06-19 | 2023-07-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 그 제작 방법, 및 전자 기기 |
US9860465B2 (en) | 2015-06-23 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
US9935633B2 (en) | 2015-06-30 | 2018-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device |
US10290573B2 (en) | 2015-07-02 | 2019-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US9917209B2 (en) | 2015-07-03 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor |
KR102548001B1 (ko) | 2015-07-08 | 2023-06-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP2017022377A (ja) | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10501003B2 (en) | 2015-07-17 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, lighting device, and vehicle |
US10985278B2 (en) | 2015-07-21 | 2021-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US10978489B2 (en) | 2015-07-24 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device |
US11024725B2 (en) | 2015-07-24 | 2021-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including metal oxide film |
US11189736B2 (en) | 2015-07-24 | 2021-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10424671B2 (en) | 2015-07-29 | 2019-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, circuit board, and electronic device |
US10019025B2 (en) | 2015-07-30 | 2018-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
CN106409919A (zh) | 2015-07-30 | 2017-02-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
US9825177B2 (en) | 2015-07-30 | 2017-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask |
US10585506B2 (en) | 2015-07-30 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with high visibility regardless of illuminance of external light |
US9876946B2 (en) | 2015-08-03 | 2018-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
US9911861B2 (en) | 2015-08-03 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device |
JP6791661B2 (ja) | 2015-08-07 | 2020-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル |
WO2017029576A1 (en) | 2015-08-19 | 2017-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US9666606B2 (en) | 2015-08-21 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP2017041877A (ja) | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品、および電子機器 |
US9773919B2 (en) | 2015-08-26 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2017037564A1 (en) | 2015-08-28 | 2017-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device |
JP2017050537A (ja) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9911756B2 (en) | 2015-08-31 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage |
JP6807683B2 (ja) | 2015-09-11 | 2021-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力パネル |
SG10201607278TA (en) | 2015-09-18 | 2017-04-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and electronic device |
JP2017063420A (ja) | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2017055967A1 (en) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
WO2017064590A1 (en) | 2015-10-12 | 2017-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2017064587A1 (en) | 2015-10-12 | 2017-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel |
US9852926B2 (en) | 2015-10-20 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor device |
KR102477518B1 (ko) | 2015-10-23 | 2022-12-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
WO2017068490A1 (en) | 2015-10-23 | 2017-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US10007161B2 (en) | 2015-10-26 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
SG10201608814YA (en) | 2015-10-29 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
US9773787B2 (en) | 2015-11-03 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device |
US9741400B2 (en) | 2015-11-05 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device |
JP6796461B2 (ja) | 2015-11-18 | 2020-12-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、コンピュータ及び電子機器 |
JP2018032839A (ja) | 2015-12-11 | 2018-03-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器 |
JP6887243B2 (ja) | 2015-12-11 | 2021-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、半導体装置、電子機器及び半導ウエハ |
US10050152B2 (en) | 2015-12-16 | 2018-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device, and electronic device |
CN108475491B (zh) | 2015-12-18 | 2021-04-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
US10177142B2 (en) | 2015-12-25 | 2019-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device |
KR102617041B1 (ko) | 2015-12-28 | 2023-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 장치, 텔레비전 시스템, 및 전자 기기 |
CN113327948A (zh) | 2015-12-28 | 2021-08-31 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置 |
CN108473334B (zh) | 2015-12-29 | 2021-03-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 金属氧化物膜以及半导体装置 |
JP2017135698A (ja) | 2015-12-29 | 2017-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、コンピュータ及び電子機器 |
JP6851814B2 (ja) | 2015-12-29 | 2021-03-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
US10580798B2 (en) | 2016-01-15 | 2020-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102330089B1 (ko) | 2016-01-18 | 2021-12-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 금속 산화물막, 반도체 장치, 및 표시 장치 |
US9905657B2 (en) | 2016-01-20 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US9887010B2 (en) | 2016-01-21 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, and driving method thereof |
US10411013B2 (en) | 2016-01-22 | 2019-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and memory device |
US10700212B2 (en) | 2016-01-28 | 2020-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof |
US10115741B2 (en) | 2016-02-05 | 2018-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US10250247B2 (en) | 2016-02-10 | 2019-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
CN109121438B (zh) | 2016-02-12 | 2022-02-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
JP6970511B2 (ja) | 2016-02-12 | 2021-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
US9954003B2 (en) | 2016-02-17 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US10263114B2 (en) | 2016-03-04 | 2019-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same |
CN108780818B (zh) | 2016-03-04 | 2023-01-31 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、该半导体装置的制造方法以及包括该半导体装置的显示装置 |
WO2017149413A1 (en) | 2016-03-04 | 2017-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6904730B2 (ja) | 2016-03-08 | 2021-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
US9882064B2 (en) | 2016-03-10 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and electronic device |
US10586817B2 (en) | 2016-03-24 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus |
US10096720B2 (en) | 2016-03-25 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device, and electronic device |
US10942408B2 (en) | 2016-04-01 | 2021-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite oxide semiconductor, semiconductor device using the composite oxide semiconductor, and display device including the semiconductor device |
US10236875B2 (en) | 2016-04-15 | 2019-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for operating the semiconductor device |
WO2017178923A1 (en) | 2016-04-15 | 2017-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
JP2017207744A (ja) | 2016-05-11 | 2017-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、モジュール、及び電子機器 |
KR20230019215A (ko) | 2016-05-19 | 2023-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터 |
WO2017208119A1 (en) | 2016-06-03 | 2017-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Metal oxide and field-effect transistor |
KR102330605B1 (ko) | 2016-06-22 | 2021-11-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2018020333A1 (en) | 2016-07-29 | 2018-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method, display device, display module, and electronic device |
TW201808628A (zh) | 2016-08-09 | 2018-03-16 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置的製造方法 |
US10411003B2 (en) | 2016-10-14 | 2019-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN108109592B (zh) | 2016-11-25 | 2022-01-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其工作方法 |
WO2018221294A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
KR20200033868A (ko) | 2017-07-31 | 2020-03-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP6782211B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2020-11-11 | 株式会社東芝 | 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法 |
WO2019145803A1 (ja) | 2018-01-24 | 2019-08-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品、及び電子機器 |
WO2019175704A1 (ja) | 2018-03-16 | 2019-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気モジュール、表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置、電気モジュールの作製方法 |
JPWO2020012276A1 (ja) | 2018-07-09 | 2021-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2020012284A1 (ja) | 2018-07-10 | 2020-01-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 二次電池の保護回路及び二次電池の異常検知システム |
CN113196546A (zh) | 2018-12-20 | 2021-07-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及电池组 |
WO2020240331A1 (ja) | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および当該半導体装置を備えた無線通信装置 |
CN110189706B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-06-29 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、及显示装置 |
JP2021150486A (ja) | 2020-03-19 | 2021-09-27 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08330103A (ja) * | 1995-06-01 | 1996-12-13 | Hoya Corp | 電気抵抗膜 |
JP2000244036A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | レーザパルス発生装置 |
