JP2005327898A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導体プラグ20と、一方の端部が導体プラグの上部に直接接続された配線22とを有する半導体装置であって、導体プラグは、導体プラグの上部に、導体プラグと一体に形成され、配線の一方の端部から配線の内部に向かう方向に突出する突出部20aを有しており、配線は、導体プラグのうちの少なくとも突出部に接続されている。導体プラグが突出部を有しているため、配線のパターンが大きく後退した場合であっても、少なくとも突出部において配線と導体プラグとの接続が確保される。このため、配線の微細化、高密度化に伴って配線のパターンが大きく後退した場合であっても、配線と導体プラグとを確実に接続することができる。従って、信頼性を確保しつつ微細化、高集積化を実現し得る半導体装置を提供することができる。
【選択図】図1
Description
前記導電膜をパターニングし、一方の端部が少なくとも前記突出部に接続された、前記導電膜より成る配線を形成する工程とを有し、前記配線を形成する工程では、前記配線の前記一方の端部から前記配線の内部に向かう方向が前記第1の方向と一致するように、前記配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法により達成される。
本発明の第1実施形態による半導体装置を図1を用いて説明する。図1は、本実施形態による半導体装置を示す概略図である。図1(a)は平面図であり、図1(b)は断面図である。
本発明の第2実施形態による半導体装置を図2を用いて説明する。図2は、本実施形態による半導体装置を示す概略図である。図2(a)は平面図であり、図2(b)は断面図である。図1に示す第1実施形態による半導体装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第3実施形態による半導体装置を図3を用いて説明する。図3は、本実施形態による半導体装置を示す概略図である。図1又は図2に示す第1又は第2実施形態による半導体装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第4実施形態による半導体装置及びその製造方法を図4乃至図11を用いて説明する。図4は、本実施形態による半導体装置を示す断面図である。図1乃至図3に示す第1乃至第3実施形態による半導体装置と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
まず、本実施形態による半導体装置を図4を用いて説明する。図4において、紙面左側の領域はメモリセル領域2を示しており、紙面右側の領域はロジック回路(周辺回路)領域4を示している。メモリセル領域2には、トランジスタ等の各素子が高密度に形成される。一方、ロジック回路領域4には、トランジスタ等の各素子は比較的低密度に形成される。
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図5乃至図11を用いて説明する。図5乃至図11は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例を図12を用いて説明する。図12は、本変形例による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
本発明の第5実施形態による半導体装置及びその製造方法を図13乃至図16を用いて説明する。図13は、本実施形態による半導体装置を示す断面図である。図1乃至図12に示す第1乃至第4実施形態による半導体装置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
まず、本実施形態による半導体装置について図13を用いて説明する。
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図14乃至図16を用いて説明する。図14乃至図16は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
次に、本実施形態の変形例による半導体装置及びその製造方法を図17乃至図20を用いて説明する。図17は、本変形例による半導体装置を示す断面図である。図18乃至図20は、本変形例による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
本発明の第6実施形態による半導体装置及びその製造方法を図21を用いて説明する。図21は、本実施形態による半導体装置を示す概略図である。図21(a)は平面図であり、図21(b)は断面図である。図1乃至図20に示す第1乃至第5実施形態による半導体装置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第7実施形態による半導体装置を図22及び図23を用いて説明する。図22は、本実施形態による半導体装置を示す断面図である。図23は、本実施形態による半導体装置を示す平面図である。図22は、図23のA−A′線断面図である。図1乃至図21に示す第1乃至第6実施形態による半導体装置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明の第8実施形態によるマスクパターンの形成方法を図24乃至図26を用いて説明する。図24及び図25は、本実施形態によるマスクパターンの形成方法を示す概念図である。図1乃至図23に示す第1乃至第7実施形態による半導体装置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
導体プラグと、一方の端部が前記導体プラグの上部に直接接続された配線とを有する半導体装置であって、
前記導体プラグは、前記導体プラグの上部に、前記導体プラグと一体に形成され、前記配線の前記一方の端部から前記配線の内部に向かう方向に突出する突出部を有しており、
前記配線は、前記導体プラグのうちの少なくとも前記突出部に接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
付記1記載の半導体装置において、
前記配線の前記一方の端部に近接する他の配線を更に有し、
前記他の配線の長手方向は、前記配線の長手方向に交差する方向である
ことを特徴とする半導体装置。
付記1記載の半導体装置において、
前記配線の前記一方の端部に近接する他の配線を更に有し、
前記配線の前記一方の端部と前記他の配線の一方の端部とが互いに対向している
ことを特徴とする半導体装置。
付記1記載の半導体装置において、
前記導体プラグに近接して配された他の導体プラグと、
一方の端部が前記他の導体プラグの上部に直接接続された他の配線とを更に有し、
前記他の導体プラグは、前記他の導体プラグの上部に、前記他の導体プラグと一体に形成され、前記他の配線の前記一方の端部から前記他の配線の内部に向かう方向に突出する他の突出部を有しており、
前記他の配線は、前記他の導体プラグのうちの少なくとも前記他の突出部に接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
導体プラグと、
前記導体プラグから離間して配された他の導体プラグと、
前記導体プラグ及び前記他の導体プラグと一体に形成され、前記導体プラグの上部と前記他の導体プラグの上部とを接続する導電体と、
前記導電体に沿うように形成され、少なくとも前記導電層に直接接続された配線と
を有することを特徴とする半導体装置。
付記1乃至5のいずれかに記載の半導体装置において、
前記導体プラグの下部は、トランジスタのゲート電極又はソース/ドレイン拡散層に接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
付記1又は5記載の半導体装置において、
前記導体プラグの下部は、他の配線に接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
付記1乃至7のいずれかに記載の半導体装置において、
前記コンタクト層は、メモリセル領域に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールより浅く、前記コンタクトホールから第1の方向に伸びる溝を、前記コンタクトホールと一体に前記絶縁層に形成する工程と、
前記溝内に突出する突出部を有する導体プラグを、前記溝内及び前記コンタクトホール内に埋め込む工程と、
前記絶縁層上及び前記導体プラグ上に導電膜を直接形成する工程と、
前記導電膜をパターニングし、一方の端部が少なくとも前記突出部に接続された、前記導電膜より成る配線を形成する工程とを有し、
前記配線を形成する工程では、前記配線の前記一方の端部から前記配線の内部に向かう方向が前記第1の方向と一致するように、前記配線を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、
第1の箇所から第1の方向に伸びる溝を前記絶縁層に形成する工程と、
前記絶縁層の前記第1の箇所に、前記溝より深いコンタクトホールを前記溝と一体に形成する工程と、
前記溝内に突出する突出部を有する導体プラグを、前記コンタクトホール内及び前記溝内に埋め込む工程と、
前記絶縁層上及び前記コンタクト層上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングし、一方の端部が少なくとも前記突出部に接続された、前記導電膜より成る配線を形成する工程とを有し、
前記配線を形成する工程では、前記配線の前記一方の端部から前記配線の内部に向かう方向が前記第1の方向と一致するように、前記配線を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に第1のコンタクトホール及び第2のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第1及び前記第2のコンタクトホールより浅く、前記第1のコンタクトホールから前記第2のコンタクトホールに達する溝を、前記第1及び前記第2のコンタクトホールと一体に前記絶縁層に形成する工程と、
前記第1のコンタクトホール内に導体プラグを埋め込み、前記第2のコンタクトホール内に他の導体プラグを埋め込むとともに、前記溝内に導電体を埋め込む工程と、
前記絶縁層上、前記導体プラグ上、前記他の導体プラグ上、及び前記導電体上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングし、少なくとも前記導電体に接続された、前記導電膜より成る配線を、前記導電体に沿うように形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、
第1の箇所から第2の箇所に達する溝を前記絶縁層に形成する工程と、
前記絶縁層の前記第1の箇所に、前記溝より深い第1のコンタクトホールを前記溝と一体に形成するとともに、前記絶縁層の前記第2の箇所に、前記溝より深い第2のコンタクトホールを前記溝と一体に形成する工程と、
前記第1のコンタクトホール内に導体プラグを埋め込み、前記第2のコンタクトホール内に他の導体プラグを埋め込むとともに、前記溝内に導電体を埋め込む工程と、
前記絶縁層上、前記導体プラグ上、前記他の導体プラグ上及び前記導電体上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングし、少なくとも前記導電体に接続された、前記導電膜より成る配線を、前記導電体に沿うように形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記9乃至12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層を形成する工程は、第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜とエッチング特性が異なる第2の膜を形成する工程と、前記第2の膜とエッチング特性が異なる第3の膜を形成する工程とを有し、
前記溝を形成する工程は、前記第2の膜をエッチングストッパとして前記第3の膜をエッチングし、前記溝を前記第2の膜に達するように形成する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
付記13記載の半導体装置の製造方法において、
前記溝を形成する工程は、前記溝を前記第2の膜に達するように形成する工程の後、前記第1の膜をエッチングストッパとして前記溝内に露出した前記第2の膜をエッチングし、前記溝を前記第1の膜に達するように形成する工程を更に有する
を特徴とする半導体装置の製造方法。
付記13又は14記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の膜は、第1のシリコン酸化膜より成り、
前記第2の膜は、シリコン窒化膜より成り、
前記第3の膜は、第2のシリコン酸化膜より成る
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4…ロジック回路領域、周辺回路領域
10…半導体基板
12…配線
14、14a…層間絶縁膜
16、16a、16b…コンタクトホール
18…溝
20…導体プラグ
20a…突出部
22、22a〜22g…配線
24…配線
26…導体プラグ
26a…突出部
28…配線
30…コンタクトホール
32…溝
34…素子領域
36…素子分離領域
38…ゲート絶縁膜
40…ゲート電極
42…サイドウォール絶縁膜
44…ソース/ドレイン拡散層
46…トランジスタ
48…コンタクトホール
50…導体プラグ
52…配線
54…層間絶縁膜
56…コンタクトホール
58…導体プラグ
60…コンタクトホール
62…溝
64…導体プラグ
64a…突出部
66…配線
68…配線
70…配線
72…層間絶縁膜
74…フォトレジスト膜
76…開口部
78…フォトレジスト膜
80…開口部
82…導電膜
84…導電膜
86…フォトレジスト膜
88…フォトレジスト膜
90…開口部
92…フォトレジスト膜
94…開口部
96…導電膜
98…導電膜
100…フォトレジスト膜
102a…第1の絶縁膜
102b…第2の絶縁膜
102c…第3の絶縁膜
103…コンタクトホール
104…コンタクトホール
106…溝
108…導体プラグ
108a…導体プラグ
108b…導体プラグ
108c…導電体
110…配線
210…半導体基板
212…配線
214…層間絶縁膜
216…コンタクトホール
220…導体プラグ
222…配線
226…導体プラグ
228…配線
230…コンタクトホール
Claims (10)
- 導体プラグと、一方の端部が前記導体プラグの上部に直接接続された配線とを有する半導体装置であって、
前記導体プラグは、前記導体プラグの上部に、前記導体プラグと一体に形成され、前記配線の前記一方の端部から前記配線の内部に向かう方向に突出する突出部を有しており、
前記配線は、前記導体プラグのうちの少なくとも前記突出部に接続されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記配線の前記一方の端部に近接する他の配線を更に有し、
前記他の配線の長手方向は、前記配線の長手方向に交差する方向である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記配線の前記一方の端部に近接する他の配線を更に有し、
前記配線の前記一方の端部と前記他の配線の一方の端部とが互いに対向している
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記導体プラグに近接して配された他の導体プラグと、
一方の端部が前記他の導体プラグの上部に直接接続された他の配線とを更に有し、
前記他の導体プラグは、前記他の導体プラグの上部に、前記他の導体プラグと一体に形成され、前記他の配線の前記一方の端部から前記他の配線の内部に向かう方向に突出する他の突出部を有しており、
前記他の配線は、前記他の導体プラグのうちの少なくとも前記他の突出部に接続されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 導体プラグと、
前記導体プラグから離間して配された他の導体プラグと、
前記導体プラグ及び前記他の導体プラグと一体に形成され、前記導体プラグの上部と前記他の導体プラグの上部とを接続する導電体と、
前記導電体に沿うように形成され、少なくとも前記導電層に直接接続された配線と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールより浅く、前記コンタクトホールから第1の方向に伸びる溝を、前記コンタクトホールと一体に前記絶縁層に形成する工程と、
前記溝内に突出する突出部を有する導体プラグを、前記溝内及び前記コンタクトホール内に埋め込む工程と、
前記絶縁層上及び前記導体プラグ上に導電膜を直接形成する工程と、
前記導電膜をパターニングし、一方の端部が少なくとも前記突出部に接続された、前記導電膜より成る配線を形成する工程とを有し、
前記配線を形成する工程では、前記配線の前記一方の端部から前記配線の内部に向かう方向が前記第1の方向と一致するように、前記配線を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、
第1の箇所から第1の方向に伸びる溝を前記絶縁層に形成する工程と、
前記絶縁層の前記第1の箇所に、前記溝より深いコンタクトホールを前記溝と一体に形成する工程と、
前記溝内に突出する突出部を有する導体プラグを、前記コンタクトホール内及び前記溝内に埋め込む工程と、
前記絶縁層上及び前記コンタクト層上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングし、一方の端部が少なくとも前記突出部に接続された、前記導電膜より成る配線を形成する工程とを有し、
前記配線を形成する工程では、前記配線の前記一方の端部から前記配線の内部に向かう方向が前記第1の方向と一致するように、前記配線を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に第1のコンタクトホール及び第2のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第1及び前記第2のコンタクトホールより浅く、前記第1のコンタクトホールから前記第2のコンタクトホールに達する溝を、前記第1及び前記第2のコンタクトホールと一体に前記絶縁層に形成する工程と、
前記第1のコンタクトホール内に導体プラグを埋め込み、前記第2のコンタクトホール内に他の導体プラグを埋め込むとともに、前記溝内に導電体を埋め込む工程と、
前記絶縁層上、前記導体プラグ上、前記他の導体プラグ上、及び前記導電体上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングし、少なくとも前記導電体に接続された、前記導電膜より成る配線を、前記導電体に沿うように形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に絶縁層を形成する工程と、
第1の箇所から第2の箇所に達する溝を前記絶縁層に形成する工程と、
前記絶縁層の前記第1の箇所に、前記溝より深い第1のコンタクトホールを前記溝と一体に形成するとともに、前記絶縁層の前記第2の箇所に、前記溝より深い第2のコンタクトホールを前記溝と一体に形成する工程と、
前記第1のコンタクトホール内に導体プラグを埋め込み、前記第2のコンタクトホール内に他の導体プラグを埋め込むとともに、前記溝内に導電体を埋め込む工程と、
前記絶縁層上、前記導体プラグ上、前記他の導体プラグ上及び前記導電体上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングし、少なくとも前記導電体に接続された、前記導電膜より成る配線を、前記導電体に沿うように形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項6乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層を形成する工程は、第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜とエッチング特性が異なる第2の膜を形成する工程と、前記第2の膜とエッチング特性が異なる第3の膜を形成する工程とを有し、
前記溝を形成する工程は、前記第2の膜をエッチングストッパとして前記第3の膜をエッチングし、前記溝を前記第2の膜に達するように形成する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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