JP2009117843A - 垂直型半導体素子及びその製造方法 - Google Patents

垂直型半導体素子及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009117843A
JP2009117843A JP2008286950A JP2008286950A JP2009117843A JP 2009117843 A JP2009117843 A JP 2009117843A JP 2008286950 A JP2008286950 A JP 2008286950A JP 2008286950 A JP2008286950 A JP 2008286950A JP 2009117843 A JP2009117843 A JP 2009117843A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
semiconductor device
insulating film
interlayer insulating
vertical channel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008286950A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5484711B2 (ja
JP2009117843A5 (ja
Inventor
Yong-Hoon Son
龍 勳 孫
Jong-Wook Lee
鍾 ▲いく▼ 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=40622902&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2009117843(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2009117843A publication Critical patent/JP2009117843A/ja
Publication of JP2009117843A5 publication Critical patent/JP2009117843A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5484711B2 publication Critical patent/JP5484711B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
    • H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8221—Three dimensional integrated circuits stacked in different levels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/20—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H10B41/23—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
    • H10B41/27—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
    • H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
    • H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

【課題】垂直型半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子及びその製造方法において、半導体素子は単結晶半導体物質からなり、水平方向に延長される基板１００と前記基板上に複数の層間絶縁膜１０５ａ〜１０５ｅを含む。複数のゲートパターン１３２〜１３２ｄは隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々提供される。単結晶半導体物質の垂直チャンネル１１６は前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される。そして、前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるゲート絶縁膜が具備される。
【選択図】図１

Description

本発明は垂直型半導体素子及びその製造方法に関する。より詳しくは、垂直方向にセルが接続されている半導体素子及びその製造方法に関する。
電子製品は持続的に高集積化が進んでいるが、半導体メモリー素子は高スピード、低消費電力、及び高密度を有する必要がある。このため、半導体素子は今までにも増して、高集積化されていく必要があり、セルトランジスタは垂直及び水平方向アレイに整列された多層積層型素子（ｍｕｌｔｉｐｌｅ‐ｌａｙｅｒｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）として形成される方向で研究されている。
このためのアプローチとしては、平面メモリーセル、例えば、ＮＡＮＤメモリーセルは一般的な水平アレイに形成されている。その次に、垂直方向に前記水平アレイが多数の層で積層される。しかし、このような積層素子はリソグラフィー工程によって形成されることのできる最小フィーチャーサイズで積層膜が形成されることが要求されるため、各素子の信頼性が低下することになる。さらに、駆動トランジスタに含まれる駆動ゲートのサイズが大きければ大きいほど多層に積層される必要がある。それにより、前記薄膜が積層される個数を減少させるためには駆動トランジスタのサイズをさらに縮小させる必要がある。従って、集積化には限界があり、熱的除去に関する問題も生じ得る。
このための他のアプローチとしては、多層積層メモリー素子のチャンネルを垂直方向に形成することが研究されている。垂直チャンネルトランジスタの１つの特徴として、複数のゲート膜は基板上に形成され、垂直チャンネルは複数のゲート膜を垂直に横切るようになる。各々の垂直チャンネルで、下部ゲート膜は下部選択ゲートとして動作し、複数の中間ゲート膜はコントロールゲートとして動作し、上部ゲート膜は上部選択ゲートとして動作する。第１水平方向に互いに隣接する各々の上部選択ゲートは列方向に動作するように互いに接続される。互いに隣接する垂直チャンネルは第２水平方向に接続されて、メモリー素子のビットラインとして動作される。
しかし、垂直チャンネルトランジスタの場合、動作の特性を満足させることと製造工程の難しさがある。一例として、下部及び上部ゲートの垂直方向の端の表面は通常の酸化膜を使用して前記垂直チャンネルから絶縁されている。また、中間ゲート膜であるコントロールゲートの垂直の端の表面はＯＮＯタイプの電荷トラップ膜を使用して前記垂直チャンネルと絶縁される。それによって、前記フローティングゲートを使用するフローティングゲートタイプの不揮発性メモリー素子を作ることが難しい。
これに加えて、垂直チャンネルトランジスタは、チャンネル領域を、ポリシリコンを使用して形成する。しかし、前記ポリシリコンの垂直チャンネルは内部の結晶粒界が含まれていて、前記結晶欠陥はトランジスタ内でトラップサイトを生じさせる。前記結晶欠陥によって半導体素子の抵抗が増加し、その結果、素子の動作速度が遅くなり、素子の電力消費量が増加する。
また、ポリシリコン垂直チャンネルの場合には、セルトランジスタのＯＮＯ電荷トラップ膜内に含まれるトンネル酸化膜を化学気相蒸着方法で形成するしかない。従って、化学気相蒸着法によって形成されたトンネル酸化膜は時間の経過によって急速に劣化してしまうため、素子の内向性及び信頼性が低下される。
本発明の一つの目的は高性能を有しつつ、高集積化された垂直型半導体素子を提供することにある。
本発明の他の目的は前記垂直型半導体素子の製造方法を提供することにある。
本発明の一様態の半導体素子は、単結晶半導体物質からなり、水平方向に延長される基板、前記基板上に複数の層間絶縁膜、隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターン、及び前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される単結晶半導体物質の垂直チャンネルを含み、前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるゲート絶縁膜が具備される。
一実施形態として、前記各々のゲートパターンとゲート絶縁膜の間には電荷トラップ膜が含まれ、前記電荷トラップ膜は、前記ゲートパターン及びゲート絶縁膜の間に垂直方向に延長される第１部分、前記ゲートパターンと隣接する上部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第２部分、及び前記ゲートパターンと隣接する下部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第３部分を含む。
他の実施形態として、前記トラップ膜は、導電物質または半導体物質からなるフローティングゲートを含む。
また他の実施形態として、前記ゲート絶縁膜は熱酸化膜を含む。
また他の実施形態として、上部選択トランジスタの上部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最上部に位置する最上部ゲートパターン、下部選択トランジスタの下部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最下部に位置する最下部ゲートパターン、前記半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタのコントロールゲートに提供され、前記最上部選択ゲート及び最下部選択ゲートの間に位置する複数の残りのゲートパターン、前記半導体素子のワードラインに提供されるように互いに接続され、第１水平方向に配置され、同一層に割当てられるセルトランジスタのコントロールゲート、前記垂直チャンネルによって互いに直列に接続されて半導体素子の共通のセルストリングをなすメモリセルトランジスタ、及び前記半導体素子の第２水平方向に配置され、半導体素子のビットラインと互いに接続される垂直チャンネルの上部を含み、前記半導体素子は半導体メモリー素子を含む。
また他の実施形態として、前記複数の層間絶縁膜は、各々マルチ積層構造からなり、下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜を含み、前記下部及び上部絶縁膜は中間絶縁膜とエッチング選択比を有する物質からなる。
本発明の他の様態の半導体素子は、水平方向に延長される単結晶半導体物質の基板、前記基板上に複数の層間絶縁膜、隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターン、及び前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される単結晶半導体物質の垂直チャンネルを含み、前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルとの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるゲート絶縁膜が具備され、各々の前記ゲートパターンとゲート絶縁膜の間に電荷トラップ膜が具備され、前記電荷トラップ膜は前記ゲートパターンとゲート絶縁膜の間で垂直方向に延長される第１部分、前記ゲートパターンと隣接する上部層間絶縁膜の間で水平方向に延長される第２部分、及び前記ゲートパターンと隣接する下部層間絶縁膜の間で水平方向に延長される第３部分を含む。
一実施形態として、前記基板及び垂直チャンネルは単結晶半導体物質を含む。
他の実施形態として、前記電荷トラップ膜は導電物質または半導体物質からなるフローティングゲートを含む。
他の実施形態として、前記ゲート絶縁膜は熱酸化膜を含む。
他の実施形態として、上部選択トランジスタの上部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最上部に位置する最上部ゲートパターン、下部選択トランジスタの下部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最下部に位置する最下部ゲートパターン、前記半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタのコントロールゲートに提供され、前記最上部選択ゲート及び最下部選択ゲートの間に位置する複数の残りのゲートパターン、及び前記半導体素子のワードラインに提供されるように互いに接続され、第１水平方向に配置され、同一層に割当てられるセルトランジスタのコントロールゲート、前記垂直チャンネルによって互いに直列に接続されて半導体素子の共通のセルストリングをなすメモリセルトランジスタ、及び前記半導体素子の第２水平方向に配置され、半導体素子のビットラインと互いに接続される垂直チャンネルの上部を含み、前記半導体素子は非揮発性メモリー素子を含む。
また他の実施形態として、前記複数の層間絶縁膜は、各々マルチ積層構造からなり、下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜を含み、前記下部及び上部絶縁膜は中間絶縁膜とエッチング選択比を有する。
本発明の他の様態の半導体素子は、水平方向に延長される基板、前記基板上に複数の層間絶縁膜、隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターン、及び前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される単結晶半導体物質の垂直チャンネルを含み、前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるための熱酸化膜を含むゲート絶縁膜が具備される。
一実施形態として、前記基板及び垂直チャンネルは単結晶半導体物質を含む。
他の実施形態として、前記各々のゲートパターンとゲート絶縁膜の間には電荷トラップ膜が含まれ、前記電荷トラップ膜は、前記ゲートパターン及びゲート絶縁膜の間に垂直方向に延長される第１部分、前記ゲートパターンと隣接する上部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第２部分、及び前記ゲートパターンと隣接する下部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第３部分を含む。
また他の実施形態として、前記電荷トラップ膜は導電物質または半導体物質からなるフローティングゲートを含む。
また他の実施形態として、上部選択トランジスタの上部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最上部に位置する最上部ゲートパターン、下部選択トランジスタの下部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最下部に位置する最下部ゲートパターン、半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタのコントロールゲートに提供され、前記最上部選択ゲート及び最下部選択ゲートの間に位置する複数の残りのゲートパターン、前記半導体素子のワードラインに提供されるように互いに接続され、第１水平方向に配置され、同一層に割当てられるセルトランジスタのコントロールゲート、前記垂直チャンネルによって互いに直列に接続されて半導体素子の共通のセルストリングをなすメモリセルトランジスタ、及び前記半導体素子の第２水平方向に配置され、半導体素子のビットラインと互いに接続される垂直チャンネルの上部を含み、前記半導体素子は半導体メモリー素子を含む。
また他の実施形態として、前記複数の層間絶縁膜は、各々マルチ積層構造からなり、下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜を含み、前記下部及び上部絶縁膜は中間絶縁膜とエッチング選択比を有する物質からなる。
本発明の他の様態の半導体素子の製造方法として、水平方向に延長される単結晶半導体物質の基板を提供する段階、前記基板上に複数の層間絶縁膜を提供する段階、隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターンを提供する段階、前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される単結晶半導体物質の垂直チャンネルを提供する段階、及び前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルとの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるゲート絶縁膜を提供する段階を含む。
一実施形態として、前記各々のゲートパターンとゲート絶縁膜の間には電荷トラップ膜を提供する段階をさらに含み、前記電荷トラップ膜は、前記ゲートパターン及びゲート絶縁膜の間に垂直方向に延長される第１部分、前記ゲートパターンと隣接する上部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第２部分、及び前記ゲートパターンと隣接する下部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第３部分を含む。
他の実施形態として、前記電荷トラップ膜は、導電物質または半導体物質からなるフローティングゲートを含む。
また他の実施形態として、前記ゲート絶縁膜を提供する段階は、熱酸化膜を形成する工程を含む。
また他の実施形態として、上部選択トランジスタの上部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最上部に位置する最上部ゲートパターン、下部選択トランジスタの下部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最下部に位置する最下部ゲートパターン、前記半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタのコントロールゲートに提供され、前記最上部選択ゲート及び最下部選択ゲートの間に位置する複数の残りのゲートパターン、及び前記半導体素子のワードラインに提供されるように互いに接続され、第１水平方向に配置され、同一層に割当てられるセルトランジスタのコントロールゲートを含み、これに加えて、前記半導体素子の共通ストリングのメモリーセルのトランジスタを直列に接続させる段階と前記半導体素子のビットラインに提供されるように前記素子の第２水平方向に配置される垂直チャンネルの上部を接続させる段階を含み、ここで前記半導体素子は半導体メモリー素子である。
また他の実施形態として、各々の前記複数の層間絶縁膜を提供する段階は、下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜を含むマルチ積層構造を提供することを含み、前記下部及び上部絶縁膜は中間絶縁膜とエッチング選択比を有する物質からなる。
本発明の他の様態の半導体素子の製造方法として、水平方向に延長される単結晶半導体物質の基板を提供する段階、前記基板上に複数の層間絶縁膜を提供する段階、隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターンを提供する段階、前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される単結晶半導体物質の垂直チャンネルを提供する段階、前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるゲート絶縁膜を提供する段階、及び各々の前記ゲートパターンとゲート絶縁膜の間に電荷トラップ膜を提供する段階と含み、前記電荷トラップ膜は前記ゲートパターンとゲート絶縁膜の間で垂直方向に延長される第１部分、前記ゲートパターンと隣接する上部層間絶縁膜の間で水平方向に延長される第２部分、及び前記ゲートパターンと隣接する下部層間絶縁膜の間で水平方向に延長される第３部分を含む。
一実施形態として、前記基板を提供する段階は、単結晶半導体物質を含む基板を提供することを含み、前記垂直チャンネルを提供する段階は、単結晶半導体物質を含む垂直チャンネルを提供することを含む。
他の実施形態として、前記電荷トラップ膜は導電物質または半導体物質からなるフローティングゲートを含む。
また他の実施形態として、前記ゲート絶縁膜は、熱酸化膜を含む。
また他の実施形態として、上部選択トランジスタの上部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最上部に位置する最上部ゲートパターン、下部選択トランジスタの下部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最下部に位置する最下部ゲートパターン、前記半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタのコントロールゲートに提供され、前記最上部選択ゲート及び最下部選択ゲートの間に位置する複数の残りのゲートパターン、及び前記半導体素子のワードラインに提供されるように互いに接続され、第１水平方向に配置され、同一層に割当てられるセルトランジスタのコントロールゲートを含み、これに加えて、前記半導体素子の共通ストリングのメモリーセルのトランジスタを直列に接続させる段階と前記半導体素子のビットラインに提供されるように前記素子の第２水平方向に配置される垂直チャンネルの上部を接続させる段階を遂行し、前記半導体素子は非揮発性半導体メモリー素子である。
他の実施形態として、各々の前記複数の層間絶縁膜を形成する段階は、下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜を含むマルチ積層構造を形成する段階を含み、前記下部及び上部絶縁膜は中間絶縁膜とエッチング選択比を有する物質からなる。
本発明の他の様態の半導体素子の製造方法として、水平方向に延長される基板を提供する段階、前記基板上に複数の層間絶縁膜を提供する段階、隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターンを提供する段階、前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される単結晶半導体物質の垂直チャンネルを提供する段階、及び前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるための熱酸化膜を含むゲート絶縁膜を提供する段階を含む。
一実施形態として、前記基板を提供する段階は、単結晶半導体物質を含む基板を提供する段階を含み、前記垂直チャンネルを提供する段階は、単結晶半導体物質を含む垂直チャンネルを提供する段階を含む。
他の実施形態として、前記各々のゲートパターンとゲート絶縁膜の間には電荷トラップ膜を提供する段階をさらに含み、前記電荷トラップ膜は、前記ゲートパターン及びゲート絶縁膜の間に垂直方向に延長される第１部分、前記ゲートパターンと隣接する上部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第２部分、及び前記ゲートパターンと隣接する下部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第３部分を含む。
他の実施形態として、前記電荷トラップ膜は導電物質または半導体物質からなるフローティングゲートを含む。
他の実施形態として、上部選択トランジスタの上部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最上部に位置する最上部ゲートパターン、下部選択トランジスタの下部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最下部に位置する最下部ゲートパターン、前記半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタのコントロールゲートに提供され、前記最上部選択ゲート及び最下部選択ゲートの間に位置する複数の残りのゲートパターン、及び前記半導体素子のワードラインに提供されるように互いに接続され、第１水平方向に配置され、同一層に割当てられるセルトランジスタのコントロールゲートを含み、これに加えて、前記半導体素子の共通ストリングのメモリーセルのトランジスタを直列に接続させる段階及び前記半導体素子のビットラインに提供されるように前記素子の第２水平方向に配置される垂直チャンネルの上部を接続させる段階を含み、前記半導体素子は半導体メモリー素子である
他の実施形態として、各々の前記複数の層間絶縁膜を提供する段階は、下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜を含むマルチ積層構造を提供する段階を含み、前記下部及び上部絶縁膜は中間絶縁膜とエッチング選択比を有する物質からなる。
本発明の半導体素子では単結晶垂直チャンネルが使用される。これによって、結晶欠陥が減少し、トラップサイトの数が減少し、素子の抵抗が減少して半導体素子の動作速度が速くなり、消費電力が減少される。これに加えて、本発明の半導体素子に含まれる電荷トラップ膜は、垂直チャンネルに形成されているコントロールゲートを取り囲む形状を有するため、工程が簡単になって信頼性が高くなる。また、本発明の半導体素子は、電荷トラップ膜と垂直チャンネルの間に位置するトンネル酸化膜が熱酸化膜として形成されるため、経時変化による劣化が減少され、素子の信頼性及び耐久性が向上される。また、素子動作の特性を容易に設計・変更できる。
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
本明細書に開示されている本発明の実施形態に対して、特定の構造的ないしは機能的説明はただ本発明の実施形態を説明するための目的として例示されたもので、本明細書において説明された実施形態に限定されることとして解釈されてはならない。従って、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物ないしは代替物を含むことと理解されるべきである。
本発明において、各図面を説明しながら類似する参照符号を類似する構成要素に対して使用した。添付図面において、構造物のサイズは本発明の明確性を期するために実際より拡大して図示した。
本発明において、第１、第２などの用語は多様な構成要素の説明に使用できるが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはならない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的のみで使用される。
本発明において使用された用語はただ、特定の実施形態を説明するために使用されたもので、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は文脈上において明白に別であることとしない限り、複数の表現を含む。本出願で、「含む」または「有する」などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、１つまたはそれ以上の他の特徴、数字、段階、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないことと理解されるべきである。
本発明において、各層（膜）、領域、電極、パターン、または構造物が対象体、基板、各層（膜）、領域、電極、またはパターンの「上に」、「上部に」または「下部」に形成されることと言及される場合には各層（膜）、領域、電極、パターン、または構造物が直接基板、各層（膜）、領域、電極、またはパターンの上に形成されるか、下に位置することを意味するか、或いは他の層（膜）、他の領域、他の電極、他のパターン、または他の構造物が対象体または基板上に追加的に形成されることができる。
[実施形態１]
図１は、本発明の実施形態１による垂直チャンネルメモリー素子の切開斜視図である。図２は本発明の実施形態１による垂直チャンネルメモリー素子で１つのセルトランジスタを示す断面図である。
図１を参照すれば、単結晶半導体物質からなる基板１００が具備される。他の例として、前記基板１００はバルク単結晶物質、単結晶ＳＯＩ構造、またはこれとは異なる適切な基板構造からなり得る。前記基板１００は水平方向に延長されている。前記基板上には選択的にパッド酸化膜１０２（図２参照）が具備される。前記パッド酸化膜１０２上には複数の層間絶縁膜（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ）が具備される。複数のゲートパターン（１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄ）が具備され、前記各々のゲートパターンは隣接する下部層間絶縁膜（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ）及び隣接する上部層間層間絶縁膜（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ）の間に位置する。例えば、図面符号１３２ａのゲートパターンは隣接する下部層間絶縁膜１０５ａと隣接する上部層間絶縁膜１０５ｂの間に位置し、図面符号１３２ｂのゲートパターンは隣接する下部層間絶縁膜１０５ｂと隣接する上部層間絶縁膜１０５ｃの間に位置し、図面符号１３２ｃのゲートパターンは隣接する下部層間絶縁膜１０５ｃと隣接する上部層間絶縁膜１０５ｄの間に位置する。
単結晶半導体物質からなる垂直チャンネル１１６は垂直方向に延長され、複数の層間絶縁膜（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ）及び複数のゲートパターン（１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄ）を貫通する。前記垂直チャンネル１１６は前記各々のゲートパターン（１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄ）によって取り囲まれている。例えば、図面符号１３２ａのゲートパターンは前記垂直チャンネル１１６の最下部の側壁部位の周辺を取り囲んでいる。また、他のゲートパターン（１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄ）も同一形状を有しつつ前記垂直チャンネル１１６の側壁部位の周辺を取り囲んでいる。ゲート絶縁膜（１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ）は前記各々のゲートパターン（１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄ）と前記垂直チャンネル１１６の間に提供される。一例として、前記ゲート絶縁膜（１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ）は熱酸化膜（ｔｈｅｒｍａｌ ｏｘｉｄｅ ｌａｙｅｒ）を含む。
一実施形態として、前記垂直チャンネルメモリー素子は不揮発性素子であり、電荷トラップ膜１２６は各々互いに対応する前記ゲートパターン（１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄ）と前記ゲート絶縁膜（１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ）の間に具備される。一実施形態として、図２を参照すれば、前記電荷トラップ膜は前記ゲートパターン１３２ａとゲート絶縁膜１２４ａの間で垂直方向に延長される第１部分１２７ａと、前記ゲートパターン１３２ａと隣接する上部層間絶縁膜１０５ｂの間に水平方向に延長される第２部分１２７ｂと、前記ゲートパターン１３２ａと隣接する上部層間絶縁膜１０５ａの間に水平方向に延長される第３部分１２７ｃを含む。ブロッキング絶縁膜１２８は絶縁物質からなり、前記電荷トラップ膜１２６と前記ゲートパターン（１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄ）の間に配置される。
他の実施形態として、前記電荷トラップ膜１２６は導電物質または半導体物質を含むフローティングゲートに形成することができる。前記電荷トラップ膜１２６はＯＮＯ、窒化膜、ポリシリコンまたは量子ドット構造を含むことができる。
一実施形態として、本発明の実施形態による半導体メモリー素子は、複数のゲートパターンのうち、最上部ゲートパターン、例えば、図面符号１３２ｄのゲートパターンは上部選択トランジスタの上部選択ゲートとして使用できる。また複数のゲートパターンのうち、最下部ゲートパターン、例えば、図面符号１３２ａのゲートパターンは下部選択トランジスタの下部選択ゲートとして使用できる。残りのゲートパターン、例えば、前記上・下部選択パターン（１３２ｄ、１３２ａ）の間の複数のゲートパターンである図面符号１３２ｂ、１３２ｃのゲートパターンは半導体素子の共通ストリングに含まれるセルトランジスタのコントロールゲートとして使用される。半導体素子の第１水平方向に配列され、同一層に割当てられるメモリセルトランジスタのコントロールゲートは前記半導体素子のワードラインとして提供されるように互いに接続される。前記半導体素子で共通ストリングのメモリセルトランジスタは前記垂直チャンネル１１６によって直列接続されている。前記半導体素子の第２水平方向に配列されている前記垂直チャンネル１１６の最上部は互いに接続される。例えば、図面符号１４０のラインによって接続されることができ、前記ラインは前記半導体素子のビットラインに提供される。本実施形態において、本発明を明確に説明しようとする目的で各々の垂直チャンネルにはただ２つのメモリーセルのみを図示している。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。各々の垂直チャンネルには１つのセルトランジスタまたは複数のさらに多いセルトランジスタが具備されることができ、例えば、２、４、８、１６または３６個のセルトランジスタが具備されることができる。
一実施形態として、前記複数の層間絶縁膜は積層された構造を有し、下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜を含むことができる。前記下部及び上部絶縁膜は前記層間絶縁膜に対して、エッチング選択比を有する物質からなる。これに対しては、後に図１９及び図２０〜図３１を参照しつつさらに詳しく説明する。
図３〜図１８は、本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。
図３を参照すれば、基板１００を準備する。前記基板１００は単結晶半導体物質からなる基板を含む。具体的に、前記基板１００は単結晶シリコン基板であることができる。前記基板１００は前記単結晶垂直チャンネルを形成するためのシード膜として提供される。選択的に、前記基板１００の上部面にはパッド酸化膜１０２を形成できる。前記パッド酸化膜１０２上に層間絶縁膜（１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄ、１０４ｅ）及び犠牲膜（１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄ、１０６ｅ）を互いに交替して形成する。一例として、前記層間絶縁膜１０４及び犠牲膜１０６は互いにエッチング選択比を有する。例えば、前記層間絶縁膜１０４はシリコン窒化物からなり、前記犠牲膜１０６はシリコン酸化物からなり得る。これとは別に、前記層間絶縁膜１０４はシリコン酸化物からなり、前記犠牲膜１０６はシリコン窒化物からなり得る。一例として、前記犠牲膜は湿式エッチング工程を通じて除去できる物質で形成されることが望ましい。
図４を参照すれば、前記層間絶縁膜１０４、犠牲膜１０６、パッド酸化膜１０２を垂直方向に貫通する第１開口部１１０を形成する。図示されたように前記第１開口部１１０は水平方向に互いに離隔されている。前記第１開口部１１０の底面には前記基板１００の表面が露出される。
図５を参照すれば、前記第１開口部１１０の内部を埋めるように第１非晶質シリコン膜１１２または第１ポリシリコン膜１１２を形成する。前記第１非晶質シリコン膜１１２または第１ポリシリコン膜１１２は前記基板と接触する。一実施形態として、前記第１非晶質シリコン膜１１２または第１ポリシリコン膜１１２は化学気相蒸着工程を通じて形成される。しかし、前記第１ポリシリコン膜１１２または第１非晶質シリコン膜１１２は他の適切な蒸着工程を通じても形成できる。一実施形態として、現段階で前記第１ポリシリコン膜１１２または第１非晶質シリコン膜１１２に不純物をドーピングすることができ、例えば、Ｎ型不純物をドーピングすることができる。
図６を参照すれば、前記第１ポリシリコン膜１１２または第１非晶質シリコン膜１１２を熱処理して単結晶シリコンパターン１１４に相転移させる。前記相転移は前記基板１００表面下の単結晶によって前記基板１００の単結晶と同一の単結晶に変わる。本実施形態において、前記熱処理はレーザー強化エピタキシャル成長工程（ｌａｓｅｒ‐ｉｎｄｕｃｅｄ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ；ＬＥＧ）を通じて遂行でき、これを通じて単結晶シリコンパターン１１４が得られる。
他の実施形態として、図３９を参照すれば、単結晶シリコンパターン１１４‐１は前記基板１００の上部表面から開口部１１０−１内で選択的エピタキシャル工程（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ；ＳＥＧ）を通じて成長させて形成できる。前記選択的エピタキシャル工程は露出されている基板１００領域をシードにして遂行される。前記露出された基板１００領域は半導体物質からなり、例えば、単結晶半導体物質からなる。
図７を参照すれば、前記最上部の犠牲膜１０６ｅの上部面に対して選択的に化学機械的研磨工程を遂行して、前記最上部の層間絶縁膜１０４ｅを露出させる。前記工程を遂行することで、前記単結晶シリコンパターン１１４の最上部面が除去され、平らになる。
図８を参照すれば、隣接する前記単結晶シリコンパターン１１４の間の第２開口部１２０を形成する。これによって、層間絶縁膜パターン（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ、１０５ｅ）及び犠牲膜パターン（１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄ）が形成される。一実施形態として、前記第２開口部１２０の底面には前記最下部の層間絶縁膜パターン１０５ａが露出される。前記工程を遂行することにより、前記垂直チャンネルに沿って前記コントロールゲート及びフローティングゲートが形成される領域が指定される。
図９を参照すれば、前記犠牲膜パターン（１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄ）を、湿式エッチング工程を通じて除去する。前記犠牲膜パターン（１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄ）は例えば、フッ化水素酸水溶液（ＨＦ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を使用して除去できるシリコン酸化膜に形成できる。その結果、前記単結晶シリコンパターンの側壁周辺を取り囲む凹部１２２が生成され、前記凹部により前記単結晶シリコンパターン１１４の側壁が露出される。図１０は前記工程を遂行した結果、表れる斜視図である。
図１１を参照すれば、前記単結晶シリコンパターン１１４の露出された不純物をドーピング１２１する。例えば、前記露出された側壁にＰ型不純物を注入できる。前記不純物の注入はプラズマドーピング（ｐｌａｓｍａ ｄｏｐｉｎｇ；ＰＬＡＤ）工程を通じて遂行できる。
図５で既に説明したように、前記単結晶シリコン１１４のボディーはＮ型不純物がドーピングされている。従って、図２に示したように前記露出された単結晶シリコンパターン１１４の側壁のみにＰ型ドーピング領域が形成されることにより、前記単結晶シリコンパターン１１４の露出された側壁にＰ型チャンネル領域１１７ａが生成される。そして、前記Ｐ型チャンネル領域１１７ａは前記垂直チャンネル１１６のＮ型ソース／ドレイン領域１１７ｂの間に位置するようになる。前記Ｐ型チャンネル領域１１７ａは前記層間絶縁膜パターン（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ）の各々の位置によって垂直チャンネル１１６内にセルフアラインされる。また、図２に図示されたように、前記Ｐ型チャンネル領域１１７ａは前記垂直チャンネル１１６のボディー全体を横切るように延長されることができる。これとは別に、前記Ｐ型チャンネル領域１１７ａは前記垂直チャンネル１１６の表面の下のみに具備されることができる。
図１２を参照すれば、前記垂直チャンネル１１６の露出された表面にトンネル酸化膜（１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ）を形成する。前記トンネル酸化膜（１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ）は前記垂直チャンネル１１６を取り囲む。例えば、前記垂直チャンネル１１６が円筒形状を有する場合、前記トンネル酸化膜（１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ）はリング形状を有することができる。一実施形態において、前記トンネル酸化膜（１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ）は熱酸化工程を使用して形成されることができる。前記熱酸化形状を通じて形成されるトンネル酸化膜（１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ）は時間による劣化がさらに減少されるため、耐久性と信頼性が向上される。
図１３を参照すれば、前記結果物、前記トンネル酸化膜（１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄ）及び層間絶縁膜パターン（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ）を含む凹部１２２の側壁に電荷トラップ膜１２６を蒸着する。他の実施形態として、前記電荷トラップ膜１２６はフローティングゲート構造を有することができる。例えば、前記電荷トラップ膜１２６はポリシリコン物質からなり得る。他の実施形態として、前記電荷トラップ膜１２６はＯＮＯ構造、窒化膜構造、ポリシリコン構造、または量子ドット構造を有することができる。フローティングゲート電荷トラップ膜１２６は本発明の一実施形態として可能であり、これは前記凹部の前記トンネル酸化膜上に形成される。
前記電荷トラップ膜１２６を覆うように前記結果物上にブロッキング絶縁膜１２８を形成する。一実施形態として、前記ブロッキング絶縁膜１２８はシリコン酸化物または高誘電率酸化膜に形成できる。
図１４を参照すれば、前記第２開口部１２０及び凹部１２２の内部を完全に埋めるように導電物質を蒸着する。その結果、導電パターン１３０が形成される。一実施形態として、前記導電物質はタングステンシリサイドを含む。
図１５を参照すれば、前記導電パターン１３０の中心部位をエッチングして、前記最下部層間絶縁膜１０５ａ及び層間絶縁膜パターン（１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ）の外側壁が露出される第３開口部１３４を形成する。前記導電パターン１３０の分けられた部位によって、ゲートパターン（１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄ）は前記凹部１２２の内部のみを埋める形状を有する。また、前記電荷トラップ膜が分けられることによって、個別的な電荷トラップパターンに形成される。図１６は前記工程を遂行する結果、現れる斜視図である。
図１７を参照すれば、前記第３開口部１３４は絶縁パターン１３６で埋まる。
図１８を参照すれば、前記垂直チャンネル１１６上に導電ビットライン１４０を形成する。前記導電ビットライン１４０は、図１にも示されたように、前記半導体素子の第２水平方向に隣接する垂直チャンネル１１６が互いに接続されるように形成される。
図１９は、本発明の他の実施形態による垂直メモリー素子の断面図である。本実施形態は、図１、図２、及び図３〜図１８において説明された実施形態と実質的に同一の構成を有する。しかし、本実施形態の層間絶縁膜パターンが１つの膜ではなく、複数の膜が積層された構造を有することに差がある。
図１９を参照すれば、本実施形態において、単結晶半導体物質の基板２００が提供される。前記基板２００は水平方向に延長される。前記基板２００上に複数の層間絶縁膜（２０２、２０５、２０７、２０９、２１１）が提供される。複数のゲートパターン（２５８ａ、２５８ｂ、２５８ｃ、２５８ｄ）が提供される。各々のゲートパターン（２５８ａ、２５８ｂ、２５８ｃ、２５８ｄ）は隣接する前記下部層間絶縁膜パターン（２０２、２０５、２０７、２０９、２１１）と隣接する前記上部層間絶縁膜パターン（２０２、２０５、２０７、２０９、２１１）の間に配置される。
単結晶半導体物質の垂直チャンネル２３０は複数の層間絶縁膜パターン（２０２、２０５、２０７、２０９、２１１）及び複数のゲートパターン（２５８ａ、２５８ｂ、２５８ｃ、２５８ｄ）を貫通して垂直方向に延長される。前記垂直チャンネル２３０は各々の前記ゲートパターン（２５８ａ、２５８ｂ、２５８ｃ、２５８ｄ）によって取り囲まれている。ゲート絶縁膜（２３８ａ、２３８ｂ、２３８ｃ、２３８ｄ）は各々の前記ゲートパターン（２５８ａ、２５８ｂ、２５８ｃ、２５８ｄ）と前記垂直チャンネル２３０の間に提供される。前記ゲート絶縁膜（２３８ａ、２３８ｂ、２３８ｃ、２３８ｄ）は対向する前記ゲートパターン（２５８ａ、２５８ｂ、２５８ｃ、２５８ｄ）を前記垂直チャンネル２３０から絶縁させる。一実施形態として、前記で説明したように、前記ゲート絶縁膜（２３８ａ、２３８ｂ、２３８ｃ、２３８ｄ）は熱酸化膜からなり得る。
例えば、前記垂直チャンネルメモリー素子は非揮発性メモリー素子であり得る。この場合、各々対向する前記ゲートパターン（２５８ａ、２５８ｂ、２５８ｃ、２５８ｄ）とゲート絶縁膜（２３８ａ、２３８ｂ、２３８ｃ、２３８ｄ）の間に電荷トラップ膜２５０が提供される。一実施形態として、図２に示されたように、前記電荷トラップ膜２５０は前記ゲートパターン１３２ａとゲート絶縁膜１２４ａの間に垂直方向に延長される第１部分１２７ａ、前記ゲートパターン１３２ａと隣接する上部層間絶縁膜１０５ｂの間に水平方向に延長される第２部分１２７ｂ、及び前記ゲートパターン１３２ａと隣接する下部層間絶縁膜１０５ａの間に水平方向に延長される第３部分１２７ｃを含む。前記電荷トラップ膜２５０及び前記ゲートパターン（２５８ａ、２５８ｂ、２５８ｃ、２５８ｄ）の間には絶縁物質からなるブロッキング絶縁膜２５２が具備される。
他の実施形態として、前記電荷トラップ膜２５０は導電物質または半導体物質を含むフローティングゲートに形成されることができる。また、前記電荷トラップ膜２５０はＯＮＯ、窒化膜、ポリシリコン、または量子ドット構造を含むことができる。
一実施形態として、本発明の実施形態による半導体メモリー素子で、複数のゲートパターンのうち、最上部ゲートパターン、すなわち、図面符号２５８ｄのゲートパターンは上部選択トランジスタの上部選択ゲートとして使用できる。また、前記複数のゲートパターンのうち、最下部ゲートパターン、すなわち、図面符号２５８ａのゲートパターンは下部選択トランジスタの下部選択ゲートとして使用できる。前記上部及び下部選択ゲートパターンの間に位置する複数の残りのゲートパターン、即ち、図面符号２５８ｂ、２５８ｃのゲートパターンは半導体素子で共通ストリング内のメモリセルトランジスタのコントロールゲートとして使用される。半導体素子の第１水平方向に配列され、同一層に割当てられるメモリセルトランジスタのコントロールゲートは前記半導体素子のワードラインとして提供される。前記半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタは前記垂直チャンネル２３０によって直列接続されている。前記半導体素子の第２水平方向に配列されている前記垂直チャンネル２３０の最上部は互いに接続される。例えば、図面符号２６２のラインによって接続され、これは半導体素子のビットラインに提供される。本実施形態で発明を明確に説明しようとする目的で各々の垂直チャンネルにはただ２つのメモリーセルのみを図示している。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。各々の垂直チャンネルには１つのセルトランジスタまたは複数のさらに多いセルトランジスタが具備されることができ、例えば、２、4、８、１６または３６個のセルトランジスタが具備されることができる。
図２０〜図３１は本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す断面図である。
図２０を参照すれば、基板２００を準備する。一実施形態において、前記基板２００は単結晶半導体物質の基板を含む。前記基板２００は単結晶垂直チャンネルを形成するためのシード膜として提供される。前記基板２００上に層間絶縁膜（２０２、２０４、２０６、２０８、２１０）及び犠牲膜（２１２、２１４、２１６、２１８）を互いに交替して形成する。一例として、前記層間絶縁膜（２０２、２０４、２０６、２０８、２１０）は複数の膜が積層された構造を有する。例えば、最下部層間シリコン膜２０２はシリコン酸化物からなる下部絶縁膜２０２ａとシリコン窒化物からなる上部絶縁膜２０２ｂを含む。これと類似に、最上部層間絶縁膜２１０はシリコン窒化物からなる下部絶縁膜２１０ａとシリコン酸化物からなる上部絶縁膜２１０ｂを含む。
前記最下部及び最上部の層間絶縁膜（２０２、２１０）の間に位置する前記層間絶縁膜、すなわち、図面符号２０４、２０６、２０８の層間絶縁膜は各々シリコン窒化物からなる下部絶縁膜（２０４ａ、２０６ａ、２０８ａ）とシリコン酸化物からなる中間絶縁膜（２０４ｂ、２０６ｂ、２０８ｂ）及びシリコン窒化物からなる上部絶縁膜（２０４ｃ、２０６ｃ、２０８ｃ）からなる。ここで、前記下部及び上部絶縁膜は前記中間絶縁膜とエッチング選択比を有する物質からなる。一実施形態として、前記犠牲膜（２１２、２１４、２１６、２１８）は前記シリコン酸化物とシリコン窒化物の両方に対してエッチング選択比を有する物質からなる。例えば、前記犠牲膜（２１２、２１４、２１６、２１８）はシリコンゲルマニウムからなることができる。ここで、前記犠牲膜（２１２、２１４、２１６、２１８）は後続工程において湿式エッチング工程を通じて速く除去されることができる。
図２１を参照すれば、図示されたように、前記層間絶縁膜（２０２、２０４、２０６、２０８、２１０）及び犠牲膜（２１２、２１４、２１６、２１８）を垂直方向に貫通する第１開口部２２０を形成する。前記第１開口部２２０は水平方向に互いに離隔される。前記第１開口部２２０の底面には前記基板２００の上部面が露出される。これによって、パターニングされた構造２２４が形成される。
図２２を参照すれば、前記パターニングされた構造２２４の第１開口部の内側壁にシリコン酸化スペーサー２３８を形成する。前記スペーサー２３８は前記においても説明したように、レーザーエピタキシャル成長工程（ＬＥＧ）を使用して単結晶垂直チャンネルを形成するか、またはＳＥＧ工程を使用して単結晶垂直チャンネルに成長させるために提供される。前記スペーサー２３８は単結晶シリコンを成長させる際、単結晶欠陥の発生を防止する役割をする。また、前記スペーサー２３８は前記パターニングされた構造２２４の側壁が露出されないようにする役割をする。
図２３を参照すれば、前記第１開口部２２０の内部を埋めるように第１非晶質シリコン膜２２８または第１ポリシリコン膜２２８を形成する。前記第１非晶質シリコン膜２２８または第１ポリシリコン膜２２８は前記基板の上部面と電気的に接続される。一実施形態として、前記第１非晶質シリコン膜２２８または第１ポリシリコン膜２２８は化学気相蒸着工程を通じて形成される。しかし、前記第１ポリシリコン膜２２８または第１非晶質シリコン膜２２８は他の蒸着工程を通じても形成できる。一実施形態として、現段階で前記第１ポリシリコン膜２２８または第１非晶質シリコン膜２２８に不純物をドーピングすることができ、例えば、Ｎ型不純物をドーピングできる。
図２４を参照すれば、前記第１ポリシリコン膜２２８または第１非晶質シリコン膜２２８を熱処理して単結晶シリコンパターン２３０に相転移させる。前記相転移は前記基板２００の表面下の単結晶によって前記基板２００の単結晶と同一の単結晶に変わる。本実施形態において、前記熱処理はレーザー強化エピタキシャル成長工程（ＬＥＧ）を通じて遂行されることができ、これを通じて単結晶シリコンパターン２３０が得られる。
他の実施形態として、選択的エピタキシャル工程（ＳＥＧ）を遂行して、図２２の開口部内の前記上部表面から単結晶シリコンを成長させ、前記単結晶シリコンパターン２３０を形成することができる。
図２５を参照すれば、前記結果物の最上面が除去されるように選択的に化学機械的研磨工程を遂行し、前記最上部の単結晶シリコンパターン２３０の上部面を平らにする。隣接する前記単結晶シリコンパターン２３０の間に複数の第２開口部２３２を形成する。これによって、前記層間絶縁膜パターン（２０２、２０５、２０７、２０９、２１１）及び犠牲膜パターンが形成される。一実施形態として、前記第２開口部２３２の底面には前記最下部の層間絶縁膜パターン２０２が露出される。前記工程を遂行することにより、前記垂直チャンネル２３０に沿って前記コントロールゲート及びフローティングゲートの形成される領域が指定される。その次に、前記犠牲膜パターン（２１２、２１４、２１６、２１８）を、湿式エッチング工程を通じて除去する。前記犠牲膜パターン（２１２、２１４、２１６、２１８）は例えば、ポリシリコンゲルマニウムに形成されることができ、湿式エッチング工程時の湿式エッチング液としてはフッ化水素酸水溶液及び酸化剤Ａの混合液を使用することができる。
その結果、前記単結晶シリコンパターン２３０の側壁を取り囲む凹部２３４が形成され、前記凹部２３４の側壁にはスペーサー２３８が露出される。
図２６を参照すれば、露出されている前記スペーサー２３８は湿式エッチング工程を通じて後で除去される。一実施形態として、前記スペーサー２３８はシリコン酸化物からなることができ、湿式エッチング工程で湿式エッチング液はＨＦ受容液を含む。
このとき、図１１を参照しつつ説明したように、前記単結晶シリコンパターン２３０の露出された側壁に不純物をドーピングさせる。その結果、チャンネル領域は前記層間絶縁膜パターン（２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃ、２０５ｄ）の各々の位置によって垂直チャンネル１１６内にセルフアラインされる。
図２７を参照すれば、前記垂直チャンネル２３０の露出された側壁にトンネル酸化膜（２３８ａ、２３８ｂ、２３８ｃ、２３８ｄ）を形成する。前記トンネル酸化膜（２３８ａ、２３８ｂ、２３８ｃ、２３８ｄ）は前記垂直チャンネルを取り囲む。例えば、前記垂直チャンネル２３０が円筒形状を有する場合、前記トンネル酸化膜（２３８ａ、２３８ｂ、２３８ｃ、２３８ｄ）はリング形状を有することができる。一実施形態において、前記トンネル酸化膜（２３８ａ、２３８ｂ、２３８ｃ、２３８ｄ）は熱酸化工程を使用して形成されることができる。前記熱酸化形状を通じて形成されるトンネル酸化膜は時間による劣化がさらに減少されるため、耐久性と信頼性が向上される。
図２８を参照すれば、前記結果物、前記トンネル酸化膜（２３８ａ、２３８ｂ、２３８ｃ、２３８ｄ）及び層間絶縁膜パターン（２０５、２０７、２０９、２１１）を含む凹部２３４の側壁に電荷トラップ膜２５０を蒸着する。他の実施形態として、前記電荷トラップ膜２５０はフローティングゲート構造を有することができる。例えば、前記電荷トラップ膜２５０はポリシリコン物質を含むことができる。また他の実施形態として、前記電荷トラップ膜２５０はＯＮＯ構造、窒化膜構造、ポリシリコン構造、または量子ドット構造を有することができる。フローティングゲート構造電荷トラップ膜２５０は本発明の一実施形態として可能であるため、前記凹部２３４内で前記トンネル酸化膜（２３８ａ、２３８ｂ、２３８ｃ、２３８ｄ）上のみに電荷トラップ膜が位置する。前記電荷トラップ膜２５０を覆うように前記結果物上にブロッキング絶縁膜２５２を形成する。一実施形態として、前記ブロッキング絶縁膜２５２はシリコン酸化物または高誘電率酸化膜に形成できる。前記第２開口部２３２及び凹部２３４の内部を完全に埋めるように導電物質を蒸着する。その結果、導電パターン２５４が形成される。一実施形態として、前記導電パターン２５４はタングステンシリサイドを含む。
図２９を参照すれば、前記導電パターン２５４の中心部位をエッチングして、前記最下部層間絶縁膜２０２及び層間絶縁膜パターン（２０５、２０７、２０９、２１１）の外側壁が露出される第３開口部２５６を形成する。前記導電パターン２５４の分けられた部位によって、前記凹部２３４の内部のみが埋まる形状のゲートパターンが形成され、前記電荷トラップ膜が分けられて、個別的な電荷トラップパターンが形成される。
図３０を参照すれば、前記第３開口部２５６を絶縁パターンで埋める。
図３１を参照すれば、導電ビットライン２６２を形成する。前記導電ビットライン２６２は、図１にも示されたように、前記半導体素子の第２水平方向に隣接する垂直チャンネル２３０が接続するように形成される。
図３２は、本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の断面図である。図示のように、垂直チャンネルメモリー素子は基板３００上にコア及びペリフェラル回路３０２が具備される。図３２を参照すれば、セル構造は前記コア及びペリフェラル回路３０２上に具備される。一実施形態として、複数のペリフェラル回路トランジスタ３１６は基板３００上に提供される。第１層間絶縁膜３１８はペリフェラル回路トランジスタ上に位置する。そして、第１層間コンタクト３２０は電気的に接続される下部のトランジスタと接続され、第１層間絶縁膜３１８上に形成されている導電性ヴィア３２２とも接続される。類似的に、第２及び第３層間絶縁膜（３２４、３３０）、これに対応する第２層間コンタクト３２６、第２及び第３導電性ヴィア３２２はセル構造３３４及びペリフェラル回路領域３０２の間の信号を伝達するためのラインとして提供される。
図１、図２及び図７〜図１８に図示されたように、単結晶シリコン基板３３２を含むセル構造３３４はペリフェラル回路領域３０２の第３層間絶縁膜３３０上に位置する。第４層間絶縁膜３４０は前記結果物上に提供され、層間コンタクト３４２及び導電性ヴィア３４４を含む。前記層間コンタクト３４２及び導電性ヴィア３４４は前記ワードライン信号及びビットライン信号を含む信号を前記セル構造３３４に伝達する。
図３３〜図３７は、図３２に図示された垂直チャンネルメモリー素子の形成方法を説明するための断面図である。以下において、素子のペリフェラル回路領域上にセル領域を形成することを示す。
図３３を参照すれば、基板３００上に複数のペリフェラル回路トランジスタ３１６を形成する。前記トランジスタは例えば、ゲート絶縁膜３１０によって前記基板３００と絶縁されているゲート電極３１２及びゲート電極３１２の両側壁の基板内に具備されるソース／ドレイン領域を含む。前記ペリフェラル回路トランジスタ上に第１層間絶縁膜３１８を形成する。また、第１層間コンタクトは第１層間絶縁膜３１８上に形成された導電性ヴィア３２２と下部トランジスタ３１６を接続する。
図３４を参照すれば、第２及び第３層間絶縁膜（３２４、３３０）、これに対応する第２層間コンタクト３２６、第２及び第３導電性ヴィア３２２を前記結果物に形成する。前記第２及び第３層間絶縁膜（３２４、３３０）、これに対応する第２層間コンタクト３２６、第２及び第３導電性ヴィア３２２はペリフェラル回路領域から信号を伝達するラインとして提供される。
図３５を参照すれば、前記結果物上に単結晶シリコン膜３３２を形成する。前記単結晶シリコン膜３３２は、以後の工程においてセル領域として機能し、図１、図２及び図３〜図１８の基板と類似する役割をする。
図３６を参照すれば、前記単結晶シリコン膜３３２上にセル構造３３４を形成する。例えば、図１、図２及び図３〜図１８に記載されたものと同じ工程を遂行して前記セル構造３３４を形成できる。
図３７を参照すれば、図示されたように、前記セル構造３３４は端部位が階段型配列を有するようにパターニングされる。また、前記階段型配列を有する導電膜は各層の互いに異なるセルのワードラインとして動作する。前記セル構造３３４に第４層間絶縁膜３４０を形成する。前記に記載されたように、層間コンタクト３４２及び導電性ヴィア３４４を形成する。前記コンタクト３４２及び導電性ヴィア３４４はビットライン信号及びワードライン信号を含む信号を前記セル構造３３４の各ノードに伝達する役割をする。
図３８は、本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の断面図である。図示されたように、素子のペリフェラル回路上に素子のセル領域が位置する。本実施形態において、図１９及び図２０〜図３１に図示されたような形状のセル構造３５０は基板のペリフェラル回路上に提供される。このために、図３３〜図３７に図示された工程を遂行して、図１９及び図２０〜図３１に図示されたセル構造を形成する。
前記垂直半導体メモリー素子及びこれを形成する方法を通じて、単結晶垂直チャンネルが採用される。従って、単結晶欠陥が減少され、トラップサイトの数が減少される。これによって、素子の速度が速くなり、消費電力が減少される。また、電荷トラップ膜は垂直チャンネル領域内にコントロールゲートを取り囲むように形成される。そして、前記電荷トラップ膜と垂直チャンネルの間に位置するトンネル酸化膜は熱酸化膜に形成される。従って、素子の抵抗劣化が減少され、信頼性及び耐久性が向上される。これによって、素子の特性が向上されることができ、望む特性を有する素子を容易に形成することができる。
図４０は、本発明の一実施形態による不揮発性メモリー素子のブロックダイヤグラムである。
図４０を参照すれば、半導体メモリー素子４００はセルアレイ４１０、デコーダー４２０、ページバッファー４３０、ビットライン選択回路４４０、データバッファー４５０、及びコントロールユニット４６０を含む。半導体メモリー素子４００は本実施形態によって垂直非揮発性フラッシュメモリー素子を含むことができる。
前記セルアレイ４１０は複数のメモリーブロック（図示せず）を含む。各々のメモリーブロックは複数のページ（例えば、３２個のページまたは６４個のページ）を含み、前記各々のページは１つのワードラインを共有する複数のメモリーセル（例えば、５１２Ｂまたは２ＫＢ）を含む。一例として、消去動作はメモリーブロック単位で遂行され、リード及びライト動作はページ単位で遂行される。
前記デコーダー４２０は複数のワードラインＷＬによって前記セルアレイ４１０と接続され、コントロールユニット４６０によってコントロールされる。前記デコーダー４２０はメモリーコントローラー（図示されず）からアドレス（ＡＤＤＲ）が入力され、ワードラインまたはビットラインを選択するようにするための選択信号（Ｙｉ）を発生させる。前記ページバッファー４３０は複数のビットラインＢＬによってセルアレイ４１０と接続される。
前記バッファー４２０はバッファーメモリー（図示されず）からロードされたデータを保存する。プログラミング動作を遂行する際、前記ページバッファー４２０はページデータをロードし、前記ロードされたデータは同時に選択ページにプログラミングされる。リード動作を遂行する際、前記ページバッファー４２０は選択されたページからデータを読み取り、前記リードされたデータを臨時に保存する。前記ページバッファー４２０に保存されたデータはリードＥＮＡＢＬＥ信号に応答して前記バッファーメモリーに伝達される。
前記ビットライン選択回路４４０は選択信号（Ｙｉ）及び選択ビットラインＢＬに応答する。前記データバッファー４５０は入力及び出力バッファーであり、メモリーコントローラーとフラッシュメモリー素子４００の間のデータを伝達する。前記コントロールユニット４６０はメモリーコントローラーからコントロール信号の入力を受け、前記フラッシュメモリー素子の内部動作をコントロールする。
図４１は、本発明の一実施形態による半導体メモリー素子を含むシステムのブロックダイヤグラムである。前記システム５００は、例えば、無線通信素子（例えば、ＰＤＡ、ノートパソコン、ポータブルコンピュータ、ウェブタブレット、無線電話、及び携帯電話）または電子製品を含み、前記システム５００を無線環境で情報を送受信できる。
前記システム５００はコントローラー５１０及び入出力素子５２０を含み、前記入出力素子は例えば、キーパッド、キーボード、ディスプレイ、メモリー無線インターフェースを含む。前記コントローラー５１０は少なくとも１つのマイクロプロセッサー、デジタル信号プロセッサー、マイクロコントローラー、またはこれと類似するものを含む。前記メモリー５３０はコントローラーによって実行される指示コードを保存していて、ユーザデータを保存することに使用される。前記メモリー５３０は本実施形態による垂直非揮発性メモリー素子を含むことができる。前記メモリー５３０は垂直型非揮発性メモリーを含む多様な垂直型メモリーを含むことができる。
前記システム５３０はＲＦ信号によって通信される無線通信ネットワークからデータを伝達するか、或いは前記ＲＦ信号によって通信される無線通信ネットワークからデータの伝達を受ける無線インターフェース５４０として使用されることができる。例えば、無線インターフェース５４０は、アンテナ、無線トランシーバー及び無線システムを含む。
本発明の一実施形態による前記システム５３０は第３世代通信システム（例えば、ＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＮＡＤＣ、Ｅ‐ＴＤＭＡ、ＷＣＤＭＡ、及びＣＤＭＡ３０００）のような通信プロトコルとして使用できる。
以上、本発明の実施形態に基づいて本発明を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
本発明は、高密度の半導体素子の形成に好適である。
本発明の実施形態１による垂直チャンネルメモリー素子の切開斜視図である。 本発明の実施形態１による垂直チャンネルメモリー素子で１つのセルトランジスタを示す断面図である。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の一実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す。 本発明の他の実施形態による垂直メモリー素子の断面図である。 本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の断面図である。 図３２に図示されたチャンネルメモリー素子の形成方法を説明するための断面図である。 図３２に図示されたチャンネルメモリー素子の形成方法を説明するための断面図である。 図３２に図示されたチャンネルメモリー素子の形成方法を説明するための断面図である。 図３２に図示されたチャンネルメモリー素子の形成方法を説明するための断面図である。 図３２に図示されたチャンネルメモリー素子の形成方法を説明するための断面図である。 本発明の他の実施形態による垂直チャンネルメモリー素子の断面図である。 本発明の一実施形態により、選択的エピタキシャル成長工程を使用して垂直チャンネルを形成する場合の垂直チャンネルメモリー素子の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態による非揮発性メモリー素子のブロックダイヤグラムである。 本発明の一実施形態による半導体メモリー素子を含むシステムのブロックダイヤグラムである。
符号の説明
１００ 基板、
１０２ パッド酸化膜、
１０５ａ〜１０５ｅ 層間絶縁膜、
１０６ 犠牲膜、
１１０、１２０ 開口部、
１１６ 垂直チャンネル、
１２４ａ〜１２４ｄ ゲート絶縁膜、
１２６ 電荷トラップ膜、
１２８ ブロッキング絶縁膜、
１３２ａ〜１３２ｄ ゲートパターン。

Claims (36)

  1. 水平方向に延長される単結晶半導体物質の基板と、
    前記基板上の複数の層間絶縁膜と、
    隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターンと、
    前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通し垂直方向に延長される単結晶半導体物質の垂直チャンネルとを含み、
    前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるゲート絶縁膜が具備されることを特徴とする半導体素子。
  2. 前記各々のゲートパターンとゲート絶縁膜の間には電荷トラップ膜が含まれ、
    前記電荷トラップ膜は、
    前記ゲートパターン及びゲート絶縁膜の間に垂直方向に延長される第１部分と、
    前記ゲートパターンと隣接する上部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第２部分と、
    前記ゲートパターンと隣接する下部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第３部分と、
    を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
  3. 前記電荷トラップ膜は、導電物質または半導体物質からなるフローティングゲートを含むことを特徴とする請求項２記載の半導体素子。
  4. 前記ゲート絶縁膜は熱酸化膜を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
  5. 上部選択トランジスタの上部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最上部に位置する最上部ゲートパターンと、
    下部選択トランジスタの下部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最下部に位置する最下部ゲートパターンと、
    半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタのコントロールゲートに提供され、前記最上部選択ゲート及び最下部選択ゲートの間に位置する複数の残りのゲートパターンと、
    前記半導体素子のワードラインに提供されるように互いに接続され、第１水平方向に配置され、同一層に割当てられるセルトランジスタのコントロールゲートと、
    前記垂直チャンネルによって互いに直列に接続されて半導体素子の共通のセルストリングをなすメモリセルトランジスタと、
    前記半導体素子の第２水平方向に配置され、半導体素子のビットラインと互いに接続される垂直チャンネルの上部とを含み、
    前記半導体素子は半導体メモリー素子を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
  6. 前記複数の層間絶縁膜は、各々マルチ積層構造からなり、下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜を含み、前記下部及び上部絶縁膜は中間絶縁膜とエッチング選択比を有する物質からなることを 特徴とする請求項１記載の半導体素子。
  7. 水平方向に延長される単結晶半導体物質の基板と、
    前記基板上の複数の層間絶縁膜と、
    隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターンと、
    前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通し垂直方向に延長される単結晶半導体物質の垂直チャンネルとを含み、
    前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるゲート絶縁膜が具備され、各々の前記ゲートパターンとゲート絶縁膜の間に電荷トラップ膜が具備され、前記電荷トラップ膜は前記ゲートパターンとゲート絶縁膜の間で垂直方向に延長される第１部分、前記ゲートパターンと隣接する上部層間絶縁膜の間で水平方向に延長される第２部分、及び前記ゲートパターンと隣接する下部層間絶縁膜の間で水平方向に延長される第３部分を含むことを特徴とする半導体素子。
  8. 前記基板及び垂直チャンネルは単結晶半導体物質を含むことを特徴とする請求項７記載の半導体素子。
  9. 前記電荷トラップ膜は、導電物質または半導体物質からなるフローティングゲートを含むことを特徴とする請求項７記載の半導体素子。
  10. 前記ゲート絶縁膜は熱酸化膜を含むことを特徴とする請求項７記載の半導体素子。
  11. 上部選択トランジスタの上部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最上部に位置する最上部ゲートパターンと、
    下部選択トランジスタの下部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最下部に位置する最下部ゲートパターンと、
    半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタのコントロールゲートに提供され、前記最上部選択ゲート及び最下部選択ゲートの間に位置する複数の残りのゲートパターンと、
    前記半導体素子のワードラインに提供されるように互いに接続され、第１水平方向に配置され、同一層に割当てられるセルトランジスタのコントロールゲートと、
    前記垂直チャンネルによって互いに直列に接続されて半導体素子の共通のセルストリングをなすメモリセルトランジスタと、
    前記半導体素子の第２水平方向に配置され、半導体素子のビットラインと互いに接続される垂直チャンネルの上部とを含み、
    前記半導体素子は不揮発性メモリー素子を含むことを特徴とする請求項７記載の半導体素子。
  12. 前記複数の層間絶縁膜は、各々マルチ積層構造からなり、下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜を含み、前記下部及び上部絶縁膜は中間絶縁膜とエッチング選択比を有する物質からなることを特徴とする請求項７記載の半導体素子。
  13. 水平方向に延長される基板と、
    前記基板上の複数の層間絶縁膜と、
    隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターンと、
    前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される単結晶半導体物質の垂直チャンネルとを含み、
    前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるための熱酸化膜を含むゲート絶縁膜が具備されることを特徴とする半導体素子。
  14. 前記基板及び垂直チャンネルは単結晶半導体物質を含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体素子。
  15. 前記各々のゲートパターンとゲート絶縁膜の間には電荷トラップ膜が含まれ、
    前記電荷トラップ膜は、
    前記ゲートパターン及びゲート絶縁膜の間に垂直方向に延長される第１部分と、
    前記ゲートパターンと隣接する上部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第２部分と、
    前記ゲートパターンと隣接する下部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第３部分と、
    を含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体素子。
  16. 前記電荷トラップ膜は、導電物質または半導体物質からなるフローティングゲートを含むことを特徴とする請求項１５記載の半導体素子。
  17. 上部選択トランジスタの上部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最上部に位置する最上部ゲートパターンと、
    下部選択トランジスタの下部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最下部に位置する最下部ゲートパターンと、
    半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタのコントロールゲートに提供され、前記最上部選択ゲート及び最下部選択ゲートの間に位置する複数の残りのゲートパターンと、
    前記半導体素子のワードラインに提供されるように互いに接続され、第１水平方向に配置され、同一層に割当てられるセルトランジスタのコントロールゲートと、
    前記垂直チャンネルによって互いに直列に接続されて半導体素子の共通のセルストリングをなすメモリセルトランジスタと、
    前記半導体素子の第２水平方向に配置され、半導体素子のビットラインと互いに接続される垂直チャンネルの上部とを含み、
    前記半導体素子は半導体メモリー素子を含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体素子。
  18. 前記複数の層間絶縁膜は、各々マルチ積層構造からなり、下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜を含み、前記下部及び上部絶縁膜は中間絶縁膜とエッチング選択比を有する物質からなることを 特徴とする請求項１３記載の半導体素子。
  19. 水平方向に延長される単結晶半導体物質の基板を提供する段階と、
    前記基板上に複数の層間絶縁膜を提供する段階と、
    隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターンを提供する段階と、
    前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される単結晶半導体物質の垂直チャンネルを提供する段階と、
    前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるゲート絶縁膜を提供する段階とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
  20. 前記各々のゲートパターンとゲート絶縁膜の間には電荷トラップ膜を提供する段階をさらに含み、
    前記電荷トラップ膜は、
    前記ゲートパターン及びゲート絶縁膜の間に垂直方向に延長される第１部分と、
    前記ゲートパターンと隣接する上部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第２部分と、
    前記ゲートパターンと隣接する下部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第３部分と、
    を含むことを特徴とする請求項１９記載の半導体素子の製造方法。
  21. 前記電荷トラップ膜は、導電物質または半導体物質からなるフローティングゲートを含むことを特徴とする請求項２０記載の半導体素子の製造方法。
  22. 前記ゲート絶縁膜を提供する段階は、熱酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１９記載の半導体素子の製造方法。
  23. 上部選択トランジスタの上部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最上部に位置する最上部ゲートパターンと、
    下部選択トランジスタの下部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最下部に位置する最下部ゲートパターンと、
    半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタのコントロールゲートに提供され、前記最上部選択ゲート及び最下部選択ゲートの間に位置する複数の残りのゲートパターンと、
    前記半導体素子のワードラインに提供されるように互いに接続され、第１水平方向に配置され、同一層に割当てられるセルトランジスタのコントロールゲートと、を含み、これに加えて、
    前記半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタを直列に接続させる段階と、
    前記半導体素子のビットラインに提供されるように前記素子の第２水平方向に配置される垂直チャンネルの上部を接続させる段階と、を含み、
    前記半導体素子は半導体メモリー素子であることを特徴とする請求項１９記載の半導体素子の製造方法。
  24. 各々の前記複数の層間絶縁膜を提供する段階は、下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜を含むマルチ積層構造を提供することを含み、前記下部及び上部絶縁膜は中間絶縁膜とエッチング選択比を有する物質からなることを特徴とする請求項１９記載の半導体素子の製造方法。
  25. 水平方向に延長される単結晶半導体物質の基板を提供する段階と、
    前記基板上に複数の層間絶縁膜を提供する段階と、
    隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターンを提供する段階と、
    前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される単結晶半導体物質の垂直チャンネルを提供する段階と、
    前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるゲート絶縁膜を提供する段階と、
    各々の前記ゲートパターンとゲート絶縁膜の間に電荷トラップ膜を提供する段階とを含み、前記電荷トラップ膜は前記ゲートパターンとゲート絶縁膜の間で垂直方向に延長される第１部分、前記ゲートパターンと隣接する上部層間絶縁膜の間で水平方向に延長される第２部分、及び前記ゲートパターンと隣接する下部層間絶縁膜の間で水平方向に延長される第３部分を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
  26. 前記基板を提供する段階は、単結晶半導体物質を含む基板を提供することを含み、前記垂直チャンネルを提供する段階は、単結晶半導体物質を含む垂直チャンネルを提供することを含むことを特徴とする請求項２５記載の半導体素子の製造方法。
  27. 前記電荷トラップ膜は導電物質または半導体物質からなるフローティングゲートを含むことを特徴とする請求項２５記載の半導体素子の製造方法。
  28. 前記ゲート絶縁膜は、熱酸化膜を含むことを特徴とする請求項２５記載の半導体素子の製造方法。
  29. 上部選択トランジスタの上部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最上部に位置する最上部ゲートパターンと、
    下部選択トランジスタの下部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最下部に位置する最下部ゲートパターンと、
    半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタのコントロールゲートに提供され、前記最上部選択ゲート及び最下部選択ゲートの間に位置する複数の残りのゲートパターンと、
    前記半導体素子のワードラインに提供されるように互いに接続され、第１水平方向に配置され、同一層に割当てられるセルトランジスタのコントロールゲートと、を含み、これに加えて、
    前記半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタを直列に接続させる段階と、
    前記半導体素子のビットラインに提供されるように前記素子の第２水平方向に配置される垂直チャンネルの上部を接続させる段階と、を含み、
    前記半導体素子は不揮発性半導体メモリー素子であることを特徴とする請求項２５記載の半導体素子の製造方法。
  30. 各々の前記複数の層間絶縁膜を形成する段階は、下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜を含むマルチ積層構造を形成する段階を含み、前記下部及び上部絶縁膜は中間絶縁膜とエッチング選択比を有する物質からなることを特徴とする請求項２５記載の半導体素子の製造方法。
  31. 水平方向に延長される基板を提供する段階と、
    前記基板上に複数の層間絶縁膜を提供する段階と、
    隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターンを提供する段階と、
    前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される単結晶半導体物質の垂直チャンネルを提供する段階と、
    前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるための熱酸化膜を含むゲート絶縁膜を提供する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
  32. 前記基板を提供する段階は、単結晶半導体物質を含む基板を提供する段階を含み、前記垂直チャンネルを提供する段階は、単結晶半導体物質を含む垂直チャンネルを提供する段階を含むことを特徴とする請求項３１記載の半導体素子の製造方法。
  33. 前記各々のゲートパターンとゲート絶縁膜の間には電荷トラップ膜を提供する段階をさらに含み、
    前記電荷トラップ膜は、
    前記ゲートパターン及びゲート絶縁膜の間に垂直方向に延長される第１部分と、
    前記ゲートパターンと隣接する上部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第２部分と、
    前記ゲートパターンと隣接する下部層間絶縁膜の間に水平方向に延長される第３部分と、
    を含むことを特徴とする請求項３１記載の半導体素子の製造方法。
  34. 前記電荷トラップ膜は、導電物質または半導体物質からなるフローティングゲートを含むことを特徴とする請求項３３記載の半導体素子の製造方法。
  35. 上部選択トランジスタの上部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最上部に位置する最上部ゲートパターンと、
    下部選択トランジスタの下部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最下部に位置する最下部ゲートパターンと、
    半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタのコントロールゲートに提供され、前記最上部選択ゲート及び最下部選択ゲートの間に位置する複数の残りのゲートパターンと、
    前記半導体素子のワードラインに提供されるように互いに接続され、第１水平方向に配置され、同一層に割当てられるセルトランジスタのコントロールゲートと、を含み、これに加えて、
    前記半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタを直列に接続させる段階と、
    前記半導体素子のビットラインに提供されるように前記素子の第２水平方向に配置される垂直チャンネルの上部を接続させる段階と、を含み、
    前記半導体素子は半導体メモリー素子であることを特徴とする請求項３１記載の半導体素子の製造方法。
  36. 各々の前記複数の層間絶縁膜を提供する段階は、下部絶縁膜、中間絶縁膜、及び上部絶縁膜を含むマルチ積層構造を提供する段階を含み、前記下部及び上部絶縁膜は中間絶縁膜とエッチング選択比を有する物質からなることを特徴とする請求項３１記載の半導体素子の製造方法。
JP2008286950A 2007-11-08 2008-11-07 垂直型半導体素子及びその製造方法 Active JP5484711B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070113535A KR101226685B1 (ko) 2007-11-08 2007-11-08 수직형 반도체 소자 및 그 제조 방법.
KR10-2007-0113535 2007-11-08
US12/290,742 US7679133B2 (en) 2007-11-08 2008-11-03 Vertical-type non-volatile memory devices
US12/290,742 2008-11-03

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009117843A true JP2009117843A (ja) 2009-05-28
JP2009117843A5 JP2009117843A5 (ja) 2011-11-17
JP5484711B2 JP5484711B2 (ja) 2014-05-07

Family

ID=40622902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008286950A Active JP5484711B2 (ja) 2007-11-08 2008-11-07 垂直型半導体素子及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (3) US7679133B2 (ja)
JP (1) JP5484711B2 (ja)
KR (1) KR101226685B1 (ja)
CN (1) CN101483194B (ja)

Cited By (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010182947A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2011003833A (ja) * 2009-06-22 2011-01-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2011054899A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
JP2011054969A (ja) * 2009-09-03 2011-03-17 Samsung Electronics Co Ltd 半導体素子及びその形成方法
JP2011060838A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
JP2011077521A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Samsung Electronics Co Ltd 垂直形不揮発性メモリ装置及びその製造方法
JP2011108895A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2011108921A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2011138945A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2011187533A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2011199131A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2011211200A (ja) * 2010-03-26 2011-10-20 Samsung Electronics Co Ltd ３次元半導体装置
JP2011249803A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Samsung Electronics Co Ltd 不揮発性メモリ素子及びその製造方法、並びにそれを含むメモリ・モジュール及びシステム
KR101096199B1 (ko) 2009-09-07 2011-12-22 주식회사 하이닉스반도체 수직채널형 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
JP2012015517A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Samsung Electronics Co Ltd 垂直的に集積された不揮発性記憶セルサブストリングを含む不揮発性記憶装置の形成方法、及び形成された不揮発性記憶装置
JP2012049539A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 Samsung Electronics Co Ltd セルストリングの製造方法及びこれを含む不揮発性メモリ装置の製造方法
JP2012069710A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2013021322A (ja) * 2011-07-06 2013-01-31 Sk Hynix Inc 不揮発性メモリ素子及びその製造方法
US8415242B2 (en) 2010-03-23 2013-04-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
CN103038882A (zh) * 2010-06-28 2013-04-10 美光科技公司 三维存储器及形成所述三维存储器的方法
US8482049B2 (en) 2009-12-16 2013-07-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices and methods for fabricating the same
JP2013531390A (ja) * 2010-07-15 2013-08-01 マイクロン テクノロジー， インク． 実質的に垂直な隣接半導体構造を有するメモリアレイ、およびそれらの形成
US8569825B2 (en) 2010-03-24 2013-10-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor storage device
US8569829B2 (en) 2009-12-28 2013-10-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
JP2014003232A (ja) * 2012-06-20 2014-01-09 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2014036034A (ja) * 2012-08-07 2014-02-24 Sharp Corp 不揮発性半導体記憶装置とその製造方法
KR20140037766A (ko) 2012-09-19 2014-03-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 적층막의 형성 방법 및 그 형성 장치
US8697498B2 (en) 2010-11-29 2014-04-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing three dimensional semiconductor memory devices using sub-plates
JP2014509454A (ja) * 2011-02-25 2014-04-17 マイクロン テクノロジー， インク． 電荷蓄積装置、システム、および方法
US8742466B2 (en) 2009-12-18 2014-06-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor device including a mold structure providing gap regions and an interconnection structure including a plurality of interconnection patterns formed in the gap regions
US8796662B2 (en) 2011-08-10 2014-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices with vertical structure including data storage layer or pattern
JP2014179656A (ja) * 2010-10-14 2014-09-25 Eugene Technology Co Ltd ３次元構造のメモリ素子を製造する装置
KR20140116006A (ko) 2013-03-21 2014-10-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 적층형 반도체 소자의 제조 방법, 적층형 반도체 소자 및 그의 제조 장치
JP2015512567A (ja) * 2012-03-29 2015-04-27 サイプレス セミコンダクター コーポレーション ロジックｃｍｏｓフローへのｏｎｏ統合の方法
KR101525130B1 (ko) * 2009-08-03 2015-06-03 에스케이하이닉스 주식회사 수직채널형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
JP2015516679A (ja) * 2012-03-31 2015-06-11 サイプレス セミコンダクター コーポレーション 非揮発性電荷トラップメモリ装置及びロジックｃｍｏｓ装置の統合
US9177965B2 (en) 2010-10-29 2015-11-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device in three-dimensional structure with a stress reducing materials on the channel
JP2016063027A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2016184750A (ja) * 2016-05-25 2016-10-20 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
WO2016190036A1 (ja) * 2015-05-22 2016-12-01 株式会社 日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法
US9673209B2 (en) 2014-05-16 2017-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory device and method for fabricating the same
JP2017518635A (ja) * 2014-06-20 2017-07-06 インテル・コーポレーション 不揮発性メモリのためのアレイ貫通ルーティング
US9780104B2 (en) 2015-09-10 2017-10-03 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and method of manufacturing the same
KR20190012581A (ko) * 2017-07-28 2019-02-11 한양대학교 산학협력단 집적도를 개선시킨 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법
KR20190013054A (ko) * 2017-07-31 2019-02-11 한양대학교 산학협력단 에어 갭을 포함하는 3차원 소자 및 그 제조 방법
US10217665B2 (en) 2014-08-28 2019-02-26 Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. Semiconductor device and method for producing semiconductor device
JP2022523315A (ja) * 2019-02-01 2022-04-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド メモリ用途のための垂直トランジスタの作製
WO2023084565A1 (ja) * 2021-11-09 2023-05-19 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド 半導体メモリ装置及び半導体メモリ装置の製造方法

Families Citing this family (881)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9299568B2 (en) 2007-05-25 2016-03-29 Cypress Semiconductor Corporation SONOS ONO stack scaling
US8614124B2 (en) 2007-05-25 2013-12-24 Cypress Semiconductor Corporation SONOS ONO stack scaling
KR101226685B1 (ko) 2007-11-08 2013-01-25 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자 및 그 제조 방법.
US9431549B2 (en) 2007-12-12 2016-08-30 Cypress Semiconductor Corporation Nonvolatile charge trap memory device having a high dielectric constant blocking region
US7910973B2 (en) * 2008-03-17 2011-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor storage device
KR101487524B1 (ko) * 2008-08-27 2015-01-29 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
US8395206B2 (en) 2008-10-09 2013-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
KR101502585B1 (ko) * 2008-10-09 2015-03-24 삼성전자주식회사 수직형 반도체 장치 및 그 형성 방법
JP5193796B2 (ja) 2008-10-21 2013-05-08 株式会社東芝 ３次元積層型不揮発性半導体メモリ
US8786007B2 (en) 2008-12-03 2014-07-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional nonvolatile memory device
US8541831B2 (en) 2008-12-03 2013-09-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method for fabricating the same
US20100155818A1 (en) * 2008-12-24 2010-06-24 Heung-Jae Cho Vertical channel type nonvolatile memory device and method for fabricating the same
DE102010000336A1 (de) 2009-02-10 2010-08-12 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Nichtflüchtige Speichervorrichtungen mit vertikalen NAND-Kanälen und Herstellungsverfahren dafür
US8644046B2 (en) 2009-02-10 2014-02-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices including vertical NAND channels and methods of forming the same
US8614917B2 (en) 2010-02-05 2013-12-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors
KR20100093350A (ko) * 2009-02-16 2010-08-25 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 형성방법
JP2010205904A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置の製造方法及び不揮発性半導体記憶装置
KR101539699B1 (ko) * 2009-03-19 2015-07-27 삼성전자주식회사 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
US8071453B1 (en) 2009-04-24 2011-12-06 Cypress Semiconductor Corporation Method of ONO integration into MOS flow
US9102522B2 (en) 2009-04-24 2015-08-11 Cypress Semiconductor Corporation Method of ONO integration into logic CMOS flow
US8164134B2 (en) * 2009-06-09 2012-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device
KR101115473B1 (ko) * 2010-03-02 2012-02-27 주식회사 하이닉스반도체 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR101635504B1 (ko) 2009-06-19 2016-07-04 삼성전자주식회사 3차원 수직 채널 구조를 갖는 불 휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
KR101616089B1 (ko) * 2009-06-22 2016-04-28 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 소자
KR101543331B1 (ko) 2009-07-06 2015-08-10 삼성전자주식회사 메탈 소스 라인을 갖는 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
KR101524830B1 (ko) * 2009-07-20 2015-06-03 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 형성방법
US8541832B2 (en) 2009-07-23 2013-09-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated circuit memory devices having vertical transistor arrays therein and methods of forming same
JP4977180B2 (ja) * 2009-08-10 2012-07-18 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
KR20110032252A (ko) * 2009-09-22 2011-03-30 삼성전자주식회사 수직 어레이 트랜지스터를 갖는 저항성 메모리 소자
KR101074015B1 (ko) * 2009-09-22 2011-10-17 고려대학교 산학협력단 멀티 펑션 4 비트/1 셀 비휘발성 퓨전 메모리 소자 및 그의 제조 방법
KR101584113B1 (ko) 2009-09-29 2016-01-13 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR101069420B1 (ko) * 2009-10-07 2011-09-30 서울대학교산학협력단 기둥형 단결정 채널 및 가상 소스/드레인을 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법
KR101040154B1 (ko) * 2009-11-04 2011-06-09 한양대학교 산학협력단 3차원 플래시 메모리 소자
KR101624975B1 (ko) 2009-11-17 2016-05-30 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자
KR101623547B1 (ko) * 2009-12-15 2016-05-23 삼성전자주식회사 재기입가능한 3차원 반도체 메모리 장치의 제조 방법
KR101075494B1 (ko) 2009-12-18 2011-10-21 주식회사 하이닉스반도체 수직채널형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR20110078326A (ko) * 2009-12-31 2011-07-07 삼성전자주식회사 유전막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
WO2011096601A1 (ko) * 2010-02-05 2011-08-11 서울대학교산학협력단 적층형 노아플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법
KR101069415B1 (ko) * 2010-02-05 2011-09-30 서울대학교산학협력단 적층형 노아플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법
US8445317B2 (en) 2010-02-19 2013-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of fabricating semiconductor devices
KR101652878B1 (ko) 2010-02-22 2016-09-01 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101663566B1 (ko) 2010-03-03 2016-10-07 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자 및 그 형성 방법
KR101650841B1 (ko) 2010-04-27 2016-08-25 삼성전자주식회사 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자
US8395941B2 (en) * 2010-05-17 2013-03-12 Micron Technology, Inc. Multi-semiconductor material vertical memory strings, strings of memory cells having individually biasable channel regions, memory arrays incorporating such strings, and methods of accessing and forming the same
US8455940B2 (en) 2010-05-24 2013-06-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, method of manufacturing the nonvolatile memory device, and memory module and system including the nonvolatile memory device
KR101623546B1 (ko) 2010-05-28 2016-05-23 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR101652829B1 (ko) 2010-06-03 2016-09-01 삼성전자주식회사 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자
JP2011258776A (ja) 2010-06-09 2011-12-22 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ
US8592873B2 (en) 2010-06-24 2013-11-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices and methods of forming the same
US8187936B2 (en) 2010-06-30 2012-05-29 SanDisk Technologies, Inc. Ultrahigh density vertical NAND memory device and method of making thereof
US10128261B2 (en) 2010-06-30 2018-11-13 Sandisk Technologies Llc Cobalt-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure
US9397093B2 (en) 2013-02-08 2016-07-19 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND device with semiconductor, metal or silicide floating gates and method of making thereof
US9159739B2 (en) 2010-06-30 2015-10-13 Sandisk Technologies Inc. Floating gate ultrahigh density vertical NAND flash memory
US8193054B2 (en) 2010-06-30 2012-06-05 SanDisk Technologies, Inc. Ultrahigh density vertical NAND memory device and method of making thereof
US8928061B2 (en) 2010-06-30 2015-01-06 SanDisk Technologies, Inc. Three dimensional NAND device with silicide containing floating gates
KR20120002832A (ko) * 2010-07-01 2012-01-09 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 그의 형성방법
KR101756227B1 (ko) 2010-08-13 2017-07-10 삼성전자 주식회사 수직 채널 패턴을 포함하는 반도체 소자
KR101735810B1 (ko) 2010-08-20 2017-05-16 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치
JP5349423B2 (ja) * 2010-08-20 2013-11-20 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
KR101755234B1 (ko) 2010-08-26 2017-07-07 삼성전자 주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR101660262B1 (ko) 2010-09-07 2016-09-27 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자의 제조 방법
KR101763420B1 (ko) 2010-09-16 2017-08-01 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자 및 그 제조 방법
KR101825539B1 (ko) 2010-10-05 2018-03-22 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법
US20120086072A1 (en) * 2010-10-11 2012-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory device and related method of manufacture
KR101209003B1 (ko) * 2010-10-14 2012-12-06 주식회사 유진테크 3차원 구조의 메모리 소자를 제조하는 방법 및 장치
KR101760658B1 (ko) 2010-11-16 2017-07-24 삼성전자 주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR101744127B1 (ko) * 2010-11-17 2017-06-08 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
KR101149619B1 (ko) * 2010-11-19 2012-05-25 에스케이하이닉스 주식회사 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
CN102544049B (zh) * 2010-12-22 2014-04-16 中国科学院微电子研究所 三维半导体存储器件及其制备方法
KR101692432B1 (ko) * 2010-12-23 2017-01-17 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치
KR101703106B1 (ko) 2011-01-04 2017-02-06 삼성전자주식회사 부분-이레이즈 동작을 수행할 수 있는 비휘발성 메모리 장치와 상기 비휘발성 메모리 장치를 포함하는 장치들
US8441855B2 (en) 2011-01-14 2013-05-14 Micron Technology, Inc. Strings of memory cells having string select gates, memory devices incorporating such strings, and methods of accessing and forming the same
US8681555B2 (en) 2011-01-14 2014-03-25 Micron Technology, Inc. Strings of memory cells having string select gates, memory devices incorporating such strings, and methods of accessing and forming the same
JP2012151187A (ja) 2011-01-17 2012-08-09 Toshiba Corp 半導体記憶装置の製造方法
US9317835B2 (en) 2011-03-08 2016-04-19 Bank Of America Corporation Populating budgets and/or wish lists using real-time video image analysis
US8721337B2 (en) 2011-03-08 2014-05-13 Bank Of America Corporation Real-time video image analysis for providing virtual landscaping
US8922657B2 (en) 2011-03-08 2014-12-30 Bank Of America Corporation Real-time video image analysis for providing security
US8873807B2 (en) 2011-03-08 2014-10-28 Bank Of America Corporation Vehicle recognition
US8718612B2 (en) 2011-03-08 2014-05-06 Bank Of American Corporation Real-time analysis involving real estate listings
US9317860B2 (en) 2011-03-08 2016-04-19 Bank Of America Corporation Collective network of augmented reality users
US9773285B2 (en) 2011-03-08 2017-09-26 Bank Of America Corporation Providing data associated with relationships between individuals and images
US9224166B2 (en) 2011-03-08 2015-12-29 Bank Of America Corporation Retrieving product information from embedded sensors via mobile device video analysis
US8445347B2 (en) * 2011-04-11 2013-05-21 Sandisk Technologies Inc. 3D vertical NAND and method of making thereof by front and back side processing
KR101855324B1 (ko) 2011-05-04 2018-05-09 삼성전자주식회사 3차원 반도체 기억 소자 및 그 제조 방법
KR101964085B1 (ko) * 2011-07-26 2019-07-31 삼성전자 주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
JP5593283B2 (ja) * 2011-08-04 2014-09-17 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
KR101845954B1 (ko) * 2011-08-23 2018-05-18 에스케이하이닉스 주식회사 수직 구조의 메모리셀을 구비한 비휘발성메모리장치 및 그 제조 방법
KR20130024303A (ko) * 2011-08-31 2013-03-08 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
US8912589B2 (en) 2011-08-31 2014-12-16 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses including strings of memory cells formed along levels of semiconductor material
US20130161629A1 (en) * 2011-12-27 2013-06-27 Applied Materials, Inc. Zero shrinkage smooth interface oxy-nitride and oxy-amorphous-silicon stacks for 3d memory vertical gate application
TWI467666B (zh) * 2011-12-28 2015-01-01 Univ Nat Chiao Tung 具有奈米線通道之半導體元件的製程及藉此形成之半導體元件
KR101907069B1 (ko) * 2011-12-28 2018-10-12 에스케이하이닉스 주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR20130102893A (ko) 2012-03-08 2013-09-23 에스케이하이닉스 주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
US8878278B2 (en) * 2012-03-21 2014-11-04 Sandisk Technologies Inc. Compact three dimensional vertical NAND and method of making thereof
US20130256777A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Seagate Technology Llc Three dimensional floating gate nand memory
KR20130113212A (ko) * 2012-04-05 2013-10-15 에스케이하이닉스 주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
US8847302B2 (en) 2012-04-10 2014-09-30 Sandisk Technologies Inc. Vertical NAND device with low capacitance and silicided word lines
KR20130123165A (ko) * 2012-05-02 2013-11-12 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9606730B2 (en) 2012-05-04 2017-03-28 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory
US8828884B2 (en) 2012-05-23 2014-09-09 Sandisk Technologies Inc. Multi-level contact to a 3D memory array and method of making
US8658499B2 (en) 2012-07-09 2014-02-25 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND device and method of charge trap layer separation and floating gate formation in the NAND device
KR101989514B1 (ko) 2012-07-11 2019-06-14 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101990904B1 (ko) * 2012-07-17 2019-06-19 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자
KR102003526B1 (ko) 2012-07-31 2019-07-25 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법
US8614126B1 (en) 2012-08-15 2013-12-24 Sandisk Technologies Inc. Method of making a three-dimensional memory array with etch stop
KR20140028969A (ko) * 2012-08-31 2014-03-10 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102015578B1 (ko) 2012-09-11 2019-08-28 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그 형성방법
US9129861B2 (en) 2012-10-05 2015-09-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device
KR102031187B1 (ko) 2012-10-05 2019-10-14 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치
US9287167B2 (en) 2012-10-05 2016-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical type memory device
US9076824B2 (en) 2012-11-02 2015-07-07 Micron Technology, Inc. Memory arrays with a memory cell adjacent to a smaller size of a pillar having a greater channel length than a memory cell adjacent to a larger size of the pillar and methods
US8940592B2 (en) * 2013-01-11 2015-01-27 Micron Technology, Inc. Memories and methods of forming thin-film transistors using hydrogen plasma doping
KR101421879B1 (ko) * 2013-01-15 2014-07-28 한양대학교 산학협력단 반도체 메모리 소자 및 그의 제조 방법
US8946807B2 (en) 2013-01-24 2015-02-03 Micron Technology, Inc. 3D memory
KR102089532B1 (ko) 2013-02-06 2020-03-16 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
US8865530B2 (en) * 2013-03-08 2014-10-21 International Business Machines Corporation Extremely thin semiconductor on insulator (ETSOI) logic and memory hybrid chip
US8930866B2 (en) * 2013-03-11 2015-01-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of converting between non-volatile memory technologies and system for implementing the method
US9515080B2 (en) 2013-03-12 2016-12-06 Sandisk Technologies Llc Vertical NAND and method of making thereof using sequential stack etching and landing pad
US8946023B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Sandisk Technologies Inc. Method of making a vertical NAND device using sequential etching of multilayer stacks
US9449982B2 (en) 2013-03-12 2016-09-20 Sandisk Technologies Llc Method of making a vertical NAND device using a sacrificial layer with air gap and sequential etching of multilayer stacks
US9698153B2 (en) 2013-03-12 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Vertical NAND and method of making thereof using sequential stack etching and self-aligned landing pad
US9230987B2 (en) 2014-02-20 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. Multilevel memory stack structure and methods of manufacturing the same
US9202931B2 (en) * 2013-03-14 2015-12-01 Conversant Intellectual Property Management Inc. Structure and method for manufacture of memory device with thin silicon body
US9064970B2 (en) 2013-03-15 2015-06-23 Micron Technology, Inc. Memory including blocking dielectric in etch stop tier
US9184175B2 (en) 2013-03-15 2015-11-10 Micron Technology, Inc. Floating gate memory cells in vertical memory
US9276011B2 (en) 2013-03-15 2016-03-01 Micron Technology, Inc. Cell pillar structures and integrated flows
KR102059525B1 (ko) 2013-03-19 2019-12-27 삼성전자주식회사 보호 패턴을 가진 수직 셀형 반도체 소자
US9093480B2 (en) 2013-04-01 2015-07-28 Sandisk Technologies Inc. Spacer passivation for high aspect ratio etching of multilayer stacks for three dimensional NAND device
US9099496B2 (en) 2013-04-01 2015-08-04 Sandisk Technologies Inc. Method of forming an active area with floating gate negative offset profile in FG NAND memory
KR101511421B1 (ko) 2013-04-03 2015-04-10 한양대학교 산학협력단 다층 상변화 물질을 이용하는 3차원 메모리
US9437606B2 (en) 2013-07-02 2016-09-06 Sandisk Technologies Llc Method of making a three-dimensional memory array with etch stop
US9252151B2 (en) 2013-07-08 2016-02-02 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND device with birds beak containing floating gates and method of making thereof
US9275909B2 (en) * 2013-08-12 2016-03-01 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating semiconductor structures
US9337210B2 (en) 2013-08-12 2016-05-10 Micron Technology, Inc. Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors
US9230980B2 (en) 2013-09-15 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. Single-semiconductor-layer channel in a memory opening for a three-dimensional non-volatile memory device
US8987089B1 (en) 2013-09-17 2015-03-24 Sandisk Technologies Inc. Methods of fabricating a three-dimensional non-volatile memory device
US9460931B2 (en) 2013-09-17 2016-10-04 Sandisk Technologies Llc High aspect ratio memory hole channel contact formation
KR102094472B1 (ko) * 2013-10-08 2020-03-27 삼성전자주식회사 반도체 장치
US9508736B2 (en) * 2013-10-17 2016-11-29 Cypress Semiconductor Corporation Three-dimensional charge trapping NAND cell with discrete charge trapping film
US9437604B2 (en) 2013-11-01 2016-09-06 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses having strings of memory cells including a metal source
KR102039708B1 (ko) 2013-11-13 2019-11-01 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
CN103594475B (zh) * 2013-11-18 2016-08-24 唐棕 半导体器件及其制造方法
KR102139944B1 (ko) 2013-11-26 2020-08-03 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
US9449983B2 (en) 2013-12-19 2016-09-20 Sandisk Technologies Llc Three dimensional NAND device with channel located on three sides of lower select gate and method of making thereof
US9230905B2 (en) 2014-01-08 2016-01-05 Sandisk 3D Llc Trench multilevel contact to a 3D memory array and method of making thereof
US9276134B2 (en) 2014-01-10 2016-03-01 Micron Technology, Inc. Field effect transistor constructions and memory arrays
US10360983B2 (en) 2014-02-03 2019-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method of programming the same
KR102116668B1 (ko) 2014-02-04 2020-05-29 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 불 휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR102069274B1 (ko) 2014-02-05 2020-01-22 삼성전자주식회사 메모리 제어 방법
KR102225989B1 (ko) 2014-03-04 2021-03-10 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
US9343507B2 (en) 2014-03-12 2016-05-17 Sandisk 3D Llc Dual channel vertical field effect transistor including an embedded electrode
KR102233808B1 (ko) * 2014-03-14 2021-03-30 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 테이블 관리 방법
KR102222463B1 (ko) 2014-03-14 2021-03-03 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 타이머 설정 방법 및 구동 방법들
KR102116674B1 (ko) 2014-03-21 2020-06-08 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US9331088B2 (en) 2014-03-25 2016-05-03 Sandisk 3D Llc Transistor device with gate bottom isolation and method of making thereof
US9224747B2 (en) 2014-03-26 2015-12-29 Sandisk Technologies Inc. Vertical NAND device with shared word line steps
US9263577B2 (en) 2014-04-24 2016-02-16 Micron Technology, Inc. Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors
KR102248267B1 (ko) 2014-04-30 2021-05-07 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 및 읽기 방법들
US9331094B2 (en) 2014-04-30 2016-05-03 Sandisk Technologies Inc. Method of selective filling of memory openings
US9552991B2 (en) 2014-04-30 2017-01-24 Sandisk Technologies Llc Trench vertical NAND and method of making thereof
KR102135181B1 (ko) * 2014-05-12 2020-07-17 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이의 제조 방법
KR102174030B1 (ko) 2014-05-13 2020-11-05 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 저장 장치 및 그것의 읽기 방법
KR102285994B1 (ko) 2014-05-13 2021-08-06 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법
KR102210964B1 (ko) 2014-05-13 2021-02-03 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법, 그리고 스토리지 장치를 액세스하는 액세스 방법
KR102192539B1 (ko) * 2014-05-21 2020-12-18 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이의 프로그램 방법
US10257192B2 (en) 2014-05-29 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage system and method for performing secure write protect thereof
US9548313B2 (en) * 2014-05-30 2017-01-17 Sandisk Technologies Llc Method of making a monolithic three dimensional NAND string using a select gate etch stop layer
KR102200489B1 (ko) 2014-05-30 2021-01-11 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 저장 장치
KR102218722B1 (ko) 2014-06-09 2021-02-24 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법
KR102148389B1 (ko) 2014-06-11 2020-08-27 삼성전자주식회사 오버 라이트 동작을 갖는 메모리 시스템 및 그에 따른 동작 제어방법
US9472560B2 (en) 2014-06-16 2016-10-18 Micron Technology, Inc. Memory cell and an array of memory cells
KR20160000512A (ko) * 2014-06-24 2016-01-05 삼성전자주식회사 메모리 장치
US9768270B2 (en) 2014-06-25 2017-09-19 Sandisk Technologies Llc Method of selectively depositing floating gate material in a memory device
US9379124B2 (en) 2014-06-25 2016-06-28 Sandisk Technologies Inc. Vertical floating gate NAND with selectively deposited ALD metal films
US9455263B2 (en) 2014-06-27 2016-09-27 Sandisk Technologies Llc Three dimensional NAND device with channel contacting conductive source line and method of making thereof
US9397107B2 (en) 2014-06-30 2016-07-19 Sandisk Technologies Llc Methods of making three dimensional NAND devices
US9305932B2 (en) 2014-06-30 2016-04-05 Sandisk Technologies Inc. Methods of making three dimensional NAND devices
KR102234273B1 (ko) * 2014-07-02 2021-04-02 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치
KR20160005264A (ko) 2014-07-04 2016-01-14 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 읽기 방법들
US9177966B1 (en) 2014-07-08 2015-11-03 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND devices with air gap or low-k core
KR102247087B1 (ko) 2014-07-08 2021-05-03 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102243497B1 (ko) 2014-07-22 2021-04-23 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
US9378826B2 (en) 2014-07-23 2016-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same
KR102179270B1 (ko) 2014-07-23 2020-11-18 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
US9570460B2 (en) 2014-07-29 2017-02-14 Sandisk Technologies Llc Spacer passivation for high-aspect ratio opening film removal and cleaning
KR102116671B1 (ko) 2014-07-30 2020-06-01 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 워드 라인 구동 방법
US9904651B2 (en) 2014-07-31 2018-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Operating method of controller for setting link between interfaces of electronic devices, and storage device including controller
KR102147970B1 (ko) 2014-08-05 2020-08-25 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 기반의 스토리지 디바이스의 복구 방법 및 상기 스토리지 디바이스를 포함하는 전자 시스템의 동작 방법
KR102238579B1 (ko) 2014-08-06 2021-04-09 삼성전자주식회사 메모리 장치의 프로그램 방법
US9356031B2 (en) 2014-08-11 2016-05-31 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND string memory devices with voids enclosed between control gate electrodes
US9136130B1 (en) 2014-08-11 2015-09-15 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND string with discrete charge trap segments
KR102318561B1 (ko) 2014-08-19 2021-11-01 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법
US9583539B2 (en) 2014-08-19 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Word line connection for memory device and method of making thereof
US9230983B1 (en) 2014-08-20 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. Metal word lines for three dimensional memory devices
KR20160022637A (ko) 2014-08-20 2016-03-02 삼성전자주식회사 플래시 메모리 소자의 제조 방법
KR102192895B1 (ko) 2014-08-21 2020-12-21 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102189440B1 (ko) 2014-08-25 2020-12-14 삼성전자주식회사 에러 정정 디코더를 포함하는 스토리지 장치 및 에러 정정 디코더의 동작 방법
KR102235492B1 (ko) 2014-08-25 2021-04-05 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 검증 방법
US9601502B2 (en) 2014-08-26 2017-03-21 Sandisk Technologies Llc Multiheight contact via structures for a multilevel interconnect structure
US9236392B1 (en) 2014-08-26 2016-01-12 Sandisk Technologies Inc. Multiheight electrically conductive via contacts for a multilevel interconnect structure
US9230974B1 (en) 2014-08-26 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. Methods of selective removal of blocking dielectric in NAND memory strings
US9691884B2 (en) 2014-08-26 2017-06-27 Sandisk Technologies Llc Monolithic three dimensional NAND strings and methods of fabrication thereof
US9576975B2 (en) 2014-08-26 2017-02-21 Sandisk Technologies Llc Monolithic three-dimensional NAND strings and methods of fabrication thereof
US9401309B2 (en) 2014-08-26 2016-07-26 Sandisk Technologies Llc Multiheight contact via structures for a multilevel interconnect structure
US9904626B2 (en) 2014-08-29 2018-02-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor system and system on chip
KR102157863B1 (ko) 2014-09-01 2020-09-22 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치
KR102272238B1 (ko) 2014-09-02 2021-07-06 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR102290448B1 (ko) 2014-09-04 2021-08-19 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 및 불휘발성 메모리의 동작 방법
KR102245825B1 (ko) 2014-09-04 2021-04-30 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR102150251B1 (ko) 2014-09-05 2020-09-02 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR102330391B1 (ko) 2014-09-11 2021-11-24 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것을 포함하는 데이터 저장 시스템의 가비지 컬렉션 방법
JP6203152B2 (ja) 2014-09-12 2017-09-27 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置の製造方法
KR102268296B1 (ko) 2014-09-15 2021-06-24 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치
KR102249172B1 (ko) 2014-09-19 2021-05-11 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치
CN104241204B (zh) * 2014-09-23 2017-09-29 武汉新芯集成电路制造有限公司 3d nand闪存的形成方法
US9666590B2 (en) 2014-09-24 2017-05-30 Sandisk Technologies Llc High stack 3D memory and method of making
KR102128406B1 (ko) 2014-09-26 2020-07-10 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
US9515085B2 (en) 2014-09-26 2016-12-06 Sandisk Technologies Llc Vertical memory device with bit line air gap
KR102248835B1 (ko) 2014-09-29 2021-05-10 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
KR102235516B1 (ko) 2014-09-30 2021-04-05 삼성전자주식회사 이레이즈 컨트롤 유닛을 포함하는 메모리 시스템 및 동작 방법
KR20160039739A (ko) 2014-10-01 2016-04-12 삼성전자주식회사 하드 마스크막의 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US9159829B1 (en) 2014-10-07 2015-10-13 Micron Technology, Inc. Recessed transistors containing ferroelectric material
KR102233074B1 (ko) 2014-10-08 2021-03-30 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 신뢰성 검증 방법
KR102149674B1 (ko) 2014-10-13 2020-09-01 삼성전자주식회사 에러 정정 디코더 및 에러 정정 디코더의 동작 방법
US9798657B2 (en) 2014-10-15 2017-10-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof
US9368509B2 (en) * 2014-10-15 2016-06-14 Sandisk Technologies Inc. Three-dimensional memory structure having self-aligned drain regions and methods of making thereof
US9305934B1 (en) 2014-10-17 2016-04-05 Sandisk Technologies Inc. Vertical NAND device containing peripheral devices on epitaxial semiconductor pedestal
KR102358463B1 (ko) 2014-10-20 2022-02-07 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR102293136B1 (ko) 2014-10-22 2021-08-26 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR102275543B1 (ko) * 2014-10-27 2021-07-13 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
KR20160049200A (ko) 2014-10-27 2016-05-09 삼성전자주식회사 데이터 저장 장치의 작동 방법, 이를 포함하는 모바일 컴퓨팅 장치, 및 이의 작동 방법
KR102238717B1 (ko) 2014-10-27 2021-04-09 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 이의 동작 방법
KR102358053B1 (ko) 2014-10-28 2022-02-04 삼성전자주식회사 복수의 불휘발성 메모리 칩들을 포함하는 스토리지 장치
KR101730991B1 (ko) 2014-10-28 2017-04-28 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102248207B1 (ko) 2014-10-30 2021-05-06 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US9230979B1 (en) 2014-10-31 2016-01-05 Sandisk Technologies Inc. High dielectric constant etch stop layer for a memory structure
KR102290974B1 (ko) 2014-11-07 2021-08-19 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 메모리 컨트롤러 및 그것들을 포함하는 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법
KR102292183B1 (ko) 2014-11-07 2021-08-25 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리의 동작 방법 및 불휘발성 메모리를 포함하는 스토리지 장치의 동작 방법
KR102268187B1 (ko) 2014-11-10 2021-06-24 삼성전자주식회사 자기 기억 소자 및 그 제조 방법
KR102258117B1 (ko) 2014-11-10 2021-05-31 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 소거 방법
US9305849B1 (en) 2014-11-12 2016-04-05 Sandisk Technologies Inc. Method of making a three dimensional NAND device
US9236396B1 (en) 2014-11-12 2016-01-12 Sandisk Technologies Inc. Three dimensional NAND device and method of making thereof
KR102222594B1 (ko) 2014-11-13 2021-03-08 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것의 소거 방법, 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
US9698152B2 (en) 2014-11-13 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory structure with multi-component contact via structure and method of making thereof
KR101678933B1 (ko) 2014-11-18 2016-12-07 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102237563B1 (ko) 2014-11-21 2021-04-07 삼성전자주식회사 테스트 시간을 감축하는 메모리 장치 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템
KR102291505B1 (ko) 2014-11-24 2021-08-23 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102397016B1 (ko) 2014-11-24 2022-05-13 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법
KR20160061704A (ko) 2014-11-24 2016-06-01 삼성전자주식회사 페이지 상태 알림 기능이 있는 메모리 장치
US9496419B2 (en) 2014-11-25 2016-11-15 Sandisk Technologies Llc Ruthenium nucleation layer for control gate electrodes in a memory structure
US9570455B2 (en) 2014-11-25 2017-02-14 Sandisk Technologies Llc Metal word lines for three dimensional memory devices
US9698223B2 (en) 2014-11-25 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Memory device containing stress-tunable control gate electrodes
KR102245822B1 (ko) 2014-11-26 2021-04-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 저장 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR102240022B1 (ko) 2014-11-26 2021-04-15 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20160064364A (ko) * 2014-11-27 2016-06-08 삼성전자주식회사 패스트 오픈을 위한 어드레스 맵 운영방법 및 그에 따른 메모리 시스템
KR102229024B1 (ko) 2014-12-03 2021-03-17 삼성전자주식회사 스스로 에러를 검출하고 로그를 저장할 수 있는 데이터 저장 장치와 이를 포함하는 시스템
US9553100B2 (en) 2014-12-04 2017-01-24 Sandisk Techologies Llc Selective floating gate semiconductor material deposition in a three-dimensional memory structure
US9754956B2 (en) 2014-12-04 2017-09-05 Sandisk Technologies Llc Uniform thickness blocking dielectric portions in a three-dimensional memory structure
US9793288B2 (en) 2014-12-04 2017-10-17 Sandisk Technologies Llc Methods of fabricating memory device with spaced-apart semiconductor charge storage regions
KR102152285B1 (ko) 2014-12-08 2020-09-04 삼성전자주식회사 스트레서를 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법
KR102259943B1 (ko) 2014-12-08 2021-06-04 삼성전자주식회사 멀티 플래인을 포함하는 불 휘발성 메모리 장치
KR102282138B1 (ko) * 2014-12-09 2021-07-27 삼성전자주식회사 반도체 소자
KR102307633B1 (ko) 2014-12-10 2021-10-06 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR102324819B1 (ko) 2014-12-12 2021-11-11 삼성전자주식회사 포토레지스트용 고분자, 포토레지스트 조성물, 패턴 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102282947B1 (ko) 2014-12-15 2021-07-30 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102282952B1 (ko) 2014-12-15 2021-07-30 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 동작 방법
KR102211868B1 (ko) 2014-12-15 2021-02-04 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102295208B1 (ko) 2014-12-19 2021-09-01 삼성전자주식회사 프로그램 영역을 동적으로 할당하는 저장 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR102282962B1 (ko) 2014-12-22 2021-07-30 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
TW201624623A (zh) * 2014-12-25 2016-07-01 力晶科技股份有限公司 非揮發性記憶體及其製造方法
KR102292641B1 (ko) 2014-12-30 2021-08-23 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 그 동작 방법 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR102254100B1 (ko) 2015-01-05 2021-05-20 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 장치의 동작 방법
KR102272248B1 (ko) 2015-01-09 2021-07-06 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR102219759B1 (ko) 2015-01-09 2021-02-25 삼성전자주식회사 저장 장치, 그것을 포함하는 데이터 저장 시스템 및 그것의 동작 방법
KR102250423B1 (ko) 2015-01-13 2021-05-12 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
KR102226370B1 (ko) 2015-01-13 2021-03-15 삼성전자주식회사 집적 회로 및 집적 회로를 포함하는 스토리지 장치
KR102295223B1 (ko) 2015-01-13 2021-09-01 삼성전자주식회사 속도 모드 관리자를 포함하는 저장 장치 및 사용자 장치
KR102271462B1 (ko) 2015-01-13 2021-07-05 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 및 그것의 프로그램 방법
KR102333743B1 (ko) 2015-01-21 2021-12-01 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR102391678B1 (ko) 2015-01-22 2022-04-29 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 서스테인드 상태 가속 방법
KR102336455B1 (ko) 2015-01-22 2021-12-08 삼성전자주식회사 집적 회로 및 집적 회로를 포함하는 스토리지 장치
KR102277521B1 (ko) 2015-01-23 2021-07-16 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 리드 리클레임 및 읽기 방법
KR102320955B1 (ko) 2015-02-02 2021-11-05 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법
KR102333738B1 (ko) 2015-02-03 2021-12-01 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
US10741572B2 (en) 2015-02-04 2020-08-11 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having multilayer word lines containing selectively grown cobalt or ruthenium and method of making the same
US9780182B2 (en) 2015-02-04 2017-10-03 Sandisk Technologies Llc Molybdenum-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure
US9984963B2 (en) 2015-02-04 2018-05-29 Sandisk Technologies Llc Cobalt-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure
KR102336443B1 (ko) 2015-02-04 2021-12-08 삼성전자주식회사 가상화 기능을 지원하는 스토리지 장치 및 사용자 장치
US9419058B1 (en) 2015-02-05 2016-08-16 Sandisk Technologies Llc Memory device with comb-shaped electrode having a plurality of electrode fingers and method of making thereof
US9356034B1 (en) 2015-02-05 2016-05-31 Sandisk Technologies Inc. Multilevel interconnect structure and methods of manufacturing the same
KR20160097608A (ko) 2015-02-09 2016-08-18 삼성전자주식회사 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102270101B1 (ko) 2015-02-10 2021-06-29 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10403363B2 (en) 2015-02-11 2019-09-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory and storage device including nonvolatile memory
KR102396422B1 (ko) 2015-02-11 2022-05-11 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 및 불휘발성 메모리를 포함하는 스토리지 장치
US9484296B2 (en) 2015-02-12 2016-11-01 Sandisk Technologies Llc Self-aligned integrated line and via structure for a three-dimensional semiconductor device
KR102235521B1 (ko) 2015-02-13 2021-04-05 삼성전자주식회사 특정 패턴을 갖는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US9583615B2 (en) 2015-02-17 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Vertical transistor and local interconnect structure
US9305929B1 (en) 2015-02-17 2016-04-05 Micron Technology, Inc. Memory cells
KR102239356B1 (ko) 2015-02-17 2021-04-13 삼성전자주식회사 클록 제어 유닛 또는 전원 제어 유닛을 포함하는 저장 장치와 메모리 시스템, 그리고 그것의 동작 방법
US9698202B2 (en) 2015-03-02 2017-07-04 Sandisk Technologies Llc Parallel bit line three-dimensional resistive random access memory
KR102355580B1 (ko) 2015-03-02 2022-01-28 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR102302231B1 (ko) 2015-03-05 2021-09-14 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR102222444B1 (ko) 2015-03-05 2021-03-04 삼성전자주식회사 전력 상태 정보를 사용하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR102398213B1 (ko) 2015-03-09 2022-05-17 삼성전자주식회사 저장 장치, 그것을 포함하는 호스트 시스템, 및 그것의 맵 테이블 업데이트 방법
KR102301772B1 (ko) 2015-03-09 2021-09-16 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 저장 장치 및 그것의 가비지 컬렉션 방법
US9553105B2 (en) 2015-03-10 2017-01-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials
US9859297B2 (en) 2015-03-10 2018-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices and methods of manufacturing the same
US9524983B2 (en) 2015-03-10 2016-12-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical memory devices
US9870945B2 (en) 2015-03-10 2018-01-16 Sandisk Technologies Llc Crystalline layer stack for forming conductive layers in a three-dimensional memory structure
US10147735B2 (en) * 2015-03-13 2018-12-04 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and production method thereof
KR102403202B1 (ko) 2015-03-13 2022-05-30 삼성전자주식회사 메타 데이터 관리자를 포함하는 메모리 시스템 및 동작 방법
KR102392821B1 (ko) 2015-03-16 2022-05-02 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102506135B1 (ko) 2015-03-16 2023-03-07 삼성전자주식회사 데이터 저장 장치와 이를 포함하는 데이터 처리 시스템
CN104701323B (zh) * 2015-03-16 2017-12-19 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种存储结构
WO2016149389A1 (en) * 2015-03-17 2016-09-22 Micron Technology, Inc. Replacement control gate methods and apparatuses
US9530788B2 (en) 2015-03-17 2016-12-27 Sandisk Technologies Llc Metallic etch stop layer in a three-dimensional memory structure
KR102371557B1 (ko) 2015-03-20 2022-03-07 삼성전자주식회사 호스트 장치, 그것과 복수의 장치들을 갖는 호스트 시스템 및 그것의 인터페이스 링크 레이어 구성 방법
KR102291518B1 (ko) 2015-03-20 2021-08-20 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
KR102333478B1 (ko) 2015-03-31 2021-12-03 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치
KR102291803B1 (ko) * 2015-04-07 2021-08-24 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법, 및 그것을 포함하는 사용자 시스템의 동작 방법
US9799671B2 (en) 2015-04-07 2017-10-24 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional integration schemes for reducing fluorine-induced electrical shorts
KR102365269B1 (ko) 2015-04-13 2022-02-22 삼성전자주식회사 데이터 스토리지 및 그것의 동작 방법
KR102316441B1 (ko) 2015-04-14 2021-10-25 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102432268B1 (ko) 2015-04-14 2022-08-12 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법.
US9477408B1 (en) 2015-04-14 2016-10-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory systems having improved out-of-order execution of commands and methods for operating the same
KR102291806B1 (ko) 2015-04-20 2021-08-24 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
KR102401486B1 (ko) 2015-04-22 2022-05-24 삼성전자주식회사 콘택 구조물을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법.
KR20160126330A (ko) 2015-04-23 2016-11-02 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이를 포함하는 3차원 반도체 패키지
US9601508B2 (en) 2015-04-27 2017-03-21 Sandisk Technologies Llc Blocking oxide in memory opening integration scheme for three-dimensional memory structure
US9397046B1 (en) 2015-04-29 2016-07-19 Sandisk Technologies Llc Fluorine-free word lines for three-dimensional memory devices
US9627403B2 (en) 2015-04-30 2017-04-18 Sandisk Technologies Llc Multilevel memory stack structure employing support pillar structures
KR102298661B1 (ko) 2015-04-30 2021-09-07 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 초기화 방법
US9666281B2 (en) 2015-05-08 2017-05-30 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional P-I-N memory device and method reading thereof using hole current detection
US10074661B2 (en) 2015-05-08 2018-09-11 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional junction memory device and method reading thereof using hole current detection
KR102282139B1 (ko) 2015-05-12 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR20160133688A (ko) 2015-05-13 2016-11-23 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR102393976B1 (ko) 2015-05-20 2022-05-04 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자
KR102291309B1 (ko) 2015-05-20 2021-08-20 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
KR102415401B1 (ko) 2015-05-21 2022-07-01 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
JP2016225614A (ja) * 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9608000B2 (en) 2015-05-27 2017-03-28 Micron Technology, Inc. Devices and methods including an etch stop protection material
US9859422B2 (en) 2015-05-28 2018-01-02 Sandisk Technologies Llc Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same
US9443861B1 (en) 2015-05-28 2016-09-13 Sandisk Technologies Llc Fluorine-blocking insulating spacer for backside contact structure of three-dimensional memory structures
KR102450553B1 (ko) 2015-06-04 2022-10-05 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것을 내장한 메인 보드 및 그것의 자가 진단 방법
KR102266733B1 (ko) 2015-06-05 2021-06-22 삼성전자주식회사 데이터 스토리지 및 그것의 동작 방법
KR102267041B1 (ko) 2015-06-05 2021-06-22 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법
US9799402B2 (en) 2015-06-08 2017-10-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and program method thereof
US10152413B2 (en) 2015-06-08 2018-12-11 Samsung Electronics Co. Ltd. Nonvolatile memory module and operation method thereof
US10048878B2 (en) 2015-06-08 2018-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory module and storage system having the same
US10261697B2 (en) 2015-06-08 2019-04-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and operating method of storage device
KR102302433B1 (ko) 2015-06-10 2021-09-16 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 소거 방법
KR102461453B1 (ko) 2015-06-10 2022-11-02 삼성전자주식회사 스토리지 장치
US9589981B2 (en) 2015-06-15 2017-03-07 Sandisk Technologies Llc Passive devices for integration with three-dimensional memory devices
US9646981B2 (en) 2015-06-15 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc Passive devices for integration with three-dimensional memory devices
US9419012B1 (en) 2015-06-19 2016-08-16 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory structure employing air gap isolation
US9356043B1 (en) 2015-06-22 2016-05-31 Sandisk Technologies Inc. Three-dimensional memory devices containing memory stack structures with position-independent threshold voltage
KR102447471B1 (ko) 2015-06-24 2022-09-27 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
US9613977B2 (en) 2015-06-24 2017-04-04 Sandisk Technologies Llc Differential etch of metal oxide blocking dielectric layer for three-dimensional memory devices
US10622368B2 (en) 2015-06-24 2020-04-14 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with semicircular metal-semiconductor alloy floating gate electrodes and methods of making thereof
KR102268699B1 (ko) 2015-06-29 2021-06-28 삼성전자주식회사 저장 장치의 동작 방법, 호스트 장치의 동작 방법, 그리고 저장 장치 및 호스트 장치를 포함하는 사용자 시스템의 동작 방법
KR102345597B1 (ko) 2015-06-30 2022-01-03 삼성전자주식회사 더미 워드 라인을 갖는 3차원 플래시 메모리 장치
KR102294848B1 (ko) 2015-06-30 2021-08-31 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치
KR102445662B1 (ko) 2015-07-01 2022-09-22 삼성전자주식회사 스토리지 장치
KR102398167B1 (ko) 2015-07-02 2022-05-17 삼성전자주식회사 사용자 장치, 그것의 패스워드 설정 방법, 그리고 그것의 패스워드를 설정하고 확인하는 동작 방법
KR102293078B1 (ko) 2015-07-06 2021-08-26 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치
KR102392685B1 (ko) 2015-07-06 2022-04-29 삼성전자주식회사 배선 구조체를 갖는 반도체 소자
TWI582962B (zh) * 2015-07-06 2017-05-11 Toshiba Kk Semiconductor memory device and manufacturing method thereof
KR102403253B1 (ko) 2015-07-06 2022-05-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
US10078448B2 (en) 2015-07-08 2018-09-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic devices and memory management methods thereof
KR102373542B1 (ko) 2015-07-09 2022-03-11 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치
US9530785B1 (en) 2015-07-21 2016-12-27 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory devices having a single layer channel and methods of making thereof
KR102415385B1 (ko) 2015-07-22 2022-07-01 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 저장 장치
US10134982B2 (en) 2015-07-24 2018-11-20 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells
US9853211B2 (en) 2015-07-24 2017-12-26 Micron Technology, Inc. Array of cross point memory cells individually comprising a select device and a programmable device
US9627399B2 (en) 2015-07-24 2017-04-18 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with metal and silicide control gates
KR102381343B1 (ko) 2015-07-27 2022-03-31 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법
KR102336458B1 (ko) 2015-07-30 2021-12-08 삼성전자주식회사 고속으로 결함 비트 라인을 검출하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 테스트 시스템
KR102274038B1 (ko) 2015-08-03 2021-07-09 삼성전자주식회사 백업 기능을 갖는 메모리 모듈
KR102352316B1 (ko) 2015-08-11 2022-01-18 삼성전자주식회사 인쇄 회로 기판
KR102396435B1 (ko) 2015-08-11 2022-05-11 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 버퍼 메모리 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치를 포함하는 컴퓨팅 장치의 동작 방법
KR102437779B1 (ko) 2015-08-11 2022-08-30 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
KR102385908B1 (ko) 2015-08-11 2022-04-13 삼성전자주식회사 스토리지 장치로부터 데이터를 검색하는 방법
KR102311916B1 (ko) 2015-08-17 2021-10-15 삼성전자주식회사 스토리지 장치
KR102480016B1 (ko) 2015-08-18 2022-12-21 삼성전자 주식회사 다수의 맵핑 단위를 이용하는 불휘발성 메모리 시스템 및 그 동작방법
KR102295058B1 (ko) 2015-08-19 2021-08-31 삼성전자주식회사 반도체 메모리 시스템 및 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작방법
US9905462B2 (en) * 2015-08-20 2018-02-27 Toshiba Memory Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102447476B1 (ko) 2015-08-20 2022-09-27 삼성전자주식회사 암복호 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 암복호 방법
US9449987B1 (en) 2015-08-21 2016-09-20 Sandisk Technologies Llc Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors
US9543318B1 (en) 2015-08-21 2017-01-10 Sandisk Technologies Llc Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors
KR102313017B1 (ko) 2015-08-21 2021-10-18 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 쓰기를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102393323B1 (ko) 2015-08-24 2022-05-03 삼성전자주식회사 재사용 주기를 이용하여 사용자 데이터를 쓰기 위한 워드라인을 결정하는 저장 장치의 동작 방법
KR102456104B1 (ko) 2015-08-24 2022-10-19 삼성전자주식회사 데이터 신뢰성에 따라 동작 조건을 변경하는 저장 장치의 동작 방법
KR102309841B1 (ko) 2015-08-24 2021-10-12 삼성전자주식회사 표면 실장 기술의 적용에 따른 메모리 셀의 문턱 전압 산포 변화 복구 기능을 갖는 데이터 스토리지 및 그것의 동작 방법
KR102326018B1 (ko) 2015-08-24 2021-11-12 삼성전자주식회사 메모리 시스템
US9853043B2 (en) 2015-08-25 2017-12-26 Sandisk Technologies Llc Method of making a multilevel memory stack structure using a cavity containing a sacrificial fill material
KR102295528B1 (ko) 2015-08-25 2021-08-30 삼성전자 주식회사 메모리 장치, 메모리 시스템, 상기 메모리 장치의 동작 방법 및 상기 메모리 시스템의 동작 방법
US9502471B1 (en) 2015-08-25 2016-11-22 Sandisk Technologies Llc Multi tier three-dimensional memory devices including vertically shared bit lines
KR102408613B1 (ko) 2015-08-27 2022-06-15 삼성전자주식회사 메모리 모듈의 동작 방법, 및 메모리 모듈을 제어하는 프로세서의 동작 방법, 및 사용자 시스템
KR102321745B1 (ko) 2015-08-27 2021-11-05 삼성전자주식회사 동적 랜덤 액세스 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 및 그것을 포함하는 메모리 모듈
KR102365114B1 (ko) 2015-08-28 2022-02-21 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR102437416B1 (ko) 2015-08-28 2022-08-30 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
KR102401600B1 (ko) 2015-08-31 2022-05-25 삼성전자주식회사 데이터 양에 기초하여 복수의 데이터 스트림을 관리하도록 구성되는 스토리지 장치
KR102333746B1 (ko) 2015-09-02 2021-12-01 삼성전자주식회사 재사용 주기에 따라 마모도를 관리하는 저장 장치의 동작 방법
KR102387956B1 (ko) 2015-09-09 2022-04-19 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템
KR102430561B1 (ko) 2015-09-11 2022-08-09 삼성전자주식회사 듀얼 포트 디램을 포함하는 메모리 모듈
KR102427262B1 (ko) 2015-09-11 2022-08-01 삼성전자주식회사 랜덤 액세스 메모리 장치들 및 불휘발성 메모리 장치들을 포함하는 저장 장치
KR20170032502A (ko) 2015-09-14 2017-03-23 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 인터럽트 발생 방법
US9589982B1 (en) * 2015-09-15 2017-03-07 Macronix International Co., Ltd. Structure and method of operation for improved gate capacity for 3D NOR flash memory
KR102435863B1 (ko) 2015-09-16 2022-08-25 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것을 포함하는 서버 시스템의 매칭 키 검색 방법
KR102324797B1 (ko) 2015-09-17 2021-11-11 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법
KR20170036878A (ko) 2015-09-18 2017-04-03 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
KR102461150B1 (ko) 2015-09-18 2022-11-01 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
US9576966B1 (en) 2015-09-21 2017-02-21 Sandisk Technologies Llc Cobalt-containing conductive layers for control gate electrodes in a memory structure
KR20170034984A (ko) 2015-09-21 2017-03-30 삼성전자주식회사 더미 웨이퍼, 박막 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법
US9646975B2 (en) 2015-09-21 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc Lateral stack of cobalt and a cobalt-semiconductor alloy for control gate electrodes in a memory structure
US9806089B2 (en) 2015-09-21 2017-10-31 Sandisk Technologies Llc Method of making self-assembling floating gate electrodes for a three-dimensional memory device
KR102451170B1 (ko) 2015-09-22 2022-10-06 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
KR102422087B1 (ko) 2015-09-23 2022-07-18 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치 및 이의 제조 방법
KR102333220B1 (ko) 2015-09-24 2021-12-01 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법
US9842907B2 (en) 2015-09-29 2017-12-12 Sandisk Technologies Llc Memory device containing cobalt silicide control gate electrodes and method of making thereof
KR102472561B1 (ko) 2015-10-01 2022-12-01 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자
US11070380B2 (en) 2015-10-02 2021-07-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Authentication apparatus based on public key cryptosystem, mobile device having the same and authentication method
US9698151B2 (en) 2015-10-08 2017-07-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical memory devices
US20170104000A1 (en) 2015-10-13 2017-04-13 Joo-Hee PARK Vertical memory devices
KR20170045445A (ko) 2015-10-16 2017-04-27 삼성전자주식회사 충전 노드를 충전하는 구동 회로
KR102571561B1 (ko) 2015-10-19 2023-08-29 삼성전자주식회사 3차원 반도체 소자
KR102316279B1 (ko) 2015-10-19 2021-10-22 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 에스에스디
KR102424720B1 (ko) 2015-10-22 2022-07-25 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치 및 이의 제조 방법
KR102349729B1 (ko) 2015-10-23 2022-01-12 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR102379167B1 (ko) 2015-10-26 2022-03-25 삼성전자주식회사 레지스터 세트들을 포함하는 반도체 장치와 이를 포함하는 데이터 저장 장치
US9659955B1 (en) 2015-10-28 2017-05-23 Sandisk Technologies Llc Crystalinity-dependent aluminum oxide etching for self-aligned blocking dielectric in a memory structure
US9620512B1 (en) 2015-10-28 2017-04-11 Sandisk Technologies Llc Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device
KR102453709B1 (ko) 2015-10-29 2022-10-12 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치
US9793139B2 (en) 2015-10-29 2017-10-17 Sandisk Technologies Llc Robust nucleation layers for enhanced fluorine protection and stress reduction in 3D NAND word lines
KR102358691B1 (ko) 2015-10-30 2022-02-07 삼성전자주식회사 저장 장치의 요청 방법 및 호스트의 커맨드 발행 방법
US9899399B2 (en) 2015-10-30 2018-02-20 Sandisk Technologies Llc 3D NAND device with five-folded memory stack structure configuration
KR102377469B1 (ko) 2015-11-02 2022-03-23 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
US9601586B1 (en) 2015-11-02 2017-03-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming semiconductor devices, including forming a metal layer on source/drain regions
KR102306853B1 (ko) 2015-11-02 2021-10-01 삼성전자주식회사 호스트 장치가 스토리지 장치를 제어하는 방법 및 호스트 장치와 스토리지 장치를 포함하는 메모리 시스템
KR102377453B1 (ko) 2015-11-05 2022-03-23 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
KR102450555B1 (ko) 2015-11-09 2022-10-05 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법
KR102435027B1 (ko) 2015-11-09 2022-08-23 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법
US9899529B2 (en) * 2015-11-09 2018-02-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Method to make self-aligned vertical field effect transistor
KR102485088B1 (ko) 2015-11-10 2023-01-05 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치 및 그 제조 방법
US9672091B2 (en) 2015-11-10 2017-06-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and debugging method thereof
KR20170056072A (ko) 2015-11-12 2017-05-23 삼성전자주식회사 멀티 플레인을 포함하는 불 휘발성 메모리 장치
KR102401254B1 (ko) 2015-11-12 2022-05-24 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법
KR102424702B1 (ko) 2015-11-19 2022-07-25 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102406267B1 (ko) 2015-11-19 2022-06-08 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 모듈 및 이를 포함하는 전자 장치
US9917100B2 (en) 2015-11-20 2018-03-13 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional NAND device containing support pedestal structures for a buried source line and method of making the same
US9799670B2 (en) 2015-11-20 2017-10-24 Sandisk Technologies Llc Three dimensional NAND device containing dielectric pillars for a buried source line and method of making thereof
US9831266B2 (en) 2015-11-20 2017-11-28 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional NAND device containing support pedestal structures for a buried source line and method of making the same
US10346097B2 (en) 2015-11-26 2019-07-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device
KR102470606B1 (ko) 2015-11-26 2022-11-28 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
KR102533229B1 (ko) 2015-11-27 2023-05-17 삼성전자주식회사 상대 주소를 사용하는 메모리 장치의 접근 방법
KR102387973B1 (ko) 2015-12-01 2022-04-19 삼성전자주식회사 이중화 저장 장치, 그것을 포함한 서버 시스템 및 그것의 동작 방법
US10303372B2 (en) 2015-12-01 2019-05-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and operation method thereof
KR102437591B1 (ko) 2015-12-03 2022-08-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법
KR102451154B1 (ko) 2015-12-07 2022-10-06 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
JP2017107938A (ja) * 2015-12-08 2017-06-15 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
KR102365171B1 (ko) 2015-12-10 2022-02-21 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR102473209B1 (ko) 2015-12-14 2022-12-02 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
US10019367B2 (en) 2015-12-14 2018-07-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory module, computing system having the same, and method for testing tag error thereof
KR102449337B1 (ko) 2015-12-14 2022-10-04 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법
KR102491651B1 (ko) 2015-12-14 2023-01-26 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 모듈, 그것을 포함하는 컴퓨팅 시스템, 및 그것의 동작 방법
KR102473167B1 (ko) 2015-12-18 2022-12-02 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR102435873B1 (ko) 2015-12-18 2022-08-25 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 리드 리클레임 방법
KR102500821B1 (ko) 2015-12-29 2023-02-17 삼성전자주식회사 복수의 회로들 및 복수의 회로들을 연결하는 버스를 포함하는 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법
KR102362239B1 (ko) 2015-12-30 2022-02-14 삼성전자주식회사 디램 캐시를 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 캐시 관리 방법
US10229051B2 (en) 2015-12-30 2019-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device including nonvolatile memory device and controller, operating method of storage device, and method for accessing storage device
KR102318415B1 (ko) 2016-01-11 2021-10-28 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법
KR102459077B1 (ko) 2016-01-12 2022-10-27 삼성전자주식회사 비선형 필터링 방식을 사용하는 메모리 시스템 및 그것의 읽기 방법
KR102466412B1 (ko) 2016-01-14 2022-11-15 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
US10128264B2 (en) 2016-01-21 2018-11-13 SK Hynix Inc. Semiconductor device
CN105702621B (zh) * 2016-01-27 2018-10-19 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种形成硅外延层的方法
KR20170091833A (ko) 2016-02-01 2017-08-10 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법
US9754820B2 (en) 2016-02-01 2017-09-05 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing an aluminum oxide etch stop layer for backside contact structure and method of making thereof
US9589839B1 (en) 2016-02-01 2017-03-07 Sandisk Technologies Llc Method of reducing control gate electrode curvature in three-dimensional memory devices
US9847105B2 (en) 2016-02-01 2017-12-19 Samsung Electric Co., Ltd. Memory package, memory module including the same, and operation method of memory package
KR20170094815A (ko) 2016-02-11 2017-08-22 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리, 그것을 포함하는 컴퓨팅 시스템, 및 그것의 읽기 방법
US9673213B1 (en) 2016-02-15 2017-06-06 Sandisk Technologies Llc Three dimensional memory device with peripheral devices under dummy dielectric layer stack and method of making thereof
KR102523141B1 (ko) 2016-02-15 2023-04-20 삼성전자주식회사 휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 불휘발성 메모리 모듈
KR102609130B1 (ko) 2016-02-17 2023-12-05 삼성전자주식회사 읽기 전압 서치 유닛을 포함하는 데이터 저장 장치
US9595535B1 (en) 2016-02-18 2017-03-14 Sandisk Technologies Llc Integration of word line switches with word line contact via structures
US9721663B1 (en) * 2016-02-18 2017-08-01 Sandisk Technologies Llc Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array
KR102444238B1 (ko) 2016-02-26 2022-09-16 삼성전자주식회사 메모리 장치의 프로그램 방법 및 이를 적용하는 메모리 시스템
US9679907B1 (en) 2016-02-29 2017-06-13 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with charge-trapping-free gate dielectric for top select gate electrode and method of making thereof
US10073732B2 (en) 2016-03-04 2018-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Object storage system managing error-correction-code-related data in key-value mapping information
KR102549605B1 (ko) 2016-03-04 2023-06-30 삼성전자주식회사 Raid 스토리지 장치의 리커버리 방법
US10141327B2 (en) * 2016-03-18 2018-11-27 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device
US10355015B2 (en) 2016-03-23 2019-07-16 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional NAND memory device with common bit line for multiple NAND strings in each memory block
US10224104B2 (en) 2016-03-23 2019-03-05 Sandisk Technologies Llc Three dimensional NAND memory device with common bit line for multiple NAND strings in each memory block
KR102514521B1 (ko) 2016-03-23 2023-03-29 삼성전자주식회사 페이지 버퍼를 포함하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 검증 방법
US10481799B2 (en) 2016-03-25 2019-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Data storage device and method including receiving an external multi-access command and generating first and second access commands for first and second nonvolatile memories
US9711530B1 (en) 2016-03-25 2017-07-18 Sandisk Technologies Llc Locally-trap-characteristic-enhanced charge trap layer for three-dimensional memory structures
US9812463B2 (en) 2016-03-25 2017-11-07 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing vertically isolated charge storage regions and method of making thereof
KR20170112289A (ko) 2016-03-31 2017-10-12 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 비휘발성 메모리 장치의 구동 방법
KR102549611B1 (ko) 2016-04-01 2023-06-30 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 이벤트 통지 방법
KR102414186B1 (ko) 2016-04-04 2022-06-28 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR102512819B1 (ko) 2016-04-19 2023-03-23 삼성전자주식회사 딜레이 코드를 발생하는 전압 모니터
DE102017106713A1 (de) 2016-04-20 2017-10-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Rechensystem, nichtflüchtiges Speichermodul und Verfahren zum Betreiben einer Speichervorrichtung
KR102570367B1 (ko) 2016-04-21 2023-08-28 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치를 액세스하는 액세스 방법
KR102585221B1 (ko) 2016-04-21 2023-10-05 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 장치의 동작 방법
KR102628239B1 (ko) 2016-05-02 2024-01-24 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 장치의 동작 방법, 그리고 스토리지 장치 및 호스트 장치를 포함하는 컴퓨팅 장치의 동작 방법
KR102571497B1 (ko) 2016-05-10 2023-08-29 삼성전자주식회사 멀티 스택 칩 패키지를 포함하는 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR102422478B1 (ko) 2016-05-10 2022-07-19 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치의 독출 방법
KR102636039B1 (ko) 2016-05-12 2024-02-14 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법 및 카피백 방법
US9728547B1 (en) 2016-05-19 2017-08-08 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with aluminum-containing etch stop layer for backside contact structure and method of making thereof
US10705894B2 (en) 2016-05-30 2020-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device for authenticating application and operating method thereof
EP3252651A1 (en) 2016-05-30 2017-12-06 Samsung Electronics Co., Ltd Computing system having an on-the-fly encryptor and an operating method thereof
KR102600997B1 (ko) * 2016-06-02 2023-11-14 삼성전자주식회사 메모리 장치
US10581988B2 (en) 2016-06-08 2020-03-03 Bank Of America Corporation System for predictive use of resources
US10129126B2 (en) 2016-06-08 2018-11-13 Bank Of America Corporation System for predictive usage of resources
US10291487B2 (en) 2016-06-08 2019-05-14 Bank Of America Corporation System for predictive acquisition and use of resources
US10178101B2 (en) 2016-06-08 2019-01-08 Bank Of America Corporation System for creation of alternative path to resource acquisition
US10433196B2 (en) 2016-06-08 2019-10-01 Bank Of America Corporation System for tracking resource allocation/usage
US9985046B2 (en) 2016-06-13 2018-05-29 Sandisk Technologies Llc Method of forming a staircase in a semiconductor device using a linear alignment control feature
US10121794B2 (en) 2016-06-20 2018-11-06 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having epitaxial germanium-containing vertical channel and method of making thereof
KR102606497B1 (ko) 2016-06-27 2023-11-29 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 소거 방법
KR102661936B1 (ko) 2016-06-27 2024-04-30 삼성전자주식회사 저장 장치
US10355139B2 (en) 2016-06-28 2019-07-16 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with amorphous barrier layer and method of making thereof
US10361213B2 (en) 2016-06-28 2019-07-23 Sandisk Technologies Llc Three dimensional memory device containing multilayer wordline barrier films and method of making thereof
US9978768B2 (en) 2016-06-29 2018-05-22 Sandisk Technologies Llc Method of making three-dimensional semiconductor memory device having laterally undulating memory films
KR102560229B1 (ko) 2016-06-29 2023-07-27 삼성전자주식회사 전자 시스템 및 이의 동작 방법
KR102606490B1 (ko) 2016-06-30 2023-11-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치
KR102609177B1 (ko) 2016-07-04 2023-12-06 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 시스템의 동작 방법 및 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR102656168B1 (ko) 2016-07-06 2024-04-11 삼성전자주식회사 메모리 장치와 이를 포함하는 메모리 시스템
US9659866B1 (en) 2016-07-08 2017-05-23 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory structures with low source line resistance
US10381372B2 (en) 2016-07-13 2019-08-13 Sandisk Technologies Llc Selective tungsten growth for word lines of a three-dimensional memory device
US10529620B2 (en) 2016-07-13 2020-01-07 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing word lines formed by selective tungsten growth on nucleation controlling surfaces and methods of manufacturing the same
KR102589918B1 (ko) 2016-07-19 2023-10-18 삼성전자주식회사 저밀도 패리티 체크 디코더 및 그것을 포함하는 저장 장치
US9748266B1 (en) 2016-07-20 2017-08-29 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof
KR102567224B1 (ko) 2016-07-25 2023-08-16 삼성전자주식회사 데이터 저장 장치 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템
KR102545166B1 (ko) 2016-07-26 2023-06-19 삼성전자주식회사 파일을 안전하게 삭제하는 호스트, 스토리지 시스템 및 호스트의 동작방법
KR20180012640A (ko) 2016-07-27 2018-02-06 삼성전자주식회사 수직형 메모리 소자 및 이의 제조방법
KR20180016680A (ko) 2016-08-04 2018-02-19 삼성전자주식회사 저장 장치, 그것을 테스트 하는 테스트 시스템 및 방법
KR102650333B1 (ko) 2016-08-10 2024-03-25 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
US9824966B1 (en) 2016-08-12 2017-11-21 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing a lateral source contact and method of making the same
KR20180019807A (ko) 2016-08-16 2018-02-27 삼성전자주식회사 반도체 소자
KR20180021324A (ko) 2016-08-19 2018-03-02 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US9805805B1 (en) 2016-08-23 2017-10-31 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with charge carrier injection wells for vertical channels and method of making and using thereof
KR102614083B1 (ko) 2016-08-31 2023-12-18 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR20180026022A (ko) 2016-09-01 2018-03-12 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 카피백 방법
KR102621467B1 (ko) 2016-09-05 2024-01-05 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 온도 조절 방법
KR20180027710A (ko) 2016-09-06 2018-03-15 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 액세스 방법
KR102573921B1 (ko) 2016-09-13 2023-09-04 삼성전자주식회사 바이러스/멀웨어로부터 안전한 저장 장치, 그것을 포함한 컴퓨팅 시스템 및 그것의 방법
KR20180033369A (ko) 2016-09-23 2018-04-03 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
KR102545165B1 (ko) 2016-09-23 2023-06-19 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
KR20180034778A (ko) 2016-09-27 2018-04-05 삼성전자주식회사 직렬로 연결되는 스토리지 장치들 중 직접 연결되지 않은 스토리지 장치로의 바이패스 경로를 제공하도록 구성되는 전자 장치, 그것에 포함되는 스토리지 장치, 그것을 포함하는 컴퓨팅 시스템, 및 그것을 이용하여 통신하는 방법
KR102646895B1 (ko) 2016-09-29 2024-03-12 삼성전자주식회사 메모리 카드 및 이를 포함하는 스토리지 시스템
US10050054B2 (en) 2016-10-05 2018-08-14 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having drain select level isolation structure and method of making thereof
KR20180038823A (ko) 2016-10-07 2018-04-17 삼성전자주식회사 유기 금속 전구체, 이를 이용한 막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
KR20180043451A (ko) 2016-10-19 2018-04-30 삼성전자주식회사 컴퓨팅 시스템 및 그것의 동작 방법
KR102653233B1 (ko) 2016-10-25 2024-03-29 삼성전자주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
KR102609348B1 (ko) 2016-10-26 2023-12-06 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
US9881929B1 (en) 2016-10-27 2018-01-30 Sandisk Technologies Llc Multi-tier memory stack structure containing non-overlapping support pillar structures and method of making thereof
US9929174B1 (en) 2016-10-28 2018-03-27 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having non-uniform spacing among memory stack structures and method of making thereof
KR102653139B1 (ko) 2016-10-28 2024-04-02 삼성전자주식회사 복수의 입출력 유닛들을 포함하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
KR102660729B1 (ko) 2016-10-28 2024-04-26 삼성전자주식회사 전원 잡음을 검출하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
KR102519458B1 (ko) 2016-11-01 2023-04-11 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
US10008570B2 (en) 2016-11-03 2018-06-26 Sandisk Technologies Llc Bulb-shaped memory stack structures for direct source contact in three-dimensional memory device
KR102633031B1 (ko) * 2016-11-04 2024-02-05 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 소자
KR20180051703A (ko) 2016-11-07 2018-05-17 삼성전자주식회사 Raid 방식으로 데이터를 저장하는 스토리지 장치
KR102579879B1 (ko) 2016-11-14 2023-09-18 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 독출 방법
KR20180054364A (ko) 2016-11-15 2018-05-24 삼성전자주식회사 트레이스 데이터를 생성하는 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법
US9972640B1 (en) * 2016-11-17 2018-05-15 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with self-aligned drain side select gate electrodes and method of making thereof
US11644992B2 (en) 2016-11-23 2023-05-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage system performing data deduplication, method of operating storage system, and method of operating data processing system
KR102656190B1 (ko) 2016-11-24 2024-04-11 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 및 불휘발성 메모리 장치의 액세스 방법
US10068913B2 (en) 2016-11-28 2018-09-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Three dimensional semiconductor devices
US9991277B1 (en) 2016-11-28 2018-06-05 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with discrete self-aligned charge storage elements and method of making thereof
US10269438B2 (en) 2016-11-28 2019-04-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device for performing a partial read operation and a method of reading the same
KR20180061557A (ko) 2016-11-29 2018-06-08 삼성전자주식회사 컨트롤러 및 컨트롤러와 불휘발성 메모리 장치들을 포함하는 스토리지 장치
US9876031B1 (en) 2016-11-30 2018-01-23 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having passive devices at a buried source line level and method of making thereof
KR20180062158A (ko) 2016-11-30 2018-06-08 삼성전자주식회사 루프 상태 정보를 생성하는 불휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR20180061870A (ko) 2016-11-30 2018-06-08 삼성전자주식회사 메모리 모듈, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
KR20180062246A (ko) 2016-11-30 2018-06-08 삼성전자주식회사 재분배기를 포함하는 메모리 시스템
KR20180064824A (ko) 2016-12-06 2018-06-15 삼성전자주식회사 내부 신호 라인들을 테스트하는 멀티 칩 패키지
KR102487553B1 (ko) 2016-12-07 2023-01-11 삼성전자주식회사 리페어 가능한 휘발성 메모리를 포함하는 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법
KR20180066650A (ko) 2016-12-09 2018-06-19 삼성전자주식회사 반도체 소자
US10056399B2 (en) 2016-12-22 2018-08-21 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory devices containing inter-tier dummy memory cells and methods of making the same
US10032908B1 (en) 2017-01-06 2018-07-24 Sandisk Technologies Llc Multi-gate vertical field effect transistor with channel strips laterally confined by gate dielectric layers, and method of making thereof
US10396145B2 (en) 2017-01-12 2019-08-27 Micron Technology, Inc. Memory cells comprising ferroelectric material and including current leakage paths having different total resistances
KR20180083975A (ko) 2017-01-13 2018-07-24 삼성전자주식회사 트레이닝 동작을 수행하는 메모리 시스템
KR20180085418A (ko) 2017-01-18 2018-07-27 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
KR20180094205A (ko) 2017-02-14 2018-08-23 삼성전자주식회사 지문 인식 센서를 갖는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US10115735B2 (en) 2017-02-24 2018-10-30 Sandisk Technologies Llc Semiconductor device containing multilayer titanium nitride diffusion barrier and method of making thereof
KR102399356B1 (ko) 2017-03-10 2022-05-19 삼성전자주식회사 기판, 기판의 쏘잉 방법, 및 반도체 소자
US9960180B1 (en) 2017-03-27 2018-05-01 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with partially discrete charge storage regions and method of making thereof
KR102267046B1 (ko) 2017-03-29 2021-06-22 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 배드 블록 지정 방법
US10229749B2 (en) 2017-03-31 2019-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory storage system
US10381090B2 (en) 2017-03-31 2019-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Operation method of nonvolatile memory device and storage device
US20180331117A1 (en) 2017-05-12 2018-11-15 Sandisk Technologies Llc Multilevel memory stack structure with tapered inter-tier joint region and methods of making thereof
KR102351649B1 (ko) 2017-06-07 2022-01-17 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 동작 방법
US10224340B2 (en) 2017-06-19 2019-03-05 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having discrete direct source strap contacts and method of making thereof
US10438964B2 (en) 2017-06-26 2019-10-08 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having direct source contact and metal oxide blocking dielectric and method of making thereof
KR101818675B1 (ko) * 2017-06-29 2018-01-17 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 그의 형성방법
KR102387461B1 (ko) 2017-07-24 2022-04-15 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 시스템 및 이의 동작 방법
KR102395190B1 (ko) 2017-07-31 2022-05-06 삼성전자주식회사 호스트와 인터페이스를 수행하는 스토리지 장치, 호스트 및 스토리지 장치의 동작방법
KR102631353B1 (ko) 2017-08-17 2024-01-31 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법
KR102293069B1 (ko) 2017-09-08 2021-08-27 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 제어기를 포함하는 스토리지 장치, 제어기, 그리고 스토리지 장치의 동작 방법
US10453798B2 (en) 2017-09-27 2019-10-22 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with gated contact via structures and method of making thereof
US10115459B1 (en) 2017-09-29 2018-10-30 Sandisk Technologies Llc Multiple liner interconnects for three dimensional memory devices and method of making thereof
KR102440227B1 (ko) 2017-10-11 2022-09-05 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치 및 수직형 메모리 장치의 제조 방법
KR102336662B1 (ko) 2017-10-12 2021-12-07 삼성전자 주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
US11158381B2 (en) 2017-10-12 2021-10-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device and operating method thereof
KR102384773B1 (ko) 2017-10-12 2022-04-11 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 컴퓨팅 시스템, 그리고 그것의 디버깅 방법
KR102631350B1 (ko) 2017-10-12 2024-01-31 삼성전자주식회사 메모리 플레인들을 포함하는 비휘발성 메모리 장치 및 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR102384864B1 (ko) 2017-11-03 2022-04-08 삼성전자주식회사 불량 스트링을 리페어하는 방법 및 불휘발성 메모리 장치
KR102505240B1 (ko) 2017-11-09 2023-03-06 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
KR102477267B1 (ko) 2017-11-14 2022-12-13 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이의 동작 방법
KR102408621B1 (ko) 2017-11-20 2022-06-15 삼성전자주식회사 커패시터를 포함하는 불휘발성 메모리 장치
KR20190060527A (ko) 2017-11-24 2019-06-03 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법
US10229931B1 (en) 2017-12-05 2019-03-12 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing fluorine-free tungsten—word lines and methods of manufacturing the same
KR102408858B1 (ko) 2017-12-19 2022-06-14 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR102534838B1 (ko) 2017-12-20 2023-05-22 삼성전자주식회사 3차원 구조를 갖는 메모리 장치
US11823888B2 (en) 2017-12-20 2023-11-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory stack with pads connecting peripheral and memory circuits
KR102514772B1 (ko) 2017-12-28 2023-03-28 삼성전자주식회사 비동기적 동작 수행이 가능한 비휘발성 메모리 장치와 이를 포함하는 메모리 시스템, 그리고 이의 동작 수행 방법
US10373969B2 (en) 2018-01-09 2019-08-06 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device including partially surrounding select gates and fringe field assisted programming thereof
CN110033799A (zh) 2018-01-12 2019-07-19 三星电子株式会社 基于屏障命令按顺序存储数据的存储设备
US10283493B1 (en) 2018-01-17 2019-05-07 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing bonded memory die and peripheral logic die and method of making thereof
US10510738B2 (en) 2018-01-17 2019-12-17 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device having support-die-assisted source power distribution and method of making thereof
KR102611634B1 (ko) 2018-01-22 2023-12-08 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 시스템 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR102518371B1 (ko) 2018-02-02 2023-04-05 삼성전자주식회사 수직형 메모리 장치
KR102631939B1 (ko) 2018-02-07 2024-02-02 삼성전자주식회사 3차원 반도체 메모리 장치
US10256247B1 (en) 2018-02-08 2019-04-09 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device with silicided word lines, air gap layers and discrete charge storage elements, and method of making thereof
KR102509909B1 (ko) 2018-03-09 2023-03-15 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템
US11217532B2 (en) 2018-03-14 2022-01-04 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing compositionally graded word line diffusion barrier layer for and methods of forming the same
US10770459B2 (en) 2018-03-23 2020-09-08 Sandisk Technologies Llc CMOS devices containing asymmetric contact via structures
US10355017B1 (en) 2018-03-23 2019-07-16 Sandisk Technologies Llc CMOS devices containing asymmetric contact via structures and method of making the same
KR102617353B1 (ko) 2018-03-27 2023-12-26 삼성전자주식회사 복수의 수직 채널 구조체들을 갖는 3차원 메모리 장치
US10453856B1 (en) 2018-03-28 2019-10-22 Macronix International Co., Ltd. Low resistance vertical channel 3D memory
KR102656172B1 (ko) 2018-03-28 2024-04-12 삼성전자주식회사 가상 스트림들과 물리 스트림들을 맵핑하기 위한 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법
KR102612406B1 (ko) 2018-04-06 2023-12-13 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자
US10515810B2 (en) 2018-04-10 2019-12-24 Macronix International Co., Ltd. Self-aligned di-silicon silicide bit line and source line landing pads in 3D vertical channel memory
US10756186B2 (en) 2018-04-12 2020-08-25 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device including germanium-containing vertical channels and method of making the same
KR102508529B1 (ko) 2018-04-12 2023-03-09 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치의 초기화 정보를 읽는 방법
KR102541615B1 (ko) 2018-04-13 2023-06-09 삼성전자주식회사 리소그래피용 기판 처리 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US10381322B1 (en) 2018-04-23 2019-08-13 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device containing self-aligned interlocking bonded structure and method of making the same
KR102603916B1 (ko) 2018-04-25 2023-11-21 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 제어기를 포함하는 스토리지 장치
US10490667B1 (en) 2018-05-15 2019-11-26 International Business Machines Corporation Three-dimensional field effect device
US10971490B2 (en) * 2018-05-15 2021-04-06 International Business Machines Corporation Three-dimensional field effect device
US10381362B1 (en) * 2018-05-15 2019-08-13 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional memory device including inverted memory stack structures and methods of making the same
KR102619625B1 (ko) 2018-05-18 2024-01-02 삼성전자주식회사 반도체 소자
KR102581331B1 (ko) 2018-05-31 2023-09-25 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 그것의 동작 방법
US11227660B2 (en) 2018-05-31 2022-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device and operating method thereof
KR102606826B1 (ko) 2018-06-08 2023-11-27 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 소거 방법
KR102543224B1 (ko) 2018-06-08 2023-06-12 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그의 제조 방법
US11081186B2 (en) 2018-06-08 2021-08-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device and erasing method of the same
KR102387960B1 (ko) 2018-07-23 2022-04-19 삼성전자주식회사 컨트롤러 및 그것의 동작 방법
US11177254B2 (en) 2018-10-13 2021-11-16 Applied Materials, Inc. Stacked transistor device
KR102467312B1 (ko) 2018-10-15 2022-11-14 삼성전자주식회사 고전압 스위치 회로 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치
KR102645142B1 (ko) 2018-10-25 2024-03-07 삼성전자주식회사 예측된 유효 페이지들을 이용하여 가비지 콜렉션을 수행하는 스토리지 장치들, 방법들 및 불휘발성 메모리 장치들
KR102659570B1 (ko) 2018-10-29 2024-04-24 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템, 그리고 불휘발성 메모리 장치를 제어하는 방법
KR20200049051A (ko) 2018-10-31 2020-05-08 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 구동 방법, 이를 수행하는 스토리지 장치 및 이를 이용한 스토리지 시스템의 구동 방법
KR20200054600A (ko) 2018-11-12 2020-05-20 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 구동 방법, 이를 수행하는 스토리지 장치 및 이를 포함하는 스토리지 시스템
KR102599123B1 (ko) 2018-11-14 2023-11-06 삼성전자주식회사 인공 신경망 모델에 기초하여 읽기 레벨들을 추론하는 스토리지 장치 및 인공 신경망 모델의 학습 방법
KR102599117B1 (ko) 2018-11-14 2023-11-06 삼성전자주식회사 블록들의 온 셀 카운트들을 모니터링하고 저장하는 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법
KR20200076946A (ko) 2018-12-20 2020-06-30 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 데이터 기입 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치
JP7270740B2 (ja) 2018-12-20 2023-05-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ３ｄｎａｎｄ応用のためのメモリセルの製造
KR20200099024A (ko) 2019-02-13 2020-08-21 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치, 그리고 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
US10879260B2 (en) 2019-02-28 2020-12-29 Sandisk Technologies Llc Bonded assembly of a support die and plural memory dies containing laterally shifted vertical interconnections and methods for making the same
US11031071B2 (en) 2019-03-05 2021-06-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, operating method of nonvolatile memory device, and storage device including nonvolatile memory device
KR20200107024A (ko) 2019-03-05 2020-09-16 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법, 그리고 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
KR20200115804A (ko) 2019-03-26 2020-10-08 삼성전자주식회사 평행 구조를 포함하는 반도체 메모리 장치
US11183250B2 (en) 2019-04-16 2021-11-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory controller, memory device and memory system having improved threshold voltage distribution characteristics and related operating methods
KR20200144184A (ko) 2019-06-17 2020-12-29 삼성전자주식회사 정보 저장 패턴을 포함하는 반도체 소자
KR20200144389A (ko) 2019-06-18 2020-12-29 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 액세스 방법
KR20200145151A (ko) 2019-06-20 2020-12-30 삼성전자주식회사 맵핑 정보를 축약하는 플래시 변환 계층 구조를 이용하여 메모리 리소스를 관리하는 데이터 저장 장치
US11170834B2 (en) 2019-07-10 2021-11-09 Micron Technology, Inc. Memory cells and methods of forming a capacitor including current leakage paths having different total resistances
US11367493B2 (en) 2019-07-18 2022-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices and program methods thereof
KR20210010726A (ko) 2019-07-18 2021-01-28 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR20210010748A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 삼성전자주식회사 3차원 반도체 장치
US11244721B2 (en) 2019-07-26 2022-02-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device for controlling unselected memory cells in accordance with adjacency to selected memory cell, and method for operating the same
KR20210016184A (ko) 2019-08-01 2021-02-15 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
KR20210016186A (ko) 2019-08-01 2021-02-15 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법
KR20210020689A (ko) 2019-08-16 2021-02-24 삼성전자주식회사 추론에 기초하여 요청을 처리하는 메모리 시스템 및 이의 동작 방법
KR20210025162A (ko) 2019-08-26 2021-03-09 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 스토리지 장치, 그리고 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
US11158379B2 (en) 2019-08-26 2021-10-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, storage device, and operating method of nonvolatile memory device
KR20210025249A (ko) 2019-08-27 2021-03-09 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 그 동작 방법
US11069417B2 (en) 2019-08-27 2021-07-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory system and method of operating the same
KR20210027670A (ko) 2019-08-30 2021-03-11 삼성전자주식회사 반도체 다이 및 반도체 웨이퍼
US11348848B2 (en) 2019-08-30 2022-05-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor die, semiconductor wafer, semiconductor device including the semiconductor die and method of manufacturing the semiconductor device
KR20210027896A (ko) 2019-09-03 2021-03-11 삼성전자주식회사 캘리브레이션 시간을 줄일 수 있는 멀티 칩 패키지 및 그것의 zq 캘리브레이션 방법
US11217283B2 (en) 2019-09-03 2022-01-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-chip package with reduced calibration time and ZQ calibration method thereof
KR20210034274A (ko) 2019-09-20 2021-03-30 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 구동 방법 및 이를 수행하는 비휘발성 메모리 장치
KR20210039871A (ko) 2019-10-02 2021-04-12 삼성전자주식회사 메타 데이터를 관리하는 스토리지 시스템, 스토리지 시스템을 제어하는 호스트 시스템 및 스토리지 시스템의 동작방법
US11545341B2 (en) 2019-10-02 2023-01-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same
KR20210043101A (ko) 2019-10-11 2021-04-21 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR20210044564A (ko) 2019-10-15 2021-04-23 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그것의 가비지 컬렉션 방법
US11282827B2 (en) 2019-10-16 2022-03-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device having stacked structure with spaced apart conductive layers
KR20210045538A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치
KR20210047413A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 셀들을 포함하는 컴퓨팅 장치
US11270759B2 (en) 2019-10-21 2022-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Flash memory device and computing device including flash memory cells
KR20210059815A (ko) 2019-11-15 2021-05-26 삼성전자주식회사 메모리 기반의 뉴로모픽 장치
US11309032B2 (en) 2019-11-26 2022-04-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device
KR20210065435A (ko) 2019-11-27 2021-06-04 삼성전자주식회사 외장형 스토리지 장치 및 외장형 스토리지 장치의 동작 방법
EP3832653A3 (en) 2019-12-04 2021-06-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device
KR20210070472A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치
KR20210083466A (ko) 2019-12-26 2021-07-07 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR20210082705A (ko) 2019-12-26 2021-07-06 삼성전자주식회사 미리 정의된 시간을 사용한 스토리지 장치의 작업 스케쥴링 방법 및 이를 이용한 스토리지 시스템의 구동 방법
US11289502B2 (en) * 2019-12-26 2022-03-29 Macronix International Co., Ltd. Memory device and method for fabricating the same
KR20210083545A (ko) 2019-12-27 2021-07-07 삼성전자주식회사 씨오피 구조를 갖는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 패키지
KR20210087628A (ko) 2020-01-03 2021-07-13 삼성전자주식회사 네트워크 기반 스토리지 장치의 구동 방법 및 이를 이용한 스토리지 시스템의 구동 방법
EP3848787B1 (en) 2020-01-10 2024-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device configured to change power state based on reference clock from host device
KR20210092860A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
KR20210094696A (ko) 2020-01-21 2021-07-30 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 스토리지 장치, 및 그것의 프로그램 방법
US11309014B2 (en) 2020-01-21 2022-04-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device transmitting small swing data signal and operation method thereof
KR20210100790A (ko) 2020-02-06 2021-08-18 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
EP3863017B1 (en) 2020-02-06 2023-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and operating method of storage device
KR20210101982A (ko) 2020-02-11 2021-08-19 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법
KR20210111390A (ko) 2020-03-02 2021-09-13 삼성전자주식회사 배드 블록 검출 시간을 단축하기 위한 메모리 장치 및 방법
KR20210130508A (ko) 2020-04-22 2021-11-01 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR20210133087A (ko) 2020-04-28 2021-11-05 삼성전자주식회사 데이터의 안전한 폐기 기능을 제공하는 스토리지 장치 및 그 동작방법
KR20210135376A (ko) 2020-05-04 2021-11-15 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치, 그리고 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
US11776954B2 (en) 2020-05-22 2023-10-03 Tokyo Electron Limited Semiconductor apparatus having a silicide between two devices
US11561912B2 (en) 2020-06-01 2023-01-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Host controller interface using multiple circular queue, and operating method thereof
KR20210149521A (ko) 2020-06-02 2021-12-09 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 이의 동작 방법
KR20210151581A (ko) 2020-06-05 2021-12-14 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 메모리 컨트롤러의 동작 방법 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치
US11675531B2 (en) 2020-06-17 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device for high speed link startup and storage system including the same
KR20210158703A (ko) 2020-06-24 2021-12-31 삼성전자주식회사 집적회로 장치 및 이의 제조 방법
KR20210158579A (ko) 2020-06-24 2021-12-31 삼성전자주식회사 용량 확장성을 가지는 스토리지 시스템 및 그 구동 방법
US20210408117A1 (en) * 2020-06-29 2021-12-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Multi-gate selector switches for memory cells and methods of forming the same
KR20220006927A (ko) 2020-07-09 2022-01-18 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 및 이를 포함하는 스토리지 장치, 및 메모리 시스템
US11594293B2 (en) 2020-07-10 2023-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device with conditional skip of verify operation during write and operating method thereof
KR20220007317A (ko) 2020-07-10 2022-01-18 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 데이터 소거 방법 및 이를 수행하는 비휘발성 메모리 장치
DE102021103872A1 (de) 2020-07-13 2022-01-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Nichtflüchtige speichervorrichtung, die eine hocheffiziente e/a-schnittstelle unterstützt
US11714561B2 (en) 2020-07-17 2023-08-01 Samsung Electronics Co., Ltd. System, device and method for writing data to protected region
KR20220010360A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 삼성전자주식회사 페이지 버퍼 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치
KR20220013236A (ko) 2020-07-24 2022-02-04 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR20220015245A (ko) 2020-07-30 2022-02-08 삼성전자주식회사 프로그래밍 동안 양방향 채널 프리차지를 수행하는 비휘발성 메모리 장치
KR20220019557A (ko) 2020-08-10 2022-02-17 삼성전자주식회사 페이지 버퍼 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치
KR20220020143A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 삼성전자주식회사 오버라이트 처리를 수행하는 스토리지 시스템, 스토리지 시스템을 제어하는 호스트 시스템 및 스토리지 시스템의 동작 방법
KR20220019969A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 삼성전자주식회사 메모리 시스템, 이의 구동 방법 및 이를 이용한 스토리지 장치
KR20220020717A (ko) 2020-08-12 2022-02-21 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 컨트롤러 및 이들을 포함하는 메모리 시스템
KR20220020636A (ko) 2020-08-12 2022-02-21 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 상기 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 장치 및 상기 메모리 컨트롤러의 동작 방법
KR20220021753A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리의 파워 로스 프로텍션 영역에 저장된 온 셀 카운트를 복원하여 읽기 동작을 수행하는 스토리지 장치
KR20220022355A (ko) 2020-08-18 2022-02-25 삼성전자주식회사 멀티 페이지 데이터를 프로그램하기 위한 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR20220026432A (ko) 2020-08-25 2022-03-04 삼성전자주식회사 고속 링크 스타트업을 수행하는 스토리지 장치 및 이를 포함하는 스토리지 시스템
KR20220027550A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 삼성전자주식회사 온도 보상을 수행하는 메모리 장치 및 그 동작방법
US11625297B2 (en) 2020-08-28 2023-04-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and operating method thereof
KR20220029233A (ko) 2020-09-01 2022-03-08 삼성전자주식회사 페이지 버퍼 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치
KR20220032288A (ko) 2020-09-07 2022-03-15 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR20220034561A (ko) 2020-09-11 2022-03-18 삼성전자주식회사 멀티 레벨 신호 생성을 위한 송신기 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR20220034341A (ko) 2020-09-11 2022-03-18 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 스토리지 장치 및 메모리 컨트롤러의 구동방법
KR20220037184A (ko) 2020-09-17 2022-03-24 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 시스템 및 스토리지 시스템의 동작 방법
KR20220037618A (ko) 2020-09-18 2022-03-25 삼성전자주식회사 시간 분할 샘플링 페이지 버퍼를 이용하여 읽기 동작을 수행하는 스토리지 장치
KR20220039908A (ko) 2020-09-21 2022-03-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
EP3979250A1 (en) 2020-09-21 2022-04-06 Samsung Electronics Co., Ltd. 3d nonvolatile memory device device including channel short circuit detection
KR20220040566A (ko) * 2020-09-23 2022-03-31 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이를 포함하는 전자 시스템
KR20220040847A (ko) 2020-09-24 2022-03-31 삼성전자주식회사 펌웨어 업데이트를 수행하는 스토리지 장치 및 이의 동작 방법
US20220102224A1 (en) 2020-09-29 2022-03-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Test method of storage device implemented in multi-chip package (mcp) and method of manufacturing an mcp including the test method
KR20220043315A (ko) 2020-09-29 2022-04-05 삼성전자주식회사 메모리 소자
KR20220043763A (ko) 2020-09-29 2022-04-05 삼성전자주식회사 컬럼 리페어를 위한 메모리 장치
US11756592B2 (en) 2020-09-29 2023-09-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device supporting DBI interface and operating method of memory device
KR20220043302A (ko) 2020-09-29 2022-04-05 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 리셋 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치
KR20220046948A (ko) 2020-10-08 2022-04-15 삼성전자주식회사 스토리지 컨트롤러, 스토리지 시스템 및 그 동작방법
KR20220048303A (ko) 2020-10-12 2022-04-19 삼성전자주식회사 크레딧을 이용하는 호스트 장치와 스토리지 장치의 동작 방법
WO2022080842A1 (ko) * 2020-10-13 2022-04-21 한양대학교 산학협력단 3차원 플래시 메모리, 그 제조 방법 및 그 동작 방법
KR20220049652A (ko) 2020-10-14 2022-04-22 삼성전자주식회사 메모리 장치
KR20220049215A (ko) 2020-10-14 2022-04-21 삼성전자주식회사 메모리 장치, 호스트 장치 및 이들을 포함하는 메모리 시스템
KR20220050272A (ko) 2020-10-15 2022-04-25 삼성전자주식회사 메모리 장치
KR20220050683A (ko) 2020-10-16 2022-04-25 삼성전자주식회사 고효율 입출력 인터페이스를 지원하는 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
KR20220052018A (ko) 2020-10-20 2022-04-27 삼성전자주식회사 스토리지 시스템
KR20220053726A (ko) 2020-10-22 2022-05-02 삼성전자주식회사 메모리 장치
KR20220055034A (ko) 2020-10-26 2022-05-03 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 구동 방법 및 이를 이용한 스토리지 시스템의 구동 방법
KR20220056919A (ko) 2020-10-28 2022-05-09 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 갖는 저장 장치, 및 그것의 리드 방법
KR20220056729A (ko) 2020-10-28 2022-05-06 삼성전자주식회사 커맨드 스케줄링을 수행하는 컨트롤러, 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치 및 컨트롤러의 동작 방법
EP3992971A1 (en) 2020-10-28 2022-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device
KR20220057834A (ko) 2020-10-30 2022-05-09 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 이를 포함하는 대용량 데이터 저장 시스템
KR20220057820A (ko) 2020-10-30 2022-05-09 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 시스템
US11887684B2 (en) 2020-10-30 2024-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device including nonvolatile memory device, operating method of storage device, and operating method of electronic device including nonvolatile memory device
KR20220058753A (ko) 2020-10-30 2022-05-10 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 갖는 저장 장치 및 그것의 리드 방법
KR20220060572A (ko) 2020-11-04 2022-05-12 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 갖는 저장 장치, 및 그것의 리드 방법
KR20220063956A (ko) 2020-11-11 2022-05-18 삼성전자주식회사 메모리 장치의 임피던스 조정 회로 및 임피던스 조정 방법
KR20220065296A (ko) 2020-11-13 2022-05-20 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 블록 내구성 측정 방법 및 이를 이용한 스토리지 장치의 웨어 레벨링 방법
KR20220067572A (ko) 2020-11-16 2022-05-25 삼성전자주식회사 메모리 패키지 및 이를 포함하는 저장 장치
KR20220067419A (ko) 2020-11-17 2022-05-24 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 시스템 및 이들의 동작 방법
KR20220067795A (ko) 2020-11-18 2022-05-25 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 이를 포함하는 스토리지 시스템
KR20220068540A (ko) 2020-11-19 2022-05-26 삼성전자주식회사 메모리 칩 및 주변 회로 칩을 포함하는 메모리 장치 및 상기 메모리 장치의 제조 방법
KR20220069543A (ko) 2020-11-20 2022-05-27 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 컨트롤러 및 이를 포함하는 스토리지 시스템
KR20220070613A (ko) 2020-11-23 2022-05-31 삼성전자주식회사 호스트 장치, 메모리 장치의 구동 방법 및 메모리 시스템
KR20220073924A (ko) 2020-11-27 2022-06-03 삼성전자주식회사 백그라운드 트레이닝을 수행하는 수신기, 이를 포함하는 메모리 장치 및 이를 이용한 데이터 수신 방법
KR20220075571A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 데이터 기입 방법, 이를 수행하는 비휘발성 메모리 장치 및 이를 이용한 메모리 시스템의 구동 방법
KR20220086286A (ko) 2020-12-16 2022-06-23 삼성전자주식회사 보호 영역에 데이터를 기입하기 위한 시스템, 장치 및 방법
KR20220087297A (ko) 2020-12-17 2022-06-24 삼성전자주식회사 처리 코드를 실행하는 스토리지 장치 및 이의 동작 방법
KR20220087231A (ko) 2020-12-17 2022-06-24 삼성전자주식회사 저전력 소모를 위하여 클럭 스위칭하는 장치, 메모리 콘트롤러, 메모리 장치, 메모리 시스템 및 방법
KR20220087655A (ko) 2020-12-17 2022-06-27 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그의 동작 방법
KR20220090885A (ko) 2020-12-23 2022-06-30 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 잔여 수명 예측 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치
KR20220092021A (ko) 2020-12-24 2022-07-01 삼성전자주식회사 스토리지 컨트롤러 및 이를 포함하는 스토리지 시스템
KR20220093982A (ko) 2020-12-28 2022-07-05 삼성전자주식회사 파편화율을 이용하는 메모리 컨트롤러, 및 스토리지 장치 및 이의 동작 방법
KR20220094726A (ko) 2020-12-29 2022-07-06 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러, 비휘발성 메모리 장치 및 그 스토리지 장치
KR20220096077A (ko) 2020-12-30 2022-07-07 삼성전자주식회사 Ecc 데이터를 이용하여 신뢰성 검사를 수행하는 스토리지 장치
KR20220101349A (ko) 2021-01-11 2022-07-19 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 데이터 기입 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치
US11875036B2 (en) 2021-01-13 2024-01-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Computing system including host and storage system and having increased write performance
KR20220103227A (ko) 2021-01-14 2022-07-22 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 갖는 저장 장치, 및 그것의 리드 방법
KR20220105940A (ko) 2021-01-21 2022-07-28 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR20220105890A (ko) 2021-01-21 2022-07-28 삼성전자주식회사 커맨드가 삽입된 데이터를 공유된 채널 양방향으로 전송할 수 있는 스토리지 장치 및 그것의 동작 방법
KR20220106307A (ko) 2021-01-22 2022-07-29 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 그 구동 방법
KR20220107486A (ko) 2021-01-25 2022-08-02 삼성전자주식회사 메모리 시스템
KR20220120967A (ko) 2021-02-24 2022-08-31 삼성전자주식회사 스토리지 컨트롤러, 그 동작방법
US11636912B2 (en) 2021-04-06 2023-04-25 Samsung Electronics Co., Ltd. ECC buffer reduction in a memory device
KR20220144093A (ko) 2021-04-19 2022-10-26 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 장치와 호스트 장치의 구동 방법
KR20220148548A (ko) 2021-04-29 2022-11-07 삼성전자주식회사 이상 전압 감지 장치, 스토리지 장치 및 차량
US11652148B2 (en) * 2021-05-13 2023-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of selective film deposition and semiconductor feature made by the method
KR102317788B1 (ko) 2021-05-14 2021-10-26 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법
KR20220155664A (ko) 2021-05-17 2022-11-24 삼성전자주식회사 페이지 버퍼 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치
KR102344380B1 (ko) 2021-06-02 2021-12-28 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR20220164181A (ko) 2021-06-04 2022-12-13 삼성전자주식회사 호스트 장치 및 메모리 장치의 구동 방법, 호스트 장치와 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템
KR20220164852A (ko) 2021-06-04 2022-12-14 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR20220167979A (ko) 2021-06-15 2022-12-22 삼성전자주식회사 물리적 복제 방지 기능을 갖는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR102434036B1 (ko) 2021-06-17 2022-08-19 삼성전자주식회사 보조 전원 장치의 수명을 위한 충전 전압 제어 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치
KR20230007806A (ko) 2021-07-06 2023-01-13 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR20230011747A (ko) 2021-07-14 2023-01-25 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
DE102021118788A1 (de) 2021-07-15 2023-01-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. VERFAHREN UND STRUKTUREN FÜR VERBESSERTEN FERROELEKTRISCHEN DIREKTZUGRIFFSSPEICHER (FeRAM)
KR20230018215A (ko) 2021-07-29 2023-02-07 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 컨트롤러 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법
KR102374076B1 (ko) 2021-07-29 2022-03-14 삼성전자주식회사 보조 전원 장치의 불량 방지 회로를 포함하는 스토리지 장치 및 보조 전원 장치의 제어 방법
KR20230021199A (ko) 2021-08-04 2023-02-14 삼성전자주식회사 모드 설정을 지원하는 니어-메모리를 포함하는 전자 장치, 및 이의 동작 방법
KR102430495B1 (ko) 2021-08-04 2022-08-09 삼성전자주식회사 저장 장치, 호스트 장치 및 그것의 데이터 전송 방법
KR20230023113A (ko) 2021-08-09 2023-02-17 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR102519664B1 (ko) 2021-08-31 2023-04-10 삼성전자주식회사 스토리지 장치, 스토리지 컨트롤러 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법
KR20230035820A (ko) 2021-09-06 2023-03-14 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 신뢰성 열화 감소 방법 및 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치
KR20230044882A (ko) 2021-09-27 2023-04-04 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 이의 프로그램 방법
KR20230050549A (ko) 2021-10-07 2023-04-17 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치
KR20230049982A (ko) 2021-10-07 2023-04-14 삼성전자주식회사 멀티 레벨 신호 수신을 위한 파이프라인 방식의 수신기 및 이를 포함하는 메모리 장치
KR20230055270A (ko) 2021-10-18 2023-04-25 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR20230056315A (ko) 2021-10-20 2023-04-27 삼성전자주식회사 멀티 레벨 신호 수신을 위한 수신기 및 이를 포함하는 메모리 장치
KR20230059911A (ko) 2021-10-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR20230059910A (ko) 2021-10-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 컨트롤러, 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR20230061029A (ko) 2021-10-28 2023-05-08 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR102385572B1 (ko) 2021-11-02 2022-04-13 삼성전자주식회사 컨트롤러, 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
KR20230063386A (ko) 2021-11-02 2023-05-09 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR20230063508A (ko) 2021-11-02 2023-05-09 삼성전자주식회사 멀티 테넌시를 지원하는 스토리지 장치 및 이의 동작 방법
CN117222229A (zh) * 2021-11-03 2023-12-12 长江存储科技有限责任公司 三维存储装置及其制造方法
KR20230064847A (ko) 2021-11-04 2023-05-11 삼성전자주식회사 메모리 장치, 호스트 장치 및 메모리 장치의 구동 방법
US11972111B2 (en) 2021-11-09 2024-04-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device for improving speed of program operation and operating method thereof
US20230146540A1 (en) 2021-11-09 2023-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and an operating method of a storage controller thereof
CN116107496A (zh) 2021-11-09 2023-05-12 三星电子株式会社 存储器系统和操作存储器控制器的方法
US20230145681A1 (en) 2021-11-10 2023-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of programming non-volatile memory device
EP4181135A1 (en) 2021-11-10 2023-05-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device having multistack memory block and method of operating the same
US20230143829A1 (en) 2021-11-10 2023-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Page buffer circuit and memory device including the same
CN116110473A (zh) 2021-11-10 2023-05-12 三星电子株式会社 存储器装置、存储器系统和操作存储器系统的方法
KR102641756B1 (ko) 2021-11-11 2024-02-29 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법
EP4181138A1 (en) 2021-11-11 2023-05-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device, storage device having the same, and operating method thereof
US20230153238A1 (en) 2021-11-12 2023-05-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of operating a storage device using multi-level address translation and a storage device performing the same
US20230154540A1 (en) 2021-11-15 2023-05-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage system and operating method of storage controller
US11966608B2 (en) 2021-11-15 2024-04-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory controller with improved data reliability and memory system including the same
US20230152993A1 (en) 2021-11-15 2023-05-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device
US20230154542A1 (en) 2021-11-15 2023-05-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device and erase method thereof
EP4180970A1 (en) 2021-11-15 2023-05-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device operating in zone unit and data processing system including the same
US20230154529A1 (en) 2021-11-17 2023-05-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage controller and storage device including the same
KR20230072318A (ko) 2021-11-17 2023-05-24 삼성전자주식회사 웨이퍼-투-웨이퍼 본딩을 이용하는 스토리지 장치 및 그의 제조 방법
KR20230075014A (ko) 2021-11-22 2023-05-31 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
KR20230075164A (ko) 2021-11-22 2023-05-31 삼성전자주식회사 수직형 구조를 가지는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
US11929762B2 (en) 2021-11-24 2024-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Low density parity check decoder and storage device
US11841767B2 (en) 2021-11-24 2023-12-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Controller controlling non-volatile memory device, storage device including the same, and operating method thereof
KR20230076656A (ko) 2021-11-24 2023-05-31 삼성전자주식회사 워드라인 전압 기울기를 조절하는 메모리 장치 및 그 동작방법
US20230162797A1 (en) 2021-11-25 2023-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device
KR20230080766A (ko) 2021-11-30 2023-06-07 삼성전자주식회사 메모리 장치에 대한 메모리 컨트롤러
KR102481649B1 (ko) 2021-12-01 2022-12-28 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR20230082377A (ko) 2021-12-01 2023-06-08 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러 및 메모리 시스템
US20230176788A1 (en) 2021-12-03 2023-06-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device
US11736098B2 (en) 2021-12-03 2023-08-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory package, semiconductor device, and storage device
EP4195209A1 (en) 2021-12-07 2023-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory
KR20230092227A (ko) 2021-12-17 2023-06-26 삼성전자주식회사 멀티코어 프로세서 및 스토리지 장치
KR20230096304A (ko) 2021-12-23 2023-06-30 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 리프로그램 방법, 프로그램 방법 및 이를 수행하는 비휘발성 메모리 장치
EP4207199A3 (en) 2021-12-28 2023-08-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory device, memory system including the same, and operating method of the memory system
US20230230640A1 (en) 2022-01-18 2023-07-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device including combined sensing node and cache read method thereof
US20230255036A1 (en) 2022-02-10 2023-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device
US20230267975A1 (en) 2022-02-18 2023-08-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device
KR20230168390A (ko) 2022-06-07 2023-12-14 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 전자 시스템
KR20240004062A (ko) 2022-07-04 2024-01-11 삼성전자주식회사 메모리 장치의 동작 방법, 반도체 장치 및 메모리 장치의 테스트 방법
KR20240020093A (ko) 2022-08-05 2024-02-14 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR20240030819A (ko) 2022-08-31 2024-03-07 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 컨트롤러의 동작 방법
KR20240040507A (ko) 2022-09-21 2024-03-28 삼성전자주식회사 스토리지 시스템 및 스토리지 시스템의 동작 방법
KR20240044119A (ko) 2022-09-28 2024-04-04 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR20240048306A (ko) 2022-10-06 2024-04-15 삼성전자주식회사 G-ldpc 인코더, g-ldpc 인코딩 방법 및 스토리지 장치
US20240160794A1 (en) 2022-11-10 2024-05-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Operating method of storage device and operating method of storage system including storage device
US20240160532A1 (en) 2022-11-10 2024-05-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Data backup method of storage device using sensor information, and storage device and storage system performing the same
CN118057536A (zh) 2022-11-18 2024-05-21 三星电子株式会社 非易失性存储器装置和存储装置
US20240176543A1 (en) 2022-11-25 2024-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of operating storage device using program suspension control and storage device performing the same
US20240176540A1 (en) 2022-11-29 2024-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Storage device and storage system for direct storage

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06338602A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2003007868A (ja) * 2001-06-22 2003-01-10 Fujio Masuoka 半導体記憶装置
JP2007180389A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6664143B2 (en) * 2000-11-22 2003-12-16 North Carolina State University Methods of fabricating vertical field effect transistors by conformal channel layer deposition on sidewalls
US6406962B1 (en) * 2001-01-17 2002-06-18 International Business Machines Corporation Vertical trench-formed dual-gate FET device structure and method for creation
KR100401130B1 (ko) * 2001-03-28 2003-10-10 한국전자통신연구원 수직형 채널을 가지는 초미세 ｍｏｓ 트랜지스터 제조방법
KR100457227B1 (ko) 2001-12-29 2004-11-16 동부전자 주식회사 플레시 이이피롬셀 및 그 제조방법
US6544824B1 (en) * 2002-01-03 2003-04-08 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method to form a vertical transistor by first forming a gate/spacer stack, then using selective epitaxy to form source, drain and channel
KR100553687B1 (ko) * 2003-05-29 2006-02-24 삼성전자주식회사 축소가능한 2개의 트랜지스터 기억 소자 및 그 형성방법
US7098502B2 (en) * 2003-11-10 2006-08-29 Freescale Semiconductor, Inc. Transistor having three electrically isolated electrodes and method of formation
US7241654B2 (en) * 2003-12-17 2007-07-10 Micron Technology, Inc. Vertical NROM NAND flash memory array
US7053447B2 (en) 2004-09-14 2006-05-30 Infineon Technologies Ag Charge-trapping semiconductor memory device
KR100674952B1 (ko) * 2005-02-05 2007-01-26 삼성전자주식회사 3차원 플래쉬 메모리 소자 및 그 제조방법
US7378707B2 (en) * 2005-05-26 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Scalable high density non-volatile memory cells in a contactless memory array
US20070034922A1 (en) * 2005-08-11 2007-02-15 Micron Technology, Inc. Integrated surround gate multifunctional memory device
KR100682537B1 (ko) * 2005-11-30 2007-02-15 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 형성 방법
JP5016832B2 (ja) 2006-03-27 2012-09-05 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US7631150B2 (en) 2006-09-29 2009-12-08 Broadcom Corporation Memory management in a shared memory system
US7368347B2 (en) * 2006-10-03 2008-05-06 Spansion Llc Dual bit flash memory devices and methods for fabricating the same
KR100889361B1 (ko) * 2006-10-17 2009-03-18 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법
US7781827B2 (en) * 2007-01-24 2010-08-24 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device with a vertical MOSFET including a superlattice and related methods
KR100881825B1 (ko) * 2007-07-27 2009-02-03 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101226685B1 (ko) 2007-11-08 2013-01-25 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자 및 그 제조 방법.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06338602A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2003007868A (ja) * 2001-06-22 2003-01-10 Fujio Masuoka 半導体記憶装置
JP2007180389A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法

Cited By (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010182947A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP2011003833A (ja) * 2009-06-22 2011-01-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
KR101525130B1 (ko) * 2009-08-03 2015-06-03 에스케이하이닉스 주식회사 수직채널형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
JP2011054969A (ja) * 2009-09-03 2011-03-17 Samsung Electronics Co Ltd 半導体素子及びその形成方法
JP2011054899A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
US8169016B2 (en) 2009-09-04 2012-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
JP2011060838A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
US8426908B2 (en) 2009-09-07 2013-04-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8343820B2 (en) 2009-09-07 2013-01-01 Hynix Semiconductor Inc. Method for fabricating vertical channel type non-volatile memory device
KR101096199B1 (ko) 2009-09-07 2011-12-22 주식회사 하이닉스반도체 수직채널형 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
JP2011077521A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Samsung Electronics Co Ltd 垂直形不揮発性メモリ装置及びその製造方法
JP2011108895A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP2011108921A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US8482049B2 (en) 2009-12-16 2013-07-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices and methods for fabricating the same
US9196525B2 (en) 2009-12-18 2015-11-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same
US9418911B2 (en) 2009-12-18 2016-08-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory device having sidewall and interlayer molds
US8742466B2 (en) 2009-12-18 2014-06-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor device including a mold structure providing gap regions and an interconnection structure including a plurality of interconnection patterns formed in the gap regions
US8569829B2 (en) 2009-12-28 2013-10-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device
JP2011138945A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JP2011187533A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
US8415242B2 (en) 2010-03-23 2013-04-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
JP2011199131A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US8530957B2 (en) 2010-03-23 2013-09-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US8569825B2 (en) 2010-03-24 2013-10-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor storage device
US9768266B2 (en) 2010-03-26 2017-09-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
US10903327B2 (en) 2010-03-26 2021-01-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
US11588032B2 (en) 2010-03-26 2023-02-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
JP2011211200A (ja) * 2010-03-26 2011-10-20 Samsung Electronics Co Ltd ３次元半導体装置
US9536970B2 (en) 2010-03-26 2017-01-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
US11888042B2 (en) 2010-03-26 2024-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
US9564499B2 (en) 2010-03-26 2017-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
JP2011249803A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Samsung Electronics Co Ltd 不揮発性メモリ素子及びその製造方法、並びにそれを含むメモリ・モジュール及びシステム
US9780115B2 (en) 2010-06-28 2017-10-03 Micron Technology, Inc. Three dimensional memory and methods of forming the same
US10090324B2 (en) 2010-06-28 2018-10-02 Micron Technology, Inc. Three dimensional memory and methods of forming the same
US10510769B2 (en) 2010-06-28 2019-12-17 Micron Technology, Inc. Three dimensional memory and methods of forming the same
US11700730B2 (en) 2010-06-28 2023-07-11 Micron Technology, Inc. Three dimensional memory and methods of forming the same
CN103038882A (zh) * 2010-06-28 2013-04-10 美光科技公司 三维存储器及形成所述三维存储器的方法
US9379005B2 (en) 2010-06-28 2016-06-28 Micron Technology, Inc. Three dimensional memory and methods of forming the same
JP2013533628A (ja) * 2010-06-28 2013-08-22 マイクロン テクノロジー， インク． ３次元メモリおよびその形成方法
US10872903B2 (en) 2010-06-28 2020-12-22 Micron Technology, Inc. Three dimensional memory and methods of forming the same
JP2015149503A (ja) * 2010-06-28 2015-08-20 マイクロン テクノロジー， インク． ３次元メモリおよびその形成方法
US9000508B2 (en) 2010-07-02 2015-04-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices having vertically integrated nonvolatile memory cell sub-strings therein
JP2012015517A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Samsung Electronics Co Ltd 垂直的に集積された不揮発性記憶セルサブストリングを含む不揮発性記憶装置の形成方法、及び形成された不揮発性記憶装置
JP2014140054A (ja) * 2010-07-15 2014-07-31 Micron Technology Inc 互いに隣接する実質的に垂直な半導体構造を有するメモリアレイ、およびそれらの形成
US9147681B2 (en) 2010-07-15 2015-09-29 Micron Technology, Inc. Electronic systems having substantially vertical semiconductor structures
JP2013531390A (ja) * 2010-07-15 2013-08-01 マイクロン テクノロジー， インク． 実質的に垂直な隣接半導体構造を有するメモリアレイ、およびそれらの形成
JP2012049539A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 Samsung Electronics Co Ltd セルストリングの製造方法及びこれを含む不揮発性メモリ装置の製造方法
JP2012069710A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2014179656A (ja) * 2010-10-14 2014-09-25 Eugene Technology Co Ltd ３次元構造のメモリ素子を製造する装置
US9177965B2 (en) 2010-10-29 2015-11-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device in three-dimensional structure with a stress reducing materials on the channel
US8697498B2 (en) 2010-11-29 2014-04-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of manufacturing three dimensional semiconductor memory devices using sub-plates
US9231117B2 (en) 2011-02-25 2016-01-05 Micron Technology, Inc. Charge storage apparatus and methods
US11581324B2 (en) 2011-02-25 2023-02-14 Micron Technology, Inc. Charge storage apparatus and methods
JP2014509454A (ja) * 2011-02-25 2014-04-17 マイクロン テクノロジー， インク． 電荷蓄積装置、システム、および方法
US10586802B2 (en) 2011-02-25 2020-03-10 Micron Technology, Inc. Charge storage apparatus and methods
US9754953B2 (en) 2011-02-25 2017-09-05 Micron Technology, Inc. Charge storage apparatus and methods
JP2013021322A (ja) * 2011-07-06 2013-01-31 Sk Hynix Inc 不揮発性メモリ素子及びその製造方法
US8796662B2 (en) 2011-08-10 2014-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices with vertical structure including data storage layer or pattern
JP2015512567A (ja) * 2012-03-29 2015-04-27 サイプレス セミコンダクター コーポレーション ロジックｃｍｏｓフローへのｏｎｏ統合の方法
JP2015516679A (ja) * 2012-03-31 2015-06-11 サイプレス セミコンダクター コーポレーション 非揮発性電荷トラップメモリ装置及びロジックｃｍｏｓ装置の統合
JP2014003232A (ja) * 2012-06-20 2014-01-09 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2014036034A (ja) * 2012-08-07 2014-02-24 Sharp Corp 不揮発性半導体記憶装置とその製造方法
US9425040B2 (en) 2012-09-19 2016-08-23 Tokyo Electron Limited Method of forming laminated film and forming apparatus thereof
KR20140037766A (ko) 2012-09-19 2014-03-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 적층막의 형성 방법 및 그 형성 장치
US9343292B2 (en) 2013-03-21 2016-05-17 Tokyo Electron Limited Stacked semiconductor device, and method and apparatus of manufacturing the same
KR20140116006A (ko) 2013-03-21 2014-10-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 적층형 반도체 소자의 제조 방법, 적층형 반도체 소자 및 그의 제조 장치
US9673209B2 (en) 2014-05-16 2017-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory device and method for fabricating the same
US10134918B2 (en) 2014-05-16 2018-11-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Memory device and method for fabricating the same
JP2017518635A (ja) * 2014-06-20 2017-07-06 インテル・コーポレーション 不揮発性メモリのためのアレイ貫通ルーティング
US10217665B2 (en) 2014-08-28 2019-02-26 Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. Semiconductor device and method for producing semiconductor device
US10340184B2 (en) 2014-08-28 2019-07-02 Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. Method for producing a semiconductor device
JP2016063027A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JPWO2016190036A1 (ja) * 2015-05-22 2017-12-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法
WO2016190036A1 (ja) * 2015-05-22 2016-12-01 株式会社 日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法
US9780104B2 (en) 2015-09-10 2017-10-03 Toshiba Memory Corporation Semiconductor memory device and method of manufacturing the same
JP2016184750A (ja) * 2016-05-25 2016-10-20 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
KR20190012581A (ko) * 2017-07-28 2019-02-11 한양대학교 산학협력단 집적도를 개선시킨 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법
KR101985590B1 (ko) 2017-07-28 2019-06-03 한양대학교 산학협력단 집적도를 개선시킨 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법
KR20190013054A (ko) * 2017-07-31 2019-02-11 한양대학교 산학협력단 에어 갭을 포함하는 3차원 소자 및 그 제조 방법
KR101983452B1 (ko) 2017-07-31 2019-09-10 한양대학교 산학협력단 에어 갭을 포함하는 3차원 소자 및 그 제조 방법
JP2022523315A (ja) * 2019-02-01 2022-04-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド メモリ用途のための垂直トランジスタの作製
WO2023084565A1 (ja) * 2021-11-09 2023-05-19 ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド 半導体メモリ装置及び半導体メモリ装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20100112769A1 (en) 2010-05-06
KR101226685B1 (ko) 2013-01-25
US8236650B2 (en) 2012-08-07
US7679133B2 (en) 2010-03-16
CN101483194A (zh) 2009-07-15
US20090121271A1 (en) 2009-05-14
JP5484711B2 (ja) 2014-05-07
US20120292686A1 (en) 2012-11-22
US8492828B2 (en) 2013-07-23
CN101483194B (zh) 2012-08-29
KR20090047614A (ko) 2009-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5484711B2 (ja) 垂直型半導体素子及びその製造方法
US9576970B2 (en) Three-dimensional semiconductor memory device
KR101941734B1 (ko) 콤팩트한 3차원 수직 nand 및 이의 제조 방법
KR101736982B1 (ko) 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자
US8673721B2 (en) Three-dimensional semiconductor memory device and method for manufacturing the same
CN103811554B (zh) 半导体器件及其制造方法
US9257441B2 (en) Semiconductor memory devices and methods of forming the same
EP2253014B1 (en) Memory array with a pair of memory-cell strings to a single conductive pillar
US8765551B2 (en) Non-volatile memory device having vertical structure and method of manufacturing the same
US20150263038A1 (en) Vertical-type semiconductor devices and methods of manufacturing the same
KR20180119738A (ko) 3차원 반도체 메모리 장치
KR102408657B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20160095281A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR20110012806A (ko) 수직 채널 구조의 플래쉬 메모리 소자
KR20130095499A (ko) 비휘발성 메모리 장치, 그 동작 방법 및 그 제조 방법
JP2008135744A (ja) 不揮発性メモリ素子及びその製造方法
US8648409B2 (en) Non-volatile memory device and method for fabricating the same
US8187967B2 (en) Method of manufacturing a non-volatile memory device
KR20170000462A (ko) 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법
KR20170055077A (ko) 메모리 장치 및 그 제조 방법
TW202143436A (zh) 記憶體裝置及形成記憶體裝置之方法
CN215220721U (zh) 半导体器件
KR20210015078A (ko) 반도체 장치 및 이의 동작 방법
CN113921529A (zh) 半导体存储器件

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110928

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110928

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120829

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130627

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130709

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131002

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131022

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140110

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5484711

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250