JP2001266429A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-09-28 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気メモリの製造方法、およびその方法により製造された光磁気メモリ |
JP2007173777A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-07-05 | Asahi Glass Co Ltd | 強誘電体層の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05897A (ja) | 1991-06-21 | 1993-01-08 | Ricoh Co Ltd | LiNbO3の配向膜を有する複合結晶体およびその製法 |
US5514484A (en) * | 1992-11-05 | 1996-05-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Oriented ferroelectric thin film |
US7381633B2 (en) * | 2005-01-27 | 2008-06-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of making a patterned metal oxide film |
US7695998B2 (en) * | 2005-07-02 | 2010-04-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Methods for making and using high-mobility inorganic semiconductive films |
KR101252005B1 (ko) * | 2006-06-22 | 2013-04-08 | 삼성전자주식회사 | 나노결정 입자를 함유하는 박막 및 그의 제조방법 |
JP4258536B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2009-04-30 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 結晶化金属酸化物薄膜の製造方法 |
-
2008
- 2008-12-17 US US12/337,072 patent/US8202365B2/en active Active
- 2008-12-17 JP JP2008320678A patent/JP5215158B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08330103A (ja) * | 1995-06-01 | 1996-12-13 | Hoya Corp | 電気抵抗膜 |
JP2000244036A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | レーザパルス発生装置 |
JP2001266429A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-09-28 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気メモリの製造方法、およびその方法により製造された光磁気メモリ |
JP2007173777A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-07-05 | Asahi Glass Co Ltd | 強誘電体層の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6012033317; Kenji NOMURA et.al: '"Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor"' Science Vol.300, No.5623, 20030523, Page.1269-1272 * |
Cited By (637)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6183684A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-28 | 株式会社日立製作所 | セラミツクスの接合方法 |
JP2015149489A (ja) * | 2008-09-01 | 2015-08-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜及び半導体装置 |
US10128381B2 (en) | 2008-09-01 | 2018-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with oxygen rich gate insulating layer |
US9224839B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2015122539A (ja) * | 2008-09-01 | 2015-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜、及び半導体装置 |
JP2014042054A (ja) * | 2008-09-01 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜、及び半導体装置 |
US9397194B2 (en) | 2008-09-01 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device with oxide semiconductor ohmic conatct layers |
KR101928721B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2018-12-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101519893B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2015-05-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 |
JP2011086923A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | トランジスタ及び表示装置 |
KR102111264B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2020-05-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 |
JP2012253372A (ja) * | 2009-09-16 | 2012-12-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体層 |
JP2015015478A (ja) * | 2009-09-16 | 2015-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018037682A (ja) * | 2009-09-16 | 2018-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101823852B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2018-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 표시 장치 |
JP2018152605A (ja) * | 2009-09-16 | 2018-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP2013110425A (ja) * | 2009-09-16 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2017103469A (ja) * | 2009-09-16 | 2017-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9935202B2 (en) | 2009-09-16 | 2018-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device comprising oxide semiconductor layer |
JP2014239242A (ja) * | 2009-09-16 | 2014-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019186568A (ja) * | 2009-09-16 | 2019-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP2013062520A (ja) * | 2009-09-16 | 2013-04-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体層、半導体装置 |
JP2013225677A (ja) * | 2009-09-16 | 2013-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2016006912A (ja) * | 2009-09-16 | 2016-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体層および半導体装置 |
JP2012227533A (ja) * | 2009-09-16 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013077836A (ja) * | 2009-09-16 | 2013-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR20180133542A (ko) * | 2009-09-16 | 2018-12-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 |
US9318617B2 (en) | 2009-09-24 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
JP2017022400A (ja) * | 2009-09-24 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜及び半導体装置 |
KR101693544B1 (ko) | 2009-09-24 | 2017-01-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
US9214563B2 (en) | 2009-09-24 | 2015-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
US9647131B2 (en) | 2009-09-24 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device |
US8492758B2 (en) | 2009-09-24 | 2013-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
JP2015122519A (ja) * | 2009-09-24 | 2015-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015092615A (ja) * | 2009-09-24 | 2015-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9853167B2 (en) | 2009-09-24 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
US10418491B2 (en) | 2009-09-24 | 2019-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
JP2011091375A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜及び半導体装置 |
KR20160036068A (ko) * | 2009-09-24 | 2016-04-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
KR101980505B1 (ko) * | 2009-10-08 | 2019-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체층, 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101877149B1 (ko) * | 2009-10-08 | 2018-07-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체층, 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP2011100979A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜、および半導体装置 |
JP2017092504A (ja) * | 2009-10-08 | 2017-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20180063355A (ko) * | 2009-10-08 | 2018-06-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체층, 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US9306072B2 (en) | 2009-10-08 | 2016-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor layer and semiconductor device |
JP2015005767A (ja) * | 2009-10-08 | 2015-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜の作製方法 |
US9601635B2 (en) | 2009-10-09 | 2017-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9006728B2 (en) | 2009-10-09 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor transistor |
JP2017085156A (ja) * | 2009-10-09 | 2017-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101396096B1 (ko) | 2009-10-09 | 2014-05-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US11367793B2 (en) | 2009-10-09 | 2022-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9349791B2 (en) | 2009-10-09 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor channel |
US10770596B2 (en) | 2009-10-09 | 2020-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10446693B2 (en) | 2009-10-09 | 2019-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9941413B2 (en) | 2009-10-09 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having different types of thin film transistors |
US10043915B2 (en) | 2009-10-09 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2015122531A (ja) * | 2009-10-09 | 2015-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2011100992A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
JP2018101792A (ja) * | 2009-10-09 | 2018-06-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8999751B2 (en) | 2009-10-09 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for making oxide semiconductor device |
US11695080B2 (en) | 2009-10-09 | 2023-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9177855B2 (en) | 2009-10-09 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2011100994A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2011109079A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-06-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US10720433B2 (en) | 2009-10-29 | 2020-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2013211557A (ja) * | 2009-10-29 | 2013-10-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2022091895A (ja) * | 2009-10-29 | 2022-06-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2011171702A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US10490553B2 (en) | 2009-10-29 | 2019-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9202546B2 (en) | 2009-10-29 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2016106419A (ja) * | 2009-10-29 | 2016-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015019096A (ja) * | 2009-10-29 | 2015-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9806079B2 (en) | 2009-10-29 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI629766B (zh) * | 2009-10-30 | 2018-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9685447B2 (en) | 2009-10-30 | 2017-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor including oxide semiconductor |
JP2011119675A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US11322498B2 (en) | 2009-10-30 | 2022-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9722086B2 (en) | 2009-10-30 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device |
US10811417B2 (en) | 2009-10-30 | 2020-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2019220706A (ja) * | 2009-10-30 | 2019-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015164212A (ja) * | 2009-10-30 | 2015-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019220716A (ja) * | 2009-10-30 | 2019-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016136632A (ja) * | 2009-10-30 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9105511B2 (en) | 2009-10-30 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor |
US9373640B2 (en) | 2009-10-30 | 2016-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11963374B2 (en) | 2009-10-30 | 2024-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2015216398A (ja) * | 2009-10-30 | 2015-12-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017208579A (ja) * | 2009-10-30 | 2017-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10510757B2 (en) | 2009-10-30 | 2019-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including storage element |
US8896042B2 (en) | 2009-10-30 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor |
JP2022046697A (ja) * | 2009-11-06 | 2022-03-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019179932A (ja) * | 2009-11-06 | 2019-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ及び表示装置 |
US11107840B2 (en) | 2009-11-06 | 2021-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device comprising an oxide semiconductor |
US11107838B2 (en) | 2009-11-06 | 2021-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor comprising an oxide semiconductor |
JP2016195262A (ja) * | 2009-11-06 | 2016-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US20210288079A1 (en) | 2009-11-06 | 2021-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2019024144A (ja) * | 2009-11-06 | 2019-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8659934B2 (en) | 2009-11-06 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10249647B2 (en) | 2009-11-06 | 2019-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device comprising oxide semiconductor layer |
KR20180137596A (ko) * | 2009-11-06 | 2018-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP2013201444A (ja) * | 2009-11-06 | 2013-10-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US8811067B2 (en) | 2009-11-06 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10868046B2 (en) | 2009-11-06 | 2020-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device applying an oxide semiconductor |
JP2011119718A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
KR102220606B1 (ko) | 2009-11-06 | 2021-03-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP2018101788A (ja) * | 2009-11-06 | 2018-06-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11776968B2 (en) | 2009-11-06 | 2023-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer |
US9093544B2 (en) | 2009-11-06 | 2015-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10056385B2 (en) | 2009-11-06 | 2018-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including write access transistor whose oxide semiconductor layer including channel formation region |
JP2018152601A (ja) * | 2009-11-06 | 2018-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7093903B2 (ja) | 2009-11-06 | 2022-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7041790B1 (ja) | 2009-11-06 | 2022-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022069545A (ja) * | 2009-11-06 | 2022-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015164198A (ja) * | 2009-11-06 | 2015-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016086182A (ja) * | 2009-11-13 | 2016-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016048802A (ja) * | 2009-11-13 | 2016-04-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9219162B2 (en) | 2009-11-13 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2011124557A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011124556A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
TWI478346B (zh) * | 2009-11-13 | 2015-03-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US11955557B2 (en) | 2009-11-13 | 2024-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI508290B (zh) * | 2009-11-13 | 2015-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US10944010B2 (en) | 2009-11-13 | 2021-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2018129531A (ja) * | 2009-11-13 | 2018-08-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10056494B2 (en) | 2009-11-13 | 2018-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9257449B2 (en) | 2009-11-13 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US11456385B2 (en) | 2009-11-13 | 2022-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10516055B2 (en) | 2009-11-13 | 2019-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2013077858A (ja) * | 2009-11-13 | 2013-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2017005282A (ja) * | 2009-11-13 | 2017-01-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8742544B2 (en) | 2009-11-13 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2015097275A (ja) * | 2009-11-20 | 2015-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014123966A (ja) * | 2009-11-20 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2016201562A (ja) * | 2009-11-20 | 2016-12-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019186587A (ja) * | 2009-11-20 | 2019-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
CN104332177A (zh) * | 2009-11-20 | 2015-02-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 非易失性锁存电路和逻辑电路,以及使用其的半导体器件 |
US9350334B2 (en) | 2009-11-20 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same |
US10505520B2 (en) | 2009-11-20 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same |
JP2015092603A (ja) * | 2009-11-20 | 2015-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022009340A (ja) * | 2009-11-20 | 2022-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2013009008A (ja) * | 2009-11-24 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2015111677A (ja) * | 2009-11-24 | 2015-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020129662A (ja) * | 2009-11-27 | 2020-08-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6145238B1 (ja) * | 2009-11-28 | 2017-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20180099934A (ko) * | 2009-11-28 | 2018-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US11133419B2 (en) | 2009-11-28 | 2021-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2020115576A (ja) * | 2009-11-28 | 2020-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019195098A (ja) * | 2009-11-28 | 2019-11-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2012248868A (ja) * | 2009-11-28 | 2012-12-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US10079310B2 (en) | 2009-11-28 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including stacked oxide semiconductor material |
US8748881B2 (en) | 2009-11-28 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP7090117B2 (ja) | 2009-11-28 | 2022-06-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102304078B1 (ko) * | 2009-11-28 | 2021-09-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP2022109270A (ja) * | 2009-11-28 | 2022-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10608118B2 (en) | 2009-11-28 | 2020-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20200124774A (ko) * | 2009-11-28 | 2020-11-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP2020198455A (ja) * | 2009-11-28 | 2020-12-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8779420B2 (en) | 2009-11-28 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9368640B2 (en) | 2009-11-28 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor with stacked oxide semiconductor films |
JP7064542B2 (ja) | 2009-11-28 | 2022-05-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20210116711A (ko) * | 2009-11-28 | 2021-09-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR102426613B1 (ko) | 2009-11-28 | 2022-07-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US10263120B2 (en) | 2009-11-28 | 2019-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing liquid crystal display panel |
JP2016015498A (ja) * | 2009-11-28 | 2016-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体層 |
US9887298B2 (en) | 2009-11-28 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2017123491A (ja) * | 2009-11-28 | 2017-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示パネルの作製方法 |
US11710795B2 (en) | 2009-11-28 | 2023-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor with c-axis-aligned crystals |
JP2015062248A (ja) * | 2009-11-28 | 2015-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017139475A (ja) * | 2009-11-28 | 2017-08-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019071493A (ja) * | 2009-11-28 | 2019-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP2011135067A (ja) * | 2009-11-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
KR102089200B1 (ko) * | 2009-11-28 | 2020-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US10347771B2 (en) | 2009-11-28 | 2019-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device |
US9214520B2 (en) | 2009-11-28 | 2015-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9520287B2 (en) | 2009-11-28 | 2016-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having stacked oxide semiconductor layers |
JP2015005773A (ja) * | 2009-11-28 | 2015-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20200062383A (ko) * | 2009-12-04 | 2020-06-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US9721811B2 (en) | 2009-12-04 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device having an oxide semiconductor layer |
JP2018026572A (ja) * | 2009-12-04 | 2018-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR102117506B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2020-06-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP2011139054A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
KR101833198B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2018-03-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기 |
JP2018067745A (ja) * | 2009-12-04 | 2018-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9240467B2 (en) | 2009-12-04 | 2016-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10714358B2 (en) | 2009-12-04 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR20180049272A (ko) * | 2009-12-04 | 2018-05-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP2015173274A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2015167237A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-09-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9991286B2 (en) | 2009-12-04 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
US11923204B2 (en) | 2009-12-04 | 2024-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor |
JP7436554B2 (ja) | 2009-12-04 | 2024-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
US9735284B2 (en) | 2009-12-04 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor |
US10014415B2 (en) | 2009-12-04 | 2018-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device has an oxide semiconductor layer containing a C-axis aligned crystal |
US11728437B2 (en) | 2009-12-04 | 2023-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer containing a c-axis aligned crystal |
US10505049B2 (en) | 2009-12-04 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device has an oxide semiconductor layer containing a c-axis aligned crystal |
US10490420B2 (en) | 2009-12-04 | 2019-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9721971B2 (en) | 2009-12-04 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
US11728349B2 (en) | 2009-12-04 | 2023-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
KR102450889B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2022-10-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN102648526A (zh) * | 2009-12-04 | 2012-08-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
JP2020174222A (ja) * | 2009-12-04 | 2020-10-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017108151A (ja) * | 2009-12-04 | 2017-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2016048800A (ja) * | 2009-12-04 | 2016-04-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11456187B2 (en) | 2009-12-04 | 2022-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor-device |
JP2017085182A (ja) * | 2009-12-04 | 2017-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022103211A (ja) * | 2009-12-04 | 2022-07-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015109448A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9324881B2 (en) | 2009-12-04 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2012238880A (ja) * | 2009-12-04 | 2012-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US11342464B2 (en) | 2009-12-04 | 2022-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising first and second insulating layer each has a tapered shape |
US10840268B2 (en) | 2009-12-04 | 2020-11-17 | Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
JP7066789B2 (ja) | 2009-12-04 | 2022-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015097272A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018157219A (ja) * | 2009-12-04 | 2018-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US10109500B2 (en) | 2009-12-04 | 2018-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10861983B2 (en) | 2009-12-04 | 2020-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer containing a c-axis aligned crystal |
US8957414B2 (en) | 2009-12-04 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising both amorphous and crystalline semiconductor oxide |
JP2015015495A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016219824A (ja) * | 2009-12-04 | 2016-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US8927349B2 (en) | 2009-12-04 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101943109B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2019-01-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP2016106413A (ja) * | 2009-12-04 | 2016-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20190009841A (ko) * | 2009-12-04 | 2019-01-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP2019021949A (ja) * | 2009-12-04 | 2019-02-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20210054603A (ko) * | 2009-12-04 | 2021-05-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101963300B1 (ko) * | 2009-12-04 | 2019-03-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR102241766B1 (ko) | 2009-12-04 | 2021-04-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US8841163B2 (en) | 2009-12-04 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor |
US9411208B2 (en) | 2009-12-04 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2015144296A (ja) * | 2009-12-08 | 2015-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2016048798A (ja) * | 2009-12-08 | 2016-04-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022179522A (ja) * | 2009-12-08 | 2022-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015111715A (ja) * | 2009-12-11 | 2015-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2021093744A (ja) * | 2009-12-11 | 2021-06-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9209251B2 (en) | 2009-12-11 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having switching transistor that includes oxide semiconductor material |
US9735180B2 (en) | 2009-12-11 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US9893204B2 (en) | 2009-12-11 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having transistor including two oxide semiconductor layers having different lattice constants |
JP2016171346A (ja) * | 2009-12-11 | 2016-09-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20180099941A (ko) * | 2009-12-11 | 2018-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2011142314A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2021068915A (ja) * | 2009-12-11 | 2021-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
JP2019195061A (ja) * | 2009-12-11 | 2019-11-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015122522A (ja) * | 2009-12-11 | 2015-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
US9349757B2 (en) | 2009-12-11 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP2019021936A (ja) * | 2009-12-11 | 2019-02-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10312267B2 (en) | 2009-12-11 | 2019-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US9508742B2 (en) | 2009-12-11 | 2016-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having switching transistor that includes oxide semiconductor material |
JP2017085185A (ja) * | 2009-12-11 | 2017-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
US10600818B2 (en) | 2009-12-11 | 2020-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US11961843B2 (en) | 2009-12-11 | 2024-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP2017123490A (ja) * | 2009-12-11 | 2017-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10382016B2 (en) | 2009-12-11 | 2019-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same |
JP2016139816A (ja) * | 2009-12-11 | 2016-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US10854641B2 (en) | 2009-12-11 | 2020-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US10002888B2 (en) | 2009-12-11 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP2017199919A (ja) * | 2009-12-11 | 2017-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6994591B2 (ja) | 2009-12-11 | 2022-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102046308B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2019-11-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2011146694A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2015159314A (ja) * | 2009-12-18 | 2015-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9123574B2 (en) | 2009-12-18 | 2015-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2017143281A (ja) * | 2009-12-18 | 2017-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2013070070A (ja) * | 2009-12-18 | 2013-04-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9728651B2 (en) | 2009-12-18 | 2017-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9978757B2 (en) | 2009-12-18 | 2018-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101768433B1 (ko) | 2009-12-18 | 2017-08-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작 방법 |
US9240488B2 (en) | 2009-12-18 | 2016-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10453964B2 (en) | 2009-12-18 | 2019-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2014207456A (ja) * | 2009-12-18 | 2014-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2013012764A (ja) * | 2009-12-18 | 2013-01-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US8610187B2 (en) | 2009-12-18 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9391095B2 (en) | 2009-12-18 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9378980B2 (en) | 2009-12-18 | 2016-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2014225672A (ja) * | 2009-12-25 | 2014-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2011151384A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9054201B2 (en) | 2009-12-25 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2023026508A (ja) * | 2009-12-25 | 2023-02-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019068104A (ja) * | 2009-12-25 | 2019-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
US10083996B2 (en) | 2009-12-25 | 2018-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11676975B2 (en) | 2009-12-25 | 2023-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10861401B2 (en) | 2009-12-28 | 2020-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device configured to operate at two different refresh ratees |
KR20180097796A (ko) * | 2009-12-28 | 2018-08-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치와 반도체 장치 |
KR101894400B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2018-09-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치와 반도체 장치 |
US10797054B2 (en) | 2009-12-28 | 2020-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
KR101872678B1 (ko) | 2009-12-28 | 2018-07-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 전자 기기 |
KR20170098336A (ko) * | 2009-12-28 | 2017-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치와 반도체 장치 |
US11424246B2 (en) | 2009-12-28 | 2022-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
JP2017085172A (ja) * | 2009-12-28 | 2017-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP7049498B2 (ja) | 2009-12-28 | 2022-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018088533A (ja) * | 2009-12-28 | 2018-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR102356530B1 (ko) | 2009-12-28 | 2022-02-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치와 반도체 장치 |
JP2021103778A (ja) * | 2009-12-28 | 2021-07-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102006729B1 (ko) | 2009-12-28 | 2019-08-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치와 반도체 장치 |
US10347197B2 (en) | 2009-12-28 | 2019-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
KR20210000760A (ko) * | 2009-12-28 | 2021-01-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치와 반도체 장치 |
JP2017156755A (ja) * | 2010-01-20 | 2017-09-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US11790866B1 (en) | 2010-01-20 | 2023-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2019124961A (ja) * | 2010-01-20 | 2019-07-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2020003803A (ja) * | 2010-01-20 | 2020-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
KR20170135996A (ko) * | 2010-01-20 | 2017-12-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치의 구동 방법 |
US11462186B2 (en) | 2010-01-20 | 2022-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US11081072B2 (en) | 2010-01-20 | 2021-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2017072863A (ja) * | 2010-01-20 | 2017-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
KR102011801B1 (ko) * | 2010-01-20 | 2019-08-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치의 구동 방법 |
US9136391B2 (en) | 2010-01-22 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9865744B2 (en) | 2010-01-22 | 2018-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014209650A (ja) * | 2010-01-22 | 2014-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11887553B2 (en) | 2010-01-24 | 2024-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2011170346A (ja) * | 2010-01-24 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US11276359B2 (en) | 2010-01-24 | 2022-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US9599860B2 (en) | 2010-01-24 | 2017-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US11935896B2 (en) | 2010-01-24 | 2024-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
JP2013138212A (ja) * | 2010-01-24 | 2013-07-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2022001959A (ja) * | 2010-01-24 | 2022-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2016015507A (ja) * | 2010-01-24 | 2016-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2018101787A (ja) * | 2010-01-24 | 2018-06-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US10510309B2 (en) | 2010-01-24 | 2019-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2011171727A (ja) * | 2010-01-24 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置とその作製方法 |
US9269725B2 (en) | 2010-01-24 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10211230B2 (en) | 2010-01-24 | 2019-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US11362112B2 (en) | 2010-01-24 | 2022-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US11557263B2 (en) | 2010-01-24 | 2023-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2017220676A (ja) * | 2010-01-24 | 2017-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2019053309A (ja) * | 2010-01-24 | 2019-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2015188088A (ja) * | 2010-01-24 | 2015-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2020154327A (ja) * | 2010-01-24 | 2020-09-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US8866984B2 (en) | 2010-01-24 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US9117732B2 (en) | 2010-01-24 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
JP7341201B2 (ja) | 2010-01-24 | 2023-09-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
KR20170129287A (ko) * | 2010-01-29 | 2017-11-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
KR101948707B1 (ko) | 2010-01-29 | 2019-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
JP2013258411A (ja) * | 2010-01-29 | 2013-12-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2015084422A (ja) * | 2010-01-29 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101893904B1 (ko) * | 2010-01-29 | 2018-08-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
US9728555B2 (en) | 2010-02-05 | 2017-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2022003707A (ja) * | 2010-02-05 | 2022-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
JP2017118144A (ja) * | 2010-02-05 | 2017-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
US10615179B2 (en) | 2010-02-05 | 2020-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2018182337A (ja) * | 2010-02-05 | 2018-11-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11749686B2 (en) | 2010-02-05 | 2023-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9991288B2 (en) | 2010-02-05 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2016054325A (ja) * | 2010-02-05 | 2016-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11101295B2 (en) | 2010-02-05 | 2021-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US11469255B2 (en) | 2010-02-05 | 2022-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2016001743A (ja) * | 2010-02-12 | 2016-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9524993B2 (en) | 2010-02-12 | 2016-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a transistor with an oxide semiconductor layer between a first gate electrode and a second gate electrode |
JP2015084433A (ja) * | 2010-02-19 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9799666B2 (en) | 2010-02-19 | 2017-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9287258B2 (en) | 2010-02-19 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10424582B2 (en) | 2010-02-19 | 2019-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10020309B2 (en) | 2010-02-19 | 2018-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014053628A (ja) * | 2010-03-05 | 2014-03-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜 |
JP2015181163A (ja) * | 2010-03-05 | 2015-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜の作製方法 |
JP2011205089A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜の作製方法、およびトランジスタの作製方法 |
KR20130045252A (ko) * | 2010-03-05 | 2013-05-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법 |
KR101878206B1 (ko) * | 2010-03-05 | 2018-07-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법 |
JP2011211186A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2018022187A (ja) * | 2010-04-23 | 2018-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US10871841B2 (en) | 2010-04-28 | 2020-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device and driving method the same |
US11983342B2 (en) | 2010-04-28 | 2024-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device and driving method the same |
JP2020013139A (ja) * | 2010-04-28 | 2020-01-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2011248356A (ja) * | 2010-04-28 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体表示装置及びその駆動方法 |
US11392232B2 (en) | 2010-04-28 | 2022-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device and driving method the same |
JP2017201399A (ja) * | 2010-04-28 | 2017-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US10013087B2 (en) | 2010-04-28 | 2018-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device and driving method the same |
US9218081B2 (en) | 2010-04-28 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device and driving method the same |
JP2015079965A (ja) * | 2010-05-20 | 2015-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2012003832A (ja) * | 2010-05-20 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の駆動方法 |
JP2012009843A (ja) * | 2010-05-21 | 2012-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2016106412A (ja) * | 2010-05-21 | 2016-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9142648B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9601602B2 (en) | 2010-05-21 | 2017-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9846515B2 (en) | 2010-05-28 | 2017-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photodetector and display device with light guide configured to face photodetector circuit and reflect light from a source |
JP2015181022A (ja) * | 2010-05-28 | 2015-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光検出装置、及び、タッチパネル |
JP2012008541A (ja) * | 2010-05-28 | 2012-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光検出装置 |
US10008169B2 (en) | 2010-07-01 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of liquid crystal display device |
JP2017199938A (ja) * | 2010-07-01 | 2017-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2013101404A (ja) * | 2010-07-01 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
US9734780B2 (en) | 2010-07-01 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of liquid crystal display device |
JP2020046674A (ja) * | 2010-07-02 | 2020-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US10943547B2 (en) | 2010-07-02 | 2021-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US11289031B2 (en) | 2010-07-02 | 2022-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP2017194688A (ja) * | 2010-07-02 | 2017-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
KR20200130220A (ko) * | 2010-07-02 | 2020-11-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 |
KR102309239B1 (ko) * | 2010-07-02 | 2021-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 |
JP2012256814A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012256815A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR101842181B1 (ko) * | 2010-08-04 | 2018-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20200133313A (ko) * | 2010-08-06 | 2020-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9299813B2 (en) | 2010-08-06 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
KR102182892B1 (ko) | 2010-08-06 | 2020-11-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN105826204A (zh) * | 2010-08-06 | 2016-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
JP2021052201A (ja) * | 2010-08-06 | 2021-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20200050926A (ko) * | 2010-08-06 | 2020-05-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102108461B1 (ko) * | 2010-08-06 | 2020-05-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9825037B2 (en) | 2010-08-06 | 2017-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
KR20180135837A (ko) * | 2010-08-06 | 2018-12-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9525051B2 (en) | 2010-08-06 | 2016-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
KR102245914B1 (ko) | 2010-08-06 | 2021-04-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2012256813A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の駆動方法 |
US11177792B2 (en) | 2010-08-06 | 2021-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power supply semiconductor integrated memory control circuit |
US11677384B2 (en) | 2010-08-06 | 2023-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit with semiconductor layer having indium, zinc, and oxygen |
JP2017216456A (ja) * | 2010-08-06 | 2017-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7183243B2 (ja) | 2010-08-06 | 2022-12-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015144286A (ja) * | 2010-08-06 | 2015-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7146046B2 (ja) | 2010-08-06 | 2022-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022023896A (ja) * | 2010-08-06 | 2022-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019165229A (ja) * | 2010-08-06 | 2019-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US12021530B2 (en) | 2010-08-06 | 2024-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
JP2012069231A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2015201656A (ja) * | 2010-08-27 | 2015-11-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光センサ |
JP7370406B2 (ja) | 2010-08-27 | 2023-10-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015164213A (ja) * | 2010-08-27 | 2015-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022088460A (ja) * | 2010-08-27 | 2022-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20200057805A (ko) * | 2010-08-27 | 2020-05-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치, 반도체 장치 |
KR102334169B1 (ko) * | 2010-08-27 | 2021-12-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치, 반도체 장치 |
JP2015181187A (ja) * | 2010-09-03 | 2015-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016167616A (ja) * | 2010-09-08 | 2016-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016105478A (ja) * | 2010-09-08 | 2016-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016192569A (ja) * | 2010-09-10 | 2016-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11189642B2 (en) | 2010-09-10 | 2021-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and light-emitting device |
JP2012079690A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、発光装置、およびその作製方法 |
JP2012079691A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、発光装置 |
US11715800B2 (en) | 2010-09-13 | 2023-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power diode, and rectifier |
JP2012084858A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-04-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、パワーダイオード及び整流器 |
KR102430069B1 (ko) | 2010-09-13 | 2022-08-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 파워 다이오드 및 정류기 |
KR20210095830A (ko) * | 2010-09-13 | 2021-08-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 파워 다이오드 및 정류기 |
US9263116B2 (en) | 2010-09-13 | 2016-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
KR102284240B1 (ko) * | 2010-09-13 | 2021-08-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 파워 다이오드 및 정류기 |
JP2015146422A (ja) * | 2010-09-13 | 2015-08-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置の作製方法 |
JP2019054269A (ja) * | 2010-09-13 | 2019-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7083938B2 (ja) | 2010-09-13 | 2022-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2018061047A (ja) * | 2010-09-13 | 2018-04-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9042161B2 (en) | 2010-09-13 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
US9685562B2 (en) | 2010-09-13 | 2017-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power diode, and rectifier |
JP2012256821A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置 |
JP2021108405A (ja) * | 2010-09-13 | 2021-07-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR102102590B1 (ko) * | 2010-09-13 | 2020-04-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 파워 다이오드 및 정류기 |
US10910499B2 (en) | 2010-09-13 | 2021-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power diode, and rectifier |
JP2019075586A (ja) * | 2010-09-13 | 2019-05-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20200040724A (ko) * | 2010-09-13 | 2020-04-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 파워 다이오드 및 정류기 |
JP2018133574A (ja) * | 2010-09-13 | 2018-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20190019108A (ko) * | 2010-09-13 | 2019-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 파워 다이오드 및 정류기 |
US10615283B2 (en) | 2010-09-13 | 2020-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power diode, and rectifier |
JP2019012852A (ja) * | 2010-09-13 | 2019-01-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US10586869B2 (en) | 2010-09-13 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2017059842A (ja) * | 2010-09-13 | 2017-03-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9324877B2 (en) | 2010-09-13 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power diode, and rectifier |
US11568902B2 (en) | 2010-09-14 | 2023-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistors with different channel-formation materials |
US10236033B2 (en) | 2010-09-14 | 2019-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
US9299393B2 (en) | 2010-09-14 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
US10665270B2 (en) | 2010-09-14 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device comprising stacked memory cell |
JP2015144279A (ja) * | 2010-09-14 | 2015-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016034032A (ja) * | 2010-10-20 | 2016-03-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2015233144A (ja) * | 2010-10-29 | 2015-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9680029B2 (en) | 2010-10-29 | 2017-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
US10038099B2 (en) | 2010-10-29 | 2018-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
KR101917588B1 (ko) * | 2010-11-03 | 2018-11-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2012256825A (ja) * | 2010-11-03 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012114422A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体記憶装置 |
JP2013008937A (ja) * | 2010-11-05 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9461047B2 (en) | 2010-11-05 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20190077596A (ko) * | 2010-12-03 | 2019-07-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
US8680522B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
US8669556B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8994021B2 (en) | 2010-12-03 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
JP2020043363A (ja) * | 2010-12-03 | 2020-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
US9711655B2 (en) | 2010-12-03 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
JP2018182343A (ja) * | 2010-12-03 | 2018-11-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9331208B2 (en) | 2010-12-03 | 2016-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
US10103277B2 (en) | 2010-12-03 | 2018-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor film |
US10916663B2 (en) | 2010-12-03 | 2021-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
JP2022103433A (ja) * | 2010-12-03 | 2022-07-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015128164A (ja) * | 2010-12-03 | 2015-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜 |
JP2016149565A (ja) * | 2010-12-03 | 2016-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
KR102110496B1 (ko) * | 2010-12-03 | 2020-05-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
TWI764367B (zh) * | 2010-12-03 | 2022-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR20180098706A (ko) * | 2010-12-17 | 2018-09-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 재료 및 반도체 장치 |
US11217702B2 (en) | 2010-12-17 | 2022-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide material and semiconductor device |
US9620186B2 (en) | 2010-12-17 | 2017-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor storage device |
KR102001577B1 (ko) | 2010-12-17 | 2019-07-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 재료 및 반도체 장치 |
US9424923B2 (en) | 2010-12-17 | 2016-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor storage device |
US11049977B2 (en) | 2010-12-17 | 2021-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide material and semiconductor device |
JP7478863B2 (ja) | 2010-12-17 | 2024-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
US9368633B2 (en) | 2010-12-17 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide material and semiconductor device |
JP2019054287A (ja) * | 2010-12-17 | 2019-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタの作製方法 |
US11688810B2 (en) | 2010-12-17 | 2023-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide material and semiconductor device |
KR101895325B1 (ko) * | 2010-12-17 | 2018-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 재료 및 반도체 장치 |
US10079309B2 (en) | 2010-12-17 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide material and semiconductor device |
JP2012142562A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体記憶装置 |
KR20130129403A (ko) * | 2010-12-17 | 2013-11-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 재료 및 반도체 장치 |
JP2019179933A (ja) * | 2010-12-17 | 2019-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ及び表示装置 |
US9337321B2 (en) | 2010-12-28 | 2016-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2012151461A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
US8772768B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing |
JP2021077918A (ja) * | 2010-12-28 | 2021-05-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9306076B2 (en) | 2010-12-28 | 2016-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102141015B1 (ko) * | 2010-12-28 | 2020-08-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US10714625B2 (en) | 2010-12-28 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9099498B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9443984B2 (en) | 2010-12-28 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2014096607A (ja) * | 2010-12-28 | 2014-05-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012235139A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012151457A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP7174090B2 (ja) | 2010-12-28 | 2022-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11430896B2 (en) | 2010-12-28 | 2022-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2017034267A (ja) * | 2010-12-28 | 2017-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2012151453A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の駆動方法 |
US9780225B2 (en) | 2010-12-28 | 2017-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US11923249B2 (en) | 2010-12-28 | 2024-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2018121063A (ja) * | 2010-12-28 | 2018-08-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9520503B2 (en) | 2010-12-28 | 2016-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2012151454A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2016040845A (ja) * | 2010-12-28 | 2016-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11670721B2 (en) | 2010-12-28 | 2023-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10522692B2 (en) | 2010-12-28 | 2019-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2016021581A (ja) * | 2010-12-28 | 2016-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10886414B2 (en) | 2010-12-28 | 2021-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2012151455A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2019087758A (ja) * | 2010-12-28 | 2019-06-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
US9287294B2 (en) | 2010-12-28 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Capacitor and semiconductor device having oxide semiconductor |
KR20190068504A (ko) * | 2010-12-28 | 2019-06-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101944566B1 (ko) * | 2011-01-12 | 2019-01-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
US9882062B2 (en) | 2011-01-12 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9349752B2 (en) | 2011-01-12 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2012160720A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
KR20140061341A (ko) * | 2011-01-12 | 2014-05-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2018110267A (ja) * | 2011-01-14 | 2018-07-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体記憶装置 |
US11139301B2 (en) | 2011-01-14 | 2021-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including side surface conductor contact |
US11805637B2 (en) | 2011-01-14 | 2023-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising first and second conductors |
US10249626B2 (en) | 2011-01-14 | 2019-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device including multilayer wiring layer |
US10763261B2 (en) | 2011-01-14 | 2020-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device comprising memory cell over driver |
JP2012160718A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体記憶装置 |
US9786668B2 (en) | 2011-01-14 | 2017-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including multilayer wiring layer |
JP2021007153A (ja) * | 2011-01-20 | 2021-01-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9917206B2 (en) | 2011-01-20 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor element and semiconductor device |
JP2019165262A (ja) * | 2011-01-20 | 2019-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022141904A (ja) * | 2011-01-20 | 2022-09-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016136629A (ja) * | 2011-01-20 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP7113874B2 (ja) | 2011-01-20 | 2022-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7358577B2 (ja) | 2011-01-20 | 2023-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8809870B2 (en) | 2011-01-26 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8779432B2 (en) | 2011-01-26 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9761588B2 (en) | 2011-01-26 | 2017-09-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a wide-gap semiconductor layer in an insulating trench |
WO2012102182A1 (en) * | 2011-01-26 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2012169606A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US10069014B2 (en) | 2011-01-26 | 2018-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR20120099341A (ko) * | 2011-01-26 | 2012-09-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그의 제조 방법 |
JP2017152737A (ja) * | 2011-01-26 | 2017-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
US9048130B2 (en) | 2011-01-26 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2012102183A1 (en) * | 2011-01-26 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2016192571A (ja) * | 2011-01-26 | 2016-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2012256835A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR101993927B1 (ko) * | 2011-01-26 | 2019-06-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그의 제조 방법 |
US9209092B2 (en) | 2011-01-26 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with a wide-gap semiconductor layer on inner wall of trench |
JP2012256404A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶素子、信号処理回路 |
US9508448B2 (en) | 2011-03-08 | 2016-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and signal processing circuit |
US9767862B2 (en) | 2011-03-08 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and signal processing circuit |
US9425107B2 (en) | 2011-03-10 | 2016-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and method for manufacturing the same |
US10079238B2 (en) | 2011-03-10 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and method for manufacturing the same |
US9812458B2 (en) | 2011-03-10 | 2017-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and method for manufacturing the same |
WO2012121265A1 (en) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and method for manufacturing the same |
JP2017126800A (ja) * | 2011-03-11 | 2017-07-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020178129A (ja) * | 2011-03-11 | 2020-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20120109347A (ko) * | 2011-03-25 | 2012-10-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 상기 반도체 장치의 제작 방법 |
US9287408B2 (en) | 2011-03-25 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field-effect transistor, and memory and semiconductor circuit including the same |
US8754409B2 (en) | 2011-03-25 | 2014-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field-effect transistor, and memory and semiconductor circuit including the same |
US9548395B2 (en) | 2011-03-25 | 2017-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field-effect transistor including oxide semiconductor, and memory and semiconductor circuit including the same |
JP2014007431A (ja) * | 2011-03-25 | 2014-01-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9859443B2 (en) | 2011-03-25 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field-effect transistor, and memory and semiconductor circuit including the same |
KR102173923B1 (ko) * | 2011-03-25 | 2020-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 상기 반도체 장치의 제작 방법 |
KR102267380B1 (ko) * | 2011-03-31 | 2021-06-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2020155788A (ja) * | 2011-03-31 | 2020-09-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20200043354A (ko) * | 2011-03-31 | 2020-04-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2012227525A (ja) * | 2011-04-08 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶素子および信号処理回路 |
US10644164B2 (en) | 2011-04-13 | 2020-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
US10998449B2 (en) | 2011-04-13 | 2021-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
JP2018157223A (ja) * | 2011-04-13 | 2018-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11799033B2 (en) | 2011-04-13 | 2023-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
US9818820B2 (en) | 2011-04-22 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide material and semiconductor device |
US9660095B2 (en) | 2011-04-22 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2012235098A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および当該半導体装置の作製方法 |
JP2012235107A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2017022415A (ja) * | 2011-04-22 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物膜、半導体装置 |
JP2012235106A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012235103A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US10079295B2 (en) | 2011-04-22 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing thereof |
US9559193B2 (en) | 2011-04-22 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US10388799B2 (en) | 2011-04-22 | 2019-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor Device |
JP2015146462A (ja) * | 2011-04-22 | 2015-08-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9911767B2 (en) | 2011-04-27 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor |
US10249651B2 (en) | 2011-04-27 | 2019-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP2012238851A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US9543145B2 (en) | 2011-04-27 | 2017-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP2016034034A (ja) * | 2011-04-29 | 2016-03-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
JP2018148221A (ja) * | 2011-06-10 | 2018-09-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI609414B (zh) * | 2011-06-16 | 2017-12-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及該半導體裝置的製造方法 |
JP2013021310A (ja) * | 2011-06-16 | 2013-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および当該半導体装置の作製方法 |
US9299852B2 (en) | 2011-06-16 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102110716B1 (ko) * | 2011-08-19 | 2020-05-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR20190091433A (ko) * | 2011-08-19 | 2019-08-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2017116943A (ja) * | 2011-11-30 | 2017-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | メモリ回路の作製方法 |
JP2013219342A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-10-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜、トランジスタ、及び半導体装置 |
US10886413B2 (en) | 2012-11-16 | 2021-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10361318B2 (en) | 2012-11-16 | 2019-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11710794B2 (en) | 2012-11-16 | 2023-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP7403578B2 (ja) | 2012-12-13 | 2023-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気機器 |
US11742673B2 (en) | 2012-12-13 | 2023-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage system and power storage device |
JP2022105216A (ja) * | 2012-12-13 | 2022-07-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気機器 |
JP2020156315A (ja) * | 2012-12-13 | 2020-09-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気機器 |
KR20220050120A (ko) * | 2012-12-25 | 2022-04-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기 |
KR102465068B1 (ko) * | 2012-12-25 | 2022-11-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기 |
JP2014142623A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US11133390B2 (en) | 2013-03-15 | 2021-09-28 | The Boeing Company | Low temperature, thin film crystallization method and products prepared therefrom |
JP2019031429A (ja) * | 2013-03-15 | 2019-02-28 | ザ・ボーイング・カンパニーThe Boeing Company | 低温薄膜結晶化方法およびその方法から作製された生成物 |
JP2014207442A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜および酸化物半導体膜の作製方法 |
JP2014205608A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-10-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体 |
JP2016186634A (ja) * | 2013-12-02 | 2016-10-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 携帯型の電子機器 |
US10763322B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP2016189005A (ja) * | 2013-12-02 | 2016-11-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 加工装置 |
US11672148B2 (en) | 2013-12-02 | 2023-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10872947B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10355067B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10879331B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US9559316B2 (en) | 2013-12-02 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR101860466B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2018-05-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제조방법 |
US10854697B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP2016184166A (ja) * | 2013-12-02 | 2016-10-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US10312315B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US11004925B2 (en) | 2013-12-02 | 2021-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US9559317B2 (en) | 2013-12-02 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US9437831B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP2016189004A (ja) * | 2013-12-02 | 2016-11-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US9685500B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit system |
JP2015233030A (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-24 | 株式会社リコー | 電気−機械変換膜の製造方法、電気−機械変換素子の製造方法、液体吐出ヘッド、インクジェットプリンタ、偏向ミラー、加速度センサ、hddヘッド用微調整装置、強誘電体メモリ素子、角速度センサ、マイクロポンプ及びマイクロバルブ |
JP2017188652A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | フレキシブルデバイス及び表示装置、並びにそれらの作製方法 |
WO2024047995A1 (ja) * | 2022-09-01 | 2024-03-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体デバイス及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090152506A1 (en) | 2009-06-18 |
US8202365B2 (en) | 2012-06-19 |
JP5215158B2 (ja) | 2013-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5215158B2 (ja) | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス | |
Yarali et al. | Recent progress in photonic processing of metal‐oxide transistors | |
JP5331382B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP2009147192A (ja) | 結晶性無機膜とその製造方法、半導体装置 | |
US7507618B2 (en) | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles | |
JP5684567B2 (ja) | プリント電子部品のための機能性材料 | |
Tsay et al. | Structural and optical studies on sol–gel derived ZnO thin films by excimer laser annealing | |
Guo et al. | Low-temperature preparation of (002)-oriented ZnO thin films by sol–gel method | |
JP2009224737A (ja) | 酸化ガリウムを主成分とする金属酸化物からなる絶縁膜およびその製造方法 | |
JP2011003856A (ja) | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
CN1134046C (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
KR101333316B1 (ko) | 금속산화물 박막 및 그 제조 방법, 금속산화물 박막용 용액 | |
Pujar et al. | Trends in low‐temperature combustion derived thin films for solution‐processed electronics | |
Chen et al. | Low-temperature solution-processed flexible metal oxide thin-film transistors via laser annealing | |
Murakami et al. | Highly conductive ruthenium oxide thin films by a low-temperature solution process and green laser annealing | |
Shiojiri et al. | Room-temperature fabrication of highly oriented β-Ga2O3 thin films by excimer laser annealing | |
Al-Asedy et al. | Properties of Al-and Ga-doped thin zinc oxide films treated with UV laser radiation | |
JP6260990B2 (ja) | 多成分系酸化物半導体の前駆体塗布液及び該塗布液を用いた多成分系酸化物半導体膜の製造方法 | |
JP5894393B2 (ja) | 酸化物粒子分散液 | |
Kim et al. | 14‐4L: Late‐News Paper: Self‐Pattern Process of InZnO Thin‐Film Transistors using Photosensitive Precursors | |
JP2015157280A (ja) | アモルファス化合物ゲル、アモルファス化合物ゲルの製造方法、酸化物結晶体の製造方法、金属結晶体の製造方法、酸化物結晶体、及び金属結晶体 | |
JP2009123533A (ja) | 導電性無機膜とその製造方法、配線基板、半導体装置 | |
KR101567809B1 (ko) | 산화아연 전구체의 제조방법, 이로부터 수득되는 산화아연 전구체 및 산화아연 박막 | |
Gao et al. | Low-temperature, high-mobility, solution-processed metal oxide semiconductors fabricated with oxygen radical assisted perchlorate aqueous precursors | |
JP5597510B2 (ja) | コアシェル半導体微粒子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110707 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121211 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5215158 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160308 Year of fee payment: 3 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |