CN101677111A - 半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法 - Google Patents

半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101677111A
CN101677111A CN200910205017A CN200910205017A CN101677111A CN 101677111 A CN101677111 A CN 101677111A CN 200910205017 A CN200910205017 A CN 200910205017A CN 200910205017 A CN200910205017 A CN 200910205017A CN 101677111 A CN101677111 A CN 101677111A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode layer
semiconductor device
semiconductor
indium tin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200910205017A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101677111B (zh
Inventor
伊佐敏行
森末将文
川俣郁子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of CN101677111A publication Critical patent/CN101677111A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101677111B publication Critical patent/CN101677111B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
    • H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

本发明涉及半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法，其目的在于提供提高材料的使用效率且简化制造步骤的半导体装置、显示装置以及其制造技术。此外，另一个目的在于提供将构成这些半导体装置、显示装置的布线等的图形以高控制性形成为所希望的形状的技术。在喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成具有连续波状形状的侧端部分的导电层。

Description

半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法
本申请是申请日为2006年1月23日申请号为第200610006916.3号发明名称为“半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及使用印刷法的半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法。
背景技术
薄膜晶体管(下文中也称作“TFT”)和采用该薄膜晶体管的电子电路是以如下方法制造的：在衬底上叠放例如半导体、绝缘体、导体等各种类型的薄膜，之后适当地用光刻技术形成预定图形。光刻技术是利用光将被称为光掩模的电路等的图形转印到目标衬底上的一种技术，所述电路等的图形是在透明平板表面上用不透光的材料形成的。该技术已经广泛应用在半导体集成电路等的制造工艺中。
在应用常规光刻技术的制造工艺中，仅处理用被称作光抗蚀剂的光敏有机树脂材料形成的掩模图形就包括曝光、显影、烘焙、剥离等多级工艺。因此，光刻法步骤的数目越多，制造成本越不可避免地增加。为了解决上述问题，已经设法减少光刻步骤数目来制造TFT(例如，参考专利文献1)。
[专利文件1]
日本专利公开No.H11-251259
发明内容
本发明的目的在于提供一种技术，该技术在制作TFT、使用TFT的电子电路、以及由TFT形成的显示装置以及半导体装置中，能够实现光刻步骤数目的减少以及制造步骤的简化，而且即使是例如一边长超过1m的大面积衬底也能够实现低成本和高成品率。
本发明的另一个目的在于提供一种将构成该半导体装置、显示装置的布线等的构成物形成为又复杂又微细的形状的技术。
在本发明中，将液状组合物向润湿性被控制的被形成区域上附着几次，然后通过烘焙、干燥等来固化以形成导电层或用作形成导电层时的掩模层等的绝缘层。如将组合物分为数次喷射，则不会产生液滴的凝集等，从而可以形成为没有断线的稳定的图形形状。这样形成的导电层、绝缘层的形状由于之后喷射的液滴因形成区域的润湿性不同而不留在着落位置且移动到润湿性高的区域，所以成为稳定、连续的导电层或绝缘层。
在本发明中，如上所述地以多次喷射步骤形成连续的导电层。在第一喷射步骤中，含有导电性材料的组合物液滴附着到被形成区域，来在一条线上以一定间隔形成岛形状的第一导电层。第一导电层大致为反映液滴形状的圆形，其中心存在于直线的第一中心线上。接着，进行第二喷射步骤，以填埋、连接第一导电层之间。第二喷射步骤也是在一条线上以一定间隔喷射组合物的液滴。此时，使在第二喷射步骤中喷射的液滴中心与上述第一中心线上不重叠地(不一致)、也就是错开地喷射。因此，连接第二喷射步骤的液滴中心的第二中心线以一定间隔平行于第一中心线。
由于第一喷射步骤的液滴的第一中心线和第二喷射步骤的液滴的第二中心线以一定间隔平行，所以被形成的导电层的侧端部分具有连续的波状图形，成为左右弯曲的导电层。因此，成为锯齿形的布线(导电层)。
此外，在本发明中形成的导电层(布线)或绝缘层除了侧端部分以外膜厚也有不同厚度，并且其表面上具有反映液滴的凹凸形状。这是因为在喷射含有导电性材料或绝缘性材料的液状组合物之后，进行干燥或烘焙来固化而形成导电层的缘故。使用本发明形成的掩模层也与此同样，是具有不同膜厚且表面具有凹凸形状的掩模层。因此，使用这样的掩模层而被加工的导电层或绝缘层也反映掩模层的形状。此外，其表面的凹凸部分的形状或尺寸根据液滴组合物的粘度或去除、固化溶剂时的干燥步骤而不同。
注意，在本说明书中，半导体装置指的是能够应用半导体特性而工作的装置。使用本发明，可以制造具有多层布线层或处理器电路的芯片(以下也称作处理器芯片)等的半导体装置。
本发明还可应用于具有显示功能的显示装置。使用本发明的显示装置包括发光显示装置或液晶显示装置等，所述发光显示装置包含互相连接的发光元件和TFT，并且在发光元件中包含产生被称作场致发光(以下也称作“EL”)的发光的有机物或者有机物和无机物的混合物的层插入电极之间，所述液晶显示装置将具有液晶材料的液晶元件用作显示元件。
本发明的半导体装置之一，包括：具有连续波状形状的侧端部分的布线，该布线含有有机材料。
本发明的半导体装置之一，包括：左右弯曲的布线，该布线含有有机材料。
本发明的半导体装置之一，包括：栅电极层、栅绝缘层、半导体层、源电极层和漏电极层，所述栅电极层具有连续波状形状的侧端部分。
本发明的半导体装置之一，包括：栅电极层、栅绝缘层、半导体层、源电极层和漏电极层，所述栅电极层左右弯曲。
本发明的半导体装置之一，包括：栅电极层、栅绝缘层、半导体层、源电极层和漏电极层，所述源电极层和漏电极层具有连续波状形状的侧端部分。
本发明的半导体装置之一，包括：栅电极层、栅绝缘层、半导体层、源电极层和漏电极层，所述源电极层和漏电极层左右弯曲。
本发明的半导体装置的制造方法之一包括以下步骤，在向衬底上喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于衬底表面内的第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射，并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成具有连续波状形状的侧端部分的布线。
本发明的半导体制造方法之一包括以下步骤，在向衬底上喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于衬底表面内的第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射，并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成左右弯曲的布线。
本发明的半导体装置的制造方法之一包括以下步骤，在衬底上形成导电膜，在向导电膜上喷射由包含掩模层材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于衬底表面内的第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射，并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成其侧端部分是波状形状的掩模层，使用该掩模层加工导电膜，而形成布线。
本发明的半导体装置的制造方法之一包括以下步骤，在衬底上形成导电膜，在向导电膜上喷射由包含掩模层材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于衬底表面内的第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射，并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成具有左右弯曲形状的掩模层，使用该掩模层加工导电膜，而形成布线。
根据本发明可以将构成半导体装置、显示装置等的布线等构成物稳定地形成为所希望的形状。此外，可以降低材料的浪费和成本。因此，可以高成品率地制造具有高性能和高可靠性能的半导体装置以及显示装置。
附图说明
图1A至1C是表示描述本发明的概念图；
图2A至2C是表示描述本发明的概念图；
图3是表示描述本发明的显示装置的俯视图；
图4是表示描述本发明的显示装置的俯视图；
图5A和5B是表示描述本发明的半导体装置的附图；
图6A和6B是表示描述本发明的显示装置的俯视图；
图7A至7C是表示描述本发明的显示装置的制作方法的附图；
图8是表示描述使用本发明的保护电路的附图；
图9A和9B是表示适用本发明的电子器具的附图；
图10A至10D是表示适用本发明的电子器具的附图；
图11A至11G是表示适用本发明的半导体装置的附图；
图12是表示可以适用于本发明的液滴喷射装置的结构的附图；
图13A和13B是表示描述本发明的显示装置的附图；
图14A和14B是表示描述本发明的显示装置的附图；
图15A和15B是在实施例1中制作的样品的实验数据；
图16A和16B是描述本发明的半导体装置的俯视图。
本发明的选择图为图1。
具体实施方式
下面将通过参考附图来详细描述本发明。注意，本发明不局限于以下的描述，可以以多种不同形式被执行，在不脱离本发明的宗旨及范围的情况下各种变化和修改都是可能的，这对于所属领域的人员来说是显而易见的。因此，本发明不限于下文中描述的本发明的实施方式的内容。需要注意的是，在下文中所描述的本发明的结构中，不同的附图中相同的参考标记表示相同的部分或者具有相同功能的结构，并且不再重复说明。
实施方式1
参照附图1A到1C描述本发明的实施方式。
本发明的特点在于通过可以选择性地形成为所希望的形状的方法，形成为了制造半导体装置以及显示装置等而必要的构成物、例如构成布线层、电极的导电层或形成预定图形的掩模层等中至少一个或更多，来制造半导体装置、显示装置。在本发明中，构成物(也称作图形)是构成薄膜晶体管或显示装置的导电层诸如布线层、栅电极层、源电极层和沟道电极层等、半导体层、掩模层、绝缘层等，并且包括构成形成为预定形状的所有构成物。作为可以选择性地以所希望的图形形成形成物的方法，使用液滴喷射法(根据其方式也称作喷墨法)，该液滴喷射法可以选择性地喷射由为特定目的而调配的组合物构成的液滴来以预定的图形形成导电层或绝缘层等。另外，还可以使用将构成物转印或写成为所希望的图形的方法，例如各种印刷法(以所希望的图形形成的方法，例如丝网(孔版)印刷、胶(平版)印刷、凸版印刷或铜版(凹版)印刷等)、分配器方法、选择性的涂敷法等。
在本实施方式中，将含有构成物形成材料的流动体的组合物作为液滴进行喷射，来形成为所希望的图形。向构成物被形成的区域喷射含有形成构成物的材料的液滴，进行烘焙、干燥等来固定来形成所希望图形的构成物。
附图12示出用于液滴喷射法的液滴喷射装置的一个例子。液滴喷射单元1403的每个喷头1405、1412连接到控制单元1407，并且被计算机1410控制为可以描画预先程序设计好的图形。关于描画的位置，例如以在衬底1400上所形成的标记1411为基准进行描画就可以。或者，以衬底1400的边缘为基准确定基准点就可以。然后基准点由摄像单元1404检测，在图像处理单元1409变换为数字信号，计算机1410识别此并在产生控制信号后发送到控制单元1407。作为摄像单元1404，可以使用利用电荷耦合元件(CCD)或互补金属氧化物半导体的图像传感器等。当然，在衬底1400上要形成的图形的数据是存入到记忆媒体1408的，基于该数据将控制信号送到控制单元1407，从而可以分别控制液滴喷射单元1403的每个喷头1405、1412。喷射的材料从材料供应源1413和1414经过管道分别供应到喷头1405、1412。
喷头1405内部如虚线1406所示那样由充填液状材料的空间和喷射嘴的喷嘴来构成。虽然附图中没有示出，喷头1412也有与喷头1405同样的内部结构。在喷头1412和喷头1405的喷嘴设置为互相不同的大小的情况下，可以同时以不同的宽度描画不同的材料。一个喷头可以分别喷射导电性材料或有机、无机材料等而描画，在层间膜等较大区域上描画的情况下，为了提高生产率可以从多个喷嘴同时喷射相同的材料而描画。在使用大型衬底的情况下，喷头1405和1412可以在衬底上按箭头方向自如地扫描，并且可以自由地设定描画的区域，从而可以在一个衬底上描画多个相同的图形。
在使用液滴喷射法形成导电层的情况下，喷射包含加工为粒子状的导电性材料的组合物，然后通过烘焙使此熔接或焊接而固化以形成导电层。如此，与通过溅射法等形成的导电层(或绝缘层)的大部分具有柱状结构相比，通过喷射包含导电性材料的组合物并烘焙来形成的导电层(或绝缘层)显示出含有大量粒界的多晶状态的情况居多。
参照图1用导电层的形成方法描述本发明的实施方式的概念。图1是导电层的俯视图。
如图1所示那样，导电层形成于衬底50上。因此，有必要控制导电层的被形成区域的衬底50表面对于包含形成导电层的导电性材料的液状组合物的润湿性。可以根据形成的导电层的宽度或图形形状适当地设定润湿性的程度，通过如下所示的处理可以控制该润湿性。在本实施方式中，当形成导电层时，被形成区域和包含导电性材料的组合物的接触角优选为20°或更大，更优选为20°至40°。
固体表面的润湿性由表面的状态变化而变化。如形成对于液状组合物润湿性低的物质，其表面则成为对于液状组合物润湿性低的区域(下文中，称作低润湿性区域)，如形成对于液状组合物润湿性高的物质，其表面则成为对于液状组合物润湿性高的区域(下文中，称作高润湿性区域)。在本发明中，控制表面的润湿性的处理意味着使液状组合物附着区域成为适合于将液状组合物形成为所希望的形状。
润湿性的程度还影响到接触角的大小。液状组合物的接触角大的区域成为润湿性更低的区域，接触角小的区域成为润湿性更高的区域。这是因为，如接触角大，具有流动性的液状组合物则不遍布于区域表面上，并且排斥组合物，所以不湿润其表面，另一方面，如接触角小，具有流动性的液状组合物则在表面上遍布，从而使表面充分润湿。因此，在润湿性不同的区域中，表面能源也不同。就是说，润湿性低的区域的表面能源小，润湿性高的区域的表面能源大。
首先，示出形成润湿性低的物质，控制而降低被形成区域表面的润湿性的方法。作为这种低湿润的物质，可以采用含有氟化碳基(氟化碳锁)的物质、或含有硅烷偶合剂的物质。硅烷偶合剂可以用化学式Rn-Si-X(4-n)(n＝1，2，3)表示。这里，R表示含有相对惰性的基比如烷基的物质。此外，X包括可以通过与基质表面的羟基或吸附水缩合来结合的水解基，例如卤素、甲氧基、乙氧基或者乙酸基。
另外，通过采用作为硅烷偶合剂的代表性实例的用R表示的具有氟烷基的氟基硅烷偶合剂(氟烷基硅烷(FAS))，可以进一步降低润湿性。FAS的R具有用(CF3)(CF2)x(CH2)y(x：从0到10的整数，y：从0到4的整数)表示的结构。在多个R或X结合到Si的情况下，R或X可以彼此完全相同或者不同。典型的FAS可以举出氟烷基硅烷，例如十七氟四氢癸基三乙氧基硅烷、十七氟四氢癸基三氯硅烷、十三氟四氢辛基三氯硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷等。
作为润湿性低的物质，硅烷偶合剂的R可以使用没有氟化碳锁而具有烷基的物质，例如作为有机硅烷的十八烷基三甲氧基硅烷等。
作为包含低湿润度物质的溶液的溶剂，可以采用例如n-戊烷、n-己烷、n-庚烷、n-辛烷、n-癸烷、双环戊烷、苯、甲苯、二甲苯、四甲基苯、茚、四氢化萘、十氢化萘、(角)鲨烯等之类的烃类溶剂或四氢呋喃等。
另外，作为控制润湿性为低以形成低润湿性区的组合物实例，可以采用具有氟碳(碳氟化合物)链的物质(氟树脂)。作为氟树脂的实例，可以采用聚四氟乙烯(PTFE；聚四氟乙烯树脂)、全氟烷氧基链烷(PFA；四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物树脂)、全氟乙烯丙稀共聚物(PFEP；四氟乙烯六氟丙稀共聚物树脂)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE；四氟乙烯-乙烯共聚物树脂)、聚偏二氟乙烯(PVDF；聚偏二氟乙烯树脂)、聚含氯三氟乙烯(PCTFE；聚三氟氯乙烯树脂)、乙烯-含氯三氟乙烯共聚物(ECTFE；聚三氟氯乙烯-乙烯共聚物树脂)、聚四氟乙烯-全氟氧配位(perfluorodioxol)共聚物(TFE/PDD)、聚氟乙烯(PVF；氟乙烯树脂)等。
此外，通过对无机材料或有机材料进行CF4等离子等处理来可以降低润湿性。例如，作为有机材料可以采用这样的材料，其中是将可溶性树脂比如聚乙烯醇(PVA)混合到例如为H2O的溶剂之中。此外，也可以将PVA和其它可溶性树脂混合而使用。也可以采用有机材料(有机树脂材料)(聚酰亚胺、丙烯酸)或硅氧烷材料。所谓硅氧烷材料相当于包括Si-O-Si键的树脂。硅氧烷是用硅(Si)与氧(O)的键构成其骨架结构的材料。作为取代基，采用至少含氢的有机基(例如丙烯基、芳香族烃)。作为取代基，也可采用氟基。或者，作为取代基，也可采用至少含氢的有机基和氟基。
在本实施方式中，通过用旋转涂覆法在衬底50表面上形成FAS来调整衬底50表面的润湿性。该润湿性是对包含构成在之后步骤中形成的导电层的导电性材料的液状组合物的润湿性而言的。
在形成导电层时，如通过一次喷射来形成导电层，则液滴有可能凝集并产生被称为凸起(bulge)的液体聚集，结果使导电层断线。在本发明中，通过多次喷射来形成导电层。也就是说，在第一喷射步骤中，使包含导电性材料的液状组合物散布地附着到被形成区域，并使液滴互相不接触。然后，通过第二次喷射包含导电性材料的组合物，来填埋在第一次喷射步骤中喷射的导电性材料的每个液滴之间，以形成连接的导电层。由于已经过了一段时间，在第一次喷射步骤中喷射的包含导电性材料的组合物被干燥而已经固化，所以不会与在第二喷射步骤中喷射的导电性材料凝集。如此制造导电层，可以形成虽为细线但稳定的导电层。
作为第一喷射步骤，用液滴喷射法在表面的润湿性被控制的衬底50上以线状喷射包含导电性材料的组合物的液滴来形成岛状的导电层51a至51e(参照图1A)。岛状的导电层51a至51e反映液滴的形状，并且连接这些导电层的中心的线是第一中心线Q1-R1。
接下来，作为第二喷射步骤，在导电层51a至51e之间喷射包含导电性材料的组合物的液滴并使该液滴中心位于离第一中心线Q1-R1有宽度d的地方(参照图1B)。在第二喷射步骤中喷射的液滴附着到衬底50之后，立即形成导电层52a至52d并且填埋导电层51a至51e之间，来形成连接的导电层53(参照图1C)。连接在第二喷射步骤中喷射的液滴中心的线是第二中心线Q2-R2，该中心线离第一中心线Q1-R1具有一定距离d，并且与第一中心线Q1-R1平行。
由于在第一喷射步骤和第二喷射步骤中，喷射的液滴的中心线是错开的，因此导电层53为侧端部分54a和54b具有连续波状形状的向左右弯曲的形状。侧端部分是具有振幅的波状形状。向左右弯曲的范围(导电层的宽度的范围)优选为液滴的直径的四倍或更小。如果连接在第一喷射步骤中喷射的导电层51a至51e和在第二喷射步骤中喷射的导电层52a至52d的中心，其线就成为不是直线而是具有以周期左右弯曲的形状的线。这样形成的布线的导电层53至少具有一部分弯曲的部分，其侧端部分具有凹凸。在本实施方式中，由于导电层53的侧端部分54a的凸部分和侧端部分54b的凹部分、侧端部分54a的凹部分和侧端部分54b的凸部分分别以中心线为轴彼此对应，因此导电层53的宽度大致是相同的。
但是，有可能导电层53的宽度波动。这是因为在第一喷射步骤中喷射的包含导电性材料的组合物固化的导电层表面、和所述润湿性被控制的衬底50表面，相对于包含导电性材料的液状组合物的润湿性不同。第二次喷射的液状的包含导电性材料的组合物以横跨方式被喷射向在第一喷射步骤中形成的导电层和衬底50表面双方。容易受到表面润湿性的影响的液状的包含导电性材料的组合物的一部分流入到在第一喷射步骤中形成的润湿性更高的导电层上。结果，有可能在第一喷射步骤中形成的区域的导电层宽度变粗，而在第二喷射步骤中形成的区域的导电层宽度变细。在这种情况下，也有可能形成宽度不均匀、宽度周期性地变化的导电层。
在邻接形成如上所述的左右弯曲、侧端部分具有波状形状的导电层的情况下，如果凸部分互相邻接，其导电层之间的宽度就变窄，如果凹部分互相邻接，其导电层之间的宽度就变宽，如此那样，导电层之间的宽度就变得不均匀。此外，因为还有个导电层互相接触的形状不良问题，所以不容易以一定宽度形成具有微细设计的导电层、绝缘层。
使用图2A至2C描述邻接形成导电层的例子。在本实施方式中，首先如图2A所示那样，通过第一喷射步骤形成导电层61a至61e、导电层61f至61j。此时，使作为第一导电层的一部分的导电层61a至61e的液滴中心和作为与此邻接的第二导电层的一部分的导电层61f至61j的液滴中心不在同一直线上。使导电层61f的中心位于导电层61a和导电层61b的中心之间，优选位于在将导电层61a和导电层61b的中心之间分割为三部分中的中央区域同样宽度的线上。
接下来，如图2B所示那样，通过第二喷射步骤喷射包含导电性材料的组合物来形成导电层62a至62d，并使其填埋在第一喷射步骤中形成的导电层61a至61e之间，则形成第一导电层63a。与此同样，通过第二喷射步骤喷射包含导电性材料的组合物来形成导电层62e至62h，并使其填埋在第一喷射步骤中形成的导电层61f至61j之间，则形成第二导电层63b。如图2B所示那样，在第二喷射步骤中，形成导电层62a至62d以及导电层62e至62h，这些导电层的中心线位于每个第一喷射步骤中形成的导电层61a至61e的中心线、以及导电层61f至61j的中心线的外侧。
然后，通过干燥、烘焙等固化，如图2C所示那样，形成具有周期性连续的波状形状的第一导电层63a和第二导电层63b。使用本发明的喷射方法，可以使第一导电层63a和第二导电层63b形成为其凸部分是互相不邻接的、错开的。并可以使第一导电层63a和第二导电层63b之间的宽度为比第一导电层和第二导电层分别具有的第一喷射步骤和第二喷射步骤中的中心线之间的距离的总和更小。因此，第一导电层63a和第二导电层63b即使其宽度小也可以稳定地形成。此外，还可以通过同样地喷射绝缘性材料形成绝缘层。因为可以以均匀的宽度形成，所以如果使用如此形成的掩模层，就可以进行微细、正确地加工。由微细地加工可以得到所希望的形状，所以该导电层如用作源极层、漏极层则可以缩小沟道宽度。因此，可以制造能够高速动作、具有高性能和高可靠性能的半导体装置。当制造时，因形状不良引起的不良减少，所以还有生产率和成品率升高的效果。
在本实施方式中，通过液滴喷射装置形成导电层53、第一导电层63a和第二导电层63b。液滴喷射装置概括为一种装置，其包括喷射液滴的装置例如具有组合物的喷射开口的喷嘴、安装有一个或者多个喷嘴的喷头等。包括在液滴喷射装置内的喷嘴的直径设定在0.02到100μm的范围内(优选0.02到30μm或者更小)，从该喷嘴喷射的组合物的喷射量设定在0.001到100pl的范围内(优选0.1到40pl，尤其优选0.1到10pl或者更少)。喷射量相对于喷嘴直径的尺寸成比例增加。此外，优选被处理的目标和喷嘴的喷射开口之间的距离尽可能地短，目的是将液滴滴落在所希望的位置。最好，将距离适当设定为在大约0.1到3mm的范围内(尤其优选，0.1到1mm或者更小)。
作为从喷射开口喷射出的组合物，采用溶解或者分散在溶剂中的导电性材料。导电性材料是诸如Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W或者Al等的一种或多种金属的微粒子或分散性纳米粒子。向所述导电性材料中可以混合Cd、Zn等的金属硫化物，Fe、Ti、Ge、Si、Zr、Ba等的氧化物，或者卤化银的一种或多种的微粒子或者分散性纳粒子。此外，作为导电性材料可以采用铟锡氧化物(ITO)、含有氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)、有机铟、有机锡、氧化锌、氮化钛等，它们用作透明导电膜。导电性材料可以使用单一元素或混合多个元素的粒子。然而，作为从喷射开口被喷射的组合物，考虑到电阻率的值，优选将金、银和铜材料的任一种溶解或分散在溶剂中。更优选采用具有低电阻值的银或铜。但是，当采用银或铜时，作为对付杂质的对策，可以同时设置阻挡膜。可以将氮化硅膜或硼化镍(NiB)用作阻挡层。
被喷射的组合物是将导电性材料溶解或分散到溶剂中的组合物，还包含分散剂、称为粘合剂的热硬化性树脂。特别是关于粘合剂，具有防止烘焙时产生裂痕或融接状态的不均匀的作用。因此，有可能被形成的导电层含有有机材料。含有的有机材料根据加热温度、环境或时间而不同。该有机材料是起到金属粒子的粘合剂、溶剂、分散剂、以及覆盖材料的作用的有机树脂等，可以典型地举出聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、酚醛环氧树脂、蜜胺树脂、酚醛树脂、环氧树脂、硅树脂、呋喃树脂、邻苯二甲酸二烯丙基树脂等。
此外，可以采用导电性材料的周围被另一种导电性材料涂覆，从而形成多层的粒子。例如，可以采用一种三层结构的粒子，其中在铜的周围涂覆硼化镍(NiB)，然后在硼化镍(NiB)的周围涂敷银。作为溶剂，可以采用诸如醋酸丁酯和醋酸乙烷的酯，诸如异丙醇和普通酒精的醇，诸如甲乙酮和丙酮的有机溶剂等或水。组合物的粘性优选20mPa.s或者更小，这是为了避免喷射时的干燥、以及使组合物平稳地从喷射开口被喷射。此外，组合物的表面张力优选为40mN/m或者更少。然而，可以根据所采用的溶剂或用途适当调整组合物的粘性等。例如，在溶剂中溶解或者分散了ITO、有机铟或者有机锡的组合物的粘性可以设定为从5到20mPa.s，在溶剂中溶解或者分散了银的组合物的粘性可以设定为从5到20mPa.s，以及在溶剂中溶解或者分散了金的组合物的粘性可以设定为从5到20mPa.s。
可以通过层叠多种导电性材料形成导电层。此外，可以采用银作为导电性材料通过液滴喷射法形成导电层之后，可用铜等进行涂镀。涂镀可以通过电镀或者化学(无电场)镀法来实施。可以通过将衬底表面放在充满包含涂镀材料的溶液的容器中浸渍来实施涂镀。还可以将衬底倾斜(或者垂直)放置，并且使含涂镀材料的溶液流过衬底表面之上来进行涂镀。当通过垂直放置衬底而涂覆溶液来实施涂镀时，即使使用大面积衬底，处理装置也可以实现小型化是个有益效果。
尽管取决于每一喷嘴的直径、所希望的图形的形状等，但导体的粒子直径优选为尽可能地小，这是为了避免喷嘴被塞住，以及为了制造出精细图案，粒子直径优选为0.1μm或者更小。通过电解法、雾化法、湿还原法等来形成组合物，且其粒径一般大约为0.01到10μm。然而，当实施气体蒸发法时，由分散剂保护的纳粒子很微小，大约为7nm。当使用覆盖剂覆盖每一粒子的表面之后，纳粒子不在溶液中凝集，并在室温下稳定地分散到溶剂中，并且示出和液体相近的行动。因此，优选采用覆盖剂。
喷射液状组合物的步骤可以在减压下进行。如在减压下进行，就不会在导体的表面产生氧化膜等，所以是优选的。在喷射组合物之后，进行干燥和烘焙的一个或两个步骤。干燥和烘焙的步骤虽然都是加热步骤，但是其目的、温度和时间不同，例如干燥以100℃进行3分钟，而烘焙以200至550℃进行15至60分钟。干燥步骤和烘焙步骤在常压或减压下，通过激光照射、快热退火或热熔炉等来进行。注意，进行该加热处理的定时或次数没有特别的限定。为了良好地进行干燥和烘焙的步骤，可以加热衬底。加热的温度尽管取决于衬底等的材料的性质，但一般设定为100至800℃(优选为200至550℃)。根据本步骤，挥发组合物中的溶剂或化学性除去分散剂的同时，通过周围的树脂硬化收缩来使得纳粒子彼此接触，并且加速熔接和焊接。
可以将连续振荡或者脉冲振荡的气体激光器或者固体激光器用于激光照射。受激准分子激光器、YAG激光器等可以用作前者的气体激光器。采用掺杂有Cr、Nd等的YAG、YV04、GdVO4等的晶体的激光器可以被用作后者的固体激光器。注意的是，涉及到激光的吸收率，优选采用连续振荡激光器。此外，可以采用组合了脉冲振荡和连续振荡的激光照射方法。然而，根据衬底的耐热性，用激光照射的热处理优选在几微秒到几十秒之内一霎进行，为的是不破坏该衬底。快热退火(RTA)通过在惰性气体环境中利用照射从紫外到红外的光的红外线灯或者卤素灯迅速升高温度并加热几微秒到几分钟来进行。因为霎时进行该处理，实质上可以仅仅加热位于顶部表面的薄膜，而位于下层的膜不受其影响。因此，即使是具有低耐热性的衬底比如塑料衬底也不受其影响。
另外，在通过液滴喷射法喷射组合物来形成导电层、绝缘层等之后，为了提高其平整性，可以用压力挤压其表面来平坦化。作为挤压的方法，可以用辊形物体在其表面上扫描来消除凹凸，或者可以用平板形物体垂直挤压其表面。挤压时，可以进行加热步骤。此外，也可以用溶剂等软化或溶解其表面，用气刀消除其表面的凹凸。此外，也可以用CMP法抛光其表面。该步骤可以适用于平坦化由液滴喷射法导致在表面上产生的凹凸。
根据本发明，即使是因要实现小型化、薄膜化而密集、复杂地配置布线等的设计，也可以稳定地形成良好形状的所希望的图案，并且可以提高可靠性和生产性。此外，材料的浪费也少，可以实现降低成本。因此，可以成品率高地制造具有高性能、高可靠性的半导体装置、显示装置。
实施方式2
在本实施方式中，描述适用本发明的显示装置的例子。
图6A是示出根据本发明的显示面板结构的俯视图。其包括在具有绝缘表面的衬底2700之上将像素2702排列成矩阵的像素部分2701、扫描线输入端子2703以及信号线输入端子2704。可以依据各种标准确定像素数量。XGA的使用RGB的全色显示的像素数量可以是1024×768×3(RGB)，UXGA的使用RGB的全色显示的像素数量可以是1600×1200×3(RGB)，以及完全规格高视觉的使用RGB的全色显示的像素数量可以是1920×1080×3(RGB)。
通过交叉从扫描线输入端子2703伸出的扫描线和从信号线输入端子2704伸出的信号线将像素2702配置设置为矩形。每一像素2702设置有开关元件以及连接到其上的像素电极。开关元件的典型实例是TFT。TFT的栅电极被连接到扫描线，且其源极或者漏极被连接到信号线，这样使得每一像素可以被从外部输入的信号独立控制。
TFT包括作为其主要构成因素的半导体层、栅极绝缘层以及栅极电极层。连接到形成在半导体层的源极以及漏极区的布线层也被包括在TFT。TFT的典型结构有顶栅型TFT，其中从衬底一侧顺序设置半导体层、栅极绝缘层以及栅电极层，还有底栅型TFT，其中从衬底一侧顺序设置栅电极层、栅极绝缘层以及半导体层。这些结构的任何一种都可以应用于本发明。
如图6A所示那样，向扫描线或信号线输入的信号可以通过采用COG(玻璃上带有芯片)法将驱动器IC2751安装在衬底2700上来控制。作为另一种安装方式，也可以采取如图6B所示的TAB(带式自动键合)法。驱动器IC可以形成在单晶半导体衬底上，也可以在玻璃衬底上由TFT形成电路。在图6A和6B中，驱动器IC 2751连接到FPC(柔性印刷电路板)2750。
当设置在像素内的TFT由结晶性高的多晶(微晶)半导体形成时，扫描线驱动电路可以在衬底上形成。当设置在像素内的TFT由具有较高迁移率的多晶(微晶)半导体、单晶半导体等形成时，可以在衬底上一体形成扫描线驱动电路以及信号线驱动电路。
用图4、图14A和14B来描述本实施方式。详细地说，对于使用本发明、具有发光元件的发光显示装置的制造方法进行说明。图4是显示装置像素部分的俯视图，其中沿线A-B的截面图示于图14B。此外，图14A是显示装置的俯视图，并且其中沿线L-K(包括I-J)的截面图也示于图14B。
由硼酸钡玻璃、硼酸铝等形成的玻璃衬底、石英衬底、金属衬底、或者可以耐本制造步骤的处理温度的塑料衬底都可以用作衬底100。此外，衬底100的表面通过CMP等进行抛光以平坦化。此外，可以在衬底100之上形成绝缘层。利用含有硅的氧化物材料或者氮化物材料通过诸如CVD法、等离子体CVD法、溅射法或者旋转涂敷法由单层或者叠层形成绝缘层。不形成该绝缘层也是可以的，然而，其具有阻挡污染物从衬底100进入的作用。
在衬底100之上形成栅电极层103和104。可以通过CVD法、溅射法、液滴喷射法等来形成栅电极层103和104。栅电极层103和104可以由选自Ag、Au、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu的元素、以该元素为主要成分的合金材料或者化合物材料来形成。可选择的，也可以采用以掺杂有诸如磷的杂质元素的多晶硅膜为代表的半导体膜、或者AgPdCu合金。可以采用单层结构或者层叠结构，例如，氮化钨(WN)膜和钼(Mo)膜的两层结构，或者按顺序层叠50nm厚的钨膜、500nm厚的铝和硅的合金(Al-Si)膜以及30nm厚的氮化钛膜的三层结构。此外，在三层结构的情况下，可以采用氮化钨代替第一导电膜的钨，可以采用铝和钛的合金(Al-Ti)膜代替第二导电膜的铝和硅的合金(Al-Si)膜，以及可以采用钛膜代替第三导电膜的氮化钛膜。
在需要加工栅电极层103和104的形状的情况下，可以在形成掩模之后通过干法蚀刻或者湿法蚀刻进行加工。可以通过用ICP(感应耦合等离子体)蚀刻法适当控制蚀刻条件(施加于线圈型电极的电功量、施加于衬底侧电极的电功量、衬底侧的电极温度等)将电极层蚀刻为锥形形状。要注意的是以Cl2、BCl3、SiCl4和CCl4等为代表的氯基气体，以CF4、SF6和NF3等为代表的氟基气体，或者O2都可以被适当用作蚀刻气体。
通过选择性喷射组合物可以形成用于加工的掩模。通过这样选择性地形成掩模来可以简化加工步骤。可将诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、酚树脂、酚醛清漆树脂、三聚氰胺甲醛树脂或者聚氨酯树脂的树脂材料用作掩模。此外，可以采用有机材料诸如苯并环丁烯、聚对二甲苯、闪光(flare)或者透光的聚酰亚胺，由诸如硅氧烷基聚合体聚合制得的化合物材料，含有溶于水的均聚物以及溶于水的共聚物合成材料等通过液滴喷射法形成掩模。可选择的，可以采用市场上销售的含有光敏材料的抗蚀剂材料，例如，可以采用典型的正性抗蚀剂诸如酚醛清漆树脂和光敏剂萘醌二叠氮基化合物，或者负性抗蚀剂诸如基极树脂、二苯硅烷二醇和酸生成剂。采用任何材料时，通过调整溶剂的浓度或者添加表面活性剂等适当控制表面张力和粘性。
形成栅电极层103和104可以通过在形成导电膜之后，由掩模层加工为所希望的形状来形成。
随后，在栅电极层103和104之上形成栅极绝缘层114。栅极绝缘层114可以由硅的氧化物材料或者氮化物材料等形成，可以是叠层或者是单层。在本实施方式中，采用氮化硅膜、氧化硅膜的两层结构。可选择的，可以采用氧氮化硅膜单层、或者三层或更多层结构。最好使用具有致密膜质的氮化硅膜。在通过液滴喷射法形成的导电层中使用有银、铜等的情况下，如在其上形成氮化硅膜或者NiB膜作为阻挡膜，则有防止杂质的扩散和平整表面的效果。注意的是，优选在反应气体中包括稀有气体元素诸如氩，并且使该气体混合到要形成的绝缘膜中，目的是在较低的成膜温度下形成具有小栅极漏电流的致密绝缘膜。
接下来，形成半导体层。可以根据需要形成具有一导电性型的半导体层。另外，也可以通过形成具有n型的半导体层来制造n沟道型TFT的NMOS结构、通过形成具有p型的半导体层来制造p沟道型TFT的PMOS结构、由n沟道型TFT和p沟道型TFT而构成CMOS结构。此外，也可以为了给予导电性，将给予导电性的元素掺杂添加，并且在半导体层形成杂质区，来形成n沟道型TFT和p沟道型TFT。也可以通过用PH3气体进行等离子体处理来向半导体层给予导电性，而代替形成具有n型的半导体层。
用作形成半导体层的材料可以采用以下半导体，即利用以硅烷或者锗烷为代表的半导体材料气体通过气相生长法或者溅射法来制造的非晶形半导体(下文中也称作“AS”)、利用光能或者热能通过对非晶形半导体进行结晶来形成的多晶半导体、半晶(也称作微晶或者微晶体)半导体(下文中也称作“SAS”)等。半导体层可以通过各种方法(溅射法、LPCVD法或等离子体CVD法等)来形成。
SAS是这样一种半导体，其具有介于非晶形结构和晶体结构(包括单晶和多晶)之间的中间结构，且具有在自由能方面稳定的第三态，还包括具有短程序列和晶格畸变的结晶区域。在膜内至少一部分区域上可以观察到0.5nm到20nm的结晶区域。当以硅作为主要组分时，喇曼光谱转换到520cm-1的较低频率侧。在X-射线衍射中观察到由硅的晶格畸变引起的衍射峰值(111)或者(220)。含有至少1原子％或者更多的氢或者卤素用于终结悬浮键。通过硅化物气体的辉光放电分解(等离子CVD)来形成SAS。SiH4被用作典型的硅化物气体。此外，Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等也可被用作硅化物气体。此外，可以混合F2或者GeF4。可以用H2或者H2和选自He、Ar、Kr和Ne的一种或者多种稀有气体稀释该硅化物气体。稀释比率的范围从1∶2到1∶1000。压力的范围大致从0.1Pa到133Pa，以及功频范围从1MHz到120MHz，优选从13MHz到60MHz。衬底加热温度优选为300℃或者更低，以及也可以在100℃到200℃的温度形成膜。作为在形成膜时主要掺杂的杂质，理想的是，来自大气成分的诸如氧、氮或者碳的杂质为1×1020cm-3或者更少；尤其，氧浓度为5×1019cm-3或者更少，优选为1×1019cm-3或者更少。通过添加稀有气体元素诸如氦、氩、氪或者氖以进一步加强晶格畸变来得到稳定性加强了的优越的SAS。此外，作为半导体层，利用氢基气体形成的SAS层可叠层在利用氟基气体形成的SAS层之上。
非晶半导体可以代表性地举出氢化非晶硅，结晶半导体可以代表性地举出多晶硅等。多晶硅包括高温多晶硅、低温多晶硅和添加促进结晶化的元素等而结晶化的多晶硅等，所述高温多晶硅是以在800℃或更高的温度下形成的以多晶硅为主要材料的所谓高温多晶硅，所述低温多晶硅是以在600℃或更低的温度下形成的以多晶硅为主要材料的所谓低温多晶硅。当然还可以采用如上所述的半结晶半导体或者在部分半导体层内含有晶相的半导体。
此外，作为半导体的材料，除了硅(Si)、锗(Ge)等单一成分的物质之外，还可以使用化合物半导体诸如GaAs、InP、SiC、ZnSe、GaN、SiGe等。此外，也可以使用氧化锌(ZnO)。在ZnO用于半导体层的情况下，可以将Y2Ox、Al2O3、TiO2、这些的叠层等用作栅绝缘层，将ITO、Au、Ti等用作栅电极层、源电极层、漏电极层。此外，也可以将In或Ga等添加到ZnO中而使用。
当结晶半导体层被用作半导体层时，可以实施各种方法(激光结晶法、热结晶法、利用促进结晶的元素诸如镍的热结晶法等)作为制造该结晶半导体层的方法。也可以通过向SAS的微晶半导体进行激光照射使其结晶而增强结晶率。在不导入促进结晶的元素的情况下，在向非晶硅膜照射激光之前，通过在温度500℃的氮环境中，加热一个小时，来使非晶硅膜中含有的氢释放得膜中所含的氢浓度变为1×1020原子/cm3或更低。这是因为用激光照射含有多量氢的非晶硅膜时，该膜会被破坏。
用于将金属元素导入非晶半导体层的方法，只要能够使得该金属元素存在于非晶半导体层的表面或者内部便没有特别限制。例如，可以使用溅射法、CVD法、等离子体处理法(包括等离子体CVD法)、吸附法或者涂敷金属盐溶液的方法。这些方法中，利用溶液的方法简单方便并且由于可以容易地调整金属元素的浓度所以有用。优选在氧气环境中通过UV光照、热氧化法、用含有羟基的臭氧水或者过氧化氢处理等形成氧化膜，以便改善非晶半导体层表面的湿润度，并且将水溶液散布于非晶半导体层的整个表面上。
此外，可以组合热处理和激光照射以结晶非晶半导体层。可选择的，可以多次单独进行热处理或激光照射。
此外，可以通过线状等离子体法在衬底上直接形成结晶半导体层。可选择的，可以利用线状等离子体法在衬底上选择性地形成结晶半导体层。
可以利用印刷法、分配器方法、喷涂法、旋转涂敷法、液滴喷射法等由有机半导体材料形成半导体。在此情况下，由于不需要上述蚀刻步骤，可以减少步骤数量。将低分子量材料、高分子量材料等用作有机半导体，此外，也可以采用诸如有机色素、导电高分子量材料等材料。优选通过共轭双键组成构架的π-电子共轭高分子量材料作为用于本发明的有机半导体材料。代表性的，可以采用可溶的高分子量材料诸如聚噻吩、聚芴、聚(3-烷基噻吩)、聚噻吩的衍生物或者并五苯。
此外，可以用于本发明的有机半导体材料包括通过形成可溶性的前体之后实施处理可以形成半导体层的材料。注意，作为这种有机半导体材料可以举出聚亚噻吩基亚乙烯基、聚(2，5-噻吩基亚乙烯基)、聚乙炔、聚乙炔衍生物、聚丙炔亚乙烯等。
为了将前体转换为有机半导体，除了进行热处理以外，还将氯化氢气体等的发应催化剂添加到前体中。作为能够溶解可溶性有机半导体材料的典型溶剂可以使用甲苯、二甲苯、氯苯、二氯苯、苯甲醚、氯仿、二氯甲、γ丁内酯、丁基溶纤剂、环己胺、NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)、环己酮、2-丁酮、二氧杂环己烷、二甲基甲酰胺(DMP)、THF(四氢呋喃)等。
在栅极绝缘层114上形成半导体层105和106。在本实施方式中，结晶化非晶半导体层形成结晶半导体层作为半导体层105和106。在结晶化步骤中，将促进结晶化的元素(也称为催化剂元素、金属元素)添加到非晶半导体层，并且通过进行热处理(在550至750℃的温度下进行3分钟至24个小时)来结晶化。作为促进结晶化的元素、尤其是促进结晶化该硅的金属元素，可以使用选自铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、钌(Ru)、铹(Rh)、钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)以及金(Au)的一种或多种。在本实施方式中，使用镍。
为了从结晶半导体层中去除或减少促进结晶的元素，形成与结晶半导体层接触的包含杂质元素的半导体层以用作吸气装置(gettering sink)。可使用n型杂质元素、p型杂质元素、稀有气体元素等作为杂质元素。例如，可使用选自磷(P)、氮(N)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)、硼(B)、氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)的一种或多种。在该实施方式中，形成包含氩的半导体层作为包含杂质元素的半导体层，并用作吸气装置。含氩的半导体层形成于包含促进结晶的元素的结晶半导体层上，并进行热处理(在550到750℃的温度下进行3分钟到24小时)。结晶半导体层中包含的促进结晶元素移入含氩的半导体层，结晶半导体层中包含的促进结晶的元素被去除或减少。此后，去除用作吸气装置的含氩的半导体层。含作为赋予n型的杂质元素的磷(P)的n型半导体层形成于半导体层上。n型半导体层用作源极区和漏极区。在本实施方式中，用半非晶半导体形成n型半导体层。将如上那样形成的半导体层、n型半导体层加工为所希望的形状，而形成半导体层105、106和n型半导体层。在半导体层105上的n型半导体层由之后的加工成为n型半导体层115a和115b。如果使用液滴喷射法形成用于加工半导体层和n型半导体层的掩模层，半导体层的形状则反映于其侧端部分是波状形状的形状。
通过利用液滴喷射法形成由绝缘体诸如抗蚀剂或者聚酰亚胺构成的掩模。利用该掩模通过蚀刻在栅极绝缘层114的一部分上形成开口，并且露出位于下层的栅电极层104的一部分。作为蚀刻加工，等离子体蚀刻(干蚀刻)或者湿式蚀刻都可以采用。然而，等离子体蚀刻适于处理大面积衬底。将氟基气体比如CF4、NF3或者氯基气体比如Cl2或者BCl3用作蚀刻气体，并且也可以适当添加惰性气体诸如He或者Ar。此外，当使用大气压放电的蚀刻加工时，可以实施局部地放电加工，并且，不必在整个衬底之上形成掩模层。
用于形成开口的加工的掩模也可以通过选择性地喷射组合物来形成。如此选择性地形成掩模，使得加工步骤简单化。可将诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、酚树脂、酚醛清漆树脂、三聚氰胺甲醛树脂或者聚氨酯树脂的树脂材料用作掩模。此外，可以采用有机材料诸如苯并环丁烯、聚对二甲苯、闪光(flare)或者透光的聚酰亚胺，由诸如硅氧烷基聚合体聚合制得的化合物材料，含有溶于水的均聚物以及溶于水的共聚物合成材料等通过液滴喷射法形成掩模。可选择的，可以采用含有光敏材料的市场上销售的抗蚀剂材料，例如，可以采用典型的正性抗蚀剂诸如酚醛清漆树脂和光敏剂萘醌二叠氮基化合物，或者负性抗蚀剂诸如基极树脂和二苯硅烷二醇和酸生成剂。采用任何材料时，通过调整溶剂的浓度或者添加表面活性剂等适当控制表面张力和粘性。
此外，在本实施方式中，当通过液滴喷射法形成用于加工为所希望形状的掩模时，优选执行作为预处理的控制被形成区域的润湿性的处理。通过控制润湿性、和喷射时的液滴直径来可以稳定地形成为所希望的形状(线宽等)。在使用液状材料的情况下，该步骤可以适用于任何形成物(绝缘层、导电层、掩模层、布线层等)的预处理。
在具有n型的半导体层上形成源电极层或漏电极层107、108、电极层109、源电极层或漏电极层110和111。
在本实施方式中，将本发明适用于电源线112a至112c。利用在实施方式1所示的方法，通过液滴喷射法来制造电源线112a至112c，使此为左右弯曲的形状。这是因为在第一喷射步骤中喷射的液滴的中心线和在第二喷射步骤中喷射的液滴的中心线是平行而错开地形成的。这种弯曲形状的电源线由于可以流过比直线形状的电源线更大的电流，所以可以供给更大电力。
为了控制被形成区域的润湿性，在形成电源线112a至112c之前形成的物质，在形成电源线之后，可以存留残存的部分，也可以去除不必要的部分。通过使用氧等的灰化、蚀刻来去除。所述电源线112a至112c可以作为掩模使用。
形成源电极层或漏电极层107、108、电极层109、源电极层或漏电极层110、111之后，将半导体层、具有n型的半导体层加工为所希望的形状。在本实施方式中，通过液滴喷射法形成掩模来进行加工，然而，也可以将源电极层或漏电极层用作掩模，蚀刻而加工半导体层、具有n型的半导体层。
作为形成源电极层或漏电极层以及电源线的导电材料，可以使用主要含有Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)、Al(铝)、Mo(钼)等金属粒子的组合物。此外，可以组合具有透光特性的铟锡氧化物(ITO)、由铟锡氧化物和氧化硅构成的ITSO、有机铟、有机锡、氧化锌、氮化钛等。
在形成于栅极绝缘层114的开口中，使源电极层或漏电极层108和栅电极层104相互电连接。电极层109形成电容元件。
组合液滴喷射法使得可以比通过旋转涂敷法等的整个表面涂敷形成进一步防止浪费材料，降低成本。即使布线等因要实现小型化、薄膜化而被密集、复杂地配置设计，根据本发明也可以稳定地形成。
接下来，在栅电极层114上，形成第一电极层113。进行下面放射、上面放射和两面放射的任何一种来从发光元件发射光。在从衬底100侧放射光的情况下，可以由含有铟锡氧化物(ITO)、含有氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)、含有氧化锌(ZnO)的铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、掺杂了镓(Ga)的ZnO、氧化锡等的组合物来形成预定的图形，并且烘焙来形成第一电极层113。
优选，可以通过溅射法由铟锡氧化物(ITO)、含氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)、氧化锌(ZnO)等形成第一电极层113。尤其优选利用以含有2到10wt％的氧化硅的ITO作为靶子通过溅射法形成的含有氧化硅的氧化铟锡。此外，可以采用其中ZnO掺杂有镓(Ga)的导电性材料，或者含有氧化硅并且以混合有2到20wt％的氧化锌(ZnO)的氧化铟作为靶子来形成的铟锌氧化物(IZO)。在通过溅射法形成第一电极层113之后，可以通过液滴喷射法形成掩模层，并且可以通过蚀刻形成所希望的图形。在本实施方式中，第一电极层113通过液滴喷射法由具有透光型的导电性材料而形成。具体来说，利用铟锡氧化物或者由ITO和氧化硅构成的ITSO来形成。
在形成源电极层或漏电极层111之前，第一电极层113可以选择性地形成在栅极绝缘层114之上。此时，在本实施方式中，源电极层或漏电极层111和第一电极层113的连接结构是：源电极层或漏电极层111层叠在第一电极层113之上。当第一电极层113在形成源电极层或漏电极层111之前形成时，其可以形成在平坦的区域。因此，第一电极层113可以形成为具有更好的平坦性，这因为可以得到优良的覆盖性并且可以充分进行诸如CMP的抛光处理。
也可以采用这种结构，其中在源极层或漏极层111之上形成作为层间绝缘层的绝缘层，由布线层被电连接到第一电极层113。在这种情况下，开口部分(接触孔)不是通过去除绝缘层来形成的，而是可以在源极或漏极层111之上形成相对于绝缘层具有低润湿性的物质。之后，当通过涂敷法等涂敷含有绝缘体的组合物时，在除了形成有低润湿性物质的区域之外的区域上形成绝缘层。
在通过加热、干燥等来固化而形成绝缘层之后，去除具有低润湿性的物质以形成开口部分。将布线层形成为覆盖开口部分，并且将第一电极层113形成为接触到该布线层。用这种方法，由于不需要实施蚀刻来形成开口部分，因此，可以简化步骤。
此外，在制造顶面放射型的EL显示面板的情况下，采用将所产生的光放射到和衬底100侧相反的那侧的结构时，可以使用主要含有Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)或者Al(铝)等金属粒子的组合物。作为其他方法，可以通过采取溅射法形成透明导电膜或者具有光反射性的导电膜，采取液滴喷射法形成掩模图形并组合蚀刻加工来形成第一电极层113。
采用CMP法或者利用聚乙烯醇基多孔坯体来清洗并抛光第一导电层113，以便平坦化其表面。此外，在用CMP法抛光之后，可以在第一电极层113的表面上实施紫外线照射或者氧等离子体处理等。
根据上述步骤，完成由底栅型的TFT和第一电极层被连接到衬底100来构成的用于显示面板的TFT衬底。此外，在本实施方式中的TFT是反向交错型。
随后，选择性地形成绝缘层(也称作分隔壁或者堤)121。形成绝缘层121以在第一电极层113之上具有开口部分。在本实施方式中，在整个表面上形成绝缘层121，并且利用抗蚀剂等的掩模进行蚀刻来加工成所希望的形状。当选择性地通过液滴喷射法、印刷法或者分配器方法等直接形成绝缘层121时，不一定必须执行蚀刻加工。根据本发明的预处理，也可以将绝缘层121形成为所希望的形状。
可以用以下材料形成绝缘层121：包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝或者其他的无机绝缘性材料；丙烯酸、甲基丙烯酸、或者其衍生物；耐热聚合体诸如聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、聚苯并咪唑；或者以硅氧烷基材料作为初始材料而形成的由硅、氧、氢构成的化合物中包含Si-O-Si键的无机硅氧烷基材料；或者有机硅氧烷基绝缘材料，其中氢和硅的结合被有机基团诸如甲基或者苯基取代。绝缘层121也可以通过利用光敏性材料诸如丙烯酸或者聚酰亚胺，或者利用非光敏性材料来形成。优选绝缘层121为其曲率半径连续变化的形状。因此，增强了在绝缘层121之上形成的电致发光层122和第二电极层123的覆盖率。
通过液滴喷射法喷射组合物来形成绝缘层121之后，用一定的压力挤压绝缘层的表面以进行平坦化，目的是增强平整性。作为挤压的方法，可以用辊形物体在其表面上扫描来消除凹凸，或者也可以用平板形物体垂直按压其表面。可选择的，可以利用溶剂等软化或者溶化其表面，用气刀消除表面上的凹凸。此外，也可以用CMP法抛光其表面。当液滴喷射法引起凹凸时，可以将该步骤应用于平整其表面。当通过该步骤增强平整性时，可以防止显示面板的显示不均匀等；因此，可以显示高清晰度图像。
在用于显示面板的TFT衬底的衬底100之上形成发光元件。
在形成电致发光层122之前，通过在大气压下以200℃的温度实施热处理来去除在第一电极层119和绝缘层121中或者其表面吸附的湿气。此外，优选在低压下以200到400℃的温度，更优选250到350℃的温度实施热处理，然后通过真空蒸发法或者在低压下实施的液滴喷射法，不暴露于大气中地形成电致发光层122。
作为电致发光层122，通过使用蒸发掩模的蒸发法等选择性地分别形成各自产生红(R)、绿(G)和蓝(B)光的材料。与滤色镜相同，通过液滴喷射法可以形成各自产生红(R)、绿(G)和蓝(B)光的材料(低分子量材料或高分子量材料等)。在此情况下，由于即便不使用掩模也可以进行RGB的独立涂敷，所以是优选的。之后，在电致发光层122之上形成第二电极层123，以完成使用发光元件具有显示功能的显示装置。发光可以为三色都是从单态激发态回到基底态时的发光(荧光)、或三色都是从三重态激发态回到基底态时的发光(磷光)、或者将一色是荧光(或磷光)另外两色是磷光(或荧光)组合。也可以将磷光只用于R，将荧光用于G和B。具体来说，形成作为空穴输入层具有20nm厚度的铜酞箐(CuPc)膜，其上形成作为发光层具有70nm厚度的三(8-羟基喹啉)铝(Alq)膜，这种层叠结构也可以采用。可以通过添加荧光色素诸如二氢喹吖啶二酮、二萘嵌苯或DCM1等来控制发光色。
注意，如上所述的例子仅仅是可以用于电致发光层的有机发光材料的一个实例，绝不需要限于此。作为电致发光层的材料，可以使用有机材料(包括低分子量材料或高分子量材料)、或者有机材料和无机材料的复合材料等。可以通过自由地组合发光层、电荷输运层或电荷输入层来形成电致发光层(进行发光或为发光移动载流子的层)。例如，在本实施方式中示出了将低分子量有机发光材料用于发光层的例子，也可以使用中分子量有机发光材料或高分子量有机发光材料。注意，在本说明书中，中分子量有机发光材料意味着不具有升华性并且具有20或更少的分子量、10μm或更小的互相连锁的分子长度的有机发光材料。此外，通过旋转涂敷法形成作为空穴输入层具有20nm厚度的聚噻吩(PEDOT)膜，其上形成作为发光层具有100nm左右厚度的对苯撑亚乙烯基(PPV)膜，这样的层叠结构是使用高分子量有机发光材料的一个实例。注意，如使用PPV的π共轭高分子量，则可以选择红色到蓝色的发光波长。此外，作为电荷输运层或电荷输入层，可以使用碳化硅等的无机材料。
尽管没有示出，设置钝化膜以覆盖第二电极层123是有效的。在构成显示装置时提供的保护膜可以具有单层结构或者多层结构。作为钝化膜，可以采用由氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)、氧氮化硅(SiNO)、氮化铝(AlN)、氧氮化铝(AlON)、含氮量多于含氧量的氮氧化铝(AlNO)、氧化铝、金刚石形碳(DLC)或者含氮碳膜(CNx)构成的单层绝缘膜或组合上述的叠层的绝缘膜。例如，可以采用叠层诸如含氮碳膜(CNx)和氮化硅(SiN)的叠层，或者可以采用有机材料，还可以采用高分子诸如苯乙烯聚合物的叠层。此外，也可以使用硅氧烷材料。
此时，优选采用具有良好覆盖性的膜作为钝化膜，使用碳膜、尤其DLC膜是有效的。DLC膜由于可以在从室温到100℃或者更低的温度范围之内形成，因此在具有低耐热性的电致发光层之上容易地形成。可以通过等离子体CVD法(代表性的是RF等离子体CVD法、微波CVD法、电子回旋共振(ECR)CVD法、热灯丝CVD法等)、燃烧火焰法、溅射法、离子束蒸发法、激光蒸发法等来形成DLC膜。作为用于形成膜的反应气体，可以使用氢气和烃基气体(例如CH4、C2H2、C6H6等)。通过辉光放电离子化该反应气体，使该离子加速以和负自偏压所施加的阴极相撞来形成DLC膜。此外，可以通过采用C2H2气体和N2气体作为反应气体来形成CN膜。DLC膜由于具有对于氧的高阻挡效果，从而能够抑制电致发光层的氧化，因此，可以防止在随后进行的密封步骤中电致发光层氧化。
如图14B所示那样，形成密封剂136并用密封衬底140实施密封。之后，可以将柔性布线衬底连接到被形成为电连接到栅电极层103的栅极布线层，以便和外部电连接。被形成为电连接到源极层或漏极层107的源极布线层也相同。
