WO2016190036A1 - プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法 - Google Patents

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processing apparatus
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直行 小藤
政士 森
敏明 西田
良二 濱崎
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株式会社 日立ハイテクノロジーズ
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Definitions

  • the present invention relates to a plasma processing apparatus and a plasma processing method using the same.
  • a dry etching apparatus having both a function of irradiating both ions and radicals and a function of shielding ions and irradiating only radicals is disclosed in, for example, Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2015-50362). Is disclosed.
  • inductively coupled plasma can be generated by supplying high frequency power to the helical coil.
  • ions can be shielded and only radicals can be irradiated.
  • capacitively coupled plasma can be generated between the metal porous plate and the sample by applying high-frequency power to the sample.
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 62-14429
  • a magnetic field generated by a solenoid coil and a 2.45 GHz microwave electron cyclotron resonance (ECR) phenomenon are used.
  • Plasma can be generated (ECR plasma).
  • a DC bias voltage can be generated, and ions can be accelerated by this DC bias voltage to irradiate the wafer.
  • ECR plasma can be generated as in Patent Document 2. Furthermore, by inserting a metal porous plate with a voltage applied between the plasma generator and the sample, it is possible to irradiate the sample only with neutral particles such as radicals that are shielded from ions and have no charge. .
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 5-234947
  • plasma can be generated near the quartz window by the power of the supplied microwave. Furthermore, by inserting a perforated plate between the plasma and the sample, the ions can be shielded and radicals can be supplied.
  • an etching reaction is caused by activating the radical adsorbed on the sample surface by irradiating with ions of a rare gas in step 2, thereby increasing the etching depth.
  • the height is controlled with high accuracy.
  • a single etching apparatus performs a plurality of processes. Therefore, anisotropic etching that irradiates both ions and radicals and isotropic etching that irradiates only radicals are performed. By having both functions, the apparatus cost can be greatly reduced.
  • dry etching apparatuses used in semiconductor device processing are required to have both a function of performing processing by irradiating both ions and radicals and a function of performing processing by irradiating only radicals. Yes.
  • the device of Patent Document 1 was considered to be a device that could answer this request. That is, in the first step of radical irradiation, high frequency power is supplied to the helical coil to generate inductively coupled plasma, while no high frequency voltage is applied to the sample. Thereby, only radicals are supplied to the sample from the inductively coupled plasma. In the second step of ion irradiation, a high frequency voltage is applied to the sample to generate capacitively coupled plasma between the metal porous plate and the sample, and the sample is irradiated with ions. However, in order to generate capacitively coupled plasma by this method and irradiate the sample with ions, it is necessary to apply a high-frequency voltage on the order of several KeV to the sample. For this reason, it turned out that there exists a problem that it cannot apply to the high selective process which requires ion irradiation of low energy of several tens eV.
  • the pressure range that can be used is as high as several hundred Pa, and it was found that the pressure range is not suitable for microfabrication that requires low-pressure processing.
  • an object of the present invention is to realize a plasma processing apparatus capable of realizing both a radical irradiation step and an ion irradiation step with a single apparatus, and capable of controlling the ion irradiation energy from several tens eV to several KeV, and the plasma processing apparatus.
  • An object of the present invention is to provide a plasma processing method.
  • a plasma processing apparatus comprising: a processing chamber in which a sample is plasma-processed; a plasma generating mechanism for generating plasma in the processing chamber; and a sample stage on which the sample is placed
  • the shielding plate disposed above the sample table to shield the ions in the plasma from entering the sample table, a first period for generating plasma above the shielding plate, and below the shielding plate
  • a control device for controlling the plasma processing while the second period for generating plasma is switched.
  • the plasma processing apparatus comprising: a processing chamber in which a sample is plasma-processed; a high-frequency power source that supplies high-frequency power for generating plasma in the processing chamber; and a sample stage on which the sample is placed.
  • a shield plate disposed above the sample table and shielded from the incidence of ions generated by the sample table, and one control for generating plasma above the shield plate, or plasma below the shield plate.
  • a control device that selectively performs the other control to be generated.
  • a processing chamber in which the sample is subjected to plasma processing a plasma generation mechanism for generating plasma in the processing chamber, a sample table on which the sample is placed, and the incidence of ions in the plasma on the sample table are shielded
  • the plasma processing method of plasma processing the sample using a plasma processing apparatus provided with a shielding plate disposed above the sample stage the sample is plasma treated using plasma generated below the shielding plate
  • a second step of plasma-treating the sample after the first step using the plasma generated above the shielding plate after the first step is as follows.
  • the plasma processing method of removing a portion other than the pattern of the film embedded in the pattern formed on the side wall of the hole or groove by plasma etching, after removing the film on the bottom surface of the hole or groove, the hole Alternatively, the plasma processing method is characterized in that the film in a direction perpendicular to the depth direction of the groove is removed.
  • both a radical irradiation step and an ion irradiation step can be realized with a single apparatus, and the ion irradiation energy can be controlled from several tens of eV to several KeV, and plasma using the same A processing method can be provided.
  • FIG. 1 is a schematic overall configuration cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. It is a schematic whole structure sectional view of the plasma processing apparatus concerning the 2nd example of the present invention. It is a figure which shows the cross-sectional shape of the sample before STI (Shallow * Trench * Isolation) etch-back. It is a figure which shows an example of the cross-sectional shape of the sample at the time of applying the plasma processing method which concerns on the 3rd Example of this invention to STI etch back using the plasma processing apparatus shown in FIG. It is a figure which shows an example of the cross-sectional shape of a sample at the time of performing STI etch back using the conventional apparatus.
  • STI Shallow * Trench * Isolation
  • FIG. 2 is a plan view showing an example of hole arrangement of a perforated plate in the ECR plasma processing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 6 is a plan view showing another example of the hole arrangement of the perforated plate in the ECR plasma processing apparatus shown in FIG. 1.
  • ECR plasma processing apparatus shown in FIG. 1 In the ECR plasma processing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 17 it is a figure for demonstrating the effect of the presence or absence of a shielding board to the radical-derived deposit distribution of a fluorocarbon, and shows the relationship of the deposit deposition speed with respect to a sample radial position.
  • FIG. 18 it is a figure for demonstrating the radical origin deposit distribution of a fluorocarbon, and shows the relationship of the deposit deposition rate with respect to a sample radial position.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of an element showing a part of a manufacturing process of a NAND flash memory having a three-dimensional structure, where (a) shows a state in which a laminated film of a silicon nitride film and a silicon oxide film is processed, and (b) shows a silicon nitride film (C) is a state in which a silicon oxide film is removed and a tungsten film is formed so as to cover the silicon oxide film, and (d) is a space between the silicon silicon films. The state where the tungsten film is removed so that the tungsten film remains is shown.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing an example of a processed shape after a tungsten removal step by isotropic etching in the structure shown in FIG.
  • FIG. 12C is a cross-sectional view showing an example of a processed shape after performing a tungsten removal step by isotropic etching after a tungsten removal step at the groove bottom in the structure shown in FIG.
  • FIG. 12 it is a figure for demonstrating the radical concentration distribution in the groove
  • 11C it is a diagram for explaining the radical concentration distribution in the groove being processed, and shows the relationship of the F radical concentration with respect to the distance from the groove bottom surface.
  • the shape of the shielding board which concerns on the 5th Example of this invention is shown. It is a general
  • FIG. 1 shows a schematic overall cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • the 2.45 GHz microwave supplied from the magnetron 113 to the decompression processing chamber 106 (the upper region 106-1 and the lower region 106-2) through the dielectric window 117.
  • the high frequency power source 123 is connected to the sample 121 placed on the sample stage 120 via the matching unit 122 as in the case of Patent Document 2.
  • the dielectric porous plate 116 divides the decompression processing chamber 106 into a decompression processing chamber upper region 106-1 and a decompression processing chamber lower region 106-2.
  • This is a very different point from Document 2. Because of this feature, if plasma can be generated in the upper region 106-1 of the decompression chamber on the dielectric window side of the perforated plate 116, which is a shielding plate, ions can be shielded and only the radicals can be irradiated to the sample.
  • the ECR plasma processing apparatus used in this example is characterized in that plasma is generated in the vicinity of a surface having a magnetic field intensity of 875 Gauss called an ECR surface.
  • the magnetic field is adjusted so that the ECR surface is between the porous plate 116 and the dielectric window 117 (the decompression processing chamber upper region 106-1), plasma can be generated on the dielectric window side of the porous plate 116 and generated. Since the performed ions hardly pass through the porous plate 116, the sample 121 can be irradiated with only radicals.
  • the perforated plate 116 is made of a dielectric. Since the porous plate 116 is not metal, the microwave can propagate from the porous plate 116 to the sample side.
  • the magnetic field is adjusted so that the ECR surface is between the porous plate 116 and the sample 121 (lower pressure treatment chamber lower region 106-2), plasma is generated on the sample side from the porous plate 116, so that ions and radicals Both can irradiate the sample.
  • the energy of ion irradiation can be controlled from several tens of eV to several keV by adjusting the power supplied from the high frequency power source 123 to the sample stage.
  • adjustment or switching of the height position of the ECR surface with respect to the height position of the perforated plate (upper or lower), a period for holding each height position, etc. can be performed using a control device (not shown). it can.
  • Reference numeral 124 denotes a pump.
  • the width of the space in which the plasma is generated needs to be large enough to maintain the plasma.
  • stable plasma can be obtained if these intervals are set to 40 mm or more. It was found that it can be formed.
  • a dielectric porous plate is disposed between a sample and a dielectric window, and the position of the ECR plane is By moving up and down, radical irradiation and ion irradiation steps can be realized with a single device. Furthermore, the energy of ion irradiation can be controlled from several tens of eV to several keV by adjusting the power supplied to the sample stage of the high frequency power source.
  • a material for the dielectric porous plate a material having a small dielectric loss such as quartz, alumina, yttria or the like is desirable.
  • FIG. 2 shows a schematic overall cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
  • inductively coupled plasma can be generated by supplying high frequency power from the high frequency power supply 126 to the helical coil 131 via the matching unit 125 as in Patent Document 1.
  • a high frequency power source 123 is connected to the sample 121 placed on the sample stage 120 or the point where the grounded metal porous plate 116 is inserted between the inductively coupled plasma and the sample via the matching unit 122.
  • the porous plate 116 is not limited to a metal, and any porous material can be used.
  • stable plasma can be formed if the distance between the porous plate 116 and the top plate 134 and between the porous plate 116 and the sample 121 is set to one digit or more larger than the Debye length, for example, 5 mm or more. .
  • the metal porous plate 116 is disposed between the sample 121 and the top plate 134, and the metal Separate helical coils 131 and 132 are provided on the top plate side (the decompression processing chamber upper region 106-1) of the metal porous plate 116 and on the sample side (the decompression processing chamber lower region 106-2) of the metal porous plate 116. If it has a mechanism for switching the supply of high-frequency power to the two helical coils, the radical irradiation and ion irradiation steps can be realized with a single device. Furthermore, the energy of ion irradiation can be controlled from several tens of eV to several keV by adjusting the power supplied to the sample stage of the high frequency power source.
  • a material of the metal porous plate 116 a material having high conductivity such as aluminum, copper, and stainless steel is desirable.
  • a metal porous plate coated with a dielectric such as alumina may be used.
  • a plasma processing method will be described using an STI (Shallow Trench Isolation) etch-back process as an example using the plasma processing apparatus described in the first embodiment.
  • STI Shallow Trench Isolation
  • a sample having a structure in which a silicon oxide film (SiO 2 ) 202 is embedded in a groove of silicon (Si) 200 having a depth of 200 nm is processed, and only SiO 2 202 is only 20 nm.
  • Etch In order to perform this processing, atomic layer etching was performed in which fluorocarbon gas radical irradiation (first step) and rare gas ion irradiation (second step) were performed alternately.
  • the first step while supplying a fluorocarbon gas from the gas inlet 105, plasma is generated under a magnetic field condition in which the ECR surface enters between the porous plate 116 and the dielectric window 117 (the decompression processing chamber upper region 106-1), By removing the generated ions with the porous plate 116, only the radical of the fluorocarbon gas is adsorbed to the sample. At this time, the high frequency power from the high frequency power supply 123 is not applied to the sample.
  • plasma is generated under a magnetic field condition where the ECR surface enters between the perforated plate 116 and the sample (lower pressure treatment chamber lower region 106-2) while supplying a rare gas from the gas inlet 105. Further, by applying high frequency power of 30 W to the sample, the sample is irradiated with only ions having energy of 30 eV, and SiO 2 is selectively etched with respect to Si. Note that the energy of ions can be controlled by adjusting the high-frequency power applied to the sample.
  • FIG. 4 shows a cross-sectional shape of a sample processed by this method. It can be seen that SiO 2 202 embedded in the Si 200 trench is precisely etched by 20 nm.
  • inductively coupled plasma is generated by supplying high frequency power to the helical coil while supplying the fluorocarbon gas from the gas inlet.
  • a high frequency voltage is not applied to the sample.
  • only the radical of fluorocarbon gas is irradiated to a sample from inductively coupled plasma.
  • a high-frequency power of 1 kW is applied to the sample while supplying a rare gas from the gas introduction port to generate capacitively coupled plasma between the metal porous plate and the sample, and the sample contains a rare gas. Irradiate ions.
  • FIG. 5 shows a processed cross-sectional shape of the sample after alternately repeating the first step and the second step 50 times.
  • SiO 2 202 embedded in the Si 200 trench is precisely etched by 20 nm.
  • Si 200 is also etched by approximately 20 nm, which indicates that there is a problem of low selectivity. That is, ions are accelerated by the 1 kW high frequency power applied to the sample to generate capacitively coupled plasma, and even Si is etched. Since capacitively coupled plasma is not generated when the high frequency power applied to the sample is lowered, it is difficult to control the acceleration energy of ions.
  • the same atomic layer etching was performed using the apparatus shown in Patent Document 2.
  • fluorocarbon gas was supplied from the gas inlet while generating ECR plasma.
  • no high frequency voltage was applied to the sample.
  • the sample is irradiated with fluorocarbon gas radicals and ions from the inductively coupled plasma.
  • noble gas was supplied from the gas inlet while generating ECR plasma.
  • the sample is irradiated only with ions having energy of 30 eV, and SiO 2 202 is selectively etched with respect to Si 200.
  • FIG. 6 shows a processed cross-sectional shape of the sample after the first step and the second step are alternately repeated 50 times. It can be seen that, in the wide portion of the Si 200 groove, the embedded SiO 2 202 is etched by about 50 nm, and the control accuracy of the etching depth is low. On the other hand, in the narrow portion of the Si 200 groove, it can be seen that SiO 2 202 is only etched by about 15 nm, and the density difference is large (micro loading effect).
  • both steps can be realized in the same apparatus without transporting the sample by alternately repeating the irradiation of the fluorocarbon gas radical and the rare gas ion irradiation using the apparatus of Example 1.
  • Highly selective and highly accurate STI etchback can be realized with high throughput.
  • the energy of ion irradiation can be controlled from several tens of eV to several keV by adjusting the power supplied to the sample stage of the high frequency power source.
  • the fluorocarbon gas of this embodiment C 4 F 8 , C 2 F 6 , C 5 F 8 and the like can be used.
  • the rare gas He, Ar, Kr, Xe, or the like can be used.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the apparatus for explaining the state of the lines of magnetic force 140 in the plasma processing apparatus shown in FIG.
  • the magnetic field lines 140 run vertically as shown in FIG. 7, and the distance between the magnetic field lines increases as the sample approaches the sample.
  • the ions that have passed through the hole near the center enter the sample 121 along the magnetic force lines 140.
  • the dielectric window side of the porous plate (the upper part of the decompression chamber) The incidence of ions generated in the region 106-1) on the sample can be completely shielded.
  • the diameter of the hole 150 is preferably 1 to 2 cm ⁇ .
  • the ECR surface is the porous plate 116 and the dielectric window in the three cases where there is no porous plate, when the porous plate shown in FIG. 8 is installed, and when the porous plate shown in FIG. 9 is installed.
  • a rare gas plasma was generated and the ion current density incident on the sample was measured.
  • the ion current density was 2 mA / cm 2 in the absence of the porous plate, whereas it was 0.5 mA / cm 2 in the porous plate of FIG. 8 and measured in the porous plate of FIG.
  • the limit decreased to 0.02 mA / cm 2 or less. That is, it was confirmed that ion incidence to the sample can be greatly reduced by using a porous plate having a structure having no holes in a range 151 corresponding to the sample diameter at the center.
  • the ECR plane is the perforated plate 116 and the dielectric window for the case of only the perforated plate of FIG. 9 and the combination of the perforated plate of FIG. 9 and the second shielding plate of FIG.
  • a fluorocarbon gas plasma was generated, and the distribution of the deposited film thickness due to the fluorocarbon radical on the sample was measured.
  • FIG. 10A In the case of only the porous plate of FIG. 9, the film thickness distribution is high outside, whereas when the porous plate of FIG. 9 and the second shielding plate of FIG. 16 are combined, a uniform film thickness distribution is obtained. It was. That is, it was confirmed that a uniform radical distribution could be obtained by combining the porous plate of FIG. 9 and the second shielding plate of FIG.
  • a perforated plate having a structure with no holes in the range corresponding to the sample diameter at the center was used, but the same effect can be obtained with a perforated plate in which the density and diameter of holes in this region are smaller than those in other regions. can get. Moreover, although it depends on the distance between the perforated plate and the sample and the magnetic field conditions, the diameter of the region having few holes can be made about 30% smaller than the sample diameter.
  • the diameter of the central hole of the second shielding plate needs to be smaller than the diameter of the holeless region of the porous plate.
  • the second shielding plate may be made of a metal other than a dielectric such as quartz or alumina. Further, the second shielding plate need not be a plate, and may be, for example, a block shape having a hole in the center.
  • the inventors examined a method of making oblique holes in the perforated plate as shown in the cross-sectional view of FIG.
  • the magnetic field lines are inclined in the direction in which the interval between the magnetic field lines 140 increases as the distance from the sample increases.
  • the hole is inclined in the direction opposite to the inclination of the magnetic field lines. That is, the holes are inclined in the direction in which the interval between the holes on the sample side becomes narrow.
  • the ions 127 cannot pass through the holes of the perforated plate. It can be greatly reduced.
  • radicals can diffuse isotropically regardless of the lines of magnetic force, they can be reached by passing through the oblique holes of the perforated plate to reach the sample, so that radicals can be supplied from the holes near the center. Become.
  • the ion current density on the sample was measured with the configuration of FIG. As a result, the ionic current density decreased from 0.5 mA / cm 2 in the case of a perforated plate with vertical holes to 0.02 mA / cm 2 or less, which is the measurement limit.
  • Example 5 the distribution of the deposited film on the sample was measured by the method of Example 5. The result is shown in FIG. 10B.
  • a uniform film thickness distribution was obtained by opening a hole near the center. That is, it was confirmed that a high ion shielding property and a uniform radical distribution can be achieved by making an oblique hole near the center of the perforated plate.
  • the angle of the oblique holes of the perforated plate it is desirable that the angle is such that the outlet cannot be seen from the entrance of the hole when viewed from the vertical direction of the perforated plate.
  • the direction in which the hole is inclined does not necessarily have to be the central axis direction, and may be inclined in the rotational direction.
  • an oblique hole is formed in the entire perforated plate, but the same effect can be obtained even if the hole in a portion larger than the sample diameter is formed vertically.
  • FIG. 11A shows a state in which a groove 203 is formed after a plurality of holes are formed in the laminated film in which the silicon nitride films 201 and the silicon oxide films 202 are alternately laminated, and the insides thereof are filled.
  • the silicon nitride film 201 is removed from the sample having this structure, and a comb-like silicon oxide film 202 is formed as shown in FIG.
  • Tungsten 204 is formed by CVD so as to fill the space between the comb-like silicon oxide films 202 and cover the silicon oxide film, thereby obtaining the structure shown in FIG. Further, by etching the tungsten 204 in the lateral direction, as shown in FIG. 11D, the silicon oxide film 202 and the tungsten 204 are alternately stacked, and the layers of the tungsten 204 are electrically separated. Create Among these, in the step of creating the structure shown in FIG. 11D, it is required to uniformly etch the tungsten 204 in the deep groove in the lateral direction.
  • a fluorine-containing gas capable of isotropically etching tungsten and a deposition gas such as fluorocarbon are mixed. It is conceivable to treat with a plasma of gas.
  • the sample of the structure of FIG. 11C was processed by generating plasma of a mixed gas of fluorine-containing gas and fluorocarbon with the apparatus of Example 1.
  • plasma was generated under a magnetic field condition in which the ECR surface enters between the porous plate 116 and the dielectric window, and the sample was irradiated with only radicals of fluorine and fluorocarbon gas.
  • the sample was processed without applying high-frequency power. The result is shown in FIG.
  • the tungsten 204 is uniformly removed, but at the groove bottom portion 209, the tungsten 204 remains unetched, causing a problem that the layers of the tungsten 204 are electrically short-circuited. I found out that
  • FIG. 14 shows the relationship of the F radical concentration with respect to the distance from the groove bottom surface (groove bottom tungsten surface). As can be seen from FIG. 14, at the groove bottom portion 209 (distance from the groove bottom surface is near 0), it was found that the fluorine radical concentration rapidly decreased. The reason for this decrease was presumed to be that fluorine radicals were consumed by etching the groove bottom tungsten surface 210.
  • tungsten at the bottom of the groove was removed once by anisotropic etching, and then tungsten 204 on the side surface was removed isotropically.
  • anisotropic etching step plasma is generated under the magnetic field condition where the ECR surface enters between the perforated plate 116 and the sample 121, and high frequency power is applied to the sample so that ions are vertically incident on the sample. Tungsten 204 at the bottom of the groove was removed. Note that the energy of ion irradiation can be controlled from several tens of eV to several keV by adjusting the power supplied to the sample stage of the high frequency power source.
  • FIG. 13 shows the processed cross-sectional shape when this two-step process is performed. It was confirmed that the tungsten 204 was uniformly removed to the bottom surface by this method.
  • fluorine-containing gas in this embodiment SF 6 , NF 3 , XeF 2 , SiF 4 or the like can be used. Further, as the fluorocarbon gas in this embodiment, and the like can be used C 4 F 8, C 2 F 6, C 5 F 8. Moreover, although the groove
  • the apparatus of the first embodiment is used.
  • the same effect can be obtained by using the apparatus of the second embodiment as long as the apparatus can realize the steps of radical irradiation and ion irradiation with a single apparatus. can get.
  • FIG. 20 shows a part of a metal gate forming process of a MOS transistor called gate last.
  • a silicon dummy gate (303) is formed by anisotropically etching a silicon film formed on the silicon substrate (301) and the SiO2 substrate (302) along the mask (304).
  • a source (305) and a drain (306) are formed by implanting impurities in the second step.
  • SiO2 (302) is formed by CVD (chemical vapor deposition), and then in the fourth step, excess SiO2 (302) is polished by CMP (Chemical Mechanical Polishing). Thereafter, the silicon dummy gate 303 is removed by isotropic dry etching of silicon in a fifth step. Further, after forming a metal (307) to be an actual gate in the sixth step, excess metal is removed by CMP in the seventh step to form a metal gate (308).
  • the anisotropic dry etching of the first step and the isotropic dry etching of the fourth step are performed with one apparatus using the apparatus of Example 1, the apparatus operating rate is improved and the fab interior is increased. The number of devices can be reduced by half.
  • DESCRIPTION OF SYMBOLS 105 ... Gas inlet, 106-1 ... Upper area

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Abstract

一台の装置でラジカル照射のステップとイオン照射のステップの両方を実現でき、かつ、イオン照射のエネルギーを数１０ｅＶから数ＫｅＶまで制御できるプラズマ処理装置を提供する。　誘導結合プラズマを生成する機構（１２５、１２６，１３１、１３２）と、減圧処理室を上部領域１０６－１及び下部領域１０６－２に分け、且つイオンを遮蔽するための多孔板１１６と、プラズマ生成領域として上部領域１０６－１と下部領域１０６－２とを切換えるスイッチ１３３と、を有する。

Description

プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法
　本発明は、プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法に関する。
　ドライエッチング装置において、イオンとラジカルの両方を照射する機能とイオンを遮蔽してラジカルのみを照射するための機能の両方を有するドライエッチング装置は、例えば特許文献１（特開２０１５－５０３６２号公報）に開示されている。特許文献１に開示の装置（ＩＣＰ＋ＣＣＰ）では、ヘリカルコイルに高周波電力を供給することで誘導結合プラズマを発生させることができる。
　さらに、この誘導結合プラズマと試料の間に接地された金属製の多孔板を挿入することでイオンを遮蔽して、ラジカルのみを照射することができる。また、この装置では、試料に高周波電力を印加することで、金属製の多孔板と試料の間に容量結合プラズマを生成することができる。ヘリカルコイルに供給する電力と試料に供給する電力の割合を調整することで、ラジカルとイオンの比率を調整することができる。
　また、特許文献２（特開昭６２－１４４２９号公報）に開示されたドライエッチング装置では、ソレノイドコイルによって発生された磁場と２．４５ＧＨｚのマイクロ波の電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象を利用して、プラズマを発生させることができる（ＥＣＲプラズマ）。さらに、試料に高周波電力を印加することで、ＤＣバイアス電圧を発生させ、このＤＣバイアス電圧でイオンを加速して、ウエハに照射することができる。
　また、特許文献３（特開平４－１８０６２１号公報）に記載された中性ビームエッチング装置では、特許文献２と同様にＥＣＲプラズマを発生させることができる。さらに、プラズマ生成部と試料の間に電圧を印加した金属製の多孔板を挿入することで、イオンを遮蔽して電荷を帯びていないラジカルなどの中性粒子のみを試料に照射することができる。
　また、特許文献４（特開平５－２３４９４７号公報）のマイクロ波プラズマを用いたドライエッチング装置では、供給するマイクロ波の電力により、石英窓付近にプラズマを生成することができる。さらに、このプラズマと試料の間に多孔板を挿入することによって、イオンを遮蔽してラジカルを供給することができる。
特開２０１５－５０３６２号公報 特開昭６２－１４４２９号公報 特開平４－１８０６２１号公報 特開平５－２３４９４７号公報
　近年、半導体デバイス加工の高精度化に伴って、ドライエッチング装置には、イオンとラジカルの両方を照射して加工を行う機能と、ラジカルのみを照射して加工を行う機能の両方が必要になりつつある。　例えば、エッチング深さを高精度に制御する原子層エッチングでは、ラジカルのみを試料に照射する第一ステップとイオンを試料に照射する第二ステップを交互に繰り返してエッチング深さを制御する方法が検討されている。この加工では、第一ステップで試料表面にラジカルを吸着させた後、ステップ２で希ガスのイオンを照射して試料表面に吸着したラジカルを活性化させることでエッチング反応を生じさせて、エッチング深さを高精度に制御するものである。
　この処理を、従来の方法でこの原子層エッチングを実施する場合は、（１）特許文献３や特許文献４などに記載のラジカルのみを試料に照射することのできる装置と、（２）特許文献２などに記載されているようにプラズマ中のイオンを加速して試料に照射することのできる装置の二つの装置の間を交互に真空搬送で移動させて処理することが必要となること、したがって、この方法による原子層エッチングではスループットが大幅に低下することが問題となる。そのため、一台のドライエッチング装置で、ラジカルのみを試料に照射する第一ステップとイオンを試料に照射する第二ステップの両方を行うことが望ましい。
　また、例えばシリコンの等方加工では、イオンとラジカルの両方を照射して、シリコン表面の自然酸化膜を除去してから、ラジカルのみを照射してシリコンの等方エッチングを行う必要がある。このような加工では、自然酸化膜の除去に要する時間が数秒と短いため、自然酸化膜除去とシリコンの等方エッチングを別々の装置で処理するとスループットが大幅に低下してしまう。そのため、一台のドライエッチング装置で、イオンとラジカルの両方を照射する自然酸化膜除去と、ラジカルのみによるシリコンの等方エッチングの両方を行うことが望ましい。
　また、例えば、少量多品種生産の中規模のファブでは、一台のエッチング装置で複数の工程を行うため、イオンとラジカルの両方を照射する異方性エッチングとラジカルのみを照射する等方エッチングの両方の機能を有することで装置コストを大幅に低減できる。
　以上のように半導体デバイス加工で用いられるドライエッチング装置には、イオンとラジカルの両方を照射して加工を行う機能と、ラジカルのみを照射して加工を行う機能の両方が求められるようになっている。
　特許文献１の装置は、この要求に答えることができる装置であると思われた。即ち、第一ステップのラジカル照射では、ヘリカルコイルに高周波電力を供給して誘導結合プラズマを発生させ、一方、試料には高周波電圧を印加しないようにする。これにより、試料には、誘導結合プラズマからラジカルのみが供給される。また、第二ステップのイオン照射では、試料に高周波電圧を印加して、金属製の多孔板と試料の間に容量結合プラズマを生成させ、試料にイオンを照射する。　しかし、この方法で容量結合プラズマを生成して試料にイオンを照射するためには、数ＫｅＶオーダの大きな高周波電圧を試料に印加する必要がある。このため、数１０ｅＶの低エネルギーのイオン照射を必要とする高選択加工には適用できないとの問題の有ることが判明した。
　また、使用できる圧力域が数100Pa程度と高く、低圧力の処理を必要とする微細加工には適していないことが判明した。
　そこで、本発明の目的は、一台の装置でラジカル照射のステップとイオン照射のステップの両方を実現でき、かつ、イオン照射のエネルギーを数１０ｅＶから数ＫｅＶまで制御できるプラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法を提供することにある。
　上記目的を達成するための一実施形態として、試料がプラズマ処理される処理室と、前記処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成機構と、前記試料が載置される試料台とを備えるプラズマ処理装置において、前記プラズマ中のイオンの前記試料台への入射を遮蔽し前記試料台の上方に配置された遮蔽板と、前記遮蔽板の上方にプラズマを生成する第一の期間と前記遮蔽板の下方にプラズマを生成する第二の期間が切換えられながらプラズマ処理される制御を行う制御装置とをさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置とする。
　また、試料がプラズマ処理される処理室と、前記処理室内にプラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料が載置される試料台とを備えるプラズマ処理装置において、前記プラズマより生成されたイオンの前記試料台への入射を遮蔽し前記試料台の上方に配置された遮蔽板と、前記遮蔽板の上方にプラズマを生成させる一方の制御または前記遮蔽板の下方にプラズマを生成させる他方の制御が選択的に行われる制御装置と、をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置とする。
　また、試料がプラズマ処理される処理室と、前記処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成機構と、前記試料が載置される試料台と、前記プラズマ中のイオンの前記試料台への入射を遮蔽し前記試料台の上方に配置された遮蔽板とを備えるプラズマ処理装置を用いて前記試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記遮蔽板の下方に生成されたプラズマを用いて前記試料をプラズマ処理する第一の工程と、前記第一の工程後、前記遮蔽板の上方に生成されたプラズマを用いて前記第一の工程後の試料をプラズマ処理する第二の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法とする。
　また、孔または溝の側壁に形成されたパターンに埋め込まれた膜の前記パターン以外の部分をプラズマエッチングにより除去するプラズマ処理方法において、前記孔または溝の底面の前記膜を除去した後、前記孔または溝の深さ方向に垂直な方向の前記膜を除去することを特徴とするプラズマ処理方法とする。
　本発明によれば、一台の装置でラジカル照射のステップとイオン照射のステップの両方を実現でき、かつ、イオン照射のエネルギーを数１０ｅＶから数ＫｅＶまで制御できるプラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法を提供することができる。
本発明の第１の実施例に係るプラズマ処理装置の概略全体構成断面図である。 本発明の第２の実施例に係るプラズマ処理装置の概略全体構成断面図である。 ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）エッチバック前の試料の断面形状を示す図である。 本発明の第３の実施例に係るプラズマ処理方法を、図１に示すプラズマ処理装置を用いてＳＴＩエッチバックに適用した場合の試料の断面形状の一例を示す図である。 従来の装置を用いてＳＴＩエッチバックを行った場合の試料の断面形状の一例を示す図である。 従来の他の装置を用いてＳＴＩエッチバックを行った後の試料の断面形状の一例を示す図である。 図１に示すＥＣＲプラズマ処理装置における磁力線の様子を説明するための装置断面図である。 図1に示すＥＣＲプラズマ処理装置における多孔板の孔配置の例を示す平面図である。 図1に示すＥＣＲプラズマ処理装置における多孔板の孔配置の他の例を示す平面図である。 図１７に示すＥＣＲプラズマ処理装置において、フロロカーボンのラジカル起因堆積物分布への遮蔽板の有無の効果を説明するための図で、試料半径位置に対する堆積物のデポ速度の関係を示す。 図１８に示すＥＣＲプラズマ処理装置において、フロロカーボンのラジカル起因堆積物分布を説明するための図で、試料半径位置に対する堆積物のデポ速度の関係を示す。 ３次元構造のＮＡＮＤフラッシュメモリの製造工程の一部を示す素子断面図であり、（ａ）はシリコン窒化膜とシリコン酸化膜との積層膜が加工された状態、（ｂ）はシリコン窒化膜が除去され串歯状のシリコン酸化膜が形成された状態、（ｃ）は串歯状のシリコン酸化膜を覆ってタングステン膜が形成された状態、（ｄ）は串歯状のシリコン膜の間にタングステン膜が残るようにタングステン膜が除去された状態を示す。 図１１（ｃ）に示す構造において、等方性エッチングによるタングステン除去工程後の加工形状の一例を示す断面図である。 図１１（ｃ）に示す構造において、溝底部のタングステンの除去工程の後、等方性エッチングによるタングステン除去工程を行った後の加工形状の一例を示す断面図である。 図１２に示す構造において、処理中の溝内のラジカル濃度分布を説明するための図であり、溝底面からの距離に対するＦラジカル濃度の関係を示す。 図１１（ｃ）に示す構造において、処理中の溝内のラジカル濃度分布を説明するための図であり、溝底面からの距離に対するＦラジカル濃度の関係を示す。 本発明の第５の実施例に係る遮蔽板の形状を示す。 本発明の第５の実施例に係るプラズマ処理装置の概略全体構成断面図である。 本発明の第６の実施例に係るプラズマ処理装置の概略全体構成断面図である。 本発明の第６の実施例の多孔板の拡大図である。 本発明の第７の実施例のメタルゲート形成プロセスフローである。
　以下、本発明を実施例により説明する。
　本発明の第１の実施例に係るプラズマ処理装置の概略全体構成断面図を図１に示す。本実施例の装置では、特許文献２と同様、マグネトロン１１３から誘電体窓１１７を介して減圧処理室１０６（上部領域１０６－１、下部領域１０６－２）に供給される２．４５ＧＨｚのマイクロ波と、ソレノイドコイル１１４の作る磁場とのＥＣＲ共鳴によって、プラズマを生成できる構造になっている。また、試料台１２０に載置した試料１２１に整合器１２２を介して高周波電源１２３が接続されているのも、特許文献２と同じである。
　また、本プラズマ処理装置では、誘電体製の多孔板１１６が減圧処理室１０６の中を、減圧処理室上部領域１０６－１と減圧処理室下部領域１０６－２とに分割していることが特許文献２と大きく異なる点である。この特徴のため、遮蔽版である多孔板１１６の誘電体窓側の減圧処理室上部領域１０６－１でプラズマを生成することができれば、イオンが遮蔽されてラジカルのみを試料に照射することができる。本実施例で用いたＥＣＲプラズマ処理装置では、特許文献４に記載のマイクロ波プラズマ処理装置とは異なり、ＥＣＲ面と呼ばれる磁場強度８７５Ｇａｕｓｓの面付近でプラズマが生成される特徴がある。
　このため、ＥＣＲ面が多孔板１１６と誘電体窓１１７の間（減圧処理室上部領域１０６－１）になるように磁場を調整すれば、多孔板１１６の誘電体窓側でプラズマを生成でき、発生したイオンは多孔板１１６をほとんど通過することができないことから、ラジカルのみを試料１２１に照射することができる。また、本実施例では、特許文献３に示された装置とは異なり、多孔板１１６が誘電体でできている。多孔板１１６が金属ではないため、マイクロ波が多孔板１１６より試料側まで伝播することができる。
　したがって、ＥＣＲ面が多孔板１１６と試料１２１の間（減圧処理室下部領域１０６－２）になるよう磁場を調整すれば、多孔板１１６より試料側でプラズマが生成されるため、イオンとラジカルの両方を試料に照射できる。また、この方式では、特許文献１の容量結合プラズマと異なり、高周波電源１２３から試料台へ供給する電力を調整すれば、イオン照射のエネルギーを数１０ｅＶから数ＫｅＶまで制御できる。なお、多孔板の高さ位置に対するＥＣＲ面の高さ位置の調整或いは切換え（上方か下方か）、それぞれの高さ位置を保持する期間等は制御装置（図示せず）を用いて行うことができる。符号１２４はポンプを示す。
　また、この方式で安定したプラズマを維持するには、プラズマが生成される空間の幅がプラズマを維持するのに十分な大きさを有する必要がある。多孔板１１６と誘電体窓１１７の間および多孔板１１６と試料１２１の間の距離を実験的に変えて、プラズマの生成を調べた結果、これらの間隔を４０ｍｍ以上にしておけば安定なプラズマを形成することができることがわかった。
　以上のように、磁場とマイクロ波のＥＣＲ共鳴でプラズマを形成するドライエッチング装置等のプラズマ処理装置において、試料と誘電体窓の間に誘電体製の多孔板を配置して、ＥＣＲ面の位置を上下に移動させることにより、一台の装置でラジカル照射とイオン照射のステップを実現することができる。更に、高周波電源の試料台への供給電力を調整することにより、イオン照射のエネルギーを数１０ｅＶから数ＫｅＶまで制御できる。
　これにより、広いエッチング領域と狭いエッチング領域が混在するような試料であっても、１台の装置で、マイクロローディング効果を抑制し所望の深さまで均一にエッチングすることができる。誘電体製の多孔板の材質としては、石英、アルミナ、イットリアなどの誘電損失の少ない材料が望ましい。
　本発明の第２の実施例に係るプラズマ処理装置の概略全体構成断面図を図２に示す。本実施例の装置では、特許文献１と同様にヘリカルコイル１３１に整合器１２５を介して高周波電源１２６から高周波電力を供給することで誘導結合プラズマを発生させることができる。さらに、この誘導結合プラズマと試料の間に接地された金属製の多孔板１１６が挿入されている点や試料台１２０に載置した試料１２１に整合器１２２を介して高周波電源１２３が接続されている点も、特許文献１と同じである。なお、多孔板１１６は金属に限定されるものではなく、導体であれば用いることができる。
　一方、この装置では、特許文献１と違い、金属製の多孔板１１６より試料側（減圧処理室下部領域１０６－２）でも誘導結合プラズマを形成できるようにするため、金属製の多孔板１１６と試料１２１の間の高さに、別のヘリカルコイル１３２を有している。ヘリカルコイル１３１とヘリカルコイル１３２のいずれに高周波電力を供給するかをスイッチ１３３によって切換ることができるようになっている。ヘリカルコイル１３１に高周波電力を供給した場合は、多孔板１１６の天板側（減圧処理室上部領域１０６－１）でプラズマが生成されるため、イオンが多孔板１１６により遮蔽されてラジカルのみが試料１２１に照射される。
　また、ヘリカルコイル１３２に高周波電力を供給した場合は、多孔板１１６より試料側（減圧処理室下部領域１０６－２）でプラズマが生成されるため、イオンを試料１２１に照射できる。なお、スイッチ１３３によるヘリカルコイルの切換え（多孔板より上方のヘリカルコイルと下方のヘリカルコイルの切換え）、切換えまでのそれぞれの期間等は制御装置（図示せず）を用いて行うことができる。
　また、この方式では多孔板１１６より試料側に誘導結合プラズマを生成できるため、高周波電源１２３から供給する電力を調整すれば、イオン照射のエネルギーを数１０ｅＶから数ＫｅＶまで制御できる。低エネルギーから高エネルギーまで制御できることが特許文献１と異なっている点である。
　また、この方式でも、多孔板１１６と天板１３４の間および多孔板１１６と試料１２１の間の距離をデバイ長より一桁以上大きい例えば５ｍｍ以上にしておけば安定なプラズマを形成することができる。
　以上のように、ヘリカルコイルに高周波電力を供給して誘導結合プラズマ生成する方式のドライエッチング装置において、試料１２１と天板１３４の間に金属製の多孔板１１６を配置しており、かつ、金属製の多孔板１１６の天板側（減圧処理室上部領域１０６－１）および金属製の多孔板１１６の試料側（減圧処理室下部領域１０６－２）に別のヘリカルコイル１３１、１３２を有しており、かつ、二つのヘリカルコイルへ高周波電力の供給を切換る機構を有していれば、一台の装置でラジカル照射とイオン照射のステップを実現することができる。更に、高周波電源の試料台への供給電力を調整することにより、イオン照射のエネルギーを数１０ｅＶから数ＫｅＶまで制御できる。
　これにより、広いエッチング領域と狭いエッチング領域が混在するような試料であっても、１台の装置で、マイクロローディング効果を抑制し所望の深さまで均一にエッチングすることができる。金属製の多孔板１１６の材質としては、アルミニウム、銅、ステンレスなどの導電率の高い材料が望ましい。また、金属製の多孔板をアルミナなどの誘電体で被服したものでもよい。
　本発明の第３の実施例に係るプラズマ処理方法について、実施例１に記載のプラズマ処理装置を用いて、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）のエッチバック工程を例に説明する。この工程では、例えば図３に示すように深さ２００ｎｍのシリコン（Ｓｉ）２００の溝にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２） ２０２が埋め込まれた構造の試料を加工して、ＳｉＯ２ ２０２のみを２０ｎｍだけエッチングする。この加工を行うため、フロロカーボンガスのラジカル照射（第一ステップ）と希ガスのイオン照射（第二ステップ）を交互に行う原子層エッチングを行った。
　第一ステップでは、ガス導入口１０５からフロロカーボンガスを供給しつつ、ＥＣＲ面が多孔板１１６と誘電体窓１１７の間（減圧処理室上部領域１０６－１）に入る磁場条件でプラズマを生成し、発生したイオンを多孔板１１６で取り除くことで、フロロカーボンガスのラジカルのみを試料に吸着させる。このとき、試料には高周波電源１２３からの高周波電力を印加しない。
　次に、第二ステップでは、ガス導入口１０５から希ガスを供給しつつ、ＥＣＲ面が多孔板１１６と試料の間（減圧処理室下部領域１０６－２）に入る磁場条件でプラズマを生成する。さらに、試料に３０Ｗの高周波電力を印加することで、３０ｅＶのエネルギーを持つイオンのみを試料に照射して、Ｓｉに対してＳｉＯ２を選択的にエッチングする。なお、試料に印加する高周波電力を調整することにより、イオンの持つエネルギーを制御することができる。
　第一ステップと第二ステップを交互に５０回繰り返すことで、２０ｎｍエッチングすることができる。この方法で加工された試料の断面形状を図４に示す。Ｓｉ ２００の溝の中に埋め込まれたＳｉＯ２ ２０２が正確に２０ｎｍエッチングされていることがわかる。
　比較のため、特許文献１に記載の装置を用いて、同様の原子層エッチングを行った。具体的には、第一ステップでは、ガス導入口からフロロカーボンガスを供給しつつ、ヘリカルコイルに高周波電力を供給して誘導結合プラズマを発生させる。また、試料には高周波電圧を印加しないようにする。これにより、試料には、誘導結合プラズマからフロロカーボンガスのラジカルのみが照射される。また、第二ステップでは、ガス導入口から希ガスを供給しつつ、試料に１ｋＷの高周波電力を印加して、金属製の多孔板と試料の間に容量結合プラズマを生成させ、試料に希ガスのイオンを照射する。
　第一ステップと第二ステップを交互に５０回繰り返した後の試料の加工断面形状を図５に示す。Ｓｉ ２００の溝の中に埋め込まれたＳｉＯ２ ２０２は正確に２０ｎｍエッチングされていることがわかる。一方、Ｓｉ ２００もほぼ２０ｎｍエッチングされており、選択性が低い問題があることがわかる。即ち、容量結合プラズマを生成するために試料に印加した１ｋＷの高周波電力により、イオンが加速されＳｉまでもエッチングしてしまう。試料に印加する高周波電力を下げると容量結合プラズマが生成されないため、イオンの加速エネルギーを制御することは困難である。
　さらに、特許文献２に示す装置を用いて、同様の原子層エッチングを行った。具体的には、第一ステップでは、ＥＣＲプラズマを生成させつつ、ガス導入口からフロロカーボンガスを供給した。また、試料には高周波電圧を印加しないようにした。これにより、試料には、誘導結合プラズマからフロロカーボンガスのラジカルとイオンが照射される。また、第二ステップでは、ＥＣＲプラズマを生成させつつ、ガス導入口から希ガスを供給した。さらに、試料に３０Ｗの高周波電力を印加することで、３０ｅＶのエネルギーを持つイオンのみを試料に照射して、Ｓｉ ２００に対してＳｉＯ２ ２０２を選択的にエッチングする。
　第一ステップと第二ステップを交互に５０回繰り返した後の試料の加工断面形状を図６に示す。Ｓｉ ２００の溝の幅の広い部分では、埋め込まれたＳｉＯ２ ２０２は５０ｎｍ程度エッチングされており、エッチング深さの制御精度が低いことがわかる。一方、Ｓｉ２００の溝の幅の狭い部分では、ＳｉＯ２ ２０２が１５ｎｍ程度しかエッチングされておらず、疎密差も大きい（マイクロローディング効果）ことがわかる。
　以上のように、実施例１の装置で用いて、フロロカーボンガスのラジカル照射と希ガスのイオンの照射を交互に繰り返すことにより、試料を搬送せずに両ステップを同一装置内で実現できるため、高選択かつ高精度のＳＴＩのエッチバックを高スループットで実現できる。更に、高周波電源の試料台への供給電力を調整することにより、イオン照射のエネルギーを数１０ｅＶから数ＫｅＶまで制御できる。これにより、広いエッチング領域と狭いエッチング領域が混在するような試料であっても、１台の装置で、マイクロローディング効果を抑制し所望の深さまで均一にエッチングすることができる。本実施例のフロロカーボンガスとしては、Ｃ４Ｆ８、Ｃ２Ｆ６、Ｃ５Ｆ８などを用いることができる。また、希ガスとしては、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどを用いることができる。
　本実施例では、実施例１の装置に関して、多孔板の孔の配置が、イオンを遮蔽する性能に与える影響について説明する。
　まず、イオン遮蔽効果について説明する。磁場のあるプラズマ中ではイオンが磁力線に沿って移動することが知られている。図７は、図１に示すプラズマ処理装置における磁力線１４０の様子を説明するための装置断面図である。ＥＣＲプラズマの場合は、図７に示すように磁力線１４０が縦に走っており、さらに試料に近づくに従って、磁力線の間隔が広がっている。
　したがって、図８に示すように孔１５０を均等に配置した多孔板１１６の場合、中央付近の孔を通過したイオンは磁力線１４０に沿って、試料１２１に入射してしまう。一方、図９に示すように多孔板１１６の中央部の試料直径に相当する範囲１５１に孔のない構造のもの（ラジカル遮蔽領域）を作成すれば、多孔板の誘電体窓側（減圧処理室上部領域１０６－１）で生成されたイオンの試料への入射を完全に遮蔽することができる。なお、孔１５０の直径としては、１～２ｃｍφが好適である。
　この効果を確認するため、多孔板がない場合、図８に示す多孔板を設置した場合、図９に示す多孔板を設置した場合の３つの場合について、ＥＣＲ面が多孔板１１６と誘電体窓の間に入る磁場条件にて、希ガスのプラズマを生成させて試料に入射するイオン電流密度を計測した。その結果、イオン電流密度は、多孔板がない場合に２ｍＡ／ｃｍ２であったのに対して、図８の多孔板の場合は０．５ｍＡ／ｃｍ２、図９の多孔板の場合は測定限界の０．０２ｍＡ／ｃｍ２以下に減少した。すなわち、中央部の試料直径に相当する範囲１５１に孔のない構造の多孔板を用いることで、試料へのイオン入射を大幅に低減できることが確認できた。
　本実施例では、実施例１の装置に関して、多孔板がラジカル分布に与える影響について説明する。図９のような中央部付近に孔のない多孔板を用いた場合、多孔板の外周の孔から供給されるため、試料近傍ではラジカル分布が外周高になりやすい傾向がある。この問題を解決するため、図９の多孔板の試料側に図１６のような中央部に穴のあいたドーナッツ状の第二の遮蔽板118を設置する方法を検討した。これにより、図１７の断面図に示すように多孔板116と第二の遮蔽板118の間から中心に向かうガス流119ができ、ラジカルが試料の中央部付近にも供給されるようになる。
　この効果を検証するため、図9の多孔板のみの場合と、図９の多孔板と図１６の第二の遮蔽板を組み合わせた場合の二つについて、ＥＣＲ面が多孔板１１６と誘電体窓１１７の間に入る磁場条件にて、フロロカーボンガスのプラズマを生成させて、フロロカーボンのラジカルに起因する堆積膜の膜厚の試料上の分布を計測した。その結果を図１０Ａに示す。図9の多孔板のみの場合は外高な膜厚分布であるのに対して、図９の多孔板と図１６の第二の遮蔽板を組み合わせた場合は、均一な膜厚分布が得られた。すなわち、図９の多孔板と図１６の第二の遮蔽板を組み合わせることで均一なラジカル分布が得られることが確認できた。
　本実施例では、中央部の試料直径に相当する範囲に孔のない構造の多孔板を用いたが、この領域の孔の密度や孔径をそれ以外の領域より小さくした多孔板でも同様の効果が得られる。また、多孔板と試料の間の距離や磁場条件にも依存するが、孔の少ない領域の径は試料直径より３０％程度小さくすることができる。
　また、この効果が得られるためには、多孔板の孔のない領域の直径よりも第二の遮蔽板の中央の穴の直径は小さい必要がある。第二の遮蔽板は、石英やアルミナなどの誘電体製の他、金属製のものであってもよい。また、第二の遮蔽板は、板である必要はなく、例えば中央部に穴の開いたブロック状のものでもよい。
　本実施例では、実施例１の装置の多孔板の孔の開け方を改良することで、イオンの遮蔽性とラジカルの均一性を両立する方法を検討した。中央部にもラジカルを供給するためには、図８の多孔板のように中央部付近にも孔を開ける必要がある。一方で、イオンは磁力線１４０に沿って移動するため、中央付近の孔を通過したイオンは試料１２１に入射してしまう。
　そこで、発明者らは、図１８の断面図のように、多孔板に斜めの孔をあけること方法を検討した。図１８に示すようにマイクロ波ECRプラズマでは、試料に近づけば近づくほど磁力線140の間隔が広がる方向に磁力線が傾いている。図１８の装置では、磁力線の傾きとは逆方向に穴を傾けている。すなわち、試料側の孔の間隔が狭くなる方向に孔を傾けていることが特徴となっている。
　この場合、図１９の拡大図のように孔の方向と、磁力線140の方向が異なっているため、イオン127は多孔板の孔を通過できず、結果的に試料121に入射するイオンの量を大幅に低減できる。一方で、ラジカルは磁力線とは無関係に等方的に拡散できるため、多孔板の斜めの孔を通過して試料に到達することでできるため、中央部付近の孔からもラジカルが供給できるようになる。この効果を確認するため、図１８の構成で試料上のイオン電流密度を計測した。その結果、イオン電流密度は、垂直な孔を開けた多孔板の場合の０．５ｍＡ／ｃｍ２から、測定限界の０．０２ｍＡ／ｃｍ２以下に減少した。
　次に、実施例５の方法で、堆積膜の試料上の分布を計測した。その結果を図１０Ｂに示す。中央部付近にも孔を開けたことによって均一な膜厚分布が得られた。すなわち、多孔板の中央部付近に斜めの孔を開けることによって、高いイオン遮蔽性と均一なラジカル分布を両立できることを確認できた。
　多孔板の斜めの孔の角度に関しては、多孔板の垂直方向からみて、孔の入り口から出口が見通せない角度になっていることが望ましい。また、孔を傾ける方向は、必ずしも中心軸方向である必要はなく、回転方向に傾いていてもよい。また、本実施例では、多孔板の全体に斜めの孔を開けたが、試料直径より大きい部分の孔に関しては、垂直に開けても同様の効果が得られる。
　本実施例では、実施例１の装置を用いて公知の三次元ＮＡＮＤ（３ＤＮＡＮＤ）メモリの製造工程の一部へ適用する場合について説明する。図１１（ａ）は、シリコン窒化膜２０１とシリコン酸化膜２０２を交互に積層した積層膜に複数のホールを形成しそれらの内部を充填した後、溝２０３が形成された状態を示す。この構造を有する試料からシリコン窒化膜２０１を除去して図１１（ｂ）に示すように櫛歯状のシリコン酸化膜２０２を形成する。
　この櫛歯状のシリコン酸化膜２０２の間を埋めシリコン酸化膜を覆うようにＣＶＤでタングステン２０４を形成し、図１１（ｃ）に示す構造とする。さらに、タングステン２０４を横方向にエッチングすることで、図１１（ｄ）に示すようにシリコン酸化膜２０２とタングステン２０４が交互に積層され、かつ、各タングステン２０４の層が電気的に分離された構造を作成する。このうち、図１１（ｄ）に示す構造を作成する工程では、深い溝内のタングステン２０４を横方向に均一にエッチングすることが求められる。
　このような深溝の中のタングステン２０４を横方向に均一にエッチングするための方法としては、例えばタングステンを等方的にエッチングすることのできるフッ素を含有ガスとフロロカーボンなどの堆積性のガスを混合したガスのプラズマで処理することが考えられる。
　そこで、実施例１の装置で、フッ素含有ガスとフロロカーボンの混合ガスのプラズマを生成させて、図１１（ｃ）の構造の試料を処理した。等方性のエッチングを実現するため、ＥＣＲ面が多孔板１１６と誘電体窓の間に入る磁場条件でプラズマを生成して、フッ素とフロロカーボンガスのラジカルのみを試料に照射した。このとき、試料には高周波電力を印加しないまま処理した。その結果を図１２に示す。溝上部２０７、溝中央部２０８では、均一にタングステン２０４が除去されているが、溝底部２０９ではタングステン２０４がエッチングされないまま残っており、タングステン２０４の各層同士が電気的に短絡される問題が発生することがわかった。
　次に、この原因について説明する。図１４は、溝底面（溝底タングステン表面）からの距離に対するＦラジカル濃度の関係を示す。図１４から分かるように、溝底部２０９（溝底面からの距離が０付近）では、フッ素ラジカル濃度が急激に減少することがわかった。この減少の原因は、溝底タングステン表面２１０のエッチングによってフッ素ラジカルが消費されてしまうためと推定された。
　この問題を解決するため、異方性のエッチングで溝底のタングステンを一旦除去した後に、等方的に側面のタングステン２０４を除去する２ステップの加工方法を検討した。異方性エッチングステップに関しては、ＥＣＲ面が多孔板１１６と試料１２１の間に入る磁場条件でプラズマを生成して、試料に高周波電力を印加することで、イオンを垂直に試料に入射させて、溝底のタングステン２０４を除去した。なお、高周波電源の試料台への供給電力を調整することにより、イオン照射のエネルギーを数１０ｅＶから数ＫｅＶまで制御できる。
　次に、等方性のエッチングに関しては、ＥＣＲ面が多孔板１１６と誘電体窓１１７の間に入る磁場条件でプラズマを生成して、試料に高周波バイアスを印加せずに処理した。その結果、等方性のエッチングのステップにおいては、図１５に示すように溝底部２０９の付近でフッ素ラジカル濃度が急激に減少する現象が見られなくなった。
　この２ステップの処理を行った場合の加工断面形状を図１３に示す。この方法によって、底面まで均一にタングステン２０４が除去されることが確認された。
　本実施例のフッ素含有ガスとしては、ＳＦ６，ＮＦ３，ＸｅＦ２、ＳｉＦ４などを用いることができる。また、本実施例のフロロカーボンガスとしては、Ｃ４Ｆ８、Ｃ２Ｆ６、Ｃ５Ｆ８などを用いることができる。また、本実施例では溝２０３を用いたが、孔とすることもできる。
　また、本実施例では、実施例１の装置を用いたが、一台の装置でラジカル照射とイオン照射のステップを実現できる装置であれば、実施例２の装置を用いても同様の効果が得られる。
　本実施例では、実施例１の装置によって複数の工程の処理を行うことで、装置コストを減らした例を説明する。ゲートラストと呼ばれるMOSトランジスターのメタルゲート形成工程の一部を図２０に示す。まず第１の工程では、シリコン基板(301)とSiO2 (302)上に成膜されたシリコン膜をマスク(304)に沿って異方性のドライエッチングすることによって、シリコンのダミーゲート(303)を作成する。
　次に、第２の工程で不純物を注入することで、ソース(305)およびドレイン(306)を形成する。第３の工程ではCVD(chemical vapor deposition)でSiO2(302)を成膜した後、第４の工程で、余分な表面のSiO2(302)をCMP(Chemical Mechanical Polishing)で研磨する。その後、第５の工程でシリコンの等方性ドライエッチングによって、シリコンのダミーゲート(303)を除去する。さらに、第６の工程で実際のゲートとなるメタル(307)を成膜した後、第７の工程でCMPによって余分なメタルを除去して、メタルゲート(308)を形成する。
　このプロセスでは、第１の工程にシリコンの異方性ドライエッチングの工程が存在し、第４の工程にはシリコンの等方性ドライエッチングの工程が存在する。したがって、通常は、シリコンの異方性ドライエッチング装置と等方性ドライエッチング装置がそれぞれ１台以上必要となる。そのため、生産量の少ない少量多品種のファブでは、稼働率の低い２種類のドライエッチング装置を保有する必要があり、装置コストが問題となる。
　実施例１の装置を用いて、第１の工程の異方性ドライエッチングと第４の工程の等方性ドライエッチングを１台の装置で行えば、装置稼働率が向上するとともに、ファブ内の装置台数を半分に減らすことができる。
　本実施例では、MOSトランジスターのメタルゲート形成工程に実施例１の装置を適用した例を説明したが、他の製造工程であっても、異方性ドライエッチングと等方性ドライエッチングの両方が存在すれば、実施例１の装置で両方の工程を処理することによって、同様の効果が得られる。
１０５…ガス導入口、１０６－１…減圧処理室１０６の上部領域、１０６－２…減圧処理室１０６の下部領域、１１３…マグネトロン、１１４…コイル、１１６…多孔板、１１７…誘電体製の窓、118…第二の遮蔽版、119…ガス流、１２０…試料台、１２１…試料、１２２…整合器、１２３…高周波電源、１２４…ポンプ、１２５…整合器、１２６…高周波電源、127…イオン、１３１…ヘリカルコイル、１３２…ヘリカルコイル、１３３…切換スイッチ、１３４…天板、１４０…磁力線、１５０…孔、１５１…孔が設けられていない中央領域（ラジカル遮蔽領域）、２００…シリコン、２０１…シリコン窒化膜、２０２…シリコン酸化膜、２０３…溝、２０４…タングステン、２０７…溝上部、２０８…溝中央部、２０９…溝底部、２１０…溝底タングステン表面、３０１…基板シリコン、３０２…SiO2、３０３…ダミーゲート、３０４…マスク、３０５…ソース、３０６…ドレイン、３０７…メタル、３０８…メタルゲート

Claims (14)

  1. 試料がプラズマ処理される処理室と、前記処理室内にプラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料が載置される試料台とを備えるプラズマ処理装置において、
    前記プラズマより生成されたイオンの前記試料台への入射を遮蔽し前記試料台の上方に配置された遮蔽板と、
    前記遮蔽板の上方にプラズマを生成させる一方の制御または前記遮蔽板の下方にプラズマを生成させる他方の制御が選択的に行われる制御装置と、をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
    前記処理室内に磁場を生成する磁場生成手段をさらに備え、
    前記高周波電源は、マイクロ波の高周波電力を前記処理室内に供給することを特徴とするプラズマ処理装置。
  3. 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
    誘導磁場により前記遮蔽版の上方にプラズマを生成させるための第一の誘導コイルと、
    誘導磁場により前記遮蔽版の下方にプラズマを生成させるための第二の誘導コイルと、をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
  4. 請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
    前記遮蔽板の材質は、誘電体であることを特徴とするプラズマ処理装置。
  5. 請求項３に記載のプラズマ処理装置において、
    前記遮蔽板の材質は、導体であることを特徴とするプラズマ処理装置。
  6. 試料がプラズマ処理される処理室と、前記処理室内にプラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料が載置される試料台とを備えるプラズマ処理装置において、
    前記プラズマより生成されたイオンの前記試料台への入射を遮蔽し前記試料台の上方に配置された遮蔽板と、
    前記遮蔽板の上方にプラズマを生成させる第一の期間と前記遮蔽板の下方にプラズマを生成させる第二の期間が切り替えられながらプラズマ処理される制御が行われる制御装置と、をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
  7. 請求項１または請求項６に記載のプラズマ処理装置において、
    前記遮蔽版は、第一の遮蔽版と、前記第一の遮蔽版と対向する第二の遮蔽版と、を具備し、
    前記第一の遮蔽版の開口部と対向する前記第二の遮蔽版の箇所に開口部が配置されていないことを特徴とするプラズマ処理装置。
  8. 請求項１または請求項６に記載のプラズマ処理装置において、
    前記処理内に磁場を生成する磁場生成手段をさらに備え、
    前記遮蔽版は、ラジカルが前記試料台へ供給されるための孔を具備し、
    前記処理室の垂直方向に対する前記孔の傾き方向は、前記処理室の垂直方向に対する前記磁場の傾き方向と逆であることを特徴とするプラズマ処理装置。
  9. 試料がプラズマ処理される処理室と、前記処理室内にプラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料が載置される試料台と、前記プラズマより生成されたイオンの前記試料台への入射を遮蔽し前記試料台の上方に配置された遮蔽板とを備えるプラズマ処理装置を用いて前記試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
    前記遮蔽板の上方にプラズマを生成する一方の制御または前記遮蔽板の下方にプラズマを生成する他方の制御を選択的に行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
  10. 請求項９に記載のプラズマ処理方法において、
    前記プラズマは、マイクロ波電子サイクロトロン共鳴型プラズマであり、
    前記マイクロ波と電子サイクロトロン共鳴するための磁束密度の位置を制御することにより前記遮蔽板の上方にプラズマを生成するまたは前記遮蔽板の下方にプラズマを生成することを特徴とするプラズマ処理方法。
  11. 試料がプラズマ処理される処理室と、前記処理室内にプラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記試料が載置される試料台と、前記プラズマより生成されたイオンの前記試料台への入射を遮蔽し前記試料台の上方に配置された遮蔽板とを備えるプラズマ処理装置を用いて前記試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
    前記遮蔽板の上方にプラズマを生成する第一の期間と前記遮蔽板の下方にプラズマを生成する第二の期間を切り替えながらプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
  12. 請求項１１に記載のプラズマ処理方法において、
    前記プラズマは、マイクロ波電子サイクロトロン共鳴型プラズマであり、
    前記マイクロ波と電子サイクロトロン共鳴するための磁束密度の位置を制御することにより前記遮蔽板の上方にプラズマを生成するまたは前記遮蔽板の下方にプラズマを生成することを特徴とするプラズマ処理方法。
  13. 孔または溝の側壁に形成されたパターンに埋め込まれた膜の前記パターン以外の部分をプラズマエッチングにより除去するプラズマ処理方法において、
    前記孔または溝の底面の前記膜を除去した後、前記孔または溝の深さ方向に垂直な方向の前記膜を除去することを特徴とするプラズマ処理方法。
  14. 請求項１３に記載のプラズマ処理方法において、
    イオンアシストエッチングにより前記孔または底面の膜を除去し、
    ラジカルエッチングにより前記孔または溝の深さ方向に垂直な方向の膜を除去することを特徴とするプラズマ処理方法。
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