JP2015122531A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015122531A JP2015122531A JP2015024433A JP2015024433A JP2015122531A JP 2015122531 A JP2015122531 A JP 2015122531A JP 2015024433 A JP2015024433 A JP 2015024433A JP 2015024433 A JP2015024433 A JP 2015024433A JP 2015122531 A JP2015122531 A JP 2015122531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- layer
- oxide semiconductor
- semiconductor layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 381
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 87
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 65
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 712
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 23
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 36
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 25
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 24
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 18
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018120 Al-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1251—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
- H01L29/045—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes by their particular orientation of crystalline planes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78642—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
- H01L29/78648—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate arranged on opposing sides of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
はよく知られた材料であり、液晶ディスプレイなどで必要とされる透明電極材料として用
いられている。
、例えば、酸化タングステン、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛などがあり、このよう
な金属酸化物をチャネル形成領域に用いた薄膜トランジスタが既に知られている(例えば
、特許文献1乃至特許文献4、非特許文献1等参照)。
ば、ホモロガス相を有するInGaO3(ZnO)m(m:自然数)は、In、Gaおよ
びZnを有する多元系酸化物半導体として知られている(例えば、非特許文献2乃至非特
許文献4等参照)。
ンジスタのチャネル形成領域に適用可能であることが確認されている(例えば、特許文献
5、非特許文献5および非特許文献6等参照)。
性が得られていないというのが実情であった。
装置を提供することを目的の一とする。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の
大電力向け半導体装置を提供することを目的の一とする。
層を用いて電流を制御する、新たな構造の半導体装置である。
を向上させた新たな構造の半導体装置である。
層と、第1の絶縁層上の、第1の導電層の一部と重畳し表層部に結晶領域を有する酸化物
半導体層と、酸化物半導体層に接する第2の導電層および第3の導電層と、酸化物半導体
層、第2の導電層、および第3の導電層を覆う絶縁層と、絶縁層上の、酸化物半導体層の
一部と重畳する第4の導電層と、を有する半導体装置である。
また、酸化物半導体層の結晶領域は、In2Ga2ZnO7の結晶を含んでいることが望
ましい。また、酸化物半導体層は、In−Ga−Zn−O系の酸化物半導体材料を含んで
いることが望ましい。
の導電層はソース電極またはドレイン電極の他方として、第4の導電層はゲート電極とし
て、それぞれ機能させることが可能である。また、第1の導電層は、酸化物半導体層中の
電界を制御する機能を有するのが好適である。また、第2の導電層または第3の導電層と
、酸化物半導体層とは、酸化物半導体層の上面または下面において電気的に接続するのが
好適である。
第1の絶縁層を形成し、第1の絶縁層上に、第1の導電層の一部と重畳する酸化物半導体
層を形成し、酸化物半導体層を熱処理することによって、酸化物半導体層の上方の表層部
に結晶領域を形成し、酸化物半導体層に接する第2の導電層および第3の導電層を形成し
、酸化物半導体層、第2の導電層、および第3の導電層を覆う絶縁層を形成し、絶縁層上
に、酸化物半導体層の一部と重畳する第4の導電層を形成する、半導体装置の作製方法で
ある。
処理することにより行うことが望ましい。また、酸化物半導体層の形成は、In−Ga−
Zn−O系のターゲットを用いたスパッタリング法により行うことが望ましい。
例えば、「基板上」と表現する場合には、基板表面から見て上部にあることを意味する。
つまり、「上」の表現は、他の構成要素を間に有する構造を含む趣旨で用いる。
とは別に、酸化物半導体層の下部に導電層を有する構成を採用している。
影響を緩和することができる。これにより、酸化物半導体層の基板側に電荷が蓄積される
ことに起因する寄生チャネルの発生や、しきい値電圧の変動を防ぐことができる。
を高めることができる。
て半導体装置の動作特性を高めつつ、導電層の作用により安定した回路動作が実現される
。また、酸化物半導体層は生産性が高いため、特性の良い半導体装置を低コストに提供す
ることができる。
施の形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱する
ことなく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異
なる実施の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下
に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号
を用い、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、半導体装置およびその作製方法の一例について、図1および図2を参
照して説明する。なお、以下では、半導体装置としてパワーMOS(MIS)FETを例
に挙げて説明する。
図1には、半導体装置の構成の一例を示す。図1(A)は断面図、図1(B)は平面図に
相当する。また、図1(A)は、図1(B)のA−B線における断面に対応している。な
お、平面図においては、理解の容易のために一部の構成要素を省略している。
する導電層102、酸化物半導体層104、酸化物半導体層104中の結晶領域106、
ソース電極またはドレイン電極の他方として機能する導電層108、ゲート絶縁層として
機能する絶縁層110、導電層108と電気的に接続される導電層112、導電層102
と電気的に接続される導電層114、ゲート電極として機能する導電層116、などを含
む。
化物半導体材料を含む半導体層である。半導体装置にエネルギーギャップの大きい酸化物
半導体材料を用いることで、半導体装置の耐圧(例えば、ドレイン耐圧)が向上する。
04の一部が結晶化した領域である。当該結晶領域106を有することで、半導体装置の
耐圧(例えば、ドレイン耐圧)をさらに向上させることができる。なお、酸化物半導体層
104の結晶領域106以外の領域は、非晶質の領域であることが望ましいが、非晶質中
に結晶粒を含む領域であっても良いし、微結晶の領域であっても良い。
電層108と電気的に接続される導電層112の周囲に、ゲート電極として機能する導電
層116が配置され、さらにその周囲には、ソース電極またはドレイン電極の一方として
機能する導電層102や、導電層102と電気的に接続される導電層114が配置される
(図1(B)参照)。
極またはドレイン電極の他方として機能する導電層108とは、重畳しない。ここで、「
重畳しない」とは、平面図において互いに重なる領域を有しないことを言う。本明細書の
他の記載においても同様とする。
畳しない領域を含む領域に設けられる。つまり、導電層116の少なくとも一部は、導電
層102および導電層108とは重畳しない。一方、導電層116の他の一部は、導電層
102および導電層108と重畳していても良い。
16、導電層102、および、導電層114を配置する構成としているが、半導体装置の
レイアウトはこれに限定されない。各構成要素の配置は、半導体装置の機能を害さない範
囲において適宜変更することができる。
るための端子として機能するが、導電層108と外部配線等とを直接接続することが可能
であれば、導電層112は形成しなくとも良い。導電層114についても同様である。な
お、図1においては、導電層112と電気的に接続される外部配線等は示していない。
詳細について説明する。
基板100としては、絶縁基板、半導体基板、金属基板などが採用される。また、これら
の表面を絶縁材料などで被覆した基板を採用することもできる。なお、基板100は酸化
物半導体層の加熱に耐えうる程度の耐熱性を有することが望ましい。
ビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシなどの有機材料を含む絶縁
基板を採用することもできる。有機材料を含む絶縁基板を採用する場合にはプロセス中の
最高温度に耐えうる絶縁基板を選択することが求められる。
ドには複数あるが、表面がある程度平坦なものであれば、廉価なものを用いても良い。例
えば、純度6N(99.9999%)〜7N(99.99999%)程度のシリコン基板
を適用することもできる。
には、絶縁性を確保するために、表面に絶縁層を形成しても良い。金属基板は熱伝導性が
高いため、発熱量の大きいパワーMOSFETなどの大電力用半導体装置の基板として好
適である。
酸化物半導体層104を構成する半導体材料の一例としては、InMO3(ZnO)m(
m>0)で表記されるものがある。ここで、Mは、ガリウム(Ga)、鉄(Fe)、ニッ
ケル(Ni)、マンガン(Mn)、コバルト(Co)などから選ばれた一の金属元素また
は複数の金属元素を示す。例えば、MとしてGaが選択される場合には、Gaのみの場合
の他に、GaとNiや、GaとFeなど、Ga以外の上記金属元素が選択される場合も含
む。また、上記酸化物半導体において、Mとして含まれる金属元素の他に、不純物元素と
してFe、Niその他の遷移金属元素、または該遷移金属の酸化物が含まれているものが
ある。本明細書等においては、上記酸化物半導体のうち、Mとして少なくともガリウムを
含むものをIn−Ga−Zn−O系酸化物半導体と呼ぶこととする。
電流を十分に小さくすることができ、また、エネルギーギャップが大きい(ワイドギャッ
プである)ため、パワーMOSFETなどの大電力用半導体装置には好適である。
n−Zn−O系、In−Al−Zn−O系、Sn−Ga−Zn−O系、Al−Ga−Zn
−O系、Sn−Al−Zn−O系、In−Zn−O系、Sn−Zn−O系、Al−Zn−
O系、In−O系、Sn−O系、Zn−O系の酸化物半導体材料などがある。
、非晶質構造中に結晶粒を含む構造や、微結晶構造などであっても良い。また、その厚さ
は、目的とする耐圧などの特性に応じて適宜設定することができる。具体的には、例えば
、100nm乃至10μm程度とすることができる。
した構造を有するのが好適である。例えば、In−Ga−Zn−O系の酸化物半導体材料
を用いて酸化物半導体層104を形成する場合には、結晶領域106は、In2Ga2Z
nO7の微結晶が所定の方向に配列した領域とする。中でも、In2Ga2ZnO7のc
軸が基板平面(または、酸化物半導体層表面)に対して垂直な方向となるように微結晶を
配列させる場合には、半導体装置の耐圧を大きく向上させることができるため好適である
。これは、In2Ga2ZnO7の誘電率の異方性に起因するものと考察される。c軸方
向と比較して、b軸方向(またはa軸方向)では、耐圧を高めることができるのである。
なお、微結晶の大きさは一例に過ぎず、発明が上記数値範囲に限定して解釈されるもので
はない。
体材料を用いることで十分な耐圧を確保できる場合には、結晶領域106を設けなくとも
良い。
ゲート絶縁層として機能する絶縁層110を構成する絶縁材料は、酸化シリコン、窒化シ
リコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタルなどか
ら選択することが可能である。また、これらの材料の複合材料を採用しても良い。絶縁層
110は、これらの絶縁材料を用いた層の単層構造としても良いし、積層構造としても良
い。なお、一般にMOSFETとは、金属−酸化物−半導体による電界効果型トランジス
タを言うが、開示する発明の半導体装置に用いる絶縁層を、酸化物に限定する必要はない
。
量(原子数)が多いものを示し、例えば、酸化窒化シリコンとは、酸素が50原子%以上
70原子%以下、窒素が0.5原子%以上15原子%以下、シリコンが25原子%以上3
5原子%以下、水素が0.1原子%以上10原子%以下の範囲で含まれるものをいう。ま
た、窒化酸化物とは、その組成において、酸素よりも窒素の含有量(原子数)が多いもの
を示し、例えば、窒化酸化シリコンとは、酸素が5原子%以上30原子%以下、窒素が2
0原子%以上55原子%以下、シリコンが25原子%以上35原子%以下、水素が10原
子%以上25原子%以下の範囲で含まれるものをいう。但し、上記範囲は、ラザフォード
後方散乱法(RBS:Rutherford Backscattering Spec
trometry)や、水素前方散乱法(HFS:Hydrogen Forward
scattering Spectrometry)を用いて測定した場合のものである
。また、構成元素の含有比率の合計は100原子%を超えない。
導電層102は、例えば、ドレイン電極として機能し、導電層108は、ソース電極とし
て機能し、導電層116は、ゲート電極として機能する。導電層112および導電層11
4は、外部配線等との電気的接続を実現するための端子として機能するが、これらは必須
の構成要素ではない。
タンタル、タングステン、ネオジム、スカンジウムなどの金属材料、またはこれらの金属
材料を主成分とする合金材料、またはこれらの金属材料を成分とする窒化物などから選択
することができる。他にも、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジ
ウム酸化亜鉛合金、酸化亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム、酸窒化亜鉛アルミニウム、酸化亜
鉛ガリウムなどの透光性を有する酸化物導電材料などを採用することが可能である。導電
層は、これらの導電材料を用いた層の単層構造としても良いし、積層構造としても良い。
おり、ドレイン電極として機能する導電層102は、酸化物半導体層104と、その下面
で接している。また、ゲート電極として機能する導電層116は、絶縁層110上に設け
られており、酸化物半導体層104中に電界を生じさせる。
成要素の機能が上記称呼に限定して解釈されるものではない。ソースおよびドレインの機
能は、半導体装置の動作に従って入れ替わることがあるためである。
電子をキャリアとするn型半導体装置の場合、通常動作時には、ソース電極として機能す
る導電層108が負のバイアスに印加され、ドレイン電極として機能する導電層102が
正のバイアスに印加される。
の間には、十分な厚さの酸化物半導体層104が介在している。また、酸化物半導体層1
04は、ワイドギャップかつ無電界時の抵抗が十分に高い酸化物半導体材料で構成されて
いる。このため、導電層108が負のバイアスに印加され、導電層102が正のバイアス
に印加された状態において、ゲート電極として機能する導電層116にバイアスを印加し
ない場合、または、負のバイアスを印加する場合には、ごく僅かな電流しか流れない。
4の、導電層116と重なる領域の絶縁層110との界面付近に負の電荷(電子)が誘起
されてチャネルが形成される。これにより、ソース電極として機能する導電層108とド
レイン電極として機能する導電層102との間に電流が流れる。
置の耐圧(ドレイン耐圧等)を向上させることができる。これは、酸化物半導体のエネル
ギーギャップが、一般的な半導体材料のエネルギーギャップと比較して大きいことによる
。
装置の耐圧を高めることができる。例えば、酸化物半導体層104にIn−Ga−Zn−
O系の酸化物半導体材料を用いる場合、In2Ga2ZnO7のc軸が基板平面(または
、酸化物半導体層表面)に対して垂直な方向となるように微結晶を配列させることにより
、半導体装置における電流の方向がIn2Ga2ZnO7のb軸方向(またはa軸方向)
となり、半導体装置の耐圧を高めることができる。なお、In2Ga2ZnO7の結晶は
、a軸(a−axis)およびb軸(b−axis)に平行なレイヤーの積層構造を含む
ように構成される。つまり、In2Ga2ZnO7のc軸とは、In2Ga2ZnO7の
結晶を構成するレイヤーに垂直な方向をいう。
図1に示した半導体装置の作製工程について、図2を用いて説明する。
関しては、上記<基板>の項を参酌できる。
法や真空蒸着法などの方法で基板100上に成膜した後、フォトリソグラフィ法によるレ
ジストマスクを用いたエッチング処理によって不要な部分を除去することで形成される。
エッチング処理は、ウェット処理としても良いし、ドライ処理としても良い。なお、導電
層102上に形成される各構成要素の被覆性を向上させるため、当該エッチング処理は、
導電層102の側面と、導電層102の底面とのなす角が、鋭角となるように行うことが
望ましい。
料であるモリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、ネオジム、スカンジウ
ムなどでなる層の積層構造とする場合には、導電性と耐熱性とを両立させることができる
ため好適である。例えば、アルミニウムとモリブデンの二層構造、銅とモリブデンの二層
構造、銅と窒化チタンの二層構造、銅と窒化タンタルの二層構造などを適用することがで
きる。また、窒化チタンとモリブデンの二層構造としてもよい。また、アルミニウム、ア
ルミニウムとシリコンの合金、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとネオジムの
合金などを、タングステン、窒化タングステン、窒化チタン、チタンなどで挟んだ構造の
三層構造を適用することもできる。
る(図2(B)参照)。なお、結晶領域106を有しない酸化物半導体層104を形成し
ても良い。
て形成される。また、酸化物半導体層104は、アルゴンをはじめとする希ガス雰囲気下
、酸素雰囲気下、希ガスと酸素の混合雰囲気下におけるスパッタリング法などにより成膜
することができる。スパッタリング法において、SiO2を2重量%以上10重量%以下
含むターゲットを用いることにより、酸化物半導体層104中にSiOx(X>0)を含
ませて酸化物半導体層104の結晶化を抑制することができる。当該方法は、非晶質構造
の酸化物半導体層104を得る場合に有効である。
n=1:1:0.5[atom%]、In:Ga:Zn=1:1:1[atom%]、I
n:Ga:Zn=1:1:2[atom%]の組成比を有するターゲットなど)を用い、
基板とターゲットとの間の距離を100mm、圧力を0.6Pa、直流電力を0.5kW
、雰囲気を酸素(酸素流量比率100%)雰囲気とすることで、酸化物半導体層104と
して、In−Ga−Zn−O系の非晶質酸化物半導体層を得ることができる。なお、電源
としてパルス直流電源を用いる場合には、成膜時に発生する粉状物質(パーティクル、ゴ
ミともいう)を低減することが可能であり、また、膜厚分布を均一化することができるた
め好適である。
する耐圧などの特性に応じて適宜設定することができる。例えば、100nm乃至10μ
m程度とすればよい。
お、当該熱処理によって、酸化物半導体層104中のH2、H、OHなどが脱離するため
、当該熱処理を脱水化処理または脱水素化処理と呼んでも良い。
Thermal Annealing)処理を適用することができる。ここで、熱処理の
温度は500℃以上とすることが好適である。熱処理温度の上限は特に限定しないが、基
板100の耐熱性の範囲内とする必要がある。また、熱処理の時間は、1分以上10分以
下とすることが好適である。例えば、650℃で3分〜6分程度のRTA処理を行うと良
い。上述のようなRTA処理を適用することで、短時間に熱処理を行うことができるため
、基板100に対する熱の影響を小さくすることができる。つまり、熱処理を長時間行う
場合と比較して、熱処理温度の上限を引き上げることが可能である。なお、当該熱処理は
、上記のタイミングで行うことに限定されず、他の工程の前後などにおいて行うこともで
きる。また、当該熱処理は、一回に限らず、複数回行っても良い。
が望ましい。例えば、熱処理装置に導入する不活性ガスの純度を、6N(99.9999
%、即ち不純物濃度が1ppm以下)以上、好ましくは、7N(99.99999%、即
ち不純物濃度が0.1ppm以下)以上とする。
成の結晶領域106が形成される。酸化物半導体層104のその他の領域は、非晶質構造
、非晶質と微結晶が混合した構造、または微結晶構造のいずれかとなる。なお、結晶領域
106は酸化物半導体層104の一部であり、酸化物半導体層104には、結晶領域10
6が含まれる。ここで、結晶領域106の厚さは20nm以下とするのが好適である。結
晶領域が厚くなると、半導体装置の特性が、結晶領域106のみに依存することになるた
めである。
ことが重要である。このためには、少なくとも、熱処理およびその後の降温過程において
、大気暴露しないことが必要になる。これは、例えば、熱処理およびその後の降温過程を
同一雰囲気において行うことで実現される。もちろん、降温過程の雰囲気を熱処理雰囲気
と異ならせてもよい。この場合、降温過程の雰囲気を、例えば、酸素ガス、N2Oガス、
超乾燥エア(露点が−40℃以下、好ましくは−60℃以下)などの雰囲気とすることが
できる。
成する(図2(C)参照)。
は、スパッタリング法や真空蒸着法などの方法で導電層を成膜した後、レジストマスクを
用いたエッチング処理によって不要な部分を除去することで形成される。エッチング処理
は、ウェット処理としても良いし、ドライ処理としても良いが、酸化物半導体層104の
表層部に結晶領域106を形成した場合には、当該結晶領域106がエッチング処理によ
って除去されないようにする必要がある。
酸をエッチャントに用いたウェットエッチング処理を適用すると良い。このように、導電
層108を構成する導電材料と、酸化物半導体材料とのエッチング選択比が十分に高い条
件でエッチング処理を行うことで、表層部の結晶領域106を残存させることが可能であ
る。
(図2(D)参照)。
る。成膜方法としては、CVD法(プラズマCVD法を含む)、スパッタリング法などが
ある。なお、絶縁層110の厚さは、半導体装置の特性に応じて適宜設定することができ
るが、10nm以上1μm以下とするのが好適である。
開口を形成した後に、導電層108と電気的に接続する導電層112、導電層102と電
気的に接続する導電層114、および、導電層116を形成する(図2(E)参照)。
きる。エッチング処理は、ウェット処理としても良いし、ドライ処理としても良い。
ることができる。すなわち、導電層112、導電層114、および、導電層116は、ス
パッタリング法や真空蒸着法などの方法で導電層を成膜した後、レジストマスクを用いた
エッチング処理によって不要な部分を除去することで形成される。エッチング処理は、ウ
ェット処理としても良いし、ドライ処理としても良い。
。本実施の形態で示したように、半導体層に酸化物半導体材料を用いることで、半導体装
置の耐圧向上などが実現される。特に、結晶領域を有する酸化物半導体層を用いることで
、半導体装置の耐圧を一層向上させることができる。また、酸化物半導体層は、スパッタ
リング法などの生産性の高い方法を用いて成膜されるため、半導体装置の生産性を高め、
製造コストを抑制することができる。
できる。
本実施の形態では、半導体装置およびその作製方法の別の一例について、図3および図4
を参照して説明する。なお、本実施の形態において説明する半導体装置は、多くの点で先
の実施の形態に係る半導体装置と共通している。このため、共通する部分については省略
し、主として相違点について説明する。
図3には、半導体装置の構成の別の一例を示す。図3(A)は断面図、図3(B)は平面