在具有元件的衬底100和密封衬底140之间封入充填剂135来密封。与液晶材料相同，可以采用滴落法来封入充填剂。也可以充填氮等的惰性气体代替充填剂135。此外，通过在显示装置内设置干燥剂，可以防止由发光元件的水分引起的劣化。干燥剂可以在密封衬底140侧或具有元件的衬底100侧设置，也可以在密封剂136所形成的区域中的衬底上形成凹部地设置。此外，如在对应于和显示无关的区域诸如密封衬底140的驱动电路区域或布线区域等设置干燥剂，即使干燥剂是不透明的物质也不会降低开口率。可选择地，使充填剂135含有吸湿性材料从而具有干燥剂的功能。如上那样，完成使用发光元件并且具有显示功能的显示装置(参照图14A和14B)。
此外，FPC139由各向异性导电膜138贴到用于电连接显示装置内部和外部的端子电极层137，也就是说，FPC139和端子电极层137互相电连接。
图14A示出显示装置的俯视图。如图14A所示那样，像素区域150、扫描线驱动区域151a和151b、连接区域153由密封剂136密封到衬底100和密封衬底140之间，并且，在衬底100上设置由IC驱动器来形成的信号线驱动电路152。在驱动电路区域中设置有薄膜晶体管133和134，在像素区域中设置有薄膜晶体管101和102。
注意，在本实施方式中，示出了用玻璃衬底密封发光元件的情况。密封处理是为了保护发光元件不受水分影响的处理，可以采用以下方法的任何一种，即，用覆盖材料机械密封的方法、用热固化树脂或者紫外线固化树脂密封的方法、以及用具有高阻挡能力的薄膜诸如金属氧化物、氮化物等密封的方法。作为覆盖材料，可以采用玻璃、陶瓷、塑料或者金属，然而，当光从覆盖材料侧发射时，覆盖材料需要具有透光性。通过用密封剂诸如热固性树脂或者紫外线可固化树脂，将覆盖材料贴附在上述发光元件所形成的衬底上，然后通过采用热处理或者紫外光照射处理来固化树脂，以形成封闭空间。在该封闭空间内设置以氧化钡为代表的吸吸湿材料也是有效的。该吸湿材料可以在密封剂之上接触地设置，或者在分隔壁或者外围部分之上，这样不会阻挡从发光元件发出的光。此外，也可能用热固性树脂或者紫外光可固化树脂填充覆盖材料和发光元件所形成的衬底之间的空间。在这种情况下，在热固性树脂或者紫外光可固化树脂中添加以氧化钡为代表的吸湿材料是有效的。
在本实施方式中，尽管示出了开关TFT是单栅极结构的例子，但也可以应用多栅极结构诸如双栅极结构。在通过利用SAS或者结晶半导体制造半导体的情况下，也可以通过添加给予一种导电型的杂质来形成杂质区。在此情况下，半导体层可以具有浓度不同的杂质区。例如，可以使半导体层中的沟道区附近、并且与栅电极层叠层的区域为低浓度杂质区，以及使其外部区域为高浓度杂质区。
此外，本发明可以适用于薄膜晶体管。图16A和16B示出了使用如实施方式1中那样制作的左右弯曲的导电膜来制造薄膜晶体管的例子。图16A是薄膜晶体管，其包括栅电极层401、半导体层402、源电极层或漏电极层403a和403b。在图16A的薄膜晶体管中，将本发明应用于栅电极层401，该栅电极层401是具有连续波状形状的侧端部分的导电层。此外，图16B是薄膜晶体管，其包括栅电极层411、半导体层412、源电极层或漏电极层413a和413b。在图16B的薄膜晶体管中，将本发明应用于源电极层或漏电极层413a和413b，该源电极层或漏电极层413a和413b是具有连续波状形状的侧端部分的导电层。源电极层或漏电极层413a和413b以一定间隔稳定地被形成。此外，本发明可以基于需要的薄膜晶体管的特性、形状，被应用于半导体层或仅源电极层或仅漏电极层。
如上所述，在本实施方式中，通过用液滴喷射法在衬底上直接形成各种图形，即使使用一边1000mm或更长的第五世代以后的玻璃衬底，也可以容易地制造显示面板。
根据本发明，可以微细地加工并且稳定地形成具有必要功能的所希望的图形。此外，可以减少材料浪费和成本。因此，能够高产量地制造具有高性能、高可靠性的显示装置。
实施方式3
用图3、13A和13B描述本发明的实施方式。更详细地说，描述使用了本发明的显示装置的制造方法。图3是显示装置像素部分的俯视图，图13B是基于图3中的E-F线的截面图。图13A也是显示装置的俯视图，图13B是基于图13A中的O-P线(包括U-W线)的截面图。注意，在本实施方式中，作为显示元件示出使用液晶材料的液晶显示装置的例子。因此，省略对于相同的部分或具有相同功能的部分重复说明。
由硼硅酸钡玻璃、硼硅酸铝玻璃等形成的玻璃衬底、石英衬底、金属衬底、或者可以耐本制造步骤的处理温度的塑料衬底都可以用作衬底200。此外，可以在衬底200之上形成绝缘层。利用含有硅的氧化物材料或者氮化物材料通过诸如CVD法、等离子体CVD法、溅射法或者旋转涂敷法由单层或者叠层形成绝缘层。该绝缘层并不一定必须要形成，然而，其具有阻挡污染物从衬底200进入的作用。
在衬底200之上形成栅电极层202。使用本发明的左右弯曲的导电层来形成电容布线层203a至203c。可以通过CVD法、溅射法、液滴喷射法等来形成栅电极层202。栅电极层202、电容布线层203a至203c可以由选自Ag、Au、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu的元素、以该元素为主要成分的合金材料或者化合物材料来形成。可选择的，也可以采用以掺杂有诸如磷的杂质元素的多晶硅膜为代表的半导体膜、或者AgPdCu合金。可以采用单层结构或者层叠结构，例如，氮化钨(WN)膜和钼(Mo)膜的两层结构，或者按顺序层叠钨膜、铝和硅的合金(Al-Si)膜以及氮化钛膜的三层结构。
在本实施方式中，用液滴喷射法在导电膜上形成掩模层，将导电膜加工为所希望的形状，形成电容布线层203a至203c。因此，如实施方式1所示那样，形成具有左右弯曲的形状的掩模层。并且，控制对于含有导电膜表面的掩模层形成材料的组合物的润湿性。对于掩模层形成材料的被形成区域的接触角优选为20度或更大，更优选为20至40度。在本实施方式中，形成含有烃基的物质或含有硅烷偶合剂的物质，来控制掩模层形成区域的润湿性。
使用液滴喷射装置错开液滴的中心线分两个阶段地喷射含有掩模层形成材料的组合物，以形成左右弯曲的掩模层。使用该掩模层对导电膜进行加工使其具有所希望地形状，以形成电容布线层203a至203c。通过使用具有左右弯曲形状的电容布线层，可以实现更多的容量。另外，当制造时，因形状不良引起的不良减少，所以还有生产率和成品率升高的效果。
在本实施方式中，形成电容布线层203a至203c之后，去除掩模层，照射紫外光，然后将含有氟化碳锁的物质或含有硅烷偶合剂的物质分解而去除。
形成栅极绝缘层208，并且形成半导体层204、具有n型的半导体层209a和209b、源电极层或漏电极层205和206，来制造薄膜晶体管201。
连接于源电极层或漏电极层206地形成像素电极层207。像素电极层207可以使用与实施方式2的第一电极层113相同的材料，在制造透过型的液晶显示面板的情况下，由组合物形成为预定的图形，然后烘焙来形成像素电极层207，该组合物包含铟锡氧化物(ITO)、含有氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等。
通过印刷法、分配器方法或旋转涂敷法，覆盖像素电极层207以及薄膜晶体管250地形成称作调整膜的绝缘层261。采用屏幕印刷法或胶印法可以选择性地形成绝缘层261。之后，实施研磨。接着，由液滴喷射法在形成像素的区域的外围形成密封材料282。
随后，通过夹着隔离物281将相对衬底266贴附到具有TFT的衬底200上，在其空隙中提供液晶层262来制造液晶显示装置，该相对衬底266设置有起到调整膜作用的绝缘层263、起到滤色镜作用的彩色层264、起到相对电极作用的导电体层265、以及偏振片267。此外，在衬底200的没有TFT的一侧也形成偏振片268。密封材料可以混合有填充物，此外，相对衬底266可以设置有屏蔽膜(黑矩阵)等。注意的是，作为形成液晶层的方法，可以使用分配型(滴落型)、在贴附相对衬底266之后利用毛细现象注入液晶的浸渍型(泵型)。
隔离物可以通过散布几μm的粒子来设置，但在本实施方式中在整个衬底上形成树脂膜后，将此加工为所希望的形状来形成隔离物。在通过旋涂器涂敷用于隔离物的这种材料后，通过曝光和显影步骤将此形成为预定图形。进一步，通过用干净的烤炉等以150到200℃加热并固化。这样形成的隔离物可根据曝光和显影步骤的条件而具有不同形状，优选的是，如果隔离物的形状是顶部平坦的柱状，当将相对侧的衬底贴在TFT衬底时，可确保作为液晶显示装置的机械强度。隔离物的形状可以是圆锥、锥形等而没有特别的限制。
形成连接部分以便连接通过上述步骤形成的显示装置内部和外部的布线衬底。在大气压或接近于大气压的压力下，通过使用氧气的灰化处理去除连接部分中的绝缘物层。通过使用氧气以及选自氢、CF4、NF3和CHF3的一种或多种气体进行该处理。在本步骤中，为了防止由静电引起的损坏或破坏在使用相对衬底密封后进行灰化处理，但在静电的影响少的情况下，在任何时机进行灰化处理也可以。
随后，在电连接到像素部分的端子电极层287上，夹着各向异性导电物层285地提供用于连接的布线衬底FPC286(参照图13B)。FPC286具有传达来自外部的信号和电位的作用。通过上述步骤，可以制造具有显示功能的液晶显示装置。
图13A是液晶显示装置的俯视图。如图13A所示，像素部分290、扫描线驱动区域291a和291b通过密封材料282被密封于衬底200和相对衬底280之间，并且将通过IC驱动器形成的信号线驱动电路292设置在衬底200上。在驱动区域中，设置有具有薄膜晶体管283和284的驱动电路。
本实施方式中的外围驱动电路设置有由n沟道型的薄膜晶体管283和p沟道型的薄膜晶体管284来构成的CMOS电路。
在本实施方式中，将驱动电路区域中的CMOS结构用作倒相器。在仅PMOS结构或仅NMOS结构的情况下，TFT的栅电极层的一部分被连接到源电极层或漏电极层。
尽管在本实施方式中描述了具有单栅极结构的开关TFT，但也可采用双栅极结构或多栅极结构。此外，在使用SAS或结晶半导体制造半导体时，可以通过添加赋予一种导电型的杂质来形成杂质区域。在这种情况下，半导体层可具有浓度不同的杂质区域。例如，半导体层的沟道区附近并且与栅电极层层叠的区域可以为低浓度杂质区域，而其外部区域可以为高浓度杂质区。
如上所述，在本实施方式中，通过使用液滴喷射法在衬底上直接形成各种导电层、绝缘层，即使在使用一边1000mm或更长的代五世代以后的玻璃衬底的情况下，也可容易地制造显示面板。
根据本发明，以微细地加工、稳定地形成具有必要功能的所希望的导电层、绝缘层。此外，可降低材料浪费和成本。因此，可以高产量制造高性能和高可靠性的显示装置。
实施方式4
在本实施方式中，描述应用本发明的IPS(平面内切换，In-Plane-Switcing)模式的液晶显示装置的一个例子。
液晶显示模块可以使用TN(扭转向列Twisted Nematic)模式、IPS(平面内切换，In-Plane-Switcing)模式、MVA(多畴垂直取向，Multi-domainVertical Alignment)模式、ASM(轴线对称排列微单元，Axially Symmetricaligned Micro-cell)模式和OCB(光学补偿弯曲，Optically Compensated Bend)模式等。
IPS模式是通过使液晶分子与衬底大致平行地配置，并且产生与衬底平行的电场，来使液晶分子在衬底面中旋转，因此，IPS模式具有宽视野角。图8示出本实施方式的液晶显示装置的俯视图。
图8中的液晶显示装置包括栅电极层401、共同电极层402a至402c、半导体层403、源电极层或漏电极层404a和404b、薄膜晶体管405、像素电极层406a至406c。
连续地形成共同电极层402a至402c，并且连续地形成像素电极层406a至406c。在本实施方式中，将本发明应用于共同电极层以及像素电极层。因此，如实施方式1所示，共同电极层402a至402c以及像素电极层406a至406c是通过液滴喷射法来形成，并且其侧端部分是连续波状形状。
如侧端部分是连续波状形状，在弯曲点的上下方向产生的电场的方向则不同，液晶分子旋转的方向也不同。因此，视野角性能增高。本实施方式的共同电极层以及像素电极层的波状形状可以通过微细地加工来制作，这对视野角性能的增高更有效。此外，可以降低材料的浪费和成本。因此，可以高产量制造高性能和高可靠性的显示装置。
实施方式5
在此描述使用本发明的保护电路的一个例子。
如图6A和6B所示，可以在外部电路和内部电路之间形成保护电路2713。由选自TFT、二极管、电阻元件以及电容元件等的一种或多种的元件来构成保护电路。设置保护电路可以防止电位的急变、元件的破坏或损伤，从而可以提高可靠性。
在本实施方式中制作的保护电路的布线层，用本发明将其一部分形成为左右弯曲的形状。图7A至7C描述在本实施方式中制作的保护电路的布线层的一个例子。
图7A至7C是如在实施方式1中所示那样制作的左右弯曲的布线层。图7A的布线层301a至301d是左右弯曲的形状，并且如实施方式1所示那样互相具有一定间隔地邻接。
图7B和7C示出的布线层311和321自身是其周边具有凹凸、左右弯曲的形状，并且是矩形。如果将布线层设置为矩形，在布线层之间产生电容。如图7B和7C所示，可以通过适当地控制布线层之间的间隔来确定电容的大小。
如此，当布线层是弯曲的形状、曲折的矩形时，可以提高布线层的电阻，并且起到保护电路的作用。因此，可以阻挡静电并防止静电破坏等引起的半导体装置的不良。保护电路不局限于本实施方式，可以通过适当地组合TFT、电容或二极管等来作为保护电路使用。保护电路进一步提高半导体装置的可靠性。
本实施方式可以与实施方式1至4分别组合来使用。
实施方式6
使用根据本发明的显示装置可以完成电视装置。如图9A和9B所示那样，通过将实施方式3所示的使用液晶的液晶显示模块、实施方式2所示的使用EL元件的EL显示模块组合到框架来可以完成电视装置。使用EL显示模块、使用液晶显示模块分别完成EL电视装置、液晶电视装置。由显示模块形成主屏幕2003，另外具备作为附属设备的扬声器部分2009、操作开关等。如此，可以使用本发明完成电视装置。
显示面板2002组合到框架2001，除了由接收器2005接受一般的电视播放之外，通过使用调制解调器2004连接到有线或无线通信网络中，来可以进行单方向(从发送器到接收器)或双方向(发送器和接收器之间或接收器之间)的信息通信。可以使用组合到框架的开关或另外设置的遥控器件2006来操作电视装置。该遥控器件中也可以设置有显示输出的信息的显示部分2007。
此外，除了主屏幕2003以外，还可以用第二显示面板形成副屏幕2008，并且附加显示频道或音量等的结构。在此结构中，可以用视野角宽的EL显示面板形成主屏幕2003，用以低消耗电力可以显示的液晶显示面板形成副屏幕。此外，为了优先低消耗电力化，可以用液晶显示面板形成主屏幕2003，并且用EL显示面板形成副屏幕，可以使副屏幕具有能够一亮一灭的结构。根据本发明，即使在这样大型衬底上使用多个TFT或电子部件，也可以制造可靠性高的显示装置。
图9B示出具有大型诸如20至80英尺的显示部分的电视装置，其包括框架2010、显示部分2011、操作部分的遥控器件2012、扬声器部分2013等。本发明适用于制作显示部分2011。图9B的电视装置可以悬挂在墙上，这样就不需要为设置该电视装置的大空间。
当然，本发明不限于电视装置并可应用于各种用途，例如大尺寸显示媒介，包括个人计算机的监视器、火车站或机场的信息显示板、或者路上的广告显示板等。
实施方式7
通过应用本发明可以制造各种显示装置。换句话说，本发明可应用于将这种显示装置组合到其显示部分的各种电子器具。
这种电子器具包括摄像机、数字照相机、投影仪、头戴式显示器(护目镜型显示器)、汽车导航系统、汽车音响、个人计算机、游戏机、便携式信息终端(诸如移动计算机、手提电话或电子书)、具备记录媒介的图像再现装置(特别是，具有用于再现记录媒介诸如数字通用盘(DVD)并能显示该再现图像的显示器的装置)等等。图10A至10D中示出这些例子。
图10A是个人计算机，它包括主体2101、框架2102、显示部分2103、键盘2104、外部连接端口2105、定位鼠标2106等。本发明应用于制造显示部分2103。通过使用本发明，即使在个人计算机被小型化、配线等变得更精细时，也可显示高可靠性和高质量的图像。
图10B示出了具备记录媒介的图像再现装置(具体是DVD再现装置)，它包括主体2201、框架2202、显示部分A 2203、显示部分B 2204、记录媒介(DVD等)读取部分2205、操作键2206、扬声器部分2207等。显示部分A 2203主要显示图像数据而显示部分B 2204主要显示文字数据。本发明应用于该显示部分A 2203和B 2204的制造。通过应用本发明，即使在图像再现装置被小型化并且布线等变得更精细时，也可显示高可靠性和高质量的图像。
图10C是手机，它包括主体2301、音频输出部分2302、音频输入部分2303、显示部分2304、操作开关2305、天线2306等。通过将根据本发明制造的显示装置应用于显示部分2304，即使在手机被小型化并且布线等变得更精细时，也可显示高可靠性和高质量的图像。
图10D是摄像机，它包括主体2401、显示部分2402、框架2403、外部连接端口2404、遥控接收部分2405、图像接收部分2406、电池2407、声音输入部分2408、操作键2409等。本发明可应用于显示部分2402。通过将根据本发明制造的显示装置应用于显示部分2402，即使在摄像机被小型化并且布线等变得更精细时，也可显示高可靠性和高质量的图像。本实施方式可自由地与上述实施方式组合。
实施方式8
本实施方式示出在具有处理器电路的芯片诸如无线芯片、无线标签、无线IC、RFID、IC标签等中，将本发明的导电层应用于以无线接收或发送数据、或双方向地发送接收的天线的例子。
图5A是一种透视图，其示出本发明的半导体装置之一的具有处理器电路的芯片。作为集成电路可以使用处理器和系统处理器，所述处理器是具有各种信号处理功能的集合体，所述系统处理器具有处理器作为系统。附图标记1101表示集成电路，1105表示连接到集成电路1101的天线。附图标记1103表示还起到覆盖材料功能的支撑体，1104表示覆盖材料。集成电路1104和天线1105形成在支撑体1103上，并且覆盖材料1104与支撑体1103交叠，使得覆盖集成电路1101和天线1105。虽然不一定必须使用覆盖材料1104，但通过用覆盖材料1104覆盖集成电路1101和天线1105可以增加具有处理器电路的芯片的机械强度。
用于集成电路1101的半导体元件可以使用薄膜晶体管、存储元件、二极管、光电转换元件、电阻元件、线圈、电容元件、电感器等。
通过在集成电路1101上，或在支撑体1103和集成电路1101之间形成保护膜，可以提供一种具有处理器电路、高可靠性的芯片，该芯片的集成电路1101不会受到湿气等的污染。作为保护膜，可以使用具有阻挡功能的膜诸如氮化硅膜等。
图5B示出扩大天线1105中的区域1102的俯视图。在区域1102中，邻接地形成天线1105a至1105d。用如实施方式1所示的方法通过液滴喷射法来制作这些天线1105，其具有左右弯曲的形状。这是因为，以平行地形成第一次喷射的液滴中心线和第二次喷射的液滴中心线。互相邻接的天线1105a至1105d可以如实施方式1所示，以均匀间隔稳定地形成为所希望的形状。由于如此形成的天线1105不产生由形状不良引起的电气特性不良等，所以可以制造具有高可靠性的半导体装置。通过使用液滴喷射法形成天线，可以减少步骤数量、降低成本。
天线的特性取决于天线的模式。这是由于当天线和读取/写入器共振时产生的起电力取决于天线圈的频率、圈数、面积等，并且起电力高时的频率即共振频率取决于线圈的电感和电容，而且线圈的电感取决于线圈的模式如尺寸、形状、圈数、邻接的线圈之间的距离等。由于使用本发明可以更微细地加工天线的形状，所以，天线的形状的自由度和选择度增高。从而，可以制造具有进一步适于被要求的功能的特性的半导体装置。
在本实施方式中，示出了用不同的覆盖材料粘贴包括集成电路和形成在集成电路的层间绝缘膜上的天线的层叠体的实例，然而不局限于此，也可使用粘合剂固定天线所形成的覆盖材料和集成电路。此时，通过进行UV处理或超音波处理使用各向异性导电粘合剂或各向异性导电薄膜连接集成电路和天线，但，本发明不局限于此，可以使用各种方法。另外，天线不必总是等于具有处理器电路的芯片的尺寸，并且可以适当地更大或更小地设定。此外，发送或接收信号可以使用无线等的电磁波、光等。
也可采用以下结构；集成电路直接形成在支撑体，且作为覆盖膜使用氮化硅等的致密膜的结构，或通过剥离步骤形成集成电路，将此粘贴到支撑体和覆盖材料的结构。支撑体和覆盖材料可以使用具有柔性的材料，例如塑料、有机树脂、纸、纤维、石墨碳等。通过对于覆盖材料应用生物可降解树脂，可以将此分解为细菌等且将其返回到土壤。此外，由于本实施方式的集成电路由硅、铝、氧、氮等来形成，所以可以形成非污染的具有处理器电路的芯片。另外，通过对于覆盖材料使用焚烧不会引起污染的材料诸如纸、纤维、石墨碳等，可以烧掉或切断使用过的具有处理器电路的芯片。此外，由于当焚烧使用这些材料的具有处理器电路的芯片时，不会产生有毒气体，所以不会引起污染。
在将由剥离步骤形成的集成电路粘贴到支撑体、覆盖材料的情况下，支撑体和覆盖材料之间的集成电路可以形成具有5μm或更小的厚度，优选0.1至3μm的厚度。另外，当支撑体和覆盖材料的总厚度由d表示时，支撑体和覆盖材料的每个厚度都优选为(d/2)±30μm，更优选为(d/2)±10μm。此外，支撑体1103和第二覆盖材料优选形成具有10至200μm的厚度。并且，集成电路1101的面积为5mm的平方(25mm2)或更小，优选为0.3至4mm的平方(0.09至16mm2)。当支撑体1103和覆盖材料由有机树脂材料形成时，则具有耐弯曲的特性。与单晶半导体相比，通过剥离步骤形成的集成电路具有更耐弯曲的特性。由于集成电路、支撑体和覆盖材料可以粘结在一起而它们之间没有间隔，所以完成的具有处理器电路的芯片自身也具有耐弯曲的特性。这样由支撑体、覆盖材料围绕的集成电路可以放置在其他个体物的表面或内部，或嵌入在纸中。
本实施方式可以自由地组合上述实施方式1至8的任何一种。
实施方式9
如实施方式8所示，可以应用本发明形成起到具有处理器电路的芯片(也称作无线芯片、无线处理器、无线存储器、无线标签)作用的半导体装置。本发明的半导体装置用于各种用途，例如可设置在纸币、硬币、有价证券、证书、无记名债券、包装容器、书籍、记录媒介、身边带的东西、交通工具、食物、衣服、健康产品、生活用具、医药品以及电子器具等。
纸币和硬币指的是市场上流通的货币，包括在特定区域内作为现金通用的货币(金券)和纪念币。有价证券指的是支票、证券、期票等，它们可配备具有处理器电路的芯片90(参照图11A)。证书指的是驾驶证、居民卡等，它们可配备具有处理器电路的芯片91(参照图11B)。交通工具指的是自行车等的车辆、船等，它们可配备具有处理电路的芯片96(参照图11G)。无记名债券指的是邮票、大米券、各种商品赠券等。包装容器指的是用于盒饭等的包装纸、塑料瓶等，它们可配备具有处理器电路的芯片93(参照图11D)。书籍指的是书等，它们可配备具有处理器电路的芯片94(参照图11E)。记录媒介指的是DVD软件、录像带等，它们可配备具有处理器电路的芯片95(参照图11F)。身边带的东西指的是包、眼镜等，它们可配备具有处理器电路的芯片97(参照图11C)。食品指的是食物产品、饮料等。衣服指的是衣服、鞋类等。健康产品指的是医疗器具、健康器具等。生活器具指的是家具、照明设备等。医药品指的是医药、农药等。电子器具指的是液晶显示装置、EL显示装置、电视装置(电视机或平面电视机)、手机等。
通过将具有处理器电路的芯片设置在纸币、硬币、有价证券、证书、无记名债券等，可以防止伪造。此外，通过将具有处理器电路的芯片设置在包装容器、书籍、记录媒介、身边带的东西、食物、生活用具、电子器具等，可以提高检验系统、租用系统的效率。通过将具有处理器电路的芯片设置在交通工具、健康产品、医药品等，可以防止伪造和偷窃，并且当用于药品时可以防止拿错药品。作为设置具有处理器电路的芯片的方法，可将其粘贴到产品的表面上或嵌入产品中。例如，对于书，可将芯片嵌入页中或者在用有机树脂制成包装的情况下将其嵌入有机树脂中。
此外，通过将具有可以根据本发明形成的处理器电路的芯片应用于产品管理系统或流通系统，可以实现该系统的高功能化。例如，通过提供在传送带旁边的读取器/写入器读取提供于标签上的具有处理器电路的芯片存储的数据，而读出关于流通过程和传送目的地等的数据，可以容易地进行产品的检查或行李的分配。
实施例1
本实施例示出使用本发明在具有润湿性被控制的表面的衬底上形成掩模层的实例。
在衬底上层叠两个要被加工的导电膜，其上形成掩模层。预想通过加工导电膜来形成两个并列的导电层，将掩模层形成为所希望的导电层的形状。
作为衬底使用玻璃衬底，在其上层叠由TaN构成的第一导电膜和由W构成的第二导电膜。使用涂敷法在第二导电膜上形成FAS，来控制掩模层形成区域的润湿性。使用液滴喷射法向该润湿性被控制的第二导电膜表面上喷射含有掩模层形成材料的液状组合物。以45℃加热衬底。含有掩模层形成材料的组合物的主要成分是聚酰亚胺，作为溶剂混合surflon、乙二醇-n-单丁醚。刚刚附着到被形成区域的液滴的直径是70μm，液滴的重叠是20μm。图15A示出被制作的掩模层的光学显微镜照片。如图15A所示，邻接形成掩模层83和84。
使用图15B详细地说明喷射液滴的方法。图15B是模式图，模式地示出被形成的掩模层和刚刚附着到被形成区域的液滴的形状。喷射液滴以四次阶段进行，通过每个阶段的喷射来附着的液滴如模式图的旁边所示，第一阶段的液滴是向左的斜线的圆形，第二阶段的液滴是向右的斜线的圆形，第三阶段的液滴是点划线的圆形，以及第四阶段的液滴是虚线的圆形。此外，线85至88分别表示将第一至第四阶段喷射的液滴中心的线分别连接为一条线的线。
在每个阶段中，使同一阶段中喷射的液滴互相不接触而喷射液滴。在本实施例中，同一阶段中喷射的液滴间隔为100μm。此外，在第三和第四阶段中喷射，并使液滴中心位置于分别对应于第一和第二阶段中喷射的液滴之间的中央的线87和88上。
掩模层83和84都不是一次喷射就可形成连续的掩模层，而是两次喷射才可形成连续的掩模层。在本实施例中，通过第一和第三阶段的喷射步骤形成掩模层83，通过第二和第四阶段的喷射步骤形成掩模层84。在第一阶段的喷射步骤中喷射的液滴的中心在线85上，在第三阶段的喷射步骤中喷射的液滴的中心在线87上。同样地，在第二阶段的喷射步骤中喷射的液滴的中心在线86上，在第四阶段的喷射步骤中喷射的液滴的中心在线88上。将第一和第三阶段喷射的液滴中心分别连接的线85和87具有15μm的一定间隔，同样地，线86和88也具有15μm的间隔。因此，掩模层83和84由于其液滴中心线是错开的，所以具有侧端部分是连续的波状形状的左右弯曲的形状。
在本实施例中，当形成互相邻接的掩模层时，在每个线85和86上，并且在每个线87和88上，将下一阶段的液滴中心位置于和上一阶段中喷射的液滴中心不同的位置。因此掩模层83和84具有的侧端部分的波状形状的凸部和凹部的位置也是错开的，从而，掩模层83和84不会互相接触，并且具有间隔地形成。因此，根据本实施例，可以确认能够制作具有微细加工的形状的掩模层。
通过使用如此的掩模层83和84加工第一导电膜和第二导电膜，来可以制造以小间隔被配置、并且加工为微细形状的导电层。由于可以减小导电层之间的间隔，所以如果将该导电层应用于源电极层或漏电极层，则可以减小沟道宽度。因此，可以制造能够高速动作的具有高性能、高可靠性的半导体装置。并且，制造时由形状不良引起的不良减少，所以还具有提高成品率和产生率的效果。
本说明书根据2005年1月28日在日本专利局受理的日本专利申请编号2005-022248而制造，所述申请内容包括在本说明书中。

Claims (36)

1.一种半导体装置，包括：
包括半导体层的薄膜晶体管，
其中所述半导体层包括氧化锌，并且
其中所述薄膜晶体管为多栅结构。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层是晶状半导体层。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多栅包括Ag，Au，Ni，Pt，Pd，Ir，Rh，Ta，W，Ti，Mo，Al，Cu和铟锡氧化物之一。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述薄膜晶体管还包括源电极层和漏电极层，其中所述源电极层和漏电极层包括Ag，Au，Cu，W，Al，Mo，Ti，铟锡氧化物，含氧化硅的铟锡氧化物，有机铟，有机锡，氧化锌和氮化钛之一。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置是液晶显示装置。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置是EL显示装置。
7.一种半导体装置，包括：
包括半导体层的薄膜晶体管，
其中所述半导体层包括锌，铟和镓，并且
其中所述薄膜晶体管为多栅结构。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述半导体层是晶状半导体层。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述多栅包括Ag，Au，Ni，Pt，Pd，Ir，Rh，Ta，W，Ti，Mo，Al，Cu和铟锡氧化物之一。
10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述薄膜晶体管包括源电极层和漏电极层，其中所述源电极层和漏电极层包括Ag，Au，Cu，W，Al，Mo，Ti，铟锡氧化物，含氧化硅的铟锡氧化物，有机铟，有机锡，氧化锌和氮化钛之一。
11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述半导体装置是液晶显示装置。
12.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述半导体装置是EL显示装置。
13.一种半导体装置，包括：
衬底上的第一栅电极层；
所述衬底上的第二栅电极层；
所述第一栅电极层和第二栅电极层上的栅绝缘层；
所述栅绝缘层上的第一半导体层；
所述栅绝缘层上的第二半导体层；
所述第一半导体层上的第一源电极层；
所述第一半导体层上的第一漏电极层；
所述第二半导体层上的第二源电极层；以及
所述第二半导体层上的第二漏电极层；
其中所述第一半导体层包括氧化锌；以及
所述第二半导体层包括氧化锌。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述第一半导体层是晶状半导体层，并且所述第二半导体层是晶状半导体层。
15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述第一栅电极层包括Ag，Au，Ni，Pt，Pd，Ir，Rh，Ta，W，Ti，Mo，Al，Cu和铟锡氧化物之一；并且
所述第二栅电极层包括Ag，Au，Ni，Pt，Pd，Ir，Rh，Ta，W，Ti，Mo，Al，Cu和铟锡氧化物之一。
16.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述第一源电极层和第一漏电极层包括Ag，Au，Cu，W，Al，Mo，Ti，铟锡氧化物，含氧化硅的铟锡氧化物，有机铟，有机锡，氧化锌和氮化钛之一；并且
所述第二源电极层和第二漏电极层包括Ag，Au，Cu，W，Al，Mo，Ti，铟锡氧化物，含氧化硅的铟锡氧化物，有机铟，有机锡，氧化锌和氮化钛之一。
17.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述半导体装置是液晶显示装置。
18.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述半导体装置是EL显示装置。
19.一种半导体装置，包括：
衬底上的第一栅电极层；
所述衬底上的第二栅电极层；
所述第一栅电极层和第二栅电极层上的栅绝缘层；
所述栅绝缘层上的第一半导体层；
所述栅绝缘层上的第二半导体层；
所述第一半导体层上的第一源电极层；
所述第一半导体层上的第一漏电极层；
所述第二半导体层上的第二源电极层；以及
所述第二半导体层上的第二漏电极层；
其中所述第一半导体层包括锌，铟和镓；并且
所述第二半导体层包括锌，铟和镓。
20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中所述第一半导体层是晶状半导体层，并且
所述第二半导体层是晶状半导体层。
21.根据权利要求19所述的半导体装置，其中所述第一栅电极层包括Ag，Au，Ni，Pt，Pd，Ir，Rh，Ta，W，Ti，Mo，Al，Cu和铟锡氧化物之一；并且
所述第二栅电极层包括Ag，Au，Ni，Pt，Pd，Ir，Rh，Ta，W，Ti，Mo，Al，Cu和铟锡氧化物之一。
22.根据权利要求19所述的半导体装置，其中所述第一源电极层和第一漏电极层包括Ag，Au，Cu，W，Al，Mo，Ti，铟锡氧化物，含氧化硅的铟锡氧化物，有机铟，有机锡，氧化锌和氮化钛之一；并且
所述第二源电极层和第二漏电极层包括Ag，Au，Cu，W，Al，Mo，Ti，铟锡氧化物，含氧化硅的铟锡氧化物，有机铟，有机锡，氧化锌和氮化钛之一。
23.根据权利要求19所述的半导体装置，其中所述半导体装置是液晶显示装置。
24.根据权利要求19所述的半导体装置，其中所述半导体装置是EL显示装置。
25.一种半导体装置，包括：
保护电路，
其中所述保护电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层，并且
其中所述半导体层包括氧化锌。
26.根据权利要求25所述的半导体装置，其中所述半导体层是晶状半导体层。
27.根据权利要求25所述的半导体装置，其中所述薄膜晶体管包括栅电极层，所述栅电极层包括Ag，Au，Ni，Pt，Pd，Ir，Rh，Ta，W，Ti，Mo，Al，Cu和铟锡氧化物之一。
28.根据权利要求25所述的半导体装置，其中所述薄膜晶体管包括源电极层和漏电极层，其中所述源电极层和漏电极层包括Ag，Au，Cu，W，Al，Mo，Ti，铟锡氧化物，含氧化硅的铟锡氧化物，有机铟，有机锡，氧化锌和氮化钛之一。
29.根据权利要求25所述的半导体装置，其中所述半导体装置是液晶显示装置。
30.根据权利要求25所述的半导体装置，其中所述半导体装置是EL显示装置。
31.一种半导体装置，包括：
保护电路，其中所述保护电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层，并且其中所述半导体层包括锌，铟和镓。
32.根据权利要求31所述的半导体装置，其中所述半导体层是晶状半导体层。
33.根据权利要求31所述的半导体装置，其中所述薄膜晶体管包括栅电极层，所述栅电极层包括Ag，Au，Ni，Pt，Pd，Ir，Rh，Ta，W，Ti，Mo，Al，Cu和铟锡氧化物之一。
34.根据权利要求31所述的半导体装置，其中所述薄膜晶体管还包括源电极层和漏电极层，其中所述源电极层和漏电极层包括Ag，Au，Cu，W，Al，Mo，Ti，铟锡氧化物，含氧化硅的铟锡氧化物，有机铟，有机锡，氧化锌和氮化钛之一。
35.根据权利要求31所述的半导体装置，其中所述半导体装置是液晶显示装置。
36.根据权利要求31所述的半导体装置，其中所述半导体装置是EL显示装置。
CN200910205017XA 2005-01-28 2006-01-23 半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法 Active CN101677111B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005022248 2005-01-28
JP2005-022248 2005-01-28
JP2005022248 2005-01-28

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100069163A Division CN100565910C (zh) 2005-01-28 2006-01-23 半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101677111A true CN101677111A (zh) 2010-03-24
CN101677111B CN101677111B (zh) 2013-06-19

Family

ID=36755565

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200910205017XA Active CN101677111B (zh) 2005-01-28 2006-01-23 半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法
CNB2006100069163A Expired - Fee Related CN100565910C (zh) 2005-01-28 2006-01-23 半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100069163A Expired - Fee Related CN100565910C (zh) 2005-01-28 2006-01-23 半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法

Country Status (5)

Country Link
US (4) US7608531B2 (zh)
JP (1) JP5707373B2 (zh)
KR (9) KR101238274B1 (zh)
CN (2) CN101677111B (zh)
TW (4) TWI569441B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111615267A (zh) * 2020-05-19 2020-09-01 成都怀慈福佑电子科技有限公司 一种通过印刷电子技术制备生物可降解电子器件的制备方法
CN112661147A (zh) * 2021-01-15 2021-04-16 无锡东恒新能源科技有限公司 一种石墨烯纳米盘阵列的制备方法
CN114945474A (zh) * 2020-12-14 2022-08-26 Unijet株式会社 用于薄膜涂覆的喷墨印刷方法

Families Citing this family (1815)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7915058B2 (en) * 2005-01-28 2011-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Substrate having pattern and method for manufacturing the same, and semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI562380B (en) * 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI467702B (zh) 2005-03-28 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 記憶裝置和其製造方法
KR100697392B1 (ko) * 2005-04-18 2007-03-20 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 태블릿 액정표시장치
US7928938B2 (en) * 2005-04-19 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus
US8629819B2 (en) 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
WO2007034935A1 (en) 2005-09-21 2007-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Cyclic redundancy check circuit and semiconductor device having the cyclic redundancy check circuit
EP3614442A3 (en) 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
CN101278403B (zh) * 2005-10-14 2010-12-01 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR101397571B1 (ko) 2005-11-15 2014-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그의 제조방법
US7516002B2 (en) * 2006-01-10 2009-04-07 Guardian Industries Corp. Rain sensor for detecting rain or other material on window of a vehicle or on other surface
US9371032B2 (en) 2006-01-10 2016-06-21 Guardian Industries Corp. Moisture sensor and/or defogger with Bayesian improvements, and related methods
US8138075B1 (en) 2006-02-06 2012-03-20 Eberlein Dietmar C Systems and methods for the manufacture of flat panel devices
EP1843194A1 (en) 2006-04-06 2007-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
KR100769449B1 (ko) * 2006-05-23 2007-10-22 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
JP5116277B2 (ja) * 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
US7646015B2 (en) * 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
KR100833768B1 (ko) * 2007-01-15 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 화소 장치 및 그 제조 방법
KR101485926B1 (ko) * 2007-02-02 2015-02-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억장치
JP2008270757A (ja) * 2007-03-26 2008-11-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP5542297B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP5542296B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP4989309B2 (ja) 2007-05-18 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US7897482B2 (en) * 2007-05-31 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8354674B2 (en) * 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
NO332409B1 (no) * 2008-01-24 2012-09-17 Well Technology As Anordning og fremgangsmate for a isolere en seksjon av et bronnhull
US9041202B2 (en) 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
KR102042037B1 (ko) 2008-07-10 2019-11-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
JP2010056541A (ja) 2008-07-31 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TWI469354B (zh) 2008-07-31 2015-01-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI500159B (zh) 2008-07-31 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
TWI450399B (zh) * 2008-07-31 2014-08-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US9666719B2 (en) 2008-07-31 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI508282B (zh) 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP5480554B2 (ja) 2008-08-08 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5525778B2 (ja) * 2008-08-08 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5608347B2 (ja) 2008-08-08 2014-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
TWI424506B (zh) 2008-08-08 2014-01-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
US9082857B2 (en) * 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
TWI569454B (zh) * 2008-09-01 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2010029865A1 (en) 2008-09-12 2010-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN102150191B (zh) 2008-09-12 2013-07-24 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR101665734B1 (ko) * 2008-09-12 2016-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 생산 방법
KR101623224B1 (ko) * 2008-09-12 2016-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2010032602A1 (en) 2008-09-18 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102413263B1 (ko) 2008-09-19 2022-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
WO2010032619A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR102246123B1 (ko) 2008-09-19 2021-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101722409B1 (ko) 2008-09-19 2017-04-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101874327B1 (ko) * 2008-09-19 2018-07-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
WO2010038599A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP2172804B1 (en) 2008-10-03 2016-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device
KR101803720B1 (ko) * 2008-10-03 2017-12-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN101714546B (zh) 2008-10-03 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
KR20160113329A (ko) 2008-10-03 2016-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
CN101719493B (zh) * 2008-10-08 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP5484853B2 (ja) 2008-10-10 2014-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101799601B1 (ko) * 2008-10-16 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치
JP5361651B2 (ja) * 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5616012B2 (ja) 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2010047217A1 (en) 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5442234B2 (ja) 2008-10-24 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8106400B2 (en) 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101667909B1 (ko) 2008-10-24 2016-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2010047288A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
TWI633605B (zh) 2008-10-31 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101603303B1 (ko) 2008-10-31 2016-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법
KR101631454B1 (ko) * 2008-10-31 2016-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리회로
WO2010050419A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and display device
CN101740631B (zh) * 2008-11-07 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及该半导体装置的制造方法
CN103730509B (zh) * 2008-11-07 2018-03-30 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
TWI487104B (zh) * 2008-11-07 2015-06-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
TWI467663B (zh) * 2008-11-07 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和該半導體裝置的製造方法
EP2184783B1 (en) * 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI589006B (zh) 2008-11-07 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI502739B (zh) * 2008-11-13 2015-10-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
KR101432764B1 (ko) * 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010153802A (ja) * 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
WO2010058746A1 (en) 2008-11-21 2010-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI508304B (zh) 2008-11-28 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
TWI585955B (zh) * 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置
TWI749283B (zh) 2008-11-28 2021-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
KR101472771B1 (ko) * 2008-12-01 2014-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI613489B (zh) * 2008-12-03 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP5491833B2 (ja) 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2010071034A1 (en) 2008-12-19 2010-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing transistor
JP5615540B2 (ja) * 2008-12-19 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2515337B1 (en) 2008-12-24 2016-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR101719350B1 (ko) * 2008-12-25 2017-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8383470B2 (en) * 2008-12-25 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof
TWI474408B (zh) * 2008-12-26 2015-02-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US8330156B2 (en) 2008-12-26 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with a plurality of oxide clusters over the gate insulating layer
KR101648927B1 (ko) * 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8492756B2 (en) 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8436350B2 (en) * 2009-01-30 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters
US8367486B2 (en) 2009-02-05 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the transistor
US8174021B2 (en) 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US8749930B2 (en) * 2009-02-09 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device
CN101840936B (zh) 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
US8278657B2 (en) 2009-02-13 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8247812B2 (en) * 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8841661B2 (en) * 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20100224878A1 (en) 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101671210B1 (ko) 2009-03-06 2016-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102342672B1 (ko) 2009-03-12 2021-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI556323B (zh) * 2009-03-13 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
US8450144B2 (en) * 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101752640B1 (ko) 2009-03-27 2017-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
TWI511288B (zh) * 2009-03-27 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
KR101681884B1 (ko) 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
TWI485851B (zh) * 2009-03-30 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US8338226B2 (en) * 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI489628B (zh) 2009-04-02 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US8441047B2 (en) 2009-04-10 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI535023B (zh) 2009-04-16 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
WO2010125986A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5751762B2 (ja) 2009-05-21 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5564331B2 (ja) * 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2256814B1 (en) * 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2256795B1 (en) 2009-05-29 2014-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for oxide semiconductor device
KR101732859B1 (ko) 2009-06-30 2017-05-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
WO2011002046A1 (en) 2009-06-30 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101291395B1 (ko) 2009-06-30 2013-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
KR102435377B1 (ko) 2009-06-30 2022-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US20110000175A1 (en) * 2009-07-01 2011-01-06 Husqvarna Consumer Outdoor Products N.A. Inc. Variable speed controller
JP5663214B2 (ja) * 2009-07-03 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102503687B1 (ko) 2009-07-03 2023-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101476817B1 (ko) * 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
KR102416978B1 (ko) 2009-07-10 2022-07-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
SG177332A1 (en) * 2009-07-10 2012-02-28 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
KR101642620B1 (ko) 2009-07-10 2016-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011007677A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011007675A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011007682A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR101414926B1 (ko) 2009-07-18 2014-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
WO2011010545A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010544A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2011010541A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010542A1 (en) * 2009-07-23 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010546A1 (en) 2009-07-24 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102215941B1 (ko) 2009-07-31 2021-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN102473734B (zh) * 2009-07-31 2015-08-12 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR102097932B1 (ko) 2009-07-31 2020-04-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
WO2011013502A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011013523A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI830077B (zh) 2009-08-07 2024-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
EP2284891B1 (en) 2009-08-07 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5663231B2 (ja) * 2009-08-07 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI596741B (zh) * 2009-08-07 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI604594B (zh) * 2009-08-07 2017-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置
JP5642447B2 (ja) 2009-08-07 2014-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI634642B (zh) 2009-08-07 2018-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
US8115883B2 (en) 2009-08-27 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
WO2011027649A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device
JP5700626B2 (ja) * 2009-09-04 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
WO2011027661A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2011027702A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR101746198B1 (ko) * 2009-09-04 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102598283B (zh) 2009-09-04 2016-05-18 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR101791812B1 (ko) 2009-09-04 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011027664A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
WO2011027656A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
JP5515540B2 (ja) * 2009-09-10 2014-06-11 富士通株式会社 表示装置
KR101979327B1 (ko) 2009-09-16 2019-05-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR101730347B1 (ko) 2009-09-16 2017-04-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9715845B2 (en) 2009-09-16 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
WO2011034012A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
WO2011033914A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device and display device
EP3217435A1 (en) 2009-09-16 2017-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
WO2011033909A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic device including the display device
CN105609565B (zh) * 2009-09-16 2019-02-22 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
CN105513644B (zh) 2009-09-24 2019-10-15 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括驱动器电路的显示设备以及包括显示设备的电子电器
TWI512997B (zh) * 2009-09-24 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法
WO2011037010A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and method for manufacturing the same
WO2011037008A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
KR20130026404A (ko) 2009-09-24 2013-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제조 방법
KR101608923B1 (ko) 2009-09-24 2016-04-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
WO2011037050A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011036981A1 (en) * 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101788538B1 (ko) 2009-09-24 2017-10-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011040349A1 (en) * 2009-09-30 2011-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Redox capacitor and manufacturing method thereof
WO2011040213A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011043182A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device
WO2011043163A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101376461B1 (ko) * 2009-10-08 2014-03-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체층 및 반도체 장치
KR102399469B1 (ko) 2009-10-08 2022-05-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101778513B1 (ko) * 2009-10-09 2017-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기
KR20120093864A (ko) 2009-10-09 2012-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011043451A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and display device
WO2011043164A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
WO2011043206A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN107180608B (zh) 2009-10-09 2020-10-02 株式会社半导体能源研究所 移位寄存器和显示装置以及其驱动方法
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2486593B1 (en) 2009-10-09 2017-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101424950B1 (ko) * 2009-10-09 2014-08-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
WO2011043162A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR101949670B1 (ko) 2009-10-09 2019-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101680047B1 (ko) * 2009-10-14 2016-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101865546B1 (ko) 2009-10-16 2018-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기
KR101772639B1 (ko) 2009-10-16 2017-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102235725B1 (ko) 2009-10-16 2021-04-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
SG178057A1 (en) 2009-10-16 2012-03-29 Semiconductor Energy Lab Logic circuit and semiconductor device
KR102081795B1 (ko) * 2009-10-16 2020-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치
KR101892430B1 (ko) 2009-10-21 2018-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20130130879A (ko) 2009-10-21 2013-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
KR101801959B1 (ko) 2009-10-21 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기
KR102162746B1 (ko) 2009-10-21 2020-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
KR101291488B1 (ko) * 2009-10-21 2013-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101751908B1 (ko) 2009-10-21 2017-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전압 조정 회로
WO2011048923A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
KR101293261B1 (ko) 2009-10-21 2013-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 표시 장치를 갖는 전자 기기
KR101930682B1 (ko) * 2009-10-29 2018-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102598246B (zh) 2009-10-29 2016-03-16 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
WO2011052368A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic device including the display device
CN102668095B (zh) 2009-10-30 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 晶体管
WO2011052384A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011052385A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011052366A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
WO2011052344A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic appliance including the same
WO2011052382A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101499494B1 (ko) 2009-10-30 2015-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로 및 반도체 장치
WO2011052413A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device, and electronic device
WO2011052411A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011052437A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
KR101752348B1 (ko) * 2009-10-30 2017-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102576708B (zh) 2009-10-30 2015-09-23 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011052410A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power diode, rectifier, and semiconductor device including the same
WO2011055631A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101753927B1 (ko) 2009-11-06 2017-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101952065B1 (ko) 2009-11-06 2019-02-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 동작 방법
KR20120116403A (ko) * 2009-11-06 2012-10-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널 및 터치 패널의 구동 방법
KR101818265B1 (ko) * 2009-11-06 2018-01-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102612749B (zh) 2009-11-06 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101727469B1 (ko) * 2009-11-06 2017-04-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101747158B1 (ko) 2009-11-06 2017-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
WO2011055769A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and semiconductor device, and deposition apparatus
KR101876470B1 (ko) * 2009-11-06 2018-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5539846B2 (ja) 2009-11-06 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 評価方法、半導体装置の作製方法
KR101763126B1 (ko) 2009-11-06 2017-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101645680B1 (ko) * 2009-11-06 2016-08-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20230041840A (ko) * 2009-11-13 2023-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20170072965A (ko) 2009-11-13 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터
WO2011058913A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011058867A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing the same, and transistor
KR101738996B1 (ko) * 2009-11-13 2017-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 메모리 소자를 포함하는 장치
KR101975741B1 (ko) * 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
CN102668097B (zh) * 2009-11-13 2015-08-12 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR101721850B1 (ko) 2009-11-13 2017-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011058885A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
CN102612714B (zh) 2009-11-13 2016-06-29 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其驱动方法
WO2011062029A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
CN102668063B (zh) * 2009-11-20 2015-02-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011062057A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102598266B (zh) * 2009-11-20 2015-04-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101800854B1 (ko) * 2009-11-20 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
KR101370301B1 (ko) 2009-11-20 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR20190124813A (ko) 2009-11-20 2019-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101708607B1 (ko) 2009-11-20 2017-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011062048A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor
MY166309A (en) 2009-11-20 2018-06-25 Semiconductor Energy Lab Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same
JP5762723B2 (ja) 2009-11-20 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 変調回路及びそれを備えた半導体装置
WO2011065183A1 (en) * 2009-11-24 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory cell
WO2011065209A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
WO2011065198A1 (en) 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101803254B1 (ko) * 2009-11-27 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN103426935A (zh) 2009-11-27 2013-12-04 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和及其制造方法
KR101825345B1 (ko) 2009-11-28 2018-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 적층 산화물 재료, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102304078B1 (ko) 2009-11-28 2021-09-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011065244A1 (en) 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011065210A1 (en) * 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
KR101839931B1 (ko) * 2009-11-30 2018-03-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 액정 표시 장치의 구동 방법, 및 이 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기
KR101833198B1 (ko) 2009-12-04 2018-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기
WO2011068106A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including the same
KR101396102B1 (ko) 2009-12-04 2014-05-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011068025A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc converter circuit and power supply circuit
CN105609509A (zh) * 2009-12-04 2016-05-25 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR101501420B1 (ko) 2009-12-04 2015-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011068028A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
WO2011068022A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5584103B2 (ja) * 2009-12-04 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011068066A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP2507823B1 (en) 2009-12-04 2018-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
JP2011139052A (ja) 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
WO2011068016A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101511076B1 (ko) 2009-12-08 2015-04-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101945171B1 (ko) * 2009-12-08 2019-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102763154B (zh) 2009-12-10 2015-05-20 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其驱动方法
JP5727204B2 (ja) 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101804589B1 (ko) 2009-12-11 2018-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
CN104658598B (zh) * 2009-12-11 2017-08-11 株式会社半导体能源研究所 半导体器件、逻辑电路和cpu
WO2011070887A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
CN104600105B (zh) 2009-12-11 2018-05-08 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011074590A1 (en) 2009-12-17 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, measurement apparatus, and measurement method of relative permittivity
KR102135817B1 (ko) 2009-12-18 2020-07-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
US9057758B2 (en) * 2009-12-18 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group
WO2011074407A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101887837B1 (ko) 2009-12-18 2018-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법
WO2011074379A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and driving method thereof
CN102652356B (zh) 2009-12-18 2016-02-17 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011074408A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-volatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same
WO2011074409A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101871654B1 (ko) 2009-12-18 2018-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
CN102652396B (zh) 2009-12-23 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20120101716A (ko) 2009-12-24 2012-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
WO2011077916A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011077925A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving liquid crystal display device
US8441009B2 (en) * 2009-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101434948B1 (ko) 2009-12-25 2014-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011077946A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011077978A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR101811203B1 (ko) * 2009-12-25 2017-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제작하기 위한 방법
KR20190034696A (ko) 2009-12-25 2019-04-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 장치, 반도체 장치, 및 전자 장치
CN109390215B (zh) * 2009-12-28 2023-08-15 株式会社半导体能源研究所 制造半导体装置的方法
KR101760537B1 (ko) * 2009-12-28 2017-07-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101842413B1 (ko) 2009-12-28 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011081041A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
CN102844806B (zh) 2009-12-28 2016-01-20 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及电子设备
CN105047669B (zh) 2009-12-28 2018-08-14 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和半导体装置
KR101791279B1 (ko) * 2010-01-15 2017-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102696064B (zh) 2010-01-15 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和电子装置
US8780629B2 (en) 2010-01-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101798367B1 (ko) 2010-01-15 2017-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102742003B (zh) * 2010-01-15 2015-01-28 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101698537B1 (ko) * 2010-01-15 2017-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102471810B1 (ko) 2010-01-15 2022-11-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법
KR101978106B1 (ko) 2010-01-20 2019-05-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101816505B1 (ko) * 2010-01-20 2018-01-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 표시 방법
KR101750126B1 (ko) * 2010-01-20 2017-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치
KR102208565B1 (ko) * 2010-01-20 2021-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8415731B2 (en) * 2010-01-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections
US9984617B2 (en) 2010-01-20 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including light emitting element
KR102395345B1 (ko) * 2010-01-20 2022-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
CN102804603B (zh) 2010-01-20 2015-07-15 株式会社半导体能源研究所 信号处理电路及其驱动方法
KR102011801B1 (ko) * 2010-01-20 2019-08-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
KR101842860B1 (ko) 2010-01-20 2018-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법
WO2011089848A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
KR101952555B1 (ko) * 2010-01-22 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011089852A1 (en) 2010-01-22 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and driving method thereof
KR101829309B1 (ko) 2010-01-22 2018-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI525377B (zh) 2010-01-24 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
KR102008754B1 (ko) 2010-01-24 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
KR101873730B1 (ko) 2010-01-24 2018-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101948707B1 (ko) * 2010-01-29 2019-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
CN102714001B (zh) 2010-01-29 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置与包含半导体装置的电子装置
WO2011093150A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101862823B1 (ko) * 2010-02-05 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
KR20240016443A (ko) 2010-02-05 2024-02-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US9391209B2 (en) 2010-02-05 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20190038687A (ko) 2010-02-05 2019-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101791713B1 (ko) 2010-02-05 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치
KR102094131B1 (ko) * 2010-02-05 2020-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 구동하는 방법
WO2011096153A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8436403B2 (en) * 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
WO2011096264A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
CN102687275B (zh) 2010-02-05 2016-01-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011096270A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011099342A1 (en) 2010-02-10 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
US8947337B2 (en) 2010-02-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101811204B1 (ko) 2010-02-12 2017-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
WO2011099376A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
WO2011099335A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8617920B2 (en) * 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011099343A1 (en) 2010-02-12 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101817054B1 (ko) * 2010-02-12 2018-01-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 포함한 표시 장치
KR101775180B1 (ko) 2010-02-12 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
CN105336744B (zh) * 2010-02-12 2018-12-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其驱动方法
KR20180001594A (ko) 2010-02-12 2018-01-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 구동 방법
WO2011102227A1 (en) * 2010-02-18 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP5740169B2 (ja) * 2010-02-19 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
WO2011102233A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101832119B1 (ko) * 2010-02-19 2018-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011102248A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR20180110212A (ko) 2010-02-19 2018-10-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 이를 이용한 표시 장치
KR101780748B1 (ko) 2010-02-19 2017-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복조회로 및 복조회로를 이용한 ｒｆｉｄ 태그
CN105786268B (zh) 2010-02-19 2019-03-12 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其驱动方法
WO2011102217A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102015762B1 (ko) * 2010-02-19 2019-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치, 그 구동 방법, 및 반도체 장치 제작 방법
KR101686089B1 (ko) * 2010-02-19 2016-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011102228A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device
KR20240035927A (ko) 2010-02-23 2024-03-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101950364B1 (ko) 2010-02-26 2019-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
WO2011105310A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9000438B2 (en) * 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN106340542A (zh) 2010-02-26 2017-01-18 株式会社半导体能源研究所 制造半导体装置的方法
KR101780841B1 (ko) 2010-02-26 2017-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101862811B1 (ko) * 2010-02-26 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 구동 방법
KR20130009978A (ko) * 2010-02-26 2013-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자의 제조 방법 및 성막 장치
WO2011105268A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN102770903B (zh) * 2010-02-26 2015-10-07 株式会社半导体能源研究所 显示装置及具备该显示装置的电子书阅读器
KR101838628B1 (ko) * 2010-03-02 2018-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
KR101817926B1 (ko) * 2010-03-02 2018-01-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 승압 회로 및 승압 회로를 포함하는 ｒｆｉｄ 태그
DE112011100749B4 (de) 2010-03-02 2015-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Impulssignal-Ausgangsschaltung und Schieberegister
DE112011106185B3 (de) 2010-03-02 2023-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Impulssignal-Ausgangsschaltung und Schieberegister
KR101932909B1 (ko) * 2010-03-04 2018-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치 및 반도체 장치
WO2011108374A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR101929190B1 (ko) 2010-03-05 2018-12-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101878206B1 (ko) 2010-03-05 2018-07-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법
WO2011108382A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101874784B1 (ko) * 2010-03-08 2018-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN106449649B (zh) 2010-03-08 2019-09-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
TWI594173B (zh) * 2010-03-08 2017-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 電子裝置及電子系統
WO2011111490A1 (en) 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101812467B1 (ko) * 2010-03-08 2017-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101791253B1 (ko) 2010-03-08 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자기기 및 전자 시스템
WO2011111505A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
CN102822978B (zh) * 2010-03-12 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
DE112011100886T5 (de) * 2010-03-12 2012-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ansteuerverfahren für Anzeigeeinrichtung
WO2011111508A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving input circuit and method for driving input-output device
US8900362B2 (en) * 2010-03-12 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of gallium oxide single crystal
KR101769970B1 (ko) * 2010-03-12 2017-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011111506A1 (en) 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving circuit and method for driving display device
WO2011114866A1 (en) 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US20110227082A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102812547B (zh) * 2010-03-19 2015-09-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101840797B1 (ko) 2010-03-19 2018-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치
WO2011114868A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101891065B1 (ko) * 2010-03-19 2018-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법
WO2011118351A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011118510A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN102822980B (zh) 2010-03-26 2015-12-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
CN102822979B (zh) * 2010-03-26 2015-08-26 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
WO2011118741A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5731244B2 (ja) * 2010-03-26 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2011122280A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
CN102884477B (zh) 2010-03-31 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备及其驱动方法
KR20130069583A (ko) 2010-03-31 2013-06-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 필드 시퀀셜 구동형 표시 장치
KR101761966B1 (ko) 2010-03-31 2017-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전력 공급 장치와 그 구동 방법
WO2011122299A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
CN105810752B (zh) 2010-04-02 2019-11-19 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9190522B2 (en) 2010-04-02 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor
US9147768B2 (en) 2010-04-02 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film
US8884282B2 (en) 2010-04-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102141064B1 (ko) 2010-04-02 2020-08-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9196739B2 (en) 2010-04-02 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film
KR101810592B1 (ko) 2010-04-07 2017-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
KR101884031B1 (ko) 2010-04-07 2018-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
US8207025B2 (en) 2010-04-09 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
WO2011125455A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
WO2011125456A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011125806A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR101748901B1 (ko) 2010-04-09 2017-06-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101465192B1 (ko) 2010-04-09 2014-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8653514B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8854583B2 (en) 2010-04-12 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device
JP5744366B2 (ja) 2010-04-12 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2011129233A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2011237418A (ja) 2010-04-16 2011-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電流測定方法、半導体装置の検査方法、半導体装置、および特性評価用回路
KR101881729B1 (ko) 2010-04-16 2018-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막 방법 및 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
WO2011129209A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power source circuit
US8692243B2 (en) 2010-04-20 2014-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011132591A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011132625A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR101636008B1 (ko) 2010-04-23 2016-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US9537043B2 (en) 2010-04-23 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
DE112011101410B4 (de) 2010-04-23 2018-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE112011101396T5 (de) 2010-04-23 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und Treiberverfahren für dieselbe
KR20180054919A (ko) 2010-04-23 2018-05-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101689378B1 (ko) 2010-04-23 2016-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011135999A1 (en) 2010-04-27 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2011136018A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
JP5490605B2 (ja) * 2010-04-28 2014-05-14 住友重機械工業株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
CN103109314B (zh) 2010-04-28 2016-05-04 株式会社半导体能源研究所 半导体显示装置及其驱动方法
US9697788B2 (en) 2010-04-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
US8890555B2 (en) 2010-04-28 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring transistor
WO2011135987A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9478185B2 (en) 2010-05-12 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
US9064473B2 (en) 2010-05-12 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
JP5797449B2 (ja) 2010-05-13 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
WO2011142467A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011142371A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI511236B (zh) 2010-05-14 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
US8416622B2 (en) 2010-05-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of a semiconductor device with an inverted period having a negative potential applied to a gate of an oxide semiconductor transistor
WO2011145738A1 (en) 2010-05-20 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device
US8624239B2 (en) 2010-05-20 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9490368B2 (en) 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
CN105957802A (zh) 2010-05-21 2016-09-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011145537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2011145484A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102906882B (zh) 2010-05-21 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US8629438B2 (en) 2010-05-21 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102906980B (zh) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及显示装置
WO2011145707A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
JP5405391B2 (ja) * 2010-05-21 2014-02-05 日本メクトロン株式会社 透明フレキシブルプリント配線板及びその製造方法
JP5714973B2 (ja) 2010-05-21 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011145633A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5766012B2 (ja) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2011145468A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
WO2011145467A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145634A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8906756B2 (en) 2010-05-21 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5852793B2 (ja) 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP5749975B2 (ja) 2010-05-28 2015-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置、及び、タッチパネル
US8895375B2 (en) 2010-06-01 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing the same
US8779433B2 (en) 2010-06-04 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011152233A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011152254A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011152286A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011155295A1 (en) 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
WO2011155502A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011155302A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8610180B2 (en) 2010-06-11 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor
US9209314B2 (en) 2010-06-16 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
JP5823740B2 (ja) 2010-06-16 2015-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
JP5797471B2 (ja) 2010-06-16 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US8552425B2 (en) 2010-06-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011158703A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8637802B2 (en) 2010-06-18 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor
WO2011158704A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011162147A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120000499A (ko) 2010-06-25 2012-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
WO2011162104A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
KR101746197B1 (ko) 2010-06-25 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 검사 방법
US9437454B2 (en) 2010-06-29 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
WO2012002104A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5771079B2 (ja) 2010-07-01 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
KR101801960B1 (ko) 2010-07-01 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
US8441010B2 (en) 2010-07-01 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN107452630B (zh) 2010-07-02 2020-11-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR20230003647A (ko) 2010-07-02 2023-01-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8605059B2 (en) 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
US9336739B2 (en) 2010-07-02 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130090405A (ko) 2010-07-02 2013-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
TWI541782B (zh) 2010-07-02 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP5792524B2 (ja) 2010-07-02 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
KR101850567B1 (ko) 2010-07-16 2018-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8785241B2 (en) 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012008390A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012008286A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5917035B2 (ja) 2010-07-26 2016-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5836680B2 (ja) 2010-07-27 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
KR101853516B1 (ko) 2010-07-27 2018-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI565001B (zh) 2010-07-28 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012014786A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method thereof
US8537600B2 (en) 2010-08-04 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low off-state leakage current semiconductor memory device
KR101842181B1 (ko) 2010-08-04 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8928466B2 (en) 2010-08-04 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5739257B2 (ja) 2010-08-05 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5671418B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
TWI545587B (zh) 2010-08-06 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及驅動半導體裝置的方法
US8582348B2 (en) 2010-08-06 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device
TWI555128B (zh) 2010-08-06 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
US8467232B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8792284B2 (en) 2010-08-06 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
TWI605549B (zh) 2010-08-06 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8803164B2 (en) 2010-08-06 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state image sensing device and semiconductor display device
WO2012017844A1 (en) 2010-08-06 2012-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012017843A1 (en) 2010-08-06 2012-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
US8467231B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP5832181B2 (ja) 2010-08-06 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US9129703B2 (en) 2010-08-16 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory device
JP5848912B2 (ja) 2010-08-16 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
TWI587405B (zh) 2010-08-16 2017-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置之製造方法
US9343480B2 (en) 2010-08-16 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI508294B (zh) 2010-08-19 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8759820B2 (en) 2010-08-20 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8508276B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including latch circuit
US8685787B2 (en) 2010-08-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8883555B2 (en) 2010-08-25 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target
JP2013009285A (ja) 2010-08-26 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 信号処理回路及びその駆動方法
JP5727892B2 (ja) 2010-08-26 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9058047B2 (en) 2010-08-26 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102115344B1 (ko) 2010-08-27 2020-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치, 반도체 장치
JP5864163B2 (ja) 2010-08-27 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の設計方法
US8450123B2 (en) 2010-08-27 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body
JP5806043B2 (ja) 2010-08-27 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5674594B2 (ja) 2010-08-27 2015-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
US8603841B2 (en) 2010-08-27 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device
JP5763474B2 (ja) 2010-08-27 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
US8593858B2 (en) 2010-08-31 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8575610B2 (en) 2010-09-02 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8634228B2 (en) 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
WO2012029638A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130099074A (ko) 2010-09-03 2013-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20180015760A (ko) 2010-09-03 2018-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2012029637A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8728860B2 (en) 2010-09-03 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8487844B2 (en) 2010-09-08 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device including the same
JP2012256819A (ja) 2010-09-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8520426B2 (en) 2010-09-08 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
US9142568B2 (en) 2010-09-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting display device
US8766253B2 (en) 2010-09-10 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101824125B1 (ko) 2010-09-10 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8797487B2 (en) * 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
KR20120026970A (ko) 2010-09-10 2012-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 발광 장치
US8592879B2 (en) 2010-09-13 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5827520B2 (ja) 2010-09-13 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8664097B2 (en) 2010-09-13 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9496743B2 (en) 2010-09-13 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and wireless power feed system
JP5815337B2 (ja) 2010-09-13 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101872926B1 (ko) 2010-09-13 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101952235B1 (ko) 2010-09-13 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8835917B2 (en) 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
JP2012256821A (ja) 2010-09-13 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
KR101932576B1 (ko) 2010-09-13 2018-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8546161B2 (en) 2010-09-13 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
TWI608486B (zh) 2010-09-13 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US9546416B2 (en) 2010-09-13 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming crystalline oxide semiconductor film
US8871565B2 (en) 2010-09-13 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI539453B (zh) 2010-09-14 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和半導體裝置
KR101426515B1 (ko) 2010-09-15 2014-08-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
JP2012256012A (ja) 2010-09-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9230994B2 (en) 2010-09-15 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2012035975A1 (en) 2010-09-15 2012-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR101856722B1 (ko) 2010-09-22 2018-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터
US8767443B2 (en) 2010-09-22 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
US8792260B2 (en) 2010-09-27 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit and semiconductor device using the same
TWI574259B (zh) 2010-09-29 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置和其驅動方法
TWI691960B (zh) 2010-10-05 2020-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置及其驅動方法
TWI556317B (zh) 2010-10-07 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 薄膜元件、半導體裝置以及它們的製造方法
US8716646B2 (en) 2010-10-08 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for operating the same
US8679986B2 (en) 2010-10-14 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8546892B2 (en) 2010-10-20 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8803143B2 (en) 2010-10-20 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including buffer layers with high resistivity
TWI543158B (zh) 2010-10-25 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置及其驅動方法
JP5771505B2 (ja) 2010-10-29 2015-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 受信回路
KR101952456B1 (ko) 2010-10-29 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치
KR101924231B1 (ko) 2010-10-29 2018-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
TWI564423B (zh) 2010-11-02 2017-01-01 宇部興產股份有限公司 (醯胺胺基烷)金屬化合物、及利用該金屬化合物之含金屬之薄膜之製造方法
US8916866B2 (en) 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6010291B2 (ja) 2010-11-05 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の駆動方法
WO2012060202A1 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI555205B (zh) 2010-11-05 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8957468B2 (en) 2010-11-05 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Variable capacitor and liquid crystal display device
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101973212B1 (ko) 2010-11-05 2019-04-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9087744B2 (en) 2010-11-05 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving transistor
US8902637B2 (en) 2010-11-08 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof
TWI535014B (zh) 2010-11-11 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI541981B (zh) 2010-11-12 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8854865B2 (en) 2010-11-24 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8936965B2 (en) 2010-11-26 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9103724B2 (en) 2010-11-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device
US8823092B2 (en) 2010-11-30 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8629496B2 (en) 2010-11-30 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI525818B (zh) 2010-11-30 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
US8816425B2 (en) 2010-11-30 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8809852B2 (en) 2010-11-30 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8461630B2 (en) 2010-12-01 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5908263B2 (ja) 2010-12-03 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃ−ｄｃコンバータ
TWI590249B (zh) 2010-12-03 2017-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 積體電路，其驅動方法，及半導體裝置
KR102637010B1 (ko) 2010-12-03 2024-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
JP5856827B2 (ja) 2010-12-09 2016-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI534905B (zh) 2010-12-10 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
JP2012256020A (ja) 2010-12-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
US9202822B2 (en) 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8894825B2 (en) 2010-12-17 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device
US8730416B2 (en) 2010-12-17 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2012142562A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
CN103270601B (zh) * 2010-12-20 2016-02-24 夏普株式会社 半导体装置和显示装置
US9024317B2 (en) 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
JP5864054B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9911858B2 (en) 2010-12-28 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5975635B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5784479B2 (ja) 2010-12-28 2015-09-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012090799A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5852874B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012090973A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5993141B2 (ja) 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US8735892B2 (en) 2010-12-28 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using oxide semiconductor
US9048142B2 (en) 2010-12-28 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6030298B2 (ja) 2010-12-28 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 緩衝記憶装置及び信号処理回路
TWI562142B (en) 2011-01-05 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Storage element, storage device, and signal processing circuit
TWI570809B (zh) 2011-01-12 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5982125B2 (ja) 2011-01-12 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8536571B2 (en) 2011-01-12 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI535032B (zh) 2011-01-12 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8921948B2 (en) 2011-01-12 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8421071B2 (en) 2011-01-13 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US8575678B2 (en) 2011-01-13 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device with floating gate
KR102026718B1 (ko) 2011-01-14 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법
JP5859839B2 (ja) 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
TWI657565B (zh) 2011-01-14 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶裝置
US8916867B2 (en) 2011-01-20 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor element and semiconductor device
JP5798933B2 (ja) 2011-01-26 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
TWI570920B (zh) 2011-01-26 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI564890B (zh) 2011-01-26 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
WO2012102182A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TW202320146A (zh) 2011-01-26 2023-05-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI552345B (zh) 2011-01-26 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
CN103348464B (zh) 2011-01-26 2016-01-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
TWI525619B (zh) 2011-01-27 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路
KR20190007525A (ko) 2011-01-27 2019-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20210034703A (ko) 2011-01-28 2021-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치
WO2012102281A1 (en) 2011-01-28 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8634230B2 (en) 2011-01-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9494829B2 (en) 2011-01-28 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same
US8513773B2 (en) 2011-02-02 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor
US9799773B2 (en) 2011-02-02 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
TWI520273B (zh) 2011-02-02 2016-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US8780614B2 (en) 2011-02-02 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9431400B2 (en) 2011-02-08 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US8787083B2 (en) 2011-02-10 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit
TWI569041B (zh) 2011-02-14 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US8975680B2 (en) 2011-02-17 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 ｌｓｉ
US8643007B2 (en) 2011-02-23 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709920B2 (en) 2011-02-24 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9443455B2 (en) 2011-02-25 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a plurality of pixels
US9691772B2 (en) 2011-03-03 2017-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor
US9023684B2 (en) 2011-03-04 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8659015B2 (en) 2011-03-04 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8841664B2 (en) 2011-03-04 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5898527B2 (ja) 2011-03-04 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8785933B2 (en) 2011-03-04 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9646829B2 (en) 2011-03-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8659957B2 (en) 2011-03-07 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
JP5827145B2 (ja) 2011-03-08 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US9099437B2 (en) 2011-03-08 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8625085B2 (en) 2011-03-08 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Defect evaluation method for semiconductor
WO2012121265A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US8772849B2 (en) 2011-03-10 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8541781B2 (en) 2011-03-10 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI541904B (zh) 2011-03-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8760903B2 (en) 2011-03-11 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit
JP2012209543A (ja) 2011-03-11 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TWI521612B (zh) 2011-03-11 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5933300B2 (ja) 2011-03-16 2016-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012128030A1 (en) 2011-03-18 2012-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
US8859330B2 (en) 2011-03-23 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5839474B2 (ja) 2011-03-24 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US9219159B2 (en) 2011-03-25 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US9012904B2 (en) 2011-03-25 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8987728B2 (en) 2011-03-25 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US8956944B2 (en) 2011-03-25 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI545652B (zh) 2011-03-25 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8686416B2 (en) 2011-03-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
TWI627756B (zh) 2011-03-25 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8927329B2 (en) 2011-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties
JP5879165B2 (ja) 2011-03-30 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI567735B (zh) 2011-03-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路，記憶體單元，及訊號處理電路
US9082860B2 (en) 2011-03-31 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8686486B2 (en) 2011-03-31 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US8541266B2 (en) 2011-04-01 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9960278B2 (en) 2011-04-06 2018-05-01 Yuhei Sato Manufacturing method of semiconductor device
TWI567736B (zh) 2011-04-08 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體元件及信號處理電路
US9012905B2 (en) 2011-04-08 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same
JP2012256406A (ja) 2011-04-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置、及び当該記憶装置を用いた半導体装置
US9093538B2 (en) 2011-04-08 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP5883699B2 (ja) 2011-04-13 2016-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルｌｓｉ
US8854867B2 (en) 2011-04-13 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and driving method of the memory device
US8878174B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit
US8779488B2 (en) 2011-04-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9070776B2 (en) 2011-04-15 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP6045176B2 (ja) 2011-04-15 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6001900B2 (ja) 2011-04-21 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US9006803B2 (en) 2011-04-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US8932913B2 (en) 2011-04-22 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9331206B2 (en) 2011-04-22 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide material and semiconductor device
JP5946683B2 (ja) 2011-04-22 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8878288B2 (en) 2011-04-22 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI548057B (zh) 2011-04-22 2016-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8916868B2 (en) 2011-04-22 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8809854B2 (en) 2011-04-22 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10079053B2 (en) 2011-04-22 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and memory device
CN105931967B (zh) 2011-04-27 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US9935622B2 (en) 2011-04-28 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Comparator and semiconductor device including comparator
KR101919056B1 (ko) 2011-04-28 2018-11-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 회로
US8729545B2 (en) 2011-04-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8681533B2 (en) 2011-04-28 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device
US8446171B2 (en) 2011-04-29 2013-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing unit
KR101963457B1 (ko) 2011-04-29 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법
TWI525615B (zh) 2011-04-29 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US8785923B2 (en) 2011-04-29 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9614094B2 (en) 2011-04-29 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same
US8848464B2 (en) 2011-04-29 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US8476927B2 (en) 2011-04-29 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US9111795B2 (en) 2011-04-29 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
TW202230814A (zh) 2011-05-05 2022-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI568181B (zh) 2011-05-06 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 邏輯電路及半導體裝置
US9117701B2 (en) 2011-05-06 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012153473A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709922B2 (en) 2011-05-06 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101874144B1 (ko) 2011-05-06 2018-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
US8809928B2 (en) 2011-05-06 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device
US9443844B2 (en) 2011-05-10 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof
US8946066B2 (en) 2011-05-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI541978B (zh) 2011-05-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法
TWI557711B (zh) 2011-05-12 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的驅動方法
US8847233B2 (en) 2011-05-12 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film
TWI536502B (zh) 2011-05-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路及電子裝置
JP6110075B2 (ja) 2011-05-13 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8897049B2 (en) 2011-05-13 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Semiconductor device and memory device including semiconductor device
US9954110B2 (en) 2011-05-13 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
JP5886128B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048788B2 (en) 2011-05-13 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion
US9105749B2 (en) 2011-05-13 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9466618B2 (en) 2011-05-13 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including two thin film transistors and method of manufacturing the same
JP5886127B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9093539B2 (en) 2011-05-13 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2012157472A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012157463A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN107316865B (zh) 2011-05-16 2021-02-02 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置
TWI570891B (zh) 2011-05-17 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9673823B2 (en) 2011-05-18 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
TWI552150B (zh) 2011-05-18 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
KR102081792B1 (ko) 2011-05-19 2020-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산회로 및 연산회로의 구동방법
KR102093909B1 (ko) 2011-05-19 2020-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 및 회로의 구동 방법
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
KR101991735B1 (ko) 2011-05-19 2019-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
US9117920B2 (en) 2011-05-19 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device using oxide semiconductor
US8837203B2 (en) 2011-05-19 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6014362B2 (ja) 2011-05-19 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
US9336845B2 (en) 2011-05-20 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Register circuit including a volatile memory and a nonvolatile memory
CN102789808B (zh) 2011-05-20 2018-03-06 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和用于驱动存储器装置的方法
TWI557739B (zh) 2011-05-20 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP6091083B2 (ja) 2011-05-20 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
TWI573136B (zh) 2011-05-20 2017-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
JP6013682B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP5820335B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5951351B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 加算器及び全加算器
JP5886496B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI614995B (zh) 2011-05-20 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置
TWI559683B (zh) 2011-05-20 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP5820336B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012161059A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP6030334B2 (ja) 2011-05-20 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5936908B2 (ja) 2011-05-20 2016-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 パリティビット出力回路およびパリティチェック回路
JP5947099B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI570719B (zh) 2011-05-20 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
JP6013680B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5892852B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
WO2012160963A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8508256B2 (en) 2011-05-20 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
US20120298998A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
KR101912971B1 (ko) 2011-05-26 2018-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 분주 회로 및 분주 회로를 이용한 반도체 장치
US9171840B2 (en) 2011-05-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI534956B (zh) 2011-05-27 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 調整電路及驅動調整電路之方法
US8669781B2 (en) 2011-05-31 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9467047B2 (en) 2011-05-31 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device
JP5912844B2 (ja) 2011-05-31 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP5890251B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 通信方法
SG11201504191RA (en) 2011-06-08 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film
JP2013016243A (ja) 2011-06-09 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
US9112036B2 (en) 2011-06-10 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8891285B2 (en) 2011-06-10 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6005401B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8958263B2 (en) 2011-06-10 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6104522B2 (ja) 2011-06-10 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9299852B2 (en) 2011-06-16 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI575751B (zh) 2011-06-16 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8804405B2 (en) 2011-06-16 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US9099885B2 (en) 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
US8901554B2 (en) 2011-06-17 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor
US9166055B2 (en) 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20130007426A (ko) 2011-06-17 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2012172746A1 (en) 2011-06-17 2012-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8673426B2 (en) 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9130044B2 (en) 2011-07-01 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9385238B2 (en) 2011-07-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor using oxide semiconductor
US9214474B2 (en) 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9490241B2 (en) 2011-07-08 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102014876B1 (ko) 2011-07-08 2019-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI565067B (zh) 2011-07-08 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8748886B2 (en) 2011-07-08 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9496138B2 (en) 2011-07-08 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8847220B2 (en) 2011-07-15 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013042117A (ja) 2011-07-15 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9200952B2 (en) 2011-07-15 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit
US8946812B2 (en) 2011-07-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8716073B2 (en) 2011-07-22 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
JP6013685B2 (ja) 2011-07-22 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102111016B1 (ko) 2011-07-22 2020-05-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US8643008B2 (en) 2011-07-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9012993B2 (en) 2011-07-22 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8718224B2 (en) 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
US8994019B2 (en) 2011-08-05 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6006572B2 (ja) 2011-08-18 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI575494B (zh) 2011-08-19 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的驅動方法
JP6128775B2 (ja) 2011-08-19 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI761910B (zh) 2011-08-29 2022-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9252279B2 (en) 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
JP6016532B2 (ja) 2011-09-07 2016-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8802493B2 (en) 2011-09-13 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor device
JP5825744B2 (ja) 2011-09-15 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
JP5832399B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9082663B2 (en) 2011-09-16 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2013039126A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8952379B2 (en) 2011-09-16 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN103022012B (zh) 2011-09-21 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 半导体存储装置
WO2013042562A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013042643A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetector and method for driving photodetector
US9431545B2 (en) 2011-09-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8841675B2 (en) 2011-09-23 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute transistor
KR102108572B1 (ko) 2011-09-26 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2013084333A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ回路
TWI605590B (zh) 2011-09-29 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR20140056392A (ko) 2011-09-29 2014-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102447866B1 (ko) 2011-09-29 2022-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101506303B1 (ko) 2011-09-29 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
JP5806905B2 (ja) 2011-09-30 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8982607B2 (en) 2011-09-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
US20130087784A1 (en) 2011-10-05 2013-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6022880B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2013093561A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
JP2013093565A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP5912394B2 (ja) 2011-10-13 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9117916B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
US9287405B2 (en) 2011-10-13 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor
JP6026839B2 (ja) 2011-10-13 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9018629B2 (en) 2011-10-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8637864B2 (en) 2011-10-13 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR20130040706A (ko) 2011-10-14 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
DE112012007290B3 (de) 2011-10-14 2017-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI567985B (zh) 2011-10-21 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6226518B2 (ja) 2011-10-24 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102067051B1 (ko) 2011-10-24 2020-01-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR101976212B1 (ko) 2011-10-24 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
CN103189984A (zh) * 2011-10-26 2013-07-03 丰田自动车株式会社 半导体装置
KR20130046357A (ko) 2011-10-27 2013-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6082562B2 (ja) 2011-10-27 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20140086954A (ko) 2011-10-28 2014-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102012981B1 (ko) 2011-11-09 2019-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5933895B2 (ja) 2011-11-10 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
US8796682B2 (en) 2011-11-11 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
WO2013069548A1 (en) 2011-11-11 2013-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal line driver circuit and liquid crystal display device
US9082861B2 (en) 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
US8878177B2 (en) 2011-11-11 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6076038B2 (ja) 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8969130B2 (en) 2011-11-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
US10026847B2 (en) 2011-11-18 2018-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor device including semiconductor element
JP6099368B2 (ja) 2011-11-25 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US8962386B2 (en) 2011-11-25 2015-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6059968B2 (ja) 2011-11-25 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び液晶表示装置
JP6125211B2 (ja) 2011-11-25 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8951899B2 (en) 2011-11-25 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Method for manufacturing semiconductor device
US9057126B2 (en) 2011-11-29 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
US20130137232A1 (en) 2011-11-30 2013-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US9076871B2 (en) 2011-11-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI591611B (zh) 2011-11-30 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體顯示裝置
KR102072244B1 (ko) 2011-11-30 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6147992B2 (ja) 2011-11-30 2017-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI669760B (zh) 2011-11-30 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI621185B (zh) 2011-12-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8981367B2 (en) 2011-12-01 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6050662B2 (ja) 2011-12-02 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
KR20140101817A (ko) 2011-12-02 2014-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2013137853A (ja) 2011-12-02 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置および記憶装置の駆動方法
US9257422B2 (en) 2011-12-06 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit
JP6081171B2 (ja) 2011-12-09 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
KR102084274B1 (ko) 2011-12-15 2020-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP6105266B2 (ja) 2011-12-15 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP2013149953A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8785258B2 (en) 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US8907392B2 (en) 2011-12-22 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including stacked sub memory cells
US8748240B2 (en) 2011-12-22 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2013094547A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6053490B2 (ja) 2011-12-23 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6033071B2 (ja) 2011-12-23 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6012450B2 (ja) 2011-12-23 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
TWI569446B (zh) 2011-12-23 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置
US8704221B2 (en) 2011-12-23 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8796683B2 (en) 2011-12-23 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI580189B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 位準位移電路及半導體積體電路
WO2013099537A1 (en) 2011-12-26 2013-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Motion recognition device
KR102100425B1 (ko) 2011-12-27 2020-04-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI584383B (zh) 2011-12-27 2017-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
CN102651340B (zh) * 2011-12-31 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 一种tft阵列基板的制造方法
KR102103913B1 (ko) 2012-01-10 2020-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8969867B2 (en) 2012-01-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8836555B2 (en) 2012-01-18 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, sensor circuit, and semiconductor device using the sensor circuit
US9040981B2 (en) 2012-01-20 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9099560B2 (en) 2012-01-20 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9653614B2 (en) 2012-01-23 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
SG11201504940RA (en) 2012-01-23 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
KR102295888B1 (ko) 2012-01-25 2021-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6091905B2 (ja) 2012-01-26 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TW201901972A (zh) 2012-01-26 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US9006733B2 (en) 2012-01-26 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US8956912B2 (en) 2012-01-26 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI561951B (en) 2012-01-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Power supply circuit
TWI562361B (en) 2012-02-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
KR102101167B1 (ko) 2012-02-03 2020-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9362417B2 (en) 2012-02-03 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9196741B2 (en) 2012-02-03 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8916424B2 (en) 2012-02-07 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9859114B2 (en) 2012-02-08 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP5981157B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9112037B2 (en) 2012-02-09 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8817516B2 (en) 2012-02-17 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit and semiconductor device
JP2014063557A (ja) 2012-02-24 2014-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置及び半導体装置
US20130221345A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9312257B2 (en) 2012-02-29 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
US8988152B2 (en) 2012-02-29 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9553200B2 (en) 2012-02-29 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2013183001A (ja) 2012-03-01 2013-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8975917B2 (en) 2012-03-01 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP6046514B2 (ja) 2012-03-01 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
US9287370B2 (en) 2012-03-02 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same
US9176571B2 (en) 2012-03-02 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Microprocessor and method for driving microprocessor
JP6100559B2 (ja) 2012-03-05 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8754693B2 (en) 2012-03-05 2014-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Latch circuit and semiconductor device
US8995218B2 (en) 2012-03-07 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981370B2 (en) 2012-03-08 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN107340509B (zh) 2012-03-09 2020-04-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的驱动方法
CN106504697B (zh) 2012-03-13 2019-11-26 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其驱动方法
US9058892B2 (en) 2012-03-14 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and shift register
US9117409B2 (en) 2012-03-14 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer
JP6168795B2 (ja) 2012-03-14 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102108248B1 (ko) 2012-03-14 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치
US9541386B2 (en) 2012-03-21 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Distance measurement device and distance measurement system
JP5603897B2 (ja) * 2012-03-23 2014-10-08 株式会社東芝 有機電界発光素子及び照明装置
JP6169376B2 (ja) 2012-03-28 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置
US9349849B2 (en) 2012-03-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
US9324449B2 (en) 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
JP2013229013A (ja) 2012-03-29 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アレイコントローラ及びストレージシステム
KR102044725B1 (ko) 2012-03-29 2019-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전원 제어 장치
JP6139187B2 (ja) 2012-03-29 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9786793B2 (en) 2012-03-29 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements
US8941113B2 (en) 2012-03-30 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
US8999773B2 (en) 2012-04-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device
US9711110B2 (en) 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US8947155B2 (en) 2012-04-06 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state relay
JP5975907B2 (ja) 2012-04-11 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013236068A (ja) 2012-04-12 2013-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US9208849B2 (en) 2012-04-12 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
KR102479944B1 (ko) 2012-04-13 2022-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6059566B2 (ja) 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9030232B2 (en) 2012-04-13 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Isolator circuit and semiconductor device
JP6128906B2 (ja) 2012-04-13 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6143423B2 (ja) 2012-04-16 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP6001308B2 (ja) 2012-04-17 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6076612B2 (ja) 2012-04-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9219164B2 (en) 2012-04-20 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor channel
US9029863B2 (en) 2012-04-20 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9230683B2 (en) 2012-04-25 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9006024B2 (en) 2012-04-25 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9236408B2 (en) 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
US8860022B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US9285848B2 (en) 2012-04-27 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device
US9331689B2 (en) 2012-04-27 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply circuit and semiconductor device including the same
JP6199583B2 (ja) 2012-04-27 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6100071B2 (ja) 2012-04-30 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9048323B2 (en) 2012-04-30 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6228381B2 (ja) 2012-04-30 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8860023B2 (en) 2012-05-01 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9007090B2 (en) 2012-05-01 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving semiconductor device
US9703704B2 (en) 2012-05-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE112013002281T5 (de) 2012-05-02 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmierbare Logikvorrichtung
US9104395B2 (en) 2012-05-02 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processor and driving method thereof
JP6243136B2 (ja) 2012-05-02 2017-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 スイッチングコンバータ
US8866510B2 (en) 2012-05-02 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6227890B2 (ja) 2012-05-02 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路および制御回路
JP2013250965A (ja) 2012-05-02 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその駆動方法
KR102025722B1 (ko) 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
KR20130125717A (ko) 2012-05-09 2013-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR102069158B1 (ko) 2012-05-10 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
CN107403840B (zh) 2012-05-10 2021-05-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2013168624A1 (en) 2012-05-10 2013-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE102013022449B3 (de) 2012-05-11 2019-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
KR102087443B1 (ko) 2012-05-11 2020-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
AT13474U1 (de) * 2012-05-15 2014-01-15 Forster Verkehrs Und Werbetechnik Gmbh Videopaneel
US8994891B2 (en) 2012-05-16 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
US8929128B2 (en) 2012-05-17 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and writing method of the same
US9817032B2 (en) 2012-05-23 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measurement device
JP6250955B2 (ja) 2012-05-25 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6050721B2 (ja) 2012-05-25 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN104321967B (zh) 2012-05-25 2018-01-09 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置及半导体装置
KR102164990B1 (ko) 2012-05-25 2020-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자의 구동 방법
JP2014003594A (ja) 2012-05-25 2014-01-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
US9147706B2 (en) 2012-05-29 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
WO2013180040A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6158588B2 (ja) 2012-05-31 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8995607B2 (en) 2012-05-31 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
KR102119914B1 (ko) 2012-05-31 2020-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9048265B2 (en) 2012-05-31 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer
JP6208469B2 (ja) 2012-05-31 2017-10-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20150023547A (ko) 2012-06-01 2015-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 경보 장치
US9135182B2 (en) 2012-06-01 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central processing unit and driving method thereof
US9916793B2 (en) 2012-06-01 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the same
JP6108960B2 (ja) 2012-06-01 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、処理装置
US8872174B2 (en) 2012-06-01 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TWI447414B (zh) * 2012-06-07 2014-08-01 矽品精密工業股份有限公司 測試裝置及測試方法
US8901557B2 (en) 2012-06-15 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9153699B2 (en) 2012-06-15 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers
US9059219B2 (en) 2012-06-27 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
CN110581070B (zh) 2012-06-29 2022-12-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
TWI596778B (zh) 2012-06-29 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
KR102161077B1 (ko) 2012-06-29 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8873308B2 (en) 2012-06-29 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit
US9190525B2 (en) 2012-07-06 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer
US9083327B2 (en) 2012-07-06 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9054678B2 (en) 2012-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR102099262B1 (ko) 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2014032399A (ja) 2012-07-13 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP6006558B2 (ja) 2012-07-17 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその製造方法
JP6185311B2 (ja) 2012-07-20 2017-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 電源制御回路、及び信号処理回路
KR102093060B1 (ko) 2012-07-20 2020-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
KR102262323B1 (ko) 2012-07-20 2021-06-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
DE112013007836B3 (de) 2012-07-20 2023-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
KR20140013931A (ko) 2012-07-26 2014-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
JP2014042004A (ja) 2012-07-26 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP6224931B2 (ja) 2012-07-27 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014026199A (ja) 2012-07-30 2014-02-06 Japan Display Inc 液晶表示装置
JP2014045175A (ja) 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
SG10201700805WA (en) 2012-08-03 2017-02-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device
KR20150040873A (ko) 2012-08-03 2015-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9885108B2 (en) 2012-08-07 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming sputtering target
US10557192B2 (en) 2012-08-07 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for using sputtering target and method for forming oxide film
TWI581404B (zh) 2012-08-10 2017-05-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
US8937307B2 (en) 2012-08-10 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014199899A (ja) 2012-08-10 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6220597B2 (ja) 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9929276B2 (en) 2012-08-10 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102099261B1 (ko) 2012-08-10 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
CN108305895B (zh) 2012-08-10 2021-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR102171650B1 (ko) 2012-08-10 2020-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9245958B2 (en) 2012-08-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014057296A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
JP2014057298A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
US8872120B2 (en) 2012-08-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and method for driving the same
KR102069683B1 (ko) 2012-08-24 2020-01-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치
KR20140029202A (ko) 2012-08-28 2014-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9625764B2 (en) 2012-08-28 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
DE102013216824A1 (de) 2012-08-28 2014-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
TWI611511B (zh) 2012-08-31 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014034820A1 (en) 2012-09-03 2014-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microcontroller
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
DE102013217278B4 (de) 2012-09-12 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung
US8981372B2 (en) 2012-09-13 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
KR102400509B1 (ko) 2012-09-13 2022-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9018624B2 (en) 2012-09-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
TWI644437B (zh) 2012-09-14 2018-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8927985B2 (en) 2012-09-20 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI746200B (zh) 2012-09-24 2021-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014046222A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI681233B (zh) 2012-10-12 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
KR102226090B1 (ko) 2012-10-12 2021-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
JP6290576B2 (ja) 2012-10-12 2018-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその駆動方法
JP6351947B2 (ja) 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP6283191B2 (ja) 2012-10-17 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014061567A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US9166021B2 (en) 2012-10-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
DE112013005029T5 (de) 2012-10-17 2015-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mikrocontroller und Herstellungsverfahren dafür
KR102227591B1 (ko) 2012-10-17 2021-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102094568B1 (ko) 2012-10-17 2020-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제작 방법
JP6059501B2 (ja) 2012-10-17 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6021586B2 (ja) 2012-10-17 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014082388A (ja) 2012-10-17 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP5951442B2 (ja) 2012-10-17 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI591966B (zh) 2012-10-17 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法
KR102220279B1 (ko) 2012-10-19 2021-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6204145B2 (ja) 2012-10-23 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014065343A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102279459B1 (ko) 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP6300489B2 (ja) 2012-10-24 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI782259B (zh) 2012-10-24 2022-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2014065301A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014065389A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central control system
JP6219562B2 (ja) 2012-10-30 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
KR102178068B1 (ko) 2012-11-06 2020-11-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR20220150439A (ko) 2012-11-08 2022-11-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 디스플레이 장치
TWI608616B (zh) 2012-11-15 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI605593B (zh) 2012-11-15 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6220641B2 (ja) 2012-11-15 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI620323B (zh) 2012-11-16 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6285150B2 (ja) 2012-11-16 2018-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6317059B2 (ja) 2012-11-16 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
TWI600157B (zh) 2012-11-16 2017-09-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014084153A1 (en) 2012-11-28 2014-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI613759B (zh) 2012-11-28 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9263531B2 (en) 2012-11-28 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device
US9412764B2 (en) 2012-11-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
TWI627483B (zh) 2012-11-28 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電視接收機
JP2014130336A (ja) 2012-11-30 2014-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9594281B2 (en) 2012-11-30 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2014084152A1 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI624949B (zh) 2012-11-30 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9153649B2 (en) 2012-11-30 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
US9246011B2 (en) 2012-11-30 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6320009B2 (ja) 2012-12-03 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
US9406810B2 (en) 2012-12-03 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102207028B1 (ko) 2012-12-03 2021-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6254834B2 (ja) 2012-12-06 2017-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9577446B2 (en) 2012-12-13 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device
TWI611419B (zh) 2012-12-24 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
US9905585B2 (en) 2012-12-25 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising capacitor
KR102241249B1 (ko) 2012-12-25 2021-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
WO2014103901A1 (en) 2012-12-25 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102459007B1 (ko) 2012-12-25 2022-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9437273B2 (en) 2012-12-26 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6329762B2 (ja) 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014143410A (ja) 2012-12-28 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
KR102305310B1 (ko) 2012-12-28 2021-09-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI607510B (zh) 2012-12-28 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US9316695B2 (en) 2012-12-28 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014104267A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9391096B2 (en) 2013-01-18 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI614813B (zh) 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP6223198B2 (ja) 2013-01-24 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9466725B2 (en) 2013-01-24 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5807076B2 (ja) 2013-01-24 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9190172B2 (en) 2013-01-24 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI619010B (zh) 2013-01-24 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9076825B2 (en) 2013-01-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
TWI593025B (zh) 2013-01-30 2017-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體層的處理方法
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI618252B (zh) 2013-02-12 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102112367B1 (ko) 2013-02-12 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
WO2014125979A1 (en) 2013-02-13 2014-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9190527B2 (en) 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US9231111B2 (en) 2013-02-13 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9318484B2 (en) 2013-02-20 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI611566B (zh) 2013-02-25 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
US9293544B2 (en) 2013-02-26 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having buried channel structure
US9373711B2 (en) 2013-02-27 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI611567B (zh) 2013-02-27 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置
TWI612321B (zh) 2013-02-27 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置
JP2014195243A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014195241A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6141777B2 (ja) 2013-02-28 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102238682B1 (ko) 2013-02-28 2021-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
US9276125B2 (en) 2013-03-01 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9647152B2 (en) 2013-03-01 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sensor circuit and semiconductor device including sensor circuit
KR102153110B1 (ko) 2013-03-06 2020-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막 및 반도체 장치
US9269315B2 (en) 2013-03-08 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI644433B (zh) 2013-03-13 2018-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9294075B2 (en) 2013-03-14 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014142332A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device and semiconductor device
JP6283237B2 (ja) 2013-03-14 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102290247B1 (ko) 2013-03-14 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP2014199709A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、半導体装置
KR20150128820A (ko) 2013-03-14 2015-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 구동 방법 및 반도체 장치
JP6298662B2 (ja) 2013-03-14 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI677193B (zh) 2013-03-15 2019-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9786350B2 (en) 2013-03-18 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9153650B2 (en) 2013-03-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor
US9577107B2 (en) 2013-03-19 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film
JP6355374B2 (ja) 2013-03-22 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6093726B2 (ja) 2013-03-22 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9007092B2 (en) 2013-03-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6272713B2 (ja) 2013-03-25 2018-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置
WO2014157019A1 (en) 2013-03-25 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10347769B2 (en) 2013-03-25 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes
JP6316630B2 (ja) 2013-03-26 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6376788B2 (ja) 2013-03-26 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP6395409B2 (ja) 2013-03-27 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2014209209A (ja) 2013-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9368636B2 (en) 2013-04-01 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers
JP6300589B2 (ja) 2013-04-04 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9112460B2 (en) 2013-04-05 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device
JP6224338B2 (ja) 2013-04-11 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法
JP6198434B2 (ja) 2013-04-11 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP6280794B2 (ja) 2013-04-12 2018-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
TWI620324B (zh) 2013-04-12 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
JP6456598B2 (ja) 2013-04-19 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP6333028B2 (ja) 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置
TWI647559B (zh) 2013-04-24 2019-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9893192B2 (en) 2013-04-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6396671B2 (ja) 2013-04-26 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6401483B2 (ja) 2013-04-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI644434B (zh) 2013-04-29 2018-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI631711B (zh) 2013-05-01 2018-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102222344B1 (ko) 2013-05-02 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9882058B2 (en) 2013-05-03 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9231002B2 (en) 2013-05-03 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN105190902B (zh) 2013-05-09 2019-01-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US9704894B2 (en) 2013-05-10 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel electrode including oxide
US9246476B2 (en) 2013-05-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit
US9904425B2 (en) * 2013-05-10 2018-02-27 Nokia Technologies Oy Meandering interconnect on a deformable substrate
TWI621337B (zh) 2013-05-14 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 信號處理裝置
TWI809474B (zh) 2013-05-16 2023-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI690085B (zh) 2013-05-16 2020-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9312392B2 (en) 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9172369B2 (en) 2013-05-17 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9209795B2 (en) 2013-05-17 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device and measuring method
US10032872B2 (en) 2013-05-17 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device
JP6298353B2 (ja) 2013-05-17 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9754971B2 (en) 2013-05-18 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102376226B1 (ko) 2013-05-20 2022-03-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9343579B2 (en) 2013-05-20 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9293599B2 (en) 2013-05-20 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI664731B (zh) 2013-05-20 2019-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
DE102014208859B4 (de) 2013-05-20 2021-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
WO2014188982A1 (en) 2013-05-20 2014-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9647125B2 (en) 2013-05-20 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US10416504B2 (en) 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20160009626A (ko) 2013-05-21 2016-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 그 형성 방법
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9806198B2 (en) 2013-06-05 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI649606B (zh) 2013-06-05 2019-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP6400336B2 (ja) 2013-06-05 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI624936B (zh) 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
JP2015195327A (ja) 2013-06-05 2015-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9773915B2 (en) 2013-06-11 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102282108B1 (ko) 2013-06-13 2021-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6368155B2 (ja) 2013-06-18 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9035301B2 (en) 2013-06-19 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
TWI652822B (zh) 2013-06-19 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體膜及其形成方法
