CN101442057B - 半导体器件及其制造方法、以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体器件及其制造方法、以及电子设备。本发明的目的是简化在形成多层布线过程中处理布线所需的步骤。此外，当使用微滴排放法或纳米印刷法在具有相当长直径的接触孔中形成布线时，按照接触孔的形状形成布线，并且接触孔的布线部分相对于其它部分可能具有凹陷。通过使用具有高强度和高重复频频率的激光照射透光绝缘膜来形成穿透开口。提供具有微小接触区域的多个开口，而不是形成一个具有大的接触区域的开口，以便通过减少局部凹陷而具有均匀厚度的布线，并且也确保接触电阻。

Description

半导体器件及其制造方法、以及电子设备
本分案申请是基于申请号为200610006407.0，申请日为2006年1月20日，发明名称为“半导体器件及其制造方法、以及电子设备”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种具有包含薄膜晶体管(以下称作TFT)的电路的半导体器件及其制造方法。具体地，本发明涉及一种具有包含场效应晶体管(以下称作FET)的电路的半导体器件。例如，本发明涉及一种电子设备，其结合了大规模集成电路(LSI)、以液晶显示面板为代表的电子光学器件、具有有机发光元件的发光显示器件、例如线传感器的传感器装置、或例如SRAM或DRAM的存储装置，作为其一部分。
背景技术
注意，此说明书中的半导体器件是指能够使用半导体特性起作用的普通器件和装置，例如，电子光学器件、半导体电路和电子器件全部包含在半导体器件中。
近年来，在半导体元件中形成多层布线的情况下，上层中的不规则性更为明显，并且布线很难处理。相对的，通过被称作镶嵌工艺的布线形成技术，通常将布线材料嵌入在布线开口(例如形成在绝缘膜中的布线沟槽或孔)中。
镶嵌工艺是一种方法，其首先在绝缘膜中形成沟槽，然后用金属材料覆盖整个表面(填充沟槽)，并通过CMP(化学机械抛光)法等磨光整个表面，以形成金属布线。进一步包括在金属布线下提供孔的步骤的方法被称为双镶嵌工艺，该方法在金属布线下提供孔，用于与下层布线中的金属布线或半导体区域接触。双镶嵌工艺包括，在形成用于连接下层布线的孔并形成布线沟槽之后，沉积布线材料并通过CMP方法去除布线部分以外的布线材料的步骤。
对于使用双镶嵌工艺的金属布线，通常通过电镀法来使用铜(Cu)。在电镀方法中，要求严格控制将应用的电镀溶液或电场，以使铜(Cu)完全嵌入在连接孔中。此外，很难使用刻蚀剂或刻蚀气体通过刻蚀工艺来处理铜(Cu)；因此，需要专用的CMP方法对铜(Cu)进行抛光处理。
电镀方法和CMP方法具有增加形成布线的制造成本的问题。
此外，不仅在使用半导体衬底的半导体器件的制造过程中，而且在使用薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵衬底的制造过程中，都很难在形成多层布线的过程中处理布线。近年来，薄膜晶体管被广泛的用于电子器件(例如IC)或电子光学器件，并且特别地被开发为图像显示器件的快速的开关元件。注意，液晶显示器件通常是公知的图像显示器件。
与无源液晶显示器件相比，由于有源矩阵液晶显示器件能够获得高精度的图像，所以其已经被经常使用。在有源矩阵液晶显示器件中，驱动排列在矩阵中的像素电极以便在屏幕上显示图像图形。具体地，向所选的像素电极以及与其对应的相对电极施加电压，由此光学调制了像素电极与相对电极之间液晶层。光学调制能够被观察者识别为图像图形。
这样的有源矩阵液晶显示器件的应用范围是广泛的，随着显示尺寸的变大，对于提高生产率并降低成本的要求也随之增加。
传统地，在形成多层布线的情况下，为了连接上层布线与下层布线，需要通过使用光刻法在这些布线之间的层间绝缘膜中形成接触孔。在通过使用光刻法形成接触孔的情况下，例如形成抗蚀剂掩膜(涂覆、曝光并显影抗蚀剂)、选择性刻蚀或去除抗蚀剂掩膜等各种步骤是必不可少的。换句话说，对于多层结构必须形成接触孔，使得多个布线彼此交叉，这是制造工艺数量增加的一个原因。
此外，在使用光刻法的情况下，对于每个曝光图形来说，光刻掩膜也是必须的；因此，增加了制造光刻掩膜的成本，这是制造成本增加的一个原因。
而且，在使用光刻法的情况下，为了提高均匀性而使用大量的抗蚀剂材料和显影溶液；因此，消耗了大量的多余材料。
对于选择地刻蚀层间绝缘膜的方法，干法刻蚀和湿法刻蚀是已知的。通常，通过气体等离子体的干法刻蚀在形成处理成锥形等图形中具有优势。但是，干法刻蚀装置的缺点在于，需要昂贵的大尺寸的装置，增加了制造成本。此外，担心由于气体等离子体导致半导体元件损坏。因此，期望尽可能少的进行干法刻蚀。
此外，相对于干法刻较为廉价并且在大量生产方面具有优势的蚀湿法刻蚀，一次使用大量的刻蚀剂；因此，废物流体处理很困难，这是制造成本增加的一个原因。此外，由于湿法刻蚀是各向同性刻蚀，所以很难形成具有相当小直径的接触孔，这在电路的高集成度方面是缺点。
对于在通过图形化处理薄膜的过程中不使用光刻胶的方法，激光处理技术，特别是使用YAG激光(波长为1.06μm)的激光处理方法是已知的。在使用YAG激光的激光处理方法中，除了通过点状光束照射要处理的目标之外，在处理方向上扫描光束，以便形成连续点的链状开口。
此外，本发明使用具有400μm或更小波长的激光通过线性光束来照射透光的导电膜。在引用文件1、2和3中公开了一种处理用于形成开口的薄膜的方法，引用文件1：美国专利No.4861964说明书，引用文件2：美国专利No.5708252说明书，引用文件3：美国专利No.6149988说明书。
发明内容
本发明的目的是简化在形成多层布线中处理布线所需的步骤。此外，本发明的目的是提供一种实现电路的高集成度的技术。
此外，在形成不同深度的多个接触孔的情况下，工艺趋向于变得复杂。因此，本发明提供一种能够在简化的工艺中实现多个不同深度的接触孔的技术。
而且，在制造具有半导体电路的电子设备中，对于大规模生产有效地采用排式印刷而不使用晶片衬底，排式印刷是从一个母玻璃衬底切割出多个器件的制造方法。母玻璃衬底的尺寸从20世纪90年代早期的第一代的300mm×400mm增加到的2000年的第四代的680mm×880mm。此外，已经发展了制造技术，使得能够从一个衬底获得大量的器件，通常是显示面板。
当以后衬底的尺寸进一步增加时，在通过使用溅射法的沉积方法来形成作为布线的金属膜的过程中，随着尺寸的增加靶变得昂贵，这是大批量生产的缺点。
此外，考虑到大批量生产，本发明的目的是提供一种形成适于大尺寸衬底的布线的技术。
按照本发明，用激光选择地照射覆盖导电层而形成的透光绝缘膜，以便形成到达导电层的穿透开口。能够通过激光在透光绝缘膜中形成穿透开口来简化形成接触孔的步骤。
此外，实践者适当地确定激光的焦点位置。因此，能够适当地确定穿透开口的深度或穿透开口的尺寸。因此，按照本发明，能够在简化的工艺中实现不同深度的多个接触孔。而且，透光绝缘膜不限于单层，即使在两层或多层的堆叠层的情况下也能够简化形成接触孔的步骤。
按照本发明的激光，使用基波而不使激光进入非线性光学元件，并通过具有高强度和高重复率的脉冲激光照射透光绝缘膜来形成穿透开口。本发明的一个特征在于，本发明中使用的激光的重复率被设为10MHz或更大。
高强度意味着每单位时间和每单位面积的高的峰值输出功率，并且按照本发明激光的峰值输出功率范围是1GW/cm2至1TW/cm2。
在通过基波照射透光绝缘膜的过程中，透光绝缘膜不会吸收太多的具有大约1μm波长的基波。因此，基波具有低的吸收效率。从具有在毫微微秒(10-15秒)或微微秒范围内的脉冲宽度的脉冲激光器发射的基波能够提供高强度的激光。因此，产生非线性光学效应(多光子吸收)，并且透光绝缘膜能够吸收基波以形成穿透开口。
此外，使用者能够通过适当地确定激光的焦点位置而适当地确定开口在垂直于衬底的平面中的形状。例如，能够形成在透光绝缘膜表面上的开口区域小于导电层的暴露区域的开口。
在传统的使用YAG激光的处理方法中，光束形状是圆形，光线强度显示为高斯分布；因此，在垂直于要被处理的目标表面的平面中，开口形状具有与高斯分布一致的形状。因此，在传统的使用YAG激光的处理方法中，表面上的开口很可能会增大尺寸，并且很难形成具有微小开口尺寸的深的接触孔。此外，在传统的使用YAG激光的处理方法中所用的脉冲宽度是10-4秒至10-2秒。
此外，在传统的处理方法中，使用具有400μm或更小波长的激光通过线性光束照射透光导电膜以形成开口，因为使用了吸收具有400μm或更小波长的激光的透光薄膜，所以从透光导电膜的表面形成开口。在此处理方法中表面也容易吸收能量；因此，表面上的开口直径容易变得较大。
与传统的处理方法相比，本发明的处理方法不限于形成穿透表面的开口，可以使用各种形成方法。例如，当通过激光照射透光绝缘膜，同时从导电层一侧向表面移动激光的焦点位置，在透光绝缘膜中形成从导电层一侧向表面穿透的开口。此外，也能够在绝缘膜中通过照射激光而形成开口，以便从背部(即，衬底一侧)穿透透光的衬底。
此外，按照本发明，还能够通过自由地移动激光的焦点位置来形成具有复杂形状的开口。例如，在Z方向(深度方向)上形成在垂直方向穿透的开口，然后在X方向或Y方向上形成横向的孔。
此外，本发明的另一个特征是使用印刷技术(例如以压电类型和热力喷射类型为代表的微滴排放法)或者纳米印刷技术，以便在与绝缘膜的开口重叠的位置中形成布线或电极，并通过绝缘膜的开口电性连接到导电层。
例如，在使用微滴排放技术的情况下，当调整并滴放材料溶液时导电材料能够具有流动性；因此，能够通过导电材料填充具有弯曲的复杂形状的开口。例如，甚至能够通过导电材料填充侧壁为倒锥形的孔。此外，通过增大使用微滴排放技术滴放的导电材料的速度，能够通过导电材料来填充深的开口或具有复杂形状的开口。而且，本发明的另一个特征是，提供一种填充了导电材料的开口，该导电材料具有容易填充的流动性。
此外，在使用印刷技术(例如纳米印刷技术)的情况下，也能够在执行用于烘焙的热处理过程中，通过给出导电材料的流动性而使用导电材料来填充具有复杂形状的开口。
而且，当使用微滴排放技术或纳米印刷技术在具有相当长直径(例如直径大于2μm)的接触孔内形成布线时，按照接触孔的形状形成布线，接触孔的布线部分相对于其它部分可能具有凹陷。图19A至19C每个显示了其中形成传统接触孔的状态。在衬底3010上提供基底绝缘膜3011，在基底绝缘膜3011上提供导电层3012。在图19A中，在导电层3012上形成绝缘膜，通过光刻技术形成抗蚀剂掩膜3014，通过刻蚀形成开口3016。然后，通过去除抗蚀剂掩膜3014并使用微滴排放技术或纳米印刷技术形成布线，从而形成图19B所示的布线3017a。如图19B所示，布线3017a是与接触孔的形状一致的布线，并且接触孔的布线部分相对于其它部分具有凹陷。此外，当进行烘焙时，因为布线材料具有流动性，所以布线3017a变换为布线3017b，如图19C所示。因此，布线材料移动到图19C中箭头所示的材料移动方向3018，并且担心接触孔附近布线的厚度变得比其它部分的薄。此外，在微滴排放技术中使用具有低黏性和流动性的材料的情况下，布线材料在烘焙之前(也就是在刚形成布线之后)倾向于移动到较低的位置。
因此，本发明的另一个特征是，提供具有直径为2μm或更小(优选地直径大约为3nm至200nm)的微小接触区域的多个开口，而不是形成一个具有大的接触区域的开口，以便通过减少局部凹陷而具有均匀厚度的布线，并且也确保接触电阻。
按照此说明书中公开的本发明的一个特征，图1C中显示的示例，半导体器件包括第一导电层；多个穿透开口(也称作多个开口)；覆盖第一导电层上的绝缘膜；和通过多个穿透开口与第一导电层接触第二导电层；其中第二导电层含有导电颗粒，以及其中第二导电层的与多个穿透开口重叠的表面和第二导电层的与多个穿透开口不重叠的表面形成在一侧。换言之，第二导电层是齐平的。第二导电层的宽度D与多个开口的每个开口的直径W满足2D＜W。
此外，按照上述特征，第二导电层具有聚集了导电颗粒的多个晶体，并且这些晶体重叠在一起。当通过微滴排放法或印刷法使用含有尺寸为3nm至7nm的金属颗粒的导电材料形成布线并烘焙时，金属颗粒熔化并聚集，以便具有在三维方向上不规则重叠形成的大约100nm的晶体。
按照本发明的另一个特征，穿透开口的直径大于一个导电颗粒。开口的直径大于所使用的金属颗粒的直径(3nm至7nm)，至少使得金属颗粒进入到表面上的开口。具体地，按照本发明的穿透开口的直径是3nm至2000nm。
此外，本发明不限于与下层导电层接触的开口。按照本发明的另一个特征，半导体器件包括半导体层；多个穿透开口；覆盖半导体层的绝缘膜；以及通过多个穿透开口与半导体层接触的导电层，其中导电层含有导电颗粒，以及其中导电层的与多个穿透开口重叠的表面和导电层的与多个穿透开口不重叠的表面形成在一侧。
此外，按照本发明，穿透开口的形状不限于具有相同直径的圆柱形状，沿着水平面的截面的直径可以具有部分差异。例如，在绝缘膜底部表面中开口的直径可以是绝缘膜顶部表面中开口直径的十倍或更多倍，只要绝缘膜顶部表面中开口的直径大于金属颗粒即可。此外，穿透开口沿着水平面的截面的不限于圆形，也可以是椭圆形或矩形。当穿透开口沿着水平面的截面是椭圆形时，短轴长度优选地为3nm至2000nm。当穿透开口沿着水平面的截面是矩形时，短边长度优选地为3nm至2000nm。
此外，为了降低电阻，在绝缘膜底部表面中开口的直径可以与一个晶体的直径相同或大于一个晶体的直径，使得由聚集的金属颗粒构成的晶体甚至形成在开口中。
由于通过激光形成本发明的开口形状，所以形状可以是复杂的。按照本发明的另一个特征，半导体器件包括第一导电层；多个穿透开口；覆盖第一导电层的绝缘膜；以及通过多个穿透开口与第一导电层接触的第二导电层，其中第二导电层含有导电颗粒，以及其中多个穿透开口中的至少两个穿透开口在绝缘膜中彼此相连。
此外，按照本发明的开口形状不限于在膜厚度方向(即，Z方向)延伸的圆柱形状。按照本发明的其它特征，半导体器件包括第一导电层；多个穿透开口；覆盖第一导电层的绝缘膜；以及通过多个穿透开口与第一导电层接触的第二导电层，其中第二导电层含有导电颗粒，以及其中多个穿透开口的截面形状是L型、U型或绘制的弧形。
此外，按照本发明，穿透开口是指通往其间夹着绝缘膜的上层和下层的通道，以及在绝缘膜中的水平方向延伸的通道。例如，按照本发明的穿透开口的截面形状包括L型、U型或绘制的弧形等。即使在开口具有这样复杂的截面形状的情况下，只要在使用微滴排放法的时候通过调整滴放材料的粘性，也能够使用导电材料填充具有复杂形状的开口。
例如，按照本发明，在与导电层接触的平面中多个微小开口能够彼此连接。因此，能够在绝缘膜的上表面上提供多个微小开口，并能够通过连接多个开口和提供在绝缘膜的底部表面附近的横向上的孔(在X方向或Y方向上延伸的孔)来增加接触面积。此外，多个垂直孔(在Z方向上延伸的孔)沿着绝缘膜的底部表面连接到水平孔(在X方向或Y方向上延伸的孔)；因此，在微滴排放过程中提供了空气出口，并能够防止在开口中残留气泡。
此外，按照上述特征，半导体器件包括天线、CPU(中央处理单元)、存储器的至少一个。例如，按照本发明，能够实现具有通过穿透开口形成的多层布线的高集成度的集成电路。具体地，能够完成具有天线和存储器的用于识别和管理货物、商品和人员的集成电路，特别是无线芯片(也称作ID标签、IC标签、IC芯片、RF(射频)标签、无线标签、电子标签或RFID(射频识别))。
此外，按照上述每个特征，半导体器件是显示器件(LCD面板或EL面板)、视频摄像机、数码相机、个人计算机、或便携式信息终端。例如，按照本发明，能够在简化的工艺中制造具有通过穿透开口形成的多层布线的集成电路；因此，能够完成具有集成电路的电子设备。
此外，按照本发明的制造方法的一个特征，为了实现上述每个特征，一种用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：形成第一导电层；在第一导电层上形成绝缘膜；通过使用激光选择地照射，在绝缘膜中形成多个穿透开口；以及通过微滴排放法或印刷法形成第二导电层，其通过多个穿透开口与第一导电层接触。
此外，按照制造方法的上述特征，形成第二导电层的步骤包括热处理，其中第二导电层的与多个穿透开口重叠的表面和第二导电层的与多个穿透开口不重叠的表面形成在一侧。
此外，按照本发明的制造方法的另一个特征，用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：形成第一导电层；在第一导电层上形成绝缘膜；通过使用激光选择地照射，在绝缘膜中形成深度不同的多个穿透开口；以及通过微滴排放法或印刷法形成填充了多个穿透开口的第二导电层。
此外，按照本发明的制造方法的另一个特征，用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：形成第一导电层；在第一导电层上形成绝缘膜；通过使用激光选择地照射，在绝缘膜中形成深度不同的多个穿透开口；以及在通过微滴排放法将含有导电颗粒的液体材料滴入多个穿透开口之后，通过导电颗粒填充多个穿透开口来形成第二导电层。
此外，按照上述制造方法的每个特征，通过在X方向、Y方向或Z方向上移动激光的焦点位置来形成多个穿透开口。
由于通过移动激光的焦点位置来形成多个穿透开口，所以能够形成各种开口。按照上述制造方法的每个特征，多个穿透开口的截面形状是圆柱形、L型、U型或绘制的弧形。
此外，通过使用激光预先在透光绝缘膜中形成封闭的孔(洞)(在Z方向上延伸的孔(洞))以便随后通过刻蚀或打磨去除表面层，可以形成穿透开口。
按照本发明的制造方法的另一个特征，一种用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：形成第一导电层；在第一导电层上形成绝缘膜；通过使用激光选择地照射，在绝缘膜中形成与第一导电层接触的封闭孔(洞)；将封闭孔(洞)形成穿透开口，同时对绝缘膜执行薄膜处理；以及通过微滴排放法或印刷法形成通过多个穿透开口与第一导电层接触的第二导电层。换句话说，本发明的制造方法，一种用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一导电层；在第一导电层上形成绝缘膜；通过使用激光选择地照射，在绝缘膜中形成多个孔(洞)；去除绝缘膜中的多个孔(洞)的上部区域，以便形成多个开口；以及通过微滴排放法或印刷法形成通过多个开口与第一导电层接触的第二导电层。
此外，按照上述制造方法的每个特征，穿透开口的直径是3nm至2000nm。
此外，一种使用半导体衬底制造具有晶体管的半导体器件的方法也是本发明的一个特征。按照此特征，用于制造具有晶体管的半导体器件的方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；通过使用激光选择地照射，在第二绝缘膜中形成到达第一绝缘膜的第一穿透开口，以及在第二绝缘膜中形成到达半导体衬底的第二穿透开口；通过微滴排放法形成通过第一穿透开口与第一绝缘膜接触的栅电极，以及通过第二穿透开口与半导体衬底接触的电极。
此外，一种制造形成在具有绝缘表面的衬底上的顶部栅极薄膜晶体管(TFT)的方法也是本发明的一个特征。按照此特征，用于制造具有薄膜晶体管的半导体器件的方法包括以下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成半导体层；通过使用激光选择地照射，在第二绝缘膜中形成覆盖半导体层的第一绝缘膜；形成第二绝缘膜；形成到达第一绝缘膜的第一穿透开口和到达半导体衬底的第二穿透开口；以及通过微滴排放法形成通过第一穿透开口与第一绝缘膜接触的栅电极，以及通过第二穿透开口与半导体层接触的电极。
注意，第一绝缘膜是栅极绝缘膜。此外，第二绝缘膜是层间绝缘膜。
此外，一种制造形成在具有绝缘表面的衬底上的底部栅极薄膜晶体管(TFT)的方法也是本发明的一个特征。按照此特征，用于制造具有薄膜晶体管的半导体器件的方法包括以下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成半导体层；在半导体层上形成第二绝缘膜；通过使用激光选择地照射，在第一绝缘膜和第二绝缘膜中形成第一穿透开口，在第二绝缘膜中形成到达半导体衬底的第二穿透开口；以及通过微滴排放法形成通过第一穿透开口的栅电极，以及通过第二穿透开口与半导体层接触的电极，其中部分第一穿透开口形成在半导体层之下，其中第一穿透开口与半导体层之间的第一绝缘膜是栅极绝缘膜。换言之，用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成半导体层；在半导体层上形成第二绝缘膜；通过使用激光选择地照射，在第一绝缘膜中形成孔，并在第二绝缘膜中形成达半导体层的开口；以及通过微滴排放法或印刷法形成通过孔的栅电极，以及通过开口与半导体层接触的电极。
按照制造方法的上述特征，通过从具有绝缘表面的衬底一侧照射激光或者通过从第二绝缘膜一侧照射激光来形成第一穿透开口。
此外，按照制造方法的上述特征，第二绝缘膜是层间绝缘膜。
此外，按照制造方法的上述特征，第一穿透开口是其中Z方向上的开口与X方向上的开口或Y方向上的开口相连接的开口。按照本发明的上述制造方法，首先形成第二绝缘膜，然后通过激光形成隧道状的开口，并通过导电材料填充开口以形成栅电极。由于能够使用激光任意的设置栅电极在深度方向上的位置，所以也能够获得栅极绝缘膜的薄膜。而且，也能够不破坏栅极绝缘膜而形成栅电极。
此外，按照制造方法的上述特征，第一穿透开口的直径是大于等于3nm且小于等于2000nm。
此外，按照制造方法的每个特征，当激光的脉冲宽度大于等于1毫微微秒且小于等于10微微秒(皮秒)时，激光发生振荡。通过使脉冲宽度处于大于等于1毫微微秒且小于等于10微微秒范围内，能够获得高强度的多光子吸收。当激光束具有大于10微微秒的几十微微秒的脉冲宽度时，不发生多光子吸收。而且，激光具有从激光重复频率为10MHz或更大的激光振荡器发射的基波。
此外，按照本发明，含有硅作为其主要成分的半导体膜、含有有机材料作为其主要成分的半导体膜、或含有金属氧化物作为其主要成分的半导体膜可以用作半导体层。对于含有硅作为其主要成分的半导体膜，能够使用无定形半导体膜、包括晶体结构的半导体膜、包括无定形结构的化合物半导体膜等，特别是无定形硅、微晶硅、多晶硅、单晶硅等。对于含有有机材料作为其主要成分的半导体膜，通过组合其它元素能够使用含有以下材料作为其主要成分的半导体膜，所含的材料在数量上包括碳或碳的同素异形体(除了金刚石)，至少具有在室温(20摄氏度)下具有10-3cm2/V·s或更大的电荷载流子迁移率的材料。例如，能够使用芳香族的π电子共轭系统，链状化合物、有机物或有机硅化合物。具体地，作为示例给出了并五苯、并四苯、噻吩低聚体、亚苯基、酞菁染料化合物、聚乙炔、聚噻吩、花青染料等。对于含有金属氧化物作为其主要成分的半导体膜，能够使用氧化锌(ZnO)；锌、镓和铟的氧化物(In-Ga-Zn-O)等。
此外，按照本发明的半导体器件可以具有保护电路(例如，保护二极管)，用于防止静电放电损坏。
此外，不管是TFT结构还是晶体管结构，都能够应用本发明，例如本发明能够用于顶部栅极TFT、底部栅极TFT(反向交错：reverse stagger)、或正向交错TFT。而且，不限于具有单个栅极结构的晶体管，也可以使用具有多个沟道形成区的多栅极晶体管，例如双栅极晶体管。
按照本发明，能够简化在形成多层布线过程中处理布线所必须的步骤。此外，也能够实现电路的高集成度。
此外，能够在简化的工艺中实现不同深度的多个接触孔。
此外，由于按照本发明使用波长大约为1μm的基波，因为元件和衬底不吸收基波，所以能够不损坏元件和衬底而形成接触孔。因此，能够通过使用容易受到加热或刻蚀溶液影响的元件、或者使用容易受到加热或刻蚀溶液影响的薄膜衬底来制造半导体器件。
参照附图阅读下面的详细说明之后，本发明的这些和其它的目的、特征和优点将变得显而易见。
附图说明
在附图中：
图1A至1D是按照本发明(实施方式1)的工艺剖面图和顶视图；
图2A和2B是说明按照本发明(实施方式1)的开口制造工艺的剖面图；
图3A至3C是显示按照本发明(实施方式2)的开口形状的一个示例的剖面图和顶视图；
图4A至4C是说明按照本发明(实施方式3)的开口制造工艺的剖面图；
图5A至5C是显示按照本发明(实施方式4)的开口形状的一个示例的剖面图和顶视图；
图6A至6D是显示底部栅极TFT(实施方式5)的制造工艺的剖面图；
图7A至7D是显示顶部栅极TFT(实施方式6)的制造工艺的剖面图；
图8是显示有源矩阵液晶显示器件(实施方式6)的结构的剖面图；
图9是显示有源矩阵EL显示器件(实施方式6)的结构的剖面图；
图10是说明适用于本发明(实施方式1)的激光束直接写入系统的视图；
图11是说明适用于本发明(实施方式1)的微滴排放(dropletdischarging)装置的视图；
图12A至12D是显示用于制造半导体器件(实施例1)的方法的剖面图；
图13是显示半导体器件(实施例1)的透视图；
图14是显示模块(实施例2)的顶视图；
图15A和15B是电视装置(实施例4)的方块图和透视图；
图16A至16E每个图显示了电子装置(实施例5)的一个示例；
图17是显示按照本发明(实施例6)的结构的剖面图的一个示例；
图18A至18F是说明半导体器件(实施例6)的应用示例的透视图；和
图19A至19C是显示传统示例的剖面图。
具体实施方式
下面将参照附图说明本发明的实施方式。但是，将很容易理解，各种变化和修改对于本领域技术人员是显而易见的。因此，除非这样的变化和修改脱离本发明，否则它们应当视为包含在本发明中。
注意，在所有附图中表示同一部分的参考标记是相同的。
实施方式1
在此实施方式中，将参照图1A至1D、图2A和2B、图10以及图11来说明用于在第一导电层中形成接触孔的方法以及用于形成第二导电层的方法，其中第二导电层通过接触孔电性连接到第一导电层。
首先，在具有绝缘表面的衬底10上形成基底绝缘膜11，在基底绝缘膜11上形成第一导电层12。接下来，形成覆盖第一导电层12的绝缘膜13。图1A显示了此阶段的剖面图。
注意，优选地使用具有透光性的玻璃衬底或石英衬底作为具有绝缘表面的衬底10。
此外，至于基底绝缘膜11、形成由例如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜的绝缘膜构成的基底膜。此处显示了使用两层结构作为基底膜的示例；但是，绝缘膜可以是单层膜或者可以具有堆叠了两层或更多层的结构。注意，基底绝缘膜不是特别必要的。
此外，至于第一导电层12，通过溅射方法形成厚度为100nm至600nm的导电膜，然后使用光刻技术进行图形化。注意，导电膜由Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu和Si的一种或多种元素、或者含有该元素作为主要成分的合金材料或复合材料的单层或叠层所形成。此处，显示了使用光刻技术来形成第一导电层的示例；但是，可以通过微滴排放法、印刷法或无电电镀来形成第一导电层12，而没有特别的限制。对于导电层12优选的是使用能够反射并很难吸收随后开口工艺中所使用的激光的材料。
而且，也可以使用例如ITO、IZO或ITSO的透明导电材料来形成第一导电层12。优选地使用能够透射并很难吸收随后开口工艺中所使用的激光的材料。
此外，使用能够透射并很难吸收随后开口工艺中所使用的激光的绝缘材料来形成绝缘层13，例如使用诸如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜的绝缘膜。而且，可以使用通过涂覆方法获得的一种绝缘膜来形成绝缘膜13，该绝缘膜的框架结构是通过在硅(Si)与氧(O)之间的键合形成的。此外，对于绝缘膜13，还能够使用以下材料：在二氧化硅中添加磷的PSG(磷硅玻璃)；在二氧化硅中添加磷和硼的BPSG(硼磷硅玻璃)；在二氧化硅中添加氟的SiOF；聚酰亚胺；以在其中添加聚烯丙醚或氟的聚氟醚为代表的芳族醚；芳族烃；以BCB(苯环丁烷)为代表的环丁烷衍生物。
尽管平坦的绝缘膜在图1A中显示为绝缘膜13，但是可以使用通过CVD法或溅射法获得的无机绝缘膜，而没有特别的限制。按照本发明，即使是在绝缘膜13不平坦时也能够使用激光形成多个开口。
在此实施方式中，通过在使用涂覆法或微滴排放法涂覆或滴放了材料之后进行干燥和烘焙来形成绝缘膜13。
接下来，使用激光照射绝缘膜13，以形成多个穿透的开口，如图1B所示。此处，使用超短脉冲激光器发射的激光作为照射用的激光。当超短脉冲激光会聚在透光材料中时，只有在会聚了超短脉冲激光的会聚光斑处发生多光子吸收，能够形成封闭的孔，并且通过移动会聚光斑来形成一个穿透的开口。当激光的脉冲宽度为10-4秒至10-2秒时，绝缘膜13不会吸收激光。但是，当通过脉冲宽度极短的(微微秒(10-12秒)或毫微微秒(10-16秒))的激光照射绝缘膜13时会发生多光子吸收，绝缘膜13能够吸收激光。
超短脉冲激光振荡器101是具有毫微微秒(10-15秒)脉冲宽度的激光振荡器。超短脉冲激光振荡器101可以是具有蓝宝石、YAG、陶瓷YAG、陶瓷Y2O3、KGW(钾钆钨)、Mg2SiO4、XYLF、YVO4、GdVO4等晶体介质的激光器，其中每种材料掺杂有Nd、Yb、Cr、Ti、Ho和Er中的一种或多种。超短脉冲激光振荡器101所发射的激光由反射镜102反射，然后通过具有高数值孔径的物镜15会聚到样本104，此处为设置在衬底上的绝缘膜13(见图2A)。结果，能够在绝缘膜中会聚光斑附近形成孔(洞)。通过使用XYZ台105移动会聚光斑在绝缘膜13中形成预期的开口。图2B显示了形成开口过程中的剖面图。图2B中的非穿透开口显示为孔17。
注意，在本说明书中超短脉冲激光是从脉冲宽度大于等于1毫微微秒且小于等于10微微秒的固态激光器振荡的激光束。注意，按照本发明的激光的峰值功率范围是1GW/cm2至1TW/cm2。
超短脉冲激光只允许在高能量密度的光束中心进行加工；因此，能够使用超短脉冲激光进行精细加工，也就是激光波长或更小的加工，该超短脉冲激光具有正常激光不容易加工的激光波长或更小激光波长。
需要使用能够透射具有超短脉冲激光波长的光线的材料来形成绝缘膜13，即，使用其中不吸收具有超短脉冲激光波长的光线的材料，更具体地，使用能隙高于超短脉冲激光的材料。当超短脉冲激光会聚在透光材料时，只在超短脉冲激光会聚的会聚光斑处出现多光子吸收，并能够形成孔。注意，多光子吸收是两个或多个光子同时被吸收以便对应光子的能量总和跃迁到本征状态的过程。跃迁使得不被吸收的波长范围的光线被吸收；因此，能够在具有足够高的光能量密度的会聚光斑处形成孔。注意，术语“同时地”此处是指在10-14秒内出现两种现象。
参照图10说明激光束直接写入系统。如图10所示，激光束直接写入系统1001具有用于对激光束的照射执行各种控制的个人计算机(以下称为PC)1002；用于输出激光束的激光振荡器1003；激光振荡器1003的电源1004；用于衰减激光束的光学系统(ND滤光器)1005；用于调制激光束强度的声光调制器(AOM)1006；由用于放大或缩小激光束截面的透镜、用于改变光路的反射镜等构成的光学系统1007；具有X台和Y台的衬底移动机构1009；用于对PC输出的控制数据进行数字模拟转换的D/A转换器部分1010；用于按照D/A转换器部分输出的模拟电压控制声光调制器1006的驱动器1011；以及用于输出驱动信号来驱动衬底移动机构1009的驱动器1012。
激光振荡器1003是具有毫微微秒(10-15秒)的脉冲宽度的激光振荡器。
接下来将说明使用激光束直接写入系统照射激光束的方法。当衬底1008放置在衬底移动机构1009上，PC 1002通过使用照相机(未显示)检测标记形成在衬底上的位置。然后，PC 1002按照检测到的标记的位置数据以及预先编程的写入图形数据产生用于移动衬底移动机构1009的移动数据。随后，PC 1002通过驱动器1011控制声光调制器1006输出的光量；因此，通过光学系统1005衰减了激光振荡器1003输出的激光束，然后通过声光调制器1006在数量上控制激光束，使其具有预先确定的光量。
同时，通过光学系统1007改变声光调制器1006输出的激光束的光路和光束图形，并通过透镜会聚激光束。然后，使用激光束照射衬底上的绝缘膜以便形成孔(洞)。此时，按照PC 1002产生的移动数据控制衬底移动机构1009在Z方向上移动。结果，通过激光束照射了预先确定的区域，Z方向上的孔被连接到一起以便在绝缘膜中形成开口。当控制衬底移动机构1009在X方向和Y方向上移动时，在绝缘膜中衬底平面的水平方向上形成孔。
能够会聚具有较短波长的激光束，以便具有较短的光束直径。因此，通过具有短波长的激光束照射能够形成小直径的开口。
能够通过光学系统处理图形表面上的激光束光斑，使其具有点形、圆形、椭圆形、矩形或线形(确切的说是拉长的矩形)。
此处，尽管在移动衬底的同时，通过激光束选择地照射衬底，但是本发明不限于此，还能够在Z方向、X方向和Y方向上扫描激光束的同时，通过激光束照射衬底。在此情况下，光学系统1007优选地使用多边形反射镜、电流计反射镜或声光反射体(AOD)。
随后，通过微滴排放法滴放含有导电颗粒的合成物来形成第二导电层19，使其与多个穿透开口16重叠(见图1C)。使用微滴排放装置18形成第二导电层19。微滴排放装置18是能够滴放小滴的装置(例如具有合成物出口的喷嘴，具有一个或多个喷嘴的喷头)的集体术语。微滴排放装置18具有直径为0.02μm至100μm(优选地为30μm或更小)的喷嘴，从喷嘴滴放的合成物的滴放量为0.001pl至100pl(优选地为10pl或更小)。滴放量的增加与喷嘴的直径成比例。喷嘴的出口与目标之间的距离最好尽可能的短，为了使合成物滴放在预定的区域上，该距离被减少到大约0.1mm至3mm(优选地为1mm或更小)。
至于从出口滴放的合成物，使用在溶剂中溶解或分散导电颗粒的溶液。导电颗粒可以是例如Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W和Al的金属；例如Cd和Zn的金属硫化物；例如Fe、Ti、Si、Ge、Zr和Ba的氧化物；例如卤化银颗粒的细小颗粒；或分散的纳米颗粒。但是，考虑到电阻系数，从出口滴放的合成物优选地是溶解或分散在溶剂中的金、银或铜的溶液。更优选地，使用具有低电阻系数的银或铜。注意，如果使用银或铜，优选地提供屏障(势垒)膜，用于防止杂质进入。至于溶剂，可以使用例如丁基乙酯和乙酸乙酯的酯，例如异丙醇和乙醇的醇，或例如丁酮和丙酮的有机溶剂。为了防止干燥并使合成物平滑地从出口滴放排放，合成物的黏性优选地是50cp或更小。合成物的表面张力优选地是40mN/m或更小。但是，可以按照溶剂和应用等适当地设定合成物的黏性等。
导电颗粒的直径最好尽可能的小，以便防止每个喷嘴堵塞，或者为了制造精细的图形，尽管取决于每个喷嘴的直径或预期的图形，但每个颗粒更优选地具有0.1μm或更小的直径。通过例如电解法、雾化法和湿还原法的已知方法来形成合成物，颗粒尺寸通常大约为0.01μm至10μm。注意，如果通过气体蒸发法形成合成物，由分散剂保护的纳米颗粒大约7nm那么细微，当每个纳米颗粒由涂层保护时，纳米颗粒在室温稳定地分散，表现类似于液体，而不在溶剂中聚集。因此，使用涂层是优选的。
此处，将参照图11来说明微滴排放设备。微滴排放装置的每个喷头1105和1112连接到控制装置1107，控制装置1107由计算机1110控制，能够标出已经被预先编程的图形的位置。例如，标注位置的时序可以参照形成在衬底1100上的标记1111。或者，可以在衬底1100的边缘固定基准点作为基准。通过成像装置1104(例如使用电荷耦合器件(CCD)或互补金属氧化物半导体(CMOS)的图像传感器)来检测基准点，计算机1110识别由图像处理装置1109转换的数字信号以产生控制信号，该控制信号被发送到控制装置1107。当然，将要形成在衬底1100上的图形信息被放置在记录介质1108中。基于此信息，能够将控制信号发射到控制装置1107，并能够分别控制微滴排放装置1103的每个喷头1105和1112。通过管道从材料供给源1113和1114把将要滴放的材料提供给喷头1105和1112。尽管平行设置在微滴排放装置1103中的喷头1105和1112的纵向长度对应于图11中衬底的宽度，但是微滴排放设备可以通过反复地扫描喷头而在宽度大于喷头1105和1112之纵向长度的大尺寸衬底上形成图形。在此情况下，能够在箭头所示的方向上自由地在衬底上扫描喷头1105和1112，因此能够自由地设置将要写入的区域。因此，能够在衬底上写入多个相同的图形。
接下来，在通过激光照射或加热处理进行烘焙并去除写入材料之外，执行导电颗粒的熔化、烧结和焊接的一种或多种反应。
此外，图1D显示了在形成第二导电层19之后的一个示例的顶视图。注意，图1C对应于沿着图1D中的虚线A-B的剖面图。
如图1D所示，提供了许多穿透开口(此处是10个穿透开口)，第二导电层19通过开口电性连接到第一导电层12。注意，开口的数量不限制于10个，当然，开口的位置也没有特别的限制。
此外，在微小的穿透开口16之间的绝缘体用作间隔物，其防止第二导电层的表面发生凹陷。第二导电层19可以具有均匀的布线宽度。第二导电层D的宽度和多个穿透开口中每个的直径W满足2D＜W(图1D)。
实施方式2
在此实施方式中，将通过图3A至3C显示与实施方式1不同的开口截面形状的示例。将详细说明与实施方式1不同的部分，在图3A至3C中由相同的参考标记表示与图1A至1D相同的部分。
注意，图1A至1D中开口的截面形状显示为圆柱形；但是，本发明不限于此形状，可以采用图3所示的开口形状，其具有在绝缘膜中彼此连接的多个开口的结构。
首先，与实施方式1一样，在具有绝缘表面的衬底10上形成基底绝缘膜11和形成第一导电层12。
接下来，在形成由能够透射具有10-4秒至10-2秒脉冲宽度的激光的材料所构成的绝缘膜之后，通过超短脉冲激光的照射来获得具有穿透开口26的绝缘膜23。当超短脉冲激光会聚在绝缘膜中时，只有在会聚了超短脉冲激光的会聚光斑处发生多光子吸收，能够形成封闭的孔，并且通过移动会聚光斑来形成一个穿透的开口。当激光的脉冲宽度为10-4秒至10-2秒时，绝缘膜23不吸收激光。但是，当通过脉冲宽度极短(微微秒或毫微微秒)的激光照射绝缘膜23时会发生多光子吸收，绝缘膜23能够吸收激光。
注意，在实施方式1中详细说明了通过使用激光来形成开口；因此，现在只给出简要说明。
在激光照射期间，通过使激光的焦点位置在Z方向、X方向或Y方向上移动，能够形成具有如图3A所示的复杂截面形状的开口26。
接下来，通过使用微滴排放法滴放含有导电颗粒的合成物来形成第二导电层29，使其与开口26重叠(见图3B)。通过使用微滴排放装置28形成第二导电层29。
在形成第二导电层29的过程中，当合成物被滴放在绝缘膜23的一个开口中时，该开口内部的空气从其它的开口排除。使用这样的在绝缘膜中多个开口相连的结构，能够在具有复杂形状的开口的内部填满导电颗粒，而不会留下气泡。
接下来，通过热处理或激光照射执行烘焙，也执行去除，并且执行导电颗粒的熔化、烧结和焊接的一种或多种反应。
进行热处理时，在将气泡排到多个开口外面的空气中之后，能够在具有复杂形状的开口的内部填满导电颗粒，而不会留下气泡。
此外，图3C显示了在形成第二导电层29之后的一个示例的顶视图。注意，图3B对应于沿着图3C中的虚线A-B的剖面图。
尽管图3C中显示的开口的数量是6个，但是每三个开口在绝缘膜中彼此相连，其可以被称为总共两个具有复杂形状的开口。与实施方式1相比，在绝缘膜上提供了较少的开口；但是，在此实施方式中第一导电层和第二导电层之间的接触面积更大。不必说，开口的数量不限于2个，并且开口的位置也没有特别的限制。
此外，在微小的穿透开口26之间的绝缘体用作间隔物，其保持了第二导电层的表面位置，防止了第二导电层的表面发生凹陷。而且，能够使第二导电层19布线宽度更均匀。
此外此实施方式可与实施方式1任意组合。
实施方式3
在此实施方式中，将参照图4A至4C说明通过激光与刻蚀的组合来形成多个开口的示例。将详细说明与实施方式1不同的部分，在图4A至4C中由相同的参考标记表示与图1A至1D相同的部分。
在形成由能够透射具有10-4秒至10-2秒脉冲宽度的激光的材料所构成的绝缘膜之后，通过超短脉冲激光的照射来获得具有封闭孔37的绝缘膜33。当超短脉冲激光会聚在绝缘膜中时，只有在会聚了超短脉冲激光的会聚光斑处发生多光子吸收，能够形成封闭的孔，并且通过移动会聚光斑来形成一个穿透的开口。当激光的脉冲宽度为10-4秒至10-2秒时，绝缘膜33不吸收激光。但是，当通过脉冲宽度极短(微微秒或毫微微秒)的激光照射绝缘膜33时会发生多光子吸收，绝缘膜33能够吸收激光。
注意，在实施方式1中详细说明了通过使用激光来形成开口；因此，现在只给出简要说明。
如图4A所示，通过光学系统15形成聚焦的激光，在激光照射期间，通过移动激光的焦点位置能够形成聚焦的激光。通过使用光学系统15形成聚焦的激光并在激光照射期间移动焦点位置能够形成封闭的孔37。
接下来，如图4B所示，刻蚀绝缘膜的表面以获得薄膜。通过此刻蚀去除封闭的孔37上面的绝缘膜，因此能够形成穿透封闭的孔37的开口36。在此阶段获得了具有多个穿透开口36的绝缘膜34。注意，图4B中所示的虚线显示了刻蚀之前绝缘膜的表面。
此外，可以通过抛光(CMP)代替刻蚀来获得绝缘膜的薄膜。
接下来，通过使用微滴排放法滴放含有导电颗粒的合成物来形成第二导电层39，使其与多个穿透开口36重叠(见图4C)。通过使用微滴排放装置38形成第二导电层39。
然后，通过热处理或激光照射执行烘焙，也执行去除，并且执行导电颗粒的熔化、烧结和焊接的一种或多种反应。
按照此实施方式，能够在绝缘膜中形成深度相对较浅的穿透开口。
此外，此实施方式能够与实施方式1或实施方式2进行任意组合。
实施方式4
在此实施方式中，将在图5A至5C中显示与实施方式1不同的示例。将详细说明与实施方式1不同的部分，在图5A至5C中由相同的参考标记表示与图1A至1D相同的部分。
在此实施方式中，显示了开口的截面形状为弯曲的示例。
首先，与实施方式1一样，在具有绝缘表面的衬底10上形成基底绝缘膜11和形成第一导电层12。
接下来，在形成由能够透射激光的材料所构成的绝缘膜之后，通过超短脉冲激光的照射来获得具有穿透开口46的绝缘膜43。当激光的脉冲宽度为10-4秒至10-2秒时，绝缘膜43不吸收激光。但是，当通过脉冲宽度极短(微微秒或毫微微秒)的激光照射绝缘膜43时会发生多光子吸收，绝缘膜43能够吸收激光。
注意，在实施方式1中详细说明了通过使用激光来形成开口；因此，现在只给出简要说明。
在激光照射期间，通过使焦点位置在X方向或Y方向上移动然后在Z方向上移动并重复地再次在X方向或Y方向上移动，能够形成具有如图5A所示的弯曲截面形状的开口46。
注意，具有弯曲截面形状的开口46暴露出第一导电层12的侧面。
接下来，通过使用微滴排放法滴放含有导电颗粒的合成物来形成第二导电层49，使其与多个穿透开口46重叠(见图5B)。通过使用微滴排放装置28形成第二导电层49。在此实施方式中，开口的截面形状是弯曲的；因此，能够通过含有导电颗粒的合成物平滑地填满开口的内部。
然后，通过热处理或激光照射执行烘焙，也执行去除，并且执行导电颗粒的熔化、烧结和焊接的一种或多种反应。
此外，图5C显示了在形成第二导电层49之后的一个示例的顶视图。注意，图5B对应于沿着图5C中的虚线A-B的剖面图。而且，图5C显示了其中形成椭圆形和圆形的两种开口的示例。换句话说，形成了三个椭圆形开口和一个圆形开口，即，总共四个开口。因此，按照本发明，能够通过任意地调整激光的焦点位置来形成各种开口。
按照此实施方式，穿透开口46的剖面形状是弯曲的，因此开口能够在第一导电层12的侧表面上与第二导电层导电。因此，可以设置第一导电层12和第二导电层49，使其彼此不重叠。通过这样的布置能够减小在第一导电层12和第二导电层49之间形成的寄生电容。
此外，此实施方式能够与实施方式1、实施方式2或实施方式3进行任意地组合。
实施方式5
在此实施方式中，将通过图6A至6D显示按照本发明的使用通过激光所形成的开口的TFT的示例。
首先，在具有绝缘表面的衬底200上形成基底绝缘膜201。对于具有绝缘表面的衬底200，可以使用例如玻璃衬底、水晶玻璃衬底或塑料衬底的透光衬底。对于塑料衬底，优选的是塑料膜衬底，例如，聚(乙烯对苯二酸酯)(PET)、聚(乙醚砜)(PES)、聚(乙烯萘)(PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龙、聚醚醚酮(poly heretherketone：缩写PEEK)、聚砜(PSF)、聚(醚酰亚胺)(PEI)、多芳基化合物(PAR)、聚(丁烯对苯二酸酯)(PBT)等的塑料衬底。此外，也可以使用具有耐热性的塑料衬底，例如，其中材料被加工成片形的塑料衬底，所述材料是在有机聚合体基体中分布几纳米直径的无机颗粒。
对于基底绝缘膜201，使用例如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜(SiOxNy)的绝缘膜。作为基底绝缘膜201的典型示例，采用了双层结构，其中通过使用SiH4、NH3和N2O作为反应气体沉积的厚度为50nm至100nm的硅的氮化氧化物膜以及通过使用SiH4和N2O作为反应气体沉积的厚度为100nm至150nm的氧氮化硅膜堆叠在一起。此外，优选地使用膜厚度为10nm或更小的氮化硅膜(SiN膜)或氧氮化硅膜(SiOxNy膜X＞Y)作为一层基底绝缘膜201。而且，也可以采用三层结构，其中顺序地堆叠了硅的氮化氧化物膜、氧氮化硅膜和氮化硅膜。此处显示了形成基底绝缘膜201的示例；但是，如果没有必要，也可以不必提供基底绝缘膜201。
接下来，形成第一绝缘膜202作为栅极绝缘膜。对于第一绝缘膜202，优选地使用能够透射并很难吸收随后开口工艺中所使用的激光的基波的绝缘材料。对于第一绝缘膜202，使用例如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜的绝缘膜。此外，对于第一绝缘膜202，也可以使用通过涂覆并烘焙含有聚硅氧烷或硅氧烷聚合物的溶液所获得膜、光固化有机树脂膜、热硬化有机树脂膜等。
然后形成半导体膜。半导体膜形成有使用硅烷和锗为代表的半导体材料气体通过气相生长方法、溅射方法或热CVD方法制造的无定形半导体膜或微晶半导体膜。在此实施方式中，显示了使用无定形硅膜作为半导体膜的示例。此外，对于半导体膜，也可以使用通过溅射方法或PLD(脉冲激光沉积)方法制造的ZnO或锌镓铟的氧化物；但是，在此情况下，栅极绝缘膜优选地是含有铝或钛的氧化物。而且，对于半导体膜，也可以使用通过涂覆法、微滴排放法或气相沉积法制造的，例如并五苯、并四苯、噻吩低聚体、亚苯基、酞菁染料化合物、聚乙炔、聚噻吩或花青染料的有机材料。
随后形成导电的半导体膜。对于导电的半导体膜，使用其中添加了n型或p型杂质的表现出n型或p型导电特性的半导体膜。可以通过PCVD法使用硅烷气体和磷化氢气体来形成n型半导体膜。在此实施方式中，使用含有磷的硅烷膜的示例被显示为导电的半导体膜。注意，在使用例如并五苯的有机材料作为半导体膜的情况下，优选地使用电荷传输层来代替导电的半导体膜，例如，优选地使用三苯二胺(triphenyldiamine)作为空穴传输层，或者使用二唑(oxadizole)作为电子传输层。
接下来，通过使用已知的光刻技术进行图形化获得岛形半导体层207和导电的半导体层206。注意，可以替代已知的光刻技术，而使用微滴排放法或印刷法(凸版印刷、平板印刷、铜板印刷、丝网印刷等)来形成掩膜以便进行选择性刻蚀。
然后，通过使用微滴排放法选择性地滴放含有导电材料(Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)、Al(铝)等)的合成物来形成布线203、204和209。图6A显示了其中从喷墨头208滴放含有导电材料的合成物的状态。注意，不限于通过微滴排放法来形成布线203、204和209，例如，可以通过使用溅射法形成金属膜、形成掩膜并进行选择性刻蚀来形成布线。
随后，通过使用布线203、204和209每个作为掩膜，刻蚀导电的半导体层和半导体层的上部，以暴露部分半导体层。半导体层的暴露部分是用作TFT的沟道形成区的部分。
接下来，形成含有保护膜的层间绝缘膜211，以防止沟道形成区被杂质掺杂。对于保护层，使用通过溅射法或PCVD法获得的氮化硅、或者含有硅的氮化氧化物作为其主要成分的材料。在此实施方式中，在形成保护模之后进行氢化处理。此外，对于层间绝缘膜，使用例如环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂、酚醛清漆树脂、三聚氰胺甲醛树脂或聚氨酯树脂的树脂材料。而且，能够使用例如具有透射率的苯并环丁烯、聚对二甲苯、氟化芳基乙醚或聚酰亚胺的有机材料；例如通过硅氧烷基聚合物等的聚合作用制造的化合物材料；含有水溶性均聚物和水溶性共聚物的合成物材料；等。
然后，通过超短脉冲激光照射含有保护膜的层间绝缘膜211来形成多个第一开口210。此外，为了防止沟道形成区受到激光照射，还通过超短脉冲激光照射衬底的背面来形成多个第二开口212。图6B显示了其中通过光学系统205的超短脉冲激光形成第二开口212的剖面图。
当激光的脉冲宽度为10-4秒至10-2秒时，含有保护膜的层间绝缘膜211不吸收激光。但是，当通过脉冲宽度极短(微微秒或毫微微秒)的激光照射含有保护膜的层间绝缘膜211时会发生多光子吸收，含有保护膜的层间绝缘膜211能够吸收激光。
注意，在实施方式1中详细说明了通过使用激光来形成开口；因此，现在只给出简要说明。
在此实施方式中，在第二开口212和半导体层207之间的第一绝缘膜202作为栅极绝缘膜。因此，能够通过形成第二开口212来确定栅极绝缘膜的膜厚度。
随后，通过使用微滴排放法滴放含有导电颗粒的合成物，在每个开口中填充导电颗粒，使其与多个穿透的第一和第二开口重叠。然后，当进行烘焙时，熔化并聚集导电颗粒，使其具有大约100nm的晶体；因此，形成栅电极、栅极布线214和215以及连接布线213(见图6C)。在此实施方式中，能够同时并通过相同的材料形成分布在不同层中的栅电极和栅极布线。
在此阶段完成沟道刻蚀TFT。此实施方式的重要特征是加工顺序，其中在形成层间绝缘膜之后形成栅电极。
图6D显示了在图6C阶段的TFT的一个示例的顶视图。在图6D中，沿着虚线A-B的截面对应于图6C的剖面图。注意，通过相同的参考标记来表示对应的部分。
图6D显示了具有两个沟道形成区的双栅极TFT。栅极布线214和215通过形成在Z方向(垂直于衬底的方向)上的第三开口216以及形成在Y方向上的第二开口212电性连接。注意，按照与形成第一或第二开口相同的方式，使用激光来形成第三开口216。
此外，第二开口212和第三开口216在层间绝缘膜中连接。而且，第三开口216的深度与第一开口210的不同。此外，连接布线213通过第一开口210电性连接到布线209。
此外，在此实施方式中，第一开口和第二开口的形成顺序没有特别的限制，可以首先形成第二开口。而且，可以在形成第二开口过程中通过连续地移动激光的焦点位置来形成第三开口。
此外，能够使用连接布线213作为像素电极来制造有源矩阵液晶显示器件。而且，也能够通过形成重叠在连接布线213以及覆盖第一端的隔离物上的第一电极，并通过在第一电极上堆叠包含有机化合物的层和第二电极来制造有源矩阵发光显示器件。
按照此实施方式，由于随后形成了栅电极，所以能够在平坦的绝缘表面上形成半导体层207；由此能够形成用于形成栅电极的开口，而不会损坏半导体层。因此，能够通过涂覆法形成半导体层，这对半导体层使用有机材料是有效的。
此外，按照此实施方式，由于通过激光形成开口，所以能够获得相当低数量的制造工艺的TFT。
此外，此实施方式能够与实施方式1、实施方式2、实施方式3或实施方式4进行任意地组合。
实施方式6
在此实施方式中，将通过图7A至7D显示形成与实施方式5不同的TFT的示例。
首先，在具有绝缘表面的衬底300上形成基底绝缘膜301。对于具有绝缘表面的衬底300，可以使用例如玻璃衬底、水晶玻璃衬底或塑料衬底的透光衬底。当在下面的工艺中不使用通过衬底的激光来形成开口时，能够使用半导体衬底、金属衬底等。
对于基底绝缘膜301，使用例如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜(SiOxNy)的绝缘膜。
接下来，在基底绝缘膜301上形成半导体层。通过已知的手段(溅射法、LPCVD法、等离子体CVD法等)沉积具有无定形结构的半导体膜，然后在通过已知的结晶化处理(激光结晶化法、热结晶化法、使用例如镍的催化剂的热结晶化法、等等)获得的晶体半导体膜上形成抗蚀剂膜，然后使用通过扫描激光而曝光的第一抗蚀剂掩膜将其图形化为预定的形状，来形成半导体层。形成此半导体层，使其具有25nm至80nm的厚度(优选地为30nm至70nm)。晶体半导体膜的材料没有限制，但是，优选地使用硅或硅锗(SiGe)合金来形成该晶体半导体膜。
然后，在去除第一抗蚀剂掩膜之后形成覆盖半导体层的栅极绝缘膜303。通过使用等离子CVD法、溅射法或热氧化法形成栅极绝缘膜303，使其具有1nm至200nm的厚度。对于栅极绝缘膜303，形成由例如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜的绝缘膜所构成的膜。
随后，在栅极绝缘膜303上形成抗蚀剂膜之后，形成第二抗蚀剂掩膜，其通过扫描激光进行曝光。对于第二抗蚀剂掩膜，通过使用离子掺杂法或离子注入法将赋予p型或n型导电类型的杂质元素选择地添加到半导体层。因此，添加了杂质元素的区域作为杂质区304、306和307。此外，覆盖有第二抗蚀剂掩膜的没有添加杂质元素的区域302作为TFT的沟道形成区。
此后，去除第二抗蚀剂掩膜，并激活和氢化添加到半导体层中的杂质元素。
接下来，如图7A所示，形成平坦性的层间绝缘膜319。对于层间绝缘膜319，使用透光的无机材料(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等)、光敏或非光敏的有机材料(聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、树脂、或苯并环丁烯)、这些材料的堆叠等。而且，对于用于层间绝缘膜319的另一种透光膜，能够使用通过涂覆法获得的由含有烷基团的SiOx膜构成的绝缘膜，例如使用石英玻璃、烷基硅氧烷聚合物、烷基倍半硅氧烷(silsesquioxane)聚合物、氢化的倍半硅氧烷聚合物、氢化的烷基倍半硅氧烷聚合物等形成的绝缘膜。作为硅氧烷基聚合物的一个示例，能够给出例如由Toray工业公司制造的#PSB-K1和#PSB-K31的用于绝缘膜的涂覆材料，以及例如由Catalysts & Chemicals工业有限公司制造的#ZRS-5PH的用于绝缘膜的涂覆材料。
然后，通过使用激光在层间绝缘膜319和栅极绝缘膜303中形成多个第一开口309。形成该多个第一开口309，以达到杂质区域304和307。此外，通过使用激光在层间绝缘膜319中形成多个第二开口310和311。形成该多个第二开口310和311，使其与没有添加杂质元素的区域302的位置重叠。图7B显示了在形成第二开口310之后移动超短脉冲激光的焦点位置以便使用通过光学系统305的超短脉冲激光来形成第一开口309的剖面图。
当激光的脉冲宽度为10-4秒至10-2秒时，含有保护膜的层间绝缘膜319不吸收激光。但是，当通过脉冲宽度极短(微微秒或毫微微秒)的激光照射含有保护膜的层间绝缘膜319时会发生多光子吸收，含有保护膜的层间绝缘膜319能够吸收激光。
注意，在实施方式1中详细说明了通过使用激光来形成开口；因此，现在只给出简要说明。
随后，通过使用微滴排放法滴放含有3nm至7nm的导电颗粒的合成物，以便在每个开口中填充导电颗粒，使其与多个第一和第二开口重叠。然后，当进行烘焙时，熔化并聚集导电颗粒，以具有大约100nm的晶体；因此，形成了栅电极313和314、源极或漏极电极312和315(见图7C)。在此实施方式中，能够通过相同的材料形成分布在不同层中的栅电极和源极电极。图7C显示了其中从喷墨头308滴放含有导电材料的合成物的状态。
在此阶段完成了顶部栅极TFT。图7C显示了具有两个沟道形成区的双栅极TFT。此实施方式的重要特征是加工顺序，其中在形成层间绝缘膜之后形成栅电极。
图7D显示了沿着与图7C不同剖面的TFT的一个示例。在图7C中，沿着包括虚线C-D的截面的剖面图对应于图7D。注意，通过相同的参考标记来表示对应的部分。
如图7D所示，第二开口310延伸到层间绝缘膜319的内侧，第二开口310的底部与栅极绝缘膜303接触。
此外，尽管此处没有显示，但是栅电极313和314是在层间绝缘膜319上的一个布线中。
此外，能够使用此实施方式中显示的TFT作为开关元件来制造有源矩阵液晶显示器件。
下面将显示使用此实施方式中显示的TFT作为开关元件来制造有源矩阵液晶显示器件的方法。
在形成源极或漏极电极315之后，形成绝缘膜316(图8)。然后，在绝缘膜316中形成接触孔，以形成具有ITO等的像素电极317。此外，在绝缘膜316上形成具有ITO等的终端电极。
接下来，形成对准膜320，使其覆盖像素电极317。注意，优选地使用微滴排放法、丝网印刷法或胶印法来形成对准膜320。之后，对对准膜320的表面执行打磨处理。
此外，相对的衬底323设置有相对的电极324，其形成有透明电极以及其上的对准膜322。然后通过微滴排放法形成具有封闭图形的密封剂(没有显示)，使其包围与像素部分重叠的区域。此处，显示了绘制具有封闭图形的密封剂，以便滴入液晶。在提供了具有开口的密封图形并连接了TFT衬底和相对的衬底之后，可以使用浸涂法(汲取法)，通过该方法使用毛细现象来注入液晶。
然后，在降低的压力下滴入液晶，以防止气泡进入，并且将两个衬底连在一起。在闭环的密封图形中分一次或几次滴入液晶。通常使用扭曲向列(TN)模式作为液晶的对准模式。在此TN模式中，液晶分子的对准方向按照光线从其入口到出口的偏振被扭转90度。在制造TN模式的液晶显示器件的情况下，衬底连在一起，使得打磨方向(rubbing direction)彼此交叉。
注意，可以通过喷入球形间隔物、形成包括树脂的圆柱间隔物、或将填料混入密封剂来维持该对衬底之间的间隔。上述的圆柱间隔物由主要含有丙烯酸、聚酰亚胺、聚酰亚胺酰胺和环氧树脂的至少一种材料的有机树脂材料；氧化硅、氮化硅和氧氮化硅的任一种材料；或包括这些材料的膜堆叠的无机材料而形成。
随后，将不必要的衬底分开。在从一个衬底获得多个面板的情况下，每个面板被分开。在从一个衬底获得一个面板的情况下，能够通过连接预先切割的相对衬底而跳过分开步骤。
然后，通过已知的方法将FPC连接到终端电极，在两者之间具有各向异性的导电层。按照前述工艺完成了液晶模块(图8)。此外，如果需要，可以连接光学镀膜，例如滤色镜。在透射的液晶显示器件的情况下，将极化板分别连接到有源矩阵衬底和相对衬底。
此外，能够使用此实施方式中所示的TFT来制造有源矩阵发光装置。
下面将显示使用此实施方式中显示的TFT来制造有源矩阵发光显示器件的方法。此处显示的是TFT为n沟道TFT的示例。
在形成源极或漏极电极315之后，形成绝缘膜316。然后，在绝缘膜316中形成接触孔，以形成第一电极318。
第一电极318优选地用作阴极。在使光线通过第一电极318的情况下，通过使用含有氧化铟锡(ITO)、含有氧化硅的氧化铟锡(ITSO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等的合成物形成预定图形来形成第一电极318。此外，在通过第一电极318反射光线的情况下，通过使用含有金属颗粒(例如，Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)、W(钨)、或Al(铝))作为其主要成分的合成物形成预定图形来形成第一电极318。
接下来，形成用于覆盖第一电极318周围的隔离物331。使用含有硅、有机材料和化合物材料的材料来形成隔离物331(也称作堤)。此外，多孔膜也可用作隔离物331。优选地通过光敏或非光敏材料(例如丙烯酸或聚酰亚胺)来形成隔离物331，因为隔离物331形成有曲率半径持续变化的弯曲边缘部分，并且在没有阶梯切割的情况下能够形成隔离物331的上部薄膜。
然后，形成用作电致发光层的层，即，含有有机化合物的层330。含有有机化合物的层330具有分层结构，其中通过气相沉积法或涂覆法来形成每层。例如，在阴极上顺序地堆叠电子传输层(电子注入层)、发光层、空穴传输层和空穴注入层。
在形成含有有机化合物的层330之前，在优选地在氧气气氛下进行等离子处理，或在真空环境下进行热处理。在使用气相沉积法的情况下，通过事先进行电阻加热来蒸发有机化合物，并在沉积有机化合物中通过打开隔板使有机化合物向衬底分散。蒸发的有机化合物向上分散，并通过金属掩膜中提供的开口部分沉积在衬底上。为了获得全彩色显示，优选地对每种发射颜色(R、G和B)进行掩膜的对准。
或者，能够通过使用表现出单色发射的材料作为含有有机化合物的层330，并组合没有单独涂覆的滤色镜或色彩变换层来获得全彩色显示。
随后，形成第二电极332。使用能够透光的透明导电膜(例如，ITO、ITSO或氧化铟与氧化锌(ZnO)的混合物)形成第二电极332，作为发光元件的阳极。发光元件具有以下的结构，其中含有有机化合物的层330设置在第一电极和第二电极之间。注意，应当考虑功函数来选择第一电极和第二电极的材料。按照像素结构，第一电极或第二电极能够用作阳极或阴极。
此外，可以形成用于保护第二电极332的保护层。
接下来，通过密封剂(没有显示)连接密封衬底334，以便密封发光元件。注意，使用透明的填料333填充密封剂所包围的区域。填料333没有特别的限制。可以使用任何材料，只要是透光材料即可，通常使用紫外固化的或热硬化的环氧树脂。
最后，按照已知的方法，通过各向异性的导电膜将FPC连接到终端电极。
按照前述的工艺，能够制造图9中显示的有源矩阵发光装置。
此外，此实施方式能够与实施方式1、实施方式2、实施方式3、实施方式4或实施方式5进行任意地组合。
以下详细描述由上述方面组成的本发明实施例。
实施例1
在此实施例中，将参照图12A至12D说明在半导体衬底上形成多层布线的步骤。
首先，制备由单晶硅构成的半导体衬底500(图12A)。半导体衬底500是单晶硅衬底或化合物半导体衬底，通常是N型或P型单晶硅衬底、GaAs衬底、InP衬底、GaN衬底、SiC衬底、蓝宝石衬底或ZnSe衬底。
接下来，分别在硅衬底的主表面(也称作元件形成表面或电路形成表面)中的第一元件形成区内选择地形成n阱，在同一表面中的第二元件形成区内选择地形成p阱。
然后，形成作为元件隔离区域的场氧化物膜503、504和505，用于分隔第一元件形成区和第二元件形成区。场氧化物膜503、504和505是厚的热氧化物膜，可通过已知的LOCOS法形成。注意，元件隔离方法不限于LOCOS法。例如，元件隔离区域可以具有通过使用沟槽隔离法的沟槽结构，或者可以组合LOCOS结构和沟槽结构。
随后，例如通过热氧化硅衬底的表面来形成栅极绝缘膜。也可以使用CVD法来形成栅极绝缘膜。可以使用氧氮化硅膜、氧化硅膜、氮化硅膜或其叠层。例如，形成通过热氧化获得的厚度为5nm的氧化硅膜与通过CVD法获得的厚度为10-15nm的氧氮化硅膜的叠层。
接下来，在整个表面上形成多晶硅层与硅化物层的堆叠膜，通过光刻技术和干法刻蚀技术图形化该叠层，使得在栅极绝缘膜上形成具有多晶硅(polycide)结构的栅电极506。为了降低电阻，可以预先在多晶硅层中掺杂浓度大约为1021/cm3的磷(P)。或者，在形成多晶硅层之后可以扩散高浓度的n型杂质。此外，优选地使用已知的方法由例如钼的硅化物(MoSix)、钨的硅化物(WSix)、钽的硅化物(TaSix)或钛的硅化物(TiSix)的材料形成硅化物层。
然后，选择地去除栅极绝缘膜。因此，形成了具有栅电极宽度的栅极绝缘膜508。
随后，在栅电极的侧壁上形成侧壁510至513。例如，可以通过CVD法在整个表面上沉积由氧化硅形成的绝缘材料层，优选地深刻蚀该绝缘材料层以便形成侧壁。
接下来，对暴露的硅衬底进行离子注入，以形成源极区和漏极区。由于是在制造CMOS的情况下，所以通过抗蚀剂材料涂覆用于形成p沟道FET的第一元件形成区，并且将作为n型杂质的砷(As)或磷(P)注入到硅衬底中，以形成源极区514和漏极区515。同时，形成通过侧壁掺杂n型杂质的低浓度的杂质区518和519。此外，通过抗蚀剂材料涂覆用于形成n沟道FET的第二元件形成区，并且将作为p型杂质的硼(B)注入到硅衬底中，以形成源极区516和漏极区517。同时，形成通过侧壁掺杂p型杂质的低浓度的杂质区520和521。
然后，使用GRTA法、LRTA法等进行激活处理，以便激活离子注入的杂质，并减少硅衬底中通常由离子注入产生的晶体缺陷(见图12A)。
随后，如图12B所示，形成第一层间绝缘膜545。通过等离子CVD法或低压CVD法使用氧化硅膜、氧氮化硅膜等形成厚度为100nm至2000nm的第一层间绝缘膜545。此外，可以在其上堆叠由磷硅玻璃(PSG)、硼硅玻璃(BSG)或硼磷硅玻璃(PBSG)构成的层间绝缘膜。
接下来，如图12B所示，通过照射从超短脉冲激光器发射的激光形成穿透开口541至544。这是实施方式1中所示的按照本发明的用于形成开口的方法。
然后，如图12C所示，通过微滴排放法向开口滴放并烘焙含有导电颗粒的合成物来形成导电膜551至554。按照本发明，在与开口重叠的部分中不产生凹陷；因此导电膜551至554的上表面几乎处于一个平面。
之后，形成第二层间绝缘膜561。然后，以相同的方式形成开口和导电膜562至565，能够如图12D所示形成多层布线。由于导电膜551至554的上表面几乎处于一个平面，所以每个开口穿透第二层间绝缘膜561的深度能够保持一致。
此外，使用SOI衬底作为半导体衬底500，并且执行能够在与氧化的绝缘膜的界面、或在其层中、或在氧化的绝缘膜与硅衬底之间的界面、或在氧化的绝缘膜与电路之间的界面剥离具有CMOS晶体管的电路的处理。因此，能够剥离具有CMOS晶体管的电路。此外，能够通过将已剥离的具有CMOS晶体管的电路连接到柔性衬底来获得半导体器件的薄膜。
此外，此实施例中显示的半导体器件可用于各种半导体器件，例如双极型晶体管以及MOS晶体管。而且，半导体器件也可用于电子电路，例如存储器电路或逻辑电路。
能够将其中集成了按照此实施例制造的FET的IC芯片用作薄膜集成电路或非接触薄膜集成电路器件(也称作无线IC标签或RFID(射频识别))。
图13显示了ID卡的示例，其中按照本发明的IC芯片1516连接到卡状衬底1518，卡状衬底1518具有用作天线的导电层1517。用作天线的导电层1517也能够通过微滴排放法形成。此外，可以使用通过激光形成开口的技术来形成通过连接电极连接到用作天线的导电层1517的接触孔。因此，按照本发明的IC芯片1516是小的、薄的、轻的，因此能够实现各种用途，并且即使在IC芯片连接到商品时也不会破坏商品的设计。
注意，按照本发明的IC芯片1516不限于连接到卡状衬底1518的情况，其能够连接到具有弯曲表面或各种形状的物品上。例如，IC芯片可以用在帐单、纸币、硬币、证券、债券、证书(例如驾照或身份证)、货运箱(例如包装物或瓶子)、存储介质(例如DVD、录像带)、车辆(例如自行车)、个人物品(例如手袋或眼镜)、食品、衣服、日用品等。
此外，此实施例能够与实施方式1、实施方式2、实施方式3、实施方式4、实施方式5或实施方式6进行任意地组合。
实施例2
在此实施例中，将参照图14说明具有上述实施方式5或实施方式6中所示的显示面板的模块。图14显示了包括显示面板9501和电路板9502的模块。例如，控制电路9504、信号分割电路9505等安装在电路板9502上。此外，显示面板9501通过连接布线9503连接到电路板9502。对于显示面板9501，可以任意地使用实施方式5或实施方式6中所示的液晶面板或发光显示面板。
显示面板9501具有在每个像素中提供了发光元件的像素部分9506、扫描线驱动电路9507、以及将视频信号提供给所选的像素的信号线驱动电路9508。像素部分9506与实施方式5或实施方式6中所示的具有相同的结构。对于扫描线驱动电路9507和信号线驱动电路9508，通过已知的安装方法将IC芯片安装在衬底上，例如通过使用各向异性导电粘合剂或各向异性导电膜的方法、COG方法、引线键合法、使用焊块的回流处理等。
此实施例能够以低成本形成显示模块。
此外，此实施例能够与实施方式1、实施方式2、实施方式3、实施方式4、实施方式5、实施方式6或实施例1进行任意地组合。
实施例3
尽管在上述的实施例中将液晶显示模块和发光显示模块作为显示模块的示例，但是本发明不限于此。本发明能够适当地用于形成其它显示模块的开口和布线，其它显示模块例如DMD(数字微型反射镜装置)PDP(等离子显示面板)、FED(场发射显示器)、电泳显示器件(电子纸)或电镀图像显示器件。
此外，此实施例能够与实施方式1、实施方式2、实施方式3、实施方式4、实施方式5或实施方式6进行任意地组合。
实施例4
上述实施方式和实施例中所示的半导体器件可以用于电子装置，例如电视机(也可简单的称作电视或电视接收机)。在此，将参照图15A和15B来说明电视机的具体示例。
图15显示了电视机的方块图，而图15B显示了电视机的透视图。能够通过使用上述实施例中显示的液晶模块和EL模块完成液晶电视机和EL电视机。
图15A是显示电视机主要部件的方块图。调谐器9511接收视频信号和音频信号。通过图像检测电路9512、视频信号处理电路9513和控制电路9514来处理视频信号，其中视频信号处理电路9513将图像检测电路输出的信号转换成对应于红色、绿色和蓝色的每种颜色的彩色信号，控制电路9514按照驱动IC的输入说明转换视频信号。控制电路9514将信号输出到显示面板9515的扫描线驱动电路9516和信号线驱动电路9517。在数字驱动的情况下，信号分割电路9518可以提供在信号线一侧，使得输入的数字信号被分成m个要被施加的信号。
在调谐器9511接收的信号中，音频信号被发送到声音检测电路9521，通过音频信号处理电路9522将其输出提供给扬声器9523。控制电路9524从输入部分9525接收关于接收站(接收的频率)和音量的控制信息，并将信号发送至调谐器9511和音频信号处理电路9522。
如图15B所示，能够通过在外壳9531中结合模块来完成电视机。使用以液晶模块和EL模块为代表的模块来形成显示屏9532。此外，电视机还可以包括扬声器9533、操作开关9534等。
由于电视机包括显示面板9515，所以能够降低其成本。此外，能够提供具有高清晰度的电视机。
本发明的应用不限于电视接收机，各种应用都是可能的，例如个人计算机的监视器，以及特别地，具有大面积的显示媒介，例如车站或机场的信息显示板，街道上的广告显示板。
此外，此实施例能够与实施方式1、实施方式2、实施方式3、实施方式4、实施方式5或实施方式6进行任意地组合。
实施例5
按照本发明的半导体器件和电子设备包括相机(例如，摄影机或数码相机)，护目镜型显示器(头安装的显示器)、导航系统、音频播放器(汽车音频、音频组件等)、个人计算机、游戏机、便携式信息终端(移动计算机、便携式电话、便携式游戏机、电子书等)、装有记录介质的图像再现装置(具体为，能够再现诸如数字通用光盘(DVD)的记录介质的内容并且具有能够显示图像的显示器件的装置)等。所述电子设备的具体示例如图16A到16E中所示。
图16A是数码相机，它包括主体2101、显示部分2102、成像部分、操作键2109、快门2106等。注意，图16A是从显示部分2102一侧观看的，成像部分没有显示出来。按照本发明，能够通过制造成本降低的工艺来获得数码相机。
图16B是个人计算机，它包括主体2201、外壳2202、显示部分2203、键盘2204、外部连接端口2205、点式鼠标2206等。按照本发明，能够通过制造成本降低的工艺来获得个人计算机。
图16C是装有记录介质的移动图像再现装置(具体为，DVD播放器)，它包括主体2401、外壳2402、显示部分A 2403、显示部分B 2404、记录介质(DVD等)读出部分2405、操作键2406、扬声器部分2407等。显示部分A 2403主要用于显示图像信息，而显示部分B 2404主要用于显示文本信息。注意，装有记录介质的图像再现装置还包括家用游戏机等。按照本发明，能够通过制造成本降低的工艺来获得图像再现装置。
图16D是便携式信息终端的透视图，图16E是显示将其用作折叠手机时的状态的透视图。在图16D中，当使用者使用键盘时，它们通过他们的右手手指操作操作键2706a，并通过他们的左手手指操作操作键2706b。按照本发明，能够通过制造成本降低的工艺来获得便携式信息终端。
如图16E所示，在折叠手机中，使用者在一只手上持有主体2701和外壳2702，并使用音频输入部分2704、音频输出部分2705、操作键2706c、天线2708等。
图16D和16E中显示的便携式信息终端，每个都包括高分辨率的水平的显示图像和字符的显示部分2703a以及垂直显示的显示部分2703b。
如上所述，能够通过采用本发明的制造方法或结构(即，实施方式1、实施方式2、实施方式3、实施方式4、实施方式5、实施方式6和实施例1至4的任意一个)来完成各种电子设备。
实施例6
按照本发明，能够制造用作无线芯片(也称作无线处理器、无线存储器或无线标签)的半导体器件。
实施例1中显示了将通过切割半导体衬底所获得的芯片安装在具有天线的卡片上的示例；但是，也能够使用TFT来形成无线芯片。
将参照图17说明按照本发明的无线芯片的结构。通过薄膜集成电路9303以及其上天线9304构成的无线芯片。薄膜集成电路9303和天线9304夹在封面材料9301和9302之间。薄膜集成电路9303可以通过粘合剂连接到封面材料。在图17中，薄膜集成电路9303的一个表面通过粘合剂9305连接到封面材料9301。
使用实施方式5或实施方式6中所示的TFT来形成薄膜集成电路9303，然后通过已知的剥离步骤剥离并将其连接到封面材料上。此外，用于薄膜集成电路9303的半导体元件不限于此，除了TFT之外，还可以使用存储元件、二极管、光电变换器、电阻器、线圈、电容器、感应器等。
如图17所示，在薄膜集成电路9303的TFT上形成层间绝缘膜9311，天线9304通过层间绝缘膜9311连接到TFT。此外，在层间绝缘膜9311和天线9304上形成由氮化硅等构成的屏障膜9312。
通过微滴排放法滴放含有例如金、银和铜的导体的小滴来形成天线9304，然后烘焙并干燥它。当通过微滴排放法形成天线时，能够减少步骤的数量，致使成本降低。
封面材料9301和9302的每一个优选地使用膜(由聚丙烯、聚酯、乙烯基、聚乙烯基氟化物、氯乙烯等构成的)，纤维材料的纸，其中堆叠了基膜(聚酯、聚酰胺、无机气相沉积膜、纸等)和粘合剂合成树脂膜(丙烯酸基合成树脂、环氧基合成树脂等)的膜，等等。通过执行经过热压缩的密封处理获得膜。在密封处理中，通过热处理熔化形成在膜的最顶上表面上的粘合剂层或者形成在最外部层上的层(不是粘合剂层)，以便通过施加压力使其粘合。
当封面材料使用易燃的无污染材料(例如，纸、纤维和石墨)时，所使用的无线芯片可以燃烧或剪掉。此外，使用这样材料的无线芯片是无污染的，因为即使其燃烧时也不产生有害气体。
尽管在图17中无线芯片通过粘合剂9305连接到封面材料9301，但是无线芯片也可以连接到物体上而不是封面材料9301。
无线芯片9210可以安装在各种物体上，图18A至18F显示了一个示例，例如，可以安装在诸如帐单、硬币、证券、债券、证书(驾照、身份证等，见图18A)、包装货物的容器(包装纸、瓶子等，见图18C)、记录介质(DVD、录像带等，见图18B)、车辆(自行车等，见图18D)、个人物品(手袋、眼镜等)、食品、植物、动物、人体、衣服、生活器皿、电子装置、或物体的货运标签(见图18E和图18F)。电子装置包括液晶显示器件、EL显示器件、电视机(也可简单的称为电视或电视接收机)、手机等。
无线芯片连接到物体的表面或结合在将要固定的物体内。例如，无线芯片优选地结合在书籍的纸张中，或者封装的有机树脂中。当无线芯片结合到帐单、硬币、证券、债券、证书等时，能够防止其被伪造。此外，当无线芯片结合到用于包装物体的容器、记录介质、个人物品、食品、衣服、生活器皿、电子装置等时，测试系统、租赁系统等能够更有效的运行。以下面的方式获得按照本发明的无线芯片，通过已知的剥离步骤来剥离形成在衬底上的薄膜集成电路，然后将其连接到封面材料；因此能够减小无线芯片的尺寸、厚度和重量，并能将无线芯片安装在物体上，同时保持物体的具有吸引力的设计。此外，由于这样的无线芯片具有柔性，所以无线芯片能够连接到具有弯曲表面的物体，例如瓶子和管子。
当本发明的无线芯片用于生产管理和配送系统时，能够获得高性能的系统。例如，当通过设置在传送带旁边的读取器/写入器来读取安装在货运标签上的无线芯片内所存储的信息时，能够读取例如配送过程和递送地址的信息，以便容易地检查并配送物体。
此外，此实施例能够与实施方式1、实施方式2、实施方式3、实施方式4、实施方式5、实施方式6或实施例1进行任意地组合。
按照本发明，由于能够减少伴随光刻方法的刻蚀步骤的数量，所以能够减少材料溶液的浪费和排污量。此外，本发明使用微滴排放法能够实现适于在大批量生长中制造大尺寸衬底的制造工艺。
本申请是以2005年1月21日提交的序列号为No.2005-014756的日本专利申请为基础，所述申请的全部内容以引用方式并入本文。

Claims (40)

1.一种有源矩阵显示装置，包括：
在衬底上方形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极绝缘膜和半导体层，其中所述半导体层包括锌、镓和铟的氧化物，并且所述栅极绝缘膜包括选自含铝的氧化物和含钛的氧化物的材料；以及
像素电极，其在所述衬底上方形成并且电连接到所述薄膜晶体管。
2.根据权利要求1的有源矩阵显示装置，其中所述薄膜晶体管为底部栅极薄膜晶体管。
3.根据权利要求1的有源矩阵显示装置，其中所述薄膜晶体管为顶部栅极薄膜晶体管。
4.根据权利要求1的有源矩阵显示装置，其中所述有源矩阵显示装置为液晶显示装置。
5.根据权利要求1的有源矩阵显示装置，其中所述有源矩阵显示装置为EL显示装置。
6.根据权利要求1的有源矩阵显示装置，其中所述衬底为塑料衬底。
7.根据权利要求1的有源矩阵显示装置，进一步包括在所述薄膜晶体管上方形成的层间绝缘膜，其中所述像素电极通过在所述层间绝缘膜中形成的多个开口而电连接到所述薄膜晶体管。
8.一种有源矩阵显示装置，包括：
在衬底上方形成的薄膜晶体管；以及
像素电极，其在所述衬底上方形成并且电连接到所述薄膜晶体管，
所述薄膜晶体管包括：
至少两个栅电极，其彼此电连接；
在所述至少两个栅电极上方形成的栅极绝缘膜，并且所述栅极绝缘膜包括选自含铝的氧化物和含钛的氧化物的材料；以及
半导体层，其在所述栅极绝缘膜上方形成从而与所述两个栅电极重叠，其中所述半导体层包括锌、镓和铟的氧化物。
9.根据权利要求8的有源矩阵显示装置，进一步包括所述半导体层上方的布线，其中所述像素电极连接到所述布线。
10.根据权利要求8的有源矩阵显示装置，其中所述衬底为玻璃衬底。
11.根据权利要求8的有源矩阵显示装置，其中所述有源矩阵显示装置为液晶显示装置。
12.根据权利要求8的有源矩阵显示装置，其中所述有源矩阵显示装置为EL显示装置。
13.根据权利要求8的有源矩阵显示装置，其中所述衬底为塑料衬底。
14.根据权利要求8的有源矩阵显示装置，进一步包括在所述薄膜晶体管上方形成的层间绝缘膜，其中所述像素电极通过在所述层间绝缘膜中形成的多个开口而电连接到所述薄膜晶体管。
15.一种电视装置，包括：
调谐器，用于接收视频信号；
视频信号处理电路，其可操作地连接到所述调谐器；以及
有源矩阵显示装置，其可操作地连接到所述视频信号处理电路，所述有源矩阵显示装置包括：
在衬底上方形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层，其中所述半导体层包括锌、镓和铟的氧化物；以及
像素电极，其在所述衬底上方形成并且电连接到所述薄膜晶体管。
16.根据权利要求15的电视装置，其中所述薄膜晶体管的栅极绝缘膜包括选自含铝的氧化物和含钛的氧化物的材料。
17.根据权利要求15的电视装置，其中所述薄膜晶体管为底部栅极薄膜晶体管。
18.根据权利要求15的电视装置，其中所述薄膜晶体管为顶部栅极薄膜晶体管。
19.根据权利要求15的电视装置，其中所述有源矩阵显示装置为液晶显示装置。
20.根据权利要求15的电视装置，其中所述有源矩阵显示装置为EL显示装置。
21.根据权利要求15的电视装置，其中所述衬底为塑料衬底。
22.根据权利要求15的电视装置，进一步包括在所述薄膜晶体管上方形成的层间绝缘膜，其中所述像素电极通过在所述层间绝缘膜中形成的多个开口而电连接到所述薄膜晶体管。
23.一种电视装置，包括：
调谐器，用于接收视频信号；
视频信号处理电路，其可操作地连接到所述调谐器；以及
有源矩阵显示装置，其可操作地连接到所述视频信号处理电路，所述有源矩阵显示装置包括：
在衬底上方形成的薄膜晶体管，以及
像素电极，其在所述衬底上方形成并且电连接到所述薄膜晶体管，
所述薄膜晶体管包括：
至少两个栅电极，其彼此电连接；
在所述至少两个栅电极上方形成的栅极绝缘膜；以及
半导体层，其在所述栅极绝缘膜上方形成从而与所述两个栅电极重叠，其中所述半导体层包括锌、镓和铟的氧化物。
24.根据权利要求23的电视装置，其中所述栅极绝缘膜包括选自含铝的氧化物和含钛的氧化物的材料。
25.根据权利要求23的电视装置，进一步包括所述半导体层上方的布线，其中所述像素电极连接到所述布线。
26.根据权利要求23的电视装置，其中所述衬底为玻璃衬底。
27.根据权利要求23的电视装置，其中所述有源矩阵显示装置为液晶显示装置。
28.根据权利要求23的电视装置，其中所述有源矩阵显示装置为EL显示装置。
29.根据权利要求23的电视装置，其中所述衬底为塑料衬底。
30.根据权利要求23的电视装置，进一步包括在所述薄膜晶体管上方形成的层间绝缘膜，其中所述像素电极通过在所述层间绝缘膜中形成的多个开口而电连接到所述薄膜晶体管。
31.根据权利要求2的有源矩阵显示装置，其中所述有源矩阵显示装置为液晶显示装置。
32.根据权利要求2的有源矩阵显示装置，其中所述有源矩阵显示装置为EL显示装置。
33.根据权利要求2的有源矩阵显示装置，其中所述衬底为塑料衬底。
34.一种有源矩阵显示装置，包括：
在衬底上方形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层，其中所述半导体层包括锌、镓和铟的氧化物；
像素电极，其在所述衬底上方形成并且电连接到所述薄膜晶体管；以及
驱动电路，其包括IC芯片，所述IC芯片可操作地连接到所述薄膜晶体管，
其中所述薄膜晶体管包括栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括选自含铝的氧化物和含钛的氧化物的材料。
35.根据权利要求34的有源矩阵显示装置，其中所述有源矩阵显示装置为液晶显示装置。
36.根据权利要求34的有源矩阵显示装置，其中所述有源矩阵显示装置为EL显示装置。
37.根据权利要求34的有源矩阵显示装置，其中所述衬底为塑料衬底。
38.根据权利要求34的有源矩阵显示装置，其中所述IC芯片被安装在所述衬底上。
39.根据权利要求34的有源矩阵显示装置，其中所述驱动电路为扫描线驱动电路。
40.根据权利要求34的有源矩阵显示装置，其中所述驱动电路为信号线驱动电路。
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Families Citing this family (1848)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10260149A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-01 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Vorrichtung zur Bestimmung des Leitwertes von Wäsche, Wäschetrockner und Verfahren zur Verhinderung von Schichtbildung auf Elektroden
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI412138B (zh) * 2005-01-28 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI390735B (zh) 2005-01-28 2013-03-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7928938B2 (en) 2005-04-19 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus
US8629819B2 (en) 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
EP1998373A3 (en) 2005-09-29 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
KR101103374B1 (ko) * 2005-11-15 2012-01-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
EP1843194A1 (en) 2006-04-06 2007-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
US7943287B2 (en) * 2006-07-28 2011-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US7994021B2 (en) 2006-07-28 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP4969177B2 (ja) * 2006-08-18 2012-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8563431B2 (en) * 2006-08-25 2013-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8148259B2 (en) * 2006-08-30 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP4919738B2 (ja) * 2006-08-31 2012-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5116277B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
US7782651B2 (en) * 2006-10-24 2010-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including storage device and method for driving the same
US7646015B2 (en) * 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
JP2008130866A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Seiko Epson Corp 表面改質方法およびパターン形成方法
JP5412034B2 (ja) 2006-12-26 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2008176009A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Seiko Epson Corp パターン形成方法
JP5542297B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
JP5542296B2 (ja) 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
US10231344B2 (en) 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
JP4989309B2 (ja) 2007-05-18 2012-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US7897482B2 (en) * 2007-05-31 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2008311585A (ja) * 2007-06-18 2008-12-25 Elpida Memory Inc 配線構造及び半導体装置、並びにそれらの製造方法
US8354674B2 (en) * 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
WO2009014155A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and electronic device having the same
KR20090028413A (ko) * 2007-09-13 2009-03-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 제작방법 및 증착용 기판
TWI366059B (en) * 2008-01-21 2012-06-11 Prime View Int Co Ltd Flexible electrophoretic display and method for manufacturing the same
NO332409B1 (no) * 2008-01-24 2012-09-17 Well Technology As Anordning og fremgangsmate for a isolere en seksjon av et bronnhull
WO2009107548A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
KR20090095206A (ko) * 2008-03-05 2009-09-09 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이를 구비한 표시 장치 및 그 제조방법들
US8182863B2 (en) * 2008-03-17 2012-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
US9730333B2 (en) 2008-05-15 2017-08-08 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photo-curing process for metallic inks
US9041202B2 (en) 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US8314765B2 (en) 2008-06-17 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device, and electronic device
KR102267235B1 (ko) 2008-07-10 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
TWI627757B (zh) 2008-07-31 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI491048B (zh) 2008-07-31 2015-07-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8945981B2 (en) 2008-07-31 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5616038B2 (ja) 2008-07-31 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI577027B (zh) * 2008-07-31 2017-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI508282B (zh) 2008-08-08 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP5480554B2 (ja) 2008-08-08 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI500160B (zh) 2008-08-08 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI518800B (zh) 2008-08-08 2016-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5525778B2 (ja) * 2008-08-08 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8021916B2 (en) * 2008-09-01 2011-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
JP5627071B2 (ja) 2008-09-01 2014-11-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101657957B1 (ko) * 2008-09-12 2016-09-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2010029859A1 (en) 2008-09-12 2010-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101665734B1 (ko) * 2008-09-12 2016-10-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 생산 방법
KR101681483B1 (ko) 2008-09-12 2016-12-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101644406B1 (ko) 2008-09-12 2016-08-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101681882B1 (ko) * 2008-09-19 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
KR101999970B1 (ko) 2008-09-19 2019-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102160104B (zh) 2008-09-19 2013-11-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101722409B1 (ko) * 2008-09-19 2017-04-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101273913B1 (ko) 2008-09-19 2013-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101611643B1 (ko) 2008-10-01 2016-04-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101435501B1 (ko) 2008-10-03 2014-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
CN103928476A (zh) 2008-10-03 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
KR20110069831A (ko) * 2008-10-03 2011-06-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 변조회로 및 그것을 갖는 반도체장치
EP2172804B1 (en) 2008-10-03 2016-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Display device
KR101652693B1 (ko) * 2008-10-03 2016-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
EP2172977A1 (en) 2008-10-03 2010-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN101719493B (zh) 2008-10-08 2014-05-14 株式会社半导体能源研究所 显示装置
JP5484853B2 (ja) * 2008-10-10 2014-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2010044478A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device
JP2011003522A (ja) 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
JP5361651B2 (ja) 2008-10-22 2013-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101667909B1 (ko) 2008-10-24 2016-10-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
JP5616012B2 (ja) 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8106400B2 (en) 2008-10-24 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5442234B2 (ja) 2008-10-24 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
US8741702B2 (en) 2008-10-24 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2010047288A1 (en) 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
EP2180518B1 (en) 2008-10-24 2018-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101259727B1 (ko) 2008-10-24 2013-04-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101631454B1 (ko) * 2008-10-31 2016-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리회로
WO2010050419A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and display device
TWI496295B (zh) 2008-10-31 2015-08-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
KR101603303B1 (ko) 2008-10-31 2016-03-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법
TWI487104B (zh) * 2008-11-07 2015-06-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
KR101711249B1 (ko) * 2008-11-07 2017-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
EP2184783B1 (en) * 2008-11-07 2012-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI589006B (zh) * 2008-11-07 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP2010135771A (ja) * 2008-11-07 2010-06-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び当該半導体装置の作製方法
CN101740631B (zh) * 2008-11-07 2014-07-16 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及该半导体装置的制造方法
KR101432764B1 (ko) * 2008-11-13 2014-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
TWI656645B (zh) 2008-11-13 2019-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8232947B2 (en) 2008-11-14 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2010153802A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
KR101671544B1 (ko) 2008-11-21 2016-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 기기
US8344387B2 (en) 2008-11-28 2013-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI585955B (zh) * 2008-11-28 2017-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 光感測器及顯示裝置
TWI483038B (zh) * 2008-11-28 2015-05-01 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置
WO2010064590A1 (en) * 2008-12-01 2010-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI613489B (zh) 2008-12-03 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP5491833B2 (ja) 2008-12-05 2014-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2010071034A1 (en) 2008-12-19 2010-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing transistor
JP5615540B2 (ja) * 2008-12-19 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP2202802B1 (en) 2008-12-24 2012-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
US8441007B2 (en) 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US8383470B2 (en) 2008-12-25 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof
KR101719350B1 (ko) * 2008-12-25 2017-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8330156B2 (en) * 2008-12-26 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with a plurality of oxide clusters over the gate insulating layer
TWI474408B (zh) * 2008-12-26 2015-02-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
KR101648927B1 (ko) * 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8492756B2 (en) 2009-01-23 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8436350B2 (en) * 2009-01-30 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters
US8367486B2 (en) 2009-02-05 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the transistor
US8174021B2 (en) 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
US8749930B2 (en) * 2009-02-09 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device
CN101840936B (zh) 2009-02-13 2014-10-08 株式会社半导体能源研究所 包括晶体管的半导体装置及其制造方法
US8278657B2 (en) 2009-02-13 2012-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8247812B2 (en) * 2009-02-13 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8841661B2 (en) * 2009-02-25 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20100224878A1 (en) 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101671210B1 (ko) * 2009-03-06 2016-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR101906751B1 (ko) 2009-03-12 2018-10-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
TWI556323B (zh) * 2009-03-13 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
US8450144B2 (en) * 2009-03-26 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101752640B1 (ko) 2009-03-27 2017-06-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR101681884B1 (ko) 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
TWI511288B (zh) * 2009-03-27 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
WO2010111581A1 (en) 2009-03-27 2010-09-30 Applied Nanotech Holdings, Inc. Buffer layer to enhance photo and/or laser sintering
US8927981B2 (en) * 2009-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI489628B (zh) 2009-04-02 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US8338226B2 (en) * 2009-04-02 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5455753B2 (ja) * 2009-04-06 2014-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｉｃカード
JP5615018B2 (ja) 2009-04-10 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
TWI535023B (zh) 2009-04-16 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
KR101690216B1 (ko) * 2009-05-01 2016-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP5751762B2 (ja) 2009-05-21 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP2256795B1 (en) * 2009-05-29 2014-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for oxide semiconductor device
EP2256814B1 (en) 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5564331B2 (ja) 2009-05-29 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8456586B2 (en) * 2009-06-11 2013-06-04 Apple Inc. Portable computer display structures
WO2011001880A1 (en) 2009-06-30 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101810699B1 (ko) * 2009-06-30 2018-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
KR101968855B1 (ko) 2009-06-30 2019-04-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
KR101420025B1 (ko) 2009-06-30 2014-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제조 방법
US20110000175A1 (en) * 2009-07-01 2011-01-06 Husqvarna Consumer Outdoor Products N.A. Inc. Variable speed controller
KR101476817B1 (ko) * 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
KR102365458B1 (ko) 2009-07-03 2022-02-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP5663214B2 (ja) * 2009-07-03 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN104835850B (zh) 2009-07-10 2018-10-26 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101857405B1 (ko) 2009-07-10 2018-05-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011004723A1 (en) * 2009-07-10 2011-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method the same
KR101739154B1 (ko) * 2009-07-17 2017-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011007682A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
WO2011007677A1 (en) 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101782176B1 (ko) 2009-07-18 2017-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
CN105070749B (zh) * 2009-07-18 2019-08-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及制造半导体装置的方法
WO2011010545A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010543A1 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2011010542A1 (en) * 2009-07-23 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101785992B1 (ko) 2009-07-24 2017-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101716918B1 (ko) 2009-07-31 2017-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011013502A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011013523A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102526493B1 (ko) 2009-07-31 2023-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
WO2011013596A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5642447B2 (ja) 2009-08-07 2014-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TW202420563A (zh) 2009-08-07 2024-05-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI596741B (zh) * 2009-08-07 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
EP2284891B1 (en) * 2009-08-07 2019-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI582951B (zh) * 2009-08-07 2017-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及包括該半導體裝置之電話、錶、和顯示裝置
TWI634642B (zh) 2009-08-07 2018-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
JP5663231B2 (ja) * 2009-08-07 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8115883B2 (en) 2009-08-27 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
WO2011027649A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device
KR102113148B1 (ko) 2009-09-04 2020-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
CN103151387A (zh) * 2009-09-04 2013-06-12 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011027664A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
WO2011027676A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011027702A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP5700626B2 (ja) * 2009-09-04 2015-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
KR101746198B1 (ko) * 2009-09-04 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 전자기기
WO2011027701A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
WO2011027656A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
WO2011027715A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
CN105789322B (zh) * 2009-09-16 2018-09-28 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
WO2011033909A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, display device including the driver circuit, and electronic device including the display device
KR101730347B1 (ko) 2009-09-16 2017-04-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011033914A1 (en) 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device and display device
EP2544237B1 (en) * 2009-09-16 2017-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and display device
WO2011034012A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device
US9715845B2 (en) 2009-09-16 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
KR101927922B1 (ko) 2009-09-16 2018-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
CN102474256B (zh) 2009-09-24 2016-03-02 株式会社半导体能源研究所 驱动器电路、包括驱动器电路的显示设备以及包括显示设备的电子电器
WO2011037008A1 (en) * 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
KR101788538B1 (ko) * 2009-09-24 2017-10-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2011036981A1 (en) 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102549758B (zh) 2009-09-24 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
KR101914026B1 (ko) * 2009-09-24 2018-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
KR20180031077A (ko) * 2009-09-24 2018-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
TWI512997B (zh) * 2009-09-24 2015-12-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電源電路，和半導體裝置的製造方法
CN104934483B (zh) 2009-09-24 2018-08-10 株式会社半导体能源研究所 半导体元件及其制造方法
KR101883330B1 (ko) * 2009-09-30 2018-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레독스 커패시터 및 그 제작 방법
KR101767035B1 (ko) * 2009-10-01 2017-08-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20120084751A (ko) 2009-10-05 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011043182A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device
KR102246127B1 (ko) 2009-10-08 2021-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
SG178056A1 (en) 2009-10-08 2012-03-29 Semiconductor Energy Lab Oxide semiconductor layer and semiconductor device
WO2011043195A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011043194A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101944239B1 (ko) 2009-10-09 2019-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기
KR101721285B1 (ko) 2009-10-09 2017-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 시프트 레지스터 및 표시 장치
KR101820973B1 (ko) * 2009-10-09 2018-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법
KR101424950B1 (ko) * 2009-10-09 2014-08-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
WO2011043206A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101754701B1 (ko) 2009-10-09 2017-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제조하기 위한 방법
CN107180608B (zh) 2009-10-09 2020-10-02 株式会社半导体能源研究所 移位寄存器和显示装置以及其驱动方法
KR101820972B1 (ko) 2009-10-09 2018-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011043164A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR101779349B1 (ko) * 2009-10-14 2017-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101915251B1 (ko) 2009-10-16 2018-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN110061144A (zh) 2009-10-16 2019-07-26 株式会社半导体能源研究所 逻辑电路和半导体器件
KR101865546B1 (ko) 2009-10-16 2018-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기
KR102065330B1 (ko) 2009-10-16 2020-01-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 제작 방법
CN106200185A (zh) 2009-10-16 2016-12-07 株式会社半导体能源研究所 显示设备
KR101847656B1 (ko) * 2009-10-21 2018-05-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101789309B1 (ko) 2009-10-21 2017-10-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
KR101812683B1 (ko) 2009-10-21 2017-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
CN105702688B (zh) 2009-10-21 2020-09-08 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器件及包括该液晶显示器件的电子设备
WO2011048923A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
CN104485336B (zh) 2009-10-21 2018-01-02 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101751908B1 (ko) 2009-10-21 2017-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전압 조정 회로
CN102576734B (zh) 2009-10-21 2015-04-22 株式会社半导体能源研究所 显示装置和包括显示装置的电子设备
CN105762152B (zh) 2009-10-29 2021-03-09 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
SG10201406934WA (en) 2009-10-29 2014-11-27 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
WO2011052409A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
KR101796909B1 (ko) 2009-10-30 2017-12-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 비선형 소자, 표시 장치, 및 전자 기기
WO2011052367A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011052410A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power diode, rectifier, and semiconductor device including the same
WO2011052411A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor
WO2011052344A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic appliance including the same
WO2011052382A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101751712B1 (ko) * 2009-10-30 2017-06-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전압 조정 회로
WO2011052437A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
EP2494692B1 (en) * 2009-10-30 2016-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Logic circuit and semiconductor device
KR101712340B1 (ko) * 2009-10-30 2017-03-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기
CN102668096B (zh) 2009-10-30 2015-04-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR101788521B1 (ko) 2009-10-30 2017-10-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101837102B1 (ko) 2009-10-30 2018-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8408780B2 (en) * 2009-11-03 2013-04-02 Apple Inc. Portable computer housing with integral display
WO2011055769A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and semiconductor device, and deposition apparatus
CN104465318B (zh) * 2009-11-06 2018-04-24 株式会社半导体能源研究所 制造半导体器件的方法
KR101727469B1 (ko) 2009-11-06 2017-04-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101761432B1 (ko) 2009-11-06 2017-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102317763B1 (ko) 2009-11-06 2021-10-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102691611B1 (ko) 2009-11-06 2024-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101747158B1 (ko) 2009-11-06 2017-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
KR101952065B1 (ko) 2009-11-06 2019-02-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 동작 방법
JP5539846B2 (ja) 2009-11-06 2014-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 評価方法、半導体装置の作製方法
KR101818265B1 (ko) * 2009-11-06 2018-01-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101707159B1 (ko) * 2009-11-06 2017-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101753927B1 (ko) 2009-11-06 2017-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8743309B2 (en) 2009-11-10 2014-06-03 Apple Inc. Methods for fabricating display structures
KR101799265B1 (ko) 2009-11-13 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101721850B1 (ko) 2009-11-13 2017-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011058867A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing the same, and transistor
KR101738996B1 (ko) * 2009-11-13 2017-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 불휘발성 메모리 소자를 포함하는 장치
KR102705608B1 (ko) 2009-11-13 2024-09-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
KR101751560B1 (ko) * 2009-11-13 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101975741B1 (ko) 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
CN102612714B (zh) 2009-11-13 2016-06-29 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其驱动方法
KR20120094013A (ko) 2009-11-13 2012-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터
WO2011058913A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011062029A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
KR101829176B1 (ko) 2009-11-20 2018-02-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2502272B1 (en) 2009-11-20 2015-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same
CN103151266B (zh) 2009-11-20 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 用于制造半导体器件的方法
CN102668063B (zh) * 2009-11-20 2015-02-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20120107079A (ko) * 2009-11-20 2012-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터
KR101800852B1 (ko) 2009-11-20 2017-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20180133548A (ko) 2009-11-20 2018-12-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102598266B (zh) * 2009-11-20 2015-04-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP5762723B2 (ja) 2009-11-20 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 変調回路及びそれを備えた半導体装置
KR101800854B1 (ko) * 2009-11-20 2017-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
WO2011065183A1 (en) * 2009-11-24 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including memory cell
WO2011065198A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011065208A1 (en) 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101803254B1 (ko) * 2009-11-27 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011065209A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device
EP2504855A4 (en) * 2009-11-28 2016-07-20 Semiconductor Energy Lab STACKED OXIDE MATERIAL, SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT
WO2011065210A1 (en) * 2009-11-28 2011-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device
KR102426613B1 (ko) * 2009-11-28 2022-07-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101803553B1 (ko) 2009-11-28 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
CN102648490B (zh) 2009-11-30 2016-08-17 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法、以及包括该液晶显示设备的电子设备
KR20120103676A (ko) * 2009-12-04 2012-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101840623B1 (ko) * 2009-12-04 2018-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기
WO2011068022A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011068028A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP5584103B2 (ja) 2009-12-04 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101963300B1 (ko) 2009-12-04 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102117506B1 (ko) 2009-12-04 2020-06-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN104795323B (zh) 2009-12-04 2017-12-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR20240129225A (ko) 2009-12-04 2024-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011068025A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc converter circuit and power supply circuit
KR101501420B1 (ko) * 2009-12-04 2015-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP2011139052A (ja) 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
KR102333270B1 (ko) 2009-12-04 2021-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011070892A1 (en) 2009-12-08 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101835300B1 (ko) 2009-12-08 2018-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR20170061194A (ko) 2009-12-10 2017-06-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치
WO2011070901A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2011070928A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN104658598B (zh) 2009-12-11 2017-08-11 株式会社半导体能源研究所 半导体器件、逻辑电路和cpu
KR20170116239A (ko) * 2009-12-11 2017-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
JP5727204B2 (ja) 2009-12-11 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5185357B2 (ja) * 2009-12-17 2013-04-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011074394A1 (en) 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including optical sensor and driving method thereof
CN105655340B (zh) * 2009-12-18 2020-01-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011074408A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Non-volatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same
KR101867003B1 (ko) 2009-12-18 2018-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR101768433B1 (ko) 2009-12-18 2017-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
US9057758B2 (en) 2009-12-18 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group
WO2011074407A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20240118180A (ko) * 2009-12-18 2024-08-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
CN102640207A (zh) * 2009-12-18 2012-08-15 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及其驱动方法
KR20120115318A (ko) 2009-12-23 2012-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20120101716A (ko) 2009-12-24 2012-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
WO2011077916A1 (en) 2009-12-24 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20170142998A (ko) 2009-12-25 2017-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작 방법
WO2011077978A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
KR101541474B1 (ko) * 2009-12-25 2015-08-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
US8441009B2 (en) * 2009-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101781336B1 (ko) 2009-12-25 2017-09-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20230130758A (ko) 2009-12-25 2023-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101874779B1 (ko) 2009-12-25 2018-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 장치, 반도체 장치, 및 전자 장치
CN105047669B (zh) * 2009-12-28 2018-08-14 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和半导体装置
WO2011081010A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
CN102714184B (zh) * 2009-12-28 2016-05-18 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR101842413B1 (ko) * 2009-12-28 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011081041A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
CN102903758B (zh) 2009-12-28 2015-06-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011086871A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102696064B (zh) * 2010-01-15 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置和电子装置
WO2011086847A1 (en) 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102237655B1 (ko) 2010-01-15 2021-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 구동하는 방법
US8780629B2 (en) 2010-01-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101943807B1 (ko) * 2010-01-15 2019-01-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101698537B1 (ko) 2010-01-15 2017-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101750126B1 (ko) 2010-01-20 2017-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치
US9984617B2 (en) 2010-01-20 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including light emitting element
CN102714023B (zh) * 2010-01-20 2016-05-04 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备的驱动方法
KR102542681B1 (ko) 2010-01-20 2023-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
MY187143A (en) 2010-01-20 2021-09-03 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
KR102479269B1 (ko) * 2010-01-20 2022-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 휴대 전화기
KR101816505B1 (ko) * 2010-01-20 2018-01-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 표시 방법
KR102031848B1 (ko) 2010-01-20 2019-10-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기 및 전자 시스템
WO2011089847A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving the same
US8415731B2 (en) * 2010-01-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections
WO2011089843A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device
KR101829309B1 (ko) 2010-01-22 2018-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011089852A1 (en) 2010-01-22 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and driving method thereof
KR101637789B1 (ko) * 2010-01-22 2016-07-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI525377B (zh) 2010-01-24 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
KR20190093706A (ko) * 2010-01-24 2019-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
CN106057162B (zh) 2010-01-24 2019-01-22 株式会社半导体能源研究所 显示装置
WO2011093151A1 (en) 2010-01-29 2011-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the same
KR20120120330A (ko) 2010-01-29 2012-11-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101299256B1 (ko) * 2010-01-29 2013-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
WO2011096270A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8436403B2 (en) 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
KR20180028557A (ko) 2010-02-05 2018-03-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101921618B1 (ko) 2010-02-05 2018-11-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
WO2011096286A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and semiconductor device
WO2011096153A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101399610B1 (ko) 2010-02-05 2014-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
CN106847816A (zh) 2010-02-05 2017-06-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011096275A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9391209B2 (en) 2010-02-05 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101862823B1 (ko) * 2010-02-05 2018-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
KR101810261B1 (ko) 2010-02-10 2017-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
US8947337B2 (en) 2010-02-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101817054B1 (ko) * 2010-02-12 2018-01-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 포함한 표시 장치
KR101775180B1 (ko) 2010-02-12 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR20130023203A (ko) 2010-02-12 2013-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 구동 방법
CN102754209B (zh) * 2010-02-12 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其驱动方法
KR101830196B1 (ko) 2010-02-12 2018-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
CN102742002B (zh) 2010-02-12 2015-01-28 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其驱动方法
US8617920B2 (en) * 2010-02-12 2013-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101814222B1 (ko) * 2010-02-12 2018-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 장치
KR101838130B1 (ko) 2010-02-12 2018-03-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작방법
KR102070537B1 (ko) * 2010-02-18 2020-01-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
CN102812421B (zh) 2010-02-19 2016-05-18 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其驱动方法
KR101832119B1 (ko) 2010-02-19 2018-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011102248A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
CN102754162B (zh) 2010-02-19 2015-12-09 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及半导体器件的驱动方法
KR101939713B1 (ko) * 2010-02-19 2019-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011102206A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device, driving method thereof, and method for manufacturing semiconductor device
WO2011102190A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Demodulation circuit and rfid tag including the demodulation circuit
WO2011102233A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5740169B2 (ja) * 2010-02-19 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタの作製方法
KR20190102090A (ko) 2010-02-19 2019-09-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 이를 이용한 표시 장치
KR20120121931A (ko) * 2010-02-19 2012-11-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101772246B1 (ko) * 2010-02-23 2017-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 반도체 장치, 및 그 구동 방법
WO2011105310A1 (en) 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101950364B1 (ko) 2010-02-26 2019-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
WO2011105183A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor element and deposition apparatus
US9000438B2 (en) 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102770902B (zh) * 2010-02-26 2016-11-23 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其驱动方法
KR102480055B1 (ko) 2010-02-26 2022-12-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
KR101780841B1 (ko) 2010-02-26 2017-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011105218A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and e-book reader provided therewith
KR20190000365A (ko) * 2010-02-26 2019-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
CN102783025B (zh) 2010-03-02 2015-10-07 株式会社半导体能源研究所 脉冲信号输出电路和移位寄存器
DE112011106185B3 (de) 2010-03-02 2023-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Impulssignal-Ausgangsschaltung und Schieberegister
WO2011108367A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Boosting circuit and rfid tag including boosting circuit
KR101798645B1 (ko) 2010-03-02 2017-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터
KR101932909B1 (ko) * 2010-03-04 2018-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 메모리 장치 및 반도체 장치
KR20130008037A (ko) * 2010-03-05 2013-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하는 방법
WO2011108381A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101878206B1 (ko) * 2010-03-05 2018-07-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막의 제작 방법 및 트랜지스터의 제작 방법
WO2011108374A1 (en) * 2010-03-05 2011-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2011111490A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101791253B1 (ko) 2010-03-08 2017-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자기기 및 전자 시스템
KR102192753B1 (ko) 2010-03-08 2020-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
KR20190018049A (ko) * 2010-03-08 2019-02-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법
TWI594173B (zh) * 2010-03-08 2017-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 電子裝置及電子系統
KR101874784B1 (ko) 2010-03-08 2018-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011111522A1 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102822978B (zh) * 2010-03-12 2015-07-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2011111521A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of display device
WO2011111529A1 (en) 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011111506A1 (en) 2010-03-12 2011-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving circuit and method for driving display device
KR101761558B1 (ko) * 2010-03-12 2017-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 회로를 구동하는 방법 및 입출력 장치를 구동하는 방법
US8900362B2 (en) * 2010-03-12 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of gallium oxide single crystal
WO2011114866A1 (en) 2010-03-17 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
WO2011114868A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011114905A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US20110227082A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102001820B1 (ko) * 2010-03-19 2019-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치 구동 방법
WO2011114919A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011118351A1 (en) * 2010-03-25 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101921047B1 (ko) 2010-03-26 2018-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제작하는 방법
WO2011118741A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN102834921B (zh) * 2010-03-26 2016-04-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
WO2011118364A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5731244B2 (ja) * 2010-03-26 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN102884477B (zh) 2010-03-31 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备及其驱动方法
WO2011122271A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field-sequential display device
WO2011122514A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply device and driving method thereof
WO2011122299A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
WO2011122280A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device
KR102357169B1 (ko) 2010-04-02 2022-02-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8884282B2 (en) 2010-04-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9190522B2 (en) 2010-04-02 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor
KR102436902B1 (ko) 2010-04-02 2022-08-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9196739B2 (en) 2010-04-02 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film
US9147768B2 (en) 2010-04-02 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film
WO2011125432A1 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
KR101810592B1 (ko) 2010-04-07 2017-12-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터
WO2011125806A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR20130036739A (ko) 2010-04-09 2013-04-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체 메모리 장치
WO2011125456A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101884798B1 (ko) 2010-04-09 2018-08-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8653514B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011125688A1 (en) 2010-04-09 2011-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for driving the same
US8207025B2 (en) 2010-04-09 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP5744366B2 (ja) 2010-04-12 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8854583B2 (en) 2010-04-12 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device
JP2011237418A (ja) 2010-04-16 2011-11-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電流測定方法、半導体装置の検査方法、半導体装置、および特性評価用回路
KR101904445B1 (ko) 2010-04-16 2018-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20130061678A (ko) 2010-04-16 2013-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전원 회로
KR101881729B1 (ko) 2010-04-16 2018-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막 방법 및 반도체 장치를 제작하기 위한 방법
US8692243B2 (en) 2010-04-20 2014-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011132625A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
DE112011101410B4 (de) 2010-04-23 2018-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
KR101748404B1 (ko) 2010-04-23 2017-06-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
CN111326435B (zh) 2010-04-23 2023-12-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
CN104851810B (zh) 2010-04-23 2018-08-28 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
KR101887336B1 (ko) 2010-04-23 2018-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 구동 방법
US9537043B2 (en) 2010-04-23 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
WO2011132591A1 (en) 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011135999A1 (en) 2010-04-27 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
WO2011135987A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011136018A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
US8890555B2 (en) 2010-04-28 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for measuring transistor
KR20220005640A (ko) 2010-04-28 2022-01-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9697788B2 (en) 2010-04-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9064473B2 (en) 2010-05-12 2015-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
US9478185B2 (en) 2010-05-12 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical display device and display method thereof
JP5797449B2 (ja) 2010-05-13 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の評価方法
TWI511236B (zh) 2010-05-14 2015-12-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011142467A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011142371A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
US8624239B2 (en) 2010-05-20 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9490368B2 (en) 2010-05-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP5923248B2 (ja) 2010-05-20 2016-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011145738A1 (en) 2010-05-20 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device
WO2011145634A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102906980B (zh) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及显示装置
WO2011145467A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011145538A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5852793B2 (ja) 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US8629438B2 (en) 2010-05-21 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011145632A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2011145537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101808198B1 (ko) 2010-05-21 2017-12-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP5714973B2 (ja) 2010-05-21 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011145484A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5766012B2 (ja) 2010-05-21 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
WO2011145707A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
WO2011145468A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
WO2011145633A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5749975B2 (ja) 2010-05-28 2015-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置、及び、タッチパネル
US8895375B2 (en) 2010-06-01 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor and method for manufacturing the same
WO2011152286A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8779433B2 (en) 2010-06-04 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101894897B1 (ko) 2010-06-04 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011152254A1 (en) 2010-06-04 2011-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011155295A1 (en) 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
WO2011155302A1 (en) 2010-06-11 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8610180B2 (en) 2010-06-11 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor
CN102939659B (zh) 2010-06-11 2016-08-17 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及半导体器件的制造方法
US9209314B2 (en) 2010-06-16 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect transistor
JP5797471B2 (ja) 2010-06-16 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
JP5823740B2 (ja) 2010-06-16 2015-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US8552425B2 (en) 2010-06-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2011158704A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011158703A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8637802B2 (en) 2010-06-18 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor
WO2011162147A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20120000499A (ko) 2010-06-25 2012-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터 및 반도체 장치
KR101746197B1 (ko) 2010-06-25 2017-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 검사 방법
WO2011162104A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9437454B2 (en) 2010-06-29 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
KR101822526B1 (ko) 2010-06-30 2018-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
US8441010B2 (en) 2010-07-01 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9473714B2 (en) 2010-07-01 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state imaging device and semiconductor display device
KR101801960B1 (ko) 2010-07-01 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
KR102233958B1 (ko) 2010-07-02 2021-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP5792524B2 (ja) 2010-07-02 2015-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
TWI541782B (zh) 2010-07-02 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US9336739B2 (en) 2010-07-02 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN107452630B (zh) 2010-07-02 2020-11-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130090405A (ko) 2010-07-02 2013-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
US8605059B2 (en) 2010-07-02 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and driving method thereof
WO2012008304A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8785241B2 (en) 2010-07-16 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012008286A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012008390A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5917035B2 (ja) 2010-07-26 2016-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5735872B2 (ja) 2010-07-27 2015-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102143469B1 (ko) 2010-07-27 2020-08-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI565001B (zh) 2010-07-28 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
KR101394540B1 (ko) * 2010-07-29 2014-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
JP5846789B2 (ja) 2010-07-29 2016-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012014786A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semicondcutor device and manufacturing method thereof
US8928466B2 (en) * 2010-08-04 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8537600B2 (en) 2010-08-04 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Low off-state leakage current semiconductor memory device
KR101842181B1 (ko) 2010-08-04 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5739257B2 (ja) 2010-08-05 2015-06-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI555128B (zh) 2010-08-06 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
TWI545587B (zh) 2010-08-06 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及驅動半導體裝置的方法
WO2012017844A1 (en) 2010-08-06 2012-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8467232B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI688047B (zh) 2010-08-06 2020-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5671418B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
US8792284B2 (en) 2010-08-06 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor memory device
US8803164B2 (en) 2010-08-06 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state image sensing device and semiconductor display device
TWI524347B (zh) 2010-08-06 2016-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其驅動方法
US8467231B2 (en) 2010-08-06 2013-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR101809105B1 (ko) 2010-08-06 2017-12-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
JP5832181B2 (ja) 2010-08-06 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
TWI587405B (zh) 2010-08-16 2017-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置之製造方法
US9129703B2 (en) 2010-08-16 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory device
JP5848912B2 (ja) 2010-08-16 2016-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
US9343480B2 (en) 2010-08-16 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI508294B (zh) 2010-08-19 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US8759820B2 (en) 2010-08-20 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8508276B2 (en) 2010-08-25 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including latch circuit
US8685787B2 (en) 2010-08-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8883555B2 (en) 2010-08-25 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target
JP2013009285A (ja) 2010-08-26 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 信号処理回路及びその駆動方法
JP5727892B2 (ja) 2010-08-26 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9058047B2 (en) 2010-08-26 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5674594B2 (ja) 2010-08-27 2015-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP5806043B2 (ja) 2010-08-27 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20120020073A (ko) 2010-08-27 2012-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 설계 방법
KR101928897B1 (ko) 2010-08-27 2018-12-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치, 반도체 장치
US8450123B2 (en) 2010-08-27 2013-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body
US8603841B2 (en) 2010-08-27 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device
JP5763474B2 (ja) 2010-08-27 2015-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 光センサ
US8593858B2 (en) 2010-08-31 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8575610B2 (en) 2010-09-02 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8634228B2 (en) 2010-09-02 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
WO2012029638A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20180105252A (ko) 2010-09-03 2018-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2012029612A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
WO2012029596A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2012256819A (ja) 2010-09-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8487844B2 (en) 2010-09-08 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device including the same
US8520426B2 (en) 2010-09-08 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
US8797487B2 (en) 2010-09-10 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof
KR101824125B1 (ko) 2010-09-10 2018-02-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20120026970A (ko) 2010-09-10 2012-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 발광 장치
US8766253B2 (en) 2010-09-10 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9142568B2 (en) 2010-09-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting display device
US8664097B2 (en) 2010-09-13 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR101872926B1 (ko) 2010-09-13 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101952235B1 (ko) 2010-09-13 2019-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8871565B2 (en) 2010-09-13 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8592879B2 (en) 2010-09-13 2013-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101932576B1 (ko) 2010-09-13 2018-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US9546416B2 (en) 2010-09-13 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming crystalline oxide semiconductor film
US9496743B2 (en) 2010-09-13 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and wireless power feed system
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US8835917B2 (en) 2010-09-13 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power diode, and rectifier
TWI608486B (zh) 2010-09-13 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP5827520B2 (ja) 2010-09-13 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
JP2012256821A (ja) 2010-09-13 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
US8546161B2 (en) 2010-09-13 2013-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device
JP5815337B2 (ja) 2010-09-13 2015-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI539453B (zh) 2010-09-14 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和半導體裝置
KR20180124158A (ko) 2010-09-15 2018-11-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 제작 방법
JP2012256012A (ja) 2010-09-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR20140054465A (ko) 2010-09-15 2014-05-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
US9230994B2 (en) 2010-09-15 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US8767443B2 (en) 2010-09-22 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for inspecting the same
KR101856722B1 (ko) 2010-09-22 2018-05-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터
US8792260B2 (en) 2010-09-27 2014-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Rectifier circuit and semiconductor device using the same
TWI574259B (zh) 2010-09-29 2017-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置和其驅動方法
TWI539456B (zh) 2010-10-05 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體記憶體裝置及其驅動方法
US9437743B2 (en) 2010-10-07 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8716646B2 (en) 2010-10-08 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for operating the same
US8679986B2 (en) 2010-10-14 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8803143B2 (en) 2010-10-20 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor including buffer layers with high resistivity
TWI565079B (zh) 2010-10-20 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
TWI543158B (zh) 2010-10-25 2016-07-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置及其驅動方法
US9143668B2 (en) 2010-10-29 2015-09-22 Apple Inc. Camera lens structures and display structures for electronic devices
JP5771505B2 (ja) 2010-10-29 2015-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 受信回路
WO2012057296A1 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device
US8467177B2 (en) 2010-10-29 2013-06-18 Apple Inc. Displays with polarizer windows and opaque masking layers for electronic devices
KR101924231B1 (ko) 2010-10-29 2018-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
CN105503618A (zh) 2010-11-02 2016-04-20 宇部兴产株式会社 (酰胺氨基烷烃)金属化合物及使用所述金属化合物制备含金属的薄膜的方法
US8916866B2 (en) 2010-11-03 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI555205B (zh) 2010-11-05 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US8957468B2 (en) 2010-11-05 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Variable capacitor and liquid crystal display device
KR102130257B1 (ko) 2010-11-05 2020-07-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6010291B2 (ja) 2010-11-05 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の駆動方法
US8569754B2 (en) 2010-11-05 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101952733B1 (ko) 2010-11-05 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9087744B2 (en) 2010-11-05 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving transistor
US8902637B2 (en) 2010-11-08 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof
TWI535014B (zh) 2010-11-11 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP5770068B2 (ja) 2010-11-12 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8854865B2 (en) 2010-11-24 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8936965B2 (en) 2010-11-26 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8816425B2 (en) 2010-11-30 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9103724B2 (en) 2010-11-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device
US9034233B2 (en) * 2010-11-30 2015-05-19 Infineon Technologies Ag Method of processing a substrate
US8823092B2 (en) 2010-11-30 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI562379B (en) 2010-11-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8809852B2 (en) 2010-11-30 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8629496B2 (en) 2010-11-30 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8461630B2 (en) 2010-12-01 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20240025046A (ko) 2010-12-03 2024-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
TWI632551B (zh) 2010-12-03 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 積體電路，其驅動方法，及半導體裝置
JP5908263B2 (ja) 2010-12-03 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃ−ｄｃコンバータ
US8957462B2 (en) 2010-12-09 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an N-type transistor with an N-type semiconductor containing nitrogen as a gate
TWI534905B (zh) 2010-12-10 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
JP2012256020A (ja) 2010-12-15 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
US8730416B2 (en) 2010-12-17 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9202822B2 (en) 2010-12-17 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2012142562A (ja) 2010-12-17 2012-07-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
US8894825B2 (en) 2010-12-17 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device
US9024317B2 (en) 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
JP6030298B2 (ja) 2010-12-28 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 緩衝記憶装置及び信号処理回路
JP5864054B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2012090799A1 (en) 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5993141B2 (ja) 2010-12-28 2016-09-14 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP5852874B2 (ja) 2010-12-28 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5973165B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8883556B2 (en) 2010-12-28 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8941112B2 (en) 2010-12-28 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012151453A (ja) 2010-12-28 2012-08-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置および半導体装置の駆動方法
US9048142B2 (en) 2010-12-28 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5975635B2 (ja) 2010-12-28 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101981808B1 (ko) 2010-12-28 2019-08-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
TWI525614B (zh) 2011-01-05 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路
US8921948B2 (en) 2011-01-12 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8912080B2 (en) 2011-01-12 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of the semiconductor device
TWI535032B (zh) 2011-01-12 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI570809B (zh) 2011-01-12 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8536571B2 (en) 2011-01-12 2013-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8575678B2 (en) 2011-01-13 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device with floating gate
US8421071B2 (en) 2011-01-13 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
KR102026718B1 (ko) 2011-01-14 2019-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법
TWI492368B (zh) 2011-01-14 2015-07-11 Semiconductor Energy Lab 半導體記憶裝置
JP5859839B2 (ja) 2011-01-14 2016-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子
US8916867B2 (en) 2011-01-20 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor element and semiconductor device
JP5798933B2 (ja) 2011-01-26 2015-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
CN103348464B (zh) 2011-01-26 2016-01-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
WO2012102182A1 (en) 2011-01-26 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI602303B (zh) 2011-01-26 2017-10-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI657580B (zh) 2011-01-26 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI564890B (zh) 2011-01-26 2017-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
TWI570920B (zh) 2011-01-26 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
WO2012102181A1 (en) 2011-01-27 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI525619B (zh) 2011-01-27 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路
KR101899375B1 (ko) 2011-01-28 2018-09-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8634230B2 (en) 2011-01-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US9494829B2 (en) 2011-01-28 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same
CN102169552A (zh) * 2011-01-28 2011-08-31 上海集成电路研发中心有限公司 射频识别标签及其制造方法
DE112012000601T5 (de) 2011-01-28 2014-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung sowie Halbleitervorrichtung
US8780614B2 (en) 2011-02-02 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US9799773B2 (en) 2011-02-02 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
US8513773B2 (en) 2011-02-02 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor
TWI520273B (zh) 2011-02-02 2016-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US9431400B2 (en) 2011-02-08 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for manufacturing the same
US8787083B2 (en) 2011-02-10 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit
TWI569041B (zh) 2011-02-14 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US8975680B2 (en) 2011-02-17 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device
KR101899880B1 (ko) 2011-02-17 2018-09-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 ｌｓｉ
US8643007B2 (en) 2011-02-23 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8709920B2 (en) 2011-02-24 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9443455B2 (en) 2011-02-25 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a plurality of pixels
US9691772B2 (en) 2011-03-03 2017-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor
US9023684B2 (en) 2011-03-04 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8659015B2 (en) 2011-03-04 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9646829B2 (en) 2011-03-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8841664B2 (en) 2011-03-04 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5898527B2 (ja) 2011-03-04 2016-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8785933B2 (en) 2011-03-04 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8659957B2 (en) 2011-03-07 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
JP5827145B2 (ja) 2011-03-08 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US9099437B2 (en) 2011-03-08 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8625085B2 (en) 2011-03-08 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Defect evaluation method for semiconductor
JP2012189716A (ja) * 2011-03-09 2012-10-04 Japan Display East Co Ltd 画像表示装置
WO2012121265A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
US8772849B2 (en) 2011-03-10 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
US8541781B2 (en) 2011-03-10 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2012209543A (ja) 2011-03-11 2012-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8760903B2 (en) 2011-03-11 2014-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit
TWI521612B (zh) 2011-03-11 2016-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI541904B (zh) 2011-03-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP5933300B2 (ja) 2011-03-16 2016-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101900525B1 (ko) 2011-03-18 2018-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
JP5933897B2 (ja) 2011-03-18 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8859330B2 (en) 2011-03-23 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5839474B2 (ja) 2011-03-24 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US8956944B2 (en) 2011-03-25 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8987728B2 (en) 2011-03-25 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US8686416B2 (en) 2011-03-25 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
TWI538215B (zh) 2011-03-25 2016-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路
US9219159B2 (en) 2011-03-25 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US9012904B2 (en) 2011-03-25 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI545652B (zh) 2011-03-25 2016-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6053098B2 (ja) 2011-03-28 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8927329B2 (en) 2011-03-30 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties
JP5879165B2 (ja) 2011-03-30 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9082860B2 (en) 2011-03-31 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI567735B (zh) 2011-03-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路，記憶體單元，及訊號處理電路
US8686486B2 (en) 2011-03-31 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8541266B2 (en) 2011-04-01 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9960278B2 (en) 2011-04-06 2018-05-01 Yuhei Sato Manufacturing method of semiconductor device
US9093538B2 (en) 2011-04-08 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8743590B2 (en) 2011-04-08 2014-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device using the same
US9012905B2 (en) 2011-04-08 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same
US9142320B2 (en) 2011-04-08 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
JP5883699B2 (ja) 2011-04-13 2016-03-15 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルｌｓｉ
US9478668B2 (en) 2011-04-13 2016-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US8854867B2 (en) 2011-04-13 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and driving method of the memory device
US9070776B2 (en) 2011-04-15 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US8878174B2 (en) 2011-04-15 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit
US8779488B2 (en) 2011-04-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6045176B2 (ja) 2011-04-15 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6001900B2 (ja) 2011-04-21 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路
US10079053B2 (en) 2011-04-22 2018-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and memory device
JP5946683B2 (ja) 2011-04-22 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9006803B2 (en) 2011-04-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
TWI548057B (zh) 2011-04-22 2016-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8878288B2 (en) 2011-04-22 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8932913B2 (en) 2011-04-22 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8916868B2 (en) 2011-04-22 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9331206B2 (en) 2011-04-22 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide material and semiconductor device
US8809854B2 (en) 2011-04-22 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102760697B (zh) 2011-04-27 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US9935622B2 (en) 2011-04-28 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Comparator and semiconductor device including comparator
US8681533B2 (en) 2011-04-28 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device
US8729545B2 (en) 2011-04-28 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
KR101919056B1 (ko) 2011-04-28 2018-11-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 회로
US9111795B2 (en) 2011-04-29 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
US9614094B2 (en) 2011-04-29 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same
KR101963457B1 (ko) 2011-04-29 2019-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법
US8446171B2 (en) 2011-04-29 2013-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing unit
TWI525615B (zh) 2011-04-29 2016-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
US8785923B2 (en) 2011-04-29 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8848464B2 (en) 2011-04-29 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US8476927B2 (en) 2011-04-29 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI573277B (zh) 2011-05-05 2017-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8709922B2 (en) 2011-05-06 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8809928B2 (en) 2011-05-06 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device
US9117701B2 (en) 2011-05-06 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2012153697A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2012153473A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI568181B (zh) 2011-05-06 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 邏輯電路及半導體裝置
US9443844B2 (en) 2011-05-10 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof
TWI541978B (zh) 2011-05-11 2016-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法
US8946066B2 (en) 2011-05-11 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US8847233B2 (en) 2011-05-12 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film
TWI557711B (zh) 2011-05-12 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的驅動方法
US9048788B2 (en) 2011-05-13 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion
KR101921772B1 (ko) 2011-05-13 2018-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8564331B2 (en) 2011-05-13 2013-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8897049B2 (en) 2011-05-13 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Semiconductor device and memory device including semiconductor device
KR101952570B1 (ko) 2011-05-13 2019-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101940570B1 (ko) 2011-05-13 2019-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Ｅｌ 표시 장치 및 그 전자 기기
WO2012157472A1 (en) 2011-05-13 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI536502B (zh) 2011-05-13 2016-06-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路及電子裝置
JP5886128B2 (ja) 2011-05-13 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9397222B2 (en) 2011-05-13 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US9093539B2 (en) 2011-05-13 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5959296B2 (ja) 2011-05-13 2016-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその製造方法
WO2012157532A1 (en) 2011-05-16 2012-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI570891B (zh) 2011-05-17 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI552150B (zh) 2011-05-18 2016-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體儲存裝置
TWI571058B (zh) 2011-05-18 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置與驅動半導體裝置之方法
KR101991735B1 (ko) 2011-05-19 2019-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 집적 회로
JP6014362B2 (ja) 2011-05-19 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
KR102081792B1 (ko) 2011-05-19 2020-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산회로 및 연산회로의 구동방법
US8837203B2 (en) 2011-05-19 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9117920B2 (en) 2011-05-19 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device using oxide semiconductor
KR102093909B1 (ko) 2011-05-19 2020-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 회로 및 회로의 구동 방법
US8581625B2 (en) 2011-05-19 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP5947099B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5820335B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5892852B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
JP5936908B2 (ja) 2011-05-20 2016-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 パリティビット出力回路およびパリティチェック回路
TWI559683B (zh) 2011-05-20 2016-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP6013682B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6013680B2 (ja) 2011-05-20 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9336845B2 (en) 2011-05-20 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Register circuit including a volatile memory and a nonvolatile memory
WO2012160963A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8508256B2 (en) 2011-05-20 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit
TWI557739B (zh) 2011-05-20 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP5820336B2 (ja) 2011-05-20 2015-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5886496B2 (ja) 2011-05-20 2016-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6030334B2 (ja) 2011-05-20 2016-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
TWI614995B (zh) 2011-05-20 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置
JP6091083B2 (ja) 2011-05-20 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
TWI616873B (zh) 2011-05-20 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 儲存裝置及信號處理電路
JP6082189B2 (ja) 2011-05-20 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び信号処理回路
CN102789808B (zh) 2011-05-20 2018-03-06 株式会社半导体能源研究所 存储器装置和用于驱动存储器装置的方法
JP5951351B2 (ja) 2011-05-20 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 加算器及び全加算器
WO2012161059A1 (en) 2011-05-20 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US20120298998A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
WO2012161003A1 (en) 2011-05-26 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Divider circuit and semiconductor device using the same
US9171840B2 (en) 2011-05-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI534956B (zh) 2011-05-27 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 調整電路及驅動調整電路之方法
US8669781B2 (en) 2011-05-31 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5912844B2 (ja) 2011-05-31 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US9467047B2 (en) 2011-05-31 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device
JP5890251B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 通信方法
KR102492593B1 (ko) 2011-06-08 2023-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟, 스퍼터링 타겟의 제조 방법 및 박막의 형성 방법
JP2013016243A (ja) 2011-06-09 2013-01-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置
US8891285B2 (en) 2011-06-10 2014-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP6104522B2 (ja) 2011-06-10 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8958263B2 (en) 2011-06-10 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9112036B2 (en) 2011-06-10 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP6005401B2 (ja) 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI557910B (zh) 2011-06-16 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9299852B2 (en) 2011-06-16 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8804405B2 (en) 2011-06-16 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US8901554B2 (en) 2011-06-17 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor
US9166055B2 (en) 2011-06-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9099885B2 (en) 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
SG11201504734VA (en) * 2011-06-17 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20130007426A (ko) 2011-06-17 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8673426B2 (en) 2011-06-29 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit
US8878589B2 (en) 2011-06-30 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9130044B2 (en) 2011-07-01 2015-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8952377B2 (en) 2011-07-08 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9214474B2 (en) 2011-07-08 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8748886B2 (en) 2011-07-08 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9490241B2 (en) 2011-07-08 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter
US9496138B2 (en) 2011-07-08 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US9318506B2 (en) 2011-07-08 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102014876B1 (ko) 2011-07-08 2019-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US9385238B2 (en) 2011-07-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor using oxide semiconductor
US9200952B2 (en) 2011-07-15 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit
JP2013042117A (ja) 2011-07-15 2013-02-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US8836626B2 (en) 2011-07-15 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
US8847220B2 (en) 2011-07-15 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8946812B2 (en) 2011-07-21 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
DE112012003074T5 (de) 2011-07-22 2014-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemissionsvorrichtung
US9012993B2 (en) 2011-07-22 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8716073B2 (en) 2011-07-22 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
JP6013685B2 (ja) 2011-07-22 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8643008B2 (en) 2011-07-22 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8994019B2 (en) 2011-08-05 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8718224B2 (en) 2011-08-05 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
JP6006572B2 (ja) 2011-08-18 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6128775B2 (ja) 2011-08-19 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI575494B (zh) 2011-08-19 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的驅動方法
JP6116149B2 (ja) 2011-08-24 2017-04-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI659523B (zh) 2011-08-29 2019-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9252279B2 (en) 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9660092B2 (en) 2011-08-31 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer
JP6016532B2 (ja) 2011-09-07 2016-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8802493B2 (en) 2011-09-13 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of oxide semiconductor device
JP5825744B2 (ja) 2011-09-15 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
US8952379B2 (en) 2011-09-16 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9082663B2 (en) 2011-09-16 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5832399B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
WO2013039126A1 (en) 2011-09-16 2013-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN103022012B (zh) 2011-09-21 2017-03-01 株式会社半导体能源研究所 半导体存储装置
WO2013042562A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013042643A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetector and method for driving photodetector
US8841675B2 (en) 2011-09-23 2014-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Minute transistor
US9431545B2 (en) 2011-09-23 2016-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102108572B1 (ko) 2011-09-26 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2013084333A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd シフトレジスタ回路
KR101506303B1 (ko) 2011-09-29 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI613822B (zh) 2011-09-29 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
DE112012004061B4 (de) 2011-09-29 2024-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
DE112012004076T5 (de) 2011-09-29 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
US8982607B2 (en) 2011-09-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
JP5806905B2 (ja) 2011-09-30 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20130087784A1 (en) 2011-10-05 2013-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10014068B2 (en) 2011-10-07 2018-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6022880B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP2013093561A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
JP5912394B2 (ja) 2011-10-13 2016-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9117916B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
US9287405B2 (en) 2011-10-13 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor
JP6026839B2 (ja) 2011-10-13 2016-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8637864B2 (en) 2011-10-13 2014-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US9018629B2 (en) 2011-10-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
WO2013054933A1 (en) 2011-10-14 2013-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130040706A (ko) 2011-10-14 2013-04-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
TWI567985B (zh) 2011-10-21 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6045285B2 (ja) 2011-10-24 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6226518B2 (ja) 2011-10-24 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR101976212B1 (ko) 2011-10-24 2019-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR20130046357A (ko) 2011-10-27 2013-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6082562B2 (ja) 2011-10-27 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20140086954A (ko) 2011-10-28 2014-07-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8604472B2 (en) 2011-11-09 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5933895B2 (ja) 2011-11-10 2016-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6122275B2 (ja) 2011-11-11 2017-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN103918025B (zh) 2011-11-11 2016-12-21 株式会社半导体能源研究所 信号线驱动电路以及液晶显示装置
US8878177B2 (en) 2011-11-11 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8796682B2 (en) 2011-11-11 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
JP6076038B2 (ja) 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US9082861B2 (en) 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
US10026847B2 (en) 2011-11-18 2018-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor device including semiconductor element
US8969130B2 (en) 2011-11-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof
US8772094B2 (en) 2011-11-25 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8962386B2 (en) 2011-11-25 2015-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6099368B2 (ja) 2011-11-25 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US8951899B2 (en) 2011-11-25 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Method for manufacturing semiconductor device
US8829528B2 (en) 2011-11-25 2014-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including groove portion extending beyond pixel electrode
US9057126B2 (en) 2011-11-29 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
JP6147992B2 (ja) 2011-11-30 2017-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI588910B (zh) 2011-11-30 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
KR102072244B1 (ko) 2011-11-30 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US20130137232A1 (en) 2011-11-30 2013-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device
US9076871B2 (en) 2011-11-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI591611B (zh) 2011-11-30 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體顯示裝置
US8981367B2 (en) 2011-12-01 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI621183B (zh) 2011-12-01 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP2013137853A (ja) 2011-12-02 2013-07-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置および記憶装置の駆動方法
EP2786404A4 (en) 2011-12-02 2015-07-15 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP6050662B2 (ja) 2011-12-02 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US9257422B2 (en) 2011-12-06 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit
JP6081171B2 (ja) 2011-12-09 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
JP6105266B2 (ja) 2011-12-15 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
WO2013089115A1 (en) 2011-12-15 2013-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2013149953A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5409759B2 (ja) * 2011-12-20 2014-02-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8785258B2 (en) 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2013130802A (ja) 2011-12-22 2013-07-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器
US8748240B2 (en) 2011-12-22 2014-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8907392B2 (en) 2011-12-22 2014-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device including stacked sub memory cells
JP6033071B2 (ja) 2011-12-23 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI580189B (zh) 2011-12-23 2017-04-21 半導體能源研究所股份有限公司 位準位移電路及半導體積體電路
US8704221B2 (en) 2011-12-23 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6012450B2 (ja) 2011-12-23 2016-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
WO2013094547A1 (en) 2011-12-23 2013-06-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI569446B (zh) 2011-12-23 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置
JP6053490B2 (ja) 2011-12-23 2016-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8796683B2 (en) 2011-12-23 2014-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2013099537A1 (en) 2011-12-26 2013-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Motion recognition device
TWI584383B (zh) 2011-12-27 2017-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102100425B1 (ko) 2011-12-27 2020-04-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102103913B1 (ko) 2012-01-10 2020-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
US8836555B2 (en) 2012-01-18 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, sensor circuit, and semiconductor device using the sensor circuit
US8969867B2 (en) 2012-01-18 2015-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9040981B2 (en) 2012-01-20 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9099560B2 (en) 2012-01-20 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102147870B1 (ko) 2012-01-23 2020-08-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9653614B2 (en) 2012-01-23 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2013111756A1 (en) 2012-01-25 2013-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
TWI642193B (zh) 2012-01-26 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US9006733B2 (en) 2012-01-26 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing thereof
US9419146B2 (en) 2012-01-26 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US8956912B2 (en) 2012-01-26 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6091905B2 (ja) 2012-01-26 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI561951B (en) 2012-01-30 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Power supply circuit
TWI604609B (zh) 2012-02-02 2017-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9196741B2 (en) 2012-02-03 2015-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9362417B2 (en) 2012-02-03 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102101167B1 (ko) 2012-02-03 2020-04-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8916424B2 (en) 2012-02-07 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9859114B2 (en) 2012-02-08 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer
US20130207111A1 (en) 2012-02-09 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP6175244B2 (ja) * 2012-02-09 2017-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP5981157B2 (ja) 2012-02-09 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9112037B2 (en) 2012-02-09 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8817516B2 (en) 2012-02-17 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit and semiconductor device
JP2014063557A (ja) 2012-02-24 2014-04-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 記憶装置及び半導体装置
US20130221345A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9312257B2 (en) 2012-02-29 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8988152B2 (en) 2012-02-29 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
US9553200B2 (en) 2012-02-29 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6046514B2 (ja) 2012-03-01 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8975917B2 (en) 2012-03-01 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP2013183001A (ja) 2012-03-01 2013-09-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US9287370B2 (en) 2012-03-02 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
US9176571B2 (en) 2012-03-02 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. Microprocessor and method for driving microprocessor
JP6041707B2 (ja) 2012-03-05 2016-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 ラッチ回路および半導体装置
JP6100559B2 (ja) 2012-03-05 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体記憶装置
US8995218B2 (en) 2012-03-07 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8981370B2 (en) 2012-03-08 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8994152B2 (en) * 2012-03-08 2015-03-31 Polar Semiconductor, Llc Metal shield for integrated circuits
CN104160295B (zh) 2012-03-09 2017-09-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的驱动方法
KR20140136975A (ko) 2012-03-13 2014-12-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 구동 방법
KR102108248B1 (ko) 2012-03-14 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치
US9058892B2 (en) 2012-03-14 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and shift register
US9117409B2 (en) 2012-03-14 2015-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer
JP6168795B2 (ja) 2012-03-14 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9541386B2 (en) 2012-03-21 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Distance measurement device and distance measurement system
US9324449B2 (en) 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
JP6169376B2 (ja) 2012-03-28 2017-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置
US9349849B2 (en) 2012-03-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
JP2013229013A (ja) 2012-03-29 2013-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アレイコントローラ及びストレージシステム
JP6139187B2 (ja) 2012-03-29 2017-05-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2013146154A1 (en) 2012-03-29 2013-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply control device
US9786793B2 (en) 2012-03-29 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements
US8941113B2 (en) 2012-03-30 2015-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
US8999773B2 (en) 2012-04-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device
US8947155B2 (en) 2012-04-06 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state relay
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US9711110B2 (en) 2012-04-06 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising grayscale conversion portion and display portion
US8901556B2 (en) 2012-04-06 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP5975907B2 (ja) 2012-04-11 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013236068A (ja) 2012-04-12 2013-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US9208849B2 (en) 2012-04-12 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device
KR102254731B1 (ko) 2012-04-13 2021-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6059566B2 (ja) 2012-04-13 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9030232B2 (en) 2012-04-13 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Isolator circuit and semiconductor device
JP6128906B2 (ja) 2012-04-13 2017-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6143423B2 (ja) 2012-04-16 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP6001308B2 (ja) 2012-04-17 2016-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6076612B2 (ja) 2012-04-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9029863B2 (en) 2012-04-20 2015-05-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9219164B2 (en) 2012-04-20 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor channel
US9236408B2 (en) 2012-04-25 2016-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor device including photodiode
US9230683B2 (en) 2012-04-25 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9006024B2 (en) 2012-04-25 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8860022B2 (en) 2012-04-27 2014-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
US9331689B2 (en) 2012-04-27 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power supply circuit and semiconductor device including the same
US9285848B2 (en) 2012-04-27 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device
JP6199583B2 (ja) 2012-04-27 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6228381B2 (ja) 2012-04-30 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6100071B2 (ja) 2012-04-30 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9048323B2 (en) 2012-04-30 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9703704B2 (en) 2012-05-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6035195B2 (ja) 2012-05-01 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9007090B2 (en) 2012-05-01 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving semiconductor device
US9261943B2 (en) 2012-05-02 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP6243136B2 (ja) 2012-05-02 2017-12-06 株式会社半導体エネルギー研究所 スイッチングコンバータ
CN104247268B (zh) 2012-05-02 2016-10-12 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑器件
US8866510B2 (en) 2012-05-02 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6227890B2 (ja) 2012-05-02 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 信号処理回路および制御回路
US9104395B2 (en) 2012-05-02 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processor and driving method thereof
KR102025722B1 (ko) 2012-05-02 2019-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치
KR20130125717A (ko) 2012-05-09 2013-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
KR102069158B1 (ko) 2012-05-10 2020-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
CN104285302B (zh) 2012-05-10 2017-08-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR20230104756A (ko) 2012-05-10 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE102013207324A1 (de) 2012-05-11 2013-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
KR102087443B1 (ko) 2012-05-11 2020-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법
US8994891B2 (en) 2012-05-16 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
US8929128B2 (en) 2012-05-17 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and writing method of the same
US9817032B2 (en) 2012-05-23 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measurement device
JP2014003594A (ja) 2012-05-25 2014-01-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその駆動方法
CN104321967B (zh) 2012-05-25 2018-01-09 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置及半导体装置
JP6250955B2 (ja) 2012-05-25 2017-12-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6050721B2 (ja) 2012-05-25 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102164990B1 (ko) 2012-05-25 2020-10-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자의 구동 방법
US9147706B2 (en) 2012-05-29 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit
JP6377317B2 (ja) 2012-05-30 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
US8995607B2 (en) 2012-05-31 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse signal output circuit and shift register
JP6158588B2 (ja) 2012-05-31 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9048265B2 (en) 2012-05-31 2015-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer
KR102119914B1 (ko) 2012-05-31 2020-06-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP6208469B2 (ja) 2012-05-31 2017-10-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102316107B1 (ko) 2012-05-31 2021-10-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6108960B2 (ja) 2012-06-01 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、処理装置
US8872174B2 (en) 2012-06-01 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
WO2013180016A1 (en) 2012-06-01 2013-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and alarm device
US9135182B2 (en) 2012-06-01 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central processing unit and driving method thereof
US9916793B2 (en) 2012-06-01 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the same
US8901557B2 (en) 2012-06-15 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9153699B2 (en) 2012-06-15 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers
US9059219B2 (en) 2012-06-27 2015-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9742378B2 (en) 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
KR20200019269A (ko) 2012-06-29 2020-02-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8873308B2 (en) 2012-06-29 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing circuit
KR102082794B1 (ko) 2012-06-29 2020-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치
TWI596778B (zh) 2012-06-29 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
KR102161077B1 (ko) 2012-06-29 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9083327B2 (en) 2012-07-06 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US9190525B2 (en) 2012-07-06 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide semiconductor layer
US9054678B2 (en) 2012-07-06 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TW201419315A (zh) 2012-07-09 2014-05-16 Applied Nanotech Holdings Inc 微米尺寸銅粒子的光燒結法
KR102099262B1 (ko) 2012-07-11 2020-04-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2014032399A (ja) 2012-07-13 2014-02-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP6006558B2 (ja) 2012-07-17 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその製造方法
JP6185311B2 (ja) 2012-07-20 2017-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 電源制御回路、及び信号処理回路
DE112013007498B3 (de) 2012-07-20 2022-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
CN104488016B (zh) 2012-07-20 2018-08-10 株式会社半导体能源研究所 显示装置及具有该显示装置的电子设备
KR102141977B1 (ko) 2012-07-20 2020-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2014042004A (ja) 2012-07-26 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR20140013931A (ko) 2012-07-26 2014-02-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
JP6224931B2 (ja) 2012-07-27 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102014169B1 (ko) * 2012-07-30 2019-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP2014045175A (ja) 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP6134598B2 (ja) 2012-08-02 2017-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20150040873A (ko) 2012-08-03 2015-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
EP2880690B1 (en) 2012-08-03 2019-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device with oxide semiconductor stacked film
US9885108B2 (en) 2012-08-07 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming sputtering target
US10557192B2 (en) 2012-08-07 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for using sputtering target and method for forming oxide film
JP6220597B2 (ja) 2012-08-10 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9245958B2 (en) 2012-08-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014057298A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
US8937307B2 (en) 2012-08-10 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014024808A1 (en) 2012-08-10 2014-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102171650B1 (ko) 2012-08-10 2020-10-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI581404B (zh) 2012-08-10 2017-05-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
US9929276B2 (en) 2012-08-10 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014057296A (ja) 2012-08-10 2014-03-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
CN108305895B (zh) 2012-08-10 2021-08-03 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
JP2014199899A (ja) 2012-08-10 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8872120B2 (en) 2012-08-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and method for driving the same
KR102069683B1 (ko) 2012-08-24 2020-01-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치
KR20140029202A (ko) 2012-08-28 2014-03-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
US9625764B2 (en) 2012-08-28 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
DE102013216824B4 (de) 2012-08-28 2024-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
TWI575663B (zh) 2012-08-31 2017-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
SG11201504939RA (en) 2012-09-03 2015-07-30 Semiconductor Energy Lab Microcontroller
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
DE102013217278B4 (de) 2012-09-12 2017-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung
KR102331652B1 (ko) 2012-09-13 2021-12-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US8981372B2 (en) 2012-09-13 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
US9018624B2 (en) 2012-09-13 2015-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic appliance
TWI799011B (zh) 2012-09-14 2023-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US8927985B2 (en) 2012-09-20 2015-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI627750B (zh) 2012-09-24 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014046222A1 (en) 2012-09-24 2014-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6351947B2 (ja) 2012-10-12 2018-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP6290576B2 (ja) 2012-10-12 2018-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその駆動方法
TWI681233B (zh) 2012-10-12 2020-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法
KR102226090B1 (ko) 2012-10-12 2021-03-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
TWI591966B (zh) 2012-10-17 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法
JP6059501B2 (ja) 2012-10-17 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5951442B2 (ja) 2012-10-17 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6021586B2 (ja) 2012-10-17 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102094568B1 (ko) 2012-10-17 2020-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그의 제작 방법
US9166021B2 (en) 2012-10-17 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102227591B1 (ko) 2012-10-17 2021-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2014082388A (ja) 2012-10-17 2014-05-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
DE112013005029T5 (de) 2012-10-17 2015-07-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mikrocontroller und Herstellungsverfahren dafür
JP6283191B2 (ja) 2012-10-17 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014061567A1 (en) 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
KR102220279B1 (ko) 2012-10-19 2021-02-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법
JP6204145B2 (ja) 2012-10-23 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9865743B2 (en) 2012-10-24 2018-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including oxide layer surrounding oxide semiconductor layer
KR102279459B1 (ko) 2012-10-24 2021-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
TWI691084B (zh) 2012-10-24 2020-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9287411B2 (en) 2012-10-24 2016-03-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2014065343A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014065389A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Central control system
JP6219562B2 (ja) 2012-10-30 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
CN104769842B (zh) 2012-11-06 2017-10-31 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及其驱动方法
KR102072099B1 (ko) 2012-11-08 2020-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물 막 및 금속 산화물 막의 형성 방법
TWI608616B (zh) 2012-11-15 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI605593B (zh) 2012-11-15 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6220641B2 (ja) 2012-11-15 2017-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6317059B2 (ja) 2012-11-16 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
TWI613813B (zh) 2012-11-16 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6285150B2 (ja) 2012-11-16 2018-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI620323B (zh) 2012-11-16 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
WO2014084153A1 (en) 2012-11-28 2014-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI820614B (zh) 2012-11-28 2023-11-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
TWI627483B (zh) 2012-11-28 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電視接收機
US9412764B2 (en) 2012-11-28 2016-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
US9263531B2 (en) 2012-11-28 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device
US9594281B2 (en) 2012-11-30 2017-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9246011B2 (en) 2012-11-30 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN104823283B (zh) 2012-11-30 2018-04-27 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP2014130336A (ja) 2012-11-30 2014-07-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9153649B2 (en) * 2012-11-30 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
TWI624949B (zh) 2012-11-30 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9406810B2 (en) 2012-12-03 2016-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6320009B2 (ja) 2012-12-03 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
KR102207028B1 (ko) 2012-12-03 2021-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6254834B2 (ja) 2012-12-06 2017-12-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9577446B2 (en) 2012-12-13 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device
TWI611419B (zh) 2012-12-24 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 可程式邏輯裝置及半導體裝置
WO2014103900A1 (en) 2012-12-25 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9905585B2 (en) 2012-12-25 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising capacitor
WO2014103901A1 (en) 2012-12-25 2014-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR102241249B1 (ko) 2012-12-25 2021-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
JP2014142986A (ja) 2012-12-26 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR102712705B1 (ko) 2012-12-28 2024-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN104904018B (zh) 2012-12-28 2019-04-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
TWI607510B (zh) 2012-12-28 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP6329762B2 (ja) 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014143410A (ja) 2012-12-28 2014-08-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US9316695B2 (en) 2012-12-28 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9391096B2 (en) 2013-01-18 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI614813B (zh) 2013-01-21 2018-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9190172B2 (en) 2013-01-24 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5807076B2 (ja) 2013-01-24 2015-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9466725B2 (en) 2013-01-24 2016-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI619010B (zh) 2013-01-24 2018-03-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6223198B2 (ja) 2013-01-24 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9076825B2 (en) 2013-01-30 2015-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9105658B2 (en) 2013-01-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing oxide semiconductor layer
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI618252B (zh) 2013-02-12 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102112367B1 (ko) 2013-02-12 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102125593B1 (ko) 2013-02-13 2020-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치
US9190527B2 (en) 2013-02-13 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
US8952723B2 (en) 2013-02-13 2015-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9231111B2 (en) 2013-02-13 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9318484B2 (en) 2013-02-20 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI611566B (zh) 2013-02-25 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
US9293544B2 (en) 2013-02-26 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having buried channel structure
TWI612321B (zh) 2013-02-27 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置
TWI651839B (zh) 2013-02-27 2019-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置
US9373711B2 (en) 2013-02-27 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2014195241A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2014195243A (ja) 2013-02-28 2014-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR102238682B1 (ko) 2013-02-28 2021-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP6141777B2 (ja) 2013-02-28 2017-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9276125B2 (en) 2013-03-01 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9647152B2 (en) 2013-03-01 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sensor circuit and semiconductor device including sensor circuit
KR102153110B1 (ko) 2013-03-06 2020-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막 및 반도체 장치
US9269315B2 (en) 2013-03-08 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of semiconductor device
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
TWI644433B (zh) 2013-03-13 2018-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6283237B2 (ja) 2013-03-14 2018-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014142043A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device and semiconductor device
KR102290247B1 (ko) 2013-03-14 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP6298662B2 (ja) 2013-03-14 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014199708A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP2014199709A (ja) 2013-03-14 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、半導体装置
US9294075B2 (en) 2013-03-14 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9245650B2 (en) 2013-03-15 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9786350B2 (en) 2013-03-18 2017-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9577107B2 (en) 2013-03-19 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film
US9153650B2 (en) 2013-03-19 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor
US9007092B2 (en) 2013-03-22 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6355374B2 (ja) 2013-03-22 2018-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6093726B2 (ja) 2013-03-22 2017-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014157019A1 (en) 2013-03-25 2014-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6272713B2 (ja) 2013-03-25 2018-01-31 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置
US10347769B2 (en) 2013-03-25 2019-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes
JP6376788B2 (ja) 2013-03-26 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP6316630B2 (ja) 2013-03-26 2018-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9608122B2 (en) 2013-03-27 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2014209209A (ja) 2013-03-28 2014-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9368636B2 (en) 2013-04-01 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers
JP6300589B2 (ja) 2013-04-04 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9112460B2 (en) 2013-04-05 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device
JP6224338B2 (ja) 2013-04-11 2017-11-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法
JP6198434B2 (ja) 2013-04-11 2017-09-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP6280794B2 (ja) 2013-04-12 2018-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法
TWI620324B (zh) 2013-04-12 2018-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10304859B2 (en) 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP6333028B2 (ja) 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置
JP6456598B2 (ja) 2013-04-19 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2014175296A1 (en) 2013-04-24 2014-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9893192B2 (en) 2013-04-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6396671B2 (ja) 2013-04-26 2018-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6401483B2 (ja) 2013-04-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI644434B (zh) 2013-04-29 2018-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
TWI631711B (zh) 2013-05-01 2018-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR102222344B1 (ko) 2013-05-02 2021-03-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9882058B2 (en) 2013-05-03 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9231002B2 (en) 2013-05-03 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2014181785A1 (en) 2013-05-09 2014-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9704894B2 (en) 2013-05-10 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including pixel electrode including oxide
US9246476B2 (en) 2013-05-10 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit
TWI621337B (zh) 2013-05-14 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 信號處理裝置
US9312392B2 (en) 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI669824B (zh) 2013-05-16 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI809225B (zh) 2013-05-16 2023-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6298353B2 (ja) 2013-05-17 2018-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10032872B2 (en) 2013-05-17 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device
US9209795B2 (en) 2013-05-17 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device and measuring method
US9172369B2 (en) 2013-05-17 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device and semiconductor device
US9754971B2 (en) 2013-05-18 2017-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102537022B1 (ko) 2013-05-20 2023-05-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
DE102014208859B4 (de) 2013-05-20 2021-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
KR20200038333A (ko) 2013-05-20 2020-04-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9343579B2 (en) 2013-05-20 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9293599B2 (en) 2013-05-20 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9647125B2 (en) 2013-05-20 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI664731B (zh) 2013-05-20 2019-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US10416504B2 (en) 2013-05-21 2019-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20160009626A (ko) 2013-05-21 2016-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 그 형성 방법
TWI624936B (zh) 2013-06-05 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
TWI687748B (zh) 2013-06-05 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP2015195327A (ja) 2013-06-05 2015-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6400336B2 (ja) 2013-06-05 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6374221B2 (ja) 2013-06-05 2018-08-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9773915B2 (en) 2013-06-11 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR102282108B1 (ko) 2013-06-13 2021-07-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6368155B2 (ja) 2013-06-18 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイス
TWI652822B (zh) 2013-06-19 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物半導體膜及其形成方法
US9035301B2 (en) 2013-06-19 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
KR102257058B1 (ko) 2013-06-21 2021-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9515094B2 (en) 2013-06-26 2016-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage device and semiconductor device
WO2014208476A1 (en) 2013-06-27 2014-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TW201513128A (zh) 2013-07-05 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
US20150008428A1 (en) 2013-07-08 2015-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JP6435124B2 (ja) 2013-07-08 2018-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9666697B2 (en) 2013-07-08 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer
US9293480B2 (en) 2013-07-10 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9424950B2 (en) 2013-07-10 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9006736B2 (en) 2013-07-12 2015-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9818763B2 (en) 2013-07-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
JP6322503B2 (ja) 2013-07-16 2018-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6516978B2 (ja) 2013-07-17 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI621130B (zh) 2013-07-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及用於製造半導體裝置之方法
US9395070B2 (en) 2013-07-19 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Support of flexible component and light-emitting device
US9379138B2 (en) 2013-07-19 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity
TWI608523B (zh) 2013-07-19 2017-12-11 半導體能源研究所股份有限公司 Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device
US10529740B2 (en) 2013-07-25 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer
TWI636309B (zh) 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
TWI632688B (zh) 2013-07-25 2018-08-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
TWI641208B (zh) 2013-07-26 2018-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 直流對直流轉換器
US9343288B2 (en) 2013-07-31 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6460592B2 (ja) 2013-07-31 2019-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｄｃｄｃコンバータ、及び半導体装置
JP6410496B2 (ja) 2013-07-31 2018-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 マルチゲート構造のトランジスタ
TWI635750B (zh) 2013-08-02 2018-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 攝像裝置以及其工作方法
US9496330B2 (en) 2013-08-02 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and semiconductor device
JP2015053477A (ja) 2013-08-05 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP6345023B2 (ja) 2013-08-07 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US9601591B2 (en) 2013-08-09 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9299855B2 (en) 2013-08-09 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having dual gate insulating layers
JP6329843B2 (ja) 2013-08-19 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9374048B2 (en) 2013-08-20 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal processing device, and driving method and program thereof
TWI663820B (zh) 2013-08-21 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置
KR102232133B1 (ko) 2013-08-22 2021-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9443987B2 (en) 2013-08-23 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102244553B1 (ko) 2013-08-23 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 용량 소자 및 반도체 장치
TWI749810B (zh) 2013-08-28 2021-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US9590109B2 (en) 2013-08-30 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6426402B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US9360564B2 (en) 2013-08-30 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
WO2015030150A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Storage circuit and semiconductor device
US9552767B2 (en) 2013-08-30 2017-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP6406926B2 (ja) 2013-09-04 2018-10-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9449853B2 (en) 2013-09-04 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer
US9607991B2 (en) 2013-09-05 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6345544B2 (ja) 2013-09-05 2018-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US10008513B2 (en) 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102294507B1 (ko) 2013-09-06 2021-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6401977B2 (ja) 2013-09-06 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590110B2 (en) 2013-09-10 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ultraviolet light sensor circuit
TWI640014B (zh) 2013-09-11 2018-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置
US9269822B2 (en) 2013-09-12 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9893194B2 (en) 2013-09-12 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9716003B2 (en) 2013-09-13 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US9805952B2 (en) 2013-09-13 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI646690B (zh) 2013-09-13 2019-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102378241B1 (ko) 2013-09-13 2022-03-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9461126B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit
US9887297B2 (en) 2013-09-17 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer
US9269915B2 (en) 2013-09-18 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9859439B2 (en) 2013-09-18 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI677989B (zh) 2013-09-19 2019-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP6570817B2 (ja) 2013-09-23 2019-09-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI633668B (zh) 2013-09-23 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9425217B2 (en) 2013-09-23 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015084418A (ja) 2013-09-23 2015-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6383616B2 (ja) 2013-09-25 2018-08-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9799774B2 (en) 2013-09-26 2017-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Switch circuit, semiconductor device, and system
JP6392603B2 (ja) 2013-09-27 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6581765B2 (ja) 2013-10-02 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置
JP6386323B2 (ja) 2013-10-04 2018-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI741298B (zh) 2013-10-10 2021-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6438727B2 (ja) 2013-10-11 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および半導体装置の作製方法
KR102275031B1 (ko) 2013-10-16 2021-07-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 연산 처리 장치의 구동 방법
TWI621127B (zh) 2013-10-18 2018-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 運算處理裝置及其驅動方法
TWI642170B (zh) 2013-10-18 2018-11-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
US9455349B2 (en) 2013-10-22 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion
DE102014220672A1 (de) 2013-10-22 2015-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
CN105659369B (zh) 2013-10-22 2019-10-22 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
DE112014004839T5 (de) 2013-10-22 2016-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
JP2015109424A (ja) 2013-10-22 2015-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、該半導体装置の作製方法、及び該半導体装置に用いるエッチング溶液
JP2015179247A (ja) 2013-10-22 2015-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO2015060133A1 (en) 2013-10-22 2015-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6625796B2 (ja) 2013-10-25 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6457239B2 (ja) 2013-10-31 2019-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6440457B2 (ja) 2013-11-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6478562B2 (ja) 2013-11-07 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9385054B2 (en) 2013-11-08 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and manufacturing method thereof
JP2015118724A (ja) 2013-11-13 2015-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
JP6393590B2 (ja) 2013-11-22 2018-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6426437B2 (ja) 2013-11-22 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6486660B2 (ja) 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US20150155313A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2016001712A (ja) 2013-11-29 2016-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9601634B2 (en) 2013-12-02 2017-03-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102516162B1 (ko) 2013-12-02 2023-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제조방법
KR102705567B1 (ko) 2013-12-02 2024-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9991392B2 (en) 2013-12-03 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016027597A (ja) 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6537264B2 (ja) 2013-12-12 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9349751B2 (en) 2013-12-12 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI642186B (zh) 2013-12-18 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI721409B (zh) 2013-12-19 2021-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9379192B2 (en) 2013-12-20 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6444714B2 (ja) 2013-12-20 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2015097586A1 (en) 2013-12-25 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI637484B (zh) 2013-12-26 2018-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6402017B2 (ja) 2013-12-26 2018-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9960280B2 (en) 2013-12-26 2018-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015097596A1 (en) 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20160102295A (ko) 2013-12-26 2016-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9397149B2 (en) 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102320576B1 (ko) 2013-12-27 2021-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9349418B2 (en) 2013-12-27 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for driving the same
JP6506545B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6506961B2 (ja) 2013-12-27 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP6488124B2 (ja) 2013-12-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9577110B2 (en) 2013-12-27 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device
US9318618B2 (en) 2013-12-27 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20220046701A (ko) 2013-12-27 2022-04-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
JP6444723B2 (ja) 2014-01-09 2018-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9300292B2 (en) 2014-01-10 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit including transistor
US9401432B2 (en) 2014-01-16 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9379713B2 (en) 2014-01-17 2016-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Data processing device and driving method thereof
KR102306200B1 (ko) 2014-01-24 2021-09-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2015114476A1 (en) 2014-01-28 2015-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9929044B2 (en) 2014-01-30 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US9443876B2 (en) 2014-02-05 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module
TWI665778B (zh) 2014-02-05 2019-07-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組及電子裝置
US9653487B2 (en) 2014-02-05 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, module, and electronic device
US9929279B2 (en) 2014-02-05 2018-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9721968B2 (en) 2014-02-06 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic appliance
US10055232B2 (en) 2014-02-07 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising memory circuit
TWI685116B (zh) 2014-02-07 2020-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2015165226A (ja) 2014-02-07 2015-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 装置
US9869716B2 (en) 2014-02-07 2018-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device comprising programmable logic element
JP6534530B2 (ja) 2014-02-07 2019-06-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2015118436A1 (en) 2014-02-07 2015-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, device, and electronic device
KR20240093961A (ko) 2014-02-11 2024-06-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
KR102317297B1 (ko) 2014-02-19 2021-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물, 반도체 장치, 모듈, 및 전자 장치
TWI675004B (zh) 2014-02-21 2019-10-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體膜、電晶體、半導體裝置、顯示裝置以及電子裝置
JP2015172991A (ja) 2014-02-21 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、及び電子機器
JP6506566B2 (ja) 2014-02-21 2019-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 電流測定方法
KR102329066B1 (ko) 2014-02-28 2021-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 구동 방법, 및 전자 기기
US9294096B2 (en) 2014-02-28 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9564535B2 (en) 2014-02-28 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
US10074576B2 (en) 2014-02-28 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
CN106104772B (zh) 2014-02-28 2020-11-10 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及具有该半导体装置的显示装置
KR20150104518A (ko) 2014-03-05 2015-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레벨 시프터 회로
JP6474280B2 (ja) 2014-03-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9537478B2 (en) 2014-03-06 2017-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10096489B2 (en) 2014-03-06 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9397637B2 (en) 2014-03-06 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device
JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2019-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6585354B2 (ja) 2014-03-07 2019-10-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9419622B2 (en) 2014-03-07 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015132697A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
US9653611B2 (en) 2014-03-07 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6442321B2 (ja) 2014-03-07 2018-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9711536B2 (en) 2014-03-07 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US9443872B2 (en) 2014-03-07 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20160132405A (ko) 2014-03-12 2016-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6525421B2 (ja) 2014-03-13 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6541376B2 (ja) 2014-03-13 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
US9324747B2 (en) 2014-03-13 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
JP6560508B2 (ja) 2014-03-13 2019-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9640669B2 (en) 2014-03-13 2017-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module
JP6677449B2 (ja) 2014-03-13 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
KR20230062676A (ko) 2014-03-13 2023-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
US10361290B2 (en) 2014-03-14 2019-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device comprising adding oxygen to buffer film and insulating film
JP2015188071A (ja) 2014-03-14 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9299848B2 (en) 2014-03-14 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, RF tag, and electronic device
US9887212B2 (en) 2014-03-14 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2015136412A1 (en) 2014-03-14 2015-09-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit system
KR20160132982A (ko) 2014-03-18 2016-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제작 방법
JP6509596B2 (ja) 2014-03-18 2019-05-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9887291B2 (en) 2014-03-19 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module
US9842842B2 (en) 2014-03-19 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same
TWI657488B (zh) 2014-03-20 2019-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置
KR102398965B1 (ko) 2014-03-20 2022-05-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
WO2015145292A1 (en) 2014-03-28 2015-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
US9564408B2 (en) * 2014-03-28 2017-02-07 Intel Corporation Space transformer
JP6487738B2 (ja) 2014-03-31 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品
TWI695375B (zh) 2014-04-10 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
JP6635670B2 (ja) 2014-04-11 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9674470B2 (en) 2014-04-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device
TWI646782B (zh) 2014-04-11 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置
JP6541398B2 (ja) 2014-04-11 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN106256017B (zh) 2014-04-18 2020-02-07 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법
DE112015001878B4 (de) 2014-04-18 2021-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät
JP6613044B2 (ja) 2014-04-22 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
KR102380829B1 (ko) 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
KR102330412B1 (ko) 2014-04-25 2021-11-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
TWI643457B (zh) 2014-04-25 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9780226B2 (en) 2014-04-25 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6468686B2 (ja) 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US10043913B2 (en) 2014-04-30 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device
US10656799B2 (en) 2014-05-02 2020-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and operation method thereof
TWI679624B (zh) 2014-05-02 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6537341B2 (ja) 2014-05-07 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6653997B2 (ja) 2014-05-09 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示補正回路及び表示装置
KR102333604B1 (ko) 2014-05-15 2021-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP2015233130A (ja) 2014-05-16 2015-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板および半導体装置の作製方法
JP6612056B2 (ja) 2014-05-16 2019-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、及び監視装置
JP6580863B2 (ja) 2014-05-22 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、健康管理システム
TWI672804B (zh) 2014-05-23 2019-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP6616102B2 (ja) 2014-05-23 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
US10020403B2 (en) 2014-05-27 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR102418666B1 (ko) 2014-05-29 2022-07-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법
JP6615490B2 (ja) 2014-05-29 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
KR20150138026A (ko) 2014-05-29 2015-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP6653129B2 (ja) 2014-05-29 2020-02-26 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置
JP6525722B2 (ja) 2014-05-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置、電子部品、及び電子機器
TWI663726B (zh) 2014-05-30 2019-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置、模組及電子裝置
KR20170013240A (ko) 2014-05-30 2017-02-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 제조하기 위한 방법
JP6538426B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
US9831238B2 (en) 2014-05-30 2017-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion
KR20230140605A (ko) 2014-05-30 2023-10-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이의 제조 방법, 및 전자 장치
JP6537892B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI646658B (zh) 2014-05-30 2019-01-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2016015475A (ja) 2014-06-13 2016-01-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
KR102344782B1 (ko) 2014-06-13 2021-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 입력 장치 및 입출력 장치
KR102437450B1 (ko) 2014-06-13 2022-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치를 포함하는 전자 기기
TWI663733B (zh) 2014-06-18 2019-06-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電晶體及半導體裝置
KR20150146409A (ko) 2014-06-20 2015-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
TWI666776B (zh) 2014-06-20 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置
US9722090B2 (en) 2014-06-23 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
JP6545541B2 (ja) 2014-06-25 2019-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
CN104078759A (zh) * 2014-06-27 2014-10-01 南通富士通微电子股份有限公司 射频识别天线的形成方法
US10002971B2 (en) 2014-07-03 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
US9647129B2 (en) 2014-07-04 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9729809B2 (en) 2014-07-11 2017-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of semiconductor device or electronic device
US9461179B2 (en) 2014-07-11 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure
CN106537604B (zh) 2014-07-15 2020-09-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法以及包括该半导体装置的显示装置
JP6581825B2 (ja) 2014-07-18 2019-09-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム
KR102422059B1 (ko) 2014-07-18 2022-07-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 촬상 장치, 및 전자 기기
KR102352633B1 (ko) 2014-07-25 2022-01-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발진 회로 및 그것을 포함하는 반도체 장치
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6527416B2 (ja) 2014-07-29 2019-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6555956B2 (ja) 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
CN106537486B (zh) 2014-07-31 2020-09-15 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子装置
US9705004B2 (en) 2014-08-01 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9373070B2 (en) * 2014-08-04 2016-06-21 Avery Dennison Corporation Use of RFID chip as assembly facilitator
JP6553444B2 (ja) 2014-08-08 2019-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6739150B2 (ja) 2014-08-08 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、発振回路、位相同期回路及び電子機器
JP6652342B2 (ja) 2014-08-08 2020-02-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10147747B2 (en) 2014-08-21 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
US10032888B2 (en) 2014-08-22 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device
US10559667B2 (en) 2014-08-25 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
WO2016030801A1 (en) 2014-08-29 2016-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
KR102545592B1 (ko) 2014-09-02 2023-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치 및 전자 기기
KR102329498B1 (ko) 2014-09-04 2021-11-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2016066065A (ja) 2014-09-05 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および電子機器
US9766517B2 (en) 2014-09-05 2017-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display module
US9722091B2 (en) 2014-09-12 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6676316B2 (ja) 2014-09-12 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20160034200A (ko) 2014-09-19 2016-03-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9401364B2 (en) 2014-09-19 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR102513878B1 (ko) 2014-09-19 2023-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
JP2016066788A (ja) 2014-09-19 2016-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法
US10071904B2 (en) 2014-09-25 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
US10141342B2 (en) 2014-09-26 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
JP2016111677A (ja) 2014-09-26 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、無線センサ、及び電子機器
US10170055B2 (en) 2014-09-26 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
WO2016046685A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device
US9450581B2 (en) 2014-09-30 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
WO2016055894A1 (en) 2014-10-06 2016-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9698170B2 (en) 2014-10-07 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
CN106796918A (zh) 2014-10-10 2017-05-31 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、电路板及电子设备
CN106797213B (zh) 2014-10-10 2021-02-02 株式会社半导体能源研究所 逻辑电路、处理单元、电子构件以及电子设备
US9991393B2 (en) 2014-10-16 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, module, and electronic device
JP6645793B2 (ja) 2014-10-17 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016063159A1 (en) 2014-10-20 2016-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device
US10068927B2 (en) 2014-10-23 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6615565B2 (ja) 2014-10-24 2019-12-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR102439023B1 (ko) 2014-10-28 2022-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기
TWI652362B (zh) 2014-10-28 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物及其製造方法
US9704704B2 (en) 2014-10-28 2017-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
US9793905B2 (en) 2014-10-31 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10680017B2 (en) 2014-11-07 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device
US9548327B2 (en) 2014-11-10 2017-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer
US9584707B2 (en) 2014-11-10 2017-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
TWI711165B (zh) 2014-11-21 2020-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
TWI841974B (zh) 2014-11-21 2024-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9438234B2 (en) 2014-11-21 2016-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device including logic circuit
JP6563313B2 (ja) 2014-11-21 2019-08-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
TWI669819B (zh) 2014-11-28 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、模組以及電子裝置
JP6647841B2 (ja) 2014-12-01 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物の作製方法
US20160155849A1 (en) 2014-12-02 2016-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device
JP6667267B2 (ja) 2014-12-08 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6647846B2 (ja) 2014-12-08 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6833315B2 (ja) 2014-12-10 2021-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
CN113793872A (zh) 2014-12-10 2021-12-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
JP6689062B2 (ja) 2014-12-10 2020-04-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9773832B2 (en) 2014-12-10 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2016092416A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and electronic device
JP6676354B2 (ja) 2014-12-16 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2016116220A (ja) 2014-12-16 2016-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
KR102581808B1 (ko) 2014-12-18 2023-09-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 센서 장치, 및 전자 기기
US10396210B2 (en) 2014-12-26 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device
KR20170101233A (ko) 2014-12-26 2017-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링용 타깃의 제작 방법
TWI686874B (zh) 2014-12-26 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法
KR20170098839A (ko) 2014-12-29 2017-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치를 가지는 표시 장치
US10522693B2 (en) 2015-01-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
US9954112B2 (en) 2015-01-26 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9812587B2 (en) 2015-01-26 2017-11-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9443564B2 (en) 2015-01-26 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR102320382B1 (ko) * 2015-01-28 2021-11-02 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR101636453B1 (ko) * 2015-01-29 2016-07-05 한림대학교 산학협력단 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
US9647132B2 (en) 2015-01-30 2017-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
TWI710124B (zh) 2015-01-30 2020-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置及電子裝置
KR20170109231A (ko) 2015-02-02 2017-09-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 및 그 제작 방법
KR20240090743A (ko) 2015-02-04 2024-06-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 또는 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
US9660100B2 (en) 2015-02-06 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI683365B (zh) 2015-02-06 2020-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 裝置及其製造方法以及電子裝置
JP6717604B2 (ja) 2015-02-09 2020-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、中央処理装置及び電子機器
JP6674269B2 (ja) 2015-02-09 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
WO2016128859A1 (en) 2015-02-11 2016-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN114512547A (zh) 2015-02-12 2022-05-17 株式会社半导体能源研究所 氧化物半导体膜及半导体装置
US9818880B2 (en) 2015-02-12 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP2016154225A (ja) 2015-02-12 2016-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP6758844B2 (ja) 2015-02-13 2020-09-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10403646B2 (en) 2015-02-20 2019-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9991394B2 (en) 2015-02-20 2018-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US9489988B2 (en) 2015-02-20 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device
US9722092B2 (en) 2015-02-25 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a stacked metal oxide
JP6739185B2 (ja) 2015-02-26 2020-08-12 株式会社半導体エネルギー研究所 ストレージシステム、およびストレージ制御回路
US9653613B2 (en) 2015-02-27 2017-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6744108B2 (ja) 2015-03-02 2020-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、トランジスタの作製方法、半導体装置および電子機器
WO2016139560A1 (en) 2015-03-03 2016-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film, semiconductor device including the oxide semiconductor film, and display device including the semiconductor device
TWI718125B (zh) 2015-03-03 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102653836B1 (ko) 2015-03-03 2024-04-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 또는 그를 포함하는 표시 장치
JP6681117B2 (ja) 2015-03-13 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10008609B2 (en) 2015-03-17 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
US9964799B2 (en) 2015-03-17 2018-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
WO2016147074A1 (en) 2015-03-17 2016-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
JP2016225602A (ja) 2015-03-17 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US10134332B2 (en) 2015-03-18 2018-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and driving method of display device
JP6662665B2 (ja) 2015-03-19 2020-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
US10147823B2 (en) 2015-03-19 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102582523B1 (ko) 2015-03-19 2023-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
KR20160114511A (ko) 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US9634048B2 (en) 2015-03-24 2017-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9842938B2 (en) 2015-03-24 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including semiconductor device
US10429704B2 (en) 2015-03-26 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
US10096715B2 (en) 2015-03-26 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device
US9806200B2 (en) 2015-03-27 2017-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6736321B2 (ja) 2015-03-27 2020-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
TWI695513B (zh) 2015-03-27 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
TW202316486A (zh) 2015-03-30 2023-04-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
US9716852B2 (en) 2015-04-03 2017-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Broadcast system
US10389961B2 (en) 2015-04-09 2019-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US10372274B2 (en) 2015-04-13 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and touch panel
KR20240069807A (ko) 2015-04-13 2024-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US10460984B2 (en) 2015-04-15 2019-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating electrode and semiconductor device
US10056497B2 (en) 2015-04-15 2018-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2016206659A (ja) 2015-04-16 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法
US10192995B2 (en) 2015-04-28 2019-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10002970B2 (en) 2015-04-30 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same
KR102549926B1 (ko) 2015-05-04 2023-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기
US10671204B2 (en) 2015-05-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and data processor
JP6681780B2 (ja) 2015-05-07 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システムおよび電子機器
DE102016207737A1 (de) 2015-05-11 2016-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand
TWI693719B (zh) 2015-05-11 2020-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP6935171B2 (ja) 2015-05-14 2021-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11728356B2 (en) 2015-05-14 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element and imaging device
US9627034B2 (en) 2015-05-15 2017-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US9837547B2 (en) 2015-05-22 2017-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device
WO2016189414A1 (en) 2015-05-22 2016-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6773453B2 (ja) 2015-05-26 2020-10-21 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び電子機器
JP2016225614A (ja) 2015-05-26 2016-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10139663B2 (en) 2015-05-29 2018-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output device and electronic device
KR102553553B1 (ko) 2015-06-12 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
KR102556718B1 (ko) 2015-06-19 2023-07-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 그 제작 방법, 및 전자 기기
US9860465B2 (en) 2015-06-23 2018-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
US9935633B2 (en) 2015-06-30 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10290573B2 (en) 2015-07-02 2019-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US9917209B2 (en) 2015-07-03 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor
US10181531B2 (en) 2015-07-08 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor having low parasitic capacitance
JP2017022377A (ja) 2015-07-14 2017-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10501003B2 (en) 2015-07-17 2019-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, lighting device, and vehicle
US10985278B2 (en) 2015-07-21 2021-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US11024725B2 (en) 2015-07-24 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including metal oxide film
US11189736B2 (en) 2015-07-24 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US10424671B2 (en) 2015-07-29 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, circuit board, and electronic device
US10585506B2 (en) 2015-07-30 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with high visibility regardless of illuminance of external light
JP6802656B2 (ja) 2015-07-30 2020-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 メモリセルの作製方法及び半導体装置の作製方法
CN106409919A (zh) 2015-07-30 2017-02-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US9825177B2 (en) 2015-07-30 2017-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask
US9911861B2 (en) 2015-08-03 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device
US9876946B2 (en) 2015-08-03 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
JP6791661B2 (ja) 2015-08-07 2020-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
WO2017029576A1 (en) 2015-08-19 2017-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US9666606B2 (en) 2015-08-21 2017-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP2017041877A (ja) 2015-08-21 2017-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子部品、および電子機器
US9773919B2 (en) 2015-08-26 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2017037564A1 (en) 2015-08-28 2017-03-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device
JP2017050537A (ja) 2015-08-31 2017-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9911756B2 (en) 2015-08-31 2018-03-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage
JP6807683B2 (ja) 2015-09-11 2021-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力パネル
SG10201607278TA (en) 2015-09-18 2017-04-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and electronic device
JP2017063420A (ja) 2015-09-25 2017-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2017055967A1 (en) 2015-09-30 2017-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2017064587A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel
WO2017064590A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9852926B2 (en) 2015-10-20 2017-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device
US20170118479A1 (en) 2015-10-23 2017-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
KR102477518B1 (ko) 2015-10-23 2022-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US10007161B2 (en) 2015-10-26 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
SG10201608814YA (en) 2015-10-29 2017-05-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
US9773787B2 (en) 2015-11-03 2017-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
JP6796461B2 (ja) 2015-11-18 2020-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
US10868045B2 (en) 2015-12-11 2020-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP2018032839A (ja) 2015-12-11 2018-03-01 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器
US10050152B2 (en) 2015-12-16 2018-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
CN108475491B (zh) 2015-12-18 2021-04-20 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US10177142B2 (en) 2015-12-25 2019-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device
CN113327948A (zh) 2015-12-28 2021-08-31 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置
KR20180099725A (ko) 2015-12-29 2018-09-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 금속 산화물막 및 반도체 장치
JP6851814B2 (ja) 2015-12-29 2021-03-31 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
JP2017135698A (ja) 2015-12-29 2017-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、コンピュータ及び電子機器
TWI619937B (zh) * 2016-01-15 2018-04-01 奇美視像科技股份有限公司 以多光子激發技術檢查物體之方法以及量測物體之裝置
US10580798B2 (en) 2016-01-15 2020-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JPWO2017125796A1 (ja) 2016-01-18 2018-11-15 株式会社半導体エネルギー研究所 金属酸化物膜、半導体装置、及び表示装置
US9905657B2 (en) 2016-01-20 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9887010B2 (en) 2016-01-21 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and driving method thereof
US10411013B2 (en) 2016-01-22 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and memory device
US10700212B2 (en) 2016-01-28 2020-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof
US10115741B2 (en) 2016-02-05 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
US10250247B2 (en) 2016-02-10 2019-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
KR102655935B1 (ko) 2016-02-12 2024-04-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
JP6970511B2 (ja) 2016-02-12 2021-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 トランジスタ
US9954003B2 (en) 2016-02-17 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
WO2017149413A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN115954389A (zh) 2016-03-04 2023-04-11 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置
US10263114B2 (en) 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
JP6904730B2 (ja) 2016-03-08 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
US9882064B2 (en) 2016-03-10 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and electronic device
US10096720B2 (en) 2016-03-25 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor, semiconductor device, and electronic device
JP6668455B2 (ja) 2016-04-01 2020-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物半導体膜の作製方法
WO2017178923A1 (en) 2016-04-15 2017-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic component, and electronic device
US10236875B2 (en) 2016-04-15 2019-03-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for operating the semiconductor device
JP6266040B2 (ja) * 2016-05-19 2018-01-24 株式会社ソディック 積層造形装置
KR102358829B1 (ko) 2016-05-19 2022-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 산화물 반도체 및 트랜지스터
CN114664949A (zh) 2016-06-03 2022-06-24 株式会社半导体能源研究所 场效应晶体管
KR102330605B1 (ko) 2016-06-22 2021-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN106200180A (zh) * 2016-09-09 2016-12-07 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板静电释放防护装置及方法
US10411003B2 (en) 2016-10-14 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN110945413B (zh) * 2017-08-22 2024-06-21 洛克利光子有限公司 光学调制器以及制作光学调制器的方法
JP6782211B2 (ja) * 2017-09-08 2020-11-11 株式会社東芝 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法
KR102605008B1 (ko) 2018-01-24 2023-11-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
WO2019175704A1 (ja) 2018-03-16 2019-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 電気モジュール、表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置、電気モジュールの作製方法
WO2020012284A1 (ja) 2018-07-10 2020-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 二次電池の保護回路及び二次電池の異常検知システム
US10748934B2 (en) * 2018-08-28 2020-08-18 Qualcomm Incorporated Silicon on insulator with multiple semiconductor thicknesses using layer transfer
CN111106134B (zh) * 2018-10-29 2023-08-08 夏普株式会社 有源矩阵基板以及具备其的x射线拍摄面板
JP7345497B2 (ja) 2018-11-22 2023-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 電池パック
CN113196546A (zh) 2018-12-20 2021-07-30 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电池组
US11342256B2 (en) 2019-01-24 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Method of fine redistribution interconnect formation for advanced packaging applications
WO2020217130A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および電子機器
CN113711295A (zh) 2019-05-10 2021-11-26 株式会社半导体能源研究所 显示装置以及电子设备
IT201900006740A1 (it) 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di strutturazione di substrati
IT201900006736A1 (it) 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di fabbricazione di package
US11931855B2 (en) 2019-06-17 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Planarization methods for packaging substrates
JP6864875B2 (ja) 2019-08-30 2021-04-28 日亜化学工業株式会社 発光モジュール及びその製造方法
CN112648937B (zh) * 2019-10-13 2023-01-06 中北大学 带有防转机构的孔检测装置与检测方法
US11862546B2 (en) 2019-11-27 2024-01-02 Applied Materials, Inc. Package core assembly and fabrication methods
US11637919B2 (en) 2019-12-03 2023-04-25 Apple Inc. Handheld electronic device
US11838432B2 (en) 2019-12-03 2023-12-05 Apple Inc. Handheld electronic device
US11257790B2 (en) 2020-03-10 2022-02-22 Applied Materials, Inc. High connectivity device stacking
US11454884B2 (en) 2020-04-15 2022-09-27 Applied Materials, Inc. Fluoropolymer stamp fabrication method
US11400545B2 (en) 2020-05-11 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Laser ablation for package fabrication
US11232951B1 (en) 2020-07-14 2022-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for laser drilling blind vias
US11676832B2 (en) 2020-07-24 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Laser ablation system for package fabrication
US11521937B2 (en) 2020-11-16 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Package structures with built-in EMI shielding
US11404318B2 (en) 2020-11-20 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Methods of forming through-silicon vias in substrates for advanced packaging
US12003657B2 (en) 2021-03-02 2024-06-04 Apple Inc. Handheld electronic device
US11705365B2 (en) 2021-05-18 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Methods of micro-via formation for advanced packaging

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1317106A (zh) * 1998-09-04 2001-10-10 松下电器产业株式会社 有源矩阵型液晶显示装置及其制造方法
CN1360349A (zh) * 1993-06-12 2002-07-24 株式会社半导体能源研究所 具有薄膜晶体管的器件

Family Cites Families (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59169154A (ja) 1983-03-16 1984-09-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US4713518A (en) * 1984-06-08 1987-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device manufacturing methods
JPS6384789A (ja) 1986-09-26 1988-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光加工方法
US5708252A (en) 1986-09-26 1998-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Excimer laser scanning system
US6149988A (en) 1986-09-26 2000-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and system of laser processing
EP0296707A1 (en) * 1987-06-12 1988-12-28 Hewlett-Packard Company Incorporation of dielectric layers in a semiconductor
JP2616040B2 (ja) * 1989-08-31 1997-06-04 松下電器産業株式会社 厚膜回路基板の製造方法
JPH05160271A (ja) * 1991-12-03 1993-06-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP3893645B2 (ja) * 1996-03-18 2007-03-14 ソニー株式会社 薄膜半導体装置およびｉｃカードの製造方法
JP2004206134A (ja) * 1996-10-22 2004-07-22 Seiko Epson Corp 液晶パネル用基板、液晶パネル、及びそれを用いた電子機器並びに投写型表示装置
US6310300B1 (en) * 1996-11-08 2001-10-30 International Business Machines Corporation Fluorine-free barrier layer between conductor and insulator for degradation prevention
JP3361029B2 (ja) * 1997-03-19 2003-01-07 株式会社東芝 表示装置
JPH1148661A (ja) * 1997-08-05 1999-02-23 Hitachi Maxell Ltd 非接触ｉｃカード及びその製造方法
JP4073533B2 (ja) * 1998-02-09 2008-04-09 株式会社半導体エネルギー研究所 情報処理装置
US5946567A (en) * 1998-03-20 1999-08-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for making metal capacitors for deep submicrometer processes for semiconductor integrated circuits
US6046381A (en) * 1998-04-30 2000-04-04 The Regents Of The University Of California Apolipoprotein E transgenic mice and assay methods
GB9821311D0 (en) * 1998-10-02 1998-11-25 Koninkl Philips Electronics Nv Reflective liquid crystal display device
JP2000150861A (ja) * 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP2000330134A (ja) * 1999-03-16 2000-11-30 Furontekku:Kk 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置
EP1208238B1 (en) * 1999-08-27 2008-11-12 Matrix Technologies Corporation Methods of immobilizing ligands on solid supports
US6399486B1 (en) 1999-11-22 2002-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of improved copper gap fill
JP3365554B2 (ja) 2000-02-07 2003-01-14 キヤノン販売株式会社 半導体装置の製造方法
US6882012B2 (en) * 2000-02-28 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and a method of manufacturing the same
US6309957B1 (en) 2000-04-03 2001-10-30 Taiwan Semiconductor Maufacturing Company Method of low-K/copper dual damascene
JP3868713B2 (ja) 2000-05-18 2007-01-17 独立行政法人科学技術振興機構 超短光パルスによりガラス中に作製した三次元光メモリー素子のデータの書き換え方法
JP3645184B2 (ja) * 2000-05-31 2005-05-11 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその欠陥修正方法
JP3719939B2 (ja) * 2000-06-02 2005-11-24 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに表示装置および撮像装置
US6376353B1 (en) 2000-07-03 2002-04-23 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Aluminum and copper bimetallic bond pad scheme for copper damascene interconnects
JP2002083691A (ja) * 2000-09-06 2002-03-22 Sharp Corp アクティブマトリックス駆動型有機ｌｅｄ表示装置及びその製造方法
US6429118B1 (en) 2000-09-18 2002-08-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Elimination of electrochemical deposition copper line damage for damascene processing
JP4282219B2 (ja) * 2000-11-28 2009-06-17 三洋電機株式会社 画素暗点化方法
US6753249B1 (en) 2001-01-16 2004-06-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Multilayer interface in copper CMP for low K dielectric
US6495437B1 (en) * 2001-02-09 2002-12-17 Advanced Micro Devices, Inc. Low temperature process to locally form high-k gate dielectrics
US6492708B2 (en) 2001-03-14 2002-12-10 International Business Machines Corporation Integrated coil inductors for IC devices
JP4090716B2 (ja) * 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
US7061014B2 (en) * 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4083486B2 (ja) * 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
JP2003324201A (ja) * 2002-02-26 2003-11-14 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置
US6885146B2 (en) * 2002-03-14 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates
US7049190B2 (en) * 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP4042497B2 (ja) 2002-04-15 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 導電膜パターンの形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体
JP3787839B2 (ja) * 2002-04-22 2006-06-21 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法、デバイス及び電子機器
US7105868B2 (en) * 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
JP3749884B2 (ja) * 2002-08-28 2006-03-01 株式会社東芝 電子透かし埋め込み装置、電子透かし解析装置、電子透かし埋め込み方法、電子透かし解析方法及びプログラム
US7067843B2 (en) * 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
US7404990B2 (en) 2002-11-14 2008-07-29 Air Products And Chemicals, Inc. Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films
EP1437683B1 (en) * 2002-12-27 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. IC card and booking account system using the IC card
US7041748B2 (en) 2003-01-08 2006-05-09 International Business Machines Corporation Patternable low dielectric constant materials and their use in ULSI interconnection
WO2004070810A1 (ja) * 2003-02-05 2004-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 表示装置の製造方法
JP4566578B2 (ja) * 2003-02-24 2010-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜集積回路の作製方法
US7973313B2 (en) * 2003-02-24 2011-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device, IC label, container comprising the thin film integrated circuit, manufacturing method of the thin film integrated circuit device, manufacturing method of the container, and management method of product having the container
AU2004223493A1 (en) 2003-02-28 2004-10-07 Brown University Nanopores, methods for using same, methods for making same and methods for characterizing biomolecules using same
JP2004305990A (ja) 2003-04-10 2004-11-04 Seiko Epson Corp パターン形成方法、パターン形成装置、導電膜配線、デバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
KR100510915B1 (ko) 2003-07-18 2005-08-26 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 절연막 형성 방법
TWI230462B (en) * 2003-09-15 2005-04-01 Toppoly Optoelectronics Corp Thin film transistor structure with self-aligned intra-gate
JP4334308B2 (ja) * 2003-09-24 2009-09-30 オムロンレーザーフロント株式会社 配線修正装置
TWI457835B (zh) * 2004-02-04 2014-10-21 Semiconductor Energy Lab 攜帶薄膜積體電路的物品
JP4194508B2 (ja) 2004-02-26 2008-12-10 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
US20070194379A1 (en) * 2004-03-12 2007-08-23 Japan Science And Technology Agency Amorphous Oxide And Thin Film Transistor
US7297977B2 (en) * 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7145174B2 (en) * 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7242039B2 (en) * 2004-03-12 2007-07-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
JP2005327898A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
CN101044597B (zh) 2004-10-20 2012-11-28 株式会社半导体能源研究所 激光照射方法、激光照射装置和制造半导体器件的方法
US7453065B2 (en) * 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
EP2453480A2 (en) * 2004-11-10 2012-05-16 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
US7872259B2 (en) * 2004-11-10 2011-01-18 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7791072B2 (en) * 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7829444B2 (en) * 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
WO2006051995A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7863611B2 (en) * 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7732349B2 (en) 2004-11-30 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of insulating film and semiconductor device
US7985677B2 (en) 2004-11-30 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US7696625B2 (en) 2004-11-30 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US8681077B2 (en) * 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) * 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US8300031B2 (en) * 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
US7199528B2 (en) * 2005-04-21 2007-04-03 Energy Conservation Technologies, Inc. Control circuit for maintaining constant power in power factor corrected electronic ballasts and power supplies
US7402506B2 (en) * 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
KR100711890B1 (ko) * 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP4280736B2 (ja) * 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) * 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP2007073705A (ja) * 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
EP1998373A3 (en) 2005-09-29 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5037808B2 (ja) * 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101103374B1 (ko) * 2005-11-15 2012-01-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
KR101229280B1 (ko) * 2005-12-28 2013-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 표시 패널
US7867636B2 (en) * 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) * 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) * 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) * 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) * 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP4609797B2 (ja) * 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) * 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) * 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) * 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) * 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) * 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) * 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) * 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) * 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) * 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) * 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) * 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1360349A (zh) * 1993-06-12 2002-07-24 株式会社半导体能源研究所 具有薄膜晶体管的器件
CN1317106A (zh) * 1998-09-04 2001-10-10 松下电器产业株式会社 有源矩阵型液晶显示装置及其制造方法

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