図に相当する。また、図3(A)は、図3(B)のA−B線における断面に対応している
。
100、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層102、酸化物半導
体層104、酸化物半導体層104中の結晶領域106、ソース電極またはドレイン電極
の他方として機能する導電層108、ゲート絶縁層として機能する絶縁層110、導電層
108と電気的に接続される導電層112、導電層102と電気的に接続される導電層1
14、ゲート電極として機能する導電層116、などを含む。
である。当該構成を採用する場合であっても、図1に示す半導体装置と同様に動作し、同
様の効果を得ることができる。
半導体装置の作製工程も、基本的には図2に示すものと同様である。以下、図4を参照し
て簡単に説明する。
の実施の形態を参酌できる。
る(図4(B)参照)。酸化物半導体層104の形成方法は、先の実施の形態と同様であ
るが、本実施の形態における酸化物半導体層104は、導電層102の一部を覆う態様で
形成されている点において、先の実施の形態に係る酸化物半導体層104とは異なってい
る。
酸化物半導体層(結晶領域を含む)を成膜した後に、当該酸化物半導体層をパターニング
することで得ることができる。パターニングは、レジストマスクを用いたエッチング処理
によって行うことが可能である。エッチング処理は、ウェット処理としても良いし、ドラ
イ処理としても良いが、結晶領域が残存する態様で行うのが好適である。
成する(図4(C)参照)。詳細については、先の実施の形態を参酌できる。
(図4(D)参照)。絶縁層110の詳細についても、先の実施の形態を参酌できる。
開口を形成した後に、導電層108と電気的に接続する導電層112、導電層102と電
気的に接続する導電層114、および、導電層116を形成する(図4(E)参照)。詳
細については、先の実施の形態を参酌できる。
。本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いること
ができる。
本実施の形態では、半導体装置およびその作製方法の別の一例について、図5および図6
を参照して説明する。なお、本実施の形態において説明する半導体装置は、多くの点で先
の実施の形態に係る半導体装置と共通している。このため、共通する部分については省略
し、主として相違点について説明する。
図5には、半導体装置の構成の別の一例を示す。図5(A)は断面図、図5(B)は平面
図に相当する。また、図5(A)は、図5(B)のA−B線における断面に対応している
。
電層109に置き換えたものに相当する。すなわち、図5に示す半導体装置は、基板10
0、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層109、酸化物半導体層
104、酸化物半導体層104中の結晶領域106、ソース電極またはドレイン電極の他
方として機能する導電層108、ゲート絶縁層として機能する絶縁層110、導電層10
8と電気的に接続される導電層112、導電層109と電気的に接続される導電層114
、ゲート電極として機能する導電層116、などを含む。
置き換えたことにより、すべての導電層が酸化物半導体層104上に設けられることにな
る。また、これにより、酸化物半導体層104表面の平坦性が向上する。
物半導体層104の表層部、すなわち、結晶領域106にのみキャリアが流れることにな
る。このため、結晶領域106の効果はより顕著なものとなる。
作製工程は、導電層102を形成しない点、導電層108と同様のタイミングで導電層1
09を形成する点、を除き図2や図4に示すものと同様である。以下、図6を参照して簡
単に説明する。
体層104の形成等に関する詳細については、先の実施の形態を参酌できる。
)参照)。導電層109は導電層108と同様に形成することができる。ここで、導電層
108および導電層109は、分離された状態で形成する点に留意すべきである。導電層
108の形成等に関する詳細については、先の実施の形態を参酌できる。
を形成する(図6(C)参照)。絶縁層110の詳細についても、先の実施の形態を参酌
できる。
開口を形成した後に、導電層108と電気的に接続する導電層112、導電層109と電
気的に接続する導電層114、および、導電層116を形成する(図6(D)参照)。詳
細については、先の実施の形態を参酌できる。
。本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いること
ができる。
本実施の形態では、いわゆるパワーMOSFETと、薄膜トランジスタとを、同一の基板
上に同様の工程で作製する方法の一例について、図7および図8を参照して説明する。な
お、以下では、パワーMOSFETとして、図1に示す半導体装置を形成する場合を例に
挙げて説明する。
加されたものに相当する。つまり、基本的な作製工程は図2に示すものと同様である。な
お、パワーMOSFETと薄膜トランジスタとでは、要求される特性が異なるのが一般的
であり、その大きさなどは要求に応じて適宜設定することが望ましい。この点、図7およ
び図8においてはパワーMOSFETと薄膜トランジスタを同程度のスケールで示してい
るが、これは理解の容易のためであり、現実の大きさの関係を規定するものではない。
の実施の形態を参酌できる。
ると共に、薄膜トランジスタの構成要素である、結晶領域206を含む酸化物半導体層2
04を形成する(図7(B)参照)。酸化物半導体層104および酸化物半導体層204
は、先の実施の形態に示す方法などに従って酸化物半導体層(結晶領域を含む)を成膜し
た後に、当該酸化物半導体層をパターニングすることで得られる。パターニングは、レジ
ストマスクを用いたエッチング処理によって行うことが可能である。エッチング処理は、
ウェット処理としても良いし、ドライ処理としても良いが、酸化物半導体層の結晶領域が
残存するように行うのが好適である。
すると共に、酸化物半導体層204上に導電層208および導電層209を形成する(図
7(C)参照)。ここで、導電層208は薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン
電極の一方として、導電層209は薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の
他方として機能する。導電層208および導電層209の作製工程は、導電層108の作
製工程と同様である。導電層108の作製工程の詳細は、先の実施の形態を参酌できる。
電層209を覆うように、絶縁層110を形成する(図8(A)参照)。絶縁層110は
、薄膜トランジスタのゲート絶縁層としても機能する。絶縁層110の作製工程の詳細は
、先の実施の形態を参酌できる。
8、導電層209に達する開口を形成した後に、導電層108と電気的に接続する導電層
112、導電層102と電気的に接続する導電層114、導電層116、導電層208と
電気的に接続する導電層212、導電層209と電気的に接続する導電層214、導電層
216、を形成する(図8(B)参照)。導電層212、導電層214、導電層216の
作製工程は、導電層112、導電層114、導電層116の作製工程と同様である。詳細
については、先の実施の形態を参酌できる。
製することができる。
の基板上に同様の工程で作製することができる。これにより、各種集積回路と、電力用回
路とを同一基板上に形成することが可能である。
スタの酸化物半導体層204とを、同一の工程で形成する場合を示したが、パワーMOS
FETと薄膜トランジスタとでは酸化物半導体層の厚さへの要求が異なる場合がある。こ
のため、酸化物半導体層104と酸化物半導体層204とは、異なる工程で作り分けても
良い。具体的には、酸化物半導体層の作製工程を二段階に分け、第1段階において酸化物
半導体層104または酸化物半導体層204の一方を作製し、第2段階において酸化物半
導体層104または酸化物半導体層204の他方を作製する方法や、厚い酸化物半導体層
をエッチング処理などで選択的に薄くして、酸化物半導体層104と酸化物半導体層20
4とを作製する方法、などがある。
その厚さが異なるように作り分けても良い。具体的には、絶縁層の作製工程を二段階に分
け、第1段階において酸化物半導体層104上の絶縁層または酸化物半導体層204上の
絶縁層の一方を作製し、第2段階において酸化物半導体層104上の絶縁層または酸化物
半導体層204上の絶縁層の他方を作製する方法や、厚い絶縁層をエッチング処理などで
選択的に薄くして、酸化物半導体層104上の絶縁層と酸化物半導体層204上の絶縁層
とを作製する方法、などがある。
できる。
本実施の形態では、開示する発明に係る半導体装置を用いた回路の一例について、図9お
よび図10を参照して説明する。なお、以下では、電力用回路(電力変換用回路など)の
一例であるDC−DCコンバータについて説明する。
Cコンバータの変換方式としては、リニア方式やスイッチング方式が代表的であるが、ス
イッチング方式のDC−DCコンバータは変換効率に優れるため、電子機器の省電力化を
行う際に用いると好適である。ここでは、スイッチング方式、特にチョッパ方式のDC−
DCコンバータについて説明する。
ファレンス電流生成回路304、エラーアンプ306、PWMバッファ308、三角波生
成回路310、コイル312、パワーMOSFET314、ダイオード316、コンデン
サ318、抵抗320、抵抗322などを含む。なお、ここでは、パワーMOSFET3
14として、n型のパワーMOSFETを用いる。
た、リファレンス電流生成回路304は、リファレンス電圧生成回路302で生成された
リファレンス電圧(Vref)を利用して、リファレンス電流(Iref)やバイアス電
流を生成する。
ef)とフィードバック電圧(VFB)の差を積分して、PWMバッファ308に出力す
る。三角波生成回路310は、リファレンス電圧(Vref)およびリファレンス電流(
Iref)から三角波を生成して、PWMバッファ308に出力する。
の三角波とを比較して、パルス信号をパワーMOSFET314に出力する。
314はオン状態となり、ダイオード316の入力側の電位は接地電位(低電位)となる
。このため、パルス信号が高電位の期間においては、出力電圧(VOUT)は徐々に減少
する。
FET314はオフ状態となり、ダイオード316の入力側の電位は上昇する。このため
、パルス信号が低電位の期間において、出力電圧(VOUT)は徐々に増大する。
く僅かなものであるから、DC−DCコンバータを採用することで、出力電圧を略一定に
保つことができる。
のスイッチングに起因する電流の変化を緩和するために設けられている。また、コンデン
サ318は、出力電圧(VOUT)の急激な変動を抑制するために設けられている。さら
に、抵抗320および抵抗322は、出力電圧(VOUT)からフィードバック電圧(V
FB)を生成するために設けられている。
には、エラーアンプ306からの出力波形352を、それぞれ示す。
350および出力波形352がPWMバッファ308に入力されると、PWMバッファ3
08はこれらを比較して、パルス信号354を生成する。そして、当該パルス信号354
はパワーMOSFET314に出力され、出力電圧(VOUT)が決定される。
適用することが可能である。開示する発明に係るパワーMOSFETは耐圧が高く、これ
を用いたDC−DCコンバータの信頼性を高めることができる。また、開示する発明に係
るパワーMOSFETは製造コストが抑制されているため、これを用いたDC−DCコン
バータの製造コストも抑制される。このように、開示する発明に係る半導体装置を電子回
路に用いることで、信頼性の向上、製造コストの低減などのメリットを享受できる。
を用いた電力用回路の一例に過ぎず、開示する発明の半導体装置をその他の回路に用いる
ことは、当然に可能である。本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態と適
宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、開示する発明の半導体装置を用いて構成されるインバータを備えた太
陽光発電システムの一例について、図11を参照して説明する。なお、ここでは、住宅等
に設置される太陽光発電システムの構成の一例について示す。
式を変更するシステムである。例えば、晴天時など太陽光発電が行われる状況においては
、太陽光発電により生じた電力を家庭内で消費し、また、余剰電力は電力会社からの配電
線414に供給する。一方、太陽光発電による電力が不足する夜間や雨天時には、配電線
414から電気の供給を受けて、それを家庭内で消費する。
パネル400や、その電力を直流から交流に変換するインバータ404などを含む。イン
バータ404から出力される交流電力は、各種の電気器具410を動作させる電力として
使用される。
用して電力の売却が可能である。直流開閉器402は、太陽電池パネル400とインバー
タ404との接続または遮断を選択するために設けられている。また、交流開閉器408
は、配電線414と接続されるトランス412と、分電盤406との接続または遮断を選
択するために設けられている。
な太陽光発電システムを実現することができる。
できる。
本実施の形態では、半導体装置としてのトランジスタ(特に、薄膜トランジスタ)および
その作製方法の一例について、図12および図13を用いて説明する。なお、以下におい
て説明する半導体装置は、表層部に結晶領域を有する酸化物半導体層を用い、二つの導電
層を用いて電流を制御する、新たな構造の半導体装置である。
に選択的にレジストマスク504を形成した後、該レジストマスク504を用いて導電層
502を選択的にエッチングすることで、導電層506を形成する(図12(B)参照)
。そして、レジストマスク504を除去した後に、導電層506を覆うように絶縁層50
8を形成する(図12(C)参照)。ここで、導電層506は、酸化物半導体層中の電界
を制御する役割を有する。また、導電層506は、トランジスタの動作に悪影響を与える
外部電界を遮蔽する役割を有する。上記要素を構成する材料、作製方法などについては、
先の実施の形態(例えば、実施の形態1乃至実施の形態3等)を参酌できる。
ついて説明しているが、導電層506は基板上の全面に形成してもよい。または、酸化物
半導体層の下部全面に形成されても良い。
導体層510上に選択的にレジストマスク512を形成した後、該レジストマスク512
を用いて酸化物半導体層510を選択的にエッチングすることで、酸化物半導体層514
を形成する(図12(E)参照)。なお、酸化物半導体層514を形成した後には、レジ
ストマスク512は除去する。酸化物半導体層の詳細については、先の実施の形態を参酌
できる。また、その他の要素の詳細についても先の実施の形態を参酌できる。酸化物半導
体層510の厚さは、目的とする特性に応じて適宜設定することができるが、薄膜トラン
ジスタの用途に用いる場合には、例えば、20nm乃至2μm程度とするのが好適である
。
導電層516上に選択的にレジストマスク518およびレジストマスク520を形成した
後、該レジストマスクを用いて導電層516を選択的にエッチングして、ソース電極また
はドレイン電極の一方として機能する導電層522およびソース電極またはドレイン電極
の他方として機能する導電層524を形成する(図13(A)参照)。なお、導電層52
2および導電層524を形成した後には、レジストマスク518およびレジストマスク5
20は除去する。上記要素の詳細については、先の実施の形態を参照できる。
として機能する絶縁層526を形成する(図13(B)参照)。そして、絶縁層526上
に導電層528を成膜し(図13(C)参照)、導電層528上に選択的にレジストマス
ク530を形成した後、該レジストマスク530を用いて導電層528を選択的にエッチ
ングすることで、ゲート電極として機能する導電層532を形成する(図13(D)参照
)。なお、導電層532を形成した後には、レジストマスク530は除去する。上記要素
の詳細については、先の実施の形態を参照できる。
層508上の、導電層506の一部と重畳し表層部に結晶領域を有する酸化物半導体層5
14と、酸化物半導体層514に接する導電層522および導電層524と、酸化物半導
体層514、導電層522、および導電層524を覆う絶縁層526と、絶縁層526上
の、酸化物半導体層514の一部と重畳する導電層532と、を有するトランジスタ55
0が提供される(図13(E)参照)。なお、トランジスタ550は、表層部に結晶領域
を有する酸化物半導体層を用い、二つの導電層を用いて電流を制御する点において新規な
半導体装置ということができる。
て半導体装置を作製することにより、酸化物半導体層中への不純物(例えば水素(水を含
む)など)の取り込みを抑制することが可能である。このため、半導体装置の信頼性を向
上させることができる。
により、良好な電気特性の半導体装置を提供することが可能である。
層を有する構成を採用することで、外部の電界を遮蔽し、半導体装置における外部電界の
影響を緩和することができる。これにより、酸化物半導体層の基板側に電荷が蓄積される
ことに起因する寄生チャネルの発生や、しきい値電圧の変動を防ぐことができる。
合わせて用いることができる。
本実施の形態では、半導体装置としてのトランジスタおよびその作製方法の別の一例につ
いて、図14および図15を用いて説明する。
に選択的にレジストマスク604を形成した後、該レジストマスク604を用いて導電層
602を選択的にエッチングすることで、導電層606を形成する(図14(B)参照)
。そして、レジストマスク604を除去した後に、導電層606を覆うように絶縁層60
8を形成する(図14(C)参照)。ここで、導電層606は、酸化物半導体層中の電界
を制御する役割を有する。また、導電層606は、トランジスタの動作に悪影響を与える
外部電界を遮蔽する役割を有する。上記要素を構成する材料、作製方法などについては、
先の実施の形態(例えば、実施の形態1乃至実施の形態3等)を参酌できる。
ついて説明しているが、導電層606は基板上の全面に形成してもよい。または、酸化物
半導体層の下部全面に形成されても良い。
選択的にレジストマスク612およびレジストマスク614を形成した後、該レジストマ
スクを用いて導電層610を選択的にエッチングして、ソース電極またはドレイン電極の
一方として機能する導電層616およびソース電極またはドレイン電極の他方として機能
する導電層618を形成する(図14(E)参照)。なお、導電層616および導電層6
18を形成した後には、レジストマスク612およびレジストマスク614は除去する。
上記要素の詳細については、先の実施の形態を参照できる。
14(F)参照)、酸化物半導体層620上に選択的にレジストマスク622を形成した
後、該レジストマスク622を用いて酸化物半導体層620を選択的にエッチングするこ
とで、酸化物半導体層624を形成する(図15(A)参照)。なお、酸化物半導体層6
24を形成した後には、レジストマスク622は除去する。酸化物半導体層の詳細につい
ては、先の実施の形態を参酌できる。また、その他の要素の詳細についても先の実施の形
態を参酌できる。酸化物半導体層620の厚さは、目的とする特性に応じて適宜設定する
ことができるが、薄膜トランジスタの用途に用いる場合には、例えば、20nm乃至2μ
m程度とするのが好適である。
として機能する絶縁層626を形成する(図15(B)参照)。そして、絶縁層626上
に導電層628を成膜し(図15(C)参照)、導電層628上に選択的にレジストマス
ク630を形成した後、該レジストマスク630を用いて導電層628を選択的にエッチ
ングすることで、ゲート電極として機能する導電層632を形成する(図15(D)参照
)。なお、導電層632を形成した後には、レジストマスク630は除去する。上記要素
の詳細については、先の実施の形態を参照できる。
層608上の、導電層606の一部と重畳し表層部に結晶領域を有する酸化物半導体層6
24と、酸化物半導体層624に接する導電層616および導電層618と、酸化物半導
体層624、導電層616、および導電層618を覆う絶縁層626と、絶縁層626上
の、酸化物半導体層624の一部と重畳する導電層632と、を有するトランジスタ65
0が提供される(図15(E)参照)。なお、トランジスタ650は、表層部に結晶領域
を有する酸化物半導体層を用い、二つの導電層を用いて電流を制御する点において新規な
半導体装置ということができる。
て半導体装置を作製することにより、酸化物半導体層中への不純物(例えば水素(水を含
む)など)の取り込みを抑制することが可能である。このため、半導体装置の信頼性を向
上させることができる。
により、良好な電気特性の半導体装置を提供することが可能である。
層を有する構成を採用することで、外部の電界を遮蔽し、半導体装置における外部電界の
影響を緩和することができる。これにより、酸化物半導体層の基板側に電荷が蓄積される
ことに起因する寄生チャネルの発生や、しきい値電圧の変動を防ぐことができる。
合わせて用いることができる。
本実施の形態では、いわゆるパワーMOSFETと、薄膜トランジスタとを、同一の基板
上に同様の工程で作製する方法の別の一例について、図16および図17を参照して説明
する。なお、本実施の形態における半導体装置の作製工程は、多くの部分で先の実施の形
態と共通しているから、以下においては、重複する部分の説明は省略する。
導体層中の電界を制御する導電層を形成する点で、先の実施の形態に示した半導体装置の
作製工程とは異なる。
る導電層202を形成し、その後、導電層202を覆う絶縁層203を形成する(図16
(A)参照)。詳細については、先の実施の形態(例えば、実施の形態4など)を参酌で
きる。なお、導電層202は、導電層102と同様の工程で形成されるものであり、酸化
物半導体層中の電界を制御する役割を有する。なお、導電層102は絶縁層203に覆わ
れていないことが好適であるが、このような絶縁層203は、基板100上に絶縁層を形
成した後のパターニングなどの方法によって形成することができる。
ると共に、絶縁層203上に結晶領域206を含む酸化物半導体層204を形成する(図
16(B)参照)。そして、酸化物半導体層104上の導電層102と重畳しない領域に
導電層108を形成すると共に、酸化物半導体層204上に導電層208および導電層2
09を形成する(図16(C)参照)。詳細については、先の実施の形態を参酌できる。
酸化物半導体層104、導電層108、酸化物半導体層204、導電層208、導電層2
09を覆うように、絶縁層110を形成し(図17(A)参照)、絶縁層110等を選択
的に除去して、導電層102、導電層108、導電層202、導電層208、導電層20
9などに達する開口を形成した後に、導電層108と電気的に接続する導電層112、導
電層102と電気的に接続する導電層114、導電層116、導電層202と電気的に接
続する導電層(図示せず)、導電層208と電気的に接続する導電層212、導電層20
9と電気的に接続する導電層214、導電層216、などを形成する(図17(B)参照
)。なお、導電層202と導電層216とは、電気的に接続していても良いが、電界を制
御するためには、電気的に接続している必要はない。例えば、導電層202の電位として
は、フローティング電位、固定電位、導電層216とは異なる態様で変動する電位、のい
ずれを採用することも可能である。
製することができる。
半導体層の下部に導電層を有する構成を採用することで、外部の電界を遮蔽し、半導体装
置における外部電界の影響を緩和することができる。これにより、酸化物半導体層の基板
側に電荷が蓄積されることに起因する寄生チャネルの発生や、しきい値電圧の変動を防ぐ
ことができる。
できる。
本実施の形態では、いわゆるパワーMOSFETと、薄膜トランジスタとを、同一の基板
上に同様の工程で作製する方法の別の一例について、図18および図19を参照して説明
する。なお、本実施の形態における半導体装置の作製工程は、多くの部分で先の実施の形
態と共通しているから、以下においては、重複する部分の説明は省略する。
導体層の下部にも電界を制御する導電層を形成する点で、先の実施の形態に示した半導体
装置の作製工程とは異なる。
スタの構成要素である導電層202を形成し、その後、導電層103および導電層202
を覆う絶縁層203を形成する(図18(A)参照)。詳細については、先の実施の形態
(例えば、実施の形態4など)を参酌できる。なお、導電層103および導電層202は
、導電層102と同様の工程で形成されるものであり、酸化物半導体層中の電界を制御す
る役割を有する。なお、導電層102は絶縁層203に覆われていないことが好適である
が、このような絶縁層203は、基板100上に絶縁層を成膜した後のパターニングなど
の方法によって形成することができる。
体層104を形成すると共に、絶縁層203上に結晶領域206を含む酸化物半導体層2
04を形成し(図18(B)参照)、酸化物半導体層104上の導電層102と重畳しな
い領域に導電層108を形成すると共に、酸化物半導体層204上に導電層208および
導電層209を形成する(図18(C)参照)。詳細については、先の実施の形態(例え
ば、実施の形態4など)を参酌できる。
る。すなわち、酸化物半導体層104、導電層108、酸化物半導体層204、導電層2
08、導電層209を覆うように、絶縁層110を形成し(図19(A)参照)、絶縁層
110等を選択的に除去して、導電層102、導電層103、導電層108、導電層20
2、導電層208、導電層209などに達する開口を形成した後に、導電層108と電気
的に接続する導電層112、導電層102と電気的に接続する導電層114、導電層10
3と電気的に接続する導電層(図示せず)、導電層116、導電層202と電気的に接続
する導電層(図示せず)、導電層208と電気的に接続する導電層212、導電層209
と電気的に接続する導電層214、導電層216、などを形成する(図19(B)参照)
。なお、導電層103と導電層116、または、導電層202と導電層216は、電気的
に接続していても良いが、電界を制御するためには、電気的に接続している必要はない。
例えば、導電層103や導電層202の電位としては、フローティング電位、固定電位、
導電層116や導電層216とは異なる態様で変動する電位、のいずれを採用することも
可能である。
製することができる。
半導体層の下部に導電層を有する構成を採用することで、外部の電界を遮蔽し、半導体装
置における外部電界の影響を緩和することができる。これにより、酸化物半導体層の基板
側に電荷が蓄積されることに起因する寄生チャネルの発生や、しきい値電圧の変動を防ぐ
ことができる。
できる。
102 導電層
103 導電層
104 酸化物半導体層
106 結晶領域
108 導電層
109 導電層
110 絶縁層
112 導電層
114 導電層
116 導電層
202 導電層
203 絶縁層
204 酸化物半導体層
206 結晶領域
208 導電層
209 導電層
212 導電層
214 導電層
216 導電層
300 電源
302 リファレンス電圧生成回路
304 リファレンス電流生成回路
306 エラーアンプ
308 PWMバッファ
310 三角波生成回路
312 コイル
314 パワーMOSFET
316 ダイオード
318 コンデンサ
320 抵抗
322 抵抗
350 三角波
352 出力波形
354 パルス信号
400 太陽電池パネル
402 直流開閉器
404 インバータ
406 分電盤
408 交流開閉器
410 電気器具
412 トランス
414 配電線
500 基板
502 導電層
504 レジストマスク
506 導電層
508 絶縁層
510 酸化物半導体層
512 レジストマスク
514 酸化物半導体層
516 導電層
518 レジストマスク
520 レジストマスク
522 導電層
524 導電層
526 絶縁層
528 導電層
530 レジストマスク
532 導電層
550 トランジスタ
600 基板
602 導電層
604 レジストマスク
606 導電層
608 絶縁層
610 導電層
612 レジストマスク
614 レジストマスク
616 導電層
618 導電層
620 酸化物半導体層
622 レジストマスク
624 酸化物半導体層
626 絶縁層
628 導電層
630 レジストマスク
632 導電層
650 トランジスタ
Claims (4)
- 基板上に第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層上に第1の絶縁層を形成し、
前記第1の絶縁層上に、前記第1の導電層と重なる領域を有する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に加熱処理を行い、
前記酸化物半導体層と接する領域を有する第2の導電層と、前記酸化物半導体層と接する領域を有する第3の導電層と、を形成し、
前記酸化物半導体層上、前記第2の導電層上、及び前記第3の導電層上に、第2の絶縁層を形成し、
前記第2の絶縁層上に、前記酸化物半導体層と重なる領域を有する第4の導電層を形成し、
前記第4の導電層は、前記第2の導電層と重なる領域と、前記第3の導電層と重なる領域と、を有し、
前記加熱処理において、前記酸化物半導体層の結晶性が高められ、
前記酸化物半導体層は、第1の領域と、前記第1の領域上の第2の領域と、を有し、
前記第2の領域は結晶を有し、
前記結晶のc軸は、前記第2の絶縁層の表面に対して略垂直であり、
前記第1の領域の結晶性は、前記第2の領域の結晶性よりも低く、
前記第2の領域に含まれる金属元素は、全て前記第1の領域に含まれており、前記第1の領域に含まれる金属元素は、全て前記第2の領域に含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層上に第1の絶縁層を形成し、
前記第1の絶縁層上に、前記第1の導電層と重なる領域を有する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に加熱処理を行い、
前記酸化物半導体層と接する領域を有する第2の導電層と、前記酸化物半導体層と接する領域を有する第3の導電層と、を形成し、
前記酸化物半導体層上、前記第2の導電層上、及び前記第3の導電層上に、第2の絶縁層を形成し、
前記第2の絶縁層上に、前記酸化物半導体層と重なる領域を有する第4の導電層を形成し、
前記第4の導電層は、前記第2の導電層と重なる領域と、前記第3の導電層と重なる領域と、を有し、
前記加熱処理において、前記酸化物半導体層に含まれる水素の少なくとも一部が除去され、
前記酸化物半導体層は、第1の領域と、前記第1の領域上の第2の領域と、を有し、
前記第2の領域は結晶を有し、
前記結晶のc軸は、前記第2の絶縁層の表面に対して略垂直であり、
前記第1の領域の結晶性は、前記第2の領域の結晶性よりも低く、
前記第2の領域に含まれる金属元素は、全て前記第1の領域に含まれており、前記第1の領域に含まれる金属元素は、全て前記第2の領域に含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1又は2において、
前記加熱処理は、500℃以上で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、In−Ga−Zn−O系のターゲットを用いてスパッタリング法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015024433A JP5893182B2 (ja) | 2009-10-09 | 2015-02-10 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009235604 | 2009-10-09 | ||
JP2009235604 | 2009-10-09 | ||
JP2015024433A JP5893182B2 (ja) | 2009-10-09 | 2015-02-10 | 半導体装置の作製方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010226397A Division JP5697396B2 (ja) | 2009-10-09 | 2010-10-06 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016032047A Division JP6126713B2 (ja) | 2009-10-09 | 2016-02-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015122531A true JP2015122531A (ja) | 2015-07-02 |
JP5893182B2 JP5893182B2 (ja) | 2016-03-23 |
Family
ID=43854111
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010226397A Active JP5697396B2 (ja) | 2009-10-09 | 2010-10-06 | 半導体装置 |
JP2015024433A Active JP5893182B2 (ja) | 2009-10-09 | 2015-02-10 | 半導体装置の作製方法 |
JP2016032047A Active JP6126713B2 (ja) | 2009-10-09 | 2016-02-23 | 半導体装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010226397A Active JP5697396B2 (ja) | 2009-10-09 | 2010-10-06 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016032047A Active JP6126713B2 (ja) | 2009-10-09 | 2016-02-23 | 半導体装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9006728B2 (ja) |
EP (1) | EP2486593B1 (ja) |
JP (3) | JP5697396B2 (ja) |
KR (3) | KR101820972B1 (ja) |
CN (1) | CN102576737B (ja) |
TW (2) | TWI595648B (ja) |
WO (1) | WO2011043170A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101820972B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2018-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101945301B1 (ko) | 2009-10-16 | 2019-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 장치 |
KR102378013B1 (ko) | 2009-11-06 | 2022-03-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
CN102648525B (zh) | 2009-12-04 | 2016-05-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
KR101921619B1 (ko) | 2009-12-28 | 2018-11-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US8803143B2 (en) * | 2010-10-20 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor including buffer layers with high resistivity |
US8829512B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8709889B2 (en) * | 2011-05-19 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
KR102546888B1 (ko) * | 2011-06-17 | 2023-06-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 |
JP6116149B2 (ja) | 2011-08-24 | 2017-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8698137B2 (en) | 2011-09-14 | 2014-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9112037B2 (en) * | 2012-02-09 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9312390B2 (en) | 2012-07-05 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Remote control system |
JP2014045175A (ja) | 2012-08-02 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US10529740B2 (en) * | 2013-07-25 | 2020-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer |
US20150177311A1 (en) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Intermolecular, Inc. | Methods and Systems for Evaluating IGZO with Respect to NBIS |
TWI535034B (zh) * | 2014-01-29 | 2016-05-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構及其製作方法 |
US9722090B2 (en) * | 2014-06-23 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate |
JP6448311B2 (ja) * | 2014-10-30 | 2019-01-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050275038A1 (en) * | 2004-06-14 | 2005-12-15 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006237587A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-09-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP2007123861A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2007529117A (ja) * | 2004-03-12 | 2007-10-18 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 二元酸化物の混合物を含むチャネルを有する半導体デバイス |
JP2009167087A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-30 | Fujifilm Corp | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP2009224479A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
Family Cites Families (198)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JP2653092B2 (ja) * | 1988-03-25 | 1997-09-10 | セイコーエプソン株式会社 | 相補型薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2963529B2 (ja) | 1990-10-29 | 1999-10-18 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH07176749A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
JP3947575B2 (ja) | 1994-06-10 | 2007-07-25 | Hoya株式会社 | 導電性酸化物およびそれを用いた電極 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
KR100394896B1 (ko) * | 1995-08-03 | 2003-11-28 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 투명스위칭소자를포함하는반도체장치 |
JPH0996836A (ja) | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JP3625598B2 (ja) * | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US6211928B1 (en) * | 1996-03-26 | 2001-04-03 | Lg Electronics Inc. | Liquid crystal display and method for manufacturing the same |
DE19712233C2 (de) | 1996-03-26 | 2003-12-11 | Lg Philips Lcd Co | Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür |
US6001539A (en) | 1996-04-08 | 1999-12-14 | Lg Electronics, Inc. | Method for manufacturing liquid crystal display |
US6188452B1 (en) * | 1996-07-09 | 2001-02-13 | Lg Electronics, Inc | Active matrix liquid crystal display and method of manufacturing same |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3716755B2 (ja) | 2001-04-05 | 2005-11-16 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP3694737B2 (ja) | 2001-07-27 | 2005-09-14 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
EP1443130B1 (en) * | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) * | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US6885146B2 (en) * | 2002-03-14 | 2005-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates |
JP4515035B2 (ja) | 2002-03-14 | 2010-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
US7049190B2 (en) * | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) * | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP5072184B2 (ja) | 2002-12-12 | 2012-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US20050031799A1 (en) | 2003-06-25 | 2005-02-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Process for preparing radiation image storage panel |
US7262463B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
EP1737044B1 (en) | 2004-03-12 | 2014-12-10 | Japan Science and Technology Agency | Amorphous oxide and thin film transistor |
JP2006100760A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) * | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) * | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
KR101074389B1 (ko) * | 2004-11-05 | 2011-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 식각 방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법 |
US7829444B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
KR100669752B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 구비한평판표시장치 |
US7453065B2 (en) * | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
EP1812969B1 (en) * | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
CN101057333B (zh) * | 2004-11-10 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 发光器件 |
US7863611B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7791072B2 (en) * | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7868326B2 (en) * | 2004-11-10 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor |
DE602005025074D1 (de) * | 2004-12-08 | 2011-01-13 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Methode zur Herstellung einer Leiterstruktur eines Dünnfilmtransistors |
KR100662790B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2007-01-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
US7579224B2 (en) * | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
US7655566B2 (en) * | 2005-07-27 | 2010-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5036241B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2012-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR100711890B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4560502B2 (ja) | 2005-09-06 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
EP3614442A3 (en) * | 2005-09-29 | 2020-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
JP4560505B2 (ja) | 2005-11-08 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
KR101117948B1 (ko) * | 2005-11-15 | 2012-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 제조 방법 |
US7998372B2 (en) | 2005-11-18 | 2011-08-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Semiconductor thin film, method for manufacturing the same, thin film transistor, and active-matrix-driven display panel |
JP5376750B2 (ja) | 2005-11-18 | 2013-12-25 | 出光興産株式会社 | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル |
TWI292281B (en) * | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) * | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP5015473B2 (ja) | 2006-02-15 | 2012-08-29 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタアレイ及びその製法 |
JP2007250982A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Canon Inc | 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
JP5060738B2 (ja) | 2006-04-28 | 2012-10-31 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 画像表示装置 |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
CN101356652B (zh) | 2006-06-02 | 2012-04-18 | 日本财团法人高知县产业振兴中心 | 包括由氧化锌构成的氧化物半导体薄膜层的半导体器件及其制造方法 |
US20070287221A1 (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-13 | Xerox Corporation | Fabrication process for crystalline zinc oxide semiconductor layer |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
KR101183361B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2012-09-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
JP5328083B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2013-10-30 | キヤノン株式会社 | 酸化物のエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4919738B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5128792B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2013-01-23 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタの製法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) * | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7767595B2 (en) * | 2006-10-26 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP5227563B2 (ja) | 2006-10-26 | 2013-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7772021B2 (en) * | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
US8436349B2 (en) | 2007-02-20 | 2013-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin-film transistor fabrication process and display device |
JP4910779B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2012-04-04 | 凸版印刷株式会社 | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP5244331B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2013-07-24 | 出光興産株式会社 | 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット |
JP5465825B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2014-04-09 | 出光興産株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び表示装置 |
JP2008276212A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-11-13 | Fujifilm Corp | 有機電界発光表示装置 |
JP5197058B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 発光装置とその作製方法 |
WO2008126879A1 (en) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus and production method thereof |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
US8274078B2 (en) * | 2007-04-25 | 2012-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxynitride semiconductor containing zinc |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5241143B2 (ja) | 2007-05-30 | 2013-07-17 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7935964B2 (en) * | 2007-06-19 | 2011-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same |
US8354674B2 (en) | 2007-06-29 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer |
KR20090002841A (ko) * | 2007-07-04 | 2009-01-09 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR100889688B1 (ko) | 2007-07-16 | 2009-03-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 반도체 활성층 제조 방법, 그를 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법 및 반도체 활성층을 구비하는 박막 트랜지스터 |
JP4759598B2 (ja) | 2007-09-28 | 2011-08-31 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた表示装置 |
JP2009099847A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Canon Inc | 薄膜トランジスタとその製造方法及び表示装置 |
TW200921226A (en) * | 2007-11-06 | 2009-05-16 | Wintek Corp | Panel structure and manufacture method thereof |
KR101594335B1 (ko) * | 2007-12-03 | 2016-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP5264197B2 (ja) * | 2008-01-23 | 2013-08-14 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ |
US8586979B2 (en) | 2008-02-01 | 2013-11-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductor transistor and method of manufacturing the same |
KR100870838B1 (ko) | 2008-03-04 | 2008-11-28 | 한국철강 주식회사 | 투명전극이 코팅된 기판의 수분 제거방법 |
KR101461127B1 (ko) * | 2008-05-13 | 2014-11-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101497425B1 (ko) * | 2008-08-28 | 2015-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9082857B2 (en) * | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
WO2010029866A1 (en) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR101722913B1 (ko) * | 2008-09-12 | 2017-04-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP4623179B2 (ja) * | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
KR101827333B1 (ko) * | 2008-09-19 | 2018-02-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
KR102094683B1 (ko) | 2008-09-19 | 2020-03-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
EP2172977A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR101435501B1 (ko) | 2008-10-03 | 2014-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
JP5451280B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5361651B2 (ja) * | 2008-10-22 | 2013-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP2180518B1 (en) | 2008-10-24 | 2018-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR102095625B1 (ko) * | 2008-10-24 | 2020-03-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP5616012B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2010047288A1 (en) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductordevice |
KR101667909B1 (ko) | 2008-10-24 | 2016-10-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
US8741702B2 (en) * | 2008-10-24 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR102149626B1 (ko) * | 2008-11-07 | 2020-08-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR102025505B1 (ko) | 2008-11-21 | 2019-09-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP5564331B2 (ja) | 2009-05-29 | 2014-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2011071476A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-04-07 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを用いた表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法 |
KR101988341B1 (ko) | 2009-09-04 | 2019-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법 |
KR102246529B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2021-04-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101823852B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2018-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 표시 장치 |
KR102321565B1 (ko) * | 2009-09-24 | 2021-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
CN102648524B (zh) * | 2009-10-08 | 2015-09-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件、显示装置和电子电器 |
EP2486594B1 (en) * | 2009-10-08 | 2017-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor device |
KR101820972B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2018-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101680047B1 (ko) | 2009-10-14 | 2016-11-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
SG188112A1 (en) | 2009-10-30 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Lab | Logic circuit and semiconductor device |
KR102378013B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2022-03-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR102223595B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2021-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
WO2011065210A1 (en) * | 2009-11-28 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device |
KR101824124B1 (ko) * | 2009-11-28 | 2018-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR102426613B1 (ko) * | 2009-11-28 | 2022-07-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2011065216A1 (en) * | 2009-11-28 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device |
KR20120099475A (ko) * | 2009-12-04 | 2012-09-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR102333270B1 (ko) | 2009-12-04 | 2021-12-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN102648525B (zh) | 2009-12-04 | 2016-05-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
KR101945171B1 (ko) | 2009-12-08 | 2019-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9911858B2 (en) | 2010-12-28 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8829512B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI642193B (zh) * | 2012-01-26 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
US9362417B2 (en) * | 2012-02-03 | 2016-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9859114B2 (en) * | 2012-02-08 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer |
US20130221345A1 (en) * | 2012-02-28 | 2013-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
2010
- 2010-09-09 KR KR1020127009196A patent/KR101820972B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-09 KR KR1020127018502A patent/KR101396096B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-09 CN CN201080046496.6A patent/CN102576737B/zh active Active
- 2010-09-09 WO PCT/JP2010/065990 patent/WO2011043170A1/en active Application Filing
- 2010-09-09 EP EP10821841.3A patent/EP2486593B1/en not_active Not-in-force
- 2010-09-09 KR KR1020187001272A patent/KR101959693B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-27 TW TW104127323A patent/TWI595648B/zh active
- 2010-09-27 TW TW099132603A patent/TWI508185B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-09-30 US US12/894,911 patent/US9006728B2/en active Active
- 2010-10-06 JP JP2010226397A patent/JP5697396B2/ja active Active
-
2014
- 2014-02-18 US US14/182,726 patent/US8999751B2/en active Active
-
2015
- 2015-02-10 JP JP2015024433A patent/JP5893182B2/ja active Active
- 2015-04-02 US US14/677,180 patent/US9349791B2/en active Active
-
2016
- 2016-02-23 JP JP2016032047A patent/JP6126713B2/ja active Active
- 2016-05-12 US US15/153,119 patent/US9941413B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007529117A (ja) * | 2004-03-12 | 2007-10-18 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 二元酸化物の混合物を含むチャネルを有する半導体デバイス |
US20050275038A1 (en) * | 2004-06-14 | 2005-12-15 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006237587A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-09-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP2007123861A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2009167087A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-30 | Fujifilm Corp | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP2009224479A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011043170A1 (en) | 2011-04-14 |
JP5893182B2 (ja) | 2016-03-23 |
CN102576737B (zh) | 2015-10-21 |
EP2486593A4 (en) | 2014-04-23 |
JP2016122857A (ja) | 2016-07-07 |
KR20120093871A (ko) | 2012-08-23 |
JP2011100992A (ja) | 2011-05-19 |
US20150279929A1 (en) | 2015-10-01 |
KR20180009385A (ko) | 2018-01-26 |
KR101820972B1 (ko) | 2018-01-22 |
EP2486593A1 (en) | 2012-08-15 |
KR101396096B1 (ko) | 2014-05-15 |
US20140162402A1 (en) | 2014-06-12 |
US9349791B2 (en) | 2016-05-24 |
TWI508185B (zh) | 2015-11-11 |
US20160260839A1 (en) | 2016-09-08 |
EP2486593B1 (en) | 2017-02-01 |
JP5697396B2 (ja) | 2015-04-08 |
KR20120099491A (ko) | 2012-09-10 |
US9006728B2 (en) | 2015-04-14 |
KR101959693B1 (ko) | 2019-03-18 |
US9941413B2 (en) | 2018-04-10 |
TWI595648B (zh) | 2017-08-11 |
JP6126713B2 (ja) | 2017-05-10 |
TW201601309A (zh) | 2016-01-01 |
US8999751B2 (en) | 2015-04-07 |
TW201130057A (en) | 2011-09-01 |
CN102576737A (zh) | 2012-07-11 |
US20110084263A1 (en) | 2011-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6126713B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6170221B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6636582B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2012256838A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5893182 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |