JP7292493B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
第一の開口が形成された第一の遮蔽板と第二の開口が形成された第二の遮蔽板との間に配置された遮蔽部をさらに備え、第一の遮蔽板は、第二の遮蔽板と対向し、第二の開口と対向する位置より外側に第一の開口が形成され、第二の遮蔽板は、第二の開口が中心部に形成され、遮蔽部は、円筒状に形成されていることを特徴とする。
104 導波管
108 ソレノイドコイル
111 誘電体窓
112,112-1,112-2,112-3,112-4,112-5,112-6,112-7 遮蔽部
113、113-1 第1の遮蔽板
114 第2の遮蔽板
115、115-1,115-2,115-3,115-4,115-5 第3の遮蔽板
116 試料台
117 真空処理室
118 第1の領域
119 第2の領域
120 制御装置
121 バルブ
122 ポンプ
123 整合器
124 高周波電源
125 試料
130,130-1 保持部
Claims (7)
- 試料がプラズマ処理される処理室と、マイクロ波の高周波電力を供給する高周波電源と、前記処理室の内部に磁場を形成する磁場形成機構と、前記試料が載置される試料台と、イオンを遮蔽する第一の遮蔽板と、前記第一の遮蔽板の下方に配置されイオンを遮蔽する第二の遮蔽板とを備えるプラズマ処理装置において、
第一の開口が形成された前記第一の遮蔽板と第二の開口が形成された前記第二の遮蔽板との間に配置された遮蔽部をさらに備え、
前記第一の遮蔽板は、前記第二の遮蔽板と対向し、前記第二の開口と対向する位置より外側に前記第一の開口が形成され、
前記第二の遮蔽板は、前記第二の開口が中心部に形成され、
前記遮蔽部は、円筒状に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記遮蔽部は、前記第二の遮蔽板に接していることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記遮蔽部は、前記第二の遮蔽板と一体として形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 試料がプラズマ処理される処理室と、マイクロ波の高周波電力を供給する高周波電源と、前記処理室の内部に磁場を形成する磁場形成機構と、前記試料が載置される試料台と、イオンを遮蔽する第一の遮蔽板と、前記第一の遮蔽板の下方に配置されイオンを遮蔽する第二の遮蔽板とを備えるプラズマ処理装置において、
第一の開口が形成された前記第一の遮蔽板と第二の開口が形成された前記第二の遮蔽板との間に配置された遮蔽部をさらに備え、
前記遮蔽部は、前記第二の遮蔽板と一体として形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 試料がプラズマ処理される処理室と、マイクロ波の高周波電力を供給する高周波電源と、前記処理室の内部に磁場を形成する磁場形成機構と、前記試料が載置される試料台と、イオンを遮蔽する第一の遮蔽板と、前記第一の遮蔽板の下方に配置されイオンを遮蔽する第二の遮蔽板とを備えるプラズマ処理装置において、
第一の開口が形成された前記第一の遮蔽板と第二の開口が形成された前記第二の遮蔽板との間に配置された遮蔽部をさらに備え、
前記遮蔽部は、前記第一の遮蔽板と一体として形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 試料がプラズマ処理される処理室と、マイクロ波の高周波電力を供給する高周波電源と、前記処理室の内部に磁場を形成する磁場形成機構と、前記試料が載置される試料台と、イオンを遮蔽する第一の遮蔽板と、前記第一の遮蔽板の下方に配置されイオンを遮蔽する第二の遮蔽板とを備えるプラズマ処理装置において、
第一の開口が形成された前記第一の遮蔽板と第二の開口が形成された前記第二の遮蔽板との間に配置された遮蔽部をさらに備え、
前記遮蔽部は、前記第一の遮蔽板と一体として形成された部分と、前記第二の遮蔽板と一体として形成された部分と、により構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一の遮蔽板の材質、前記第二の遮蔽板の材質および前記遮蔽部の材質は、誘電体であることを特徴とするプラズマ処理装置。
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