WO2003040441A1 - Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film - Google Patents

Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film Download PDF

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Hiromichi Ota
Masahiro Orita
Kazushige Ueda
Masahiro Hirano
Toshio Kamiya
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Definitions

  • the present invention relates to a ZnO composite oxide epitaxial single crystal thin film having a natural superlattice structure, a method for producing the same, and an optical device, an electronic device, and an X-ray optical device using the single crystal thin film.
  • Superlattices include “natural superlattices” due to the periodicity of the crystal structure itself and “artificial superlattices” in which ultrathin films with different compositions are artificially and alternately stacked.
  • crystal period or the thickness of each thin film layer is on the order of nanometers, a single substance or each layer is uniformly mixed depending on the combination of the chemical composition and the thickness of each crystal periodic layer or each thin film layer. Unique properties that are different from the properties of mixed crystals are obtained. Much of this is due to the quantum size effect.
  • each thin film In order for the quantum effect to occur in the superlattice structure, the thickness of each thin film needs to be about 5 nm or less, which is thinner than the electron's Doppler wave.
  • the thin film When the thin film is thick, the properties of each semiconductor are maintained almost as it is, and the interface of the film acts only as a boundary condition.
  • the film thickness is smaller than the electron de Broglie wave, a new property appears because the electron behaves as a wave. Such an effect is generally called a quantum size effect.
  • the electrons in the well layer feel the well potential created by the barrier layer.
  • Such a state is called a quantum well, where electrons can only have discrete energies because of their wave nature. Electrons with the same energy as these discrete quantum energy levels can pass through the barrier and penetrate into the quantum well. This is called a resonance tunnel effect.
  • the electron and optical properties unique to semiconductor crystals are based on the fact that atoms are regularly arranged on a lattice and a periodic potential for electrons is formed.
  • a long-period potential based on the superlattice is generated.
  • Superlattices may be given new properties different from crystals because electrons move in an environment where two potentials are synergistic.
  • the superlattice structure has characteristics such as a higher electron movement speed, a higher tunneling current due to the resonant tunneling effect, and a higher luminous efficiency due to the combination of electrons and holes.
  • HEMTs high electron mobility transistors
  • MOBILE monostable-bistable transition logic element
  • field-effect transistors are used as unit electronic elements in semiconductor memory integrated circuits, high-frequency signal amplifying elements, liquid crystal driving elements, etc., and are currently the most widely used electronic devices.
  • FETs field-effect transistors
  • HEMT is also a FET using a superlattice structure as an electron transfer layer.
  • silicon semiconductor compounds are the most widely used materials.
  • Silicon single crystals are used for high-frequency amplifiers and integrated circuit elements that require high-speed operation.
  • an appropriate superlattice structure has not been developed for silicon, it is not possible to fabricate ultrahigh-speed operation devices and ultrahigh-frequency amplification devices such as HEMTs that use the quantum effect.
  • amorphous silicon is used for low-speed operation and sufficient liquid crystal drive due to the demand for large area.
  • An artificial superlattice structure is created by epitaxially growing two or more different types of semiconductors using thin film growth technology.
  • Epitaxy means that when a thin film single crystal is grown on a single crystal substrate, the crystal orientations of both grow in agreement. In the case of epitaxial growth, it is possible to obtain a steep, low defect density thin film interface.
  • Typical thin film growth techniques include epitaxial growth, molecular beam epitaxy (MBE), and chemical vapor deposition.
  • MBE molecular beam epitaxy
  • Using non-equilibrium evaporation Sputtering is the most widely used method and is used industrially at present.
  • the sputtering method as a film forming method is a method utilizing a so-called sputtering phenomenon.
  • the spatter phenomenon was observed by W. Grove in 1852.
  • the sputter phenomenon is a phenomenon in which high kinetic energy particles (ions or atoms neutralized by electrons near the target surface) incident on the target surface impart the momentum to the target constituent atoms by elastic collision, and the recoil atoms are in the vicinity. This means that the target surface atoms are emitted as a result of repeated collisions with other atoms.
  • the released target constituent atoms are deposited on a substrate to form a thin film.
  • Sputtering is generally not suitable for making artificial superlattices due to the high deposition rate.
  • MB E method molecular beam epitaxy, molecular beam Epitaxy
  • MBE method molecular beam epitaxy, molecular beam Epitaxy
  • the method of controlling the flow of neutral molecules (or atoms) of raw materials, that is, the intensity of molecular beams (atomic beams) with high precision, and making this incident on a heated substrate with high precision, thereby performing epitaxy crystal growth. is there.
  • the types of materials that can be handled by the MBE method include compound semiconductors, elemental semiconductors such as Si, various types of metals, and oxide superconductors.
  • vacuum of the growth chamber is less than or equal to 1 0- 7 ⁇ 1 0- 8 Pa, growth in a state where the surface of the crystals were kept always clean on an atomic scale is performed That is, the intensity of the molecular beam (beam) is controlled with high precision.
  • MBE method is widely used for research and development In addition, it is used to create practical devices such as HEMTs.
  • Chemical vapor deposition is a method in which a raw material gas is chemically reacted on a substrate using a chloride or an organometallic compound as a raw material, and a thin film having a predetermined composition is grown on the substrate by fc. Because of its excellent properties, it is used in the production of practical materials such as the creation of semiconductor laser superlattice structures.
  • the present inventors have previously conducted an InGaO 3 (ZnO) containing ZnO as a main component, which shows n-type electrical conduction in an amorphous state by forming a film at room temperature using a pulse laser thin film deposition method.
  • ZnO InGaO 3
  • a transparent thin film of a homo-gas compound such as m (m is a natural number) was grown (Patent Document 1, Non-Patent Document 1).
  • compound semiconductor superlattice structures are used in high-speed electronic devices such as semiconductor lasers for communication and optical desks, and HEMTs, which can reduce the threshold of semiconductor lasers, shorten the oscillation wavelength, MT has been accelerated.
  • HEMTs high-speed electronic devices
  • GaN / InGaN / GaN superlattices and ZnMgO / ZnO / ZnMgO superlattices have been proposed, and some of them have been commercialized as short-wavelength semiconductor lasers.
  • each layer in the superlattice structure is extremely thin, 1 to 100 atomic layers. Therefore, if the thickness of one layer is locally uneven on the order of one atomic layer, the shadow The sound becomes extremely large.
  • the production of such superlattices requires growth control on the order of atomic layers, and requires advanced deposition techniques such as MBE and CVD. Rather than artificially creating a superlattice as described above, if a superlattice existing in nature is actively used, a superlattice structure whose layer thickness is precisely controlled can be relatively easily formed. Is expected to simplify the film formation process.
  • LuFe0 3 (ZnO) ra are LuOl.
  • This group of compounds can be regarded as a natural superlattice of ZnO, which has been known as an ultraviolet light emitting material since the 1950's.
  • the M 'ion exists as a periodic band in the ZnO layer, and the ZnO layer can be regarded as having a one-dimensional superlattice structure (quantum wire structure).
  • homo-gas-phase MZOs GnO thin films have been manufactured by sputtering or PLD, and deposited on substrates heated to high temperatures (H. Hiramatsu, W. S. Seo, and K. Koumoto, "Electrical and Optical Properties of Radio-Frequency-Sputtered Thin Films of (ZnO) slnaOa ", Chem. Mater. 10, 3033-3039 (1998).
  • the inability to form a homogeneous superlattice means that the chemical composition of the homogas phase deviates from the stoichiometric ratio. Oxygen vacancies are generated in the homo-phase gas phase due to the deviation of the chemical composition, and conductive carriers are generated. Generally, it is extremely difficult to control the concentration of conduction carriers generated due to oxygen defects. Generally, in order to manufacture an electronic device such as a normally-off field-effect transistor, it is necessary to reduce the concentration of the device to an endogenous level or less ( ⁇ 10 14 cm ⁇ 3 ).
  • Homo port gas phase 3 ⁇ 43 ⁇ 4 ⁇ 2 0 3 (ZnO) m thin film and ZnO thin film are transparent to visible light.
  • FETs using compound semiconductors such as silicon and GaAs have sufficient performance for many applications, but these FETs are sensitive to visible light based on the optical properties of the materials. Disadvantages are that they are opaque and cannot form a transparent circuit.
  • visible light irradiation generates conductive carriers, and the transistor characteristics deteriorate under high light irradiation.
  • the transistor is applied as a switching element for driving a liquid crystal of a liquid crystal display, the device is opaque to visible light, so that the aperture ratio of a display pixel is reduced.
  • light-induced current is generated by backlight irradiation, and the switching characteristics are degraded. In order to prevent such deterioration, it is necessary to provide a light-shielding film for cutting the backlight light.
  • a ZnO single crystal which is a base material, is prepared by diffusing elements such as Lu and Ga into an epitaxial thin film of ZnO to form a homo-gas l ⁇ I ⁇ Ch (ZnO). m , forming a thin film phase, and further growing a single crystal film from the thin film phase. That is, the present invention is a method of epitaxial growth on a ZnO epitaxial thin film. (However, M 1 is, & 3,?
  • a natural superlattice homo-orifice gas single-crystal thin film is characterized by being composed of a composite oxide represented by at least l types, and m is a natural number of 1 or more including 1).
  • the above ZnO Epitakisharu film disappears formula Micromax 0 3 in a state of directly Epitakisharu grown on a single crystal substrate grown the ZnO Epitakisha Le film (ZnO) m (although, M 1 is, Ga, Fe, Sc, in , Lu, Yb, Tm, Er, at least one of Ho and Y, M 2 is to Mn, Fe, Ga, and at least one of an in, A1, m is It is a natural superlattice homo-gas single crystal thin film comprising a complex oxide represented by (1 or more natural number including 1).
  • the present invention provides a method of epitaxially growing MVOs (ZnO) m (where M 1 is 30,1, ⁇ 1),, 51 ", 1 ⁇ 10 ⁇ Hi of Uchi at least one, M 2 is 3 ⁇ 4 ⁇ 6 &, and 1 eight 1 Uchi at least one, m is containing 1 Natural number above)
  • MVOs (ZnO) m where M 1 is 30,1, ⁇ 1),, 51 ", 1 ⁇ 10 ⁇ Hi of Uchi at least one, M 2 is 3 ⁇ 4 ⁇ 6 &, and 1 eight 1 Uchi at least one, m is containing 1 Natural number above
  • a natural superlattice homogas single-crystal gas thin film comprising a complex oxide represented by the following formula:
  • the present invention is the above-mentioned homo-gas single crystal thin film, wherein the variation of the value of m in the film thickness direction is within m ⁇ l.
  • the present invention is the above-described homo-gas single-crystal thin film, wherein the value of m continuously changes in the film thickness direction.
  • the present invention is the above-described homo-gas single crystal thin film, which has an atomic level surface flatness, and the flat surface area is 0.5 mx 0.5 m or more. Further, the present invention relates to a method of epitaxially growing on a ZnO single crystal or a ZnO epitaxial thin film tfl ⁇ O ⁇ ZnO):!
  • M 1 is Ga, Fe, Sc, In, Lu, Yb, Tm, Er, at least one of Ho and Y, M 2 is to Mn, Fe, Ga, ⁇ , and at least one of the Arufaiota, eta is a composite oxide thin film represented by a natural number of 1 or more
  • the present invention provides the method for producing a homo-gas single-crystal thin film as described above, wherein the heat diffusion treatment is performed while covering the laminated film with a high melting point compound in order to suppress the evaporation of ZnO during the heat diffusion treatment. It is.
  • the present invention is the above-described method for producing a homo-mouthed gas single crystal thin film, wherein the heat diffusion treatment is performed in ZnO vapor in order to suppress the evaporation of ZnO during the heat diffusion treatment.
  • the present invention is an optical device, an X-ray optical device, or an electronic device using the above ZnO composite oxide single crystal thin film.
  • the present invention is the above-mentioned transparent thin-film field-effect transistor, wherein the homo-mouthed gas single-crystal thin film is formed on a heat-resistant, transparent oxide single-crystal substrate.
  • Homo port gas phase ⁇ 3 ⁇ 4 2 0 3 (ZnO) m single-crystal thin film of the present invention the force formed in ZnO single crystal or ZnO Epita Kisharu thin film, an element such as Lu or Ga throughout ZnO Epitakisharu thin diffused time, resulting Epitakisharu film of ZnO disappears, the remaining single crystal substrate of ZnO single crystal film ⁇ SZ, A1 2 0 3 or the like is Epitakisharu grow, the host Morogasu phase MWO ⁇ ZnO thin film thereon It is in a state of direct epitaxy growth.
  • m value is 7 or more periodic nanowires or quantum dot structures when it comes to Uru' blende type ZnO natural number including 7 by using such a structure, the same as the artificial superlattice structure
  • an ultraviolet light emitting device and a quantum electron device can be manufactured.
  • the surface of the obtained gas phase single crystal thin film has a multi-stage terrace-like morphology.
  • the step corresponds to the thickness of the superlattice.
  • the surface of the terrace has a flatness of one atomic level, that is, a so-called atomic flat surface. Since the thickness of the homo-port gas compound is large, it is necessary to make the terrace width larger than the terrace width of the substrate crystal. Yes, it can be longer than 0.5 microns. In the case of a homo-orifice gas compound thin film having a large value of m, the area of the atomic flat surface can be further increased.
  • the large-area atomic flat surface can be used as a sample stage for observing bio-compounds such as DNA with a tunneling electron microscope or an optical near-field microscope, for example.
  • bio-compounds such as DNA
  • an optical near-field microscope for example.
  • homologous compounds are suitable for this purpose because of their low electrical resistance.
  • the field-effect transistor of the present invention activates a single crystal film of a homo-gas compound containing ZnO as a main component, which is transparent to visible light and can be used as an element constituting a transparent electronic circuit. It is used as a layer, and can provide a new excellent field-effect transistor having the following features 1 to 3 in place of a field-effect transistor using a conventional silicon.
  • the value of m of InM0 3 (ZnO) m is 1 or more 5 0 less preferably an integer.
  • the value of m can be up to infinity, but in practice, if the value of m is too large, the dispersion of m in the film will increase and oxygen vacancies will easily occur. As a result, the electrical conductivity of the film increases, making it difficult to make a normally-off type FET.
  • a (integer) thin film as the active layer, a thin film field effect transistor having high visible light transmittance and no generation of photoinduced current due to visible light can be manufactured.
  • FIG. 1 is a graph showing the crystallinity of the homo-gas single-crystal thin film produced in Example 1 by an out-of-plane XRD pattern.
  • FIG. 2 is an AFM photograph as a drawing substitute of the homo-mouthed gas single crystal thin film produced in Example 1.
  • FIG. 3 is a graph showing the light absorption spectrum of the homo-gas single-crystal thin film manufactured in Example 1 at 10K and 300K.
  • FIG. 4 is a graph showing a photoluminescence spectrum at 10 K and a temperature of 300 K of the homo-mouthed gas single crystal thin film manufactured in Example 1.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing the structure of the MISFET device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a graph showing the results of a single crystal InGa0 3 (ZnO) 5 thin film XRD measurements made in Example 3.
  • FIG. 7 is an AFM observation photograph instead of a drawing showing the surface structure of the single crystal InGaOs (ZnO) 5 thin film produced in Example 3.
  • FIG. 8 is a graph showing current-voltage characteristics of the MISFET device manufactured in Example 3 measured at room temperature.
  • the YSZ, A1 2 0 3 or the like of the single crystal substrate with atomic flat surfaces, MBE method, or Parusure The one deposition method (PLD method), a ZnO single crystal thin film having an atomic flat surface to Epitaki Shall growth. This operation is not necessary when using a ZnO single crystal.
  • a thin film described as ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ is formed on the ZnO thin film or ZnO single crystal by ⁇
  • n is a natural number not less than 1 including 1, and M 1 is Ga, Fe, Sc, In, Lu, Yb,
  • M 2 is, Mn, Fe, Ga, In , even without less of Al is one.
  • Fe, Ga, an In, respectively, M 1 and M substitution be able Rukoto 2 both, respectively, homo port gas phase Fe 2 03 (ZnO) n, Ga 2 0 3 (ZnO) n N ⁇ 2 0 3 ( ⁇ ) ⁇ .
  • the obtained thin film does not need to be a single crystal film, and may be a polycrystalline film or an amorphous film.
  • a heat diffusion process is performed at a temperature of 800 ° C. or more and 160 ° C. or less. Since it is necessary to prevent oxygen from being released from the thin film, the heating atmosphere is a non-reducing atmosphere, preferably an air atmosphere.
  • a suitable temperature is at least 800 ° C and no more than 160 ° C, more preferably at least 1200 ° C and no more than 1500 ° C. Below 800 ° C, diffusion is slow and uniform HW ⁇ C ⁇ ZnO ⁇ cannot be obtained. On the other hand, when the temperature exceeds 160 ° C., the evaporation of the ZnO component cannot be suppressed, and a uniform composition of MnPO ⁇ ZnO) ⁇ cannot be obtained.
  • the ZnO component Since the ZnO component has a high vapor pressure, if heat diffusion treatment is performed in the air, the ZnO component evaporates from the thin film during the treatment, and the thin film component after the heat diffusion treatment changes significantly, resulting in high quality. Crystal film may not be obtained.
  • the volume of the container is Add a ZnO compound in an amount that generates about 5% ZnO vapor.
  • the ZnO compound is preferably a powder or a sintered body.
  • the high melting point compounds for example, by depositing a thin film of YSZ and A1 2 0 3, covers the entire thin film may be a heat diffusion treatment in the atmosphere.
  • the upper and lower surface areas of the thin film are larger than the sectional surface area, the upper and lower surfaces may be covered with a high melting point compound thin plate.
  • the thin film may be covered with a high melting point compound and subjected to a heat diffusion treatment in an atmosphere containing ZnO vapor.
  • n is a natural number of 1 or more including 1 different from n, and is uniquely determined as shown in Table 1 by the ratio of the ZnO film thickness to the MWC ⁇ ZnO film thickness.
  • a WM ⁇ ZnO ⁇ single crystal thin film having a constant m in the film thickness direction can be obtained.
  • the composition after diffusion has less ZnO component than the compound composition specified by m
  • the obtained single crystal thin film has a superlattice structure in which m and m-1 are mixed.
  • the composition after diffusion has more ZnO components than the compound composition specified by m
  • a superlattice structure in which m and m + 1 are mixed is formed.
  • the superlattice structure can be used as a black diffraction grating device that diffracts a wide range of wavelengths.
  • the obtained single crystal thin film since M 2 0L 5 ⁇ ZnO layer can be all the natural superlattice structure sandwiched between tfOu layer, the electrons present in M 2 0i. 5 ⁇ ZnO layer, the quantum size effect Occurs. Therefore, the obtained single-crystal thin film can be used as a material for optical devices such as light-emitting diodes and semiconductor lasers, and as an electronic device material such as MOBILE, HEMT, and FET, like the artificial superlattice structure. Also, the obtained MO ⁇ ZnO) ⁇
  • the thickness of the ZnO layer can be controlled every 0.27 nm if it is 0.5 nm or more.
  • It can be used as a mirror material that reflects X-rays.
  • Substrates of single-crystal thin films of homo-gas compounds containing ZnO as a main constituent are heat-resistant and transparent single-crystal substrates of oxides, such as YSZ (yttria-stabilized zirconia), sapphire, MgO, ZnO And so on.
  • oxides such as YSZ (yttria-stabilized zirconia), sapphire, MgO, ZnO And so on.
  • YSZ which has a lattice constant close to that of a homo-open gas compound containing ZnO and does not chemically react with the compound at a temperature of 1400 ° C. or lower, is most preferable.
  • An ultra-flat surface can be obtained by heating an oxide single crystal substrate such as YSZ to 1000 ° C or more in air or vacuum.
  • a structure that reflects the crystal structure appears on the surface of the ultra-flattened oxide single crystal substrate.
  • it is a structure that consists of a terrace with a width of several lO Onm and a step with a height of about sub-nm, and is generally called an atomically planarized structure.
  • the terrace consists of atoms arranged on a plane, and if you ignore the presence of some defects, it is a completely flat surface. The presence of the step does not result in a completely planarized surface over the entire substrate.
  • Rms is less than 1.0 nm.
  • Rms is a value calculated, for example, by scanning a range of 1 ⁇ angle with an atomic force microscope.
  • a ZnO single crystal thin film having an atomically flat surface is epitaxially grown on the obtained heat-resistant transparent oxide substrate having an atomically flat surface by the ⁇ method, a pulsed laser deposition (PLD) method, or the like.
  • PLD pulsed laser deposition
  • the obtained thin film need not be a single crystal film, but may be a polycrystalline film or an amorphous film.
  • the high melting point compounds as can cover the entire thin film, for example, covered with a YSZ or A1 2 0 3, at 1 3 0 0 ° C over a high temperature, subjected to a heat diffusion treatment at atmospheric pressure containing ZnO vapor.
  • the reason for applying the high melting point compound is to avoid contact between the ZnO vapor described later and the surface of the thin film.
  • the reaction vessel is charged with at least 5% by volume of ZnO based on the volume of the vessel.
  • the ZnO to be filled is preferably a powder or a sintered body. The ZnO powder evaporates from the ZnO powder due to the heat diffusion treatment at a high temperature, increasing the ZnO vapor pressure inside the reaction vessel and suppressing the evaporation of ZnO in the thin film.
  • the obtained single-crystal thin film is present at the interface between the M0 3 since the (ZnO) InC. Can and natural superlattice structure sandwiched between five layers all Succoth, M0 3 (ZnO) m layer and ⁇ layer electronic Then, a quantum effect occurs. Therefore, the obtained single-crystal thin film can be used as a high-frequency electronic device material, similarly to the artificial superlattice structure.
  • homo port gas single-crystal film containing ZnO obtained by reaction 1 "raw solid Epitakisharu growth method is close to the stoichiometric composition, at room temperature, shows a 10 8 ⁇ ⁇ cm or more high insulation, Suitable for normally-off field-effect transistors.
  • a top-gate type MIS field-effect transistor using the obtained homo-gas single crystal thin film containing ZnO as a main component as an active layer can be produced.
  • a gut insulating film 3 and a gate electrode 3 are formed on a homo-orifice gas single crystal thin film 2 containing ZnO grown as a main constituent on the substrate 1 by epitaxy.
  • a metal film for 4 is formed.
  • the gate insulating film 3, A1 2 0 3 is most suitable.
  • Au, Ag, Al, Cu, or the like can be used for the metal film for the gate electrode 4.
  • a gate electrode 4 is formed by a photolithography method and dry etching or a lift-off method, and finally, a source electrode 5 and a drain electrode 6 are formed.
  • the shape of the field-effect transistor of the present invention is not limited to a top-gate MIS field-effect transistor (MIS-FET), but also includes a J-FET.
  • a ZnO thin film was grown on a YS Z (111) single crystal substrate (10 mnOX 0.5 mrat) at a substrate temperature of 800 ° C.
  • the P LD technique in a vacuum chamber one set at oxygen pressure 3 X 1 0- 3 Pa, the ZnO sintered target was irradiated with K r F (248nm) excimer laser evaporation of ZnO, the 800 ° C
  • a thin film was grown on a heated YSZ (111) single crystal substrate at a deposition rate of 2 ntn / min for 1 hour.
  • the thickness of the ZnO thin film obtained from the X-ray reflectivity measurement was 120 nra.
  • LuGaO 3 (ZnO) 9 was grown at a substrate temperature of 600 ° C using the fabricated ZnO thin film on YSZ (111) as a substrate.
  • the P LD method vacuum Chiya set at oxygen pressure 3 X 1 0- 3 Pa Nba one in, LuGa03 (Zn0) 9 to sintered target was irradiated with K r F (248nm) excimer laser evaporation of LuG a 0 3 (ZnO) 9 , YSZ heated to 6 0 0 ° C (111 )
  • a thin film was grown on a single crystal substrate at a deposition rate of 2 nm / min for 30 minutes.
  • LuGaO 3 (ZnO) 9 thin film was 60 nm.
  • the fabricated LuGaOs (Zn0) 9 thin film was composed of nano-sized microcrystals, and the crystallinity could not be evaluated by XRD measurement.
  • a YSZ single crystal (lOmmX lOmmXO.5mmt) was placed so as to cover the entire laminated thin film. Furthermore, in order to suppress the evaporation of ZnO with a high vapor pressure, about 2 g of ZnO powder (average particle size 1 m) was coated on the covered YSZ substrate. This was placed in an alumina crucible (SSA-S), covered, and subjected to a heat diffusion treatment at 144 ° C. for 30 minutes in the air. After the completion of the heat diffusion treatment, it was cooled down to room temperature in the furnace.
  • SSA-S alumina crucible
  • FIG. 1 shows the Out-of-plane XRD pattern.
  • LuGa0 3 ( ⁇ 0) strong diffraction peak (0001) plane of the ⁇ was observed with YS Z (111) peak.
  • LuGa03 (ZnO) This indicates that the crystal was oriented strongly on Z (111), and the tilt angle of the LuGaO 3 (Zn0) i7 (0001) plane was 0.1 ° from the results of the licking curve measurement.
  • In- pla ne was prepared from the measured LuGa0 3 (ZnO) ⁇ thin film is bright, et al KaninaTsuta that Epitakisharu growth.
  • the epitaxy is as follows.
  • LuGa0 3 (ZnO) 17 Lu from XRD measurements of a single crystal thin film (. 5 layers one Lu0i. 5 interlayer distance
  • the fabricated LuGaO ⁇ ZnO 7 single crystal thin film was mounted on a cryostat (Daikin, 4.2K), and the system was evacuated and cooled to 10K.
  • FIG. 3 shows light absorption spectra at 10K and 300K. For comparison, the absorption spectrum of a ZnO epitaxial thin film is also shown.
  • Excitation was performed by irradiating the thin film with a third harmonic (wavelength: 355 nm) of Nd: YAG.
  • Luminescence was collected by a lens, guided to a bundle fiber, and spectrally detected using a charge-coupled device (CCD).
  • CCD charge-coupled device
  • Figure 4 shows the 10K and 300K photoluminescence spectra. A spectrum similar to ZnO is seen.
  • Example 1 wherein the two-layer film produced, 1 3 00 ° (, 2 Omin s heated diffusion treatment in the atmosphere.
  • Example 2 was subjected to HRXRD measurement of thin film prepared, In 2 0 3 (ZnO) 4 , it has been a Epitakisharu thin films mixed I mOs (ZnO) 5, and I n 2 0 3 (ZnO) 6.
  • LuGa0 3 (ZnO) 5 As a target material, at a substrate temperature RT, it was grown thin film YS Z (111) single crystal substrate. The thickness of the thin film obtained from the X-ray reflectivity measurement was 20 Onm. XRD measurement showed that the prepared thin film was amorphous. When the composition was analyzed by X-ray fluorescence analysis, the Lu / Ga atomic ratio was 1, but the Zn / Lu ratio was 3, indicating that ZnO was reduced compared to the target composition.
  • the amorphous thin film thus produced was crystallized by the aerial method described in Example 1 (1450 ° C, 30 min, in air).
  • HRXRD measurement it was found to be generated LuGa0 3 (ZnO) 3. Strong LuGa0 3 (Zn0) 3 (0001 ) diffraction peak was observed together with YSZ (111) diffraction peak.
  • LuGaO 3 (ZnO) 3 (0001) ⁇ YS Z (111) was oriented.
  • the tilt angle of the thin film obtained from the rocking curve measurement was about 1 degree. When in-plane measurement was performed, no in-plane orientation was observed. Therefore, the fabricated thin film is a c-axis oriented LuGaO 3 (ZnO) 3 film, not a single crystal.
  • LuGa0 3 a (ZnO) 9 as a target material, at a substrate temperature of 5 00 ⁇ 900 ° C, and the thin film grown on YS Z (111) single crystal substrate by a P LD method. From X-ray reflectance measurement The thickness of the obtained thin film decreased as the substrate temperature increased. Composition analysis by fluorescent X-ray analysis showed that the Lu / Ga atomic ratio was 1 at all growth temperatures, but the Zn / Lu ratio showed a tendency to decrease with increasing substrate temperature. .
  • a 2 nm thick ZnO thin film was epitaxially grown on a YS Z (111) single crystal substrate by the PLD method at a substrate temperature of 700 ° C. Then, the substrate was cooled to room temperature, the P LD method on the ZnO E pin Takisharu films were deposited polycrystalline InGa0 3 (ZnO) 5 thin film having a thickness of 1 5 onm. The two-layer film thus produced was taken out into the air, and subjected to heat diffusion treatment at 1400 ° C. and 3 Omin in the air using an electric furnace, and then cooled to room temperature.
  • MI SFETT device A top gate type MI SFETT device was fabricated by one photolithography method. The source and drain electrodes and the gate insulating film of Au and an amorphous A1 2 0 3 were used, respectively. The channel length and channel width are 0.05 mra and 0.2 ⁇ , respectively. 3. Characteristics evaluation of MI SFET device
  • Figure 8 shows the current-voltage characteristics of the MISFET device measured at room temperature.
  • normally-off characteristics were obtained.
  • IDS 1. 6 X 10_ 6 A current flowed. This corresponds with successful induction caused a carrier in InGa0 3 (ZnO) 5 single crystal thin film of an insulator with gate bias.
  • a similar measurement was performed by irradiating the fabricated device with visible light, but no change was observed in the numerical values. No light-induced current was generated in visible light.
  • the natural superlattice homo-orifice gas single crystal thin film of the present invention can be used for optical devices (light emitting diodes and laser diodes) and electronic devices (monostable and bistable transition logic utilizing differential negative resistance by resonance tunnel effect).
  • optical devices light emitting diodes and laser diodes
  • electronic devices monostable and bistable transition logic utilizing differential negative resistance by resonance tunnel effect.
  • element devices high electron mobility transistors: HEMTs, field-effect transistors: FETs), X-ray optical devices (soft X-ray reflection mirrors), etc.

Description

明 細 書 自然超格子ホモ口ガス単結晶薄膜、 その製造方法、 該単結晶薄膜を用いたデバイ ス 技術分野
本発明は、 自然超格子構造を有する ZnO複合酸化物ェピタキシャル単結晶薄膜、 その製造方法およぴ該単結晶薄膜を用いた光デバイス、 電子デバイス、 X線光学 デバイスに関する。 背景技術
異なる物質の極薄結晶層を規則的に何層か重ね合わせた構造を総称して 『超格 子』 と呼ぶ。 超格子には、 結晶構造自体の周期性による 「自然超格子」 と組成の 異なる極薄膜を人工的に交互に積層する 「人工超格子」 がある。 結晶周期ないし 各薄膜層の厚さが、 ナノメーター程度の場合、 各結晶周期層ないし各薄膜層の化 学組成や層の厚さの組み合わせによって、 単一の物質あるいは各層を均一に混ぜ 合わせた混晶の性質とは異なる、 固有な特性が得られる。 その多くは、 量子サイ ズ効果に起因している。
自然超格子としては、 ホモ口ガス結晶相など長周期を有する結晶がある。 一方、 人工超格子に関しては、 1 9 6 9年、 江崎玲於奈博士が、 1次元の周期的な構造 変化を有する人工単結晶 「半導体超格子」 の概念を提案した。 すなわち、 数ナノ メーターの膜厚を有する、 バンドギャップの小さな薄膜層 （井戸層） とバンギヤ ップの大きな薄膜層 （障壁層） を交互に積層した半導体超格子構造を用いて、 負 性抵抗素子が実現できる事を提案した。
超格子構造で量子効果が生じるためには、 それぞれの薄膜の厚さは電子のドプ ロイ波よりも薄いおよそ 5 nm以下である必要がある。 薄膜が厚い場合には、 各々 の半導体の性質がほぼそのまま維持され、 膜の界面は、 単なる境界条件として作 用するに過ぎない。 膜厚が電子のドブロイ波より薄くなると、 電子が波として振 舞うため、 新しい性質が出現する。 そうした効果は一般に量子サイズ効果と呼ば れている。
超格子構造では、 井戸層に存在する電子は、 障壁層がつくる井戸型ポテンシャ ルを感じている。 こうした状態は、 量子井戸と呼ばれ、 ここでは、 電子が波の性 質を持っため、 電子は離散的なエネルギーしか持つことができない。 こうした離 散的量子エネルギー準位と同じエネルギーを持つた電子は障壁を通り抜け、 量子 井戸内に侵入することができる。 これを共鳴トンネル効果と呼ぶ。
半導体結晶に特有の電子 ·光学的性質は、 原子が格子上に規則的に配列され、 電子に対する周期的ポテンシャルが形成されている事に基づいている。 超格子で は、 この結晶周期ポテンシャルに加えて、 超格子に基づく長周期のポテンシャル が生じる。 2つのポテンシャルが相乗した環境を電子が運動するために、 超格子 には、 結晶と違った新しい性質が付与されるとも考えられる。
以上のような機構を通じ、 超格子構造では、 電子の移動速度が大きくなる、 共 鳴トンネル効果により トンネル電流が流れやすくなる、 電子と正孔の結合による 発光効率が高くなるなどの特徴が生じる。 こうした性質を利用して、 化合物半導 体材料を用いた超格子構造は、 高電子移動度トランジスター （HEMT) 、 通信用お よび光デスク用半導体レーザー材料として、 既に実用化している。 また、 共鳴ト ンネル効果によって微分負性抵抗をもつ特異な電流一電圧特性が得られることが 知られている。 この微分負性抵抗を利用したデバイスの代表例が単安定一双安定 転移論理素子 （MOnostable- Bistable transition Logic Element, MOBILE) であ る。
また、 電界効果型トランジスタ（FET) は、 半導体メモリ集積回路の単位電子素 子、 高周波信号増幅素子、 液晶駆動用素子等として用いられており、 現在、 最も 多く実用化されている電子デバイスである。 H E M Tも超格子構造を電子移動層 として用いた F E Tである。 F E T全般でみると、 材料としては、 シリコン半導 体化合物が最も広く使われている。 高速動作が必要な高周波増幅素子、 集積回路 用素子等には、 シリコン単結晶が用いられている。 しカゝし、 シリコンでは適切な 超格子構造が開発されていないので、 量子効果を利用した H EM Tのような超高 速動作素子、 超高周波増幅素子を作製することができない。 一方、 低速動作で充 分な液晶駆動用には、 大面積化の要求から、 アモルファスシリコンが使われてい る。
人工超格子構造は、 薄膜成長技術を駆使して異なる 2種類以上の半導体をェピ タキシャル成長させることにより作成される。 ェピタキシャル成長とは、 単結晶 基板上に、 薄膜単結晶を育成したとき、 両者の結晶方位が一致することを言う。 ェピタキシャル成長した場合、 急峻で、 欠陥密度の小さな薄膜界面を得る事がで きる。
ェピタキシャル成長技術として代表的な薄膜成長技術には、 スパッタリング法、 分子線エピタキシー (MBE) 法、 化学気相蒸着法などがある。 非熱平衡蒸発を用い るスパッタリング法は、 現在最も広く普及し、 工業的にも活用されている手法で ある。 製膜法としてのスパッタリング法はいわゆるスパッタ現象を利用した方法 である。
スパッタ現象は、 1 8 5 2年に W. Groveが ¾見した。 スパッタ現象とは、 ター ゲット表面に入射する高運動エネルギー粒子 （イオンまたはターゲット表面近傍 で電子により中性化された原子） が弾性衝突によりターゲット構成原子にその運 動量を与え、 反跳原子は近傍の原子と次々と衝突を繰り返し、 結果として、 ター ゲット表面原子が放出されることを指す。 スパッタリング法による製膜法は、 放 出されたターゲット構成原子を基板上に堆積させ薄膜化するものである。 スパッ タリング法は、 成膜速度が速いので、 一般的には、 人工超格子の作成には適して いない。 MB E法（分子線エピタキシー法、 molecular beam epitaxy)は、 1 9 6 8年当時、 米国ベル研究所にいた J". R. Arthurにより命名された技術であり、 主に G a A S等の化合物半導体を対象に開発された薄膜結晶成長法である。 MB E法は、 真空蒸着法の改良 ·発展形とみなすことが出来る。 これは、 超高真空中 で、 成長させようとする結晶の原材料の中性分子（または原子）の流れ、 すなわち、 分子線 (原子線）の強度を精度よく制御し、 これを精度よく加熱した基板上に入射 させることによりェピタキシャル結晶成長を行わせる方法である。
MB E法で取り扱うことのできる材料の種類は、 化合物半導体、 S iなどの元 素半導体、 さらには、 各種の金属、 酸化物超伝導体と多岐に亘る。 通常の真空蒸 着法との違いは、 成長室内の真空度が 1 0— 7〜1 0— 8 Pa以下であり、 結晶の表面 が原子スケールで常に清浄に保たれた状態で成長が行われ、 分子線（ビーム）の強 度が精度よく制御されていることである。 MB E法は、 研究開発用に広く使われ ている他、 H E MTなどの実用素子の作成に使われている。
化学気相蒸着法 (CVD法） は、 塩化物あるいは有機金属化合物を原料として、 基 板上で原料ガスを化学反応させ、 所定の組成を有する薄膜を基板上 fc育成する方 法であり、 量産性に優れているため、 半導体レーザー超格子構造の作成など実用 材料の作成に使われている。
本発明者らは、 先に、 パルスレーザー薄膜堆積法を用い、 室温での成膜により、 アモルファス状態で、 n—型電気伝導を示す、 ZnOを主たる構成成分として含有す る InGa03 (ZnO) m (mは自然数） 等のホモ口ガス化合物透明薄膜を育成した （特許 文献 1 , 非特許文献 1 ) 。
(非特許文献 1 )
細野 他 Philosophical Magazine B. 81. 501-515 (2001)
(特許文献 1 )
特開 2000- 44236号公報 発明の開示
上述のように、 通信用および光デスク用半導体レーザー、 H E M Tなど高速電 子デバイスには、 化合物半導体超格子構造が用いられて、 半導体レーザーの低し きい値化、 発振波長の短波長化、 H E MTの高速化が実現している。 また、 GaN/ InGaN/GaNの超格子や ZnMgO/ZnO/ZnMgO超格子が提案され、 短波長半導体レーザー として一部実用化に至っている。
超格子構造における 1つ 1つの層の厚さは 1〜1 0 0原子層と極めて薄い。 し たがって、 1つの層の厚さが局部的に 1原子層オーダーの凹凸があると、 その影 響は極めて大きくなる。 こうした超格子の製造は原子層オーダーでの成長制御が 必要不可欠であり、 MB E法、 C V D法など、 高度な成膜技術が必要である。 上 述のように人工的に超格子を作るのではなく、 自然界に存在する超格子を積極的 に利用すれば、 比較的、 容易に、 層厚が精密に制御された超格子構造を作成する 事ができ、 成膜プロセスを簡素化できると期待される。
また、 自然超格子構造では、 二次元超格子構造 （量子井戸構造） に加えて、 一 次元超格子構造 （量子ワイヤー構造） を形成できる可能性があり、 さらに、 酸化 物などに化学組成を広げる事ができると期待される。
1 9 6 7年、 Kasperは、 ZnO— I 03系化合物の高温相を X R Dにより調査し、 0 ウルッ鉱型類似の結晶構造を有する菱面体晶系または六方晶系の酸化物 In203 (Zn 0) !„(111= 2, 3，4，5及ぴ7)の存在を初めて報告した （H. Kasper, "Neuartige Phasen mit wurtzitahnlichen Strukturen im System ZnO - In2〇3 , Z. Anorg. Allg. Chem. , 349, 113-23 (1967) . ) 。
近年、 君塚らの研究グループは、 R2O3- Fe203- M' 0系 （R :希土類元素， M，：二価 5 陽イオン元素） に出現する結晶相を詳細に調べ、 I Os- Fe203_Zn0系には InFe03 ( Zn0) m (m :自然数）で表される一群のホモ口ガス相が存在することを明らかにし 7こ (M. Nakamura, N. Kimizuka, and T. Mohri, "The Phase Relations in the I 03 -Fe2Zn04-ZnO System at 1350。C" , J. Solid State Chem. , 86, 16-40 (1990) . ) 。 ホモ口ガス相 （Homologous Series :同族化物列相） とは、 例えば、 nを自然数 り として の組成式で表されるマグネリ相で、 こうした相では、 nが連続的に 変化する一群の化合物群がある。 M. Isobeらは、 LuFe03 (Zn0)mの単結晶構造解析 こ成功し 7こ (M. Isobe, N. Kimizuka, M. Nakamura, and T. Mohri, "Structures of LuFe03 (ZnO) m (m = l, 4， 5 and 6) " ' Acta Cryst. C50, 332-336 (1994) . ) 。
彼らは、 LuFe03 (ZnO) raの結晶構造は、 LuOl.5層とFeOl.5 (ZnO)„1層カSc軸方向に交互 に積層した自然超格子であり、 mが奇数の場合には菱面体晶系で、 偶数の場合に は六方晶系であると報告した。 すなわち、 mの値は、 FeOL ^ZnO;^の原子層の数 であり、 LuFe03 (ZnO) mの結晶構造は m原子層の Fe0i.5 (Zn0) mと、 一原子層の LuOi. s が交互に積層した超格子構造とみなすことができる。
取近の報告 (C. Li, Y. Bando, M. Nakamura, M. Onoda, and N. Kimizuka, "Modulated Structures of Homologous Compounds in MO3 (ZnO) m (M = In, Ga； m = integer) Described by Four-Dimensional Superspace Group" , J. Sol id State Chem. 139， 347 - 355 (1998) . )によると、 InGaOs (ZnO) mにおいて、 m > 7の場合には Ga原子が ZnO中で規則配列した構造になる。
この一群の化合物群は 1 9 5 0年代から紫外発光材料として知られる ZnOの自然 超格子であるとみなす事ができる。 特に、 m〉 7の場合には、 M'イオンは ZnO層 中に周期帯として存在しており、 ZnO層は一次元超格子構造 （量子ワイヤー構造） をなしているとみなす事ができる。
従来、 ホモ口ガス相 MZOs GnO 薄膜は、 スパッタリングや P L D法により、 高温に加熱した基板上に堆積させて製造されていた （H. Hiramatsu, W- S. Seo， and K. Koumoto, "Electrical and Optical Properties of Radio-Frequency-Sputter ed Thin Films of (ZnO) slnaOa" , Chem. Mater. 10, 3033-3039 (1998) . ) 。
しかし、 こうした薄膜成長法でホモ口ガス相 Μ¾ί203 (ZnO) mを成長させると、 蒸 気圧の高い ZnOの蒸発が顕著に起こり、 組成が制御できないことに加え、 均質な 超格子が形成できない。 配向膜の作製は可能であるが、 超格子構造が乱れてしま うため、 超格子構造から期待される量子サイズ効果は発現しないという問題があ つた D
また、 均質な超格子が形成できないことは、 ホモ口ガス相の化学組成が化学量 論比からずれることを意味する。 化学組成がずれることによりホモ口ガス相中に 酸素欠陥が生成し伝導キャリアを発生させてしまう。 一般に、 酸素欠陥に起因し て生成する伝導キャリアは、 その濃度制御が極めて困難である。 一般的に、 ノー マリオフ型の電界効果型トランジスタなどの電子デバィスを製造するためには、 その濃度を内因性レベル以下 （く 101 4 cm— 3 ) に低減する必要がある。
ホモ口ガス相 ¾¾^203 (ZnO) m薄膜および ZnO薄膜は、 可視光に対して透明である。 一方、 シリコンおよび GaAsなどの化合物半導体を用いた F E Tは、 多くの用途に 対して、 充分な性能を有しているものの、 これらの F E Tは、 材料の光学的特性 に基づいて、 可視光に対して不透明で、 透明回路を構成できない欠点がある。 さらに、 可視光照射により、 伝導キャリアを生じるために、 高光照射下ではト ランジスタ特性が劣化してしまう。 例えば、 該トランジスタを液晶ディスプレイ の液晶駆動用スイッチング素子として応用した場合、 該デバイスは、 可視光に対 して不透明なため、 ディスプレイ画素の開口比が小さくなる。 また、 バックライ ト照射により光誘起電流が発生し、 スイッチング特性が劣化してしまう。 こうし た劣化を防ぐため、 バックライト光をカツトするための遮光膜を設ける必要があ る。
シリコンおよび化合物半導体電界効果型トランジスタのこうした問題点は、 シ リコンおよび化合物半導体に替わって、 エネルギーバンド幅の大きなホモ口ガス 相 MWO^ZnO ないし ZnO材料を用いることにより、 原理的に、 解決することがで きる。 実際に、 透明酸化物半導体である ZnOを用いて、 透明電界効果型
タを作製する試みがなされている （例えば、 七種ら、 応用物理学会 2000年春季学 術講演会予稿集， 2000.3， 29p-YL-16) 。 しかし、 ZnOは、 電気伝導度を小さくす ることが難しく、 ノーマリ一オフの電界効果型トランジスタを構成できない等の 欠点がある。
本発明では、 こうした問題を解決するために、 基体材料となる ZnO単結晶あるレ、 は ZnOのェピタキシャル薄膜に Luや Gaなどの元素を拡散させてホモ口ガス l^I^Ch (ZnO)m薄膜相を作製し、 更に、 該薄膜相から単結晶膜を育成することを特徴とす る。 すなわち、 本発明は、 ZnOェピタキシャル薄膜上にェピタキシャル成長した
Figure imgf000011_0001
(ただし、 M1は、 &3,?6，3(；, 1 ，¥1)， ^1"，110及ひ のぅち少なく とも 1種類、 M2は、 Mn，Fe,Ga，In,Alのぅち少なくとも l種類とし、 mは、 1を含 む 1以上の自然数） で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子 ホモ口ガス単結晶薄膜である。
また、 本発明は、 上記の ZnOェピタキシャル薄膜が消失し、 該 ZnOェピタキシャ ル薄膜を成長させた単結晶基板上に直接ェピタキシャル成長した状態の式 Μ 03 (ZnO)m (ただし、 M1は、 Ga，Fe, Sc， In,Lu, Yb， Tm，Er,Ho及び Yのうち少なくとも 1 種類、 M2は、 Mn,Fe,Ga, In, A1のうち少なくとも 1種類とし、 mは、 1を含む 1 以上の自然数） で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモ 口ガス単結晶薄膜である。
また、 本発明は、 ZnO単結晶上にェピタキシャル成長した式 MVOs (ZnO) m (ただ し、 M1は、
Figure imgf000011_0002
30,1 ，¥1)， ，51"，}10及ひ のぅち少なくとも1種類、 M2は、 ¾^ 6 &,1 八1のぅち少なくとも 1種類とし、 mは、 1を含む 1以上の自然数） で表される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモ口ガス単結晶薄 膜である。
また、 本発明は、 mの値の膜厚方向でのばらつきが、 m ± l以内である事を特 徴とする上記のホモ口ガス単結晶薄膜である。
また、 本発明は、 mの値が、 膜厚方向に連続的に変化する事を特徴とする上記 のホモ口ガス単結晶薄膜である。
また、 本発明は、 原子レベルの表面平坦性を有し、 該平坦面領域が、 0 . 5 m X 0 . 5 m以上であることを特徴とする上記のホモ口ガス単結晶薄膜である。 さらに、 本発明は、 ZnO単結晶または ZnOェピタキシャル薄膜上にェピタキシャ ル成長した式 tfl^O^ZnO) :! (ただし、 M1は、 Ga, Fe, Sc, In, Lu， Yb， Tm， Er， Ho及び Y のうち少なくとも 1種類、 M2は、 Mn，Fe, Ga， Ιη, ΑΙのうち少なくとも 1種類とし、 ηは、 1を含む 1以上の自然数） で表される複合酸化物薄膜を堆積し、 得られた 積層膜を加熱拡散処理することを特徴とする上記のホモ口ガス単結晶薄膜の製造 方法である。
また、 本発明は、 加熱拡散処理中に ZnOの蒸発を抑制するため、 高融点化合物を 該積層膜に被せながら加熱拡散処理を行うことを特徴とする上記のホモ口ガス単 結晶薄膜の製造方法である。
また、 本発明は、 加熱拡散処理中に ZnOの蒸発を抑制するため、 ZnO蒸気中で加 熱拡散処理を行うことを特徴とする上記のホモ口ガス単結晶薄膜の製造方法であ る。
また、 本発明は、 上記の ZnO複合酸化物単結晶薄膜を用いた光デバイス、 X線光 学デバイス、 または電子デバイスである。 また、 本発明は、 式¾11¾1203 (2。0) 111が10¾103 (200) 111 (¾1=10，？6 3,又は 1, 111= 1以上 5 0未満の整数）で表される上記のホモ口ガス単結晶薄膜を活性層として用いるこ とを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタである。
また、 本発明は、 ホモ口ガス単結晶薄膜が耐熱性、 透明酸化物単結晶基板上に 形成されていることを特徴とする上記の透明薄膜電界効果型トランジスタである。 本発明のホモ口ガス相 Μ¾203 (ZnO) m単結晶薄膜は、 ZnO単結晶または ZnOェピタ キシャル薄膜上に形成される力、 ZnOェピタキシャル薄膜全体に Luや Gaなどの元素 が拡散したときは、 結果として ZnOのェピタキシャル薄膜は消失し、 ZnO単結晶膜 をェピタキシャル成長させた γ S Z、 A1203等の単結晶基板が残り、 その上にホ モロガス相 MWO^ZnO 薄膜が直接ェピタキシャル成長した状態になる。
こうして作製したホモ口ガス相 ¾^203 (ZnO) m単結晶薄膜は、 均一な層厚、 すな わち、 πιの値が均一、 ないし、 連続的に層厚が変化する、 すなわち、 mの値が連 続的に変化する超格子を有している。 Luや Gaなどの元素を含む薄膜の膜厚と拡散 させる温度および時間を変化させる事で、 mの値、 すなわち、 自然超格子の厚み を制御することが出来る。 LuGa03 (ZnO; の場合は、 m値が 7を含む 7以上の自然 数となるとウルッ鉱型 ZnOの周期ナノワイヤーあるいは量子ドット構造となる。 こうした構造を利用して、 人工超格子構造と同じように、 紫外発光デバイス、 量 子電子デバィスを作製できる。
得られたホモ口ガス相単結晶薄膜の表面は、 多段テラス状のモルフォルジーを 有している。 その段差は、 超格子の一層厚に対応している。 また、 テラスの表面 は、 一原子レベルの平坦性、 いわゆる原子平坦面を有している。 ホモ口ガス化合 物では層厚が厚いので、 テラスの幅を、 基板結晶のテラス幅より大きくする事が でき、 0 . 5ミクロンメートルより長くする事ができる。 mの値が大きいホモ口 ガス化合物薄膜では、 原子平坦面の面積を更に大きくする事ができる。 大面積の 原子平坦面は、 例えば、 トンネル電子顕微鏡ないし光近接場顕微鏡で、 D N Aな どのバイオ化合物を観測する際の試料台として使用することができる。 特に、 ホ モロガス化合物は、 電気抵抗が小さいので、 この目的に適している。
また、 本発明の電界効果型トランジスタは、 可視光に対して透明で、 透明電子 回路を構成する素子として用いることができる、 ZnOを主たる構成成分として含 有するホモ口ガス化合物の単結晶膜を活性層として用いるものであり、 従来のシ リコンを用いた電界効果型トランジスタに代わる下記の 1〜 3のような特徴を有 する新たな優れた電界効果型トランジスタを提供できる。
1. 反応性固相ェピタキシャル法により製造したホモ口ガス化合物単結晶 InMOs (ZnO) m (M=In，Fe，Ga，又は Al, m= 1以上 5 0未満の整数）薄膜は、 InO 1 . 5層が原 子レベルで平坦な薄膜表面を形成することから、 グートと活性層の界面に欠陥が 介在しにくく、 ゲートリーク電流の少ない薄膜電界効果型トランジスタを作製で きる。 InM03 (ZnO) mの mの値は 1以上 5 0未満の整数が好ましい。 原理的には、 m の値は、 無限大まで可能であるが、 実用上、 mの値が大きくなりすぎると、 膜内 での: mのばらつきが大きくなることと、 酸素欠陥が生じやすくなり、 その結果、 膜の電気伝導度が大きくなり、 ノーマリオフ型の F E Tが作り難くなる。
2 . ZnOを主たる構成成分として含有するホモ口ガス化合物 InM03 (ZnO) ra (M=In， Fe, Ga,又は Al， m= 1以上 5 0未満の整数） のバンドギヤップエネルギーは、 3. 3eV より大きので、 波長が 4 0 O rnn以上の可視光に対して透明である。 したがって、 ホモ口ガス化合物単結晶 InM03 (Zn0) m (M=In， Fe, Ga，又は Al, m= 1以上 5 0未満の 整数)薄膜を活性層として用いることにより、 可視光透過率が高く、 可視光による 光誘起電流の発生がない、 薄膜電界効果型トランジスタを作製できる。
3. さらに、 反応性固相ェピタキシャル法により製造したホモ口ガス化合物 In M03(ZnO)„1(M=In,Fe，Ga，又はAl，m= 1以上 50未満の整数）単結晶薄膜は化学量論 組成からのずれが極めて小さく、 室温付近では良質な絶縁体であることから、 ホ モロガス化合物単結晶 InM03(ZnO)m (M=In, Fe， Ga，又は Al, m= 1以上 50未満の整 数）薄膜を活性層として用いることにより、 ノーマリーオフ作動で、 スィッチン グ特性の良い透明薄膜電界効果型トランジスタを作製できる。 ， 図面の簡単な説明
第 1図は、 実施例 1で製造したホモ口ガス単結晶薄膜の結晶性を Out- of- plane XRDパターンで示すグラフである。 第 2図は、 実施例 1で製造したホモ口ガス 単結晶薄膜の図面代用 A FM写真である。 第 3図は、 実施例 1で製造したホモ口 ガス単結晶薄膜の 10Kおよび 300Kにおける光吸収スぺク トルを示すグラフ である。 第 4図は、 実施例 1で製造したホモ口ガス単結晶薄膜の 10Kおよび 3 00 Kのフォトルミネッセンススペク トルを示すグラフである。 第 5図は、 本発 明の一実施形態の MI S FET素子の構造を示す模式図である。 第 6図は、 実施 例 3で作製した単結晶 InGa03(ZnO)5薄膜の XRD測定の結果を示すグラフである。 第 7図は、 実施例 3で作製した単結晶 InGaOs (ZnO) 5薄膜の表面構造示す図面代用 AFM観察写真である。 第 8図は、 実施例 3で作製した MI S FET素子の室温 下で測定した電流一電圧特性を示すグラフである。 発明を実施するための最良の形態
原子平坦面を持つ Y S Z、 A1203等の単結晶基板上に、 M B E法、 パルスレー ザ一蒸着法 （PLD法） などにより、 原子平坦面を有する ZnO単結晶薄膜をェピタキ シャル成長させる。 ZnO単結晶を用いる場合には該操作は必要ではな 、。
次に、 該 ZnO薄膜または ZnO単結晶上に、 Ι^Ι^Ο^ΖηΟ^と記述される薄膜を、 Μ
B E法、 パルスレーザー蒸着法 （PLD法） などにより成長させる。
ここで、 nは、 1を含む 1以上の自然数で、 M1は、 Ga、 Fe、 Sc、 In、 Lu、 Yb、
Tra、 Er、 Ho及び Yのうち少なくとも 1種類、 M2は、 Mn、 Fe、 Ga、 In、 Alのうち少 なくとも 1種類である。 Fe、 Ga、 Inは、 それぞれ、 M1及び M2両方ともに置換す ることができ、 それぞれ、 ホモ口ガス相 Fe203 (ZnO) n、 Ga203 (ZnO) nN Ιη203 (ΖηΟ) ηと なる。 得られた薄膜は、 単結晶膜である必要はなく、 多結晶膜でも、 ァモルファ ス膜でも良い。
最後に、 8 0 0 °C以上 1 6 0 0 °C以下の温度で、 加熱拡散処理を行なう。 加熱 雰囲気は、 該薄膜中から酸素が離脱するのを防ぐ必要があるので、 非還元性雰囲 気、 好ましくは大気雰囲気とする。 適切な温度は 8 0 0 °C以上、 1 6 0 0 °C以下、 より好ましくは 1 2 0 0 °C以上、 1 5 0 0 °C以下である。 8 0 0 °C未満では拡散 が遅く、 均一な HW^C^ZnO^が得られない。 また、 1 6 0 0 °Cを超えると ZnO成分 の蒸発が抑えられなくなり、 均一組成の M^PO^ZnO) ^が得られない。
ZnO成分は、 蒸気圧が高いので、 大気中で加熱拡散処理をすると、 処理中に該薄 膜から、 ZnO成分が蒸発し、 加熱拡散処理後の薄膜成分が大幅に変化してしまい、 良質な結晶膜が得られない事がある。 ZnO成分の蒸発を防ぐためには、 大気に ZnO 蒸気を加えると良い。 具体的には、 加熱拡散処理を行なう容器中に、 容器体積の 5 %程度の ZnO蒸気を発生させる量の ZnO化合物を加えておく。 該 ZnO化合物は、 粉 末あるいは焼結体である事が好ましい。 高温での加熱拡散処理中に、 ZnO粉末から ZnO蒸気が発生し、 容器中の ZnO蒸気圧が高まり、 該薄膜からの ZnO成分の蒸発を抑 制する事ができる。
また、 ZnO成分の蒸発を防ぐために、 高融点化合物、 例えば、 Y S Zや A1203の 薄膜を蒸着し、 該薄膜全体をカバーし、 大気中で加熱拡散処理をしても良い。 該 薄膜の上下表面積が、 断面表面積より大きい場合には、 上下表面を、 高融点化合 物薄板で被っても良い。 より好ましくは、 該薄膜を高融点化合物で被い、 ZnO蒸気 を含む大気中で加熱拡散処理をすればよい。 高融点化合物で該薄膜の表面を被う 事により、 ZnO蒸気圧発生のための ZnO粉末と、 該薄膜が直接接触する事を防ぐ事 もできる。
ここで、 mは nと異なる 1を含む 1以上の自然数で、 ZnO膜厚と MWC^ZnO 膜 厚の比により、 表 1に示すように一義的に定まる。
(表 1 )
Figure imgf000018_0001
拡散により組成が均一になった後に、 結晶化が起これば、 膜厚方向に、 mがー 定な WM ^ZnO^単結晶薄膜を得る事ができる。 拡散後の組成が、 mで指定され る化合物組成より、 ZnO成分が少ない時は、 得られた単結晶薄膜は、 mと m— 1の 混ざった超格子構造となる。 また、 拡散後の組成が、 mで指定される化合物組成 より、 ZnO成分が多い時は、 mと m+ 1の混ざった超格子構造となる。
一方、 拡散が完全でなく、 ZnO膜から、 M^C ZnC n膜表面に向かって、 Znィォ ンに濃度勾配がある状態から、 結晶化が生じた場合は、 膜厚方向に、 mの値が変 化する、 すなわち、 超格子層厚が空間的に連続的に変化する 「チヤ ブト超格子 構造」 が得られる。 チヤ一ブト超格子構造は、 幅広い波長を回折するブラック回 折格子デバイスとして用いる事ができる。
得られた単結晶薄膜は、 M20L5 · ZnO層を tfOu層で挟んだ自然超格子構造とみな す事ができるので、 M20i.5 · ZnO層に存在する電子に、 量子サイズ効果が生じる。 このため、 得られた単結晶薄膜は、 人工超格子構造と同様に、 発光ダイオード、 半導体レーザーなど光デバイス用材料、 MOB I LE、 HEMT、 FETなどの 電子デバイス材料として使用する事ができる。 また、 得られた M O^ZnO)^での
Μ20ι.5 · ZnO層の厚さは、 0. 5nm以上であれば 0. 27 nm毎に制御できるので、
X線を反射するミラー材料として使用する事ができる。
以下に本発明の電界効果型トランジスタについて詳細に説明する。
. ZnOを主たる構成成分として含有するホモ口ガス化合物単結晶薄膜の基板には、 耐熱性があり、 透明な酸化物単結晶基板、 例えば、 YSZ (イットリア安定化ジ ルコユア） 、 サファイア、 MgO、 ZnO等を用いる。 中でも、 ZnOを含むホモ口ガス 化合物と格子定数が近く、 該化合物と 1400°C以下の温度では、 化学反応しな い YS Zが、 最も好ましい。 これらの基板の表面平均二乗粗さ Rmsは、 1. Onm 以下のものを用いることが好ましい。 Rmsは原子間力顕微鏡で、 例えば、 1 /zm角 を走査することによって算出できる。
YSZ等の酸化物単結晶基板を、 大気中もしくは真空中で 1000°C以上に加 熱することによって超平坦化した表面が得られる。 超平坦化した酸化物単結晶基 板の表面には結晶構造を反映した構造が現れる。 すなわち、 数 l O Onm程度の幅 を持つテラスとサブ nm程度の高さを持つステップからなる構造で、 一般に原子状 に平坦化された構造と呼ばれる。 テラス部分は平面上に配列した原子からなり、 若干存在する欠陥の存在を無視 すれば、 完全に平坦ィヒされた表面である。 ステップの存在により、 基板全体で完 全平坦化された表面とはならない。 この構造を平均二乗粗さ測定方法による粗さ Rmsで表現すれば、 Rmsは 1 . O nm以下のものである。 Rmsは、 例えば、 原子間力 顕微鏡で、 例えば、 1 μ ηι角の範囲を走査することによって算出した値である。 得られた原子平坦面を持つ耐熱性透明酸化物基板上に、 Μ Β Ε法、 パルスレー ザ一蒸着法 （PLD法） 等により、 原子平坦面を有する ZnO単結晶薄膜をェピタキシ ャル成長させる。 次に、 該 ZnO薄膜上に、 InM03 (Zn0) m (M=In, Fe，Ga, Al, m= l以上 5 0未満の整数）と記述されるホモ口ガス化合物薄膜を、 ターゲットとして、 該酸 化物の多結晶焼結体を使用して、 M B E法、 パルスレーザー蒸着法 （PLD法） 等に より成長させる。
得られた薄膜は、 単結晶膜である必要はなく、 多結晶膜でも、 アモルファス膜 でも良い。 最後に、 薄膜全体をカバーできるように高融点化合物， 例えば Y S Z や A1203を被せ、 1 3 0 0 °C以上の高温で、 ZnO蒸気を含む大気圧中で加熱拡散処 理を行なう。 高融点化合物を被せる理由は， 後述の ZnO蒸気と該薄膜表面との接触 を避けるためである。
ZnOは蒸気圧が高いので、 大気中に ZnO蒸気を加えないと、 加熱拡散処理中に、 膜から ZnOが蒸発し、 加熱拡散処理後の膜組成が大幅に変化してしまい、 良質な 結晶膜が得られない。 そのため， 容器体積に対し 5容積％以上の ZnOを反応容器 に充填しておく。 充填する該 ZnOは粉末あるいは焼結体であることが好ましい。 高温での加熱拡散処理により ZnO粉末から ZnOが蒸発し、 反応容器内部の ZnO蒸気 圧を高め， 薄膜中の ZnOの蒸発を抑制することができる。 InMOs (ZnO) m (M=In， Fe, Ga,又は Al， m= 1以上 50未満の整数）と ZnO膜が相互に拡 散 '反応し、 温度を適切に設定すれば、 均一組成 InM03(ZnO)m' (M=In，Fe，Ga，又は Al，m， = 1以上 50未満の整数）となる。 m，は、 InM03(ZnO)m (M=In, Fe， Ga,又は Al，m=l以上 50未満の整数）と ZnO膜厚比から決まるが、 ZnO膜厚が 5 nra未満で、 InMO^ZnO^il l^Fe, Ga，又は Al，m=l以上 50未満の整数）膜厚が 1 0 Onraを越 える場合には、 m = m 'である。
適切な温度は 800 °C以上、 1600 °C以下、 より好ましくは 1200 °C以上、 1 500°C以下である。 800°C未満では拡散が遅く， 均一組成の InM03(Zn0)m (¾1= ^6，63,又は 1，111=1以上50未満の整数）が得られない。 また、 1600°C を越えると ZnOの蒸発が抑えられなくなり均一組成の
Figure imgf000021_0001
又 は Al,m=l以上 50未満の整数）が得られない。
得られた単結晶薄膜は、 M03 (ZnO) を InC .5層で挟んだ自然超格子構造とみな すことができるので、 M03(ZnO)m層と Ιηθυ層との界面に存在する電子に、 量子効 果が生じる。 このため、 得られた単結晶薄膜は、 人工超格子構造と同様に、 高周 波電子デバイス材料として使用することができる。
また、 反応 1"生固相ェピタキシャル成長法で得られた ZnOを含むホモ口ガス単結晶 膜は、 化学量論組成に近く、 室温では、 108Ω · cm以上の高い絶縁性を示し、 ノ 一マリ一オフ電界効果型トランジスタに適している。
得られた ZnOを主たる構成成分として含有するホモ口ガス単結晶薄膜を活性層と した、 トップゲート型 MI S電界効果型トランジスタを作製することができる。 第 5図に示すように、 まず、 基板 1上にェピタキシャル成長した ZnOを主たる構成 成分として含有するホモ口ガス単結晶薄膜 2上にグート絶縁膜 3及ぴゲート電極 4用の金属膜を形成する。 ゲート絶縁膜 3には、 A1203が最も適している。 ゲー ト電極 4用金属膜は、 Au、 Ag、 Al、 又は Cu等を用いることができる。 光リゾダラ フィ一法及びドライエッチング、 又はリフトオフ法により、 ゲート電極 4を作製 し、 最後に、 ソース電極 5及びドレイン電極 6を作成する。 本発明の電界効果型 トランジスタの形状は、 トップゲート型 MIS電界効果型トランジスタ （MIS-FET) に限られるものではなく、 J一 FET等も含まれる。
(実施例）
以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明する。
実施例 1
1. ZnO薄膜の作製
YS Z (111)単結晶基板 （10mnOX0.5mrat) 上に、 基板温度 8 00 °Cで ZnO薄膜 を成長させた。 P LD法により、 酸素圧力 3 X 1 0— 3Paに設定した真空チャンバ 一中で、 ZnO焼結体ターゲットに K r F (248nm)エキシマレーザーを照射して ZnOを 蒸発させ、 800°Cに加熱した YS Z (111)単結晶基板上に堆積速度 2ntn/minの条 件で 1時間薄膜成長を行った。 X線反射率測定から求めた ZnO薄膜の厚みは 1 20 nraであった。 作製した ZnO薄膜の結晶性を HRXRDにより評価したところ、 Y S Z (111)基板上に ZnOは（0001)配向しており、 そのチルト角は 0. 02〜0. 1度 であった。 In- plane測定によりェピタキシャル成長であることを確認した。 ェピ タキシャル関係は Ζη0(11- 20) II YSZ(1_10)であった。
2. LuGa03(ZnO)9/ZnO積層薄膜の作製
作製した Y S Z (111)上の ZnO薄膜を基板として、 基板温度 600°Cで LuGa03( Zn0)9を成長させた。 P LD法により、 酸素圧力 3 X 1 0— 3Paに設定した真空チヤ ンバ一中で、 LuGa03(Zn0)9焼結体ターゲットに K r F (248nm)エキシマレーザー を照射して LuGa03(ZnO)9を蒸発させ、 6 0 0 °Cに加熱した Y S Z (111)単結晶基 板上に堆積速度 2nm/minの条件で 3 0分薄膜成長を行った。 X線反射率測定から LuGa03(ZnO)9薄膜の膜厚は 60 nmであることが分かった。 作製した LuGaOs (Zn0)9 薄膜はナノサイズの微結晶から成っており、 X R D測定では結晶性を評価するこ とができなかった。
3. LuGa03 (ZnO) π単結晶薄膜の作製
上記 2で作製した LuGa03 (ZnO) 9/ZnO/YSZ積層薄膜上に、 Y S Z単結晶 （lOmmX lOmmXO.5mmt) を積層薄膜全体をカバーできるように被せた。 さらに、 蒸気圧の 高い ZnOの蒸発を抑制するため、 カバーした YS Z基板上に ZnO粉末 （平均粒径 1 m) 約 2 gをコーティングした。 これをアルミナ製るつぼ (SSA-S) に入れて、 ふた をして、 大気中、 1 4 50°Cで 3 0分間加熱拡散処理を施した。 加熱拡散処理終 了後は室温まで炉内で冷却した。
4. LuGaOs (ZnO) π単結晶薄膜の結晶性
作製した単結晶薄膜の結晶性は高分解能 X線回折 (HRXRD， Rigaku製 ATX_G， CuKa 1) を用いて調べた。 第 1図に、 Out- of- plane XRDパターンを示す。 LuGa03( Ζη0)πの（0001)面の強い回折ピークが YS Z (111)ピークとともに観測された。 LuGa03(ZnO)
Figure imgf000023_0001
Z (111)上に強く配向していることを示し、 口ッキン グカーブ測定から LuGaO3(Zn0)i7(0001)面のチルト角は 0. 1度であった。 In- pla ne測定から作製した LuGa03 (ZnO) π薄膜はェピタキシャル成長していることが明ら かになつた。 ェピタキシャル関係は次の通りである。
LuGaOs (ZnO) π (0001) // YSZ (111) LuGaOs (ZnO) n (11-20) 〃 YSZ (1-10)
5. 自然超格子の評価
作製した LuGa03 (ZnO) 17単結晶薄膜の X R D測定から Lu( .5層一 Lu0i.5層間距離は
5 nmであることが分かった。 AFM観察を行ったところ（第 2図）、 原子レベルの 表面平坦性を有する平坦なテラスと約 5 nmのステップからなる構造が明瞭に観察 できた。 原子レベルで平坦なテラスの平坦面領域の面積は 1 mX 1 ra以上であ つた。 作製した LuGa03(ZnO)n薄膜が単結晶であることの証拠の一つである。
6. LuGaOs (ZnO) π単結晶薄膜の光吸収及ぴ発光特性
作製した LuGaO^ZnO 7単結晶薄膜をクライオスタツト （ダイキン製， 4.2K) に 取り付けて、 系内を真空排気した後、 温度を 10Kまで冷却した。 第 3図に、 1 0Kおよび 300Kにおける光吸収スぺクトルを示す。 比較として、 ZnOェピタキ シャル薄膜の吸収スぺク トルも示した。
Nd:YAGの 3倍波 （波長 355nm) を薄膜に照射することで励起を行った。 ルミネッ センスはレンズで集光してバンドルファィバーに導き、 分光して電荷結合デバィ ス （CCD)を用いて検出した。 第 4図に、 10 Kおよび 300 Kのフォ トルミネッ センススぺク トルを示す。 ZnOと類似したスぺク トルが見られる。
実施例 2
実施例 1記載の手法で作製した ZnOェピタキシャル薄膜上に M 2として Inを選 択して、 In203薄膜を成長させた。 PLD法により、 酸素圧力 3 X 10—3Paに設定 した真空チャンバ一中で、 Im03焼結体ターゲットに K r F (248nm)エキシマレー ザ一を照射して LuGa03(Zn0)9を蒸発させ、 600°Cに加熱した Ύ S Z (111)単結晶 基板上に堆積速度 2nm/minの条件で 30分薄膜成長を行った。 ZnO薄膜上に I Os はへテロェピタキシャル成長しており、 ェピタキシャル関係は次の通りであった。 ln203 (111) II ZnO (0001) II YSZ (111)
ln203 (110) II ZnO (11 - 20) II YSZ (1-10)
作製した二層膜を実施例 1記載の手法により、 1 3 00° (、 2 Omins 大気中で 加熱拡散処理した。 作製した薄膜の HRXRD測定を行ったところ、 In203 (ZnO)4、 I mOs (ZnO) 5、 及び I n203 (ZnO) 6の混合したェピタキシャル薄膜となっていた。
比較例 1
LuGa03(ZnO)5をターゲット材料として用い、 基板温度 RTで、 YS Z (111)単結 晶基板上に薄膜を成長させた。 X線反射率測定から求めた薄膜の厚みは 20 Onm であった。 XRD測定から、 作製した薄膜はアモルファスであることが分かった。 蛍光 X線分析による組成分析を行ったところ、 Lu/Ga原子比は 1であったが、 Zn/L u比は 3であり、 ターゲット組成に比べて ZnOが減少した。
こうして作製したアモルファス薄膜を実施例 1記載のァエール （1450°C， 30min， 大気中） を行い結晶化させた。 HRXRD測定を行ったところ、 LuGa03(ZnO)3が 生成していることが分かった。 強い LuGa03(Zn0)3(0001)回折ピークが Y S Z ( 111)回折ピークとともに観測された。 LuGaO3(ZnO)3(0001)〃YS Z (111)が配向 した。 ロッキングカーブ測定から求めた薄膜のチルト角は約 1度であった。 なお、 In - plane測定を行ったところ、 面内の配向は観測されなかった。 したがって、 作 製した薄膜は c軸配向 LuGa03(ZnO)3膜であり、 単結晶ではない。
比較例 2
LuGa03(ZnO)9をターゲット材料として用い、 基板温度 5 00〜 900 °Cで、 P LD法により YS Z (111)単結晶基板上に薄膜を成長させた。 X線反射率測定から 求めた薄膜の厚みは基板温度の上昇に伴って減少した。 蛍光 X線分析による組成分 析を行ったところ、 Lu/Ga原子比はいずれの成長温度においても 1であったが、 Zn/Lu比は基板温度の上昇に伴レ、減少する傾向を示した。
これらのデータから、 基板温度の上昇に伴い、 蒸気圧の高い ZnOの蒸発が起こつ たと結論できる。 作製した薄膜の XRD測定を行ったところ、 ホモ口ガス相の回 折ピークは全く観測されなかった。 また、 基板温度 600°C以上で成長させた薄 膜の回折ピークから、 高温では ZnGa204が生成してしまうことが明らかとなった。 実施例 3
1. 単結晶 InGa03(ZnO)5薄膜の作製
YS Z (111)単結晶基板上に P LD法により厚み 2 nmの ZnO薄膜を基板温度 70 0°Cでェピタキシャル成長させた。 次に、 基板温度を室温まで冷却し、 該 ZnOェピ タキシャル薄膜上に P LD法により、 厚み 1 5 Onmの多結晶 InGa03(ZnO)5薄膜を 堆積させた。 こうして作製した二層膜を大気中に取り出し、 電気炉を用いて、 大 気中、 1400°C、 3 Omin加熱拡散処理した後、 室温まで冷却した。
XRD測定の結果、 第 6図に示すように、 加熱して得られた薄膜は単結晶 InGa 03 (ZnO) 5であり、 また、 第 7図に示すように、 A FM観察の結果、 薄膜表面は原 子レベルで平坦なテラスと、 高さ 2 nmのステップからなる原子レベルで平坦な面 であった。 単結晶 InGa03 (ZnO) 5薄膜の導電率を直流四端子法により測定しようと 試みたが、 膜の絶縁性が高いために測定できなかった。 作製した単結晶 InGa03( ZnO) 5薄膜は絶縁体であると言える。 室温で測定した光吸収スペク トルから InGa 03(ZnO)5のバンドギャップは約 3. 3eVと見積もられた。
2. MI S FET素子の作製 フォトリソグラフィ一法により、 トップゲート型 MI SFETT素子を作製した。 ソースと ドレイン電極及びゲート絶縁膜には Au及びアモルファス A1203をそれぞ れ用いた。 チャネル長及びチャネル幅はそれぞれ 0. 05mra及び 0. 2瞧である。 3. MI S F E T素子の特性評価
第 8図に、 室温下で測定した MI SFET素子の電流一電圧特性を示す。 ゲー ト電圧 VG=0V時には IDS=10"8A (VDS=2.0 V)であり、 いわゆるノーマリー O F F 特性が得られた。 また、
Figure imgf000027_0001
IDS=1. 6 X 10_6Aの電流が流れた。 これはゲートバイアスにより絶縁体の InGa03(ZnO)5単結晶薄膜内にキヤリアを誘 起できたことに対応する。 作製した素子に可視光を照射して同様の測定を行なつ たが、 数値の変化は認められなかった。 可視光での光誘起電流の発生は認められ なかった。 産業上の利用可能性
以上のように、 本発明の自然超格子ホモ口ガス単結晶薄膜は、 光デバイス （発 光ダイオード， レーザーダイオード） 、 電子デバイス （共鳴トンネル効果による 微分負性抵抗を利用した単安定一双安定転移論理素子デバイス， 高電子移動度ト ランジスタ ： HEMT, 電界効果型トランジスタ ： FET) 、 X線光学デバイス （軟 X線 反射ミラー） などに用いられる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . ZnOェピタキシャル薄膜上にェピタキシャル成長した式 tf!MFO^ZnOlU (ただし、 M1は、 03 6，3 1，1^, ¥13， 1~, }10及び¥のぅち少なくとも1種類、 M2は、 Mn, Fe，Ga, Ιη, ΑΙのうち少なくとも 1種類とし、 mは、 1を含む 1以上の自然数） で表 される複合酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモ口ガス単結晶薄膜。
2 . 請求の範囲第 1項記載の ZnOェピタキシャル薄膜は単結晶基板上に成長させた ものであり、 該 ZnOェピキシャル薄膜が消失し、 該単結晶基板上に直接ェピタキシ ャル成長した状態の式 M^O^ZnO!U (ただし、 Miは、 Ga, Fe, Sc, In, Lu, Yb, Tm, Er, Ho及ひ Ύのうち少なく とも 1種類、 M2は、 Mn， Fe, Ga, In, Alのうち少なくとも 1種 類とし、 mは、 1を含む 1以上の自然数） で表される複合酸化物からなることを 特徴とする自然超格子ホモ口ガス単結晶薄膜。
3 . ZnO単結晶上にェピタキシャル成長した式 M Os (ZnO) m (ただし、 M1は、 Ga， Fe, Sc, In, Lu, Yb, Tm, Er, Ho及び Yのうち少なくとも 1種類、 M2は、 Mn, Fe, Ga, In, Al のうち少なくとも 1種類とし、 mは、 1を含む 1以上の自然数） で表される複合 酸化物からなることを特徴とする自然超格子ホモ口ガス単結晶薄膜。
4 . mの値の膜厚方向でのばらつきが、 m ± 1以内であることを特徴とする請求 の範囲第 1項ないし請求の範固第 3項のいずれかに記載のホモ口ガス単結晶薄膜。
5 . mの値が、 膜厚方向に連続的に変化することを特徴とする請求の範囲第 1項 ないし第 4項のいずれかに記載のホモ口ガス単結晶薄膜。
6 . 原子レベルの表面平坦性を有し、 該平坦面領域が、 0 . 5 // m X 0 . 5 μ ιη 以上であることを特徴とする請求の範囲第 1項ないし第 5項のいずれかに記載の ホモ口ガス単結晶薄膜。
7 . ZnO単結晶または ZnOェピタキシャル薄膜上にェピタキシャル成長した式 M¾2 03 (ZnO) n (ただし、 M1は、 Ga, Fe, Sc, In, Lu， Yb, Tm， Er， Ho及ひ のうち少なくとも 1 種類、 M2は、 Mn，Fe, Ga, Ιη, ΑΙのうち少なくとも 1種類とし、 ηは、 1を含む 1 以上の自然数） で表される複合酸化物薄膜を堆積し、 得られた積層膜を加熱拡散 処理することを特徴とする請求の範囲第 1項ないし第 3項のいずれかに記載のホ モ口ガス単結晶薄膜の製造方法。
8 . 加熱拡散処理中に ZnOの蒸発を抑制するため、 高融点化合物を該積層膜に被せ ながら加熱拡散処理を行うことを特徴とする請求の範囲第 7項記載のホモ口ガス 単結晶薄膜の製造方法。
9 . 加熱拡散処理中に ZnOの蒸発を抑制するため、 ZnO蒸気中で加熱拡散処理を行 うことを特徴とする請求の範囲第 7項または第 8項記載のホモ口ガス単結晶薄膜 の製造方法。
1 0 . 請求の範囲第 1項ないし第 6項のいずれかに記載のホモ口ガス単結晶薄膜 を用いた光デバイス、 X線光学デバイス、 または電子デバイス。
1 1 . 式 !^Os (ZnO) mが InMOs (ZnO) m(M=In， Fe, Ga,又は Al， m= 1以上 5 0未満の整 数）で表される請求の範囲第 1項ないし第 6項のいずれかに記載のホモ口ガス単結 晶薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタ。
1 2 . ホモ口ガス単結晶薄膜が耐熱性、 透明酸化物単結晶基板上に形成されてい ることを特徴とする請求の範囲第 1 1項記載の透明薄膜電界効果型
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Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005093852A1 (en) * 2004-03-12 2005-10-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device having channel including zinc-indium oxide
WO2005093850A1 (en) * 2004-03-12 2005-10-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device having channel comprising multicomponent metal oxide
US7462862B2 (en) * 2004-03-12 2008-12-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor using an isovalent semiconductor oxide as the active channel layer
US7674650B2 (en) 2005-09-29 2010-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2010219538A (ja) 2004-03-12 2010-09-30 Japan Science & Technology Agency アモルファス酸化物薄膜
US7821613B2 (en) 2005-12-28 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8134156B2 (en) 2005-11-15 2012-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including zinc oxide containing semiconductor film
US8686426B2 (en) 2012-04-02 2014-04-01 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor having plural semiconductive oxides, thin film transistor array panel and display device including the same, and manufacturing method of thin film transistor
US8686972B2 (en) 2009-11-20 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US8730186B2 (en) 2009-05-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
US8743030B2 (en) 2005-09-16 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
US8743307B2 (en) 2011-11-04 2014-06-03 Samsung Display Co, Ltd. Display device
US8797142B2 (en) 2009-04-06 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device, IC card and communication system
US8854191B2 (en) 2006-03-10 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the same
JP2014209666A (ja) * 2005-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8912027B2 (en) 2012-07-24 2014-12-16 Samsung Display Co., Ltd Display device and method of manufacturing the same
US8957415B2 (en) 2012-05-21 2015-02-17 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor and thin film transistor array panel including the same
US8981443B2 (en) 2005-06-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
US9105468B2 (en) 2013-09-06 2015-08-11 Sandisk 3D Llc Vertical bit line wide band gap TFT decoder
US9129997B2 (en) 2010-12-28 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9190523B2 (en) 2011-09-22 2015-11-17 Samsung Display Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor including the same, and thin film transistor array panel including the same
US9240420B2 (en) 2013-09-06 2016-01-19 Sandisk Technologies Inc. 3D non-volatile storage with wide band gap transistor decoder
US9299474B2 (en) 2010-07-30 2016-03-29 Samsung Display Co., Ltd. Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, sputtering target, and thin-film transistor
US9318053B2 (en) 2005-07-04 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9553201B2 (en) 2012-04-02 2017-01-24 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor
US9911858B2 (en) 2010-12-28 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US11705523B2 (en) 2005-10-20 2023-07-18 Canon Kabushiki Kaisha Field-effect transistor including transparent oxide and light-shielding member, and display utilizing the transistor

Families Citing this family (1872)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7189992B2 (en) * 2002-05-21 2007-03-13 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures having a transparent channel
US7339187B2 (en) * 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
KR100753328B1 (ko) * 2003-03-04 2007-08-29 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟트, 광 정보기록 매체용 박막 및 그 제조방법
KR20060084428A (ko) * 2003-07-15 2006-07-24 카나가와 아카데미 오브 사이언스 앤드 테크놀로지 질화물 반도체소자 및 그 제작방법
JP2005083862A (ja) * 2003-09-08 2005-03-31 Canon Inc 光学薄膜およびこれを用いたミラー
JPWO2005114256A1 (ja) * 2004-05-24 2008-03-27 株式会社福田結晶技術研究所 超高速シンチレータとしてのＺｎＯ単結晶およびその製造方法
US7187059B2 (en) * 2004-06-24 2007-03-06 International Business Machines Corporation Compressive SiGe <110> growth and structure of MOSFET devices
US7265003B2 (en) 2004-10-22 2007-09-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a transistor having a dual layer dielectric
US7601984B2 (en) 2004-11-10 2009-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor with amorphous oxide active layer containing microcrystals and gate electrode opposed to active layer through gate insulator
EP1815530B1 (en) * 2004-11-10 2021-02-17 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7453065B2 (en) * 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
CN101057333B (zh) * 2004-11-10 2011-11-16 佳能株式会社 发光器件
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI412138B (zh) * 2005-01-28 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) * 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7928938B2 (en) * 2005-04-19 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus
US7710739B2 (en) 2005-04-28 2010-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US8059109B2 (en) * 2005-05-20 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
US8847861B2 (en) * 2005-05-20 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device, method for driving the same, and electronic device
US8629819B2 (en) 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI424408B (zh) * 2005-08-12 2014-01-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，和安裝有該半導體裝置的顯示裝置和電子裝置
CN100428429C (zh) * 2005-08-22 2008-10-22 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用电化学沉积制备锰掺杂的氧化锌纳米柱的方法
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
EP1938458B1 (en) * 2005-09-21 2015-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Cyclic redundancy check circuit and devices having the cyclic redundancy check circuit
EP1935027B1 (en) 2005-10-14 2017-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2007058248A1 (ja) * 2005-11-18 2007-05-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
JP5395994B2 (ja) * 2005-11-18 2014-01-22 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
TWI570691B (zh) 2006-04-05 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，顯示裝置，和電子裝置
EP2924498A1 (en) 2006-04-06 2015-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance
KR100785038B1 (ko) * 2006-04-17 2007-12-12 삼성전자주식회사 비정질 ＺｎＯ계 ＴＦＴ
US7692223B2 (en) * 2006-04-28 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI478134B (zh) * 2006-05-31 2015-03-21 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置、顯示裝置的驅動方法、以及電子設備
US7443202B2 (en) * 2006-06-02 2008-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic apparatus having the same
JP5028033B2 (ja) * 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
US8013331B2 (en) * 2006-06-19 2011-09-06 Panasonic Corporation Thin film transistor, method of manufacturing the same, and electronic device using the same
JP5328083B2 (ja) * 2006-08-01 2013-10-30 キヤノン株式会社 酸化物のエッチング方法
JP4999400B2 (ja) * 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
US7651896B2 (en) * 2006-08-30 2010-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
EP1895545B1 (en) 2006-08-31 2014-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5164357B2 (ja) * 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
KR100829570B1 (ko) * 2006-10-20 2008-05-14 삼성전자주식회사 크로스 포인트 메모리용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
US7646015B2 (en) * 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
US8275080B2 (en) * 2006-11-17 2012-09-25 Comtech Mobile Datacom Corporation Self-supporting simplex packets
US8030664B2 (en) 2006-12-15 2011-10-04 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting device
KR101509663B1 (ko) 2007-02-16 2015-04-06 삼성전자주식회사 산화물 반도체층 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자제조방법
JP4727684B2 (ja) * 2007-03-27 2011-07-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP5320746B2 (ja) * 2007-03-28 2013-10-23 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタ
KR20080088284A (ko) * 2007-03-29 2008-10-02 삼성전자주식회사 플래시 메모리 소자
JP5466940B2 (ja) * 2007-04-05 2014-04-09 出光興産株式会社 電界効果型トランジスタ及び電界効果型トランジスタの製造方法
KR101334181B1 (ko) * 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
JP5408842B2 (ja) * 2007-04-27 2014-02-05 キヤノン株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5542297B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP5542296B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP4989309B2 (ja) 2007-05-18 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2008156312A2 (en) * 2007-06-19 2008-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
US7935964B2 (en) * 2007-06-19 2011-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
US8354674B2 (en) * 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
WO2009052462A1 (en) * 2007-10-18 2009-04-23 U.S.A As Representated By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Epitaxial growth of cubic crystalline semiconductor alloys on basal plane of trigonal or hexagonal crystal
KR100946701B1 (ko) * 2007-12-10 2010-03-12 한국전자통신연구원 나노 결정 복합 산화물 박막, 이를 구비한 환경 가스 센서및 환경 가스 센서의 제조방법
TWI467761B (zh) * 2008-01-17 2015-01-01 Idemitsu Kosan Co Field effect transistor, semiconductor device and manufacturing method thereof
NO332409B1 (no) * 2008-01-24 2012-09-17 Well Technology As Anordning og fremgangsmate for a isolere en seksjon av et bronnhull
WO2009113475A1 (ja) * 2008-03-13 2009-09-17 株式会社村田製作所 ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層型セラミック電子部品
US8247315B2 (en) * 2008-03-17 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP4555358B2 (ja) * 2008-03-24 2010-09-29 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
KR101496148B1 (ko) * 2008-05-15 2015-02-27 삼성전자주식회사 반도체소자 및 그 제조방법
US9041202B2 (en) 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR101468591B1 (ko) * 2008-05-29 2014-12-04 삼성전자주식회사 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
US9045823B2 (en) * 2008-06-10 2015-06-02 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sintered oxide compact target for sputtering and process for producing the same
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
KR102549916B1 (ko) 2008-07-10 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
JP5358324B2 (ja) 2008-07-10 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電子ペーパー
TWI770659B (zh) * 2008-07-31 2022-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP2010056541A (ja) * 2008-07-31 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP5616038B2 (ja) 2008-07-31 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI622175B (zh) * 2008-07-31 2018-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI500159B (zh) * 2008-07-31 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
FR2934716B1 (fr) * 2008-07-31 2010-09-10 Commissariat Energie Atomique Diode electroluminescente en materiau semiconducteur et son procede de fabrication
TWI508282B (zh) 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP5480554B2 (ja) 2008-08-08 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5525778B2 (ja) * 2008-08-08 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5608347B2 (ja) 2008-08-08 2014-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
TWI642113B (zh) 2008-08-08 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5644071B2 (ja) * 2008-08-20 2014-12-24 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
US9082857B2 (en) * 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI569454B (zh) 2008-09-01 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
WO2010029885A1 (en) * 2008-09-12 2010-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101772377B1 (ko) 2008-09-12 2017-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101812935B1 (ko) 2008-09-12 2018-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 디스플레이 장치
KR101783193B1 (ko) 2008-09-12 2017-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102150275B1 (ko) 2008-09-19 2020-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR101762112B1 (ko) 2008-09-19 2017-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정표시장치
KR101760341B1 (ko) * 2008-09-19 2017-07-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
KR102094683B1 (ko) 2008-09-19 2020-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
KR101273913B1 (ko) 2008-09-19 2013-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101611643B1 (ko) * 2008-10-01 2016-04-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN103928476A (zh) 2008-10-03 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
KR101652693B1 (ko) 2008-10-03 2016-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP2172804B1 (en) * 2008-10-03 2016-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device
KR101579050B1 (ko) 2008-10-03 2015-12-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
KR20110069831A (ko) * 2008-10-03 2011-06-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 변조회로 및 그것을 갖는 반도체장치
CN101719493B (zh) 2008-10-08 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP5484853B2 (ja) 2008-10-10 2014-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2010044478A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device
JP5361651B2 (ja) 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN102197490B (zh) 2008-10-24 2013-11-06 株式会社半导体能源研究所 半导体器件和用于制造该半导体器件的方法
KR101667909B1 (ko) 2008-10-24 2016-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
WO2010047288A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5442234B2 (ja) 2008-10-24 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8106400B2 (en) 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5616012B2 (ja) * 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101603303B1 (ko) 2008-10-31 2016-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법
KR101631454B1 (ko) * 2008-10-31 2016-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리회로
TWI567829B (zh) 2008-10-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101634411B1 (ko) * 2008-10-31 2016-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 표시 장치 및 전자 장치
TW202025500A (zh) 2008-11-07 2020-07-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
CN101740631B (zh) * 2008-11-07 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及该半导体装置的制造方法
EP2184783B1 (en) 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI467663B (zh) 2008-11-07 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和該半導體裝置的製造方法
KR101659703B1 (ko) 2008-11-07 2016-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI535037B (zh) 2008-11-07 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
KR101432764B1 (ko) * 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
TWI656645B (zh) 2008-11-13 2019-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010153802A (ja) * 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
KR101785887B1 (ko) 2008-11-21 2017-10-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
TWI508304B (zh) 2008-11-28 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
TWI585955B (zh) * 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置
TWI616707B (zh) * 2008-11-28 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
WO2010064590A1 (en) * 2008-12-01 2010-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI613489B (zh) * 2008-12-03 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP5491833B2 (ja) 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5615540B2 (ja) * 2008-12-19 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101751661B1 (ko) 2008-12-19 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터의 제작 방법
EP2202802B1 (en) 2008-12-24 2012-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US8383470B2 (en) * 2008-12-25 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR101719350B1 (ko) * 2008-12-25 2017-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8114720B2 (en) * 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5590877B2 (ja) * 2008-12-26 2014-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI654689B (zh) * 2008-12-26 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI628649B (zh) 2009-01-16 2018-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及其電子裝置
KR101648927B1 (ko) * 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8492756B2 (en) 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8436350B2 (en) * 2009-01-30 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters
US8367486B2 (en) * 2009-02-05 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the transistor
US8174021B2 (en) 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US8749930B2 (en) * 2009-02-09 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device
US8278657B2 (en) 2009-02-13 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8247812B2 (en) * 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
CN101840936B (zh) * 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
WO2010092810A1 (ja) * 2009-02-13 2010-08-19 株式会社アルバック トランジスタの製造方法、トランジスタ及びスパッタリングターゲット
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8841661B2 (en) * 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20100224878A1 (en) 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8461582B2 (en) * 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5504008B2 (ja) * 2009-03-06 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102068632B1 (ko) * 2009-03-12 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
TWI556323B (zh) * 2009-03-13 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
US8450144B2 (en) * 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101681884B1 (ko) 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
TWI529942B (zh) 2009-03-27 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101752640B1 (ko) 2009-03-27 2017-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
TWI485851B (zh) * 2009-03-30 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI489628B (zh) 2009-04-02 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US8338226B2 (en) * 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8441047B2 (en) * 2009-04-10 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI476917B (zh) 2009-04-16 2015-03-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
CN102422426B (zh) * 2009-05-01 2016-06-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
JP5751762B2 (ja) 2009-05-21 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5564331B2 (ja) * 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2256814B1 (en) 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2256795B1 (en) 2009-05-29 2014-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for oxide semiconductor device
US9024311B2 (en) 2009-06-24 2015-05-05 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor, method for manufacturing same, active matrix substrate, display panel and display device
WO2011001715A1 (ja) 2009-06-29 2011-01-06 シャープ株式会社 酸化物半導体、薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法、並びに、表示装置
KR101810699B1 (ko) 2009-06-30 2018-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
KR20200031709A (ko) 2009-06-30 2020-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
KR101291395B1 (ko) 2009-06-30 2013-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
KR102435377B1 (ko) 2009-06-30 2022-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US20110000175A1 (en) * 2009-07-01 2011-01-06 Husqvarna Consumer Outdoor Products N.A. Inc. Variable speed controller
KR101476817B1 (ko) 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
KR102503687B1 (ko) * 2009-07-03 2023-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP5663214B2 (ja) * 2009-07-03 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5640478B2 (ja) * 2009-07-09 2014-12-17 株式会社リコー 電界効果型トランジスタの製造方法及び電界効果型トランジスタ
KR101643835B1 (ko) 2009-07-10 2016-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101460868B1 (ko) 2009-07-10 2014-11-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2452362B1 (en) * 2009-07-10 2017-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011007677A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011007682A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
WO2011007675A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011010541A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010545A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102473733B (zh) 2009-07-18 2015-09-30 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及制造半导体装置的方法
WO2011010543A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2011010542A1 (en) * 2009-07-23 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101785992B1 (ko) 2009-07-24 2017-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102473734B (zh) * 2009-07-31 2015-08-12 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR101799252B1 (ko) 2009-07-31 2017-11-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011013523A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011013502A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102097932B1 (ko) 2009-07-31 2020-04-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
TWI634642B (zh) 2009-08-07 2018-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI596741B (zh) * 2009-08-07 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
EP2284891B1 (en) 2009-08-07 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5642447B2 (ja) * 2009-08-07 2014-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI528527B (zh) * 2009-08-07 2016-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
TWI650848B (zh) 2009-08-07 2019-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP5663231B2 (ja) * 2009-08-07 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8115883B2 (en) 2009-08-27 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
WO2011027649A1 (en) 2009-09-02 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device
WO2011027656A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
KR102389975B1 (ko) 2009-09-04 2022-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
CN104681447A (zh) 2009-09-04 2015-06-03 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
JP5700626B2 (ja) * 2009-09-04 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
KR101269812B1 (ko) 2009-09-04 2013-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 패널, 표시 모듈, 전자 기기 및 표시 장치
KR101746198B1 (ko) 2009-09-04 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
WO2011027664A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011027702A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR101709749B1 (ko) 2009-09-16 2017-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
WO2011034012A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
US9715845B2 (en) 2009-09-16 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
KR101700470B1 (ko) * 2009-09-16 2017-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기
KR102236140B1 (ko) 2009-09-16 2021-04-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR101470811B1 (ko) 2009-09-16 2014-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101519893B1 (ko) * 2009-09-16 2015-05-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
CN105609566B (zh) * 2009-09-16 2018-10-26 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
TWI512997B (zh) 2009-09-24 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法
EP2481089A4 (en) 2009-09-24 2015-09-23 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
KR101809759B1 (ko) 2009-09-24 2018-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR20180094132A (ko) 2009-09-24 2018-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 상기 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 상기 표시 장치를 포함하는 전자 기기
KR102180761B1 (ko) 2009-09-24 2020-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
KR101740943B1 (ko) 2009-09-24 2017-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011037213A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011037008A1 (en) * 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
KR101707260B1 (ko) 2009-09-24 2017-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011040349A1 (en) * 2009-09-30 2011-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Redox capacitor and manufacturing method thereof
KR101767035B1 (ko) 2009-10-01 2017-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011043182A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device
KR20120084751A (ko) * 2009-10-05 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
SG178056A1 (en) * 2009-10-08 2012-03-29 Semiconductor Energy Lab Oxide semiconductor layer and semiconductor device
CN102648524B (zh) 2009-10-08 2015-09-23 株式会社半导体能源研究所 半导体器件、显示装置和电子电器
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011043164A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR101790704B1 (ko) 2009-10-09 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 시프트 레지스터 및 표시 장치
WO2011043217A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
WO2011043218A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
EP2486595B1 (en) 2009-10-09 2019-10-23 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
KR101843558B1 (ko) 2009-10-09 2018-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 시프트 레지스터, 표시 장치, 및 그 구동 방법
WO2011043162A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR101835748B1 (ko) 2009-10-09 2018-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기
WO2011043170A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011043206A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011046003A1 (en) * 2009-10-14 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011046010A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device
CN102576518A (zh) * 2009-10-16 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备以及具有其的电子装置
WO2011046015A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device
KR101772639B1 (ko) 2009-10-16 2017-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN110061144A (zh) 2009-10-16 2019-07-26 株式会社半导体能源研究所 逻辑电路和半导体器件
WO2011049230A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage regulator circuit
KR101789309B1 (ko) 2009-10-21 2017-10-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
WO2011048924A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device including display device
WO2011048923A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
CN102598280B (zh) * 2009-10-21 2016-05-18 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器件及包括该液晶显示器件的电子设备
KR20130130879A (ko) 2009-10-21 2013-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
CN104485336B (zh) 2009-10-21 2018-01-02 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101291488B1 (ko) * 2009-10-21 2013-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
MY164205A (en) * 2009-10-29 2017-11-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
SG10201503877UA (en) 2009-10-29 2015-06-29 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
EP2494601A4 (en) 2009-10-30 2016-09-07 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
KR101751712B1 (ko) 2009-10-30 2017-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전압 조정 회로
KR101712340B1 (ko) * 2009-10-30 2017-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기
WO2011052344A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic appliance including the same
KR20120091243A (ko) 2009-10-30 2012-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101740684B1 (ko) * 2009-10-30 2017-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 다이오드, 정류기 및 그것을 가지는 반도체 장치
SG188112A1 (en) 2009-10-30 2013-03-28 Semiconductor Energy Lab Logic circuit and semiconductor device
WO2011052382A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101796909B1 (ko) 2009-10-30 2017-12-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 비선형 소자, 표시 장치, 및 전자 기기
CN104282691B (zh) * 2009-10-30 2018-05-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011052411A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011052437A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
CN102668095B (zh) 2009-10-30 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 晶体管
KR101788521B1 (ko) 2009-10-30 2017-10-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN104681079B (zh) 2009-11-06 2018-02-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及用于驱动半导体装置的方法
KR101810254B1 (ko) * 2009-11-06 2017-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 동작 방법
KR101763126B1 (ko) 2009-11-06 2017-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
CN102598279B (zh) * 2009-11-06 2015-10-07 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101876470B1 (ko) 2009-11-06 2018-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011055769A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and semiconductor device, and deposition apparatus
KR101930230B1 (ko) 2009-11-06 2018-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
KR102174366B1 (ko) * 2009-11-06 2020-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
EP3051588A1 (en) 2009-11-06 2016-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011055638A1 (en) 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5539846B2 (ja) 2009-11-06 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 評価方法、半導体装置の作製方法
CN104600074A (zh) 2009-11-06 2015-05-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011055474A1 (ja) 2009-11-09 2011-05-12 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを備えた液晶表示パネル、並びにアクティブマトリクス基板の製造方法
KR102450568B1 (ko) * 2009-11-13 2022-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011058864A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device including nonvolatile memory element
KR101975741B1 (ko) * 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
WO2011058882A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor
WO2011058934A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101987790B1 (ko) * 2009-11-13 2019-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
CN102668097B (zh) * 2009-11-13 2015-08-12 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR20120106950A (ko) * 2009-11-13 2012-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제작 방법 및 트랜지스터
WO2011058913A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101721850B1 (ko) 2009-11-13 2017-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011062029A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
WO2011062043A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011062058A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5762723B2 (ja) 2009-11-20 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 変調回路及びそれを備えた半導体装置
KR101754704B1 (ko) 2009-11-20 2017-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 래치 회로와 논리 회로, 및 이를 사용한 반도체 장치
KR101708607B1 (ko) 2009-11-20 2017-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI507934B (zh) * 2009-11-20 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
WO2011062057A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101752212B1 (ko) * 2009-11-20 2017-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102026212B1 (ko) 2009-11-20 2019-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
WO2011062068A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101800854B1 (ko) * 2009-11-20 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
KR101662359B1 (ko) * 2009-11-24 2016-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 셀을 포함하는 반도체 장치
WO2011065209A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
CN103426935A (zh) 2009-11-27 2013-12-04 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和及其制造方法
WO2011065258A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120099450A (ko) * 2009-11-27 2012-09-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102089200B1 (ko) 2009-11-28 2020-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011065210A1 (en) 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
KR101824124B1 (ko) 2009-11-28 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101825345B1 (ko) 2009-11-28 2018-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 적층 산화물 재료, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
CN105739209B (zh) 2009-11-30 2022-05-27 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法
JP2011139052A (ja) * 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
WO2011068025A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc converter circuit and power supply circuit
CN104992962B (zh) * 2009-12-04 2018-12-25 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011068028A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
KR102010752B1 (ko) 2009-12-04 2019-08-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011068021A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5584103B2 (ja) 2009-12-04 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011068022A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101840623B1 (ko) * 2009-12-04 2018-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기
KR101396102B1 (ko) 2009-12-04 2014-05-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120103676A (ko) * 2009-12-04 2012-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011068032A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP2507823B1 (en) 2009-12-04 2018-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
KR101511076B1 (ko) 2009-12-08 2015-04-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011070900A1 (en) 2009-12-08 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101273831B1 (ko) 2009-12-09 2013-06-11 샤프 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20170061194A (ko) 2009-12-10 2017-06-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP5727204B2 (ja) 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN102656683B (zh) * 2009-12-11 2015-02-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20120102748A (ko) * 2009-12-11 2012-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
KR101720072B1 (ko) 2009-12-11 2017-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 래치 회로와 논리 회로, 및 이를 사용한 반도체 장치
WO2011070901A1 (en) * 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011074590A1 (en) 2009-12-17 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, measurement apparatus, and measurement method of relative permittivity
US9057758B2 (en) * 2009-12-18 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group
WO2011074394A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including optical sensor and driving method thereof
KR102067919B1 (ko) 2009-12-18 2020-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
KR101900662B1 (ko) * 2009-12-18 2018-11-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101913111B1 (ko) * 2009-12-18 2018-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102197397B1 (ko) 2009-12-18 2020-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR101729933B1 (ko) 2009-12-18 2017-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 래치 회로와 논리 회로, 및 이를 사용한 반도체 장치
WO2011074409A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011074506A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011074407A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20120115318A (ko) * 2009-12-23 2012-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011077916A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2011077926A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR101541474B1 (ko) 2009-12-25 2015-08-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
KR101434948B1 (ko) 2009-12-25 2014-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011077978A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR20170142998A (ko) 2009-12-25 2017-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
KR101866734B1 (ko) 2009-12-25 2018-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8441009B2 (en) * 2009-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101874779B1 (ko) 2009-12-25 2018-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 장치, 반도체 장치, 및 전자 장치
WO2011081041A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
CN104867984B (zh) 2009-12-28 2018-11-06 株式会社半导体能源研究所 制造半导体装置的方法
KR101842413B1 (ko) 2009-12-28 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN105702631B (zh) * 2009-12-28 2019-05-28 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
CN105047669B (zh) 2009-12-28 2018-08-14 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和半导体装置
CN102844806B (zh) 2009-12-28 2016-01-20 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及电子设备
WO2011086871A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102725841B (zh) * 2010-01-15 2016-10-05 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
WO2011086837A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
EP2524395A4 (en) 2010-01-15 2014-06-18 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT AND CONTROL METHOD THEREFOR
US8780629B2 (en) * 2010-01-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
CN102742003B (zh) 2010-01-15 2015-01-28 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
CN102714208B (zh) 2010-01-15 2015-05-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9984617B2 (en) * 2010-01-20 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including light emitting element
WO2011089843A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device
WO2011089832A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device and liquid crystal display device
WO2011089848A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
US8415731B2 (en) * 2010-01-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections
WO2011090087A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display method of display device
WO2011089842A1 (en) * 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
EP2526622B1 (en) 2010-01-20 2015-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device
CN102804603B (zh) 2010-01-20 2015-07-15 株式会社半导体能源研究所 信号处理电路及其驱动方法
KR102208565B1 (ko) 2010-01-20 2021-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011089849A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Portable electronic device
KR101844085B1 (ko) * 2010-01-22 2018-03-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011089852A1 (en) * 2010-01-22 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and driving method thereof
KR101829309B1 (ko) 2010-01-22 2018-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8879010B2 (en) 2010-01-24 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR102008754B1 (ko) 2010-01-24 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
CN106057162B (zh) 2010-01-24 2019-01-22 株式会社半导体能源研究所 显示装置
WO2011093151A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the same
KR101800850B1 (ko) * 2010-01-29 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
KR20120120330A (ko) 2010-01-29 2012-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9391209B2 (en) 2010-02-05 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8436403B2 (en) 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
WO2011096153A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20240016443A (ko) 2010-02-05 2024-02-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101862823B1 (ko) * 2010-02-05 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
KR102581069B1 (ko) 2010-02-05 2023-09-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101791713B1 (ko) 2010-02-05 2017-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치
WO2011096262A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101822962B1 (ko) 2010-02-05 2018-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN105590964B (zh) * 2010-02-05 2019-01-04 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011096264A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
WO2011099342A1 (en) 2010-02-10 2011-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
US8947337B2 (en) 2010-02-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN102763156B (zh) * 2010-02-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置和电子装置
KR102197415B1 (ko) * 2010-02-12 2020-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 구동 방법
KR101830196B1 (ko) 2010-02-12 2018-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR101811204B1 (ko) 2010-02-12 2017-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR101817054B1 (ko) * 2010-02-12 2018-01-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 포함한 표시 장치
KR101838130B1 (ko) 2010-02-12 2018-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작방법
KR101775180B1 (ko) 2010-02-12 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
US8617920B2 (en) * 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN105336744B (zh) 2010-02-12 2018-12-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其驱动方法
JP5776192B2 (ja) 2010-02-16 2015-09-09 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
KR20230145240A (ko) 2010-02-18 2023-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102015762B1 (ko) * 2010-02-19 2019-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치, 그 구동 방법, 및 반도체 장치 제작 방법
WO2011102190A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Demodulation circuit and rfid tag including the demodulation circuit
CN102754162B (zh) 2010-02-19 2015-12-09 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及半导体器件的驱动方法
KR20120121931A (ko) * 2010-02-19 2012-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011102205A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011102248A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP5740169B2 (ja) * 2010-02-19 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
CN105786268B (zh) * 2010-02-19 2019-03-12 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其驱动方法
CN102754163B (zh) * 2010-02-19 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101832119B1 (ko) 2010-02-19 2018-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101906151B1 (ko) 2010-02-19 2018-10-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 이를 이용한 표시 장치
KR102318235B1 (ko) 2010-02-23 2021-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN102770903B (zh) * 2010-02-26 2015-10-07 株式会社半导体能源研究所 显示装置及具备该显示装置的电子书阅读器
WO2011105184A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011105198A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9000438B2 (en) 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20130025871A (ko) * 2010-02-26 2013-03-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
WO2011105183A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus
WO2011105310A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011105200A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
KR102078253B1 (ko) 2010-02-26 2020-04-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
WO2011108345A1 (en) * 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
CN105245218B (zh) 2010-03-02 2019-01-22 株式会社半导体能源研究所 脉冲信号输出电路和移位寄存器
WO2011108367A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Boosting circuit and rfid tag including boosting circuit
KR101706292B1 (ko) 2010-03-02 2017-02-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
WO2011108475A1 (en) * 2010-03-04 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device
KR20130008037A (ko) * 2010-03-05 2013-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하는 방법
WO2011108374A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2011108346A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor film and manufacturing method of transistor
KR101867272B1 (ko) * 2010-03-05 2018-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그의 제작 방법
WO2011111490A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101874784B1 (ko) 2010-03-08 2018-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102192753B1 (ko) 2010-03-08 2020-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
TWI594173B (zh) * 2010-03-08 2017-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 電子裝置及電子系統
KR20190018049A (ko) * 2010-03-08 2019-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
WO2011111522A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011111504A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and electronic system
US8900362B2 (en) * 2010-03-12 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of gallium oxide single crystal
KR101840185B1 (ko) 2010-03-12 2018-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로를 구동하는 방법 및 표시 장치를 구동하는 방법
KR101773992B1 (ko) 2010-03-12 2017-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011111507A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN102782622B (zh) * 2010-03-12 2016-11-02 株式会社半导体能源研究所 显示装置的驱动方法
WO2011111508A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving input circuit and method for driving input-output device
WO2011114866A1 (en) 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
WO2011114868A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101891065B1 (ko) * 2010-03-19 2018-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법
KR101840797B1 (ko) * 2010-03-19 2018-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치
US20110227082A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102812547B (zh) 2010-03-19 2015-09-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011118351A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5731244B2 (ja) * 2010-03-26 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2011118741A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101862539B1 (ko) * 2010-03-26 2018-05-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN105304502B (zh) * 2010-03-26 2018-07-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
CN105789321B (zh) * 2010-03-26 2019-08-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
KR101814367B1 (ko) 2010-03-31 2018-01-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101761966B1 (ko) 2010-03-31 2017-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전력 공급 장치와 그 구동 방법
WO2011122299A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
CN102844873B (zh) 2010-03-31 2015-06-17 株式会社半导体能源研究所 半导体显示装置
WO2011122271A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field-sequential display device
US9190522B2 (en) 2010-04-02 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor
US9147768B2 (en) 2010-04-02 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film
CN105810752B (zh) 2010-04-02 2019-11-19 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8884282B2 (en) 2010-04-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9196739B2 (en) 2010-04-02 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film
KR102292523B1 (ko) 2010-04-02 2021-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102918650B (zh) 2010-04-07 2017-03-22 株式会社半导体能源研究所 晶体管
WO2011125432A1 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8207025B2 (en) 2010-04-09 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8653514B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101465192B1 (ko) 2010-04-09 2014-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011125456A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101321833B1 (ko) 2010-04-09 2013-10-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체 메모리 장치
WO2011125806A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
CN102834861B (zh) 2010-04-09 2016-02-10 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备和驱动该液晶显示设备的方法
JP5744366B2 (ja) 2010-04-12 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8854583B2 (en) 2010-04-12 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device
WO2011129456A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and method for manufacturing semiconductor device
KR20130061678A (ko) 2010-04-16 2013-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전원 회로
WO2011129233A1 (en) 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8552712B2 (en) 2010-04-16 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Current measurement method, inspection method of semiconductor device, semiconductor device, and test element group
US8692243B2 (en) 2010-04-20 2014-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011132555A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
KR101324760B1 (ko) 2010-04-23 2013-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
DE112011101395B4 (de) 2010-04-23 2014-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
WO2011132591A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9537043B2 (en) 2010-04-23 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
CN102870219B (zh) 2010-04-23 2016-04-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
KR20130055607A (ko) 2010-04-23 2013-05-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
CN105390402B (zh) 2010-04-23 2018-09-07 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
WO2011135999A1 (en) 2010-04-27 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9697788B2 (en) 2010-04-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8890555B2 (en) 2010-04-28 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring transistor
WO2011135987A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
WO2011136018A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
KR20190110632A (ko) 2010-04-28 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9478185B2 (en) 2010-05-12 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
US9064473B2 (en) 2010-05-12 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
JP5797449B2 (ja) 2010-05-13 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
TWI511236B (zh) 2010-05-14 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
WO2011142371A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101806271B1 (ko) 2010-05-14 2017-12-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP5923248B2 (ja) 2010-05-20 2016-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011145738A1 (en) 2010-05-20 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device
US8624239B2 (en) 2010-05-20 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9490368B2 (en) 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
WO2011145634A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145707A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
WO2011145632A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5766012B2 (ja) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8906756B2 (en) 2010-05-21 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011145633A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8629438B2 (en) 2010-05-21 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011145484A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145468A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
WO2011145467A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102893403B (zh) 2010-05-21 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011145706A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
JP5852793B2 (ja) 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
WO2011145537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5714973B2 (ja) 2010-05-21 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5749975B2 (ja) 2010-05-28 2015-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置、及び、タッチパネル
US9123820B2 (en) 2010-05-31 2015-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor including semiconductor oxide layer having reduced resistance regions
US8895375B2 (en) 2010-06-01 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing the same
WO2011151970A1 (ja) 2010-06-02 2011-12-08 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ、コンタクト構造、基板、表示装置及びこれらの製造方法
KR101894897B1 (ko) 2010-06-04 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011152254A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8779433B2 (en) 2010-06-04 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011152286A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011155295A1 (en) 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
WO2011155302A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8610180B2 (en) 2010-06-11 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor
KR102110724B1 (ko) 2010-06-11 2020-06-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP5823740B2 (ja) 2010-06-16 2015-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US9209314B2 (en) 2010-06-16 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
JP5797471B2 (ja) 2010-06-16 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
KR101862808B1 (ko) 2010-06-18 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011158704A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8637802B2 (en) 2010-06-18 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor
US8552425B2 (en) 2010-06-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011162147A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120000499A (ko) 2010-06-25 2012-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
US8912016B2 (en) 2010-06-25 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method and test method of semiconductor device
WO2011162104A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
WO2012002236A1 (en) 2010-06-29 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
WO2012002104A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101350751B1 (ko) 2010-07-01 2014-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
JP5771079B2 (ja) 2010-07-01 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US8441010B2 (en) 2010-07-01 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5792524B2 (ja) 2010-07-02 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8605059B2 (en) 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
CN107195686B (zh) 2010-07-02 2021-02-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR102233958B1 (ko) 2010-07-02 2021-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9336739B2 (en) 2010-07-02 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI541782B (zh) 2010-07-02 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
WO2012002197A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8785241B2 (en) 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012008304A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012008390A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101859361B1 (ko) 2010-07-16 2018-05-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8519387B2 (en) 2010-07-26 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing
KR20180088759A (ko) 2010-07-27 2018-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101853516B1 (ko) 2010-07-27 2018-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI565001B (zh) 2010-07-28 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012014786A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method thereof
US8537600B2 (en) 2010-08-04 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low off-state leakage current semiconductor memory device
KR101842181B1 (ko) 2010-08-04 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8928466B2 (en) 2010-08-04 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5739257B2 (ja) 2010-08-05 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8467231B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8803164B2 (en) 2010-08-06 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state image sensing device and semiconductor display device
JP5832181B2 (ja) 2010-08-06 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
TWI555128B (zh) 2010-08-06 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
US8467232B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI545587B (zh) 2010-08-06 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及驅動半導體裝置的方法
CN107947763B (zh) 2010-08-06 2021-12-28 株式会社半导体能源研究所 半导体集成电路
US8792284B2 (en) 2010-08-06 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
WO2012017844A1 (en) 2010-08-06 2012-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI524347B (zh) 2010-08-06 2016-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其驅動方法
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP5671418B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
TWI688047B (zh) 2010-08-06 2020-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9129703B2 (en) 2010-08-16 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory device
TWI587405B (zh) 2010-08-16 2017-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置之製造方法
US9343480B2 (en) 2010-08-16 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5848912B2 (ja) 2010-08-16 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
TWI508294B (zh) 2010-08-19 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8759820B2 (en) 2010-08-20 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8685787B2 (en) 2010-08-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8883555B2 (en) 2010-08-25 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target
US8508276B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including latch circuit
JP2013009285A (ja) 2010-08-26 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 信号処理回路及びその駆動方法
JP5727892B2 (ja) 2010-08-26 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9058047B2 (en) 2010-08-26 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8603841B2 (en) 2010-08-27 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device
JP5763474B2 (ja) 2010-08-27 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
JP5806043B2 (ja) 2010-08-27 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8450123B2 (en) 2010-08-27 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body
JP5864163B2 (ja) 2010-08-27 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の設計方法
DE112011102837B4 (de) 2010-08-27 2021-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Speichereinrichtung und Halbleitereinrichtung mit Doppelgate und Oxidhalbleiter
JP5674594B2 (ja) 2010-08-27 2015-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP5702689B2 (ja) 2010-08-31 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法、及び半導体装置
US8575610B2 (en) 2010-09-02 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8634228B2 (en) 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
WO2012029612A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
WO2012029637A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2012029674A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing semiconductor device
WO2012029596A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2012029638A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8487844B2 (en) 2010-09-08 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device including the same
JP2012256819A (ja) 2010-09-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8520426B2 (en) 2010-09-08 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
US9142568B2 (en) 2010-09-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting display device
US8766253B2 (en) 2010-09-10 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101824125B1 (ko) 2010-09-10 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8797487B2 (en) 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
KR20120026970A (ko) 2010-09-10 2012-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 발광 장치
US9496743B2 (en) 2010-09-13 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and wireless power feed system
US8664097B2 (en) 2010-09-13 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI543166B (zh) 2010-09-13 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101872926B1 (ko) 2010-09-13 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101932576B1 (ko) 2010-09-13 2018-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
US8871565B2 (en) 2010-09-13 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101952235B1 (ko) 2010-09-13 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8546161B2 (en) 2010-09-13 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device
US9546416B2 (en) 2010-09-13 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming crystalline oxide semiconductor film
JP2012256821A (ja) 2010-09-13 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
JP5827520B2 (ja) 2010-09-13 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
JP5815337B2 (ja) 2010-09-13 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US8592879B2 (en) 2010-09-13 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8835917B2 (en) 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
TWI670711B (zh) 2010-09-14 2019-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和半導體裝置
KR20130106398A (ko) 2010-09-15 2013-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 제작 방법
KR101426515B1 (ko) 2010-09-15 2014-08-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
US9230994B2 (en) 2010-09-15 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2012256012A (ja) 2010-09-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR101856722B1 (ko) 2010-09-22 2018-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터
US8767443B2 (en) 2010-09-22 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
US8792260B2 (en) 2010-09-27 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit and semiconductor device using the same
TWI574259B (zh) 2010-09-29 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置和其驅動方法
US9012948B2 (en) * 2010-10-04 2015-04-21 Epistar Corporation Light-emitting element having a plurality of contact parts
TWI620176B (zh) 2010-10-05 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置及其驅動方法
US9437743B2 (en) 2010-10-07 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8716646B2 (en) 2010-10-08 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for operating the same
KR101778224B1 (ko) * 2010-10-12 2017-09-15 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
US8679986B2 (en) 2010-10-14 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8546892B2 (en) 2010-10-20 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8803143B2 (en) 2010-10-20 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including buffer layers with high resistivity
TWI543158B (zh) 2010-10-25 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置及其驅動方法
WO2012057296A1 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device
KR101924231B1 (ko) 2010-10-29 2018-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
JP5771505B2 (ja) 2010-10-29 2015-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 受信回路
KR101924656B1 (ko) 2010-11-02 2018-12-03 우베 고산 가부시키가이샤 (아미드아미노알칸) 금속 화합물, 및 당해 금속 화합물을 사용한 금속 함유 박막의 제조 방법
US8916866B2 (en) 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9087744B2 (en) 2010-11-05 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving transistor
US8957468B2 (en) 2010-11-05 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Variable capacitor and liquid crystal display device
JP6010291B2 (ja) 2010-11-05 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の駆動方法
KR101952733B1 (ko) 2010-11-05 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102130257B1 (ko) 2010-11-05 2020-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI555205B (zh) 2010-11-05 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8902637B2 (en) 2010-11-08 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof
TWI654764B (zh) 2010-11-11 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5770068B2 (ja) 2010-11-12 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8580623B2 (en) * 2010-11-17 2013-11-12 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor substrate and display device including the same, and method for manufacturing thin film transistor substrate
US8854865B2 (en) 2010-11-24 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8936965B2 (en) 2010-11-26 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8823092B2 (en) 2010-11-30 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8629496B2 (en) 2010-11-30 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8816425B2 (en) 2010-11-30 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI525818B (zh) 2010-11-30 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
US9103724B2 (en) 2010-11-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device
US8809852B2 (en) 2010-11-30 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8461630B2 (en) 2010-12-01 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI590249B (zh) 2010-12-03 2017-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 積體電路，其驅動方法，及半導體裝置
KR102110496B1 (ko) 2010-12-03 2020-05-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
JP5908263B2 (ja) 2010-12-03 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃ−ｄｃコンバータ
US8957462B2 (en) 2010-12-09 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an N-type transistor with an N-type semiconductor containing nitrogen as a gate
TWI534905B (zh) 2010-12-10 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
JP2012256020A (ja) 2010-12-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
US8730416B2 (en) 2010-12-17 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2012142562A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
US9202822B2 (en) 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8894825B2 (en) 2010-12-17 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device
US9024317B2 (en) 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
WO2012090799A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9048142B2 (en) 2010-12-28 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012090973A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
JP5973165B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5852874B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5993141B2 (ja) 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US8941112B2 (en) 2010-12-28 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6030298B2 (ja) 2010-12-28 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 緩衝記憶装置及び信号処理回路
JP5864054B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI562142B (en) 2011-01-05 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Storage element, storage device, and signal processing circuit
TWI570809B (zh) 2011-01-12 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8912080B2 (en) 2011-01-12 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of the semiconductor device
US8921948B2 (en) 2011-01-12 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8536571B2 (en) 2011-01-12 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI535032B (zh) 2011-01-12 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8421071B2 (en) 2011-01-13 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US8575678B2 (en) 2011-01-13 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device with floating gate
TWI572009B (zh) 2011-01-14 2017-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶裝置
JP5859839B2 (ja) 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
KR102026718B1 (ko) 2011-01-14 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법
US8916867B2 (en) 2011-01-20 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor element and semiconductor device
TWI564890B (zh) 2011-01-26 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
TWI539597B (zh) 2011-01-26 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5798933B2 (ja) 2011-01-26 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
WO2012102182A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN103348464B (zh) 2011-01-26 2016-01-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
TWI602303B (zh) 2011-01-26 2017-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI570920B (zh) 2011-01-26 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI525619B (zh) 2011-01-27 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路
KR20190007525A (ko) 2011-01-27 2019-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101984218B1 (ko) 2011-01-28 2019-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치
WO2012102281A1 (en) 2011-01-28 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9494829B2 (en) 2011-01-28 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same
US8634230B2 (en) 2011-01-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
TWI520273B (zh) 2011-02-02 2016-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US8513773B2 (en) 2011-02-02 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor
US8780614B2 (en) 2011-02-02 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9799773B2 (en) 2011-02-02 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
US9431400B2 (en) 2011-02-08 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US8787083B2 (en) 2011-02-10 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit
US9167234B2 (en) 2011-02-14 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 ｌｓｉ
US8975680B2 (en) 2011-02-17 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device
US8643007B2 (en) 2011-02-23 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709920B2 (en) 2011-02-24 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9443455B2 (en) 2011-02-25 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a plurality of pixels
US9691772B2 (en) 2011-03-03 2017-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor
US8841664B2 (en) 2011-03-04 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8659015B2 (en) 2011-03-04 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8785933B2 (en) 2011-03-04 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9023684B2 (en) 2011-03-04 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9646829B2 (en) 2011-03-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP5898527B2 (ja) 2011-03-04 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8659957B2 (en) 2011-03-07 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US8625085B2 (en) 2011-03-08 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Defect evaluation method for semiconductor
JP5827145B2 (ja) 2011-03-08 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US9099437B2 (en) 2011-03-08 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8772849B2 (en) 2011-03-10 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2012121265A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US8541781B2 (en) 2011-03-10 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI521612B (zh) 2011-03-11 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US8760903B2 (en) 2011-03-11 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit
TWI658516B (zh) 2011-03-11 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP2012209543A (ja) 2011-03-11 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP5933300B2 (ja) 2011-03-16 2016-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012128030A1 (en) 2011-03-18 2012-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
US8859330B2 (en) 2011-03-23 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5839474B2 (ja) 2011-03-24 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US9012904B2 (en) 2011-03-25 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI582999B (zh) * 2011-03-25 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路
US9219159B2 (en) 2011-03-25 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US8956944B2 (en) 2011-03-25 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8686416B2 (en) 2011-03-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
TWI545652B (zh) 2011-03-25 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8987728B2 (en) * 2011-03-25 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8927329B2 (en) 2011-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties
JP5879165B2 (ja) 2011-03-30 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9082860B2 (en) 2011-03-31 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI567735B (zh) 2011-03-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路，記憶體單元，及訊號處理電路
US8686486B2 (en) 2011-03-31 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8541266B2 (en) 2011-04-01 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9960278B2 (en) 2011-04-06 2018-05-01 Yuhei Sato Manufacturing method of semiconductor device
US9142320B2 (en) 2011-04-08 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
US8743590B2 (en) 2011-04-08 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device using the same
US9012905B2 (en) 2011-04-08 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same
US9093538B2 (en) 2011-04-08 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8854867B2 (en) 2011-04-13 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and driving method of the memory device
JP5883699B2 (ja) 2011-04-13 2016-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルｌｓｉ
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US8878174B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit
JP5890234B2 (ja) 2011-04-15 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
US8779488B2 (en) 2011-04-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8878270B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6001900B2 (ja) 2011-04-21 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US10079053B2 (en) 2011-04-22 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and memory device
US8932913B2 (en) 2011-04-22 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8809854B2 (en) 2011-04-22 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5946683B2 (ja) 2011-04-22 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8941958B2 (en) 2011-04-22 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9331206B2 (en) 2011-04-22 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide material and semiconductor device
US8878288B2 (en) 2011-04-22 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9006803B2 (en) 2011-04-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US8916868B2 (en) 2011-04-22 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
CN105931967B (zh) 2011-04-27 2019-05-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US9935622B2 (en) 2011-04-28 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Comparator and semiconductor device including comparator
US8681533B2 (en) 2011-04-28 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device
KR101919056B1 (ko) 2011-04-28 2018-11-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 회로
US8729545B2 (en) 2011-04-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8446171B2 (en) 2011-04-29 2013-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing unit
US9614094B2 (en) 2011-04-29 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same
US9111795B2 (en) 2011-04-29 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
TWI525615B (zh) 2011-04-29 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US8785923B2 (en) 2011-04-29 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8476927B2 (en) 2011-04-29 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
KR101963457B1 (ko) 2011-04-29 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법
US8848464B2 (en) 2011-04-29 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
TW202230814A (zh) 2011-05-05 2022-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8809928B2 (en) 2011-05-06 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device
US8709922B2 (en) 2011-05-06 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101874144B1 (ko) 2011-05-06 2018-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
TWI568181B (zh) 2011-05-06 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 邏輯電路及半導體裝置
WO2012153473A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9117701B2 (en) 2011-05-06 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9443844B2 (en) 2011-05-10 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof
US8946066B2 (en) 2011-05-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI541978B (zh) 2011-05-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法
US8847233B2 (en) 2011-05-12 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film
TWI557711B (zh) 2011-05-12 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的驅動方法
US8897049B2 (en) 2011-05-13 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Semiconductor device and memory device including semiconductor device
TWI536502B (zh) 2011-05-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路及電子裝置
JP5959296B2 (ja) 2011-05-13 2016-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその製造方法
US9093539B2 (en) 2011-05-13 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9048788B2 (en) 2011-05-13 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion
KR101921772B1 (ko) 2011-05-13 2018-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6110075B2 (ja) 2011-05-13 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP5886128B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5886127B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101952570B1 (ko) 2011-05-13 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2012157472A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101940570B1 (ko) 2011-05-13 2019-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Ｅｌ 표시 장치 및 그 전자 기기
WO2012157532A1 (en) 2011-05-16 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI570891B (zh) 2011-05-17 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI571058B (zh) 2011-05-18 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置與驅動半導體裝置之方法
TWI552150B (zh) 2011-05-18 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
KR102093909B1 (ko) 2011-05-19 2020-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 및 회로의 구동 방법
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
US8709889B2 (en) 2011-05-19 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and manufacturing method thereof
US8837203B2 (en) 2011-05-19 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
KR102081792B1 (ko) 2011-05-19 2020-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산회로 및 연산회로의 구동방법
KR101991735B1 (ko) 2011-05-19 2019-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
JP6006975B2 (ja) 2011-05-19 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6091083B2 (ja) 2011-05-20 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5951351B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 加算器及び全加算器
JP5936908B2 (ja) 2011-05-20 2016-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 パリティビット出力回路およびパリティチェック回路
JP6013680B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI501226B (zh) 2011-05-20 2015-09-21 Semiconductor Energy Lab 記憶體裝置及驅動記憶體裝置的方法
JP6030334B2 (ja) 2011-05-20 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
TWI557739B (zh) 2011-05-20 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP5892852B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP5886496B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8508256B2 (en) 2011-05-20 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
JP6082189B2 (ja) 2011-05-20 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び信号処理回路
TWI570719B (zh) 2011-05-20 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
JP6013682B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
TWI559683B (zh) 2011-05-20 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
WO2012161059A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP5820336B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5947099B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101922397B1 (ko) 2011-05-20 2018-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5820335B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI614995B (zh) 2011-05-20 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置
TWI570730B (zh) 2011-05-20 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US20120298998A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
KR101912971B1 (ko) 2011-05-26 2018-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 분주 회로 및 분주 회로를 이용한 반도체 장치
US9171840B2 (en) 2011-05-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI534956B (zh) 2011-05-27 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 調整電路及驅動調整電路之方法
US8669781B2 (en) 2011-05-31 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5912844B2 (ja) 2011-05-31 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9467047B2 (en) 2011-05-31 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device
JP5717546B2 (ja) 2011-06-01 2015-05-13 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
DE112012007295B3 (de) 2011-06-08 2022-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen eines Sputtertargets und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
JP5890251B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 通信方法
JP2013016243A (ja) 2011-06-09 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
JP6009226B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8891285B2 (en) 2011-06-10 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6104522B2 (ja) 2011-06-10 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6005401B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8958263B2 (en) 2011-06-10 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8804405B2 (en) 2011-06-16 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
TWI575751B (zh) 2011-06-16 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9299852B2 (en) 2011-06-16 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20140024866A (ko) 2011-06-17 2014-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제조 방법
US8901554B2 (en) 2011-06-17 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor
US9166055B2 (en) 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20130007426A (ko) 2011-06-17 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9099885B2 (en) 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
US8673426B2 (en) 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2013005380A1 (en) 2011-07-01 2013-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI565067B (zh) 2011-07-08 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102014876B1 (ko) 2011-07-08 2019-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US9496138B2 (en) 2011-07-08 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9490241B2 (en) 2011-07-08 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter
US9214474B2 (en) 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9385238B2 (en) 2011-07-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor using oxide semiconductor
US8748886B2 (en) 2011-07-08 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9200952B2 (en) 2011-07-15 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit
US8847220B2 (en) 2011-07-15 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013042117A (ja) 2011-07-15 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8946812B2 (en) 2011-07-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102449610B1 (ko) 2011-07-22 2022-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US9012993B2 (en) 2011-07-22 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8643008B2 (en) 2011-07-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8716073B2 (en) 2011-07-22 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
JP6013685B2 (ja) 2011-07-22 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8718224B2 (en) 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
US8994019B2 (en) 2011-08-05 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6006572B2 (ja) 2011-08-18 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6128775B2 (ja) 2011-08-19 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI575494B (zh) 2011-08-19 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的驅動方法
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI573014B (zh) 2011-08-29 2017-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
US9252279B2 (en) 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6016532B2 (ja) 2011-09-07 2016-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8802493B2 (en) 2011-09-13 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor device
JP5825744B2 (ja) 2011-09-15 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
WO2013039126A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8952379B2 (en) 2011-09-16 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5832399B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9082663B2 (en) 2011-09-16 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103022012B (zh) 2011-09-21 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 半导体存储装置
WO2013042562A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101976228B1 (ko) 2011-09-22 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 광 검출 장치 및 광 검출 장치의 구동 방법
US8841675B2 (en) 2011-09-23 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute transistor
US9431545B2 (en) 2011-09-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102108572B1 (ko) 2011-09-26 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP5740270B2 (ja) 2011-09-27 2015-06-24 株式会社東芝 薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示装置
JP2013084333A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ回路
SG11201505099TA (en) 2011-09-29 2015-08-28 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
TWI605590B (zh) 2011-09-29 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101506303B1 (ko) 2011-09-29 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102128369B1 (ko) 2011-09-29 2020-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8982607B2 (en) 2011-09-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
JP5806905B2 (ja) 2011-09-30 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20130087784A1 (en) 2011-10-05 2013-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2013093565A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2013093561A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
JP6022880B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8637864B2 (en) 2011-10-13 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US9018629B2 (en) 2011-10-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9117916B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
US9287405B2 (en) 2011-10-13 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor
JP5912394B2 (ja) 2011-10-13 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6026839B2 (ja) 2011-10-13 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20130040706A (ko) 2011-10-14 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20140074384A (ko) 2011-10-14 2014-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI567985B (zh) 2011-10-21 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6045285B2 (ja) 2011-10-24 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101976212B1 (ko) 2011-10-24 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6226518B2 (ja) 2011-10-24 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN102403363A (zh) * 2011-10-27 2012-04-04 华南理工大学 双层氧化物薄膜晶体管及其制备方法
KR20130046357A (ko) 2011-10-27 2013-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6082562B2 (ja) 2011-10-27 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20140086954A (ko) 2011-10-28 2014-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR102012981B1 (ko) 2011-11-09 2019-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5933895B2 (ja) 2011-11-10 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
US9082861B2 (en) 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
US8796682B2 (en) 2011-11-11 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8878177B2 (en) 2011-11-11 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
CN103918025B (zh) 2011-11-11 2016-12-21 株式会社半导体能源研究所 信号线驱动电路以及液晶显示装置
JP6076038B2 (ja) 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US10026847B2 (en) 2011-11-18 2018-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor device including semiconductor element
US8969130B2 (en) 2011-11-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
JP6059968B2 (ja) 2011-11-25 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び液晶表示装置
JP6099368B2 (ja) 2011-11-25 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US8951899B2 (en) 2011-11-25 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Method for manufacturing semiconductor device
JP6125211B2 (ja) 2011-11-25 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8962386B2 (en) 2011-11-25 2015-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9057126B2 (en) 2011-11-29 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
US20130137232A1 (en) 2011-11-30 2013-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
TWI591611B (zh) 2011-11-30 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體顯示裝置
KR102072244B1 (ko) 2011-11-30 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US9076871B2 (en) 2011-11-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI669760B (zh) 2011-11-30 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
CN103137701B (zh) 2011-11-30 2018-01-19 株式会社半导体能源研究所 晶体管及半导体装置
US8981367B2 (en) 2011-12-01 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI621185B (zh) 2011-12-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP6050662B2 (ja) 2011-12-02 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2013137853A (ja) 2011-12-02 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置および記憶装置の駆動方法
EP2786404A4 (en) 2011-12-02 2015-07-15 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US9257422B2 (en) 2011-12-06 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit
JP6081171B2 (ja) 2011-12-09 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
WO2013089115A1 (en) 2011-12-15 2013-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6105266B2 (ja) 2011-12-15 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP2013149953A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US8785258B2 (en) 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US8907392B2 (en) 2011-12-22 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including stacked sub memory cells
US8748240B2 (en) 2011-12-22 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8704221B2 (en) 2011-12-23 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI580047B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6033071B2 (ja) 2011-12-23 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI569446B (zh) 2011-12-23 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置
TWI580189B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 位準位移電路及半導體積體電路
WO2013094547A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6012450B2 (ja) 2011-12-23 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6053490B2 (ja) 2011-12-23 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2013099537A1 (en) 2011-12-26 2013-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Motion recognition device
TWI584383B (zh) 2011-12-27 2017-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102100425B1 (ko) 2011-12-27 2020-04-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102103913B1 (ko) 2012-01-10 2020-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8969867B2 (en) 2012-01-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013168926A (ja) 2012-01-18 2013-08-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 回路、センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
US9099560B2 (en) 2012-01-20 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9040981B2 (en) 2012-01-20 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9653614B2 (en) 2012-01-23 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102433736B1 (ko) 2012-01-23 2022-08-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102412138B1 (ko) 2012-01-25 2022-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI605597B (zh) 2012-01-26 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP6091905B2 (ja) 2012-01-26 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9006733B2 (en) 2012-01-26 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8956912B2 (en) 2012-01-26 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI561951B (en) 2012-01-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Power supply circuit
TWI604609B (zh) 2012-02-02 2017-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9362417B2 (en) 2012-02-03 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102101167B1 (ko) 2012-02-03 2020-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9196741B2 (en) 2012-02-03 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8916424B2 (en) 2012-02-07 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9859114B2 (en) 2012-02-08 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer
JP5981157B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
US9112037B2 (en) 2012-02-09 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8817516B2 (en) 2012-02-17 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit and semiconductor device
JP2014063557A (ja) 2012-02-24 2014-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置及び半導体装置
US20130221345A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8988152B2 (en) 2012-02-29 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6220526B2 (ja) 2012-02-29 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9312257B2 (en) 2012-02-29 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
JP2013183001A (ja) 2012-03-01 2013-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8975917B2 (en) 2012-03-01 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP6046514B2 (ja) 2012-03-01 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
US9287370B2 (en) 2012-03-02 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same
US9176571B2 (en) 2012-03-02 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Microprocessor and method for driving microprocessor
US8754693B2 (en) 2012-03-05 2014-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Latch circuit and semiconductor device
JP6100559B2 (ja) 2012-03-05 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8995218B2 (en) 2012-03-07 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981370B2 (en) 2012-03-08 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN107340509B (zh) 2012-03-09 2020-04-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的驱动方法
KR20210078571A (ko) 2012-03-13 2021-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 구동 방법
JP6168795B2 (ja) 2012-03-14 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9117409B2 (en) 2012-03-14 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer
US9058892B2 (en) 2012-03-14 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and shift register
KR102108248B1 (ko) 2012-03-14 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치
US9541386B2 (en) 2012-03-21 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Distance measurement device and distance measurement system
JP6169376B2 (ja) 2012-03-28 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置
US9324449B2 (en) 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
US9349849B2 (en) 2012-03-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
US9786793B2 (en) 2012-03-29 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements
JP6139187B2 (ja) 2012-03-29 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102044725B1 (ko) 2012-03-29 2019-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전원 제어 장치
JP2013229013A (ja) 2012-03-29 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アレイコントローラ及びストレージシステム
US8941113B2 (en) 2012-03-30 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
US8999773B2 (en) 2012-04-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device
JP2013232885A (ja) 2012-04-06 2013-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体リレー
US9711110B2 (en) 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP5975907B2 (ja) 2012-04-11 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013236068A (ja) 2012-04-12 2013-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US9208849B2 (en) 2012-04-12 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
JP6059566B2 (ja) 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102479944B1 (ko) 2012-04-13 2022-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9030232B2 (en) 2012-04-13 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Isolator circuit and semiconductor device
JP6128906B2 (ja) 2012-04-13 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6143423B2 (ja) 2012-04-16 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP6076612B2 (ja) 2012-04-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6001308B2 (ja) 2012-04-17 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9219164B2 (en) 2012-04-20 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor channel
US9029863B2 (en) 2012-04-20 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9006024B2 (en) 2012-04-25 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9236408B2 (en) 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
US9230683B2 (en) 2012-04-25 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9331689B2 (en) 2012-04-27 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply circuit and semiconductor device including the same
US9285848B2 (en) 2012-04-27 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device
JP6199583B2 (ja) 2012-04-27 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8860022B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US9048323B2 (en) 2012-04-30 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6100071B2 (ja) 2012-04-30 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6228381B2 (ja) 2012-04-30 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9703704B2 (en) 2012-05-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6035195B2 (ja) 2012-05-01 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9007090B2 (en) 2012-05-01 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving semiconductor device
US9104395B2 (en) 2012-05-02 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processor and driving method thereof
US8866510B2 (en) 2012-05-02 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6243136B2 (ja) 2012-05-02 2017-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 スイッチングコンバータ
JP6227890B2 (ja) 2012-05-02 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路および制御回路
JP2013250965A (ja) 2012-05-02 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその駆動方法
KR102025722B1 (ko) 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
CN106298772A (zh) 2012-05-02 2017-01-04 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑器件
KR20130125717A (ko) 2012-05-09 2013-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
WO2013168687A1 (en) 2012-05-10 2013-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102069158B1 (ko) 2012-05-10 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102551443B1 (ko) 2012-05-10 2023-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE102013022449B3 (de) 2012-05-11 2019-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
KR102087443B1 (ko) 2012-05-11 2020-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
TWI670553B (zh) 2012-05-16 2019-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及觸控面板
US8929128B2 (en) 2012-05-17 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and writing method of the same
JP5931583B2 (ja) * 2012-05-18 2016-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9817032B2 (en) 2012-05-23 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measurement device
KR102164990B1 (ko) 2012-05-25 2020-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자의 구동 방법
JP2014003594A (ja) 2012-05-25 2014-01-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
JP6250955B2 (ja) 2012-05-25 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6050721B2 (ja) 2012-05-25 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102059218B1 (ko) 2012-05-25 2019-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치
US9147706B2 (en) 2012-05-29 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US8995607B2 (en) 2012-05-31 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
WO2013179922A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6208469B2 (ja) 2012-05-31 2017-10-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9048265B2 (en) 2012-05-31 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer
JP6158588B2 (ja) 2012-05-31 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
WO2013180040A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6108960B2 (ja) 2012-06-01 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、処理装置
US9916793B2 (en) 2012-06-01 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the same
KR20150023547A (ko) 2012-06-01 2015-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 경보 장치
US9135182B2 (en) 2012-06-01 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central processing unit and driving method thereof
US8872174B2 (en) 2012-06-01 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US8901557B2 (en) 2012-06-15 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014027263A (ja) 2012-06-15 2014-02-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9059219B2 (en) 2012-06-27 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR102161077B1 (ko) 2012-06-29 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20200019269A (ko) 2012-06-29 2020-02-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
US8873308B2 (en) 2012-06-29 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit
TWI596778B (zh) 2012-06-29 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US9083327B2 (en) 2012-07-06 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
JP6310194B2 (ja) 2012-07-06 2018-04-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9054678B2 (en) 2012-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR102099262B1 (ko) 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2014032399A (ja) 2012-07-13 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP6006558B2 (ja) 2012-07-17 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその製造方法
JP5965338B2 (ja) * 2012-07-17 2016-08-03 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
KR20230035434A (ko) 2012-07-20 2023-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
JP6185311B2 (ja) 2012-07-20 2017-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 電源制御回路、及び信号処理回路
CN104508548B (zh) 2012-07-20 2017-11-07 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR102262323B1 (ko) 2012-07-20 2021-06-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2014042004A (ja) 2012-07-26 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR20140013931A (ko) 2012-07-26 2014-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
JP6224931B2 (ja) 2012-07-27 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014045175A (ja) 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014021356A1 (en) 2012-08-03 2014-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
SG10201700805WA (en) 2012-08-03 2017-02-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device
US10557192B2 (en) 2012-08-07 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for using sputtering target and method for forming oxide film
US9885108B2 (en) 2012-08-07 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming sputtering target
KR102171650B1 (ko) 2012-08-10 2020-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8937307B2 (en) 2012-08-10 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014057298A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
WO2014024808A1 (en) 2012-08-10 2014-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9929276B2 (en) 2012-08-10 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20150043307A (ko) 2012-08-10 2015-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6220597B2 (ja) 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI581404B (zh) 2012-08-10 2017-05-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
US9245958B2 (en) 2012-08-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014199899A (ja) 2012-08-10 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014057296A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
US8872120B2 (en) 2012-08-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and method for driving the same
KR102069683B1 (ko) 2012-08-24 2020-01-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치
US9625764B2 (en) 2012-08-28 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
DE102013216824A1 (de) 2012-08-28 2014-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR20140029202A (ko) 2012-08-28 2014-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
TWI611511B (zh) 2012-08-31 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2014034820A1 (en) 2012-09-03 2014-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microcontroller
DE102013217278B4 (de) 2012-09-12 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung
CN111477634B (zh) 2012-09-13 2023-11-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US8981372B2 (en) 2012-09-13 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
US9018624B2 (en) 2012-09-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
TWI595659B (zh) 2012-09-14 2017-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6080141B2 (ja) * 2012-09-18 2017-02-15 エルジー・ケム・リミテッド 透明導電膜、透明導電膜の製造方法、電子素子、及び薄膜トランジスタ
US8927985B2 (en) 2012-09-20 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014046222A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI627750B (zh) 2012-09-24 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014054569A1 (ja) 2012-10-03 2014-04-10 シャープ株式会社 半導体装置及び表示装置
JP6290576B2 (ja) 2012-10-12 2018-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその駆動方法
JP6351947B2 (ja) 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
TWI681233B (zh) 2012-10-12 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
KR102226090B1 (ko) 2012-10-12 2021-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
JP2014082388A (ja) 2012-10-17 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6059501B2 (ja) 2012-10-17 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102102589B1 (ko) 2012-10-17 2020-04-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그램 가능한 논리 장치
JP6021586B2 (ja) 2012-10-17 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9166021B2 (en) 2012-10-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102168987B1 (ko) 2012-10-17 2020-10-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 마이크로컨트롤러 및 그 제조 방법
JP5951442B2 (ja) 2012-10-17 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102094568B1 (ko) 2012-10-17 2020-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제작 방법
JP6283191B2 (ja) 2012-10-17 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI591966B (zh) 2012-10-17 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法
WO2014061535A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6284710B2 (ja) * 2012-10-18 2018-02-28 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
KR102220279B1 (ko) 2012-10-19 2021-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6204145B2 (ja) 2012-10-23 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI782259B (zh) 2012-10-24 2022-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102130184B1 (ko) 2012-10-24 2020-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9287411B2 (en) 2012-10-24 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2014065343A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102279459B1 (ko) 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2014065389A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central control system
JP6219562B2 (ja) 2012-10-30 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
WO2014073374A1 (en) 2012-11-06 2014-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR20220150439A (ko) 2012-11-08 2022-11-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 디스플레이 장치
TWI605593B (zh) 2012-11-15 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6220641B2 (ja) 2012-11-15 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI608616B (zh) 2012-11-15 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6285150B2 (ja) 2012-11-16 2018-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI620323B (zh) 2012-11-16 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6317059B2 (ja) 2012-11-16 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
TWI600157B (zh) 2012-11-16 2017-09-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9263531B2 (en) 2012-11-28 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device
WO2014084153A1 (en) 2012-11-28 2014-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI627483B (zh) 2012-11-28 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電視接收機
TWI820614B (zh) 2012-11-28 2023-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9412764B2 (en) 2012-11-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US9246011B2 (en) 2012-11-30 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014130336A (ja) 2012-11-30 2014-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
CN108493253B (zh) 2012-11-30 2023-04-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US9594281B2 (en) 2012-11-30 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9153649B2 (en) 2012-11-30 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
TWI582993B (zh) 2012-11-30 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9349593B2 (en) 2012-12-03 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9406810B2 (en) 2012-12-03 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102207028B1 (ko) 2012-12-03 2021-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102112364B1 (ko) 2012-12-06 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9577446B2 (en) 2012-12-13 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device
TWI611419B (zh) 2012-12-24 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
KR102241249B1 (ko) 2012-12-25 2021-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
KR20220145922A (ko) 2012-12-25 2022-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2014103901A1 (en) 2012-12-25 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9905585B2 (en) 2012-12-25 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising capacitor
JP2014142986A (ja) 2012-12-26 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9316695B2 (en) 2012-12-28 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014143410A (ja) 2012-12-28 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP6329762B2 (ja) 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20240025719A (ko) 2012-12-28 2024-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102370239B1 (ko) 2012-12-28 2022-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI607510B (zh) 2012-12-28 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US9391096B2 (en) 2013-01-18 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI614813B (zh) 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5807076B2 (ja) 2013-01-24 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9466725B2 (en) 2013-01-24 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6223198B2 (ja) 2013-01-24 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI619010B (zh) 2013-01-24 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9190172B2 (en) 2013-01-24 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9105658B2 (en) 2013-01-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor layer
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9076825B2 (en) 2013-01-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
TWI618252B (zh) 2013-02-12 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102112367B1 (ko) 2013-02-12 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9231111B2 (en) 2013-02-13 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102125593B1 (ko) 2013-02-13 2020-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치
US9190527B2 (en) 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US9318484B2 (en) 2013-02-20 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI611566B (zh) 2013-02-25 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
US9293544B2 (en) 2013-02-26 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having buried channel structure
US9373711B2 (en) 2013-02-27 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI651839B (zh) 2013-02-27 2019-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置
TWI612321B (zh) 2013-02-27 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置
JP2014195241A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR102238682B1 (ko) 2013-02-28 2021-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP2014195243A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6141777B2 (ja) 2013-02-28 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2014195060A (ja) 2013-03-01 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置
US9276125B2 (en) 2013-03-01 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102153110B1 (ko) 2013-03-06 2020-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막 및 반도체 장치
US9269315B2 (en) 2013-03-08 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI644433B (zh) 2013-03-13 2018-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6298662B2 (ja) 2013-03-14 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102290247B1 (ko) 2013-03-14 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
US9294075B2 (en) 2013-03-14 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20150128823A (ko) 2013-03-14 2015-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 구동 방법 및 반도체 장치
JP6283237B2 (ja) 2013-03-14 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014199709A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、半導体装置
KR20150128820A (ko) 2013-03-14 2015-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 구동 방법 및 반도체 장치
US9245650B2 (en) 2013-03-15 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9786350B2 (en) 2013-03-18 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9153650B2 (en) 2013-03-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor
US9577107B2 (en) 2013-03-19 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film
JP6355374B2 (ja) 2013-03-22 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9007092B2 (en) 2013-03-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6093726B2 (ja) 2013-03-22 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6272713B2 (ja) 2013-03-25 2018-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置
US10347769B2 (en) 2013-03-25 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes
WO2014157019A1 (en) 2013-03-25 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6316630B2 (ja) 2013-03-26 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6376788B2 (ja) 2013-03-26 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9608122B2 (en) 2013-03-27 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014209209A (ja) 2013-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9368636B2 (en) 2013-04-01 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers
JP6300589B2 (ja) 2013-04-04 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9112460B2 (en) 2013-04-05 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device
JP6198434B2 (ja) 2013-04-11 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP6224338B2 (ja) 2013-04-11 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法
JP6280794B2 (ja) 2013-04-12 2018-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
TWI620324B (zh) 2013-04-12 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6333028B2 (ja) 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置
JP6456598B2 (ja) 2013-04-19 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US9893192B2 (en) 2013-04-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI647559B (zh) 2013-04-24 2019-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
JP6401483B2 (ja) 2013-04-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6396671B2 (ja) 2013-04-26 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI644434B (zh) 2013-04-29 2018-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI631711B (zh) 2013-05-01 2018-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102222344B1 (ko) 2013-05-02 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9882058B2 (en) 2013-05-03 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9231002B2 (en) 2013-05-03 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2014181785A1 (en) 2013-05-09 2014-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9704894B2 (en) 2013-05-10 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel electrode including oxide
US9246476B2 (en) 2013-05-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit
TWI621337B (zh) 2013-05-14 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 信號處理裝置
TWI809474B (zh) 2013-05-16 2023-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9312392B2 (en) 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI627751B (zh) 2013-05-16 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10032872B2 (en) 2013-05-17 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device
US9172369B2 (en) 2013-05-17 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
JP6298353B2 (ja) 2013-05-17 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9209795B2 (en) 2013-05-17 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device and measuring method
US9754971B2 (en) 2013-05-18 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9647125B2 (en) 2013-05-20 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI664731B (zh) 2013-05-20 2019-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102098795B1 (ko) 2013-05-20 2020-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2014188982A1 (en) 2013-05-20 2014-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9293599B2 (en) 2013-05-20 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9343579B2 (en) 2013-05-20 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
DE102014208859B4 (de) 2013-05-20 2021-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR20160009626A (ko) 2013-05-21 2016-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 그 형성 방법
US10416504B2 (en) 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI649606B (zh) 2013-06-05 2019-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP6374221B2 (ja) 2013-06-05 2018-08-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6400336B2 (ja) 2013-06-05 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2015195327A (ja) 2013-06-05 2015-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI624936B (zh) 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9773915B2 (en) 2013-06-11 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102282108B1 (ko) 2013-06-13 2021-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6368155B2 (ja) 2013-06-18 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
TWI652822B (zh) 2013-06-19 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體膜及其形成方法
US9035301B2 (en) 2013-06-19 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
KR102257058B1 (ko) 2013-06-21 2021-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6357363B2 (ja) 2013-06-26 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP2015012048A (ja) 2013-06-27 2015-01-19 三菱電機株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
KR102522133B1 (ko) 2013-06-27 2023-04-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TW201513128A (zh) 2013-07-05 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US20150008428A1 (en) 2013-07-08 2015-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9312349B2 (en) 2013-07-08 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9666697B2 (en) 2013-07-08 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer
TWI622053B (zh) 2013-07-10 2018-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9293480B2 (en) 2013-07-10 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9818763B2 (en) 2013-07-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
US9006736B2 (en) 2013-07-12 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6322503B2 (ja) 2013-07-16 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6516978B2 (ja) 2013-07-17 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443592B2 (en) 2013-07-18 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9395070B2 (en) 2013-07-19 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Support of flexible component and light-emitting device
US9379138B2 (en) 2013-07-19 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity
TWI608523B (zh) 2013-07-19 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
TWI632688B (zh) 2013-07-25 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
US10529740B2 (en) 2013-07-25 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
TWI641208B (zh) 2013-07-26 2018-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 直流對直流轉換器
US9343288B2 (en) 2013-07-31 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6410496B2 (ja) 2013-07-31 2018-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 マルチゲート構造のトランジスタ
JP6460592B2 (ja) 2013-07-31 2019-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃｄｃコンバータ、及び半導体装置
TWI635750B (zh) 2013-08-02 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置以及其工作方法
US9496330B2 (en) 2013-08-02 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2015053477A (ja) 2013-08-05 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6345023B2 (ja) 2013-08-07 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9601591B2 (en) 2013-08-09 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9299855B2 (en) 2013-08-09 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having dual gate insulating layers
JP6329843B2 (ja) 2013-08-19 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9374048B2 (en) 2013-08-20 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device, and driving method and program thereof
TWI643435B (zh) 2013-08-21 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置
KR102232133B1 (ko) 2013-08-22 2021-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9443987B2 (en) 2013-08-23 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102244553B1 (ko) 2013-08-23 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 용량 소자 및 반도체 장치
TWI803081B (zh) 2013-08-28 2023-05-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
WO2015030150A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit and semiconductor device
US9360564B2 (en) 2013-08-30 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6426402B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9590109B2 (en) 2013-08-30 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9552767B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP6406926B2 (ja) 2013-09-04 2018-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9449853B2 (en) 2013-09-04 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer
US9607991B2 (en) 2013-09-05 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6345544B2 (ja) 2013-09-05 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US10008513B2 (en) 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102294507B1 (ko) 2013-09-06 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6401977B2 (ja) 2013-09-06 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590110B2 (en) 2013-09-10 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ultraviolet light sensor circuit
TWI640014B (zh) 2013-09-11 2018-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置
US9893194B2 (en) 2013-09-12 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9269822B2 (en) 2013-09-12 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR102307142B1 (ko) 2013-09-13 2021-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP6429540B2 (ja) 2013-09-13 2018-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2015079946A (ja) 2013-09-13 2015-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI646690B (zh) 2013-09-13 2019-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9461126B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit
US9887297B2 (en) 2013-09-17 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer
US9269915B2 (en) 2013-09-18 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6347704B2 (ja) 2013-09-18 2018-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI677989B (zh) 2013-09-19 2019-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP2015084418A (ja) 2013-09-23 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9425217B2 (en) 2013-09-23 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9397153B2 (en) 2013-09-23 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6570817B2 (ja) 2013-09-23 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6383616B2 (ja) 2013-09-25 2018-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102213515B1 (ko) 2013-09-26 2021-02-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스위치 회로, 반도체 장치, 및 시스템
JP6392603B2 (ja) 2013-09-27 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6581765B2 (ja) 2013-10-02 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置
JP6386323B2 (ja) 2013-10-04 2018-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI741298B (zh) 2013-10-10 2021-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9293592B2 (en) 2013-10-11 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR102275031B1 (ko) 2013-10-16 2021-07-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산 처리 장치의 구동 방법
TWI621127B (zh) 2013-10-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 運算處理裝置及其驅動方法
TWI642170B (zh) 2013-10-18 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
WO2015060133A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015179247A (ja) 2013-10-22 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
DE102014220672A1 (de) 2013-10-22 2015-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US9455349B2 (en) 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
WO2015060203A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2015060318A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US9276128B2 (en) 2013-10-22 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and etchant used for the same
JP6625796B2 (ja) 2013-10-25 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6457239B2 (ja) 2013-10-31 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6440457B2 (ja) 2013-11-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6478562B2 (ja) 2013-11-07 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9385054B2 (en) 2013-11-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and manufacturing method thereof
JP2015118724A (ja) 2013-11-13 2015-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP6426437B2 (ja) 2013-11-22 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6393590B2 (ja) 2013-11-22 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6486660B2 (ja) 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US20150155313A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015083029A1 (en) 2013-12-02 2015-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
KR20220047897A (ko) 2013-12-02 2022-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9601634B2 (en) 2013-12-02 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9991392B2 (en) 2013-12-03 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6238712B2 (ja) 2013-12-05 2017-11-29 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
JP2016027597A (ja) 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9806098B2 (en) 2013-12-10 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP6315966B2 (ja) 2013-12-11 2018-04-25 三菱電機株式会社 アクティブマトリックス基板およびその製造方法
US9627413B2 (en) 2013-12-12 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US9349751B2 (en) 2013-12-12 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI642186B (zh) 2013-12-18 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI666770B (zh) 2013-12-19 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6444714B2 (ja) 2013-12-20 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9379192B2 (en) 2013-12-20 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015097586A1 (en) 2013-12-25 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9960280B2 (en) 2013-12-26 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI637484B (zh) 2013-12-26 2018-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2015097596A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102472875B1 (ko) 2013-12-26 2022-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6402017B2 (ja) 2013-12-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9349418B2 (en) 2013-12-27 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9318618B2 (en) 2013-12-27 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102529174B1 (ko) 2013-12-27 2023-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6506961B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR20220046701A (ko) 2013-12-27 2022-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US9577110B2 (en) 2013-12-27 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
US9472678B2 (en) 2013-12-27 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6444723B2 (ja) 2014-01-09 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9300292B2 (en) 2014-01-10 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit including transistor
US9401432B2 (en) 2014-01-16 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9379713B2 (en) 2014-01-17 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and driving method thereof
KR102306200B1 (ko) 2014-01-24 2021-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2015114476A1 (en) 2014-01-28 2015-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9929044B2 (en) 2014-01-30 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US9653487B2 (en) 2014-02-05 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, module, and electronic device
TWI665778B (zh) 2014-02-05 2019-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組及電子裝置
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9721968B2 (en) 2014-02-06 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic appliance
CN105960633B (zh) 2014-02-07 2020-06-19 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、装置及电子设备
JP2015165226A (ja) 2014-02-07 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US10055232B2 (en) 2014-02-07 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising memory circuit
JP6545970B2 (ja) 2014-02-07 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9479175B2 (en) 2014-02-07 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
TWI658597B (zh) 2014-02-07 2019-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
CN108987574B (zh) 2014-02-11 2023-05-09 株式会社半导体能源研究所 显示设备及电子设备
WO2015125042A1 (en) 2014-02-19 2015-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide, semiconductor device, module, and electronic device
CN104867981B (zh) 2014-02-21 2020-04-21 株式会社半导体能源研究所 半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备
JP2015172991A (ja) 2014-02-21 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
JP6506566B2 (ja) 2014-02-21 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 電流測定方法
US9564535B2 (en) 2014-02-28 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
US9294096B2 (en) 2014-02-28 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN112233982A (zh) 2014-02-28 2021-01-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
JP6542542B2 (ja) 2014-02-28 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10074576B2 (en) 2014-02-28 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
KR20150104518A (ko) 2014-03-05 2015-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레벨 시프터 회로
JP6474280B2 (ja) 2014-03-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US10096489B2 (en) 2014-03-06 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9537478B2 (en) 2014-03-06 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9397637B2 (en) 2014-03-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP6442321B2 (ja) 2014-03-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
US9711536B2 (en) 2014-03-07 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
WO2015132697A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9419622B2 (en) 2014-03-07 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6607681B2 (ja) 2014-03-07 2019-11-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6545976B2 (ja) 2014-03-07 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6585354B2 (ja) 2014-03-07 2019-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015136413A1 (en) 2014-03-12 2015-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6541376B2 (ja) 2014-03-13 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
JP6525421B2 (ja) 2014-03-13 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9640669B2 (en) 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
TWI660490B (zh) 2014-03-13 2019-05-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置
JP6677449B2 (ja) 2014-03-13 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6560508B2 (ja) 2014-03-13 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9324747B2 (en) 2014-03-13 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
KR102367921B1 (ko) 2014-03-14 2022-02-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 시스템
JP2015188071A (ja) 2014-03-14 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9887212B2 (en) 2014-03-14 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9299848B2 (en) 2014-03-14 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RF tag, and electronic device
JP6559444B2 (ja) 2014-03-14 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
SG11201606536XA (en) 2014-03-18 2016-09-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6509596B2 (ja) 2014-03-18 2019-05-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9887291B2 (en) 2014-03-19 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
US9842842B2 (en) 2014-03-19 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same
TWI657488B (zh) 2014-03-20 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
JP6495698B2 (ja) 2014-03-20 2019-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
KR102332469B1 (ko) 2014-03-28 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
JP6487738B2 (ja) 2014-03-31 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品
TWI735206B (zh) 2014-04-10 2021-08-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
US9674470B2 (en) 2014-04-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device
JP6635670B2 (ja) 2014-04-11 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI646782B (zh) 2014-04-11 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置
JP6541398B2 (ja) 2014-04-11 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102318728B1 (ko) 2014-04-18 2021-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 이를 가지는 표시 장치
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법
KR20160144492A (ko) 2014-04-18 2016-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 장치
JP6613044B2 (ja) 2014-04-22 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
KR102380829B1 (ko) 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
JP6468686B2 (ja) 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
TWI643457B (zh) 2014-04-25 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102330412B1 (ko) 2014-04-25 2021-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
US9780226B2 (en) 2014-04-25 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10043913B2 (en) 2014-04-30 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
TWI679624B (zh) 2014-05-02 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6537341B2 (ja) 2014-05-07 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6653997B2 (ja) 2014-05-09 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示補正回路及び表示装置
KR102333604B1 (ko) 2014-05-15 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6612056B2 (ja) 2014-05-16 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、及び監視装置
JP2015233130A (ja) 2014-05-16 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板および半導体装置の作製方法
JP6580863B2 (ja) 2014-05-22 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、健康管理システム
JP6616102B2 (ja) 2014-05-23 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
TWI672804B (zh) 2014-05-23 2019-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US10020403B2 (en) 2014-05-27 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015181679A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP6525722B2 (ja) 2014-05-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、電子部品、及び電子機器
KR102418666B1 (ko) 2014-05-29 2022-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법
KR20150138026A (ko) 2014-05-29 2015-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6653129B2 (ja) 2014-05-29 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
KR102354008B1 (ko) 2014-05-29 2022-01-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법 및 전자 기기
KR102373263B1 (ko) 2014-05-30 2022-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제조하기 위한 방법
TWI646658B (zh) 2014-05-30 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6538426B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
TWI663726B (zh) 2014-05-30 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置、模組及電子裝置
JP6537892B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
US9831238B2 (en) 2014-05-30 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion
WO2015182000A1 (en) 2014-05-30 2015-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
KR102344782B1 (ko) 2014-06-13 2021-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 장치 및 입출력 장치
JP2016015475A (ja) 2014-06-13 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
WO2015189731A1 (en) 2014-06-13 2015-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
TWI663733B (zh) 2014-06-18 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電晶體及半導體裝置
KR20150146409A (ko) 2014-06-20 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
TWI666776B (zh) 2014-06-20 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
US9722090B2 (en) 2014-06-23 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
JP6545541B2 (ja) 2014-06-25 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US10002971B2 (en) 2014-07-03 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9647129B2 (en) 2014-07-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6436660B2 (ja) 2014-07-07 2018-12-12 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
US9729809B2 (en) 2014-07-11 2017-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device or electronic device
US9461179B2 (en) 2014-07-11 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure
DE112015003266T5 (de) 2014-07-15 2017-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Herstellungsverfahren dafür und Anzeigevorrichtung mit der Halbleitervorrichtung
JP6581825B2 (ja) 2014-07-18 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
KR102422059B1 (ko) 2014-07-18 2022-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 촬상 장치, 및 전자 기기
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2016012893A1 (en) 2014-07-25 2016-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oscillator circuit and semiconductor device including the same
JP6527416B2 (ja) 2014-07-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR102380645B1 (ko) 2014-07-31 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
JP6555956B2 (ja) 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US9705004B2 (en) 2014-08-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6739150B2 (ja) 2014-08-08 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、発振回路、位相同期回路及び電子機器
JP6553444B2 (ja) 2014-08-08 2019-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6652342B2 (ja) 2014-08-08 2020-02-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10147747B2 (en) 2014-08-21 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US10032888B2 (en) 2014-08-22 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device
US10559667B2 (en) 2014-08-25 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
KR102509203B1 (ko) 2014-08-29 2023-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR102393272B1 (ko) 2014-09-02 2022-05-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR102329498B1 (ko) 2014-09-04 2021-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9766517B2 (en) 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
JP2016066065A (ja) 2014-09-05 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および電子機器
US9722091B2 (en) 2014-09-12 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6676316B2 (ja) 2014-09-12 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9401364B2 (en) 2014-09-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR102513878B1 (ko) 2014-09-19 2023-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP2016066788A (ja) 2014-09-19 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法
KR20160034200A (ko) 2014-09-19 2016-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10071904B2 (en) 2014-09-25 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
WO2016046685A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US10170055B2 (en) 2014-09-26 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP6633330B2 (ja) 2014-09-26 2020-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016111677A (ja) 2014-09-26 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、無線センサ、及び電子機器
US9450581B2 (en) 2014-09-30 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR20170068511A (ko) 2014-10-06 2017-06-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9698170B2 (en) 2014-10-07 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
KR20220119177A (ko) 2014-10-10 2022-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로, 처리 유닛, 전자 부품, 및 전자 기기
CN106796918A (zh) 2014-10-10 2017-05-31 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、电路板及电子设备
US9991393B2 (en) 2014-10-16 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
JP6645793B2 (ja) 2014-10-17 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016063159A1 (en) 2014-10-20 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device
US10068927B2 (en) 2014-10-23 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6615565B2 (ja) 2014-10-24 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016067144A1 (en) 2014-10-28 2016-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method of display device, and electronic device
US9704704B2 (en) 2014-10-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
TWI652362B (zh) 2014-10-28 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物及其製造方法
US9793905B2 (en) 2014-10-31 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10680017B2 (en) 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
US9548327B2 (en) 2014-11-10 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer
US9584707B2 (en) 2014-11-10 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP6563313B2 (ja) 2014-11-21 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI766298B (zh) 2014-11-21 2022-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI711165B (zh) 2014-11-21 2020-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
US9438234B2 (en) 2014-11-21 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device including logic circuit
US9634097B2 (en) 2014-11-25 2017-04-25 Sandisk Technologies Llc 3D NAND with oxide semiconductor channel
WO2016083952A1 (en) 2014-11-28 2016-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
JP6647841B2 (ja) 2014-12-01 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物の作製方法
JP6667267B2 (ja) 2014-12-08 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6647846B2 (ja) 2014-12-08 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6833315B2 (ja) 2014-12-10 2021-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
US9773832B2 (en) 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
CN107004722A (zh) 2014-12-10 2017-08-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
JP6689062B2 (ja) 2014-12-10 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016092416A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and electronic device
JP2016116220A (ja) 2014-12-16 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
JP6676354B2 (ja) 2014-12-16 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI687657B (zh) 2014-12-18 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、感測裝置和電子裝置
TWI686874B (zh) 2014-12-26 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法
KR20170101233A (ko) 2014-12-26 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링용 타깃의 제작 방법
US10396210B2 (en) 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
WO2016108122A1 (en) 2014-12-29 2016-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device having semiconductor device
US10522693B2 (en) 2015-01-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
US9812587B2 (en) 2015-01-26 2017-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9954112B2 (en) 2015-01-26 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9443564B2 (en) 2015-01-26 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
TWI710124B (zh) 2015-01-30 2020-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及電子裝置
US9647132B2 (en) 2015-01-30 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
CN107207252B (zh) 2015-02-02 2021-04-30 株式会社半导体能源研究所 氧化物及其制造方法
CN112436021A (zh) 2015-02-04 2021-03-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
TWI683365B (zh) 2015-02-06 2020-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 裝置及其製造方法以及電子裝置
US9660100B2 (en) 2015-02-06 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6717604B2 (ja) 2015-02-09 2020-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、中央処理装置及び電子機器
JP6674269B2 (ja) 2015-02-09 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
TWI685113B (zh) 2015-02-11 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2016128854A1 (en) 2015-02-12 2016-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2016154225A (ja) 2015-02-12 2016-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9818880B2 (en) 2015-02-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6758844B2 (ja) 2015-02-13 2020-09-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9489988B2 (en) 2015-02-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9991394B2 (en) 2015-02-20 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US10403646B2 (en) 2015-02-20 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6711642B2 (ja) 2015-02-25 2020-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6739185B2 (ja) 2015-02-26 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 ストレージシステム、およびストレージ制御回路
US9653613B2 (en) 2015-02-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6744108B2 (ja) 2015-03-02 2020-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、トランジスタの作製方法、半導体装置および電子機器
WO2016139560A1 (en) 2015-03-03 2016-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device including the oxide semiconductor film, and display device including the semiconductor device
TWI718125B (zh) 2015-03-03 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
DE112016001033T5 (de) 2015-03-03 2017-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen derselben oder Anzeigevorrichtung mit derselben
US9905700B2 (en) 2015-03-13 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device or memory device and driving method thereof
US10008609B2 (en) 2015-03-17 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
JP2016225602A (ja) 2015-03-17 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9964799B2 (en) 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
CN107430461B (zh) 2015-03-17 2022-01-28 株式会社半导体能源研究所 触摸屏
JP2016177280A (ja) 2015-03-18 2016-10-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
US10147823B2 (en) 2015-03-19 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6662665B2 (ja) 2015-03-19 2020-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
KR102582523B1 (ko) 2015-03-19 2023-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
JP6688116B2 (ja) 2015-03-24 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置および電子機器
US9842938B2 (en) 2015-03-24 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including semiconductor device
KR20160114511A (ko) 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10096715B2 (en) 2015-03-26 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
US10429704B2 (en) 2015-03-26 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
JP6736321B2 (ja) 2015-03-27 2020-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
US9806200B2 (en) 2015-03-27 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI695513B (zh) 2015-03-27 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
TWI777164B (zh) 2015-03-30 2022-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9716852B2 (en) 2015-04-03 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Broadcast system
US10389961B2 (en) 2015-04-09 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10372274B2 (en) 2015-04-13 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
KR20230098354A (ko) 2015-04-13 2023-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10460984B2 (en) 2015-04-15 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating electrode and semiconductor device
US10056497B2 (en) 2015-04-15 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016206659A (ja) 2015-04-16 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
US10192995B2 (en) 2015-04-28 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10002970B2 (en) 2015-04-30 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same
US10671204B2 (en) 2015-05-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and data processor
KR102549926B1 (ko) 2015-05-04 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기
JP6681780B2 (ja) 2015-05-07 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システムおよび電子機器
DE102016207737A1 (de) 2015-05-11 2016-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand
TWI693719B (zh) 2015-05-11 2020-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US11728356B2 (en) 2015-05-14 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element and imaging device
JP6935171B2 (ja) 2015-05-14 2021-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9627034B2 (en) 2015-05-15 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US9837547B2 (en) 2015-05-22 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
KR20180010205A (ko) 2015-05-22 2018-01-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP2016225614A (ja) 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6773453B2 (ja) 2015-05-26 2020-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
US10139663B2 (en) 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
KR102553553B1 (ko) 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
WO2016203354A1 (en) 2015-06-19 2016-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US9860465B2 (en) 2015-06-23 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9935633B2 (en) 2015-06-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10290573B2 (en) 2015-07-02 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9917209B2 (en) 2015-07-03 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor
KR102548001B1 (ko) 2015-07-08 2023-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP2017022377A (ja) 2015-07-14 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10501003B2 (en) 2015-07-17 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, lighting device, and vehicle
US10985278B2 (en) 2015-07-21 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
US11189736B2 (en) 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US10424671B2 (en) 2015-07-29 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
US10585506B2 (en) 2015-07-30 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with high visibility regardless of illuminance of external light
CN106409919A (zh) 2015-07-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
JP6802656B2 (ja) 2015-07-30 2020-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 メモリセルの作製方法及び半導体装置の作製方法
US9825177B2 (en) 2015-07-30 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask
US9911861B2 (en) 2015-08-03 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device
US9876946B2 (en) 2015-08-03 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP6791661B2 (ja) 2015-08-07 2020-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
US9893202B2 (en) 2015-08-19 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9666606B2 (en) 2015-08-21 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP2017041877A (ja) 2015-08-21 2017-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、および電子機器
US9773919B2 (en) 2015-08-26 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2017037564A1 (en) 2015-08-28 2017-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device
JP2017050537A (ja) 2015-08-31 2017-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9911756B2 (en) 2015-08-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage
JP6807683B2 (ja) 2015-09-11 2021-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力パネル
SG10201607278TA (en) 2015-09-18 2017-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic device
JP2017063420A (ja) 2015-09-25 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN108140657A (zh) 2015-09-30 2018-06-08 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电子设备
WO2017064587A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
WO2017064590A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9852926B2 (en) 2015-10-20 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
WO2017068490A1 (en) 2015-10-23 2017-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
KR102477518B1 (ko) 2015-10-23 2022-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US10007161B2 (en) 2015-10-26 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
SG10201608814YA (en) 2015-10-29 2017-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
JP6796461B2 (ja) 2015-11-18 2020-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
JP2018032839A (ja) 2015-12-11 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器
US10868045B2 (en) 2015-12-11 2020-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP2017112374A (ja) 2015-12-16 2017-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、半導体装置、および電子機器
KR20180095836A (ko) 2015-12-18 2018-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함한 표시 장치
US10177142B2 (en) 2015-12-25 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device
KR102617041B1 (ko) 2015-12-28 2023-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 장치, 텔레비전 시스템, 및 전자 기기
CN108475699B (zh) 2015-12-28 2021-11-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置
KR20180099725A (ko) 2015-12-29 2018-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물막 및 반도체 장치
JP6851814B2 (ja) 2015-12-29 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
JP2017135698A (ja) 2015-12-29 2017-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
JP6827328B2 (ja) 2016-01-15 2021-02-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
WO2017125796A1 (ja) 2016-01-18 2017-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 金属酸化物膜、半導体装置、及び表示装置
JP6839986B2 (ja) 2016-01-20 2021-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6822853B2 (ja) 2016-01-21 2021-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び記憶装置の駆動方法
US10411013B2 (en) 2016-01-22 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
US10700212B2 (en) 2016-01-28 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof
US10115741B2 (en) 2016-02-05 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10250247B2 (en) 2016-02-10 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
JP6970511B2 (ja) 2016-02-12 2021-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
WO2017137869A1 (en) 2016-02-12 2017-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9954003B2 (en) 2016-02-17 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10263114B2 (en) 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
WO2017149413A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN115954389A (zh) 2016-03-04 2023-04-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
JP6904730B2 (ja) 2016-03-08 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US9882064B2 (en) 2016-03-10 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and electronic device
US10096720B2 (en) 2016-03-25 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP6668455B2 (ja) 2016-04-01 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物半導体膜の作製方法
US10236875B2 (en) 2016-04-15 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the semiconductor device
KR102295315B1 (ko) 2016-04-15 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
KR20230019215A (ko) 2016-05-19 2023-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터
KR102296809B1 (ko) 2016-06-03 2021-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
KR102330605B1 (ko) 2016-06-22 2021-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10411003B2 (en) 2016-10-14 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN108109592B (zh) 2016-11-25 2022-01-25 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其工作方法
JP6867832B2 (ja) 2017-03-09 2021-05-12 三菱電機株式会社 アレイ基板、液晶表示装置、薄膜トランジスタ、およびアレイ基板の製造方法
US11545581B2 (en) * 2019-08-02 2023-01-03 South China University Of Technology Metal oxide (MO) semiconductor and thin-film transistor and application thereof
US20180301288A1 (en) * 2017-04-14 2018-10-18 Hunt Energy Enterprises, L.L.C. Photovoltaic Device Encapsulation
JP6903503B2 (ja) 2017-07-05 2021-07-14 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置および薄膜トランジスタ基板の製造方法
WO2019025893A1 (ja) 2017-07-31 2019-02-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の作製方法
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
CN112041776B (zh) 2018-01-24 2022-06-07 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、电子构件及电子设备
US11209877B2 (en) 2018-03-16 2021-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrical module, display panel, display device, input/output device, data processing device, and method of manufacturing electrical module
KR20210027448A (ko) 2018-07-06 2021-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화질화물막의 제작 방법
US11610998B2 (en) 2018-07-09 2023-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US11948945B2 (en) 2019-05-31 2024-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and wireless communication device with the semiconductor device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000044236A (ja) * 1998-07-24 2000-02-15 Hoya Corp 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3018976B2 (ja) * 1995-12-28 2000-03-13 富士ゼロックス株式会社 半導体受光素子
US5889295A (en) * 1996-02-26 1999-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
US5831277A (en) * 1997-03-19 1998-11-03 Northwestern University III-nitride superlattice structures
JPH11274635A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Hitachi Ltd 半導体発光装置
FR2789496B1 (fr) * 1999-02-10 2002-06-07 Commissariat Energie Atomique Dispositif emetteur et guide de lumiere, avec une region active de silicium contenant des centres radiatifs, et procede de fabrication d'un tel dispositif
TW449937B (en) * 1999-02-26 2001-08-11 Matsushita Electronics Corp Semiconductor device and the manufacturing method thereof
JP3423896B2 (ja) * 1999-03-25 2003-07-07 科学技術振興事業団 半導体デバイス
JP3656456B2 (ja) * 1999-04-21 2005-06-08 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3492551B2 (ja) * 1999-05-21 2004-02-03 スタンレー電気株式会社 ｐ型ＩＩ―ＶＩ族化合物半導体結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置
JP3398638B2 (ja) * 2000-01-28 2003-04-21 科学技術振興事業団 発光ダイオードおよび半導体レーザーとそれらの製造方法
JP2002134772A (ja) * 2000-10-24 2002-05-10 Canon Inc シリコン系薄膜及び光起電力素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000044236A (ja) * 1998-07-24 2000-02-15 Hoya Corp 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1443130A4 *
Z. ANORG. AUG. CHEM., vol. 349, 1967, pages 113 - 23

Cited By (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102867855A (zh) * 2004-03-12 2013-01-09 独立行政法人科学技术振兴机构 薄膜晶体管及其制造方法
US7732251B2 (en) 2004-03-12 2010-06-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of making a semiconductor device having a multicomponent oxide
US9947803B2 (en) 2004-03-12 2018-04-17 Japan Science And Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
US7462862B2 (en) * 2004-03-12 2008-12-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor using an isovalent semiconductor oxide as the active channel layer
CN100539192C (zh) * 2004-03-12 2009-09-09 惠普开发有限公司 具有包括多成分金属氧化物的沟道的半导体器件
US10032930B2 (en) * 2004-03-12 2018-07-24 Japan Science And Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
US9269826B2 (en) 2004-03-12 2016-02-23 Japan Science And Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
WO2005093852A1 (en) * 2004-03-12 2005-10-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device having channel including zinc-indium oxide
JP2010219538A (ja) 2004-03-12 2010-09-30 Japan Science & Technology Agency アモルファス酸化物薄膜
US10032931B2 (en) 2004-03-12 2018-07-24 Japan Science And Technology Agency Switching element
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
WO2005093850A1 (en) * 2004-03-12 2005-10-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device having channel comprising multicomponent metal oxide
US8647031B2 (en) 2004-03-12 2014-02-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of making a semiconductor device having a multicomponent oxide
US9129866B2 (en) 2005-03-28 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and manufacturing method the same
US9786669B2 (en) 2005-03-28 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and manufacturing method the same
JP2014209666A (ja) * 2005-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9640558B2 (en) 2005-06-30 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
US8981443B2 (en) 2005-06-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
US11444106B2 (en) 2005-06-30 2022-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
US10903244B2 (en) 2005-06-30 2021-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
US10224347B2 (en) 2005-06-30 2019-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic appliance
US9318053B2 (en) 2005-07-04 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8743030B2 (en) 2005-09-16 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
US8669550B2 (en) 2005-09-29 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10304962B2 (en) 2005-09-29 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7674650B2 (en) 2005-09-29 2010-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7732819B2 (en) 2005-09-29 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8629069B2 (en) 2005-09-29 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8790959B2 (en) 2005-09-29 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8796069B2 (en) 2005-09-29 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7910490B2 (en) 2005-09-29 2011-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7932521B2 (en) 2005-09-29 2011-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8466463B2 (en) 2005-09-29 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8274077B2 (en) 2005-09-29 2012-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9099562B2 (en) 2005-09-29 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11705523B2 (en) 2005-10-20 2023-07-18 Canon Kabushiki Kaisha Field-effect transistor including transparent oxide and light-shielding member, and display utilizing the transistor
US8368079B2 (en) 2005-11-15 2013-02-05 Semicondutor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including common potential line
US8158464B2 (en) 2005-11-15 2012-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a liquid crystal display device with a semiconductor film including zinc oxide
US8134156B2 (en) 2005-11-15 2012-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including zinc oxide containing semiconductor film
US8525165B2 (en) 2005-11-15 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device with bottom gate zinc oxide thin film transistor
US10444564B1 (en) 2005-12-28 2019-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US10739637B2 (en) 2005-12-28 2020-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7821613B2 (en) 2005-12-28 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8634044B2 (en) 2005-12-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US9703140B2 (en) 2005-12-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US11269214B2 (en) 2005-12-28 2022-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8854191B2 (en) 2006-03-10 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the same
US8797142B2 (en) 2009-04-06 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device, IC card and communication system
US8730186B2 (en) 2009-05-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
US9207798B2 (en) 2009-05-28 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
US8686972B2 (en) 2009-11-20 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US9299474B2 (en) 2010-07-30 2016-03-29 Samsung Display Co., Ltd. Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, sputtering target, and thin-film transistor
US9911858B2 (en) 2010-12-28 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9129997B2 (en) 2010-12-28 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9190523B2 (en) 2011-09-22 2015-11-17 Samsung Display Co., Ltd. Oxide semiconductor, thin film transistor including the same, and thin film transistor array panel including the same
US8743307B2 (en) 2011-11-04 2014-06-03 Samsung Display Co, Ltd. Display device
US9553201B2 (en) 2012-04-02 2017-01-24 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor
US8686426B2 (en) 2012-04-02 2014-04-01 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor having plural semiconductive oxides, thin film transistor array panel and display device including the same, and manufacturing method of thin film transistor
US8957415B2 (en) 2012-05-21 2015-02-17 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor and thin film transistor array panel including the same
US8912027B2 (en) 2012-07-24 2014-12-16 Samsung Display Co., Ltd Display device and method of manufacturing the same
US9105468B2 (en) 2013-09-06 2015-08-11 Sandisk 3D Llc Vertical bit line wide band gap TFT decoder
US9240420B2 (en) 2013-09-06 2016-01-19 Sandisk Technologies Inc. 3D non-volatile storage with wide band gap transistor decoder
US9443907B2 (en) 2013-09-06 2016-09-13 Sandisk Technologies Llc Vertical bit line wide band gap TFT decoder

Also Published As

Publication number Publication date
US20050039670A1 (en) 2005-02-24
EP1443130B1 (en) 2011-09-28
EP1443130A4 (en) 2009-06-03
EP1443130A1 (en) 2004-08-04
US7061014B2 (en) 2006-06-13

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Leedy et al. Conference 8626: Oxide-based Materials and Devices IV

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