KR102257058B1 (ko) 2013-06-21 2021-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9515094B2 (en) 2013-06-26 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and semiconductor device
KR20210079411A (ko) 2013-06-27 2021-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TW201513128A (zh) 2013-07-05 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US9666697B2 (en) 2013-07-08 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer
US20150008428A1 (en) 2013-07-08 2015-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6435124B2 (ja) 2013-07-08 2018-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI654614B (zh) 2013-07-10 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9293480B2 (en) 2013-07-10 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9818763B2 (en) 2013-07-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
US9006736B2 (en) 2013-07-12 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6322503B2 (ja) 2013-07-16 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6516978B2 (ja) 2013-07-17 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443592B2 (en) 2013-07-18 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9395070B2 (en) 2013-07-19 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Support of flexible component and light-emitting device
US9379138B2 (en) 2013-07-19 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity
TWI608523B (zh) 2013-07-19 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
US10529740B2 (en) 2013-07-25 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
TWI632688B (zh) 2013-07-25 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
TWI641208B (zh) 2013-07-26 2018-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 直流對直流轉換器
JP6460592B2 (ja) 2013-07-31 2019-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃｄｃコンバータ、及び半導体装置
US9343288B2 (en) 2013-07-31 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6410496B2 (ja) 2013-07-31 2018-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 マルチゲート構造のトランジスタ
US9496330B2 (en) 2013-08-02 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
TWI635750B (zh) 2013-08-02 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置以及其工作方法
JP2015053477A (ja) 2013-08-05 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6345023B2 (ja) 2013-08-07 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9299855B2 (en) 2013-08-09 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having dual gate insulating layers
US9601591B2 (en) 2013-08-09 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR20150021009A (ko) * 2013-08-19 2015-02-27 주식회사 엘지화학 유기물 마스크를 포함하는 적층체 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조방법
JP6329843B2 (ja) 2013-08-19 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9374048B2 (en) 2013-08-20 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device, and driving method and program thereof
TWI643435B (zh) 2013-08-21 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置
KR102232133B1 (ko) 2013-08-22 2021-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9443987B2 (en) 2013-08-23 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102244553B1 (ko) 2013-08-23 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 용량 소자 및 반도체 장치
TWI708981B (zh) 2013-08-28 2020-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9360564B2 (en) 2013-08-30 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US9590109B2 (en) 2013-08-30 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2015030150A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit and semiconductor device
JP6426402B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9552767B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP6406926B2 (ja) 2013-09-04 2018-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9449853B2 (en) 2013-09-04 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer
JP6345544B2 (ja) 2013-09-05 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US10008513B2 (en) 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9607991B2 (en) 2013-09-05 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6401977B2 (ja) 2013-09-06 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102294507B1 (ko) 2013-09-06 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9590110B2 (en) 2013-09-10 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ultraviolet light sensor circuit
TWI640014B (zh) 2013-09-11 2018-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置
US9893194B2 (en) 2013-09-12 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9269822B2 (en) 2013-09-12 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9461126B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit
US9805952B2 (en) 2013-09-13 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102307142B1 (ko) 2013-09-13 2021-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI646690B (zh) 2013-09-13 2019-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9716003B2 (en) 2013-09-13 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP6467171B2 (ja) 2013-09-17 2019-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6347704B2 (ja) 2013-09-18 2018-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9269915B2 (en) 2013-09-18 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI677989B (zh) 2013-09-19 2019-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP2015084418A (ja) 2013-09-23 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6570817B2 (ja) 2013-09-23 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9425217B2 (en) 2013-09-23 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9397153B2 (en) 2013-09-23 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6383616B2 (ja) 2013-09-25 2018-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102213515B1 (ko) 2013-09-26 2021-02-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스위치 회로, 반도체 장치, 및 시스템
JP6392603B2 (ja) 2013-09-27 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6581765B2 (ja) 2013-10-02 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置
JP6386323B2 (ja) 2013-10-04 2018-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TW202339281A (zh) 2013-10-10 2023-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP6438727B2 (ja) 2013-10-11 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6591739B2 (ja) 2013-10-16 2019-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 演算処理装置の駆動方法
TWI642170B (zh) 2013-10-18 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
TWI621127B (zh) 2013-10-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 運算處理裝置及其驅動方法
DE102014220672A1 (de) 2013-10-22 2015-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
JP2015179247A (ja) 2013-10-22 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9276128B2 (en) 2013-10-22 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and etchant used for the same
DE112014004839T5 (de) 2013-10-22 2016-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
KR102244460B1 (ko) 2013-10-22 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9455349B2 (en) 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
WO2015060318A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP6625796B2 (ja) 2013-10-25 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6457239B2 (ja) 2013-10-31 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6440457B2 (ja) 2013-11-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6478562B2 (ja) 2013-11-07 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9385054B2 (en) 2013-11-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and manufacturing method thereof
JP2015118724A (ja) 2013-11-13 2015-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP6393590B2 (ja) 2013-11-22 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6426437B2 (ja) 2013-11-22 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6486660B2 (ja) 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6556998B2 (ja) * 2013-11-28 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US20150155313A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102386362B1 (ko) 2013-12-02 2022-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP6496132B2 (ja) 2013-12-02 2019-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
DE112014007325B3 (de) 2013-12-02 2021-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und deren Herstellungsverfahren
US9991392B2 (en) 2013-12-03 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016027597A (ja) 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9349751B2 (en) 2013-12-12 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6537264B2 (ja) 2013-12-12 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI642186B (zh) 2013-12-18 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI721409B (zh) 2013-12-19 2021-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9379192B2 (en) 2013-12-20 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6444714B2 (ja) 2013-12-20 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102283814B1 (ko) 2013-12-25 2021-07-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI637484B (zh) 2013-12-26 2018-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6402017B2 (ja) 2013-12-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20220163502A (ko) 2013-12-26 2022-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2015097596A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9960280B2 (en) 2013-12-26 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN103730475B (zh) * 2013-12-26 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
JP6488124B2 (ja) 2013-12-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20230065379A (ko) 2013-12-27 2023-05-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN111129039B (zh) 2013-12-27 2024-04-16 株式会社半导体能源研究所 发光装置
US9577110B2 (en) 2013-12-27 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6506961B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US9349418B2 (en) 2013-12-27 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9318618B2 (en) 2013-12-27 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6444723B2 (ja) 2014-01-09 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9300292B2 (en) 2014-01-10 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit including transistor
US9401432B2 (en) 2014-01-16 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9379713B2 (en) 2014-01-17 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and driving method thereof
KR102306200B1 (ko) 2014-01-24 2021-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2015114476A1 (en) 2014-01-28 2015-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9929044B2 (en) 2014-01-30 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
US9653487B2 (en) 2014-02-05 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, module, and electronic device
TWI665778B (zh) 2014-02-05 2019-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組及電子裝置
US9721968B2 (en) 2014-02-06 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic appliance
JP2015165226A (ja) 2014-02-07 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
JP6534530B2 (ja) 2014-02-07 2019-06-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI658597B (zh) 2014-02-07 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6545970B2 (ja) 2014-02-07 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US10055232B2 (en) 2014-02-07 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising memory circuit
WO2015118436A1 (en) 2014-02-07 2015-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, device, and electronic device
CN105981193B (zh) 2014-02-11 2018-08-24 株式会社半导体能源研究所 显示设备及电子设备
WO2015125042A1 (en) 2014-02-19 2015-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide, semiconductor device, module, and electronic device
CN111524967A (zh) 2014-02-21 2020-08-11 株式会社半导体能源研究所 半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备
JP2015172991A (ja) 2014-02-21 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
JP6506566B2 (ja) 2014-02-21 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 電流測定方法
US10074576B2 (en) 2014-02-28 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6542542B2 (ja) 2014-02-28 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9564535B2 (en) 2014-02-28 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
US9294096B2 (en) 2014-02-28 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN106104772B (zh) 2014-02-28 2020-11-10 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及具有该半导体装置的显示装置
KR20150104518A (ko) 2014-03-05 2015-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레벨 시프터 회로
JP6474280B2 (ja) 2014-03-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9537478B2 (en) 2014-03-06 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9397637B2 (en) 2014-03-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device
US10096489B2 (en) 2014-03-06 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9653611B2 (en) 2014-03-07 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9419622B2 (en) 2014-03-07 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9711536B2 (en) 2014-03-07 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6442321B2 (ja) 2014-03-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
WO2015132697A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6585354B2 (ja) 2014-03-07 2019-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6545976B2 (ja) 2014-03-07 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015136413A1 (en) 2014-03-12 2015-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6541376B2 (ja) 2014-03-13 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
KR102450562B1 (ko) 2014-03-13 2022-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
JP6525421B2 (ja) 2014-03-13 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9640669B2 (en) 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP6560508B2 (ja) 2014-03-13 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9324747B2 (en) 2014-03-13 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6677449B2 (ja) 2014-03-13 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US9299848B2 (en) 2014-03-14 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RF tag, and electronic device
US10361290B2 (en) 2014-03-14 2019-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising adding oxygen to buffer film and insulating film
KR102367921B1 (ko) 2014-03-14 2022-02-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 시스템
US9887212B2 (en) 2014-03-14 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP2015188071A (ja) 2014-03-14 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015140656A1 (en) 2014-03-18 2015-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6509596B2 (ja) 2014-03-18 2019-05-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9842842B2 (en) 2014-03-19 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same
US9887291B2 (en) 2014-03-19 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
TWI657488B (zh) 2014-03-20 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
KR102398965B1 (ko) 2014-03-20 2022-05-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
KR102332469B1 (ko) 2014-03-28 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
JP6487738B2 (ja) 2014-03-31 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品
TWI735206B (zh) 2014-04-10 2021-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
JP6541398B2 (ja) 2014-04-11 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6635670B2 (ja) 2014-04-11 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9674470B2 (en) 2014-04-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device
TWI646782B (zh) 2014-04-11 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置
WO2015159183A2 (en) 2014-04-18 2015-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having the same
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법
KR20160144492A (ko) 2014-04-18 2016-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 장치
JP6613044B2 (ja) 2014-04-22 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
KR102380829B1 (ko) 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
JP6468686B2 (ja) 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
KR102330412B1 (ko) 2014-04-25 2021-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
US9780226B2 (en) 2014-04-25 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI643457B (zh) 2014-04-25 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10043913B2 (en) 2014-04-30 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
TWI679624B (zh) 2014-05-02 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6537341B2 (ja) 2014-05-07 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6653997B2 (ja) 2014-05-09 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示補正回路及び表示装置
KR102333604B1 (ko) 2014-05-15 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP2015233130A (ja) 2014-05-16 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板および半導体装置の作製方法
JP6612056B2 (ja) 2014-05-16 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、及び監視装置
JP6580863B2 (ja) 2014-05-22 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、健康管理システム
TWI672804B (zh) 2014-05-23 2019-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP6616102B2 (ja) 2014-05-23 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
US10020403B2 (en) 2014-05-27 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE112015002491T5 (de) * 2014-05-27 2017-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR20150138026A (ko) 2014-05-29 2015-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102418666B1 (ko) 2014-05-29 2022-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법
KR102354008B1 (ko) 2014-05-29 2022-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법 및 전자 기기
JP6525722B2 (ja) 2014-05-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、電子部品、及び電子機器
JP6653129B2 (ja) 2014-05-29 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US9831238B2 (en) 2014-05-30 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion
TWI663726B (zh) 2014-05-30 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置、模組及電子裝置
JP6538426B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
TWI646658B (zh) 2014-05-30 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6537892B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
WO2015182000A1 (en) 2014-05-30 2015-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
WO2015181997A1 (en) 2014-05-30 2015-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2016015475A (ja) 2014-06-13 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
KR102344782B1 (ko) 2014-06-13 2021-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 장치 및 입출력 장치
KR102437450B1 (ko) 2014-06-13 2022-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치를 포함하는 전자 기기
TWI663733B (zh) 2014-06-18 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電晶體及半導體裝置
TWI666776B (zh) 2014-06-20 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
KR20150146409A (ko) 2014-06-20 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
US9722090B2 (en) 2014-06-23 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
JP6545541B2 (ja) 2014-06-25 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US10002971B2 (en) 2014-07-03 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9647129B2 (en) 2014-07-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9729809B2 (en) 2014-07-11 2017-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device or electronic device
US9461179B2 (en) 2014-07-11 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure
CN106537604B (zh) 2014-07-15 2020-09-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法以及包括该半导体装置的显示装置
JP6581825B2 (ja) 2014-07-18 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
JP2016029795A (ja) 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、撮像装置及び電子機器
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2016012893A1 (en) 2014-07-25 2016-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oscillator circuit and semiconductor device including the same
JP6527416B2 (ja) 2014-07-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2016016765A1 (en) 2014-07-31 2016-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP6555956B2 (ja) 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US9705004B2 (en) 2014-08-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE102014111140B4 (de) * 2014-08-05 2019-08-14 Infineon Technologies Austria Ag Halbleitervorrichtung mit Feldeffektstrukturen mit verschiedenen Gatematerialien und Verfahren zur Herstellung davon
JP6739150B2 (ja) 2014-08-08 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、発振回路、位相同期回路及び電子機器
JP6652342B2 (ja) 2014-08-08 2020-02-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6553444B2 (ja) 2014-08-08 2019-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10147747B2 (en) 2014-08-21 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US10032888B2 (en) 2014-08-22 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device
US10559667B2 (en) 2014-08-25 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
KR102388997B1 (ko) 2014-08-29 2022-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR102441803B1 (ko) 2014-09-02 2022-09-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR102329498B1 (ko) 2014-09-04 2021-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2016066065A (ja) 2014-09-05 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および電子機器
US9766517B2 (en) 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
JP6676316B2 (ja) 2014-09-12 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9722091B2 (en) 2014-09-12 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2016066788A (ja) 2014-09-19 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法
US9401364B2 (en) 2014-09-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR20160034200A (ko) 2014-09-19 2016-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
DE112015004272T5 (de) 2014-09-19 2017-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung
US10071904B2 (en) 2014-09-25 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
US10170055B2 (en) 2014-09-26 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US10141342B2 (en) 2014-09-26 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
WO2016046685A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP2016111677A (ja) 2014-09-26 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、無線センサ、及び電子機器
US9450581B2 (en) 2014-09-30 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
WO2016055894A1 (en) 2014-10-06 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9698170B2 (en) 2014-10-07 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
KR102433326B1 (ko) 2014-10-10 2022-08-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로, 처리 유닛, 전자 부품, 및 전자 기기
WO2016055903A1 (en) 2014-10-10 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
US9991393B2 (en) 2014-10-16 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
JP6645793B2 (ja) 2014-10-17 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016063159A1 (en) 2014-10-20 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device
US10068927B2 (en) 2014-10-23 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6615565B2 (ja) 2014-10-24 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016067144A1 (en) 2014-10-28 2016-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method of display device, and electronic device
US9704704B2 (en) 2014-10-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
TWI652362B (zh) 2014-10-28 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物及其製造方法
JP6780927B2 (ja) 2014-10-31 2020-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10680017B2 (en) 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
US9584707B2 (en) 2014-11-10 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9548327B2 (en) 2014-11-10 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer
WO2016080379A1 (ja) * 2014-11-17 2016-05-26 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム
AU2015349823A1 (en) * 2014-11-20 2017-06-29 Fractal Antenna Systems, Inc. Method and apparatus for folded, rough, and/or fractal capacitors
US9438234B2 (en) 2014-11-21 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device including logic circuit
JP6563313B2 (ja) 2014-11-21 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI691088B (zh) 2014-11-21 2020-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI711165B (zh) 2014-11-21 2020-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
TWI669819B (zh) 2014-11-28 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組以及電子裝置
JP6647841B2 (ja) 2014-12-01 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物の作製方法
FR3029434B1 (fr) * 2014-12-03 2016-12-30 Commissariat Energie Atomique Procede pour recouvrir une couche d'oxyde transparent conducteur d'une couche continue de materiau conducteur
JP6667267B2 (ja) 2014-12-08 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9768317B2 (en) 2014-12-08 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device
US9773832B2 (en) 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP6833315B2 (ja) 2014-12-10 2021-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
CN107004722A (zh) 2014-12-10 2017-08-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
JP6689062B2 (ja) 2014-12-10 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016092416A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and electronic device
JP2016116220A (ja) 2014-12-16 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
JP6676354B2 (ja) 2014-12-16 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI687657B (zh) 2014-12-18 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、感測裝置和電子裝置
TWI686874B (zh) 2014-12-26 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法
KR20170101233A (ko) 2014-12-26 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링용 타깃의 제작 방법
US10396210B2 (en) 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
WO2016108122A1 (en) 2014-12-29 2016-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having semiconductor device
US10522693B2 (en) 2015-01-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
US9443564B2 (en) 2015-01-26 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6857447B2 (ja) 2015-01-26 2021-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9954112B2 (en) 2015-01-26 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI710124B (zh) 2015-01-30 2020-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及電子裝置
US9647132B2 (en) 2015-01-30 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
CN107207252B (zh) 2015-02-02 2021-04-30 株式会社半导体能源研究所 氧化物及其制造方法
CN112436021A (zh) 2015-02-04 2021-03-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US9660100B2 (en) 2015-02-06 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI683365B (zh) 2015-02-06 2020-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 裝置及其製造方法以及電子裝置
JP6717604B2 (ja) 2015-02-09 2020-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、中央処理装置及び電子機器
US9954113B2 (en) 2015-02-09 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor including oxide semiconductor, semiconductor device including the transistor, and electronic device including the transistor
TWI685113B (zh) 2015-02-11 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP2016154225A (ja) 2015-02-12 2016-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9818880B2 (en) 2015-02-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
KR20230141954A (ko) 2015-02-12 2023-10-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
US10249644B2 (en) 2015-02-13 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US9991394B2 (en) 2015-02-20 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US9489988B2 (en) 2015-02-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US10403646B2 (en) 2015-02-20 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9722092B2 (en) 2015-02-25 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a stacked metal oxide
JP6739185B2 (ja) 2015-02-26 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 ストレージシステム、およびストレージ制御回路
US9653613B2 (en) 2015-02-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9685560B2 (en) 2015-03-02 2017-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device
CN113223967A (zh) 2015-03-03 2021-08-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置
WO2016139560A1 (en) 2015-03-03 2016-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device including the oxide semiconductor film, and display device including the semiconductor device
TWI718125B (zh) 2015-03-03 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9905700B2 (en) 2015-03-13 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device or memory device and driving method thereof
WO2016147074A1 (en) 2015-03-17 2016-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
US10008609B2 (en) 2015-03-17 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
JP2016225602A (ja) 2015-03-17 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9964799B2 (en) 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
JP2016177280A (ja) 2015-03-18 2016-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
US10147823B2 (en) 2015-03-19 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102582523B1 (ko) 2015-03-19 2023-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP6662665B2 (ja) 2015-03-19 2020-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
US9842938B2 (en) 2015-03-24 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including semiconductor device
US9634048B2 (en) 2015-03-24 2017-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR20160114511A (ko) 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10429704B2 (en) 2015-03-26 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
US10096715B2 (en) 2015-03-26 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
JP6736321B2 (ja) 2015-03-27 2020-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
TWI695513B (zh) 2015-03-27 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
US9806200B2 (en) 2015-03-27 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TW202316486A (zh) 2015-03-30 2023-04-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9716852B2 (en) 2015-04-03 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Broadcast system
US10389961B2 (en) 2015-04-09 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10372274B2 (en) 2015-04-13 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
KR102546189B1 (ko) 2015-04-13 2023-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10056497B2 (en) 2015-04-15 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10460984B2 (en) 2015-04-15 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating electrode and semiconductor device
US9916791B2 (en) 2015-04-16 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and method for driving display device
US10192995B2 (en) 2015-04-28 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10002970B2 (en) 2015-04-30 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same
KR102549926B1 (ko) 2015-05-04 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기
US10671204B2 (en) 2015-05-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and data processor
JP6681780B2 (ja) 2015-05-07 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システムおよび電子機器
DE102016207737A1 (de) 2015-05-11 2016-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand
TWI693719B (zh) 2015-05-11 2020-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP6935171B2 (ja) 2015-05-14 2021-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11728356B2 (en) 2015-05-14 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element and imaging device
US9627034B2 (en) 2015-05-15 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
CN113990756A (zh) 2015-05-22 2022-01-28 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US9837547B2 (en) 2015-05-22 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
JP6773453B2 (ja) 2015-05-26 2020-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
US10139663B2 (en) 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
KR102553553B1 (ko) 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
WO2016203354A1 (en) 2015-06-19 2016-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US9860465B2 (en) 2015-06-23 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9935633B2 (en) 2015-06-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10290573B2 (en) 2015-07-02 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9917209B2 (en) 2015-07-03 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor
KR102548001B1 (ko) 2015-07-08 2023-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2017022377A (ja) 2015-07-14 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10501003B2 (en) 2015-07-17 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, lighting device, and vehicle
US10985278B2 (en) 2015-07-21 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
US11189736B2 (en) 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US10424671B2 (en) 2015-07-29 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
US10019025B2 (en) 2015-07-30 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9825177B2 (en) 2015-07-30 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask
US10585506B2 (en) 2015-07-30 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with high visibility regardless of illuminance of external light
CN106409919A (zh) 2015-07-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US9876946B2 (en) 2015-08-03 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP6725357B2 (ja) 2015-08-03 2020-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、半導体装置の作製方法
JP6791661B2 (ja) 2015-08-07 2020-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
WO2017029576A1 (en) 2015-08-19 2017-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9666606B2 (en) 2015-08-21 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP2017041877A (ja) 2015-08-21 2017-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、および電子機器
US9773919B2 (en) 2015-08-26 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2017037564A1 (en) 2015-08-28 2017-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device
JP2017050537A (ja) 2015-08-31 2017-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9911756B2 (en) 2015-08-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage
JP6807683B2 (ja) 2015-09-11 2021-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力パネル
SG10201607278TA (en) 2015-09-18 2017-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic device
JP2017063420A (ja) 2015-09-25 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN108140657A (zh) 2015-09-30 2018-06-08 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电子设备
WO2017064587A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
WO2017064590A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9852926B2 (en) 2015-10-20 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
US20170118479A1 (en) 2015-10-23 2017-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2017068491A1 (en) 2015-10-23 2017-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10007161B2 (en) 2015-10-26 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
SG10201608814YA (en) 2015-10-29 2017-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
JP6796461B2 (ja) 2015-11-18 2020-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
JP2018032839A (ja) 2015-12-11 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器
JP6887243B2 (ja) 2015-12-11 2021-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、半導体装置、電子機器及び半導ウエハ
US10050152B2 (en) 2015-12-16 2018-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
CN108475491B (zh) 2015-12-18 2021-04-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US10177142B2 (en) 2015-12-25 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device
WO2017115214A1 (en) 2015-12-28 2017-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP2017135698A (ja) 2015-12-29 2017-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
JP6851814B2 (ja) 2015-12-29 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
CN108473334B (zh) 2015-12-29 2021-03-12 株式会社半导体能源研究所 金属氧化物膜以及半导体装置
JP6827328B2 (ja) 2016-01-15 2021-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
CN108474106B (zh) 2016-01-18 2021-02-26 株式会社半导体能源研究所 金属氧化物膜、半导体装置以及显示装置
US9905657B2 (en) 2016-01-20 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6822853B2 (ja) 2016-01-21 2021-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び記憶装置の駆動方法
US10411013B2 (en) 2016-01-22 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
US10700212B2 (en) 2016-01-28 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof
US10115741B2 (en) 2016-02-05 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10250247B2 (en) 2016-02-10 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6970511B2 (ja) 2016-02-12 2021-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
CN109121438B (zh) 2016-02-12 2022-02-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
KR20170096956A (ko) 2016-02-17 2017-08-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 기기
WO2017149428A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device
US10263114B2 (en) 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
WO2017149413A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6904730B2 (ja) 2016-03-08 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US9882064B2 (en) 2016-03-10 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and electronic device
US10096720B2 (en) 2016-03-25 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP6668455B2 (ja) 2016-04-01 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物半導体膜の作製方法
WO2017178923A1 (en) 2016-04-15 2017-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10236875B2 (en) 2016-04-15 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the semiconductor device
KR20230019215A (ko) 2016-05-19 2023-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터
KR102296809B1 (ko) 2016-06-03 2021-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
KR102330605B1 (ko) 2016-06-22 2021-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI792916B (zh) 2016-06-24 2023-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、電子裝置
US10411003B2 (en) 2016-10-14 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN106298860B (zh) 2016-10-24 2019-04-12 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板及其制作方法
KR102050767B1 (ko) * 2016-12-01 2019-12-04 한국기계연구원 경사형 열전소자 및 이의 제조방법
CN109791316A (zh) * 2017-07-18 2019-05-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示设备、检测显示面板的密封剂层中的裂缝的方法、以及制造显示面板的方法
CN107393421A (zh) 2017-08-31 2017-11-24 京东方科技集团股份有限公司 走线结构、显示基板及显示装置
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
CN112041776B (zh) 2018-01-24 2022-06-07 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、电子构件及电子设备
US10652984B2 (en) 2018-03-02 2020-05-12 Institut National D'optique Light emitting gift wrapping apparatus
JP7293190B2 (ja) 2018-03-16 2023-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11399442B2 (en) 2018-07-03 2022-07-26 Apple Inc. Colored coatings for electronic devices
CN110767825B (zh) * 2018-08-06 2022-06-21 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示屏及显示终端
CN111471241A (zh) * 2019-01-24 2020-07-31 Sabic环球技术有限责任公司 具有改进的落锤冲击抗性的天线壳体

Family Cites Families (165)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH01298164A (ja) * 1988-05-25 1989-12-01 Canon Inc 機能性堆積膜の形成方法
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0667187A (ja) * 1992-08-19 1994-03-11 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス液晶表示装置
JP3322738B2 (ja) 1993-12-08 2002-09-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び集積回路ならびに表示装置
JP3067949B2 (ja) 1994-06-15 2000-07-24 シャープ株式会社 電子装置および液晶表示装置
KR0174034B1 (ko) * 1994-11-30 1999-02-01 엄길용 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JP3383129B2 (ja) 1995-07-20 2003-03-04 宮城沖電気株式会社 半導体装置の配線構造
JPH11505377A (ja) 1995-08-03 1999-05-18 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体装置
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR100206555B1 (ko) 1995-12-30 1999-07-01 윤종용 전력용 트랜지스터
JPH10144928A (ja) 1996-11-08 1998-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP3329707B2 (ja) 1997-09-30 2002-09-30 株式会社東芝 半導体装置
USRE40947E1 (en) 1997-10-14 2009-10-27 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board and its manufacturing method, and resin composition for filling through-hole
EP0915509B1 (en) 1997-10-24 2005-12-28 STMicroelectronics S.r.l. Process for integrating, in a same semiconductor chip, MOS technology devices with different threshold voltages
JP3539179B2 (ja) 1998-01-28 2004-07-07 セイコーエプソン株式会社 基板、基板の製造方法、集積回路および集積回路の製造方法。
JPH11251259A (ja) 1998-03-04 1999-09-17 Seiko Epson Corp 半導体層への不純物の導入方法、および薄膜トランジスタ並びに半導体装置の製造方法
JPH11264995A (ja) 1998-03-17 1999-09-28 Idemitsu Kosan Co Ltd 液晶表示装置の製造方法
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP4583716B2 (ja) 1998-11-16 2010-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
US6518594B1 (en) 1998-11-16 2003-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor devices
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
AUPQ013799A0 (en) 1999-05-04 1999-05-27 Donjac Pty. Ltd. Support assembly means
JP2002196348A (ja) * 1999-06-11 2002-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US6762816B1 (en) 1999-06-11 2004-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display with special electrode configurations and compositions and method for producing the same
JP4627843B2 (ja) * 1999-07-22 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2001053283A (ja) 1999-08-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4497596B2 (ja) * 1999-09-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタ及び表示装置
US6344379B1 (en) 1999-10-22 2002-02-05 Semiconductor Components Industries Llc Semiconductor device with an undulating base region and method therefor
KR100638525B1 (ko) * 1999-11-15 2006-10-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 컬러 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
JP3495305B2 (ja) 2000-02-02 2004-02-09 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体モジュール
KR100348288B1 (ko) 2000-08-11 2002-08-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시장치
JP2002141503A (ja) 2000-08-24 2002-05-17 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 自己整合型トランジスタの製造方法
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR100393642B1 (ko) 2000-09-14 2003-08-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 광시야각 액정 표시 장치
JP2002100621A (ja) 2000-09-20 2002-04-05 Seiko Epson Corp 成膜装置、成膜方法、これにより成膜された基板及びこの基板を用いた液晶装置
JP2002141514A (ja) 2000-11-07 2002-05-17 Sanyo Electric Co Ltd ボトムゲート型薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
DE10062245A1 (de) * 2000-12-14 2002-07-04 Infineon Technologies Ag Nichtflüchtige Halbleiterspeicherzelle sowie dazugehörige Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
JP3949897B2 (ja) * 2001-01-29 2007-07-25 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2002323706A (ja) 2001-02-23 2002-11-08 Nec Corp 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
US6917406B2 (en) 2001-03-16 2005-07-12 Hannstar Display Corp. Electrode array structure of IPS-LCD
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2003080694A (ja) 2001-06-26 2003-03-19 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
JP4920836B2 (ja) 2001-07-30 2012-04-18 シャープ株式会社 半導体素子
JP2003059940A (ja) 2001-08-08 2003-02-28 Fuji Photo Film Co Ltd ミクロファブリケーション用基板、その製造方法および像状薄膜形成方法
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP4839551B2 (ja) 2001-09-12 2011-12-21 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示装置
US7282769B2 (en) 2001-10-11 2007-10-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Thin film transistor device and method of making the same
JP2003133691A (ja) 2001-10-22 2003-05-09 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
WO2003040441A1 (en) 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
KR100466963B1 (ko) 2001-12-27 2005-01-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액티브 매트릭스형 유기발광다이오드 소자용 박막트랜지스터
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
US7049190B2 (en) 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3578162B2 (ja) 2002-04-16 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法、パターン形成装置、導電膜配線、デバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP2003311196A (ja) 2002-04-19 2003-11-05 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、非接触型カード媒体、圧電体素子、並びにインクジェット式記録ヘッド
JP4068883B2 (ja) 2002-04-22 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 導電膜配線の形成方法、膜構造体の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の製造方法
JP3951792B2 (ja) 2002-05-02 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
AU2003236143A1 (en) 2002-05-22 2003-12-02 Masashi Kawasaki Semiconductor device and display comprising same
US7002176B2 (en) 2002-05-31 2006-02-21 Ricoh Company, Ltd. Vertical organic transistor
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US6890050B2 (en) 2002-08-20 2005-05-10 Palo Alto Research Center Incorporated Method for the printing of homogeneous electronic material with a multi-ejector print head
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
KR20040054410A (ko) * 2002-12-18 2004-06-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계 발광 표시소자 및 그 제조방법
EP1434281A3 (en) 2002-12-26 2007-10-24 Konica Minolta Holdings, Inc. Manufacturing method of thin-film transistor, thin-film transistor sheet, and electric circuit
JP4566578B2 (ja) 2003-02-24 2010-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜集積回路の作製方法
US7973313B2 (en) 2003-02-24 2011-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device, IC label, container comprising the thin film integrated circuit, manufacturing method of the thin film integrated circuit device, manufacturing method of the container, and management method of product having the container
JP4244382B2 (ja) * 2003-02-26 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 機能性材料定着方法及びデバイス製造方法
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP2004325953A (ja) 2003-04-25 2004-11-18 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
JP4742487B2 (ja) 2003-05-09 2011-08-10 セイコーエプソン株式会社 膜パターン形成方法
JP2004349583A (ja) 2003-05-23 2004-12-09 Sharp Corp トランジスタの製造方法
JP3788467B2 (ja) 2003-05-28 2006-06-21 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、電子機器並びにアクティブマトリクス基板の製造方法
JP2004351305A (ja) 2003-05-28 2004-12-16 Seiko Epson Corp 薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP2004356321A (ja) 2003-05-28 2004-12-16 Seiko Epson Corp 薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
KR101100625B1 (ko) * 2003-10-02 2012-01-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선 기판 및 그 제조방법, 및 박막트랜지스터 및 그제조방법
CN1890698B (zh) 2003-12-02 2011-07-13 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法和电视装置
JP2005191489A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Sharp Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
KR20070116889A (ko) 2004-03-12 2007-12-11 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 아몰퍼스 산화물 박막의 기상성막방법
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
KR100889796B1 (ko) 2004-11-10 2009-03-20 캐논 가부시끼가이샤 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
CN101057333B (zh) 2004-11-10 2011-11-16 佳能株式会社 发光器件
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
BRPI0517568B8 (pt) 2004-11-10 2022-03-03 Canon Kk Transistor de efeito de campo
US7315042B2 (en) 2004-11-18 2008-01-01 3M Innovative Properties Company Semiconductors containing trans-1,2-bis(acenyl)ethylene compounds
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
US7915058B2 (en) 2005-01-28 2011-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Substrate having pattern and method for manufacturing the same, and semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI562380B (en) 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
EP3614442A3 (en) 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101397571B1 (ko) 2005-11-15 2014-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그의 제조방법
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008133345A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
WO2011013682A1 (ja) 2009-07-27 2011-02-03 株式会社神戸製鋼所 配線構造およびその製造方法、並びに配線構造を備えた表示装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111615267A (zh) * 2020-05-19 2020-09-01 成都怀慈福佑电子科技有限公司 一种通过印刷电子技术制备生物可降解电子器件的制备方法
CN111615267B (zh) * 2020-05-19 2023-12-29 成都怀慈福佑电子科技有限公司 一种通过印刷电子技术制备生物可降解电子器件的制备方法
CN114945474A (zh) * 2020-12-14 2022-08-26 Unijet株式会社 用于薄膜涂覆的喷墨印刷方法
US11718093B2 (en) 2020-12-14 2023-08-08 Unijet Co., Ltd. Inkjet printing method for thin-film coating
CN114945474B (zh) * 2020-12-14 2024-03-01 Unijet株式会社 用于薄膜涂覆的喷墨印刷方法
CN112661147A (zh) * 2021-01-15 2021-04-16 无锡东恒新能源科技有限公司 一种石墨烯纳米盘阵列的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI390735B (zh) 2013-03-21
KR20110133539A (ko) 2011-12-13
KR101139715B1 (ko) 2012-04-26
KR101191679B1 (ko) 2012-10-17
US20090224237A1 (en) 2009-09-10
KR101102266B1 (ko) 2012-01-03
CN101677111B (zh) 2013-06-19
TW201210017A (en) 2012-03-01
KR101126528B1 (ko) 2012-03-22
KR20130006581A (ko) 2013-01-17
CN1828932A (zh) 2006-09-06
US8648346B2 (en) 2014-02-11
KR20110123718A (ko) 2011-11-15
CN100565910C (zh) 2009-12-02
KR20110014257A (ko) 2011-02-10
TW201010085A (en) 2010-03-01
US20060169973A1 (en) 2006-08-03
TW201438226A (zh) 2014-10-01
KR20120102560A (ko) 2012-09-18
TWI569441B (zh) 2017-02-01
US20120012846A1 (en) 2012-01-19
KR20060087455A (ko) 2006-08-02
KR20090118892A (ko) 2009-11-18
KR101238274B1 (ko) 2013-03-04
US7608531B2 (en) 2009-10-27
TWI481024B (zh) 2015-04-11
KR20110014256A (ko) 2011-02-10
JP5707373B2 (ja) 2015-04-30
US20140138680A1 (en) 2014-05-22
US8487436B2 (en) 2013-07-16
US9356152B2 (en) 2016-05-31
KR101548141B1 (ko) 2015-08-28
TWI445178B (zh) 2014-07-11
KR20110117641A (ko) 2011-10-27
JP2013034002A (ja) 2013-02-14
TW200629571A (en) 2006-08-16
KR101111474B1 (ko) 2012-03-14
KR101251311B1 (ko) 2013-04-05
KR101406773B1 (ko) 2014-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100565910C (zh) 半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法
KR101141034B1 (ko) 표시 장치 및 발광 장치
CN101030536B (zh) 电路图案、薄膜晶体管及电子设备的制造方法
JP4761981B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP5171003B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant